TW419651B - Arrangement for reading information from a magnetic record carrier - Google Patents

Description

4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19651 a7 _B7___ 五、發明說明（1 ) 本發明爲有關從一記錄載體讀取資料的配置，此配置包 括： - 具有至少一個電磁組抗元件（R m r i )， -具有一控制終端器以及第一和第二主要終端器之第一電 晶體， -具有一控制終端器以及第一和第二主要終端器之第二電 晶體， 第一電晶體之控制終端器經由第一電容元件（8 )連接至第二 電晶體之第一主要電極。第二電晶體之控制終端器經由第 二電容元件（6)連接至第一電晶體之第一主要電極。第一電 晶體之第一主要電極連接至該磁阻元件（Rmrl)之終端器， 第二電晶體之第一主要電極連接至第二磁阻元件（Rmr2)之 終端器。第一與第二電晶體之第二主要電極經由第一與第 二電阻裝置（R i)連接至連續電.位的第一點，是爲此配置分 別提供給硬碟的。這樣的配置可從USP5,559,646專利中得知 ，並使用於例如從硬碟讀取資訊等。 電磁阻抗放大器（MR)讀取頭可感應到在MR阻抗中非常 細微的變化（通常是1 %)，並放大這些信號。MR元件爲電 壓或電流影響而偏差。在MR讀取頭上電阻的變化起因於磁 場，導致一些可被感應放大器偵測到的微小信號電壓和/或 電流。MR讀取頭的偏差使得直流（DC)電壓橫跨讀取頭， MR感應放大器必須爲連接至讀取頭的交流（A C )電。爲防 止在資料頻率範圍内造成資料變形之低點產生過濾，A C交 流電有一長時間常數，通常是1 u s。大的瞬間値，例如在 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事谓 俱寫本頁) 4 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 Α7 Β7 五、發明說明（2 ) 嚴酷的加熱狀悲裡所產生的，傳送A c交流電並使得放大器 產生負荷過重，導致長時間資料遺失。 本發明主要爲提供改良從一記錄載體讀取資料的配置。 根據本發明，此配置敘述如下： -提供一具有分別連接至第一與第二電晶體的第二主要電極 之第一與第二輸入端，以及分別連接至第—與第二電晶體 的控制終端器之第一與第二輸出端之非線性跨導裝置（丨4) 。非線性跨導裝置用於在第一輸出端提供—控制電流，以 回應出現在輸入端上的電壓，如此對於該輸入端出現的第 一與第二輸入電壓’分別導致第一與第二控制電流。在該 第一輸出端’第一輸入電壓大於第二輸入電恩，用以產生 第一控制電流的跨導裝置放大係數大於產生第二控制電流 放大係數。 本發明根據以下的認知。 在磁碟片上的M R讀取頭以非常低的高度掃描（通常是1 〇 nm)，當磁碟片發生粒子碰撞時，此動能轉變爲熱能，M R 元件的阻抗增加（最多增加了 10-20%)。當偏差的電流保持 不斷時，基線電壓（也就是輸出信號低頻率部分）快速地增 加。此外’需求信號增幅的改變不止增加了 1 〇 _ 2 〇 %，在 嚴酿的加熱後M R元件慢慢地冷卻，在一段長時間裡，這些 大规模不需要的基線變更充滿讀取放大器。 根據本發明，非線性跨導裝置導致放大器偏差控制迴圈 之非線性操作（此放大器決定交流電時間常數），使得讀取 放大器的低頻寬變更朝向更高的頻率’依據的是嚴酷加熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 . 裝--------訂---------線 (請先闓讀背面之注意事項..填寫本頁) A7 4 196 5 1, B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 ) 的增溫幅度（或其他瞬間値）。以此方式嚴酷加熱將縮短， 避免讀取放大器裡的負荷過重，並允許通道IC無須製造許 多不正確的位元錯誤以恢復資料。 此外，根據本發明可實現一個額外的D C直流電矯正，以 進一步抑制嚴酷的加熱，此爲專利聲明8，9與丨〇的主题α 此外，可能需要加入一偵測電路以偵測嚴酷的加熱，譬如 便可冷卻在讀取電路中的電路溫度，否則在此事件中嚴酷 的加熱便將嚴重地扭曲讀取電路，此嚴酷加熱的偵測電路 爲專利聲明1 1的主題。 本發明边這些與其他方面將於參考圖式中之描述最佳具 體實施例的揭露後討論，其中： 圖1表示配置之第一具體實施例。 圖2表示此配置用以產生控制電流之非線性跨導放大器的 放大器特徵。 圖3表示配置之第二具體實施例。 圖4表示當作時間函數之讀取放大器輸入信號，受嚴酷加 溫扭曲影響。 圖5表示當作時間函數之兩組輸出信號，一爲由線性跨導 體提供的裝置’一爲根據本發明提供之非線性跨導體。 圖6表示電流之非線性作用的解釋，映射圖3中跨導放大 器裡之電路。 圖7表示配置之進一步具體實施例，提供DC直流修正電 流以進一步修正嚴酷的加熱。 圖8表示圖7DC直流修正電路精心設計的版本，以及 -6- 本纸張陳標準（CNS)A4規格⑵5T297公釐） i — ---------裝------- (請先閱讀背面之注意事項填寫本頁) . 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 419651 A7 I------B7 —_____^ 五、發明說明（4 ) 圖9表tjt用以偵測嚴S告加熱之偵測電路。 圖！的配置包括一具有磁阻元件丨，與阻抗値r[之磁阻 讀取頭（未圖7F出來）。具有經由電阻R〗連接至連續電位 ⑴第 '點之集電器終端器，及具有經由偏差電流來源斗連 接至連續電位（_)第二點之電晶體射極終端器之叩^類型之 第一電晶體Tl爲可使用的。電晶體射極終端器也連接至磁 阻元件1之終端器。具有經由電阻^連接至連續電位（+ )第 一點之集電器終端器，以及連接至磁阻元件1其他終端器之 電晶體射極終端器之npn類型之第二電晶體爲可使用的， 譬如偏電冼來源1 6。電晶體τ〗之基本終端器經由具有電容 値C之第一電容元件6連接至電晶體L的射極。電晶體“的 基本終端器經由具有電容値C之第二電容元件8連接至電晶 體τ !的射極，終端器1 0，1 2形成配置的輸出終端器。 非線性跨導放大器14具有分別連接至此配置中輸出終端 器1 0 ’ 1 2之第一與第二輸入端’放大器！ 4具有分別連接至 電晶體^與Τ'2基本終端器之第一與第二輸出端。跨導放大 器1 4被設計爲在其第一與第二輸出端提供控制信號，以回 應電壓。更特別的是，圖2代表跨導放大器14兩種可化 的特徵以產生控制電泥i I和i 2，圖2表示控制電流丨和.^ 作輸入電壓的函數，非線性的特徵在圖中清楚可見。圖2表 示出在曲線（不同於其信號）中爲增加輸入電壓而漸増的情 形。取代於此的是，具有至少兩種區域，而區域内具有續 性特徵亦是可能的。其中，在較高輸入電壓區域中其特徵 曲線比低輸入區域較爲陡峭。圖2 b表示曲線裡漸增的丨主^ 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Ί 裝--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 419651 a? -----------B7___ 五、發明說明（s ) 以便増加輸入電壓，偏差電流來源4產生電流lffir + Ta，電 來原1 6產生I m r _ I & 3 I a爲流過電晶體τ r t和τ r 2之靜態電 流’而Imr爲流過MR元件1的偏電流。 清/主意圖1的具體實施例只是一個概要的具體實施例，就 某方面來説僅表示其爲解釋本發明的要素。更特別的是， 圖1並未表示出所有設定讀取放大器必須了解的模式，畢竟 這些元件是爲專業人士所熟知的。 配置之函數如下：讀取配置根據專利文件USp5,559,646中 橫越之連接架構，這是雜訊與頻寬之最佳化。由電容器6和 8形成之A C交流電，經由跨導放大器i 4從輸出端到輸入端 (電晶體Tt和丁2之基座）到輸出端（終端器1〇，回饋產生 偏流。在前述技藝中，跨導放大器丨4展現線性特徵，a c 交流電時間常數因此固定與變大。 A C 交流電時間常數可敘述如下： C*(Rmr + Rin)/2* Gm* R i，其中 R; n 等於 k * T / q * I a。非線性 跨導放大器1 4因此提供大時間常數給小輸入信號，但也提 供小時間常數給大輸入信號。事實上，結果作用爲放大器 低頻率繼承變更爲更高的頻率，以當作更高的輸入信號。 圖1的具體實施例表示單一線路磁阻元件，圖3表示雙線 路磁阻讀取頭之讀取配置’更精心設計的是非線性跨導放 大器，表示了解圖3中參考數字K。雙線路磁阻讀取頭之 二磁阻元件，表示R—和Rw分別介於電晶體T !和τ 2之電晶 體射極以及連續電位（-)第二點之間連接而成。爲了擁有較 少的雜訊，跨導放大器1 4 1成爲a b等級的形式，此外圖1中 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --^------------裝--------訂---------線 ί請先閲讀背面之注意事頊 ％寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 a/ _B7_ 五、發明說明（6 ) 的電流來源4在圖3電路中被放置於另一個地點，負荷參考 數字4並產生電流Imr-Ia。 非線性跨導放大器1 4 '包括具有連接至輸出終端器1 0基座 之npn類型電晶體Tr3與Tr7，以及具有連接至輸出終端器 1 2基座之npn類型電晶體Tr4與Trs。電晶體Tr7擁有連接至 連績電位（+ )第一點上之集電器，而其射極經由眞空管D! 與電流來源3 0的串聯，連接至連續電位（-)第二點上。交互 連結眞空管D i與電流來源3 0的終端器連接至ρηρ類型電晶 體ΤΓ5基座上^其電晶體射極連接至電晶體Tr3的射極上。 電晶體ΤΓ3_的集電器連接至非線性電流的第一輸出端40映 射電路3 2，電晶體Tr5的集電器連接至非線性電流的第一輸 出端42映射電路36。電流映射電路32之第二輸出端44連 接至電晶體T r i，以及電流映射電路3 6之第二輸出端4 6。 電晶體T r s的集電器連接至連續電位（+ )的第一點，且其 電晶體射極經由眞空管D 2與電流來源5 0的串聯，連接至連 續電位（-)的第二點。交互連結眞空管D 2與電流來源5 0的 終端器連接至pnp類型電晶體T r 6基座上，其電晶體射極連 接至電晶體T r 4射極上。電晶體T r 4之集電器連接至非線性 電流映射電路3 4之第一輸出端5 2，電晶體T r 6之集電器連 接至非線性電流映射電路3 8之第一輸出端5 6。電流映射電 路3 4之第二輸出端5 4連接至電晶體T r 2基座，以及電流映 射電路3 8之第二輸出端5 8。電晶體Tr3和Tr5交互連結之電 晶體射極經由阻抗60連接至電晶體Tr4和Tr6交互連結之電 晶體射極，阻抗6 0包括一包含兩個串聯電阻R e之第一路徑 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X四7公釐） ! I _ 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事11填寫本頁) A7 419651 B7_ 五、發明說明（7 ) ，與一包含兩個串聯電容C β之第二路徑。電路部分包括阻 抗60與電晶體Tf3到Tr8(更特別的是也包括眞空管Di與D2 ，以及電流來源3 0與5 0 )，形成電壓至電流的轉換電路， 在稍後將討論到。 電流來源6 2與6 4提供電流I。，爲電晶體T r i與T r 2之基本 靜態電流。 發生嚴酷加熱時，實質振幅D C直流電壓出現在終端器1 0 和1 2 ^假設終端器1 0上之電壓高於終端器1 2之電壓，則流 經電晶體T r 2之電流大於電晶體T r I之電流。終端器1 0上較 高之電壓產生電流，在圖3中流經阻抗6 0從圖左到圖右。 此電流從電流映射3 2之輸出端4 0流出，流經阻抗6 0到達電 流映射電路3 8之終端器5 6。此電流於非線性電流映射3 2中 複製，並產生從輸出端44流向電晶體ΤΓι基座與電容器6之 電流。此電流亦於非線性電流映射3 8中複製，並產生從電 容器8 0與電晶體T r 2基座流向電流映射3 8之終端器5 8之電 流。因此充了電的電客器6 ’使得產生電晶體T r 1大量基座 電壓，如此大量的電流流經電晶體T r !。更進一步地説，電 容器8釋放了電使得電晶體T r 2基座電壓減少，並使如此少 量的電流流經電晶體T r 2。這將造成嚴酷加熱的抑制，就好 像低頻率繼承讀取放大器的頻率對於更高的振幅是有幫助 的。 假設嚴酷加熱的結果，終端器1 2上之電壓高於終端器1 0 之電壓，則流經電晶體T r i之電流大於電晶體T r 2之電流。 終端器1 2上比終端器1 0較高之電壓所產生之電流，在圖3 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） IJ „ 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項_填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ί9β5ΐϊ Α7 ----- Β7 五、發明說明（8 ) 中流Μ阻抗6 0從圖右到圖左。此電流從電流映射3 4之輸出 知；5 2成出’成經阻抗6 〇到達電流映射電路3 6之終端器4 2 。此電流於電流映射34中複製，並產生從輸出端54流向電 HS to T Γ 2基座與電容器8之控制電流。此電流亦於電流映射 36中複製’並產生從電晶體Tri基座與電容器6流向電流映 射3 6之終端器4 6之控制電流。因此充了電的電容器8，使 得產生電晶體T r2大量基座電壓，如此大量的電流流經電晶 體To。更進一步地説，電容器6釋放了電使得電晶體Tr] 基座電壓減少’並使如此少量的電流流經電晶體τ Γ1。這將 再次造成嚴睡加熱的抑制，就好像低頻率繼承讀取放大器 的頻率對於更高的振幅是有幫助的β 圖3非線性電流映射中之非線性作用能以下述方式了解。 參考圖6，圖中表示出電流映射3 2與3 4的基本元件。由於 對稱結構關係’流經電晶體Tr]()與ΤΓι 1的電流^是相等的 。此外假設終端器40與52上之電流分別爲14。與152，電流 I i 〇與ί η兩者等於（14 ◦ +15 2) / 2，且等於流經電阻R η ]之電流 Ir : ir =(140_工52)/2 。 電路點7 0可視爲具有連續電位，例如v d。如此，電晶體 Trl2基座上之電壓等於vd + v，其中V = (I40-I52)*Rnl/2。 相同的方法，電晶體Trl3基座上之電壓等於Vd-V，由於電 晶體Tru基座出現電壓的結果，流經此電晶體τΓΐ2的電流 I 4 4爭於： 14 4= I〇exp(Vd + V) 以及流經此電晶體T r ! 3的電流15 4等於： -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ^ 裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事馆.填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 杜 印 製 ί，;· 4l9et 4 19651 Α7 ________Β7 ___ 五、發明說明（9 ) I54' I〇exp(Vd"V) 因此對於大電壓値V而言，ϊ 4 4變大而〗5 4變小，以上公式 裡的指數項目説明電流映射的非線性作用。對於嚴酷加熱而 5 ’ V疋非常大的，使得產生非常小的電流I 5 4而可忽略之 ，這樣便完成圖3之非線性跨導放大器作用等之上述説明。 圖4表示應用於根據本發明之放大器之輸入信號，嚴酷的 加熱足以説明輸入信號裡清楚的增加。圖5表示兩個輸出信 號，表示「線性」者，從具備線性特徵之讀取放大器表現 ，表示‘非羞性，輸出訊號者，從根據本發明之讀取放大器 表現。很明顯地，以正弦波形（sinusoid)疊置於嚴酷信號之 上需求信號經由大概的1 5因子放大，經由嚴酷仍是明顯的 ’並且當嚴酷信號放大器因子大幅地降到大概的5。 