TW426585B - Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method - Google Patents

Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method Download PDF

Info

Publication number
TW426585B
TW426585B TW089102328A TW89102328A TW426585B TW 426585 B TW426585 B TW 426585B TW 089102328 A TW089102328 A TW 089102328A TW 89102328 A TW89102328 A TW 89102328A TW 426585 B TW426585 B TW 426585B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
honing
workpiece
holding
holding disc
panel
Prior art date
Application number
TW089102328A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouichi Okamura
Fumio Suzuki
Hisashi Masumura
Kouzi Morita
Naotaka Toyama
Original Assignee
Shinetsu Handotai Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Handotai Kk filed Critical Shinetsu Handotai Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW426585B publication Critical patent/TW426585B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

A7 426 5B5 ___B7____ 五、發明說明Ο ) 〔技術領域〕 本發明,係關於將半導體晶片等的工件之表面精密硏 磨時使用的硏磨用工件保持盤及工件之硏磨裝置及工件之 硏磨方法= 〔習知技藝〕 已往,在工件的硏磨加工,係將剛性材料之玻璃、金 屬、陶瓷等的板做爲工件保持盤,在其表面以蠟等接著劑 把工件貼上,或在有通氣性之多孔質材料或在表面設置多 數吸附貫通孔的工件保持盤表面,以真空吸附等保持工件 ,一面把硏磨劑流放在定盤所貼上的硏磨布而將工件按壓 ,使工件及定盤旋轉而進行硏磨。如第3圖所示*使工件 W真空吸附在工件保持盤1時,在工件保持盤本體2的背 面’保持和工件保持盤本體2之密閉性,並且設置爲了確 保真空路施以真空用溝5的保持盤鑲板4,做爲各吸附貫 通孔3經由保持盤鑲板4之溝5連接在真空路7的構造, 使工件W真空吸附在工件保持面8。 過去,在該保持盤鑲板4的材質,係被使用金屬或硬 質之塑膠,爲了提高工件保持盤本體2的背面和保持盤鑲 板4之密閉性,也被使用油圈6等。 可是,在工件硏磨中,將從被真空吸附的工件和工件 保持盤本體之工件保持面的微小空隙發生硏磨劑游漿之吸 入’被吸入的硏磨劑游漿,會在保持盤本體背面和保持盤 鑲扳之間蒸發乾涸。結果,在保持盤鑲板和保持盤本體背 本纸張尺度適用中SS家標準(CNS)A4規格(2】〇χ297公釐) —I f — — — — — — — — · I I I I I I — t --------- <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 -4- A7 4 26 5 8 5 B7__ 五、發明說明) 面之間固化的硏磨劑,..將以真空吸附時之壓力以保持盤鑲 板被加壓,使保持盤本體稍變形,其變形將被複製在硏磨 中的工件表面,對被硏磨之工件的表面品質,會有不良影 響。而且,有時保持盤鑲板的溝模本身,也將經由保持盤 本體,被形狀複製在硏磨中之工件。 更且,在爲了提高保持盤本體背面和保持盤鑲板之間 的密閉性使用之油圈也容易發生偏負荷,具有在工件硏磨 的面內去除材料分佈產生參差,對工怦的平坦性有不良影 響之虞。 〔發明之揭示〕 因此,本發明1係鑑於上述問題點而被開發者,其主 要目的,係在改良將工件真空吸附保持之硏磨用工件保持 盤的保持盤鑲板之材質,提高和保持盤本體的密閉性,開 發即使硏磨劑游漿侵入而固化,保持盤本體之變形也不會 在工件表面複製之保持盤鑲板,提供具有高精度的工件保 持面之硏磨用工件保持盤及工件之硏磨裝置,及工件之硏 磨方法。 爲了解決上述課題,—本發明之硏磨用工件保持板,係 在有將工件真空吸附保持的多數之貫通孔的工件保持盤本 體及密接在該保持盤本體之背面,由具有真空用溝的保持 盤鑲板而成之硏磨用工件保持盤,其特徵爲該保持盤鑲板 的材質爲塑膠,且阿斯卡C硬度係7 0以上未滿9 8之硏 磨用工件保持盤。 本紙張尺度適用中0國家標ifMCNS)A4規格(210 X 297公笼) I --------* - I t I I---^ -------- "3^ <諳先wtl背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- A7 426585 B7 五、發明說明) 在工件硏磨中,將從被真空吸附的工件和工件保持盤 本體之工件保持面的微小空隙,發生硏磨劑淤漿之吸入| 該被吸入的硏磨劑淤漿,將在保持盤本體背面和保持盤鑲 板之間蒸發乾涸。結果,該固化的硏磨劑之圖型,將以真 空吸附時的壓力被在保持盤鑲板加壓,可是,如此地使保 持盤鑲板之材質,做爲阿斯卡(硬度爲7 0以上未滿9 8 的塑膠時,因將保持盤鑲板以軟質樹脂形成,該壓力將被 吸收,而不會使保持盤本體變形,其變形也不會被複製在 硏磨中之工件表面。並且,保持盤鑲板的真空用溝模本身 ,也不會經由保持盤本體,被形狀複製在硏磨中之工件。 因此,使用具有如本發明的硬度之樹脂製的保持盤鑲板時 ,將能進行所希望之高平坦度和無起伏的高精度之工件硏 磨加工。 更且,因做爲保持盤鑲板,具有適度的硬度,和保持 盤本體背面之密接性優異,幾乎不會引起在該密接面的外 氣之洩漏。故將不需要爲了提高密接性所使用的油圈,幾 乎無油圈被加之偏負荷所引起的,在工件硏磨之去除面內 材料分佈的參差,和對工件之平坦性的不良影響,即使由 魔鏡也在工件表面不會看到起伏,而被達成高精度之加工 ύ 此時,能夠把前述塑膠|做爲從尿烷樹脂、氯乙烯樹 脂、聚醯胺(polyamide )樹脂被選擇之1種。 把塑膠的材質從上述中選擇的,能夠充份滿足在本發 明所要求的阿斯卡C硬度之範圍。 本纸張尺度適用中0國家標準(CNS〉vVl規格U10 * 297公发) I - 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之泛意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 -6- Α7 Λ26 5 8 5 ___Β7__ 五、發明說明& ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且,本發明的工.件之硏磨裝置,係在具備把硏磨布 貼上的轉台和將硏磨劑供給硏磨布表面之裝置,及使工件 強制地壓接在硏磨布表面的硏磨用工件保持盤之硏磨裝置 •其特徵爲該硏磨用工件保持盤,係如前述者的工件之硏 磨裝置。 如此地,做爲具備本發明的硬度之由樹脂製保持盤鑲 板和工件保持盤本體而成的硏磨用工件保持盤之硏磨裝置 時,能夠硏磨成所希望的高平坦度和在魔鏡之工件表面無 起伏的高精度之工件,特別係工件爲半導體晶片時,能夠 設法提高在高積體裝置工程的高積體裝置之投資報酬率和 生產性。 線 然後,本發明的工件之硏磨方法,其特徵爲,將前述 硏磨用工件保持盤之表面做爲工件保持面,把工件之背面 真空吸附保持,接著使該工件接觸在硏磨布,把工件之表 面硏磨者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明的工件之硏磨方法時•由將保持盤鑲板之 材質做爲特定硬度範圍的塑膠,對保持盤本體將被給予適 度之緩衝性,從工件和保持盤本體保持面之間侵入,在保 持盤本體背面和保持盤鑲板的空隙固化之由硏磨劑的保持 盤本體之變形將被吸收,成爲能夠阻止該附隨變形的對工 件之複製。並且,保持盤鑲板的真空用溝形狀本身,也成 爲不會經由保持盤本體,被形狀複製在硏磨中之工件。因 此,根據本發明的工件之硏磨方法時,將能夠進行所希望 的高平坦度和在魔鏡也在工件表面表面無起伏的高精度之 本紙張尺度適用中0國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼) A7 42658^ _____B7___ 五、發明說明自) 工件硏磨加工。 .. 如以上所述,根據本發明時,由將構成硏磨頭部的工 件保持盤之保持盤鑲板的材質,變更爲具有特定範圍之阿 斯卡C硬度的塑膠*將能夠安定地製作製作具有優異之平 坦度和無起伏的表面之工件。並且•在已往的保持盤鑲板 材質,爲了提高保持盤本體背面和保持盤鑲板之密閉性, 而設置油圈,可是在本發明,因保持盤鑲板本身的密閉性 優異,故成爲不需要油圈。據此|也將無工件硏磨時偏負 荷被加在油圈,在因此發生的去除面內材料分佈產生參差 ,或對工件的平坦度會大幅影響之虞。 〔圖面之簡單說明〕. 第1圖,係本發明的硏磨用工件保持盤之槪略說明圖 。(a)爲直斷面圖,(b)爲保持盤鑲板的正面圖,( c )爲保持盤鑲板之直斷面圖。 第2圖,係著裝本發明的硏磨用工件保持盤之硏磨頭 及具備硏磨頭的硏磨裝置之槪略說明圖。(a)爲硏磨頭 ,(b)爲工件之硏磨裝置。 第3圖,係已往的硏磨用工件保持盤之槪略說明圖。 主要元件對照表 1 硏磨用工件保持盤 2 工件保持盤 3 吸附貫通孔 本纸張尺度適用中SS家標準(CNS)A4規格(210*297公釐) -------------裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填耳本頁) 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 -8 - 426^85
