432757 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（I ) [發明之技術領域] 本發明係關於一種用以檢查被檢查面之檢查裝置與檢 查方法，特別係指一種可自動地將被檢査面上的細微雜質 等異物或傷痕檢出的檢查裝置與檢查方法。再者’本發明 亦係關於一種使用可檢查被檢查面之檢查裝置與檢查方法 以製造液晶顯示裝置的方法。 [習知技術] 積體電路製程之一的微影製程中，係藉由張架有薄膜 的標線板或光罩而將電路圖樣複製於半導體晶圓上。此時 ’若是該薄膜上附著有較大之雜質等異物時’則該異物的 影像將會對半導體晶圓產生影響，而成爲電路圖樣的缺陷 。如此一來，將導致良率降低。因此，在進行複製之前， 需檢查在薄膜上是否附著有異物。 第7圖係顯示揭示於特開平7-167>792號公報之習知異 物檢查裝置之構成的槪略立體說明圖。於第7圖所示之裝 置中，自半導體雷射Π所射出的放射狀雷射光（波長約 780nm)係以準直透鏡i2(Collimating Lens)而使之成爲平行 光束，並以變形稜鏡13(Anamorphic Prism)而將光束擴大 於圖中X方向。 於X方向上擴大、剖面呈長圓狀之雷射光係藉由一具 有平行四邊形開口部之光圈14於該光束形之長軸方向上進 行部份遮光，經鏡子15反射而以近乎90度的入射角射入 作爲被檢查面的薄膜21之上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） ^裝--------訂·!------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4G275? A7 B7 五、發明說明（>) 據此，於薄膜21上形成延伸於前述光束形之擴大方向 的帶狀照射區域30(於一方向以帶狀一次性照射被檢查面 之照射區域）。當此帶狀照射區域30內存在有異物時，即 會產生散亂光。因異物所產生的散亂光，透過受光鏡31成 像於影像傳感器20上^視以影像傳感器20所檢測出之散 亂光的強度，可檢測出異物的大小。另外，若是使架張有 薄膜21的光罩22沿幾乎垂直於帶狀照射區域30之長軸方 向（圖中的Y方向)移動，且一邊進行光束掃描時，可對全 部之被檢查面進行異物檢查。上述者即是習知利用入射系 與受光系所組合而成之1組光學系來對一被檢查面進行異 物檢查的方式。 [發明欲解決之課題] 就上述用以檢查面上之異物的檢查裝置而言，由於近 來光罩的大小規格變得非常大，因此其檢查區域也就隨之 增大。然而，在光罩變大的同時，圖樣卻更爲細微化，且 必須以相同開口數或更多開口數來檢視寬廣的檢查區域， 因此受光鏡的口徑及其他元件變大，且受光系全體所需之 空間也隨之增大。然而，大型元件在製造上相當困難，且 其良率亦不佳高，因此導致成本增加。 此外，在以1組受光系進行受光時，若是檢查區域變 大，則被檢查面與受光系之光瞳所形成之角度將變大，因 此在周圍與中心部之異物檢出靈敏度將有很大的差異。再 者，隨著檢查區域的增大，入射系之相關的各元件亦需同 樣地變大。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21(J X 297公釐） (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 d„ A/ ------B7__ 五、發明說明（j ) [發明欲解決之課題] 本發明有鑑於上述問題，其目的在提供一種謀求節省 裝置全體之空間的同時，又能以良好之精度檢測被檢查面 之面檢查裝置。更進一步的，本發明之另一目的係提供一 種使用可檢查被檢查面之檢查裝置與檢查方法以製造液晶 顯示裝置的方法。 [解決課題之方法] 爲達上述目的，申請專利範圍第1項之發明係一種面 檢査裝置，如第1圖所示，其特徵在於，具備有： 第1光照射系A1，用以將第1光束照射到被檢查面 21上，並沿被檢查面21上之既定的第1方向(X軸方向)而 一次性地形成第1帶狀照射區域51A ; 第1受光系A2，用以接收來自第1帶狀照射區域51A 之散亂光； 第2光照射系B1，用以將第2光束照射到被檢查面 21上，並沿第1方向（X軸方向)而在被檢查面上一次性地 形成第2帶狀照射區域5!B ;
