TW448483B - System and method capable of finding tools having defects in semiconductor plant - Google Patents

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Description

A7 B7 M84 83 5325twf.doc/008 五、發明說明(I ) 發明領域 本發明係有關於半導體的製造程序,尤其是有關於一-種可在生產半導體晶圓的半導體廠中,用來尋找有缺陷的 機台(tools)更好的系統和方法。 發明背景 爲了在半導體晶圓上生產一特定的電路圖(circuitry), 晶圓必須通過許多個製程步驟。這些製程步驟包括材質層 (material layers)的沉積,並藉由微影(photolithography)、 離子植入(ion implantation)、和熱回火(thermal annealing) 等方式將圖形形成於這些材質層上。爲了生產出具有功能 的電路圖’每一個在晶圓上進行的製程步驟都必須精確的 達成。每一個製程步驟都會被監視並偵測其發生的錯誤。 爲確保該電路圖具有完全的功能,在許多關鍵的製程 #驟完成後’線內測試器(in_Hne testers)會在晶圓上進行 電性和(或)物理測試(electrical and/or physical tests),而且 測試資料會被送到不同的診斷機台上來判斷是否有任何的 錯誤發生在特定的製程上。舉例來說,在一系列的植入製 程完成之後’會檢視晶圓來看是否有任何的缺陷產生或缺 陷的數目超過下限。如果偵測到一個缺陷或缺陷的數目超 過卜限’工程師會立即調整製程以確保運作正常。在晶圓 通過Γ所有的必鸾的製程步驟後,晶圓上每一個晶方(die) 需要進行更全面<性和(或)物理測試以確保電路圖的功能 正常。如果偵測出缺陷,工程師會追蹤晶圓製造的過程並 判斷是哪一個製§出了差錯而產生這些缺陷。 !!!_ 装-------訂--I--I I--線 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A?^ (21〇 χ 297 公;i ) A7 4 4 6 4 8 3 3 3 2 5twf. doc/OO 8 B7 五、發明說明(·> ) 在過去的時間中,已經發展出一套判斷這些有缺陷製 程的方法。其中一種方法是以製程爲基礎的一致性分析 (process-based commonality analysis)。因爲基本 _t —ί固半 導體廠會有好幾個生產線同時運作,工程師可以發現所有 有缺陷的晶圓都通過一個共同的製程,而找到這個會造成 缺陷的製程^假設那些沒有經過一特定的離子植入製程的 晶圓有著非常少的缺陷產生,而有非常高的缺陷率的晶圓 都通過此特定的離子植入製程,那麼這個離子植入製程很 可能就是產生缺陷的來源。藉由找出有缺陷晶圓通過的共 同製程,以製程爲基礎的一致性分析提供了一個尋找有缺 陷製程的方式。 這種以製程爲基礎的一致性分析有一個問題就是每一 個製程用到的機台可能不止一個。再者,每一部機台可能 不止一個製程會用到。也就是說,如果一部機台出了問題, 許多的製程都會受到影響。透過以製程爲基礎的一致性分 並,工程師可能會發現造成這些缺陷的製程不止一個。之 後要花更多的心力去判斷造成缺陷確實的原因。而且,一 部機台可能會斷斷續續地出現問題,也就是在某一段時間 它的功能正常,但是在另一段時間運作就有問題了。因爲 該機台會斷斷續續地產生缺陷,因此有時候缺陷會發生在 某…個製程,而其他時候缺陷又會在另一個製程中發生。 因爲無法找到一個製程有處理過全部有缺陷的晶圓,因此 以製程爲基礎的一致性分析可能是行不通的。 也就是說,我們希望用一個更有效率的系統和方法在 4 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) ---- -----------I-----訂-----Ilf— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印W衣 1 4 84 8 3 5325twf.doc/008 A7 B7 經濟郤智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(乃) 製造過程中找出造成錯誤的原因。 綜合說明 本發明揭露了一種可在半導體廠中用來檢查一部有缺 陷機台之系統及方法。這個系統包括了一部電性參數測試 器,用來檢查晶圓上的缺陷、一部失敗模式分析器,用來 檢查有缺陷晶圓的失敗模式、一部記億體(memory),用來 儲存一套代表每片晶圓通過每部機台時間區間(time period) 的資料、以及一部設備一致性分析器,用來判斷何部機台 最有可能造成失敗模式。(這個方法包括下列步驟:以機 台來生產晶圓、產生一個資料庫,包含了每一片晶圓通過 每一部機台時間區間的資訊、判斷有缺陷晶圓的失敗模 式、產生每部機台的批次表列(lot list)、將表列中的每-個批次指定一個重量値(weight value)、藉由連續加總在該 表列中每一批次的重量値而產生一個每部機台的累積値 (cumulative value)並且保持這個値大於或等於零、以及指 定該部具有最大累積値的機台爲最有可能造成失敗模式的 機台。) 圖式之簡蛩說明 藉由參考下列詳細說明並結合附圖可以使本發明更容 易被瞭解,本發明正在進行的部分以及許多隨之而來的好 處將會愈來愈被重視,其中: 第1圖繪示本發明的系統方塊圖; 第2圖繪示設備一致性分析器所使用的製程流程圖; 第3A-3D圖繪示累積値與批次序號(lot sequences)的 5 ---------! ---· I I---i — 訂-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4484 83 A7 5325twf.doc/008 R7 五、發明說明(4) 關係圖; 第4A-4D圖繪示累積値、良率(yield rate)、及製程數 目(processing number)與批次序號的關係圖;以及 第4E圖繪示在資料中有錯誤發生時,累積値與批次 序號的關係圖。 圖式之標記說明: 100 :本發明的系統方塊圖 102 : A機台 104 : B機台 106 : C機台 108 : D機台 110 :缺陷分析器(defeat analyzer) 112 :線內參數資料收集器(in-line parameter data collector) 114 :電性/物理參數測試器(electrical/physical parameter tester) 116 :外部分析器(externa丨 analyzer) 118 ··晶圓資料庫(wafer database) 12◦:失敗模式分析器(failure signature analyzer) 122 :設備一致性分析器(equipment commonality analyzer) 130 :半導體廠(fabrication facility/fab) 200 :設備一致性分析器所使用的製程流程圖 208 :開始 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(21〇 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裳--------訂---t —----線. 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4484 8g325lwfdoc/〇〇8 五、發明說明(< ) 210 :從晶圓製程資料庫取得資料 212 :初始化變數 214 :產生A機台的批次表列 216 :指定批次表列A —個重量値 218:連續加總批次表列之重量直成爲累積値Cum_A, Cum_A最小値爲零 220 :找出累積値中的最大値Max_A 222 :產生D機台的批次表列 224 :指定批次表列D —個重量値 226:連續加總批次表列之重量直成爲累積値Cum_D, Cum_D最小値爲零 228 :找出累積値Cum_D中的最大値Max_D 230 :從Max_A與Max_D之中找出最大値MaxJK 232 :指定X機台是最有可能有缺陷的機台 234 :顯示累積圖與批次序號的關係圖 236 :結束 設備一致件分析 -本發明是在個別機台的基礎上運用一致性分析。某部 機台可能是用來完成單·功能的機器。一部機台可能被用 在不止一個製程上。舉例來說,步進機台(stepper)能夠執 行微影功能(photolithography),可以用在絕緣(isolation)和 閘極(poly gate)的製程中。當某部機台在處理一片或-批 晶圓時,從開始到結束晶圓通過該部機台的這段時間會被 紀錄下來並且送到一個晶圓資料庫中。藉由從晶圓資料庫 7 本紙張尺度1Ϊ用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------------II 訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4484 每3 ___ 5325twf.doc/008 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(t) 中取得資料’可以知道何部機台在何時處理過某一特定的 晶圓。 在所有製程步驟完成之後,會對晶圓上的晶方進行電 性和(或)物理測試。該測試資料會被收集而產生一個晶圓 圖(wafer map) ’這個晶圓圖顯示出該晶圓具有缺陷的區 域。工程師以肉眼檢視晶圓圖,將缺陷分類成幾種不同的 型態’並且針對每種缺陷圖形的型態指定-一個失敗模式。 舉例來說’某一種缺陷圖形的型態是缺陷都聚集在晶圓的 中央區域附近,這種缺陷型態稱爲,,中央斑點”(center spot)。另一種缺陷圖形的型態爲"隨機分布"(rand〇ni d1Stnbut1〇n) ’亦即這些缺陷是隨機地散布在晶圓上。依照 失敗模式可以將有缺陷的晶圓自動化地完成分類。這些測 試資料會被送到一部有提供圖形辨識軟體的計算機中,與 預先定義失敗模式的資料庫進行比對,定出有失敗模式之 晶賢的缺陷型態。 在所有晶圓上的失敗模式被判定後,一種設備一致性 的診斷便被用來來判斷可能是何部機台會產生缺陷。如果 有缺陷的晶圓都有一個共同的失敗模式,便可從晶圓資料 庫中取得這些有關於具該失敗模式之缺陷晶圓的資料。於 是分析這些資料即可找出那些共通的機台是所有或大部分 的晶圓曾經通過的。因而根據累積重量値的大小可以找出 最有可能造成缺陷的機台的優先順序。 實施例 請參考第1圖,其繪示一結合本發明之半導體製程系 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----
S ---------鎳 經濟部智慧財產局員H消費合作社印製 ^ ^ δ 4 A7 I---- 5325twf.doc/008 R7 五、發明說明(j ) 統100。該系統100包括一個半導體廠130、一個電性參 數測試器I〗2、一部晶圓測試機台114' 一台外部分析器 116、--部晶圓製程資料庫U8 '—台失敗模式分析器1 20、 以及-部設備一致性分析器122。該半導體廠130可以是 一家在半導體晶圓上製造積體電路的半導體製造工廠。該 半導體廠130包括有一部A機台1〇2、一部b機台1〇4、 —部C機台106 ' —部D機台108、一部缺陷分析器110 以及一部線內參數資料收集器112。該圖只是代表半導體 廠的簡化圖形。一家真正的半導體廠可能有好幾百部的機 台同時運作以生產晶圓。而在這些晶圓上形成的圖形電路 (patterned, circuitry)都是不一樣的 ° 缺陷分析器11〇分析由A機台1〇2和B機台1〇4所製 造的晶圓’如果發現了缺陷便會通知工程師調整道些機 台。由缺陷分析器110所收集的資料會被送到晶圓資料庫 118並且儲存起來以做進-步的分析。線內參數資料收集 器112收集由B機台1〇4、C機台106、D機台所傳來的 資料,像是有關氧化層厚帛、回蝕深帛、以及許多重 件尺寸的資料等。這些資料也會被送到並儲存於晶圓第料 庫中118。第1圖中的實線箭頭代表晶圓由一邰機器送^ 另一部機器上的流向,而虛線箭頭則代表資料U機器 送到另一部機器上的流向。 A機台102、B機台1〇4、c機台106、以及D機台1〇欠 也會送出機台處理晶圓開始和結束時間的資料到到晶圓= 料庫118。以這種方式,何部機台處理過何片晶圓以及^ 9 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210x297公釐) --------—裝- ------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 4484 83 5325twf.docvO08 五、發明說明($ ) 機台何時處理過該片晶圓,這些全部都可以從晶圓資料庫 118中的資料來判斷。晶圓資料庫Π8也包含了每片晶圓 批次號碼的資訊。基本上,晶圓是以一可裝25片晶圓的 容器送進機台內。因此從資料庫中,工程師可以在任何時 間瞭解何部機台正在處理一片或一批特定的晶圓。 電性/物理參數測試器U4測試晶圓上每個晶方的電性 參數看是否有缺陷。該測試的資料會被送到失敗模式分析 器120。外部分析器116可以包括一部顯微鏡,由工程師 來操作靠著目視找出晶圓上有缺陷的圖形。外部分析器U6 也可以是一部圖形辨識器(pattern recognition machine), 可以用來分析晶圓上的視覺影像。由外部分析器116所收 集的資料也會被送到失敗模式分析器120中。 失敗模式分析器120由電性/物理參數測試器U4、及 外部分析器116所產生的測試結果來判斷晶圓上的失敗模 式。失敗模式分析器120可以從電性/物理參數測試器1丨4、 及外部分析器116收集來的測試資料產生一個晶圓圖’並 且運用圖形辨識的方法來找出失敗模式。失敗模式分析器 120也可以與已預先定義之失敗模式的資料庫比對測試結 果。每一種不同的失敗模式代表一種特定缺陷的圖形,可 能與-特定的缺陷有關,而該種缺陷是由一個特定的製程 或是一部特定的機台所造成。舉例來說,一個具有曲線特 徵的缺陷圖形可能類似一個機械性的刮痕,這顯示該部用 來磨光晶圓的機台可能有問題。某個缺陷圖形出現一團低 密度、稀疏結構而無特定形狀的聚集物,就像是水滴狀的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 x 297公釐) C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝 I--訂---------綠 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 325tvvf.doc/008 五、發明說明(q ) 染劑拖曳過痕跡,顯示有許多的洗劑可能遭受到塵埃的污 染。這些檢查失敗模式的方法在習知技藝中是廣爲熟知 的。 設備一致性分析器122是以處理批次資料的方式,在 半導體廠中130,晶圓被分成一批一批加以製造處理。如 果某一批次中有一片有失敗模式的晶圓,那麼該批次爲壞 的批次,否則爲好的批次。某一部特定機台的批次表列是 將該機台根據製造的批次序號加以分類而產生。一特定機 台製造晶圓的序號可以從晶圓資料庫118中所儲存的時間 資料來判定。爲淸楚說明,假設已經生產了二十八個批次, 由於其中的晶圓有一特定的失敗模式,故而知道批次號碼 5到11是壞的批次。 如表格1是顯市A機台102、B機台〗04、C機台106、 D機台108處理該二十八個批次的序號。A機台102從批 次#1到批次#28依序處理。B機台104先處理批次#1,然 後是批次#2、#5、#3、再來是#4等等。C機台106先處理 批次#1到#8,然後是#12,再來是#9等等。當某部機台被 不止一個製程所使用、且不同的晶圓進行不同的製程步驟 並在不同的機台間交互混合生產時,這種序號上的差異是 可能發生的。 就像失敗模式分析器120用來判定失敗模式一樣,設 備一致性分析器122是用來判定這些失敗模式是由何部機 台所產生。設備一致性分析器122從晶圓資料庫118中取 得有關於每部機台處理某批次的開始和結束時間的資訊。 11 本紙張尺度適i中國國家標準(CNS)A4規格(210 >^297公f -----------—---- -----訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4484 83 A7 5325twf.doc/008 〇7 五、發明說明((。) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 設備一致性分析器122用來判斷有缺陷機台的方法會在下 文中詳細地敘述。如果失敗模式分析器120發現的失敗模 式超過一種以上,那麼對每一種失敗模式以及每一部機 台,會再產生另一個批次表列,並且運用設備一致性分析 器122找出與每個失敗模式相對應的有缺陷機台。設備--致性分析器122包含了一個輸出畫面以顯示其分析結果。 機台 批次表列(處理該些批次的批次序號) A (1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21,2 2,23,24,2526,27,28) B (1,2,5,3,4,6,7,8,12,9,13,14,15,16,17,10,18,19,20,21,1 1,22,23,24,25,26,27,28) C (1,2,3,4,5,6,7,8,12,9,13,14,10,15,16,11,17,18,19,20,2 1,22,23,24,25,26,27,28) D (5,1,2,3,4,6,7,12,8,13,14,9,15,16,10,17,18,19,20,11,2 1,22,23,24,25,26,27,28) (具有失敗模式的壞的批次:5,6,7,8,9,10,11) 表格1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 請參考第2圖,係設備一致性分析器122運用程序200 找出造成某種失敗模式的有缺陷機台的流程圖。程序200 是由方塊208開始。在方塊210中,資料是由晶圓資料庫 中取得。在方塊212中,初始化變數。累積値Curn^A到 Cum_D設爲零,而最大的累積値Max_A到Max_D也設爲 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) 3 & 4 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五 '發明說明((丨) 零。在方塊214中,產生一個A機台的批次表列(批次表 列A),請參考表格1。 請參見表格2,該表格顯示了批次表列A的重量値。 在方塊216中,批次表列A中的每一批次都會被指定-個 重量値。舉例來說,那些壞的批次會被指定一個正重量値 2〇,而好的批次會被指定一個負重量値-〗〇。 機台 批次序號及重量値 批 列A 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 (重量) -10 -10 -10 -10 20 20 20 20 20 20 20 •10 Cum A 0 0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 130 批列B 1 2 5 3 4 6 7 8 12 9 13 14 (重量) -10 -10 20 -10 -10 20 20 20 -10 20 -10 -10 Cum B 0 0 20 10 0 20 40 60 50 70 60 50 批列C 1 2 3 4 5 6 7 8 12 9 13 14 (重量) -10 -10 -10 -10 20 20 20 20 -10 20 -10 -10 Cum C 0 0 0 0 20 40 60 80 70 90 80 70 批列D 5 1 2 3 4 6 7 12 8 13 14 9 (重量) 20 -10 -10 -10 -10 20 20 -10 20 -10 -10 20 Cum D 20 10 0 0 0 20 40 30 50 40 30 50 丧格2 重量値20及-10只是用來說明的例子而已。重量値可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 裝 ---I---訂------I!線 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 325t\vf. doc/008 B7 五、發明說明(γΐ) 根據不同的製程設計來作改變。舉例來說,當批次表列長 度是5時(即批次表列中有5個批次),正重量値可以用5 而負重量値可以用-1。另外,當批次表列長度是10時, 正重量値可以用2,而負重量値可以用-1。而且,正重量 値可以根據工程師判斷某批晶圓中有失敗模式的肯定度而 改變。例如,假設在某批次中的晶圓其失敗模式的肯定度 超過百分之90,那麼該批次的正重量値爲便可指定爲5 β 如果在某批次中的晶圓其失敗模式的肯定度只有百分之 50,那麼該批次的正重量値便指定爲3等等。一般而言, 失敗模式的肯定度愈高,則該正重量値就愈大。 在方塊218中,連續加總重量値成爲累積値Cum_A。 Cum_A値一直保持大於或等於零。也就是說,即使在表格 2中A機台做出來的前四個批次是好的(重量値爲負),累 積値Cum_A仍然是零。表格2顯示的累積値Cum_A是該 批次個別的重量値加上前一批次的累積値而得到的。在方 塊220中,判斷尖峰的累積値(peak cumulative value) Max_A。在這個例子中,Max_A是140。 .對B、C兩部機台進行類似的步驟,這些步驟包括產 生一個批次表列、指定重量値、加總重量値以獲得累積値、 以及找出尖峰累積値等。這些步驟並不在圖示之中。 如表格1所示,在方塊222中產生D機台的批次表列(批 次表列D)。如表格2所示,在方塊224中批次表列D中 的每一批次都被指定一個重量値。在方塊226中,重量値 被連續加總成爲累積値Cum_D。就如同Cum_A —樣, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 4 A7 B7 3 5325twf.doc/〇〇8 i、發明說明(0)
Cum_D —直保持大於或是等於零。表格2所顯示的累積値 Cum—D是該批次個別的重量値加上前一批次的累積値而得 到的。在方塊22S中,判斷尖峰累積値Max_D。在這個例 子中,Max_D是5〇。(請參見下述之第3D圖) 在方塊230中,整理比較Max_A、Max—B、Max_C和 Max_D尖峰累積値以找出其最大者。在這個例子中,Max_A 有最高的値H0。在方塊232中’ A機台被認爲是最有可 能造成批次5到11的失敗模式的機台。在方塊234中, 累積値Cum_A與批次序號的關係圖會顯現在輸出營幕上。 第3A圖所顯示的是Cum_A値圖形輸出一個代表性的例 子。該水平軸線代表批次序號,垂直軸線代表累積値 Cum_A。從第3A圖可以看到,有一連串壞的批次由a機 台102產出(走線快速的昇起)’也就是說a機台〗02可能 有問題而且需要進行維修的可能性很高。然而,如果工程 師檢查了 A機台102,並確認A機台102是正常的,那麼 接下來就要看在圖中具有次高累積値的機台了。在這個例 子中,C機台106有次高的尖峰値,即Cum—C等於90。 因此,C機台106是下一個最有可能造成失敗模式的機台。 除了累積値之外,圖形輸出也會顯示其他有用的資料, 例如是良率以及機台的操作數。當一部機台可以執行好幾 個製程時,操作數即代表該機台正在執行的製程。第4A 到4D圖顯示Α機台102到D機台1〇8的累積値和其良率 以及操作數。這裡並未顯示良率和操作數的範圍。這些圖 形可以讓半導體製程工程師更淸楚地判斷造成失敗模式的 本紙張尺度適用中g國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公发) ------I I----* -----II 訂--------1^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 B7 _3325t\vf.doc/008 五、發明說明(\v) 原因。 本發明的優點是即使某些批次還未被測試及判定是否 有失敗模式,或者某些批次判斷錯了,而上述的這個方法 仍然可在半導體廠中用來找出有缺陷的機台。即使是某些 批次判斷錯了,有缺陷的機台通常仍會有最高的累積値。 這是因爲正重量値(在上述例子中的20或者是5)會比負重 量値的絕對値(-10或-1)大,也就是說批次判斷錯誤(或是 還未判定)的影響不大。第4E圖顯示一個批次列表的累積 値與第8、10 ' 16、20以及27這些未判定或判斷錯誤批 次的關係圖。 雖然本發明已以較佳實施例敘述說明如上,然其並非 用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之 精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 4484 8 S25tWfl ,ci〇c/〇〇2 !!!1^_圍修正本g A8 B8 曰期 90/5/30 六 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 η 社 印 、申請專利範圍 K —種在具有複數部機台用以製造複數個半導體晶圓 、〃導體廠中尋找有缺陷機台的方法,該方法包括下列步 驟: 以該複數部機台在該複數個晶圓上執行一系列的晶圓 製程步驟; 產生一個資料庫,其資料代表每片晶圓通過每一部該 複數部機台的時間; 沏I試該複數個晶圓並判斷該晶圓是否具有某種失敗模 式; 產生母部機台的一批次表列,在該批次表列中該批次 連續的排列順序代表該批次的製程序號; 對該批次表列中的每批次指定一個重量値,對於具該 失敗模式的晶圓之批次,其重量値爲一預先決定的正數 値’而不具該失敗模式的晶圓之批次,其重量値爲一負數 値; 將每部機台對應的批次表列中的每批次重量値連續加 總,產生一個累積値,在加總的過程中,對每部機台指定 一最高尖峰累積値當作最大的累積値;以及 指定該部具有最高尖峰累積値的機台是最有可能造成 該失敗模式的機台。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該正重量 値的絕對値大於該負重量値的絕對値。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該測試複 數個晶圓的步驟包括在該一系列晶圓製程步驟完成之前, _JfR£uj 1ι·!!ΕΙΙΙ — — — ^ ^ * I 1 ! I I I I * I ------ 1 I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 Χ 297公釐) 448483 5325twfl .doc/002 A8 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 申請專利範圍 以線內測試器執行之測試。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該測試複 數個晶圓的步驟包括在該一系列晶圓製程步驟完成之後, 以缺陷測試器執行之測試。 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中在該一系 列晶圓製程步驟期間,電路圖逐漸在複數個晶圓上形成, 並且該測試複數個晶圓的步驟包括測試在複數個晶圓上逐 漸形成的電路圖的電性參數。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該測試複 數個晶圓的步驟測試複數個晶圓的物理特性。 7. 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中當一個晶 圓的電性參數與一預先判定的失敗特徵圖形相似時,該晶 圓即與該失敗模式有關。 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中在指定最 有可能造成該失敗模式的機台的步驟後,更進一步包括顯 示一個代表每部機台的累積値圖形的步驟。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中在連續加 總對應的批次表列中每一批次的重量値而產生一個累積値 的步驟之後,在加總的過程之中保持累積値不小於零,同 時對每部機台指定一最高尖峰累積値當作最大的累積値。 10. —種有缺陷機台的偵測系統,用於一半導體廠, 該半導體廠具有複數部機台用以製造被集合成複數個晶圓 批次的複數個半導體晶圓,該系統包括= 一電性參數測試器,用以接收複數個晶圓並檢查在複 L 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------^----- ---訂----線 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 5325twfl doc/002 B8 C8 ____08 _ 、申請專利範圍 數個晶圓中的每一片晶圓上的每一個失效的晶方; 一失敗模式分析器,用以檢查及輸出失敗模式,其代 表在晶圓上失效的晶方的缺陷圖形; 一記憶體,用以儲存每一片晶圓通過每一部機台之開 始與結束時間的資料;以及 一設備一致性分析器,用以接收該儲存於該部記憶體 中的資料,並使用設備一致性分析以產生每部機台的累積 値,其代表該機台產生該失敗模式的可能性, 其中該設備一致性分析包括下列步驟:產生每部機台 的批次表列,其代表每部機台處理批次的序號,對批次表 列中的每一批次指定一重量値,加總該重量値以獲該累積 値,在加總的過程中一直保持累積値不小於零,找出每部 機台的尖峰累積値,以及指定該部具有尖峰累積値的機台 爲最有可能造成失敗模式的機台。 Π.如申請專利範圍第10項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中具有該失敗模式晶圓的批次被指定一個正重量 値,不具有該失敗模式晶圓的批次被指定一個負重量値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12. 如申請專利範圍第Π項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中該正重量値的絕對値可依據製程不同而改變, 但是比該負重量値的絕對値大。 13. 如申請專利範圍第11項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中當一個批次中具有該失敗模式的晶圓的數目愈 多時,該正重量値會相對愈高。 14. 如申請專利範圍第10項所述之有缺陷機台的偵測 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4484 83 5325twfl doc/002 A8 B8 C8 m 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 系統,其中該設備一致性分析器更進一步包括了一種輸出 顯示,用以顯現每部機台的累積値。 15..—種有缺陷機台的偵測系統,用於一半導體廠, 該半導體廠具有複數部機台用以製造被集合成複數個晶圓 批次的複數個半導體晶圓,該系統包括= 一電性參數測試器,用以接收晶圓批次並檢查該晶圓 批次中的每一片晶圓上的缺陷; 一失敗模式分析器,用以檢查具有缺陷晶圓的缺陷圖 形之失敗模式,; 一記憶體,用以儲存每一片晶圓通過每一部機台之時 間的資料:以及 一設備一致性分析器,用以接收該儲存於該部記憶體 中的資料以及從該部失敗模式分析器傳來的該失敗模式, 以產生一個每部機台的最高累積値,其中最尖峰累積値愈 高顯示該機台造成失敗模式的可能性愈高。 16.如申請專利範圍第15項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中該設備一致性分析器執行下列步驟= 產生每部機台的批次表列,其代表該部機台處理晶圓 批次的序號: 指定批次表列中的每一晶圓批次一個重量値: 加總批次表列中的每一晶圓批次的該重量値以獲得一 累積値,在加總的過程中保持該累積値不小於零; 找出每部機台的該尖峰累積値,其代表在加總重量値 的步驟中累積的最高値:以及 20 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.--------訂----- 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8 B8 C8 D8 4 4 84 3^ 3 2 5twfl doc/002 六、申請專利範圍 指定具有尖峰累積値的機台爲最有可能造成失敗模式 的機台。 Π.如申請專利範圍第16項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中具有該失敗模式晶圓的晶圓批次被指定一個正 重量値,而不具有該失敗模式晶圓的晶圓批次被指定一個 負重量値。 18. 如申請專利範圍第17項所述之有缺陷機台的偵測 系統,其中該正重量値的絕對値大於該負重量値的絕對 値。 19. 如申請專利範圍第16項所述之有缺陷機台的偵測 系統,更進一步包含一種輸出顯示,用以顯示累積値與每 _部機台批次號碼的關係圖。 2 0. —種運用一致性分析來有效減少晶圓上的缺陷的 製造複數個半導體晶圓的方法,該方法包括下列步驟: 提供複數部機台以製造複數個晶圓; 運用該複數部機台製造複數個晶圓並於資料庫中儲存 時間資料,該資料代表每部機台處理每片晶圓的時間區 間; 測試複數個晶圓中的每一片晶圓以找出失敗模式; 產生每部機台的晶圓表列,其代表每一部機台處理過 的所有晶圓的製程序號; 指定表列中每一片晶圓一個重量値; 產生每部機台的尖峰累積値,該尖峰累積値是由重量 値加總而來;以及 2 1 本紙張尺度適用宁國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 I -—In I--I . ---111 — — ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5325twfl,d〇c/〇〇2
    8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 、申請專利範圍 指定該部具有最高尖峰累積値的機台爲最有可能造成 該失敗模式的機台。 21. 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中指定每 片晶圓一重量値的步驟爲指定具有該失敗模式的晶圓一個 正重量値’並指定不具有該失敗模式的晶圓一個負重量 値。 22. 如申請專利範圍第21項所述之方法,其中該正重 量値的絕對値大於該負重量値的絕對値。 23. 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中產生每 部機台的累積値的步驟更進一步包含下列步驟: 連續加總晶圓表列中每一片晶圓的重量値; 在加總過程中,指定累積的最高値作爲尖峰累積値。 24. 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中該失敗 模式代表由機械刮痕所造成的缺陷圖形。 25. 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中該失敗 模式代表一種中心斑點的缺陷圖形,其中大部分的缺陷都 聚集在接近晶圓中心的區域。 26. —種在複數部機台生產複數個晶圓批次之後從半 導體廠的複數部機台中尋找有缺陷機台的方法,該方法包 括下列步驟: 測試在複數個晶圓批次中的每一片晶圓以找出失敗模 式; 運用以個別機台爲基礎的一致性分析對複數部機台中 的每一部機台指定一個尖峰累積値;以及 22 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装--------訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗〇 χ 297公餐) 8 4 183 5325twfl.doc/0()2 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 根據相對應的尖峰累積値產生一個機台表列,排列會 造成失敗模式的機台的可能性順序。 27. 如申請專利範圍第26項所述之方法,其中該以個 別機台爲基礎的一致性分析執行下列步驟= 對複數部機台中的每一部機台產生一個批次表列,其 代表該複數部機台中每一部機台處理過的晶圓批次的製程 序號; ‘ 指定批次表列中的每一晶圓批次一個重量値; 連續加總批次表列中的每一晶圓批次的重量値以產生 一個累積値,並一直保持該累積値不小於零;以及 在加總過程中,指定該最高累積値作爲尖峰累積値。 28. 如申請專利範圍第26項所述之方法,其中指定每 一批次的重量値的步驟是指定具有該失敗模式晶圓的晶圓 批次一正重量値,指定不具有該失敗模式晶圓的晶圓批次 一負重量値,並且該正重量値的絕對値大於該負重量値的 絕對値。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -----—--訂· I ------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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