五、 發明說明戶) 4 保持盤鑲板 5 真空用溝 7 真空路 8 十件保持面 10 硏磨頭 11 旋轉座 12 彈性體環 13 加壓空間部 1 4 加壓路 2 〇 硏磨裝置 2 2 硏磨布 2 1 定盤(旋轉台) 2 3 硏磨劑供給噴嘴 2 4 硏磨劑 N 工件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^4 --------訂--------- 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 〔實施例〕 以下,將說明本發明之實施·例,可是本發明並非被限 定於此等者。 如前所述,在硏磨工件時,將從保持盤本體的保持面 和被真空吸附之工件的微小空隙吸入硏磨劑淤漿,硏磨劑 淤漿將在保持盤本.體和保持盤鑲板的空隙乾燥固定。結果 ,已往之硏磨用工件保持盤,特別係其保持盤鑲板的材質 爲金屬或硬質塑膠時,硏磨劑之污髒和圖型將被複製在硏 本紙張尺度適用中S S家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼) * 9 - * 4 26 5 85 a? B7 五、發明說明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 磨中之工件,而對工件的表面品質有不良影響。並且也有 保持盤鑲板的溝形狀'本身’將經由保持盤本體被形狀複製 在硏磨中的工件之問題。 因此,本發明人等,爲了解決此等問題點,把保持盤 鑲板的材質、構造等調査、檢討,結果發現將保持盤鑲板 之材質,以具有特定範圍的硬度之塑膠形成時,即使由於 硏磨劑淤漿侵入保持盤本體背面固化,由硏磨劑的著固產 生污髒圖型,而在保持盤本體被加上背壓,也將因樹脂爲 適度地軟質而被吸收,能夠防止對工件的複製*而得到平 坦度高和無起伏的高精度之工件,看淸楚各條件而完成本 發明。 首先,根據圖面說明使用本發明的硏磨用工件保持盤 之硏磨裝置。第1圖係做爲本發明的一例,爲了說明硏磨 用工件保持盤之構成槪要的槪略說明圖。並且,第2圖係 (a)爲著裝硏磨用工件保持盤之硏磨頭,(b)係爲了 說明具備硏磨頭的工件之硏磨裝置的槪要構成之說明圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印- 本發明的硏磨裝置,係做爲將工件如半導體晶片之單 面硏磨的裝置被構成,如第2圖(b )所示,硏磨裝置 2 ◦,係由旋轉的定盤(旋轉台)2 1,和著裝在硏磨頭 1 0之硏磨用工件保持盤1和硏磨劑供給噴嘴2 3而成。 在定盤2 1的上面粘貼有硏磨布2 2。定盤2 1將由旋轉 軸,以所定之旋轉速度被旋轉。 然後’硏磨用工件保持盤1,將由真空吸附等把工件 (晶片)W"保持在其工件保持面8,被著裝在具有旋轉軸 本紙張又度適用中S國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V- Λ26585 A7 ____B7_____ 五、發明說明¢5 ) 的硏磨頭1 〇 ’以硏磨.頭1 〇被旋轉,同時以所定之負荷 把工件W推壓在硏磨布2 2、研磨劑2 4的供給,將從噴 嘴2 3以所定之流量供給在硏磨布2 2上,由該硏磨劑 2 4被供給在工件W和硏磨布2 2之間,工件W將被硏磨 0 更且,如第1圖(a )及第2圖(a )所示,本發明 之硏磨用工件保持盤1,係由具有工件保持面和多數的吸 附貫通孔3之工件保持盤本體2及保持盤鑲板4所構成, 吸附貫通孔係經由設在保持盤鑲板4的真空用溝5,從真 空路7連接至未圖示之真空裝置,成爲由發生真空而把工 件w吸附保持在工件保持面8。 在本發明,係特別將保持盤鑲板4的材質,做爲阿斯 卡C硬度7 0以上未滿9 8之塑膠製。 在此,先說明阿斯卡C硬度。此係使用如在J I s K 6 3 0 1的彈簧式硬度試驗機進行測定之方法,在試驗 片表面’在此係在保持盤鑲板被加工的塑膠面,使試驗機 之加壓面接觸時,從加壓面中心的孔以彈簧壓力突出之壓 針,由試驗片表面被推回的距離做爲硬度表示。具體上, 係使用阿斯卡C硬度計(日本橡膠協會規格,高分子計器 公司製)測定之値。 做爲以阿斯卡C硬度7 0以上未滿9 8時,將充份被 確保做爲保持盤鑲板的作用效果,硏磨中由真空的保持盤 鑲板和保持盤本體背面之氣密性將提高,而不需要如已往 地設置油圈=結果I也不會有偏負荷加在油圈的問題,而 本紙張尺度適用中a國家揲準(CNS>A4規格(210 X 297公S ) '-------------裝--------訂---------後 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - ΐκ 4 26585 A7 ______B7__ 五、發明說明自) 能得到更安定之品質。..並且,即使由於硏磨劑淤漿侵入該 接觸面固化,因爲由硏磨劑的著固之污髒圖型,而在保持 盤本體被加上背壓,也將因爲樹脂係適度地軟質而被吸收 ,不會有保持盤本體之變形,被阻止對工件的複製,能夠 得到具有高之平坦度和在魔鏡無起伏的高精度表面之工件 〇 做爲構成該保持盤鑲板的塑膠之種類,只要做爲從尿 烷樹脂、氯乙嫌.樹脂、聚醯胺(polynmide )樹脂被選擇的 1種即可,具有上述阿斯卡C硬度範圍之材料也容易得到 ,能夠成形爲所希望之保持盤鑲板形狀。 並且,關於該保持盤鑲板4的真空用溝5之配列,雖 無特別限定,例如,在第1圖(b )、 ( c )所示地,做 爲加工成在鑲板的中心連接在真空路7之多數的同心圓狀 及放射線狀之溝者即可即使如本發明的硬度之樹脂製, 也不會由於真空壓力而變形,能夠充份確保和保持盤本體 背面之密接性。 硏磨頭1 0,係例如在其旋轉座1 1的內部設置加壓 空間部1 3 ’經由彈性環1 2把硏磨用工件保持盤1保持 爲氣密。加壓空間部1 3係經由加壓路1 4,連接在空氣 壓縮機(未圖示)。然後對將工件W真空吸附保持在工件 保持面8上的工件保持盤1,給予旋轉或搖動,同時成爲 把工件保持盤1之背面以空氣加壓,將工件保持盤1推壓 在硏磨布2 2。 把如上述地構成的硏磨用工件保持盤1,著裝在硏磨 本紙張尺度適用中因國家標準(CNSM4規格(210* 297公S ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J --------訂·---- 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ( 4 26 5.8 5 A7 ^___B7_ 五、發明說明(10 ) 頭1 0,將之設定在硏磨裝置2 0,把工件W真空吸附保 持在工件保持盤本體2的工件保持面8上,壓接在旋轉之 硏磨布2 2上,滴下硏磨劑2 2硏磨加工時,由於本發明 之硬度的樹脂製保持盤鑲板和保持盤本體背面之高密接性 和保持盤鑲板的真空壓吸收性,將被阻止被吸入固化的硏 磨劑之污髒圖型對工件的複製,而硏磨加工成高平坦度和 無起伏之工件。 以下1將列舉本發明之實施例和比較例具體地說明, 可是本發明並不限定於此等。 〔實施例1 ) (1 )硏磨用工件保持盤及保持盤鑲板,係使用在第 1圖(a) ,( b ) ,(c)所示之構造者。此等,係比 晶片直徑稍大的直徑,保持盤本體之厚度爲3 Omm,保 持盤鑲板的厚度爲1 2mm。在保持盤鑲板,形成有深度 5mm,寬度1 〇mm之溝。 (2 )硏磨頭係使用第2圖(a )所示的構造者1而 工件之硏磨裝置係使用在第2圖(b )所示之構造者。 (3)工件:單結晶矽晶片;直徑 200mm:厚 度 735#m,P型,結晶方位;<100>,蝕刻晶 片.。 (4 )保持盤鑲板材質:尿烷樹脂:阿斯卡C硬度 7 0或9 0 »該硬度係使用阿斯卡C硬度計,將上述保持 盤鑲板的凸部(厚度部份),從未被形成溝之側測定的値 本紙張尺度適用國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公S ) '---.---------裝 ----I---訂---------線 (請先Μ讀背面之;1意事項再填寫本頁) -13- A7 d26 535 B7_ 五、發明說明Ο1 ) ο ·. (5)工件硏磨條件:硏磨負荷 250g/cm2 硏磨相對速度 50m/min;硏磨加工部份 12 :硏磨布 不織布系統硏磨布(阿斯卡C硬度 .8 0 ):硏磨劑 膠態矽石(P Η 10-5)。 (6 )由使用多數次使硏磨劑淤漿著固在工件保持盤 本體背面和保持盤鑲板之間的狀態,將工件真空吸附而進 行單面硏磨。 在以上的條件下,保持盤鑲板材質•係以阿斯卡C硬 度爲7 0或9 0的尿烷樹脂時,皆在工件硏磨後之魔鏡像 ,未發生特定的圖型,而能得到無起伏的平坦度高之晶片 此時,應該會有進入保持盤本體背面和保持盤鑲板之 溝的凸部之間的硏磨劑固體物之圖型存在,可能係被材質 +爲適度地柔軟的保持盤鑲板所吸收,而被抑制污髒圖型對 工件表面之複製。 (比較例1 ) 除了將實施例1的第(4 )項之保持盤鑲板材質,做 爲阿斯卡C硬度9 8的氯乙烯樹脂以外,以和實施例1同 條件進行硏磨》 在該條件下•工件硏磨後的魔鏡像有異常部份,而影 響工件品質。該圖型,係和進入保持盤本體背面與保持盤 鑲板之溝的凸部之間的硏磨劑固體物之圖型一致,可能係 本紙張尺度適用中因园家標準(CNS>jV4規格(210x297公釐) J---.-----------------^--------I (請先閱1*背面之;i意事項再填寫本頁) 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 • 14- 426585 A7 _B7____ —. 五、發明說明(^ ) 對保持盤本體的應力之強度變化,結果固體物的圖型被複 製在工件表面之故。 (請先W讀背面之注惠事項再填寫本頁) (實施例2 ) 在上述比較例1 ,對工件硏磨後的工件品質有影響之 保持盤本體,把在實施例1使用的阿斯卡C硬度爲7 0或 9 0之尿烷樹脂製保持盤鑲板再度組合,以同條件進行硏 磨測試。 結果,在工件硏磨後的魔鏡像係良好。由此事可知, 即使發生由硏磨劑固體物之污髒式圖型•而對工件品質有 不良影響的保持盤本體,只要對此組合之保持盤鑲板的材 質,爲適度地軟質之塑膠而阿斯卡C硬度爲未滿9 8者, 將不會影響工件之品質。 (比較例2 ) 除了把實施例1的第(4 )項之保持盤鑲板材質,做 爲阿斯卡C硬度6 8的尿烷樹脂以外,以和實施例1同條 件進行硏磨。 - 經-部智慧財產局員工消費合作社印裝 雖然使工件從工件保持盤本體的工件保持面脫離時, 對工件保持盤供給加壓空氣,進行破壞工件保持盤內部的 真空,可是在上述之條件下,發生由於加壓使保持盤鑲板 本身膨脹,爲了使工件脫離而需要大的供給空氣壓,或脫 離將花時間等之問題。因此把使用在保持盤鑲板的樹脂之 阿斯卡C硬度的下限値做爲7 0以上。 本纸張尺度適用中S S家標準(CNS)AJ規格(2]0 X 297公笼> -15- A7 Λ265Β5 _____B7_ 五、發明說明) (實施例3 ) 除了去除實施例1的第(6 )項條件,亦即在硏磨前 在工件保持盤本體背面和保持盤鑲板之間,使硏磨劑淤漿 不著固地,把工件真空吸附而進行硏磨以外,以和實施例 1相同條件進行硏磨。 結果,在工件硏磨後的魔鏡像,未發生保持盤鑲板的 溝模之圖型。可能係因保持盤鑲板變軟,保持盤本體背面 和保持盤鑲板之間的密接性顯著地變高,由同心圓狀之溝 模,被緩和對保持盤本體的應力之參差所致。據此得到工 件的高平坦度,在魔鏡看不出有起伏,而達成高精度之硏 磨加工。 〔比較例3 ) 在實施例3,除了將保持盤鑲板的材料,做爲阿斯卡 C硬度9 8之氯乙烯樹脂以外,以和實施例3相同條件進 行硏磨。 在該條件下,工件硏磨後的魔鏡像,發生同心圓狀之 圖型,而該圖型係和保持盤鑲板的溝模一致。亦即由有無 保持盤鑲板的溝模,對保持盤本體的應力之強度將會變化 ’可能微小的凹凸被複製在保持盤本體之工件保持面,結 果在工件表面發生起伏者。 再者’本發明,並不限定於上述實施例。上述實施例 係例示,具有和本發明的申請專利範圍所記載之技術性思 本紙張尺度適用中國g家標準(CNS)A4規格(2]〇 x 297公爱) L.-----------"--------訂·--------竣 (請先閱tf背面之注意事項再填寫本I > 經濟部智慧財產局員工消f合作社印裴 -16- 42658^ at — _B7__ 五、發明說明(14 ) 想實質上相同構成,發揮相同的作用效果者,皆包含在本 發明之技術性範圍》 例如,在本發明的實施例,雖然將直徑2 0 0 m m ( 8吋)之矽晶片硏磨I可是也能夠充份因應近年來的 25〇mm(10吋)〜400mm(16吋)或其以上 之大直徑化。被硏磨的工件也可以爲矽以外之精密基板等 本紙張尺度適用中as家標準(CN’S)A4規格(210 x 297公笼> (請先閱讀背面之;1意事項再填寫本頁> ^衣· — 一 I — —-"-π-ιιιιιιι_^ -17-

Claims (1)

  1. A8B8C8D8 426585 六、申請專利範圍 1 . 一種硏磨用工件保持盤,是由:具有將工件真空 吸附保持的多數貫通孔之工件保持盤本體以及密接在該保 持盤本體的背面之具有真空用溝之保持盤鑲板所組成的硏 磨用工件保持盤,其特徵爲:該保持盤鑲板之材質爲塑膝 ,並且阿斯卡C硬度爲超過7 0且低於9 8者。 2 .如申請專利範圍第1項之硏磨用工件保持盤,其 中,前述塑膠,係從尿烷樹脂、氯乙烯樹脂、聚醯胺( polyamide )樹脂中所選擇之1種者。 3 . —種工件之硏磨裝置,是屬於具備:貼上硏磨布 的旋轉台.和將硏磨劑供給到硏磨布表面之裝置、及使工 件強制地壓接在硏磨布表面的硏磨用工件保持盤之硏磨裝 置,其特徵爲:上述硏磨用工件保持盤,係採用如申請專 利範圍第1項或第2項所述的硏磨用工件保持盤。 4 . 一種工件之硏磨方法,其特徵爲:將前述申請專 利範圍第1項或第2項的硏磨用工件保持盤之表面做爲工 件保持面來將工件的背面予以真空吸附保持,接著使該工 件接觸在硏磨布以對於工件之表面進行硏磨。 (請先閱讀背面之注i項再填寫本頁) ·1111111 ·1111111 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW089102328A 1999-02-12 2000-02-11 Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method TW426585B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3376299A JP3623122B2 (ja) 1999-02-12 1999-02-12 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW426585B true TW426585B (en) 2001-03-21

Family

ID=12395455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089102328A TW426585B (en) 1999-02-12 2000-02-11 Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6422922B1 (zh)
EP (1) EP1125686B1 (zh)
JP (1) JP3623122B2 (zh)
KR (1) KR100701340B1 (zh)
DE (1) DE60007273T2 (zh)
TW (1) TW426585B (zh)
WO (1) WO2000047368A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110977754A (zh) * 2018-10-03 2020-04-10 株式会社迪思科 矩形基板的磨削方法
CN113927462A (zh) * 2021-11-08 2022-01-14 广东海拓创新精密设备科技有限公司 一种半导体减震夹持卡盘装置及其系统

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3518804B2 (ja) * 2000-08-30 2004-04-12 一郎 ▲吉▼村 薄層版の製作方法とこれに使用するチャック用薄層版支持体
US8268114B2 (en) * 2001-09-28 2012-09-18 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Workpiece holder for polishing, workpiece polishing apparatus and polishing method
US6617573B2 (en) * 2001-10-25 2003-09-09 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Carrier device having a carrier surface with an opening for connecting with grooves
US6752703B2 (en) * 2001-12-21 2004-06-22 Lam Research Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and methods with porous vacuum chuck and perforated carrier film
JP2003257910A (ja) 2001-12-28 2003-09-12 Fujikoshi Mach Corp 基板における銅層の研磨方法
KR100898793B1 (ko) * 2005-12-29 2009-05-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자용 기판 합착 장치
JP4878860B2 (ja) * 2006-02-14 2012-02-15 Hoya株式会社 吸着支持具
JP5074719B2 (ja) * 2006-07-14 2012-11-14 東京応化工業株式会社 ウエハを薄くする方法及びサポートプレート
JP6815138B2 (ja) * 2016-09-06 2021-01-20 株式会社ディスコ 吸引保持システム
US20180281151A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 Applied Materials, Inc. Adhesive-less carriers for chemical mechanical polishing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103651U (ja) * 1983-12-19 1985-07-15 シチズン時計株式会社 真空吸着台
JPS62165849U (zh) * 1986-04-08 1987-10-21
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
JPH09123059A (ja) * 1995-11-02 1997-05-13 Fujitsu Ltd 研磨方法
KR0151102B1 (ko) * 1996-02-28 1998-10-15 김광호 화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법
US6074287A (en) * 1996-04-12 2000-06-13 Nikon Corporation Semiconductor wafer polishing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110977754A (zh) * 2018-10-03 2020-04-10 株式会社迪思科 矩形基板的磨削方法
CN113927462A (zh) * 2021-11-08 2022-01-14 广东海拓创新精密设备科技有限公司 一种半导体减震夹持卡盘装置及其系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000233366A (ja) 2000-08-29
DE60007273T2 (de) 2004-09-23
JP3623122B2 (ja) 2005-02-23
KR100701340B1 (ko) 2007-03-29
WO2000047368A1 (fr) 2000-08-17
EP1125686B1 (en) 2003-12-17
KR20010042617A (ko) 2001-05-25
DE60007273D1 (de) 2004-01-29
US6422922B1 (en) 2002-07-23
EP1125686A1 (en) 2001-08-22
EP1125686A4 (en) 2002-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW426585B (en) Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method
TW474848B (en) Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
US6531397B1 (en) Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing
TW379389B (en) A method to polish semiconductor wafers
KR20090074056A (ko) 연마헤드 및 연마장치
WO2003086701A1 (en) Protection of work piece during surface processing
JPH0335063B2 (zh)
SG182597A1 (en) Polishing head and polishing apparatus
US6872130B1 (en) Carrier head with non-contact retainer
JP2000317819A (ja) ウェーハ研磨装置
TW201318767A (zh) 研磨頭及研磨裝置
JP6491812B2 (ja) メンブレン、研磨ヘッド、ワークの研磨装置及び研磨方法、並びに、シリコンウェーハ
JP2007012918A (ja) 研磨ヘッド
CN105189045B (zh) 工件的研磨装置
US7029386B2 (en) Retaining ring assembly for use in chemical mechanical polishing
US20030031890A1 (en) Angular substrates
KR20100094466A (ko) 연마 헤드 및 연마 장치
JP2004311506A (ja) ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法
JPH09246218A (ja) 研磨方法および装置
JPS63144954A (ja) 平面研磨装置
JPH11188618A (ja) ウェーハの研磨方法と研磨用ウェーハホルダー
US20140174655A1 (en) Polishing tool with diaphram for uniform polishing of a wafer
WO2009107334A1 (ja) 研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法
TW202344348A (zh) 具有凹槽及蓋體之研磨頭組件
JPH0660442A (ja) スタンパ裏面研磨法および研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees