TW422937B - Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resins - Google Patents
Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resins Download PDFInfo
- Publication number
- TW422937B TW422937B TW088107441A TW88107441A TW422937B TW 422937 B TW422937 B TW 422937B TW 088107441 A TW088107441 A TW 088107441A TW 88107441 A TW88107441 A TW 88107441A TW 422937 B TW422937 B TW 422937B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- solvent
- reaction
- resin
- block
- patent application
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/02—Neutralisation of the polymerisation mass, e.g. killing the catalyst also removal of catalyst residues
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
經濟部智慧財產局貝工消費合作社印一衣 ^22937 Α7 . _ Β7 五、發明說明(1 ) 發明背景 1·發明領域 本發明係關於製備嵌段聚羥基苯乙烯樹脂之純化溶液或 嵌段交聯聚羥基苯乙烯樹脂之純化溶液,此等純化溶液係 有用於製備化學放大光阻(chemical amplified photoresist) 調配物。 2.背景敘述 聚羧基苯乙烯樹脂係樹脂中部份或全部輕基轉化爲可酸 保護的基團(嵌段樹脂),其通常作爲化學放大光阻中聚合 物質。而化學放大光阻則使用於半導體製程之改進照相平 .版印刷法。 交聯聚羥基苯乙晞樹脂具有部份或全部羥基轉化爲可酸 保護的基團且具有交聯的部份(嵌段交聯聚合物)爲習知者 。譬如參考1 996年6月26曰公告之歐洲公告專利申請案 第0718316Α2號,和1997年10月23日公告之第0738744Α2 號。此二公告之歐洲專利申請案之全文内容併於此以供參 考。此嵌段交聯聚羥基苯乙烯樹脂用於取代或合併嵌段樹 脂作爲化學放大光阻中之聚合物質。 於製備此種嵌段樹脂或此種嵌段交聯聚羥基苯乙烯樹脂 中,先驅體(即聚羥基苯乙晞、保護基先驅體和視情況之交 聯劑)於酸觸媒和合適有機反應溶劑存在下反應,以形成振 段聚合物或嵌段交聯聚合物於反應溶劑中之不純溶液。待 反應完成後,反應混合物通過強驗離子交換樹脂床以去除 酸性觸媒。經處理之反應溶液隨後與去離子水或去離子水 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) HI — III! — — — — — - I I I I I I I ·1111111 · (請先閱讀背面之注意事項异i.寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 422937 A7 ---B7 五、發明說明(2 ) 和醇(即乙醇或異丙醇)之混合物合併’以沈澱固體型式之 嵌段樹脂或嵌段交聯樹脂。之後由反應混合物中分離沈澱 的固體樹脂,較佳爲藉由過濾或離心;以更多的去離子水 沖洗分離出的樹脂,並予以眞空乾燥。該乾燥的固體嵌段 樹脂或嚴段交聯樹脂隨後溶解於合適的有機光阻溶劑中, 作爲化學放大光阻調配物。 先前技藝中製備此種嵌段樹脂和嵌段交聯樹脂之方法, 具有數項缺點如下: (1) 用於移除酸觸媒之樹脂床必須具有非常低痕量的金屬 含量’此需求僅可藉由使用非常高純度和昂貴之離子交 換樹脂或於每次操作後對標準離子交換樹脂使用特定 清潔程序。再者,當反應混合物通過時,離子交換樹脂 必須非常乾燥,否則水(存在於觸媒或離子交換樹脂中) 將會水解嵌段聚合物〇 又,於某些情況中,離子交換樹 脂可作爲不希望反應之觸媒或保留部份嵌段聚合物或 嵌段交聯聚合物,因而降低嵌段聚合物或嵌段交聯聚合 物之產率。而且於任何情況中使用離子交換樹脂亦需要 清潔和丟棄。 (2) 相改變沈澱步驟需要大量的水(即反應混合物重量之至 少20倍)。