TW410289B - Digital circuit using memory for monitoring signals for occurrences of predefined breakpoint conditions - Google Patents
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Description
經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 410288 a7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明係關於稱作斷點單元之數位電路,其觀察或監控 一個或多個訊號,諸如數位訊號處理器,微控制器及邏輯分 析器所產生者,並且其提供實時通知,通常成斷點訊號之形 式,供在該組予Μ監控之訊號出現預定狀態時,停止(或啟 動)其訊號受到監控之晶片之操作。 背景技藝 監控一組由數位訊號處理器,微控制器,邏輯分析器及其 他電路所產生一個或多個數位訊號,在該組出現若干預定 狀態之任何狀態,亦即訊號值之姐合,為已知者。在邏輯分 析器之情彤,製造廠商在裝置正常包括一跟蹤緩衝器記憶 體,供在最近時鐘循環僅僅記錄有些規定組訊號之訊號狀 態,藉Μ提供一跟蹤經歷,其可稍後予从分析是否發生某些 問題。緩衝器之大小確定可予Μ儲存之確切最近循環數, 並且通常在監控訊號不給予任何預定狀態之實時通知。在 有些其他電路之情形,諸如數位訊號處理器(digital sUnal processor,簡稱DSP),常響應檢測斷點葷元所監控 之一組訊號中之預定狀態,產生一靳點(或停止)訊號。然 後在相同時鐘循環立即停止DSP,微控制器,或其他電路之 操作,因而程式設計師或其他使用者可分析内部狀態或電 路,包括例如在各種暫存器或電路中所包含之值,Μ設法識 別導致該狀態發生之程式規劃或其他誤差。所考慮予以監 控之特定狀態之一實例,為試圖在一在預定範圍外之位址 存取記憶體。在微控制器,DSP及類似者,通常在首先接通 電源,以重設暫存器及其他電路元件至希望之初始狀態時, 本紙浪尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格(210X 297公逄) 1 ^ 裝 訂 i AVV, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 410288 A7 B7 經濟部中央標準XJD工消贤合作杜卬製 五、 發明説明 ( 2 ) 1 1 執 行 一 啟 動 或 引 導 常 式 0 斷 點m 元 可 在 某 些 訊 號 狀 態 指 示 • ί [ 啟 動 循 環 之 常 式 完 成 時 監 控 訊號 〇 里 元 所 產 生 之 ”斷點” 訊 1 1 然 後 可 啟 fftr, 動 電 路 之 正 常 操 作。 Α·~·、 請 i 先 i 習 知 斷 點 單 元 使 用 專 用 比 較器 電 路 9 各 對 予 以 觀 察 之 該 閲 1 差 背 1 組 訊 號 操 作 ,Μ檢測出現此等訊號之有些狀態, 並 輸 出 任 何 面 之 J 注 [ 此 等 所 檢 測 之 出 現 之 指 示 0 圖1 中 例 示 一 有 二 比 較 器 之 此 意 事 1 項 1 種 斷 點 單 元 之 實 例 0 每 '~~* 比 較器 專 用 於 檢 測 —. 不 同 訊 號 狀 再 ύ [ 態 ,並且實際上在- -斷點單元可有多至16比較器, 供 檢 測 相 寫 本 ύ- 頁 1 同 數 之 狀 態 0 在 圖 1中, 斷 點 單元 包 括 一 第 一 比 較 器 2 , 一 第 、·· 1 I 二 fch 較 器 4及- 一” 或 i η cl U S i v e 0 R )閘 6 〇 比 較 器 2及4 接 收 1 一 組 予 Μ 監 控 之 訊 5席 Β ! ,Β 2 » * * · ♦ Bn 作 為 輸 人 〇 此 等 訊 號 可 i 例 如 表 示 一 數 位 訊 號 處 理 器 ,微控制器, 邏 輯 分 析 器 或 其 他 訂 [ 電 路 存 取 來 白 —. 程 式 記 憶 體 之指 令 或 在 某 些 位 址 存 取 數 i i 據 至 一 個 或 多 個 數 據 記 億 體 或來 § 其 之 數 據 或 可 表 示 其 E I | 他 來 白 此 等 電 路 之 輸 出 或 至 此等 電 路 之 輸 入 之 嘗 試 0 因 此 i i 線 ,比較器輸入可表示記憶體位址, 數 據 ,錯誤旗標(諸 如 溢 流 )及其他訊號 > 雖然圖1示 比較 器 2及4均 接 畋 相 同 訊 號 Β ! M i ,B 2 > · ♦ r By > 但 不 同 比 較 器 可接 收 並 藉 Μ 監 控 數 組 不 同 或 I 重 趣 之 訊 號 0 第 一 比 較 器 2接收, 或 已 在 内 部 儲 存 一 組 參 考 1 1 訊 號 R 1 ,R Ζ ί * * * » ) 在 數 上 相等 並 對 懕 於 予 Μ 監 控 之 訊 號 1 1 B 1 ,B 2 · -* ,Β NJ、 ί 參 考 訊 R ! > R Η » * > * ♦ 表 示 將 行 予 以 檢 測 1 i 之 狀 態 之 訊 號 值 0 在 每 訊 號Bf (i -1 至 Η) 之 輸 入 匹 配 其 對 1 I I7ft* 應 參 考 訊 號 Ri 時 ,比較器2 輸 出一 有 邏 輯 電 平 "1 Μ 表 不 荏 予 1 1 I Μ 監 控 之 輸 入 甜1 號 B ! ,Β Ζ * * ^ ,bn 出 現 所 尋 求 狀 態 之 指 示 訊 1 1 1 本紙浪尺度適川中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 — 410289 A7 B7 五、發明説明(3 ) 號U。 否則,比較器2輸出一供指示訊號I:之邏輯電平 ” 0 ”。同樣,第二比較器2接收,或已在內部儲存一組不同參 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 考訊號R〆,R2'..... RN ',表示予以監控之輸入訊號“ ,B2----BN之不同狀態。比較器4輸出一第二指示訊號12, 如果檢測到該狀態,其為邏輯電平” 1 ”並且每當未檢測到該 狀態,則為邏輯電平” 0 ”。 比較之結果可如圖示予以個別使用供第一指示訊號Ii。 例如,一指示訊號可發出希望起始狀態之訊號,不過有些其 他指示訊號可發出希望起始狀態之訊號。要不然,二或更 多指示訊號可在一個或多個邏輯閛,Μ某種邏輯方式予Μ 組合。例如,在圖1中,比較器2及4所輸出之第一及第二指 示訊號I i及I ζ予Κ輸入至一”或”閘6。一第三指示I 3由閘6 所輸出,並指示所考慮之任一狀態之出現。 一種代表性比較器8係如圖2中所示予以賁施。比較器包 括一組"同” (exclusive-NOR,簡稱 XNOR)或”異"(exclusive -OR)閘lO^lOh----10N,供予Μ監控及與參考值Rdz,---- %比較之每一《輸入訊號81,62,...,&(^各一。參考值1^,1?2 ...,RN可予以儲存在一N -位元暫存器12。因此,每一 ”同” 邏輯閘1 0 i , 1 0 z , . . . 1 0N接收二輸入,一為輸入訊號B; ( i = 1 至N),及另一為對應參考訊號Ri。每一閘輸出其位元比較 之結果。比較器也包括一組(N - 1)二輸入”與” A H D閛1 4 i , 1 4 2 -----1 4心i。(如果Η不太大,可代替其使用N -輸入”與” 閘。)合併所有Ν位元比較結果之结果予Μ輸出作為指示訊 號Ij,供斷點摄元之此第J比較器8。此實施正常限制與8 -位元輸入訊號之比較,或在極端情形,可能限制與1 6 -位元 本紙張尺度適/1]屮國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 匕 410288 經濟部中失標準局吳工消t合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 輸 入 訊 號 之 比 較 0 而 且 ,每- -比較器通常在- '單獨之積體 1 1 | 電 路 晶 片 實 胞 0 1 1 由 於 習 知 方 法 僅 允 許 一單 一匹 配狀態 供 每 ^1 專 用 比 較 器 請 先 1 1 裝 置 t 先 前 之 斷 點 單 元 實際 上限 於少數 使 用 者 可 界 定 狀 態 閲 讀 背 1 1 I 0 因 此 先 前 單 元 僅 允 許 吏 用者 檢測少 數 所 考 慮 之 簡 單 狀 面 之 11 態 ,及對其作用 例 如 ,利用1 6比較器, 斷 點 單 元 能 監 控 事 1 項 一 DSP存取至八程式記憶體位址, 西數據 記 憶 體 位 址 及 四 數 再 填 ί 裝 1 據 值 (亦即存取之記憶體內容)。 若干操 作 狀 態 之 複 雜 遴 輯 馬 本 頁 組 合 過 於 昂 貴 ,故僅嘗試簡單之組合。例如, 習 知 單 元 之 一 1 1 種 可 能 組 合 為 :是否任何位址等於42或位址等於 8 5或 數 據 Γ 等 .於 22或 數 據 等 於 27 ,然後停止 1而且, 甚 至 此 等 有 限 監 控 1 1 訂 能 力 ,比較器/ 邏 輯 電 路 需求 通常 也限定 —- 離 晶 片 斷 點 單 元 1 與 予 Η 監 控 之 m 置 分 開 0 1 1 本 發 明 之 一 項 巨 的 為 提供 裝置 ,能監控數組訊號, 供 任 思 ί 1 大 量 之 界 定 狀 態 或 狀 況 類別 ,並提供實時通知, 供 在 __. 所 監 I 線 控 訊 號 組 或 數 組 檢 測 出 現任 何一 個或多 個 此 等 狀 態 時 t 開 1 1 始 或 停 止 一 電 路 之 搡 作 〇 > <1 本 發 明 之 另 —. 百 的 為 提供 一種 有效率 之 方 式 t 提 供 上 述 1 通 知 ,供所界定訊號狀態之邏輯組合。 1 I 本 發 明 之 又 巨 的 為 提供 上述 裝置, 其 中 所 界 定 之 狀 態 ί [ 可 容 易 Μ 重 新 規 割 程 式。 1 1 I 發 明 之 概 述 1 1 以 上 諸 多 巨 的 係 以 種斷 點單 元所滿 足 f -tt* Μ 使 用 記 憶 體 1 1 代 替 先 前 單 元 中 之 比 較 器, 並且 其處理 予 Μ 監 控 之 訊 號 為 1 1 本紙张尺度適圯屮國國家標啤(CMS ) Μ規格(210X 297公釐)
41028S B7 經濟部中夾標隼局男工消费合作社印粼 五、發明説明 ( 5 ) 1 1 存 取 至 少 一 記 憶 體 晶 片 位 址 之 位 元 〇 予Μ監視之狀態, 亦 ! 1 即 訊 號 組 合 * 然 後 可 在 對 懕 記 憶 體 位 置 由 規 11 程 式 位 元 表 1 1 示 〇 因此, 所 考 盧 之 所 有 訊 號 組 合 予 Η 處 理 作 為 所 考 慮 之 請 1 1 位 址 » 並 且 記 憶 體 輸 出 指 示 是 否 由 於 任 何 此 種 出 現 在 記 憶 閲 讀 1 背 1丨i m 之 m 應 位 址 存 取 一 個 或 多 個 規 郵 程 式 指 示 位 元 9 而 已 發 IE7 之 \ 注 生 所 尋 求 之 任 何 訊 號 狀 態 並 導 致 記 憶 m 輸 出 該 位 元 或 該 .意 事 1 m I 等 位 元 〇 規 副 程 式 記 憶 體 因 此 包 含 一 所 考 慮 狀 態 之 圖 〇 再 1 % 裝 1 記 憶 體 為 1- 位 元 寬 記 億 體 » 供 指 示 予 監 控 之 — 類 別 本 頁 狀 態 ,或可為多位元寬記憶體(提 供 一 多 位 元 輸 出 ),供 界 定 1 1 單 獨 之 狀 態 類 別 0 可 使 用 記 憶 體 輸 出 作 為 指 示 或 斷 點 訊 號 Γ ,其本身或可予Μ邏輯式組合 Ϊ 一 第 二 記 憶 體 级 可 用 >1 實 1 1 if 施 指 示 訊 號 之 複 雜 組 合 ,代替通常之邏輯閘 5 — 計 數 器 可 1 用 Μ 在 指 示 訊 號 發 生 時 接 收 此 等 訊 α占 ψ 並 僅 在 有 些 規 定 數 1 1 之 狀 態 已 發 生 後 産 生 —* 斷 點 訊 〇 1 1 其 關 聯 之 數 位 訊 號 可 由 斷 點 單 元 予 以 監 控 之 電 路 9 包 括 1 線 數 位 訊 gfi! 處 理 器 ,微控制器, 邏 輯 分 析 器 ,其他數位電路, 及 1 | 甚 至 混 合 式 類 比 -數位電路 3 訊 號 可 表 示 一 個 或 多 個 至 電 .4 路 之 輸 入 ,來自其之輸出, 及 其 內 部 操 作 狀 態 (諸 如 暫 存 器 1 值 ), Μ 及 程 式 之 監 控 電 路 或 數 據 記 憶 am 體 或 沿 —' 匯 流 排 之 有 I 1 些 其 他 電 路 之 存 取 或 所 嘗 試 之 存 取 0 如 果 在 斷 點 使 用 多 數 1 I 記 憶 體 晶 片 每 一 晶 片 可 接 收 並 藉 >1 監 控 相 同 組 之 訊 號 或 1 1 1 各 別 次 組 之 所 有 訊 m (不論重叠或完全分開), 供 不 同 狀 態 1 1 類 別 0 1 1 在 此 等 狀 態 可 予 個 別 或 分 別 成 組 使 用 於 較 大 狀 態 類 別 1 1 本紙悵尺度適川中國國家標(CNS ) Λ4現格(2〗0X 297公釐)
4I028S A7 B7 五、發明説明(6 ) 或組合之狀態,僅依記憶體之大小而定,本發明之斷點單元 允許檢測任何一個或多個之任意大量之界定狀態。而且,
I 本發明以一記憶體晶片或各為遠為較大能力之多晶Η ,替 代很多有限能力之比較器晶片。而且,記億體容易重新規 劃程式,如果希望,甚至在時操作。自較佳實施例之說明, 可明白其他諸多優點。 附圖之簡要說明 围1為一先前技藝,使用比較器電路,供產生斷點訊號之 習知斷點單兀之方塊圖。 圖2為圖1電路之比較器之一種W知實施之方塊圖。 圖3為本發明之系統,其一種較佳實施例之方塊圖,包括 隨機存取記憶體晶片10(供產生斷點訊號)及數位訊號處理 器晶片60 。 圚4為本發明之系統,其另一實施例之穷塊圖,包括一多 晶片R A Μ電路(其可在圖3糸統之變化型替代性替代圖3之 RAM晶片10)及處理器19。 圖5為一 RAM晶片,其供在圖3系統之變化型替代圖3之RAM 晶片1 0。 圖6為多晶片RAM之方塊圖,其供在圖3系統之變化型替代 圖3之R A Μ晶片1 0。 、 圖7為本發明之系統,其另一實施例,包括RAH晶Η 92-100 ,邏輯電路102,及計時器106(供產生斷點訊號)及數位訊號 處理器晶片90。 較佳實施例之詳细說明 本紙張尺度適用中國國家棍中.(('奶)八4規格(210>< 297公菠) _ 〇 _ ---Π---,----裝------訂------腺 nj 『 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標孪局負工消f合作社印製 410289 ^ 經濟部中夾標牟局爲工消费合作社印制 五、發明説明( 7 ) 1 i 雖 然 Μ下 所說明之 斷點 ΡΡ —* 卓兀 t 係予 例 示在 其 應 用 於 數 位 I t r 訊 號 處 理器 (DSP)監控,但 請予 瞭 解, 本 發明 之 斷 點 單 元 也 I 1 可 用 kk 在或 自其他電 路監 控數 位 訊號 ,包括, 但 不 限 於 徽 請 i i 控 制 器 及邏 輯分析器 。 而且, 雖 然預 期 配合 本 發 明 之 斷 點 閱 讀 1 背 r 單 元 予 Μ監 控之大多 數電 路將 為 完全 數 位式 ,但請予瞭解, 面 之 t 注 1 茌 或 來 自混 合式類比 -數位電路之數位訊號, 也 可 配 合 本 發 意 睪 I I 明 予 Μ 監控 。而且,也可監控予以輸入至電路之訊號 ) 再 填 I 裝 I 在 一 種較 佳實施例 ,本發明為- -種异統,包 括 一 數 位 訊 號 本 頁 處 理 器 (DSP)或其他數位電路, 其認定N狀態 位 元 或 其 他 訊 I I tr去 5虎 輸 出 (其中Ν為一整 數 ,並 且 每一 位 元或 輸 出 訊 口占 5虎 指 示 I DSP 之- -節點或元件之狀態或操作狀態),及- -記憶體電路, I [ 訂 其 自 DSP接收Ν位元。 記憶 體電 路 (較佳為隨機存取記憶體) I 包 括 —. Μ X 1陣列之記憶體單元( 每 一單 元 儲存 數 據 9 確 定 一 I 斷 點 訊 號之 值供D S Ρ ) ,及裝置供響應H狀 態位 元 讀 取 任 何 一 I I 選 定 單 元。 在每一 狀態 訊號 為 二進 制 訊號 之 較 佳 實 施 例 I 線 ,H = 2 〜C 狀態位元功能如, 並且 有 時將 稱 作H- 位 元 ”位址” 訊 I l 號 (N -位元位址訊號指示D S Ρ之 —' 種操 作 狀態 ) ) 在 較 佳 之 ΐ ! 實 施 ,記憶體電路響應每- -位址訊號, 認 定其 記 憶 體 單 元 之 I 一 之 内 容至 D S Ρ(如一 斷點 訊號 ), 並且DSP響 懕 每 此 種 有 1 1 —- 第 一 值之 斷點訊號 ,停止其操作之- — ( 5在替代性實施例, I I 上 述 D S Ρ由某些其他電路所替代, 其認 定 狀態 位 元 至 一 記 憶 1 1 I 體 電 路 ,並且其包括装置, 供處理斷點訊號(其 中 斷 點 訊 號 1 1 係 由 記 憶體 電路響應 狀態 位元 所 產生 ) ) i 1 本 發 明之 其他實施 例為 斷點 訊 號產 生 方法 > 其 可 以 所 說 1 1 i紙张尺度適州中國囤家標埤(('NS ) Μ規格(210X297公釐) -1 〇 -
41028S A7 B7 五、發明説明(8 ) 明之系統予K實施。 在較佳實施例,本發明之系統採用一單一 RAM晶片(包括 ( . —Mxl陣列乏記憶體單元),Μ認定一有一電平(例如邏輯 ”1”或”0”電平)之斷點訊號,供一組Ν狀態位元之值之每一 組合,其中Ν為一大數(並且在較佳實施例Μ = 2Ν),並旦每一 狀態位元之值指示一第一電路之一節點或元件之狀態或操 作狀態。在另一類別之較佳實施例,本發明之糸統探用少 數之RAM晶片及簡單邏輯電路,Κ認定一有一電平(例如邏 輯” 1”或” 0 ”電平)之斷點訊號,供一甚至更大組狀態位元之 值之每一組合,其中每一狀態位元之值指示電路之一節點 或元件之狀態或操作狀態。 在一類別之較佳實施例(諸如圖3者),本發明為一種系統 ,包括一數位訊號處理器(例如圖3之DSP 20),及一單一 RAM 晶Η (例.如圖3之RAM晶片30),供認定一斷點訊號(例如圖3 之二進制訊號1丨),供在預定狀態下停止DSP之操作。 圖3之DSP 20包括(或可存取)一程式記憶體(在圖3中未 示),一程式控制單元r'PCli”)21,供取得來自程式記憶體之 指令及將其解碼(藉以產生控制訊號,供控制指令之執行), 及一處理單元22,供響應來自PCU 21之控制訊號,對數據進 行操作(例如算術計算)。 \ DSP 20包括裝置,供認定二進制狀態位元訊號81至1 (其 中N為一數大於1),其受RAM 30所監控。每一狀態位元之值 (每一狀態位元訊號所確定之狀態位元)指示DSP 20之一節 點或元件之狀態或狀況,並且因此訊號B i至所確定之狀 -11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -e 線 經濟部中夾標本局貨工消势合作社印製 本紙張尺度適川中國國家標埤(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 經濟部中夾標準局貨工消贽合作社印 410^88 A7 B7 五、發明説明(9 ) 態位元集體指示DSP20之操作狀態。 為方便起見,電路之”指示狀態之狀態位元”一詞,在Μ下 ; (包括在申請專利範圍)將用Κ指”一指示電路之一節點或 元件之狀態或狀況之狀態位元”。電路之”狀態”應予Μ瞭 解為包括電路所輸入或接收之訊號,自電路所輸出之訊號, 包括數據訊號,電路存取程式或數據記憶體,或與其他電路 連通或控制其操作之嘗試,信號交換訊號及誤差或其他旗 標之狀態,以及不僅各種網際網路(i n t e r· n e t)暫存器之狀 態及各内部電路元件之操作模式。 如圖3中所指示,DSP 20之PCU 21認定狀態位元訊號 BdB:指示PCU 21之狀態),並且處理單元22認定狀態位元 訊號B2-BN(B2-指示單元22之狀態)。吾人擬想在圖3實 施例之變化型,狀態位元訊指示DSP 20之有些或 所有節點或組件之種種狀態或狀況之任何一種。 每一狀態位元訊號Bi-BN有一隨時間變化之值。狀態位 元訊號B t 為並行供給至R A Μ 3 0之位址解碼器單元3 2 ,作 為一 Ν -位元位址訊號。RAM 30也包括記憶體單元陣列34。 陣列34為一 Mxl陣列,由Μ記憶體單元所構成。一二進制位 元可予Κ儲存在陣列34之每一單元。在任何瞬間,位元訊 號81-6«確定一1^-位元二進制值(81確定其最高有效位元及 ΒΝ其確定最低有效位元),其對應於陣列34之一單元之位址 。訊號B i -ΒΝ之H-位元二進制值,在時間之任何瞬間,也指 示DSP 20之操作狀態(操作狀態係由DSP 20之Ν節點或元 件之狀態或狀況所確定,訊號B i -ΒΝ為自其所產生)。解碼 ^紙張尺度適用中國1¾家榡準(「NS ) Λ4規格(210Χ 297公釐) ----1---1----裝------訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中也標隼局兑工消费合作社印製 410289 A7 B7 五、發明説明(10 ) 器32響應訊所確定之每一 H -位元二進制值,選擇 陣列34之一不同單元。RAM 30認定選定單元之内容(二進 ( . . 制訊號Ij.)至PCU 21 (DSP 20之),作為一斷點訊號。PCU _ 21響應每一有一特定值之此斷點訊號,停止DSP 20之操作( 或有些或所有操_作)。 在一種實例,響應有一電平指示邏輯”1”之二進制斷點訊 號If.PCU 21停止 DSP 20之操作(或有些或所有操作)。在 此實例,每當位址訊號B1-BN選擇陣列34之一單元儲存一邏 輯”1”位元時,斷點訊號1丨便導致停止DSP 20之操作。一般 為,陣列3 4之很多單元儲存指示邏輯” 0 ”之數據,並且陣列 34之其餘單元儲存指示邏輯”1”之數據。 圖4為本發明糸統之一種替代性實施例,包括處理器40及 多晶片 RAM電路,包含一第一 RAM晶片41 (包括2pxl陣列之 記憶體單元),一第二 R AM晶Η 42 (包括一 2a X 1陣列之記憶 體單元),及”或”閘43,如圖示所連接。圖4之多晶片RAM電 路可予Μ替代性甩Μ替代圖3之R AM晶片3 0 (或圖7之R AM晶 片92-100及邏輯電路102)。在圖4中,處理器40較佳為一漬 體電路,其包括一狀態機(而非一程式記憶體及程式控制單 元,如圖3之DSP 20),供響應一來自外部裝置(未示)之指令 ,認定一序列之内部控制訊號。 為簡化圖4電路之說明,吾人考處.一種質施.其中P = 3 (因 而!ΪΑΜ 41有Λ記憶體單元),及Q = 4(因而RAM 42有十六記憶 體單元)。在此種實施,位元訊號,及1自處理器40予 以並行認定為一至第一 RAM 41位址訊號,並響應RAM 40認 k紙張尺度適川中國國家標埤(C'NS ) AA^m ( 21 OX 29t ) ΓΊ ---^---.----裝------訂------線--1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
41028S A7 B7 五、發明説明(u ) 定每一此位址訊號所選定單元之内容(二進制訊號Ij)。同 樣,位元訊號B i , B 2 , B 4,及B s自處理器4 0予Μ並行認定為一 至第二RAM42之位址訊號,並響應RAH 40認定每一此位址 訊號所選定單元之內容(二進制訊號)。訊號Ιί及Jj予 以供給至”或"閘4 3之二輸入。響應每一對訊號I丨及Jj,閘 43認定斷點訊號Κυ 。由於RAM 41之記憶體陣列有八單元( 各由3-位元位址訊號之不同值所選擇),及RAM 42者有十六 單元(各由4 -位元位址訊號之不同值所選擇),故斷點訊號 有一由位址訊號之128可能組合之位元之一所確定之值 ,並因此斷點訊號之值 指示處理器40之128可能操作狀 態之一。在If及Jj為二進制訊號之代表性實胞,訊號Kij也 為二進制訊號。 經濟部中夹標隼局兵工消f合作社印狀 在圖4實施例之變化型,本發明系統包括記憶體電路之各 種組合(較佳為RAM晶片),其輸出予K供給至邏輯電路。 本發明之斷點訊號在邏輯電路之輸出予K認定,並指示自 一予Μ監控之電路(例如DSP)供給至記憶體電路之位址訊 號所指示操作狀態之某竖邏輯組合。要不然,邏輯電路予 以省略,並直接自記憶體電路認定多重斷點訊號至DSP (或 自其產生位址訊號之其他電路)。本發明系統之任何實施 例,其每一記憶體電路可包括——-位元寬單元陣列(如在 上述RAM 30,41 ,及42之實施)或一為二或更多位元寬之單 元陣列(如在K下參照圖5將予Μ討論之實施例)。
在本發明糸統之另一貿施例,圖5之 R A Μ晶片5 0替代圖3 之!ΪΑΜ晶Η 30(或圖7之一個或多個RAM晶片92-100)。 RAM 14 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適州中國1家標中.(('NS ) Λ4規格(210X297公漦) A7 B7 410289 五、發明説明(l2 ) 晶片5 0包括記憶體單元陣列5 3 (包含一 N x Z陣列之記憶體單 元,其f Ν及Ζ為大於一之整數)。可將一二進制位元儲存 在陣列53之每一單元。RAM晶片50也包括Χ位址解碼器(列 選擇)單元51及Υ位址解碼器(行選擇)單元52。 DSP 20可由RAM 50代替RAM 30予Κ監控,並可認定狀態 位元訊號 Bi-BM,及q-Ci至RAM 50。每一狀態位元訊號有 —隨時間變化之值。狀態位元訊號B i -BN予K並行供給至 RAM 50之X解碼器單元51,作為一 位元位址訊號,及狀態 位元訊號(:,-(^予Μ並行供給至 Y解碼器單元52,作為一 Z-位元位址訊號。在任何瞬間,位元訊號Bi-B«確定一 Κ-位元 二進制值(Bi確定其最高有效位元,及確定其最低有效位 元),其對應於陣列53之一列單元之位址,並且位元訊號 C丨-C2確定一 Z-位元二進制值(C,確定其最高有效位元,及 C3確定其最低有效位元),其對應於陣列53之一行單元之位 址。訊號B : - BN之N -位元二進制值.在時間之任何瞬間,也 指示DSP 20之操作狀態(自其產生訊20之N 節點或元件之狀態或狀況所確定之操作狀態),並且訊號 C, -C2之Z-位元二進制值,在時間之任何瞬間指示DSP 20之 另一操作狀態(自其產生訊號(^-(:2之DSP 20之N節點或元 件之狀態或狀況所確定之操作狀態)。喊碼器單元5 1及5 2 響應訊號81-8^^及(;|-(:2所確定之每一對二進制值,選擇陣 列53之一不同單元。RAM 50認定所選定單元之内容(二進 制訊號K&)至DSP 20,作為一·斷點訊號。DSP 20響應有一 特定值之每一此種斷點訊號,停止DSP 20之操作 (或有些 ^紙張尺度洎州中國E!家標啤(('NS )八4規格(210X 297公梦) ---1——„----裝----.--訂------線--r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部屮央標隼局吳工消贽合作社印製 -15 - A7 B7 410288 五、發明説明(13 ) 或所有操作)。斷點訊號有一由位址訊號之HxQ可能組 合之位元所確定之值,其中M = 2N及Q = 2Z。因此斷點訊號 ! 之值指示DSP 20之MxQ可能操作狀態之一。 一記憶體電路之單元陣列,其使用包含多重行之單元(例 如一單元陣列包含Z行,每一行包含N單元),允許本發明系 統產生一斷點訊號,指示一組大於如果使用一單元陣列僅 包含一此種行(包含N單元)所可能者之狀態位元。市售高 容量RAH晶片(M低費用)。常較佳為使用市售RAM晶片之最 不昂貴組合(其可由一個或多個RAM晶片構成),實施本發明 之記憶體電路,其包括足夠數之單元,供儲存希望量之數據 (例如一位元)供每一組並行認定之可能狀態位元訊號(作 為一個或多個位址訊號)至記憶體電路。例如,如果並行認 定NxZ狀態位元訊號至記憶體電路,如果可K低於Z -晶片貿 施之費用質施一-晶片實施,一般較佳為實施記憶體電路作 為一單一 RAH晶片(有Z行之N單元,或一行之NxZ單元),而非 Z RAM晶Η (各有一行之N單元)。 在又一替代性實施例,圖6之多晶片RAM電路替代圖4之 RAM電路 4卜43(或圖7之一個或多個RAM晶片92-100)。圖6 電路包括一第一級 RAM電路及一第二级RAM電路:第一级由 一第一 R A Η晶Η 6 0 (包括一 8 X 1陣列之記憶體單元),及一第 二RAM晶片61 (包括一 16x1陣列之記憶體單元)所構成;Μ 及第二級由RAM晶Η62(包括一 4x1陣列之記憶體單元)所構 成。 如在圖4實施例,位元訊號,及Β3自一處理器40予Μ 本紙張尺度適州中國1¾家標吟(('NS ) Λ4規格(210X297公漦) _ ι β _ (請先閲讀背莳之注意事項再填寫本頁) -絮' 經濟部中央標革局貞工消资合作社印鉍 經濟部中央標卑局负工消费合作社印^ 410288 Α7 Β7 五、發明説明(U ) 並行認定,作為一位址訊號至RAM 60,並響應RAM 60認定每 一此種位址訊號所選定單元之内容(二進制訊號1丨)。同樣 ( ,自處理器40並行認定位元訊號81,82,84,及1作為一位址 訊號至RAM 61 ,並響應RAM 61認定每一此種位址訊號所選 定單元之内容(二進制訊號Jj )。 訊號I丨及Jj·作為一二-位 元位址訊號供給至RAM 62,並響應RAM 62認定此位址訊號 所選定單元之内容(二進制訊號Lm,其中m = l,2, 3,或4)。由 於記憶體陣列之RAM 60有八單元(各由3-位元位址訊號之 不同值所選擇),及RAM 61者有十六單元(各由4 -位元位址 訊諕之不冏值所選擇),故斷點訊號U有一自處理器40由位 址訊號之128可能姐合之位元之一所確定之值,並因此斷點 訊號Lin之值指示處理器40之128可能操作狀態之一。 在圖6之二級實施例之變化型,可能在一個或多個下列方 面不同於圖6中所示之電路:可包括另一級RAM電路,每一級 之RAM電路可包括任何希望數之RAM電路,並且在每一级中 之每一 RAM電路可包括任何希望數之記憶體單元。 圖7為本發明之斷點糸銃之另一實施例,其包括數位訊號 處理糸統70。 DSP系統70包括一處理器72,在一指令匯流 排8 2自一程式記憶體7 4 ,籍在一位址匯流排8 0傳輸之位址 訊號存取指令。處理器72也自數據記憶體76及78,在數據 匯流排S6及90,藉在位址匯流排84及88所傳輸之位址訊號 存取數據至各別記憶體76及78。 斷點單元包括RAM晶片92 .94 ,96,98,及100,邏輯電路102,及一計數器104,供產生一 斷點訊號。斷點訊號為一二進制訊號(來自計數器1 0 4之輸 本'紙張尺度通州中國囤家標埤(('NS ) Λ4規格(210 X 297公釐) _ 1 7 _ I--*--------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 410289 五、發明説明(15 ) 出;),有一”停止”值或一 ”不停止”值,其予以認定至D S P 9 0。 每一 RAM晶H92,94,96,98及100有一記憶體單元陣列,並 ! 且各響應一來自DSP90之多位元位址訊號,自其陣列之一選 定單元輸出一數據值至邏輯電路102。 特別是,RAM晶片92 ,94,96dS及100在匯流排 SI,S5,87,89及91監控對應於來 自内部匯流排80,84,86, 88及90之位址及數據訊號之訊號 。因此,DSP系統70之程式及數據記憶體74 ,76及78之存取 予以監控預定狀態。每一 RAM晶片之陣列之每一單元可Μ 自一微處理器106對其寫入數據予Μ規劃程式 (在規割程 式及重新規副程式時,微處理器106也供姶適當位址訊號至 予Μ規劃程式之每一 RAM晶片)。每當希望時,微處理器106 可將所有或選定之諸RAM晶片之記憶體單元陣列,以一不同 陣列之數據值重新規劃程式。一般為,將一二進制位元儲 存在每一記憶體陣列之每一單元。 自DSP系統70供給至RAM 92-100之每一訊號,由許多訊號 位元所構成,每一位元指示DSP系統70内之目前狀態或狀況 。在任何瞬間,訊號位元確定一多位元二進制值,其對應於 RAM 92-100之一之單元陣列之一單元之位址。在每一 RAM 内之解碼器電路響應在RAM輸入接收之訊號位元所確定之 每一多位元二進制值,選擇RAM陣列之一 ¥同單元,並且 RAM輸出所選定單元之内容(一般為一單一二進制位元)至 組合邏輯電路102。 電路102包括足夠數之”與”閘及/或” 或”閘,以產生一指示希望邏輯組合之數據輸入之單一二進 制位元Km自RAH 92-100至電路102。 一特定電平之二進制 本紙張尺度適〗中國囤家標磚(rNS ) Λ4规格(210X 297公釐) ------r---l----^--、u------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本1:) 經濟部中夾標準局與工消贽合作社印¾ ™ 18 經濟部中夾標萃扃吳工消t合作社印?4 410288 at B7 五、發明説明(l6 ) ,·· 位元Κι«( —指示邏輯一或零之電平)觸發一計數器104。 響應被觸發一定之次數,計數器(或供在認定之觸發訊號
I 後,在預定之時間產生訊號之其他装置)104認定一斷點訊 號(較佳為預定之時間可受自微處理器1 0 6認定適當控制訊 號至計數器104所控制)。DSP系統70響應每一此種斷點訊 號有一”停止”值,而停止其有些或所有操作。在一種實例, 響應在計數器104之輸出所認定之二進制斷點訊號具有一 電平指示邏輯”1”,糸統70停止其某些或所有操作。 在本發明糸統之替代性實施例,DSP 2 0或70由某些其他 處理電路或糸統所替代,其輸出由記憶體為基礎之斷點單 元所監控之訊號位元,並且其包括裝置,供處理由記憶體電 路響應狀態位元所產生之斷點訊號。一此種處理電路或系 統之實例,為一包括狀態機之積體電路(而非一如在上述 DSP之程式記憶體及程式控制單元),以供響應一來自外部 裝置之指令認定一序列內部控制訊號。 參照圖3-7說明之系統(及其上之種種變化型),其所實施 之方法為歸在本發明之範圔Κ内。在一種較佳貿施例,本 發明之方法包括下列步驟: (a) 認定Ν狀態位元(其中Ν為大於一之整數,並且每一狀 態位元指示一第一電路之狀態(指示第一锺路之一節點或 元件之狀態或操作狀態),至一包括一陣列記憶體單元之記 憶體電路;Μ及 (b) 讀取第一數據,供響應至少一次組之Ν狀態位元,自一 選定之單元確定一斷點訊號之值。 本紙张尺度进川中國國家栋卑(ΓΝ5 ) Λ4規格(2!0X 297公釐) n (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 線. 經濟部中爽標隼局兵工消贽合作社印製 410288 a? B7 五、發明説明(1*7 ) 該方法也任選包括下列步驟: 讀取第二數據,供響應至少一第二次組之N狀態位元,自
I 另一選定之單元確定斷點訊號之值;K及 (d)在邏輯電路處理第一數據及第二數據,Κ產生具有該 值之斷點訊號。 要不然,在步驟(b)所產生之第一數據為具有該值之斷點 訊號。 在另一類別之替代性實施例,認定該次姐之N狀態位元為 位址位元至一在記憶體電路之第一级之記憶體電路,藉Μ 進行步驟(b),並且該方法也包括下列步驟: (c) 讀取第二數據,供響應至少一第二次組之Η狀態位元, 自另一選定之單元確定斷點訊號之值;Κ及 (d) 認定第一數據及第二數據為位址位元至一在記憶體 電路之第二級之第三記憶體電路,並且響應而自第三記憶 體電路謓取具有該值之斷點訊號。 較佳為,該方法也包括下列步驟:(e)認定斷點訊號至第 一電路,及(f)響應斷點訊號之第一值而停止第一電路之操 作。 本紙烺尺度適川中國IS家摞卑(CNS ) Λ4規格(210X 297公1 ) ---"---i---裝------訂------線--^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- ABCD 410289 六、申請專利範圍 1. 一種供產生一斷點訊號,以供控制第一電路之操作之 方法,該方法包括下列步驟: (a) 自第一電路認定至少二狀態位元至一記憶體電路,其 中記憶體電路包括至少一第一陣列之記憶體單元,Μ及其 中每一狀態位元指示第一電路之狀態;Μ及 (b) 讀取第一數據,供響應至少一次組之狀態位元,自一 選定之單元確定一斷點訊號之值。 2. 如申請專利範圍第1項之.方法,其中記憶體電路也包括 一第二陣列之記憶體單元,並且也包括下列步驟: (c) 讀取第二數據,供響應一第二次組之狀態位元,自第 二陣列之單元之一確定該斷點訊號之值;Μ及 (d) 處理第一數據及第二數據,Κ產生具有該值之斷點訊 號。 3. 如申請專利範圍第2項之方法,其中步驟(d)包括在邏 輯電路處理第一數據及第二數據,以產生具有該值之斷點 訊號之步驟。 4. 如申請專利範圍第2項之方法,其中第一陣列包括在第 一级記憶體電路之第一記憶體,及第二陣列包括在第一鈒 記憶體電路之第二記憶體,其中步驟(b)包括認定次組之狀 態位元為位址位元至該第一記憶體之步驟,其中步驟(c)包 括認定第二次姐之狀態位元為位址位元至第二記憶體,藉 以自該第二記憶體讀取第二数據之步驟,將及其中步驟(d) 包括認定第一數據及第二數據為位址位元至第二趿記憶體 電路中之第三記憶體,及響應而自第三記憶體讀取具有該 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~~ -----:----^------ΐτ-------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410288 C8 D8 經濟部中央標隼局身工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 I 值 之 齪 點 m m 之步驟。 1 1 1 5 . 如 串 請專 利範圍第1項 之 方 法, 其 中 第 一 數 據 指 示 一 二 先 t 1 進 制 值 ,及其中該方法也包 括 下 列步驟: 1 1 閎 1 (c )認定第- -數據至第一 電 路 為斷點訊號, 其 中 斷 點 訊 5虎 讀 背 1 之 值 為 該 二進. 制值。 之 注 1 I 6 . 如 請專 利範圍第1項 之 方 法, 其 中 第 —· 電 路 為 一 數 位 事 ά 1 I 再 1 訊 號 處 理 器,其中步驟(b)包括產生 具 有 該 值 之 斷 點 訊 號 之 4 1 步 驟 寫 裝 ,Μ及其中該方法也包 括. 下 列步驟: 頁 1 (C)認定具有該值之衢點 訊 tr占 至數位訊號處理器 Μ及 1 1 (d)響應該斷點訊號而停 止 數 位訊號處理器之操作 > 1 [ 7 . 如 申 請專 利範圍第1項 之 方 法, 其 中 第 一 電 路 為 一 徽 控 ί 訂 1 I 制 器 0 8 . 如 申 請專 利範圍第1項 之 方 法, 其 中 第 一 電 路 一 邏 輯 1 1 I 分 析 器 〇 1 1 9 . 如 申 請專 利範園第1項 之 方 法, 其 中 一 第 一 隨 m 存 取 記 1 線 憶 體 電 路 包括 第一陣列之記憶體單 元 f Μ 及 其 中 該 方 法 也 1 [.' 包 括 下 列 步驟 * 1 在 步 驟 U)之前,κ希望之數據值 將 第 —* 陣 列 之 單 元 規 劃 L 1 程 式 ,其中第- -數據為該希 望 數 據值之- — 1 ) 1 1 10 -種系統,包括: 1 ! 一 第 一 電路 ,包括處理裝置及供 認 定 至 少 二 狀 態 位 元 指 1 I 示 該 第 一 電路 之狀態之裝置 ;Μ及 1 1 I 記 憶 體 裝置 ,連接至第一 電 路 ,供 接 收 狀 態 位 元 1 並 產 生 1 1 一 有 一 由 狀態 位元所確定之值之斷 點 訊 號 其 中 記 憶 體 裝 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準(CMS ) A4規格(210X297公釐) 410288 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 六、申請專利範圍 置包括一第一陣列之記憶體單元,及第一裝置供謓取第一 數據,以供,響應至少一次組之狀態位元,自第一陣列之一 選定單元確定具有該值之斷點訊號。 Π.如申請專利範圍第10項之糸統,其中記憶體裝置為一 實施為一積體電路之隨機存取記憶體,第一數據為斷點訊 號,第一數據指示一二進制值,及斷點訊號之值為該二進制 值。 12.如申請專利範圍第10項之系統,其中每一狀態位元為 一二進制位元,第一陣列之記憶體單元及供讀取之第一裝 置為一實施為一積體電路之隨機存取記憶體之元件,供讀 取之第一裝置接收Η狀態位元,並響應該N狀態位元讀取第 一數據,Μ及第一陣列為一 Mxl陣列之該等記憶體單元,其 中N為一大於一之整數及M = 2n。 13·如申請專利範圍第10項之糸統,其中每一狀態位元為 一二進制位元,第一陣列之記憶體單元及供謓取之第一裝 置為一實施為一積體電路之隨機存取記憶體之元件,供讀 取之第一裝置接收一第一組之N狀態位元及一第二組之Z狀 態位元,並響應該第一組及第二組之狀態位元讀取第一數 據,並且第一陣列為一 MxQ陣列之該等記憧體單元,其中N及 Z各為一大於一之整敷,M = 2N,及Q = 2Z。 14·如申請專利範圍第1〇項之系統,其中記憶體裝置包括: 一第一記憶體電路,包括第一陣列之記憶體單元及供讀 取之第一裝置;Μ及 一第二記憶體電路,包括一第二陣列之記憶體單元及供 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -3 - ---------^.------tr--------41 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 410289 A8 bs C8 D8 六、申請專利範圍 置 裝 之 號 訊 點 斷 之 值 該 有 具 定 據確 數一兀 二 單 第 一 取之 讀列 元 位 態 狀 之 組 次 二 第 應 響 .供Μ Ϊ1 陣二 第 之 自 第 圍 範 利 專 請 Φ' 如 統 之 項 為 各 路 電 體 憶 記 二 〇 第體 及憶 路記 電取 體存 憶機 記隨 一 之 第路 中電 其體 ’積 1 為 施 實 包 也 置 裝 體 憶 記 中 其 統 之 項 4 1 第 圍 範 利 專 請 如 括 訊 點 斷 之 值 該 有 具 生 產Μ 據. 數二 第 及 據 數.1 第 。 理置 處裝 供之 號 包 置 裝 之 理 處 供 中 其 統 系 之 項 6 1Χ 第 圍 範 專 請 申' 如 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝. 括 值 該 有 具 生 產Μ 損 數二 第 及 據 數 一 第 理 處 供 1 ο 路號 電訊 輯 點 邏斷 之 統 之 項 6 1J- 第 圍 範 利 專 請 串 如 第 括 包 路 電 擐 HAM 憶 記及 之M 級 ; 一 路 第 電 1 體 憶 括記 包 二 置第 裝及 體路 憶電 記體 中憶 其記 訂 線 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 該 中 其 及 以 置 裝 之 IT1 理 處 供 括 包 路 電 體 : 憶括 記包 之置 趿装 二 之 第理 一 處 供 元 位 址 位 為 作 據 數 路 二 電第 體及 憶據 記數 三 一 第第 一 收 接 括 包 元 單 禮 憶 記 之 列 Μ 三 第 第 應 響 並 供據 及數 點 斷 之 值 該 有 具 取 讀 元 單 定 選1 之 列 «Β- 三 第 自 〇 據置 數裝 二 之 第號 及訊 第 圍 範 利 專 請 申 如 統 糸 之 項 器 理 處 號 訊 位 數號 1 訊 為點 路斷 電 之 一 值 第該 中有 其.具 ,定 認 括 包 置 裝 體 憶 記 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公嫠) 4 經濟部中央揉準局員工消费合作社印裝 A8 41023S 器 DS 六、申請專利範圍 至數位訊號處理器之裝置,Μ及該數位訊號處理器包括供 響應具有該值之斷點訊號,停止處理裝置之操作之裝置。 20,如申請專利範圍第10項之糸統,其中第一電路為一微 控制器。 2 1 .如申請專利範圍第1 0項之糸統,其中第一電路為一邏 輯分析器。 22. 如申請專利範圍第10項之系統,其中記億體裝置包括 一第一隨機存取記憶體,包括第一陣列及供讀取之第一装 置,以及其中該糸統也包括: 供Κ希望之數據值將第一陣列之單元規割程式之裝置, 其中第一數據為該等希望之數據值之一。 23. —種系統,包括: 一數位訊號處理器,包括供認定Ν二進制狀態位元之装置 ,其中Ν為一大於一之整數,·及每一狀態位元指示位訊號處 理器之狀態;以及 記憶體装置,連接至數位訊號處理器,·供接收狀態位元及 產生一有一由狀態位元所確定之值之斷點訊號,其中記憶 體装置包括一第一陣列之記憶體單元及供請取第一數據之 第一装置,供響應至少一次組之狀態位元,自第一陣列之一 選定單元確定具有該值之斷點訊號。 24. 如申請專利範圍第23項之系統,其中記憶體裝置為一 實胞為一積體電路之隨機存取記憶體,及第一陣列為一 2Nxl陣列之該等記億體單元。 25. 如申請專利範圍第23項之糸統,其中每一狀態位元為 本紙張尺度逋用中®國家梂準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) -5 - -------------裝------訂------線 (請先1¾¾面之注意事項再填寫本頁) 410288 38s C8 D8 六、申請專利範圍 一二進制位元,第一陣列及供讀取之第一裝置為一實施為 一積體電路之隨機存取記憶體之元件,供讀取之第一裝置 接收N狀態位元,並響應該N狀態位元讀取第一數據,Μ及第 一陣列為一 Mxl陣列之該等記憶體單元,其中H為一大於一 之整數及 M = 2N。 26.如申請專利範圍第23項之系統,其中每一狀態位元為 一二進制位元,第一陣列之記憶體單元及供讀取之第一裝 置為一實施為一積體甯路之隨機存取記憶體之元件,供讀 取之第一裝置接收一第一組N狀態位元及一第二組Z狀態位 元,並響應該第一組及第二組狀態位元讀取第一數據,並且 第一陣列為一 MxQ陣列之該等記憶體單元,其中 N及Z各為 —大於一之整數,M = 2N,及Q = 2Z。 J J 1 i n 1—. .—ί r 訂 , »~ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貞工消費合作社印装 本紙張尺度適用中围國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 6
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