TW442894B

TW442894B - Semiconductor integrated circuit capacitor and method of fabricating same

Info

Publication number: TW442894B
Application number: TW088112469A
Authority: TW
Inventors: Ki-Young Lee; Seok-Woo Hong
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1998-10-17
Filing date: 1999-07-22
Publication date: 2001-06-23
Also published as: KR100270964B1; US20020028552A1; KR20000026087A

Description

4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 2-8-9-4-^ _ 五、發明說明（1 ) 本發明之背景 1 ·本發明之技術領域 I發明係有關於半導體_電路電容器，以及一種用於製造該半導體積體電路電容器的方法。更特別地是，本發明係有關於具有金屬絕緣趙金屬（以下稱為MIM)結構，其可被使用於邏輯電路或類比電路。本發明亦有關於製造該MIM電容器的方法。 2.習知技藝之說明半導體積體電路通常可被歸納為二類：(〇數位積髏電路，亦稱為邏輯電路，其輸出訊號依據輸入訊號而呈現 ΟΝ/OFF，以及（11)類比積體電路’亦被稱為類比電路，其輸出訊號係隨輸入訊號變化而呈線性變化。這二類的積體電路可隨儲存在電容器中的電子而記憶訊息，而與該電路為邏輯電路或類比電路無關。因此，在製造該電容器時，其電容量應不受電壓或溫度變化的影響，以维持這些電路的操作特性。因此，相對於傳統的金屬氧化物半導體場效應電晶體 (MOSFET)電容器或接面電容器，目前製造半導體積體電路（CMOS類比電路）的趨勢在製備具有多晶矽絕緣體多晶矽（PIP)結構或MIM結構的電容器，其不受這些變化的影響。相較於PIP電容器，該MIM結構電容器的缺點在於具有較大的單位面積電容量。然而，相較於ριρ結構，該MIM 結構具有優良的電容量電壓係數（VCC)，其代表減少的電容量變化隨電壓變化。該MIM結構電容器亦具有優良的本紙張尺度賴中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 4 ιί!ι· — — !-^- I I I I ί I 訂.--— — — — — — (請先間11背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------B7____五、發明說明（2 ) 電谷氣溫度係數（TCC)，其代表減少的電容量變化隨溫度變化。例如，傳統的MIM電容器通常具有6〇 ppm/v的VCC ，以及70 ppm/°C的TCC ;而傳統的ριρ電容器通常具有 220ppm,V的 VCC,以及 i2〇ppm/°c 的 TCC。因此，MIM 結構電容器在製造精密的類比產品中更為有用，而至今，邏輯電路與類比電路二者通常被製造為具有mim結構電容器。第1至4圖說明一種用於在傳統的邏輯電路或類比電路中製造具有MIM結構之電容器的加工法。該製法將參考圖示而被說明如下。如第1圖所示’ 一第一導電層（通常由含鋁合金所組成) 係以隨意的金屬化製程形成於絕緣基板1〇〇上，並接著使用光阻圖案（未表示於圖中）作為罩幕進行蝕刻，以定義電容器形成部份與導線形成部份。該隨意的金屬化與蝕刻製程將同時形成一第一導線l〇2b與一下電極〗02a於基板100 上。在本案例中，該第一導線102b被形成，而以導電插塞 (未表示於圖中）與絕緣基板中隨意的導線電連接。如第2圖所述，一經平坦化的中間絕緣層】〇4被形成於該絕緣層100上，其包含第一導線〗〇2b與下電極】〇2^^該經平坦化的令間絕緣層1〇4被形成於絕緣層]⑻上，現在其包含有第一導線1021?與下電極1〇23。該經平坦化的中間絕緣層丨04接著被選擇性地蝕刻，以曝置出預定的下電極102a 表面部份，因而形成一第一介層孔hi於絕緣層】〇4中。如苐圖所示，一介電層K)6係以CVD法被形成於該本 ί;’_ ” ^ ^ (2]η -------------Jtr· I I <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) zy,·心、爱經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44289 4 A7 r. —__B7 五、發明說明（3 ) —介層孔hi内表面上以及該中間絕緣層1〇4上。該介電層 106與中間絕緣層104接著被選擇性地蝕刻，以曝置出該預定的第一導線102b表面，因而形成一第二介層孔h2於絕緣層104與介電層1〇6中。如第3圖所示，相較於第—介層孔Μ ’該第二介層孔h2的寬度通常較窄。該介電層1〇6通常使用電漿Si-氧化物/電漿Si_氮化物或Si_氧化物/電漿_氮氧化物等複層結構形成。其次，進行使用RF(射頻）的濺射蝕刻 (亦稱為RF濺射蝕刻），以移除留置於所曝置之第一導線 102b表面上的氧化層。可能留置於導線〗〇2b表面上的氧化層包含諸如蝕刻中間絕緣層1〇4與介電層106的步驟中所產生的s1〗產品（諸如AI2〇3或聚合物）或一自然氧化層。如第4圖所示，一導電插塞108(通常由鎢材料所組成) 僅選擇性地被形成於第二介層孔h2中。其次，一鋁合金第二導電層被形成於該整個結果表面上，並使用一光阻圖案 (未表示於圖中）作為罩幕進行姓刻，以定義一電容器形成部份（102a/106/110a)與一導線形成部份（i〇2b/108/110b)= 該蝕刻製程同時形成一第二導線n〇b與一上電極110a，而完成該製程。總之，導線被形成於預定的絕緣層100部份上方，其係為第一與第二導線（l〇2b,110b)的複層結構，且導電插塞 108被置於其中。此外，具有MIM結構的電容器被形成於絕緣層1 〇〇(在導線的一側上）上。如第4圖所示，該具有MIM 結構的電容器係由具有介電層106置於其間的下電極i〇2a 與上電極110a所組成。本紙張尺度这用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — ft — ^ I I I I I I I a— — —— —— —— ί請先閱請背面之注^►項再填寫本頁)

A? B7 玉、發明說明（4 ) 若使用於邏輯或類比電路中的電容器使用上述製程製 & ’則在製程進行期間將產生下列問題。在蝕刻中間絕緣層104以形成第一介層孔hl時，部份的下電極i〇2a亦與中間絕緣層104—道被非等向性姓刻。因此，在該集程完成夺，在第；1層孔hi外圍下面上的部份的下電極l〇2a係被切割而形成孔洞於其中。當介電層崎皮沈積時，該介電層可能無法完全填充 :同t，因而形成不連續的介電層。該不連續性将使得電路無法具有均勻的電容 κ因為漏電），而降低電容器的性能。在極端的案例中，該電容器可能破裂，而造成良率下降。因此，相當數量的研究與開發已被進行，以尋找這些問題的解決方法。第5圖係為第3圖之部份 ^ 丨仂丄的放大圖。如第ί圖所示 1參考字元”Α，‘所示的部份係本_ m l 、係表不因切割下電極102a所造成的介電層不連續性將產生孔洞。本發明之概要開發不具有上述缺陷的半帝卞守騣積體電路電容器係為所。因此，本發明係集中於半導守虹積體电路電容器及其製法，其可同時排除一種或多種飞夕種自知技藝的問題與缺點。因此，本發明之一特徵係為提供— 干令髖積體電路電容哭以及一種有效地製造該電容器 ,,, 万’去本發明的電容哭最好被使用於邏輯電路和/或類比電路中。 ^ 根據本發明之這些與其他 ^ ,,qB 竹啟，其被貫絶並簧泛砷碑況月，所邊供的半導體積體電路電容器岛含「氣遣用?同®家標直（〔Π.。規格 _________________lk】:<-________Γ — — — — — — · · i . I I I I I I I . (請先閱讀背面之注意事項再填.s本頁) 来_____ I I fi l . 經濟部智«財產局員工消費合作杜印製 4^289 4 Α7 --—--- Β7__ 五、發明說明（5 ) 一絕緣基板； —設置於預定的絕緣基板部份上之下電極； —設置於該絕緣基板與下電極上之中間絕緣層； —具有邊壁的介層孔，該介層孔穿經中間絕緣層並曝置出預定的下電極表面；一設置於介層孔壁面上的間隙壁；一介電層，其設置於：（1)鄰接預定之下電極表面的介層孔底面；（II)預定的絕緣層部份；（m)間隙壁；以及 —設置於預定的中間絕緣層部份上並設置於介電層上的上電極。根據本發明之另—個特徵，其係提供一種製作半導體積體電路電容器的方法，其包含：提供一絕緣基板；同時形成一第一導線及一下電極於預定的絕緣基板表面上；形成一中間絕緣層於基板上及第一導線與下電極上；選擇性地蝕刻該中間絕緣層，以曝置出預定的下電極表面及預定的第-導線表面，以同時在該中間絕緣層中形成：⑴第-介層孔，其具有壁面並設置於下電極上；以及m 第二介層孔，其設置於第一導線上；

形成一導電層於中間絕緣層上以及該第一與第二介孔中； ' -I 回蝕該導電層而形成：（ί)間隙壁於第—介層孔壁面上 ;(Π)—導電插塞於該第二介層孔中；以及（πί)_2曝置本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） . II--!嗖---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意#.項再填寫本頁) A7 B7

五、發明說明（6 ) 面以及預定的中間絕緣層表面；形成一介電層於所曝置的表面上；移除除了設置於間隙壁上之預定介電層部份以及預哀下電極表面以外之位於曝置表面上的介電層；以及同時形成.⑴-連接至導電插塞的第二導線；以及⑴ 一連接至介電層的上電極。應瞭解地是’上述的一般性說明以及下列的細節孕叫係作為舉例及說日㈣，其並以申料利㈣做進—步的舒明。本發明的其他特徵與優點將被列於下說明並由該說呀清楚地表示，或可藉由實行本發明而得知δ本發明的目纪與其他優點將被實行並達成，其結構為朗與其中請專争範圍及附圖所示者β 圖式之簡略說明附圖（提供對於本發明的進一步瞭解，並置人及^ 本專利說明書的-部份）舉例本發明之實施例，並以說明解釋本發明之原理。其中：第！至4圖舉例說明一種製造具有Mm結構之傳統邏輯和/或類比電路電容器的方法；第圖係為第3囷之部份][的放大圖，其舉例說明在第1 至4圖之製造電容器的製程中所產生的製程缺陷；以及第6至1 〇圖舉例說明根據本發明之—種製造具有㈣結構之傳統邏輯和或類比電路電容器的方 --------------"'--------ΙΓ---------,·^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 297 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 4428 9 4 A7 ------- B7 五、發明說明（7 ) 較佳實施例之說明在1998年1〇月17曰提出申請之韓國專利申請案第98_ 43463號被併入本案以為參考資料。本發明的較佳實施例將詳細地參考該案，其範例被舉例說明於附圖中。在該圖式中，相同的參考數字代表相同的元件。當某一層被說明在另一層或基板上方時，該某一層可直接存在於其他層或基板上，且一層或多層可被設置於該某層與其他層或基板之間。類似的定意亦適用於，，底下，，與 “下面“。本發明的一較佳特徵係為具有MIM結構的半導體積體電路電容器，當形成並蝕刻該介電層時，其製程被變換以同時形成該第一介層孔…於電容器形成部份及該第二介層孔h2於導線形成部份。在本實施例中，一間隙壁及一導電插塞最好個別被形成於第一介層孔内壁上及第二介層孔上r亥間隙壁及導電插塞最好以導電層沈積法及回餘法形成，以使得第一介層孔中的間隙壁僅些微傾斜。熟習本技藝之人士得以使用本技藝所熟知的方法沈積（亦即形成）並蝕刻在積體電路上的諸層。例如，該諸層得以使用各種技術沈積（或形成），像是金屬化法、化學氣相沈積（CVD)、電漿沈積或相似之方法。選擇性蝕刻亦可使用諸如光阻化合物及罩幕完成。根據本發明，製作該半導體積體電路電容器的方法最好與傳統方法相異，其係藉由同時形成第一與第二介層孔。該方法亦最好與傳統方法相異，其係藉由形成—介電層

本紙張尺錢财關緖準（CNS)A4賴⑵G

It-----------裝·---- I 丨—訂- - ------ Ϊ C請先間讀背面之注意事項再氣寫本頁) 10 A7 B7 —-— — 五、發明說明（8 ) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’以使得第一介層孔的側面因使用導電層材料製的傾斜間隙壁而些微傾斜。因此，本發明之方法若非僅使用一種特徵，便為使用一種特徵的組合。該傾斜間隙壁最好具有接近下電極的直徑小於遠離下電極的直徑D此外，該形成第 ~介層孔斜邊的傾斜間隙壁將避免在第一介層孔的二個下緣轉角處造成不連續性，而提升良率。本發明之電容器、製造其之方法以及其較佳實施例現將參考第6至1 〇圖而被說明如下。第6至10圊說明一電容器及一種製造具有結構的電谷Is的方法。本發明的電容器最好被使用於邏輯和；或類比電路中。一種製造該電容器的較佳方法將被說明如下經忒部智慧財產局員工消費合作杜印製弟6圖說明一第一導電層的形成（亦即沈積），其最好由含鋁和/或鋼合金的材料或這些材料的混合物所組成。该第一導電層被形成於絕緣基板200上，並可以任何熟知的技術沈積，但最好以金屬化法形成。該第一導電層可使用光阻圖案（未表示於圊中）作為罩幕而被蝕刻，而定義導線形成部份與電容器形成部份，以個別形成一第一導線 202b與一下電極2〇2a於基板2〇〇上。雖然未表示於圖中， 4應瞭解地疋，ϋ由諸如導電插塞及相似者，該第一導線 202b可被電連接至絕緣基板2〇〇中的任意導線。在本發明的方法中，該層刻劃特性可被提升’且絕緣層了〇〇與下電極2〇2a間的接觸電阻可以較佳方法形成該第一導線202b與下電極2〇23而被降低。在本實施例中，該第本舰受州 11 297 428 9 4 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 Β7 五、發明說明（9 ) 一導線202b與下電極202a被形成並使用光阻圖案（未表示於圈中）作為罩幕進行姓刻，以定義一電容器形成部份及一導線形成部份。該第一導線2〇2b與下電極202a最好以連續沈積一金屬阻障層（未表示於圖中）、第一導電層及一抗反射層（未表示於圖中）於該絕緣基板2〇〇上而形成β該金屬阻障層和/或抗反射層可為：(1)一單層結構，其包含由Ti， Ta，Mo’ TiN，TiW，TaN及MoN等所選擇的材料；和/或（II) 一複層材料，其包含由W-N，W-Si-N, Ta-Si-N，W-B-N及 Ti-Si-N等所選擇的材料；和/或（111)(1)與（11)的混合物。第7圖表示形成一經平坦化的中間絕緣層2〇4於該絕緣層200上，其現在包含第—導線2〇21)及下電極2〇2a。該經平坦化的中間絕緣層204可以諸如乾式蝕刻法蝕刻，以曝置出預定的下電極202a表面及預定的第一導線2〇2b表面。該姓刻製程同時形成一第一介廣孔h 1及一第二介層孔h2。介層孔hi的直徑最好大於介層孔h2的直徑，如第7圊所示。如第7圖所示，介層孔hi係以蝕刻後留置的中間絕緣層 2〇4定義。熟習的技術人員得使用光阻圖案作為罩幕和/或姓刻該中間絕緣層204，以曝置出預定的下電極202a與第一導線202b表面，並同時形成介層孔hi與h2。在氧化層被留置於或被形成於該第一導線202b與下電極202a的狀況中，（該氧化層可為蝕刻中間絕緣層2〇4所產生的姓刻副產品，或者為自然氧化物），最好進行RF濺射触刻以移除所有存在的氧化物。熟習的技術人員得以進行適當的RF濺射蝕刻以移除所有氧化層β 本紙張尺度適財難家標準（CNS)A4祕⑵G X 297公爱） 12 I I--^ i I I I ---· H I I I ---線 (請先閲^背面之注意事項再填寫本頁> A7 五、發明說明（〗〇 ) -----乾— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可使用本技藝所熟知的任何蝕刻技術，以進行中間絕緣層204的蝕刻。該中間絕緣層2〇4最好以濕式蝕刻或乾式蝕刻蝕刻之。此外，濕式蝕刻與乾式蝕刻可同時被進行以蝕刻該中間絕緣層204(亦即進行濕式蝕刻並接著進行乾式蝕刻，或者進行乾式蝕刻並接著進行濕式蝕刻及乾式蝕刻等任何蝕刻製程的組合皆可被進行’而熟習的技術人員得以使用在此所提供的技術姓刻該中間絕緣層。第8圈說明形成一第二導電層2〇6(最好由含鎢的材料所製成）被形成於中間絕緣層204上。該第二導電層2〇6亦被形成於該第一與第二介層孔…與”中。第二導電層2〇6 得以使用本技藝所熟知的技術而被沈積（形成）於上述的諸層上。 ----i本經濟部智慧財產局—工消費合作社印製第9圖說明第二導電層2〇6的回蝕（最好使用非等向性乾式姓刻），以形成間隙壁2〇8(最好為含鎢材料組成的導電層所製）於第一介層孔hl的内壁2〇5上。間隙壁2〇8最好為傾斜的間隙壁，以使得接近所曝置之下電極2〇2a表面的間隙壁208直徑小於遠離所曝置之下電極2〇2a表面的間隙土 208直么。第_導電層206的回敍亦形成導電插塞2 1 〇(最好為含鶴材料組成的導電層所製）於第二介層孔h2中。在選擇性地姓刻該第二導電層2〇6後，其被曝置出的表面包含間隙壁208、導電插塞21〇、預定的下電極2〇2&表面以及殘留的預定中間絕緣層2〇4表面。其次.一介電層212可使用任何本技藝所熟知的層沈積·ί又％，而被形成於該所曝置出的表面上。介電層2丨2最 3 3 ί克尺办舀國家標規柊經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4289 4 at B7 五、發明說明（η ) 好化學氣相沈積（CVD)法形成。該介電層212可被形成具有：（1)一單層結構，其包含一個氧化層（使用諸如電漿輔助氧化物（PEOX)、P-SiH4、高密度電漿（HDP)等沈積技術) 或一個氮化層（使用諸如電漿輔助氮化矽（PESiN)等沈積技術）；和/或（II)一複層結構，其包含上述的單層結構（諸如氧化物/氮化物 '氮化物/氧化物、氧化物/氮化物/氧化物、氮化物/氧化物/氮化物如上述，介電層212最好被形成於第—介層孔hl中，以使得其邊緣因間隙壁2 0 8而些微傾斜。該結構係用以避免在第一介層孔hi的二個下緣轉腳處產生不連續性（如第5 圊所示之發生於傳統電容器中的情形）β在傳統電容器中，若介層孔hi的邊緣非傾斜或者具有幾乎垂直的梯度，在沈積介電層時將於介層孔h 1的二個轉角處產生不連續性（其係切割該下電極）。第10圖說明移除除了電容器形成部份以外之所有區域的介電層212後的電容器，其包含下電極2〇2a、間隙壁2〇8 及介電層212。該介電層212可以任何得以移除介電層的技術被移除，且最好使用一光阻圖案（未表示於圖中）作為罩幕以定義電容器形成區。在移除部份的介電層212後，一第三導電層（最好為含銘和/或銅合金材料所製）可被形成於中間絕緣層204、導電插塞210及介電層212上。該第三導電層可使用一光阻圖案（未表示於圖中）作為罩幕進行蝕刻，以定義電容器形成部份及導線形成部份。一第二導線214b及一上電極214a可本纸張尺度適用中國國家標準（CN’S)A4規格（210 X 297公f ) 14 -— — — II I----' I I I - - ------· I I I I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 . E -- _______-I- ...... -- II |丨___本經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（l2 ) 藉由姓刻該第三導電層而被形成，以完成本發明之製程。如第10圖所示，所形成的上電極214a寬度最好較第—介層孔h 1中的介電層為寬。此外，該第二導線214b被連接至第二介層孔h2中的導電插塞210。在本發明中，層刻劃特性可被增加，且當該第二導線 214b與上電極214a以連續沈積一金屬阻障層（未表示於圖中）、第三導電層及一抗反射塗層（未表示於圖中）於中間絕緣層々04上、導電插塞210及介電層212而被形歧時接觸電阻可被降低。該金屬阻障層及抗反射塗覆層可由如上述之相同材料製作。在沈積該諸層後，其可使用一光阻圖案（未表示於圖中）作為罩幕而被連續地蝕刻，藉此該圖案將定義一電容器形成部份及一導線形成部份。熟習本技藝之技術人員得以形成並蝕刻該諸層；以形成半導體積體電路電谷？i的各部份。第10圖亦表示由導電層材料所製的下電極202a可被形成於預定的絕緣層200部份。中間絕緣層2〇4接著可被形成於絕緣層200及下電極202ai。介層孔h〗最好被形成以穿經絕緣層204，而曝製出預定的下電極2〇以部份。在形成介層孔h 1後，間隙壁2〇8(最好具有如第丨〇圖所示的傾斜表面且最好由導電層材料所製）可被形成於介層孔hi的邊緣 ”電層2 12接著可被形成於介層孔h 1底部上及預定的中間絕緣層2G4部份，所以其涵蓋間隙壁洲。最後，一上電極2Ha(最好由導電層材料所製）可被形成於預定的由間絕緣層204部份上以及介電層212上』完成具有上述则 ^度3用中^國家標準（CNS)A.丨 -i n - ϋ I n n 1!tKs^ n I n n n n . 1 I» n I i n 1 I 1· >δ.- (請先閱讀背面之注音？事項再填:4,本頁) 442894 啪年1月丨日修正/更正/補充 A7 ___ B7_____· 五、發明說明（13 ) 結構的電容器。根據本發明之一較佳實施例’該電容器的形成方式為使用間隙壁208(最好由含鎢材料所製）的第一介層孔^^的邊緣係些微傾斜。在本實施例中，當介電層被沈積於該傾斜的間隙壁208上時，在介層孔hl的二個下緣轉角處的不連績性將不會發生，以確保均勻的電容量並提升良率。為熟習本技藝之人士所清楚瞭解地是各種改良與改變可於不違背本發明之精神與範疇下，在半導體積體電路電容器及其製法中為之〇因此，其係希冀本發明涵蓋為所附申請專利範圍及其相當事項的範疇中所提供之本發明的改良與改變。元件標號對照 100…絕緣基板 102a…下電極 102b…第一導線 104…中間絕緣層 106…介電層 108…導電插塞 110a…上電極 110b…第二導線 202a···下電極 202b…第一導線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ^7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---I---訂-------— 線 200…基板 204…中間絕緣廣 205…内壁 206···第二導電層 208···間隙壁 210…導電插塞 212…介電層 214a…上電極 214b…第二導線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16

Claims

4 4PfiQ 4 —1¾面影印 A8 B8 C8 D8 和年》月/日修正/更」;./矧充經濟部智慧財產局員工消费合作社印製六、申請專利範圍第88112469號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：90年2月 1. 一種半導體積體電路電容器，其包含：一絕緣基板；一設置於預定的絕緣基板部份上之下電極；一設置於該絕緣基板與下電極上之中間絕緣層；一具有邊壁的介層孔，該介層孔穿經中間絕緣層並曝置出預定的下電極表面；一設置於介層孔壁面上的間隙壁；一介電層，其設置於：(1)鄰接預定之下電極表面的介層孔底面；（II)預定的絕緣層部份；（III)間隙壁；以及一設置於預定的中間絕緣層部份上並設置於介電層上的上電極。 2. 如申請專利範圍第1項之電容器，其中該間隙壁係由含鎢材料所組成的一導電層所製β — 3. 如申請專利範圍第I項之電容器，其中該介電層具有一結構，係選自於：（1)一單層結構，包含一個氧化層或一個氮化層；或（II) 一複層結構，包含選自於由氧化層、氛化層及其混合所構成的群組中之數層。 4. 如申請專利範圍第3項之電容器，其中該氧化層使用一採用電漿輔助氧化物（PE0X)、P-SiH4、高密度電漿（HDP) 之沈積技術製作。 5. 如申請專利範圍第3項之電容器，其中該氮化層係使用本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - ----------- ^------II 訂---------線- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部智慧財產局員工消費合泎.fi印製 A8 -------Κ 啪年>月1日修正/更正/補^ $、申請專利範圍一採用電漿輔助氮化梦（PESiN)之沈積技術製作。 6. 如申請專利範圍第3項之電容器，其中該複層結構係選自於由氧化物/氮化物層、氮化物/氧化物層、氧化物/ 氮化物/氧化物層及氮化物/氣化物/氮化物層所構成的群組。 7. 如申請專利範圍第1項之電容器，其中該下及上電極係以選自於鋁合金、銅合金及其混合物之一物質製作。 8. 如申請專利範圍第7項之電容器，其更包含一設置於下和/或上電極表面上的抗反射層。 9_如申請專利範圍第8項之電容器’其中該抗反射層具有一結構，該結構係選自於由：(〇一單層結構，其包含一或多個選自於由 Ti，Ta，W，Mo, TiN, TiW, TaN及 MoN 所構成的群組之材料；（II)一複層結構，其包含一或多個選自於由W-Si-N，Ta-Si-N，W-B-N及Ti-Si-N所構成的群組之材料；以及（ΠΙ)其混合所構成的群組。 10. 如申請專利範圍第7項之電容器，其更包含一設置於下和/或上電極表面上的金屬阻障層。 11. 如申請專利範圍第1〇項之電容器其中該金屬阻障層具有由一結構，該結構係選自於由：(1) 一單層結構，其包含一或多個選自於由Ti，Ta，W，Mo, TiN，TiW，TaN及 MoN所構成的群組之材料；（II) 一複層結構，其包含一或多個選自於由W-Si-N，Ta-Si-N，W-B-N及Ti-Si-N所構成的群組之材料；以及（III)其混合所構成的群組。 12‘一種製作半導體積體電路電容器的方法，其包含：未紙張尺度適用中國國家標準（C>：S)A4規格（210 X 297公釐） ill----^----I---^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18 史 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍提供一絕緣基板；同時形成一第一導線及一下電極於預定的絕緣基板表面上；形成一中間絕緣層於基板上及第一導線與下電極上；選擇性地蝕刻該中間絕緣層，以曝置出預定的下電極表面及預定的第一導線表面，藉以同時在該中間絕緣層中形成：(1)第一介層孔，其具有壁面並設置於下電極上’以及（Π)第二介層孔，其設置於第一導線上；形成一導電層於中間絕緣層上以及該第一與第二介層孔中；回蝕該導電層而形成：(1)間隙壁於第一介層孔壁面上；（II)一導電插塞於該第二介層孔中；以及（III)一被曝置出的表面，其包含有間隙壁、導電插塞、預定的下電極表面以及預定的中間絕緣層表面；形成一介電層於該曝置的表面上； / 移除除了設置於間隙壁上之預定介電層部份以及預定下電極表面以外之位於該曝置表面上的介電層；以及同時形成：(1)一連接至導電插塞的第二導線；以及 (II) 一連接至介電層的上電極。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該間隙壁係由含鎢材料所組成的一導電層所製。 14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該介電層具有一结本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -i n I ϋ —I I 1 一-β’ · n ϋ I n I , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印製力、申請專利範圍構’係選自於：（I) 一單層結構，其包含—個氧化層或一個氮化層；或（II)一複層結構，其包含選自於由氧化層、氮化層及其混合所構成的群組中之數層。 15·如申請專利範圍第14項之方法，其中該氧化層使用一採用電漿輔助氧化物（PEOX)、p_SiH4、高密度電漿（HDP) 之沈積技術製作》如申請專利範圍第14項之方法，其中該氮化層係使用一採用電漿輔助氮化矽（PESiN)之沈積技術製作。 17_如申請專利範圍第14項之方法’其_該複層結構係選自於由氧化物/氮化物層、氮化物/氧化物層、氧化物/氮化物/氧化物層及氮化物/氧化物/氮化物層所構成的群組。 18. 如申請專利範圍第n項之方法，其中該下及上電極係以選自於由鋁合金、銅合金及其混合物所構成的群組之一材料製作。 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其更包含一設置於下和 /或上電極表面上的抗反射層。 . 20·如申請專利範圍第19項之方法其中該抗反射層具有一結搆，該結構係選自於由：(1) 一單層結構，其包含一或多個選自於由 Ti，Ta，W，Mo, TiN，TiW，TaN及 MoN所構成的群組之材料；（Π) 一複層結構，其包含一或多個選自於由W-Si-N，Ta-Si-N，W-B-N及Ti-Si-N所構成的群組之材料；以及（III)其混合所構成的群組。 21.如申請專利範圍第18項之方法，其更包含一設置於下和 /或上電極表面上的金屬阻障層。 (CMS)A4 規樁（210 X 297 公釐） -----------I -裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 CQOOOQ 炤 ABC0 、申靖專利範圍 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該金屬阻障層具有由一結構，該結構係選自於由：(1) 一單層結構，其包含一或多個選自於由Ti，Ta，W，Mo, TiN，TiW，TaN及 MoN所構成的群組之材料，（II) 一複層結構，其包含一或多個選自於由W-Si-N, Ta-Si-N，W-B-N及Ti-Si-N所構成的群組之材料；以及（III)其混合所構成的群組。 23. 如申請專利範圍第12項之方法，其更包含在形成第一與第二介層孔後，以RF濺射蝕刻該中間絕緣層與該第一與第二介層孔。 24. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該中間絕緣層係以一加工進行選擇性蝕刻，該加工係選自於由乾式蚀刻、濕式蝕刻及乾式/濕式蝕刻所構成的群組。 25. 如申請專利範圍第1項之電容器，其中該設置於介層孔壁面上的間隙壁具有傾斜表面。 26. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該設置於介層孔壁面上的間隙壁具有傾斜表面。一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線t 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 21