TW416074B - Ion source having wide output current operating range - Google Patents

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4^074 Μ B7 五、發明説明（ 經濟部智慧財產局肖工消费合作社印奴 發明之領域 本發明大致係關於離子注入設備用之離子源 定關於帶有寬輸出電流操作範圍之離子源。 發明之背景 在產品之大規模製造中’例如積體電路和平面顯示器 ，離子注入是爲工作件上摻雜質之已被接受之工業镇 術，例如帶有雜質之矽晶片或玻璃基底。傳統離子注 統是包括離子化期望的摻雜元素之離子源，：7 : 被加速以形成期望能量之離子束。離子束對准工作件之表 面以由摻雜元素注入工作件。離子束中之高能離子穿 作件之表面，因此它們嵌入工作件之枒料的晶格以形=期 望電導率之區域。注入過程典型地在高真空處理室中執行 ，其中高真空處理室阻止由與剩餘氣體分子碰撞過裎引起 的離子束之離散，並減小由空氣懸浮微粒引起之工作件的 污染危險= 由室組成之傳統離子源，可由石墨形成，其具有爲引 入被離子化至電漿之氣體的輸入孔和輸出孔，其中透過伸 出孔電漿可被吸取以形成離子束°透過置於或接近工作室 之激勵源，例如電阻燈絲或無線電射頻(RF)天線，氣體被 離子化。電獎密度，和引入離子束之輸出電流，可透過提 高使用之激勵源的功率之提高而被提高。 透過提高使用的激勵源之輸出功率，無論如何’可比 粒子束流量更加影響粒子束之特性。例如，輸入功率是一 個因素，其中其是決定組成的各種原子和分子之相對數目 竑更特 請 先 閱 讀 背 孙 填 裝 頁 訂 線 標举（CNS ) 八4规格（210><297公康） 416074 , A7 _ ____ B7 五、發明説明（y) ，其中它們構成電漿。因爲，這些特性與粒子束流量相互 結合，同時它們不能獨立地改變a這樣，在已知離子源中 ，改變粒子束流量，其中其是確定用於-一個特定注入過程 的用量之精確劑量是必要的，不改變電漿組成是不可能的 a 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 有些離子注入系統包括質量分析器械，例如條形磁鐵 ，其可從粒子束中消除不需要的原子和分子組成，粒子束 被全部輸送至工作件。在此系統中，質量分析器械可補償 引入粒子束組成之改變，作爲對於粒子束流量之改變的結 果。這樣改變粒子束流量不會顯示出顯著的問題。在沒有 質量分析作用的離子注入系統中，然而，粒子束組成變化 之問題依然存在。例如在大表靣注入之應甩中，例如〒靣 顯示器、一個帶狀離子束源經常被利用=此離子源之一個 例子顯示於專利號爲08/756,970之美國專利和專利號爲 4,447,732之美國專利。複數個輸出孔提供調節帶狀離子束 的寬度之能力。每一個複數個輸出孔輸出產生於離子源之 總的離子束輸出的一部分。某個孔的生產離子束部分輸出-和其附近的那些孔生產的離子束部分輸出相互覆蓋。無論 如何，在此帶狀離子束系統中，沒有離子束之質量分析被 執行。 因此，本發明之一個目的是提供一個離子源，其中輸 出離子束流可獨立地調節離子束之組成。 本發明之另一個目的是提供一個該離子源，以用於離 子注入系統，其不包括質量分析器械。 玉紙浪尺度適用中'^家標準（{：!^)/\4规格（2丨0乂29；7公釐) " 經濟部智葸財產局負工消費合作杜印製 416074 A7 B? 五、發明説明（5 ) 本發明之另一個目的是提供用於離子源之一個器械， 其可提供輸出離？束流之較寬操作範圍，同時保持產生於 離子源之電漿的組成。 發明槪要 提供一個離子源用之衰減器。此離子源包括一個電漿 室，其中氣體被激勵器離子化以產生電漿，同時電漿透過 電漿室之開孔部分上之至少一個孔被引出以形成離子束。 此衰減器包括一個在離子室內置於激勵器和至少一個孔之 間的部件，此部件提供對應於至少一個孔之至少一個第一 通道，同時係可對應至少一個孔在第一和第二位置之間移 動。 在一個實施例中，在第一位置上，部件置於孔附近以 阻礙孔的至少一部分，同樣在第二位置上，部件置於遠離 孔之位置，以至於不可阻礙孔。在第二個實施例中，孔置 於孔平面上，同時⑴當部件處於第一位置時，該部件和孔 平面形成在孔平面和部件之間的普通封閉區域，並且（1丨） 當部件處於第二位置時，孔直接與部件相互連接。在第二--個實施例中，在電漿經由置於第一位置之孔被引出時前， 在電漿室內之電漿經由普通封閉區域擴散，同時在電漿室 內之電漿經由置於第二位置之孔被直接引出。 圖式簡單說明 第一圖是離子注入系統之立體圖，其中針對本發明之 原理的離子源結構被結合進此系統。 第二圖是針對本發明之原理的離子源結構之立體圖。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（C'NS >八4规格（210X 297公釐） --------：--裝-------訂 ------線 (請先間靖片而之泣意ιΐ.''β,弗填Ϊ'Ϊ:'Ά ) A7 B7 416074 五、發明説明（心 弟三圖是第二圖之離子源的側剖面圖，沿著第二圖之 3-3線切割。 第四圖是第二圖中之離子源的另一個實施例之側剖面 圖’沿著第一圖之3-3線切割。 第五圖和第六圖是第三圖中之離子源的部分剖面放大 圖’分別顯示離子源在開放和封閉位置時之可調節的衰喊 器。 第七圖是本發明之另一實施例之側剖靣圖，其中包括 爲衰減器之電壓源。 第八圖和第九圖是先前技藝之離子源之操作特性的袠 示圖。 第十圖和第十一圖是本發明之離子源的操作特性之_ 示圖。 發明之較佳實施例詳細說明 現參考圖例，第一圖顯示一個離子注入系統10 ’其中 發明之離子源磁性過濾器被結合進去。被顯示之注入系統 10用於注入大面積基體，例如平面顯示器面板P。 - 系統10包含一對面板盒12和14，一個裝塡鎖閉組件 16，一個自動或終端受動器18以在裝填鎖閉組件和面板盒 之間傳送面板，處理室外罩20提供一處理室22，且一個 離子源外罩24以提供離子源26(見第二〜六圖）。面板在處 理室22內透過由離子源反射之離子束被連續處理’其中離 子束透過在處理室外罩20內之開口 28。絕緣軸承套3〇相 互電絕緣處理室外罩20和離子源外罩24。 --—--—7 —-----' 本紙浪尺度逍用中®國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ----------f------訂-------^ {诗先閱靖背^) 經濟部智慧財產局si工消贽合作社印製 經濟部智站財產局貝工消費合作社印製 416074 A7 _______ B7 五、發明説明（f) — / 面板p透過系統10處理如下所示。終端受動器u由 盒丨2處移動被處理之面板，旋轉面板丨8〇。，同時將被严 動的面板裝入在裝塡鎖閉組件16內之選定位置。裝塡鎖^ -組件丨6提供面板被裝入之複數個位置。處理室22被提^ 傳送組件，包括拾起臂32，其中此拾起臂和終端受動器 之設計類似。 ^ 由於拾起臂32從相同的地點移動面板，裝塡鎖閉組件 在垂直方向上是可移動的以安置一被選擇之面板 > 其包含 於複數個相對於拾起臂之存儲位置之任一個。爲了此目的 ’一個馬達34驅動導杆36以垂直移動裝塡鎖閉組件。線 性軸承38提供在裝塡鎖閉組忤上沿著固定圓柱軸4〇之滑 動’以確保裝塡鎖閉組件16和處理室舛罩之正確位置3當 拾起臂由裝塡鎖閉組件內最低的位置移動面板時，虛線42 指示裝塡鎖閉組件16假設的最高垂直位置。在裝塡鎖閉組 件之垂直移動期間，一個滑動密閉裝置（圖中未顯示）在裝 塡鎖閉組件和處理室位置之間被設置以保持在兩個器件內 的真空環境。 在水平位置P1上拾起臂32由裝塡封閉組件16處移動 面板P(例如相同對應之位置，如當面板置於盒12和盒14 內時，同時當面板被終端受動器18抓住時）。此拾起臂32 接著由水平位置P1沿著箭頭44之方向移動面板至如第一 圖中之虛線顯示的垂直位置打。此傳送組件接著如第一圖 由左向右在掃描方向上移動垂直位置之面板’橫過由離子 源產生並從開口 28脫出之離子束的路徑 ____——«------ 本紙張尺度逋中國國家橾準（CNS ) Λ4现格（UOXW7公t ) ----------裝------1T-------線 (請先閱讀背而之洼意事項再填:^'^!〕 A7 B7 416074 五、發明説明（L) C請先閱讀背面之-意事項再填^>^貞 離子源輸出帶狀束。