TW457115B - The exhaust gas treatment installation and the method for treating an exhaust gas containing one or more fluorine compound gas - Google Patents

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457115 at Β7 五'發明説明（/) 發明背景 (請先閱讀背面之注意事^耳填巧本頁} 本發明係關於一種從例如半導體製造廠排出之廢氣中 所含的分解過氟碳物，例如CHh，SF6，NF3及相似物的廢 氣處理裝置及方法。 相關枝藝之描述 隨著製造半導體裝置的整合，近年來半導體製程的 CVD步驟，蝕刻步驟或無塵室淸潔步驟越來越普遍使用氟 化合物氣體，例如CF4，GF6，C而，及CAo，CHF3，SF6， NF，或其混合物。上述的氟化合物氣體通常與氮氣一起倒 入半導體製造單元，並且用於蝕刻或其它步驟，然後排出 。從其排出的廢氣仍包含非常少量的未反應氟化合物氣體 。此等未反應氟化合物氣體迄今只是將其釋放到大氣中。 然而，至少對氟化合物氣體而言，環境的問題，例如地球 溫室效應，使得我們迫切要執行這些氣體的回收及棄置處 理。咸信，這些氣體可能促進破壞臭氧層。 經濟部智^財4铪：.貝工^#合作社印" 至今，已經有人提出濃縮及回收廢氣中氟化合物氣體 ’使得其可以回收或再利用的裝置（根據日本專利申請特 許公開案（KOKAI)第1〇3,633號/1997 )。也有人提出一 種藉由燃燒氣體來分解氟化合物氣體的裝置（根據日本專 利申請特許公開案（KOKAI)第108,532號（1997 )。根據 曰本專利申請特許公開案（KOAKI)第103,633號/1997所 述之回收裝置及日本專利申請特許公開案（KOKAI)第 1〇,532號/1997所述之燃燒分解裝置，分別得到某成果。然 而’工廠通常使用數個半導體製造單元，每種皆爲廢氣來 衣纸國家樣準（cNS M4規格了 公;^ ) 五、發明説明（> ) 源。而且，蝕刻及無塵室淸潔步驟可以無順序地進行’因 此廢氣之組成比及和流速的範圍可以很大。 (請先閱讀背面之注意卞項再咕β本f} :因此，習知技藝之回收裝置很難濃縮及回收氟化合物 | 氣體至可以再利用的程度。此外’廢氣中氟化合物氣體的 | 含量非常小。故，習知技藝之裝置也很難有效地燃燒及分 i 解氟化合物氣體。 i I 由於上述之問題所在’故本發明意欲提供一種可以有 ! 效分解，特別是藉由燃燒氣體來分解廢氣所含之氟化合物 氣體的廢氣處理裝置。 發明摘述 Γ 經濟部智1財4笱員工消費合作社印製 爲了達到上述目的’本發明係提供一種處理包含一或 多種氟化合物氣體及一或多種載體氣體之廢氣的廢氣處理 裝置，該裝置係包括增加該廢氣中氟化合物氣體之濃度的 濃縮器，及接收廢氣的燃燒器，其中該氟化合物氣體之濃 度係藉由該濃縮器增加。該廢氣中氟化合物氣體係藉由使 用空氣進行燃燒，以使其分解。在一較佳具體實施例裡， 氣化合物热體係包括暴自一'群過氣碳物，例如CF·»，CsFs， C-^Fs，及 C4F1。’ CHF3 ’ SF& ’ NF;或其混合物。 在廢氣中氟化合物氣體濃度很小的情況裡，亦即在廢 氣中包含大量載體氣體的情況裡，燃燒器中的大部分熱能 係被載體氣體吸收，結果’氟化合物氣體的分解效率較低 。然而，根據本發明，可以較高效率燃燒及分解氟化合物 氣體，因爲此等氟化合物氣體的濃度在廢氣倒入燃燒器前 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（21UX2V公釐） 457115 Α7 Β7 五、發明説明（i) / 提高。 (請先閱讀背面之注意事項再本") 雖然各種濃縮器都可以使用，但是較佳使用去除廢氣 中一或多種載體氣體的薄膜式分離器。傾發現使用薄膜式 分離器是提高氟化合物氣體濃度之最有效的方式。 本發明之廢氣處理裝置較佳進一步包括一用來產生富 含氧之空氣的富含氧空氣製造器，藉以將富含氧空氣作爲 倒入燃燒器之空氣。 燃燒器較佳包括一處理塔，在該處理塔之一端處設有 用來將空氣，例如該富含氧空氣倒入該處理塔裡作爲燃燒 氣體的燃燒空氣進料管，在該燃燒空氣進料管裡面設有一 用來將燃料氣體倒入該處理塔裡面的燃料氣體進料管；在 該燃料氣體進料管裡面設有一用來將廢氣倒入該處理塔裡 面的廢氣進料管；包括從其空氣出口側上方之該燃燒空氣 進料管延伸到該處理塔另一端附近的火焰管；用來將冷卻 空氣進入該處理塔側壁與該火焰管之間的冷卻空氣進料裝 置；及一設於該處理塔另一端，用來排放經處理之廢氣的 出口噴嘴。當燃料氣體與作燃燒用的富含氧空氣的混合物 在該等燃燒器中點燃時，火焰蔓延整個火焰管，藉以可以 保持高溫狀態。因此，將以高效率進行氟化合物氣體的燃 燒及分解。 而且，本發明的特徵在於將該富含氧空氣混入來自該 濃縮器之廢氣中的裝置係設於該濃縮器及該燃燒器之間。 藉由該等混合裝置的設立，火焰將蔓延整個廢氣團。 在另一具體實施例中，來自氮氣製造器的富含氧空氣 衣纸張尺度通用中闺國家嘌準（CNS ) Λ4%格（2Ι(),<：：·Τ公篼） A7 457115 五、發明説明) (請先閱讀背面之';i意事項再填Ή本頁) 係供燃燒室用。在半導體製造廠或相似工廠裡，通常設有 使用空氣作爲進料的氮氣製造器。在以空氣作爲進料之方 式產生氮氣的其況裡，尤其在氮氣藉由分離方式從空氣取 出的情況裡，最後得到富含氧空氣。雖然習知技藝裡通常 將該富含氧空氣釋放到大氣中，但是根據本發明氮氣製造 器係作爲供應燃燒反應用之含氧空氣的來源，使得來自氮 氣製造器之富含氧空氣可以有效地利用作爲燃燒廢氣用的 空氣。 在又一具體實施例裡，係提供一種分解含過氟碳物之 廢氣的方法。該方法包括第一次濃縮氣體中的過氟碳物1 較佳藉由薄膜分離法進行濃縮，然後分解燃燒器中的廢氣 圖式的簡單說明 第1圖係爲顯示本發明廢氣處理裝置之一個具體實施 例的槪視圖： 第2圖係爲顯示適用於本發明廢氣處理裝置之燃燒器 結構的槪視圖； 經濟部智祛財走场肖工消費合作社印製 第3圖係爲顯示廢氣中CF4氣體濃度與其分解速度之 關係的圖式。 較佳县體實施例的詳細說明 本發明之較佳具體實施例將在參考圖式說明後得到更 佳的瞭解。圖式中，圖號說明如下：10a，10b，10c—CVD單 元（廢氣來源），12—預處理單元，14—濃縮器，16—燃 燒器，18--廢氣鼓風機，20—濕式滌氣塔，22—氮氣製造器 本紙張尺度適用中®國家谭準（CNS _) Λ4规格、：10x：W了公釐） A7 B7 4571 1 5 I五、發明説明（ (富含氧空氣製造器）β (請先閱讀背面之注意事項界填巧本頁) 第1圖係顯示本發明之廢氣處理裝置的一個較佳實施 例。數個CVD單元10a，10b，10c係指半導體製造廠（廢氣 來源其中一種）的一部份。至於廢氣來源，可以考慮是’ 例如蝕刻單元，製造液晶裝置的設備，或相似來源’而不 限於這些CVD單元。在下列說明中，廢氣將包括CF,氣體 及氮氣（載體氣體）的廢氣，如CVD方法所用者，並包含 例如粉塵及副產物之矽化合物等雜質。 舉例說明用之具體實施例的廢氣處理裝置係包括以串 連方式設置的預處理單元12,濃縮器14,燃燒器16’廢 氣鼓風機18及濕式滌氣塔20。該廢氣處理裝置係利用富 含氧空氣，因此其使用位於半導體製造廠現場之氮氣產生 器22作爲富含氧空氣製造器，以供應CVD單元 10a,10b，10c高純度氮氣。 經濟部智楚財凌笱肖工消費合作社印製 預處理單元12之氣體進料孔係與各別的CVD單元 10a，10b，10c之排放孔連接。如果廢氣鼓風機18正在運作 ，則來自數個該CVD單元10a，10b，10c的廢氣將被倒入預 處理單元12，然後藉由以線性排列構成的廢氣處理裝置處 理。該預處理單元12係用於去除可能破壞該濃縮器14功 能之廢氣中的雜質，其包括-視該等雜質種類而定·過濾器 ，濕式滌氣塔或乾式滌氣塔或其組合，當然，預處理單元 12不一定是非得不用的，如果雜質爲不破壞濃縮器14之 功能而且可以被濃縮器14去除者則可不用。 經預處理單元12淸除雜質的廢氣接著倒入濃縮器μ 衣紙張尺度適用中國國家漂準（CN_S ) Λ4現格i： 210X 297公釐） 457115__ !五、發明说明（&) 1 (請先«讀背面之';.1;.5:屯.項再^-1'::本1) 。濃縮器14係用來分離及去除來自廢氣的氮氣，使得CF4 的濃度提高。雖然所有不同種類的濃縮作用裝置皆可當作 濃縮器14 ’但是從較高效率濃縮，較低成本及可靠性的觀 點來看，以薄膘分離式濃縮器爲較佳。尤其，法國液態空 氣製的濃縮器係（請參考專利申請特許公開案（KOKAI) 第103,633號/1997 )很有效率，因爲其在倒入其中之廢氣 仍包含3,000-30,000 ppm CF4氣體的情況裡可以濃縮氣 體至15-99%的濃度。除此，以濃縮器14分離的氮氣可以 釋放到大氣中，因爲該氮氣是無害的。 已經濃縮Ch氣體的廢氣（以下稱爲”濃縮廢氣”）接 著-在第1圖所示的圖號24點-與來自氮氣產生器22 (其作 爲富含氧空氣製造器）的富含氧空氣混合。氮氣產生器22 通常位於半導體製造廠，如上所述，而且再從空氣產生高 純度氮氣時產生視爲副產物的富含氧空氣。來自氮氣產生 器22的富含氧空氣較佳具有大約25%或更大的氧濃度。 經濟部智达时4笱吕；工消#合作社印製 在濃縮廢氣已經與富含氧空氣混合後，將其倒入燃燒 器16。雖然所有各種類型的燃燒器都可考慮作爲可應用的 燃燒器16，但是以日本專利申請特許公開案（KOKAI)第 i08,532/1997 (與本案爲同一受讓人）所述的燃燒器爲較佳 而且用於舉例說明用的具體實施例中。 如第2圖所示，該燃燒器16包括圓商形處理塔26， 而且該處理塔26垂直置放，尤其以使其軸垂直的方式置放 。在處理塔26之上板28上係固定一廢氣進料管30，燃料 氣體進料管32及燃燒空氣進料管34，其從裡到外依序地 本纸張尺度適用中國國家嘌準（CNS ) Λ4現格（_ ；：丨Ο '公雄1 4 5 7 1 Ί c A7 B7 i五、發明説明（ Λ 經 Λ # % ιΐί i 合 作 fi 印 t 同軸置放’其中廢氣進料管30的裡面空間，及廢氣進料管 3◦和燃料氣體進料管32之間的環狀空間，與燃料氣體進 料管32和燃燒空氣進料管34之間的環狀空間隙分別做爲 廢氣進料路徑，及燃料氣體進料路徑38與燃燒空氣進料路 徑40。這些進料管30 ’ 32，34係通過處理塔26之上板28 並延伸到處理塔26之上內側部裡的預定位置。此外，火焰 管42係連接至該燃燒空氣進料管34的下端，該火焰管42 之下端係延伸至處理塔26之底板44附近‘ t 來自濃縮器14的濃縮廢氣係被指定從廢氣進料管3〇 之上端進入其內部。燃料氣體進料管32的上部係與燃料氣 體’例如甲烷氣體，天然氣，家用煤氣，丙烷氣體，氫氣 ，丁烷氣體，或其混合物之供應來源46連接。而且，富含 氧空氣被指定從其上部燃燒空氣進料管34進入作爲燃燒用 的空氣，其中該燃燒空氣進料管34連接上述氮氣產生器 22之富含氧空氣輸送孔。 冷卻空氣供應來源48係連接至設於釭理塔26之上板 加外緣部的冷卻空氣進料孔50。該冷卻空氣係爲大氣或一 般空氣。出口噴嘴52係形成於處理塔26之底板44的中央 部。雖然未指出說明，但是例如點火塞等適當點燃裝置也 $以設於燃料氣體進料路徑38的出口部位。 