TW415047B - The packaging structure and method for manufacturing the flip-chip having controlled collapse solder bumps on a polymer substrate - Google Patents

Description

415047 五、發明說明（1) ;-- 【發明背景] ' ： 一、 發明領域 r·» 本發明係關於一在封裝製程中，於基板（Substrate)上^ ' 製作翻面晶片（fl ip-chip)之方法。特別地，本發明係關 於一在封襄製程中，於聚合物基板上製作翻面晶片之方法 ’其中該該翻面晶月具有可控制坍塌（contr〇1 led collapse)之焊料塊（s〇ider bump)。 二、 相關先前技術： 一般在封裝製程中，製造翻面晶片所採用之焊料主要考 ^ 慮其鍵結特性與坍塌控制之特性。目前兼具較佳鍵結特性γ 與可控制坍塌特性之C4焊料，其熔點較高（ 300。C以上）， 因而製作上主要採用耐高溫之陶瓷材料作為基板。而對於 目前廣為業界所歡迎、以有機材料形成之聚合物基板，由 於該基板無法承受C4焊料之高溫熱處理而無法採用以焊料$,:· 作為晶片與基板結合之焊料。是以聚合物基板所採用之每.: 料以低熔點並兼具鍵結性加為主要考量。 對於以聚合物基板所製作之翻面晶片’目前以錫/鉛比 例為63/37之合金焊料最為廣泛採用，然該焊料在進行熱 處理後’會有嚴重之坍塌問題。如第丨0a及1 〇b圖中所示，，丄) 經回焊處理後之焊料塊8，由於坍塌而造成晶片與基板間 之站立距離（stand-off)縮小/該站立距離對翻面晶片封 裝之壽命有絕對之影響’此係由於晶片與基板之熱膨脹係 數（Coefficient Thermal Expantion， CTE)不同，晶片之 電子操作又無可避面會遇到連續之開/關轉換而會產生連

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五、發明說明（2) 續不斷地兩/低溫變換，較小之站立距離會使晶月與基板 門之因熱膨脹差（thermal mismatch)產生之應力更大，而 使該晶片封裝之壽命降低。 ’ ，於加入低熔點焊料之方式，習用之技術主要係將低熔 點谭料加於基板上之焊墊，再將已濺鍍有焊料塊（s〇lder bump)之晶片利用濺鍍焊料塊與焊墊上之低熔點焊料鍵結 而與基板結合。對於該低熔點焊料位置之控制，則利用將 一焊料遮罩（solder mask)設於基板最上層，並在遮罩上 將低熔點焊料製成之錫膏刮上，由於遮罩之孔位與焊墊之 位置相對應，而可將錫膏塗佈於焊墊上。然此方法中所採 用之焊料遮罩須以製版印刷之技術製作，對於不同之積體 電路晶片封裝均須重新製作一遮罩，此將花費較大之製版 費用□此外，利用刮上錫膏之方式所塗佈之嬋料，無法 免錫膏與遮罩接觸產生之污染問題。 【發明目的】 ( 針對前述先前技術之缺失，本發明之主要目的是在積體」 電路之封裝製程中，提供一將可控制坍塌之翻面晶片製作， 於聚合物基板上之方法，其係將具有C4焊料塊之晶片鍍 一第二焊料以形成第二焊料塊，利用第二焊料之較低溶 及C4焊料塊不易坍塌之特性，而得到兼具有可在聚合物： 板可承受之較低溫度下進行熱處理、有較佳鍵結特二及ς 較佳坍塌控制特性之焊料塊。 ’ 制：發明之另-目的，係提供一將可控制坍塌之 製作於聚合物基板上之方法，其鍍上第二煌 ^ 平垾枓塊之製程不

415047 五、發明説明（3) 須因積體電路晶片之不同而重新製版，且不會產生焊料與、 遮罩接觸之污染。為達成此等目的，本發明中將製作焊料： 遮罩以提供焊料定位之方式改為以喷射（jet)方式將熔融 之焊料以微液滴（droplet)之形態噴射於晶片之C4焊料塊 上，利用含微電腦定位控制及自動移動座（auto-stage)之 喷射設備，將晶片上C4焊料塊之位置輸入微電腦中，即可 將喷頭（printhead)之位置精確定位於C4焊料塊之位置進 行嗔射。 為了讓本創作其上述和其他之目的、特徵與優點能更明、 顯被揭示’下文特舉本創作之較佳實施例，並配合所附圖 示，作詳細說明如下 【圖示說明】 第1圖：本發明中製作翻面晶片之處理步驟流程； 第2圖：具有C 4焊料塊之晶片剖面圖； 第3圖：具有焊墊之基板剖面圖； 反 第4圈：在晶片之C4烊料塊上喷射熔融之第二焊料微^ 滴之剖面圖； " 第5a圖：利用一含遮罩之喷設頭，在晶片之C4焊料塊上 喷射熔融之第二焊料微液滴之剖面圖； 〔 第5b圖.第5a圖中，一具有4χ4喷孔（orifice)之遮罩 仰視圖； 第6a、6b圖：本發明中，經回焊處理步驟前後之烊料塊 剖面圖； 第7a、7b圖：本發明中，經壓平處理步驟前後之焊料塊

第6頁 五、發明說明（ο 剖面圖； 第8a、8b圖：晶片與基板結合完成之剖面圖； 第9圖：未經壓平處理之焊料塊剖面圖，圖中所示之焊 料塊與焊墊接觸不良； 第10a、10b圖：採用非C4焊料造成回焊處理後坍塌結果 之剖視圖。 【圖號說明】 1 晶片 2 C4焊料塊 3 第二焊料塊 31 第一焊料微液滴 32 熔融第二焊料 4 基板 5 焊墊 6 喷頭 61 孔 7 含遮罩喷頭 71 子L 8 整體焊料塊 【發明之詳細說明】 本發明為一種用於積體電路封裝製造之方法，其係利( 翻面晶片封裝（flip chip package)方式，將晶片（die)直 接結合（bonding)於含有印刷電路之聚合物基板上，該結 合之焊料塊（solder bump)可在較低之回焊（ref 1〇w)及加 熱處理溫度下熔融鍵結，且不會因回焊（refl〇w)或加熱處 理而產生坍塌（collapse)現象。本發明將可控制坍塌之晶 片結合（Controlled collapse chip connection， C4) 禪料塊（solder bump)先鍍於晶片上，而後再將第二焊料 塊藉嗔射（jet)方式鍍於該C4焊料塊上，藉C4焊料塊不易 将塌之特性及第一焊料塊較低之溶點，即可達成本發明將

第7頁 415047__ 五、發明卿⑸ --- 晶片（die)直接鍵結結合於聚合物基板而不產生烊料塊将 ^ 塌之目的。 請參造第一圖所示，此為本發明之封裝製造流程圖。圖' 中顯示本發明之製造流程包含下列步驟： (1) 提供一鑛有C4烊料塊（solder bump )2之晶片（chip)i ; (2) 提供一具有金屬焊墊（pad)5之基板（substra1:e)4 ; (3) 在該C4焊料塊2上’喷射（jet)熔融之第二烊料（2nd solder)微液滴（(11'(^161;)31以形成第二焊料塊（21^ solder bump)3 ； (4) 將該鐘有第二焊料境3之晶片1加以迴焊（reflow)處理 〈 ，而使該第二焊料塊3與該C4焊料塊2鍵結結合 (bonded)為一整體焊料塊（entire solder bump)8 ; (5) 將整體焊料塊8加以壓平（leveling)處理。 (6) 將該晶片（die)l翻面並將該整體焊料塊8與該金屬焊 5黏合；及 (7) 將該黏合之晶片（die)l與基板4進行加熱處理，使該整 體焊料塊8與金屬焊墊5鍵結結合（bonded)。 請參考第3至8圖，其揭示一系列的剖面圖，用以說明本 發明之一般具體實施例，其係在翻面晶片（flip-chip)封 裝製程中進行各步驟之結果。 第2圖中所示為本發明之第（1)步騍中，一已鍍有C4焊料 塊2之晶片1，該晶片1係由積體電路製造商所提供。其中 將C4焊料塊2鍍於晶片1可採用多種不同之方式，如濺鍍 (sputtering)、蒸著（evaporatiog)或其他積體電路製程

415047 五、發明說明（6) 中2習知之方式。C4焊料塊2之材料主要係以特定比例之 特定合金製成，其具有不易坍塌之特性。習用作為Μ焊料 塊2之合金主要採用比例為9〇/1〇及95/5之鉛（pb)/錫（s〇 合金或比例為20/8 0之锡（Sn)/金（Au)合金，亦可採用其他 具不易将塌特性之合金。 /、 第3,令所示為本發明之第（2)步驟中，一已鍍有金屬焊 墊之基板4 β習用之基板材料有多種選擇，為印刷電路製 作容易及成本較低之理由，本發明採用聚合物材料製作之 基板4。於第2圖中，該基板4與晶片丨上之焊料塊結合之一 2上鍍有與焊料塊位置相對應之焊墊5，可使該基板^能與 s曰片1之烊料塊能有效鍵結結合。本發明中採用以銅（C u ) 為材料製成之焊墊5，亦可採用其他可有效產生鍵結結合 之焊塾材料。 ° 第4圖中所示為本發明之第（3)步驟，在C4焊料塊2上喷 射（]*et)溶融之第二焊料32產生微液滴（dr〇piet)3i ,以< ，第二焊料塊3 ^由於C4焊料塊2之熔點通常較高（超過 而有機材料形成之基板4無法承受該高溫，是 =2與基板4之焊㈣’須加上一中介之低溶點在鍵f 作為第二焊料3。該鍵結材料可選用與焊墊5及C4焊料 鬼2鍵結力佳且熔點較低之材料，本發明中選用一 例之锡鉛合金，其中錫/鉛之比例為63/37作為第二焊料 ，該焊料之成分及比例係已為業界所認定鍵結能力較佳 域^ f融之第二焊料32以微液滴之方式嗔射，係封裝領 ^知之技術’目前有多種已商業化之設備可直接採

415047 五 、發明說明（7) 用’可將溫度加熱至待噴射焊料之熔點以上使其形成液態 32後’再由噴孔61喷射出該焊料之微液滴31。該噴射設備 除可藉由壓電材料（piezoelectric material)之精密線性 控制以控制.喷射頭（printhead)6喷射微液滴之體積外，亦 可精確控制焊料喷射位置。其中焊料喷射之位置控制，可 選用一具有微電腦（microprocessor)(圖中未示出）控制且 噴射頭6設於一自動移動座（圖中未示出）上之喷射設備， 將焊料嘴射位置（及本創作中之以焊料塊位置）輸入該微電 腦中’藉自動移動座之精密定位功能及可程式控制 (programming controlled)方式’可將焊料微液滴多段式 移動地喷射在各已輪入之位置上。此外，焊料微液滴喷射 之位置控制方式亦可選用一具有遮照^以^)之喷射頭7， 該噴射頭7之喷孔71 (orifice)位置與晶片上之C4焊料塊之 位置對應，將該喷孔位置對準晶片i上之C4焊料塊2位置， 以將熔融之第二焊料微液滴31精確喷射於C4焊料塊2 , 上（如第5a及5b圖中所示）。 ' 請參考第6a及6b圖，圖中所示為經噴射鍍上第二焊料3ι 之晶片1，經回焊（ref low)處理前後之刮面圖。喷射於以 焊料塊2上之第二焊料塊31在喷射完成後並未奐以焊料塊2 充分鍵結’須經一加熱處理之步驟以使兩不同材料成分 焊料塊可充分鍵結結合，此即本發明中步驟4之回焊處理 步驟。將已喷射產生第二焊料塊31之晶片1送入一氣氛 (atmosphere)保護之回焊爐（refl〇w 〇ven)(圖中未^ 後，以特定之升（降）溫對時間之曲線進行回焊。其$該 415047 五、發明說明（8)