使用少量的水會造成黏著性固體,而黏結於 沈澱容器壁上;而大量的水則會造成大量必須丟棄的廢 水,及使用大且筇貴的沈澱容器。 (3) 分離步驟需要特別且昂貴的過濾和離心装置。於分離步 膝期間或之後處理這些固體爲污染的潛在來源,因爲幾 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) . ---------* I ------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再之寫本頁) 422937 A7 ---------- 五、發明說明(3 ) 乎热法由環境中隔離出該等固體。 (請先閱讀背面之注意事項异i,寫本頁) (4)乾燥該等固體亦爲污染之另—潛在來源,乾燥器裝置本 身和乾燥器之進料及出料處理兩者皆是。再者,乾燥可 能?丨起產物所不希望之副反應發生。 據此,需要一改良方法製備純的嵌段樹脂或純的嵌段交 聯樹脂而無先前技藝之上述缺點。本發明即提供此種方法 ,特別地’本發明方法降低廢物產生,降低產物污染的可 能性和減低固體處理。本方法允許純化的樹脂直接溶解於 光阻溶劑中,而非使純化的固體先形成固體型式而後再溶 於光阻溶劑中。 發明概述 因而,本發明之一目的係關於一種製備嵌段聚羥基苯乙 烯樹脂於反應/光阻溶之純化溶液之方法,包括: (1) 形成一種包含嵌段聚經基苯乙烯樹脂和酸性觸媒於反 應/光阻溶劑中之不純反應溶液; (2) 加入胺、至少一種親水性溶劑、至少—種疏水性溶劑和 水至該不純反應溶液中,藉以形成一水相包含水、親水 性洛劑和至少一種胺之鹽和酸性觸媒,和—有機相包含 經濟部智慧財產局貴工消費合作社印製 親水性落劑 '疏水性溶劑、反應/光阻溶劑和嵌段聚羥基 苯乙烯樹脂; (3) 分離該水相和該有機相;及 (4) 由該分離之有機相移除親水性溶劑和疏水性溶劑,因而 形成嵌段聚羥基苯己烯樹脂於反應/光阻溶劑之純化溶 液。 -6 - 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 4^2937 五、發明說明(4 較佳具體實施例之詳細說明 本說明書和申請專利範圍中「反應/光阻溶劑」係指任何 Τ一溶劑或溶劑之混合物,皆可作爲反應之溶劑以製得嵌 段聚羥基苯乙烯樹脂或嵌段交聯聚羥基苯乙埽樹脂,以= 化學放大型光阻劑(嵌段樹脂或嵌段交聯樹脂爲其中— 份)之溶劑。 ^説明書中「嵌段聚羥基苯乙締樹脂」係指任何和所有 聚羥基苯乙烯樹脂,其樹脂中部份或所有羥基轉化爲保護 基困(即乙烯醚基困),且有用於化學放大型光阻劑中。此 處所稱之「嵌段聚輕基苯乙晞樹脂」包含「嵌段交聯聚幾 基秦乙缔樹脂J類之樹脂。 訂 本説明書和申料㈣时「嵌段交聯聚㈣苯乙缔樹 脂」係指任何和所有聚羥基苯乙埽樹脂,其樹脂中部份或 所有!基轉化爲保護基團(即乙烯醚基圏),並且包含交聯 4仏連接各別又聚合物鏈’和有用於化學放大型光阻劑中 線 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 Μ 本説明書和中請專利範園中「嵌段聚經基苯乙晞樹脂於 反應/光阻溶劑之不純溶劑」係指包含嵌段聚羥基苯乙烯樹 脂於單一反應/光阻溶劑或溶劑混合物中之任何或所有容 液,進含不可接受量之不純物及/或反應副產物及谷/ 或未反應之反應先驅體。 本説明書和申請專利範圍中「嵌段聚幾基苯乙晞樹脂於 反應/光阻溶劑之趣化溶液」係指包含嵌段聚㈣苯乙㈣ 脂於反應/光阻溶劑或溶劑混合物中之任何或所有溶液,進 I___-7- 本紙張尺度適斤國國家標準(2W χ挪公楚 ^2337 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _________B7 五、發明說明(5 ) 一步包含可接受低量的不純物,因此純化溶液可用於化學 放大型光阻劑中。 本發明之第-步驟係形成包含錢聚録笨乙稀樹脂和 酸性觸媒於反應/光阻溶劑中之不純反應溶液。 ,不純反應溶液之製備較佳爲添加所需要量之至少—種聚 經基苯乙締樹脂、至卜種保護基團先驅體、酸觸媒、和 視情況至少—種交聯劑至含有反應/光阻溶劑之反應器中 ,然後加熱反應混合物至所需的反應溫度足夠時間,以於 反應混合物中產生嵌段聚㈣苯乙缔樹脂或交聯嵌段聚經 基苯乙晞樹脂。 用於本發明之㈣基笨乙晞樹脂包含任何聚合樹脂,其 含有羥基笨乙缔重覆單元,包含有聚(4_羥基苯乙缔)均聚合 物、聚(4-羥基-’a-甲基苯乙烯)均聚合物和聚(3_羥基苯乙烯) 均聚合物’或由含經基苯乙烯單體(譬如冑4·經基苯乙蹄) 與其他單體之共聚物,而其他單體譬如爲丙烯酸、曱基丙 烯酸、甲基丙缔酸烷酯、丙烯酸烷酯、苯乙稀、富馬腈 (fumaroniUUe)、乙烯環己醇、馬來酸酐、馬來醯亞胺及其 衍生物,或該等均聚物或共聚物之混合物。較佳聚裎基笨 乙晞樹脂先驅體包括歐洲專利申請案第718316號和第 738744號所揭示者。 加至反應·;昆合物之保護基團先驅體爲能夠於聚羥基苯乙 烯樹脂側鏈羥基上形成可酸保護或保護基图之化合物,其 較佳包含乙烯醚(譬如第三-丁基乙烯醚或乙基乙烯醚)、碳 酸& (譬如第二-丁基碳酸醋)、或其他先驅體合適於可酸保 1-8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格〈210 X 297公爱〉