如此處使用之“帶狀束”名稱意 味著具有沿著長條形軸伸展之長度和帶有充分短於長度之 寬度的長條形離子束，同時此寬度沿著軸延伸，其中此軸 與長條形軸正交。此處使用得術語“正交”意味著絕對得 垂直。帶狀束被証明在注入大表面區域工作件上.是有效的 ，部分因爲它們簡化了工作件之機械處理。例如，先前技 藝要求在工作件之兩個正交方向上離子束被掃描，爲了對 整個工作件注入。相比較而言，當被使用之離子束具有的 一長度超過了工作件之至少一個尺寸，只有一個工作件之 掃描被要求注入整個工作件。 ，-'° 在第一圖之系統中，帶狀束之長度至少超過被處理之 平面面板的較小尺寸。在與第一圖之離子注入系統結合中 ，除了提供單掃描整體注入之能力之外，此帶狀束之使用 提供一些優點。例如，利用在相同系統內相同源，帶狀束 離子源提供處理不同尺寸大小之面板的能力，同時透過對 應於樣本離子束電流控制面板之掃描速率，允許均勻注入 劑量。 經濟部智慧財產局肖工消骨合作社印製 第二圖到第六圖顯示離子源26的更多的細節。第二圖 提供存在於第一圖之離子源外罩24內的離子源26之立體 圖。如第二圖之顯示，通常離子源26假設爲平面六面體之 形狀，分別帶有前壁部件或電漿電極50 '後壁52、頂壁 54、底壁56、側壁58和60。由第二圖提供之立體圖，後 壁52、底壁56和側壁60被藏在圖後。壁帶有外部表面(在 第二圖中可見）和內部表面（在第二圖中不可見），其一起形 本紙張尺度適川中國國家標準（CNS ) A4^格（2丨0X29?公浼） 416074 A7 經濟部智慧財產局§;工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 成離子封閉室（見第三圖）。離子源26之壁可由鋁或其他合 適的材料組成，並且可用石墨或其他合適的材料作襯底。 複數個長條形孔64被設置於離子源26之電漿電極50 上。在被舉例之具體實施例中，五個這樣的孔64a-64e被 顯示，相互定向平行。每一個孔輸出由離子源產生之整個 離子朿輸出的一部分。由附近孔之間定位的孔(例如，中間 的孔）產生的離子束部分輸出與由附近孔（例如，兩邊的孔） 產生的離子束部分輸出相重疊。囚此，離子源之離子束輸 出的寬度可透過選擇孔之數目和結構被調節。 每一個長條形孔64具有高的外形比率。也就是說，孔 或縫的沿著縱向軸66之長度大大超過孔的沿著正交軸68( 與軸66垂直）之寬度。軸66和68位於相同的平靣上，如 電漿電極50同時，因此，如長條形孔64之相同平面。通 常，孔之長度（沿著軸66)至少是孔之寬度（沿著軸68)的五 十倍。此高外形比率(例如超過50 : 1)形成一種帶狀離子束 ，其中特別適合大表面區域之工作件的注入 如第三圖中所示，離子源之壁形成室76，在室內以下_ 方式產生電漿。如已知技術，源氣體透過人口 77進入室胃 76並透過至少一個螺旋形細絲或激勵器78被激勵，其中 細絲或激勵器透過電引線80被電壓源82所電激勵。絕緣 體分別由鎢絲構成，其中當其被加熱至一適當溫度時，其 發射熱電子。離子化電子亦可經由無線電頻率（RF)激勵器 件被產生，例如RF天線。這些電子相互作用，同時離子 化源氣體以在電漿室內形成電漿。例如，可在電漿室76內 (讀先閱讀背面之注意事項再填頁) -5 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨OXW·?公釐） 經濟部智狢財產局員工涓費合作社印製 416074 a? B7 五、發明説明（浐） 被離子化之源氣體是乙硼烷（仏私)或磷化氫（PH3)，其係以 氫(H)稀釋。 根據本發明，一個可調節的擋板或衰減器9〇(顯示於 第三圖之開放位置)置於電漿室76內之激勵器78和電漿電 極50之間，其的目的將在下面被進一步揭示。離子由電漿 室76經由孔97在衰減器9〇(其沿著軸9丨雙向移動）內被引 出，同時經由電漿電極50以形成離子束92。在顯示之開 放位置中，在衰減器90內之孔97與電费電極50「人]之孔64 相互對齊，同時至少和其一樣大。因此’該衰減器不會阻 礙電漿流或合成離子束之形成。在封閉或部分封閉位置時 ，然而，孔97與孔64不對齊’可有效地減小電漿路徑’ 同時降低合成離子束之離子密度。孔64和97之許多種圖 案在本發明中是被要求的。衰減器之功能保持一致，無論 如何，可控制電漿電極孔64之機械透過率。 第四圖顯示衰減器90之另一個實施例，其中其包括兩 個部分90A和90B，其可分別地透過以軸點99A和99B之 轉動打開和封閉。因此，衰減器部件90A和90B沿著弧形― 路徑91A和91B雙向移動。在封閉位置，衰減器部件90A 和90B以軸點99A和99B分別地向下轉動。 如第三圖或第四圖所示之衰減器90傾向於以兩種結構 之一而構成。在第一種結構中，在封閉位置之衰減器90處 於電漿電極50之鄰近位置，在它們之間具有相當小之間隔 或不具有間隔。在開放和封閉位置之衰減器的移動僅改變 電漿電極孔64之機械透過率。在開放位置，孔64不會被 ---------^------ir------線· (請先ly-ι讀背而之注意事項再填·τ1.頁) 本紙張尺度逋用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 416074 A7 B7 五、發明説明（1 ) 衰減器所阻礙，但是當處於封閉位置或部分封閉位置時， (請先閱讀背而之注意事項再填并-^頁) 孔64部分地被衰減器所阻礙，以有效地衰減合成離子束密 度。 一個吸引電極94置於電漿室76之外部，以透過在電 漿電極上之長條形孔64吸引離子，對於在吸引電極94上 之孔96爲業界所熟知。在電漿電極和吸引電極之間的電位 差透過電源98被提供，其中此電位差對於離子吸引是必要 的，同時電源被要求在〇.5到10千伏(KV)之範圍內工作。 此被吸引之離子束84被定向到目標平面。 經濟部智祛財產局員工消費合作社印製 第五圖和第六圖以更詳細之方式顯示了第二種離子源 26之可調節衰減器90的結構。第五圖顯示了在開放位置 之衰減器90。在此位置，產生於電漿室之高密度電漿中的 離子透過在電漿電極上之孔64被吸引，不被衰減所阻礙。 在開放位置，在衰減器90上之孔100至少與在電漿電極50 上之孔64 —樣大。一個區域102位於在衰減器90上之孔 100和在電漿電極50上之孔64之間，其延伸至電漿室76 ，同時該區域包含同樣密度之電漿，以至於其占據電漿室-76。因此，透過離子源離子束92之輸出是大電流離子束。 第六圖顯示衰減器90置於封閉位置。在此位置，由電 漿室76到區域102之高密度電漿的路徑透過在衰減器內之 孔104被部分地阻礙’其中此孔小於孔100。此區域丨⑽通 常是被衰減器90和電發電極50所限制之封閉之空腔。因 此，電漿從在電漿室之高密度區域透過孔104擴散，此擴 散過程透過降低其中的離子密度而抑制電漿。該位於在衰

標準（CNS ) Λ4规格（210 X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ， 五、發明説明（丨C ) 減器90上之孔104和在電漿電極50上之孔64之間的區域 102包含密度比充滿電漿室76之電漿低的電漿。例如在此 區域102內之電漿可能是在電漿室76內之電漿密度的1〇 2(1%)。透過提供在孔64和孔104之間的低電漿密度之區 域，電漿經由衰減器90擴散’以提高被吸引離子束之空間 均勻性，以及提高離子束功率衰減之程度。 因此，對於一特定的在電漿室內之電漿密度和一特定 的施加於激勵器78之輸入功率，在第六圖中（其衰減器封 閉），透過離子源離子束92輸出的離子束電流是比在第六 圖中（其衰減器打開）透過離子源輸出的離子束電流小。然 而，因爲激勵器的輸入功率未曾改變，離子束透過率，在 離子種類之相對質量方面，在小電流(第八圖）和大電流(第 七圖）時保持原樣。 顯示於第五圖和第六圖中之衰減器可沿電獎電極50之 平面滑動。此衰減器之移動可以手動方式完成，亦可用作 爲控制系統之部件的自動器件完成。離子束之衰減程度亦 可透過在電漿室內改變衰減器之位置被影饗。同樣的，一 個定位器械可被提供以對衰減器重新定位，向著或遠離電 漿電極50。 第七圖顯示本發明之第二個實施例，其中電源丨〇6被 設置，以在衰減器90和電漿電極50之間提供電偏置。絕 緣體108由底壁在衰減器和電源之間隔離電連接。調節施 加在衰減器上的偏置電壓，可用於控制由衰赋器提供的衰 減程度和組成離子束之離子種類的相對質毚電壓丨〇6典 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2丨公慶) ' ~ " IAi冬 訂 I I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填{f.頁) A7416074__ 經濟部智慧財產局ΚΚ工消費合作杜印¾ 五、發明説明（（I ) 型地在十/-2千伏（KV)之範圍內工作’同時相對於電漿電橘 50可選擇正向或反向偏壓。 第八圖到第Η^一以圖形方式列舉了提高由本發明所提 供且優於已知的離十源自笔“ k作範圍。如第八圖所示， 使用未具有本發明提供的衰減器之雕子源，離子束電流J 和詳細光譜參數p(例如’離子束之〜部分包括詳細的原子 和分子種類)針對激勵器輸入功率w被繪制成圖。離子束 電流i和參數P係與激勵輸入功率w相關。 因此，假設輸入功率W，被期望之離子束電流；（必驾 地與參數p的詳細値相關，同樣的，被期望之參數p必要 地與離+束電流]之詳細値相關°瓊樣，如第九圖所示， 當離子束電流）對應參數p作圖時，離子源工作區域是〜 個窄的單一尺寸區域。J和P是激勵器輸入功率之函數， 其不能獨立於激勵器輸入而功率變化。 然而，使用本發明之離子源’離子束電流〗可獨立於 激勵器輸入功率W和參數P而變化°儘管詳細離子束電流 J與W和P保持相關，此詳細離子束電流可被調節，爲了一 激勵器輸入隔離W和參數P之特定的數値組合，透過複數_ 個定位衰減器之定位。如第十圖所示，當衰減器90處於對 應於第五圖之開放位置時，離子束電流升高(】。->，實線）’ 並且當衰減器90處於對應於第六圖之封閉位置時，離子束 電流下降(Llwd，虛線）。 因此，一個期望之離子束電流]不必與參數P的詳細 値相關，同樣的，被期望之參數P不必與離子束電流J之

{讀先閲讀背面之注意事項再填·&·/Λ.頁J .裝 -丁 · 、-·0 線 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4规格（2丨0X29"?公麂） A7 416074 五、發明説明（) 詳細値相關。因此，如第十一圖所不，虽離子束電流 和Luw對應於參數p作圖時，離子源工作區域變大，並由 兩個窄..一維區域所構成。現在，離子束電流1可無關於激 勵器輸入功率w和參數P獨立改變。 第五圖和第六圖中的衰減器卯被提供多於兩種尺寸之 孔丨00和丨04，例如，衰減器可在雨種尺寸之孔丨00和104 之間，設置具有一個或多個尺寸之孔。在此例子中，分別 顯示於第十圖和第十一圖中的線性離子束離子化函數和操 作區域可被得到。以此方式’爲此離子源之一系列不連續 操作模式被提供。透過提供足夠的一系列尺寸的孔，顯示 於第十一圖之離子源操作區域可充分地覆蓋在兩個顯示之 窄線性區域之間的整個區域。 替代地’提供一系列具有各種尺寸的孔’其中它們具 有無限多的尺寸變量，從完全開放之位置到完全封閉之位 置。具有此變化尺寸開口之哀減器可被控制系統所操作， 例如一個自動控制裝置，其中以輸入方式接收操作條件信 息’同時對應其控制孔尺寸的大小。再者，此系統可爲了-一個離子源操作區域而設置，其中此離子源操作區域包括_ 在如第十一圖所示之兩個窄線性區域之間的整個區域，此 系統提供一個離子束電流寬度無限調節的功能，其中其是 於參數而選擇的，例如特定的組成離子束之原子或分 子種類。 _ 此，一個提供離子源用之衰減器的較佳實施例被揭 $ °銘記上述思維於心，應瞭解的是，此揭示只由例子而 i . f 訂 . f {請先閱讀背而之"-意事項再樓立><.頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ( CNS ) ( 21 OX 297/^¾ ) 一 416074 A7 B7 五、發明説明（丨 揭示，而本發明不局限於這裡描述的特定實施例，同時關 於前面描述的不脫離下面定義的申請專利範圍和他們的等 效要求之發明範圍之下，各種重新設置 '改進和替代可被 執行。 1 . , II 种水 Ϊ I 訂 .I fe. (請先閱讀背面之注意事項再填寫身瓦) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) Λ4規格（210X29:7公釐）

Claims (1)

1. 416074 ίΐΛ rs DS 六、申請專利範圍 1 · 一種離子源(26)用之衰減器(90)，該離子源包含電 漿室（76)，其中氣體透過激勵器(78)被離子化，以產生電漿 ，其透過在該電漿室之孔盤（50)上的至少一個孔64被吸出 ，以形成離子束，該衰減器(90)包含： 一個置於該電漿室(76)內，處於該激勵器(78)和該至少 一個孔（64)之間的部件(90)，該部件提供至少一個對應於該 至少一個孔之第一孔(97)，該部件可在關於該至少一個孔 之第一位置和第二位置之間移動。 2·如申請專利範圍第1項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該部件係可移動於，由⑴該第一位置，其中該 部件置於該孔（64)附近，以阻礙該孔之至少一部分，到(U) 該第二位置，其中該部件遠離該孔（64)，以至於不阻礙該 孔。 3·如申請專利範圍第2項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該孔（64)在孔盤(50)上滑動，同時其中該部件以 平行於該孔盤平面之方向，在該第一位置和該第二位置之 間移動。 4·如申請專利範圍第2項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該孔(64)在孔盤(50)上滑動，同時其中該部件包 括兩個部件(90A和卯B)，其透過分別地向著或遠離該孔盤 (50)，在該第一位置和該第二位置之間移動。 5·如申請專利範圍第1項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該孔(64)在一個孔盤上滑動，其中當該部件處於 .該第一位置時，該部件和孔盤形成一個通常在該孔盤和該 ------------^------ir------# (請先閱讀背面之注意事項再填对本頁) / 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210Χ2ί>7公釐） 經濟部中央標準局具工消費合作社印製 41^〇74 i ^ -)8 ^ ' ~ ~ ~ —*· -r - . . - I ii I ·-... · ··、·》..._. ·. .· — _______ 六、申請專利範圍 電漿室（76)之間的封閉區域，同時當該部件處於該第二位 置時’該孔(64)直接與該電漿室(76)接觸，以至於在該電漿 室（76)內之處於第一位置的電漿經由該區域（1〇2)擴散，並 且經由該孔被吸引，然而在該電漿室內之處於第二位置的 電漿直接經由該孔被吸引。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中保持於該通常封閉之區域（1〇2)之電漿的密度比 保持於該電漿室(76)之電漿的密度低。 7如申請專利範圍第2項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該電漿室對應於第一位置和第二位置設置有第 一孔和第二孔（104，100)，該第二孔（1〇〇)在尺寸上比第一 —τ r ， ， λ 、 f . :fUiU4J 入。 8·如申請專利範圍第7項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中在該部件上之該第一孔和第二孔（104，100)經由 單一可變化尺寸之孔被形成，其中此孔之尺寸可變化。 9如申請專利範圍第8項所述之離子源用之衰減器 (90)，其中該單一可變化尺寸之孔被製造成可無限變化尺 寸，以提供該離子源之無限多種操作模式，該單一可變化 尺寸之孔的尺寸可由一個控制系統確定，其中其以輸入方 式接收離子源操作狀態，同時對應此狀態控制單一可變化 尺寸之孔的尺寸。 10·如申請專利範圍第2項所述之離子源用之衰減 器(90)，其中該部件與該電漿室孔處於電偏置狀態。 1 1 ·—種離子源(26)，其包含： 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（21〇Χ29_7公釐） -----------裝------訂-----_—線 (請先閱讀背面之注意事項戽填^本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 416074 六、申請專利範圍 一個電漿室（76)，其中氣體透過激勵器（78)被離子化， 以產生電漿，其中電漿經由在該電漿室內之孔盤（50)上之 至少一個孔（64)被吸引，以形成離子束，該衰減器（90)包括 一個部件(90)，其設置於該電漿室(76)內且在該激勵器 (78)和該至少一個孔(64)之間，該部件提供至少一個對應於 該至少一個孔(64)之第一孔(97)，該部件對應於該至少一個 孔(64)，在第一和第二位置之間可以滑動。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之離子源（26)， 其中該部件係可移動於，由⑴該第一位置，其中該部件置 於該孔（64)附近，以阻礙該孔之至少一部分，到（π)該第二 位置，其中該部件遠離該孔(64)，以至於不阻礙該孔。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之離子源（26)， 其中該孔(64)在孔盤(50)上滑動，同時其中該部件以平行於 該孔盤平面之方向，在該第一位置和該第二位置之間移動 〇 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之離子源（26)， 其中該孔(64)在孔盤(50)上滑動，同時其中該部件包括兩個· 部件(90A和90B)，其透過分別地向著或遠離該孔盤(50)， 在該第一位置和該第二位置之間移動。 1 5 如申請專利範圍第1 1項所述之離子源(26)， 其中該孔（64)在一個孔盤上滑動，其中當該部件處於該第 一位置時，該部件和孔盤形成一個通常在該孔盤和該電漿 室（76)之間的封閉區域，同時當該部件處於該第二位置時 ------------:^------ΐτ------,ii (請先閱讀背面之注意事項再填柯本頁) ， 本紙涑尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X2Q7公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印策 416074 申請專利範圍 ，該孔（64)直接與該電漿室接觸，以至於在該電漿室（76)內 之處於第一位置的電漿經由該區域（102)擴散，並且經由該 孔被吸引，然而在該電漿室內之處於第二位置的電漿直接 經由該孔被吸引。 1 6 _如申請專利範圍第1 5項所述之離子源（26)， 其中保持於該通常封閉之區域（102)之電槳的密度比保持 於該電漿室(76)之電漿的密度低。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2項所述之離子源（26)， 其中該電漿室對應於第一位置和第二位置設置有第一孔和 第二孔（104，100)，該第二孔（100)在尺寸上比第一孔（104) 大。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之離子源（26)， 其中在該部件上之該第一孔和第二孔（104，100)經由單一可 變化尺寸之孔被形成，其中此孔之尺寸可變化。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之離子源（26)， 其中該單一可變化尺寸之孔被製造成可無限變化尺寸，以 提供該離子源之無限多種操作模式，該單一可變化尺寸之 孔的尺寸可由一個控制系統確定，其中其以輸入方式接收· 離子源操作狀態，同時對應此狀態控制單一可變化尺寸之 孔的尺寸。 2 0 ·如申請專利範圍第1 2項所述之離子源（26)， 其中該部件與該電漿室孔處於電偏置狀態。 4 -----^------t------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填_本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐）