TW409282B - Image difference evaluation photomask pattern and the evaluation method of quality of image difference - Google Patents

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經濟部中央榡準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關於一種投影校正裝置，其用於大型積體 電路(LSI)製私。此外，本發明係有關於—種用於評估投影 校正裝置之光學系統中之像差之像差評估光罩圖案，一種 像差里評估方法和一種用於消除像差之消像差濾光器。再 者，本發明係有關於一種半導體裝置製造方法，其用於在 消除像差的同時轉移電路圖案而製造半導體裝置。 習知技術之描述 才又影校正裝置用來投影半導體裝置之電路圖案，其形 成在光罩上，投影到具高解像度之晶圓上，其上能完成微 細圖案之轉移。一般而言，解像度獲得改善是和增加投影 透鏡之數値孔徑(NA)或和減少曝光波長成比例。然而，增 加投影透鏡的NA之方法使轉移圖案時其焦點深度減少。 因此’解像度之改善有限制。另一方面，具短波長的曝光 使用在轉移過程中需大量的修改。因此，減少曝光波長之 方法也不實用。 因此，本發明之申請人在曰本專利Laid-Open Nos.4-251914和4-179213中提出投影校正裝置，藉以加強解像度 ，以增加NA的方式，但同時增加焦點深度。請參第丨9圖， 在投影校正裝置内，蝴眼(fly-eye)透鏡3斜放在燈殼1前， 其間置入鏡2。再將孔徑4放在塊眼透错.3前。此外，遮 板6放在孔徑4前，其間置入聚光透鏡5。再者，其上形 成所需電路圖案之光罩10斜放在遮板6前，其間置入聚光 透鏡7、鏡8和聚光透鏡9。此外，晶圓12放在光罩1〇 則’其間置入投影光學系統或投影透鏡系統11 ◊在去焦時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----------裝-----Ί 訂 ------^ K, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 ^09282 A7 _ _ B7 ______ 五、發明説明（2 ) 像之對比經由放移相構件獲得改善，使經過傳動區帶 (transmitting zone or area)的中心部分和其周邊區域之光間 之相差在投影光學系統11的瞳面上。因此，有效的增加焦 點深度。 然而，前述的習知投影校正裝置中，不考慮光學系統 之像差。一般而言’實際用之光學系統有各種像差。典型 像差爲球面像差，像散像差，像面彎曲和彗形像差。眾所 皆知這些像差能表示如第20 A至20E圖，其分別轉爲波面 像差。在這些圖中，φ表示波面之移量；p表示瞳面（即咕 面）上之半徑；Θ表示η軸對應之旋轉角，y〇表示晶圓面上 之座標；和B〜F表示常數。像差在許多文獻中有評細描 述，例如「光學的原理I〜III」（東海大學出版）。 本發明係解決習知投影校正裝置之諸多問題a 發明之摘要 如前所述，本發明之目的係提供一種投影校正裝置， 其能消除光學系統之像差的影響且能完成電路圖案之高精 確性轉移。 此外，本發明之另一目的係提供一種像差評估像差評 估光罩圖案，其用於評估投影校正裝置之光學系统之像 差，且利用像差評估光罩圖案進—步提供一種像差量評估 方法。 再者，本發明之再一目的係提供一種消像差濾光器， 其用於補償投影校正裝置之光學系統之像差。 同時，本發明之又一目的係提供一種半導體裳置製逵 本紙張尺度適用中國闼家插準（c叫从驗乂所公们 - ! <1 It n I - 11 I . : I -I i - —Ίί (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 409282 at _ B7 五、發明説明（3 ) 方法’用於當消除投影校正裝置之光學系統之像差的影響 時藉由轉移電路圖案製造半導體裝置。 爲達上述目的，本發明提供一種投影校正裝置，其包 括：光源；孔徑，其用來整形照明光和形成二次光源面； 遮板，具有用來設定曝光區域之開口部；光罩，具電路圖 案和被自二次光源面射出之照明光照明；投影光學系统， 藉由從光罩繞射之繞射光在曝光基板上形成影像投影光革 之電路圖案；和消像差濾光器，置於投影光學系統之瞳面 上用來消除像差。 再者，本發明提供一種像差評估光罩圖案，其包括： 透明基板；選擇地形成在透明基板上之複數微圖案；和選 擇地形成在透明基板上之複數大圖案。再者，此像差評估 光罩圖案中’每一微圖案和對應之大圖案彼此結合。另外， 複數微圖案和大圖案之組合係形成在透明基板上。 再者，本發明提供一種像差量評估方法，其包含下列 步驟：曝光像差評估光罩圖案；觀察複數完成圖案；找出 各圖案之最佳焦點位置或完成位置；及自各圖案之最佳焦 點位置或完成位置之變動量評估像差量。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I #---------'裳-- (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁j 再者，本發明提供一種消像差渡光器，—遽光器置於 投影光學系統之瞳面上，用來消除像差。此遽光器具有透 明基板和形成在至少一主面上之波面調整用的透明多膚 膜。 ^ 此外，本發明提供一種半導體裝置製造方法，其包括 下列步驟：經整形光源發出之照明光形成二次光源面；設 6 ^紙張尺度適用中國国家操準（CNS > A4規格（2】GX297公楚) —"~----- 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 409282 A7 _____ B7 — 1 * " " — - __ 五、發明説明（4 ) ^ ~~~ 定曝光區城；以一次光源面發出之照明光照明光罩；瞳面 上形成從光罩繞射之光之光療像；在投影光學系統之睦面 上補償波面像差；及經由投影電路圖案在晶圓上製造半導 體裝置。 本發明之上述和其它特徵、目的優點在下文之較佳實 施例敘述，並配合圖式，能更明顯，其中： 第1圖係本發明實施例1之投影校正裝置的構成示意 圖； 第2圖係本發明實施例2之投影曝光方法之示意圖； 第3A圖係本發明實施例3之像差評估光罩圖案的平 面圖； 第3B圖係當曝光第3A圖的光罩圖案時獲得之轉移圖 案的示意圖； 第4A和4B圖分別爲本發明實施例4之球面像差評估 方法所獲得之微細圖案和大圖案的最佳焦點位置； 第5 A和5B圖分別爲本發明實施例5之像散像差評估 方法所獲得之橫方向圖案元素和縱方向圖案元素的最佳焦 點位置； 第0A和6B圖分別爲本發明實施例6之像面彎曲評估 方法所獲得之微細圖案和大圖案的最佳焦點位置； 第7圖係本發明實施例7之彗形像差評估方法用之轉 移圖案之示意圖； 第8圖係本發明實施例8之失眞像差評估方法用之轉 移圖案之示意圖； 7

夺紙依尺度朋中國國家標孪（CNS ) A4^2!0X297^IT (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 壯衣 -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 第9A和9B圖係本發明實施例]〇用於補償正球面像 差之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第10 A和10B圖係本發明實施例〗】用於補償負球面 像差之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第11A和11B圖係本發明實施例π用於補償正像散 像差之消像差遽光器的斷面圖和斜視圖； 第12A和12B圖係本發明實施例π用於補償負球面 像差之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第1〕A和13 B圖係本發明實施例丨4用於補償正像面 彎曲之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第14A和14B圖係本發明實施例15用於補償負像面 彎曲之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第I5A和15B圖係本發明實施例μ用於補償失眞像 差之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖； 第16A和16B圖係本發明實施例17用於補償彗形像 差之消像差濾光器的斷面圖和斜視圖： 第17A和17B圖係本發明實施例is之消像差濾光器 的斷面和斜視圖； 第18圖係本發明實施例19各種像差合成情況的波面 轉移之斜視示意圖； 第19圖係習知投影校正裝置之構成的示意圖；及 第20A至20E圖分別爲瞳上之球面像差、像散像差、 像面彎曲、失眞像差和彗形像差之示意圖。 較佳實施例之敘述 本紙張尺度it用tS1 ϋ家標準（CNS ) Α4絲（230Χ297讀了 11 - I -ί - J I 1— 層 »8 J ft n^i-,i— {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 409282 A7 經濟部令央標準局貝工消費合作社印裝 B7 五、發明説明（6 ) 下文中’本發明之較佳實施例將參考附圖詳細説明。 實施例1 第1圖係本發明實施例1之投影校正裝置的構成示意 圖。如圖所示，在投影校正裝置中，蠅眼透鏡3斜放在燈 殼1則，其間置入鏡2。再將孔徑4放在蠅眼透鏡3前^ 此外，遮板6放在孔徑4前，其間置入聚光透鏡5。再者， 其上形成所需電路圖案之光罩1〇斜放在遮板6前，其間置 入聚光透鏡7、鏡8和聚光透鏡9。此外，自曝光基板所 獲得之晶圓12，斜放在光罩1〇前，其間放入投影光學系 統Η。再者，補償投影光學系統n之像差用之消像差濾 光器係置於投影光學系統之瞳面上。發出紫外線光源，例 如水銀氣燈係用於燈殼1中。 其次，下文將描述使用投影校正裝置之半導體裝置製 造万法。自燈殼I射出之紫外線經過鏡2到達蠅眼透鏡3。 隨後’紫外線分割成許多彼此獨立之光源（即，光束）。其 後’自點光源發出之光射線由孔徑4整形，使部成二次光 源面。其後，遮板6設定曝光區域。再者，經聚光透鏡5 , 7和8光罩丨〇被照明。因此，光源之像形成在由光罩]〇 繞射之光之投影光學系統π之瞳面上。此時，消像差遽光 澹13係置於投影光學系統瞳面上。因此，在瞳面上 補償波像差〇故’自繞射光在晶圓上形成電路圖案之 像，補償其像差。此時，像差藉由消像差渡光器13在投影 光學系統之瞳面上補償。因此，能消除像差之不好影響， 而獲得良好像特性。 —尺度速 J----------^------11T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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—-I— i II- I 經濟中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7___ 五、發明説明（7 ) 藉此方式，電路圖案轉移至晶圓12之表面上。再者， 在薄膜沈滅:過程、蚀刻過程和雜質擴散過程之各種過程 後，半導體裝置被製造。 實施例2 第2圖係本發明實施例2之投影曝光方法之示意流程 圖。首先，在步驟S1 ’曝光像差評估圖案以評估光學系統 之像差。其次，在步驟S2 ，經由SEM(掃描電子顯微鏡) 觀察曝光所獲得之曝光後圖案或顯影圖案。觀察之結果決 定那一種類像差彼此組合(包括）及在光學系統中發生。再 者’在步驟S4中，決定何種像差在投影光學系統之像差間 是支配像差。之後的步驟S5中，選擇補償支配像差用之消 像差濾光器。其後，以此方式選擇之消像差濾光器插入（放 在）步驟S6中之投影像差的瞳面。然後步驟s7中曝光電路 圖案。 因此’投影光學系统内之支配像差能被選擇地消除， 且經由使用此曝光方法能獲得良好像特性。 實施例3 實施例2之曝光方法所使用之像差評估光罩係如第3 a 圖所示。此圖中共計25個矩形大圖案22，其以五行和五 列配置’係形成在透明基板21上。再者，每個大圖案22 内’共計九個形成三行和三列配置的微圖案23。每個大圖 案22之尺寸爲3倍曝光波長左右。即，配置之25組大圖 案22和微圖案23置於透明基板21上。 當藉由等光程的透鏡曝光消像差濾光器光罩圖案時， 10 本紙张尺度適财國加Χ2ϋ-----—— ------------裝-----—訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 409282 五、發明説明（8) 由於繞射，每個大圖案之角成圓形。因此，如第3B圖所 示獲得包含大圖案32和微圖案33之透明圖案。一般地， 微圖案對像差敏感，而大圖案對像差不敏感。因此，透鏡 像差能經由觀察透明圖案中包含之大圖案32和微圖案33 容易且明確地分類成五種。 實施例4 以下將描述一種利用第3a圖之像差評估光罩圖案評 估球面像差之方法。首先，由改變其聚焦條件曝光像差評 估光罩圖案。其後，經由SEM或此類等觀察完成之25組 轉移圖案。藉此，如第4Α圖所示，在25點獲得微圖案33 之最佳焦點位置。再者，如第4Β圖所示，在25點得到大 圖案32之最佳焦點位置。 假使觀察到最佳焦點位置在微圖案33和大圖案32間 變動時，顯示存在曝光光學系統之球面像差。再者，能從 微圖案33和大圖案32間之最佳焦點位置的變動量評估球 面像差量。 實施例5 以下將描述一種利用第3Α屬之像差評估光罩圖案評 估像散像差之方法。首先，由改變其聚焦條件曝光像差評 估光罩圖案。其後，經由SEM或此類等觀察完成之25組 轉移圖案。藉此，如第5Α圖所示’在25點獲得各圖案的 橫方向圖案要素（或邊）之最佳焦點位置。再者，如第5Β圖 所示，在25點得到各圖案的縱方向圖案要素（或邊）之最佳 焦點位置。 11 本紙張^度適用中國國i標準（CNS ) Α4現格（2丨0X297公釐） — -- J- - Hi I—-I ml -- I--^d m I - -I---- ---- I 丁 - -^1 - - »i ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 409282 A7 B7 五、發明説明（9) ~ ~* 假使觀察到最佳焦點位置在橫方向圖窠要素和縱方向 圖案要素間變動時，顯示存在曝光光學系统之像散像差。 再者’能從橫方向圖案要素和縱方向圖案要素間之最佳焦 點位置的變動量評估像散像差量。 實施例6 以下將描述一種利用第3A圖之像差評估光罩圖案評 估像面彎曲之方法。首先，由改變其聚焦條件曝光像差評 估光罩圖案。其後，經由SEM或此類等觀察完成之25組 轉移圖案。藉此，如第6A圖所示，在25點分別獲得微圖 案33之最佳焦點位置。再者’如第圖所示，在25點分 別得到大圖案32之最佳焦點位置。 假使觀察到在25點微圖案33之最佳焦點位置和其對 應之大圖案32的最佳焦點位置重合，但最佳焦點位置依據 曝光位置而不同，例如在25點的大圖案32間不同，顯示 存在曝光光學系統的像面彎曲。從大圖案32間之最佳焦點 位置的變動量能評估像面彎曲量。 實施例7 以下將描述一種利用第3A圖之像差評估光罩圖案評 估彗形像差之方法。首先改變聚焦條件曝光像差評估光罩 圖案。其後，經由SEM或此類等觀察25組完成之轉移圖 案，如第7圖所示。藉此分別在25點獲得微圖案33之完 成位置。 假如觀察到微圖案33之完成位置和對應之大圖案32 的完成位置不同，如第7圖所示，顯示存在曝光光學系統 12 本紙張尺度適用中國㊈^準(_CNS ) A4規^_ ( 2i〇x297公釐). ------------- 裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印數 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 409282 A7 ~_______B7 ______ 五、發明説明（1()) 之豫形像差。再者，從大圖案32之一的完成位置及和大圖 案32之一結合之對應微圖案33之一的相對位置間之相對 變動量或位移可評估彗形像差量。 實施例8 以下將描述一種利用第3A圖之像差評估光罩圖案評 估失眞像差之方法。首先改變聚焦條件曝光像差評估光罩 圖案。其後，經由SEM或此類等觀察25組完成之轉移圖 案’如第8圏所示。藉此分別在25點獲得微圖案33之完 成位置。 假如觀察到縱使各大圖案32之相對完成位置和各對 應之微圖案33之完成位置相同，完成位置例如大圖案32 依照其分別在25點對應之圖案32間之曝光位置而變動， 如第8圖所示，證實存在曝光光學系統之失眞像差。再者， 從大圖案32之完成位置之位移或變動量能評估失眞像差 量。 實施例9 透明基板，其至少一個主面上形成調整波面用之透明 多層薄膜，其能用於實施例1之投影校正裝置中之消像差 濾光器13，本發明之上述製造半導體裝置之方法，或用於 實施例2之投影曝光方法。透明多層膜具有膜厚分佈，藉 此能補償投影光學系統之像差產生之波面移動。 實施例10 消像差濾光器用於補償正球面像差，如第9A和9B 圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖所示， 13 本尺度適用中國國家標準（CNS) Α4·—( 2丨0><297公楚） ~~ ---------.裝-----1 訂-------^ f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} A7 B7 409282 五、發明説明（丨！） ----------- ^-----—ΐτ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在消像差濾光器的情況中，透明多層膜51形成在透明基板 41的表面上。如第20A圖所示，若瞳面上球面像差轉爲波 面像差’波面移動量φ由方程式φ=_Βρ4/4中可得。因此， 用於補償正球面像差之透明多層膜51如同缽（m〇rtar)狀 (即圓錐狀）且具有同心環狀層，第9b圖所示，更具有形狀 如同缽之縱斷面及由正四次函數表示，如第9八圖所示。 經由消像差遽光器放在投影光學系統之瞳面上能消除正球 面像差。因此，像性能能獲得改善。 實施例1! 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 消像差濾光器用於補償負球面像差用，如第1〇A和 10B圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖 所示，在消像差濾光器的情況中’透明多層膜$2形成在透 明基板42的表面上。如第20A圖所示，若瞳面上球面像差 轉爲波面像差，波面移動量φ由方程<φ=_Βρ4/4圓頂（d〇me) 中可得。因此，用於補償負球面像差用之透明多層膜52 如同圓頂（dome)狀且具有同心圓狀層，第1〇β圖所示，更 具有形狀如同圓頂之縱斷面及由負四次函數表示，如第 iOA圖所示。經由消像差濾光器放在投影光學系統之瞳面 上能消除負球面像差。因此，像性能能獲得改善。 實施例12 消像差濾光器用於補償正像散像差，如第ΠΑ和丨1B 圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖所示， 在消像差濾光器的情況中，透明多層膜53形成在透明基板 43的表面上。如第圖所示’若瞳面上像散像差轉爲波 k紙浪尺度適财賴家縣 14 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 409282 A7 ______B7_ 五、發明説明（12 ) 面像差，波面移動量φ由方程式φ= — Cy〇p2cos20中可得。 因此’用於補償正像散像差補償之透明多層膜53如同凹的 而在一方向像缽狀，即其形狀如同鞍狀，如第20B圏所示， 更具有在一方向形狀如同砵之縱斷面及由正二次函數表 示，如第11A圖所示。經由消像差濾光器放在投影光學系 統之瞳面上能消除正像散像差。因此，像性能能獲得改善。 實施例13 消像差濾光器用於補償負像散像差，如第〗2A和12B 圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖所示， 在消像差渡光器的情況中，透明多盾膜54形成在透明基板 44的表面上。如第20B圖所示，若瞳面上像散像差轉爲波 面像差，波面移動量φ由方程式φ= — Cy()p2cos2G中可得。 因此，用於補償負像散像差之透明多層膜54如同凸的而在 一方向像圓頂狀，如第20B圖所示，更具有在一方向形狀 如同圓頂之縱斷面及由負二次函數表示，如第11A圖所 示。經由消像差濾光器放在投影光學系統之瞳面上能消除 負像散像差。因此，像性能能獲得改善。 實施例14 消像差濾光器用於補償正像面彎曲，如第丨3八和13B 圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖所示， 在消像差濾光器的情沉中，透明多曆膜55形成在透明基板 45的表面上。如第2〇c圖所示，若瞳面上像面彎曲轉爲波 面像差’波面移動量φ由方程式φ=-办〗〆/ 2中可得。因此， 用於補償正像面彎曲之透明多層膜55如同缽狀且具有同 15 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) ( 210X297公嫠) ^ - I-· m I *ί ί n I. _41 . _I I i請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .-'β 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 —-----——___ B7 五、發明説明（13 ) 心環狀盾’第13B圖所示’更具有形狀如同砵之縱斷面及 由正二次函數表承，如第]3A圖所示。經由消像差渡光器 放在投影光學系統之瞳面上能消除正像面彎曲。因此，像 性能能能獲得改善。 實施例15 消像差濾光器用於補償負像面彎曲，如第14A和14B 圖所示’係實施例9之ϊ肖像差渡光器的具體例。如圖所示， 在消像差it光器的情況中，透明多層膜㈣成在透明基板 46的表面上。如第2QC圖所示，若瞳面上像面彎曲轉爲波 面像差波面移動量φ由方程式—―祝〆^中可得。因此， 用於補償負像面弯曲之透明多層膜55如同圓頂狀且具有 同圓狀看，第14Β圖所示，更具有形狀如同圓頂之縱斷 面^由負二次函數表示，如第】4Α圖所示。經由消像差渡 光器放在投影光學系统之瞳面上能消除負像面彎曲。因 此，像性能能獲得改善。 實施例16 消像差據光器用於補償失眞像差，如第15八和ι5β 圏所示，係實施例9之消像差遽光器的具體例。如圖所示’ 在消像產遽光器的情況中，透明多層膜5 7形成在透明基板 47的表面上。如第2QD圖所示’若瞳面上失眞像差轉爲波 象、波面移動量Ψ由方程式Φ=Εγ03ρ(ϊ〇5θ中可得。因此 、平^補償失眞像差之透明多暑膜57如同在—方向傾斜 第l5B圖所示，更具有形狀如同斜面之縱斷面及 線函數表不’如第1 5 Α圖所示。經由消像差濾光器放 本紙張纽適财賴 ------ — I---'裝-----..―1T------* .^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（14 ) 在投影光學系統之瞳面上能消除失眞像差。因此，像性能 能獲得改善。 實施例17 消像差濾光器用於補償彗形像差，如第16A和16B 圖所示，係實施例9之消像差濾光器的具體例。如圖所示， 在消像差濾光器的情況中，透明多層膜58形成在透明基板 48的表面上。如第2〇E圖所示，若瞳面上暴形像差轉爲波 面像差，波面移動量φ由方程式中可得。因此，用 於補償彗形像差之透明多層膜58如同在一方向倾斜之傾 斜面，第16Β圖所示，更具有形狀如同斜面之縱斷面及由 二次函數表示，如第16 Α圖所示。經由消像差濾光器放在 投影光學系統之瞳面上能消除彗形像差。因此，像性能能 獲得改善。 實施例18 在複數種像差共存之情況中，能使用某些前述實施例 10〜17之消像差濾光器的適當組合。例如，如第ΠΑ和 ΠΒ圖所示，結合實施例μ補償負像面彎曲之消像差濾光 器和實施例17補償馨形像差之消像差濾光器，能同時補償 負像面彎曲和彗形像差。一般在實際的光學系统中，同時 存在各種像差。因此，藉由適當地結合上述實施例丨〇〜 17之消像差濾光器能消除所有各種像差。因此，像性能能 獲得改善。 實施例19 依照本發明’能製造具有補償合成像差量獲得之波面 17 本紙張尺度4用中國國家標準（CNS > Α4規格（~—--— _ IM ' 裝-----Μ 訂------- (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 4Qd282 。 五、發明説明（15 ) 移動特性之複合消像差遽光器，即，經由實施例4〜8其 中之一種方法評估波面之移動，如第丨8圖所示。例如，能 由在透明基板上形成透明多層膜製造這種消像差遽光器， 其斷面形狀對應波面之合成移動，如第18圖所示。 經由複合消像差濾光器導入投影校正裝置消除所有不 同種頬之像差。像性能能獲得改善。 I I *, I m 1 In . - I 1 I ί ί -- -I 1 I (請先閲讀背面之注意事項再壤寫本頁) 經濟部中央榇準局貝工消費合作社印裝 本紙張CNS ) —Μ規格 (210X297公釐）

Claims (1)

1. 4〇928 2 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局員工消費合作.社印裝 六、申請專利範圍 1. 一種像差評估光罩凰案，其包括： 一透明基板； 選擇地形成在透明基板上之複數微圖案；和 瑪擇地形成在透明基板上之複數大圖案；其中每—微 員案和其對應之大圖案彼此組合，其中複數微阖案和大圖 當之組合係置於透钒基板上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光罩圖案，其中每— 微圖案之尺寸和一曝先波長相同，其中該大圖案之尺寸相 當於或大於三倍曝光波長。 3. —種像差量許估方法，其包括下列步驟： 曝光一具有一透明基板之像差評估光罩圖案，選擇地 形成在透明基板上之.複數圖t和選擇地形成在透明基板 上之複數大圖案，每一微圖案和其對應云大圖案彼此組 合，複數微圖案和對應之大圖案之組合係置於透明基板 上； 觀察複數完成圖案； 找出每一圖案之一最佳焦點位置； 自各圖案之最佳焦點位置之變動量評估一像差量。 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中從微圖案 和對應之大圖案組合間之最佳焦點位置變動量評估珐面像 差量。 5. 如申請專利範園第3項所述之方法，其中從各圖案 之嚴方向圖案要素和横方向圖案要素間i佳焦點位崖變動 量評估像散像差量。 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS) A4規格（210X297公釐） --'-----— 装-----卜--ΐτ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   40^282 έ? 六、申請專利範同 6. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中從趨數大 圖案間泛最佳焦點位置變動量評估像.面蠻油量。 7. —種像差量評估方法，其包含下列步驟： 曝光一具有一诱明基板之像差評牯光圖案，選擇地 形成在透明基板上之褶數微圖案和選擇地形成在透明基板 上之禮數大圖案，每一微圖案和其對應之大圖案彼此組 合，複數微圖案和對應之大圖案之組合係置於透明基板 上； 觀-稼複數完成圖案； 找出每一圖案之一完成位置； 自各圖案之完成位置之變動量評估—像差量。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中從微圖案 和大圖案組合間之t成位置之相對變動量評估球馨形像差 量〇 9‘如申請專利範圍第7項所述之方法，其中從旗數大 圖案間之完成位置之相對變動量評估·失眞像差景。 --·------—^-------打'------線. {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 20 本紙張尺度逋用中國國家標準（CMS ) A4規格（2丨0X297公釐〉