JP5222286B2 - イオン注入のための磁気解析装置および方法 - Google Patents
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- イオン注入のためのイオンのポスト解析減速のための減速器とともに用いられる磁気解析装置であって、前記装置は、イオンビームが通過する非磁性体材料の真空ハウジング(20)に関連付けられた扇形磁石(21)を有し、前記扇形磁石は、イオンビーム(19,22)が質量分離のためにさらされる磁場ギャップを画定する、強磁性体材料の磁石アセンブリ(26,28,30,32,34)と、前記磁石アセンブリに密接に関連付けられた励起コイル(40)とを備え、前記コイルは、電力源(100)まで延びる電力線(90)、および、冷却流体源およびドレインまで延びる冷却流体ライン(92)に接続され、
高電圧絶縁体(86,94)は、前記密接に関連つけられた励起コイル(40)、電力線および冷却流体ラインを前記磁石アセンブリから隔離し、
前記電力源は、接地ハウジング(96)内に配置される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記扇形磁石(21)およびその電力源(100)は、少なくとも20キロワットの電力で動作するように構成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、高電圧絶縁体を形成する少なくとも1つのスリーブ(94)が、前記磁石アセンブリの一部を通って前記励起コイル(40)まで延び、前記スリーブは、前記電力線(90)および冷却流体ライン(92)を包含する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記励起コイル(40)は、前記磁石アセンブリから少なくとも20kVの電気的な隔離を提供できる電気絶縁体(86)により囲まれる、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記励起コイル(40)は、コイルセグメント(80A,B,C,D)および冷却材通路を備える冷却プレート(82A,B,C,D,E)のアセンブリを備え、前記励起コイルは、前記電力線(90)に接続され、前記冷却プレートは前記冷却流体ライン(92)に接続され、高電圧絶縁層(86)が、前記アセンブリを包みこむ、装置。
- 請求項5に記載の装置であって、前記高電圧絶縁層(86)は、少なくとも6mmの厚さの絶縁材料の不透過性の皮膜の形態である、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記装置は、前記磁石アセンブリ(21)と同じ電位に保持される真空ハウジング(20)に関連付けられ、前記磁石アセンブリは、前記ハウジングの外側に配置されたヨーク(30、32、34)およびコア(28)部材と、前記真空ハウジング(20)の壁を通って延び且つシールされる極部材(26)とを有し、前記ハウジングの内側における前記極部材の面は、イオンビーム(22)のためのギャップを画定し、前記ハウジングの外側における前記極部材の面は、前記磁石アセンブリのコア部材(28)の対応表面に関して取り外し可能な磁束インターフェースを画定する、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記磁気解析装置のための真空ハウジングは、ハウジング延長部を備え、前記ハウジング延長部にイオン減速器(60,61,62)が取り付けられ、前記ハウジング延長部は、前記磁気解析装置の前記ハウジング(20)と同じ電位に保持されるように構成される、装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記減速器は、最終エネルギー電極(62)を含むアセンブリを有し、前記最終エネルギー電極は、前記磁気解析装置のための前記ハウジングから高電圧絶縁体(66)により支持される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記磁気解析装置は、高電圧の囲い(E)に囲まれ、前記囲いは、高電圧絶縁体により電気的接地から隔離され、前記励起コイル(40)のための前記電力源(100)は、前記高電圧囲いの外側にある、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記冷却流体ライン(92)は、脱イオン化されていない水の水源(98)に接続される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記扇形磁石(21)は、120°の弧にわたって延び、少なくとも100mm寸法のギャップを画定する、装置。
- イオン注入を行う方法であって、請求項1に記載の装置を使用することにより実施される、方法。
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