TW418176B - Method and apparatus for recover of water and slurry abrasives used for chemical and mechanical planarization - Google Patents

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4 18 1 76 a7 B7 五、發明説明（/ ) 本發明概言之係有關於半導體晶片之機械和化學 處理，尤詳言之係有關一回收一在使於處理半導體晶 片之後含有細分割、懸浮粒子之含水化學和機械研磨 劑之淤漿組成分的方法和裝置。 半導體元件之製造通常係藉由層疊導電和介電材 料以達成製作多種電氣元件諸如電阻器、電容器和電 晶體之適當電氣特性。許多這些分開的裝置係被結合 成積肢電路以使用於製造微處理器，記憶晶方，邏輯 電路等等。許多積體電路可在半導體晶片上由層疊介 電和導電材料以在一相當小的面積上造成多個半導趙 裝置而被製造。 、 丁 J--a &· 經漓邹-5-央梂準局負X消f合作杜5-¾ 在此種半導體裝置上之電子组件密度已因此種半 導體裝置上之軌跡線寬度和元件尺寸已被縮小故持續 增加。例如，在此種裝置上之軌跡線寬度一度典型地 係在l/im至4/zm範圍内。但是，近年來工業上已在 減少使在積體電路中之轨跡線寬度至少於上有長 足進步。目前0.5至0 3 5/z m之軌跡線寬度為普遍者， 且刻正研究達成自（K 25/zm至0.18仁m之軌跡線寬度。 此外，增加記憶艘和計算能力之需求驅使每一積體電 路可達成之半導體裝置數目限制更高，成在被應用至 半導體晶片上之層數增加，而積體電路之典型尺寸持 續增加。較窄之執跡線寬度，增加之材料層數目和每 一積體電路之半導體裝置更高之密度的結合已使此種 裝置因半導體晶片表面之不一致而逐漸有失效之虞， 本紙张尺度適Λ]中因國家標準（CNS ) 垅格（21〇>< 297公犮） 4 4 18 17 A? B7 經满部中央標準局負工消費合作社印狀 五、發明説明（e) 且此種半導趙晶片表面和介電廣為均一地平滑變得曰 益重要* 化學機械平面化（CMP )之方法已被發展用來拋 光半導體晶片之表面，且典型地包含將晶片在一拋光 势上旋轉，經一旋轉失頭施加壓力，且供應一含有一 研磨拋光劑之含水化學淤漿至拋光墊以供表面活化及 研磨作用之用〇此化學淤漿可額外地含有在處理期間 蚀刻晶片之各不同表面化學藥品。可被使用在化學機 械淤漿中之研磨劑包括燒結矽砂、铯與氧化鋁之粒 子。燒結矽砂典型地係與一安定劑如氩氧化鉀或氫氧 化錢滿•合’且通常係被用來拋光半導體晶片上之介電 或氧化物扁。鉋與氡化鋁通常與一氧化劑諸如硝酸鐵 或過氧化氩混合，且典型地被用來拋光金屬層，諸如 以鎢、銅與鋁為例》 自半導體晶片之各層被除去之淤漿和材料通常係 以工業廢液處置。研磨成分構成原廢液流之約8%至 15% ’其餘由其他化學劑諸如安定劑或氡化劑以及水 所組成**原廢液流典型地以洗濯水稀釋以在廢液流中 生成約1%至1.5%之最終固體濃度。但是，在工業 廢液流中溶解或懸浮固體之處理已由於嚴格之地方、 州與聯邦規定而成為一相關爭議，且因而希望能提供 一種方法與裝置自廢液流除去研磨成分以供可能之再 處理俾再度利用在化學機械淤聚中或其他再利用或處 置，或者可能除去重金屬成分作各別處理《亦希望能 本紙張尺度適用中困阐家標嗥（CNS ) A4規掊（210X297公# > I--^-------r-- -- (邡先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T Μ漓部中央橾苹局，負工消費合作社印製 4 18 ί < 〇 μ Η7 _____ 五、發明説明（：ί ) 處理與回收廢液流上層液體以容許再利用來自化學機 械平面化程序之上層液體。 雖然習知逆滲透過濾、離心及電泳技術已被用來 從含有典型地直徑大於約3-4微米之大粒子的流體， 諸如煤淤，泥和金屬電鍍程序之廢液回收水，這些技 術無法有效處理來自半導體製造和精磨工業的工業廢 液中所生成之次微米膠態懸浮液。此種技術亦通常限 於批量處理或具有低生產量容積，且不易適配於高容 量、連續處理。過濾器亦典型地對於除去在此廢液流 中之懸浮固體無效且成本高。 其他廢水處理程序包含pH中和與添加絮凝或凝 結劑，諸如驗土金屬氧化物，驗土金屬氩氧化物和陽 離子聚合物以除去懸浮固艟，且由沈降室傾析上層液 艘。但是，此種絮凝劑之使用對於回收固艘和再生水 之再利用於半導體製造工業造成嚴重問題。此種系統 在除去細或滕禮粒子上亦傾向於龐大且相當無效率， 並且亦不易適配於高容積、連續處理β由於半導想製 造程序所產生之廢液之大趙積而希望能夠在一連續、 而非批量基礎上處理來自半導體製造工業之廢液。 習知引動淤漿之技術利用泵，該等技術一般而言 適用於本質上欲呈旗態之大多數游漿。此種於衆通常 以少量攪拌維持成懸浮液。使用諸如離心泵之泵典型 地會使絮凝物分解，造成細懸浮粒子之水平增加，藉 以阻擾絮凝物從淤漿除去。隔板泵和蠕動泵典型地造 本紙张尺度適用中國國家輮準（CNS )__Α4現輅（2丨0x297公# ) --—- {請先閱讀背而之注^1$項再填碎本頁)

V 訂 經碑部中央標率局Μ工消费合作社印犁 4 1 8 I T ci A1 A? H7 五、發明説明（4 ) 成較小之粒子，且因此進一步阻擾固體自淤漿被除 去。因此亦希望能提供一種以少量攪拌引動淤漿以供 處理而從淤漿分離及回收相當小之粒子的方法與系 統a本發明符合所有這些需求。 簡言之，且以一般用詞陳述，本發明提供一環境 上較安全之系統以供自一用來平面化處理半導體材料 之含水化學機械淤漿分離及回收研磨成分與晶片之系 統’允許再循環與再利用在平面化處理程序中之研磨 劑，以及液體流出物諸如灌溉用灰水、製程冷卻水、 作為一逆滲透系統之補償給水等再利用，或者在一廢 液流中依需要安全處置。 因此本發明提供一種自一研磨劑材料粒子之含水 淤漿中回收研磨劑材料粒子之方法及裝置。在本發明 之方法與裝置中，研磨劑材料粒子之含水淤漿被導入 一或一個以上之工作槽或冷卻塔，且被冷卻至一介於 約0°C與約15°C間之溫度以造成含有粒子膠凝之一部 分含水淤漿移動至一固體收集區域或分離塔之沈降 室’且使含水淤漿之其餘部分經一上層液體收集槽經 [ 一上層出口排出。在一目前較佳之實施例中，多數分 離塔依序連接。在一現今較佳之實施例中，一電位亦 被施加於一分離塔中之第一電極與一第二電極間以影 響研磨刺粒子之電性質而促進研磨劑材料粒子之附聚 與分離。含水淤漿接著被導經—喷嘴以致使含水淤漿 在分離塔中以一螺旋形流動型式流動β在固體沈降室 (对先閱讀背而之注意事項#填S本瓦) 1/^. 訂 本紙张尺yliiifl中ΚΙ®轉準（CNS ) Α视格（2丨以297公#+ )

經消部中央橾準局貞工消f合作社印裝 五、發明説明（5 ) 中含有粒子膠凝之含水於装部分接著被排出至一收集 槽。在一現今較佳之實施例中，固體沈降室十含有粒 子膠凝之含水淤漿部分可週期性地排出至一收集槽。 或者，固體沈降室中含有粒子膠凝之含水淤聚部分可 連續地被排出至一收集槽。 在研磨劑粒子之含水淤漿被導入分離塔之前，一 種或一種以上中和劑可被加至含水淤漿以中和含水於 漿之pH值β在現今較佳之實施例中，含水淤毁初 始接受一 pH震動處理，同時攪拌及冷卻含水淤漿， 結合含水於漿之電氣性平面化處理<*在此實施例中T 一震動槽被提供用來酸化含水於漿至一約2至4之pH 值，且對震動槽内之含水於漿施加一電位》震動槽内 之含水淤漿亦最好被冷卻至一大約〇°C至約15°C間之 溫度。在此實施例中，一中和槽亦被提供用來接收酸 水化含水淤漿俾將含水淤漿中和至一最好約為6.5-7.5之pH值。所生成之廢液在PH值上實質上為中性 者，且能夠被使用作灰水或灌妖、製程冷卻水，以一 及一逆滲透系统之補償給水，或者可在工業廢液系統 中按需要被安全地處置。最好亦提供有藉由真空將淤 漿抽入第二槽之裝置，且最好提供將含水淤漿冷卻至 一約0°C與約15eC之間的溫度。在目前較佳之實施例 中，一過濾器亦被提供用來過濾含水淤漿以除去相當 大的粒子•且該過濾器目前較佳為一可逆過濾器。由 於真空推動及重力之非震動性質，供使粒子分離與收 本紙张尺度遠用中國S家標芈（CNS ) Λ4说格（210乂297公益) (1A先聞讀背面之注意事項再填寫本茛) 訂 經漓部中夾局貞工消费合作社印聚 A1 Η 7 五、發明説明（6 ) 集之附聚和絮凝在本發明之方法與系統中被增強且改 善。 在另一現今較佳之實施例一中，含水淤漿可以一 相對處理室之縱轴之切線方向被導入至處理室之冷卻 部分以造成含水淤漿以一螺旋狀流動型式流動β在一 目前較佳之實施例中，含水淤漿在一真空室中受到一 減壓以致使被捕於上層液體中之氣泡上升至上層液艘 表面。在目前較佳之另一實施例中，氣體可被注入真 空室中之上層液體以提高氣體通過上層液體時之起 泡《任一情況中，氣體在上層液體表面起泡迫使留在 上層液體中之某些粒子足夠地接近而使粒子因凡得瓦 引力而進一步附聚。附聚之粒子比上層液想中之水有 一更高之比重，造成它們分離並沈澱至真空室底部， 於該處可隨一部分含有粒子附聚物之上層液體由真空 室排出至一收集槽。上層液體之其餘部分可由真空室 被排至一上層液體收集槽。 在一目前較佳之實施例中，一離心分離器被使用 來連續地將較重之微粒與附聚粒子與上層流體分離俾 提供改進之製程性能。此一離心分離器記述於一共同 申請案’名稱為 “ Apparatus For Continuous Separation of Fine Solid Particles From A Liquid By Centrifugal Force” ° 本發明之方法與裝置容使固體以一連續基礎在支 持半導體製造工業中所產生之大量廢液料以及精磨需 本紙張尺度通用中國固家標準{ CNS ) Λ4規格（210X297公;ft ) 9 {ΪΑ先間讀背而之注意事項再填·??本頁) 訂. 經滴部中央栋準局員Τ;消贽合作社印11 A1 ill 五'發明説明（7) 求之流速自一淤漿廢流中除去。本發明之方法與裝置 亦提供用來將淤漿成分自半導體製造程序中分離以使 有害副產品可被分離並除去。 本斤明這些與其他方面及特徵將由以下之詳細說 明與藉例描繪本發明特徵之附圖中更形明瞭。 巧Ί画係本發明一第一實施例之回收已被使用在 i 半導難晶:片化學和機械平面化處理之水及淤漿研磨劑 的方法與'裝置之簡圖； 第/¾ f/係第1圖之一分離塔之截面圖； 第厂戈年係本發明一第二實施例之回收已被使用在 半導化學和機械平面化處理之水及淤漿研磨劑 的方法與裝置之簡圓； 第4圖為第3圖之震動槽之載面圓； 第5圖係第3圓之過濾器總成之截面圖； 第6圖係第5圖之過濾器總成之過濾器的截面

ISI 圃， 第7圓係第3圖之分離塔之一截面®。 由於半導體裝置中之電子零件與佈線密度已增 ' 加’此種裝置因在半導體晶片上之表面不規則而變得 更加易於斷裂。在工業上利用在於半導體晶片表面之 化學和機械平面化處理之習知方法處理此一問題通常 造成一研磨劑與在用以拋光半導嫌晶片各層之淤漿中 之水被不經濟地處置。 如在圖式中所繪示，本發明因而被體現於一自研 本紙張尺度適用中國闺家榡隼{CNS ) W規2丨0X297公势） 10 (ΐΑ先閱讀背面之注悫事項再填寫本頁)

A? 經消部中央標芈局負工消贽合作社印奴 4 1 8 1 T 6 ________ Η? 五、發明説明（沒） 磨劑粒子之含水淤漿中回收研磨劑料粒子之方法與裝 置中。參見第1圏’在一第一較佳實施例中，一自研 磨劑材料粒子之含水淤漿中回收研磨劑材料粒子的裝 置10典型地從入口管線12接收原廢液，該原廢液包 括含有研磨劑粒子和取自一淤漿廢液收集槽14中之 半導趙材料平面化處理的研磨劑粒子和材料的含水化 學與機械淤漿。淤漿廢液之流量可由一連接於原廢液 入口管線之流量計16測定》淤漿廢液收集槽中之淤 漿廢液最好被維持在周圍溫度和壓力之條件下，且最 好維持在約略一中性pH值。於衆廢液之酸度或驗度 最好由一連接至淤漿廢液收集槽之pH計丨8監控。 代表收集槽中於漿廢液pH值之電信號可被一控 制器19接收，該控制器係供控制PH t和劑之導入游 漿廢液收集槽，而pH值中和劑依齡漿廢液之pH值作 選擇。中和劑例如可包括一來自經由被控制器所控制 之酸閥24所分配之酸咛槽20之酸，或一經過被控制 器所控制之鹼閥26來自一鹼貯槽22之鹼，或者pH 緩衝劑’所有這些質皆為習於此技藝者所熟知。收集 ' 榜中之淤漿廢液典型地藉由一在收集槽中被馬達27 所驅動之攪拌器（未示於圊中）攪動。淤漿廢液和任 何中和劑之混合物可在收集槽中被保留一段時間以依 需要做處理，接著經由收集槽出口 28排出以做進一 步處理。或者，已處理之淤漿廢流可連續經由收集槽 出口 28排出* 冬紙狀度適用中咖家制CNS) 格（2|0><297公# (誚尤間讀背面之注意审項卉填荇本K )

11 五、發明説明（^ ) 已處理淤漿廢液自收集槽之流出可藉連接於收集 槽出口與引至進一步之淤漿廢流處理的已處理淤漿廢 流管線3 0之間的泵2 9促進之。一壓力泵3 2與總溶 解固體計量儀34可被連接至已處理淤漿廢流管線以 監控已處理淤漿廢流之情況。 經漓部中央標嗥局員工消费合作社印聚 由流出物管線所輸送之已處理淤漿流出物最好以 真空抽入至一個或多個處理室或分離塔36以將已處 理之於漿流出物分離成為一含有較多比例研磨劑粒子 之部分，以及一含有較少比例研磨劑粒子之上層部 分。或者，於漿流出物可藉正廢力被果没通過分離塔。 每一分離塔有一為接收已處理之於漿流出物而提供之 入口 38，一為於漿流出物之較輕上層部分提供之上層 出口管線40，以及一為含有較大比例之研磨劑粒子的 已分離淤漿流出物之較重部分所提供之底部固體出口 42。如在第1圓中所繪示’在一目前較佳之實施例中， 多數個分離塔可依序相連接’使得最上游之分離塔從 淤漿流出物接收槽接收已處理淤漿流出物，且接著的 下游分離塔從一上游分離塔接收較輕之淤漿流出物上 層部分《最下游分離塔上層出口輸送經處理之上層以 做進一步處理。 參見第2圖，每一分離塔最好有一喷嘴44以將 已處理之淤漿流出物導入分離塔之冷卻部分45，該部 分由一具有一冷卻劑流之冷卻盤管46。此喷嘴最好以 分離塔之縱轴的切線方向將淤漿流出物導入分離塔之 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) Λ4说拮（2丨〇X2|7公嫠） 經满部中央標準局®;工消资合作社印製 A? Η 7 --- — , 丨_ Η " -.- * . — - ______ 五、發明説明（/0 ) 冷卻部分以在分離塔之冷卻部分造成一螺旋形或圓形 流動之淤漿流出物"冷卻盤管最好將淤漿流出物冷卻 至一介於約0X：與約1 5°C間之溫度，以促進粒子之附 聚。 在於漿流出物冷卻之後，其通過在兩個充電電極 板之間所精密車削之開口。冷卻之淤漿流出物通過負 電荷電極48與正電荷電極50之間造成粒子之電性質 改變*造成它們附聚，致使所生成之粒子絮凝物由淤 漿流物之一上層液體部分分離。該淤漿流出物接著通 過一第二喷嘴52使淤漿流出物以與分離塔縱轴成切 線之方向導入而造成淤漿流出物之一螺旋形或圓形流 動，使含水游漿之含有粒子附聚物或絮凝物的一部分 移動至分離塔之固體沈降室54，而留在含水淤漿中之 上層液體經上層出口 40出去。 一固體出口閥56容使控制由底部固體出口 42之 流出，以使在固髏沈降室中含有粒子附聚物的含水淤 漿可按需要自固體沈降室經一固體出口管線58週期 地或連續地排出至一固體收集槽60。在一目前較佳之 實施例中’多數分離塔依序相連接以使來自一分離塔 之上層出口的上層液體依順序送至次一分離塔之入 口，而在序列中最後一分離塔之上層出口通過做進一 步處理與收集之上層液艘。 在一目前較佳之實施例中，來自分離塔之上層液 體通過上層管線61至一個或多個連接至一真空源64 本紙張尺度適用中固國家梯準（CNS > A4说搞< 2丨0X297公势} 13 (对先閱讀背而之ixf項再填8本頁}

1T 418176 Α7 Β7 *9^6. f\ (Λ⑽補充 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11) 之真空室62。如需要，上層管線中之上層液體的溫度 與壓力可藉由溫度和壓力感測器監控。在一現今較佳 之實施例中，含水淤漿在周圍溫度與壓力下被導入處 理室。在一目前較佳之實施例中，源自分離塔之上層 液體管線被連接至一多數真空室之入口 66，每一真空 室有一上層出口管線70之上層出口 68，引導至上層液 體收集槽74之入口 72。當在一真空室中之上層液體被 減壓時，陷捕於上層液體中之氣體冒泡至上層液體之 表面。氣體冒泡至上層液體表面據信可使上層液體中 之粒子緊密相鄰而因粒子間之凡得瓦吸引力而造成進 一步之附聚。附聚後之粒子比上層焱體中之水有一 更大之比重，使其分離並沈殿至真室室之底部。或 者，舉例而言，諸如清潔乾空氣、氧或氮之氣體可 以小量被注入至真室室中之上層液體内以進一步提 高氣體經由上層液體之冒泡。 一引自每一真空室底部之固髏出口管線76係被 連接至一引導至固體收集槽之固體管線78。在一目 前較佳之實施例中，一來自固體收集槽之出口管線 80被連接而輸送收集之固體和液體至一離心分離器 82。液體由離心分離器通過至上層收集槽74。固體收 集槽60之液體通過流體管線84至過濾器壓機86，該壓 機亦從離心分離器經由固體出口管線87接收濃縮之固 體。固體最後可經由固體廢料管線88自過濾器壓機86 被收集。來自離心分離器之上層液體流經上層固體出 本纸張瓦嘎通用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ 297公笼） i——.--------r--------訂---------線 V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經满部中史標挲局員工消費合作社印餐 Λ7 ____ΙΠ 五、發明説明（β ) 口管線至上層液體收集槽74»上層液體之pH值可被 連接至上層液體收集槽之pH計92監控。上層液體可 經出口 94被收集，且可藉一泵96經由管線98泵汲 至一或一個以上具有上層出口 1〇2之收容槽1〇〇，上 層液體之量與質例如可用pH計104，總溶解固體計量 儀106，濁度計108 ，以及流量計11 〇監控。 參見第3至第7囷，在一目前較佳之本發明第二 實施例中，一自研磨劑材料粒子之含水於榮_中回收研 磨劑材料粒子之裝置210典型地由入口管線212接收 原廢液，該原廢液包括含有研磨劑粒子和回收自一淤 漿廢液pH震動槽214中之半導體材料平面化處理的 材料。淤漿廢液之流量可用一連接至原廢液入口管線 之流量計216。淤漿廢液pH震動槽中之淤漿廢液最好 維持在周園溫度與壓力之條件下，且最好維持在約2 至4左右之pH。淤漿廢液之pH最好由一連接至淤漿 廢液pH震動槽之pH計218監控，如第3圖所示。 參見第3及第4圖，代表在pH震動槽中之淤漿 廢液之pH的電信號可被一控制器219接收俾控制以 ' 一依淤漿廢液pH而定之量，將例如一諸如HC1之酸， 以及其他pH控制劑，導入淤漿廢液pH震動槽。酸係 自一酸貯槽220經由以控制器所控制之酸閥224而被 分配，或一鹼經由被控制器或pH緩衝劑所控制之鹼 閥226被分配。pH震動槽中之淤漿廢液典型地藉一 pH 淤漿槽中被馬達227驅動之攪拌器221所攪動。淤漿 本紙張尺度通用中囷國家梯準（CNS 说格（2丨0X297公处） 15 (計先間請背面之注^>項孙填寫本頁)

,1T 經满邓中央標準局肩工消贽合作社印.ΙΪ A? _______ H7 五、發明説明) 廢液和任何中和劑之混合物可被容納在淤装pH震動 積中歷一依需要足夠處理之時間，且典型地係被容納 在震動槽中違一至多約1小時之時間β酸化之含水淤 敷接著經由pH震動槽出口 228被排出至pH平衡槽214, 以做進一步處理。 如於第4围中所繪示，淤漿廢液pH震動槽214 具有一攪拌器221’在一攪拌軸223之一端具有螺旋 槳’該授拌袖亦作為一陰極以施加一電壓通過酸化之 含水於漿俾改變粒子之電性質而促進粒子之附聚和絮 凝。一金屬網暘極柵225位於震動槽中攪拌軸陰極周 圍’且與亦作為一陽極之震動槽底部電氣連接。在震 動槽中施加予含水淤漿之電壓典型地約為12至5500 伏特’惟更高之電壓可能更加有效。震動槽亦具有一 上層溢流出口 229以釋放震動槽中過多之含水淤漿。 一典型地由與冷卻之處理室者相同的盤管所組成之冷 卻套被使用在pH震動槽周圍以冷卻含水淤漿之溫度 至一約0°C與約15eC間之範圍。電泳在pH震動中被徑 向地達成，驅使粒子通過分隔陽極栅^在金屬網板内 之攪拌區域以外，粒子附聚且下降至槽底部，且由槽 底部之陽極栅被吸至槽底。此附聚過程藉由將含水淤 漿驟冷至一約〇。(：與約15。(：間之範团而被增強，該一 驟冷可減少焦耳熱和由電泳程序所造成之對流混合的 影響》上層液體亦可從pH震動槽之頂部被排出以與 此程序其他部分的上層中和及再循環》 本紙張尺度4用中國國家楯準（CNS >A4说接（210X297公犮） 16 -----------V II (邡先閲讀背16之泣意事項.#填·本頁) 訂 經消部中央標準局員工消費合作社印裝 4 I ο ； ί 6 Α7 —.___________Η 7_______ 五、發明説明（/4 ) 參見第3圖，酸化固體/流體溶液係從ΡΗ震動 槽之底部在真空下被排出至pH平衡槽214·，且與經 由入口管線212'接收之未處理之廢液淤漿混合，且中 和劑被添加至pH平衡槽。代表PH平衡槽中之淤漿廢 液的電信號可被一控制器219 _接收以控制pH中和劑 之導入淤漿廢液pH平衡槽，該pH平衡劑視淤漿廢液 之pH值而做選擇。例如，中和劑可包括一自一酸貯 槽220·由被控制器所控制之酸閥224·分配之酸，諸 如HC1，或者一自一鹼貯槽222,由被控制器所控制之 驗閥226 ·分配之驗，諸如重碳酸納，抑或pH緩衝劑， 所有這些質為習於此技藝者所週知。pH平衡槽中之淤 漿廢液典型地由一 pH平衡槽中由馬達227·驅動之攪 拌器221·所攪拌》淤漿廢液和任何中和劑之混合物可 被容納在淤漿pH平衡槽中歷一需要之處理時間，且 接著經pH平衡槽出口 228 _排出以作進一步處理。或 者，經處理之淤漿廢液可連續經由pH平衡槽出口 228· ; 排出。一典型由盤管所組成相似於冷卻處理室及PH 震動槽者之冷卻套（未示於圓中）最好被使用在pH ' 平衡槽周圍，俾維持pH中和含水淤漿之溫度於一約0 °(：至15 °C之範圍内以增加附聚速率。在攪拌器之攪拌 區域以外，附聚之粒子降落至pH平衡槽之底部。 pH平衡槽之廢流接著最好在真空下被抽入一第一 自動清洗可逆粗粒子過濾器總成230·並接著抽入一 與過濾器總成230實質上完全相同之第二自動清洗可 本紙掁尺度通用中國國家栋準（CNS丨A4说格（2丨0><%公尨） ~ (d先閱讀背面之注意事項扑填筠本筲) ί 1^. Λ7 4 13 17s Η 7 五、發明説明（/5* ) … 逆過滅器成230·，如第3與第5圖中所繪示。過濾器 總成230和2 30,將參照第5圖中所示之過濾器總成230 詳細說明°自動清洗粗粒子過濾器係藉迫使一流體流 經含有一載留粗粒子之多層濾材的過濾器而操作。在 一定時間隔之後*流體可經由過濾器逆流，造成先前 被捕捉在濾媒中之粗粒子流出且落入一收集室内。藉 由重復此一程序，過濾器收集粗粒子且減少頻繁更換 過濾器之需要》 經由pH平衡槽出口 228 '之流出物因而被連接至 過波器成之過濾器總成入口 256，該過濾器總成包括 一系列連接於入口 256之流體控制閥231a-231f，其 可被打開及關閉而將pH中和淤漿導經連接於二過濾 器歧管233a，b之間的過濾器232。如第6圈中所示， 在一目前較佳之實施例中，過濾器含有一連串對稱排 列之過濾介質層234a-g，過濾介質的等級由外層之最 粗到内層之最細。因此，過濾器含有兩個外側總過濾 介質234a ’ g分別鄰接一中間過濾介質234b，f ,接 著分別是一在最内細過濾介質234d任一側之鄰接中 ' 間/細過濾介質234c，e»其他相似的過濾介質配置 亦為適當。因此，在操作時，過濾器總成可以兩種結 構中之任一者操作，容使流經過濾器之方向週期性地 逆轉以自過濾器沖走粗粒子，使粗粒子經由過濾器總 成固體出口 258排出。在一例示之第一結構十，閥 231 a ’ b，d，f被關閉且閥231 c和e被打開，使流動 本紙張尺度適用中困困家梂準（CNS ) A4規核（210X^17公# ----：------— (ϊΐ先閱讀背而之注意事項再m.:i?本頁) 訂 經满部中失標準局負工消費合作社印製