-I — — — — — · I I (請先閲讀背面之注意事項乒:,寫本頁) 丨線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 422937 A7 _______B7____ 五、發明說明(6 ) 護基團包含甲矽烷基鲢、枯基酯'四氫喊喃基酯、稀醇趟 、締醇酯、第三烷基醚、第三烷基酯、第三烷基碳酸醋、 酸縮醇和酮縮醇基困1保護基團先驅體之混合物亦可加至 反應混合物中。 視需要之交聯劑可以包括交聯聚羥基苯乙缔,其以所需 要方式達到光阻應用中合適樹脂之任何適宜化學試劑。較 佳交聯劑之一爲4,4'-亞異丙基二環己醇。 該反應於酸觸媒存在下進行,合適的酸觸媒包含酸性離 子交换樹脂或酸譬如磺酸(較佳爲甲苯磺酸)或其鹽類(譬如 爲甲苯續酸p比鍵)。 該反應同時於合適反應溶劑存在下進行。如上所述,該 落劑不僅合適於該反應,而且合適作爲最終光阻組合物之 溶劑或共-溶劑。醚溶劑爲特別較佳,最佳爲丙二醇甲基駐 醋酸酯(PGMEA)。光阻領域中一般技藝者能基於特定樹脂 和所涉光阻調配物及該光阻之特定應用,而選擇合適溶劑 或溶劑混合物。 該反應通常於約10。(:至约80 反應溫度下進行足夠時 間,使得羥基足夠轉化爲保護基困和视情形樹脂交聯發生 。反應通常於任何標準反應器裝置中進行,較佳爲玻璃或 鐵氟龍襯裡之反應器,以防止反應混合物中陽離子和陰離 子不純物之増加。 加至反應器中樹脂先驅體之相對百分比將視樹脂之最終 所需特性而定。通常,最終嵌段聚羥基苯乙締或嵌段交聯 聚羥基笨乙烯樹脂較佳具有重量平均分子量爲1000至 -9' 本紙張尺度中國國家標準(CNS)A4規格(21〇7〗97公发)_ ! !!裝---- -訂 - - - -----線 (請先閱讀背面之注意事項声寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ 422937 A7 ____B7 五、發明說明(7 ) 1,0〇〇,〇〇〇 ;更佳爲約3,000至約500f000 :和更佳爲約6,〇〇〇 至约100,000。聚輕基苯乙缔樹脂先驅體中禮基轉化爲可 酸保護基團之百分比通常爲约5%至約95%,更佳爲約10% 至50%。交聯程度[v=o/m + n+o]較佳爲0 001至〇 5,更佳 爲0.002至0·2,其中m爲每一最終樹脂分予中酸可分離保 護基團之平均數;η爲每一最終樹脂中c〇〇h基團和酚式 羥基之總和,和〇爲每一最終樹脂中橋連基囷之數目。 待樹脂形成反應完成後,至少一親水性溶劑和至少一疏 水性溶劑加至不純反應混合物中,以及水和胺化合物。該 等添加將於最終混合物中形成有機相和水相。 親水性溶劑較佳爲酮(譬如丙酮),其添加在於其親水性( 即溶解不純物於有機和水相兩者之能力)。疏水性溶劑較佳 爲烴(譬如己烷),因爲其疏水性和其可溶解不純物於有機 相之能力。一般,親水性溶劑和疏水性溶劑之用量爲約2〇 :1至1 : 20重量比。 丙酮和己烷合併爲特別較佳,因爲該溶劑各別能夠輔助 甚段樹脂之溶解度,具有低密度(使得最终有機相之密度低 於水)’和各別具有較習知光阻溶劑(譬如丙二醇單曱基醚 醋酸酯(PGMEA))低沸點。尤其,當PGMEA爲反應/光阻溶 劑時,發現該合併溶劑提供良好之有機相和水相分離,而 且由於其較低滞點經旋轉蒸發或蒸餾而能輕易由ρ〇μΕα 分離。 水於有機落劑中之總量較佳爲約1 : 1 〇至约1 〇 : 1。 胺的量較佳爲足夠中和所存在酸觸媒的量。任何習知 -10- 本紙張Μ剌巾關家群 --------------裝--- (請先W讀背37之注意事項声4寫本頁) ΙΓ· -線 A7 422937 ______B7_____ 五、發明說明(8 ) 於此目的的胺均可使用,三乙胺爲特別較佳者。 接著,最終有機相與水相分離,通常可藉由簡單相分離 操作而元成。底邵水相通常排出反應器,而留下有機相方卜 反應器中。 於相分離之後,較佳地以額外的水視情況沖洗。