KR930003248A - 확산 이차 방출 전자샤워 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 주입장치의 개략도,
제2도는 이온소오스에서 이온 주입실까지 이온비임통로를 도시한 이온 주입기의 단면도,
제3도는 저에너지 전자를 이온비임에 주사하는 비임 중화기를 도시한 이온 주입기의 단면도,
제3A도는 제3도의 선(3A-3A)을 택한 평면도,
제3B도는 제3도의 선(3B-3B)을 택한 평면도,
제4도는 다중필라멘트에 이용되고 안쪽으로 마주한 이차전자 방출면을 예시한 실린더형 지지대의 단면도,
제5도는 고에너지 전자를 비임 중화기의 영역에 직사하는 필라멘트를 확대한 평면도,
제6도는 등간격의 다중의 필라멘트에서 방출된 고에너지 일차전자로부터 이차전자 발생을 도시한 비임중화기의 개략도.
Claims (10)
- (가) 원형공작물을 처리하는데 이용되는 양으로 대전된 전하를 방출하는 이온비임소스와 (나) 이온이 있는 이온비임 소오스로부터 이온비임을 형성하는 구조를 포함하는 비임형성수단과 (다) 이온비임의 원형공작물을 위치시키고 주입선량을 제어하는 구조를 포함하는 주입수단과 (라) (i) 비임중화전자를 제공하는 안쪽으로 마주한 만곡면을 가진 이온비임을 둘러싸는 실린더형 금속부재와 (ii) 고에너지 전자를 금속부재의 안쪽으로 마주한 면과 접촉하게 직사하도록 위치하고 중화전자를 이온비임의 영역에 들어가게 하는 다수의 필라멘트를 포함하는 비임중화수단과 (마) 다수의 필라멘트에 대 해 실린더형 금속부재를 전기적으로 바이어스하는 전원수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 원형공작물을 이온비임 처리하는 이온주입기.
- 제1항에 있어서 필라멘트는 이온비임축에 평행하게 연장된 신장된 전선 필라멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 원형공작물을 이온비임 처리하는 이온주입기.
- 제2항에 있어서 실린더형 금속부재는 이온비임 주위에 규칙적인 간격으로 전선 필라멘트를 위치시키기 위해 규칙적으로 공간을 둔 필라멘트지지대 공동을 가진 부재몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 원형 공작물을 이온 비임처리하는 이은주입기.
- (가) 양으로 대전된 이온비임을 발생시키고 비임 이동통로를 따라 이온비임은 직사하여 원형공작물에 충돌시키는 소오스수단과 (나) 원형공작물을 주입장소의 이온비임내에 위치시키는 원형공작물 위치수단과 (다) 비임 이동통로를 따라 주입장소앞에 위치하고 비임 중화영역을 통해 고에너지 전자를 직사하는 전자 발생수단과 (라) 비임 중화영역을 통과하고 비임중화영역내에 저에너지 이차전자를 제공하는 고에너지전자를 차단하는 전도수단과 (마) 전자 발생수단으로 부터 전도수단까지 전자를 가속시키는 전도수단에 대한 전기전위로 전자발생수단을 바이어싱하는 전원 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 비임 주입장치.
- 제4항에 있어서 전자발생수단은 열적으로 전자를 방출하는 다수의 전선 필라멘트를 포함하고 전도수단은 실린더형 금속부재와 안쪽으로 마주한 면을 포함하고 전원공급수단은 다수의 전선 필라멘트를 따라 전위를 공급하는 것을 특징으로 이온비임 주입장치.
- 제5항에 있어서, 가스를 안쪽으로 마주한 면의 안쩍 방사상 영역에 직사하면 상기 영역에 저에너지 이온을 제공하는 이온하 가스의 소오스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 주입장치.
- (가) 이온비임을 금속몸체에 통과하도록 크기를 한 통로를 가진 금속몸체, 이온비임에 대한 고정전기 전위에 유지된 상기 금속 몸체와 (나) 규칙적인 공간을 두고 금속몸체를 통해 이온비임 운동방향에 평행하게 방향을 한 다수의 신장된 전자방출 필라멘트 금속몸체에 기계적으로 연결되고 금속몸체와 전기적으로 고립된 상기 필라멘트와 (다) 이온비임에 대한 금속몸체를 설치하는 지지구조와 (라) 금속몸체에 대한 부의 전위로 전자방출 필라멘트를 바이어싱 하고 전자를 방출하기에 충분하게 필라멘트를 가열하는 전류를 설정하기 위해 필라멘트틀 따라 전위를 인가하는 전원수단과 (마) 필라멘트로부터의 고에너지 전자가 실린더형면과 마주함에 따라 저에너지 전자를 방출하기 위해 일반적으로 실린더형 면과 마주한 이온비임을 포함하는 금속몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 중화기.
- 제7항에 있어서, 금속몸체는 고에너지 전자가 실린더형면과 충돌하므로서 발생한 열을 줄이기 위해 몸체를 통해 냉매를 제공하는 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 이온비임 중화기.
- 제8항에 있어서, 지지대 구조는 냉매를 금속몸체에서 및 로부터 제공하는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 중화기.
- 제8항에 있어서, 이온화가스를 금속몸체의 실린더형면의 방사상 내측 영역으로 직사하는 가스소오스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 중화기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5633506A (en) * | 1995-07-17 | 1997-05-27 | Eaton Corporation | Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses |
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US5554857A (en) * | 1995-10-19 | 1996-09-10 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam formation in an ion implanter |
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US5661308A (en) * | 1996-05-30 | 1997-08-26 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion formation in an ion implanter |
US5703375A (en) * | 1996-08-02 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam neutralization |
US5814819A (en) * | 1997-07-11 | 1998-09-29 | Eaton Corporation | System and method for neutralizing an ion beam using water vapor |
US5909031A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-01 | Eaton Corporation | Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission |
US5856674A (en) * | 1997-09-16 | 1999-01-05 | Eaton Corporation | Filament for ion implanter plasma shower |
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US5959305A (en) * | 1998-06-19 | 1999-09-28 | Eaton Corporation | Method and apparatus for monitoring charge neutralization operation |
US6555835B1 (en) | 1999-08-09 | 2003-04-29 | Samco International, Inc. | Ultraviolet-ozone oxidation system and method |
US6164146A (en) * | 1999-08-09 | 2000-12-26 | Samco International, Inc. | Test device for ozone-ultraviolet cleaning-stripping equipment |
WO2003012160A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Asahi Optronics, Ltd. | Systeme de galvanoplastie haute frequence par depot par evaporation sous vide |
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US4786814A (en) * | 1983-09-16 | 1988-11-22 | General Electric Company | Method of reducing electrostatic charge on ion-implanted devices |
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US4886971A (en) * | 1987-03-13 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam irradiating apparatus including ion neutralizer |
US4825087A (en) * | 1987-05-13 | 1989-04-25 | Applied Materials, Inc. | System and methods for wafer charge reduction for ion implantation |
JPS6410563A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Sumitomo Eaton Nova | Electric charging suppressor of ion implanter |
US4804837A (en) * | 1988-01-11 | 1989-02-14 | Eaton Corporation | Ion implantation surface charge control method and apparatus |
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