經滅部中央標準局員工消f合作社印製 五、發明説明（/6 ) 為自右向左通過過遽器。過濾之上層向上流經上層液 體出口 235 »於一段時間之在過濾器右側收集粗粒子 之後，閥結構可被改變成一反沖洗結構，其中閥231 a， c和e關閉，且閥231 d暫時打開而閥231 f暫時地關 閉以使欲被沖洗之粗粒子由右方通過固體出口 258。 然後，閥231 d可被關閉，且閥23 1 f打開以使發生一 標準第二流動結構由左至右的流動，通過過濾器且往 上通過上層液體出口 235。在過濾器左側收集粗粒子 一段時間後，閥結構可再次變回原來的流動結構以沖 洗過濾器，其中閥231b，d，f被關閉，閥231c打開 使由左至右流經過濾器，且閥231a暫時地打開而閥 231e暫時關閉以使欲被沖洗之粗粒子由右方經過固體 出口 258。之後，閥231a，b，d，f關且閥231c和e 打開，在標準一流動結構使流動為由右至左通過過濾 器，且被過濾之上層由上層液體出口 235流出。 由流出物管線所輸送之經處理淤漿流出物最好以 •真空經由一入口 238抽入一個或一個以上之處理室或 分離塔236以將經處理之淤漿流出物分成一含有較大 t 比例研磨劑粒子之部分，以及一含有較少部分研磨劑 粒子上層部分。如第3®所示，在一目前較佳之實施 例中，多數分離塔可依序相連，以使最上游之分離塔 由淤漿流出收集槽接收經處理之淤漿流出物，且接續 之下游分離塔自一上游分離塔接收較輕淤漿流出物上 層部分*最下游之分離塔上層出口通過被處理之上層 本紙張尺度適用中國闺家榡率（CNS > A4規格< 210X297公#) 19 —.—：----.—— (¾先閱ΪΑ背而之注^'項#填艿本頁)

.tT 4 i 6 I /3 λ? Η 7 五、發明説明（/7 ) (对先間讀背而之注意事項洱填寫本頁) 以供進一步處理與收集《每一個分離塔有一入口 238 以接收被處理之淤漿流出物，一淤漿流出物較輕上層 部分之上層出口管線240，以及一含有較大部分研磨 劑粒子之分離淤漿流出物較重部分的底部固體出口 242 ° 參見第7圖’每一分離塔典型地有一固體出口端 蓋255和一上層液體端蓋257，以將經處理之淤漿流 出物導入分離塔之一冷卻部分45，此冷卻部分被一通 過一冷卻劑流體之冷卻盤管46環繞。一從入口接收 含水於敷之噴嘴252最好以一分離塔縱軸之切線方向 將淤漿流出物導入分離塔之冷卻部分，俾在分離塔之 冷卻部分造成一螺旋狀或圓形流動。該冷卻盤管最好 將淤漿流出冷卻至一 0°C與約15°C間之溫度，促使粒 子之附聚，造成一部分含有粒子附聚物或絮凝物之含 水淤漿流出懸浮液到分離塔底部之固體沈降室254， 同時留在含水淤漿中之上層液體經上層出口 240離 開。積聚之固體可週期性地被清洗或連續地藉由真空 自分離塔抽到一粗固體收集槽260。 經漓部中央標準局貝工消費合作社印裂 參見第3和第7圖，一固體出口間256可控制由 底部固體出口 242之流動，使得在含有固體附聚物之 固體沈降室t的含水淤漿部分可依需要從固體沈降室 經由一固體出口管線258週期性或連續地排出至一粗 固體收集槽260。在一目前較佳之實施例中，上層液 體從分離塔經由上層出口管線240通至連接到真空源 本紙張尺度適用中囷國家搮準（CNS 規掐（210X&7公绝> 經Μ部中央標準局貞工消費合作社印皱 4 ί Ο ： ^ Α7 _________ Η7 __ 五、發明説明（/犮） 264之一個或一個以上真空重力貯槽262。在一目前 較佳之實施例中，含水淤漿以周園溫度與壓力導入處 理室中。在一目前較佳之實施例中，分離塔之上層液 體管線被連接至入口 266到多數之真空重力貯槽，每 一貯槽有一連接至細污泥收集槽270之上層出口 268， 該收集槽有一出口 272。 固艘收集槽之出口管線280被連接用來由粗固體 收集槽之出口輸送所收集之固趙並由細污泥收集槽出 口輸送細污泥以及留在粗污泥和細污泥中之液體至一 離心分離機282 »在離心分離機中被分離之較輕液體 部分被引導至上層收集楕274。濃集之固體經由固體 出口管線287從離心分離機被引導至一乾燥器286。 固艘最後可經由固體廢物管線290流至上層液體收集 槽274。上層從離心分離機汲取通過一光學之υν光源 及離子交換樹脂珠以除去溶解之固體而進入上層液體 收集槽作最後處理。上層液體之ρΗ和總溶解固體可 藉由分別連接至上層液體收集槽之pH計292與總溶 解固效計量站293監控。上層液體可經由出口 294被 ! 收集，且可藉一泵296泵汲通過設置有一或一個以上 過濾器297之管線298。 在以矽石為基礎以及TEOS為基礎之淤漿的情況 中*絮凝之材料可被回收再使用為淤漿中之矽或 TEOS。在以氡化鋁為基礎之淤漿中，絮凝之材料亦可 回收再使用為淤漿中之矽。由於金屬雜質而使以鋁為 ( 210X297^^ ) '~~~' 21 (ίΑ先間#背面之注意事項#填竓本頁) i,v 丁 -5 A7 H7 五、發明説明（/?) 基礎之淤漿不可能在半導體工業中回收使用。在TEOS 或以矽石為基礎和以氧化鋁或鏠為基礎之游漿被結合 時，則絮凝之材料當作以鋁為基礎之固體被處理以再 使用或 。 (对先閱讀背而之注意事項再填轉本頁) \ 、訂 M满部中央標準局負工消f合作社印" 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規輅（2丨OX29*?公犛） 22 欲. τ* 1五、發明說明（2〇) A7 B7 89.6. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件編號對照表 10 ' 210 回收研磨劑材料粒子的裝置 12、212、212， 入 口管線 14 於漿廢液收集槽 16 ' 216 流量計 18、218 pH計 19、219、219’ 控制器 20、220、220’ 酸咛槽 22、222、222’ 鹼貯槽 24、224、224’ 酸閥 26、226、226’ 鹼閣 27、227、227’ 馬達 28 收集槽出α 29 泵 30 已處理淤漿廢流管線 32 壓力泵 34 總溶解固體計量儀 36 ' 236 分離塔 38、238， 乂口 40、240 上層出口管線 42、242 底部固體出α 44 喷嘴 45 分離塔之冷卻部分 46 冷卻盤管 48 負電荷電極 50 正電荷電極 52 ' 252 喷嘴 54 ' 254 固體沈降室 56 固髏出口閥 58 固艘出口管線 60、260 固體收集槽 61 上層管線 62 真空室 64、264 真空源 66、266 真空室之入口 68、268 上層出口 70 上層出口管線 72 上層液體收集槽之入1 □ 74、274 上層液體收集槽 76 固體出〇管線 78 固體收集槽之固體管線 80、280 固體收集槽之出口管線 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 23 -I----·--------r!l---訂-------1·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（Μ) A7 B7 修正 午fl日. 16. 0 3 /Λ v 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 82、 282 離心分離器 84 流體管線 86 過濾器壓機 87、287 固艘出口管線 88 固體廢料管線 90、290 上層液體出口管線 92、 292 上層液體收集槽之pH計 94 > 294 出口 96、296 泵 98 ' 298 管線 100 收容槽 102 收容槽之上層出口 104 pH計 106 總溶解固體計量儀 108 濁度計 110 流量計 214 淤漿廢液pH震動槽 214’ pH平衡槽 221 、22Γ 攪拌器 223 攪拌轴 225 金屬網陽極栅 228 pH震動槽出口 228’ pH平衡槽出口 229 上層溢流出口 230 第一自動清洗可逆粗粒子過濾器總成 230 第二自動清洗可逆過濾器成 231a-f 流體控制閥 232 過濾器 233a-b 過濾器歧管 234a-g 過濾介質層 235 上層液體出口 255 固體出口端蓋 256 過濾器總成入口 257 上層液體端蓋 258 過濾器總成固體出c 7 261 、262 真空重力貯槽 270 收集槽 272 收集槽270之出口 286 乾燥器 288 固體廢物管線 293 總溶解固體計量站 297 過濾器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笈>

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Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 第87109781號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：89年6月 1· 一種自一研磨劑材料粒子之含水淤漿中回收研磨劑材 料粒子之方法，此方法之步驟包括： 將一研磨劑材料粒子之含水淤漿導至一處理室中； 冷卻該處理室中之含水淤漿至一約〇*c與約15乞間 之溫度以造成一部分之該含有粒子附聚物之含水淤漿 移動至該處理室之一收集區域，且使該含水淤漿之餘 部經一上層出口以上層液體排出；以及 將該含有該粒子附聚物之含水淤漿自一收集區域 排洩至一收集槽。 , 2. 如申請專利範团第1項之方法，進一步包括在該處理室 之一第一電極與一第二電極間對該含水淤漿施加一電 壓之步驟。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，進一步包括使該含水於 漿通過該處理室之一喷嘴以造成該含水淤漿以一螺旋 狀流動方式流經該處理室》 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該含水淤漿以周圍 溫度和壓力被導入該處理室争，且進一步包括經由該 上層出口將該上層液艘柚至_真空室且使該上層液趙 在該真空室中接受一減壓以造成被陷捕在該上層液體 中之氣泡上升至該上層液體之表面。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括在該導入該 含水淤漿至該處理室之前添加一中和劑至該含水淤聚 本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐） 丨·丨丨--------- I I-----訂----I----線 ^1 (請先閱讀嘴面之江意事項再填寫本頁) 25 A8 B8 C8 D8 ,A 1 8 i ^ 六、申請專利範圍 中，以中和該含水淤漿之pH值的步驟。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該導入該研磨劑材 料粒子之含水淤漿至該處理室中的步驟包括將該含水 淤漿以一切線方向導入至該處理室中俾造成該含水淤 漿以一螺旋型式流經該處理室。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該含水淤漿係以周 圍溫度和壓力被導入至該處理室中，且進一步包括使 該上層液體通至一真空室且將該真空室與一真空源成 流想連通地連接’俾以造成被陷撒在該上層液想中之 氣體冒泡至該上層液饉之表面。 8·如申請專利範圍第7項之方法，其中使該上層液體通至 一真空室之該一步驟包括喷射氣體至該上層液體中。 9.如申請專利範圍第7項之方法，進一步包括使該含有該 粒子之附聚物的一部分該上層液體從該真空室排出至 該收集槽，且將該上層液禮之剩餘部分排出至一上層 液體收集槽之步驟。 10‘如申請專利範圍第1項之方法，其中該排出含有該粒子 附聚之該部分含水淤漿步称包含週期性地排出該部分 含有該粒子附聚物之含水淤漿。 11. 如申請專利範圍第1項之方法’其中該排出該含有該粒 子附聚物之該部分含水於漿的步称包括連績性地排出 該部分含有該粒子附聚物之含水淤漿。 12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該排出該部分含有 該粒子附聚物之含水於漿的步称包含將含有該粒子附 本紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 請 先 閱 讀 -背 Si 之 注 意 事 項 再 填 f ^ 本 頁I ^ I I I I I I 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 聚物之該部分含水淤漿自該收集槽分離成一含有該粒 子之該附聚物之部分以及一上層液體部分。 13. 如申請專利範圍第9項之方法，進一步包括將含有該粒 子之該含水淤漿部分自該收集槽分離成含有該粒子之 附聚物之該含水游漿的一較重部分以及一較輕之上層 液趙部分^ 14. 如申清專利範圍第1項之方法，進一步包括以下步驟： 將該含水淤漿在導入該含水淤漿於該處理室之前 導入至一第一槽中，且酸化該含水淤漿；以及 將該酸化之含水淤漿導入至一第二槽中且中和該 含水淤漿。 、 15. 如申請專利範園第14項之方法，其中該酸化該含水淤 衆之步播包括將該含水於衆酸成至一約2至4範圍内之 pH值。 16·如申請專利範圍第14項之方法，其中該酸化該含水淤 装之步驟包括在一第一電極與一第二電極之間向該含 水淤漿施加_電壓以造成該研磨劑材料粒子之電泳分 離。 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該施加一電壓之 步驟包括對該含水淤漿施一約12至5500伏特之電壓。 18. 如申請專利範圍第14項之方法’其中該酸化該含水於 漿之步驟包括攪動該含水淤漿一段可長達約一小時之 期間。 19. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該暖化該含水於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） <請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁)

   27 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 榮之步驟包括將該含水淤漿冷卻至一約0^與約15。〇間 之溫度。 20.如申請專利範圍第丨4項之方法，其中將該含水淤漿導 入一第二槽中之步驟包括藉真空將該淤漿抽入該第二 槽中。 21·如申請專利範圍第14項之方法，其中該中和該含水淤 漿之步驟包括將該含水淤漿中和至一約6,5,7,5之pH值。 22. 如申請專利範圍第〗4項之方法，其中該中和該含水淤 毁之步称包括冷卻該含水於聚至一約〇。〇與約15。(^間之 溫度。 23. 如申請專利範圍第14項之方法，進了步包括在該中和 該含水淤漿之步驟後過濾該含水淤漿以除去相對較大 之粒子的步驟。 24. —種自一研磨劑材料粒子之含水淤漿回收研磨劑材料 粒子之方法，此方法之步驟包括： 冷卻該含水淤漿至一約〇°C與約151：間之一溫度； 將研磨劑材料之附聚粒子與該含水淤漿之一上廣 液體部分分離；以及 收集該研磨劑粒子之附聚物。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，進一步包括對該含水 淤漿施一電壓以造成研磨劑材料粒子附聚。 26. 如申請專利範圍第24項之方法，進一步包括使該含水 淤漿之該上層液體部分接受一減壓處理以造成被陷捕 在該上層液體中之氣體冒泡至該上層液體之表面的步 本紙張尺度適用中國國家櫟準（CNS)A4規格（210x297公釐〉 (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) ,—v--------訂----I 1 ---I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28 6 vf 8 4 經濟部智慧財產局員工消f合作社印制^ /、、申請專利範圍 驟。 27. 如申請專利範圍第24項之方法，進一步包括在該冷卻 步驟前添加一中和劑至該含水淤漿以中和該含水淤漿 之pH值的步驟。 28. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該冷卻該含水於 裝之步驟包括將含水淤漿以一切線方向導入一處理室 中俾造成該含水淤漿以一螺旋形式流經該處理室。 29. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該含水淤漿係以 周圍溫度和壓力被導入至該處理室中，且進一步包括 使該上層液體通至一真空室且將該真空室與一真空源 成流體連通地連接，俾以造成被陷捕在該上層液體中 之氣體冒泡至該上層液體之表面。 30. 如申請專利範圍第29項之方法，其中使該上層液體通 至一真空室之該一步驟包括喷射氣體至該上層液體中。 31. 如申請專利範圍第7項之方法，進一步包括使該含有該 粒子之附聚物的一部分該上層液體從該真空室排出至 該收集槽，且將該上層液體之剩餘部分排出至一上層 液體收集槽之步驟》 32. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該排出該部分含 有該粒子附聚物之含水淤漿的步驟包含將含有該粒子 附聚物之該部分含水淤漿自該收集槽分離成一含有該 粒子之該附聚物之部分以及一上層液體部分。 33. 如申請專利範圍第24項之方法，進一步包括以下步驟： 在該冷卻該含水淤漿前酸化該含水淤漿；以及中 本紙張尺度適用中囤囤家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） 29 — J-lllr - — —— — — — — - I I (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 訂·· -線 4

   A8B8C8D8 六、 申請專利範圍 和該含水淤漿之pH值。 34. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該酸化該含水於 漿之步驟包括將該含水淤漿酸成至一約2至4範圍内之 pH值。 35. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該酸化該含水淤 漿之步驟包括在一第一電極與一第二電極之間對該含 水淤漿施加一電壓以造成該研磨劑材料粒子之電泳分 離。 36·如申請專利範圍第35項之方法，其中該施加一電壓之 步驟包括對該含水淤漿施一約12至5500伏特之電壓。 37. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該酸化該含水淤 漿之步驟包括攪動該含水淤漿一段可長達約一小時之 期間。 38. 如申請專利範園第33項之方法，其中該酸化該含水淤 漿之步驟包括將該含水淤漿冷卻至一約〇°C與約15°C間 之溫度。 39. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該中和該含水淤 漿之步驟包括將該含水淤漿藉由真空抽入_槽内。 40. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該甲和該含水淤 漿之步驟包括將該含水淤漿中和至一約6.5-7.5之？11值。 41. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該中和該含水淤 漿之步驟包括冷卻該含水淤漿至一約〇eC與約15°C間之 溫度。 42♦如申請專利範圍第33項之方法，進一步包括在該t和 本紙張尺度適用中困國家櫟準（CNS)A4规格（210*297公轚） (請先M讀啃面之注意事項再填寫本頁) y i — ！丨丨訂---I ---I ·線. 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 30 8 H 4 6 Is 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 該含水淤漿之步驟後過濾該含水淤漿以除去相對較大 之粒子的步驟。 43.—種自一研磨劑材料之含水淤漿中回收研磨劑粒子之 裝置，包括： 一接收一研磨劑材料粒子含水淤漿之分離塔，該 分離塔具有一入口，一來自該含水淤漿之粒子附聚物 的收集區域，一上層液體之第一出口，以及在該分離 塔中供自該分離塔之該收集區域排出含有該粒子附聚 物之該部分含水淤漿的第二出口；以及 一冷卻盤管設置成與該分離塔成熱接觸，俾供冷 卻該分離塔内之該含水淤漿至一在大約0°c與約15°c之 間的溫度而造成含有該粒子附聚物之一部分該含水淤 漿移動至該分離塔之該收集區域，且造成該含水淤漿 之剩餘部以上層液體經由該上層出口離開β 44_ .如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一粒子收 集槽可供自該分離塔之該收集區域接收該粒子之該附 聚物。 45. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一對電極 可供在該分離塔中對該含水於漿施加一電壓^ 46. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一喷嘴位 於該分離塔中使該含水淤漿以一螺旋形式流經該分離 塔。 47. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括在該分離 塔上游添加中和劑至該含水於漿以中和該含水於聚之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公楚） {請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) ·. I W ------—訂-------線 * - — — — 1ιιίι — I 31 ο 4

   0^00 00 99 WBCS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 pH值的裝置。 48. 如申請專利範園第43項之裝置，進一步包括一噴嘴以 一切線方向將該含水淤漿導入至該分離塔中俾造成該 含水淤漿以一螺旋型式流經該分離塔。 49. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一上層出 口以將該上層液體抽至一真空室且將該真空室與一減 壓連接俾使陷捕於該上層液體中之氣踫冒泡至該上層 液體之表面》 50. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一上層出 口以將該上層液體柚至一與一真空源成流體連通之真 空室，俾以造成被陷捕在該上層液韙中之氣體冒泡至 該上層液艘之表面。 51. 如申請專利範圍第5〇項之裝置，進一步包括喷射氣體 至該上層液體中之裝置β 52. 如申請專利範圍第50項之裝置，其中該真空室包括一 固體出口以將含有該粒子附聚物的一部分該上層液體 從該真空室排出至該粒子收集槽，以及一上層液體出 口以將該上層液體之剩餘部分排出至一上層液體收集 槽。 53. 如申請專利範圍第43項之裝置，其中該粒子收集槽包 括一第一出口可供將含有該粒子之該附聚物的一部分 含水淤漿從該粒子收集槽撖出，以，及一第出口可供 將該含水淤漿之一上層液體部分自該粒子收集槽撤出。 54. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一離心分 本紙張尺度適用令國困家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀-f面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 32 ^Bc0* 418176 申請專利範圍 離機以將該粒子收集槽中之該粒子與該粒子收集槽中 之液體分離，並將該液體以上層液體排出至該上層液 體收集槽。 55. 如申锖專利範圍第43項之裝置，進一步包括藉真空將 該淤漿抽入至該處理室之裝置。 56. 如申請專利範圍第43項之裝置，進一步包括一第一槽 供於將該含水淤漿導入該處理室之前酸化該含水淤漿 ’以及一第二槽供由該第一槽接收該酸化之含水淤漿 以中和該含水淤漿。 57‘如申請專利範圍第56項之裝置，其中該供酸化該含水 於敷之第一禮包括一第一電極和一第.二電極以供施加 一電壓至該含水淤漿而造成該研磨劑粒子之電泳分離。 58. 申請專利範園第56項之裝置，其中該供酸化該含水淤 漿之第一槽包括冷卻該含水淤漿至一約〇°C至約15°C間 之溫度。 59. 如申請專利範園第56項之裝置，進一步包括將該淤漿 藉真空抽入至該第二槽之裝置。 60. 如申請專利範困第56項之裝置，該第二槽進一步包括 冷卻該含水淤漿至一約〇°C與約15°C間之溫度。 61. 如申請專利範圍第56項之裝置，進一步包括一連接至 該第二槽之過濾器以接收該pH中和含水淤漿俾過濾該 含水淤漿去除相對較大之粒子》 62. 如申請專利範圍第61項之裝置，其中該過濾器包括一 可逆過濾器。 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS〉A4規格（210 χ 297公釐） 請 先 閲 讀 .背 面 之 注 意 事 項 再 填 . I ^ 頁 I I 訂 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 33