第2受光系B2，用以接收來自第2帶狀照射區域5 1B 之散亂光；以及 掃描機構71，用以使第1及第2光照射系與被檢查面 沿大致垂直於上述第1方向(X軸方向）的第2方向(Y軸方 向)相對地移動； 第1帶狀照射區域51A與第2帶狀照射區域51B係沿 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I -----I 裝-----I'— 訂--------線 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 432757 j A7 t年丨1月神修正/更^補^ B7_ 五、發明說明（） 第2方向(Y軸方向)以既定的距離錯開形成於被檢查面21 上。 若以此方式構成，由於第1帶狀照射區域及第2帶狀 照射區域係沿第2方向(Y軸方向)以既定的距離錯開形成 於被檢查面上，因此能使來自兩照射區域的光不致進入第 1受光系及第2受光系。 又，如申請專利範圍第2項所述，於申請專利範圍第 1項之面檢查裝置中，例如第1圖所示，第1及第2帶狀 照射區域51A、51B沿第1方向以既定的距離錯開形成亦 可。此時，由於該第1及第2帶狀照射區域係沿第1方向 錯開，因此能更廣泛的含蓋被檢査面。 此外，如申請專利範圍第3、4項所述，於申請專利範 圍第1項或第2項之面檢査裝置中，第1受光系包含有可 將第1帶狀照射區域51A之影像形成於第1成像面上的第 1光學系18A，以及位於第1成像面或其附近，具有第1 受光面的第1受光構件20A ;第2受光系包含有可將第2 帶狀照射區域51B之影像形成於第2成像面上的第2光學 系18B、及位於第2成像面或其附近，具有第2受光面的 第2受光構件20B ;上述既定之距離，係設定爲使第1受 光系中，第1受光面所對應之被檢查面上的第1帶狀受光 區域23A與第2照射區域51B不致重疊，且可使第2受光 系中，第2受光面所對應之被檢查面上的第2帶狀受光區 域23B與第1照射區域51 A不致重疊。 上述構成，由於一方之照射區域與另一方之帶狀受光 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -----L— — ·訂_ -----I--綠 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 ^年t (月和日修正/史^ 五、發明說明（） 區域不相重疊，因此由一方之光照射系所射出的照射光不 會進入另一受光系中。 再者，如申請專利範圍第5項所述，申請專利範圍第 3項之面檢查裝置中’若第1帶狀照射區域51Α之寬爲bl 、第1帶狀受光區域23A之寬爲cl、第2帶狀照射區域 51B之寬爲b2、第2帶狀受光區域23B之寬爲C2時，第1 帶狀照射區域51A之中心(沿第1帶狀照射區域51A之長 軸方向的中心線)與第2帶狀受光區域23B之中心(沿第2 帶狀受光區域23B之長軸方向的中心線)間的距離dl大於 (bl+c2)5之一半値，且第2帶狀照射區域51B之中心(沿第 2帶狀照射區域51B之長軸方向的中心線)與第1帶狀受光 區域23A之中心(沿第1帶狀受光區域23A之長軸方向的 中心線)間的距離d2大於(b2+cl)之一半値。亦即，若前述 既定距離設爲d時，則d的設定係須使距離dl與距離d2 滿足前述條件。 上述構成，由於平行於寬度方向之一方的帶狀照射區 域與平行於寬度方向之另一方帶狀取入區域不致重疊，因 此由一方之光照射系所射出的照射光並不會進入另一受光 系中。 [圖式之簡單說明] 第1圖係本發明第1實施例之面檢查裝置的模式化立
Hrtft ta| Λ 體圖。 第2圖爲由正上方所見之第1圖所示第1實施例之面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 432757 ^年U月烟修正/加獄 = 五、發明說明（） 檢查裝置的配置構成俯視圖、以及構成要件之配置的變化 實施例的俯視圖。 第3圖爲本發明第2實施例之面檢査裝置之模式化立 體圖。 第4圖爲本發明第3實施例之面檢査裝置之模式化立 體圖。 第5圖爲第1、第2帶狀照射區域與第1、第2帶狀受 光區域之間的關係說明圖。 第6圖爲受光面與帶狀受光區域之間的關係說明圖。 第7圖爲習知面檢查裝置之模式化立體圖。 第8(A)、（B)圖係分別爲3組檢查光學系之配置示意 圖，係以被檢查面上之另一照明區域不致重疊於相鄰之受 光區域之方式配置。 第9圖係關於利用本發明之檢查裝置之液晶顯示裝置 製造方法的流程說明圖。 [元件符號說明] 11A 半導體雷射 12A 準直透鏡 13A 變形稜鏡 14A 光圏 15A 鏡子 16A 直接光吸收體 17A、17B 銳截止濾波器 18A ' 18B 受光鏡 20A、20B 影像傳感器 21 薄膜 22 光罩 23A 第1受光區域 23B 第2受光區域 51A 第1照射區域 51B 第2照射區域 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----^! —訂---------雄 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 β年U月^!修正/ A7 B7_ 五、發明說明（） a 帶狀區域之X軸方向的偏差長度 bl、b2 帶狀照射區域的寬 cl、c2 帶狀受光區域的寬 Al、B1照射系 A2、B2 受光系 θ 入射角 φ 受光角 [發明之實施形態] 以下，參照圖示說明本發明之實施例。各圖中’相同 或相當的元件係賦予同一符號或類似符號’並省略重複之 說明。 第1圖係本發明之第1實施例中，作爲面檢查裝置用 之薄膜表面異物檢査裝置之模式化立體圖。此處’ ΧΥΖ直 角座標系中之X軸係指朝向薄膜被檢查面上之帶狀照射區 域的長軸方向、與X軸垂直的γ軸係指朝向被檢查面之掃 描方向、而與X軸γ軸成直角的Ζ軸係指朝向被檢查面的 法線方向。 第1圖中，第1照射系Α1係由相對於薄膜21的斜方 向導入第1照射光，據以在作爲被檢查物之薄膜21上形成 一第1帶狀照射區域51Α。於此第1照射系Α1中，由半 導體雷射ΠΑ所射出的雷射光係經準直透鏡12Α的作用而 形成平行光束，進而射入變形稜鏡13Α中。射入變形稜鏡 13Α的雷射光，被擴大於圖中X方向，進而形成剖面爲長 圓形的光束，再藉具有平行四邊形開口部的光圈14Α於光 束的長軸方向上被部份遮光，由鏡子15Α反射，而以近乎 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> i 裝·---l·---訂·--I ----線 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 432757 ____B7___ 五、發明說明（殳） 90度的入射角Θ射入作爲被檢查面之薄膜21上。此處， 入射角Θ以80度以上者爲較，更佳者爲85度以上，而最 佳者爲89度以上。薄膜21，透過框架安裝於光罩22，與 圖中XY平面大致平行般展開。光罩22以及薄膜21，係 藉適當之驅動機構7】而能移動於圖中Y方向，亦即，以 能進行掃瞄之方式構成。 大致與薄膜21平行入射的光束，在薄膜21表面上形 成沿X方向之第1帶狀照射區域51A。而源自薄膜21的 正反射光係由直接光吸收體16A所吸收。另一方面，源自 薄膜21上之異物的散亂光，則以近乎90度之受光角p而 由沿Y方向配置的第I受光系A2所接收。此時，受光角 Φ以80度以上者爲較佳。就受光系A2而言，源自異物的 散亂光透過銳截止濾波器17A與作爲第1光學系用受光鏡 18A，而由作爲第1受光構件之影像傳感器20A所接收。 銳截止濾波器ΠΑ的設置目的，係用以遮蔽具有可視光以 下之波長的外亂光，因爲該外亂光會對散亂光強度所對應 之散亂訊號形成干擾。作爲影像傳感器20A，係使用一次 元CCD等光電檢出器。 另一方面，於包夾薄膜21對向於第1照射系A1的位 置上，設有第2照射系B1，此第2照射系B1係由相對於 薄膜21之斜方向導入第2照射光，據以在作爲被檢查物之 薄膜21上形成第2帶狀照射區域51B，其中第2帶狀照射 區域51B係位於相對於第1帶狀照射區域51A之Y方向的 偏離位置上。此外，第2照射系B1，具有與第1照射系 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]〇χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ------— —訂---------線 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 A7 B7 五、發明說明（f ) A1相同之構成，第1圖中雖未明示，但第2照射系B1具 有半導體雷射11B、準直透鏡12B、變形稜鏡13B、光圈 14B、及鏡子15B。 又，於包夾薄膜21相對於第2照射系B1的位置上， 設有吸收體(遮光體）16B，此吸收體16B係用以除去第2照 射系B1所發出之光照射於薄膜21後，產生於薄膜21上 的正反射光。 此處，當利用第2照射系B1而在薄膜21上形成第2 帶狀照射區域S1B時，若在第2帶狀照射區域51B中存在 有灰塵等異物時，將因此異物而產生散亂光。而源自此第 2帶狀照射區域S1B的散亂光，由第2受光系B2所接收。 第2受光系B2，係設在相對於第1受光系A2、沿Y方向 之一定偏離量的位置，以便使第2帶狀照射區域51B能相 對於第1帶狀照射區域51 A而於Y方向上具有d的偏離量 。第2受光系B2之構成與第1受光系A2相同，具有銳截 止濾波器ΠΒ、及受光鏡18B。 此外，第2(A)圖係由正上方所見之第1圖所示第1實 施例之裝置配置的構成俯視圖，但如第2(B)圖所示，第 2(A)圖所示之第2照射系B1亦可設在同於第1照射系A1 的設置側，如此亦可使第2帶狀照射區域51B能相對於第 1帶狀照射區域51A而於Y方向上具有d的偏離量。 第1圖所示之實施形態中，前述既定之距離d係設定 爲不使位於第1受光系A2受光部之被檢查面上之受光區 域23A與位於第2受光系B2受光部之被檢查面上之受光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------—訂---------線 432757 A7 B7 五、發明說明（，） 區域23B發生重疊的距離。受光區域23A，係於第1受光 系A2中對應於第1受光構件20A之受光面(光電檢出面) 之被檢查面上的面。 又，受光區域23B，係於第2受光系B2中對應於第1 受光構件20B之受光面（光電檢出面）之被檢查面上的面。 因此，第1帶狀受光區域23A，係於第1受光系A2中與 第1受光構件20A之受光面(光電檢出面)光學性共軛，而 ，第2帶狀受光區域23B，係於第2受光系B2中與第2受 光構件20B之受光面(光電檢出面)光學性共軛。 如上所述，各受光系所對應之被檢查面上的受光區域 的大小，係依據作爲檢出光學系用之各受光系（A2、B2)中 之受光構件(20A、20B)的大小而定。 以下，參照第5圖’進一步說明本發明中之既定距離 d。第5(A)圖，係在第1圖所示之實施形態下，由薄膜21 上方所見之各帶狀照射區域（51A、51B)及各帶狀受光區域 (2；3A、23B)的俯視圖。於第5圖中，bl係表示被檢查面中 第1照射系A1之帶狀照射區域51A的寬度，cl係表示被 檢查面中第1受光系A2之帶狀受光區域23A的寬度，在 本實施例中，bl小於c]，且第1照射系A1之帶狀照射區 域51A與該第1受光系A2之帶狀受光區域23A的長軸方 向中心線幾乎重疊在一起。換言之，帶狀照射區域51A係 大致位於帶狀受光區域23A的中央，左右分開而重疊。又 ’ b2係表不被檢查面中弟2照射系B1之帶狀照射區域 51B的寬度，c2係表示被檢查面中第2受光系B2之帶狀 13 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 裝·！ I訂·！----- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（丨1) 受光區域23B的寬度，在本實施例中’ b2小於c2 ’且第2 照射系B1之帶狀照射區域5 1B與第2受光系B2之帶狀受 光區域23B的位置關係與第1照射系A1與第1受光系A2 的關係相同。此外，於第5(A)圖的實施例中’ bl + c2小於 b2 + cl。此處，各帶狀區域間之距離d，亦指其長軸方向 中心線間的距離。 此外，在第5(A)圖所示實施例中，由第1照射系A1 所形成於被檢查面(薄膜21)上之帶狀照射區域51A的長軸 方向中心線與被檢查面(薄膜21)上之第1受光系A2之帶 狀受光區域23A的長軸方向中心線相互一致，又，由第2 照射系B1所形成於被檢查面（薄膜21)上之帶狀照射區域 S1B的長軸方向中心線與被檢查面(薄膜21)上之第2受光 系B2之帶狀受光區域的長軸方向中心線相互一致。 又，帶狀照射區域51A與帶狀受光區域23A，以及帶 狀照射區域51B與帶狀受光區域23B，其各帶之長軸方向 的長度均一致，而有部份(長度a的部份)則係能重複檢查 般，設定長軸方向位置。如此即可防止被檢査面上有檢查 遺漏發生。 於第5(A)圖的實麵中，係以第丨、第2受光系的帶 狀受光區域23A、23B不致產生重疊之方式，配置第i、 ^ 照射系與第1、第2受光系。亦即，前述兩光照射 ί甚1 1、第2受光系的帶狀受光區域23A、別間 =長軸方向中心㈣離d _於財於(eh·之方式配 以此方式配置，則由於兩受光區域不致重疊，且 K------訂---------線 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 432757 A7 B7 五、發明說明（〆） bl<cl，b2<c2，同時照射區域間亦未重疊，因此其中一方 的照射光並不會進入另一方的受光系中。 於第5(A)圖中，已顯示第1帶狀照射區域51A之長軸 方向中心線與第1帶狀受光區域23A之長軸方向中心線相 互一致、以及第2帶狀照射區域51B之長軸方向中心線與 第2帶狀受光區域23B之長軸方向中心線相互一致之例， 接著，以第5(B)圖及第5(C)圖，依序說明第1帶狀照射區 域51A之中心線與第1帶狀受光區域23A之長軸方向中心 線不一致、且第2帶狀照射區域51B之中心線與第2帶狀 受光區域23B之長軸方向中心線不一致之例。 第5(B)圖所示之情況中，係以第1照射系A1之帶狀 照射區域51A的長軸方向中心線與第2受光系B2之帶狀 受光區域23B的長軸方向中心線間的距離ell大於 (bl+c2)/2，且第2照射系B1之帶狀照射區域51B的長軸 方向中心線與第1受光系A2之帶狀受光區域23A的長軸 方向中心線間的距離d2大於(b2+cl)/2之方式，設定第1、 第2光照射系(Al ' B1)及第1、第2受光系(A2、B2)。以 此方式配置，則兩受光系(A2、B2)的受光區域(23A、23B) 雖有部份重疊，但其中一方的受光區域並未與另一方之照 射區域重疊。因此’由另一方之照射系所發出的光並不會 進行一方之受光系。 如上所述，第1 '第2光照射系與第1、第2受光系的 配置’係只要使至少一方之光照射系之帶狀照射系區域不 致與另一方受光系之帶狀受光區域重疊即可(如第5(B)圖所 ___15 本-代張尺度適用中國國豕4示準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公复 ------------^.·------—訂--- ------線 I (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 at ____B7-------- 五、發明說明（0 ) 示），但，若能使一方之帶狀照射系區域與另一方之帶狀照 射系區域不重疊，且一方之帶狀受光區域與另一方之帶狀 受光區域不重疊(如第5(A)圖所示)的話，則更佳。 又，於第5(A)圖與第5(B)圖中’已針對帶狀受光虛f 之寬度cl、c2分別大於帶狀照射區域之寬度bl、b2的情 況加以說明，然而，相反的’如第5(C)圖所示，帶狀照射 區域之寬度bl、b2分別大於帶狀受光區域之寬度cl、 亦可。於第5(C)圖所示之例中，第1照射系A1之帶狀照 射區域51A的長軸方向中心線與第2受光系B2之帶狀受 光區域23B的長軸方向中心線間的距離以dl表不’第1 受光系A2之帶狀受光區域2：3A的長軸方向中心線與第2 照射系B1之帶狀照射區域S1B的長軸方向中心線間的距 離以d2表示，且第1照射系A1之帶狀照射區域51A的長 軸方向中心線與該第2照射系B1之帶狀照射區域51B的 長軸方向中心線間的距離以D表示。 於第5(C)圖所示之例中，若以帶狀照射區域（51A、 51B)之中心線間隔D大於(bl+b2)/2之方式配置時，則照射 區域之間即不致重疊，而能避免受到因強光照射而產生迷 光的影響，若至少如如第5(B)圖所示，以dl>(bl+c2)/2、 且d2>(b2+cl)/2之方式配置時，即使照射區域之間部份重 疊，但重疊部份的光亦不致進入帶狀受光區域。 第3圖爲本發明第2實施例中，作爲面檢查裝置用之 薄膜表面異物檢查裝置之模式立體圖。其中XYZ座標系與 第1圖所示者相同。第2實施例中之裝置雖大致具有與第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事頊再填寫本頁) 裝---------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 A7 ___B7__ 五、發明說明（A) 1實施例相同之構成，但爲因應被檢查面的增大，因此其 中之入射系（照射系）的構成增加了光束擴大器（Beam Expander)、且使用兩個變形稜鏡。以下，針對與第1圖所 示之裝置間的不同點說明第3圖所示之裝置構成。 於第3圖中，由半導體雷射11A所射出的雷射光透過 準直透鏡12A而成爲平行光束，射入光束擴大器61A中。 射入光束擴大器61A中之雷射光的光徑被擴大於圖中X、 Y方向後，射入變形稜鏡ΠΑ中。射入變形稜鏡13A的雷 射光被擴大於圖中X方向，進而形成一剖面爲長圓形的光 束，射入具有平行四邊形開口部的光圈14A。通過光圏 14A之光束以鏡子15A反射，而以近乎90度的入射角Θ射 入作爲被檢查面的薄膜21之上。此時，第1受光系A2之 配置與受光方法與第1圖所示之第1實施例相同，故省略 其說明。 相對於第2受光系B2之第2照明系B1的配置，係以 和第1受光系A2相對應之照明系於Y方向上對稱之方式 配置，此點與第1圖所示之第1實施例相同。用以吸收源 自薄膜21之正反射光的直接光吸收體16B亦相同。 此外，照射系間係間隔既定之距離d而設，以使第1 受光系A2受光部之被檢查面上的帶狀受光區域23A'以 及第2受光系B2受光部之被檢查面上的帶狀受光區域23B 之間不致產生重疊。另外，於本實施例中雖使用2組光學 系來檢查被檢查面，但，亦可因應被檢查面之大小來進一 步增加光學系數量。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱1 ----I I-----I 裝------訂·!----1線 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 432757 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（/) 第2實施例中，由於增加了光束擴大器61A、及使用 兩個變形稜鏡13A，因此可將照射區域擴大，而能應用於 較第1實施例之裝置還大之被檢查面的檢查。 其次，參照第4圖說明第3實施例之液晶基板面檢查 裝置。圖中，用以載置作爲被檢查物之液晶顯基板100的 基板台101，係以能在Y軸方向進行掃描之方式設置。由 設於基板台101之鉛直方向上方之第1光源102所射出的 光束，透過照明光學系103，而在液晶基板上100上形成 位於垂直掃描方向之X軸方向上、且橫越液晶基板上100 的帶狀照明區域104。 於帶狀照明區域104中，將因形成於液晶基板100表 面圖樣之繞射光或是因附著於液晶基板上100表面上之異 物或傷痕所產生的散亂光，在平行於液晶基板100之掃描 方向(Y軸方向）且包含液晶基板1〇〇之法線的面內，藉相 對於晶基板100之法線於既定角度之方向具有光軸之受光 光學系105集光，於一次元CCD等之受光元件106上形成 照明區域的影像。受光元件106，係以像素與液晶基板1〇〇 之像的掃描方向約略垂直之方向(X軸方向）排列之方式配 置。來自受光元件106之光強度訊號依序被讀出，並與基 板台101之控制系Π4的訊號一同被儲存於畫像記憶裝置 107 中。 又，於包含照明光學系103及受光光學系105之光軸 的平面內、在基板台101上方設有位置不同於第1光源 102所設位置的第2光源108。由第2光源108所射出之照 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------I--- 裝------—訂--------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 432757 A7 ____B7__ 五、發明說明（沙） 明光，透過第2照明光學系109，在液晶基板上100上形 成不致與第1照明區域104重疊之第2照明區域110。將 因形成於液晶基板100表面上之圖樣所繞射的光、或因附 著於液晶基板上100表面上之異物或傷痕所產生的散亂光 ，於平行於液晶基板100之掃描方向且包含液晶基板100 之法線的面內，藉相對於晶基板100之法線於既定角度之 方向具有光軸之受光光學系Π1集光，於一次元CCD等之 受光元件112上形成照明區域的影像。來自受光元件112 之光強度訊號，與第1受光系同樣地，與基板台101之控 制系114的訊號一同被儲存於畫像記憶裝置113中。 此時，在液晶基板100之面上，透過第1受光系105 由第1受光元件106所檢出之區域，以及透過第2受光系 111由第2受光元件112所檢出之區域係以不相重疊之方 式配置。於第3圖所示之實施例中，該兩區域並未在X方 向偏離，而係在γ方向偏離以避免互相重疊。 就第1光學系103與第2光學系109而言，可分別具 有不同的照射光波長，各個受光光學系105、111之光軸與 液晶基板1〇〇之法線所形成之角度不同亦可。或者，二者 皆可。 就用以檢出因附著於液晶基板1〇〇之異物或傷痕所產 生之散亂光的檢查裝置而言，若異物呈非等向性、或散亂 光因傷痕之剖面形狀而產生單方向直進時，有時無法將其 檢出。對此，若使用複數個光軸與液晶基板之法線所成之 角度分別不同之受光系時，則無論在哪種情況之下均能將 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I 裝！訂· !i!線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 A7 ___ B7_____ 五、發明說明（^ ) 其檢出。 又’以源自圖樣之繞射光進行檢查時，若在形成有光 阻膜等薄膜之基板上產生干涉現象，而於單一波長下相互 抵消時，則光完全無法進入受光系。此情況時，若使用照 射光之波長互異的光學系，即可將其檢出。 如上述般配置有複數個檢出光學系時，若該等複數個 檢查光學系之照明光學系的照明區域相互重疊，則將分別 因外亂光的作用而成爲使檢出靈敏度降低之原因，然而由 於本發明之實施例中的照明區域與檢出區域不相重疊，因 此能維持較高的檢出靈敏度。 又，由於液晶基板之圖樣每年有所改良而使檢查條件 亦有所不同，因此受光系之光軸與液晶基板之法線所成之 角度以可變者爲佳。再者，由於使用於加工製程中之基板 或彩色基板上之照明用光的波長受到限制，因此以可自由 選擇檢查用光之波長者爲佳。 於上述實施例中已針對第1、第2照射光學系及受光 系加以說明，然而亦可進一步使用3個以上的光學系。數 量越多則其能涵蓋之被檢查面也就越廣，或者可被檢查的 種類也就越多。此外，第5(A)圖〜第5(C)圖所示之各照射 區域（51 A，5 1B)與各取入區域（23 A，23B)間的關係並不限於 第1所示之實施例，亦可適用於第3及第4圖所示之實施 例。 以下，參照第6圖來說明受光面與帶狀取入區域間的 關係。於被檢查面之第1受光部上的像掃描方向上’令第 20 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -κ------訂··----- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（丨3) 1受光面之光軸垂直方向長度爲L1，第1受光光學系18A 的倍率爲/31，第1帶狀受光區域的寬爲cl，且第1照射 區域之被檢查面之法線與第1受光光學系18A之光軸間的 角度爲時，cl = Ll/(/9 1，c〇S(pl)。同樣地，對第1受光 部而言，c2 = L2/( /3 2-cos 妒 2)。 承上所述，使第1及第2帶狀受光區域間不重疊之條 件，若令第1及第2帶狀受光區域之中心線間的距離爲d ，貝fJ d> (L 1/( /3 1 - cos φ 1) + _L2/( /5 2-cos φ 2))/2。 此處，茲舉一例加以說明，例如將第1帶狀照射區域 的寬bl及第1帶狀照射區域的寬b2分別設爲5mm，第1 受光面之長度L1及第2受光面之長度L2分別設爲0.5mm ，第1受光光學系（第1檢出光學系）之受光角pi及第2受 光光學系(第2檢出光學系）之受光角分別爲85度，第 1受光光學系(第1檢出光學系）之成像倍率及第2受光 光學系(第2檢出光學系）之成像倍率/?2分別爲0.1倍時， 依據上述關係式，爲不使受光區域重疊，照射區域或受光 區域之中心線的間隔距離d，須爲57.4mm以上。 再者，當第1受光部之受光面相對於第1受光系18A 只傾斜一角度時(例如，由於相對於受光系之光軸被檢 查面呈傾斜狀態，因此使受光面傾斜以滿足防止反照之條 件時），若令受光面的寬爲LL1，則Ll=LLl，cos01。因此 ，使第1及第2帶狀受光區域間不重疊之條件，成爲 d>(LL卜cos 0 1/( /3 卜cos φ l)+LL2.cos 0 2/(冷 2.cos φ 2))/2。 又，一帶狀照射區域與另一帶狀受光區域間不重疊的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I I I I I 訂·111!--線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 432757 B7 五、發明說明（1 / ) 條件，亦可以同樣的關係式來表示。例如，先前所說明之 關係式 dl>(bl+c2)/2、且 d2>(b2+cl)/2 可表示成 dl>(bl+L2/(召 2-cos<^2))/2、且 d2>(b2+Ll/(/5 1，cospl))/2 ，或是可表示成 dl>(bl+LL2.cos02/(/52.coS(^2))/2、且 d2>(b2+ LLl'cos^ 1/(/5 l-cos^ 1))/2 ° 上述實施例中，由於係將廣域之檢査範圍分割成複數 個，以1組光學系，對分割之各個檢查範圍進行入射及受 光，因此由於1組光學系所對應的檢査範圍變小，因此每 一入射系及受光系能變的非常小。此外，雖然具有複數個 光學系會使構件數量增多，但由於各構件並非很大，且相 同構件亦能共用，因此在提升良率的同時，亦能減輕成本 。再者，由於針對1組受光系有1組入射系對應，因此对 以防止照明被檢查物體之光量的降低。 於上述第1〜第6圖所示之檢查裝置中，已針對配置2 組檢査光學系，以不使另一照射區域重疊於各受光區域的 例子加以說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 裝--— II--J^-------- 然而，本發明並不只限於此，亦可使用3組、4組， 或更多組的檢查光學系，此時，爲使被檢查面上之相鄰受 光區域中不致重疊其他照明區域，最好是配置複數個檢查 光學系。例如，如第8(A)圖及第8(B)所示，爲使被檢查面 上之照明區域(23A〜23C)、或受光區域(51A〜51C)不致互相 重疊，而顯示配置3組檢查光學系之狀態。換言之，第 8(A)圖及第8(B)圖係顯示配置3組檢查光學系，以防止另 一照明區域重疊於被檢查面之相鄰受光區域。 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 432757 A7 _____ B7 五、發明說明（〆） 此處，如第8圖所示，第1照明區域23A係藉由第1 照射系A1而形成於被檢查面上，而被檢查面上之第1受 光系A2的受光區域51A係存在於該第1照明區域23A內 。此外，第2照明區域23B係藉由第2照射系B1而形成 於被檢查面上，而被檢查面上之第2受光系B2的受光區 域51B係存在於該第2照明區域23B內。再者，第3照明 區域23C係藉由第3照射系C1而形成於被檢查面上，而 被檢查面上之第3受光系C2的受光區域51C係存在於該 第3照明區域23C內。 又，在設置光電檢出機構時，各光電檢出機構係排列 於同一照射區域上，爲防止異物檢出遺漏而使1組的光學 系所檢視的檢查區域有某種程度的重合時，光束僅強烈的 照射該重合部份a，因此隨照射強度之變化(亦即異物之附 著位置），所檢出之散亂光強度將會有所差異。此情況下， 異物的檢出靈敏度無法保持一定，將有損異物檢查的再現 性及信賴性。然而，若藉由本發明之實施例，則由於各光 電檢查機構係離開掃描方向配置，因此不致產生習知裝置 的問題。 因此，本發明之實施形態特別適合作爲自動檢查附著 在薄膜表面上之異物的異物檢查裝置，其中前述薄膜係用 以防止異物附著、平行架張在積體電路製程中所使用的標 線板、或光罩上。 因此，使用上述第1〜第6及第8圓所示之檢查裝置 來對形成有既定圖樣之標線板（或光罩）進行高精度之檢查 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格⑵〇 x 297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----I--—訂· !1!線 432757 A7 ____ _ B7 五、發明說明（w ) 時，最終的結果’能維持產品之良率，製造出良好的液晶 顯示裝置、半導體元件、或薄膜磁頭等。 (請先閲讀背面之汪意事項再填寫本頁) 舉例而言’以下參照第9圖，說明有關使用本發明之 檢查裝置的液晶顯示裝置的製造方法。 於標線板檢查步驟2〇〇中，係使用上述第1〜第6及 第8圖所示之檢查裝置來對形成有既定圖樣之標線板(或光 罩)進行檢查。此步驟200中，係檢查標線板表面上是否有 附著異物，並判斷作爲檢查對象之標線板是否可使用於後 述圖樣形成步驟201中之微影步驟。 若判斷標線板爲不良品時，即移至異物去除步驟，並 在該異物去除步驟中利用異物去除裝置將附著於標線板上 的異物除去，進而再於標線板檢查步驟200中檢査該標線 板是否爲良品。 若於標線板檢查步驟200中判斷標線板爲良品時，即 移至圖樣形成步驟201中。 經濟部智慧財產局員Η消費合作杜印製 此圖樣形成步驟201，主要係利用曝光裝置以標線板 之圖樣對感光性基板進行複製曝光，即進行所謂的微影步 驟。藉由此微影步驟即可將含有多數電極等之既定圖樣形 成於該感光性基板上。之後，已曝光之基板再經顯影、触 刻、標線板剝離等步驟據以將既定圖案形成於基板上，再 移至次一彩色過濾膜形成步驟202。 此外，此微影步驟中，可使用標線板與感光性基板密 接而曝光的近接式曝光裝置、或是使用利用投影光學系而 將標線板之圖案投影於感光性基板上的投影曝光式曝光裝 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規恪（210 X 297公釐） 432757 A7 B7 五、發明說明（〆） 置。而此投影曝光式之曝光裝置，可以使用步進重複方式 之裝置'或是標線板與感光性基板相對於投影光學系移動 曝光的掃描曝光方式之裝置。 此外，於彩色過濾膜形成步驟202中，可形成彩色過 濾層，其上形成有呈陣列狀之多數配列的3組點組，該等 點組爲對應R(紅）' G(綠）、B(藍)的點組。接著，在彩色過 濾膜形成步驟202後，再進行單元組裝步驟203。 單元組裝步驟2〇3，係利用於圖樣形成步驟201中所 獲致之形成有圖樣的基板、及於彩色過濾膜形成步驟202 中所獲致的彩色過濾膜來組裝成液晶板。例如，於單元組 裝步驟203中，於圖樣形成步驟201中所獲致之形成有圖 樣的基板、及於彩色過濾膜形成步驟2〇2中所獲致的彩色 過濾膜之間注入液晶，以製造液晶板。 之後，於模組組裝步驟2〇4中，將用以使組裝完成之 液晶板進行顯示動作的電氣電路、及背光等元件加以組裝 ，完成液晶顯示元件。 經上述第9圖所示之各步驟，能維持產品之良率，製 造出良好的液晶顯示元件。 [發明之效果] 根據上述之本發明，由於被檢查面中之第1帶狀照射 區域與第2帶狀照射區域係沿既定方向(第2方向Y)錯開 既定距離而形成於被檢查面上，因此來自兩照射區域的光 並不會同時進行第1受光系及第2受光系，而能以非常好 (請先閲讀背面之;t意事項再填寫本頁) 裝------^—訂-------- ·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐） 432757 A7 _Β7 五、發明說明（4) 的精度檢查被檢查面。 此外，若使第1帶狀照射區域與第2帶狀照射區域沿 與上述既定方向交叉之方向（第1方向X)錯開時，即使被 檢查面擴大，亦能涵蓋被檢查面以進行檢查。 據上所述，本發明除不致使裝置大型化外，尙能以良 好的精度對大型被檢查面進行檢查。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --- - - ---------I-- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）