TW396407B - System and method for neutralizing an ion beam using water vapor - Google Patents

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五、發明說明（ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之領域 本發明係大致上相關於離子注入器的領域，尤其 是在離子的注入器中使用水蒸氣作爲中和的媒介， 用以中和離子束的改良系統和方法。 本發明之背景 離子注入係爲工業界中較偏好的技術，其係爲在 大規模的積體電路製造中將雜質摻入半導體之中者 。離子劑量與離子能量是用來界定注入步驟最重要 的二個變數。離子劑量係相關於對於指定半導體材 料所注入離子之濃度。典型地，高電流的注入器（一 般大於10個毫安培（mA)離子束電流）係被使用於高 劑量的注入，而中電流的注入器（一般最大到大約爲 1 mA離子束電流）係被使用於較低劑量之注入。 在半導體裝置中，離子.能量係被使用於控制接合 的深度。其形成離子束的離子能量等級係決定了被 注入離子之深度程度。例如那些在半導體裝置中用 以形成逆向井（retrograde well)的高能量製程，其係 需要將注入提高到數百萬電子伏特（MeV)，而淺的接 合可能只要求能量在一千電子伏特以下（1 KeV)。 典型的離子注入器包含有三個部份或是子系統： ⑴一個離子源，其係用於輸出離子束，（Π)—個離子 束線，其係包括有一用於質量分解離子束之質量分 析磁鐵，以及（Hi)—個目標室，其係含有將要注入離 子束之半導體晶圓或是其他基板。不斷地朝著使得 請 先 閱 讀 背

I 填齡 r裝 頁 訂 、線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體裝置愈來愈小的趨勢係需要一種離子束線機 構，該離子束線機構係能夠在低能量下用以傳遞高 離子束電流。局離子束電流係提供了必要的劑量程 度，而此低能量程度係能夠允許較淺的注入。舉例 來說，在半導體裝置中的供應源/排水管接合係爲需 要這種高電流、低能量之應用者。 傳播通過一給定離子束線機構之低能量離子束係 遭受到一種離子束〜膨脹（blow-up) 〃的狀況，而 此種狀況係爲在離子束中同性電荷（正電）離子彼此互 相排斥之傾向（亦爲已知之空間電荷效應）。這種互相 排斥之作用係會造成其他所期望形狀的離子束從預 定的離子束線路徑被分歧開來。離子束膨脹在高電 流、低能量的應用中係爲特別有簡題者，這是因爲 在離子束中離子之高濃度（高電流）係會使得離子的互 相排斥作用力變大，並且離子之最小傳播速度（低能 量）係將其暴露在那些互相排斥力中爲久。 一種在離子注入器中能夠使空間電荷效應降低的 機制係爲產生包含有正電荷、負電荷、和中性的粒 子的離子束電漿，其中，在離子束所佔據空間之中 的正電荷與負電荷粒子的電荷密度是一樣的。離子 束電漿一般是在正電荷離子束與殘留環境氣體原子 相互作用時，並經由離子化碰撞的方式製造出離子 電子對而產生者。因此，離子束係在其飛行路徑中 藉由與殘留環境氣體相互作用而部份地中和。典型 請 先 閱 讀 背 意 事 項 f裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） B7 五、發明說明（） .經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 地，雖然離子束線是在真空狀況下操作，未被高真 空幫浦所移除而仍然殘留之環境氣體通常存在有一 極低的壓力（低於 1 milli Τ〇ΓΓ(1(Τ3 Torr))。 由於在離子束/環境氣體的相互作甩下所造成的 離子束中和程度在低能量下係爲不足以支持高電流 離子束者，因此更多活性空間電荷中和的方式係被 利用來增加此種相互作用。一種提供活性中和方式 的方法就是藉由將氣體直接射入離子束傳播所通過 的離子束線中，而對環境氣體的成份進行控制，此 係爲一個決定離子束中和程度的因素。 一種已知的活性離子束中和方式係爲將氣態的氮 (或例如是氣、氛或是氣）在質量分析磁鐵的位置處 導入注入器離子束線中。氮氣的緩慢導入（流注）進入 離子束線中係會增加能夠與正電荷離子束相互作用 之環境氣體粒子數目。吾人係已發現在低能量（低於 1 0 K e V )的狀況下，氮氣的流注係能夠提局電流程度^ ，而在該電流程度下係可以輸送砷和磷離子束。然 而，在低能量的狀況之下’氮氣流注劑量不太能夠 提高硼離子束的電流程度’並且在這些條件下之某 些實例中，其係被用來降低此硼離子束電流程度。 氮氣流注在高電流、低能量硼離子束上之無效性 係藉由電荷交換的現象來加以解釋。離子束與環境 氣體的相互作用除了如上所述能夠產生離子束電漿 之外，同樣也造成了電荷交換’其特徵爲：（1電子 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •鲁 -SJ. -·線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 之獲得係爲藉由來自環境氣體之高能量正電荷硼離 子者，以及（Π)電子之失去係爲藉由不含能量的中性 環境氣體者。因此，帶有能量的中性硼粒子係與緩 慢移動的、不含能量的、帶正電荷的氣體離子一起 產生。帶有能量的中性硼粒子係在質量分析磁鐵中 失去，其中該質量分析磁鐵之作用係爲僅讓具有適 當電荷-質量比率之粒子通過。因此，離子束電流 量係可以被降低。 硼係爲特別容易受到電荷交換效應的影響者，這 是因爲與砷和磷相較之下，硼原子係具有較大的橫 斷面。因此，流注進入到硼離子束之路徑之已知氣 體係會造成相當的電荷交換。此外，在低離子束能 量程度下，係需要大量的氣體粒子（或是高壓的氣體） 用以有效地中和此離子束，其同樣也造成電荷交換 的增加。因此，傳統的氣體流注係受限於特定低能 量應用之中，例如是硼離子束之輸送。 因此，本發明的目的係爲提出一種用以中和離子 束的方法和系統，用以抵銷空間電荷效應，而使得 在低能量條件之下能夠輸送的離子束電流爲最大。 本發明更進一步的目的係爲提出一種離子束中和 的系統和方法，其係能夠在接近離子源而在離子束 密度與離子束電流爲最大的一點上來進行。 本發明更進一步的目的係爲提出一種離子束中和 的系統和方法，其對於中和硼離子束係爲特別有用 請 先 閱 讀 背 寒

Pk # tr 線 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 ------___ 五、發明說明（） 者。 亦爲本發明更進一步的目的係爲提出一種離子束 中和的系統和方法，其係利用一種無毒性、無污染 的中和媒介物。 本發明之槪要 , 一種改良的離子束中和器以及在離子注入器中用 於中和離子束的方法係在此提出。此中和系統係包 含有一個水源；一個被連接到該水源的蒸發器；一 個被連接到該蒸發器的質量流動控制器；以及一個 被連接到該質量流動控制器的輸入口。該蒸發器係 使得來自水源的水從液體狀態轉變成爲蒸氣狀態。 該質量流動控制器係接收來自該蒸發器的水蒸氣， 並且係量測經由質量流動控制器的輸出口所輸出的 水蒸氣體積。 此輸入口係設有一個射出端□，該射出端口係座 落於靠近離子束排出穿孔之處，並且該輸入口係接 收來自質量流動控制器所量測的體積。此射出端口 係被定位在接近該排出穿孔處，以使得離子束能夠 與水蒸氣相互作用，從而中和離子束。此改良的離 子束中和器在低能量（低於十個千電子伏特（10 KeV)) 的離子束應用中係爲特別有效者。 圖示簡單說明 附圖1係爲一個離子注入系統之立體圖，其係合 倂有一個根據本發明原理所建構成之離子束中和系 請 先 閱 讀 背 意 事 項

裝 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 五、發明說明（ A7 B7 統的實施例；以及 附圖2係爲附圖1之離子束中和系統的示意圖。 較佳實施例詳細說明 現在參見附圖，附圖1揭示了一個大體上以元件 符號10所標示之離子注入器，該離子·注入器係包含 有一離子源1 2，一質量分析磁鐵14 離子束線組 請 先 閱 讀 背 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 件15,以及一目標或終點站16。離子源12和質量 分析磁鐵14係與其個別電源供應器一起共同作爲一 個終端器1 7。本發明的一個應用係爲在一個低能量 的注入器中，例如是顯示在附圖1之中者，其中由 於低能量離子束在其傳播期間有擴大（也就是膨脹）的 傾向，因此離子束線組件1 5是相當短的。 離子源12係包含有一個界定出一電漿室18的外 殼13，一個離子排出組件20以及一個根據本發明原 理所構成之離子束中和器22。離子束線組件1 5係包 含有（i)—個分解器外殻19,其係藉由真空幫浦43 所所排出，並且係含有一終端穿孔21、一分解穿孔. 23、以及一遮光罩法拉第42,以及（ii) 一個下游離子 束中和器24，其係含有一個電子噴灑頭45，這些並 未形成本發明的一個部分。離子束中和器24的下游 係爲終點站1 6，其包含有一個爲圓盤形狀的晶圓支 撐器25，而將被處理的晶圓則係被放置在該晶圓支 撐器上。如同在本文中所使用者，晶圓應該包含可 以被離子束所注入的任何型態基板。晶圓支撐器25 意 事 項

t 裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____B7__ 五、發明說明（） 係存在於一目標平面之中，而此平面係被（大體上）垂 直地定向於注入離子束的方向上。 由離子源12所輸出的離子束28係移動至質量分 析磁鐵14，該質量分析磁鐵14之功能係爲只讓對於 離子束線組件1 5而言具有適當的電荷-質量比率之 離子通過。質量分析磁鐵14係包含有一個曲線的離 子束路徑29，該離子束路徑係爲由一個被連接到供 應源12的鋁離子束導槽30所界定者，而其排出則 係爲藉由真空幫浦31和43所提供者。沿著此路徑 所傳播的離子束28係受到經由質量分析磁鐵14所 產生之磁場的影響。此磁場造成了離子束28沿著彎 曲的離子束路徑29移動，而從靠近離子源12的第 一或入口的軌跡34處移動到靠近分解器外殼19的 第二或出口的軌跡35處。由具有不適當電荷一質量 比率之離子所構成的離子束28，該離子束28中的部 份28’和28”係從彎曲的軌跡上偏移離開，並且進入 到鋁離子束導槽3 0的牆壁之中。在這個方法中，磁 鐵14係僅使得在離子束28中具有所期望之電荷-質 量比率的那些離子能夠通過離子束線組件1 5。 在終點站1 6處的圓盤形狀之晶圓支撐器25係爲 藉由馬達46所旋轉者。因此，當離子束在圓形的路 徑中移動時’其係會衝擊到被裝設於支撐器上的晶 圓。終點站1 6係可繞著兩個軸樞轉：一個軸係正交 於離子束的路徑，而另一個軸則係橫向於額定之離 10 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Gx 297公爱） --- I \-----------'^裝--------^訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項#--#寫本頁) A7 _____B7____ 五、發明說明（） 子束-目標的祖交面。在這個方法中，離子注入的角 度係可以從正交平面稍微地修正。如同在習知技術 中所已知者，圓盤形狀的支撐器25係藉由馬達47 而以一恆定的角速度旋轉，並且支撐器25係藉由馬 達49以及一個引導螺桿（未顯示出）而垂直地移動（進 入以及離開附圖1紙張的方向）。 本發明的離子束中和器22係合倂進入附圖1之 注入器10的供應源區域之中。離子源12係被裝設 至一個L形的框架26上。以壓縮氣體的形式直接地 獲得或是以被蒸發之固體形式閒接地獲得之可離子 化摻雜氣體，其係被射入到電漿室18之中。典型的 供應源成份係爲硼（B)、磷（P)、鎵（Ga)、銦（In)、銻 (Sb)和砷（As)。除了硼是以氣態的三氟化硼或是乙硼 烷的形式所提供之外，大部分供應源成份係爲以固 態形式所提供者。 能量係被提供予可離子化摻雜氣體，用以在電漿 室18中產生離子。一般而言是產生正電離子，雖然 本發明係可以應用於經由供應源產生負電離子的系 統之中。正電離子係藉由包括有複數個電極27之離 子分離組件20，而經由在電漿室18的一個狹槽所排 出。因此，此離子分離組件之功能係爲使得正電離 子的離子束28能夠經由一個排出穿孔裝置50而從 電漿室排出，並且使得排出的離子加速朝向質量分 析磁鐵14。 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 .閱 讀 背 意 事 項

訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（） _____________'--'裂--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 附圖2之不意圖顯不一個根據本發明原理所建構 之供應源離子束中和器22。此中和器係包含有一水 源52，一蒸發器54，一質量流動控制器56，以及一 輸入口 60。該水源52係經由導管62而被連接到該 蒸發器54，蒸發器54係經由導管64而被連接到該 質量流動控制器56，並且該質量流動控制器56係經 由導管66而被連接到輸入口 60。輸入口 60係設有 一個射出端口 68，該射出端口係座落在接近電極27 之排出穿孔50處。 .線. 蒸發器54係將來自於供應源52的水從液體狀態 轉變成蒸氣狀態。該質量流動控制器56係如同在習 知技術中已知般地操作，而量測輸出口導管66輸出 至輸入口 60之水蒸氣的體積。因此，該質量流動控 制器係控制在離子束導槽30之中水蒸氣的壓力，而 使壓力最大到1〇_3 Torr的等級。因此，水蒸氣係能 夠反應在離子束導槽30中的壓力。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因爲輸入口 60的射出端口 68係被座落在接近離 子束排出穿孔50處，水蒸氣係被導入（流注）到注入 器的離子束線中，此處的離子束電流（強度）以及空間 電荷效應係爲最大者。就這一點而論，水蒸氣與離 子束28的相互作用係能夠被最大化。與傳統的流注 系統所導入的其他已知氣體相較之下，水蒸氣分子 係能夠提供與離子束分子碰撞之較高可能性。水蒸 氣與離子束的相互作用係造成一種降低的電荷交換 12 本紙張尺度適用中國國家¥準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) A7 B7 五、發明說明（） 效應，而此係相反於傳統的氮氣流注系統。此外， 水蒸氣與離子束的相互作用係會造成負電荷〇H_離子 之增加，該負電荷〇冗離子之功能與傳統的氮氣流注 系統所提供的負電荷電子離子相較之下係能夠更佳 地中和離子束。 降低電荷交·換效應係爲從以下事實所產生者： (i)較少電子係爲藉由含有離子束的高能量帶正電荷 離子所獲得者，以及（Π)較少電子係爲藉由不含能量 中性殘留環境氣體所失去者。因此，較少的含能量 中性離子束粒子係與緩慢移動、不含能量、帶正電 荷環境氣體離子一起產生。因爲產生較少的含能量 中性離子束粒子，因此質量分析磁鐵停止該等粒子 並且導致在離子束中電流相應降低的傾向係被減少 。在硼離子束的例子中，吾人係已發現此降低的電 荷效應能夠維持離子束線壓力最大到1 〇_3 Torr。 由離子束與水蒸氣的相互作用所產生之負電荷的 OH·離子係更進一步的用於中和離子束。此0H_離子 係爲由於氫氧根的負電化學性質所產生者。所產生 的離子束電漿係由〇H_離子、電子、正電荷的離子束 ，以及一些緩慢移動的、不含能量的、正電荷的環 境氣體離子所構成者。雖然ΟίΓ離子和電子二者係用 以中和正電荷離子，〇Η_離子係較電子爲重。就這一 點而論，與電子相較之下，離子束電漿中相互作用 所產生之相當大的〇Η_離子係獲得相當小的速度。因 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注音？事項寫本頁) 裝 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 此，ΟΙΓ離子停留在離子束的限制範圍之中係較電 子爲久，其更可能會獲得能量或是熱量，因而更可 能會脫離此離子束。藉由維持在離子束的限制範圍 之中，0H_離子降低在離子束上的空間電荷效應之功 能係爲較佳者。 0H'離子的形成和降低的電荷交換效應此二者在 與其他已知氣體相較之下，係使得水蒸氣在中和離 子束上更爲有效。吾人係已發現本發明在中和低能 量（少於10 KeV)的硼離子束上是特別有效者。在非 常低能量應用（少於5 KeV)的硼離子束中，吾人係已 發現相對於傳統的氮氣流注系統，在強度（離子束電 流）上增加了 40%。 因此，在離子注入器中使用水蒸氣以中和離子束 的系統和方法的較佳實施例係已在此闡述。然而， 考慮到先前之敘述，應被了解的是此一闡述僅係爲 舉例說明之目的，而本發明並非受限於在本文中所 敘述的特定實施例，而不離開本發明於以下說明及 其均等物之範圍的情況之下，各種的變化、安排、 修正和替換係能夠相對於前述說明而能夠完成。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再_寫本頁) 寫士 -y5

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Claims (1)

1. 申請專私 ifc 口 A8 B8 C8 D8 讀請委萄明示试年/^·月W日所提之 修正本有無變更實«内容是否准予修ή b 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · 一種離子束中和器（22)，其係用以中和從離 子源（12)之排出穿孔（50)所輸出之離子束（28)的電子 電荷，該離子束中和器係包含有： 一個水源（52); 一個蒸發器（54)，其係被連接到該水源（52)，用 以使得來自該水源的水（52)能夠從液體狀態轉變成蒸 氣狀態； 一個質量流動控制器（56)，其係被連接到該蒸發 器（5 4)，並且係具有一個輸入口（64)和一個輸出口 (66)，該質量流動控制器係操作以量測被該輸出口 (66)所輸出之水蒸氣體積；以及 一個射出端口（68>，其係被連接到該質量流動控 制器輸出口（66)，用以接受該輸出口所量測到的輸出 ，該射出端口係被座落在接近該離子束之排出穿孔 (50)處，以使得該離子束與該水蒸氣能夠相互作用， 從而中和離子束。 2 ·根據申請專利範圍第1項所述的離子束中和 器（22)，其中該離子束（28)係主要由硼離子與中性粒 子所構成。 3 ·根據申請專利範圍第2項所述的離子束中和 器（22)，其中該離子束（28)係存在於一個低於一萬電 子伏特（10 KeV)之能量等級處。 4 .根據申請專利範圍第1項所述的離子束中和 器（22)，其更包括有一個離子束導檜（3 0)，該離子束 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 §__ 六、申請專利範圍 導槽係被附接致該離子源（12)，其中該質量流動控制 器（56)係控制了在離子束導槽之中水蒸氣的壓力。 5 ·根據申請專利範圍第4項所述的離子束中和 器（22)，其中該質量流動控制器係將該離子束導槽 (3 0)之中水蒸氣的壓力控制在10_3 Torr之等級。 6 · —種注入器終端（17)，其係包含有： 一個離子源（12)，其係用於輸出一離子束（28)， 該離子源係包括一個排出器組件（20)，該排出器組件 係由至少一個電極（27)所構成，而提供一輸出穿孔 (50); 一個離子束導槽（30)，其係被連接到該離子源， 用以接收從該離子源所輸出的離子束；以及 一個離子束中和器（22)，其係用於中和從該排出 穿孔（50)所排出之離子束（28)的電子電荷，該離子束 中和器係包含有： 一個水源（5 2); 一個蒸發器（54)，其係被連接到該水源（52)，用 以使得來自該水源的水（52)能夠從液體狀態轉變成蒸 氣狀態； 一個質量流動控制器（56)，其係被連接到該蒸發 器（54)，並且係具有一個輸入口（64)和一個輸出口 (66)，該質量流動控制器係操作以量測被該輸出口 (66)所輸出之水蒸氣體積；以及 一個射出端口（68)，其係被連接到該質量流動控 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂' 線I ':::.'〆 ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐） A8 QO 396407 §1 六、申請專利範圍 制器輸出口（66)，用以接受該輸出口所量測到的輸出 ，該射出端口係被座落在接近該離子束之排出穿孔 (50)處，以使得該離子束與該水蒸氣能夠相互作用， 從而中和離子束。 7 ·根據申請專利範圍第6項所述的終端（1 7)， 其中該離子束（28)係主要由硼離子與中性粒子所構成 〇 8 ·根據申請專利範圍第7項所述的終端（17)， 其中該離子束（28)係存在於一個低於一萬電子伏特 (10 KeV)之能量等級處。 9 ·根據申請專利範圍第6項所述的終端（17)， 其更包括有一個離子束導槽（3 0)，該離子束導槽係被 附接致該離子源（12)，其中該質量流動控制器（56)係 控制了在離子束導槽之中水蒸氣的壓力。 1 0 .根據申請專利範圍第9項所述的終端（17) ，其中該質量流動控制器係將該離子束導槽（30)之中 水蒸氣的壓力控制在10·3 Torr之等級。 1 1 · 一種中和離子束（28)的方法，其係包含有 以下步驟： 從一供應源（12)產生離子束（28); 在排出器組件（20)中經由一個排出穿孔（50)來排 出離子束； 引導離子束朝向一個被連接到該離子源的離子束 本適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X^97公釐） ---------裝— (請先閣讀背面之注意事項再頁) 、1T. 線I ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 396407 六、申請專利範圍 導槽（30);以及 在經由排出穿孔排出之後但在進入到離子束導槽 (30)之前，經由使水蒸氣注流在接近該離子束的附近 來中和離子束。 1 2 ·根據申請專利範圍第11項所述的方法， 其中中和離子束的步驟係爲使用一個離子束中和器 (22)來執行者，該離子束中和器係包含有： 一個水源（52); 一個蒸發器（54)，其係被連接到該水源（52)，用 以使得來自該水源的水（52)能夠從液體狀態轉變成蒸 氣狀態； 一個質量流動控制器（56)，其係被連接到該蒸發 器（54)，並且係具有一個輸入口（64)和一個輸出口 (66)，該質量流動控制器係操作以量測被該輸出口 (66)所輸出之水蒸氣體積；以及 一個射出端口（68)，其係被連接到該質量流動控 制器輸出口（66)，用以接受該輸出口所量測到的輸出 ，該射出端口係被座落在接近該離子束之排出穿孔 (50)處，以使得該離子束與該水蒸氣能夠相互作用， 從而中和離子束。 1 3 ·根據申請專利範圍第12項所述的方法， 其中該離子束（28)係主要由硼離子與中性粒子所構成 〇 1 4 ·根據申請專利範圍第13項所述的方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請- 先 閲 η 背 ιδ 意 事 項 再 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 396407 六、申請專利範圍 其中該離子束（28)係存在於一個低於一萬電子伏特 (10 KeV)之能量等級處。 1 5 .根據申請專利範圍第12項所述的方法， 其中該質量流動控制器（56)係控制了在離子束導槽之 中的水蒸氣壓力。 1 6 .根據申請專利範圍第15項所述的方法’ 其中該質量流動控制器係將該離子束導槽（3 〇)之中水 蒸氣的壓力控制在1〇_3 Torr之等級。 (請先閱讀背面之注意事項再本育) 装. A -s· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）