定之溫度須到達第二焊料之熔點而不可超過以焊料塊2之 熔點。本發明中針對錫/鉛合金比例為63/37之第二焊料塊 與鉛/錫合金比例為9〇/1〇或95/5之以焊料塊2之回焊 溫度須在183。(：以上、235 twT，其特定之升（降）溫對時 間之曲線為先升溫至15〇t：預熱，而後再生溫至183充〜 c間使第二焊料塊熔融並與C4焊料塊2充分鍵結。為避 回焊處理之過程中，焊料塊會在高溫下產生氧化現象，回 f爐令須加入氣氛保護，本發明中係採用氮氣作為保護氣 氛。經回焊處理後，第二焊料塊即完全附著於C4焊料塊之 表面而使兩者結合為一整體焊料塊8，如第6b圖中所示。 請參考第7a及7b圖，圖中所示為經回焊處理後之晶片工 ，再其經壓平（leveling)處理前後之剖面圖。回焊處理 ^整體焊料塊8高度受第二烊料喷射設備之控制精確度所 影響，，若採用之喷射設備喷所控制之第二焊料喷射量及位 ，有，量誤差，在回焊處理後將產生高度不一致之情形， 若該高度差極小，則晶片1翻面後利用最後之加熱處理^ 可與蛑墊充分結合，若高度差過大，則整體焊料塊8與焊 墊5 一之結合即可能產生接觸不良之狀況，如第仏及讣圖中 =不。，壓平處理後’各整體焊料塊8之高度即可一致， 若第二焊料噴射設備可提供極高之控制精確度，亦可不須 經壓平之步驟即得到高度一致之整體焊料塊8。 請參考第9圖，將具有高度一致整體焊料塊8之晶片1翻 面並將具有與該整體焊料塊8位置相對應焊墊5之基板4其 具焊墊5之一面朝上，將整體焊料塊8之位置對準基板4上

415047 五、發明說弭（9) *------- ==5、之位置後將兩者結合’此時整體焊料塊8與焊墊5並 未充为鍵結，而僅是靠輕壓之力量暫時黏合。 2該暫時黏合之晶片丨與基板4再進行最後之加熱處理， ”焊塾充分鍵結之焊料塊經加熱處理之步驟（7 )後，即 可使兩不同材料成分之焊料塊與焊墊5充分鍵結結合。步 驟（J)之加熱處理方式與回焊之方式相同，將該暫時黏合 之B日片1與基板4送入一氣氛（atm〇sphere)保護之回焊爐 (reflow oven)後，以特定之升（降）溫對時間之曲線進行 加熱處理。其中該特定之溫度須到達第二焊料之熔點而不 可超過C4焊料塊2之熔點。該加熱處理之升（降）溫對時間 之曲線亦與回焊處理相同β先升溫至15〇。〇預熱，而後再 生溫至183 t〜235。0間使第二焊料瑰熔融並與焊墊充分鍵 結。該回焊爐中亦同樣以氮氣作為保護氣氛。經回焊處理 後’整體焊料塊8即完全附著於焊墊5之表面而使兩者結 合，而完成一翻面晶片（flip-chip)之製作。 本發明經前述之說明’揭示其具有可將焊料塊不會将塌:) 之翻面晶片製於聚合物基板上之功效。雖然本發明已以前 述之較佳實施例揭示，然其並非用以限定本創作，任何熟 悉此技藝者’在不脫離本創作之精神和範圍内，當可作各 種之更動與修改’因此本創作之保護範圍當視後^之申請 專利範圍所界定者為準。

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8

   緩濟部智韃財產局員X消費合作祍印製 6289twfl.doc/002 -第讎而號卿六、申請專利範圍 1 '+¾將具有坍場控制焊料塊之翻面晶片製作於聚合 物基板上之錢，係包含下述步驟： ()fei’、鑛有 C4 焊料塊（s〇lder bump)之晶片（chip); ()提ί、 具有金屬焊墊（pad)之基板（substrate); (3) 在@ C4焊料塊上，噴射(jet)熔融之第二焊料(2nd solder) 微液滴（dr〇plet)以形成第二焊料塊（2nd solder bump); (4) 將該鍍有第^焊料塊之晶片加以迴焊（reflow)處理，而使 S亥第一焊料塊與該C4焊料塊鍵結結合(bonded)爲一整體焊料 塊（entlres〇kierbump); (5) 將·該晶片（die)翻面並將該整體焊料塊與該金屬焊墊黏合； 及 .(6)將该黏合之晶片（die)與基板進行加熱處理，使該整體焊料 塊與金屬焊塾键結結合(bonded)。 2 ' &申請專利範圍第I項所述之方法，其中基板之材 料爲聚合物材料。 3'依申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基板係 〜含印刷電路之基板。 4 '丨衣申請專利範圍第1項所述之方法：其中該C4焊料 塊之材料爲給錫合金，該鉛錫合金之組成比例係在爲90 : 10 至95 : 5之範圍中。 ' 5'依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二焊 料之材料爲錫鉛合金，該錫鉛合金之組成比例爲63 : 37 = 6 '依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該回焊處 埋之溫度係在,183，至235。之範圍內。 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . -線- k代張尺度適用中關家 (CNS)A4規格⑵0 X 297公釐〉 415047 六、申請專利範圍 --- 1、 一種將具有坍塌控制焊料塊之翻面晶片製作於聚合物 基板上之方法，係包含下述步驟： (1) 提供一鐘有C4焊料塊（s〇ider bump)之晶片（chip) ， (2) 提供一具有金屬焊墊（pad)之基板（substrate); (3) 在該C4焊料塊上’嘖射（jet)熔融之第二焊料（2nd solder)微液滴（droplet)以形成第二焊料塊（2nd solder bump)； (4) 將該鑛有第一焊料塊之晶片加以迴焊（reflow)處 理’而使該第二焊料塊與該C4焊料塊鍵結結合 (bonded)為一整體焊料塊（entire solder bump); (5) 將該晶片（die)翻面並將該整體焊料塊與該金屬焊 墊黏合；及 ， (6) 將該黏合之晶片（die)與基板進行加熱處理，使該 整體焊料塊與金屬焊塾鍵結結合（bonded)。 2、 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中基板之材料. 為聚合物材料。 3、 依申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基板係一 含印刷電路之基板》 4、 依申請專利範圍第1項所述之方法：其中該C4焊料塊 之材料為錯錫合金，該錯錫合金之組成比例係在為 90 : 10至95 : 5之範圍中。. 5、 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二焊料 之材料為錫鉛合金，該錫鉛合金之組成比例為6 3 : 3 7

   415047 六、申請專利範圍 6、 依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該回焊處理 之溫度係在183°至235。之範圍内。 7、 依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該加熱處理 之溫度係在183。至235。之範圍内。 8、 依申請專利範圍第}項所述之方法，其中該回焊處理 係在一具氣氛保護之回焊爐中進行。 9、 依申請專利範圍第8項所述之方法，其中該氣氛保護 所選用之氣氛為氮氣。 10、依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該喷射（jet) 之步驟（2)另藉一遮罩（mask)以控制該喷射出之焊料 微液滴（dropl et)之定位，該控制方法係包含下列步

   (a) 選用一有遮罩之喷設頭（printhead)，該遮罩之喷 孔（orif ice)位置與晶片上C4焊料塊位置相對應； (b) 將喷孔之位置對準晶片上C4烊料塊之位置，以& 制焊料微液滴（solder dr op let)喷設出之位置； (c)將焊料微液滴定位喷射（jet)至C4焊料塊上。 11 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該喷射之夕 〇 驟（3)另藉一微電腦控制之自動移動座以控制該喷射 出之焊料微液滴之定位，該控制方法係包含下列步雜 (a)選用一含微電腦控制且噴射頭設於一自動移勳座 上之喷射設備，

   第14頁 415047 六 12 13 14 15 16 申請專利範圍 (b) 在該喷射設備之微電腦 位置； τ锎八曰日片上C4焊料塊之 (c) 藉微電腦之可程式控制 晶片上C 4烊料塊之位置二將喷射頭，^ 位置； 控制焊料微液滴喷設出之 (d) 將燁料微液滴定位嘴射至C4焊料。 、依辛請專利範圍第]項所述之方法，1 後、步驟（5)之前另加上一壓 ^中以乂驟（4)之 料塊壓平》 步驟，以將整體焊 ‘一種於聚合物基板上形成具料 晶片封裝結構，係包含： 〕役刺焊科塊之翻面 f複數個C4焊料塊之晶片，該C4焊料塊之外側另 形成有第二焊料塊且該第二焊料塊與以焊料塊結卜合2 一整體焊料塊，該晶片含有焊料塊之一面朝下；2… 一聚合物基板，設有癉數個焊墊，其含有烊墊之一 ^ 朝上且各焊墊之位置與各整體焊料塊之位置相對應 該聚合物基板係藉焊墊與整體焊料塊之結合而盥琴f 片結合成一翻面晶片封裝β ^ β曰 依申請專利範圍第13項所述之翻面晶片封裝結構，I 中形成有第一焊料塊之方式係藉在該C4焊料塊上喷^ 熔融之第二焊料微液滴而形成。 依申凊專利範圍第13項所述之翻面晶片封敦結構，其 中該C4焊料塊之材料為特定比例之鉛錫合金。 〜 依申請專利範圍第15項所遴之翻面晶片封裝結構，其

   4U047 、 六、申請專利範圍 中該特定之鉛錫合金比例係在為90 : 1 0至9 5 : 5之範 圍中。 1 7、依申請專利範圍第1 3項所述之翻面晶片封裝結構，其 中該第二焊料塊之材料為特定比例之錫鉛合金。 1 8、依申請專利範圍第1 7項所述之翻面晶片封裝結構，其 中該特定之鉛錫合金比例為6 3 : 3 7。 1 9、依申請專利範圍第1 3項所述之翻面晶片封裝結構，其 中該焊墊之材料為鋼。

   第16頁 A8 B8 C8 D8

   緩濟部智韃財產局員X消費合作祍印製 6289twfl.doc/002 -第讎而號卿六、申請專利範圍 1 '+¾將具有坍場控制焊料塊之翻面晶片製作於聚合 物基板上之錢，係包含下述步驟： ()fei’、鑛有 C4 焊料塊（s〇lder bump)之晶片（chip); ()提ί、 具有金屬焊墊（pad)之基板（substrate); (3) 在@ C4焊料塊上，噴射(jet)熔融之第二焊料(2nd solder) 微液滴（dr〇plet)以形成第二焊料塊（2nd solder bump); (4) 將該鍍有第^焊料塊之晶片加以迴焊（reflow)處理，而使 S亥第一焊料塊與該C4焊料塊鍵結結合(bonded)爲一整體焊料 塊（entlres〇kierbump); (5) 將·該晶片（die)翻面並將該整體焊料塊與該金屬焊墊黏合； 及 .(6)將该黏合之晶片（die)與基板進行加熱處理，使該整體焊料 塊與金屬焊塾键結結合(bonded)。 2 ' &申請專利範圍第I項所述之方法，其中基板之材 料爲聚合物材料。 3'依申請專利範圍第2項所述之方法，其中該基板係 〜含印刷電路之基板。 4 '丨衣申請專利範圍第1項所述之方法：其中該C4焊料 塊之材料爲給錫合金，該鉛錫合金之組成比例係在爲90 : 10 至95 : 5之範圍中。 ' 5'依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二焊 料之材料爲錫鉛合金，該錫鉛合金之組成比例爲63 : 37 = 6 '依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該回焊處 埋之溫度係在,183，至235。之範圍內。 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . -線- k代張尺度適用中關家 (CNS)A4規格⑵0 X 297公釐〉 6289twfl.doc/002 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7、依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該加熱處 理之溫度係在1S3°至235°之範圍內。 8 '依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該回焊處 理係在一具氣氛保護之回焊爐中進行。 9、 依申請專利範圍第8項所述之方法，其中該氣氛保 護所選用之氣氛爲氮氣。 10、 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該噴射 (jet)之步驟（2)另藉一遮罩（mask)以控制該噴射出之焊料微液 滴（droplet)之定位，該控制方法係包含下列步驟： ⑷選用一有遮罩之噴設頭（printhead)，該遮罩之噴孔（orifice) 位置與晶片上C4焊料塊位置相對應； (b) 將噴孔之位置對準晶片上C4焊料塊之位置，以控制焊料 微液滴（solder droplet)噴設出之位置； (c) 將焊料微液滴定位噴射(jet)至C4焊料塊上。 11、 依申請專利範圍第1項所述之方法*其中該噴射之 步驟（3)另藉一微電腦控制之自動移動座以控制該噴射出之焊 料微液滴之定位，該控制方法係包含下列步驟： (a) 選用一含微電腦控制且噴射頭設於一自動移動座上之噴射 設備； (b) 在該噴射設備之微電腦中輸入晶片上C4焊料塊之位置； (c) 藉微電腦之可程式控制將噴射頭之噴孔位置對準晶片上 C4焊料塊之位置，以控制焊料微液滴噴設出之位置； (d) 將焊料微液滴定位噴射至C4焊料塊上。 12、 依申請專利範圍第1項所述之方法’其中該步驟(4) 14 ίΐι/o^ii； in am 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --,1 --------ί 裂--------訂--------線 (淆先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6289twfl.docy〇〇2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 之後、步驟⑺之前另加上1平之步驟，以將整體焊料塊壓 平0 13 -種於聚彡成具有±觸_谓料塊之翻 面晶片封裝結構，係包含： -鍍有複數個C4焊料塊之晶片，該C4焊料塊之外側另形成 有第二焊_腫第二焊料塊與C4焊料塊結合爲—整體焊 料塊’該晶片含有焊料塊之〜面朝下，其中形麵 埋^藉在該上嘻射熔融之第二焊料微液脑 而形成；及 一聚合物基板，設有複數個焊墊，其含有焊墊之一面朝上且 各焊墊之位置與各整體焊料塊之位置相對應，該聚合物基板 係藉焊墊與整體焊料塊之結合而與該晶片結合成一翻面晶片 封裝。 14、 依申請專利範圍第13項所述之翻面晶片封裝結構 ，其中該C4焊料塊之材料爲特定比例之鉛錫合金。 15、 依申請專利範圍第w項所述之翻面晶片封裝結構 ，其中該^疋之齡錫合金比例係在爲9〇 : 10至95 : 5之範圍 中。 16、 依申請專利範圍第Π項所述之翻面晶片封裝結構 ，其中該第二焊料塊之材料爲特定比例之錫鉛合金。 17、 依申請專利範圍第16項所述之翻面晶片封裝結構 ，其中該特定之鉛錫合金比例爲Μ : 37 ° 18、 依申請專利範圍第B項所述之翻面晶片封裝結構 ，其中該焊墊之材料爲銅。 〇ι/〇?Λ7 |Μ9«·Ι 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 X 297公发） --I.i 1 ---I---- I _ Η-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂‘ 線-