TW436912B - Wet etching apparatus for manufacturing semiconductor devices and method of circulating etching solution therein - Google Patents

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2A A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 本發明之領域： 本發明係w於一種用以製造半辱饅裝置之溼式蝕刻設 備及一種使蝕刻溶疲循環於其中的方法，尤指用以獲得該 蝕刻溶液之有效率的循環並且防止蝕刻製程之副產物與在 相Μ之製程中的晶圓相接觸之一種溼式触刻設備和一種使 蝕刻溶液循環於其中的方法。 相闞技術之說明： 一般來講*半導歷裝置製程過程係Κ最上層之藉由曝 光製程而被形成於晶圓之上的光阻孔S由蝕刻製程而被適 當及選擇性地去除* Μ及具有逋當霣氣特性之裝置拜由後 續之像«子注入與磊晶層的形成等的製程來進行。 牲刻製程大致包括溼式蝕刻、霣漿蝕刻、離子束研磨 、Κ及活性離子蝕刻等等•並且嫌乎所有的蝕刻製程均在 蝕刻室的内部實施。 在上述的»刻製程之中，涅式蝕刻係最經濟的和最具 產能的*並且該雇之正確的去除極度地視蝕刻溶液的溫度 和胜刻時間、Μ及蝕刻溶液的組成等狀況而定，通常 > 蝕 刻溶液的溫度雄持在室溫•但是為了蝕刻速率的改菩及蝕 刻效率的改進，該tt刻溶液可以被加熱至固定的溫度，而 且，為了维持胜刻溶液的潔淨，該蝕刻溶碎使用幫浦和通 濾器來循環及通«。 為了埴®目的•圖1顯示傳統用以製造半導體裝置之 溼式蝕刻設餚的一個實施例，該傳統的涅式蝕刻設備包括 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2丨0X 297公釐） i 2 4 A7 B7 五、發明説明（>) —個用以維持與蝕刻有鼷之晶圓的内槽11、一個被連接 到該内漕1 1之上側端外画表面的外槽1 2、K及一個被 埋接到該外槽1 2的循環管1 3，如在蹰1中循箭頭所指 的方向來循環胜刻溶液，換句話說，從内槽1 1流出到夕卜 槽1 2的Μ刻溶液箱由配備於循環管1 3之上的幫浦14 之驅動而通過該循環管13及過濾器15·並且再次被供 懕入内楢1 1之中，一個排出管1 7更被埋接到排出閥1 6而使得使用過的牲刻溶液或在蝕刻期間所產生的微小粒 子經由該排出管17而被排出。 因為向下流入外播12的蝕刻溶液藉幫浦14來吸收 、通過過濾器15Κ便被過濾及供應入內槽11之中•所 Κ蝕刻製程被實施於其中的內懵11總是被供應有經過漶 及潔淨的蝕刻溶液而因此在蝕k期間能夠防止晶圓被微小 粒子等物所污染。 經濟部中央標準局員工消费合作社印掣 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 但是，在用以製造半導通裝置之傳統的溼式胜刻設備 中，因為撤小粒子，就如同像在牲刻製程期間所產生之殘 留物一樣的副產物•通過内槽11和外權12及循環管1 3等，並且再次被導入該内槽1 1之中•所以該微小粒子 等物沈澱在該内播11的底部之上、在蝕刻溶液的循環期 間向上移勦而經過晶圓、並且經通内槽1丨而下沈至外權 1 2之中，因為他們格由配備於循環管1 3之上的幫浦而 通過該循環管1 3並且被過漶器1 5所通濾和去除，晶圃 的再污染可Μ說是很嚴重的•該晶圓的再污染可K說是降 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 43S9^2__^__ 五、發明説明（1 ) 低半導«裝置之生產良率的因素，而因此，強烈要求發展 用以製造半導賵装置的溼式蝕刻設備以及使在該溼式蝕刻 設備中的胜刻溶液循環之方法κ防止於蝕刻製程期間在該 溼式胜刻設備中之晶圓的再污染。 本發明之β述： 本發明係指提供一種用以製造半導《装置之溼式触刻 設備Μ便防止於蝕刻期間在其中之晶圃的再污染。 本發明的另一目的在於提供一種在製程期間使用Κ製 造半辱腰裝置之蝕刻溶液循瓖於該溼式蝕刻裝置之中的方 法。 依攞本發明之目的，為了獲得逭些及其他的優點，如 同被具髓化和廣泛地說明，用以製造半専體装置之浬式胜 刻設備包括一個用以容蚺用於蝕刻之晶圓的内槽；一俚被 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印簟 槽 ；。 - } 具傾 内管浦面 α 成的 從瑁幫底 ί 斜面 疲循的斜 角 傾底 溶的環傾 斜 被型 刻中循之 傾 且斗 蝕之液 }。 的 ，而濯 使側溶α管度 面之 Κ 上刻 t 環 5 底播 藉的蝕角循 1 的內 條描使斜的到 型該。 一内；^ 傾裡 5 斗且度 ; 該用有那有 钃並角 槽入中具到具 為，斜 外懕管成接好 成>傾 的供環形連最 形 α 的 側而循被被面 被 t 度 上播於面向斜 面角 5 之外設底朝傾 底斜 1 槽到装的斜的 的傾到 内瑁被槽傾槽 槽之 5 該循届内下内 内定有 到傷一 該向該 該固具 接下及 其 一角 連的以 尤 。 有斜 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 436912 ： B7 五、發明説明（十） 此外· 一偁過濾器更被裝設於循環管中。 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 連接到外槽之循環管的末端而被形成為τ型的供懕管 來垂直地供應蝕刻溶液到外槽的底面，並且被連接到那裡 的一個排出閥和一條排出管更被裝設於該循環管之中。 依照本發明之用Μ製造半導《裝置的溼式胜刻設備包 括一個用以容納用於蝕刻製程之談論中的晶圆之內槽、一 條被形成於該内槽的上側外圍面之上Μ便環鐃該内播的環 彤管、一條被連接Κ便使蝕刻溶液從内槽之下俚被循瑁到 該環形管而使其被供應入内播的上側之中的循瑁管、Κ及 一個被裝設於循瑱管之中从便使蝕刻溶液循環的幫浦，其 中經由複數個被形成於内槽的两糖上之供應孔來連接該循 環管和内槽。 内槽的底面被形成為具有一固定之傾斜角（α)的》 斗型的底面*並且該傾斜角最好係5到15度。 瑁形管經由傾斜的供應管而被連接到内槽之上俩外鼷 面，並且該傾斜的供懕管被装設而向下傾斜向内檷，而且 該傾斜的供應管最好具有5到15度的傾斜角（；9)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 除此之外，多於兩條的環形管被各自地裝設於内播的 上側外围面之上。 依照本發明之使用Κ製造半導級裝置名湮式蝕刻設供 之胜刻溶液循環的方法，蝕刻溶液在從具有即將被蝕刻之 蝕刻室的下俩被排出之後被循環並且被供應到該蝕刻室的 上悝。 -6- 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） 43691 2 ^ at B7 五、發明説明（i) 蝕刻溶液在循環期間被過漶器所過漶。 一種使用溼式蝕刻設備來使蝕刻溶液循環的方法*該 溼式蝕刻設備包括一個用以容納用於蝕刻之晶圆的内槽、 一個被連接到該内檷的外槽、一條藉Μ使蝕刻溶液從内槽 的下側循環到外播而供應到内槽之上側的循環管、Κ及一 個被裝設於循環管中用Κ使用來製埴半導«装置之蝕刻溶 液循環的幫浦*該方法係Κ蝕刻溶液從用以容納用於胜刻 之晶圔的溼式蝕刻設備之內槽的下側被排出、通過循環管 並且供應到内槽的上側這樣的一種方式來實施。 可Μ了解到前述之一般說明和下列之詳细說明兩者均 係代表性及說明性的，並且意欲提供如所申猜之専利的本 發明之進一步說明。 