454218 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 發明背景 (1) 發明之技術領域 本發明有關於一個設有一轉向軛之陰 (CRT)裝置，且特別關於用以降低—漏^極射怒 向軛的洩漏之磁場。 來目該轉 (2) 相關技術 近年來，該基準在北歐已響應關於由 出的低頻磁場被發展。所了解的是，此種磁 、'衣置所 特別在瑞典，諸如MPR II及TCO基準之基準 敢° 干c以特別制止 該磁場自一轉向軛或一水平轉向線圈漏出之目標來建立。 漏出為來自該轉向軛或一水平轉向線圈的洩漏之磁場以下 稱為磁場洩漏。為了附合由該等基準所指定的洩漏限 制，必需的測試應被採取用於該CRT裝置以降低磁場洩 漏。為了降低該磁場洩漏，已有技術被提出。如此> 技術之一例子，一磁場在與漏出為自該轉命軛的洩潙 之磁場的相對方向中被產生為一，消去磁場"做>此’一、消去線圈"被用來產生該消去磁場 消去該磁場洩漏。 使用一消去線圈之一 CRT襞置被揭露在日本早期a 開專利申請第3- 165428號（稱為第一先前技術）及第6· 1767 14號（稱為第二先前技術）中。 於揭露在該第一先前技術中的CRT裝置中’ 降低該磁場洩漏之消去線圈被設在一轉向軛的上 線管 置所故 用以 ，以致 用以 1111 I f iIII ' I i_ !蜃 β·1111111 _ i靖先間硪背面"注意事項再镇窵本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 * 297公t ) Λ： _Β7__ 五、發明說明（2 ) 分上方·且一電流被供應給該消去線圈因此一消去 磁場被產生：第1圖顯示該第一先前技術的一水平轉向 線圈2 7及一消去線圈2 8之示意性電路圖： 如第1圖所示·該水牟轉向線圈2了及該消去線圈28 被串聯連接.藉由一水平轉向電流通過該消去線圈2 S 以及該水平轉向線圈2 7 '使得該消去線圈2 8能產生一 個消去磁場 '其根據自該水平轉向線圈2 7在該磁場洩 漏中的變化而改變：該消去線圈2 8被定置‘以使該消 去磁场在一適當方向上產生以消去磁場Ά漏。 同時，於在該第二先前技術中的C R T裝置中，一用 以降低該磁場洩漏之消去線圈由一閉路繞組所製成* 且被設置在一 C R T之各上及下部分，使得該消去線圈 朝向一轉向槪。第_2圖顯示該第二先前技術的一水平轉 向線圈3 7及一消去線圈3 8之示意性電路圖： 如第2圖所示，由該閉路繞組所製成之消去線圈3 8 被設置為朝向該水平轉向線圈3 7。以此構造，根據自 該水平轉向磁場的產生結果之磁場洩漏變化，使得一 -------------裝.-------訂.-------- (請先閉讀背面之;i意事項再填寫本頁) 該以 ， 而 勢' 動場 電磁 該去 由消 藉一 。 生 内產 384 圈置 線位 去的 該適 於 一 成於 生3S 被圈 勢線 動去 電消 #£濟部智慧財產局員工消費合作社印ϋ 然 (f 去 ，的 轉 漏 技:n· 前在電 先存. 二題轉 第問該 及-T·-一 以街 第有技 等ft·t 玄 别 -*έ 』7 用分";> 吏 置 _ -¾ ΐ t < i 場 T f 產 而 R J 磁：二 Φ 響 技 之 述 的 中 冰 必 +:-〔 ：' 焚 ΓΛ·. 未iJJ 過 量 Λ 匕b 1 厶网 4 54之 8 A7 B7 疫濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 要消耗，且除此之外，該轉向靈敏度會被損壞。 至於該第二先前技術，能量不需供應至該消去線圈 3 8且與該第一先前技術相同的問題不會發生°然而’ 該第二先前技術具有另一個問題^若漏出為自該轉向 輕的洩漏之磁場對人趙是有害的，該磁場洩漏應於該 CRT裝置的一前面板之前面降低，其中一使用者被預 期為最多時間。然而，該消去線圈38被設置在該CRT 的上面及下面部分，朝向該轉向軛，因此該磁場洩漏 不能在最需要降低洩潙之有效位置上被有效降低。為 了在此位置降低磁場洩漏，形成該消去線圈38的轉嘮 處之數目可被增加。然而，該消去線圈3 8的轉彎處之 增加數目會輪流地不利影響該水平轉向磁場。 正當具有磁場洩漏時，電場洩漏亦於瑞典MPR II及 TCO基準的條件下。該電場洩漏主要起因於，一個因 包括在該轉向軛内的該等朝向轉向線圈間之電壓差所 產生之電場被放出至外面。例如，用以降低此種電場 洩漏之一技術被揭露在日本早期公開專利申請第5_ 207404號（稱為第三先前技術）中。 於揭露在該第三先前技術中的CRT裝置中，一反相 電壓供應單元被提供來供應一電壓，其具有與供應至 一轉向線圈的轉向電壓之波形反相極性β並且，一個 電極被設置在該前面板側邊的CRT内壁之頂部及底部 處。該反相電壓供應單元將該反相電壓供應至成對的 電極。此使該等電極能夠產生一具有與VLMF(非常低 本紙張尺度適財國國家標準（CNS)A4規格（2_1Q κ 297公f ----I------ - Μ-------—訂-------1-"' (請先閱讀背*之注意事項再填寫本頁) A五、發明説明 經濟部智慧財邊笱5a' Η-;Γ·费合ftil,印絮 電場）:¾漏〖例如·不需要的V' L λ丨F_洩漏）反相極性之電 場。具有反相極性的電場能消去該不需要的VLMF洩 漏 然而，使用該第三先前技術之技術，必需進一步提 供該反相電壓供應單元"除此之外·該磁場洩漏不能 使用此技術來降低。 發明之概要說明 因此，本發明之第一目的是提供一 CRT裝置，其能 防止不需要的能量消耗且以一低成本的簡單構造來降 低一磁場':¾漏3 本發明之第二目的是提供一 CRT裝置，其能防止不 需要的能量消耗，且以一低成本的簡單構造來降低磁 場及電場沒漏。 本發明的第一目的能由一陰極射線管裝置達成，該 陰極射線管裝置組成如下：一具有一前面板及一玻錐 之陰極射線管；一電子搶，其被設置於該玻錐的一頸 部内且將電子束投射在該前面板的一内部表面上：一 轉向軛，其被設置在該頸部處之玻錐上且將由該電子 搶所投射的該等電子束轉向；及一具有至少一個閉回 路線圈之消去線圈 '其與自該轉向辆漏出之一磁場沒 漏成互連，且在一方向上產生一磁場而以消去該磁場 洩漏，其中各閉回路線圈被設置在一第一位置或是一 第二位置上…該第·丨立置係迮於該陰極射線管之一頂 部處' 讓該閉回路線圈的一部分沿玆前面板的.有效 * 項 再 装 Τί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 4 5421 8 at B7 五、發明說明（） 顯示區域之頂部邊緣展開，且該第二位置係位於該陰 極射線管之一底部處，讓閉回路線圈的一部分沿該有 效顯示區域的一底部邊緣展開。 以此構造，來自該CRT之磁場洩漏與該閉回路線圈 成互連，以使該磁場洩漏能被消去。因為該閉回路線 圈被沿著該有效顯示區域之頂部或底部邊緣配置，產 生於一最需要降低洩漏之最有效位置上的該磁場洩漏 能與該閉回路線圈成互連。因此，消去該磁場洩漏之 效果能不干擾該影像顯示而於最大的實際條件下獲 得。 較佳的是，該陰極射線管裝置之閉回路線圈進一 步地靠近該前面板的右側及左側且靠近在一前面板側 面的轉向耗之一開口展開13 藉由此，發生在從該前面板到位於該前面板側面 的水平線圈開口之空間中的磁場洩漏與該閉回路線圈 成互連。於是，該磁場洩漏能被更有效地消去。 本發明之第二目的能由該陰極射線管裝置達成， 其中該消去線圈的閉回路線圈在該閉回路線圈之一點 被接地。為了更特別，該閉回路線圈作為一抵抗該電 場洩漏之屏蔽，且因而降低漏出為來自該轉向軛的洩 漏之電場4 本發明之第二目的亦能由一陰極射線管裝置所達 成，其組成如下：一個具有一前面板及一玻錐之陰極 射線管；一個電子搶，被設置在一玻錐的頸部内且將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） II------ I I I ' 1 I--r I--訂- If--I I--唉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 B7 41;#^智慧財產",- ."費, 五、發明說明（） 電子束投射在該前面板之一内部表面上：一包括一水 平轉向線圈之轉向軛，其被設置在該頸部的玻錐上且 將由該電子槍所投射之該等電子東轉向；一電流通過 之第一線圈·該電流與通過該水平轉向線圈的轉向電 流之變化同步地變化：及一具有至少一個閉回路線圈 之第二線圈，其與一自該轉向軛漏出的磁場洩漏成互 連，且在一方向上產生磁場而消去磁場洩漏，其中各 閉回路線圈之一部分被磁性耦合於該第一線圈，因此 一電動勢被生成而於與透過和該磁場洩漏互連所產生 的磁場之相同方向上產生一磁場，藉此進一步地消去 磁場沒漏。 以此構造，該電動勢透過在該閉回路線圈及該第一 線圈間耦合的磁場而被生成於該閉回路線圈内，該電 流與通過該第一線圈的水平轉向電流同步地變化藉 由該電動勢，該閉回路線圈在適當的方向上產生該磁 場（例如、該消去磁場）來進一步地消去磁場沒漏。相 較於該閉回路線圈未與該第一線圈磁性耦合之情況 下，一個較強的消去磁場能被產生。此外，該消去磁 場的強度能由調整該磁性耦合的強度來易於調整。 較佳的是i該陰極射線管裝置的閉回路線圈部分被 設置成繞著該校正線圈' 該校正線圈係與該校正線圈 磁性耦合籍由做此於該閉回跆線圈及該差動線圈 間的磁性耦合.能被I；於達成 泫消去嵫場的強度能由 改變钕被没置成繞著玆第一線®的閉回路綠圈之纏繞 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j -裝 -n 一 ’ I n i Hi - - - f ^^1 I n ^^1 ^^1 n ^^1 n I— . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^542 1 8 A/ __Β7_ 五、發明說明（7) 數目來調整。 囷式之簡要說明 本發明之這些及其他目的、優點及特徵將從以下與 說明本發明之一特殊實施例的附圖相給合之描述中為 明顯的。在該等附圖中： 第1圖是一水平轉向線圈及該第一先前技術的一消 去線圈之一示意性電路圖； 第2圖是一水平轉向線圈及該第二先前技術的一消 去線圈之一示意性電路圖； 第3圖是本發明第一實施例的一 CRT裝置之一透視 外形圖； 第4圖是該第一實施例的CRT裝置之示意性前視 圖； 第5圖是該第一實施例的CRT裝置之一側面圖； 第6圖是一個圖式，幫忙解釋一個由閉回路線圈所 產生的消去磁場及一個來自一轉向軛的磁場洩漏間之 關係，該關係是自第4圖所示的CRT裝置之左側觀看； 第7圊是顯示在第一實施例中測量磁場洩漏的結果 之表格； 第8圖顯示該等磁場洩漏被測量之位置； 第9圖是顯示在第一實施例中測量電場洩漏的結果 之表格； 第10圖是本發明第二實施例的一 CRT裝置之一透視 外形圖； -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------- ----：--I I 訂---------蜂 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ： 五、發明說明（s) 第1 1A圖是第二實铯例的CRT裝置之一水半轉向線 圈、一差動線圈、及一閉回路線圏之示意性電路圖： 第1 1 B圖顯示一水平輪出電路，用以將一水平轉向 電流供應至該水半轉向線圈及該差動線圈： 第1 2圖顯示出在該第二實施例中，該閉回路線圈的 一部分被設置成繞著該差動線圈： 第ί 3圖顯示在第二實施例中的該差動線圈及該閉回 路線圈間之一磁性耦合部分的一構造例子： 第14圖是顯示在該第二實施例中測量磁場洩漏的結 果之表格： 第1 5圖是顯示在該第二實施例中測量電洩漏的結果 之表格。 較佳實施例之描述 以下是本發明參考該等附圖的實施例之一描述。 苐一實施例 第3圖是本發明第一實施例的一 CRT裝置之一透視 外形圖：第4圖是該CRT裝置之一示意性前視圊而第5 圖是該CRT裝置之一側面圖。 如第3圖所示’本實施例之CRT裝置是由一CRT 1- -------------------1---訂·-------1 (請先閱沭背面之;xt事項再填寫本頁) 經-^智慧时產局|..二消費会作..?!:>^ 一 轉 向 軛 2電 子搶Η ' 一.tjv 強箍 (， ί防火 •VA- . -Λ 一- 第 閉 回 路線圈5 '及一第 二閉 回路 線 圈6所 組成 該 CRT ί 是 由…前面 板1 a及一 破錐 ί b断 製 成 ΐ 1.轉向 粍2 是 ώ 丄 (Λ-極則 綠.® > ；,. Τ 南 水 4二 轉 向 線 圈2b 垂直轉1- V縳.Ά 3 5未 Ι?ΐ. 及· — « ί:磁 v ·; *ί· ^ i- >f ''V ί Θ 格.h … ' - f
4542 1 P A7 一 1 —. _ B7 五、發明說明（9) 鐵芯（未說明）所製成。該電子搶丨丨被設置在一頸口 1 c 内。該加強箍3被設置在該前面板13之外部邊緣上。 該加強箍3通常是由金屬製成，且被設置以便為了 保4該CRT裝置免於受火或熱之目的，而安全地覆蓋 該前面板la及該玻錐lb之一連接部分。第一至第四耳 形元件（闇稱為、耳部”）4 a至4 b被分別形成於該加強 箱3之四個轉角上。所注意的是，為了解說方便，該加 強箱3及該等第一至第四耳部4a至仆未於第4圖中說 明。 如第4及5圖所示，該第一閉回路線圈5被設置於該 前面板la之上面部分。為了更特別，該第一閉回路線 圈5正好被配置在一有效顯示區域40之一頂部邊緣40a 上方’在該有效顯示區域4〇内，該等電子束於該熒光 屏幕上執行光柵掃描。同時地，該第一閉回路線圈5被 配置在該第一及第二耳部4a及4b之上，且靠近在該前 面板側邊的上水平轉向線圈2a之一開口。其間，該第 二閉回路線圈6被設置在該前面板1 a之一下面部分。為 了更特別，該第二閉回路線圈6正好被配置在該有效顯 示區域40的一底部邊緣4〇a下，及同時地被配置在該第 三及第四耳部4c及4d之上方，且靠近該前面板側邊的 下水平轉向線圈2b之一開口。該第一及第二閉回路線 圈5及6由一黏帶或一自黏帶固定在該CRT 1及該加強箍 3處，因此它們將會變為直線的。 該等第一及第二閉回路線圈5及6被分別配置在該等 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · - II-----I ·11111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4?-部智慧財產局_工·"費合.作hi^.¾ Λ： _Β7_ 五、發明說明（1(3) 耳部4a及4b上面、及在該等耳部4c及4 d上，且被進一 步以環繞該C RT 1的前面板U及玻錐1 b之方式來配置： 以此種配置1使從該前面板1 a或該玻錐1 b至外面之磁 場洩漏與該第一閉回路線圏5或該第二閉回路線圏b成 互連。 該等第一及第二閉回路線圏5及6亦被分別配置在該 前面板侧之該等上及下水平轉向線圈2 a及2 b，以此種 配置，亦使放出至該轉向概2的前面處之磁場與該等第 一及第二閉回路線圈成互連。 已知事貫，在垂直方向上的磁场；.¾漏主要是由該水 平轉向磁場所造成。此意指該磁場沒漏係根據在該水 平轉向磁場中的一周期性變化而改變。其間，干涉該 水平轉向磁場變化之電動勢被生成於該等第一及第二 閉回路線圈5及6。以該電動勢，各該等第一及第二閉 回路線圈5及6在與該磁場洩漏相對的方向上產生一磁 場，如消去磁場。藉由將發生於從最靠近使用者的該 前面板1 a到一洩漏源的附近之一廣大空間中的洩漏消 去 '使該消去磁場能降低磁場洩漏n 該等第-及第二閉回路線圏5及6被分別經由地線5 a 反5 b接地 於是+該電場：¾漏補嚴蔽且因而被防止增 降低磁場及電％ 4漏之效果被έ羊細說明.卓6圖是 圖式 其幫ft明也該等第…及第二閉3路综圈Γ 及。叫產；ΐ的消去墙場及漏出為來g該轉向_之_磁場：¾ -------------裝·----^----訂·--------丨 f請先闓請背面之注意事項再填冩本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4542 1 8 A7 B7 五、發明說明（） 漏間的關係，該關係是自第4圖所示的CRT裝置之左側 觀看。 如先前陳述的，在該第二閉回路線圈6於本實施例 中被配置在該轉向軛2的下前面處時，該第一閉回路線 圈5被配置在該轉向軛2的上前面處。如此，一個來自 該轉向輥2的磁場洩漏7與該等第一及第二閉回路線圈5 及6成互連。於此，根據該磁場洩漏7的周期性變化， 而引導電流通過該等第一及第二閉回路線圈5及6，以 使該消去磁場8被產生。如第6圖所視，該等第一及第 二閉回路線圈5及6成對地作為用以產生該消去磁場8之 一消去線圈。 在該磁場Ά漏7上的消去效果係依據各閉回路線圈5 及6的設置位置變化。在本實施例中，該等閉回路線圈 5及6的各設置方向被約略決定，使得具有反極性的該 消去磁場8被產生且有效地消去該磁場洩漏7。 雖然此配置確實阻礙使用者的視覺’但理想的該等 第一及第二閉回路線圈5及6為水平地穿過該前面板ia 的有效顯示區域40，且位於一平行該CRT 1的軸心之 平面。以該等線圈5及6之理想配置’該磁場洩漏7及該 消去磁場8的向量之方向被互相對立’使得該磁場洩漏 7能被最有效地消去。如第6圖所示，此是因為各該等 閉回路線圈5及6被設置，所以使得一包括該等閉回路 線圈5及6之平面垂直於一包括該磁場洩漏7之平面，意 指其向量偏離洩漏向量1 8 〇 °的消去磁場自該等閉回路 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) » 1---Γ I--— — — — — — — — — B7 五、發明說明（U) 線圈5及6中產生。 顯示在第6圖中的陳述理想於該磁場洩漏之消去。 事實上，如陳述的，若該等第一及第二閉回路線圈5及 6水平穿過該該前面板1 a的有效顯示區域4 0，它們將會 阻礙使用者的視覺=如意料中的為了達成第（>圖所顯 示之陳述的配置不能被使用於本發明之CRT裝置： 在本實施例中，該等第一及第二閉回路線圈5及6被 分別沿著該有效顯示區域4 0的頂部邊緣4 0 a及底部邊緣 4 0b設置，如第4圖所示，以便在實際應用中得到最大 的消去效果=如能真實了解的，該等閉回路線圈5及6 的分別設置的位置對於實際使用者未呈現問題- 較佳的是，作為於本實施例的情況下設置一閉回路 線圈作為一消去線圈位於該前面板1 a的上面及下面部 分2然而’該閉回路線圈可被設置在該前面板1 a的上 面或下面部分處。以該閉回路線圈被設置只位於該上 面部分 '將使漏出為來自該轉向軛2的上面部分之洩漏 的磁場被大部分消去。其間，以該閉回路線圈被設置 只位.於該前面板1 a的下面部分，將使漏出為來自該轉 向軛2的T面部分之洩漏的磁場被大部分消去。當該閉 3路線圏被設置在該前面板1 a的該等丄面及下面部分 兩部分上時 '自該轉向軛2的上面及下面部分漏出之該 等磁場能被有效消去應是明顯的 玆消去線圈可由多於兩傕的閉回珞線圈所m成^ 例如當三領閉e路缲圈被使闬為該消去線圈時兩 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂·-------線------ 45421 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 個線圈可在剩餘的一個閉回路線圈可被設置在該CRT 1的下面部分時，被設置在該CRT 1的上面部分。 因為該等第一及第二閉回路線圈5及6被分別經由該 等地線5a及5b接地，所以該等閉回路線圈5及6位於相 同的地表電位。如此，在該等第一及第二閉回路線圈5 及6間必須沒有電動勢之電壓差，以使該等閉回路線圈 5及6間將不會有電場產生。因此，不只不需防止電場 洩漏的增加，而且該電場洩漏亦因該等作為抵抗該電 場的屏蔽之閉回路線圏5及6而被可靠地降低，該電場 是漏出為來自該轉向梃2之;兮漏。 <試驗> 一個試驗被引導使用一 4 〇公分（1 7吋）的電腦監視 器’其係使用本實施例的CRT裝置。在該試驗中，該 磁場洩漏被測量以觀察相較於一傳統裝置之降低效 果。 一個使用在本試驗中的閉回路線圈是由一復蓋著尼 龍的多絲銅線（KV0.75類型）所製成*該閉回路線圈的 周長約1 10公分。如該等閉回路線圈5及6之兩閉回路線 圈被分別沿著該有效顯示區域4〇的頂部邊緣4〇a及底部 邊緣40b處設置’如第4圖所示。在該4〇公分電腦監視 器之情況中，該前面板1&為295公分高及372公分寬， 且該有效顯示區域40為24.3公分高及32.4公分寬。 第7圖是一個表格，顯示在相較於不具有閉回路線 圈的傳統CRT裝置之該CRT裝置（例如，該電腦監視器） -16- 本紙張（度適財國國家標準（CNS)/U規格（2iqx297公g ) ---" 1IIIIIIIII— -11 J l· 11 I — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^浩^智"?財產局自^消費"作-..:7:.> Λ： _Β7_ 五、發明說明（14) 外部所測量出的磁場洩漏之結果。在最左行中之度數 表示所採取測量之位置（該等位置以下被稱為"測量位 置。所有的測量位置均放在一通過兩個分別位於自 該C R T裝置的前面及背面5 0公分距離遠之點的想像圓 上-表示該等測量位置的度數在一反時針方向中自該 CRT裝置（指出0 )前面5 0公分距離遠的點處被測量。 如能從第7圖所示的表格看出，相較於未設有該消 去線圈的傳統裝置之情況下，該磁場洩漏被使用本發 明位於除放置在該C R T裝置後的幾個位置外之測量位 置降低：該磁場洩漏位於洩漏為一般最大的0 測量位 置上之傳統裝置的情況下為22. 9Nt時，被降至 2 0 . 4η T。根據瑞典Μ PR II基準，該磁場洩漏在此位置 必須等於或小於25ηΤ。本實施例的CRT裝置之磁場洩 漏足以於此描述限制下：如該表格中所示，不具有消 去線圈的傳統CRT裝置之磁場洩漏亦足以於2 5 η T之限 制下。然而，由於欲被提供給一 CRT裝置的生成成份 之不規則' 而使該洩漏能易於超出限制。在本實施例 中' 藉由以較高意圖來降低該磁場洩漏·該洩漏能可 靠地在該限制下於任何生成的C R T裝置。 其次另一個試驗被^導來測量玆電場洩漏及來看 看相較於傳統裝置的降低效果 該等在α上試驗中的 磁場洩漏上已被測試且顯示出具有降低效果之閉回路 線圏被接地於本試驗 J此種结搆 該等閉s;路皞圈 作為抵抗漏出的電場之屏蔽用_籍此降低語電場：¾漏 (請先閱14背面之注意事項再填寫本頁) · ^^1 n i - - n n 一OJ» 1 n ϋ —ί n I .^1 «II ί n 11 n. I— n ί a^i 111 Hr Hr fcf 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ^54218 A7 ---------_B7___ 五、發明說明（15) 在本試驗中’在該CRT裝置的前面50公分及30公分距 離遠處&取測量。其結果被顯示在第9圊的表格中。 如表格中所示’該電場洩漏在該CRT裝置的前面5〇 △刀距離遠處為l2V/m。該洩漏值足以在該瑞典MPR π 基準中所指定的2,5 v/m的限制下。
第·二實施I 10圖是本發明第二實施例的一 CRT裝置之一透視 外形圖。該第二實施例的CRT裝置是由一 CRT 1、~轉 向軛2、一電子搶11、一加強箍（或防火箍）3、及一閉 回路線圈5所組成，該CRT 1是由一前面板。及一破錐 lb所製成。該轉向軛2是由一上水平轉向線圈2a、一下 水平轉向線圈2b、一垂直轉向線圈（未說明）、及—鐵 心（未说明）所製成。該加強箍3被設置在該前面板丨a的 外部邊緣上，且第一至第四耳部“至4d被分別形成在 該加強箍3的四個轉角處上。 該閉回路線圈5被設置在該CRT裝置的一上面部 分。為了更特殊’該閉回路線圈5剛好被配置在該前面 板la的一有效顯示區域4〇之頂部邊緣4〇3上。同時地， 該閉回路線圈5被配置在該等第一及第二耳部43及仆的 上面處，且靠近在該前面板惻的上水平轉向線圈2 a之 一開口。 一由絕緣材料所製成的板子7〗經由一安裝構件（未 說明）被安裝在該上水平轉向線圈2a上》該板子71設有 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------- -----裝！ l·!— 訂 i I ---!-峻 f請先閱讀背面之注4事項再填寫本頁> i.-:.mrrv智慧財產局|丄肩費合.^知1·!:: Λ； _Β：_ 五、發明說明（16) 一差動線圈5 0作為一用以校正交叉未會聚之習知線 圈，該閉回路線圈5的一部分被設置成繞著該差動線圈 50，因此該閉回路線圈5能自該差動線圈5 0獲得一引導 電動勢= 第1 I Α圖是該水平轉向線圈2、該差動線圈5 (J、及 該閉回路線圈5之一示意性電路圖=如此種電路圖所 示 '包含該差動線圈5 0之線圈5 1及5 2被分別經由端子6 1 及6 2而與該等上及下水平轉向線圈2 a及2 b串聯連接。 該閉回路線圈5與該差動線圈5 0磁性耦合：此電路經由 端子63及64而被連接到一水平轉向電路之輸出端子， 第1 1 B圖顯示一被設在該水平轉向電路的最後步驟 之水平輸出電路的一典型例子。與一個水平同步信號 同步的一脈衝電壓藉由一水平驅動電路（未顯示）而施 加在用於一開關的一電晶體8 2之基底8 1上。一正向電 流經由一用來除去交流成份的扼流圈8 7而被供應給該 電晶體82之集電器=該電晶體82在每次該脈衝電壓被 施加在該基底8 1上時被引入傳導。一電容器8 3在該電 晶體8 2未傳導時充電，且在該電晶體8 2傳導時放電。 於是·一充電/放電操作與該脈衝電壓同步地重f ， 因此一習知的鋸齒形水平轉向電流被產生. 當一反極性電壓被施加超出一預定值時..+ΐ:丨.〗K 該電容器83傳導之阻見二極體84被引傳導 1，，該闲 二極.體& J的傳導 使·短珞發生在 tL U汶#裆 線圈h及2b及該電容器^ <之K广電路士 士:… (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝----I---訂---------線------ 454218 A7 ___________B7___五、發明說明（ 要的反應發生。 一輸出端子89經由包括有串聯連接的一線性線圈85 及一電容器86之一線性校正電路來接地。該線性校正 電路是一習知電路，用以校正一轉向電流來獲得用於 該等電手束的水平轉向之線性。該線性線圈85是由一 飽和線圈所製成’且該線圈85的自感是根據在該轉向 電流的個別點之飽和準位來變化。利用其自感的變化， 使該線性線圈85獲得用於該轉向電流的線性。該電容 器86將該轉向電流校正為一 S形方式，以便輪流校正發 生於該前面板la的中心、右、及左部處的轉向變形。 一般地，此種水平輸出電路設有與一 CRT裝置分離 的一顯示裝置。產生的水平轉向電流係經由該等端子63 及64(見第1 1A圖）被供應至該等水平轉向線圈2&及213及 該差動線圈50’該等端子63及64以一可分離方式被連 接至該等輸出端子88及89。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 路 回 閉 該 出 示 顯 圖 2 第 圈 線 動著 差繞 該成 3 5 軸 線 個 兩 著繞及 繞纏51 成開圈 置分線 設被動 被路差 分線二 部的第 一50及 的圈 | 圈線第 線動成 差 該 括 包 形 以 -----^---—訂------J·*^ 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 第分 等部 該圈 著線 繞應 成感 置一 設成 被形 分以 部， 152 的及 圈51 線圈 路線 回動 閉差 該該 ，二 著第 接及 第 5 等分 該部 著圈 繞線 成應 置感 設該 被。 可一 分之 P 2 咅 5 一 及 的 5 圈圈 線線 路動 回差 閉該 該二 。 第 54及 磁洩 1 的 生2b 產及 而2a 成圈 生線 被向 上轉 向等 方該 一 自 在來 勢為 動出 電漏 1 一 得去 使消 而以 成用 形’ 被場 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210x297公釐） Λ- _Β7_ 五、發明說明（$ 漏之磁场： 第1 3圖顯示該等苐一及第二差動線圈5 1及5 2及該閉 回路線圈5的磁性耦合部分之一結構例子=該閉回路線 圈5的一部分已被設置成繞著其的差動線圈5 u被固定至 由諸如勝木的絕緣材料所製成之基底7 1上該基底7 i 進一步包括連接到該等水平轉向線圈2a及2b之端子61 及62、與連接到該水平轉向電路之端子64。 如在參考第6圖的第一實施例中所說明的·藉著通 過該閉回路線圈5的電流所產生之消去磁場8自該水平 轉向線圈2中消去該磁場洩漏7。本實施例不同於第一 實施例的是，在本實施例中的消去磁場S是以藉由通過 該電流、自一由該感應線圈部分5 4所產生的感應電壓 結果、穿過該閉回路線圈5之一較高意圖而產生以該 感應電壓：該閉回路線圈5在與該電場Ά漏相對的方向 中產生一電場，而使該電場泡漏亦能被消去ε <試驗> —試驗被引導使用一使用該C RT裝置或本實施例的 4 ()公分（1 7吋）電腦監視器：如以在第一實施例中的試 驗之情況下，該磁場洩漏被測量來視其相較於一傳統 裝置的降低效果、' 使用在本試驗的-差動線圈是由將一辮編線纏繞成 繞著具有6公釐的内徑在内的空間之-圓軸而製成該 辮編線是由在.線粕♦担：11铜線印製成各炉4,的 钼鸟Φ Π 2 5公_ f 螺较磁場被設置δ玆線軸的1部 (請先閱讀背面之注意事項再填罵本頁) -裝--------訂---------線--------- 4542 t 8 A7 B7 五、發明說明（19) 空間，因此電感的偏差能被變化地控制。於本試驗中， 該電感被設為約1 5 μ Η。該閉回路線圈的一部分被設 置成繞著該差動線圈的一感應線圈，因此一電動勢被 製造來消去該磁場及電場洩漏。 在本試驗中，該感應線圈部分54包括30圈，且一約 10V的感應電壓被獲得作為峰值電壓。藉由該感應電 壓的應用至該閉回路線圈5之重設，該消去磁場及電場 被產生來消去該磁場及電場洩漏。第1 4及1 5圖分別顯 示該磁場及電場汽漏之測量結果。 如第14圖的表格所示，該磁場洩漏位於為最大的〇 。測量位置之傳統裝置的情況下為22.9ηΤ時為 19.3ηΤ。其間，如第15圖的表格所示，該電場洩漏在 該CRT裝置的前面3〇公分距離遠處為0.8 V/m。此洩漏 值在指示於該TCO基準中的此位置（在該CRT裝置的前 面3 0公分的距離處）之1 . 〇 ν/πι限制下，且亦在指示於該 MPR II基準中的此位置之2.51.0V/m限制下。 在該第二實施例中，該閉回路線圈5被磁性耦合至 該差動線圈50。然而，當該水平轉向電路包括一個具 有與該水平轉向電流同步變化的電流通過之線圈時， 該閉回路線圈5可被纏繞在該線圏的周圍。例如，該水 平轉向電流可包括一線圈，諸如與該水平轉向線圈串 聯連接的線性線圈8 5 (見第1 1 B圊），或根據該脈衝電壓 中的變化而改變流通電流量之扼流線圈8 7。 在該第二實施例中，該閉回路線圈只在該CRT 1的 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.----r---訂.！-- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（） 能分 漏部 洩面 場下 電的 及 1 場RT 磁 C 該該 - 在 日疋置 的設 顯圈 明線 應路 C 回 置閉 dx =0-Φ 被將 分由 部 藉 面樣 上同 低線 降路 效回 有閉 來的 中 況 情 此 在 之 圈
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