如果濃縮廢氣送入廢氣進料管30，而且同時，依照上 疋0方式以預定流體速度分別供應燃燒用的燃料氣體及富含 g空氣，及操作點燃裝置以燃燒燃料氣體及燃燒空氣，則 焰將與從廢氣進料管30之下端排出的濃縮廢氣接觸， 9 (請先閱讀背面之ίΐ意肀項再填巧本S ) 訂 S.. 中SS家標準 (CNS ) Λ4規 457 1 15 五、發明説明（p·) 使得濃縮廢氣中的CF4氣體分解。由於火焰管42的存在’ 火焰將蔓延至處理塔26之底板44附近。而且，因爲燃燒 | 用的空氣是富含氧空氣，以及該富含氧空篇預先與濃縮廢 | 氣混合，所以火焰將不僅蔓延至濃縮廢氣的外圍’而且也 蔓延至其中心部位。結果，濃縮廢氣和火焰的接觸效應提 高，藉以可以分解甚妄非常安定的CF,氣體。一旦燃燒分 解CB氣體，則將從燃料氣體及空氣中所含的氫及氧產生 二氧化碳（C〇2)及氟化氫（HF)。 從冷卻空氣的供應來源48倒入大量的冷卻空氣至處理 塔26和火焰管42之間的環狀空間，以便在處理塔26之下 部與在分解後從火焰管42下端排出之經處浬的廢氣混合。 因此，火焰管42中高溫的廢氣將要冷卻，而且同時要稀釋 廢氣，因爲其與大量的空氣混合。 從出口噴嘴52取出燃燒器16內經處理之氣體，並藉 由廢氣鼓風機18 (第1圖）送入濕式滌氣塔20。由燃燒分 解Ch氣體所產升的HF氣體是有害的，但是可藉由濕式滌 氣塔去除，因此最後排放大氣中的廢氣是乾淨的。 經濟部智祛財是笱肖工消费合作社印製 儘管本發明之較佳具體實施例係以詳細說明，但不意 謂本發明被上述之具體實施例所限制。 在上述具體實施例中，舉例而言，一直是使用實質上 僅包括CF,氣體及氮氣的氣體作爲廢氣。然而，對於本發 明預處理之廢氣而言，特定要處理的氣體包含至少一種額 外及/或不同氟化合物氣體，例如像是c2f6，C3FS，及OFh; ’ CHh，SF6，及NB等過氟碳物，其爲可能破壞臭氧層的 -—_ 10 本紙張尺度適用中國國家揉皁（CNS ) Λ4規格（2⑴χπι公犛） 457Ί 15 五、發明説明（） 氣體。 雖然氮氣產生器22在上述具體實施例中作爲富含氧空 氣製造器，但是也可以使用單獨處理裝置用的富含氧製造 器。 而且，雖然藉由在進入燃燒器丨6前預先將富含氧空氣 混入濃縮廢氣，然後將所得混合物倒入燃燒器的方式可以 更有效地進行燃燒分解，但是如果富含氧空氣的供應點限 於一些其它點，則可以獲得充分的效果。 第3圖係爲實務上進行實驗所得的結果，該實驗係說 明和氮氣有關之CF,氣體濃度對CK氣體燃燒分解效率的影 響。該實驗中，欲倒入之氣體的流速爲定値，亦即30 slm 而改變氮氣及CF，氣體的流速。將具有第2圖所示之結構 的燃燒器作爲實驗用的燃燒器。在進入燃燒器前以440 sim 的流速洪應氧濃度爲28%的富含氧空氣，並以750slm的流 速進入燃燒器。丙烷氣體係作爲燃燒器的燃料氣體。 從第3圖可看出’ CF,的分解速度在Ch氣體濃度增加 時變成超過90%。尤其是當濃度超過純10%。相反地，分 解速度在CF*氣體濃度低於10%時快速降低。從該結果可 知’燃燒分解的效率在廢氣倒入燃燒器前經由濃縮（:仏氣 體至較高預定濃度値而明顯改善。在考慮其它氟化合物氣 體，例如上述所列者做爲廢氣時也得到該結果β 下表係顯示使用如第1圖所示之廢氣處理裝置，經由 電腦模擬廢氣中各別氟化合物氣體濃度之改變所得的結果 。測量點A ’ Β及C係分別爲第1圖之圖號A，Β，及C的 表紙乐尺度遘用中國國家螵準（CNS ) ..\4规格：：10X2W公後） (請先Κ讀背而之注意事項再^¾本Η )

*1T " 經濟部智慧时產笱a:工"'費合作社印製 457115 A7 B7 五、發明説明（) 位置。只有氮氣做爲廢氣中的載體。此外，因爲廢氣在測 量點C被大量冷卻空氣稀釋，所以由冷卻空氣得到的結果 是可以預見的，如下表所示。 表 廢氣中的 孭麵 臟拙时鍍 孭丨麗 點C對點B之 氟化合物 (ppm) C%) (%) 氟化合物數量比 CF4 500 2.5 0.4 20% CF4 8,000 99.0 <5.0 小於5% gf6 3,000 15.0 0.3 2% C2F6 30,000 99.0 <2.0 小於2% SB 500 2.5 0.1 4% SF6 8,000 99.0 <2.0 小於2% NF3 500 1.2 0.01 小於1% NF3 5,000 75.0 <0.75 小於1% CHF3 500 2.5 <0.02 小於1% CHF3 8,000 99.0 <1.0 小於1% (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --

，1T 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 雖然各別氟化合物氣體在習知技藝中於測量點A處直 接釋放，但是從上表看出，氟化合物之釋放量可以藉由使 廢氣通過本發明之廢氣處理裝置而限制低於5%，而且這 滿足許多環境需求，包括日本在1997年Kyoko會議中對地 球溫室效應預防方面所建立的目標。 根據其它使用典型空氣代替含氧空氣的實驗中，可進 一步發現在除了 CB之外的氟化合物氣體獲得95%或更多 的分解速率。此顯示燃燒分解的效益由濃縮廢氣中而改良 12 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 457115 A7 A7 i ’P,〆_£ 五、發明説明（"） 0 根據本發明，如上所示，可以有效地燃燒及分解從例 如半導體製造單元所排放之廢氣中氟化合物氣體，例如 Ch氣體及其它過氟碳物，然而只是使用簡單的裝置構造。 本發明因此助於更有效地避免破壞臭氧層之危險及防止地 球溫室效應。 對於熟習該項技藝者而言，在不脫離本發明之精神範 疇而進 行部分變更、替代、省略等。因此本發明之專利範疇 僅由申請專利範圍加以定義。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖式主要元件符號說明 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 10a CVD單元 10b CVD單元 10c CVD單元 12 預處理單元 14 濃縮器 16 燃燒器 18 廢氣鼓風機 20 濕式滌氣塔 22 氮氣製造器 24 經濃縮廢氣與富含氧之空氣的混合點 26 處理塔 28 上板 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

六、申請專利範圍 1. 一種處理包含一或多種氟化合物氣體及一或多種載 體氣體之廢氣的廢氣處理裝置，該裝置包括： 一增加該廢氣中一或多種氟化合物氣體之濃度的濃縮 器；及 一接收廢氣的燃燒器，其中該一或多種氟化合物氣體 之濃度已藉由該濃縮器增加，並藉由使用空氣進行燃燒在 該廢氣中氟化合物氣體，以使其分解。 2. 根據申請專利範圍第1項之廢氣處理裝置，其中該 濃縮器係爲用來藉由薄膜分離方式去除該廢氣中之載體氣 體的薄膜分離型濃縮器，藉以提高氟化合物氣體的濃度。 3. 根據申請專利範圍第1項之廢氣處理裝置，其中該 該空氣爲富含氧空氣。 4. 根據申請專利範圍第2項之廢氣處理裝置，其中該 空氣爲富含氧空氣。 5. 根據申請專利範圍第4項之廢氣處理裝置，其中裝 置進一步包括產生該富含氧空氣之富含氧空氣製造器。 6. 根據申請專利範圍第3項之廢氣處理裝置，其中裝 置進一步包括產生該富含氧空氣之富含氧空氣製造器。 7. 根據申請專利範圍第3項之廢氣處理裝置，其中裝 置的構成爲該載體氣體包含由氮氣產生器，使用空氣作爲 進料所產生的氮氣，該氮氣產生器係作爲富含氧空氣製造 器。 8. 根據申請專利範圍第3項之廢氣處理裝置，其中該 燃燒器包括一處理塔；在該處理塔之一端處設有用來將空 太紙ft尺度適用中國國家揉嗥（CN'S ) A4規格（21〇x：^，公f ) ("先；％.-背^-注意货.項_Λ填窝本頁)

Claims (1)

1. Λ 8 Β8 C8 D8 457115 六、申请專利範圍 氣，例如該富含氧空氣倒入該處理塔裡作爲燃燒氣體的燃 燒空氣進料管：在該燃燒空氣進料管裡面設有一用來將燃 料氣體倒入該處理塔裡面的燃料氣體進料管；在該燃料氣 體進料管裡面設有一用來將廢氣倒入該處理塔裡面的廢氣 進料管；包括從其空氣出口側上方之該燃燒空氣進料管延 伸到該處理塔另一端附近的火焰管；用來將冷卻空氣進入 該處理塔側壁與該火焰管之間的冷卻空氣進料裝置；及一 設於該處理塔另一端，用來排放經處理之廢氣的出口噴嘴 〇 9.根據申請專利範圍第4項之廢氣處理裝置，其中該 該燃燒器包括一處理塔；在該處理塔之一端處設有用來將 空氣，例如該富含氧空氣倒入該處理塔裡作爲燃燒氣體的 燃燒空氣進料管；在該燃燒空氣進料管裡面設有一用來將 燃料氣體倒入該處理塔裡面的燃料氣體進料管；在該燃料 氣體進料管裡ή設有一用來將廢氣倒入該處理塔裡面的廢 氣進料管，包括從其空氣出口側上方之該燃燒空氣進料管 延伸到該處理塔另一端附近的火培管；用夾將产卻允氣、、隹 入該處理塔側壁與該火焰管之間的冷卻空氣進^裝^^ 一設於該處理塔另一端，用來排放經處理之廢氣的出口噴 嘴。 10·根據申請專利範圍第3項之廢氣處理裝置，其中將 該虽含氧空氣混入來自該濃縮器之廢氣的裝置係設於該濃 縮器及該燃燒器之間。 11·根據申請專利範圍第4項之廢氣處理裝置，其中將 2 -----------，乂------ΪΤ------ (诗先^讀^3--江惠爭項再填寫本頁) *財 4-.w'HX消骨合作社印製 衣紙伕义度適用中國國家搮率（CNS ) A4規格（；Μ()Χ：Ϊ<)7公廣） 457115 B8 C8 08 六、申請專利範圍 該富含氧空氣混入來自該濃縮器之廢氣的裝置係設於該濃 縮器及該燃燒器之間。 12. 根攄申請專利範圍第8項之廢氣處理裝置，其中將 該富含氧空氣混入來自該濃縮器之廢氣的裝置係設於該濃 縮器及該燃燒器之間。 13. 根據申請專利範圍第9項之廢氣處理裝置，其中將 該富含氧空氣混入來自該濃縮器之廢氣的裝置係設於該濃 縮器及該燃燒器之間。 14. 根據申請專利範圍第1項之廢氣處理裝置，其中該 一或多種氟化合物氣體係包括選自一群過氟碳物，CHF;， SF6，NF3及其混合物。 15. 根據申請專利範圍第2項之廢氣處理裝置，其中該 一或多種氟化合物氣體係包括選自一群過氟碳物，CHF3， SF6，NF3及其混合物。 16. —種處理含一或多種氟化物氣體之廢氣之方法，其 包括： 提高廢氣中一或多種氟化合物的濃度，及 利用空氣燃燒廢氣中的氟化合物，以分解氟化合物氣 體。 17. 根據申請專利範圍第16項之方法，其中一或多種 氟化合物氣體的濃度係藉由使用薄膜分離器而提高。 18. 根據申請專利範圍第16項之方法，其中空氣爲富 含氧空氣。 19. 根據申請專利範圍第16項之方法，其中空氣爲富 3 (請先％讀背-之注意事項4填"本頁) 訂 太紙張尺度適用中國國家標准（CNS ) A4規格（；：10x297公t ) 4571 1 5 λ. Β8 W " e 認 六'申請專利範圍 含氧空氣，而且富含氧空氣與濃縮廢氣在一或多種氟化合 物氣體燃燒並因此分解之前混合。 20.根據申請專利範圍第17項之方法，其中空氣爲富 含氧空氣，而且富含氧空氣與濃縮廢氣在一或多種氟化合 ! 物氣體燃燒並因此分解之前混合。 (請先閱-背而之注*事項再4寫本頁) :"-部^^財4"4工消費合作钍印製 4 本紙法又度適用中國國家櫺準（CNS )六衫見格（210X297公f )