TW205605B - - Google Patents

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a6 _B6_ 五、發明説明（ί ) 發明領域： 本發明係関係到一離子束佈值機，以及，更特別地， 像關偽到一用於此離子束佈值機之離子束中和器。 背景技g : 離子佈值機之一用途僳用以摻雜矽晶片，以形成半導 疆。假若，所使用之用來摻雜之不純物可被離子化與作成 -· " -* 一離子束，離子束可以藉將離子束打在晶片上，而接雜矽 ' 、 晶片。 一常發生在離子佈值摻雜条统中之問題係晶片充霣之 問題。當離子束被導引輿晶片作接觴時，晶片於正充霣離 子碰撞晶Η表面開始充電。該充電通常偽不均勻的，並可 在晶片表面造成大電埸，使其不適用以作為一半導鼸材料 〇 於一些先前技蕕之佈值条统中，一霄子分佈器像用以 中和離子束之空間霣箱。現行之霣子分佈器裝置利用所形 成之二次電子發射，於一激能電子撞擊金羼表面時。來自 金羼表面之低能量轚子偽被陷於離子束之中，或被直接撞 擊晶片表面，藉以直接中和晶片。 來自於金厪表面之為二次發射所獲得之《子之«流密 度偽為在離子束舆發射表面間之電位差所限制。由於較佳 之中和時，束霣位下降，可以為發射表面所排斥之二次發 射霣子霣流降低。於一指向一單玀晶片中之充霣離子束之 情形中，霣子霣流必須相等於用於中和器之離子束霣流， 〇 ' ... -. .-拿紙張尺度適用中琴國家標準（CNS>甲4规格（210 X 297公釐） (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 .丨線_ 經濟部中央標準房WC工消费合作社印製

A6 A6 經濟部中兴揉準局典工消费合作社印製 _B6____ 五、發明説明（> ) 以防止晶片充電。假若，束電位之啓始僳低霣位，晶片會 充電，直到離子束電位係足夠大到以排斥—自二次發射表 面之電子電流之需要量。一低電位離子束並不意諝晶片充 電不會發生，因為，束中心像正霣，以及，由於負電荷之 瀑度圍繞離子束之外部負電荷。於實際情形中，吾人發現 該在金屬電子發射表面之空間霉荷係部份為來自殘餘氣體 離子化，沿著離子束路徑之缓慢離子所中和。結果，由理 論得知，較高之電子電流將會被排斥，事實上，先前技S 係使用殘餘氣髏E力，以提供低能董之霣子。 美國專利案第4, 804, 837號Far ley掲 示一束中和条统，具有一高能量電子源，其偽來回反射於 一具有離子化氣鳢之中和匾域。當高能量之電子通過該區 域，其將該氣體離子化，以提供低能量'電子作為束中和。 Fax* 1 ey之該專利案之掲示傑引用於此處以作為參考 Ο 假若一離子束並不能被有效地中和，由於在束中之正 電荷離子之互相排斥，其會試著去炸開或膨脹。為了減少 此爆炸之區域，一電子圍棚可以被放置於一自鬣子分佈器 之上游。一典型之離子佈值室具有一支座，其沿著一圓形 路徑旋轉矽晶片，以使其通過離子束，以使離子束與晶片 相接觸•然後，一晶片支座保持在地端霣位，然後，再下 一値晶片等等。此造成了當晶片通遇離子束時，離子束之 *紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公货） ------------------------装------#------^ (請先閲·？？背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 Λ6 B6 _ 五、發明説明（3 ) 電位迅速地起伏。在此束電位上之變動可以藉放置一定霄 位孔徑板於束中和區域之上游，而加以降低。 . 在束電位中之起伏俗藉由一負偏壓孔徑之放置而降低 ，其沿箸該離子束産生一最小電位。來自於束中和器之電 子並不能穿透此孔徑。 此抑制孔徑之使用具有兩想要之結果。該孔徑引入一 邊界條件，造成了在束電位上之—尖鋭之散度。此可使束 加強自抑制孔徑向下游爆裂。另外，在該孔徑區域中之霄 場可以反射在束中和器中之電子，向下游之佈值室區域前 進。此具有不想要而會産生一正電荷區域於離子束中心， 以及在離子束之外週邊産生負電荷之结果。以另一方式加 以說明，該離子束在一般概念上傜中性，但在晶片表面， 於晶片中心發生一正霣荷建立，以及，發生一負電荷外圓 週。此造成了在大而不想要之電埸之發生。 F a r 1 e y之美國專利所述之目標係在於增加在離 子束區读之時間週期遭遇氣鑤分子之電子，以增加次電子 之産生。 發明掲示： 本發明關傺到一用於工件離子束處理之離子佈值機。 離子佈值機之典型用法僳用以摻雜一矽材料，以生産一半 導匾。一源極發射形成於離子束中之正電荷離子·以用以 處理該工件。一束形成裝置包含用以於離子離開離子束源 時，形成離子束之结構。此结構通常包含電極用以加速離 (-先間-背而之注·δρ項再塡寫本頁) ，裝i · 訂_ .線· 本紙張尺度適用中sa家樣準（CNS)甲4規格（210 X 297公货） 經 濟 部 中 央 揉 準 局 Ά 工 消 费 合 作 .杜 印 製 五、發明説明（★) 子，以及，磁場 之離子中具有不 在一離子佈 動通過離子束， 之上游，一束中 避免晶片為正霣 構件至少部份園 數燈絲定位以引 ,以使低能量中 A6 B6 用以分析離子之質量，以將用以撞擊工件 合適質置之離子分離。 值站中，通常一或數工件之矽晶片係被移 以形成一已控制之佈值摻雜量。在佈值站 和器投射低能量之電子進入離子束中，以 荷雞子束所充霣。該束中和器包含一金羼 繞著離子束，以提供束中和霣子，以及， 導高能董電子與該金羼構件之向内面接觸 和電子進入離子束之區域並降低晶片充霣 依據本發明之較佳實施例所構成之佈值機包含一画茼 狀構件，定義一向内之園筒狀《子發射表面。用以發射离 能量霣子之燈絲偽安裝在該鼷筒狀構件之空室之中。依據 本發明之較佳實施例，該圓筒狀柱匾沿著離子束延伸一距 離，以足以完成束中和。此偽不必抑制«極即可完成，而 不會有上述之在先前技S中之不想要之结果。 園示之簡要說明： ^ 圖1傺一離子佈值条統之槪略圖； 圖2像一放大之部份剖面B,示出一由離子源至離子 佈值室之離子束路徑； 圖3係一離子佈值機之部份剖面蹰，示出一束中和器 投射低能量«子至一離子束； 圈3A傜睡3由線3A-3A所定義之平面視圈； -6 一 本紙張又度適用中困囲家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝------ir------線 <請先閱讀背面之注意事項冉璜寫本頁) 經濟部中央標準局S工消費合作社印$ r〇5b〇b^_^_ 五、發明説明（t ) 圖3B儀圖3由線3B—3B所定義之平面視圖； 圖4俱一剖面圖示出一用於多重燈絲之画柱支架，以 及，示出一向内之二次電子發射表面； 圖5示出一用以放射高能量至束中和器區域之燈絲之 放大平面視圖；及 圖6傷束中和器之略示圖，示出自由多重等間隔燈絲 所發射之高能量主電子發射二次電子之産生。 本發明之最佳模式·· 現參見諸附圖，圖1描述出一離子佈值条統10,具 有一離子源12與一束分析磁場14包容於一高電壓外殼 16之中。一自離子源12發出之雞子束20沿著一已控 制之行進路徑前進離開外殼16並進入一離子佈值容室2 2。沿著該由源12至佈值室22之束行進路徑，該離子 束20係變尖銳，被估算與加速，此乃由於該自容室16 之离電颳至接地之佈值容室之霄位降。 該分析磁場14造成了只有具有適當質量之離子，才 能到達離子佈值容室22。沿著由外殼1 6至容室22之 行進路徑，該離子束通過一由電氣絶緣材料所構建之高電 壓絶緣套管2 6,其用以隔绝高電壓外殼16與佈值容室 2 2 〇 該離子佈值容室2 2係支撐在一可移動之座台2 8之 上。此允許容室22可以被相對於離子束作排列。該離子 束衝擊在一安装在用以對一軸4 2旋轉之晶片支座4 0之 衣紙張凡度適用中國a家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝------·玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再增寫本頁) 經濟部中央橒準局霣工消费合作杜印14 20_l3 A6 __B6__ 五、發明説明（) 上。該晶片支座40支撐多掴矽晶片在其外囫周之上，並 以沿著一圓形路徑移動這些晶片。該離子束20截斷該國 形晶片行進路徑，造成了離子衝擊每一晶片.，並有選擇地 以離子不純物摻雜逭些晶片。支座40之高速旋轉係為一 «動櫬所作用，其在晶片已經被装在支座上以後，才轉動 支座4 0 ^ 另外有關於一離子佈值条统之更細節傜包含在阿姆斯 壯等人所申請之美國專利案第4, 672, 210號之上 。此先前技蕕之樣的傜在此作為參考之用。 矽晶片係為一機械手臂經由一真空埠71,而安置於 該離子佈值室之中。該容室2 2傜為一真空泵7 2抽真空 成與沿著離子束路徑相同之低壓。該機械手臂7 0在一用 以儲存晶片之卡匣73之間，來回傳送晶片。用以傳送此 晶片之檐械在先前技Μ中偽為習知。其他之泵（未示出） 亦将由離子葱12之至佈值容室22之離子束路徑抽輿空 〇 . 如圖1與圔2所示，離子離開離子源12之後沿著一 大略直線之路徑進入磁場14。該離子瀝12包含一高密 度電漿容室7 6具有一椭圓形之出口孔徑。其他有鼷於離 子源之細節偽掲示於百凡尼第人之美國專利第5, 026 ,997號之中，此處偽僅供參考之用。當離子自電漿容 室76遷移，其傜受到霣場之加速而脱離容室76,該電 場係為定位在出口孔徑外之之抽取電棰80所設置，離子 -8 - 本纸張尺度適用t國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） ------------------------装------，玎----線 {^"閱-'-τ背而之：;i4p項再場寫本頁) 經濟部中央镖準局8工消费合作社印製 L〇i>b〇〇 A6 _B6_ 五、發明説明（7 ) 並進入磁場14之區域。該分析磁場14産生一磁場使具 有正確質量之離子彎曲進入—佈值軌道。逭些離子離開分 析磁場14並被沿著一行進路徑加速，而導引至佈值容室 2 2。一磁場軛8 2傜為未示於圖2之場搏組所結合。一 佈值機之控制電路安裝於該高壓外殼16之中，其藉由控 制在磁場繞組中之電流，而調整磁場強度。 該離子源12産生了大Λ具有不同於用於佈值之離子 S量之離子。逭些不想要之離子亦為分析磁場所《曲，但 是，被與佈值軌道分離。例如，較重之離子沿著一較大半 徑之軌道行進，並且，撞擊至一附在磁場上之目標板86 。較這些予使用以佈值之雞子更輕之離子俱沿著一較小半 徑之軌道，並且，撞擊一目標板90。當此二目樣86與 90均被以離子加以轟擊時，其均會被加溫，一用以散熱 之冷卻劑係經由支座（未示出）加以管路化，給目標板8 6、9 0使用。 一法拉第杯（Faraday Cup) 110係示 於定位在自磁場14沿著束行進路徑下游之位置。該法拉 第杯110遮斷離子並防止其對佈值容室22充電。該法 拉第杯1 1 0偽使用以於束設定時，監視離子束霣流。該 法拉第杯亦用以遮斷離子，於其他當離子佈值停止之時間 間段之間，例如，當晶片偽被載入與被自容室22装入或 裝出之時。 在離開磁場14之後，離子束20僳為一四相透鏡1 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)甲4现格（210 X 297公釐） ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) A6 B6 五、發明説明（I ) 12所聚焦，該四相透鏡係被安装在离霣E绝緣套管2 6 之前。該四相透鏡112在離子束20之中反射離子，成 相互正交之方向，以一類似於一凸透鏡放在一光束上之聚 焦作用之方式，將離子束聚焦至一影像黏1 14。在束2 0中之雄子並不足以為四相透鏡1 12所反射與聚焦，而 離開雄子束，並且，不會到達離子佈值容室22。到達影 像點1 14匾域之離子偽為一序列之霣棰1 1 6、118 、：I 20所加速，而成為一想要之最终佈值能*。在離子 佈值時，該法拉第杯1 1 0僳自離子束路徑上抽回，並且 ，雄子束傜進入一束中和器150。該束中和器150以 相對於雞子束電流之比例，投射出低能量電子進入雞子束 之中，藉以減少在佈值容室22中之晶片充®。 圔3、 3A、 3B與圖4至圖6乃描繪出依據本發明 所構建之一束中和器1 5 0之較佳實施例β臞6圔例出該 中和器之操作。於該圖例中，該束中和器偽定位在相對於 離子束2 0有一半徑R1。在離子束之徑向向外分隔的是 一大略呈弧形表面S,其提供低能置二次霣子用以作為中 和該離子束。徑向於表面S之外的是數値加長燈絲160 以所有方向發射出電子。奪曲反射器R重新指引電子移動 離開束2 0通過隙缝G ,使得很高比例之發射霣子被加速 ,而通過離子束2 0之匾域並舆表面S發生碰撞。在高能 量霣子舆表面S間之碰撞造成了低能量之二次電子發射1 6 1。該二次電子由電子發射表面S移動進入離子束之匾 -10- 本紙張又度適用中國國家標準（CN\S>甲4規格（210 X 297公货） • 装 訂 線 (請先閲¾背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中丧標準局w工消費合作社印製 經濟部中央櫺準局R工消费合作社印製 Λ 6 Β6 五、發明説明（q ) 域，以中和離子束。 圓柱形電子發射表面s沿著離子束延伸約十英吋之距 離D。此一距離容許了每單位時間一足夠之電子濃度（束 中和電流），以中和該離子束· 使是由於晶片旋轉通過 離子束所引起之離子束電位迅速之變化。 束中和器150之較佳结構之細節偽如以下所示。該 離子佈值機結構圔繞箸在中和器150之區域之離子束行 進路徑像被接地。該表面S亦被接地。由於加至每一燈絲 之d. c.^位傜10伏特，流經燈絲160之電流傈接 近6安培。該反射器R相對於地端係保持在——3 0 0伏 d . c.之霣位，並且，偽與燈絲160之負端作電氣連 接。 如圓3所示，該束中和器150像連接至一邊牆16 2,該邊腌定義著一部份之雄子行進路徑。已車螺纹之連 接器163延伸穿過一支撐板164,該支撐板支持著束 中和器150並嚙合一在邊牆162中之螺紋孔徑。因此 ，假如有必要的話，該中和器150可以被自離子佈值条 統中移開。因為離子束行至佈值容室之區域係被抽真空， 在板1 64舆邊聃1 62間之連接必須保持此一真空。一 絶緣器1 66係霣氣絶線該板1 64與該邊牆1 62。使 該板1 64與該邊牆1 62電氣绝緣允許了被投射入離子 束之中和器霣流被監視。 附在板1 6 4並徑向向内延伸至離子束區域的是兩凸 -11- 本紙張又度適用中國®家標準（CN-S>甲4規格（21〇 χ 297公坌） -裝------tr------嫁 (請先閑;·.;.背而之iiip^再填寫本頁) 經濟部中兴標準居貝工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（;〇 ) 緣1 70、 1 7 1。一中和器機體1 74定義表面S並外 接該離子束行進路徑。該中和器主體係為以己車螓紋連接 器（未示出）附著在凸緣170、 17 1上之軸向分隔端 板 1 7 6、1 7 7 〇 圃4示出該中和器主髖174之横切面圖。該主匾1 74定義出多重間隔凹穴2 10,其定位該«子發射燈絲 1 6 0。該燈絲最好偽10毫米直徑之鎢絲線並沿伸至中 和器150之長度。其僳排列對準在表面S中两口徑向向 内朝向離子束20匾域之隙縫G。 每一燈絲160僳為其個自之燈絲組件220所支撐 。毎一組件220包含一支撐板222, »由已車螺纹達 接器224連接至中和器主髏1 74。一燈絲安装塊22 6偽葙由已車螺紋之連接器2 2 8連接至支撐板2 2 2。 該安装塊226支撐電子反射器R,反射器係«壓在燈絲 160之負霣位上。此造成了由燈絲之霄子熱離子發射被 反射離開該霣子反射器2 3 0,通過了除缝G並‘進入離子 束之匾域β 高能量電子之轟炸於電子發射表面S之上，造成了主 釅174由於來自高能量電子轟炸該表面之能量轉移而昇 高溫度。由於此原因，一冷卻劑（較佳係為水）偽作成管 路經由多重加長路徑24 0大略平行沿伸至燈絲1 6 0。 冷卻劑傜經由一入口管241至一管接頭242,其 傳送冷卻劑至在端板176中之通道243。冷卻剤係披 -12- 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐〉 ------------------------裝------訂------線 f請先閲·;:ϊ背面之iitf項再填寫本頁) 經濟部中央櫺準局貝工消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明（I丨） 以一平行至第二端板1 7 7之束行進路徑之方向送入主體 174之中。該第二端板177定義著一弧形座244 ( 見圖3B),用以傳送冷卻劑由第一路徑240 a至一鄰 近路徑。然後，冷卻劑之流動方向會反逆，所以，冷卻劑 會沿箸離子束路徑流回至第一端板176,其定義著類似 之弧形座245,以連接鄰近之通道240。在沿著一迥 繞路徑行進且同時吸收來自主臛174之熱量之後，冷卻 劑旋轉至最後之路徑240b,並且，經由一定義在端板 1 77之出口通道246離開端板1 77。如圖3中所示 ，一接管頭24 7與管24 8導引受熱之冷卻薄1離開離子 佈值機至一熱交換器（未示出）。 從與離子束中和器150之绖驗中指出，假若一低濃 度之離子化氣涯例如氬氣亦被注入高能量霄子之S域之中 ，則效率可以被加強。藉由碰撞之離子化所産生之慢電子 ，其會部份地中和了在圃柱壁上之負空間《荷。此氣醱傜 為一沿伸通過板164與凸緣170之管250所承載。 該管2 5 0傳送氣體進入中和器以一近似相等於主體1 7 4之發射表面S在中和器之入口之徑向位置。一在主體1 74中之貫穿通道機器諝節氣體傳送管2 5 0。 圖5係一放大視圔示出一定位在為主體174所定義 之空室之一中之燈絲組件2 2 0。在圖5中所描述之線燈 絲160延伸通過兩加長車螺線螺栓260、 261之一 中心孔，該螺栓僳以一《氣绝结器262來與反射器R分 -13- 衣紙張尺度適用中國Η家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公》) ------------------------裝------#------'^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部"央揉準局典工消费合作杜印製 Α6 _Β6_ 五、發明説明（\>〇 隔。燈絲160之另一端係經由晈合霣氣連接器264、 265而加以連接，該連接器偽被建接至外部電源，用以 對燈絲160供霣。於本發明之較佳實施例中，多個燈絲 160之每一儸偽分隔在離子束之圔周上，並藉由兩圓形 匯流排266、 267與電源並聯，該匯流排之直徑傜大 於中和器174之直徑，並且，為絶緣器268、 269 而與端板176、 177分嗶。燈絲僳為一直流電壓所供 霣，該霣壓提昇一霣流使燈絲加熱並且熱發射霣子。這些 霄子具有一近似一 3 0 0伏直流之霣氣電位並為一在中和 器中之電場所加速至表面S。 該兩螺栓260、 261之外表面偽被車螺纹，以使 張力調整螓母270、 272可以施在螺栓260、 26 2之上。揮簧274可以被壓缩於绝錁器262與張力諷 整螺母270、 272之間。藉由沿着螵栓諝整張力《母 270、 272之位置，這些潭簧274之K缩可以被諝 整，以藉以諝整燈絲160之張力。 一霣源供應器280 (圔1)供《該坦絲160舆反 射器R。並不需要對電流或電壓作回授諝整。該電源偽連 接至匯流排266、267並且相對於接地主體174« 壓給反射器一一300伏之直流霣E,並施加一10伏倍 號於並聯連接燈絲160之兩端《於佈值機操作時之束霄 位改變，中和器電流會改變以中和離子束並減小晶片充霣 〇 -14- (諳先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 丨装· 訂_ .線. 表紙張尺度適用申國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） Λ6 Β6 五、發明説明（G ) 本發明之較佳實施例已經說明了細節。包含所有之修 正與改變均在本發明所掲示之精神與範圍之中亦包含在随 附之申請專範圍之精神與範圍之中。 ------------------------裝------，丌------嫁 (請"閱-背面之注念一^項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局R工消费合作社印製 15 衣紙張尺度適用中國园家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公货）

Claims (1)

1. *濟部中喪螵準雇霣工消费合作杜印# A7 〇56〇〇 Β7 C7 _D7_ 六、申請專利範圍 1. 一種用於離子束工件處理之離子佈值機包含： a) —離子束源其發射使用以處理工件之正電荷離子 b) 束形成機構包含用以形成一離開離子束源之離子 束之结構； c) 佈值機構包含用以在離子束中定位工件與控制佈 值劑量之結構； d) 束中和機構包含： i) 一画柱金屬组件圍繞著離子束，其具有一内向曲 面，用以提供束中和電子；及 i i)數燈絲定位成得以引導高能量電子與該金屬組 件之向内表面接《，以使中和《子進入離子束之區域；與 e) 霄源供應機構，用以使圓柱金颺组件相對於該數 燈絲作霣氣僱S。 2. 如申請專利範圍第1項所述之離子佈值機，’其中 ，該燈絲包含加長線燈絲大略平行延伸於離子束_與徑向 向外定位於圓柱金羼组件之内曲霣子發射面。 3. 如申請專利範圍苐2項所述之離子佈值機，其中 ,該画柱金羼組件包含一组件主匾具有均勻分隔之燈絲支 撐容室，以在離子束旁以均勻間隔定位燈絲。 4. 一種離子束佈值糸统包含： a)源機構用以産生一正霣荷之離子束舆用以指引上 述離子束沿著一束行進路徑，以撞擊在一工件上； 朱纸張尺度適用中a國家標準（CNS>甲4規格（210 X 297公货） ----------：——.-----------裝------#------線 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) β濟部中央櫺準渴霣工消t合作社印製 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範園 b) 工件定位機構，用以定位一工件於一佈值站中之 離子束之中； c) 電子産生機構定位在前沿著束行進路徑之佈值站 之前，用以指引高能量電子通過一束中和匾域； d) 導電機構用以遮斷穿過上述束中和I匾域之高能量 電子，並且，在上述束中和區域中·提供低能量之二次電 子；及 e) 電源供應機構用以使電子産生機構相對於導電機 構搞壓一電位，以用於加速由霣子産生機構至導«機溝之 電子。 5. 如申請專利範園第4項所述之離子束佈值糸统， 其中，該霣子束産生機構包含數線燈絲用以熱發射電子， 以及，該導霣機構包含具有一向内曲面之圓柱金屬組件， 又，其中，該霄源供應機構提供該數線燈絲兩端一電位。 6. 如申諳專利範園第5項所述之離子束佈值条统， 另包含一離子氣體源，用以投射該氣鱧進入向内曲面之徑 向向内匾域，以在上述E域中提供低能量離子。 7. —種使用於雞子佈值機之雞子束中和器包含： a) —金屬醱具有一通道大小足以充許一離子束通過 該金羼涯，上述金靨體保持在相對於離子束有著一固定之 電位； b) 數加長之霣子發射燈絲分隔成均勻之間隔並定向 於大略並聯於離子束移動通過金羼臑之方向；上述燈絲機 本纸張尺度適用中國®家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝------，玎—.—線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 C7 D7 六、申請專利範困 (請先閱1^面之注意事項再塡窝本頁> 械地連接至金靨主匾並與上述金屬主體作霣氣絶綠； c) 用以安装該金屬主體相對於離子束之支撐架構； 及 以發射霣 )上述金 以當高能 量霣子。 .如申請 龌定義用 量霣子碰 .如申諳 構更包含 d) 電源供應機構，用以使霄子發射燈絲相對於金饜 主腥偏壓一負霣位，並用以供應一霣位至燈絲兩端，以設 立一足以發射霣子之用以加熱燈絲之m流； 表面， 射低能 8 金靥主 為离能 9 支撐架 ej上述金屬主醱包含一面對離子束之大略呈圓柱之 董電子自上述燈絲撞擊上述圜柱面時，發 專利範園第7項所述之中和器，其中，該 以循琛一冷卻劑通過主醱之通道，以散發 撞\圈柱面所造成之熱量。 專利範臞第8項所述之中和器，其中，該 用以循琛上述冷卻劑進出金靥主體之架構 10.如申誚專利範園第8項所述之中和器，更包含 一氣《源，用以投射一離子化氣體進入上述金靥主醱之大 略圓柱表面之徑向向内區域。 »濟部中央標準屬興工消#合作杜<p« 本纸張尺度逍》中國家《準（CNS)甲4洗格（210 X 297公釐〉