此包括 添加水和視情況更多親水性溶劑至反應器中,使得反應混 合物分離之後再移除所添加的水。通常,進行至少一次水 沖洗操作爲較佳。 於相分離步驟和任何視需要的水沖洗後,親水性和疏水 性溶劑由反應混合物中移除。較佳地,可藉由簡單蒸館完 成’即加熱反應混合物至一溫度以蒸餾去除兩種溶劑,而 留下包含反應/光阻溶劑和嵌段聚羥基苯乙烯樹脂或交聯 嵌段聚經基苯乙蹄樹脂之最終純化反應混合物。 光阻組合物可藉由簡單加入其他光阻成份譬如至少一光 酸產生劑、至少一視情況之溶解抑制劑,和如果需要多種 反應/光阻溶劑及/或其他光阻溶劑至嵌段樹脂之純化溶液 中而製得。 茲提供下列實例和比較實例以進一步例示本發明。除非 特別標明,所有部份和百分比以重量計,所有溫度爲°c。 實例1 898.0克丙二醇單甲基醚醋酸酯(PGMEA)、200.2克聚羥 基苯乙烯(尸1^)(?4^约爲87 00)和4.10克4,4’-亞異丙基二環 己醇(IPDCH)加至2升樹脂釜中。釜中物質於眞空下加熱至 60 °C,80.8克液體被汽提掉。80.8克PGMEA加至釜中, -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) I-JIIJ-III1IIH --------訂· 111 ! 1 1 (請先聞讀背面之注意事項/k寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 422037 A7 422037 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明(9 ) 然後汽提掉63_2克液體。溶液冷卻至25 °C,60.2克第三-丁基乙缔醚(TBVE)和3.24克PGMEA加至爸中。樣品中水 含量於此點爲0.06 wt%。14.1克0.1 wt0/。對-曱笨續酸觸媒 (PTSA)於PGMEA之溶液加至蚤中,於25。(3下混合Π小時 35分鐘。0.92克1.0 wt%三乙胺(TEA)於PGMEA之溶液、 168.2克丙酮和224.0克己烷隨後加至反應混合物中。 112.0克去離子(DI)水加至釜中’搜拌混合物5分鐘,停 止攪拌,靜置混合物135分鐘。73.5克第一底(水)層移除 掉,分離的水相包含水、TEA/PTSA鹽、殘留乙缔随、水 可溶副座物、丙闕 '小量PGMEA和痕量金屬,並未對比 水相進行冗整之化學及物理分析。有機相包含PGMEA、 丙酮 '己烷、部份水和嵌段交聯聚經基苯乙缔,抑未對此 有機相進行完整之化學及物理分析。56,0克丙酮和 克DI水加入’攪;拌混合物5分鐘,停止揽拌,靜置混合物 70分鐘。147.4克第二底(水)層移除掉。34.2克丙酮和 1 1 2.0克DI水加入’授掉混合物1 〇分鐘,停止攙掉,靜置 混合物80分鐘。154.8克第三底(水)層移除掉。 所留下的有機層於旋轉眞空系統中和浴溫爲5 5。〇時眞 空汽提,而產生620.5克含有0.078wt%水和4〇,2 wt%固體 之溶液。固體產率爲約9 8 %,係基於溶液中固體,並且假 設所有PHS加上85% IPDCH和85%乙締醚爲固體。產物分 析顯示嵌段程度爲2 6 %、分子量爲40,217和相對交聯爲2 62 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ί/ΛΙ — Jlllllili --------訂.-------- (請先Μ讀背面之注意事項歹..々寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 422937 a7 _B7 五、發明說明(1〇) 實例2 73 0.0 克 PGMEA、149.7 克 PHS 和 6.12 克 IPDCH 加至 2 升樹脂釜中,釜中物質於眞空下加熱至60 °C,90.6克液體 汽提掉。溶液冷卻至18 °C,3 8.7克乙基乙烯醚(EVE)和20.6 克PGMEA加至蒼中。樣品中水含量於此點爲0.02 wt%。 4,5克1.0 wt% PTSA於PGMEA之溶液加至釜中,於18 Ό 下混合19小時50分鐘。2.91克1.0 wt%三乙胺於PGMEA 之溶液、421克丙酮和172.5克己烷加至反應混合物中。 172.0克DI水加至釜中,攪拌混合物10分鐘,停止攪拌 ,靜置混合物70分鐘。163.1克第一底(水)層移除掉。 86,0克丙酮、25.9克PGMEA和86.0克DI水加入,揽拌混 合物5分鐘,停止攪拌,靜置混合物120分鐘。134.4克第 二底(水)層移除掉。43.1克丙酮、25.8克PGMEA和86.6 克DI水加入,攪拌混合物5分鐘,停止攪拌,靜置混合物 70分鐘。1 52.1克第三底(水)層移除掉。 所留下的有機層於旋轉眞空系統中和浴溫爲5 0 °C時眞 空汽提,而產生461.4克含有0.092 wt%水和39.6 wt%固體 之溶液。固體產率爲約97%,產物分析顯示嵌段程度爲37% 、分子量爲47,076和相對交聯爲3.54[相對交聯(Xrel)相當 於[樹脂之總分子量除以未交聯樹脂之分子量]減1 ]。 實例3
125.2 磅 PGMEA、27.0 磅 PHS 和 249.9 克 IPDCH 加至 30 加崙之玻璃襯裡反應器中,反應器於眞空下加熱至60 °C, 16.6磅液體汽提掉。冷卻反應器至20 °C,3063克TBVE -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I I —1 — —— — — — — — ---I--1 I 訂 *1 — - ----* (請先閱讀背面之注意事項Hvi,寫本頁) A7 422937 B7_ 五、發明說明(11 ) 、86.2 克 1 wt% PTSA 於 PGMEA 和 4.6 磅 PGMEA 加入, 於20 °C下攪拌混合物1 8小時25分鐘。55.7克1 wt%三乙 胺於PGMEA、22.6磅丙酮和29.0磅己烷加至反應器中。 1 5.1磅DI水加至反應器中,攪拌混合物5分鐘,停止攪 拌,靜置混合物90分鐘。7.3磅第一底(水)相由反應器中 移除。7.0磅丙酮和1 5.9磅DI水加至反應器中,攪拌混合 物5分鐘,停止攪拌,靜置混合物150分鐘。19.4磅第二 底(水)相由反應器中移除。4.4磅丙酮和15.4磅DI水加至 反應器中,攪拌混合物5分鐘,停止攪拌,靜置混合物125 分鐘。21.7磅第三底(水)相由反應器中移除。156克0.5 wt%三苯基咪唑(TPI)於PGMEA加至反應器中。 所留下的有機相於眞空和反應器夾套溫度爲6 0 °C下汽 提,直到固體濃度爲42.4 wt%。32·5磅PGMEA加至反應 器而產生108.6磅聚合物溶液具29.2 wt%固體。固體產率 爲約95%,產物分析顯示嵌段程度爲26%、分子量爲47,977 和相對交聯爲2.82。 實例4 104.4 磅 PGMEA、21.0 磅 PHS 和 228,7 克 IPDCH 加至 30 加崙之玻璃襯裡反應器中,反應器於眞空下加熱至60 °C, 14.0磅液體汽提掉。冷卻反應器至18 °C,4.66磅EVE ' 285.8 克 1 wt% PTSA 於 PGMEA 和 2.0 磅 PGMEA 加至反應 器中,混合物於18 °C下攪拌20小時5分鐘。184.6克1 wt% 三乙胺於PGMEA、60.4磅丙酮和24.0磅己烷加至反應器 中。 .14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — Jill— — — —·· — - I I I I I I — 訂-II 篇 II— — · (請先閱讀背面之注意事項声丨,寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 422937 B7______ 五、發明說明(12 ) 24.0磅DI水加至反應器中,攪拌混合物5分鐘,停止攪 拌,靜置混合物130分鐘。20.8磅第一底(水)相由反應器 中移除。12,0碎丙酮、4_1镑PGMEA和12,1碎DI水加至 反應器中,攪拌混合物10分鐘,停止攪拌,靜置混合物132 分鐘。18_7磅第二底(水)相由反應器中移除。4.3磅丙酮 、4.4磅PGMEA和12.0磅DI水加至反應器中,攪拌混合 物5分鐘,停止授拌,靜置混合物1 2 5分鐘。1 9.8時第三 底(水)相由反應器中移除。2.54镑0·5 wt% 2,4,5 -三苯基咪 唑(TPI)於PGMEA加至反應器中。 所留下的有機相於眞空和反應器夾套溫度爲6〇 下汽 提,直到固體濃度爲39.4 wt%。20_4磅PGMEA加至反應 器中而產生78‘2磅聚合物溶液具約30 wt%固體。固體產率 爲約96%’產物分析顯不歆段程度爲34%、分子量爲348 和相對交聯爲1.95。 本發明以特定較佳具體實施體敘述,顯而易見地不脱離 本發明概念可以有許多改變 '修飾和變化。因此,所有此 種改變、修飾和變化皆於所附之申請專利範圍之精神和範 園中。文中所指之所有專利申請案' 專利和其他公告案之 全文併於此供參考。 9 *i Jw n I·· I ϋ ϋ I I n *1 ϋ n tt 訂---------線丨 f請先閱讀背面之注意事項戶禽寫本頁) . , 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15-
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 r —種製備嵌段聚羥基苯乙缔樹脂於反應/光阻溶劑之純 化溶液之方法,包括以下步驟: (!)形成一種包含嵌段聚羥基苯乙締樹脂和酸性觸媒於 反應/光阻溶劑中之不純反應溶液; (2) 加入胺、呈少一種親水性溶劑、至少一種疏水性溶劑 和水至該不純反應溶液中,藉以形成—水相包含水、 親水性溶劑和至少一種胺之鹽和酸性觸媒,和一有機 相包含親水性溶劑、疏水性溶劑、反應/光阻溶劑和 嵌段聚經基苯乙烯樹脂; (3) 分離該水相和該有機相;及 (4) 由該有機相移除親水性溶劑和疏水性溶劑,因而形成 喪^又聚輕基冬乙細樹脂於反應/光阻溶劑之純化溶液 〇 2’根據申請專利範圍第1項之方法,其中步驟(3)中該分離 之有機相於步驟(4)前以至少一次水沖洗操作。 3·根據申請專利範圍第1項之方法’其中移除步驟(4)包括 簡單蒸餾。 4. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中嵌段聚經基苯乙 晞樹脂爲嵌段交聯聚羥基苯乙烯樹脂。 5. 根據申請專利範圍第i項之方法,其中酸性觸媒爲甲苯 續酸。 6. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中親水性落劑爲丙 酉同。 7. 根據申請專利範圍第1項之方法’其中疏水性落劑爲己 -16- 標準(CNS)A4 規格(21Q X 297 公釐) ' -- I1II4!! — — —-裝- !!!1 訂--- - --- 線 (請先閱讀背面之注意事項K, <寫本頁) · 、 AOOOor?六、申請專利範圍 8·根據申請專利範圍第又項之方法,其中反應/光阻溶劑爲 丙二醇單甲基醚醋酸酯(PGMEA)。 9,根據中請專利範圍第丨項之方法,其中胺爲三乙胺。 10· ~種製備化學放大光阻劑之方法,包括添加至少一種光 酸產生劑至申請專利範圍第1項方法所製得之嵌段聚經 基苯乙烯樹脂之純化溶液。 11.—種製備化學放大光阻調配物之方法,包括添加至少一 種光酸產生劑至申請專利範圍第3項方法所製得嵌段交 聯聚經基苯乙晞樹脂之純化溶液。 I 11 — "·---I------------^ ---------^ (請先閱讀背面之注意事項7;>寫本頁) · , 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/074,805 US5945251A (en) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resins |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW422937B true TW422937B (en) | 2001-02-21 |
Family
ID=22121793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088107441A TW422937B (en) | 1998-05-08 | 1999-05-07 | Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resins |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5945251A (zh) |
EP (1) | EP1084452A4 (zh) |
JP (1) | JP2002514792A (zh) |
KR (1) | KR20010043407A (zh) |
TW (1) | TW422937B (zh) |
WO (1) | WO1999059028A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3813721B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
US6414110B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-07-02 | Triquest Lp | Purification means |
US6787611B2 (en) * | 2000-06-27 | 2004-09-07 | Chemfirst Electronic Materials L.P. | Purification means |
US6593431B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-07-15 | Chemfirst Electronic Materials Lp | Purification means |
US7834113B2 (en) * | 2003-05-08 | 2010-11-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresist compositions and processes for preparing the same |
US20040242798A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-12-02 | Sounik James R. | Photoresist compositions and processes for preparing the same |
JP4422154B2 (ja) | 2003-12-16 | 2010-02-24 | デュポン・エレクトロニック・ポリマーズ・エル・ピー | ポリマーの精製 |
KR101285136B1 (ko) * | 2012-05-29 | 2013-07-11 | 재원산업 주식회사 | 유기용제의 정제방법 |
SG10201709161SA (en) | 2013-05-17 | 2017-12-28 | Fujifilm Electronic Mat Usa Inc | Novel polymer and thermosetting composition containing same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5550004A (en) * | 1992-05-06 | 1996-08-27 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chemically amplified radiation-sensitive composition |
US5413894A (en) * | 1993-05-07 | 1995-05-09 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
DE69516101T2 (de) * | 1994-12-20 | 2001-01-11 | Arch Speciality Chemicals Inc | Vernetzte Polymere |
JP3495503B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2004-02-09 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | 架橋されたポリマー |
US5618655A (en) * | 1995-07-17 | 1997-04-08 | Olin Corporation | Process of reducing trace levels of metal impurities from resist components |
JP3679206B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2005-08-03 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
-
1998
- 1998-05-08 US US09/074,805 patent/US5945251A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-23 EP EP99918799A patent/EP1084452A4/en not_active Withdrawn
- 1999-04-23 KR KR1020007012441A patent/KR20010043407A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-04-23 JP JP2000548772A patent/JP2002514792A/ja active Pending
- 1999-04-23 WO PCT/US1999/008874 patent/WO1999059028A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-05-07 TW TW088107441A patent/TW422937B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010043407A (ko) | 2001-05-25 |
JP2002514792A (ja) | 2002-05-21 |
EP1084452A1 (en) | 2001-03-21 |
US5945251A (en) | 1999-08-31 |
WO1999059028A1 (en) | 1999-11-18 |
EP1084452A4 (en) | 2006-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW422937B (en) | Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resins | |
JP4286151B2 (ja) | フォトレジスト用高分子化合物の製造法 | |
JP5455375B2 (ja) | 安定なフォトレジスト組成物の製造法 | |
US5300628A (en) | Selected chelate resins and their use to remove multivalent metal impurities from resist components | |
WO2006013627A1 (ja) | ポリビニルアセタール樹脂の製造方法、ポリビニルブチラール樹脂、及び、エステル化されたポリビニルアルコール樹脂の製造方法 | |
JP4245596B2 (ja) | フォトレジスト用高分子化合物 | |
JP3810428B2 (ja) | ArFエキシマレーザーレジスト用ポリマー溶液の製造方法 | |
JPH06219991A (ja) | 多官能性(メタ)アクリレートの製造方法 | |
TW530069B (en) | Process for producing purified solutions of blocked polyhydroxystyrene resin | |
WO2007139172A1 (ja) | フェニレンエーテルオリゴマーの製造方法 | |
TW526212B (en) | Purification means | |
JP4606392B2 (ja) | フォトレジスト用高分子化合物の製造法 | |
TW550270B (en) | Solid state devolatilization of syndiotactic vinyl aromatic polymers with catalyst deactivation | |
JP3022932B2 (ja) | フォトレジスト用低光学密度ポリマー及びコポリマーの製造方法 | |
US6300431B1 (en) | Phase transfer process with catalyst recovery | |
JPH10182545A (ja) | アクリル酸製造装置における汚れ防止法 | |
JP2003137837A (ja) | 1,3,5−アダマンタントリオールモノ(メタ)アクリレートの製造法 | |
JP4089111B2 (ja) | ビニル系ポリマー中の未反応モノマーの低減方法 | |
JP2009029728A (ja) | アダマンチル(メタ)アクリレート類の製造方法 | |
JP3521150B2 (ja) | 1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−第三ブチルフェニル)ブタンの製造方法 | |
KR101314508B1 (ko) | 신규한 프로파노에이트 및 그의 제조 방법 | |
JP2002302515A (ja) | レジスト用高分子化合物の製造方法 | |
JPH10310609A (ja) | 狭分散性のポリ(p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン)およびその製造方法 | |
JPS63108003A (ja) | 重合体の洗浄方法 | |
JP2001097924A (ja) | アルキルアダマンチルエステルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |