TW322657B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW322657B TW322657B TW085111159A TW85111159A TW322657B TW 322657 B TW322657 B TW 322657B TW 085111159 A TW085111159 A TW 085111159A TW 85111159 A TW85111159 A TW 85111159A TW 322657 B TW322657 B TW 322657B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- amplifier
- doherty
- carrier
- circuit
- peaking
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
- H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3223—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
- H03F1/3229—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward using a loop for error extraction and another loop for error subtraction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 322657 at Β7 五、發明説明(1 ) 發明之範固 本發明乃關於放大器電路,特別是多赫帝式放大電路β 發明之背景 傳統式多赫帝型放大電路之爲此技藝人所熟知。"供調變 波之新的高效功率放大器”曾揭於19 3 6年9月之無線電工 程學會之月刊,Vol. 24,No. 9,1 163-1 182頁中。大家亦熟 知傳統式多赫帝型放大器之直線性不佳。此外,其直線性 與其效率成反比。因此,多赫帝型放大器如能有高效率, 則其直線性不佳。由於其直線性不佳,多赫帝型放大器不 逋於許多應用中,如在細胞基站裝備之多載波功率放大器 之應用。因此’在直線性上改進之多赫帝型放大器電路則 有其需求。 本發明之略述 爲指出此一需求’本發明提供一個改進之放大器電路及 —方法以供調諸多赫帝型放大器電路。根據本發明之一特 點,此電路包含一具有以多赫帝裝置構型之載波放大器及 峰化放大器之第一放大器,第二放大器具有以多赫帝裝置 構型之載波放大器及峰化放大器,及—對第一及第二放大 器響應之組合電路。第一放大器產生實際上直線性而在第 一頻帶寬之輸出信號。第二放大器則產生一實際上直線性 在第二帶寬之第二輸出信號。組合電路對第一及第二輸出 k號響應而產生一實際上線性而在第三頻道帶寬之第三輸 出信號。第三頻率帶宽較第一及第二頻率帶寬爲大^ 根據本發明之另一特性,放大器電路包括一載波放大器 -4- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS ) Α4規格(2Ι0Χ 297公疫) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝. 秌 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __________B7 五、發明説明(2 ) ~~~~ — 產生一載波放大器輸出信號,一峰化放大器耦合至以多赫 帝構型之載波放大器,及一對載波放大器及峰化放大器響 應之組合電路。峰化放大器爲以電壓予以偏壓以產生一調 整<互調變成分信號3組合電路將調整之調變成分信號與 載波放大器輸出信號予以結合以產生一實質上直線^化之 放大器電路輸出信號。 調諧多赫帝式放大器電路之方法包含之步驟有:提供一多 赫帝式放大器,測量多赫帝式放大器之互調變性能以作爲 峰化放大器偏壓電壓之函數,及以測量之互調變性能爲基 準以選擇一峰化放大器偏璺電墼。本發明本身及其伴隨之 優點將經由以下之詳細説明及圖説而更爲明瞭^ 圖説簡要説明 圖1爲一多赫帝式放大器電路之一電路略圖。 圖2爲圖1中多赫帝式放大器互調變成分之圖形。 圖3爲利用圖1之多赫帝式放大器之前饋放大器之電路圖 9 圖4爲説明一並聯多赫帝式放大器之電路圖。 圖5爲調諧一多赫帝式放大器之方法流程圖。 圖6爲一匹配電路之特別具體實例β 詳細説明 參考圖1,説明一放大器電路2〇包含一載波放大器24及 峰化放大器26均以多赫帝式安排。放大器24及26均接收一 偏壓電壓。放大器電路20有一輸入22及輸出38。此放大器 電路包括一延遲線28,最好能提供9〇度延遲,及一變壓器 」—裝------訂-----4级 *· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙涑尺度適用中國國家標準(CN” 公疫 1 Α7 Β7 ^^2657 五、發明説明(3 ) 線30。載波放大器24產生一輸出信號,該信號在一相位線 3 2上及變壓器線30上發射。峰化放大器26提供一輸出信號 ,在第二相位線34上發射。自載波及峰化放大器24及26之 輸出信號在組合電路35中會合,因而一共同節點在變壓器 線36發射,最後,在放大器電路輸出38輸出。 載波放大器24最好是一個金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)型放大器,如MRF-183系列放大器,可在AB模 式操作之Motorola公司獲得。♦化放大器26則宜爲MOSFET 式放大器,如M R F 1 8 3系列放大器,可在C模式操作之 Motorola公司獲得。MRF 183系列放大器可購自]Motorola, 位於5 008E· MeDowel丨路,鳳凰城,亞里桑那州,85008。 延遲線28最好以微波傳送帶或微波帶狀線技術而實施。變 壓器線30有一約50Ώ之阻抗’其波長爲1/4。在較佳具體 實例中,變壓器線36亦爲1Μ波長,有一35之阻抗。辛化 放大器26響應延遲線28並接合至相位線34。變壓_器線3〇 響應載波放大器24,並自載波及峰化放大器24及26輿輸出 互聯。在工作期間,載波放大器2 4以偏塾電墼作線性操作 ,而峰化放大器2 6則以偏蜃電壓作非線性操作。在一預定 頻率範圍,峰化放大器2 6產生互調變產品,如第三級互調 變產品與來自載波放大器24之互調變作相消組合,因此全 放大器電路2 0以線性操作。但由於個別放大器中;振動 放大器電路20應予以調譜以改進在所望頻率範阁之亩線洗 性能。 ' 以下敛述調請放大器電路20以使某頻率範圍之直線性性 --------i —裝------訂-----^ 線 *' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 -6-
— _ B7 五、發明説明(4 ) 能最佳之方法如下。首先,以二個音調激勵信號使放大器 電路2 0受到影響以決定基線互調變(I μ )產品性能。第二, 基於所測得之I Μ性能,使載波放大器2 4基於增益,I Μ性 能及效率等之應用設計考慮,受到偏壓電壓。第三,以放 大器電路20之ΙΜ性能作爲峰化放大器26偏墨電壓之函數 而掃描。圖2顯示一典範峰化放大器掃描之圖形。如已觀察 到良好之I Μ消除,調整峰化放大器2 6之偏壓電壓以細調放 大器電路20以進一步降低ΙΜ成分。 但如未能觀察到ΙΜ消除,重新匹配載波放大器24及/或 峰化放大器2 6,及/或調整相位線3 2及3 4之長度。調整放 大器電路20内之组件後,重覆上述之i_3步驟,直到已達 到滿意之I Μ性能。圖5説明一較佳方法之流程圖及圖6爲一 已調諧之多赫帝式放大器例証。 參考圖3,説明另一個放大器電路15〇之較佳具體實例。 此放大器150包括第一 154,第二156及第三158多赫帝型 放大器均以並聯配置。每一放大器154,156,158均對一 驅動器放大器1 5 2響應,放大器1 5 2收到一輸入信號1 6 4並 產生一驅動信號160。驅動信號160被饋送至每一放大器 154 ’ 156及158之輸入。每一放大器154 , 156及158產 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 生一放大之輸出,在共同結點162會合後饋送至放大器電 路150之一輸出166,每一多赫帝式放大器154,156及 1 58最好與圖1中之放大器20之結構相同,並調諧至以直線 性操作,如上述之較佳調諧法所述者。 但每—放大器154,156及158均設計以在不同頻率帶上 本紙張尺度適用中國國家榡準(CN? ) Α4規格(2Ι0Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印袋 A7 B7 五、發明説明(5 ) 以直線模式操作。例如,第一放大器154可設計爲在865 MHz至875 MHz之間以直線性操作,第二放大器156則設 計在875及885 MHz之間以直線性棟作,第三放大器158 則設計在88 5 M Hz至89 5 M Hz之間的直線性操作。在圈 中之較佳具體實例中,第一放大器〗5 4之中心頻率爲大約 870 MHz,第二放大器156之中心頻率爲880 MHz,及第 三放大器158有一申心頻率約爲89〇 mHz。多赫帝放大器 可在一較窄之頻率範圍以直線性操作。直線操作之特殊頻 帶寬可用調節多赫帝放大器内之匹配,調節相位線之長度 如放大器20中之相位線32及34,或者調節峰化放大器24 及26之偏壓電|等方法而決定。或者,每一放大器154, 156及158可操作在不同之渡越電壓而導致直線性之不同頻 率帶。 多赫帝式放大器之結構具有一本微帶寬限制。此限制是 由於味化放大器引起之載波放大器之電路過荷。電路過荷 之程度由峰化放大器輸出匹配電路電抗及此裝置之本微電 路’及裝置之有關寄生電抗等所決定。前饋放大器通常需 要宽帶之主放大器以經由主動裝置降低時間延遲至最小, 及便利寬帶載波之消除。 在較佳具體實例中,數個多赫帝放大器並聯組合,其本 微帶寬限制可利用調諧方法使多赫帝放大器之帶寬延伸而 予以克服’並能保持互調變性能,增益平坦性及高效率。 達到全系統X MHz帶寬之調諧方法包括數個部分。 每一載波放大器及峰化放大器級(N個總多赫帝級並聯)均 ---------ί -裝------訂------ί 冰 -. , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局J工消費合作社印製 322657 A7 _B7 五、發明説明(6 ) 匹配於一理想互調變,效率及在X/N MHz帶寬上之增益平 坦性。匹配電路内包含傳統之分立反應元件,如電容器, 電感器及/或分布之輸送線於争聯及並聯構型之RF電路中 。圖6爲一已調諧之匹配電路之例証。以匹配載波及味化放 大器級以達到在一狹窄之X/N MHz帶寬内之理想性能,全 部多赫帝結構之互調變性能及效率可以改進。例如,如有 三個並聯之多赫帝級,全系統帶寬需求爲30 MHz,每一 +化及載波放大器應與部分帶寬10 MHz (X = 30 MHz, N = 3)匹配。如放大器之帶中心爲855 MHz,則一多赫帝 級在84〇-850 MHz帶上匹配,如第二多赫帝級匹配於 850-860頻帶上,則最後之多赫帝級應匹配在860-870 MHz上《當各級爲並聯時,增益響應相互重疊,導致在全 X M Hz帶寬上有平坦之增益響應。一相似之帶寬延伸機構 被使用以發展寬頻帶寬濾波器設計。 在多赫帝電路中之每一載波放大器及峰化放大器宜耦合 以提供放大器之間的適當之功率結合。此—耦合通常用約 爲λ /4波長之輸送線達成。由於輸送線(或相位線)在頻率 上甚爲敏感,因此載波及峰化放大器之最佳耦合以求最大 功率結合是發生在單一頻率上。因此’多赫帝效率(輿峰化 放大電路負荷有關)及互調性能(與載波放大電路有關)在 X / Ν Μ Η ζ帶寬上達到相位線最佳時可以改進,而非X ΜΗζ帶寬之全段。此調諧方法因此可提供每一 Ν多赫奈放 大器可利用一與不同X/N MHz部分帶寬匹配之相位線。利 用上述例子,將使用三個不同之相位線長度。再度參考上 --------i丨裝------訂-----ί線 - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9- A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 五、發明説明(7 ) 述例子,840-850 MHz多赫帝級將有一 λ 855 MHz/4之 λ /4相位線長度》860-8 70 MHz多赫帝級將有一 λ 865 ^1^^/_4之九/4相位線長度。 調整峰化放大器偏壓,每一多赫帝放大器均可改進其增 益平坦性及互調變性能。因此,每一帶寬Χ/Ν Μ Η ζ之多赫 帝放大器均有其偏壓設定以達到一理想增益平坦性及互調 變性能。但由於模组並聯,可能發生寄生負菏效應,因而 使並聯結構互調變及/或增益平坦性變壞。並聯多赫帝構型 之較佳具體實例包括每一多赫帝放大器之岭化放大器偏壓 電壓之最后調整並同時調整多赫帝主放大器互調變性能, 效率及增益平坦性》由於偏塵調整涉及三個參數(增益平坦 性,IΜ ’效率)之同時改善,特別使用偏壓調整算法。此 偏壓調整算法在流程圖中有最佳之敘述。 glM性能,帶寬,增益,效率及群延遲目標均已同時達 成需要時,改進之前饋主放大器多赫帝放大器性能即可實 現。 由數個多赫帝式放大器均以直線性操作在一不同頻帶, 放大器150則可直線性操作於—較大之頻帶,較任何單_ 多赫帝放大器爲寬。在圖3之例中,放大器15〇實際上在頻 臀寬由86 5 MHz至大約8W MHz之一段内以直線性操^ 。因此放大器電路1 5 0有一操作效率之優點,及可在較寬 帶寬範圍以直線性操作之優點。 & ’ 上述較佳之具體實例可提供許多優點。列如,經由—多 赫帝放大器之組延遲較一般放大器爲高,因爲多赫帝電路 -10: 尺度適财關家縣(CN彳)A4規格(210X297公 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝. 訂 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明(8 ) 之天生頻帶限制之故。較佳具體實例可經由多赫帝放大器 減少群延遲。此外,在複載波放大器應用中,在多互調變 產品之間之相位關係宜儘量隨機,其在某些頻率會在向量 上增加。在每一並聯多赫帝級中產生之互調變產品間已介 入相位補償。相位補償所以發生是因爲每一多赫帝級有一 獨特之匹配結構,獨特之相位線長度及一獨特峰化放大器 偏,塾設定點。結果是多載波互調變產品在向量上峰値相加 較一般並聯放大器設計爲少,而產生較低之平均互調變位 準。此外’此較佳X / Ν Μ Η z設計方法可增加受到頻帶限制 之多赫帝放大器之帶寬’因而可降氏在增益,效率及互調 變性能之影響。 圖4説明一前餚放大電路100之較隹具體實例。放大器電 路100包括一主要放大器106及一誤差放大器114。放大器 100包括輸入102,第一耦合器104,第二耦合器108,第 三核合器112及第四搞合器116。放大器電路i〇〇尚含有第 一延遲線110及第二延遲線116。第一耦合器i 〇4將輸入 102收到之信號柚樣一 RF輸入信號’並產生一清除信號並 電延遲線110予以延遲。第二耦合器108將主放大器1〇6之 輸出120予以抽樣。第三耦合器112自耦合器108接收抽樣 之信號,並將主放大器106之輸出120之輸出信號與由第一 耦合器104抽樣之輸入信號之延遲版相結合第三耦合器 之輸出最好是由誤差放大器114放大之誤差信號以產生一 放大之誤差信號118 °放大之誤差信號118由第四耗合器 116將其與第二延遲線116產生之延遲輸出信號122相結合 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· 訂 五、發明説明(9) 。將延遲輸出信號122與放大之誤差信號116相結合後,合 成义輸出118之誤差位準較輸出信號12〇言爲低。以此方式 ,由於王放大器1 〇 6及由於非直線性、至少誤差信號之一 部分被第四耦合器116所消除以產生更直線性之輸:ιΐ8。 在具體實例,主放大器1 0 6爲一多赫帝式故大器,如圈i中 之放大器電路20 —樣,其曾被根據上述之調諧方法予以調 諧。 訂 多赫帝構型之主放大器1〇6提供在前積放大器電路之 内足量之直流至RF轉換效率之增加傳統前饋放大器電路 之效率改進可達40 %,較諧波中止之傳統效率改進技術超 過許多。對小段帶寬(少於1%)而言,多赫帝構型主放大器 106亦可改進互調變性能。此外,多赫帝主放大器亦可輿 大段帶寬共用。 ~ 對於此技藝人士,上述裝置及方法之更多優點及修改應 可達成。本發明在廣義上言之,並不受限於細節,代表性 装置及上述之説明性舉例。許多修改及改變均可實施而不 致有悖本發明之範圍及精神,本發明亦欲涵蓋各種修改及 變化,祇要其在以下申請專利範圍以内。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公酱)
Claims (1)
- ABCD 322657 申請專利範圍 1. 一種放大器電路,包含: 第一放大器,具有多赫帝安排之一載波放大器及一 + 化放大器’第一放大器產生於第一頻帶寬之直線第—輸 出信號; 第二放大器,具有以多赫帝安排之載波故大器戈一峰 化放大器,第二放大器產生於第二帶寬之直線性第二輸 出信號;及 一組合電路,響應該第一及第二放大器及響應第一及 第二輸出信號,並產生一實質上在一組合帶寬上直線性 輸出信號,該組合頻帶寬較第一及第二頻帶寬之—爲寬 2. 根據申請專利範圍第1項之放大器電路’尚包括具有以 多赫帝構型之載波放大器及峰化放大器之第三放大器, 第三放大器於第三帶寬產生一實質上直線性輸出信號, 該組合電路尚對第三輸出信號響應。 3. 根據申請專利範圍第2項之放大器電路,其中該第一放 大器操作於第一渡越電壓,該第二故大器操作於第二渡 越電壓。 4_ f艮據申請專利範圍第2項之放大器,其中該第—故大器 包括一與該峰化放大器連通之延遲線,—輸送線耦合至 載波放大器,一相位輸送線耦合至該峰化放大器及一輸 出輸送線對該峰化及載波放大器響應, 5. —種放大器電路,包括: 一載波放大器,產生一載波放大器輸出信號: 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) m^i i I n (m —f I 1^1 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i線. 經濟部中央椟準局員工消費合作社印製 7 5 6 2 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 一峰化放大器’耦合至多赫帝構型之載波放大器,該 岭化放大器有一偏壓之電壓,以產生一調整之互調變成 分信號; 一組合電路,對該載波放大器及峰化放大器響應,該 組合電路將該調整後之互調變成分信號與載波放大器輸 出信號予以結合,以產生實際上直線性之放大器輸出信 號。 6. 根據申請專利範圍第5項之放大器,尚包含一相位輸送 線耦合至該峰化放大器。 7. —種放大器電路,包括: 一具有一輸入及一輸出之主放大器,包含: 一載波放大器,產生一載波放大器輸出信號;及 一峰化放大器,以多赫帝構型,耦合至該載波放大器, 該峰化放大器以偏壓電壓以產生一調整之互調變成分信 號;及 一組合電路’對載波放大器及峰化放大器響應,該組 合電路將該調整後之互調變成分信號與載波放大器輸出 信號予以結合,以產生實質上爲直線性之放大器電路輪 出信號: 第一稱合器’將在主放大器之輸入收到之輸入信號插 樣; 第二耦合器,耦合至主放大器之輸出: 第三耦合器,對第一及第二耦合器響應; 一誤差放大器,具有一輸入對該第三耦合器響應’並 -14- (請先閲讀背面之注意事項存填寫本育) 装_ ir i疼. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2l〇x297公釐)六、申請專利範圍 產生一誤差輸出;及 第四耦合器,對第二耦合器及主放大器響應,該第四 耦合器產生—誤差降低之放大輸出信號。 —種調諧多赫帝式放大器電路之方法,包含以下步驟·· 提供—多赫帝式放大器; 測量多赫帝式放大器之互調變性能作爲峰化放大器偏 壓電壓之函數:及 依據測量之互調變性能選擇峰化放大器偏壓電壓。 9_根據申請專利範圍第8項之方法,尚包括在多赫帝式放 大器内調整一匹配電路。 10.根據申請專利範圍第8項之方法,尚包括在多赫帝式放 大器内調整相位線之長度。 ---------裝------訂 一 · -. 一请先聞讀背面之注意事項存填寫本 I-線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公嫠)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US56484595A | 1995-11-30 | 1995-11-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW322657B true TW322657B (zh) | 1997-12-11 |
Family
ID=24256136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085111159A TW322657B (zh) | 1995-11-30 | 1996-09-12 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10513631A (zh) |
KR (1) | KR19980701804A (zh) |
AU (1) | AU7154696A (zh) |
CA (1) | CA2204409A1 (zh) |
DE (1) | DE19681072T1 (zh) |
FI (1) | FI972345A0 (zh) |
GB (1) | GB2313009A (zh) |
SE (1) | SE9701538L (zh) |
TW (1) | TW322657B (zh) |
WO (1) | WO1997020385A1 (zh) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786727A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor |
US6028485A (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-22 | Motorola, Inc. | Power amplification apparatus and method therefor |
KR100362925B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2002-11-29 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 피드포워드 증폭기 |
US6320462B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-11-20 | Raytheon Company | Amplifier circuit |
SE516847C2 (sv) | 2000-07-07 | 2002-03-12 | Ericsson Telefon Ab L M | Sammansatt förstärkare samt sändare som innefattar en sådan förstärkare |
SE520760C2 (sv) * | 2000-06-06 | 2003-08-19 | Ericsson Telefon Ab L M | Doherty-förstärkare av flerstegstyp |
US6760230B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-07-06 | Andrew Corporation | Compact, high efficiency, high isolation power amplifier |
US20020186079A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kobayashi Kevin W. | Asymmetrically biased high linearity balanced amplifier |
US6917246B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-07-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty bias circuit to dynamically compensate for process and environmental variations |
JP2004221646A (ja) | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Nec Corp | ドハ−ティ増幅器 |
JP2004222151A (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Nec Corp | ドハーティ増幅器 |
US7038539B2 (en) * | 2003-05-06 | 2006-05-02 | Powerwave Technologies, Inc. | RF amplifier employing active load linearization |
EP1667320B1 (en) * | 2003-09-17 | 2015-04-29 | NEC Corporation | Amplifier |
US7710202B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-05-04 | Nec Corporation | Amplifier |
JP4520204B2 (ja) | 2004-04-14 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
KR100654650B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-12-08 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 하이브리드 커플러가 없는 직렬구조의 도허티 증폭기 |
US7180372B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-02-20 | Stmicroelectronics, Inc. | High frequency amplifier |
JP4700470B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-06-15 | 株式会社日立国際電気 | 増幅器 |
US7193473B2 (en) * | 2005-03-24 | 2007-03-20 | Cree, Inc. | High power Doherty amplifier using multi-stage modules |
US7649412B2 (en) | 2005-08-01 | 2010-01-19 | Mitsubishi Electric Corporation | High efficiency amplifier |
JP4486620B2 (ja) | 2006-06-23 | 2010-06-23 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | マルチバンドドハティ増幅器 |
EP2383883B1 (en) | 2010-04-23 | 2013-07-17 | Nxp B.V. | Power amplifier |
KR101255821B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2013-04-24 | 주식회사 피플웍스 | 삽입형 바이어스 혼합 전력 증폭장치 |
EP2698918A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-19 | Nxp B.V. | Amplifier circuit |
US9407214B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-08-02 | Cree, Inc. | MMIC power amplifier |
DE102013226635B4 (de) * | 2013-12-19 | 2023-07-06 | Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft | Doherty-Verstärker mit zusätzlichem Verzögerungsglied |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01137710A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域増幅器 |
US5420541A (en) * | 1993-06-04 | 1995-05-30 | Raytheon Company | Microwave doherty amplifier |
US5444418A (en) * | 1994-07-29 | 1995-08-22 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for feedforward power amplifying |
JP4047406B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2008-02-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 洗浄処理装置 |
-
1996
- 1996-09-04 WO PCT/US1996/014269 patent/WO1997020385A1/en not_active Application Discontinuation
- 1996-09-04 KR KR1019970705201A patent/KR19980701804A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-09-04 AU AU71546/96A patent/AU7154696A/en not_active Abandoned
- 1996-09-04 CA CA002204409A patent/CA2204409A1/en not_active Abandoned
- 1996-09-04 DE DE19681072T patent/DE19681072T1/de not_active Withdrawn
- 1996-09-04 GB GB9713888A patent/GB2313009A/en not_active Withdrawn
- 1996-09-04 JP JP9520453A patent/JPH10513631A/ja active Pending
- 1996-09-12 TW TW085111159A patent/TW322657B/zh active
-
1997
- 1997-04-24 SE SE9701538A patent/SE9701538L/ not_active Application Discontinuation
- 1997-06-02 FI FI972345A patent/FI972345A0/fi not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE9701538L (sv) | 1997-09-30 |
JPH10513631A (ja) | 1998-12-22 |
GB2313009A (en) | 1997-11-12 |
KR19980701804A (ko) | 1998-06-25 |
CA2204409A1 (en) | 1997-05-31 |
DE19681072T1 (de) | 1998-01-22 |
FI972345A (fi) | 1997-06-02 |
GB9713888D0 (en) | 1997-09-03 |
WO1997020385A1 (en) | 1997-06-05 |
SE9701538D0 (sv) | 1997-04-24 |
FI972345A0 (fi) | 1997-06-02 |
AU7154696A (en) | 1997-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW322657B (zh) | ||
US7151407B2 (en) | Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining | |
TW543286B (en) | Application of the Doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers | |
Grundlingh et al. | A high efficiency Chireix out-phasing power amplifier for 5GHz WLAN applications | |
JP5874441B2 (ja) | 増幅器 | |
JP4793807B2 (ja) | 増幅器 | |
EP1394932A1 (en) | Doherty Amplifier | |
EP0940912A1 (en) | High frequency power amplifier | |
TW296504B (zh) | ||
WO2004036736A1 (en) | Chireix architecture using low impedance amplifiers | |
JP2005110284A (ja) | デジタルプレディストーションを行う送信装置、および送信装置におけるプレディストーションの制御方法 | |
US11824501B2 (en) | Power amplifier circuit | |
Lee et al. | A CMOS outphasing power amplifier with integrated single-ended Chireix combiner | |
EP3942691A1 (en) | Asymmetric doherty amplifier circuit with shunt reactances | |
JP2006345341A (ja) | 増幅器 | |
Kaymaksut et al. | E-band transformer-based Doherty power amplifier in 40 nm CMOS | |
JP2008135829A (ja) | 電力増幅回路 | |
Qunaj et al. | An E-band fully-integrated true power detector in 28nm CMOS | |
JP2013027048A (ja) | 広帯域バラン構体 | |
TWI272762B (en) | Frequency multiplier without spurious oscillation | |
JP2011176394A (ja) | 電力増幅器 | |
US4359696A (en) | Amplifiers | |
Bagger et al. | An 11 GHz–bandwidth variable gain Ka–band power amplifier for 5G applications | |
US2255476A (en) | High efficiency amplifier | |
JP2010050611A (ja) | ドハティ増幅器 |