可進一步説明在下一階段裡，讀取放大器可經由進一步 電路修正等同於上述解釋之嚴酷修正電路。此進階的修正 電路可在具有高振幅之信號上作用，因此在進一步修正電 路裡可達成進階嚴酷減少。 圖7表示讀取配置之進—步具體實施例，磁阻讀取頭 連接至万塊7〇，方塊7〇表示如上述參考圖t或圖3之非線性 跨導放大器。方塊70的輸出端連接至可實現八〇交流電與 HP過濾電路形式之方塊72的輸入端，例如電容。方塊 的輸出端連接至包括電壓控制放大器之方塊74，此放大器 輸出端連接至等化遽波器形式之方塊76。等化Μ器_ 出端連接至在輸入信號上執行D C直流電修正之方塊7 8， 本纸張尺^翻中國國家標_ (CNS)A4規格（21〇)<297公餐） I . ^t--------訂---------線 (請先閲讀背面之注音心事JI棋寫本頁) 4»965ί Α7 B7 五、發明說明（1〇 ) 輸出端連接至位元偵測方_及連接減去器^之延 :二位元偵測方物輸出端連接至輸出终端器“，以 i I ] 111 1 ·—— (請先閱讀背面之注意事項¾寫本頁) „85連接至減去器82第二輸入端。減去器η輸 出胡乂由與A的連結可連接至修正器78控制輸出端。 非線性跨導放大器7〇的作用爲儘可能抑制嚴酷加教。假 1舉-個例子，振幅比率R定義爲嚴結加熱〜的振幅與微 弱振幅VPP信號的比率，在讀取頭^的輸出信號最大爲2〇 ，則在不利條件下放大器70可能在其輸出信號產生一個比 率約爲1〇。在方塊72中之AC交流電與方塊74、76裡信號 處理影響下」比率R更加地減少，譬如減至3。現在在此情 況下’更可能進-步抑制受到執行Dc直流電修正之嚴酷加 熱影響。 .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 對部分回應偵測系統及雙回饋等化器 ，輸入至位元侦測器8。之信號並非内部符之； 放。為了於減去器82裡執行錯誤修正信號，需要在位元偵 測器80輸出端，也就是在遽波器85，過濾價測資料信號。 遽波器85擁有過遽回應H⑴，可在位元偵測器8〇輸入端折 返isi架構。過濾H(f)脈衝回應功能等於偵測器8〇‘目標，回 應原則（雖然其他脈衝回應選擇是可能且有用的，特別當 D C直邮屯修正迴圈爲非同步時）。此外，發生在位元偵測 器8 〇與濾波器8 5的延遲可經由延遲器8 3修正，對於切波器

形式足位兀偵測器8 〇而言，因爲方塊8 3與8 5的緣故可省略 電路單一化Q 圖8表示可執行D c直流電修正之完整電路詳細情形，產 ( -13 本紙張尺度適用中賴家標準（CNS)A4規格⑵Qx29?公爱了 Δ7 B7 4»965 五、發明說明（μ 生輸入至位元偵測器8 0輸入信號血 Μ仏凡偵測器8 0輸出信號 Κ錯誤信號，也就是眞實的資料信號。位元偵測請可 以馬非同步’或包含—取樣器。減去器_得之錯誤信號 經由線説明Α提供至包含整合電路84(dc直流電修正器Μ 。整合電路84輸出信號爲減去器以輸入㈣中之dc直流 電測量値，減去器86再次爲讀取電路此階段中嚴酷加熱所 保持影響之測量値。DC直流電修正功能因此好比線説明A 上錯誤信號控制成爲零。 DC直流電修正根據錯誤信號，然而資料已經從方塊^中 夂錯誤信號移走，如此一來原則上只有〇(^直流電位移回流 ，而非資料。因此DC直流電修正並未扭曲資料，這卻是違 反解決此問題前述技藝方法，一種前述技藝方法爲方塊72中 AC交流電之非線性控制，然而也將影響並非期待的資料。 在快速製造D C直流電修正前（經由增加迴圈數），即使是 被動的嚴結加熱下可讀取資料，而不會製造許多錯誤。進 一步使用ECC技術，可透過太部分嚴酷加熱讀取，而無須 未修正的錯誤^ D C直流電修正控制迴圈可爲非線性，就某方面而言，小 振幅嚴酷加熱其迴圈時間常數相對地大，而大振幅嚴酷加 熱其迴圈時間常數較小。使迴圏中常數較小，可經由增加 迴圈數達成。經由在方塊s 2與8 4間插入適當非線性方塊8 7 ，可在自動方式中完成。非線性應爲單數，且應爲基本上 能提供輸入信號振幅的增加。對於足夠大的信號振幅，此 獲得可再重新定位以限制結果輸出信號的動態範園，與簡 -14 本紙張尺度刺巾關家辟(CNS)A4規格（2】〇 X 297公髮） I . ^ ---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事頂.填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 419651 A7 B7 五、發明說明（12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 化執行。非線性提供頦外的迴圈獲得，並因此對所需求的 情況加速回應。藉由介紹部分磁滯，增加迴圈 2 口 EJ诚可繼續 維持一段時間，以減少迴圈回應末端持續時間。 圖9表示一額外的電路配置，以使用於本發明之讀取電路 ，及债測殘餘的嚴酷加熱，也就是偵測在前述抑制及補償 技術應用之後，任何停留在位元偵測器前之嚴酷加熱。圖9 電路配置包括低通濾波器9 0，其具有一輸出端連至比較器 電路92與94輸入端，比較器電路輸出端連至電路整合器％ 相當輸入端，其具有一連接至單步電路98之輸出端。 爲改善讒取配置可靠性，嚴酷加熱偵測器是需要的。它 可警告讀取配置可能在資料信號的相對部分出現問題，預 防措施即可採行，如此便可改善讀取配置的全面成效。 前述偵測嚴酷加熱之技藝方法爲偵測讀取信號高峰値， 以及偵測出在一定限制内它們停留在何處。此程序與資料 (PW50)有關，並受D c直流電位移影響。原則上嚴酷加熱 债測器遵循信號基線，並偵測不合常理現象。在前級放大 器中之嚴酷加熱偵測不同於通道j C中之嚴酷加熱偵測，在 前級放大器中偵測到嚴酷加熱，與是否於讀取通道路徑中 修正無關，可能已於通道I C中合併。此路徑經由圖7中之 方塊7 2到8 2辨識出來，雖然強調的是讀取通道路徑包括其 他電路’例如稍後將討論的控制迴圈。 在本發明中，經由在前述抑制與補償技藝應用後，偵測 停留在位元偵測器前之嚴酷加熱，嚴酷加熱偵測可在通道 1C中執行。這些殘餘的嚴酷加熱，完成它們於圖7與圖8減 -15- -I,------------裝--- (請先闓讀背面之注意事項.，' 填寫本頁) ;線· Μ氏張尺度朝 (210 X 297 公釐） Α7 4,965l 五、發明說明（13 ) 去電路8 2中輸出端錯誤信號之短期d C直流電位移形式。 爲偵測包含於錯誤信號中之額外妨害位移，例如殘餘的内 郅象徵的干擾與雜訊，錯誤首先應用於低通濾波器a然後 分別與正電及負電最低標準値+ V t h與-v t h。當應用於比較 器9 2和9 4之信號大於最低標準値時’偵測到殘餘嚴酷加熱 效力。比較器92和94輸出信號整合於整合器96中，而單步 電路98提供來增長偵測脈衝’此脈衝表示殘餘嚴酷加熱效 力的發生。單步電路9 8輸出信號可使用於，例如—個通道 IC外錯誤修正電路之“消除”指示，或是通道T c内電路之控 制信號。此控制信號可使用於，例如命令在通道r C中之讀 取PLL·回轉，或是通道1C中之AGC;東結。 當以較佳具體實施例描述本發明時，可了解的是之此並 非是限定的範例，如此，未超出發明範園如本專利所定義 ，不同的調整修正對於那些發明中之技藝是明顯的。例如 ，DC直流電修正之測量執行，與產生嚴酷加熱修正信號之 測量’如參考圖7、8、9所解釋，能分別應用於測量;^參 考圖1到圖6描述之所使用非線性讀取放大器。此外，本發 明包含每一個新奇特徵與特徵的結合。 11 ! 裝 訂---------線 {請先閱讀背面之t意事Λ半'寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)MM^(2i〇 X 297¾ )

Claims (1)

1. M9651 AS BS C3 D8 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 一種從記錄載體讀取資訊的配置，此配置包括： -具有至少一個磁阻元件（Rmri)之讀取頭， -具有控制終端器以及第一與第二主要終端器之第一電 晶體（T r f)， -具有控制終端器以及第一與第二主要終端器之第二電 晶體（Tr2)，第一電晶體控制終端器經由第一電容器 (6 )連接至第二電晶體之第一主要電極，第二電晶體控 制終端器經由第二電容器（8 )耦合至第一電晶體之第一 主要電極，第一電晶體之第一主要電極耦合至該磁阻 元件（及mrl)之端子，第二電晶體之第一主要電極連接 至第二磁阻元件（Rmr2)，第一與第二電晶體之第二主 要電極分別經由第一與第二阻抗裝置（R丨）連接至連續 電位（+ )的第一點，其特徵在於 -提供一非線性跨導裝置（1 4 )，其具有分別耦合至第一 與第二電晶體之第二主要電極的第一與第二輸入端， 以及分別連接至第一與第二電晶體控制端之第一與第 二輸出端，非線性跨導裝置應用於在第一輸出端提供 控制電流，以回應在其輸入端出現的電壓，例如出現 在該輸入端之第一與第二輸入電壓，分別於該第一輸 出端造成第一與弟二控制電流；弟一輸入電壓大於弟 二輸入電壓；跨導裝置產生第一控制電流之放大係數 大於產生第二控制電流之放大係數。 如申請專利範園第1項之配置，其特徵在於該非線性跨 導裝置進一步應用於在第二輸出端提供一控制電流，以 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------.-------I --------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項乒尤寫本頁) 4 9651 AS B8 C3 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 :、申請專利範圍 回應在其輸入端出現的電壓，例如出現在該輸入端之第 一與第二輸入電壓，分別於該第二輸出端造成第三與第 四控制電流，第一輸入電壓大於第二輸入電壓，跨導裝 置產生第三控制電流之放大係數大於產生第四控制電流 之放大係數。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之配置，其特徵在於該非 線性跨導裝置包括 -電壓至電流轉換裝置，用以產生電流以回應出現於跨 導裝置上第一與第二輸入端之電壓， -第一非線性電流映射裝置，用以產生第一輸出電流以 回應電蜃至電流轉換裝置產生之電流，當控制電流至 非線性跨導装置之第一輸出端，以提供該第一輸出電 流， -第二非線性電流映射裝置，用以產生第二輸出電流以 回應電壓至電流轉換裝置產生之電流，當控制電流至 非線性跨導裝置之第二輸出端，以提供該第二輸出電 流。 4. 如申請專利範圍第3項之配置，其特徵在於該電壓至電 流轉換裝置包括·· -第三電晶體裝置（Tr3)，具有連接至跨導裝置第一輸入 端之控制電極，以及第一與第二主要電極， -第四電晶體裝置（Tr4)，具有連接至跨導裝置第二輸入 端之控制電極，以及第一與第二主要電極， -第二阻抗裝置（60)，位在第三與第四電晶體裝置之第 -18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------.----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項声总寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制ri 419651 § D8六、申請專利範圍 一主要電極間連接， -第五電晶體裝置（Tr5)，具有連接至跨導裝置第一輸入 端之控制電極，以及第一與第二主要電極， •第六電晶體裝置（Tr6)，具有連接至跨導裝置第二輸入 端之控制電極，以及第一與第二主要電極，該第五與 第六電晶體裝置之第一主要電極分別連接至第三與第 四電晶體裝置之第一主要電極。第三與第五電晶體裝 置之第二主要電極連接至第一非線性電流映射裝置， 第四與第六電晶體裝置之第二主要電極連接至第二非 線性電流映射裝置。 5. 如申請專利範圍第4項之配置，其特徵在於該第一非線 性電流映射裝置包括： -具有一連接至連續電位（+ )第一點之終端器，以及第一 與第二電流終端器（4 0，4 4 )之第一非線性電流映射 (3 2)，第一電流終端器（40)連接至第三電晶體裝置之 第二主要電極，而第二電流終端器（44)連接至第一電 晶體裝置之控制電極*以及 -具有一連接至連續電位（-)第二點之終端器，以及第一 與第二電流終端器（4 2，4 6 )之第二非線性電流映射 (3 6 )，第一電流終端器（4 2 )連接至第五電晶體裝置之 第二主要電極，而第二電流終端器（4 6 )連接至第五電 晶體裝置之控制電極，與第一非線性電流映射之第二 電流終端器（4 4 )，第二非線性電流映射裝置包括： -具有一連接至連續電位（+ )第一點之終端器，以及第一 l]rllt!(i]fl — 1 I I ] ! i I . I — — — — — 1 丨 (請先閱讀背面之注意事項爯ή寫本頁) -19 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公i) 8888 ABCO ^ 19651 六、申請專利範圍 與第二電流終端器（5 2，5 4 )之第三非線性電流映射 (3 4)，第一電流終端器（5 2)連接至第四電晶體裝置之 第二主要電極，而第二電流終端器（54)連接至第二電 晶體裝置之控制電極，以及 _第四非線性電流映射（3 8)，具有一連接至連續電位（_) 第二點之終端器，以及第一與第二電流終端器（5 6， 58)，第一電流終端器（56)連接至第六電晶體裝置之 第二主要電椏，而第二電流終端器（58)連接至第二電 晶體裝置之控制電極，以及第三非線性電流映射之第 二電流終端器（54)。 如申請專利範圍第1項之配置，其中該讀取頭爲具有磁 阻元件)之單一流向磁阻讀取頭，且第二磁阻元件 與最先提及之第一磁阻元件相同。 如申：專利範圍第！項之配置，其中該讀取頭爲具有第 —與第二磁阻元件之雙線路流向磁阻讀取頭，前述第一 磁阻元件之第二終端器連接至連續電位之第二點，而第 二磁阻元件之第二終端器連接至該連續電位之第二點。 如申請專利範圍第1項之配置，進一步包括： -從輸人信號減去修正値，以回應錯誤信號而獲得以直 流電修正輸出信號之D C直流電修正裝置（7 8 )， -直流電修正輸出信號位^列之位元偵測裝置 -產生錯誤信號以回應DC直流電修正輸出信號，和位元 串列4錯誤信號產生裝置（8 2，8 3，8 4。 本紙張义度顧Φ關家鮮(CNS)A4規格（210 X 29tT¥) .—·--------裝·-------訂--------，線 f請先閱讀背面之注意事項JB'寫本頁) 8 . 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 '20- 56 9 4/ 4 A«B8C8D8 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第8項之配置，其中該錯誤信號產生裝 置包括用以從DC直流電修正輪出信號或過遽信號，減 去位元串列之減去裝置（8 2 )，其中d c直流電修正裝置 包括用以整合錯誤信號而獲得修正信號之整合裝置（84) ，以及用以從輸入信號減去修正信號之減去裝置（86)。 1 0 .如申請專利範園第8項之配置，其中該配置進一步包括 在D C直流電修正裝置應用錯誤信號之前，非線性放大 錯誤信號之非線性放大裝置（8 7)。 1 1，如申請專利範園第8項之配置，進一步包括： -以一最低標準値比較低通遽波錯誤信號之比較器裝置 (92)， -產生嚴酷加熱偵測信號（98)，以回應超越最低標準之 低通遽波錯誤信號之裝置。 12.—種硬式磁碟機’提供前述專利中任何之一種配晋。 ------.----------------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項声寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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