TW391048B - Intergrated circuit insulator and method - Google Patents

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fluorinated
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Robert H Havemann
Manoj K Jain
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Texas Instruments Inc
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Description

8 6 1 055 08 A7 B7
«rit委蜀明.-7-.，衣襞修^後是否變更原實質内容 五、發明説明（3 ) ROC Patent 修王之中文說杯書篥έ M —mTr—
-i^Jncnded ^ 5 of the Chh»« Specification - End. I 〇HSQ具有良好的閧味填充能力但可能破裂於厚膜之中， 如约l/itmo因此，氧化塗禮層可能會相當的厚。然而， HSQ/塗覆氧化層結構之介電常數比純HSQ高出很多，而損 失掉某些HSQ的優點。 發明概要 本發明提供一種具有兩種（或多種）低介黨常數絶緣材科 之中閼金屬介電質或預金屬層介重質結構：一種材科用於 間搽填充，而另一種材料用填充於塗覆金屬層較隹實施 例使用HSQ之間搽填充梓料，以及PECVD氟化氧化物之疊層 填充材料。 其優點包含一種具有低介電常數之绝緣結構，其利用一 種良好的間隙填充低介電常數材料，該材料具有厚疊層之 破裂限制β 圖示簡單説明 圖la-e説明第一較隹實施例之步騍及其方法的剖面正視 圖〇 圖2a-d説明第二較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圈《 圈3a-c説明第三較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圈。 圈4a-c説明第四較佳實施例之步驟及其考法的剖面正視 圈。 圈5a-d説明第五較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圖 5 - 本紙張尺度中國®家標蜱（rNS ) Λ4規称、210X297公釐） I:---：1:----S-- (請先閱讀背面之注$項再填&頁) 線----- 經濟部中央樣準局员Η消费合作枉印髮 經濟部中央標準局貝工消費合作社印簟 A7 __B7____ 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明闞於一種半導《裝置，尤其是《於積饉黨路導髏 及其製造方法。 積體電路通常包含具有位於矽基板之源極/汲極舆绝緣 閉極的場效重晶髏，以及多層覆蓋金屬（或多晶矽）連絡線 。绝緣層位於明桎/源極/汲極輿形成於第一金屬層（預 金屬介重質）的連絡線之閧，也可位於速續金屬層（中間 金屬介電質）之間。绝緣層中填充有金屬（或多晶矽）之穿 孔提供相鄒金屬層連絡線之間的速接，也提供明極/源極 /汲槿與第一金屬層連絡線之間的連接。每個绝緣層必須 含有金屬層或明極之速絡線的突塊的拓樸結構，而該結構 包含位於同一金屬層之緊密拼列連絡線之間的裂缝。而绝 緣層之介電常數也要值可能的低，以便限制位於同一金屬 層緊密排列連絡線輿相鄰覆蓋金屬層以及基底金屬層緊密 排列連絡線之間的t容耦合。 不同的方法形成突堍的拓樸結構之二氧化矽（氧化物）绝 緣層：回焊沉積的觸酸梦酸盥（borophosphosilicate) (BPSG)、使用旋塗玻璃（spin on glass) (S0G)、濺射並 沉積於具有四乙氧矽垸（tetraethoxysilane)(TEOS)、源 極氧氣之電漿強化化學氣相沉積（PECVD)、蝕刻具有喷出 平面化光阻之沉積玻璃，以及將沉積氧化物化學機械拋光 (CMP) 〇 這些氡化方法都遭遇到氧化矽之高介電常數的問題，約 爲3_9-4.2。這會限制如何將連絡線緊密地封裝而仍然保
本紙張尺度適用中國圏家棣準（（：1^)八4規格（21〇><297公釐> ---------------訂 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央揉率局貞工消费合作社印«. A7 B7 五、發明説明（2 ) 持低的重容耦合。
Uxman之Low Dielectrics:CVD Fluorinated Silicon Dioxides, 18 Semiconductor International Zi (1995年5月）一書，综合了有闕作爲中間金屬介電質之 氟化二氧化矽的報告，該中間金屬介霣質具有一個小於二 氧化矽之介贫常數。尤其是，使用四氟化矽（SiF)、矽烷 (Si^4 )、氧氣（〇2 )源極氣饉之PECVD可以沉積最多含有 10X氟之SiOx FT，而具有3.0-3.7範圔的介重常數。但此 介電常數仍然哏制了連终線的封裝密度。而另一個方法是 將氟化氧化物夾層於均勻沉積的二氡化矽之間。 有機聚合體绝緣髏提供另一個降低介電常數绝緣髖之方 法。氣相沉積之形成確保緊密排列連絡線之間的裂缝填充 。例如，衆對二苯類化合物（parylenes)是具有低介贫常 數（如2.35至3.15)皋低親水性之熱塑性聚合物，可以經由 氣相均勻沉積而無須溶荆舆高温處理。聚對二苯類化合物 輿脂族碳之氫可以使用於高達400¾之N2的環境下，因此 脂族全氟化增加有效溫度達到約530¾。然而，這些均句 的沉積必須要平面化，衆合物通常是蝕刻的，而平面化的 氧化矽沉積則覆蓋於此衆合物之上。 近來，可以喷出輿處理一種衆合物輿鲂絲玻璃的混合物 ，即氫倍半梦氧垸silsesquioxane (HSQ)，以產生具有介 貧常數约爲3.0的绝緣體。事實上，首先要沉積一種突塊 的拓樸結構的均勻氧化矽塗覆（如TE0S之PECVD)，然後噴 出HSQ以填入間隙、處理HSQ以及最後沉積一層氧化塗覆層 -4 - /4 本纸張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4规格（2!〇χ297公釐） ---------Γν^— (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁)
、tT 8 6 1 055 08 A7 B7
«rit委蜀明.-7-.，衣襞修^後是否變更原實質内容 五、發明説明（3 ) ROC Patent 修王之中文說杯書篥έ M —mTr—
-i^Jncnded ^ 5 of the Chh»« Specification - End. I 〇HSQ具有良好的閧味填充能力但可能破裂於厚膜之中， 如约l/itmo因此，氧化塗禮層可能會相當的厚。然而， HSQ/塗覆氧化層結構之介電常數比純HSQ高出很多，而損 失掉某些HSQ的優點。 發明概要 本發明提供一種具有兩種（或多種）低介黨常數絶緣材科 之中閼金屬介電質或預金屬層介重質結構：一種材科用於 間搽填充，而另一種材料用填充於塗覆金屬層較隹實施 例使用HSQ之間搽填充梓料，以及PECVD氟化氧化物之疊層 填充材料。 其優點包含一種具有低介電常數之绝緣結構，其利用一 種良好的間隙填充低介電常數材料，該材料具有厚疊層之 破裂限制β 圖示簡單説明 圖la-e説明第一較隹實施例之步騍及其方法的剖面正視 圖〇 圖2a-d説明第二較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圈《 圈3a-c説明第三較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圈。 圈4a-c説明第四較佳實施例之步驟及其考法的剖面正視 圈。 圈5a-d説明第五較佳實施例之步驟及其方法的剖面正視 圖 5 - 本紙張尺度中國®家標蜱（rNS ) Λ4規称、210X297公釐） I:---：1:----S-- (請先閱讀背面之注$項再填&頁) 線----- 經濟部中央樣準局员Η消费合作枉印髮 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 _B7 五、發明説明（4 ) 國6a-d顧示凹構式佈線（recessed wiriflg)較佳實施例 之步嫌及其方法的剖面正視國。 第一較佳實施例説明
Hla-d説明在積體重路製造期間，金屬線之間的绝緣饉 形成方法之第一較佳實施例步驟的刻兩正視明》尤其是以 國la之製造重路爲開始，國la包含多晶矽閛極1〇4、位於 矽基板102之上而在預金屬層介電質（PMD) 110 (也可爲二 氧化矽 > 之下的場氧化物106、PMD 110上的金屬線112-120 ，以及廷仲穿遇PMD 11Θ之金屬填充穿孔122-124。金屬線 可由鉬以及TiN製成而禮蓋在上面輿底面。金屬線112-120 是0.35-0.以及0.75-0.5/xb的高度，而且線 112-116 輿線118-120之間僅間隔0.35-0.5am。當然，也可使用其 他的高度、寬度以及間隔，例如0.25的寬度以及〇.8um 的高度。因此，金屬線之間的介耄常數可以盡量的小，以 限定其電容耦合。PMD也可以是薄的均勻無塗覆的氧化疊 層、均勻塗覆的氧化疊層（BPSG或PSG)，以及厚的氟化氧 化物層：這些疊層藉由使用氟化氧化物而提供低的有效介 電常數，並且也提供塗覆氡化層之離子吸取；見圏le。 將氬倍半矽氧烷（HSQ)層140離心成约爲0.3-0.5 ttm的平 均厚度；HSQ層140的厚度僅比金屬線多約0.05am，但不 會填充其間播；而若超遇大的金屬結構（如電容板），則厚 度將越接近平均值。BHSQ處置於約400¾ ; HSQ具有交又 連接結構之[SiH〇3/2]N的化學成份。HSQ層140是足夠薄以 避免破裂。 ----II------1--訂 (請先《讀背面之注項再填寫本頁)
本紙張尺度遑用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（5) 接著，藉由使用氟化四6氧矽垸（氟化TEOS)舆氧氣源極 氣饉之電漿強化沉積法而將〇.95uii厚的氟化氡化矽（FSQ) 層150沉積於HSQ層140上。其反應式（未平衡）：
Si(C2 H2 F3 )4 +Q2 ^SiOx F, +H2 0+HF+C02 + … 也有一些其他的源極氣體，例如矽烷、.氧氣以及四氟化矽 輿鈍氣氬。則其反應式（未平衡）爲：
SiH 4 +〇 2 +SiF 4 -^SiO χ F y +H 2 0+HF+ -貧漿熬處理增加基板的a度，該a度保持在約330¾❶源 極氣II流约爲30 seen的"Si 4、45 seen的0 2、15 seen的 SiF 4，以及15 seen的Ar。反應室中的總签力约爲4-5毫 托耳。氟化氧化物約以290nm/min的速度沉積，且具有2-6 %的氟以及約3.5的介電常數；見圈lc。請注意，化學機械 抛光（CMP)可以應用於氟化氧化物150之平面化表面，而且 氟化氧化物的另一個優點是：其抛光作用要比無塗覆的氧 化物還快。 在完成中間金屬介電質140-150之後，將連接於金屬線 112-120舆塗覆金屬層之間的穿孔以石版照相印刷方法加 印圈樣並蝕刻。然後將穿孔填入金屬並沉猜第二金屬層。 將第二金屬層以石版照相印刷方法加印圈樣β形成絶緣髏 疊層之第二層金屬線172-174，並且藉由穿孔160-162而連 接到第一層金屬線。穿孔之填充可以是由第二金屬層之覆 蓋鋁層所飪刻的鎢之選擇性或全面性的化學氣相沉積，或 者穿孔填充也可以是藉由鋁回焊而舆第二金屬層沉積一樣 。穿孔也可具有在填充之前所形成的阻擋墊圈：可將如Ti
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------— 先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 、TiN、TiW之墊明濺射於其上❶國Id説明第二層金屬線 172-174。請注意，穿孔主要經過氟化氧化物150而不經過 HSQ 140。氟化氧化物具有類似於無氟化氡化物之飪刻特 性。 與同時使用（無氟）氧化物作爲間《缚充物與中間金屬填 充物之鶫合電容比較起來，使用HSQ作爲間《填充物以及 使用（無氟）氧化物作爲中間金屬填充物可減少以0.5aa寬 、0.5紅頂茈離間隔之金屬線之13!«的鶫合電容。比較起來 ，使用HSQ問《填充物與氟化氧化物作爲中閟金屬蜞充物 之實施例降低了 22X的鶫合霣容。因此，輿僅使用一種低 介重常數絶緣饉舆氧化物比較起來，使用兩锢低介電常數 绝緣髏可提供更佳的介黨常數。 HSQ、氟化氧化物沉積物、穿孔以及有圈樣的金屬層可 用於多層金屬結構之中。 墊圈與隔離層之實施例 圈2a-d説明ILD製造方法的第二實施例，包含金屬線的 墊圈以及位於兩個低介電常數絶緣髏之間的介電質隔離層 。如第一較佳實施例一樣，開始於預金屬層介電質1〇之上 的第一層金屬線112-120。然後均勻沉積50-100nm厚的（無 氟）氧化物210 ;見圈2a。氧化物210可藉由PETE0S而沉積 ，且提供金屬線112-120之保護墊国◊ 接著，將HSQ 140喷出成約0.5un的厚度，以便填入第 一層金屬線112-120之間的間暸。處理HSQ。然後沉積一層 50-100m厚的氧化物隔離層240於HSQ 140上；見圈2b»隔
張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) ^n. ......... 1-1 HI I- -- --------1 —ϋ «ϋ —ί— .......... .....— - m —ϋ (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁} 經濟部中央標準局貝工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（7 ) 離層240提供一锢介於HSQ 240與覆蓋氟化氧化物之間的隔 離阻擋層；此隖離層防止氟擴散到HSQ而降低HSQ的功效。 然後，沉積大於O.Iub之氟化氧化物以及將氟化氧化物 抛光（CMP)成0.85/xm的厚度；這種沉積可如第一實施例中 所述。然後將另一個50-100nm厚的隔罈層氧化物250沉猜 於氟化氧化物150上；見圈2c。隔離層250可以阻擋氟向上 擴散到覆蓋金屬層。 如同第一實施例，將穿孔160-162以石版照相印刷方法 加印圈樣益飪刻經遇皤離層250、氟化氧化物240、HSQ 140、以及墊圏210,以便從金屬線112-120連接到覆蓋金 屬層。然後將穿孔填入金屬並沉積第二金屬層；此填充舆 第二金屬層的沉積可以同時發生，且穿孔也可具有墊圈。 接著，將第二金屬層以石版照相印刷方法加印國樣以形成 绝緣饉疊層之第二層金屬線172-174以及隔離層240、250 舆墊圈210,並且藉由穿孔160-162而連接到第一金屬層線 。最後，將50-100nm厚的金屬墊圈270沉積於第二層金屬 線172-174。此沉積可以是PECVD氧化物；見圈2d。可以重 複HSQ、隔離層、氟化氧化物、穿孔之穿孔填充、第二金 屬沉積舆加印圈樣，以及金屬墊圈之步驟，以形成第三、 第四、第五等等層之具有低介電常數绝緣結構的金屬線。 可以省略任何一個或一锢以上的隔離層240、250舆墊圈 層210、270。這些除離層或墊圏可以利用如氮化矽之绝緣 體製成，但因爲氮的介電常數约爲7.9，所以這些薄層會 相當的薄。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) Γ 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 A7 ______B7__ 五、發明説明（8 ) 插入法之較佳實施例 l«3a-c説明使用三個介電常數之低介電常數絶緣髏結構 的第二較佳實施0。尤其是國3aH|示如國la中之兩個金屬 線112-120以及覆蓋在金屬線上之衆對二苯甲基類化合物 的均句沉積衆合物330。聚對二苯甲基_化合物具有葬常 低的介t常數：氟化衆种二苯甲基類化合物之介貧常數低 至2.35,而且可以從氣態之活性單髏沉積而來。 國3b_示在衆合物330之各異向性飪刻之後的結構，以 留下倒壁舆最小間隱的填充聚合物320。因爲黏著層並不 是下一層主要的支持材料，所以覆蓋層PMD之黏著性、衆 合物320之金屬層舆機械凿度不需要很大。 對於具有足夠黏著性舆機械強度的衆合物而言，可以免 除各異向性的銥刻，而將下一層（如HSQ或氟化氧化物或 兩者）直接黏著於圈3a所示的結構。 國3d説明喷出之平面化HSQ 342填入介於聚合物側邊輿 沉積於HSQ 342之氟化氧化物（FSG) 352之間，以提供第一 實施例之覆蓋金屬層的填充物。當然，也可加入第二實施 例中的隔離層輿墊圈，而且氟化氧化物可利用CMP而平面 化。 只有當作側壁舆間陈填充物之中間金屬介電質（ILD)輿 聚合物才可使用多個具有機械強度等限制的衆合物，而且 HSQ舆FSG之组合可保持有效的低介電常數。 聚合物較佳實施例 圈4a-c頦示兩個連續金屬層之ILD第三較佳實施例之簡
本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (请先«讀背面之注意事項再填寫本頁)
Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 化版本的兩個連續應用。尤其是國4a«|示均勻沉積於绝緣 體402上之金屬線412-420的氟化衆合物430。金屬線414-420约爲0.25ttm寬、0.7W·高以及〇.25ub的間陲，金屬 線412用約爲〇.4α η»寬且呈現變寬之垂直穿孔連接的金屬 線。金屬線可由鋁以及TiN製成而覆蓋參上面舆底面。 國4b顧示蝕刻的氟化衆合物432以墣充於緊密排列的金 屬線之間，並且形成彼此的侧壁。圈41)也類示覆蓋於金屬 線之平面化之氟化氣化物450 ,而且氟化衆合物之厚度约 爲0.7un。氟化氧化物450可以是同時錢射之重漿強化地 沉猜（源拯氣«氟化TEOS或矽烷、氧輿四氟化矽），或是 使用犧牲薄層來蝕刻，或是利用CPM以平面化。 經濟部中夬標準局員Μ消費合作社印製 C請先聞讀背面之注^^項存填寫本頁) 國4c類示從第一層金屬線412穿過氟化氧化物而連接至 第二層金屬線462的金屬填充穿孔450 ,以及其他位於氟氧 化物450上的第二層金屬線464-470 β蝕刻的氟化聚合物482 填充於緊密排列的金屬線462-470之間，並且形成彼此的 側壁，而平面化之氟化氧化物450則覆蓋於第二層金屬線 。金屬填充穿孔492從第二層金屬線470速接至随後形成於 氟化氧化物490上的第三層金屬線（未顯示）。金屬墣充 穿孔452可以藉由首先將氧化物石版照相印刷方法加印圈 樣與蝕刻，然後將鎢經由全面性地沉積舆反蝕刻或選擇性 地沉積而形成β金屬線可藉由全面性金屬沉積、繼之照相 石版印刷術及各異向性蝕刻而形成。可以重複這些步驟而 產生其他的薄層。 聚合物再填入之較佳實施例 -11 -
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐〉 經濟部中央梯率局員工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（10) 圈5a-d説明兩個連續金屬層之IMD聚合物再填入之第三 較佳實施例的兩個速續應用之剖面正視圈。圈5a類示位於 绝緣體層510上之金屬線512-520，以及覆蓋在金屬線之平 面化的氟化氡化物層530。金屬線514、516、518與520具 有约爲0.25紅的最小寬度、约〇.7/xm蚱高度；而金屬線 512之寬度增加至〇.4α»之校正緩和。金屬線對514-516輿 518-520之間的間隔是最小的，約爲0·25αη，而其他的間 痛則比較大。金屬線是藉由全面性地沉積，然後藉由照相 石板印刷術加印國樣而形成；而金屬則可爲覆蓋的鋁。 以照相石板印刷術來定出最小的金屬線間隔，並且將氟 化氡化物530飪刻出最小的間隔。蝕刻可以是各異甸性的 電漿飪刻，或是依金屬而具選择性的，並且將金屬線作爲 側邊飪刻制動之用。也可完全蝕刻底層絶緣«510。在飪 刻氟化氧化物之後，如上所述地將氟化衆合物540均勻地 沉積；至少0·125αΒ厚的均句沉積將蜞充於最小的間隔； «5b説明约爲0.4/χΐι之聚合物的沉積。 圈5c顯示聚合物540之蝕刻，只留下最小間隔的聚合物 填充物。在聚合物飪刻之後，沉積約爲0.5am之氟化氧化 物550 〇氟化氧化物530與550形成一個氟化氧化物580。 金屬層是藉由照相石板印刷術加印圈樣以及將位於氟化 氧化物580之穿孔蝕刻至金屬線（如金屬線512)之寬的部 位而形成；然後藉由全面性地沉積與蝕刻或選擇性地沉積 而場入這些•穿孔。穿孔可以利用具有阻擋層之鋰而填充。 金屬穿孔560提供第二金屬層輿覆蓋氟化氧化物層590以及 ^^1· m ί 1! - -- »- n -- - I I 1^1 - - I s (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) -12 -
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本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS )八4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（11) 再填充的聚合物582之間的連接，該穿孔是由上述的方法 形成；見國5(1。另一個方法是沉積填充穿孔560的金屬， 然後加印《樣以利用同樣的單一步嫌而形成第二層金屬線 。此方法可以是任何的均勻金屬沉積方法，例如化學氣相 沉積或是鋁等金屬的回焊；或是一開均可以沉積一個錢射 的橋楣金屬層。 如上所述，可以使用金屬線之墊圈及/或介電質材料之 間的隔離層。 凹掐金屬的較佳實施例- 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印裝 (请先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 國6a-c説明凹陷金屬（金屬鏽嵌）之較佳實施例imd及其 方法的剖面正視圈。尤其是圈6a類示在隔離層604之上而 作爲中間金屬填充物之氟化氧化物層602、墊圈層606與金 屬線608,金屬線是内梭於介雹質層610。介鼇質層620是 在氟化氧化物層602之上，而且引線凹穑630-632是由照相 石板印刷術加印圈樣並且在介電質層620蝕刻而形成；凹 搢630-632可以是0.3/xm寬。隔離層604舆墊明606可以是 厚度約爲l〇nm之鬈漿強化沉積TEOS氧化物；氟化氧化物層 602可以是lam厚，而介黨質層可以是0.8um厚，並且是 由如氟化氧化物或處理過之HSQ或聚合物等的低介重常數 材料所製成的。凹槽630-632不需要完全廷伸穿過較厚的 介電質層620。 圈6b顯示位於介電質層620與凹槽内之均勻的墊國層626 ，以及填入凹攢之沉積的金屬628。金屬628可以利用化學 氣相沉積法或回焊法而填入凹槽。然後CMP將凹槽之外的 -13 -
本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（12) 所有金屬628平面化，僅留下圈6c中的金屬627與629。 圈6d説明隔離層624,以及位於平面化表面上之中間金 屬蜞充物氟化氧化物層622，以完成金屬線627、629與形 成於氟化氧化物622上的金屬線之間的IMD。痛離層626可 以非常的薄（lOim)並且可以是PETEOS，而氟化氡化物可以 約爲1 /£ 1厚。 變更 可以產生利用兩個或兩個以上之低介雹常數材料作爲内 層介霆質（PMD或IMD>的較佳實施例，而維持低的有效介 電常數。例如，所使用之氟化氧化物可具有較低或較高的 有效氟元素，因此介耄常數會降至3.0或升高至3.6或3.7 ;金屬大小、多晶矽線大小以及線之間的間隔大小，無論 是水平或垂直，都可以是變動的；金屬線層之間所使用的 不同绝緣髏數可以是變動的，而且可使用遞增成份（如在 氟化氧化物中變動的氟元素）。 另外，低介霣常數绝緣體至少可作爲覆蓋於整锢積髏黨 路之鈍性被覆部份。可以使用填充於上層金屬線舆氮化矽 覆蓋層之間間隙之第一SiOx Fy層，或是使用聚化物，或 是間隙填充於SiOx Fy覆蓋層舆止層氮化矽之紡絲玻璃。 — — — — — — — —^.LvI 11 111 訂 (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消費合作社印氧
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M规格（210x297公釐）

Claims (1)

  1. A8 B8 ξΐ
    、申請專利範園
    ，包含 (a)與第一導雅相粼由具_有不大於3 7之介電常數的 介電材科所製成的第，絶緣娌區； •(b)位於該第一绝緣髏區輿第導髏之上及一第二導 髖之下的第二绝緣雄g,該第二绝緣鍾塍是由不同於第 一介耄材笄之第二介鼇材料所製成，並且其介 . 於 3.7。 Φ 2;奴申請專利範固第1項之绝緣體結構，其中： (a)該第一介黨材料之介電常數小於第二介零材 介耄常數。^ 3‘如申請專利範囲第1項之絶緣想結構，另外包含： (a)、介於第一基域輿第二區域之間的隔離層。
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ规格（210X297公釐）
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