TW401733B - The manufacturing method for transparent component used for electromagnetic shielding usage - Google Patents

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_733 五、發明說明（1) 【技術範疇】 本發明係關於一種改良型的電磁波屏蔽用透明組件及其 製造方法。該透明組件可用於屏蔽等離子體顯示器等之電 子資訊裝置之放射電磁波，例如可作為等離子體顯示器等 之電磁波屏蔽用前側濾波器用，而甚有效。該透明組件係 具有甚佳之電磁波屏蔽性，且不會產生莫爾干擾條紋，為 一視認度甚佳之製品。 【背景技術】 自各種電子資訊裝置所發出之電磁波，以及自外界所施ί 加之電磁波，經常會成為各裝置相互間之錯誤動作的起 因，且對於人體亦會給與不良影響，而成為一甚嚴重之問 題。目前一般所提出之電磁波屏蔽方法大致包括有以下兩 種方法。 其中一種方法為將表面鍍有鎳或銅的導電性纖維設成網 狀，而將之夹持於兩片基板之間，或者將之以接著劑接著 於基板上而形成網體者。 另一種方法乃使用ΙΤΟ(銦錫氧化物）或銀等，將之以薄 膜狀塗裝於基板之全部表面上而形成薄膜者。 前述網體之方式，一般雖然說電磁波屏蔽性較佳，但透 明性卻不甚理想。且十分容易產生莫爾干擾條紋。 而另一種薄膜方式，雖可滿足透明度及莫爾干擾條紋之 i 改善要求，但其電磁波屏蔽能力不佳，且因僅適用於部份 波長，故在高頻帶上之屏蔽性甚差。

第5頁 ^〇ί?38 五、發明說明（2) 面之背：呷二屏蔽：：：看等離子體顯示器(PDP)等之畫 性要：K長；之…，同時會要求辨視 疲勞現象，但對於前述要求亦：：輕#，不會使眼睛產生 整之成效。 則述兩種方法皆無法得到完 本發明之目的為開發一插 之電磁波屏蔽性之屏蔽材以有較高透明…具有較佳 又，本發明之另一目的為 輕或防止莫爾干擾條紋產生二蔽易於視認，且可減 發明之開示】 第1 本發明之實質内容係包括有以下之卜23項。 1項一種電磁波屏蔽用透明組件，其俜於美 上，順序積層以由物理性薄膜形ώ係於基體（1) 金薄膜層(2)，以及由鍍敷手段所製所製成之銅或其合 形成網眼導電圖樣，而使全光線 厚膜層⑷’而 使前述導電圖樣所具有之電⑽以上，且 其特徵者。 抗值為2_Ω/□以下，為 第2項如第1項所述之電磁波屏蔽用透明 # ^ _ + 為其特徵者。 …色之著色層（5)， 項如第μ所述之電磁波屏蔽用透明組 透明基體（1)係全光線穿透率為65%以上 谢^迷 脂，為其特徵者。 之片狀熱塑性樹

五、發明說明（3) 苐4項如第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中矿 物理性薄臈形成子段乃指喷濺法或離子鍍敷法等，、為=特 徵者。 ’其中前述 ’其令前述 為其特徵 其中前述 其中前述 第5項如第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件 鍍數手段係指電解鋰敷法，為其特徵者。 第6項如第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件 銅或其合金之薄腠層（2)之厚度為100〜2000埃， 者。 第7項依第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件 銅厚膜層（4)之厚度為，為其特徵者。 第8項 依第2項所述之電磁波屏蔽用透明組件，冉 著色層（5)為由氧化銅或硫化銅所構成，為其特徵者— 第9項一種電磁波屏蔽用透明組件之製造方法，其可 於製造第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其包括以 下之工程，即， 、匕以 工程A:於全光線穿透率為65%以上之片狀熱塑性樹脂之 肢：滅附著以銅或銅合金’而形成厚度為1〇"〇〇〇 埃的薄膜層； 工程B:將前述薄膜層以光 樣. 』杰邡M蜎像而曝出網眼圖 工程C:於前述網眼圖樣上電 卜10 P之銅厚膜層； 電解鑛敷以銅’而積層出厚度 工程D :其次，剝離除去非 劑； 非網眼圖樣部份之殘留光致抗蝕 ^01733

五、發明說明（4) 工程E :將全面作化學蝕刻，將非網眼圖樣部份之 合金之薄膜層予以溶解去除，以取得由喷濺附著上之其 銅合金之薄膜層，或由電解鍍敷所得之銅厚骐層 =或 構成的網眼導電圖樣。 積層所 Π::9有項一所二電磁波屏蔽用透明组件之製造方 的鋼表面施 氧化鋼或硫 工程F:將實行前述處理所得的網眼導電圖樣 作氧化或硫化處理，以形成褐色以至於黑色之 化銅表面，為其特徵者。 第11項一種電磁波屏蔽用透明組件，係於透明電（2 以開口率為56〜96%之方式形成以線寬為卜25 之銅為主t : 成份的網眼銅圖樣（2P)，為其特徵者。 … ! 第12項依第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其係於\ 網眼銅圖樣（2P)表面加設以褐色以至於黑色的著色層 |

(24)。 I i 第13項如第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前丨 述褐色以至於黑色之著色層（24)係由氧化銅或硫化銅所構丨 成，為其特徵者。 i 第14項如第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前 述透明片（21)係全光線穿透率為60%以上，且厚度為 0.05〜5 mm的熱塑性樹脂片，為其特徵者。 | 第15項如第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前i 述網眼圖樣（2P)係以由物理性薄膜形成手段所產生^銅為| 其主成份之銅的薄膜層（22)為其底層’而於該層上部形^

第8頁 4017S3 五、發明說明（5) —~〜—-〜- 電鍍手段所形成之銅之厚獏層（23)，為其特徵者。 第16項如第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件， 述以鋼為主成份之銅之薄膜層（22)之祺厚係5〇埃〜丨、中前 |而銅之厚膜層（23)為卜15 ，為其特徵者。 ’ 第丨7項如第11項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其此 述網眼圖樣（2P)之開口部之形狀為正方形或者為县太别 从从 V风々形， 為其特徵者。 第18項一種電磁波屏蔽用透明組件’其係於透明片（31 上設置以銅為主成份之網眼狀銅圖樣（3P)與透明導電性薄 膜層（32)，且使其全光線穿透率為50%以上，為其特徵 者。 ’、、 第19項 如第18項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前 述網眼狀銅圖樣（3P)上更設有褐色以至黑色之著色層 (33)，為其特徵者。 第20項 如第18項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前 述褐色以至於黑色之著色層（33)為由氧化銅或硫化銅所構 成，為其特徵者。 第21項 如第18項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前 述透明片（31)為全光線穿透率為60%以上之熱塑性樹脂片 所構成，為其特徵者。 第22項 如第18項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前 述網眼狀銅圖樣（3P)為線寬為1〜25 em且開口率為56〜96% 之正方形或長方形之格子狀圖樣，為其特徵者。 第23項 如第18項所述之電磁波屏蔽用透明組件，其中前

第9頁 五、發明說明（6) ~~ ~ ---- 述透明導電性薄膜層（32)之膜厚為1〇〇〜15〇〇 者。 π 碭具特徵 以下根據第1圖及第2圖說明本發明之第1發明，並以 圖說明本發明之第2發明，且以第6圖說明本發明之第3發 本發明之第1發明至第3發明中 I組件之基體之材質，可使用例如 基丙烯酸酯、聚苯乙烯或苯乙烯 聚4-甲基戊烯-1 酯之共 院、四 乙烯共 酸乙二 醋、各 甲酸酯 基體材 該樹脂 機械性 重合體 氰基十 重合所 醇酯、 種液晶 系、環 質可舉 因耐熱 強度等 狀鏈烯 環狀鏈 多芳基 之熱塑 鹽系之 板等之 性、非 用。 二烷等之環 成之非晶質 聚乙缔柰、 性聚合物等 氧系、石夕酸 出例如玻璃 性、耐氣候 甚佳，故適 ，作為電磁 玻璃板等之 與丙烯睛或 、聚丙婦或 烴單體所形 歸烴聚合物 化合物、聚 性樹脂、丙 熱固性樹脂 無機物及熱 收縮性、耐 無機物、聚气 笮基丙稀酸予 環戊烯、原级 成之早獨或读 、聚對苯二曱 硫醚、聚碳酸 烯酸系、氨基 等。而最佳之 塑性樹脂等。 藥品性及其他 基體之全光線穿透率通常約5〇%以上，較佳為6〇%以上 更佳為65%以上，特別是約85%以上最佳。 基體之形狀及其厚度例如可為厚度〇. 〇5〜5錢之膠片狀或 板片狀之物品。具鱧上可為厚度卜5m，較佳為卜3mm之強 化或非強化無機破璃，或為厚1為〇 〇5 5顯，較佳為〇 卜4mm，更佳為0.1〜3ram，特佳為〇1〜2關的膠片狀或板片 狀之熱塑性樹脂或熱固性樹脂。

第10頁 401733 五、發明說明（7) 本發明中 JIS K7105C 製之濁度計 則越透明且 前述基體 適當地複合 施以防表面 網眼導電 不同長之格 或者為斜向 具有3與5〜1 形者。 網眼導電 線寬可為1〜 又，作為 法、離子塗 屬以前述任 之施於透明 本發明中對 (1)關於第1 係以例如 薄獏形成手 前述手段 法為最佳。 ===== =;型裝置測量所—此值越大 一般為單獨之板狀或膠片狀之基體 兩種以上所成之複合基體。更甚者 反射或防紅外線或防紫外線等之加工。 圖樣之網眼之形狀例如可為長寬為同長或者為 子狀形狀，而開口部份可為直角四邊形之形狀 交又之形狀，亦即開口部份可為菱 〇個角的多角形狀，亦即開口部可為3與5、邊為 圖樣’特別是以 25/zm，較佳為3 物理性薄膜形成 敷法等。此等方 一方法將之形成 基體表面，而將 於前述金屬係使 發明 喷濺法、真空蒸 段形成出鋼或銅 中，喷濺法或離 銅或銅合 〜2 0 e m， 手段可採 法之共通 為氣體狀 之沈激而 用銅或鋼 鍍法或離 合金之薄 子塗敷法 但亦可為 可適當地 金為主成份之圖樣之 更佳為5〜15#1〇。 用喷濺法、真空蒸鍍 點為係將金屬或非金 態或離子狀態，再將 形成為薄膜狀，而在 合金者。 子塗敷法等之物理性 膜層。 為較佳，而尤以噴濺

第11頁 401733 五、發明說明（8) 以前述薄膜形成手段所形成之銅或銅合金之薄膜層， 中關於銅料，使用純銅較佳，而關於銅合金則可舉出其 以銅為主體之Cu/Zn(黃銅）、Cu/Sn (青銅）、Cu/Al、 ’如

Cu/Ni、Cu/Pd、磷青銅、Cu/Be等之合金。 銅厚膜層可利用電解鑛敷或無電解鍵敷箄之方法 者為利用電解鍍敷迅速形成所須厚度之銅厚膜層者。最隹 對於銅或合金薄膜層與鋼厚膜層之積層體，實質上 在實行化學蝕刻以形成導電圖樣時所經常可見到的線無 縮小化（側蝕）之現象，而可用較佳之再現性狀態形成所= 之網眼導電圖樣’故即使是細線寬之網眼亦可得到較低之 電阻值，亦即可得到較高之透明度及電磁波屏蔽性。 钢或合金薄膜層（2)係為形成銅厚膜層（4)所實施者，而 可發揮屏蔽電磁波之實質上之因素者，乃該銅厚膜層。銅 或其合金所形成之薄膜層（2)約為100〜2〇〇〇埃，較佳為 3〇〇〜1 700埃，而銅厚膜層（4)約為卜1〇 ，較佳為2〜8 # m ° 鋼或其合金所形成之薄膜層之厚度為前述之範圍時，可 迅速地實行鍍敷（特別是電解鍍敷），且在化學蝕刻工程中 不會發生侧蝕現象。 v方面’銅厚膜層（4)之厚度為上述範圍時，則具有充 份的電磁波屏蔽性。 電磁波屏蔽用透明組件之電阻值可為2〇〇m Ω/□以下， 乂佳為5〜150m Ω/□，更佳為5~5〇m Ω/口。 又’本發明中所謂之電阻值者係對所得之網眼導電圖

五、 樣 品 接 表 者 化 本 對 狀 量 之 出 須 作 理 施 氣 i〇i7d3 發明說明（9) ’以連結有三菱油化株式會社製L〇RESTA(LORESTA，商 名：MCP-TESTERFP)的電阻測量機，將四個端子緊密地抵 著前述圖樣之銅材表面並變換不同部位作測量所得者。 而褐色以至於黑色之著色層（5)係為提高辨視性所設。 f ’著色層之顏色可為褐色至黑色，較佳者為黑色。 前述著色層（5)係設於銅表面，儘可能為較薄且與該銅 面能強固地密接則較佳。其中以氧化銅或硫化銅所形成 最佳。而氧化銅或硫化銅可藉由將鋼表面作氧化或作硫 處理即可得到。 其次，說明有關電磁波屏蔽用透明組件之製造方法。 以下’記載較佳之實施方法之樣態。 於工程A中，作為基鱧（1)使用前述記載之基體，較佳為 ^具有65 /以上之Tt的前述片狀熱塑性樹脂。其中以聚 乙二醇醋、聚二醇柰酚與非晶質聚鏈烯烴之片 : 。又，該片狀物之厚度自處理性及前述Tt值考 ’使用0.1〜1mm程度之物〇去·也a ^ ▲ 者為較佳。又，於該片狀物 二銅；：：：力…，而喷-蒸鍍 實施任何前處理2場加工時’該片體並不 脫脂洗淨或實仃利用輝光或電暈之放電處理等之前處 關於喷濺之條件佑—妒你彳生缺> β 行則甚佳。即L- t: Γ ?可，但依下述之條件 等之惰性氣體)下實：低氣 10二低氣壓(氣體可為氩 貢仃低乳壓喷濺。此低氣壓喷濺係 五、發明說明（ίο) 相當於使用3極輝光放電、2極電暈RF放電、磁控管放電及 利用離子等之噴濺者，其中以使用磁控管之喷濺為較佳。 依該方法，薄膜形成速度較快’純度較高，且發生於嗔機 裝置真空槽内之溫度較低（最多為100 °C)。 在次一工程B中，係將在前述工程中所得到之銅或鋼合 金之薄膜層以光致蝕刻法將之顯像，而曝光出所要之網眼 圖樣。在此’光致蝕刻法為一般實行之感光性抗蝕劑之塗 布—罩膜之真空密接—曝光—曝光部或非曝光部之溶解除 去之顯像—曝光出所須之網眼圖樣。在此作為感光性抗蝕 ，包括有負型及正型兩種，負型者在曝光後係施以紫外光 線而將其光硬化者。正型者 ^ 身 玉有'為具有與負型者為相反之光特 處理時使= 光分解。而實行該兩者之顯像 曝光部份溶解除去。因：先=解除去’而正型者係將 祺（網眼圖樣為黑色），而對…罩膜，對負型者係使用正 為透明）。 對正型者係使用負膜（網眼圖樣 又’前述感光性抗蝕劑雖 型之丙烯酸系，而正型者係：特別指定，但-般係使用負 1為液狀，&直接塗布亦二用重氮系。又，該抗蝕劑因 亦可。 ’或預先製成為乾膜之膜狀 又，網眼圖樣之内容，特 時，除蝕刻法外，以印刷手」疋在須要非微細圖樣之圖樣 樣亦可。 去直接於薄膜層上現出網眼圖 於次一工程c中，以前述工 程之現出之網眼圖樣部份之 4Q17S3 五、發明說明（π) 則述薄膜層為基礎，於其上電解鍍敷以銅，而積層出厚度 為卜10 //m之銅積層。 。而電解鍍敷之條件以—般實行之銅電鍍之方法為準即 可°、例如使用硫酸銅與以硫酸為主成份作調製之硫酸銅鍍 ，浴之場合，以含磷銅為陽極，於其中浸潰以前述形成薄 之熱塑性樹脂片作為陰極，以陰極電流密度 〇.5 6A/dm2 ’溶液溫度15~3(Kc，鍍敷速度〇•卜

m / τπ i n管并·。杳缺 4X ± & 苜…、’其他之方法例如以氟化銅與氰化鈉為 «这μ之鍍敷浴而實行之鍍銅，亦即電鍍氰化銅，或者以 焦磷酸鋼；成份的鍵敷浴而實行之鍍銅，亦即 份之：Dr抗在二^二程中未現出之殘存的非網眼圖樣部 可使用各種有制離除去。而該剝離除去之工程-般 搖動浸漬者。谷劑或鹼性水溶液之剝離用藥液作喷射或 將眼全圖面二化學性姓刻，而化學姓刻之時間 溶解除去為止。化學ί =份之銅或其合金之薄膜層完全被 而有變動。因將時間依該薄膜層之厚度之不同 解鍍敷之層厚，係被^ 2作化學蝕刻，故工程(：時之銅電 量而變薄，但因比Ϊ =㈣掉相當於該薄膜層厚度之份 解錢敷所生成：二之厚度⑽，。。埃），但電 阻值實質上無變化。犋層為相當厚之故（UOam)，故電 化學飯刻法係將銅或銅合金以姑刻液作化學性溶

第15頁 4Qt733 五、發明說明（12) 解除去之操作。 者即可，並無待別蝕刻液只要為可溶解該銅及銅合金 銅之水溶液，但你ί制。一般可使用通常的氯化鐵或氯化 酸或過氧化氫系水物較前述者可作更令性之蝕刻之例如疏 將非網眼圖樣上 j等亦可。因為此處之化學蝕刻只要 極薄之層予以噴濺法形成之由銅或銅合金所構成之 i = 因為所須之導電函樣能自行生 樣之物品不同。較厚之鋼層以化學法蝕刻而形成導電圖 化學蝕刻時間約A ? n 馬上以水洗，在短時間内結束，結束後 工程實施以乾燥而終了全行程。 他色，以神工程Ε中得到之銅導電囷樣之表面，著色以其 者較ϋ ,善其辨視性者。在此，此其他色為褐色至黑色 化銅之〜因此可使用氧化銅或硫化銅加以實行。此利用氧 ί色係將該導電圖樣接觸氧化劑，而以化學方法將 =氣化而形成氧化膜之表層膜。一方面，利用硫化銅 之 係1乂與硫化劑接觸之方式實行。因此，因係以化學 小生方ί去-Ά *左加u著色’故與使用不同種材料作塗裝等之設置新 的著色層之方法不同，即使是較薄層亦可一體形成 故不 會產生韌離。 則述氧化劑可適用多種，而以鹼性之強氧化劑之水溶液 為1x1彳圭°此種液體例如可為將亞氣酸鈉以氫氧化鈉結合成 驗性之水溶液，而將物質浸清於其中即可，浸溃 數分鐘。 ~ 藉由改變該水溶液中之氫氧化鈉濃度、亞氣酸鈉濃度或

第16頁 繼733 五、發明說明（13) 3時間等，改變生成之氧化 碣色至黑色之範圍自由改變。 曰曰構& *顏色可在 &又，作為硫化劑可使用例如以硫磺 < 其無機彳t 如硫化鉀）為主成份之A& 嗜次其無機化合物（例 想杜, 砥伤之水溶液。在此，硫磺之場合，甚罝 灰：二不甚佳，因此可依須要於其中添加生石 在炉助；的硫化卸而將之水溶液化。-方面， 化:：d二：ϊ進反應乃併用氣化錢等將之水溶液 =之時間及溫度等皆可藉由適當之實驗加以決定。 閣 程A至工程F處理所得之透明組件之構造作更詳細之 圖示時乃如第1圖所示。該圖為其槿.生 #、’之 忒圃两具構造之一部份之斷面 。該圖中’ 1為Tt65%以上之片狀熱塑性樹脂，2為喷濺 銅或銅合金所成之薄膜層，2a為施加蝕刻法所成之網眼圖 樣曝出部份，3為作全面塗裝之感光性抗蝕劑以之殘留部 份，4為於曝出部份之薄膜層上以電解鍍敷方法積層所得 之銅厚膜層，5為氧化銅表面層。又，第2圖為工程F之立 體圖，6為其開口部，此開口部之全體面積將影響”之變 動。 除前述記載之較佳製造方法外，例如在預先實行銅之噴 濺與電解鑛敷後’實行光蝕刻法與化學蝕剡法，或者先實 行銅之噴滅’再將所得之銅薄膜層作光蝕刻與化學蝕刻， 又 ’前述製造方法所形成之導電圖樣之再現性之確認之

第17頁 而將薄膜圖樣化。其次電解鍍敷以銅，而僅將圖樣部份電 解鍍敷積層以銅等。而工程A至工程E之方法在原稿圖樣之 电實再現性方面甚為良好。 _733 五、發明說明（14) 標準為該圖樣為網格狀（格子狀），且線寬為Mem以上， 節距100 V"1以上，厚度為10以下。將2. 54cm以節距加 以除算所仔者即是網眼度。 (2 )關於第2發明 電磁波屏蔽用透明組件上所設之以 圖樣⑽之線寬可為卜25 "，較佳為3〜2〇ρ，更佳= 5〜1 5 # m。 令 磁：Ϊ ϋ t材料係以銅為主材#，其較其他金屬，自電 之容县垮笙丨从* 荨綜σ性之觀點（性能、品質及製造 主成份者伤細十^、’、最佳之材料。在此所謂以銅為 成伤者係心銅或銅與其他金屬之人 麵）、Cu/Sn(青銅）' Cu/A1、「 〇 例如為Cii/ZU( η

Cu/Be等之以銅為主體之兩種合金'、Cu/pd、Cu/Pb、 等以銅為主鱧之三種合金。〇 或為Cu/Sn/P(磷青銅） 又，前述線寬所造成之銅閱拔 義為使用線寬為1〜2 5 # m之辆A +形態係為網眼狀，其意 品，較佳為帛口部之形狀為/H之連續線狀之物 網眼，而3與5〜10角之多角妒 $或為長方形之格子狀之 適用。又，更佳者可為正方甚^是圓形之網眼等亦可 該圖樣所具有之開口部之^ 方形之網眼圖樣。 佳，而為60-90 %程度則最佳=口率（面積）為56%〜96%較 又，關於前述開口率之求取 方形之格子狀網眼圖樣為例在，乃舉前述正方形與長 首先，以第4圖與式1說明前述正方开、 方形之場合。於該圖 401733 五、發明說明（15) 點線與實線交又之揭示部份B為開口部，此開口部B係 以將1個銅圖樣P作為構成單位之A所形成。因此，可用式1 求得開口率為56〜96%。其中，a為在卜25/zm間所選出之銅 圖樣之線寬’b為構成單位A之一邊之長度（//m)。 開口率= 100x {(B之面積）/(A之面積）} = 100 X (b-a)2/(b2) (式 1) , 其次’以第2圖及式2說明長方形之場合。於該圖中，點 線與實線交叉之部份G為開口部，此開口部G係以一個銅圖 樣P為其構成單位之Η所形成。因此，可用式2求出開口率 為56〜9 6%。其中c與d為從卜25/zm間所選出之銅圖樣之線 （！ 寬’ 一般為c = d ’但亦有c共d之場合。e與f為構成單位Η之 長邊之長度（em)與短邊之長度（#m)。 開口率= l〇〇x{(G之面積）/((][之面積）} ： =1 00 X {(e-d)X (f-c)}/(f X e)(式2) ! 其次，說明如前述之構成之第2發明之電磁波屏蔽用透 明組件之製造方法。關於此製造方法試舉三例，但並不只 限定於此。 首先，第1例為利用在前述透明片上介以透明接著劑接 著以銅箔所成之貼銅片，於其上塗裝感光性抗蝕劑後，利 用光學蝕刻法（曝光—顯像光學蝕刻）將線寬卜25#m且 開口率為56〜96 %之網眼銅圖樣設於前述透明片上者。 第2例為於前述透明片上首先設置形成無電解鍍敷用之 鍍敷核用之基底層（例如聚羥乙基丙烯酸酯之類的親水性 樹脂），之後於該基底層上設置以鈀為觸媒的化學鍍敷用

第19頁 40ί733 五、發明說明（16) 一' 無電解鍍敷層，再將該鍍敷層以銅類之無電 處理’而於全面上設置厚度為卜1〇“ m之銅層，將此無 解鍍敷所得之銅層以與前述銅箔之場合為相回—i /阳丨叫之方式作光 蝕刻，而於前述透明片上設置線寬卜25 Αηι且開口率為 5 6〜9 6 %之網眼銅圖樣。 、… 第3例為將前述透明片上所設之線寬為丨〜2 s , 且開口率 為5 6 ~ 9 6 %之網眼狀銅圖樣’以利用物理性薄胺 崎联形成手段所 生成之以銅為主成份之銅薄膜為下層，而以利用錢敷手^ 所生成之銅之厚膜層之積層為其上層，為其方法者。 又 前述第3例之方法具體上可用以下兩方法例示。首先，， 其一者為在前述透明片上利用物理性薄膜形成手段，例如 喷錢法、真空蒸鍍法或離子塗敷法設置以鋼為主^份之厚 度約為50埃〜1//ΙΠ ’較佳為1〇〇埃〜0.7^^之薄膜層。”其次 於該膜之全面上以鑛敷手段，例如以電解實行銅的鑛敷， 而積層出厚度約卜10/zm之厚膜層。最後將前述銅之厚膜 層以光钱刻法變成所須之網眼圖樣。 | 另一個方法為與則述者相同，於透明片上以物理性薄膜 形成手段設置以銅為主成份之厚度約5〇埃〜丨以^，最佳為 100埃〜0. 7 之薄膜層。其次以具有網眼圖樣光罩對該薄 膜層施以光學蝕刻法（自利用光罩之曝光至顯像為止之工 程）而將該圖樣部形成出。亦即，在此，非圖樣部係以感 光性抗蝕劑作罩蓋《其次在曝出之前述圖樣部之該薄膜層 上以鍍敷手段鍍敷以銅，而積層出厚度約卜lOym之厚膜 | 之該圖樣層。其次將殘留於非圖樣部上之前述抗蝕劑以溶丨

第20頁 40J733 "、發明說明（17) ~~~ _ ~~ 劑加以剝離除去。最後藉由將全面作化學蝕刻，於將非圖 樣。P之刚述薄膜層除去後立即停止姓刻。因將全面作化學 麵刻，已形成圖樣之鍍敷上之銅亦將被同時蝕刻。而因非 圖樣部之薄膜層較早被姓刻，故鍍敷上之厚膜部份之銅之 厚度之減少情开>極為輕微，實質上仍可維持其層厚，且不 會產生侧蝕現象。 、 以上三種例子的方法中，較佳之方法為併用第3例之物 理性薄膜形成手段與鍍敷手段者。 ^次丄說明有關設置褐色至黑色之著色層（24)的電磁波 ΠίΓΓ牛、。此著色層係設於上層之銅厚膜層之表 件，it @ =褐色至黑色範圍之該電磁波屏蔽用透明組 ί時觀看pdp等之畫面時，較容易觀看，且 :棱间不產生莫爾干擾條紋等時之: 方面增加其辨視性。 汁7Γ』從其他 純里多；5蔣兩A * 則迷褐色至黑色係包括純褐色至 純黑色及將兩色適當混合所產生之 =至 關於設置前ί著，色：層係較純褐色為佳。 可為以下三種例示。（）之手段並無特定之限制，例如 (丄）將在塗裝用樹脂中混合有褐色至璽 之塗裝樹脂液塗裝於網眼銅圖樣表面^色之著色顏料所成 ϋ 5，餘法形成網眼銅圖樣時’使用預先著色成福 色至黑色的感光性抗蝕冑便用預先著色成褐 蝕劑不剝離而維持肩 留於該銅圖樣上之前述抗 f付原狀殘留之方法；

五、發明說明（18) (il〇將網眼銅圖樣作氧化或硫化處理而 化銅或硫化銅之化學性方法。 表面改變成氧 前述三個方法中，以（i · ^ ^ /t U· + 1 )之氧化或硫化處理之化學性 方法為較佳。此方法與其他兩方法不同， 銅圖樣層-艘形成，故與鋼之界面間之dm 硫化銅表面層之厚度與著色之色調。變此氧化銅或 前述氧化處理，例如可為將所得之電磁 件浸潰於將亞氣㈣以氫氧化納調用透明^ 即檢性之強氧化劑水溶液中，而將之改變匕液’： 關於處理條件(溫度、浸漬時間、鹼濃成氧化銅。在此 等）可於事前先作| 4铁、 i亞氣酸納》農度 理者例如可用…其無機化合物(：’二化處 份而作成水溶液，再將之與前述電化鉀）為主要成 觸在此使用硫磺時，因單獨使用時效率不馇，其 中添加以生石*、路素，有必要時 故於f ‘ 巧乂安时更〗添加作為助劑之硫 =而作成水溶液。-方面在硫化鉀之場合，為促進反應 可併用氣化㈣將之水溶液化。前述任意場合之接觸時間 及溫度等可藉由適當之實驗決定之。x，由氧化銅或硫化 銅所形成之表面層之厚度可藉由氧化及硫化自由變更若 太厚時則作為銅圖樣之電阻值將變大，其結果將導致電磁 =屏蔽效果降低，故多設成為電阻值約為不超過200πιΩ/ D的氧化銅或硫化銅之表面層厚。 (3 )關於第3發明

第22頁 4Q17S3 五、發明說明（19) 於基體（31 )上形成以銅為主成份之網眼狀銅圖樣（3P)與 透明導電性薄膜層（3 2 )。首先於其形成之時，使最後得到 的透明組件之全體所具有之Tt成為50%以上，最佳為60%以 上。 在此說明有關前述網眼狀銅圖樣（3 p)。 該圖樣之材料之所以用銅為主成份者，係因自賦與電磁 波屏蔽性之點作綜合性之檢討（性能、品質及製造之容易 度等）其較其他金屬，乃屬最有效之材料之故。在此所謂 以銅為主成份者，其意義為包括有純銅或銅與其他金屬之 合金，例如Cu/Zn(黃銅）、Cu/Sn(青銅）、Cu/Al、Cu/Ni、 Cu/Pb及Cu/Be等之以銅為主體之兩種合金，及cu/Sn/P(磷 青銅）等之以銅為主體之三種合金等。 又，前述圖樣為以連續銅為主成份的銅連續線，乃具有 某種形狀之開口部，而為規則性地配置於網眼上的圖樣。 具體上，開口部可為正方形或長方形之格子銅圖樣，亦可 為菱形或圓形或3角或5~10角之多角形之銅圖樣等，其中 | 以正方形或長方形之格子狀銅圖樣為最佳。 該圖樣之線寬可為1〜25从m ’而為3~2〇em較佳，而為 5〜15//m更佳。又’開口部可為56〜9 6%，最佳為60〜90%。 關於此開口度與前述者相同，可利用式1及式2求之。 丨 又，關於前述網眼狀銅圖樣之厚度’為將電磁波屏蔽效 i 果發揮至最大限度’須使其膜厚為較透明導電性薄膜層 (32)為厚’但過厚時其效果則無法提昇。其意義為設定成 0.5〜10 較好，較佳為設定成卜7 。

第23頁 401733 五、發明說明（2〇Γ~ ~~~~~~~~ ' 其次’說明有關前述透明導電膜層（32)。首先，該薄膜 層乃作為刖述網眼狀銅圖樣（3Ρ)之下層或上層設於全面 上。又，此層係以透明且具有導電性，亦即係以較低阻抗 性之導電性素材形成，但此透明度須使全體之Tt至少不小 於50% ’故儘可能使用Tt較高之物品較佳。又，易形成薄 膜層之基體（31)與網眼狀銅圓樣（3P)均以具有充份之密接 力之物品較佳。關於透明導電膜層（32)之膜厚可為 100~1500埃，較佳為15〇〜1200埃。 前述透明且具有導電性且容易形成薄膜層之導電性材例 如可舉出銀、白金、鋁或鉻等之金屬單體，或氧化銦、二 氧化錫、氧化鋅或氧化鎘等之金屬氧化物，或為於氧化銦 中參雜以錫所成之銦錫氧化物（ITO)，或為於二氧化錫中 參雜以綈所成之錄錫氧化物（ΑΤΟ)，或為於二氧化錫中參 雜以氟所成的氟錫氧化物（FT0)，或為於氧化辞中參雜以 铭所成之銘鋅氧化物（ΑΖ0)或氧化姻與氧化辞之複合氧化 物等’較佳者為金屬氧化物或經參雜之金屬氧化物，特別 是ΙΤ0等。 其次，說明有關高電磁波屏蔽用透明片之製造方法關 於此装造方法並無特別之限制，例如可舉出以下四例。 第1方法為於前述透明基體（31)之單面上設置無電解錄 敷將用到的形成有鍍敷核之基底層（親水性樹脂）（例如聚 經乙基丙婦酸醋）’復於該基底層上設置以鈀為觸媒之化 學鑛敷用無電解鍵敷層’將該鑛敷層以銅料之無電解鑛敷 液做處理，依狀況須要亦可施以銅之電解鍵敷，於全面上

第24頁 403733 五、發明說明（21) 設置1〜10/ΖΙΠ之銅層。其次使用具有所要的網眼 罩膜而以一般之光蝕刻法形成網眼狀銅圖樣。 樣的 其次積層出包含前述網眼狀銅圖樣的全 =層⑽。該薄膜層之積層法並無特別：=明= 述例示之使用導電性素材之利用真空蒸鍍法、 子塗敷法等之物理性薄膜形成手段作積層者。其中，^離 法為較快速且可形成高品質之透明導電性薄膜故甚佳噴濺 =2方法為使用在前述透明基體（31)上接著層合以銅 成之貼銅片的方*，亦即將前述貼鋼面以㈣述例： 同之光蝕刻法作成所要的網眼狀銅圖樣，再於該圖樣之 上於全面上以物理性薄膜形成手段設置以透明導^性薄 者0 第3方法係首先利用以銅為主成份之銅薄膜作為底層， 而於其上以鍍敷手段，例如以電解鍍敷法鍍敷厚膜之銅， 以形成設於透明基體（31)上之網眼狀銅圖樣（3p)。之後， 於幵^成之前述銅圖樣（3P)之全面上以與前述方法相同之方 法積層出透明導電性薄膜層。 又’形成前述銅圖樣本身之方法計有以下I及Π兩種。 方法I為於前述透明基體（31)之面上，使用以前述銅為 主成份之銅素材，以前述物理性薄膜形成手段，設置出厚 度50埃〜lem，最佳為100埃〜〇.7em之厚度之薄膜層。其 -欠於讀薄膜層之全面以電解鍍敷法鍍敷以銅料，而積層出 厚度為1〜l〇#m之厚膜層。最後使用具有所要之網眼狀圖 樣畫像之罩膜，並使用光蝕刻法作光蝕刻。藉此，以銅薄

第25頁 五、發明說明（22) 膜層為底層，而於其上積層出銅之厚，而形成有兩層構 成的網眼狀銅圖樣。 方法II係與前述者相同，於透明基體（31)面上以物理性 薄膜形成手段設置以銅為主成份之厚度為50埃〜丨，較 佳為10G埃〜0.7,的薄膜層。其次將該薄膜層以具有所須 之2圖樣畫像的革膜加以罩蓋，復以光 在此，•先將非圏樣部以感光性 ^ ^ ^ :曝出之該圖樣部之前述薄膜層上以鍍 敷手奴電解鍍敷以銅，而積層出厚度 =去其次將非囷樣部上所殘留之前述二厚以膜容之媒 其次將其全面作化學私丨 U*. , 層溶解除去後立即停’ i::述非圖樣部之該薄膜 形成圖樣…鋼層亦面作化學㈣，故已 膜層較早被蝕刻，^、 因為非圖樣部之薄 實質上仍可維持原來的厚度。 之減〆量極小， 第4方法為以透明導電性薄膜層 設置網眼銅圖樣（3fm 為下層，而於其上 (31)之單面之全 你，。具體上係首先於透明基體 形成手段設置出透明導電材料而利用物理性薄膜 之網眼狀圖樣畫像罩’氺。其次使用具有所須 圖樣之部份曝光:f,以光蚀刻法作顯像，而將相當於 劑作罩蓋之狀ί。亦即在此非圖樣部係為利用感光性抗飯 其次乃於形成前述圖樣部之曝出部份（透明導電性薄膜

------- 五、發明說明（23) 部伤）電解鍍敷以卜1 〇 y m之銅。最後將非囷樣部份上之殘 存抗飿劑剝離（或溶解）除去。 亦即此方法為以透明導電性薄膜層（32)為下層而設置於 全面上’於其上層設置以所要的網眼銅圖樣（3p)為i構成

者。 八 I

I 又’於導電性薄膜層（32)上電解鍵敷以銅時，依該薄媒 層之材質之不同，將有電解鍍敷環境（通電性或對電解鍍 敷液之忍耐性等）及與鍵敷上之銅間之密接性等之問題。 士場合可施行各種測試而了解密接用之前處理條件例如 前述薄膜層為ITO之場合，因其與銅鍍敷層之密接性較 〆 弱，故須預先於ITO層上實行銦鎳等之各種無電解鍍敷，！丨 而於其上再電解鍍敷以銅β 惟，前述四例之方法中，第3及第4方法因不須要接著劑 層故較佳。 著色層（33)之顏色選擇褐色至黑色者較佳。 又，此褐色至黑色之意義為可為褐色或黑色之單色，或 為兩色適當混色所成之色’最佳者為黑色之深黑褐混 色。 具體上之著色方法可例示出以下之第5至第7之方法。 第5方法：將褐色至黑色之顏料與塗裝樹脂混合而調製出 塗裝樹脂液，再將該液薄薄地塗裝於網眼狀銅圖樣（3{))之 表面的一種方法； 第6方法：在使用光蝕刻法形成網眼狀銅圖樣（ρ)時將 所使用之感光性抗姓劑預先著色，而將殘留於該銅圖樣上

第27頁 4〇ί733 五、發明說明（24) 之前述抗蝕劑不予剝離而維持原狀的一種方法； 第7方法··將網眼狀銅圖樣（3P)作氧化處理或硫化處理而 將表面改變成氧化銅或硫化銅之一種化學性方法。 其中以第7方法為較佳。 前述氧化處理，例如將所得之網眼狀銅圖樣（3p)以亞氣 酸勒和氫氧化鈉兩者作鹼性化所成之水溶液，亦即鹼性厶 強氧化劑水溶液做浸漬，即可容易地將之改變成氧化銅。 關於此時之條件（溫度、浸潰時間及鹼濃度及亞氣酸濃度 等）於事前藉由測試而決定出最佳條件，則較佳。 又，硫化處理，例如以硫磺或其無機化合物（例如硫化 2)為主成份作成水溶液，而將之與前述銅圖樣表面接 觸。在此，若使用硫磺時，因單獨使用時 ;，故可添加生石灰或路素’依須要更可添加ϋ二 = = ί化。一方面，硫化鉀之場合，為促逢 成水溶液。其中任-者其接觸· 由改變，但太過厚時銅圖樣之電阻值 i 成電磁波屏蔽效果之減低。其電 /、、，·〇果將过 而以不超過此值之方式：可值可為約2〇〇…口， 銅層較佳。 式傻了能作成較薄之氧化铜層或硫化 又，設於全面上之透明導雪妯 網眼狀銅圊樣（3P)之下層或上展 < 層（32)如前述係作為 設成上下兩層亦可。此兩層之:設置，但夾持該圖樣而 層之％合更可提高電磁波屏蔽性

401733 五、發明說明（25) 且可更有效地保護該圖樣。 實施發明之最佳型態 以實施例及比較例詳述本發明。又，電磁波屏蔽性及全 光線穿透率T t及莫爾干擾條紋可用以下之方法測量。 電磁波屏蔽性係以利用財困法人關西電子振興中心法 (一般稱為KEC法），在100〜1000MHz之頻率範圍内所測量到 的電磁波衰減率（dB)加以表示。 全光線穿透率以係以利用jis K7105C1981)之日本電色 工業株式會社製之濁度計型之NDH-2 0D型裝置作測量所得 之穿透率（％)。 莫爾_干援條紋係在將所得之電磁波屏蔽用透明組件，方 顯’、畫面之前面’以間隔l〇mm之方式設置時之莫爾干 擾條。纹之情形之以肉眼所目測所得之狀況。其產生之程方 I用又評價之’在完全不發生或無法球認時以◎表 :明之問題時以〇表示’若… 貫用上之問題時則以χ表示。 ⑺又总，於開口率可藉由本文中所說明之式1或式2加以冷 件，係與辨视性配合而實行碟認。 (實施例1 A) 使用厚廑1 9 r 伸帑對-_ ’尺寸400 x 1 00 0龍’ Tt = 90%之二軸延 —1 ^二甲酸乙二醇酯（以下稱為PET膜片），於實行下 ⑴先實行輝光放電之前處理。將經前處理之

第29頁 ^01733 _____________ 五、發明說明（26) PET骐片以與鋼靶對峙之方式配 真空槽内，在將空氣完全置換成於磁控管式，滅裝置之 次的重覆喷機蒸鍍。 電壓以之方式作三 依前述方式所得之銅薄膜之厚縻 其芈妁1 ^ 哎為1 200埃（± 100埃）而 甚十均。又，雖切取一部份作帶剝 剝離之情況。 妒到離測试，但銅薄膜並無 其次於前述所得之銅蒸鍍膜片 ^ ^ ^ ^ 敷以正型抗蝕劑而設置出厚度5心之抗蝕劑層…於前 l抗：Λ層二上，作線寬15”且節距為150心之網狀圈 樣（網眼度= 170)之描繪用之負型祺片（該圖樣部份為透明 而非圖樣部份為黑色且被描繪成網狀的一種罩膜）之真* 密接後，加以曝光。（以超高壓水銀燈為光源，昭射二 130mJ/cm2)。以此曝光，係將網狀圖樣部份之抗蝕劑予以 分解，而於以顯像液將此部份溶解除卻後，最後將之水洗 乾燥。非圖樣部份之前述抗蝕劑將與前述銅蒗鍍面密接而 殘留。因此’非圖樣部份係被罩蓋，而圖樣部份則曝出其 銅蒸鍵層。 其次對刖述曝出之網狀圖樣利用以下之條件作銅之電解 鍵敷。亦即以含峨銅為陽極而以前述圖樣為陰極而以硫酸 銅與硫酸與水之混合液作為鑛敷液，以2 3 °c之浴溫度，並 以1.7A/dm2之陰極電流密度及0.3 #m/min之鍵敷速度作電 解鍍敷。之後將之充份洗淨並作乾燥。 其次於前述電解鍍敷物之全面上喷射以丙酮，同時輕觸

第30頁 五、發明說明（27) 塗布，再將非圖樣部份 —— 及乾燥。將所得物作部殘存抗蝕劑溶解除去，再作水洗 時，發現積層之鋼鍍數^ ^取，以顯微鏡放大觀察其斷面 為15.1 ’厚度（高 呈現為極精細的角柱狀，其寬度 層為極精細之角柱=，馬4,9以®。在此，欲將鍍敷層積 因此框體係正確且藉預先以光致抗蝕劑製成框體，而 其次將前述：：： = ?成，故可沿此框積層以銅料。 樣部份之抗姓劑予以溶解於㈣中而將殘存之非圖 ^ VI -V ·+· 容解除去後，再將之水洗及乾燥，之 後以下述條件作全面之蝕刻。 作為化學㈣液可使用含有硫酸及過氧化氫的水溶液， 而將之置入浴槽内，而一邊攙拌同時實行前述蝕刻。蝕刻 時間為30秒，30秒後立即水洗並將之乾燥。於pET膜片上 形成170網眼度之精細的導電圖樣，而設成將之彎折18〇度 時亦完全無剝離之狀態。所形成之導電圖樣之線寬為丨5 A m，厚度為4. 8 //m。 又’該圖樣為角柱狀且完全看不到有侧触之現象。此物 品之電阻值及電磁波衰減率係整理如表1所示。 表 例 電阻值 (m Ω/ □) 電磁波衰減率（dB) Tt (%) 100MHz 500MHz 1000MHz 實施例1A 15.7 48 48 50 厂 66.1 實施例2A 15.4 41 41 47 68.1 比較例1 A 204 15 19 7 83.0

比牧 1外1 Λ 1 Z U 4_—I 1 °_1 ^ 1_[_ u^LL^LJ |Ί·ΗΓΊ^8 _________ ___—-—---------------- " 第31頁 401733

五、發明說明

(28) (實施例2 A) 除將實施例1中之以下條件 相同之方式，經由各工程首 外’以與實施例1 由銅所形成之導電圖樣。 於£1<膜片上積層出網狀之 •以嗔賤銅加工所形成之薄膜4之 .正型抗蝕劑之塗裝厚度為7…為700埃。 .負型膜片之圖樣畫俊盔换*〇c r ^ BP ^ 1 π 1 w ,篆為線寬25 #m/ 節距250 (網眼度= 101)之網眼狀圖樣 •銅之電解鍍敷厚度為6.8 •化學蝕刻之時間為5〇秒 m 前^人所二之導電圖樣之厚度為6.6"m，線寬為25.〇以 九王…、側蝕，其斷面經觀察為精細之角柱狀。 其次為，，述形成之鋼之導電圖樣表面著色成黑色至 、，乃以氫氧化鈉與亞氣酸鈉所構成之水溶液作為氧化 冷，將之以70 °C浸潰全體五分鐘。經過五分鐘後將之取出 並加以水洗乾燥。該圖樣之銅係變化成黑褐色，其著色層 之厚度約為0.52 °此物之電阻值及電磁波衰減率及Tt 係整理如表1所示。 又’將前述所得之著色導電圊樣PET膜片以l〇mm之距離 心垂於等離子趙顯示器之畫面上此時觀察畫像時發現其 比實施例1A之未著色品更容易觀看而不會造成眼睛疲勞而 可輕鬆地辨視。

第32頁 401733 五、發明說明（29) (實施例3 A ) 首先，以與實施例2A相同之條件於PET膜片上形成出由 積層銅所構成之網狀導電圖樣。接著於其中以硫確為主成 份添加以生石灰、酪素及硫化鉀並以蒸餾水溶解而調整出 硫化浴，而於該浴中以4 〇 °C接觸6 0秒。立即將之取出水洗 及乾燥。該圏樣之表面係被著色而較實施例2變的更黑更 鮮明。當然不會有著色手段對囷樣造成不良影響之情形。

(比較例1 A ) I 除將實施例1 A中之以下條件加以改變外，乃用與實施例 1A相同之條件順序實行各工程而製作出比較用之具有導電 圖樣之PET膜片。 •負型膜片之圖樣畫像為線寬l3;(zm/節距200 #ra (網眼度=1 9 5 )之網狀圖樣 .電解鍍敷銅之積層厚度為0.8 所得到的PET膜片上之銅質導電圖樣之線寬為1〇〜12 v m，且銅之厚度為〇.6~0.67"m ’而不固定。關於此參差情 开> 因則述網狀圖樣之線寬與銅之鍍敷之厚度甚小，故被認 為應是由化學姓刻所造成之細化及銅之電解鍵敷造成其不 均者。 丨 所得物品之電阻值及電磁波衰減率及以係如表1所示。I -又，本發明中之電磁波屏蔽用透明組件雖可直接使用， 但因圖樣係以銅形成而考慮到外力之傷害等因素，於實際 使用時於其全面上設置保護膜較佳^關於該保護膜之選擇· ΙΒΜΓΜμμ 第33胃 401733 五、發明說明（30) 當然以具有強接著力之物品為較佳，但也須考慮到使其具 有較佳之透明度及對水份及氧氣之抵抗性及耐衝擊性及耐 熱性及耐藥品性等。具體上可利用例如丙烯酸系、氨基甲 酸酯系及矽酸鹽系等之硬化型有機系物質，或無機系化合 物’例如可舉出二氧化石夕為其代表。 又’二氧化石 夕所構成之保護膜係較前述有機系為佳其 係因為喷濺二氧化矽時可形成物理性之保護膜，但使用化 學之方式例如塗裝以全氫化聚矽氨烷溶液，而將之加熱及 加水使之分解成二氧化矽，或者以使用多機能烷氧基矽烷 之so卜gel法，形成二氧化矽保護膜者亦可。 (實施例1 B) 首先’作為透明片，乃使用厚度、大小4〇〇 x lOOOmin且Tt為90%之二轴延伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜片 (以下稱為PET膜片），而以輝光放電將其單面作前處理。 之後，此前處理過之pET膜片以與銅靶對峙之方式配置於 磁控官式之喷濺裝置之真空槽内，在將空 氣所得到之真办麿1η-3τ 置換成鼠 具&度為2x l〇3Torr的環境下，以DC9kw的投 入電1以lm/min之方式重複作三次之喷濺蒸鍍。 又 依前述方式所得之銅薄膜之厚度為而甚平均。 又’切取其—部份並弩折1 度時發現銅薄膜無剝離之情 其次對所得到的前述銅蒸鍍PET膜片以下述條 鑛面實行銅之電解錢敷”亦即，在硫酸銅與硫酸件之對見鋼^

401733 五、發明說明（31) 溶液之鍍敷浴中，以浴溫度2 3。(：、陰極電流密产 1.7A/d# '錢敷速度〇.3 em/min之條，件實銅^電解鍵 敷。依前述方式所得之銅鍍敷層之厚度為2wm，甚平ς 且切取其一部份並寶折180度作測試之結果與前述相同 無自PET膜片剝離之情形。 其次將前述所得之銅鍵敷PET膜片以下述條件作光蝕 餘而變成網眼狀導電圖樣。 首先，以塗裝輥於銅鍍敷層面上施加正型光致抗蝕劑， 而塗裝出厚度。其次對其真空密接以具有線寬15以 m、節距180 之正方形之格子圖樣畫像之罩覆用正型膜 片後’以紫外線光源作130mJ/Cm2之曝光。之後，喷濃顯 像液，將曝光部份（非格子圖樣畫像）之抗蝕劑溶解除去， 再加以水洗。其次將之固定於蝕刻裝置之槽内，將之搖動 浸漬於20 t之過氧化氫-硫酸系蝕刻液中，將相當於曝光 部份之銅鍍敷層與基地之銅喷濺蒸鍍層做兩分鐘蝕刻將之 除去，經水洗及乾燥後，最後浸潰於氫氧化鈉水溶液（濃 度5%)中1分鐘，將殘存之未曝光部份（格子圖樣畫像）之抗 餘劑膜予以剝離除去，將之變成為正方形之銅圖樣。 其次為將前述圖樣表面著色’係以下述條件作氧化處 ，。亦即，將具有前述銅圖樣之PET膜片全體以加熱至70 C之氩氧化鈉與亞氣酸鈉之溶解於水中所得之混合水溶 液’作5分鐘之浸潰後取出，再作水洗及乾燥。銅圖樣之 表面係被氧化而變成黑褐色之氧化銅層。此氧化銅著色層 之厚度為1 y m。

第35頁 401733 五、發明說明（32) ---- 所得到之著色銅圖樣甚為精細，線寬為14 ，約以 1之比率現形。而Tt、開口率、電磁波屏蔽性、莫爾干擾 條紋及辨視性之測量結果係整理如表2所示。 本例所形成之電磁波屏蔽用透明組件之構成係如第3圖 之立體圖所示。21為PET膜片、22為铜薄膜層而23為實行 電解鑛敷所形成之銅厚膜層，此兩層成為實質之銅圖樣層 2P。24為氧化銅所構成之著色層。 表 2 例 銅圖樣 開口率 (°/〇) 全光線 穿透率 Tt(%) 電磁波屏蔽性 (dB) 莫爾 干擾 條紋 辨視性 1 00MHz 500MHz 1GHz 實施例1 B 84 76. 0 38 37 38 ◎ 畫像鮮明 容易觀賞 貧施例2 B 81 73. 4 43 43 49 ◎ 畫面鮮明 容易觀賞 比权例1 B 69 65.0 41 42 43 X 莫爾條紋 較強較刺眼 比較例2 B 49 46.8 56 — 51 52 . 〇 莫爾調紋 雖較輕微 但全體甚晚 (舍施例2 B)

使用以與實施例1B相同之條件作喷濺所得之銅蒸鍍PET immnHi 第36頁 401733 發明說明（33) 膜片，先以下述條件’利用光韻刻法曝出正方形格子圏 樣。亦即，於該銅蒸鍍面上以塗裝輥塗布負型抗蝕劑，而 設置厚度2#m之抗蝕劑層。又，於該抗蝕劑層面上真空密 接以具有線寬為15#in且節距為150以m之正方形格子圖樣 畫像之罩覆用正型膜片後，以紫外光源實行丨l〇mj/cm2之 曝光。之後，以顯像液將非曝光部份（格子圖樣畫像）之抗 | 蝕劑溶解除卻，之後再加以水洗。 其次’將前述曝出之正方形格子圖樣之銅蒸鍵部份以下 述條件作銅之電解鑛敷，而積層出厚膜之銅。亦即，將含 碟銅作為陽極’而將前述圖樣作為陰極，在硫酸銅與硫酸 之混合水溶液之鍵敷浴中，以23。(：之浴溫度及1. 7 A/dm2之 陰極電流密度及0.3 ym/min之鍍敷速度的條件，實行銅之 電解鍵敷。之後將之充份水洗及乾燥，將最後殘留之曝光 部份（非格子畫像部份）之抗蝕劑膜以氫氧化鈉水溶液（濃 度5%)作剝離去除’之後將之水洗乾燥。此鍍敷所形成之 銅之厚度為1 Mm。 | 其次將得到之具有前述銅鍍敷圖樣與銅蒸鍍層的PET膜 片之全面以下述條件作蝕刻處理。亦即係將前述PET膜片 固定於蝕刻裝置之槽内’以2〇 〇c之過氧化氫-硫酸系蝕刻 液作搖動浸潰’而將相當於曝光部份之非格子畫像部份之 钢蒸鍍層部份予以姓刻除去。此場合之蝕刻時間為2 〇秒。 於，去該銅蒸鍍部份後立即停止蝕刻，並作水洗及乾燥。 所诗到之正方形狀之銅圖樣之線寬係與前述罩覆用正型膜 片相同以15 //m及1比1之比率現形，又，該圖樣層之全厚|

401733 五、發明說明（34) 為1 μ m °此蚀刻操作因將鍍敷之銅部份同時作蚀刻，如前 述結果所不’非格子畫像部份之銅蒸鍍層係優先被蝕刻， 而銅鍵敷j圖樣部份實質上並未被蝕刻（亦無側蝕現象）。 、又’將前述得到之銅圖樣pET薄膜，在以硫磺為主成 伤’並添加有生石灰、酪素及硫化鉀而溶解於蒸餾水 中而調製成的硫化液浴中，以4 0。(：浸潰6 0秒。之後立即 ^出水洗及乾燥。該圖樣之表面係被著色而較實施例“為 黑更鮮明。之後’測量與實施例丨B相同之項目並整理 其結果如表2所示。 (比較例1 B ) 作為實施例2B中之罩覆用正型膜片，除可使用具有線寬 以二m及節距180 “""之正方形之格子圖樣畫像之前述膜片 ，亦可在PET膜片上以同一條件實施而形成出銅所構 m , /方形狀格子圖樣。所得到之銅圖樣之線寬為29以 表2沐圖樣之全厚為丨#"1，關於其他之測量項目則整理如 乙斤Γ 〇 (比較例2 B ) 3〇L為;^施例2B中之罩覆用正型膜片，除可使用具有線寬 夕^及節距m心之正方形格子狀圖樣畫像之前述膜片 子狀m =同一條件於PET膜片上形成銅所構成的正方形格 囫樣。所得之鋼圖樣之線寬為29“m，而銅圖樣之全 m，關於其他之測量項目則收集於表2中。

401733 玉、發明說明（35) (實施例1 C) 首先’作為透明片乃使用厚度125/zm、大小400x 1000mm且Tt為90%之二轴延伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜片 (以下稱為PET膜片），而將其單面作輝光放電之前處理。 之後將此經前處理之PET膜片以與ιτο(喷把）對峙配置之方 式配置於磁控管式之喷濺裝置之真空槽内，而以下述條件 喷濺以ITO，而於全面上喷濺蒸鍍以[το薄膜。 •喷濺動作壓力….將真空槽内以含有4 5%之氧氣之氬 乳加以置換而^于到2x 103T〇rr之真空度。 •喷濺溫度…，90 °C。 •喷濺時間···. 4秒 此喷濺蒸鍍所形成之ITO薄膜層之厚度為2〇〇埃，表面阻 抗值為 400 Ω/Ε]，Tt 為 88.9% ° 其次於前述ITO薄膜面以塗裝輥塗裝以厚度2 之正型 光致抗蝕劑。其次使用具有線寬15/ΖΠ1及節距150yra之正 方形格子圖樣畫像之罩覆用負型膜片，將之與塗裝面作真 空密接，同時以130mJ/cm2之強度照射以紫外線。之後將 相當於紫外光所照射之圖樣畫像之圖樣部份作顯像而將之 剝離除去。 因此相當於非圖樣畫像之部份之前述抗蚀劑係殘存而罩 覆著。以下將之稱為ITO圓樣PET膜片。 i 其次將前述ITO囷樣PET膜片以常溫浸潰於銦無電解液浴丨

(曰礦金屬塗敷株式會社製，品號CG-535A，pH = 3〜3. 5)中 I

五、發明說明（36) 一分鐘’於充份洗淨後，此 (曰礦金屬塗敷株式會社製， 分鐘而設置鎳層》 次以7 0 C浸溃於鎳無電解浴 品號為曰確N，PH = 4. 5~5) t 5 又，此銦無電解與鎳無電解如前述係作為之 之電解鍵敷用之基地層（此場合層厚為〇2从瓜T以 在，ιτο圖樣層與銅鍍敷所形成之厚膜層相密 ς: 強固的銅圖樣。 成 因此，此基地層係在設於全面的透明導電性薄膜層 以ιτο作為下層而設置之場合所實行之前處理之一例而 該薄膜層若是ιτο以外之種類之物品時，則前處理之内容 (若有不實施前處理之情形時，則以其他方法實行前處理 等）亦不相同。 其次將具有前述基地層之ΙΤ0圖樣層作為陰極，而浸潰 於以硫酸銅及硫酸之混合水溶液為陰極之鍍敷浴中，在常 溫下作電解鍍敷（陰極電流密度為2A/dm2，鍍敷速_度為 〇.28/zm /分）。以此鍵敷所積層出之銅之厚度為 m。以下將之稱為銅鍍敷圖樣PET膜片。 其次將前述銅鍍敷圖樣PET膜片之非圖樣部份上所殘留 之前述抗蝕劑膜以丙酮予以溶解除去。藉此，作為下廣之 全面IT0透明導電薄膜層與其上層之正方形格子銅圏樣係 形成於PET膜片上。所得之該圖樣之線寬乃為I4em，至 於其他的電磁波屏蔽性及Tt及莫爾干擾條紋係揭示如表3 所示。 又，開口率可用式1求得。

第40頁 五、發明說明（37) 表 3 實施例 比較例 銅圖樣 線寬/節 距（// m) 有無 ITO 薄膜 It% 電磁波屏蔽性 (衰減率· dB) 莫爾 干擾 條紋 開口率 (%) 100MHz 500MHz 1 00 0MHz 實施例 1C 14/150 下層 有 73. 0 51 50 52 ◎ 82.2 實施例 3C 15/100 上層 有 62. 0 58 57 56 η 72.2 15/150 " 72. 7 53 52 54 " 81.0 15/200 " 75. 9 50 50 54 Η 85. 6厂 15/250 " 77.3 47 49 56 " 88.3 比較例 1C 15/100 1! 65.6 50 48 49 " 72.2 15/150 73. 4 43 43 49 Μ 81.0 15/200 " 77. 0 40 40 45 " 85.6 15/250 " 79. 9 37 37 42 It 8 8.3 比較例 2C 無 有 89. 4 10 3 2 " 100 比較例 3C 29.9/ 180 下層 有 60.2 67 66 69 X 69. 4 (實施例2C) 將具有以前述實施例1 C所得之正方形格子銅圖樣的PET 膜片，以下述之條件作氧化處理，將該圖樣之銅表面著 色，而形成黑褐色之著色層3。

第41頁 401733 五、發明說明（38) 亦即’將刖述PET膜片全體置於加熱至7〇<>c之將氫氧化 鈉與亞氮酸鈉溶解於水中而成的混合水溶液之浴中作5分 鐘浸潰後’將之取出並作水洗乾燥。而銅圖樣之表面乃被 氧化而變化成黑褐色之氧化銅層。此氧化銅著色層之厚度 為0 . 8 // m。將此物與實施例1分別懸掛於pDp上，再觀看顯 示畫面。其結果本例在觀看時，係瞬間感受到安心感，而 凝視甚長時間後亦不會感到眼睛疲勞。 又’關於其他之電磁波屏蔽性及Tt及莫爾干擾條紋等於 實施例1幾無差別。 將前述實施例1與實施例2結合時其構造係如第6圖所 i 示。亦即31為PET膜片，32為作為底層而設於全面上的I TO 透明薄膜層，33為利用電解鍍敷所形成之銅鍍敷層，34為 使用氧化銅等之黑褐色著色層。 (實施例3 C) 準備四片與實施例1C相同之PET膜片，並同樣地實施利 用輝光玫電之前處理。之後，將各經過前處理之PET膜片 以與麵I乾對峙之方式配置於磁控管式喷濺裝置之真空槽 ! 内’以將該槽内之空氣以氬氣完全置換所得之2χΐ 〇-3Torr I 的真空度的動作壓力，以9kff (DC)之投入電力及lm/分之速丨 度 邊作移動而一邊作喷濺，將之重覆作三次，即可蒸鍍 丨 出膜厚〇.12em(±0.〇l)的銅的薄膜層。 ’將前述物品各切取一段而實行180度之彎折測試 丨 時’其令任一者之薄膜層皆無自PET膜片表面剝離之現 i

I 401733 五、發明說明（39) --------- 象。 作將：ί所得之四片PET膜片之銅薄膜面以光蝕刻法 亦即，首先…薄；樣光 So型二 1塗裝面上，以線寬為15…固定值且節距 ΐ覆用負型：Γ:20°㈣及25…之各種方式所製作之 之紫外光線。块後將麵成f巧 …射以110mJ/cra2 將之溶解除丰曝光之圖樣部份之抗蝕劑作顯像而 著）/ '、去（非圖樣部份之抗蝕劑係維持原狀密接附 子述所得…㈣膜片上的正方形格 出以下述條件作銅之電解鍍敷，而積層 2膜之銅，而成為銅圖樣，最後再將非圖樣部之殘 劑膜溶解除去。亦即以該圖樣為陰⑬，而以硫酸銅與硫 酸之混合士溶液作為鍍敷浴，而將之作為陽極，以浴溫23 C及電",L谘度i 7A/dm2及錢敷速度〇. 3 em/分之速度作電 解鑛敷。此電解鍍敷所形成之銅圖樣之厚度均一樣為2 5 jum。 ~ . 人將具有形成於前述銅薄膜上之銅圖樣的四片PET膜 片$下述條件作化學蝕刻處理，而將非圖樣部份之銅薄膜 層溶解除去。亦即將四片PET膜片全體設置於蝕刻裝置 内’以2 0 °C之過氧化氫/硫酸系蝕刻液作3 〇秒鐘之接觸。 因非圖樣部份之鋼薄膜已被溶解除去，故須立即停止蝕 刻’而將之水洗乾燥。以此方法所得之銅圖樣之厚度同樣

第43頁 401733 五、發明說明（40) —^ 為2.41(±0.01)//m。此厚度與姓刻前之前述厚度（2 5 m)實質上無什差別。其原因係因為銅圖樣部份雖與非圖樣 部份之銅薄膜同時被蝕刻，但因兩者之膜厚差別甚大，且 兩者之銅之膜質乃具有差異，而使銅薄膜優先被#刻掉 者。 又，因較實施例1之方法所形成之銅圖樣其線寬之減少 情形較小’故可1比1地將之成形。其次以硫磺為主成份， 於其中添加生石灰及路素及硫化奸等，再溶解於蒸销水 中。以其作為硫化浴以4 0 C與前述銅圖樣面接觸約6 〇秒 鐘’之後將之水洗及乾燥。其表面係被著色，而成為^實 施例2C之氧化銅層之色更黑且更鮮明之狀態。 於具有所得之著色銅圊樣的各PET膜片上，以覆蓋銅圖 樣而於全面上被覆上層之方式’噴濺以IT〇。在此之喷機 條件除使喷濺時間為8秒以外’係以與實施例lc相同之條 件實行。所喷濺蒸鍍之ITO之膜厚為41〇埃，而其表面阻抗 值為300 Ω/ □。 & 關於前述所得之四片物，係測量所形成之銅圖樣之線寬 /節距之相對電磁波屏蔽性及Tt及莫爾干擾條紋，其係揭 示於表3中。 (比較例1 C) 於實施例3C中，除未設置ITO薄膜層以外’全部以同一 條件於PET膜片上分別形成以銅圖樣，而製作出具有4種正 方形銅圖樣之四片PET膜片。關於各PET膜片以與實施例扎 相同之條件測試結果係如表3所示。

第44頁 «ujLYiid 五、發明說明（41) (比較例2C) 使用與實施例1 C中所使用者為相同之PET膜片，施行以 同樣的輝光放電前處理，之後於其處理面上以與實施例3 所實施者相同之條件作全面之I TO喷濺，而設置相同膜厚 之I TO薄膜層。僅具有得到的IT0透明薄膜層的PET膜片在 實施與實施例3C相同之測量後，其結果乃示於表3中。 (比較例3C) 除改用具有以線寬30 及節距180 所製作正方形格 子圖樣畫像的罩覆用負型膜片以外，係以與實施例1相同 之條件實施，於PET膜片全面上積層以I TO薄膜層，再於其 上積層以銅格子圖樣。對於所得到之物品實施與實施例1 相同之測量’其結果如表3中所示，可看到莫爾干擾條 紋。 從表3中即可看出，其電磁波屏蔽性，較僅使用銅圖樣 之場合及僅使用I TO薄膜之場合，併用兩者之場合者，係 i :得到相當高的屏蔽效果。又，特別是在較1〇〇MHz為高之 高電磁波長之場合，其將具有相乘性效果，此結果甚令人 震驚。 又’關於透明度與電磁波屏蔽性之平衡，於提高透明度 時’相對於提高之透明度之份量’電磁波屏蔽性之減低情 形甚輕微。此情形對不減低電磁波屏蔽性而提高透明度之 功能而言，若其程度越大則可獲得較大之效果。

五、發明說明（42) 【發明之效果】 第1發明 因將透 用喷濺等 積層，故 僅耐彎折 如前述 係直接形 又，為 阻係須以 成電磁波 又，關 藉由使用 圖樣之細 品。 明基體與形成於其上之銅網眼導電圖樣介設利 之技術所直接形成之銅（或其合金）之薄膜層而作 可使其與基體間具有極高之密接能力。此物品不 ，且在尚溫高濕中長時間使用亦不會有剝離。 ，因銅導電圖樣並非如習知者般使用接著劑等而 成，故不會有習知般減低透明度之情形。 得到較佳之電磁波屏蔽性，所須之導電圖樣之電 較小之體積及較厚之層厚以銅鍍敷形成故可作 屏蔽效果較佳及透明度較高之組件。 於本發明之電磁波屏蔽用透明組件之製造方法， 申請專利範圍第9項之方法，可不必擔心會產生 化及發生測蝕，而為製造容易且為較高效率之物 又，因可將網眼導電圖樣之表層以氧化銅或硫化銅著色 成褐色以至黑色，以該著色層之存在，於安裝於各機器上 使用時，較容易觀賞且長時間凝視眼睛亦無疲勞感。 第2發明 本發明因具有前述構成，故可達成以下之效果。 本發明中之電磁波屏蔽用透明組件除具有較高之電磁波 屏蔽性及透明性外，更可增加解除或減輕習知之產生莫爾 干擾條紋之情形的特性。又，因為網眼銅圖樣表面係被著 色成褐色至黑色’故可提高辨視性。

第46頁 401733

五、發明說明（43) 因具有前述特性，將之裝設於PDP等之顯示金& 而使用時，可將PDP等所發出之電磁波以及自外部所」面 之電磁波予以充份地屏蔽，同時可使畫面較鮮又取 ^ τ Θ，可輕鬆 地辨視。 又，此電磁波屏蔽用透明組件除PDP外，亦可使用於其 他CRT或電子資訊機器上，自機器内部親看時，可將所發 出之電磁波與其他接收到之電磁波予以屏蔽，故不會發生 由電磁波所造成之錯誤作動之情況。 第3發明 f 首先’其屏蔽電磁波之效果較分別單獨使用例如銅圖樣 或單獨使用透明導電性薄膜層之場合，可提高甚多，同時 在較馬電磁波長領域可作相乘性之改善。 亦可藉由減低電磁波屏蔽效果而提高其透明度。此情形 相對於該兩者一般為不共存之關係之情形，係成為將其推 翻之理論。 藉由在網眼狀銅圖樣之表面更增設以褐色至黑色之著色 層’即可提高其辨視性。又’對於正方形或長方形之格子 狀圖樣之場合之莫爾干擾條紋之產生，藉由指定該圖樣之i 線寬即可將之消除或減輕。 因具有前述各種效果，其用途除適用於會產生電磁波之 PDP及CRT等外，更可擴大使用於作為各種電子機器之電磁 波屏蔽手段之用途上。 丨 4U1733 五、發明說明（44) 第1圖為第1發明之透明組件之斷面圖。 第2圖為在工程F中所得到之組件之立體圖。 第3圖為實施例1 B中之高辨視性電磁波屏蔽用透明組件之 立體圖。 第4圖為網眼形狀為正方形時之俯視圖。 第5圖為網眼形狀為長方形時之俯視圖。 第6圖為實施例1 C~ 2C所得之高電磁波屏蔽性透明組件之立 體斷面圖。

Claims (1)

1. 抑“33 申請專利範圍 -- _ 序積層Ϊ波屏蔽用透明組件，其係於基體（1)上，順 層⑴，二由膜形成手段所製成之銅或其合金薄媒 導電圖樣ί具Κί線穿透率成為50%以上’且使前述 者。 所具有之電阻抗值為200mQ/□以下，為其特徵 件2: Π = Ϊ圍第1項所述之電磁波屏蔽用透明組 ί菩膜層（4)上更設有一層褐色以至於里色 之者色層（5)，為其特徵者。 …、色 3.=申請專利範圍第i帛所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述透明基體（1)係全光線穿透率為65%以上 狀熱塑性樹脂，為其特徵者。 片 4.如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述物理性薄膜形成手段乃指喷濺法或離子 法等，為其特徵者。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述鍍敷手段係指電解鍍敷法，為其特徵者。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述銅或其合金之薄膜層（2)之厚度為1〇〇〜2〇〇〇

   ---- 第49頁 401733 ------ --------— ------- 六、申請專利範圍 埃’為其特徵者。 7. 如申請專利範圍第1項所述之電礤 件，其中前述銅厚膜層（4)之厚度&透/、，且 者。 又畸1〜10 ，為其特徵 8. 請專利範圍第2項所述之電磁波屏蔽用透明組 :徵ί 述著色層⑴為由氧化銅或硫化銅所構成，為其 、生贫1 ε .，认咬々> 适第1項所述之電磁波屏蔽用透明組件， 工程，即， 丹 9 二Λ 電磁波，蔽用透明組件之製造方法，*可用於製 組件’其包括有以下之 工程A :於全光線穿透率為6 5%以上 一面卜，崦说似访 心片狀熱塑性樹脂之 面上喷濺附著以銅或銅合金，而形成厘_&ιηη 9nnn 埃的薄膜層； ❿成厚度為100〜20 00 樣； 工程B:將前述薄膜層以光蝕刻法加以顯像 而曝出網眼圖 工程C :於前述網眼圖樣上 1 1 Λ 軍解锻敷以钢，而接廢4i厚麼 卜10 //in之銅厚犋層； 而積層ffi序沒 劑； 工程D .接著，剝離除去非網眼圖樣部份 之殘留光置抗蝕 程E :將全面作介舉#丨 合金之薄膜層予以溶解去除，以取得由噴 匕學蝕刻，將非網眼圖樣部份之銅或其 機附著上之銅或

   第50頁 Hi 六、申請專利範圍 鋼合金之薄膜層，或由電解鍵敷所得之銅厚膜層之積層所 構成的網眼導電圖樣。 〇.如申請專利範圍第9項所述之電磁波屏蔽用透明組件 之製造方法，其更包括有—工程F， 工程F:將實行前述處理所得的網眼導電圖樣的銅表面施 作氧化或硫化處理，以形成褐色以至於黑色之氧化銅或硫 化銅表面，為其特徵者。 1 1. 一種電磁波屏蔽用透明組件，係於透明電（2 1 )上以 開口率為56〜96%之方式形成以線寬為卜25 //m之銅為主成 份的網眼銅圖樣（2P)，為其特徵者》 1 2·如申請專利範圍第丨丨項所述之電磁波屏蔽用透明組 件’其係於網眼銅圖樣（2 p)表面加設以褐色以至於黑色的 著色層（2 4)。 1 3.如申請專利範圍第丨丨項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述褐色以至於黑色之著色層（24)係由氧化鋼或 硫化銅所構成，為其特徵者。 1 4.如申請專利範圍第11項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述透明片（21)係全光線穿透率為60%以上/且 厚度為0.05〜5mm的熱塑性樹脂片，為其特徵者。

   第51頁 4〇1733 ..............^ ______ 六、申請專利範圍 15‘如申請專利範圍第11項所述之電磁波屏齡 八中前述網眼圖樣（2P)係以由物理性薄膜形 ”組 產生之鋼為其主成份之銅的薄膜層（22 )為其 手段所 植 毛成電鍍手段所形成之銅之厚骐層（23)，故《、該 者。 7馮其特徵 1 6.如申請專利範圍第11項所述之電磁波屏蔽 1干’、干則述以銅為主成份之銅之溥骐層（22)之膜厚係5〇 埃〜丨#10 ’而銅之厚膜層（23)為1〜15#m，為其特徵者’。、 17.如申請專利範圍第^項所述之電磁波屏蔽用透明組 件’其中前述網眼圖樣（2P)之開口部之形狀為正方形或者 為長方形，為其特徵者。 乂 一 1 8. 一種電磁波屏蔽用透明組件’其係於透明片（3〗）上 設置以銅為主成份之網眼狀銅圖樣（3P)與透明導電性薄膜 層（32) ’且使其全光線穿透率為50 %以上’為其特徵者。 1 9.如申請專利範圍第丨8項所述之電磁波屏蔽用透明組 件，其中前述網眼狀銅圖樣（3P)上更設有褐色以至黑色之 著色層（33)，為其特徵者。 20.如申請專利範圍第18項所述之電磁波屏蔽用透明組

   第52頁 六、申請專利範圍 件，其中前述褐色以至於黑色之著色層（33)為由氧化鋼或 硫化銅所構成’為其特徵者。 第 圍 範 利 專 請 申 如 組熱 明之 透上 用以 蔽0% 屏 波 磁 電 之 述 所 項 為 率 透 穿 線。 光者 全徵 為特 Π其 (3為 片， 明成 透構 述所 前片 中脂 其樹 ’性 件塑 2 2.如申請專利範圍第i 8項所述之電磁波屏蔽用透明組 件’其中前述網眼狀銅圖樣（3P)為線寬為卜25βιη且開口 率為56〜96%之正方形或長方形之格子狀圖樣，為其特徵 者。 23.如申請專利範圍第18項所述之電磁波屏蔽用透明組 件’其中前述透明導電性薄膜層（32)之胰厚為1〇〇〜15〇〇 埃’為其特徵者。

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