JP5652771B2 - 分子イオンを生成する方法および装置 - Google Patents
分子イオンを生成する方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5652771B2 JP5652771B2 JP2013506274A JP2013506274A JP5652771B2 JP 5652771 B2 JP5652771 B2 JP 5652771B2 JP 2013506274 A JP2013506274 A JP 2013506274A JP 2013506274 A JP2013506274 A JP 2013506274A JP 5652771 B2 JP5652771 B2 JP 5652771B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- species
- molecular
- ion
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Claims (25)
- 分子イオンを生成する方法であり、
分子の第1種をイオン源に導入する段階と、
前記第1種から第1種イオンを形成する段階と、
前記第1種イオンを用い、前記第1種イオンの原子質量より大きな原子質量を持つ分子イオンを形成する段階と、
前記イオン源から第2チャンバーへ前記分子イオンを輸送する段階と、
前記第2チャンバーから前記分子イオンを抽出する段階と
を備える方法。 - 前記分子イオンを形成する段階は、前記第1種イオンと前記第1種を組み合わせる段階を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1種は化学式CaH b を有するアルカンであり、前記分子イオンは、化学式CxHy(x>a)を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1種が、アルカン、B2H6、CO2、C2F4、BF3、AsH3、PH3、GeH4、GeF4、PI3、AsI3、N2、NH3、PxHy、CxFy、AlxCly、GexHy、およびGexFyからなる群より選ばれる、請求項1または2に記載の方法。
- 前記分子イオンが、CxHy、BxHy、BxFy、AsxHy、PxHy、CxFy、AlxCly、GexHy、およびGexFyからなる群より選ばれる、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1種および前記第1種イオンが分子を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記輸送する段階で前記分子イオンをフィルタリングする段階をさらに備える、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記分子イオンを形成する段階の圧力は、前記分子イオンを抽出する段階における圧力よりも高い、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 分子の第2種を前記イオン源に導入する段階をさらに備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1種イオンを形成する段階が、RFパルスまたはDCパルスを印加する段階を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1種イオンを形成する段階が、前記RFパルスを印加する段階を含み、周波数、電力、およびデューティサイクルからなる群から選ばれるRFパラメータを調節し、前記RFパルスを印加する段階で電子温度を調整する段階をさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第2チャンバーの面の温度を変化させ、前記第2チャンバー内の蒸着を減らす段階をさらに備える、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記分子イオンを被処理体に注入する段階をさらに備える、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 分子イオンを生成する方法であり、
第1ガスおよび第2ガスをイオン源へ導入する段階と、
前記第1ガスおよび前記第2ガスをイオン化し、第1ガスイオンおよび第2ガスイオンを形成する段階と、
前記第1ガスイオンおよび前記第2ガスイオンを組み合わせ、分子イオンを形成する段階と、
前記分子イオンを前記イオン源から第2チャンバーへ輸送する段階と、
前記第2チャンバーから前記分子イオンを抽出する段階と
を備える方法。 - 前記第1ガスと前記第2ガスとが、アルカン、B2H6、CO2、C2F4、BF3、AsH3、PH3、GeH4、GeF4、PI3、AsI3、N2、NH3、PxHy、CxFy、AlxCly、GexHy、およびGexFyからなる群より選ばれる、請求項14に記載の方法。
- 前記分子イオンが、PxCyHz、PxCyFz、PxCyNz、BxCyHz、BxCyFz、BxCyNz、AsxCyHz、AsxCyFz、AsxCyNz、GexCyHz、GexCyFz、GexCyNz、AlxCyHz、AlxCyFz、AlxCyClz、およびAlxPyHzからなる群より選ばれる、請求項14または15に記載の方法。
- 前記第1ガス、前記第2ガス、前記第1ガスイオン、および前記第2ガスイオンが、分子を含む、請求項14から16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記輸送する段階で前記分子イオンをフィルタリングする段階をさらに備える、請求項14から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1ガスおよび前記第2ガスをイオン化する段階が、RFパルスまたはDCパルスを印加する段階を含む、請求項14から18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1ガスおよび前記第2ガスをイオン化する段階が、前記RFパルスを印加する段階を含み、
周波数、電力、およびデューティサイクルからなる群から選ばれるRFパラメータを調節し、前記RFパルスを印加する段階で電子温度を変化させる段階をさらに含む、請求項19に記載の方法。 - 前記第2チャンバーの面の温度を変化させ、前記第2チャンバー内の蒸着を減らす段階をさらに備える、請求項14から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記分子イオンを被処理体に注入する段階をさらに備える、請求項14から21のいずれか一項に記載の方法。
- 分子イオンを生成する方法であり、
RFイオン源内で化学式CaH b を有するアルカン種をイオン化する段階と、
前記RFイオン源内で、前記アルカン種から化学式CxHy(x>a)を有する分子イオンを生成する段階と、
前記RFイオン源から前記分子イオンを抽出する段階と、
前記分子イオンを被処理体に注入する段階と
を備える方法。 - 前記分子イオンを前記RFイオン源から第2チャンバーへ輸送する段階と、前記分子イオンを前記第2チャンバーから抽出する段階とをさらに備える、請求項23に記載の方法。
- 請求項1から24のいずれか一項に記載の方法により分子イオンを生成する装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/763,652 | 2010-04-20 | ||
US12/763,652 US9024273B2 (en) | 2010-04-20 | 2010-04-20 | Method to generate molecular ions from ions with a smaller atomic mass |
PCT/US2011/033255 WO2011149607A1 (en) | 2010-04-20 | 2011-04-20 | Molecular ion generation |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013525980A JP2013525980A (ja) | 2013-06-20 |
JP2013525980A5 JP2013525980A5 (ja) | 2014-01-23 |
JP5652771B2 true JP5652771B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=44318100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013506274A Expired - Fee Related JP5652771B2 (ja) | 2010-04-20 | 2011-04-20 | 分子イオンを生成する方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9024273B2 (ja) |
JP (1) | JP5652771B2 (ja) |
KR (1) | KR20130102455A (ja) |
CN (1) | CN102859635A (ja) |
TW (1) | TW201145341A (ja) |
WO (1) | WO2011149607A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8742373B2 (en) * | 2010-12-10 | 2014-06-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method of ionization |
US8907307B2 (en) * | 2011-03-11 | 2014-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for maskless patterned implantation |
TWI767255B (zh) | 2019-07-18 | 2022-06-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 將離子物種植入至一基板中之方法與系統 |
JP7023319B2 (ja) * | 2020-05-18 | 2022-02-21 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9016A (en) * | 1852-06-15 | Improvement in machines for making cigars | ||
GB246190A (en) | 1924-09-18 | 1926-01-18 | James William Sunderland | Improvements in and relating to machines for making wire fabrics |
JPS6130036A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US5107170A (en) | 1988-10-18 | 1992-04-21 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source having auxillary ion chamber |
US5313067A (en) * | 1992-05-27 | 1994-05-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation |
SI9420037A (en) * | 1993-06-03 | 1996-08-31 | Univ Sydney | Use of natural products and related synthetic compounds for the preparation of medicines for treatment of cardiovascular disease |
JPH08212965A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
GB9503305D0 (en) * | 1995-02-20 | 1995-04-12 | Univ Nanyang | Filtered cathodic arc source |
JP3122618B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6465793B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-10-15 | The Regents Of The University Of California | Arc initiation in cathodic arc plasma sources |
US7838842B2 (en) | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
JP4416259B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2010-02-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | 質量分析装置 |
JP2002105628A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Nissin Electric Co Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
US20040002202A1 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Horsky Thomas Neil | Method of manufacturing CMOS devices by the implantation of N- and P-type cluster ions |
NZ520070A (en) | 2002-07-09 | 2005-04-29 | Syft Technologies Ltd | Improved method of analysis |
JP3787549B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2006-06-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 質量分析装置及び質量分析方法 |
US6878930B1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-04-12 | Ross Clark Willoughby | Ion and charged particle source for production of thin films |
US7417226B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-08-26 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
GB2415290B (en) | 2003-07-16 | 2006-03-22 | Micromass Ltd | Mass spectrometer |
DE102004002729B4 (de) * | 2004-01-20 | 2008-11-27 | Bruker Daltonik Gmbh | Ionisierung desorbierter Analytmoleküle bei Atmosphärendruck |
US7323682B2 (en) * | 2004-07-02 | 2008-01-29 | Thermo Finnigan Llc | Pulsed ion source for quadrupole mass spectrometer and method |
KR101455564B1 (ko) | 2005-12-09 | 2014-10-27 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를 위한 시스템 및 방법 |
US20070178678A1 (en) | 2006-01-28 | 2007-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods of implanting ions and ion sources used for same |
US7939422B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
US7655931B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing |
JP5002365B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2012-08-15 | 株式会社日立製作所 | 質量分析装置及び質量分析方法 |
US7700925B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US20090200494A1 (en) | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for cold implantation of carbon-containing species |
US8330118B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-12-11 | Semequip, Inc. | Multi mode ion source |
GB0813777D0 (en) * | 2008-07-28 | 2008-09-03 | Micromass Ltd | Mass spectrometer |
US7807961B2 (en) | 2008-10-08 | 2010-10-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for ion implantation of molecular ions |
-
2010
- 2010-04-20 US US12/763,652 patent/US9024273B2/en active Active
-
2011
- 2011-04-13 TW TW100112814A patent/TW201145341A/zh unknown
- 2011-04-20 WO PCT/US2011/033255 patent/WO2011149607A1/en active Application Filing
- 2011-04-20 CN CN2011800197495A patent/CN102859635A/zh active Pending
- 2011-04-20 KR KR1020127028768A patent/KR20130102455A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-04-20 JP JP2013506274A patent/JP5652771B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013525980A (ja) | 2013-06-20 |
WO2011149607A1 (en) | 2011-12-01 |
KR20130102455A (ko) | 2013-09-17 |
US20110253902A1 (en) | 2011-10-20 |
CN102859635A (zh) | 2013-01-02 |
US9024273B2 (en) | 2015-05-05 |
TW201145341A (en) | 2011-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8263944B2 (en) | Directional gas injection for an ion source cathode assembly | |
KR101438056B1 (ko) | 가스 혼합으로 이온 소스의 성능을 향상시키고 수명을 연장시키는 기술 | |
US7994487B2 (en) | Control of particles on semiconductor wafers when implanting boron hydrides | |
US7888662B2 (en) | Ion source cleaning method and apparatus | |
KR102044913B1 (ko) | 갈륨 이온을 갖는 이온 빔을 생성하기 위한 방법 및 그 장치 | |
US20130305989A1 (en) | Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component | |
KR20080089646A (ko) | 이온 주입 방법 및 이를 위해 사용되는 이온 소스 | |
JP2015512558A (ja) | イオン注入システム及び基板処理方法 | |
JP7080357B2 (ja) | インライン表面エンジニアリングソースを使用するシステム及び方法 | |
JP5652771B2 (ja) | 分子イオンを生成する方法および装置 | |
US8742373B2 (en) | Method of ionization | |
JP5524070B2 (ja) | ダブルプラズマイオンソース | |
JP2009283459A (ja) | マルチモードイオン源 | |
JP6412573B2 (ja) | ワークピースを処理する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140828 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5652771 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |