TW451258B - Manufacturing method for a gas discharge panel - Google Patents
Manufacturing method for a gas discharge panel Download PDFInfo
- Publication number
- TW451258B TW451258B TW089109718A TW89109718A TW451258B TW 451258 B TW451258 B TW 451258B TW 089109718 A TW089109718 A TW 089109718A TW 89109718 A TW89109718 A TW 89109718A TW 451258 B TW451258 B TW 451258B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- peripheral device
- gas
- manufacturing
- sealing
- gas discharge
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
- H01J9/385—Exhausting vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
45J 258 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 螢光體 雀光體 紅色蜜1光體 A7 B7 五、發明說明(I ) 本發明所屬之技術領域: 本發明係有關於一種使用於電腦之監控器以及電視等 之影(畫)像顯示之電漿顯示器面板等的氣體放電面板之製 造方法。 習知技藝: 以下,就參照圖面針對素來之電漿顯示器面板作說明 。第鴻圖係表示交流型(AC型)之電漿顯示器面板(以下’稱 為「PDP」)之概略性截面囷。 於第8圖,110為前面玻璃基板,而在該前面玻璃基板 110上予以形成放電電極1Π。並且,放電電極111乃以由 介電體玻璃層丨12及氧化鎂MgO所成之介電體保護層113予 以覆蓋(例如,參照特間平5-342991號公報)。 又’ 120為背面玻璃基板’而在該背面玻璃基板12〇上 設有位址電極12 1 ’將其被覆之可見光反射層122、區隔壁 123、以及螢光體層124’而130乃成為封入放電氣體之放 電空間。前述螢·光體層為作彩色顯示,乃使紅、綠、藍之 3色的螢光體層依序予以配置。上述之各螢光體層丨24,即 由因放電而產生的波長較短之紫外線(例如為,波長丨47nm) 予以激勵發光。 構成螢光體層124之螢光體方面,—般係使用如下之
BaMgAIl0O17 : Eu
Zn:Si〇4 : Μη,或BaMgAll0Ol9 : Mn : Eu,或(YAUBO! : Eu (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · —---r I-----I-----镇-
A: 五、發明說明(2) 各4螢光體以如下述能予作成。 藍色螢光體(BaMgAl1D0!7 : Eu) ’係以首先,將碳酸 妲(BaCO;)、碳酸鎂丨MgC03)、氧化鋁(α-A120;〇、以 BaMg 、A1之原子比予以配合成為1對1對丨0 = 其次,對於該混合物予以添加所定量之氧化銪(Eu=〇3) 。而後,與適量的助炼劑(A1F:、BaCl;;)—起於球磨機作混 合’且於1 4 0 0 C〜1 6 5 0 以所定時間(例如為,0 · 5小時) 及環元氣氛(H2或N2中)予以燒成而予獲得。 红色螢光體(丫2〇2 : Ell),係將氫氧化釔(Y2(OH)3)i 硼酸(Η;ΒΟ;)作為原料’而予配合成為γ、b之原子比為! :1。其次,將所定量之氧化銪(Eu2〇3)予以添加在該混合 物,並與適量的助熔劑一起於球磨機予以混合’而在空氣 中以丨200 C〜145〇 t予以燒成所定時間(例如為!小時)而 予獲得。 綠色螢光體(ZndiO4 : Μη),係將氧化鋅(Zn〇)、氧化 碎(SiOJ作為原料,而予配合成為^ Si之原子比為卻 '其次’將所定量之氧化猛(Mn处)予以添加在該混合物 .而於球磨機還合之後.在空氣中以nGot'mor予以 燒成所定時間咖為' 0.5小時、而予獲得 捋以上述製法%製作之營光體粒子粉碎後.再予筛選 ‘就可獲’旱具有气定粒徑分佈的螢光體材料: n ”乂过明素宋之PDP的製造方法. s工ϋ印玻埤基板上予以形成放電電極1如同 碎於崎零h〒斤:玫由4 士 ! ^體玻螭A立之今電體層並且 -------------裝-----:----訂---I------線 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 451258 A7 B7 五、發明說明(3 ) 在該介電體層上形成由MgO所成之保護層》其次,在背 面破璃基板上予以形成位址電極,且在其上以所定之節距 作成由介電體玻璃所成之可見光反射層及玻璃製之區隔壁 〇 在由該等區隔壁所夾住之各空間内,將含有如上述所 製成之红色螢光體、綠色螢光體、藍色螢光體之各色螢光 體糊劑分別予以配設而予形成螢光體層,形成後以約500 °C予以燒成螢光體層且予去除糊劑内之樹脂成份等(螢光 體燒成工程)。 螢光體燒成後,在背面玻璃基板之周圍予以塗佈其與 前面玻璃基板之封著用玻璃凝結劑,並為去除玻璃凝結劑 内之樹脂成份等’乃以約350°C作假燒成(封著用玻璃假燒 成工程)。 其後’將依序予以形成放電電極,介電體玻璃層及保 護層之前面玻璃基板’與前述背面破璃基板介著區隔壁作 對向配置成使顯示電極與位址電極為直交,且以約45〇°c 予以燒成而由封著玻璃而將周圍作密封(封著工程)。 然後’予以加熱至所定之溫度(約3 5 0。(:)且將面板内 予以排氣(排氣工程),終了後將放電氣體僅予導入所定. .. ____________ 壓力。 . 於如上述之習知的電漿顯示器面板之製造方法上,在 面板製作後之欲使發光特性及放電特性予以穩定化的時間 效果工程上,以及於通常的運作時其發光特性會逐漸劣化 之課題存在。 夂纸張弋1通用φ S國家標準(CN'S)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----^---1 訂111111 經濟部智慧財產局1*工消費合作社印製 ^-^^"'^—n^im'r.^^'A.l-···-’ 以封著構#抒到著之 Λ7 ____________ B7 - _ 五、發明谦敗(4) 其乃因於前述排氣工程上,未能充分予以清淨内部空 間内之不純物(與水蒸氣、氧氣、氣氣、二氧化碳等之放 電氣體為相異組成之氣體成份)而殘留在内部空間之故。 本發明之目的: 〜 本發明係因鑑於上述之課題而所進行者,乃欲予提供 在面板之製造工程所必要之排歲工μ 研孔紅上’能以良好效率進 行排氣之氣體放電面板的製造方法,為目的。 解決課題之本發明的製造方法: 為達成上述之有關目的’本發明係以具備,便予以區 隔相互之發光單元(元件)的區隔壁,在形成於主表面之第 丨基板的該區隔壁側表面上,而使第2基板作對向配置而予 形成外圍器之外圍器形成㈣,將在該外圍器上之兩基板 的外周部相互以封著材料作封著之封著步驟,欲予摒氣該 外圍器之内部的氣體之排氣步驟,以及將放電氣體予以封 入在該外圍器之内部的封入步驟之氣體放電面板之製方法 .且前述排氣步驟乃含有,將外圍器内作真空排氣之副步 驟,其後,在外圍器之内部予以填充對於放電氣體不會使 其成岛不純物之氣體作為實質性成份之洗淨氣體的副步驟 .以泛,其後、將外圍器之内部作真空排氣之副步驟,為 其特致 又’本發明係且備將區隔發光元件相互之區隔壁,在 ί·以形成於主表面之第丨基板的該區隔壁側表面上、將第2 基ft ?+?气對向配置而予形成外圍器之外圍器形成步驟.將 a :卜a器二二兵:基板的 -------^-----r---^--------- (諝先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451258 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5) 封著步驟,將該外圍器之内部的氣體作排氣之排氣步,以 及在該外圍器之内部予以封入放電氣體之封入步驟的氣體 放電面板乏製造方法,而前述排氣步驟乃含有’將外圍器 内予以真空排氣之副步驟,以及其後,在外圍器之内部予 以通對於放電氣體不會成為不純物之氣想作為實質性之 成份的洗淨氣體,而將外圍器之内部予以排氣之副步驟, 作為其特微。 而所謂之「實質性」係表示「作為洗淨氣體之主成份 ,對於放電氣不會使其成為不純物」之意義。由於此,並 非「對該主成份氣體予以排除從起初就含有成為不純物( 通常為極低濃度)之氣體」者。 依據該等之製造方法,其不如同習知僅將外圍器之内 作排氣,而尚如上述予以填充洗淨氣體或流通洗淨氣體之 後,同時予以作排氣,因此,與習知之製造方法相比,可 迅速將外圍器内之不純物氣體濃度,於短時間予以去除至 低濃度。 又,在上述製造方法上,使封著步驟,依將外圍器整 體或者封著部,以封著構材之軟化或者融點以上之溫度予 以加熱之同時,使外用器内部之壓力比外部之壓力為低雨 予進行,即,外圍器就因内部之壓力差而使兩基板從外側 以均一性予以押壓之狀態下,使封著材料硬化而予封著, 因此.可使區隔壁頂部及與其為對向之基板之間,於幾乎 為热間隙之狀態作封著。於習知,乃不予設定外圍器之内 外堅力差而將外周部僅以夹子等予以勒緊,因此,由於外 本紙張尺度適財關家標舉(CNS)A4規格⑵D_x_297公^ (諳先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -----„----訂 I 1 ------^ :母濟郭智慧財產&* tr-"费",· ΐΊ)Ρ.ΰ:. Φ A7 _______ B7_____ 五、發明說明(6) 圍器之中央部未被押壓,是故,區隔壁頂部及與其為對向 之基板’就容易以整體性或部份性離開之狀態下被封著。 由於此’依據如是之製造方法’就不易發生PDP驅動 時之振動且能容易製作顯示品位良好之PDP。並且,在上 述製造方法,若將乾燥氣體予以填充在外圍器之内部的狀 態下進行封著步驟,就能予抑制螢光體之熱劣化。 本發明之實施態樣: 以下’就參照圖面以具體性說明本發明有關之電槳顯 示器面板之製造方法。 [PDP之整體構成及其製法] 第1圖係表示實施態樣有關之交流面放電型PDp的透 視圖’第2圊係表示在該ρ0ρ予以封裝電路區段之顯示裝 置的搆成圖。 忒PDP,乃對各電極予以外加脈衝狀之電壓,就於放 電空間内產生放電,且隨著放電而將於背面面板側所產生 之各色的可見光,從前面面板之主表面予以透過者2 而該PDP,係依在前面玻螭基板丨丨上有配置多數之放 電電極I 2(掃描電極1 2a)、維持電極丨2b、介電體層丨3、保 遵層14而成之前面面板⑺,以及在背面玻璃基板2丨上有配 置多數之泣址電極22、介電體層23之背面面板2〇 ,而將電 極La、1 2b與位址電極22予以對向之狀態下,設定間隔而 h Ά予以3::,置為半亍之搆成... h欲顯:ΐ;畫(影;深之領域 '而於.此、前 %間之間ρ螺旋訣之區塥壁二4 n I n n n .^1 n , · I n n 一OJI n n n n I (請先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 258 A7 _ B7 五、發明說明(7) 多數條作區隔而予形成多數之放電空間30,且在該放電空 間30内予以封入放電氣體^又’在放電空間3〇内,於背面 面板20側’乃予配設多數之螢光體層25。該螢光體層25就 以紅、綠' 藍之順序反覆排列。 玫電電極12及位址電極22均為螺旋狀,並將放電電極 12予以配置在與區隔壁24為直交之方向,而使位址電極22 配置為與區隔壁24為平行。而且,於放電電極12與位址電 極22相交差之處,予以形成發光紅、綠、藍之各色的元件 之面板構成。 介電體層13係由被復有配設前面玻璃基板丨丨之放電電 極12的表面整體而所配設之介電物質所成之傳層,一般乃 使用錯系列低融點玻璃作為材料,惟,以鉍系列低融點玻 璃,或鉛系列低融點玻璃與鉍系列低融點玻璃之積層物予 以形成亦可以。 保濩層〖4係由氧化鎮Mg〇所成之薄層,而予復蓋介 電體層丨3之表面整體。介電體層23係予混合丁丨0:粒子而使 其兼有作為可見光反射層之作用。區隔壁24乃由玻璃材料 所而,而予突設在背面面板20之介電體層23的表面上。 另方面,於PDP之外周部,乃依封著構成而使前面^面 板10及背面面板20予以封著。區隔壁24之頂部與前面面板 10 ’乃整體性大約有所接觸而再依接合構材成為作接合之 狀。 針對欲予製作如是之PDP之方法的一例,將予說明於 如下3 本纸張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 10 <請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) -I * ---l· I--訂- ---— II--絲"* 五、發明說明(8) A7 B7 前面面板之製作: 於前面玻璃基板u上予以形成放電電極12 (且如同遭 蓋其上而予形成介電體層丨3,而且.在介電體層η之表面 ’以真空蒸著法、電子東蒸著法,或者,CVD法,予 形成由氧化鎂MgO所成之保護蜃14而予作成。 放電電極丨2可将銀電極用之构劑以屏幕印刷法予以 布之後’再予燒成就能予形成''其他,以ιτ〇(銦、錫、 化物》或stl〇:予以形成透明電極之後再於其上如上述丁 以形成銀電極‘或以露光轉寫(光 $到)去叩予形成Cr-Cu C r電極亦可以1介電體層13 ‘係將含有紐系列之破璃材料(兑组成 :例如’氧化紹_0重量,。、氧化,此重量% 氣化咬[SK):]15重量議糊劑,以屏幕印刷法予以塗布 子燒成就能予形成。 背面面板之製作: 在背面破璃基板W與放電電極12同樣使用屏 予㈣mm其次,將有思合肌粒子 "材料_幕印制法予以塗佈且予燒成款 禮 f :3 其次予以形成區塥壁24 .區福]壁24 '乃以異幕 .衣将區嗝壁用玻璃糊劑重疊塗佈之後,再予燒成就能 义其-#區:馬g闲玻璃调制在背面垵嶂荃板 ίϋ二二塗"义:¾ -将禾二形成區:¾ .以哽用 丄ΐ:. .A t 二十.权區:¾ f 2」 以 塗氧予 為 且 幕 之電 -------------------- 訂--------- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) £r 形 之全
S 258 A7 B7 i、發明說明(9) 而在區隔壁24之間的溝槽予以形成螢光體層25。該榮 光體層25,一般上將含有各色螢光體粒子之螢光體糊劑以 屏幕印刷法予以塗佈且予燒成而予形成,惟,將螢光體墨 汁從喷嘴以連續性予以喷射且同時沿著溝槽予以掃描之方 法作塗佈,且於塗佈後為去除含有螢光體墨汁之溶劑或膠 合劑予以燒成就能予形成。該螢光體墨汁乃使各色螢光體 粒子予以分散於勝合劑、溶劑、分散劑等之混合物並予調 整為適度之,帖度。 螢光體粒子之具體例為能予舉出如下者: 藍色螢光體:BaMgAl1()017 : Eu2+ '鞣色螢光體:BaMgAll0Ol9 : Μη 或 Zn2Si04 : Μη 紅色螢光體:(YWUBO〗:Eu或Y2〇2 : Eu3+ 於本實施態樣’係配合40英吋級之VGA或高品位視 覺電視,且令區隔壁之高度為〇.06〜〇15mm,區隔壁之 扣距為0.13〜0.36mm。 封著工程’真空排氣工程、放電氣體射入工程: 其次’將以如是所製造之前面面板1〇與背面面板2〇予 以封著。在該封著工程上,使前面面板10及背面面板’ 於外爯部介插封著構材且予以重i而予形成外菌器^再以 該封著構材進行封著。此時,因應必要而在背面面板20之 區隔壁24的頂部予以塗佈接合構材亦可以。 封著構材方面,乃以從外部附加熱等之能量而可使其 軟化者,其通常乃使用低融點玻璃。將封著材料予以加熱 且予軟化之後,再使其予以碌化而進行封著。 各紙張dif用* S S家標準(CNS)A4規格(210 X 29_7公f ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I * I---^ I I 訂·----111 疫濟部智慧时產局員工消費合作社印乾 12 經濟部智慧財產局_工漼费合1让"· % A7 _______B7_____ 五、發明說明(I0) 而進行封著工程之時‘由於在外圍器之内部與外部予 以形成壓力差’因此,兩面板(]〇、2 0}就可從外側以均— 性予以押壓由於此,可使區隔壁24之頂部與前面面板1〇 蝥體性以接觸或者為接近之狀態下作封著= 封著工程終了後,為排出吸著在外圍器之内部的不純 物氣體等.乃使内部空間成為高真空(例如,1.3 X 1〇_1!μ I ΡίΊ丨)並作排氣{真空排氣工程);, 其浚將故電氣體(洌如.丨仏Xe系列.Ne-Xe係、Ar-Xe 系列之不活性氣體)以所定之壓力予以封入(放氣氣體封入 工程)於外圍器之内部,而予作成PDP : 而於本實施態樣,使放電氣體上之Xe的含有量定為 約體積% .且封入壓力予以設定為〇 .〇67〜〇1 1MPa之範 圍'•將PDP欲予驅動顯示之時,即予封裝如第2圖示之電 路區段予以進行驅動c 以「.針對封著工程,以及真空排氣工程與放電氣體 封/、工程…予以分成第丨〜第4實绝態樣詳細說明: 、第i實絶態樣: 第3围係表示於本實绝態樣之封著工程所使用之封著 4 +1 λ置’(.)的模式.(a丨圖為上面切斷圖彳卜)圖岛含有 节μ a 1園上之Λ-Λ '線的垂直載面圖: a封著排乱裝置)〇 ‘係由收納前面面板]〇及背面面 氏州予以重疊之外圍器4()且將其作加熱之如熱爐5丨,設在加
:〜1 γ 禮 '學系以H改排氣系統y 乂ϋ啶y工…b梵六乂汴%.為真.S ------------------^----訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
451258 五、發明說明(11) 部之溫度能予控制為所望之設定溫度。 使用該封著,排氣裝置50,進行如下之封荖τ加 在第3圖所示,事先’在背面面板2〇,於比其顯示領域為 外惻之外周部設置通氣孔21a、21b。通氣孔2la乃早&』 ^ 丁办成 在背面面板20之右上’而通氣孔2 lb即予形成在背面面板2〇 之左下。 在前面面板10及背面面板20之對向面的任何—方或雙 方之外周部,予以塗佈含有封著材料之糊劑且予境成而予 形成封著材層41。於此’封著構材乃使用比區隔壁24或介 電體層23之材料為低之軟化溫度的低融點玻璃β而封者構 材方面並不限定於該低融點玻璃,為理所當然,其亦能使 用金屬寻。此%合’封者溫度就成為使金屬溶融之溫度, 即融點以上之溫度。 低融點玻璃糊劑之具體例方面,可列舉予以混合低融 點玻璃凝結(軟化點370t)80份,乙烷基纖維素系列勝合 剞5份’以及酢酸異戊基15份者,並將其以配合器予以塗 佈就能予形成封著材層41 〇 在位於兩端之區隔壁與封著槽材層4 1之間,設有將予 以形成在其間之空間區分為2個之分離構件42。該分離構 件42,能予错分離構件之存在,乃使在予以形成於區隔壁 相互之間的放電空間内,使氣體之導入 '排出以良好效率 予以進行。又,該分離構件42未予設置亦無關= 其次將前面面板10與背面面板2 0予以對位同時作重 疊而予形成外圍器40 =而後’為使所對位之前面面板1 〇與 本纸張又变適用中國圉家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> iSif---I l·----訂----I ----旗 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 14 五 發明說明(I2) A7 B7 經濟部智慧財產局員工巧費合"11:,^.^ 背面面板20不會偏位、乃將外圍器40之外周部以爽住器( 未圖示)予以勒緊且作固定。 將忒外圍器40予以設置在加熱爐5 1内,而後,在外圍 器40之通氣孔2丨a介著連接管55而予連接氣體導入系統52 另方在外圍范4(.)之通乳礼2 1 b介著連接管56而予速 接吸引排氣系統5 3。 連接器55及連接管56<係介著接著搆材%及—而予 固定在背面面板2()之下面的玻璃管,在前述接著構材別 及池’例如’使用與前述封著構材㈣之㈣為同樣者 ’且將含有ί&融點破螭之糊削以調合器予以塗佈、乾燥並 亦併用失住器作假固定。由於此,隨著使封著構材層川欠 ::硬化懷圍器40予以封著,且亦使接著搆材”一 予乂权L硬化’乃)吏連接官5 5及連接營%與背面面板2〇 之通氣孔2U及通氣孔2lb之連接以及氣密封套亦可自動性 予以進行.: 氣體導入系統52,係由有填充故電氣體之氣體容器A ^及將連接管55與^目連接之配η統以所成=在配 '…t —b〜中4 a有鸟調整氣體導入量之用的開閉閩?〜 連接Ή與配管系统5:b75液夾持器等今以確係氣密性 匕以態T互相予以連结.. 吠引棑氣糸碎详由複式接頭53a、渦輪分子泵53b、 义雄策^ ~述接前这連接管%與蝮式接頭y。丨之配管系絶 1接前:ΐ Η _ή掩頭y a輿浅輪分子.泵” b之配管系絶 U- + _'之汉专%調+g甴:¾輪X. .f -¾ ! I * t I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線. ‘ .¾
]P R * 4«· W
五、發明說明(13 ) 之吸引量之用的開閉閥53f。連接管%與配管系統53d係依 夾持器等而以確保氣密性之狀態下互相予以連結。 而在本實態樣,乃予設置為前面面板⑺於上側,而背 面面板20於下側,惟,將其設置為上下為相逆亦可以。又 若兩面板10、20予以固定為不會有偏位之時,即,將外 圍器40以豎立設置於加熱爐内亦無關係。 然後,使加熱爐5 1内予以加熱,且予昇溫至比封著構 材之軟化溫度為高若干之封著溫度(例如為45〇冗),並以 封著溫度保持所定時間之後,再度使其降溫為軟化點溫度 以下而將兩面板1〇、20間作封著,惟,以渦輪分子泵53b 從外圍器40内部予以排氣而同時進行封著。而使渦輪分子 泵5 3 b予以動作(運作)之時,亦使旋轉泵5 3 c同時予以運作 以降低渦輪分子泵53b内之背壓。封著條件乃視玻璃基板 材料與封著構材之相性而決定,惟,使用低融點玻璃之場 合。即,均於450°C而約為10〜20分鐘。 排氣以加熱爐5 1内達到封著構成之軟化溫度之後始予 開始為宜。於達到封著構成之軟化溫度之前,兩面板1〇、 20間之外周部的氣密性較劣(較差),因此,雖從外圍器4〇 之内部空間予以排氣亦無法使其内部作成為高真空度,奸 *封著搆材軟化之後,即,兩面板10、20間之外周部由於 被氣密封密’同時’接著材層26a亦被軟化而使配管構件% 與通氣孔2 la之連接部份亦被氣密密封,因此,從外圍器4〇 内部予以排氣就能予減壓為高真空度(約1.33 X 1 〇-4MPa(約 數Torr))之故= 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4蜆格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------族 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 A7 B7 14· 五、發明說明( 如是,由於從外圍器40之内部空間予以排氣,即.兩 面板丨()、20就成為從外側以均—予以加壓之狀態。依吸引 排氣矛'硃53所作之吸弓丨排氣,乃因外圍器4〇内之壓力與加 熱爐内之壓力之差,而使封著構材被壓縮·乃使2片之前 面面板背面面板相接近τ而以前面面板與區隔壁大約為相 接觸?尤可《,因此,僅予作吸引排氣(例如’約 就充分> 田兩面板1 0 ' 20從外側以均一予以加壓之時’即’如 在第J圖所不,背面面板20上之區隔壁頂部與前面面板1 0 阳^成為整體性緊密密著之狀態;而1,於此狀態予以降 夺即封著構材乃成為軟化以下之溫度且由於硬化 而予進行外圍器40之封荽 , ^ <封考—由此,於封著之後的外圍器40 σ「與則®面板10成為保持整體性為緊密 岔著之狀態, 而在前述封著工μ ^ . 上,亚非一口氣予以昇溫為比封著 瑪忖之軟化溫度為莴婪 ― ,, 勹呵右干之封者溫度,而以比封著溫度為 览之溫度予以加飫一定 ^ 疋4、例如,約為3501、30分鐘, 3將璆合劏作斷線,a "P &抑d螢光體之劣化上有其效果 以如是完成外1)器4〇 ^ ^ ^ Λ ^ . 〜ι f〜後,就予移#為其次之 真二# I τι程’係、聘加熱爐5丨q之溫度以 -。& 'ϋ t ( #氣煞.;:共温度丨干以如煞 ……a .. )! η.遠文問敌之扠態.τ:.使_.馬輪 -------------裝-----r---訂---------線 <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时產nlT Mr-X.消費合^.uns. s ,τ. a •if· ί*.τ 'i- -k' 3 J ·: _·、.
451258 經濟部智慧財產局員工消費合泎社印製 A7 五、發明說明(15 ) 至真空狀態,其後,從氣體導入系統52以所定壓力(例如 ’ 〇.〇5MPa)導入放電氣體至外圍器4〇内。填充放電氣體之 後’以所定時間(從5分鐘至丨〇分鐘)將其原狀的壓力予以 保持為宜’其乃因外圍器4〇内之區隔壁間的傳導較小,因 此’至達到平衡壓為止尚要一段時間之故。 而如上述,係將真空排氣工程予以加熱為排氣熱烘溫 度且予進行,因此,吸著在外圍器4〇之内壁面的不純物就 成為氣體狀且較易充滿於放電空間内,乃能予迅速將不純 物推出至外圍器外而言,較宜予採用’因此,一般上就如 是予以加熱至排氣熱烘溫度且予進行真空排氣,但,並非 無淪如何應如是進行,而僅予作真空排氣亦可以。 又,前述排氣熱烘溫度’係當然比封著構材之軟化點 為低之溫度(於封著構材使用金屬之場合,即,比金屬之 融點為低之溫度)。而後,於此,即將吸著在外圍器之 内壁面的吸著水份,以有效率予以脫離之大約的溫度(例 如,約為350°C )。 方;真空排氣工程,能使外圍器4〇之溫度予以冷卻至室 溫程度之後始予移行’惟,從於封著工程上的封著溫度予 以冷卻至排氣熱烘溫度之時點始予移行,即,於冷卻之後 再変予以加熱至排氣熱烘溫度止之加熱期間能予省略,因 此,於使製造工程更縮短而言,為適宜之方式。 而後,其次,予以停止從氣體導入系統52之放電氣體 導入’亚從吸引排氣系統53將外圍器内之放電氣體予以吸 引排出,而使外圍器40内再度作成真空狀態。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) ί ----l·--—訂-------綠· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 297公釐) 18 A:
五、發明說明(l6) 如是之真空排氣,故電氣體導入,真空排氣之處理, 通常以—次就充分’惟’反覆進行’就能使外圍器40内之 不純物氣體作成更為低濃度。 以如疋,導入於外圍器40内之氣體,非為放電氣體, 而只要為對於放電氣體不成為不純物之氣體者其任一項均 可以不純物之弋義雖不明確,但,指成為輝度下降等之 要因的氣體。X,該氣體’只要為乾燥氣體,就能予抑制 螢光體之特性劣化,因此,更為適宜s於此,乾燥氣體係 指其對蒸氣分壓比通常之氣體為低之氣體,例如,水蒸氣 分壓(露點)為〇.〇〇27MPa 22t以下之氣體。 一旦成為真空之後,導入於外圍器40内之壓力乃從約 為1.33 X l〇_4MPa(數Torr)至外圍器40不會破壞之壓力内就 可以,而以比大氣壓為低較為適宜= 其次,於封入工程,乃由氣體導入系統52將放電氣體 供給予外圍器40之内部空間而使其成為所定之封入壓力( 洌如,0_67MPaP而後,由於將連接管55及連接管56之根 部以噴燈或熱絲予以熔融並予封切,乃將通氣孔21a、21b 予以封止= 對於依本實铯態樣之製造方法的效果: 如素來’不予設定外圍器之内外壓力差而將外周部 以失住器等予以勒緊之場合,由於不會押壓外圍器4〇之中 央部 '因此 '就將背面面板2 0上之區隔璧頂部與前面面板 ;〇以堃禮)生或者却 '守性#離之狀態下’容易予以被封著, 二:对之卞::二ί' ,置器4n巧浓沾之1力差而溲兩面板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时4-WWT 工-:s-le?-x-..'v:.v:'k -裝----l·---訂---------線---------------- 451 25 A7 B7 五、發明說明(丨7) 10、20從外側以均一性予以押壓之狀態下,使封著構材層 4 1予以硬化而被封著’因此,區隔壁頂部與前面面板丨〇之 間隙幾乎不存在之狀態下被封著。 由於此,依據本實施態樣之製造方法,PDP驅動時之 振動不易發生’且能容易予以製作顯示水準良好之PDp。 為獲得如是之效果,即’需要至少亦於使所軟化之封 著構材層4 1予以硬化之時點’應將吸引排氣系統予以動作 而予作成產生外圍器40之内外壓力差之狀態,惟,不需要 從封著工程之開始至終了止連續使的吸引旖氣系統53予以 動作(運作)。例如,使封著搆材層41予以軟化之後,才將 » 吸收排氣系統53之動作(運作)予以開始,亦能充分獲得依 兩面板10、20之内外壓差而生的效果。 又,依上述真空排氣工程,可使外圍器4〇内之不純物 氣體濃度,迅速予以去除至低濃度。其可認為(1)。由於 填充大量之放電氣體而生之不純物氣體的稀釋效應,(2) 由於氣體填充’再排氣時之钻性流而使殘留不純物氣體予 以排出至外圍器40之效應。(3)由於排氣熱烘時所加熱而 使成為高溫之放電氣體分子對營光或保護層等之外圍器4〇 的内壁面衝突而使吸著氣體予以脫離之效應等而生依第 3之理由而言,即’於排氣工程上,對於導入於外圍器之 放電氣體(洗淨氣體)予以使用事前所加熱者為宜。 以保持在排氣熱煤溫度之狀癌’於使外圍器4 〇内作真 空排氣之後’即’被外圍器40之區隔壁所包圍之放電空間 内的殘留氣體未充分被抽出。例如,外圍器40内之區隔壁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • I— n -^1 1_ ϋ I L - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印发 20 殛濟部^慧时產-':导二占..饽>.':;'·; A7 -------B7__ 五、發明說明(18) 的高度為120 " m、節距為200 v m、排氣用之加工孔的直 徑約為2mm、連接管57之長度約為9〇mrn之場合,若以350 Γ之排氤熱烘溫度進行排氣之時,即.複式接頭53a内之 壓力雖成為約1,3 X 〜1.3 X i〇-i〇MPa,外圍器40内之 壓力亦比其高有約1位數〜2位數。當然,將熱烘時間予以 加長’即,吸著在外圍器4〇之内壁的水份、二氧化碳、氮 氣、氧氣等不純物氣體量會減少,但,製造成本會增加。 於上述之真空排氣工程,將放電氣體封入之後,再度 作真空排氣,惟,如下述就能以迅速去除不純物氣體。即 以氣體導入系統52而將放電氣體導入於外圍器4〇内之同 時,亦能以吸引排氣系統53將外圍器40内予以排氣(在第3a 圊令 '將氣體之流動方向以粗箭頭予以表示)。以如是, 即,於外圍器40内會產生放電氣體之流勤,因此,能以更 良好之效率將不純物氣體予以排出,特別是,對於位於距 排氣口(通氣孔216)較遠之外圍器4〇的中央部份,其放電 空間内之不純物氣體之排出效率更好。 而於此場合’於封入放電氣體之封入工程之前’可不 必将外圍器内先作-次之真空排氣,其原有狀態予以 封入亦可行: '、第1實铯例) 其次,以上述實施態樣為根據而進行各製造工程以 製作PDP之實泡刮作具體性說明 表^封著谇之溫度及壓乃才依圖第5圖像表 枉幻、.毡上1溫t殳1々汐伟圖,於本 I I I I-------I I -----r--—訂— - - - - ---I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451258 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(19) 實施例’乃依照該各分佈而製作PDP。而在各囷中,點線 係表示外圍器40之溫度,實線及表示連接於外圍器4〇之吸 收排氣系統的複式接頭53a内之壓力變化。
首先,在封著工程,經過2小時至3小時而使封著溫度 予以昇溫至450°C ’並將該溫度予以維持約20分鐘。同時 ’當到達450°C時,將複式接53a之壓力予以減壓為約 〇,〇5MPa ’且予停止吸引排氣系統之動作並將其予以維持 。而且’將減壓狀態予以維持之原狀,以2小時至3小時予 以降溫為室溫。於此階段,前面面板與背面面板乃完全予 以終了封著D 其次’對於第5圖,係再繼續吸引排氣而使複式接頭53a 内之壓力成為約1,3 X 1〇-11〜1,3 X l〇-loMPa之後,開始加 熱並以2小時至3小時予以加熱至排氣熱烘溫度35(rc。而 後’達到排氣熱烘溫度之時,就再度開始作吸引排氣且於 加熱昇溫時予以排氣流入於複式接頭内之氣體。於再開吸 引排氣之時’由於從連接管56之内壁或外圍器4〇之内壁的 脫逸氣體’而使複式接頭533内之壓力,如第5圖之號碼60 所不之部分而上昇,但,由於再開放吸引排氣而轉換為減 少°而使複式接頭53a内之壓力成為L3X10-1I〜υχ_ι_α-之階段’就予停止吸引排氣系統53之運作,而使氣 體導入系統52予以運作,且將放電氣體填充於外圍器4〇内 面約為0.05MPa,並予維持該壓力約1Q分鐘。 其後’予以冷卻且予再開吸引排氣而使外圍器4〇内之 氣體成為約1.3 XI之後,乃依氣體導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * I I I L--I I 訂 ! ! I _綠 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 297 公3 ) 22 經濟部智慧財4咼辑::-3費"'-:-!-.':\ Λ7 B7 五、發明說明(20) 入系統52予以填充放電氣體為於外圍器4〇内約〇.〇67Mpa 〇 於素來之真空排氣工程.欲使外圍器内之壓力減壓至 1.3X 1〇-Μ〜丨.3>. l(rl!;MPa 要化約2+時,惟,在上述實 施例之真空排氣工程,即,比素來較為迅速而以約1小時 就能予減壓至該壓力。 於此,若將吸引排氣系統之泵系統的驅動力更加增大 ,而以更強力予吸收外圍器内1,視為於短時間能予減 壓為低壓。但是’以如是十使外圍器内之螢光體成為 從螢光體層予以脫離之情況’而會引起面板之特性的劣化 ,因此,一般,乃如上述,而予介在複式接頭而將吸引力 予以減弱來吸引外圍器内.因之,素來,在真空排氣工程 上通使外圍g内減壓至所望之内壓,就需要較長 之時間。 如上述斤I作之PDP,其外周部之浮動較少且放電特 性亦比素來之僅依夾住器等之押壓的方法,可獲得較為均 之特丨生又火外周部而來之雜音準位亦可抑低為從數 dB至OdB .又故電開始電壓亦低⑽1 電電流鸟約數。b至1 ()%,而今度η扭, 而Α车乃提升為從數%至約丨0〇/。 <第2實施例:> 其次域上述實施態樣進行各製造工程所製作之其 ΐ實絶十有關的PDP .作具體性說明 _㈣.:㈣痒之"譽终於真空觀 裝-----^----訂---------線 (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) v. ..:¾ 1256 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______________ B7__________ 五、發明說明(2丨) 工程,封入工程上之溫度及壓力分佈。於本實施例,即依 照該各分佈而製作PDP 而在各圖中,點線係表示外圍器 40之溫度,實線乃表示連接在外圍器4〇之吸引排氣系統的 複式接頭内之壓力變化。 首先,在封著工程上,經過2小時至3小時,將封著溫 度予以昇溫至450°C,且將該溫度維持約2〇分鐘。同時, 達到450 °C後就將複式接頭53a之壓力予以減壓為約 0_05MPa,並予停止吸引排氣系統之運作而將其予以維持 。而後,將減壓狀態予以維持之原狀,化約為30分鐘予以 降溫至排氣熱烘溫度350°C。 於該階段’前面面板與背面面板之封著就完全終了, 惟’隨其溫度下降而予監視複式接頭53a内之壓力,即可 了解封著了缺陷’因此,對於封著不良發生能於製造階段 之早期就予對應,是故’對於降低成本上有效β 其次,予以降溫為排氣熱烘溫度之後,就予繼績吸引 排氣而使複式接頭53a内之壓力予以吸引排氣至丨.3 X ι〇-η 〜1.3xl〇-i°MPa之程度。接著,就予停止吸引排氣系統53 之動作,而使氣體導入系統52予以運作並對外圍器40内填 充放電氣體為約〇.〇5MPa,且將譆壓力予以維持從約5分 鐘至10分鐘。 其後’予以冷卻並將外圍器40内之氣體再開為吸引排 氣,而成為約1.3 X ΙΟ-"〜1.3 X i〇-i〇MPa之後,就由氣體 導入系統52而將放電氣體填充在外圍器40内,約為 0,067MPa。 I纸張〈度適甲中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 24 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁;> 、裝 l· ί I 訂---1 I ----结 經濟部智竑时產;!-»;s μ .ή f合作.::,-.. A: ______B7___ 五、發明說明(22) 於習知之真空排氣工裎,卻將外圍器内之壓力減壓至 1.3 X 1(TU〜1 X l〇-u;MPa,一般,乃要約2小時,惟,在 上述實施例之真空排氣工程上,即,以約1小時就能予減 壓至該壓力; 如上述所製作之PDP,其外周部之浮動較少且其放電 特性亦比習知之僅依夾住器等作押壓之方法,而可獲得均 一之特性。又,從外周部之雜音準位亦可抑低為從數dB 至約10dB =又、故電開始電壓亦降低至成為約從5至1〇v ,而放電之流為約從數%至10%,並使效率提升從約數% 至 10%。 與第1實施例作比較,即,依第2實施例之製造方法, 乃有從外圍器40之封著時至冷卻止之時間以及從乃排氣熱 洪的室溫至排氣熱供溫度止之加熱時間能予縮短之效果。 又,勞光體之劣化裎度亦比第1實施例者較小數% ’乃較 好若干= <第2實施態樣:> 在本實施態樣,於前述真空排氣工程上之方法與上述 實絶態樣上者“異之外.其他即與其相同。 第7圖係表示使同於本實施態樣之封著工程的封著、 排氣裝置70之模式,即相當於第3b圖. 該封著、排氧裝置.係甴欲予加熱收納使前面面板 ;()殳背面面柃2()為舌A l„ 重疊〜A圍3¾ 4 U 3.)加熱爐7丨,以及設置 Λ 故爐~ 1妗审:从 ° —.、氣體導人.吸故排氣系統'所搆成: Λ -V ^ - "- -j 〜.’··一‘ i \ ; i T , , ,f - · - ·,> ”、. • γ k ‘法言.Ά著接著搆材73a而 _____________-----^----t--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作钍印髮 4512 5 A7 B7___ 五、發明說明(23) 使通氣孔2 la與内部空間可連通,以及吸氣劑管74介著接 著構材74a而使通氣礼21 b與内部空間連接,且與上述同稱 予以作假固定。 連接管73係其與背面面板20之接觸端為予以開放之玻 璃管,而吸氣劑管74係其與背面面板20之接觸他端為予以 封止之玻璃管。而且,吸氣劑管74於背面面板20之通氣孔 21 b的出口部份,即予形成吸氣收納之吸氣收納空間74b。 氣體導入、吸收排氣系統72係由複式接頭72a、渦輪 分子泵72b、旋轉泵72c、有填充放電氣體之氣體容器72d 、連接前述連接管73與複式接頭72a之配管系統72e,以及 連接前述複式接頭72a與渦輪分子泵72b及氣體容器72d之 分岐配管系統72f所成。分岐配管系統72f,係具有從複式 接頭72a所延伸之1條配管系統72fl介著經路選擇閥72g, 有2條配管系統72f2 '配管系統72f3分別予以連接在渦輪 分子泵72b及氣體容器72d。在配管系統72f2及配管系統 72f3之中途’分別設有為調整由渦輪分子泵之吸引量之用 的開閉閥72h *以及為調整放電氣體之流量之用的開閉閥 721。而且,連接管73與配管系統72e,係依夾持器予以確 保氣密性之狀態下相互作連結。經路選擇_間.7 2g渦輪分4 泵72b作動之時,就予選擇配管系統72f2,而從氣體容器72d 將放電氣體導入至外圍器40之場合,即予選擇配管系統 72f3。 而後,依熱絲7 5而將加熱爐71内予以加熱,且予昇溫 至比封著構材之軟化溫度為高若干之封著溫度(例如為45〇 太纸張適用中3 S家標進(CXS)A4規格(210x297公釐) 26 (請先閱讀背面之浼意事項再填寫本頁) 裝-----r I--訂--------结 A7 ___________B7 五、發明說明(24) ’並以封者溫度保持所定之-tv ^ rv •r n之時間之後’由於再度降溫為軟 化點溫度以下,而將兩面板丨0,20間予以封著。惟,乃以 滑輪分子系72喊外圍器4〇内部予以排氣且作封著。封著 條件’即視破璃基板材料#封著構材之相性而作決定,惟 ,使用低融點玻璃之場合,即,約為以45〇t,而約1〇〜2〇 分鐘。 排氣以加熱爐7丨内已達到封著構材之軟化溫度之後, 始予開始為宜。欲達到封著搆材之軟化溫度止,兩面板1〇 ,20間之外周部的氣密性因較少。因此’雖從外圍器之 内部空間予以排氣。惟,亦無法使其内部成為高真空度, 但,封著構材軟化之後,乃因兩面板丨〇, 2〇間之外周部被 作氣岔达、封之同時,接著材料層41亦被軟化而使連接管72 與通氣孔2丨a之連接部份亦被氣密密封。因此,若從外圍 器40内部予以排氣,即予減壓為高真空度丨33 χ i〇 程度(數Torr程度)之故。 如是,由於從外圍器40之内部空間予以排氣,即,兩 面板1 0,20就成為由外惻以均一予以加壓之狀態2吸引排 氣巧因外圍器40内之壓力與加熱爐内之壓力差而使封著搆 忖被押縮.並可使2片之前面面板與背面面板相接近而使 前面面板與區滿壁相接觸之程度就可以_.由此,僅予作吸 引排氣(.例如.約為〇.〇8MPa)就充分。 兩面扳10 · 20從外側以均一予以加壓之時.即.如上 .背’S面板::<)上.之區.¾壁頂却與前面面板•犹成為整 禮3常±法'著之% 而後.α玆扣態予a :¾•溫:即封 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. -線_ 經濟部智慧財產笱8工消費合作社印裂 45125^ A7 _ B7 五、發明說明(25 ) 著構材乃成為軟化以下之溫度且由於硬化就可使外圍器 之封著予以進行。由於此,在予以封著之後的外圍器4〇, 區隔壁頂部與前面面板10就可成為保持於整體性緊密密著 之狀態。 其次’予以冷却至室溫程度之後’就予破開裝設在外 圍器40之吸氣劑管74的端部74c,且予投入因應外圍器4〇 之内部空間的大小之量的粒子狀之吸氣劑76,而將端部74c 作封切並將吸氣劑76予以收納在吸氣劑收納空間74b。對 於所投入之吸氣劑76,乃因加熱而使表面活性化。由此, 可使用將不純物氣體以非可逆性作化學吸著者。而且,該 場合’於後續工程之真空排氣工程的排氣熱烘溫度予以活 性化為宜。 其次,將外圍器40内再度排氣為真空之後,以比封著 構材層之閃化點為低之溫度(排氣烘溫度)開始加熱(熱烘) 加爐71内之溫度。排氣熱烘溫度為比封著構材之軟化點為 低之溫度(封著構材使用金屬之場合,乃比金屬之融點為 低之溫度)’乃是當然。而於此,係可使吸氣劑76活性化 以及將吸著在外圍器40之内壁面的吸著水份予以有效之脫 離的程度之溫度(例如為,約350。(:)。 ^ 在昇溫為排氣熱烘溫度之中,若到達吸氣劑76之活性 溫度時,於吸氣劑7 6之粒子表面會吸著水份、二氧化碳、 it氣、氧氣等之不純物氣體,且愈被取入於吸氣劑76之粒 子孔内。因為,不純物氣體被取入於吸氣劑76之結果,外 圍器40之内部空間與收納吸氟劑76之收納空間74b之間, 本紙張纥1適用由0國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 28 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ^-----=----訂 - -------線 經濟部智慧財產笱5®· Η ή费·、,r A7 _________B7___ 五、發明說明(26 ) 會產生壓力梯度(氣體濃度梯度)之故。 其次’以保持排氣熱烘溫度之狀態,將開閉闕72h作 適度開啟’而使渦輪分子泵7几及旋轉泵72c予以運作,並 更予吸引外圍器40内,其後,以配管選擇閥72g予以選擇 配官72f3 ’且使開閉間72i開啟而將放電氣體以所定壓力( 例如為,0‘05MPa)予以導入於外圍器4〇内。填充放電氣體 之後’以其原狀之壓力予以保持所定時間(從5分鐘至丨〇分 鐘)為佳其乃因外圍器4〇内之區隔壁間的傳導較小。因 此,要到達至平衡壓需要經過一段時間之故。 而後’停止導入放電氣體,並將外圍器内之放電氣體 作吸引排出,而使外圍器40内再度作成真空狀態。如是之 真空排氣、放電氣體導入,真空排氣之處理’通常以i次 就充分3惟.予以反覆進行。即,能使外圍器4〇内之不純 物氣體作成更為低濃度。 以如是導入於外圍器4〇内之氣體,非為放電氣體,而 只要對於放電氣體不會成為不純物之氣體者,其任一均可 以=又,該氣體只要為乾燥氣體。即,能予抑制螢光體之 特性劣化。因此,更佳。 一旦成鸟真空之後‘專於外圍器4〇内之氣體壓‘只 要為成丨乂, λ 10 4MPa程度(數T〇rr)至不會使外圍器4〇破壞 之璺乃内就可以,而比大氣壓為低較好。 其次:V封.V X程係將放電氣體供給予外圍器4()之 i S!: ΐ 3而使其叹為所足之封入壓力(洌如為.〇 〇6?ΜΡίη …唆锊連接’r 及吸氣劑管’4之根部.以噴燈或熱絲 -------------裂-----:----訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451258 Α7 Β7 五、發明說明(27) 予以熔融且予封切’而由此,將通氣孔2la、通氣孔21b予 以封止。 對於依本實施態樣之製造方法的政果 如習知不予設定外圍器40之内外壓力差而以夾子等將 外周部予以勒緊之場合,由於不會押壓外圍器4〇之中央部 。因此,背面面板20上之區隔壁頂部與前面面板1〇,容易 以整體性或部份性為分離之狀態予以被封著,相對之如上 述’外圍器40乃依内外之壓力差而使兩面板〖〇,2〇,從外 側以均一性予以押壓之狀態下’使封著構材層4丨予以硬化 且予封著。因此,區隔壁頂部與前面面板10之間隙幾乎為 不存在之狀態下予以封著。 由於此,依據本實施態樣之製造方法。即,不易發生 PDP驅動時之振動且能容易製作顯示品位良好之pDp。 為獲得如是之效果,至少亦於所軟化之封著構材唐41 欲予硬化之時點’使吸引排氣系統予以動作而有必要予以 產生有外圍器40之内外壓力差的狀態。惟,不必要從封著 工程之開始至終了以連續予以吸引。例如,使封著構材層 4 1予以軟化之後’而將吸引之動作予以開始亦能充分獲得 依面面板10,20之内外屡差的效果。 _ 又’由上述真空排氣工程’可將外圍器40内之不純物 氣體濃度’迅速(以短時間)予以去除至低濃度。其乃認為 在於,(1)由於填充大量之放電氣體而具有之不純物氣體 之稀釋效果。(2)由於氣體填充,再排氣時之黏性流而使 殘留不純物氣體予以排出至.外圍器40之效果。(3)於排氣 夂紙張又支適用由國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----^----訂·--------綠 經濟部智慧財1局員工消费合作iLtpt 30
Λ7 - ---—_ B7_______ 五、發明說明(28) 熱供時予以被加熱乃使成為高溫之放電氣體分子由於衝突 登光體或保護層等之外圍器40的内壁面,而將吸著氣體予 以脫離之效果等:以第3理由而言,對於排氣工程上導入 於外圍器内之放電氣體(洗淨氣體)乃予使用事前予以加熱 者為宜。 並且’在本實施態樣,於予以昇溫至排氣熱烘溫度之 階段’由於含有依吸氣劑而將外圍器40内之不純物氣體予 以去除(工程 因此’比僅以真空排氣玫電氣體填充-真 空排氣之工程的第1實施態樣之製造方法,以更迅速且更 低澴度能將不純物氣體從外圍器40内予以去除。 <第3實施例> 其次,以上述第2實施態樣為根基進行各製造工程而 予製造作實施例有關之PDP的實施例作具體性說明。 於本實施例,乃依照在第4圖及第5圖所示之各分佈而 予製作PDP 3吸氣劑76係予進行封著且於一旦予以降溫至 室溫之階段而予收納在吸氣劑管7 4。對於吸氣劑即予使用 活性化溫度為2 8 〇 C之釩、鈦、鐵系列合金粒子。 在習知之真空排氣工程’欲使外圍器内之壓力予以減 壓至1,3 > UV”〜I 3 y j〇_ulMPa '要經過2小時。惟,在上 述實施例之真空排虱工程上’乃以約1小時就能予減壓至 該壓力。 以如上述奸絮作之PDP 其外周部之浮動較少.且放 f垆性亦比苕知.之谨以灸子等作押壓之方法.可獲焊均―
ΐ ί立亦可泜為從數犯至.! OdR -------------裝·----:----訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社:5.¾ 32 451 2 58 Α7 _____ Β7 五、發明說明(29) 。又’放電開始電壓亦從約5至10V程度之低,而放電電 流為從數%至10%之程度,且使效率予以提升從約數。/〇至 10%之程度。 與第1實施例作比較,即,依第3實施例之製造方法, 老化(時效)工程(老化工程係於放電氣體封入工程之後, 欲使面板特性予以穩定化之工程)後之特性的劣化較少若 干,且效率亦較好數%。 <第3實施態樣> 在本實施態樣,乃於封著工程之方法與在上述第1實 施態樣者相異,而其他即與其同樣。 首先’將加熱爐51内予以加熱,而予昇溫至比封著構 材之軟化溫度為稍高若干之封著溫度(例如為,450〇c ), 且於封著溫度保持所定時間之後,再度予以降溫為軟化點 溫度以下’由此而將兩面板丨〇,2〇間作封著,但,欲予昇 溫為封著溫度之時’就使氣體導入系統予以動作而將乾燥 氣體予以導入於外圍器40内並予昇溫。而於此,乃使用將 填充在前述氣體容器52a之放電氣體予以乾燥者作為乾燥 氣體。其他,亦能使用乾燥空氣、乾燥氮氣體、乾燥氬氣 體 '乾燥氖氣體(總稱為乾燥稀有氣體)等。雨被加熱至封 著溫度之後,由於封著構材之軟化乃使外圍器4〇之外周部 成為氣密,因此,外圍器40内之内壓就上昇。將其作監控 且予停止放電氣體之導入, 而乾燥氣體之流量乃予限制為在使封著構材予以軟化 且予氣选封止之時點’雖使乾燥氣體予以流通在外圍器4〇 表。X· φ _ (CXS)A4 規格(21Q χ ⑷ ------------ill·----^---------0 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合."11^^- A7 _____B7______ 五、發明說明(3G) 内而使其有急激之壓力上昇發生-亦不會使構成外圍器40 之玻璃基板引起破損之程度,為當然之事= 如是 '於要到達封著溫度鸟止之期間,由於將乾燥氣 體予以流通在外圍器4ϋ内.乃使封著構材予以軟化而使外 圍器40之外周部成為氣密之階段,在外圍器40内就予填充 乾燥氣體。而後’以乾燥氣體予以填充之狀態而將封著溫 度予以保持所定時間,該封著條件,雖以玻璃端基板材料 與封著搆材之相性予以決定,但,於使用低融點玻璃之場 合’即’以約4 5 0 C為10〜2 0分鐘之程度: π是.由於將乾焯氣體填充在内部空間之狀態作封著 ,因此,°丁 r方止螢光體之熱劣化3並且,於填充乾燥氣體 之狀怨.將封著溫度予以保持所定時間之同時,以渦輪分 卞泵)6b從外圍器40内部予以排氣且予進行封著:而使渦 輪分子泵:53b予以運作之時,將旋轉泵53c同時予以動作, 以降低淨輪分子策5 3 b内之背壓: 排氣乃以使加熱爐5 1内達到封著構材之軟化溫度之後 始予開始為宜。要到達封著構材之軟化溫度為止’兩面板 丨0 ’ 2() d之外周部的氣密生較差,因此雖從外圍器之 + S r山主M -r以徘是‘亦無法使其円部成為高真空芰.唯, 又封著構η T以軟七之浚,兩面板丨〇,:()間之外罔部被氣 次:允封巧吋.接著構材層56a亦被軟化而使連接管兄與 丨卜之連接安4 t破氣密密対 '因此.從外圍器4() m排I詰·υ'子α減璺為高真空度約丨+ P / I-------I----裝-----r---訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 258 A7 _ B7 五、發明說明(Μ) 如是’由於從外圍器40之内部空間作排氣,乃使兩面 板1 〇 * 20成為從外側以均一予以加壓之狀態。吸引排氣, 乃依外圍器40内之壓力與加熱爐内之壓力之差而使封著構 材被押縮’而使2片之前面面板及背面面板相接近,且只 要前面面板與區隔壁為相接觸之程度,即,僅以吸引排氣 (例如’約O.OSMPa)就充分。 若兩面板10,20從外側以均一予以加壓時,即如在第 3圖所示’背面面板2〇上之區隔壁頂部與前面面板,就 成為整體性予以緊密密著之狀態。而後,以該狀態予偶降 溫時’即,使封著構材成為軟化以下之溫度且由於硬化, 乃作成外圍器4 0之封著。由於此,在經予封著之後的外圍 器40 ’就使區隔壁頂部與前面面板〖〇成為保持整體性緊密 密著之狀態。 而在前述封著工程上,並非以一 口氣昇溫為比封著構 材之軟化溫度為稍高若干之封著溫度,乃以比封著溫度為 低之溫度予以加熱一定時間,例如,約以3 5 〇 作約3 〇分 鐘之加熱,而將躍·合劑予以斷線,即,於抑制螢光體之劣 化上有其效果。 其之後,就經過與第1實.施..態樣為同樣之真空排氣.壬 程、封著工程、封入工程而予完成PDP。 <第4實施例> 其次,對於以上述實施態樣為根據,而進行各製造工 程所製作之實施例有關的PDP之實施例作具體性說明。在 本κ知·例係依在第4圖及苐.5圖所示之分佈而予制作p.Dp 本纸張尺度適用中國园家標準(CNSXA4規格(210*297公爱) (請先閲讀背面之沒恚事項再填寫本頁》 裝-----Γ I--訂---------结 34 A: B7 經濟部智-«吋產苟arH::'s.f*' 五、發明說明(32 首先’在執著警,經過2小時至3小時之時間予以 昇溫至封著溫度45GX:.,且將該溫度予以維持約2〇分鐘。 同時’於達到為封著溫度止之間,使氣體導人系統予以運 作而將乾燥氣體予以流通於外圍器4〇内。 其次,於達到#著溫度450t之時’將氣體導入系統 之運作h停i,而使複式接頭之墨力^減壓為約 〇侧Pa且將其予以維持。然後,以維持為減壓狀態之原 狀下,經過2小時至3小時之時間予以降溫為室溫。 於該階段,前面面板與背面面板乃予完全使封著完成 ’位,隨著溫度降低而同時予以監視複式接頭内之壓力, 即,可知封著之缺陷,乃於製造階段之較早階段就能對應 於封著不良之發生’因此’對於成本降低上有功用。複式 接頭内壓力·於封著為正常進行之時,會徐徐減少’若不 然,即於加熱爐内,氣體會有所洩漏’因此,會以較快速 度予以減少3 其次,對於第5圖,再繼續作吸引排氣而使複式接頭53& 内之f力成為約1.3 v ίο-!;、】3 x lo-^Mpa之後,就予開 始加熱且經過時至3小時之時間予以加熱至排氣熱烘溫 .变w 〇 c -而浚.於達到排氣熱烘溫度之時 '再度開始作 浅引排氣 '在加熱昇溫時將流八於複式接頭(多支管)内之 k體予以排孔将吸y排氣再開之時,由於從達接管内壁 入Y li為4 0内哇之.脫離氣體,而使複式接頭5 3 a門之壓力 T笔 < 圖二之,枝,厂.¾示作七算由於使吸幻排氣作 Ϊ1 n n n n n n 1 t n 一<*J1 n I* If I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 45125 經濟部智慧財產局員工消費合泎让印製 A7 B7 五、發明說明(33) 再開而乎*轉變為減少。 而後,於複式接頭53a内之壓力成為約1.3XI0-"〜1.3 X l〇-|()MPa之階段,予以停止吸引排氣系統53之動作,且 使氣體導入系統52予以運作而對外圍器40内填充放電氣體 為0_05MPa之程度,並將該壓力予以維持約5分鐘至1〇分 鐘。 其後’予以作冷刼而將外圍器40内之氣體再開啟為吸 引排氣’而成為約1.3 X ΙΟ·11 X l〇-10MPa之後,就由氣想導 入系統52而將電氣體予以填充於外圍器4〇,約為〇 〇67Mpa 〇 於習知之真空排氣工程,欲使外圍器内之壓力予以減 壓至1.3 X 10·11〜1.3 X l〇-10MPa,乃要經過約2小時,惟, 於上述實施例之真空排氣工程,乃以約1小時就能予減壓 至該壓力。 如上述所製作之PDP,其外周部之浮動較少,且放電 特性亦比習知之僅以夾子等作押壓之方法,可獲得均_之 特性。又,從外周部之雜音準位亦可抑低為從數dB至1〇 之程度。又,放電開始電壓亦約為從5至10 V之低,而玫 電電流為從數%至10%程度且使效專提升從約數%至 〇 如上述’將乾燥氣體予以流通之後所封著之PDP,與 如習知不使乾燥氣體予以流通而於大氣存在下所封著之 PDP的螢光體之發光強度(輝度/色度座標之^^值),以使面 板破壞而予照射Xe激發燈光(波長為I73nm)作比較評價, 夂紙張尺芰漣用中國國家慄準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) 36 -----------------..----訂----—----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經-邪智"时產"!^1-# 二 五、發明說明(34 結果,特別是藍色螢光體之發光強度予以改善約10。/。。乾 燥氣體只要為非反應性者,一樣可獲得改善效果,惟,特 別是乾燥空氣較為良好。 <第5實施例> 其次’針對以上述實施態樣為根基而進行各製造工程 予以製作對其他實施例有關之PDP的實施例,作具體性說 明"於本實施例’乃依照在第6圖所示之分佈予以製作PDp c 首先,於封著工程上,乃經過2小時至3小時之時間予 以昇溫至封著溫度45〇t .且以該溫度予以維持約2〇分鐘 -同時,於要達到封著溫度之間,使氣體導入系統予以動 作而將乾燥氣體予以流通於外圍器4〇内。 其-欠,達到封著溫度4501之後,乃將氣體導入系統 之運作予以停止,而使複式接頭(多支營)之壓力予以減壓 為約〇_G5MPa且予維持=而% ’將維持減壓狀態之原狀下 ,經過2小時至3小時之時間而予降溫至排氣熱洪溫度⑽ ,於該階段.前面前板與背面面板乃完全終了封著,惟 ‘隨著溫受之降低而同時予以監視複式接頭内之壓力,即 ΤΉ著〜缺lt3巧遗於製造階段之較早階段就可對應 於封著不良之發生,因此,料於士'士政> 一 — 對&成本降低有功用。複式接 頭Λ]聖力,若使封著以,.!:紫早佳. —苽予以進仃,即.逐次徐徐減少 ’ 13^煞^氣體Μ漏.因此.會以 較_巧之速受.予以:咸 ------------- ----^----訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451258 A7 B7 五、發明說明(35) 其次,予以降溫為排氣熱烘溫度之後,使吸引排氣予 以繼續而將複式接頭内之壓力作吸引排氣至1.3 X ΙΟ·11〜 1.3XlO’MPa之程度。接著,將吸引排氣系統53之運作予 以停止,而將氣體導入系統52予以動作且將放電氣體予以 填充於外圍器40内為〇.〇5MPa之程度,並將該壓力予以維 持5分鐘至1 0分鐘之程度。 其後’予以冷卻並亦將外圍器40内之氣體予以作吸引 排氣之再開,而成為1.3X10·11〜1.3xl(T1QMPa程度之後 ,依氣體導入系統而將放電$體予以填充在外圍器4〇内為 0.067MPa之程度》 於習知之真空排氣工程,欲使外圍器内之壓力予以減 壓至l_3Xl〇-|s〜1.3x 10'ioMPa,乃要約2小時,但,在上 述實施例之真空排氣工程上’即以約1小時就能予減壓至 該壓力。 以如上述所製作之PDP,其外周部之浮動較少,而放 電特性亦比素來之僅以夾子等作押壓之方法,可獲得均一 之特性《又,從外周部之雜音準位亦可抑低為約數<16至1〇 dB。又,放電開始電壓亦為約5至1〇¥之低,而放電電流 為自數%至10%之程度,而可使效率提升約數%至一 將其與第4實施例相比較,即,以第5實施例之製造方 法’有從外圍器40之封著時至冷卻止之時間,及從為排氣 熱烘之室溫至排氣熱烘溫度之加熱時間能予縮短之效果。 又,營光體之劣化程度亦比第4實施例可少為數%之程度 ,因此,較為良好若干。 ---I ί ------Γ ----Γ ---訂.------- 鍵 (請先3背面之注意事項再填寫本頁)
38 A; ----------B7 —____ 五、發明說明(36) <第4實施態樣> 於本實樣在封著工程上之方法與在第2實施態 樣者相異之外,其他即與其同樣。 首先’將加熱爐7丨内予以加熱,且予昇溫至比封著構 材之軟化溫度為高若干之封著溫度(例如,45〇t:),並於 封著溫度保持所定時間之後,再度由於降溫為軟化點溫度 以下,乃將兩面板10、20間作封著,,准,予以昇溫為封著 溫度之時,即將氣體導八系統予以動作而使乾燥氣體導入 於外圍器40内並予昇溫。而於此,乃將填充在前述氣體容 訌72d之放電氣體予以乾燥者,使用為乾燥氣體。其他, 亦能使用乾燥空氣,乾燥氤氣體、乾燥氩氣體、乾燥氖氣 體 < 總稱為乾燥稀有氣體)等。而由於被加熱至封著溫度而 使封著搆材予以軟化,乃使外圍器4〇之外周部成為氣密, 因此,外圍器40内之内壓就會上昇。對其作監控而予停止 放電氣體之導入: 而乾燥氣體之流量當然予以限制為在封著構材軟化而 予被氣密封止之時點.於外圍器4〇内雖有乾燥氣體流通而 引起急激之1力上昇亦不會使構成外圍器4〇之玻璃基板 破損之程度— 如是.於要達到封著溫度之期間,由於將乾燥氣體予 以淹通在外圍器40内.乃可使封著構材軟化而使外圍器40 之外周部成岛氣密之階段,就使乾燥氣體予以填充在外圍 器4() ^ 而且.於予以填充乾澡氣體之狀態下,將封著溫 这$持㈤+;i;時間 該封著.绦泞 雖以玻,璃基板衬料與 I I I I n I · I I ] I — li^OJtltlF — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧时產局員工消費合作包:£ ^ 4 51 2 5 8 A7 ___B7 五、發明說明(37) 封著構材之相性而作決定’惟,使用低融點玻璃之場合, 即於約45〇t:為10分鐘〜20分鐘之程度。 如是’由於將乾燥氣體填充在内部空間之狀態下作封 著’因此,可防止螢光體之熱劣化,並且,於有填充乾燥 氣體之狀態下,將封著溫度予以保持所定時間之同時,以 渦輪分子泵72b從外圍器40内部予以排氣而進行封著。而 將渦輪分子泵72b予以運作之時’亦同時將旋轉泵72c予以 運作’以降低渦輪分子泵72b内之背壓。 排氣乃於加熱爐7 1内達到封著構材之軟化溫度之後始 予開始為宜。於達到封著構材之軟化溫度之前,兩面板1〇 、20間之外周部的氣密性差,因此,雖從外圍器4〇之内部 空間作排氣,亦不能使其内部成為高真空度,但,封著構 材軟化之後,兩面板10、20間之外周部就被氣密密封,同 時’接著槽材層73a亦被軟化而連接管73與通氣孔21a之連 接部亦被氣密密封,因此,從外圍器40内部作排氣就可減 壓為高真空度1.33 X 10_4MPa(數Torr)之程度)之故》 如是,由於從外圍器40之内部空間作排氣乃使兩面板 、20就成為從外側以均一予以加壓之狀態β吸引排氣只 要依外圍器40内之壓力與加熱爐内.之壓力之差而使封著構 材被押縮,並使2片之前面面板與背面面板相接近且前面 面板與區隔壁相接觸之程度就可,因此,僅予作吸引排氣 (例如,0.08MPa之程度)就充分。 兩面板10、20從外側以均一予以加壓之時,即如第3 圖^示,背面面板20上之區隔壁頂部與前面面板10乃成為 表承適用國家標聿(CXS)A4規格(210x297公釐) -40 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i 裝-----„----訂-----1!線 經^部智慧財43!?員工.3'"":":^ Λ7 . B7 -------—-----__ 五、發明說明(38) 4 整體性為緊密密著之狀態。而以該狀態予以降溫,即,由 於使封著構材成為軟化以下之溫度且予硬化,而予促成外 圍器40之封著。由於此,在被封著之後的外圍器4〇,就予 保持使區隔壁頂部與前面面板1 0成為以整體性緊密密著之 狀態σ 而在前述封著工程,並非以一口氣予以昇溫為比封著 構材之軟化溫度為高若干之封著溫度,乃以比封著溫度為 低之溫度予以加熱一定時間’例如,於約35〇。(;為30分鐘 之程度,而將膠合劑構材予以斷線,即,於抑制螢光體之 劣化上有其效果= 其後續,就經過與第1實施態樣為同樣之真空排氣工 程、封著工程、封入工程而予完成PDP = 、第6實施例> 其次,針對以上述實施態樣為根基而進行各製造工程 予以製作實施例有關之PDP的實施例作具體性說明。 在本實施例,就依照與第4實施例為同樣之溫度,壓 力分佈而予作成PDP。吸氣劑76乃於進行封著且暫時予以 降溫至室溫之階段而予收納在吸氣劑管74。而吸氣劑乃使 用活性化溫度為28U C之釩、鈦、鐵系列合金粒子, ^ 於習知之真空排氣工程·欲將外圍器内之壓力減壓至 !.3 X iCrn〜1.3 X 1ϋ…WPa .卽要花費約2小時,惟’在上 也η 5E Λ ;異全排瓦· ι_程..即.約以1小時就能予減磨是 該1力: ...L ·ΐ. ^ % ^ PDP 疼外蜀郭之浮動較少且:致電柱
SX --± -------------裝-----r---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451258 經濟部智慧吋產笱異'工消費合汴社印裂 A7 B7 五、發明說明(39) λ亦比習知之僅以夾子等作押壓之方法,可獲得均一之特 性。又’從外周部之雜音準位亦予抑低為從數dB至約丨〇dB 。又’放電開始電壓亦成為從約5至ιον之低,而放電電 流為從軚%至1〇%之程度’乃使效率提升從數%至約1〇0/〇 又’將如上述予以流通乾燥氣體之後始作封著之PDP ’與如素來不予流通乾燥氣體而於大氣存在下作封著之 PDP的螢光體之發光強度(輝度/色度座標之丫值),而將面 板破壞且予照射Xe激發燈光(波長為173nm)而作比較評價 ’即’特別對藍色螢光體之發光強度予以改善約10%。雖 予確認乾燥氣體為非反應性者同樣有改善效果,惟,乾燥 空氣特別良好。 而於上述各實施態樣’係以同一裝置進行封著工程及 排氧工程,但,不限於此,亦能以各別之裝置進行封著工 程與排氣工程。於封著工程’並非加熱外圍器整體,而對 封著部份以選擇性予以照射雷線光等之熱源,乃能將該部 份以選擇性作加熱而予封著。此場合,由於螢光體不直接 被加熱,因此,不將乾燥氣體導入於放電空間内,即,隨 著封著工程之螢光體之熱劣化泰不太會發生。 如上述說明’本發明之要點在於具備,將發光單元之 間予以隔開之區隔壁在形成於主表面之第丨基板的該區隔 壁側表面上’由於使第2基板作對向配置而予形成外圍器 之外圍器形成步驟’將於該外圍器之兩基板的外周部之間 ,以封著搆材予以封著之封著步驟,將該外圍器之内部的 支纸嘎命國园家標準(C\S)A4規格(210 X 297公楚) 42 I -----------all·----訂 if------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產勢邊·1··.:^,^ A7 ---—_ - B7_ _ 五、發明說明(40) 氣體予以排氣之排氣步驟,以及將放電體予以封入在該外 圍窃之内部的封入步驟之氣體放電面板之製造方法,而前 述排氣步驟尚含有·將外圍器内予以真空排氣之副步驟, 其後-將對於放電氣體不會成為不純物之氣體作為實質性 成份之洗淨氣體,予以填充在外圍器之内部的副步驟,以 及其後,將外圍器之内部作真空排氣之副步雜,作為特徵 又,將發光單元之間予以隔開之區隔璧在予形成於主 表面之第!基板的該區隔壁側表面上,由於使第2基板作對 向配置而予形成外圍器之外圍器形成步驟、將在該外圍器 之兩基板的外周部之間以封著構材作封著之封著步驟、將 該外圍器之内部的氣體予以排氣之排氣步驟、以及將放電 氣體予以封入在該外圍寨之内部的封入步驟之氣體放電面 板之製造方法,而前述排氣步驟尚含有,料圍器内予以 真空排氣之副步驟,其後,將對於放電氣體不會成為不純 物之氣體作為實質性之成份的洗淨氣體、予以流通在外圍 益之内4並4外圍杰之内部予以排氣之副步驟,作為特徵 ' 等之2造方法.即,並非如素來僅予使外圍 U部予㈣氣、而如上述予以填充洗淨氣體之後.或: 予以流通亚將其作排氣,因此,其比習知< 製造方法可 迅連将外圍義以不純物氣體遭度於短時間予以去除至低 農"有Ή果1氣體放電面板愈為高精細者更有 :7 冉$高_袖..者..攻f減泜不砘物氣體濃度…〜般 請先閱讀背面之it意事項再填寫本頁.. 裝
-^1 1· H 訂---------線------------------ 4512 5 8
五、發明說明(41) 而m費時間之故。而於填充洗淨氣體始予排氣之場 合,以填充後經過短暫時間之後始予排氣,乃此填充完了 後就立刻作排氣,為佳。 於此’前述封著步驟’係在第1基板及第2基板之間予 以介著封著構材,而將外圍器整體以封著構材之軟化點或 者融點以上之溫度予以加熱之同時,使外圍器之内部壓力 比外部壓力為低’而後由於作冷卻就能作封著者。而封著 構材方面亦能使用鋁合金。 由於此,外圍器乃依内外之差力差而使兩基板從外側 以均一性被押壓之狀態下,使封著構材硬化且予封著,因 此’使區隔壁頂部及與其相對向之基板之間隙斷幾乎為不 存在之狀態予以被封著。 於此,前述封著步驟與排氣步驟之間,於與外圍器之 内部相連通之容器内能予具備欲予收納吸氣劑之步驟。由 此,就可更加迅速將不純物氣體從外圍器内予以去除。 於此,前述排氣步驟,亦能將外圍器整體以封著構材 之軟化點或者融點以下之溫度予以加熱並予進行者。而如 上述,於使用吸氣劑之場合,即,使其活性化溫度在於該 排氣步驟上之加熱溫度之範圍内者為宜。由此,就可更迅 速將不純物從外圍器内予以去除至外部。 於此’在前述封著步驟上之冷卻,能以軟化點或者融 點以下之溫度的加熱冷卻予以進行。由於此,因為,未予 經過暫時予以冷卻至室溫附近之後,再予加熱至排氣熱燃 溫芰之工程’因此.可較決予以移行至其次之排氣步驟。 本紙張尺度適用中國®家標準·(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --l· ---訂--------線 經濟部智慧財產局WT工消費合作社印製 44 Λ; Β7 :罐濟鄯智慧时產^員二^费'""、!--:'、... 五、發明說明(42) 於此,前述封著步驟能予含有,在第I基板及第2基板 之間予以介在封著構材而將乾燥氣體予以流通於外圍器之 内部,並將外圍器整體予以加熱至封著構材之軟化點或者 融點以上之溫度的副步騾,以及以封著構材之軟化點或者 融點以上之溫度予以加熱之同時,亦使外圍器之内部壓力 比外部壓力為低,並於其後予以冷卻而予封著之副步驟。 由於此,封著步驟乃將乾燥氣體予以填充在外圍器之内部 的狀態下進行,因此,能予抑制螢光體之熱劣化。 於此,前述封著步驟乃能在第丨基板及第2基板之間, 予以介在封著構材而以封著構材之軟化點或者融點以上之 溫度,予以加熱外圍器之封著部之同時,使外圍器之内部 壓力比外部壓力為低,並於其後予以冷卻而作封著者。 而於此,對於前述洗淨氣體以使用放電氣體為最佳。 其乃因對於在排氣步驟之後要進行之封入步驟,所封入之 放電氣體而§’洗淨氣體會成為不純物氣體之可能性完全 不存在之故。 於此,對於前述玫電氣體能予使用稀有氣體。而前述 稀角氣體,能在氦、氖、氬、及氙之中至少亦可含有其中 之任一項者· 於此、丽連發光單元(元件)能以由並設在第丨基板之 電極群’與亚沒在第2基板之電極群距一定之距離而互 句作離間交差予予形成者· 私發明於產業丄之·Η用可能性 *發m體故電面吸之f 法能予利用在製造 -------------裝-----:----訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 2 5 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 A7 B7 五、發明說明(43) 使用為電視機、電腦之監控器等的顯像顯示用之PDP等的 製造。 圖面之簡單說明 第1圖係表示在本發明有關之實施態樣所共用之^(:型 電漿面板(PDP)的構成之透視圖。 第2圖係表示在前述pop予以封裝電路區段之顯示裝 置的構成圖。 第3圖係以模式予以表示於本實施態樣之封著工程所 使用之封著、排氣裝置5〇,(a)為上面切斷圖,而(b)為含 有⑷圖上之A-A’線的垂直戴面圖。 第4圖係表示封著時之溫度及壓力分佈(實施例)。 第5圖係表示於真空排氣工程、封入工程上之溫度及 壓力分佈(實施例)。 第6圖係表示於封著時及真空排氣、封入工程之溫度 及壓力分佈(實施例)。 第7圖係以模式表示對本發明有關之其他實施態樣的 封著工程所使用之封著、排氣裝置70。 第8圊係表示在習知例之實施態樣所共用之PDP的構 成之透視圖。 本紙張1¾適用中0國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 46 ------------j -裝----—I — 訂-------1_綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明(44 A7 B7 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合:"-红"丨' 1 0…前面面板 1 1.1丨()…前面玻璃基板 I2J 1 j…放電電極 12a···掃描電極
Hb···維持電極 13.23…介電體層 U.1 !3…介電體保護層(MgO) 20,··背面面板 2 1.120…背面玻璃基板 2 1 a.2 1 h…通氣孔 22. 121…位址電極 24.丨23,..區隔壁 2 5.Π4.·.螢光體層(R.G.B) 26…配管構伴 2 6 a. 5 5 a. 5 6 a. ^ 3 a. 7 4 a · ·接 著構材層 4U…外圍 封著搆材層 卜封署排氣裒置 5丨·;7 1…加熱爐 5 2…氣體導入系統 52a.72d···氣體容器 5 2b· 5 3d. 5 3e. 7 2e…配管系統 72:^.726.72:^…配管系統 52c.53f.72h.72i…開閉閥 53.72…吸收排氣系統 54,72a…熱絲 5 5.56.73…連接管 53a.72a…複式接頭(多支管. 53b.72b···滑輪分子泵 53c.72c…旋轉泵 7 2 ί…分山支配管系統 72g·..經路(配管)選擇閥 7 4…吸氣劑管 74b…吸氣劑收納空間 ” 4 c…吸氣劑管之端都 7 6…吸氣劑管 ! 1 > γ介電體玻瑀管 〇 _ _可見先反射罾 丨30…玟電氣體 I— n n I If —1 tf rt i 一OJI .^1 ! n n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1-.. _ --y. ^ .〜· .·« ㈣
Claims (1)
- ☆-^^"--时產-^3'工^费入-.·.-.- 451 258 HS Cb [)H 六、申請專利範圍 ι· 一種氣體放電面板之製造方法,其步驟特徵在於具備 外圍器形成步驟,係將發光單元(元件)之間予以 隔開的區隔壁,乃在形成於主表面之第1基板的該區隔 壁側表面上,由於使第2基板作對向配置而形成外圍器 » 封著步驟’係將在該外圍器上之兩基板的外周部 之間以封著構材封著; 排氣步驟’係將該外圍器之内部的氣體予以排氣 :及 - 封入步驟,係將放電氣體封入在該外圍器之内部 r 前述排氣步驟含有: 真空排氣之副步驟,係將外圍器内予以真空排氣 填充洗淨氣體之副步驟,係於其後,將對於放電 氣趙不會成為不純物之氣體作為實質性之成份的洗淨 氣體,填充在該外圍器之内部;及 真空排氣之副步驟,係於其後,將外圍器之内部 予以真空排氣。 2. —種氣體放電面板之製造方法,其步驟特徵在於具備 外圍器形成步驟,係將發光單元之間予以隔開之 區隔壁’乃在形成於主表面之第1基板的該區隔壁侧表 …,一一… ,48 - ------------. 裝--------訂---------線- r (請先閱讀背面之注音〕事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 面上,由於使第2基板作對向配置而形成外圍器; 封著步驟 '係將在該外圍器上之兩基板的外周部 之間以封著構材封著: 排氣步驟,係將該外圍器之内部的氣體予以排氣 :及 封八步驟·係將放電氣體封入在該外圍器之内部 前述排氣步驟 '含有: 真空排氣之副步驟.係將該外圍器内予以真空排 氣:及 排氣之副步驟 '係於其後' 將對於放電氣體不會 成為不純物之氣體作為實質性之成份的洗淨氣體 '流 通於該外圍器之内部 '並將該外圍器之内部予以排氣 3. 即申請專利範圍第t項之氣體放電面板之製造方法.其 中: 前逑封著步驟 '係在第1基板及第2基板之間’隔 著封著構Η,且以封著構材之軟化點,或者’融點以 上之溫度於熱外圍器整體之同時使外圍器之内部壓 力比卟恭.1力鸟泜並在其後予以冷卻而封著: 4. ^由請專利範圍第2項之氣體放電靣板之製造方法其 t f著吒驟‘兔在第丨基板殳.第:〕基板之某 谒 451258 Λ— C:S I)h ^-^^^^άρ^ρ'Η^'ϋ/ΐ··-:·-、 六、曱請專利範圍 溫度’加熱外圍器整體之同時,使外圍器之内部壓力 比外部壓力為低,並於其後予以冷卻而封著。 5.如申請專利範圍第1項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 在前述封著步驟與排氣步驟之間,具備收納吸氣 劑於與外圍器之内部相連通之容器内的步驟。 6,如申請專利範圍第2項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 在前述封著步驟與排氣步驟之間,具備收納吸氣 劑於與外圍器之内部相連通之容器内的步驟。 7‘如申請專利範圍第3項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 在前述封著步驟與排氣步驟之間,具備收納吸氣 劑於與外圍器之内部相連通之容器内的步驟。 8 _如申請專利範圍第4項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 在前述封著步驟與排氣步騾之間,具備收納吸氣 劑於與外圍器之内部相連通之容器内的步驟。 、9.如申請專利範圍第1項之氣體故電面―板之製造方法,其一一 中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或著融點 以下之溫度’加熱外圍器整體並進行排氣。 1 〇·如申請專利範圍第2之氣體放電面板之製造方法,其中 __ ^ 3 Λ 3 ¢.>3; vC.\S'J:\i ^.<3- Jlu x 297 :' --I----I----.^i —-----訂------線-、. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -50 - A、申請專利範圍 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或著融點 以下之溫度 > 加熱外圍器整體並進行排氣。 η·如申請專利範圍第3項之氣體放電面板之製造方法其 中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 下之溫度’加熱外圍器墊體並進行排氣。 12‘如申請專利範圍第4項之氣體放電面板之製造方法’其 中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卞之溫度,加熱外圍器整體並進行排氣。 13.如申請專利範圍苐5項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 則述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 下之溫度,加熱外圍器整體並進行排氣。 14如申請專利範圍第6項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 4述排氣步驟’係以封著構材之軟化點或融點以 千之溫度,加熱外圍器整體並進行排氣: s 5如申清專利範圍第7項之氣體放電面板之製造方法.其 中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卜之溫度‘ 01?煞外圍器整體並進行排氣: p e f靖專4範S第S項之氣體放電面板之製造方法.其 -------------裝·-------訂*--------線 (讀先閱-背面^主意事項再填芎本頁) CS I)S .^^-¾¾^4¾¾ Tj'er -'一'-^.··,:々 六、申請專利範圍 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卞I溫度,加熱外圍器整體並進行排氣。 17. 如中請專利範圍第3項之氣體放電面板之製造方法’其 中: 於前述封著步驟中之冷卻,係以軟化點或融點以 下之溫度的加熱冷卻。 18. 如申請專利範圍第4項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 於前述封著步驟中之冷卻,係以軟化點或融點以 下之溫度的加熱冷卻。 19. 如申請專利範圍第11項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 於前述封著步驟中之冷卻,係以軟化點或融點以 下之溫度的加熱冷卻。 20. 如申請專利範圍第12項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 於前述封著步驟中之冷卻,係以軟化點或融點以 下之溫度的加熱冷卻, 2 1.如申請專利範圍第1項之氣趙放電面板之製造方法,其 中,前述封著步驟含有: 加熱之副步驟,係在第1基板及第2基板之間,隔 著封著構材’而使乾燥氣體流通於外圍器之内部,並 使外圍器整體加熱至封著構材之軟化點或融點以上之 溫度;及 (請先閱讀背面之浼意事項再填寫本頁) .表--------訂—--------線 52 τ、申請專利範圍 封著之副步驟 '係以封著構材之軟化點或融點以 上之溫度加熱之同時,使外圍器之内部壓力比外部壓 力為低'並於其後,使其冷卻封著。 二.如申請專利範圍第2項之氣體放電面板之製造方法,其 中前述封著步驟含有: 加熱之副步驟,係在第丨基板及第2基板之間,隔 著封著構材 '而使乾燥氣體流通外圍器之内部,並 使外圍器整體加熱至封著構材之軟化點或融點以上之 溫度:及 封著之副步驟,ί系以封著構材之軟化點或融點以 上之溫度加熱之同時,使外圍器之内部壓力比外部壓 力岛泜‘並於其後,使其冷卻封著。 2 如申請專利範圍第2丨項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 在前述封著步驟與排氣步騾之間·具備用以收納 吸氣削於與外園器之内部相連通之容器内的步驟。 24.如申請專利範圍第22項之氣體放電面板之製造方法. Jt古: >、 在前迠封著步驟與排氣步驟之間·具備用以收納 吸I射於外圍器之内部相連通之容器叼的步驟-2 5. $申請專利範圍苐2 1項之氣體放電面板之製造方法' .¾ ^ : έΓ; ^扭氣步_,兔以封著構材之軟化點或融點以 (請先閉讀背面之立音)事項再填冩本頁) 丨裝--------訂---------,,'"-------- 451 258 ΛΛ US C.-b ΠΗ __________ 六、申請專利範圍 26. 如申請專利範圍第22項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 前述排氣步驟’係以封著構材之軟化點或融點以 下之溫度’加熱外圍器整體,並進行排氣a 27. 如申請專利範圍第23項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卞之溫度’加熱外圍器整體,並進行排氣。 如中請專利範圍第24項之氣體放電面板之製造方法, 其个: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 γ之溫度,加熱外圍器整體,並進行排氣。 29妒申請專利範圍第21項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 於前述封著步驟上之冷卻,係以軟化點或融點以 卞之溫度的加熱冷卻。 Λ杪肀請專利範圍第22項之氣體放電面板之製造方法, 3〇· 其中: 於前述封著步驟上之冷卻,係以軟化點或融點以 溫度的加熱冷卻a 請專利範圍第25項之氣體放電面板之製造方法, 31- 其中: 於前述封著步驟上之冷卻,係以軟化點或融點以 卞之溫度的加熱冷卻。 ---------I I I, 表,— — — — — — — 訂111111·線 V (請先閱讀背面之泌音〕事項再填寫本頁)-54 - c、 I)V 六、申請專利範圍 3 2.如申請專利範圍第26項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 於前述封著步驟上之冷卻 ί系以軟化點或融點以 下之溫度的加熱冷卻: 3 3.如申請專利範圍第丨項之氣體放電面板之製造方法,其 中: 前述封著步驟,係在第1基板及第2基板之間 '隔 著封著構材,而以封著構材之軟化點或融點以上之溫 度,加熱外圍器之封著部之同時 '使外圍器之内部壓 力比外部堅力為低 '並於其後,予以冷卻封著 34.如申請專利範圍第2項之氣體放電面板之製造方法‘其 中: 前述封著步驟,係在第1基板及第2基板之間’隔 著封著構材 '而以封著構材之軟化點或融點以上之溫 度‘加熱外圍器之封著部之同時,使外圍器之鬥部壓 力比外部壓力為低·並於其後,予以冷卻封著。 3 5.如申請專利範圍第3 3項之氣體放電面板之製造方法, 其必: 在前封著步驟與排氣步驟之間‘具淆闬以说π 嗖氣剞於與外®器之β部相連通之容器門的步驟、 Μ θ申請專利範S第? 4項之氣體放電面板之製造方法' iL .土: 4前以封著母驟與排氣步驟之問、具備用以认奶 弋 r 與;.::f! :¾ U θ 过通 t 客诈 Πβ.¾ ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之';i音心事項再填寫本頁) 451258 ^;iis:;'"t^ 財 4¾¾ v\"赍 >r;i,;'; 申請專利範圍 37如f請專利範圍第33項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 前述排氣步驟’係以封著構材之軟化點或融點以 卞之溫度,加熱外圍器整體,並進行排氣。 如申請專利範圍第34項之氣體放電面板之製造方法,其中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卞之溫度’加熱外圍器整體,並進行排氣。 39.如申請專利範圍第3 5項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 下之溫度’加熱外圍器整體,並進行排氣。 如申請專利範圍第36項之氣體故電面板之製造方法,其中: 前述排氣步驟,係以封著構材之軟化點或融點以 卞之溫度’加熱外圍器整體,並進行排氣。 41如申請專利範圍第1項至氣體放電面板之製造 方法,其中: 〜.:'^夢’:矽 前述洗淨氣體乃使用放電氣體。 一 如肀請專利範圍第項之氣體放電面板之製造方法, τ其中: 前述放電氣體係由稀有氣體所構成。 43如申請專利範圍第42項之氣體放電面板之製造方法, 其中:J10- -37 -^1 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一衣--------訂·--------•線: · ! -Γ· 56 77,U靖导利国 雨述稀有氣體,至少包含氦氣、氡氣、氬氣及氙 氣中之任一氣體。 Μ如申請專利範圍第i至4¾項之氣體放電面板之製造方法 '其中: 印]述發光早元(元件係使並設於第1基板之電極 群興並设於第1基板之電極群,距一定之距離,並以相 互為離間交差而形成。 如申請專利範圍第4丨項之氣體放電面板之製造方法, 其中: ^述發光元件' 係使並設在第1基板之電極群,與 亚π在第2基板之電極群,予以距一定之距離,且互相 作離間交差而形成: 46.如申請專利範圍第42項之氣體放電面板之製造方法, 其中: 則述發光元件,係使並設在第1基板之電極群.與 姐設在第2基板之電極群.予以距-定之距離,且互相 作離間父差而形成s 4 “專T,j乾圍第43項之氣體放電面板之製造方法, 其山' ϋ發无元ί牛,洚使並設在第丨基板之電極群與 亚认仕第:基板之電檯群,予以距—定之距離,且互相
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13971999 | 1999-05-20 | ||
JP14793799 | 1999-05-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW451258B true TW451258B (en) | 2001-08-21 |
Family
ID=26472430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089109718A TW451258B (en) | 1999-05-20 | 2000-05-19 | Manufacturing method for a gas discharge panel |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20010085293A (zh) |
CN (1) | CN1318204A (zh) |
TW (1) | TW451258B (zh) |
WO (1) | WO2000072351A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080211408A1 (en) * | 2004-08-17 | 2008-09-04 | Hiroyuki Yamakita | Plasma Display Panel and Method for Manufacturing Same |
KR101100117B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2011-12-29 | (주)씨앤켐 | 교류형 플라즈마 디스플레이 소자 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713649A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method for gas discharge panel |
JP3236665B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2001-12-10 | 富士通株式会社 | Ac型プラズマディスプレイパネルのエージング方法 |
JP3554432B2 (ja) * | 1996-01-11 | 2004-08-18 | 中外炉工業株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JP2902618B2 (ja) * | 1997-06-03 | 1999-06-07 | 岡谷電機産業株式会社 | ガス放電表示パネル及びその製造方法 |
JPH11285628A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス混合装置及びガス放電パネルの製造方法 |
-
2000
- 2000-05-17 CN CN00801454A patent/CN1318204A/zh active Pending
- 2000-05-17 WO PCT/JP2000/003154 patent/WO2000072351A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-05-17 KR KR1020017000802A patent/KR20010085293A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-05-19 TW TW089109718A patent/TW451258B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010085293A (ko) | 2001-09-07 |
WO2000072351A1 (fr) | 2000-11-30 |
CN1318204A (zh) | 2001-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW509960B (en) | Highly productive method of producing plasma display panel | |
TW468192B (en) | Manufacturing method of plasma display panels | |
TW561500B (en) | Manufacturing method for a plasma display panel with superior luminescence | |
TW451258B (en) | Manufacturing method for a gas discharge panel | |
JP2000182524A (ja) | プラズマディスプレイ素子の製造方法及び製造装置 | |
TW508610B (en) | Gas discharge type light emission apparatus and manufacturing method for the same | |
US6189579B1 (en) | Gas filling method and device, and method for filling discharge gas into plasma display panel | |
JPH0992161A (ja) | プラズマ・ディスプレイ・パネル | |
WO2004102606A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2001035372A (ja) | プラズマディスプレイパネル、その製造方法及び製造装置 | |
JP2001043802A (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
US7261610B2 (en) | Method for producing a gas discharge vessel at superatmospheric pressure | |
JP2002075202A (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
JP2001351525A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2005005259A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP4961629B2 (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
JP2002150938A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法およびその製造装置 | |
JP3374789B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP4759882B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100733320B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 장치 | |
JP3183290B1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP3199069B1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2002140984A (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
KR20050043963A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
JP2006031993A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |