TW425314B

TW425314B - Cleaning method and production of semiconductor device using said method

Info

Publication number: TW425314B
Application number: TW085110860A
Authority: TW
Inventors: Katsuhiro Ota; Haruo Ito; Akio Saito; Katsuhiko Ito; Tomomasa Funahashi
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-09-07
Filing date: 1996-09-05
Publication date: 2001-03-11
Also published as: KR100471742B1; US6029679A; KR970018268A

Description

«濟部中央揉準局負工消费合作社印*. 4253 1 4 A7 B7 五、發明説明（1> 發明背景本發明係關係於一種用以於生產電子材料，磁性材料 •光學材料，陶瓷等製程時之清洗化合物樣本之方法，該化合物包含無機或有機材料，以及，一種使用該清洗方法來製造例如：半導體裝置產品之製程。特別是，本發明關係於一種清洗方法適用以防止或顯著地降低在半導體基底表面上之細微粒之黏著力•以及，一讀使用賅清洗方法以生產一半導體裝置之製程。形成在一基底表面，例如：一半導體晶圓等等之表面在稹集之水準最近已經增加，因此，與圖案的線寬度變成愈來愈細微·於下一階段之6 4M動態隨機存取記億體（ DRAM)中，最小裝配尺寸是〇 . 3微米與更細微之微粒將變成一於其製程中之改善品質與產出良率之阻礙* 因此，一種用以清洗一基底表面之方法，其中之一方法是，氨水和過氧化氫溶液的一種混合溶液是被加熱到大約攝氏8 0度，以及，一晶圓是被浸入於其中，或者*是一種方法*其中，一晶圓是於一超純水中受到超音波處理，此係如於1 970年之# RCA回顧，第1 87頁至 206頁所揭示者· 再者，又有一種方法*其中，二氧化矽薄層3 9 (示於圖式1 6 )是被濕蝕刻法所除去而沒有除去一抗蝕層 3 7 «依據道種方法，如在圖式1 6所顯示者，一二氧化矽薄層3 9與一多矽薄層4 0是被形成在一多矽薄層3 8 之上，並且，被使用以形成一鳍結構•然後，在SiN ( 本紙張尺度適用中B國家揉率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' " -4 - (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本I ) 訂

A7 _B7_:_ 五、發明説明（） 2 未示出於圖式1 6中）之形成於該多矽3 8及4 0上之後，該抗蝕層3 7與二氣化矽靥3 9是被移去·以作成 1 . 5之鰭結構· Γ 考暈於稹體電路中之積集度之較髙密度，以及，於下一階段之64M DRAM之〇. 3微米之最小裝配尺寸，予以被清洗之細微粒的尺寸將愈來愈小，以及，如此，將會需要除去甚至具有一0. 03微釆大小之細微粒· 當細微粒的大小降低時，在空氣中之細微粒的數量同時也會增加·因此，0 . 0 3微米之細微粒的數量將呈現數倍於現行所生產（16M DRAM)之0. 05微米之細微粒的數置。再者，當細微粒的大小降低時，諸細微粒將更容易地附著於一基底上，導致更常窬要用以清洗細微粒之技術β 經濟<中央標準為員工消费合作杜印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是·根據一種使用機械力，例如超音波，而來由一基底上除去細微粒之先前技藝，因爲，該質量和表面稹是隨著細微粒之尺寸減少而減少，所以每一可充電之機械力降低，因此，吾人變得困難除去諸細微粒。再者，隨著半導體之稹集度之增加，在基底上之損壤也變成一個問題》如此，吾人係不可能根據先前技藝來除去非常細微之微粒 β * ··- 例如，氫氟酸與氟化氨的混合水溶液的使用是被加以考慮*出現於此一混合水溶液之細微粒似乎是由各種因索所產生之微粒所導出，諸如：附著至一半導體晶圓的一後側之細微粒之除去，以及由蝕刻一氣化物薄層所新產生之本紙張尺度適用中困國家橾率（CNS ) Α4洗格（210X297公釐) 4253 1 4 at B7 經濟部中央梂工消费合作杜印寒五、發明説明（） 3 微粒所導出•特別是於後者，諸細微粒包含那些具有矽作爲一主要成份並由化學反應所產生者，在氧化物薄層的蝕刻法時所產生者等等，那些於蝕刻前附著到基底及由蝕刻所放出之反應產物者，該蝕刻法係諸如氧化薄層的乾蝕刻法。吾人係很難防止由後者所產生之如此之細微粒不黏附到基底上*即使上述混合水溶液及半導體晶圃的後側是被清理》 4’ 再者*於前述之1. 5饍結構例子中，因爲矽薄靥表面3 8 (見圇式1 6 )在二氧化矽薄層3 9之濕蝕刻之後是被曝光，細微粒是被附著至多矽薄層表面3 8之上》更具體的說，細微粒是被以每平方公分〇. 9微粒或更多之數量附著至產品上。如此附著晶圃上之細微粒變成於半導體裝置生產中，降低產品良率之一主要因素。〔發明摘要〕本發明的一目的是提供一清洗方法用以防止或顯著地減少附著至半導體裝置表面上之微粒，其係使用一清洗溶液，諸如：一氫氟酸溶液，氫氟酸與氟化氨的一混合水溶液，等等於清洗半導體裝置之步驟中，與一製程用以使用該清洗方法而產生半導體裝置，以高良率生產例如：半導體積體電路，等等之裝置。本發明提供一種清洗方法，包含： ’一以一容易受到細微粒附著或相等或較單晶矽容易附 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .¾. 訂

本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） Γ t 五、發明説明（ A7 B7 著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，一形成具有靜電排斥力以對抗細微粒之第二薄屠之步驟*以便於覆羞第一薄餍，以及一使用包含細微粒之清洗溶液來清洗被覆蓋以該第二薄層之基底。本發明更提供一製程用以產生一半導髖裝置*包含： —以一容易受到細微粒附著或相#或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟， —形成具有靜電排斥力以對抗細微粒之第二薄層在第一薄層之上，一形成第三薄層在第二薄層之步驟， —形成一具有想要形式之抗蝕薄層在該第三薄層上* 一乾蝕刻第三薄餍的步驟，其係使用抗蝕薄餍作爲一軍幕與第二薄層作爲一阻絕層*與一浸入基底以於一清洗溶液中形成抗蝕薄層於其上之步驟。〔圖式之簡要說明〕圇式1 A及1 B是概要剖面視圖，說明一被覆盖以一特殊物質之基底表面預防細微粒黏附著*葙由一靜電排斥力之發明概念。豳式2 A至2 C是概要示圖，展示一基底細微粒距離與位能間之間關係· 圖式3及4是圖表，展示一於附著細撖粒的數量和f (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂_

C 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） -7 - 鍾濟部中央揉率f工消费合作社印蓑 1 4 253 14 at _B7_^__ 五、發明説明（5 ) 電位間之關係* 圖式5在一概要圖，展示一浸入6吋矽晶圃於氫氟酸與氟化氨混合水溶液中於其中散佈細微粒之步騄，與將矽晶圖取出β 圖式6至1 1是圖表，展示一於附著細微粒數量和浸入時間間之關係》圖式12是一先前技藝半導體產品晶圚的一鳍結構電容器部份的一剖面圖* 圖式1 3是一流程圖，說明浸入在氫氟酸與氟化氨的 —混合水溶液浸入與取出各種晶圓· 圖式1 4Α至1 4 Ε是橫斷視圖，顯示依據一先前技藝用以生產一半導體產品晶園之餚結構電容器的每一步驟〇圖式15Α至15D是剖面視圆，顯示依據本發明之用以生產一半導體產品晶圓之餚結構電容器部份之每一步驟。圖式16是一依據先前技藝之半導體產品晶圓鳍結構電容器部份的剖面視圖。圖式1 7是一示意圖，顯示一依據本發明之清洗系統〔較佳實施例的說明〕前述目的可以由一具有較大靜竈排斥力來對抗細撖粒之薄層的形成，以覆董一基底或形成一薄層，其係容易受本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > Α4現格（210X297公釐) {請先聞讀背面之注f項再填寫本頁)

訂- το_ A7 B7 五、發明説明（c) 0 到細微粒的附著。如此•即可以防止基底表面於一溶液中例如一清洗溶液之細微粒的黏附•再者，本發明的清洗方法是特別有效於清洗一薄層，其係相等或較單晶矽容易受到細微粒的附著•更具體的，細微粒容易地附著至一鋁薄層與一多晶矽薄層，使得本發明的清洗方法對於醋薄層係特別有效的· 本發明具有以下的實施例β v (1 ) 一種清洗方法，包含：一以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如，出現在一清洗溶液中者，其具有相等或較單晶矽容易附著之材料 *在一基底上形成一第一薄層之步驟， —形成具有靜電排斥力以對抗細微粒之第二薄層之步驟，以便於覆蓋第一薄層，以及一使用包含細微粒之清洗溶液來清洗被覆蓋以該第二薄層之基底，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力〇 (2) —種清洗方法，包含：鏟濟部中央螵準f工消费合作社印製 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 形成鋁薄層在一基底上之步驟，形成具有靜電排斥力來排斥出現在清洗溶液中之細微粒之第二薄層之步驟，以便不暴露該鋁薄靥，以及清洗被覆蓋以第二薄層之基底之步驟，藉使用清洗溶液*以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力* (3) —種清洗方法*包含：在一基底上形成多晶矽薄層之步驟* 本紙张尺度逋用中两《家揉率（CNS } A4规格（210X297公釐）鐘濟部t夬樑率局貝工消费合作社印氧 4253 1 4 A7 A/ _B7___ 五、發明説明（7) 形成具有靜電排斥力來排斥出現在清洗溶液中之細微粒之第二薄層之步驟，以便不暴露該多晶矽薄層，以及清洗被覆盖以第二薄餍之基底之步驟，藉使用清洗溶液，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力· (4 ) 一種清洗方法，包含：清洗一基底，在其上一具有絕對值2 5亳伏或更大之 f電位之薄層已經形成於一清洗溶液中使用清洗溶液所形成，以防止或降低細微粒對基底之附著力· (5 ) —種清洗方法，包含：一以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如，出現在 —清洗溶液中者，其具有相等或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，一形成具有靜電排斥力以排斥細微粒之兩或更多之薄層之步驟，以便於不曝露第一薄層，以及清洗被覆蓋以該兩或更多之薄層之基底之步騾，藉由使基底浸入於一清洗溶液中，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力* (6 ) —種清洗方法，包含：一以一容易受到細微粒附著，該細微粒是例如出現在一清洗溶液中者*其具有相等或較單晶矽容易附著之.材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，一以選擇自包含一抗蝕劑，氮化矽及二氧化矽群髖之至少一組成•來形成第二薄屠之步思，以便於不曝霣第一薄層，以及本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS > A4说格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再&寫本頁) 訂

-10 - A7 B7 五、發明説明（。） 0 一使用包含細微粒之清洗溶液來清洗被覆蓋以該第二薄層之基底，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力 e «濟部中夹標率^貝工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注^^*-項再填寫本頁) (7 ) —種於實施例（6 )中之清洗方法，其中該抗蝕劑是一感光樹脂至少一組成選擇自群體：包括酚醛樹脂，環化天然橡膠，琪化合成橡廖，聚乙烯肉桂酸*聚（甲基異丙烯酯酮），聚乙烯酚，感光聚鑪胺，聚乙烯—P-曼氮苯，聚甲基丙烯醯氧苯醑乙醯苯，聚乙烯肉桂叉醋酸，聚（甲基甲基丙烯）* 4 *硫化4 > —二蜃氮二苯硫，聚一 4 一烯酚，3，3-二疊氮二苯碩，氯甲化聚苯乙烯，苯乙烯化聚合物結合至2，4 -二氯甲苯酸的衍生物，氣化苯乙烯聚合物，六氟丁甲基丙烯聚合物*四氟丙基甲基丙烯聚合物，某醌二叠氮化合物，甲基甲基丙烯-丙烯睛共聚物》聚（去水甘油甲基丙烯）*聚（2 —甲基一 1 _戊烯碩），碘化聚苯乙烯，聚（GE —氰基丙烯酸酯），聚（六氟丁甲基丙烯），聚（二甲基四氟丙酯丙烯，聚 (三氯乙烯丙烯），聚（三氟乙烯一α —氯丙烯），聚甲基丙烯引入甲基順一丁烯二酸酯成爲支鏈，氯化聚甲基碩，酚醛-苯Μ，三氣乙烯甲基丙烯聚合物，三氟乙烯氣丙烯聚合物，聚甲基丙烯，乙基乙烯共聚物，與碩共聚物 (8 )—種於實施例（6 )或（7)中之清洗方法，其中該抗蝕劑是一感光剤至少由以下群雔中選擇一組成，該群®包括〇 —某二叠氮化合物•雙偶氮化合物，感光劑本纸張尺度適用中ββ家梯率（CNS > Α4洗格（2丨0X297公釐） -11 - 鐘濟部中央揉準局Λ工消费合作杜印製 ^ - 4 2531 4 A7 ___ B7_^_五、發明説明（） 9 ，α —某醗二叠氮化合物，與4 _叠氮化物査耳酮》 (9 ) 一種淸洗方法，包含：形成鋁薄餍在一基底上之步驟，形成一第二薄層以至少由以下群體中選擇一組成•該群體包含一抗蝕劑，氮化矽和二氧化矽，以至於不暴露第一薄層，與清洗被覆蓋以第二薄層之基底之步驟，藉使用清洗溶液，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力· (10)—種清洗方法，包含：形成一多晶矽薄層在一基底上之步驟，形成一第二薄層以至少由以下群體中選擇一組成，該群髖包含一抗蝕劑•氮化矽和二氧化矽•以覆蓋該多晶矽薄層，與清洗被覆蓋以第二薄曆之基底之步驟，藉使用清洗溶液，以防止或顯著地減少細微粒對基底之黏附力· (1 1 ) 一種清洗方法，包含：一以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如·出現在一清洗溶液中者，其具有相等或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，形成一有機薄層的步驟，以不暴霣該第一薄層，和清洗該被覆蓋以該有機薄層之基底之步斑，使用一清洗溶液。 (1 2) —種於實施例（1 1 )中之清洗方法，其中該第一薄餍是一鋁薄層或一多晶矽薄靥* 請先閲面之注

I 頁訂本纸張尺1適用中國國家揉牟（（：1^)八4规格（2丨0：<297公釐） -12 - 鐶濟部中央樣- Ά 工消费社 Α7 ___Β7___ 五、發明説明（） 10 (13) —種於實施例（11)或（12)中之清洗方法’其中，該有機薄層有一或多數極性群· (1 4 ) 一種於實施例（1 1 )中之清洗方法，其中 *該有機薄層具有至少一組成，其選擇自包括一氫氧根群 ’一酯連結，一醯氨連結與一乙醚連結之群中。 (1 5 ) —種清洗方法，包含：清洗一基底*在其上一薄層具有絶對值2 5奄伏的一 f電位或更多於一清洗溶液中者已經被形成，經由浸入基底於清洗溶液中，該清洗溶液是選擇自包括 (A) —酸性溶液包含至少一氫氟酸，鹽酸，硫酸，硝酸，醋酸，與有機的酸類· (B ) —酸性溶液包含一無機或有機酸，過氧化氣溶液*與氟化氨* (C )—鹼性溶液至少包含一選擇自包括氨水和氨基之群之一組成， (D ) —鹸性溶液包含至少氮水和氨基化合物，與過氧化氫溶液與氟化銨之一， (E) —混合劑至少包含（A)及（B )酸性溶液之一，與一鹸性溶液（C)與（D)，和 (F) —種中性溶液，例如：超純水* (16) —種於實施例（15)中之清洗方法，其中 *該清洗溶液更進一步包含一陽離子界面活性劑，一陰離子界面活性·劑，或一兩性界面活性劑，與一有機溶媒· (17) —種清洗方法，包含：本紙張尺度適用中两困家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） (#先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

-13 - 4253 1 4 «濟部中央搮率局貝工消费合作杜印*. A7 B7 五、發明説明（u) —以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如，出現在一清洗溶液中者•其具有相等或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，形成第二薄層具有靜電排斥力來對抗幾乎出現於一清洗溶液中之細微粒，以致於覆蓋第一薄層*和清洗被覆薏以第二薄層之基底之步驟•藉使用具有1 至4 p Η值之淸洗溶液，以防止或顯#地減少細微粒對基底之黏附力。 (1 8 )—種清洗方法，包含：清诜一基底，在該基底上一於一清洗溶液中之薄層具有一絕對值2 5毫伏或更多之$電位已經被形成*使用一清洗溶液具有一1到4之pH值》 (19)一種清洗方法，包含：形成具有靜電排斥力來排斥出現在清洗溶液中之細微粒之一薄靥在一基底上之步駿，以便不条鱔該基底，以及藉由浸入該基底於清洗溶液中以清洗該基底，以防止或顯著地減少細微粒的至基底之附著力。 (2 0 ) —種用以產生一半導體裝置之製程包含： —以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如，出現在一清洗溶液中者，其具有相等或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，一在第一薄層上，形成具有靜電排斥力以對抗細撤粒之第二薄層之步驟，形成一第三薄層在第二薄靥上之步驟，本紙張尺度逋用中困8家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐）一 14 _ (請先聞讀背面之注^^項再填寫本頁)

T? 五、發明説明（12) 形成一具有想要形式之抗蝕薄層在第三薄層上之步駿 f 一乾蝕刻第三薄層的步驟，使用抗蝕薄層作爲一軍幕與第二薄層作爲一阻絕層，和將該形成抗蝕薄層於其上之基底浸入於一清洗溶液中之步K。 (2 1 ) —種用以產生一半導體燊置之製程，包含：形成一於一溶液中具有絕對值一f電位2 5毫伏或更多之第一薄層在一基底上之步驟，一形成具有靜電排斥力來對抗於該溶液中之幾乎細微粒之第二薄層在第一薄層上之步驟| 形成一第三薄層在第二薄層上之步驟，形成一具有想要形式之抗蝕薄餍在第三薄層上之步驟一乾蝕刻第三薄層的步驟，使用$蝕薄層作爲一罩幕與第二薄層作爲一阻絕層，和鯉濟部中央嚴準為貝工消费合作社印策 (請先閲讀背面之注f項$寫本頁) 將該形成抗蝕薄層於其上之基底浸入於一清洗溶液中之步驊· (2 2 ) —種用以產生一半導體裝置之製程包含：一以一容易受到細微粒附著，細微粒是例如，出現在一清洗溶液中者•其具有相等或較單晶矽容易附著之材料，在一基底上形成一第一薄層之步驟，形成第二薄層在第一薄層上之步驟· 形成一積層薄層的步騄，該稹層薄層包含一第三薄層本紙張尺度遑用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 425314 鍰濟部中央揉率局貝工消费合作杜印家 A7 B7__五、發明説明（19) 1U 與一多晶矽薄層在第二薄層上，一在該積層薄餍形成抗蝕薄靥之步驟，乾蝕刻該稹層薄層使用抗蝕薄層作爲一罩幕與第二薄層作爲一阻絕層，和一濕蝕刻該第三薄層，同時將該具抗蝕薄層於其上之基底浸入於一溶液中之步驟。本發明將藉由參考諸圖式而加以詳細說明· 圖式1 A及1 B是概要剖面圖，說明以一靜電排斥力來預防被覆蓋以特殊物質的基底被細微粒附著之發明想法。於圖式1 A中*因爲於一基底1與一細微粒2間之靜電排斥力是很小，該細微粒附著至基底·於圖式1 B中，因爲基底1是被覆蓋以一特殊物質4，以便增加靜電排斥力 *細微粒的黏附力是被防止·於面式1 A與1 B中，數字 3代表表面電荷。圖式2A至2C顯示本發明的基本想法。圊式2A顯示一於基底細微粒距離和位能（W)間之關係。圖式2 B 是一概要說明圖顯示由於基底1及細微粒2間之表面電荷 3所形成之電雙層所引起之靜電排斥力•圓式2 C是一概要說明圖顯示由於基底1與細微粒2間之瓦得瓦力所造成之吸引力。如於圖式2A中所顯示·於溶液中基底1與細微粒2間之位能W是由瓦得瓦力之吸引力（V A )與電雙層所形成之靜電排斥力（VR)的總和，亦即，W=VA + VR·藉由通過電位的峰部（或最高部），似乎細微粒附著至基底。因此，本發明已經藉由察見該現象加以完作表紙張尺度逋用中0國家橾準（CNS ) A4洗格（210&297公釐> 一 16 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Γ A7 B7 五、發明説明（14) ，以使得電位的峰值變高與降低細微粒對基底之黏附力，道是有效於使得基底的表面電位的絕對值（道是可以由實驗置測得爲一f電位）變髙，以增強靜電排斥力。圖式3是一圖表，展示一所附著至基底之細微粒的數量與f電位間之關係。於圖式3中，數字5是矽粒子受到氫氟酸之蝕刻處理（在浸入於氫氟酸溶液〔HF: Η 0 =1:99於數置上，商業可用HF的濃度是百分之五十，在本文中相同的東西是被使用，細微粒是被使用一個過濾器所收集者，在本文中係被稱爲^粗矽微粒”）之後，數字6是矽微粒的例子沒有該處理，數字7是聚苯乙烯微粒的例子·與數字8是Α1 〇1微粒的例子。如在圖式 3中所顯示*該f電位是不同取決於微粒的種類*再者，於矽微粒的例子中，f電位值是不同取決於表面狀態上之差*因此*附著至基底之細微粒的數量同時也被改變。所以，其係可能防止或減少細微粒附著到基底之附著力經由控制f電位。 .再者，基底的f電位和細微粒是一般而言負的*但是，兩者均可以是正的*譬如，於鋁基底與鋁微粒的例子中。所以，在本發明中，控制$電位之機構造成€電位的絕對值變大。對基底和細微粒等充電之結構例如是說明於彩雄北原之1^羼散和乳化系統之化學"，第7 7至7 9頁之中（於 1979年由科學圖害所印刷）· 依據本發明，經由以一物質覆蓋基底·賅物質可以控本纸張尺度適用中國两家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注ί項再填寫本頁) -订娃濟部中央梯率f工消费合作杜印装 -17 - 鍾濟部中央揉準局Λ工消费合作社印製 425314 A7 ____B7__五、發明説明（15) 制f電位，於一例如一清洗溶液之溶液中之基底的f電位之絕對值是被變大•使得於溶液中之基底及細微粒間之靜電排斥力增加。結果，在細微粒和基底之間之電位是被增強，以及，變成可以來防止或減少細微粒對基底的黏附力〇同時*藉由使用本發明的清洗方法，它變成可能以較髙品質及較高良率來生產半導體裝置柑較於先前技藝•所附著細微粒數量與f電位的依附關係是在圖式4中被顯示。於這實驗中，一矽晶圓是被浸入在氫氟酸（由容量百分之二十）與氟化氨的一混合水溶液之中，與所附著細微粒之數量是被測量。該f電位是被一界面活性劑的增加數置所控制•所附著之細微粒的數量接近- 2 0奄伏之f電位，大到2到8微粒公分平方以一大的偏差*當$竜位是一 2 5奄伏或更低者，所附著細微粒的數量變成2微粒/公分胖或更低，附著細微粒之數量變成更低*這意諝著本發明的目的可以藉由使得基底之f電位的絕對值成爲大約 2 5毫伏或更多，經由將該基底覆蓋以一特別物質所加以完成。所附著細微粒的數置與f電位的關係將會在使用氫氟酸之例子中被承認。再者，f電位瞄界值之變化取決於溶液（例如清洗溶液）中之離子澳度以及溶液（例如清洗溶液）的成份。當所附著細微粒的數fi是毎平方公分〇·1微粒或更低時，良率將顯著地被改善· 本發明是被以下之例子所舉例說明•於道些例子中， (請先閲讀背面之注意事項Hr;#寫本頁)

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本紙張尺度逍用中國國家標率（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） -18 - A7 B7 經濟部中央橡率f工消费合作社印策五、發明説明（1C) lb f電位，亦即，表面電位，其是於溶液中之一靜電排斥力的索引者是被測量如下· 〔？電位的量測〕一 f電位可以大致地被電氣泳動所獲得。電氣泳動意謂著一種現象，其中當靜電場被施加時，在一溶液中之具有表面《位之細微粒遷居•藉由測量紬微粒的遷移速度，即可以獲得一微粒之f電位，該f電位具有一相對於遷移速度之比例關係•在本發明中，細微粒的f電位是被使用雷射ZEE TM機型501(―商標*由潘健公司所製造）基於該原理。爲了確認本發明的效果，抗蝕物質的微粒*聚苯乙烯微粒，矽微粒，二氣化矽微粒，氮化矽微粒與鐵微粒是被使用•道些微粒被使用只是因爲是容易取得的微粒具有幾乎均勻之直徑•如此，本發明的效果，不用說，是不被限制到這些微粒* 因爲該抗蝕微粒，其是被使用經由固化一 THMR — i P 3 1 00抗蝕材料（一商標，由東京〇hka Kogyo 有限公司製造，其主要成份：甲基一 3 —甲氣基與酚醛樹脂）成爲一方塊與硏磨它以具有1微米之平均微粒直翟（於本文中係稱爲^微粒直徑^)。因爲聚苯乙烯微粒，所使用表面更改均勻乳液微粒（由杜化學公司所製造）具有一直徑1至0. 038微米之微粒直徑· >紙張尺度逍用中國国家標率（CNS > Λ4规格（2〖〇X_297公釐) (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁)

、v -訂 -19 - 42531 4 A7 B7 五、發明説明（ 17 因爲矽微粒，二氧化矽微粒，氮化矽微粒與鐵微粒，那些由高純化金有限公司所製造之具有一直徑1微米之微粒是被使用。至於矽微粒，所使用者是那些未預處理及那些受過以氫氟酸溶液作蝕刻處理有1分鐘者（於數量上氫氟酸：水=1:99)(亦即未處理之矽微粒）。實驗結果顯示，$電位的諸值是不取決於微粒直徑β 因此，藉由使用具有前述微粒直徑所獏得之測置資料可以被使用，當這些是一平面物質，諸如：一半導體晶圓與大約0. 05微米之超細微粒*所以，依據本發明之被覆蓋以一抗蝕材料氮化矽之半導體晶圓的f電位值可以由個別微粒的每個f電位值被加以獲得* 請· 先閲- 背· 面-之* 注項再窝本頁

I 訂

經濟部中央橾率為貝工消费合作社印家率揉家國國中用通釐 29 -20 - B7 五、發明説明（18) 表1顯示個別材料的f電位值。 \微粒溶液 Si3N4 Si 抗蝕層 Si〇2 水 -37 -43 -45 -44 氮氣酸2 % + 氟化銨8¾ -34 -23 -40 -23 氫氟酸 (0.5«) - 8 -5 6 -5 鹽酸 (pH3) -6 -2 8 7 -29 氨水 (pH9) -93 -53 -56 -60 (單位：毫伏）經濟部中央棣準局員工消費合作社印«. (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔例子1〕依據本發明之細微粒的預防效果是被以下的步驟所加以確認•如在圖式5中所顯示，聚苯乙烯微粒具有一本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS > A4规格（210X297公釐) -21 - 4 25 3 1 4 A7 B7 五、發明説明（19) 0. 038微米直徑者是被散佈在一混合水溶液中，該混合水溶淚是由使用商業可獲得之百分之五+氫氟酸和商業可獲得之百分之四+之氟化氨所獲得，其於數置比率H F ：Ν Η β F ： Η 20 = 1 : 5 : 19 (HF42%，NH4F 8%)於一容器1 0之中（於溶液中之微粒濃度是被調整到5 * 1 0 7微粒/公分a) ·然後，一 6吋矽晶圖9是被浸入於該溶液中一預定時間*該矽晶0被自該容器1 0中取出與受到旋乾。所附著之聚苯乙烯微粒的數量是被使用一掃描電子顯微鏡（S EM)所測置* 浸入時間和所附著聚苯乙烯微粒的數量間之關係是被於圖式6與7中之線11所顯示。從道些結果可清楚知道，所附著數置是以一浸入時間的增加而增加* 於以上所述之相同方法* 一被覆蓋以抗蝕材料被之矽晶圃是測試以測置附著之聚苯乙烯微粒。這些結果被於圖式6中之線1 2所示·如圖式6所清楚顯示，聚苯乙烯微粒幾乎被承認沒有黏附。輕濟部中夬橾率局負工消費合作社印氧 (請先聞讀背面之注^^項再填寫本頁)

當一被覆羞以氮化矽之矽晶圓是被以以上所述之相同方法所加以測試時。這些結果是圖式7中之線1 3所顯示 *如由圓式7中所清楚顯示，聚苯乙烯微粒被認爲幾乎沒有黏附力由以上結果所清楚了解，附著至矽晶圓之細微粒的數量可以被顯著地減少，藉由掩蓋矽晶圓（基底）以抗蝕材料或氮化矽。因爲該抗蝕材料，可以使用感光樹脂·感光樹脂的例本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) A4规格（210X297公釐） -22 - 五、發明説明（ 20 A7 B7 子是酚醛樹脂，環化天然橡膠，環桂酸*聚（甲基異丙烯酮），聚乙化合成橡膠，聚乙烯肉烯酚》感光聚醯胺，聚乙烯一 P —叠氮苯，聚甲基丙烯醣氧苯醣乙醣苯，聚乙烯肉桂叉醋酸，聚（甲基甲基丙烯）· 4，硫化4 叠氮二苯硫，聚一4_烯酚 3 Γ 禁央 -揉準局貝费合作社化聚苯乙烯·苯乙烯化聚合物結合的衍生物，氣化苯乙烯聚合物，六四氟丙基甲基丙烯聚合物，棻醗二丙烯-丙烯腈共聚物，聚（去水甘一二叠氮二苯硫，氯甲至2 · 4 —二氯甲苯酸氟丁甲基丙烯聚合物，叠氮化合物，甲基甲基油甲基丙烯），聚（ 2-甲基_1_戊醇烯硯），碘化聚苯乙烯，聚（α—氣基丙烯丙酯苯一氣丙鏈•氣合物，聚物，合物· 是較佳至化合物 ,等等酸酯），聚（六氟丁甲基丙酯丙烯，聚（三氣乙烯丙烯烯），聚甲基丙烯引入甲基化聚甲基研I，酚醛一苯餛，三氟乙烯氣丙烯聚合物，聚與砚共聚物。這些樹脂可以特別是，酚醛樹脂，環化天的，因爲其對氫氟酸有優良於感光劑，可以使用〇-某，傳統感光劑，例如：氨基，0!菜酕二曼氮化合物，4 烯），聚（二甲基四氟 )*聚（三氟乙烯一 α 順一丁烯二酸酯成爲支三氣乙烯甲基丙烯聚甲基丙烯，乙基乙烯共被單獨使用或作爲一混然橡膠•及聚乙烯醯胺之抗蝕性* 二曼氮化合物•雙偶氮化合物，醯氨基化合物 -叠氮化物査耳酮等等至於薄靥用以防止細微粒的黏附力之效果，可以使用其他的傅統有機薄層•至於，構成如此有機薄餍之有機材本紙張尺度適用中國Β家標率{ CNS > Α4规格（2丨0X297公釐） (#先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -23 - 經濟部中央揉丰爲負工消费合作社印*. 4 253 1 4 A7 _B7_^_五、發明説明（21 ) 料*可以使用那些具有一或更多極性基，一或更多氫氧根基（一 0H)，一或更多酯鍵（一 C00 —)，一或更多醯胺鍵（一 CONH —)，與一或更多醚鍵（一〇 -）* 譬如，2 —氨基乙烷，2 —丙醇，等等•再者，這薄層可以是一具有靜電排斥力的薄層，其係由表面處理，例如：照射以紫外線，等等加以獏得· 至於清洗溶液，可以使用以下（A")到（F): (A) —酸性溶液包含至少氫氟酸，鹽酸，硫酸，硝酸，醋酸，與習慣所使用之有機酸之一， (B ) —酸性溶液包含一無機或有機酸，過氧化氫溶液，與氟化氨， (C)一鹼颺溶液至少包含選擇自該群包括氨水和醯氣基化合物之一組成， (D ) —鹼屬溶液包含至少氨水和醯氨化物，與過氧化氫溶液與氟化銨， (E ) —混合物包含（A)及（B酸性溶液之至少之一，與一鹼靥溶液（C)與（D)之至少之一，和 (F)—中性溶液，例如：超純水。至於酸性溶液，具有一 P Η值到1至4特別是較佳的，由於優異防止細微粒黏附之效果，特別是使用氟化敍之例子中。該清洗溶液可以更進一步包含一或更多陽離子界面活性劑，陰離子界面活性劑，兩性界面活性劑，有機溶劑’ 諸如：2氨基乙烷，2 -丙醇，等等· 本紙張尺度遍用中S國家橾率（CNS > Α4规格（2丨0X297公釐) " -24 - (請先閲讀背面之注^項再填寫本頁) 訂

鐘濟部中央橾準局工消费合作社印¾ A7 ____B7_:_ 五、發明説明（） £»L· 所被覆蓋的材料（亦即一基底）可以使用各種半導體裝置，諸如：矽，多晶矽，和金屬，合金，陶瓷，等無機或有機材料。被覆蓋之材料可以是任何形式，諸如：不只是平版，可以是球形，塊型，與各種複雜的外形。再者，予以覆蓋之材料尺寸可以由很細尺寸，例如：超細微粒至很大尺寸者。 r, * 〔例子2〕使用一商用可得之5 0%之氫氟酸及4 0%之氟化銨，其可以獏得一混合氫氟酸及氟化銨之水溶液（於容量上 HF ： NH4F ： H20=1 :5 : 35 ;HF 1. 25 %，及NH4F5%)，於其中係被散佈以具有1微米之微粒之矽微粒（該微粒濃度是被調整至5 * 1 07微粒/ 公分a) * — 6吋矽晶圓是被以相同於例子中之法方加以使用，以作出矽微粒對晶圓之附著之實驗·所附著細微粒之數量是藉由使用一晶圓檢視系統（Surfscan 300 0,— 商標，由天可儀器公司所製造，可量測0. 3微米或更大之微粒直徑）加以量測· 結果是如在圖式8中之線14所示•可以從圖式8中可清楚看出*隨著浸泡時間增加，附著之數量亦增加。再者，使用一被覆蓋以氮化矽之矽晶圆，該矽附著實驗是以相同前述方式執行♦結果是如在圓式8之線15所示· 以道資驗之結果*可以發現幾乎沒有看到矽微粒之附本紙張尺度逋用中國B家揉率（CNS ) A4规格（210X297公兼} (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -25 - —425314 A7 _B7 五、發明説明（23) 著* 〔例子3〕相同於例子2中之氫氟酸及氟化銨混合水溶液是被加以調整*對於這情形*未處理之具有一 1微米之微粒直徑之矽微粒（微粒濃度是調整至5 * 1 07微粒/公分3)是被加以散佈*使用一 6吋矽晶晒9 *該附著實驗是被以相同於例子2之方式加以執行》結果是如在圖式9之線1 6所顯示。由這些結果，可以發現，未處理矽微粒之附著置已隨著浸泡時間之增加而增加· 然後，使用一被覆羞以抗蝕材料之矽晶圓*該矽微粒附著實驗是以相同於以上之條件所加以執行。結果是顯示於圖式9中之線1 7 «如於圚式9中所顯示，未處理矽微粒之附著至被覆蓋以抗蝕材料之矽晶圓是幾乎看不到。炫濟？夬橾工消费合作社t裝 (請先閲請背面之注^^項再填寫本頁) 〔例子4〕相同於例子2中之氫氟酸及氟化銨混合水溶液是被加以調整β對於這情形，未處理之具有一 1微米之微粒直徑之二氧化矽微粒（微粒濃度是調整至5 * 1 O'7微粒 /公分3)是被加以散佈。使用一 6吋矽晶圓，該附著實驗是被以相同於例子2之方式加以執行* 結果是如在圖式10之線18所顯示•由這些結果，本紙張又度適用中國«家揉率（CNS > Α4说格（210X297^1 ) -26 - Γ 經濟#中央揉準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（24) 可以發現，矽微粒之附著置已隨著浸泡時間之增加而增加〇然後，使用一被覆蓋以抗蝕材料之矽晶國，該二氧化矽微粒附著實驗是以相同於以上之條件所加以執行。結果是顯示於圖式1 0中之線1 9。如於圖式1 0中所顯示，二氣化矽微粒之附著至被覆羞以抗蝕材料之矽晶圖是幾乎看不到· ' 〔例子5〕氫氟酸及氟化銨混合水溶液是被以相同於例子2中之方式加以調整，具有一 1微米之微粒直徑之錄微粒（微粒濃度是調整至5 * 1 07微粒/公分3)是被加以散佈·使用一 6吋矽晶圃*該附著實驗是被以相同於例子2之方式加以執行。結果是如在圖式1 1之線2 0所顯示•由道些結果，可以發現，鐵微粒之附著量已隨著浸泡時間之增加而增加然後，使用一被覆蓋以抗蝕材料之矽晶圓，該錄微粒附著實驗是以相同於以上之條件所加以執行。結果是顯示於圔式11中之線21·如於圖式11中所顯示，嫌微粒之附著至被覆蓋以抗蝕材料之矽晶圓是幾乎看不到· 〔例子6〕本紙珉尺度遑用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) Γ -27 - 425314 A7 B7 鑲濟部中夹標準局Λ工消费含作社¥製五、發明説明（gK) CD 至於由一半導镰生產線所生產之由一先前技藝產品所產生之細微粒之附著之防止，相同於例子2中所描述之實驗是加以執行。使用於這實驗中之先前技藝產品是一形成於其上之晶圓* 一半導體單元具有一曼起饍結構（見於 1988年艾馬等人之* IEDΜ技術# ，第592至 5 9 4頁）（於本文中被稱爲〃一半導體產品晶画I) * 圖式12是一饍結構電容器部份之先前技藝產品之剖面視圖。該實驗是使用一如於圖式13中所示之溢流型蝕刻槽 2 9而加以執行*該槽2 9係被加滿如於例子2中所使用之相同混合水溶液。如於圈式1 3中所示，用於循環溶液之水管3 4具有一循環泵3 5，溶液由其中流出並由一過濾器3 6所清洗再返回至蝕刻槽2 9。於蝕刻槽2 9之中，多數如於圖式12中所示之半導體產品晶圚31及多數用以量測附著細微粒量之晶圓3 2，例如被覆蓋以天然氣化泠層之矽晶圚》被均勻覆蓋以氮化矽（薄層厚0. 0 3 微米）或抗蝕材料（薄層厚1微米）者是被安裝於晶圓卡 Ε中並浸於混合水溶液中十分鐘β然後，所附著至個別晶圆之附著細微粒之數董是使用一晶圓檢視系統*結果是示於表2中8 (锖先閲讀背面之注$項再填寫本頁) Γ 訂

本紙張又度速用中a國家揉準（CNS } Α4规格（210X297公釐） -28 - A7 B7 五、發明説明（ne) 26 表 2 晶圆表面 suru Si 抗蝕層項目附著細微粒量 (微粒/公分2) 0.06-0.09 1. 1-2：5 0.03-0. 1 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟^-中央格準局負工消费合作社印製由表2中清楚看出*所附著之細微粒至被整個覆蓋以氮化矽或覆羞以均勻抗蝕材料薄層之晶園之數量是如同附著至被覆蓋以自然氧化層之微粒之十分之一或更多些· 〔例子7〕使用半導體產品晶圓，該實驗是以如於例子6中之方式加以執行，除了使用一混合水溶液，其係藉由商品可得之百分之五十氫氟酸及百分之四十之氟化銨，容置比是 HF : NH4F : H20=1 : 5 :1 9 ·所得結果是示於表3 * 本紙珉尺度埴用中两國家槺率< CNS ) A4规格（210X297公釐） -29 - 卜 4 2531 4 A7 _ B7 五、發明説明（27) 表 3

(請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

如於表3中所示，被整個覆蓋以氮化矽或覆蓋以均勻抗蝕層之矽晶園顯示相較於附著細微粒之數量相較於被覆蓋以天然氧化薄靥是如於例子6中者是相當大量之附著細微粒之附著· 〔例子8〕用以生產具有一館結構電容器部份之半導體產品晶圓是藉由參考圈式14A茔14E及15A至15D加以說明•在形成電晶體於一半導體基底2 2 (圖式14A)上之後，一氮化矽薄層23 (薄靥厚度是0. 05至0.. 1 微米）是成長於一二氧化矽薄層4 6之上*然後，一二氧化矽薄層2 4 (薄層厚大約〇. 1微米）’ 一多晶矽薄餍 2 5及一二氣化矽薄曆2 6是（薄層厚度大約0. 1微米 )是於另一個之後成長，以及，一接觸孔2 7 (直徑大約本紙張尺度逍用中國国家橾牟（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐）訂鐘濟ί央橾率局Λ工消费合作社4·«. -30 - 中夬#-準局策工消费合作社如

A7 _B7__ 五、發明説明（28) 0. 5微米）是被形成•在此之後，一多晶矽薄層28是成長於該整個表面上（圖式14A)。在形成一圖案類抗蝕劑3 7 (晒式1 4)之後，該多晶矽薄靥2 5及二氧化矽薄層2 6是受到乾蝕刻，用以使用抗蝕劑作爲一罩子作出圖案以及該氮化砂薄層作爲一阻絕層（14C)。以上所說明之步驟是掲示於上述之由艾馬等所掲示之參考中。依據先前技藝，在圖式1 4A至Γ4 C步K後，抗蝕層3 7是被除去如於圓式14 D中所顯示，其係隨後由濕蝕刻除去二氧化矽薄層2 4及2 6，以形成餚結構（圖式 1 4 E )，例如由日本專利案第JP — A — 4 — 30464號所掲示。相反地依據本發明，如在圔式1 5 C中之狀態所示· 其係由相同於圖式14A至14C中之步驟所獲得，二氧化矽薄餍2 4及2 6是藉由蝕刻所加以除去，同時保存抗蝕層37 (圖式15D) *於圇式14D及E所示之製程中，其中蝕刻是於抗蝕層除去後加以執行，細微粒是被附著至曝霣之多晶砍表面2 8。但是，如在圖式1 5 D所示，當蝕刻被執行同時保存抗蝕餍3 7時，細微粒之附著至抗蝕層表面3 7是微小的以及細徴粒在蝕刻二氧化矽層 2 4後附著至曝露之氮化矽薄靥2 3亦是微小的。當所附著細微粒於產品上之數置是被量測時（使用一晶圓檢測系統，模型KLA — 2111 ，由KLA公司所 βΰ造用以置測具有0. 3微米或更大之微粒直徑於半導體元之表面上），平均值0. 9微粒/公分2是被獲得於適用中®两家標準（CNS } ( 210X297公!^ V - 31 - (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 :r. 4 25 3 1 4 A7 B7___ 五、發明説明（29) 先前技藝之製程中，同時0. 2微粒/公分2或更小是被獲得於本發明之製程中*道些結果是示於表4中。表 4

(請先《讀背面之注^^項再填寫本頁) <濟部中央橾率局貝工消费舍作社ί 細微粒之附著至表面上是被如下說明，其中，多晶矽薄層2 5及多晶矽薄層2 8是未被抗蝕層3 7所覆蓋者是彼此相對如於圖式1 5 C中所示* 於示於圖式14及15中所示之半導體產品晶固之濕蝕刻所產生之細微粒尺寸大約是0. 1微米或更多•於另一方面，於多晶矽薄層2 5及多晶矽薄厝2 8之表面間之距離未被覆蓋以抗蝕層3 7及彼此相對示於圓式1 5 C中者是大約0.1微米•因此，以上所述之具有一較大微粒之一微粒直徑之細微粒不能進入相對間之距離，導致沒有細微粒附著至該多晶矽層2 5及多晶矽薄層2 8。本纸ft尺度逍用中國國家揉準（CNS > Α4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（3()) 因此*本例子是特徴於曝露該氮化矽表面，其係幾乎不受到細微粒之附著於蝕刻完成後，以有效地降低細微粒附著至產品，由抗蝕表面之共同使用。於這例子中，所使用於濕蝕刻之溶液可以作用爲一清洗溶液》但除了如此，其可能使用其他用於濕蝕刻之溶液之另一清洗溶液，用以浸入晶圓於執行濕蝕刻之後。

V 〔例子9〕一由圖式1 4 A至1 4 E所示之製程所生產之半導體產品晶園以及一由依據本發明由圖式15A至15D所示之製程所生產之半導體產品晶圓是受到氧化物薄層蝕刻處理一個接著一個，使用氫氟酸及氟化銨之混合水溶液。所附著細微粒之數量是以如於例子8中所述之方式加以量測。結果是示於表5之中。 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央樣率扃貝工消费合作社印«.

本紙張纽適用中困國家橾準(CNm齡（膽靖） 425314 at B7 五、發明説明（) 〇1 如於表5中所示，依據本發明之所附著細微粒至半導雔產品晶圓之數量是很小· 〔例子1 0〕於圖式1 3中所示之溢流型蝕刻槽中，使用於例子2 中之混合水溶液是被放置*在沒入相同之如圖式1 2中所示之半導體產品晶圓1 0分鐘後，所附著細微粒之數置是以相同於例子8中之方式加以量測。然後，如圖式1 2中所示之半導雔產品晶圓是被覆上一陰離子界面活性劑於整個表面上*除了 5 mm寬之週邊區域•所得晶圓是受到如以上所述之實驗。所得結果是示於表6中。 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) J.·· 訂 «濟部t央橾率局属工消费合作社印装

本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格< 2丨0><297公釐） -34 - 鍾濟部中央§準局貝JC消费合#社印«. A7 B7 五、發明説明（n。） 32 如於表6中所示，細微粒附著至覆蓋以一依據本發明之陰離子活性界面之半導體是相當地少* 〔例子1 1〕用以實行本發明之清洗系統之一例子是示於圖式17 中•於《式1 7中* 一具有一由該物質之儲存部份4 2所供給之靜電排斥力之物質，是被覆薏在一半導體產品晶圓，藉由一塗覆裝置4 3，以及使用一矽晶圓傳送系統4 4 及，該覆蓋矽晶圓是被傳送至一清洗槽4 5，其中，半導體產品是被以一清洗溶液加以淸洗或一由供應自一調整部份4 1之蝕刻溶液甩以清洗溶液或蝕刻溶液。如以上所述，依據本發明，因爲於一清洗溶液或蝕刻溶液中之細微粒附著可以被防止或大量地降低，電子部份，例如，半導髏裝置，薄膜裝置，碟片等，可以以較高水準，低成本加以生產，而不會有不想要之細微粒》本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格< 210X297公釐} {請先聞讀背面之注意事項再寫本頁)

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Claims

425314 A8B8C8D8 六、申請寻利範圍第8511〇86〇號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國88年12月修正 1. 一種清洗方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於一基底上，該材料對於一清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲低之靜電排斥力，形成具有對抗細微粒之靜電排斥力之第二薄膜，以覆蓋該第一薄膜，及清洗被第二薄膜所覆蓋之基底，使用含細微粒之清洗溶液，以於以清洗溶液接觸覆蓋基底前，形成第二薄膜以覆蓋該第一薄膜。 2. —種清洗方法，包含步驟：形成一鋁薄膜於一基底上，形成一第二薄膜，該薄膜對於出現於清洗溶液中之細微粒具有靜電排斥力，以不露出該鋁薄膜，及使用清洗溶液以清洗該被覆蓋以第二薄膜之基底，該第二薄膜係被形成以覆蓋該鋁薄膜，於以清洗溶液接觸被覆蓋基底之前。 3. —種清洗方法，包含步驟：形成一多晶矽薄膜於一基底上，形成一第二薄膜，該第二薄膜對於出現於清洗溶液中之細微粒具有靜電排斥力，以不露出該多晶矽薄膜，及使用清洗溶液以清洗該被覆蓋以第二薄膜之基底，該第二薄膜係被形成以覆蓋該多晶矽薄膜，於以清洗溶液接本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> -i II I I I I — — — — — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -1 - ^Bcss 4253 1 4 六、申請寻利範圍觸被覆蓋基底之前。 4_一種清洗方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於基底上，該材料對於出現於清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲小之靜電排斥力，形成兩或多數薄膜，諸薄膜具有對抗細微粒之靜電排斥力，以外露出該第一薄膜，及藉由使基底浸入清洗溶液中以清洗被覆蓋以兩或多薄膜之基材，該兩或多數薄膜係被形成於使基底浸於清洗溶液之前。 5. —種清洗方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於一基底上，該材料對於一清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲低之靜電排斥力，形成至少一元件之第二薄膜，該元件係自由包含抗蝕劑，Si3N4，及Si〇2之群組中選出，以不露出該第一薄膜，及清洗被第二薄膜所覆蓋之基底，使用含細微粒之清洗溶液，以於以清洗溶液接觸覆蓋基底前，形成第二薄膜以覆蓋該第一薄膜》 6. 如申請專利範圍第5項所述之清洗方法，其中該第二薄膜包含防蝕劑及該防蝕劑是一感光樹脂至少一組成選擇自群體包括：酚醛樹脂，環化天然橡膠，環化合成橡膠，聚乙烯肉桂酸，聚（甲基異丙烯酯酮），聚乙烯酚，感光聚醯胺，聚乙烯_P —疊氮苯’聚甲基丙烯醯氧苯詗乙醯苯，聚乙烯肉桂叉醋酸，聚（甲基甲基丙烯），4，硫化 4 ——二叠氮二苯硫，聚—4 —烯酚’ 3 ’ 3 -二叠氮二本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — i—τί J--^ 裝--------訂-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 2 A8 B8 C8 D8 4 2.53 1 4 六、申請專利範圍苯硫’氯甲化聚苯乙烯，苯乙烯化聚合物結合至2，4_ 二氯甲苯酸的衍生物，氯化苯乙烯聚合物，六氟丁甲基丙烯聚合物’四氟丙基甲基丙烯聚合物，某醌二曼氣化合物 ’甲基甲基丙烯-丙烯腈共聚物，聚（去水甘油甲基丙烯）’聚（2_甲基_1_戊醇烯碉），碘化聚苯乙烯，聚（α—氰基丙烯酸酯），聚（六氟丁甲基丙烯），聚（二甲基四氟丙酯丙烯，聚（三氯乙烯丙烯），聚（三氟乙烯-a -氯丙烯），聚甲基丙烯引入甲基順一丁嫌二酸酯成爲支鏈，氯化聚甲基砚，酚醛-苯醌，三氯乙嫌甲基丙烯聚合物，三氟乙烯氯丙烯聚合物，聚甲基丙嫌，乙基乙烯共聚物，與砚共聚物》 7. 如申請專利範圍第5項所述之清洗方法，其中該抗蝕劑是一感光劑至少由以下群體中選擇一組成，該群體包括〇 -棻二叠氮化合物，雙偶氮化合物，感光劑，α -某醌二疊氮化合物與4 -蠱氮化物査耳酮。 8. —種清洗方法，包含步驟：形成一鋁薄膜於一基底上，形成至少·一元件之第二薄膜，該元件係自由包含抗蝕劑，Si3N4，及Si02之群組中選出，以不露出該第一薄膜，及使用清洗溶液清洗被第二薄膜所覆蓋之基底，以於以清洗溶液接觸被覆蓋基底前，形成第二薄膜以覆蓋該第一薄膜。 9. 一種清洗方法，包含步驟：形成一多晶矽薄膜材料於一基底上， _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） --------—^.裝--------訂i丨丨丨丨丨丨* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 -L— ϋ n - -3 - A8B8C8D8 425314 六、申請專利範圍形成至少一元件之第二薄膜，該元件係自由包含抗蝕劑，Si3N4,及Si〇2之群組中選出，以覆蓋該多晶矽薄膜，及使用一清洗溶液清洗被第二薄膜所覆蓋之基底，以於以清洗溶液接觸覆蓋基底前，形成第二薄膜以覆蓋該多晶矽薄膜。 10.—種清洗方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於一基底上，該材料對於一清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲低之靜電排斥力，形成一有機薄膜，以不露出該第一薄膜，及使用清洗溶液，清洗被有機薄膜所覆蓋之基底，以於清洗步驟中，以清洗溶液接觸被覆蓋基底前，形成有機薄膜於該第一薄膜上。 Π.如申請專利範圍第10項所述之清洗方法·其中第一薄層爲鋁膜或多晶矽膜。 1 2 ·如申請專利範圍第10項所述之清洗方法，其中有機膜爲一或以上極性群體。 1 3 .如請專利範圍第1 0項之清洗方法，其中，該有機薄層具有至少一組成，其選擇自包括一氫氧根基，一酯鍵，一醯氨鍵與一乙醚鍵之群中。 14. 一種清洗方法，包含步驟：形成一薄膜於一基底上，以覆蓋該基底；及藉由將該已覆蓋基底浸入一清洗溶液中，該薄膜已經在被覆蓋基底被浸入於清洗溶液前被形成於基底上，而清洗已經形成有薄膜於其上之基底，該薄膜於清洗溶液中具本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------r----丨Η裝--------訂----- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) A 經濟部智慈財產局員工消費合作杜印製 -4 一 425314 A8 B8 C8 D8 六、申請寻利範圍有2 5毫伏或以上之f電位之絕對值，該清洗溶液選自以下構成群體之一： <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> (A)—酸性溶液包含至少一氫氟酸，鹽酸，硫酸，硝酸，醋酸，與有機酸類， (B )—酸性溶液包含一無機或有機酸，過氧化氫溶液，與氟化氨， (C)一鹼性溶液至少包含一選擇自包括氨水和氨基之群之一組成， (D ) —鹸性溶液包含至少氨水和氨基化合物，與過氧化氫溶液與氟化銨之一， (E) —混合劑至少包含（A)及（B)酸性溶液之一，與一鹼性溶液（C)與（D)，和 (F) —種中性溶液。 15, 如申請專利範圍第14項之清洗方法，其中，該清洗溶液更進一步包含一陽離子界面活性劑，一陰離子界面活性劑，或一兩性界面活性劑，與一有機溶媒。 16. —種清洗方法，包含步驟：經濟部智慧財產局員工消费合作社印製形成一第一薄膜材料於一基底上，該材料對於一清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲低之靜電排斥力，形成一第二薄膜，該薄膜具有較出現於清洗溶液中之細微粒子具有靜電排斥力，以覆蓋該第一薄膜，及使用該清洗溶液清洗被第二薄膜所覆蓋之基底，該清洗溶液具有1至4之pH值，以及於清洗溶液接觸覆蓋基底前，形成第二薄膜以覆蓋該第一薄膜。一 5 一本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 425314 六、申請寻利範圍 17. —種清洗方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於一基底上，以覆蓋該基底，及 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 清洗已經形成有薄膜於其上之基底，藉由以一清洗溶液接觸被覆蓋之基底，於以清洗溶液接觸覆蓋基底前，形成該薄膜於基底上，該薄膜具有2 5毫伏或以上之f電位之絕對值於該清洗溶液中，並具有一 1至4之pH值。 18. —種清洗方法，包含步驟：形成一薄膜於一基底上，該薄膜具有對出現於清洗溶液中之細微粒有靜電排斥力，，以不露出該基底，及 '藉由將該基底浸於清洗溶液中，以清洗該基底，該薄膜係於將基底浸於清洗溶液前被形成於該基底上。 19. 一種製造半導體裝置之方法，包含步驟：形成一第一薄膜材料於一基底上，該材料對於一清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲低之靜電排斥力，形成一第二薄膜於該第一薄膜上，該第二薄膜對於該等細微粒子具有靜電排斥力，形成一第三薄層在第二薄層上，經濟部智慧財產局員工消费合作社印製形成一具有想要形式之抗蝕薄層在第三薄層上，乾蝕刻第三薄層，使用抗蝕薄靥作爲一罩幕與第二薄層作爲一阻絕餍，和將該形成抗蝕薄層於其上之基底浸入於一清洗溶液中，當該基板被浸於清洗溶液中時，該抗蝕薄膜係維持於基底上。 2 0 . —種製造半導體裝置之方法，包含步驟爲：本紙張尺度適用中國國家標ϋϋ)A4規^10^公釐） ^25314 i D8 六、申請專利範圍形成一於一溶液中具有絕對值一I：電位2 5毫伏或更多之第一薄層在一基底上， (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) 形成具有靜電排斥力來對抗於該溶液中之幾乎細微粒之第二薄層在第一薄層上，形成一第三薄層在第二薄層上，形成一具有想要形式之抗蝕薄層在第三薄餍上，乾蝕刻第三薄層，使用抗蝕薄層作爲一罩幕與第二薄層作爲一阻絕層，和將該形成抗蝕薄層於其上之基底浸入於一清洗溶液中 ’當該基底被浸於清洗溶液中時，該抗蝕薄膜係維持於基底上。 2 1 . —種製造半導體裝置之方法，包含步驟爲：形成第一薄膜材料於一基底上，該材料對該清洗溶液中之細微粒具有較單晶矽爲小之靜電排斥力，形成第二薄層在第一薄層上，形成一積層薄層在第二薄層上，該積層薄層包含一第三薄層與一多晶矽薄層，經濟部智慧財產局員工消费合作社印製形成一抗蝕薄膜在該稹層薄層上，乾蝕刻該積層薄層使用抗蝕薄餍作爲一罩幕與第二薄餍作爲一阻絕層，和於將該具抗蝕薄層形成於其上之基底浸入於一溶液中，以濕蝕刻該第三薄膜，該基底被浸於該溶液時，該抗触薄膜係維持於基底上》本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -7 -