JP2009524933A - イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源 - Google Patents

Abstract

イオン注入方法は、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、材料中にＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む。幾らかの実施形態においては、前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい。他の実施形態においては、約１３２〜１４４ａｍｕ、あるいは、約１３６〜１３８ａｍｕである。チャンバを画定するチャンバ筐体と、チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、チャンバ内でソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する、イオン源もまた開示される。
【選択図】 図１

Description

関連出願

本願は、２００６年１月２８日に出願した「イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源」というタイトルの米国特許出願番号第１１／３４２，１８３の一部継続出願である。

本発明は概してイオン注入に関し、より具体的には、ホウ素に基づくソースフィードガスを利用するイオン源およびそれに関する方法に関する。

イオン注入は、半導体ウェーハなどの材料に対してドーパントを導入する従来技術である。ドーパントは、所望の導電性をもつ領域を形成することを目的として材料に注入される。このような注入が行われた領域は、結果物であるデバイスの活性領域を形成しうる。典型的に、イオン注入中に、ソースフィードガスはイオン源でイオン化される。イオンはイオン源から放出されて、選択エネルギーに加速されてイオンビームを形成しうる。ビームは材料の表面に向けられ、衝突イオンは材料大半を貫通して、材料の導電性を増加するドーパントとして機能する。

従来のイオン源は、一定の注入条件下において制限がある場合があった。例えば、従来のイオン源は、非常に浅い接合深さを持つ注入領域を形成する注入処理に利用されうる低励起エネルギーおよび／または低ビーム電流において、動作が非効率である場合がある。この結果、所望の注入ドーズを達成するには注入を長く行う必要がある場合があり、これによりスループットに悪影響が出る。

イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源を提供する。

一側面において、イオン注入方法は、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、材料中にＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む。

別の側面においてはイオン源も提供される。イオン源は、チャンバを画定するチャンバ筐体と、チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、チャンバ内でソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する。

他の側面においては、本発明の実施形態および特徴が、本発明の以下の詳細な記載を添付図面との関連で読むことによって明らかになろう。添付図面は概略的であり、縮尺通りに描かれているとは限らない。図面中、各同じ、あるいは図面を跨いで実質的に類似した部材は単一の参照番号あるいは符号で示される。明瞭化を目的として、図面では全ての部材に名称をつけているわけではない。また当業者が本発明を理解するのに必要ではない本発明の各実施形態の部材の説明は省略している。ここに参照として組み込むとして示した全ての特許出願および特許はその全体を参照として組み込まれている。それらが対立する場合には、定義を含めて本明細書が優位に立つ。

本発明の一実施形態によるイオン注入システムを示す。

本発明の一実施形態によるイオン源を示す。

イオン注入に利用されるカルボランの最適なマススペクトルのプロットである。

イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源を提供する。方法は多数の元素を含むソースフィードガスからイオンを生成することに関する。例えばソースフィードガスは、ホウ素とその他の少なくとも二つの元素とを含みうる。さらに以下で詳述されるように、このようなソースフィードガスの利用により、従来の処理に比して幾らもの利点が生じうるが、その中のひとつに、非常に浅い接合深さを持つ注入領域を形成する際、より高い注入エネルギーおよびより高いビーム電流の利用を可能とすることがある。さらに、実施形態によっては、ソースフィードガスの組成は、例えば摂氏３５０度より高い温度などの比較的高い温度下において熱的安定するように選択されて、このような温度を生じる多くの従来のイオン源（例えば傍熱陰極、Ｂｅｒｎａｓ）でもそのようなガスの利用を可能ならしめることができる。

図１は、本発明の一実施形態によるイオン注入システム１０を示す。システムは、システムを移送されてウェーハ１６に衝突するイオンビーム１４を生成するイオンビーム源１２を含む。イオンビーム源はソースフィードガス供給源１７を含む。ソースフィードガス供給源は、以下に記すようにソースフィード材料からソースフィードガスを生成しうる。供給源からのソースフィードガスはイオンビーム源に導入され、イオン化されてイオン種を生成する。以下にさらに詳述するように、本発明の実施形態によっては、ソースフィードガスは、ホウ素とその他の少なくとも二つの元素（例えばＸ_ａＢ_ｂＹ_ｃ）とを含みうる。図１に示す実施形態においては、イオンビームをイオンビーム源から抽出する抽出電極１８がイオンビーム源に関連づけられている。抑制電極２０がさらにイオン源と関連づけられてもよい。

注入システムは、望ましくない種をビームから除去するソースフィルタ２３をさらに含む。システムのソースフィルタの下流には、ビーム中のイオンが所望のエネルギーに加速／減速される加速／減速コラム２４と、双極子解析磁石２８および分解孔３０を利用してイオンビームからエネルギーおよび大量汚染物質を除去することのできる大量解析器２６が含まれる。ウェーハにわたりイオンビームを走査するスキャナ３２が大量解析器２６の下流に配置されてよい。システムは、イオンを偏向して平行なイオン軌道を持つ走査ビームを生成する角度補正磁石３４を含む。

注入中、走査ビームは処理チャンバ３８内のプラテン３６により支持されるウェーハの表面に衝突する。概して、イオンビームが横断する全行程は注入中真空状態にある。注入行程は、ウェーハに所望のドーパント濃度および接合深さを持つ領域が形成されるまで続けられる。

本発明の特徴は適切なイオン注入システムあるいは方法のいずれかとともに利用できることを理解されたい。よって、図１記載のシステムは変形例を含みうる。幾らかの場合においては、システムは図示された部材以外にさらなる部材を含みうる。反対に、システムが図示された部材全てを含まない場合もありえる。適切なシステムは、リボンビームアーキテクチャ、走査ビームアーキテクチャ、あるいはスポットビームアーキテクチャ（例えば、イオンビームが静的であってウェーハが静的ビーム上を走査されるシステム）を有す注入装置を含む。例えば、適切な注入装置は、米国特許番号第４，９２２，１０６、５，３５０，９２６、および６，３１３，４７５に記載されている。

幾らかの実施形態において、非常に浅い接合深さ（例えば２５ナノメートル未満）を形成する方法において本発明のイオン源を利用すると好適である場合があるが、本発明がこの点に限定されないことは理解されるべきである。システムおよび方法は、半導体材料（例えばシリコン、シリコン・オン・インシュレータ、シリコンゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ化合物、炭化珪素など）、および、インシュレータ（例えば二酸化珪素）およびポリマー材料などの他の材料をとりわけ含むがそれに限定されない様々な材料にイオンを注入するのに利用することができることを理解されるべきである。

上述のように、ソースフィードガス供給源１７はイオンビーム源にソースフィードガスを導入する。ソースフィードガスは、ホウ素とその他の少なくとも二つの元素（ホウ素および互いと異なる元素）を含みうる。概して、ソースガスのさらなる（ホウ素でない）元素は、とりわけ炭素、水素、窒素、燐、砒素、アンチモン、シリコン、スズ、ゲルマニウムを含む適切な元素のいずれであってもよい。幾らかの実施形態においては、ソースガスがホウ素、水素、および炭素を含むことが望ましい場合がある。ソースガスはさらに
二を超える元素をさらに含んでもよい。

概して、ソースフィードガスは適切な化学構造をもちうるが、本発明はこの点に限定されない。例えば、ソースフィードガスはＸＢＹという一般式で表されてもよく、ここでＢはホウ素を表し、ＸとＹ各々は少なくとも一つの異なる元素をあらわす。Ｘおよび／またはＹが単一の元素を表す場合もあれば（例えばＸ＝Ｃ，Ｙ＝Ｈ）、Ｘおよび／またはＹが二以上の元素を表す場合もある（例えば、Ｘ＝ＮＨ_４、ＮＨ_３、ＣＨ_３）。さらに、ソースフィードガスＸＢＹが、例えばＢＸＹ（例えばＢ_３Ｎ_３Ｈ_６）あるいはＸＹＢなどの異なる順序で同じ元素を含みうる他の等価化学式により表されてもよい。幾らかの実施形態においては、ソースフィードガスは、Ｘ_ａＢ_ｂＹ_ｃにより表されてもよく、ここでａ＞０、ｂ＞０、およびｃ＞０である。ここに記載する各化学式では、ａ、ｂ、ｃはゼロより大きい。

幾らかの場合、上述の式におけるＹは少なくとも水素を表す（例えばソースフィードガスがＸ_ａＢ_ｂＨ_ｃを含む）ことが好ましい。幾らかの実施形態においては、Ｘおよび／またはＢの水素を置き換える他の複数の元素あるいは元素の複数の群（例えばＣＨ_３）を含むＸ_ａＢ_ｂＨ_ｃの派生物を利用することもできる。置換基は任意の適切な無機種あるいは有機種であってよい。

幾らかの場合、上述の式におけるＸは少なくとも炭素を表す（例えばソースフィードガスがＣ_ａＢ_ｂＨ_ｃを含む）ことが好ましい。幾らかの実施形態においては、Ｃおよび／またはＢの水素を置き換える他の複数の元素あるいは元素の複数の群を含むＣ_ａＢ_ｂＨ_ｃの派生物を利用することもできる。置換基は任意の適切な無機種あるいは有機種であってよい。ソースフィードガスがＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を含むことが好適な場合もある。

他の実施形態においては、上述の式においてＸはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、あるいはＳｎのうちの一以上であってよい。例えば、ソースフィードガスは、Ｎ_ａＢ_ｂＹ_ｃ（例えばＮ_ａＢ_１０Ｈ_１２あるいはＢ_３Ｎ_３Ｈ_６）、Ｎ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、Ｐ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、Ａｓ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、Ｓｂ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、Ｓｉ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、Ｇｅ_ａＢ_ｂＨ_ｃ、およびＳｎ_ａＢ_ｂＨ_ｃを含んでよい。幾らかの実施形態においては、他の複数の元素あるいは元素の複数の群でＸおよび／またはＢの水素を置き換えることもできる。

典型的にＸおよびＹは、デバイス性能の劣化などの過度に好ましくない特性を材料に対して与える種を導入しないよう選択される。このような種としては、とりわけナトリウム、鉄、および金が含まれる。

ソースフィードガスはイオン化されて様々な異なるイオン種を形成してよい。イオン種はソースフィードガスと同じあるいは類似したホウ素含有量を含んでよい。イオン種はさらにソースフィードガスに存在する他の元素を含んでもよい。例えば、Ｘ_ａＢ_ｂＹ_ｃ（Ｘ_ａＢ_ｂＨ_ｃ）を含むソースフィードガスはイオン化されて、Ｘ_ａＢ_ｂＹ_ｃ ^−１（例えばＸ_ａＢ_ｂＨ_ｃ ^−１）あるいはＸ_ａＢ_ｂＹ_ｃ ^＋１（例えばＸ_ａＢ_ｂＨ_ｃ ^＋１）を含むイオン種を形成してよい。ソースフィードガスがＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を含むとき、生成されるイオン種は、例えば（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２）^＋あるいは（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２）⁻を含むものがある。Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２の他のイオン種には、例えば（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_５）^＋などのＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２から導出された種が含まれるものがあってもよい。また、イオン種はホウ素と元素のうちの一つのみ（例えばＹ）とを含んでよいことは理解されるべきである。幾らかの実施形態においては、本発明のシステムは、所望のイオン種をイオンビームおよびその後の注入用に生成されたものの中から選択する機構を含む。

ソースフィードガスは比較的高い分子量を持つことで、これもまた比較的高い分子量を持つイオンを形成することが好適である。例えば、イオン化条件を適切に選択することで、所望の分子量を持つイオンを生成することができよう。イオンの注入深さは注入エネルギーとその分子量とに依る。イオンの分子量の増加により、より高い注入エネルギーを利用して同じ注入深さを達成することができる。故に、比較的高い分子量を持つソースフィードガスを利用すると、所望の効率レベルにおける操作を可能とする程度に高い注入エネルギーで非常に浅い接合深さ（２５ｎｍ未満）を形成することができる。例えば、（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１１）^＋を含むイオン種が注入される際、比較的高い注入エネルギー（例えば１４．５ｋｅＶ）を利用できる。本実施形態においては、等価ホウ素注入エネルギーは約１ｋｅＶである（全てのホウ素原子が、（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１１）^＋が重量１４５ａｍｕである^１１Ｂで表される場合）。５ｋｅＶ未満の等価ホウ素注入エネルギーを利用することが好適である場合もあれば、１ｋｅＶ未満の等価ホウ素注入エネルギーを利用する好適である場合もある。

ソースフィードガス（および注入されるイオン種）の分子量は、組成中の原子の数および種類により決定される。場合によっては、上述の式におけるｂが２より大きいことが好適である（より好適なのは８より大きいことである）。場合によっては、上述の式におけるｃが２より大きいことが好適である（より好適なのは８より大きいことである）。実施形態によっては、ソースフィードガス（および注入されるイオン種）の分子量は５０ａｍｕより大きいことが好適であり、場合によっては１００ａｍｕより大きいこと（約１２０ａｍｕ）が好適である。

上述のソースフィードガス組成が異なる異性体で表されてもよいことは理解されるべきである。つまり、ガス間で、化学構造が違っていても同じ化学式であってもよい。例えば、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を含むソースフィードガスは、オルト、メタ、あるいはパラカルボラン（para-carborane）形式で存在してもよい。ソースフィードガスは異なる派生形で存在してもよい。

さらに、ホウ素（あるいは任意の他の元素）は自然に起きる形式（例えば^１１Ｂ―８０％、^１０Ｂ―２０％）を含む任意の適切なアイソトープ形式のソースフィードガスに存在してよい。例えば、ホウ素は、１１の原子量（つまり、^１１Ｂ）あるいは１０の原子量（つまり、^１０Ｂ）で存在してよい。場合によっては、ソースフィードガス内のホウ素の略全てが、単一のアイソトープ^１０Ｂあるいは^１１Ｂであってもよい。本発明はこれに限定されない。

場合によっては、ソースフィードガスは比較的高い分解温度を持つ。分解温度は部分的には化学構造の安定性により決定される。ソースフィードガスの組成および構造は、比較的高い温度（摂氏３５０度を超える）で熱安定性が保たれるよう選択されて、このような温度を生じる多くの従来のイオン源（例えば傍熱陰極、Ｂｅｒｎａｓ）でこのようなガスの利用を可能としてよい。例えば、ソースフィードガスの分解温度は摂氏３５０度より高いことがある。場合によっては、摂氏５００度を超え、場合によっては摂氏７５０度を超える。特に、ホウ素とその他の少なくとも二つの元素とを含むソースフィードガスは、比較的高温が利用される（摂氏３５０度を超える）従来のイオン源での利用に適している場合がある。しかし、分解温度は利用される特定のソースフィードガスに依ることが理解されるべきであり、本発明はこれに限定されない。

場合によっては、イオン源に供給されるソースフィードガスは、ソースフィード材料から直接生成される。この場合において、ソースフィードガスは任意の適切な方法で生成されうる。場合によっては、ソースフィード材料は固体であってよく、例えば粉末状であってよい。他の実施形態においては、ソースフィード材料は液体である。ソースフィードガスは、ホウ素と他の少なくとも二つの元素とを含む材料の昇華および／または蒸発工程により生成されうる。さらには、ソースフィードガスは従来ガス形式で入手可能であり、別個の生成工程の必要なくイオン源に直接供給されてよい。ソースフィードガスの生成および／または供給方法は、部分的にはソースフィードガスの組成に依ってよい。

幾らかの実施形態においては、ソースフィード材料は、ホウ素と上述の組成のうちのいずれかを含む他の少なくとも二つの元素とを含んでよい。これら実施形態の幾らかにおいては、ソースフィード材料から生成されるソースフィードガスもまた、ホウ素と他の少なくとも二つの元素（例えばＸＢＹ、Ｙは水素ではない）とを含んでもよい。ソースフィードガスがホウ素と単一の元素とを含む実施形態においては、生成されるイオン種も、ホウ素と該単一の元素のみ（例えばＹ）を含んでよい（Ｙは水素ではない）。

幾らかの実施形態においては、ホウ素と他の少なくとも二つの元素とを含むソースフィードガスは、単一の気体化合物である。つまり、ソースフィードガスは単一の気体組成として提供される。他の実施形態において、ソースフィードガスはホウ素と他の少なくとも二つの元素とを含むソースフィードガス組成を提供する二以上のガス種の混合体であってよい。二以上のガス種は、イオン源あるいはイオン源チャンバに入れられる前に混合されてよい。

図２は、本発明の一実施形態によるイオンビーム源１２を示す。しかし、本発明が図２に示すイオンビーム源の種類に限定されないことは理解されるべきである。さらに以下に記載するように他のイオンビーム源が適切である場合がある。

図示する実施形態においては、ソースは、チャンバ５２とイオンが抽出される抽出孔５３とを規定するチャンバ筐体５０を含む。陰極５４はチャンバ内に配置される。示されるように、フィラメント５６が、アークチャンバの外の、陰極のすぐ近傍に配置される。フィラメント電源６２はフィラメントに接続される出力端子を有す。フィラメント電源はフィラメントを加熱し、これによりフィラメントから放出される電子が生成される。これら電子は、陰極に接続される正極端子とフィラメントに接続される負極端子とを有すバイアス電源６０により陰極へと加速される。電子は陰極を加熱して、これにより後に陰極が電子を放出する。故に、この一般的な構成を持つイオンビーム源は「傍熱陰極（ＩＨＣ）」イオン源として知られている。アーク電源５８は、チャンバ筐体に接続される正極端子と陰極に接続される負極端子とを有す。電源は、チャンバに生成されるプラズマに向けて、陰極が放出する電子を加速する。例示される実施形態においては、反射器６４がチャンバ内の陰極と反対の一端に位置する。反射器は、例えばチャンバ内のプラズマに向かう方向に、陰極が放出する電子を反射することができる。幾らかの場合において反射器は、反射器に負の電荷を提供する電圧源に接続されてもよいし、あるいは反射器は電圧源に接続されず電子吸収により負の電荷を与えられてもよい。

多くの実施形態においては、ソース磁石（不図示）はチャンバ内に磁界を生成する。典型的に、ソース磁石はチャンバの反対側の端に極を持つ。磁界により、陰極が放出する電子とチャンバ内のプラズマとの間の相互作用が増加する。

源１７からのソースフィードガスがチャンバに導入される。チャンバ内のプラズマはソースフィードガスをイオン化してイオン種を形成する。上述のように様々なイオン種がソースフィードガスの組成に依り生成されうるし、望ましいイオン種がイオンビームおよびその後の注入を目的として選択されうる。

他のイオン源構成を本発明の方法との関連で利用できることは理解されるべきである。例えば、Ｂｅｒｎａｓイオン源を利用することができる。さらに、マイクロ波あるいはＲＦエネルギーを利用してプラズマを生成するイオン源を利用することもできる。上述のように、ある実施形態の一つの利点は、比較的高温（例えば摂氏３５０度を超える）を生成するイオン源内でソースフィードガス分解を起こさずにソースフィードガスを利用することができることである。しかし、幾らかの実施形態においては、比較的低温で動作するイオン源を利用することが好ましい場合もある。例えば、一以上の電子ビームを利用することでソースフィードガスをイオン化する「コールドウォール（cold wall）」イオン源を利用することもできる。このようなイオン源は米国特許番号第６，６８６，５９５に記載されており、これを本願に参照として組み込む。

図２に示すイオン源は、当業者が理解するように幾らもの変形例を含みうることが理解されるべきである。

図３はイオン注入に利用されるカルボランの最適なマススペクトルのプロットである。図３は正規化されており、最適化カルボランソースフィードガスと非最適化カルボランソースフィードガスとの間で、ビーム電流と抽出されたカルボランイオンの分子量とを比較する。ウェーハ注入に際してカルボランの最適な分子量は、好適には１３２〜１４４ａｍｕの間であり、より好適には１３６〜１３８ａｍｕの間である。最適化カルボランソースフィードガスはイオン化処理中、非最適化カルボンソースフィードガス程分離してはならない。

図３に示すように、最適化カルボランソースフィードガス（「最適化ビームスペクトル」）は、（離散ビームスペクトルとして表されるような）非最適化カルボランソースフィードガスよりビーム電流が大きくなる。この非最適化カルボランソースフィードガスはイオン化中に少なくとも幾らかの離散を含む。実験により、最適化カルボランソースフィードガスは、非最適化カルボランソースフィードガスの約二倍の計測ビーム電流を生じることが実証された。イオン化処理中の離散により、１３２ａｍｕを下回る分子量で計測されたビーム電流は、非最適化カルボランソースフィードガスのほうが最適化カルボランソースフィードガスよりも実質的に高かった。

本発明の少なくとも一実施形態の幾らかの側面を記載したが、当業者にとっては様々な変形例、変更例、および向上が容易に可能であることは理解されたい。そのような変形例、変更例、および向上は本開示の一部として意図されており、本発明の精神および範囲内であることが意図されている。故に、前述の記載および図面は例示目的のみに捕らえられるべきである。

Claims (15)

1. Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、
   材料中に前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む、イオン注入方法。
2. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２は少なくとも摂氏５００度の分解温度を持つ、請求項１に記載の方法。
3. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２は少なくとも摂氏７５０度の分解温度を持つ、請求項１に記載の方法。
4. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい、請求項１に記載の方法。
5. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンは、主に約１３２〜１４４ａｍｕの間の単一質量範囲からなるマススペクトルを持ち、前記マススペクトルは添付された図３に示される、請求項１に記載の方法。
6. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は約１３２〜１４４ａｍｕである、請求項１に記載の方法。
7. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は約１３６〜１３８ａｍｕである、請求項１に記載の方法。
8. チャンバを画定するチャンバ筐体と、
   前記チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、
   前記チャンバ内で前記ソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する、イオン源。
9. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２は少なくとも摂氏３５０度の分解温度を持つ、請求項８に記載のイオン源。
10. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２は少なくとも摂氏５００度の分解温度を持つ、請求項８に記載のイオン源。
11. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２は少なくとも摂氏７５０度の分解温度を持つ、請求項８に記載のイオン源。
12. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい、請求項８に記載のイオン源。
13. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンは、主に約１３２〜１４４ａｍｕの間の単一質量範囲からなるマススペクトルを持ち、前記マススペクトルは添付された図３に示される、請求項８に記載のイオン源。
14. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は約１３２〜１４４ａｍｕである、請求項８に記載のイオン源。
15. 前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は約１３６〜１３８ａｍｕである、請求項８に記載のイオン源。

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