TW460424B - Germanium chloride and siloxane feedstock for forming silica glass and method - Google Patents

Germanium chloride and siloxane feedstock for forming silica glass and method Download PDF

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Description

4 6 〇 4 v /： 2 Α7 ---—.—— ______________________ Β7 五、發明説明（f ) ! 發明領域：
I 本發明係關於碎石原料組成份。特別是本發明係關於 形成石夕石原料，以及製造光纖導管預製存之方法。 發明背景： 已知多種處理過程，其包含由不同原料製造出金屬氧 化物。該處理過程需要原料以及將原料燃燒及觸媒氧化之 構件使原料轉化為微細分離顆粒稱為粉塵。該粉塵能夠加 熱處理以形成高純度玻璃物體。該處理過程通常使用特別 轉化位置裝置包含產生火焰燃燒器進行。 • m n^i 1^1 · 過去四氯化碎已經使用作為主要含砂之原料，其被轉 化為石夕石。在原料中使用四氣化吩成為石夕石將產生高純度 碎石玻璃以及為商業化製造珍石玻璃之優先使用方法以及 特別適合製造光學波導以及其預製件。 有機金屬石夕氧烷化合物例如為八甲基環四梦氧院已經 使用於製造矽石玻璃以避免形成HC1副產物。Antos等人之 美國第5296012號專利說明有機金屬矽氧烷例如為八甲基 環四矽氧烷以及氣化物例如四氣化鍺在汽相狀態彼此為化 學性不相匹配及假如在氧化前混合在一起將在汽相傳輸系二 統中形成顆粒以及需要保持氣流為分離狀態。美國第52% g 012號專利揭示出利用各別原料氣流製造摻雜Ge02矽石玻 Λ 璃之複合多段燃燒器方法，其中八甲基環四石夕氧烧氣體傳 I 送至第一燃燒器以及66(：14氣體傳送至分離第二燃燒器。 ::丨 另外一個已知方法保持有機金屬化合物氣體與_化物摻 丨 雜劑化合物為分離的以及分離於不同傳送管線令，例如在 本4張尺.1¾用中牟（CNS ) Λ设格（2ΐϋ:.':2;)7公及） 4 6 0 4? 4 八7 B7 五、發明説明（2·) 套管中持續到其離開燃燒器，其具有多個同心圆煙霧管。 該方法所產生氣流，其含有有機金屬化合物氣體以及鹵化 物換雜劑化合物氣體，該氣流在傳送至轉化位置燃燒器後 I與化合物混合在—起於在離開轉化位置燃燒器表面後以 及剛好進入燃燒器火焰之前。該先前技衙方法為複雜的 以及在製造時將產生問題。 | 因此需要摻雜鍺之矽石原料及形成光學波導預製件以 及光學波導產品例如光纖，其避免先前技術產生之問題以 及複雜性。 發明大要： ί 本發明係關於形成矽石原料以及形成光學波導以及光 學波導預製件之方法，其實質上避免由於相關技術所受到 限制及缺點而產生一種或多種問題。 本發明主要優點在於提供形成矽石之原料流體，其將 產生摻雜鍺之矽石玻璃，其能夠方便地製造光學波導以及 預製件而不會產生大量有害HC1同時具有使用氣化物摻雜 劑前身產物之優點。 本發明其他特性及優點將揭示於下列說明中，以及部 份由說明變為清楚，或藉由實施本發明而更加清楚。本發 明目標以及其他優點藉由本發明方法以及組成份達成及實 現’特別是在下列說明以及申請專利範圍以及附圖指出。 為了達成本發明這些目標以及其他優點而具體及廣泛 地說明，本發明為形成矽石原料流體，其包含高純度矽氧烷 流S以及高純度氣化鍺流體，矽氧烷流體優先地包含至少 中:如丨宋in ( CNS ) Λ设3 (2U7公办） 4 6042 4 Λ7 137 五、發明説明（ f比八甲基環四矽氧烷；優先地氛化鍺流遠包含至少 99%重量比四氯化鍺。優先地形成矽石之原料流體為汽化 混合物，其溫度保持在175°C至200°C範圍内。 在另外一方面，本發明包含一種使用原料流體以形成 光學波導預製件以及光學波導之方法；優先地該方法包含 以南純度石夕氧院與咼純度氣化鍺混合之步潑，其比例為卜 10重量單位矽氧烷對1重量單位氯化鍺以產生流體原料，傳 送該流體原料通過加熱供應管線，其溫度在175°c至200t： 範圍内到達轉化位置，將傳送流體原料轉化為摻雜鍺之梦 石粉塵，將摻雜鍺矽石粉塵沉積於沉積表面上，及將沉積 摻雜鍺矽石粉塵形成為光學波導預製件。優先地碎氧烷 包含至少95%重量比八曱基環四矽氧烷。優先地氣化鍺包 含99%重量比四氣化鍺。優先地本發明方法包含將傳送流 體原料排出經過轉化器位置燃燒器之中心管線，該中心管 線由N2内部屏蔽，〇2外部屏蔽，及〇2及燃料外環圍繞著。 優先地該方法包含保持流體原料在溫度為19〇。(：至2〇〇t 範圍内之步驟將原料轉化為摻雜鍺矽石粉塵。 另外一方面，本發明包含製造光學波導預製件，在預製 件最終形成光學波導產物前為光學波導產物之前身產物及 實際實施例，例如藉由抽拉預製件成為光學波導纖維β 另外一方面，本發明包含藉由例如沉積，包層，乾燥，固 結，拉伸，外包層，以及再拉伸處理過程形成光學波導預製 件 另外一方面，本發明包含製造光纖之方法，其藉由將矽 ·;ί先κ· 兩之注念事項再填艿本玎
____'______1 Ί I H 5460424 Λ7 I>7
I 填爲以及a化鍺氧化物原料流體轉化為摻雜二氧化鍺矽石 | 玻瑀。製造光學波導纖维之方法包含下列步驛:提供第一 ! 流體原料，其由八甲基環四矽氧烷以及四氯化鍺所構成，傳
I 注 | 送第一流體原料通過加熱供應管線，其溫度在175t至200 I t：範園内到達轉化位置，將傳送第一流體原料轉化為摻雜 i 二氧化鍺之二氧化矽粉塵，將摻雜二氧化鍺之二氧化矽粉 | 塵沉積在沉積表面上,提供由八甲基環四矽氧烷所構成之 I 第二流體原料，傳送第二流體原料通過加熱供應管線，其溫 ! 度在175t至200X：範圍内到達轉化位置，將該傳送苐二流 I ’As•原斜轉化為一氧化碎粉塵，將二氧化砂粉塵沉積在糝雜 j 二氧化鍺之二氧化矽粉塵上，形成該沉積二氧化矽粉塵以 I 及摻雜二氧化鍺之沉積二氧化矽粉麈形成光學波導預製件 | ，以及抽拉該光學波導預製件成為光纖。 本發明另外一方面包含光學波導預製件製造裝置，其 包含轉化位置’其中傳送至轉化位置之流體原料轉化為摻 雜鍺矽石；一個構件作為提供流體原料，其由矽氧烷以及氣 化鍺所構成，·一個構件作為傳送所提供原料至轉化位置；其 令提供流縣料之構件包含-個構件作為將躲錯與碎氧 院混合於傳送至轉化位置之如及傳送所提做體原料之
原料之構件包含加熱傳送管線。 人捫了解先前說明以及下列詳細 說明為範例性以及說
： CSS ) /
460424 發明說明（ S' A? B7 彳旁匕片-說明 二 窗之一部份，列舉岀本發明實施例以及各項柯 發說明+_本獅辦。 附_簡單說明： . 包含本發明裝置及方法之示意圆。 圏2為轉化位置燃燒器實施例，其使用來實施本發明。 附圖數字符號說明： 燒液體容器2G;可控制果22;閥24;汽化器26; 供=氮II構件28;轉化位置別，氧烧管線32;供應氧 氧才再件糾’省線36;接頭38;氯化錯氣體管線40;接頭 42;氯化鍺汽化器44;氧氣供應源46;容器48;管線50; 燃燒H2;氣氣供應源54;氧氣供應源56;氮氣供應源 煙霧管件60;内部屏蔽62;外部屏蔽64;燃料氡氣外 每66;火焰68;沉積表面70;引架桿件72。 詳細說明： 現在對本發明優先實施例詳細說明，其範例列舉於附 圖中。 本發明形成矽石原料流體包含高純度矽氧烷以及高純 度氣化鍺。優先地，原料流體矽氧烷成份為聚烷基矽氧烷， 更為優先地為環聚烷基矽氧烷，以及最優先地為八甲基環 四石夕氧燒[SiO(CH3)2]4。優先地，高純度矽氧烷至少為95% 重量比八曱基環四矽氧烷，以及更優先地至少為98%重量比 八甲基環四矽氧烷，以及最為優先地為9g%重量比八甲基環 四矽氧烷。優先地，高純度氯化绪為四氣化鍺(GeCl4) „其 ••I化鍺例如鸟Ri pGeCL:(其中] 間 讀 ir 太 有機氣化鍺，氣 7 4 6042 4 A7 ___________________________________________... B7 !五、發明説明α) 代鍺化合物能夠使闻作為替代物，贷先迪為四氣化鍺。三 f基氣化鱗[(CHACiGe]及甲基吴氣鍺(CH3Cl3Ge)為氣代 I鍺化合物。甲基三氯鍺(CH3Cl3Ge)，二甲基二氯化鍺，烯丙 | 基三氯化鍺(GH/hGe)，苯基三氯化鍺(c7H3Cl3Ge)為該 有機氣化鍺之範例，其一般通式為反你仏^(其中n=i至3 及R=烷基，芳基，或烯烴基或任何這些種類之組合物）。 優先地，高純度氯化鍺為至少99%重量比四氯化鍺，以 | 及更為優先地包含Ai，Co, Cr，Cu，Fe，Mn，Mo, Ni，Ti, V，其每 j I 一種小於10 ppb，以及其總和最大值小於25ppb，以及Oil·】、 於5ppHi，CH小於lppm,以及HCi小於Ippm。 本發明優先地形成矽石原料流體為八甲基環四矽氧烷 以及氯化錯氣態混合物，更進一步包含氣態混合物，其包含 氧氣以改善將原料轉化為摻雜二氧化鍺之Si〇2粉塵於轉化 位置之燃燒器火焰。形成矽石原料流體之八甲基環四矽氧 烷以及氣化鍺氣態混合物應該保持在至少175°c溫度，優先 地至少185°C,以及更優先地至少為190°C。優先地該氣態 混合物應該保持溫度不大於200°C。這些提高溫度提供作 為形成矽石原料流體之氣態混合物保持為氣體作為有效傳 送至轉化位置燃燒器而不會太複雜。優先地溫度並不要太 高以防止在到達轉化位置火焰之前產生任何有害之反應作 用^
I 丨為了產生矽石粉塵以及矽石玻璃只摻雜Ge02，形成矽 石原料流體由石夕氧疾1以及氯化諸所構成，優先地利用八甲 基環四々氣境替代矽氣姹以及四氣化结哼代1化绮，馬了
460424 K7
ί 石玻搞只包含Si02|Ge02,光學波守梦石原料流遨 邛先閱讀没而之;'1念事項再填e本页) ; 包含八甲基環四矽氡烧以及氯化鍺" I 使用本發明流體原料製造光學波導預製件之方法範例 ! 性示意圖顯示於圆ί中。 | 本發明製造光學波導預製件方法包含提供流體，優先 | 地為氣體，原料包含高純度矽氧烧以及高純度氣化鍺以及 ! ! 傳送流體原料通過加熱供應管線到達轉化位置，其溫度在
I I 175°C至250°C範圍内以保持原料溫度在該範圍内。如圖ί | 所示，矽氧烷液體包含於矽氧烷液體容器20中，該液體由原 料之矽氧烷成份所構成=可控制泵22傳送矽氧烷液體通過 管線以及閥24至矽氧烷汽化器26。作為供應可控制流量n2 運载氣體之構件28提供氮氣運載氣體，有助於矽氧烷液體 汽化以及將矽氧烷氣體傳送至轉化位置31其優先地由燃 燒器以及轉化火追所構成。矽氧烷氣體被傳送通過加熱矽 氧烷氣體管線32,其優先地為不銹鋼管件，加熱以及保待在 190C。在轉化位置30前，氧氣加入至矽氧烷氣體以輔助流 體原料之轉化。優先地氧氣供應構件34供應可控制數量氧 氣，其被加熱以提高溫度至2〇〇t ^由管線36加熱氧氣加入 至矽氧烷氣體接著至轉化位置30於氧氣其他接頭38處。 5 由氣化鍺氣體管線40流出之氣化鍺氣體與矽氧烷氣體 ：；l !混合於氣化鍺於其他接頭42處。氣化鍺氣體與矽氧烷氣體 |混合鼓網Μ補，該㈣岭紐及氣化鍺所構成 ..I 。氯化鍺氣體藉由可控制供應氣化鍺構件傳送通過管線40 ，韻㈣如為lut航彳bM,戰化Η含液ϋ氣化諸 '!>·!( CNS ) /0 46042 4 Λ7 B7 五、發明说明（f) 丨 以及氧氣供應錄46加熱容器，其中氧氣氣通過液體氣化 ! 鍺以輔助氯化鍺氣體形成。閥24提供作為控制氯化鍺傳送 | 通過管線40之數量以及與矽氧烷氣體混合於接頭42處。優 | 先地在容器48中氯化鍺被加熱至45°c以及氯化鍺氣體管線 ί 40保持在190t。提供矽氧烷氣體以及氣化鍺氣體流體原
I | 料之混合物以及傳送通過加熱燃燒器供應管線50,其被加 I 熱至190°C,並到達燃燒器52之單一蒸汽管，其拌隨著氧氣 ! 以及氮氣。 i | 燃燒器52之燃燒表面顯示於圖2中。轉化位置30包含 j 轉化位置火焰68,其由轉化位置燃燒器52產生。 傳送至轉化位置30矽氧烷及氯化鍺氣體之流體氣體原 料藉由轉化位置火焰68轉化為摻雜鍺((ie02)之矽石（Si02) 粉塵。摻雜鍺矽石粉塵在沉積表面70上沉積。摻雜鍺矽石 粉塵收集於沉積表面70上，其包含旋轉引架桿件上。摻雜 鍺之矽石粉麈形成光學波導預製件之心蕊。摻雜鍺矽石粉 塵之形成包含利用矽石粉麈將摻雜鍺矽石粉塵心蕊預製件 之外包覆，移除引架桿件，以及將多孔性粉塵預製件固 結為非多孔性粉塵預製件步驟。 提供由高純度矽氧烷以及高程度氣化鍺所構成流體原 料之步驟包含提供八甲基環四矽氧烷以及四氣化鍺流體原 料步驟，以及更優先地包含在傳送至轉化位置3〇以及燃燒 1 器52之前將八甲基環四矽氧烷以及氣化鍺氣體混合之步驟 ' 。優先地氧氣與八甲基環四矽氡烷以及氣化鍺氣體混合。 提辟及傳送矽氧烷以及氣化锌流鹗原料步驟優先地包含將
4 6042 4 Λ7 B7 :五、
端原淑持溫度在l75.t至聊.t彳她t .更優先地在ί9〇 υ王λΟΟ C，Ί3£元地精由对原料傳輪供應管線加熱。 將沉積挣雜射石粉塵形成為光學波導件之步驛 包含將__石_包射;5粉塵之麵。優先地球石 粉塵包覆之步制含下列步氣提㈣誠频原斜，傳送 说:禮石夕氧至轉倾加熱供應管線，將傳送 流體矽氧炼原料轉化為粉塵，及將矽石粉麼沉積在摻雜鍺 梦石粉塵上面。 本發明包含製造光學波導纖維之方法，其包含提供矽 氧炫以及氯化鍺流體原料，傳送流體原料至轉化位置，將傳 送流體原料轉化為摻雜二氧化鍺矽石粉塵，將摻雜二氧化 鍺矽石粉麈沉積在沉積表面上，將摻雜二氧化鍺矽石粉塵 形成為光學波導預製件，以及將光學波導預製件抽拉為光 纖之步驟。 矽氧烷以及氯化鍺之流體原料更進一步包含氧氣以及 氮氣運載氣體，其被傳送經過加熱傳輪管線50到達燃燒器 52中心煙霧管件6〇。如圖2所示，矽氧烷以及氣化鍺流體原 料傳送經過中心煙霧管件6〇至轉化位置火焰68 '維持轉化 位置火炫68以及流體原料轉化為摻雜二氧化鍺矽石粉塵係 藉由傳送氮氣至内部屏蔽62,氧氣至外部屏蔽64,以及氧氣 及燃料預先混合氣體至燃料氧氣外環66而達成，燃料優先 地為甲炫。内部屏蔽氮氣供應源58提供氮氣至氮氣内部屏 蔽，其優先地加熱及保持在2〇〇t »外側屏蔽氧氣供應源54 提保氧氕至氧氣外部屏蔽64。預先混合氧氣供應源56提供 ( CNS ) ( ：]〇Χ 297.ίλ.ΐί ) !之 4 6042 4
五、發明説明 ：氧氣及綠科洛*合物主燃料氧氣外環66,燃料優先地為甲烷 I ^肢魏㈣及鍺顯有益地轉化為#雜二氧化錯之 | 砍石粉塵。 I 令發明方法包含沉積摻雜二氧化鍺矽石粉塵於沉積表 | ώ之步铽。摻雜二氧化鍺矽石粉麈沉積及收集於引架桿件 I 72之沉積衣面70上以成為光學波導心蕊預製件。當彳參雜二 i氧化鍺碎石粉塵足舜數量沉積在沉積表面上以形成光學波 | 導心蕊，氣化鍺以及矽氧烷原料混合物傳送至燃燒器52將 I 停止。
I | 本發明方法更進一步包含將沉積搀雜二氧化鍺矽石粉 ! 塵形成光學波導預製件步騾。矽氧烷流體20能夠傳送至燃 I 燒器5 2以替代矽氧烷以及氣化鍺原料混合物以形成包層於 摻雜二氧化鍺矽石粉塵上。矽氧烷傳送能夠以相同於氣化 鍺方式操作以及矽氧烷氣體原料混合物傳送系統只傳送石夕 氧烷，優先地為八甲基環四矽氧烷，〇2,以及N2至燃燒器52， 其藉由火焰68在轉化位置30轉化為未摻雜之二氧化矽粉塵 。未沉積二氧化矽粉塵沉積在摻雜二氧化鍺矽石粉塵上以 形成光學波導包層預製件。 在未摻雜二氧化矽粉塵之充份數量被沉積在掺雜二氧 化鍺矽石粉塵t粉塵沉積停止進行。已形成於引架桿件四 週之多孔性粉塵光學波導預製件由引架移除。多孔性粉麈 預製件在氦氣及氣氣中乾燥以及燒結為清激完全密實固結 玻璃光學波導預製件，其由#雜二氧化錯梦石波等心蕊結 ΐ .镇所構先益園繞著矽石包晉結構ΰ該固结預製泮拉恃离 本戌工尺家墙M CNS ) 2i<)y 公A ) 460424 A 7 _____________________ ΰ7 I五、發明説明（丨丨）.~~ ! . ' i I光學波導桿件預製件。該預製件外包復另-層未獅之梦 石粉昼於例如在包層粉塵形成過程中形成。 外包廣顶·再gj触及抽拉為鱗 ! 範例： 卜 I _ 圓U2系統以及裝置依據下表使用來製造接雜二氧化 錯之二乳切粉塵。由至外爾量比八？基環四砂氧炊 所構成之高純度液體八甲基環m夕魏由容器2隨運至傾 斜平面快速汽化器26，其加熱至高於八甲基環㈣氧烧沸 點。八甲基環啤氧燒氣體藉由氮氣供德源供應之氮氣運 I載氣體朝著轉化位置加傳送。傳輪供應管線32, 50及40,以 i及傳鮮線接·及42由不_f件所_,其加熱至]9〇 Ο加熱至2GGC.之減在接頭38處由氧氣織源34供應 以及對管線36加熱。高純度6冗14氣體與八甲基環四矽氧 烧在接頭42處混合。四氯化鍺氣键由四氣化鍺汽化器44供 應。四氣化錯汽化器44包含四氣化鍺暴氣器。容納於容器 48中高純度液體四氣化鍺包含至少99%重量比四氣化鍺加 熱至45°C及由氧氣供應源46供應氧氣被氣暴通過加熱液體 四氣化鍺。所產生四氣化鍺氣體數量能夠藉由改變氧氣通 過氣暴器之流量加以控制。該流體原料氣體混合物被傳送 至轉化位置火焰68並通過燃燒器52之煙霧管線60。該傳送 流體原料藉由轉化位置火焰68轉化為摻雜二氧化鍺之二氧 ! 化矽粉塵及沉積在沉積表面70上。摻雜二氧化鍺之二氧化 ί 矽粉塵使用下列條件形成： 用 辛（CNS ) Λ4成格（沒） Λ7 B7
3 TA r*J4 6〇4 2 4 -— 太、發明説明（丨孓） ,y _造#雜二氧# .氧化矽粉塵 範例 八曱基環四矽氧烷[22]浪 體傳送速率（公克/分鐘： 運載氮氣流量 0升 / 分）[28] II. 11.25 1.25 1.25 1.25 煙霧氧氣流量 {公升/分）[34] 暴氣氧氣流量作為GeC I j^Jf_[44](公生分） 内部屏蔽氮氣流量 (公升/分）[58] · 外部屏蔽氧氣 (公升/分）[54] 甲院流量（公升/分） 作為燃料氧氣[56] 氧氣流量（公升/分） 燃料氧氣[56] 二氧化矽中二氧化鍺 重量百分比％ 0. 6. 1, 1.8 1.8 2.5 2.5 0.6 6.8 1.1 0.9 23. 0% 1.0 0.6 1.0 rli-而之注意氺項再填寫本订) i ! I •r 6.8 1.1 1.1 1.1 0.9 0.9 0.9 35. 3% 7.1¾ 9.9% 令人驚辑地以及意料之外地’該方法及在製造石夕石粉 甲 ：；：^ .¾ r t"-： ( CNS j A4r ““):<247公$\fr
460^2 4 Λ7 Β7 ---------- ~^ ----------- . , ·. Μ 五、發明説明（G ) 益未落箱不想妥粉堡或带成其他困擾副產物於燃燒器52 中或燃繞器表面51上於製造摻雜二氧化鍺之二氧化矽粉塵 過程中。在操作16小時後並無累積，腐飽，矽膠或其他困擾 沉積物發現於接頭42,管線50,或燃燒器52中°該方法亦能 夠形成接雜鍺梦石粉塵，其摻雜數量約為7%至3(¾重量比之 二氧化鍺。八甲基環四矽氧烷與氯化鍺原料中優先採闬八 曱基環四矽氧烷與1重量單位四氯化鍺之重量比值為丨.5: J ，更優先為1.9-3. 6:1。產生流體原料之優先地傳送速率為 八甲基環四矽氧烷為6-10公克/分鐘及四氯化鍺為〇. 8-4. 2 公克/分鐘。 熟知此技術者了解本發明能夠做出各種變化以及改變 而不會脫離本發明精神及範圍。而各種變化以及改變均含 蓋於下列申請專利範圍中。 十:( CNS ) ( 2!0> 37公及） /6

Claims (1)

  1. ：* 46042 4 i：,：-------* ^---— 六、申請專利範園 1. -種光學波導預製件之方法，其包含下列步驟： (a)將问純度魏麵高純度氣化舰合，魏烧與氣化 錯重量比為1-10:1; ”⑹傳輸流體原料通過加鱗輪管線到達轉化位置，加熱 溫度在175°C至200°C範圍内； (c)將傳送流體補轉化為摻麵之石夕石； ⑷將摻麟抑沉積在沉積表面上；以及 (e)將沉積摻騎之㊉石形成料學波導預製件。 2. ，據申請專利範圍第丨項之方法，其中魏院由至少膙 重量比之八甲基環四矽氡烷所構成。 3. 依據申請專利範圍第㈣之方法，其㈣氧院由至少哪 重量比之四氣化鍺所構成。 4. 依據申請專利範圍第）項之方法，其中更進一步包含將傳 送流體原料排出通過轉化位置燃燒器之中心管線，該由内 補蔽氮氣，外部屏蔽氧氣，及外部氧氣與燃料外環圍繞著。 5. 依據申請專利範圍第2項之方法，其中將八f基環四石夕氧 烧與氯化鍺混合之步録更進一步包含在流體原料傳送至轉 化位置前將八？基環四魏絲氣化職航合之步轉。 6. 依據申請專利範圍第5項之方法，其中將人甲基環四石夕氧 烧與氯化鍺混合之步驟更進一步包含將八曱基環四石夕氧烧 ，氯化鍺，氮氣以及氧氣氣體混合之步驟。 7. 依據f請專利賴第】項之紐，其巾更進—步包含將流 體原料保持在溫度於丨9{rc至· t範圍之步驟於將原料: 化為接雜錯之石夕石。 〆丨 尽兑ifc尺度逍中围國家你牮（c\[s ) 規格（21〇χ 297公f ) ^46042 A8 BS C8 DS 六、申請專利範圍 8·依據申請專利範圍第1項之方法，其中將沉積摻雜緒石夕石 形成為光學波導預製件之步驟更進一步包含以石夕石包覆摻 雜鍺矽石之步驊。 9. 依據申請專利範圍第8項之方法，其中以矽石包覆摻雜錯 矽石之步驟更進一步包含提供由矽氧烷所構成流體原料， 傳送該流體矽氧烷原料至轉化位置，以及將傳送流體妙氧 燒原料轉化為二氧化碎之步驟。 10. —種光學波導之方法，包含下列步驟： :供第一流體原料，έ亥原料由八甲基環四石夕氧貌及氯 化鍺所構成； ' (b) 傳輸第一流體原料通過加熱供應管線至轉化位置加 熱溫度在175°C至200t範圍内； ’ (c) 將第一流體原料轉化為摻雜二氧化鍺之矽石粉塵； (d) 將摻雜二氧化鍺矽石粉塵沉積於沉積表面上； (e) 提供第二流體原料，該原料由八甲基環四矽氧烷所構 成； (f) 傳輸第二流體原料通過加熱供應管線至轉 熱溫度在175t至·〇範_; (g) 將傳輸流體原料轉化為二氧化矽粉塵； (h) 將二氧化矽粉塵沉積在沉積摻雜二氧化鍺之二 矽粉塵上； 、（i)將沉積二氧化矽粉塵以及摻雜二氧化鍺之二 给塵形成為光學波導預製件；以及 (j)將光學波導預製件抽拉為光纖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 線 、尺度適用*國固家 ；^(CNS)A4^(2I〇x 297^) 铛济部中夫#字局！；：，.；二： 4 6 0 4 2 4 A8 B8 C3 DB ———'.— ... 六、申讀專利範圍 ]丄一種形成矽石之原料流體，其包含高純度矽氧烷流體以 及氣化錯版也，该石夕氧彡完流體包含至少95%童晉比八甲基環 四矽氧烷。 . 12. 依據申請專利範圍苐11項之形成矽石原料流體，其中氯 化鍺流體包含至少99%重量比之四氯化鍺。 13. 依據申請專利範圍第11項之形成矽石原料流體，其中包 含八甲基環四石夕氧燒以及氣化鍺氣體混合物，其保持溫度 在175°C至200ac.範圍内。 14. 一種形成矽石之原料流體，其包含矽氡烷以及氣化鍺。 15. 依據申請專利範圍第14項之形成矽石原料流體，其中包 含八甲基環四矽氧烷以及氣化鍺。 16. 種光學波^^夕石原料流體，其包含八甲基環四$夕氧烧 以及氯化鍺。 17. —種製造光學波導預製件之裝置，其包含 轉化位置，其中傳送至轉化位置之流體原料被轉化為摻 雜鍺之矽石； 一種構件，作為提俣由矽氧烷以及氣化鍺所構成之流體 原料； 一種構件，作為將所提供流體原料傳送至轉化位置； 其中提供流體原料之構件包含一種構件作為在傳送至轉 化位置之前將氣化鍺與矽氧烷混合之構件以及一個傳送所 提供流體原料之構件包含對流體原料加熱之構件。 18. 依據申請專利範圍第丨7項之裝置，其中對流體原料加熱 構件包含加熱傳輸管線3 本尺度这/1! 〃函国¥播举（CNTS ) Λ4規格（7!〇χ2 ?公董 1 訂 C請先閱If背面之注意事項-S-填寫本買)
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