附之概略說明： ' 在伴随的圈形中： 1係一個顯示用Κ製造半導«装置之傳統的溼式蝕 刻設備之示意Η ; 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Η 2係一 fi顯示依照本發明之用Κ製造半導15装置之 溼式蝕刻設備的一個實施例之示意匾； 圔3係一個顯示依照本發明之用以製造半導鼉装置之 溼式胜刻設埔的另一個實施例之示意圖；， 圚4係一個顯示依照本發明之用K製造半導體装置之 溼式蝕刻設備的又一届實施例之示意圖； 醒5係一個願示依照本發明之用以製造半導I»裝S之 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ox 297公釐} A7 ^389/2 ___B7_ 五、發明説明（b) 溼式蝕刻設備的再一偁實施例之示意匾；Μ及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖6係一個顯示依照本發明之用Μ製造半専S装置之 溼式蝕刻設備的又再一個實施例之示意圏》 較佳實施例之詳细說明： 本發明現在將於下文中#考伴皤之疆形來說明，而文 中也顧示較佳之實腌例•但是•本發明Κ許多不同的方式 而被具暖化並且不應該受限於在此所提出之實施例的结構 •而是，提供這些S胨例使得此揭示將是嫌底且完整的， 並且將充分地把本發明之範明傳達給習於此技者。 如在驪2中所顯示，一種依據本發明的一個實施例之 用以製造半導體裝置的溼式蝕刻設備包括一個用Μ容纳用 於蝕刻之晶圓的内檷1 1、一個被連接到該内槽1 1之上 俩的外槽12、一個用Κ使蝕刻溶液從内槽1 1之下傷循 環到外槽12並且供懕入該内懵1 1之上側的循環管13 、以及一個被裝設於該循環管13之中用Μ使触刻溶液循 環的幫浦1 4。 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 大部分的蝕刻溶液被容纳於内槽1 1之内，並且一偏 裝載即裝被蝕刻之晶圓的卡匣被導入其中。 外槽12被整合而固定於内槽11的上側外·面之上 ，並且牲刻溶液被包含於其中一段時間*再流入内播1 1 之中*而後被供應到内槽11的上側。 在内播i 1之中的蝕刻溶液藉由循瑁管1 3之中所配 備之幫浦14的操作而通《被埋接到内漕1 1之下«的循 -8 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） *ί A7 B7 五、發明説明 環管1 3被排出，並旦被供應到内榷1 1的上侧。 在循瑁管13之中所配備的幫浦14作用而使蝕刻溶 液如上所述地從内權11之中排出並且供應到内槽11的 上側。 因此•具有如上所述的结構之用以製造半導髓装置的 蝕刻室藉由透過邊濾器15過濾於蝕刻製程期間在蝕刻溶 液中所產生之《副產物一揉的微小粒子來實施蝕刻製程Κ 便防止晶画的污染。 内槽1 1的底面被形成為具有一固定之傾斜角（α) ，而特別向下朝向被連接到那裡之循環管13的傾斜面2 1 ，上面之傾斜的底面2 1與内槽1 1被整合成一饉*並 且在胜刻製程期間所產生之當作副產物的微小粒子等物藉 由重力於其下沈期間被集通地聚集在一起•而且很容易地 透過被連接到那裡的循環管13而從内槽11中被排出》 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 內楢1 1之傾斜的底面2 1最好具有5到1 5度的傾 斜角（α) •在該傾斜的底面21之傾斜角係小於5度的 狀況下，因為傾斜角是如此的小，以致於具有大直徑之大 的粒子不能足夠快速地朝同循環管移動•相反地·如果該 傾斜的底面2 1之傾斜角係超通1 5度，那麽因為該傾斜 角是這麽的大而使得對於容纳包含晶圓之卞匣的空間而言 •處理室之整個通積係大的，但是，該傾斜角的範圔被遺 當地控制•舉例來講，依照所談諭之即將被蝕刻之晶固的 直徑，對於習於其技者而言係眾所皆知的。 -9- 本紙張尺度速用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210 X 297公釐} A7 1 ____B7__ 五、發明説明（t) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如在匾3中所顏示*内楢1 1的底面被形成為漏斗型 的底面2 2，該漏斗型底面2 2偽和上面之傾斜的底面相 同或相似的，並且内撸1 1之漏斗型底面22的傾斜角被 形成而傾斜有5到15度的傾斜角。 除此之外，一個過濾器1 5更被裝設於循環管i 3之 中，在循環管1 3中所配備的過濾器1 5過濾透過循環管 1 3所循環之蝕刻溶液並且藉由過漶/去除在蝕刻溶液中 所含的微小粒子以及淨化蝕刻溶液而瀠淨該蝕刻溶液，藉 以防止晶圓受到在該蝕刻溶液中的粒子所污染。 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 對於習於此技者而言*該幫浦1 4和*濾器1 5均係 眾所皆知並且普遍使用的，被埋接到外槽1 2之循環管1 3的末端被形成為用K供懕蝕刻溶液之T型的供懕管31 ，並且藉由該T型供應管3 1的使用*透通循環管1 3而 被供應作外槽12之中的蝕刻溶疲不致埴成在該外播12 中的渦流，K便經由外槽1 2將蝕刻溶液供應入内槽1 1 中*該T型供應管3 1接著被連接到外槽12之T型組伴 的形狀而被命名，並且皤之而後，該T型供懕管31能夠 被成彤而平行於外槽1 2的底面，於是，經由循環管1 3 所供懕之蝕刻溶液被平行於底部地被導入外槽12而致使 一點也不會形成渦流。 、 被理接到那裡的一俚排出閥16和一個排出管17更 被装設於循環管13之中。 經由循環管13所循環的辁刻溶液透過連接到該循環 *10- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） 43 S9 1 2 . A7 B7 五、發明説明（1 ) 管13之排出閥16和排出管17而被完全地排出蝕刻設 備之外，並且在蝕刻溶液中所包含的粒子之中藉由重力而 沈澱之粒子與部分的蝕刻溶液一起被排出*透過被連接到 排出閥16之排出管17·被排出蝕刻設備之外的蝕刻溶 液被排放到用於蝕刻溶液之濟理的廢液槽。 此外，如在·4中所圔示，一種用K製造半導體裝置 之溼式蝕刻設傳包括一個用Κ容納用於蝕刻之晶圓的内欏 1 1 ; 一懾被形成於該內播1 1的上側外圃面之上Κ便環 箱該内槽11的環形管41;一條被連接以便使蝕刻溶液 從該内槽1 1的下俩被循環到該環形管41而使其被供應 人該内播1 1之上側中的循環管1 3 及一個被装設於 該循環管1 3之中Κ便使蝕刻溶液循環的幫浦14 *其中 透過複数個在該内槽11的側牆之上所形成的供愿孔來缠 接該循環管1 3和該内植1 1。 内槽11之傾斜面具有5到15度的傾斜角（ct)， 或者其底面被形成為具有一固定之傾斜角（α)的漏斗型 ，最好，該傾斜角形成為5到1 5度。 經濟部中央標率局員工消费合作社印製 I - - I - - II ^^1 -- - I.*R Ϊ- ^^1 m- (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 環形管4 1锂由供應管42而被連接到上側外醑面， 該環形管4 1被連接而瑁篇該内播於其上供外騸面上，並 且循環管13被連接到該環形管41而使f經由該循瑁管 1 3所供應之胜刻溶液被均勻地從内楢1 1的上側供應到 該内槽1 1而設有外槽，換句話說•浞經幫浦14之蝕刻 溶液經由循環管1 3而被供應入環形管4 1之中，並且在 '11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 6s 1 2 ____B7_ 五、發明説明（/ D ) 該環形管4 1所供懕之蝕刻溶液經由在内槽1 1之上側» 上所形成的供應孔42而被供應入該内播11的上側之中 ，於是，經由環形管4 1而被供應入循環管1 3中之蝕刻 溶液流經該循環管13以便均勻地以該内槽11為中心被 糴射狀地供應。 除此之外，如在圖5中所顯示，環形管4 1經由傾斜 的供懕管43而被連接到内檷11的上側外麵面，該傾斜 的供應管4 3使得藉由重力而從環形管4 1所供應人内槽 1 1之中的蝕刻溶液容易流動•其能夠透遢介於該環形管 4 1與該内檐11之間並且指向內槽11的傾斜角（/3) 來完成，最好，該傾斜之供應管43的傾斜角（/3)係5 到15度*該傾斜角（/?>被認為係為了蝕刻溶液之容易 流動的角度，並且本發明並不是僅被應用於此實施例而已 ，而因此該傾斜角可K被調整到使蝕刻溶液易於被供懕而 且在該内槽1 1之内不會有任何湯流產生，其對於習於此 技者而言係眾所皆知的。 此外*如在匾6中所顯示，多於兩條的環形管4 1被 各自装設於内描11的上側外圃面之上•而且該複數條環 彤管4 1藉由連接管44而互相逮接，該連接管44作用 以使在介於該複數條環形管41之間所循f之蝕刻溶液的 分布均勻K便均勻地供懕蝕刻溶液。 一種使用K製進半導髓装置之蝕刻溶液循環的方法包 括從容納即將被蝕刻之晶圚的胜刻室之下側排出蝕刻溶液 -12- 本紙張尺度適用中國囡家標準（〇咕）八4規格（2!0父297公釐> ---------装------訂------夂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) \ 經濟部中央標準局員工消费合作社印策 經濟部中央標準局S工消费合作社印裝 43691 2 A7 _B7_ 五、發明説明（丨I ) κ及供應該蝕刻溶液到蝕刻室之上側以便使其被循頊等步 驟•該蝕刻溶液之流動的方尚係Μ其在傳統之胜刻設備中 流動的方向為方向•也就是說，在独刻製程僅期間所產生 之粒子藉由重力而下沈的方向* Κ及藉由幫浦1 4而被循 環之蝕刻溶液的循環均相同而使得從晶圓所分離出之粒子 不能夠再被黏附於該晶II之上，因此，晶圚之再污染被防 止並且所沈澱之粒子皆立刻被排出姓刻室之外。 蝕刻溶液在循環期間被過漶器15所過灌而使得繼續 維持該蝕刻溶液的潔淨並且防止晶圓被微小粒子再污染。 一種使用用Μ製造半導暖裝置之浬式触刻設備來使蝕 刻溶疲循環的方法包括步驟：從包括一個用以容纳用於触 刻之晶固的内槽11;一個被連接到該内槽11的外推1 2 ; —條藉由將蝕刻溶液從内槽1 1之下側循環到外權1 2而供懕到内槽11之上側的循環管13:Μ及一個被装 設於該循環管之中用以使蝕刻溶液循環的幫浦之用以製造 半導fi装置的溼式蝕刻設備之該内槽的下側排出姓刻溶液 ;和在通過該循環管1 3之後將独刻溶液供應入内槽1 1 的上锯之中。 因此，在蝕刻製程期間受到在製程中所產生之粒子的 晶圓之再污染被防止。 ， 仍進一步地·在本發明已經被詳细地說明的同時，應 該了解到各檯的改變、替換及變化能夠被達成於此而沒有 埵反如同被所附加之申請專利範圍所定義之本發明的精神 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格UlOX29^公釐） ----------装------訂------泉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 4 3 β 9 ί 2 五、發明說明（ 與範曝。 主要部份代表符號之藺要說明 11 肉槽 1 2 外@ ί 3 循環管 14 幫浦 1 Β 過濾器 16 排出閥 1 7 排出管 2 1 底面 2 2 底面 3 1 洪應管 4 1 環形管 4 3 供應管 4 4 連接管 - ----------- ^ -----„— 1 — 訂·--------^' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. Α8 BS C8 D8 43β912 經^部智^財-^:^:工消^^作社卬㉒ 六、申請專利範圍 1 1 * — 種 微 JPS» 电 子 基 板 的 蝕 刻 設 備 * 其 係 包 括 1 I -一 個 包 括 一 底 壁 的 第 容 器 f 1 1 I —, 個 被 配 置 來 接 收 徽 電 子 基 板 於 其 中 VK 用 於 理 的 第 請 1 1 ή ! 二 容 器 ， 第 二 容 ΰά 偽 包 ίύ 一 假 界 定 — 大 致 垂 直 的 铀 向 .七 讀 背 i ! & ! 開 Π 頂 端 部 分 fi 傾 斜 的 底 壁 >Λ 及 一 個 1? 於 該 傾 的 底 ! 注 1 壁 之 ί=Ι m 上 的 部 分 下 的 山 山 Π 事 1 1 其 中 該 頂 端 itr7 oU 分 \k 延 抻 通 過 該 第 —* 容 D □ *ΐ· ΠΓΓ 的 底 壁 且 與 再 填 Μ 本 頁 1 裝 1 該 第 _. 容 p.y 為 流 •2益 特 相 通 的 R 用 於 從 該 出 □ 循 環 Μ 刻 m 藉 至 該 第 容 器 的 健 構 I 1 2 如 Φ 請 專 利 範 圍 第 i 項 的 設 備 其 中 該 第 二 容 1 1 的 底 壁 係 相 對 於 該 -=Λ 直 ι*»Ή Q'J 轴 向傾斜9 5度至 1 0 5度之間 訂 3 如 审 請 專 利 範 圍 第 2 項 的 設 備 其 中 該 第 二 容 器 的 底 壁 係 可 調 整 的 1 1 4 如 Φ m 專 利 範 圍 第 1 項 的 設 溝 其 中 該 第 二 容 α σ 益 1 | 的 775?· ik 包 括 — 具 有 下 斂 的 較 低 部 分 之 圓 'JU- m 1 旅 5 50 电 請 專 利 範 iS 項 的 ~fL □又 偁 1 其 中 該 循 環 m 搆 I 1¾ 包 in 用 於 将 i亏 -Vft 7+ί 物 •·λΛ byr L·^/, Εΐ 刻 溶 η 1>^· 出 -y. 溝 1 1 6 * 如 甲 譜 專 利 範 圍 第 1 項 的 設 備 9 其 中 該 循 環 機 構 1 1 η ίύ 用 於 沿 著 該 底 壁 、 在大致垂直於該垂直的袖问上供 1 I 應 該 鈾 刻 溶 液 到 該 第 __. 容 器 的 槠 構 J 1 ! J ^7 如 申 請 專 利 範 圍 ¥ 1 項 的 hfL aX 餚 * 其 更 包 括 用 於 從 1 1 該 循 環 jMft 構 排 出 污 染 物 m 独 刻 溶 m 的 溝 1 1 8 一 種 微 子 基 板 的 独 刻 -η. π义 厢 1 其 包 括 I 1 - 1 - 1 1 1 本.¾張又度適用中國國家樣华（CNS ) Λ4現格（2!0X 公羡） ABCD 4 W 2 ： 435912 V 經濟部1·"·財4¾¾工消骨^作让.:!i^ 六、申請專利範 圍 ί I —- Μ 被 配 置 來 接 收 微 電 子 基 板 於 其 中 Κ 用 於 處 理 的 η I I ! πίϊ J 該 容 器 係 a 括 —一 1® 界 定 — 大 致 直 的 軸 向 之 頂 端 部 分 I ! I 一 個 傾 斜 的 底 壁 — 個 延 伸 在 該 頂 部 與 ά次 傾 斜 的 底 壁 之 請. I I 閱 I 3S [Sj 的 側 壁 K 及 —— 個 位 /]： 該 傾 ώ'ί 的 壁 m 上 J.LU i'fni irj 部 分 —1. 背 I έ | 下 的 □ t 之 I I 茑 中 該 m 壁 包 複 敦 W\ 成 通 過 其 在 周 ΕΞΙ \B\ 隔 事 I 項 ! 開 的 孔 > 再 填 I 寫 裝 I — 條 形 的 供 應 管 像 延 伸 在 -u 側 壁 的 阊 園 1 本 頁 並 a 與 該 容 器 透 過 該 孔 而 為 流 體 拒 通 的 Η 及 I I 用 於 從 該 出 □ 循 環 触 刻 溶 it 至 該 環 形 的 供 應 管 的 iSJft m 構 I I - I 訂 9 如 审 請 專 利 範 圍 第 8 項 的 設 備 其 中 該 容 器 的 底 壁 相 對 於 該 垂 直 的 軸 向 傾 斜 95 度 至 10 5度之間| > I i 1 〇 如 串 請 專 利 範 園 第 8 項 的 士 rv σΧ !±± 两 其 中 該 第 二 容 i I a.»? 的 底 壁 係 包 括 一 具 W 问 下 收 斂 的 較 低 部 分 之 圓 錐 形 〇 f 線 1 ) 如 •啊 甲 請 專 利 範 圍 第 項 的 όΖ 備 其 該 循 rcof m 镁 I 構 包 括 用 5t 將 :二 Ο 物 ί七 該 刻 溶 液 過 慮 出 之 潢 構 I ! 1 2 如 申 請 專 利 範 圍 5ϋτ 1 1 項 的 設 備 其 中 循 環 機 I 構 更 包 括 一 掘 to* U 於 該 過 m 機 構 的 上 游 η L-H m i I 1 * 如 串 請 專 利 範 園 第 8 項 的 設 餚 » 其 更 包 括 用 於 I I I 從 該 循 rs 環 機 構 排 出 染 物 與 Λ丄 m 刻 溶 液 的 機 構 0 I i 1. 4 如 Φ m 專 利 範 第 8 項 的 設 其 更 包 ►.ί. -一 條 ! I tt h-h- ri^ 形 管 與 r>!V mf 腓 壁 間 2 冋 丨、 延 沖 Ζ 傾 斜 的 供 應 管 I I i 衣紙張义度適用中國國家榡準（CNS > Λ4現格ί 210X297公釐） 436912 S D8 六、申請專利範圍 1 5 ‘如申請專利範園第1 4項的設餚*其中該啃斜 的供應管读相對於該垂直的轴向傾斜7 5度至8 5度之間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 ‘如申請專利範園第1 4項的設_，其中該傾斜 的供應管之傾斜是可調整的：' 1 7 ‘ 一種微電子菴板的鈾刻設餚•其法包括： 一涠被配置來接唆；截電子基板於其中K用於處理的容 器，該容器谣包括一豳界足一大致垂直的袖向之頂端部分 、一 1固傾斜的底1、一涸延伸在該頂部與該傾斜的底部之 間的剩壁、以及一賴位於該傾斜的底壁之最上端的部分之 下的出口； 一條第一環形的供應管，其係延伸在該容器側壁的周 園，並且經由穿過剷壁所肜成的第一複數個孔而與該容器 為流體相通的； 一降第二環形的供應管，其隱泣於該第一環彤的淇應 管之下，並且延渖在該容器測壁的周園，該第二環形的洪 應管隱绳由穿遇髑甓所肜成的第二禊數贈孔而與該容器為 流II相通的； 經濟部智总財/tA’k工消赍合作fl卬製 及 搆 fcffv- 0 的 通 相 體 為 偽 管 應 供 的 形 環二 第 與 第 等 該 中 其 的 管 應 ί# 的 環 1 第 亥 •41Jn 至 液 溶 蝕 擐 循□ 出 該 從 於 用 第 向 鬧 妯 碲 的 利 直 專 垂 請 該 申 於 如對 - 相 8 fe 1 莹 底 的 ts 器 容 •J Μ 1 μ間 L . ζ 杖： 度 ' -..ο 葫10 設 至 的度 ί · 5 涫.9 7 斜 本紙浪尺度適用中國國家標嚷（CNS ) A4現格（210X2M公釐} 43691 2 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 1 9 如申請專利範園第1 7項的設茼，其更包括一 條第一傾斜供憋管•其1¾向下延伸在該第一環形的供應管 以及該容器側壁之間、K及一條第二傾斜供應管，其係向 下延渖ΐ該第二環形的供應管Μ及該容器測堅之間。 2 0 ‘如申請專利範圍第1 7項的設茼，其中該等第 一與第二傾斜的供應管係柑對於該垂直的軸向傾斜7 5度至 8 δ度之間。 經濟部智.^时4一兑只工4^合作社卬焚 基項 淨 蝕 驟入 從 子 1 乾 的 步進 括 電第 應 淨 該液 包 。 徽圍 供 乾Φ溶 更驟 刻範 Κ 悪 其刻 其步 触 Αϊ-tl供 ，0S，之 K 專： ；染 上 法S法器 用請有液污 之 方供 方容 一申 驟溶出 板 之 上 之料 過括步刻濾 基 項向ffi顆 通包括蝕過 子 1 方 1 一 環 係 包岀 疲 電 2 直 2 至 循置係移溶 徽 第垂 第物 液裝法 □刻 之。闈於 圍染 溶該方出 蝕 中中ΙΈ直iBra 资 中該的 ίίι 其之 vt!垂 利出 練其，置出 於 置專致 專排 使，餚装移 且 含 装請大 請疲 種法設該所並 内 該 串 在。申溶 一 方刻從従；ίΐ到如话中如刺 . 的Is}. } 液；入 · 包之 •独 1 置的 a b 溶 C 進 2]|:置 3 的 2 裝 板 ί ί. 刻丨液 2 i 裝 2 出 Z 基 蝕溶 C 該 移 板之 的刻 ί 到 所 --ί --------- - ---— I - - - —κ ----- m I *1^· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家標车（CNS ) Α·4現格（21CIXW7公釐）