TW322657B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW322657B
TW322657B TW085111159A TW85111159A TW322657B TW 322657 B TW322657 B TW 322657B TW 085111159 A TW085111159 A TW 085111159A TW 85111159 A TW85111159 A TW 85111159A TW 322657 B TW322657 B TW 322657B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
amplifier
doherty
carrier
circuit
peaking
Prior art date
Application number
TW085111159A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW322657B publication Critical patent/TW322657B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • H03F3/604Combinations of several amplifiers using FET's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3223Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
    • H03F1/3229Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward using a loop for error extraction and another loop for error subtraction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 322657 at Β7 五、發明説明(1 ) 發明之範固 本發明乃關於放大器電路,特別是多赫帝式放大電路β 發明之背景 傳統式多赫帝型放大電路之爲此技藝人所熟知。"供調變 波之新的高效功率放大器”曾揭於19 3 6年9月之無線電工 程學會之月刊,Vol. 24,No. 9,1 163-1 182頁中。大家亦熟 知傳統式多赫帝型放大器之直線性不佳。此外,其直線性 與其效率成反比。因此,多赫帝型放大器如能有高效率, 則其直線性不佳。由於其直線性不佳,多赫帝型放大器不 逋於許多應用中,如在細胞基站裝備之多載波功率放大器 之應用。因此’在直線性上改進之多赫帝型放大器電路則 有其需求。 本發明之略述 爲指出此一需求’本發明提供一個改進之放大器電路及 —方法以供調諸多赫帝型放大器電路。根據本發明之一特 點,此電路包含一具有以多赫帝裝置構型之載波放大器及 峰化放大器之第一放大器,第二放大器具有以多赫帝裝置 構型之載波放大器及峰化放大器,及—對第一及第二放大 器響應之組合電路。第一放大器產生實際上直線性而在第 一頻帶寬之輸出信號。第二放大器則產生一實際上直線性 在第二帶寬之第二輸出信號。組合電路對第一及第二輸出 k號響應而產生一實際上線性而在第三頻道帶寬之第三輸 出信號。第三頻率帶宽較第一及第二頻率帶寬爲大^ 根據本發明之另一特性,放大器電路包括一載波放大器 -4- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS ) Α4規格(2Ι0Χ 297公疫) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝. 秌 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __________B7 五、發明説明(2 ) ~~~~ — 產生一載波放大器輸出信號,一峰化放大器耦合至以多赫 帝構型之載波放大器,及一對載波放大器及峰化放大器響 應之組合電路。峰化放大器爲以電壓予以偏壓以產生一調 整<互調變成分信號3組合電路將調整之調變成分信號與 載波放大器輸出信號予以結合以產生一實質上直線^化之 放大器電路輸出信號。 調諧多赫帝式放大器電路之方法包含之步驟有:提供一多 赫帝式放大器,測量多赫帝式放大器之互調變性能以作爲 峰化放大器偏壓電壓之函數,及以測量之互調變性能爲基 準以選擇一峰化放大器偏璺電墼。本發明本身及其伴隨之 優點將經由以下之詳細説明及圖説而更爲明瞭^ 圖説簡要説明 圖1爲一多赫帝式放大器電路之一電路略圖。 圖2爲圖1中多赫帝式放大器互調變成分之圖形。 圖3爲利用圖1之多赫帝式放大器之前饋放大器之電路圖 9 圖4爲説明一並聯多赫帝式放大器之電路圖。 圖5爲調諧一多赫帝式放大器之方法流程圖。 圖6爲一匹配電路之特別具體實例β 詳細説明 參考圖1,説明一放大器電路2〇包含一載波放大器24及 峰化放大器26均以多赫帝式安排。放大器24及26均接收一 偏壓電壓。放大器電路20有一輸入22及輸出38。此放大器 電路包括一延遲線28,最好能提供9〇度延遲,及一變壓器 」—裝------訂-----4级 *· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙涑尺度適用中國國家標準(CN” 公疫 1 Α7 Β7 ^^2657 五、發明説明(3 ) 線30。載波放大器24產生一輸出信號,該信號在一相位線 3 2上及變壓器線30上發射。峰化放大器26提供一輸出信號 ,在第二相位線34上發射。自載波及峰化放大器24及26之 輸出信號在組合電路35中會合,因而一共同節點在變壓器 線36發射,最後,在放大器電路輸出38輸出。 載波放大器24最好是一個金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)型放大器,如MRF-183系列放大器,可在AB模 式操作之Motorola公司獲得。♦化放大器26則宜爲MOSFET 式放大器,如M R F 1 8 3系列放大器,可在C模式操作之 Motorola公司獲得。MRF 183系列放大器可購自]Motorola, 位於5 008E· MeDowel丨路,鳳凰城,亞里桑那州,85008。 延遲線28最好以微波傳送帶或微波帶狀線技術而實施。變 壓器線30有一約50Ώ之阻抗’其波長爲1/4。在較佳具體 實例中,變壓器線36亦爲1Μ波長,有一35之阻抗。辛化 放大器26響應延遲線28並接合至相位線34。變壓_器線3〇 響應載波放大器24,並自載波及峰化放大器24及26輿輸出 互聯。在工作期間,載波放大器2 4以偏塾電墼作線性操作 ,而峰化放大器2 6則以偏蜃電壓作非線性操作。在一預定 頻率範圍,峰化放大器2 6產生互調變產品,如第三級互調 變產品與來自載波放大器24之互調變作相消組合,因此全 放大器電路2 0以線性操作。但由於個別放大器中;振動 放大器電路20應予以調譜以改進在所望頻率範阁之亩線洗 性能。 ' 以下敛述調請放大器電路20以使某頻率範圍之直線性性 --------i —裝------訂-----^ 線 *' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 -6-
— _ B7 五、發明説明(4 ) 能最佳之方法如下。首先,以二個音調激勵信號使放大器 電路2 0受到影響以決定基線互調變(I μ )產品性能。第二, 基於所測得之I Μ性能,使載波放大器2 4基於增益,I Μ性 能及效率等之應用設計考慮,受到偏壓電壓。第三,以放 大器電路20之ΙΜ性能作爲峰化放大器26偏墨電壓之函數 而掃描。圖2顯示一典範峰化放大器掃描之圖形。如已觀察 到良好之I Μ消除,調整峰化放大器2 6之偏壓電壓以細調放 大器電路20以進一步降低ΙΜ成分。 但如未能觀察到ΙΜ消除,重新匹配載波放大器24及/或 峰化放大器2 6,及/或調整相位線3 2及3 4之長度。調整放 大器電路20内之组件後,重覆上述之i_3步驟,直到已達 到滿意之I Μ性能。圖5説明一較佳方法之流程圖及圖6爲一 已調諧之多赫帝式放大器例証。 參考圖3,説明另一個放大器電路15〇之較佳具體實例。 此放大器150包括第一 154,第二156及第三158多赫帝型 放大器均以並聯配置。每一放大器154,156,158均對一 驅動器放大器1 5 2響應,放大器1 5 2收到一輸入信號1 6 4並 產生一驅動信號160。驅動信號160被饋送至每一放大器 154 ’ 156及158之輸入。每一放大器154 , 156及158產 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 生一放大之輸出,在共同結點162會合後饋送至放大器電 路150之一輸出166,每一多赫帝式放大器154,156及 1 58最好與圖1中之放大器20之結構相同,並調諧至以直線 性操作,如上述之較佳調諧法所述者。 但每—放大器154,156及158均設計以在不同頻率帶上 本紙張尺度適用中國國家榡準(CN? ) Α4規格(2Ι0Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印袋 A7 B7 五、發明説明(5 ) 以直線模式操作。例如,第一放大器154可設計爲在865 MHz至875 MHz之間以直線性操作,第二放大器156則設 計在875及885 MHz之間以直線性棟作,第三放大器158 則設計在88 5 M Hz至89 5 M Hz之間的直線性操作。在圈 中之較佳具體實例中,第一放大器〗5 4之中心頻率爲大約 870 MHz,第二放大器156之中心頻率爲880 MHz,及第 三放大器158有一申心頻率約爲89〇 mHz。多赫帝放大器 可在一較窄之頻率範圍以直線性操作。直線操作之特殊頻 帶寬可用調節多赫帝放大器内之匹配,調節相位線之長度 如放大器20中之相位線32及34,或者調節峰化放大器24 及26之偏壓電|等方法而決定。或者,每一放大器154, 156及158可操作在不同之渡越電壓而導致直線性之不同頻 率帶。 多赫帝式放大器之結構具有一本微帶寬限制。此限制是 由於味化放大器引起之載波放大器之電路過荷。電路過荷 之程度由峰化放大器輸出匹配電路電抗及此裝置之本微電 路’及裝置之有關寄生電抗等所決定。前饋放大器通常需 要宽帶之主放大器以經由主動裝置降低時間延遲至最小, 及便利寬帶載波之消除。 在較佳具體實例中,數個多赫帝放大器並聯組合,其本 微帶寬限制可利用調諧方法使多赫帝放大器之帶寬延伸而 予以克服’並能保持互調變性能,增益平坦性及高效率。 達到全系統X MHz帶寬之調諧方法包括數個部分。 每一載波放大器及峰化放大器級(N個總多赫帝級並聯)均 ---------ί -裝------訂------ί 冰 -. , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局J工消費合作社印製 322657 A7 _B7 五、發明説明(6 ) 匹配於一理想互調變,效率及在X/N MHz帶寬上之增益平 坦性。匹配電路内包含傳統之分立反應元件,如電容器, 電感器及/或分布之輸送線於争聯及並聯構型之RF電路中 。圖6爲一已調諧之匹配電路之例証。以匹配載波及味化放 大器級以達到在一狹窄之X/N MHz帶寬内之理想性能,全 部多赫帝結構之互調變性能及效率可以改進。例如,如有 三個並聯之多赫帝級,全系統帶寬需求爲30 MHz,每一 +化及載波放大器應與部分帶寬10 MHz (X = 30 MHz, N = 3)匹配。如放大器之帶中心爲855 MHz,則一多赫帝 級在84〇-850 MHz帶上匹配,如第二多赫帝級匹配於 850-860頻帶上,則最後之多赫帝級應匹配在860-870 MHz上《當各級爲並聯時,增益響應相互重疊,導致在全 X M Hz帶寬上有平坦之增益響應。一相似之帶寬延伸機構 被使用以發展寬頻帶寬濾波器設計。 在多赫帝電路中之每一載波放大器及峰化放大器宜耦合 以提供放大器之間的適當之功率結合。此—耦合通常用約 爲λ /4波長之輸送線達成。由於輸送線(或相位線)在頻率 上甚爲敏感,因此載波及峰化放大器之最佳耦合以求最大 功率結合是發生在單一頻率上。因此’多赫帝效率(輿峰化 放大電路負荷有關)及互調性能(與載波放大電路有關)在 X / Ν Μ Η ζ帶寬上達到相位線最佳時可以改進,而非X ΜΗζ帶寬之全段。此調諧方法因此可提供每一 Ν多赫奈放 大器可利用一與不同X/N MHz部分帶寬匹配之相位線。利 用上述例子,將使用三個不同之相位線長度。再度參考上 --------i丨裝------訂-----ί線 - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9- A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 五、發明説明(7 ) 述例子,840-850 MHz多赫帝級將有一 λ 855 MHz/4之 λ /4相位線長度》860-8 70 MHz多赫帝級將有一 λ 865 ^1^^/_4之九/4相位線長度。 調整峰化放大器偏壓,每一多赫帝放大器均可改進其增 益平坦性及互調變性能。因此,每一帶寬Χ/Ν Μ Η ζ之多赫 帝放大器均有其偏壓設定以達到一理想增益平坦性及互調 變性能。但由於模组並聯,可能發生寄生負菏效應,因而 使並聯結構互調變及/或增益平坦性變壞。並聯多赫帝構型 之較佳具體實例包括每一多赫帝放大器之岭化放大器偏壓 電壓之最后調整並同時調整多赫帝主放大器互調變性能, 效率及增益平坦性》由於偏塵調整涉及三個參數(增益平坦 性,IΜ ’效率)之同時改善,特別使用偏壓調整算法。此 偏壓調整算法在流程圖中有最佳之敘述。 glM性能,帶寬,增益,效率及群延遲目標均已同時達 成需要時,改進之前饋主放大器多赫帝放大器性能即可實 現。 由數個多赫帝式放大器均以直線性操作在一不同頻帶, 放大器150則可直線性操作於—較大之頻帶,較任何單_ 多赫帝放大器爲寬。在圖3之例中,放大器15〇實際上在頻 臀寬由86 5 MHz至大約8W MHz之一段内以直線性操^ 。因此放大器電路1 5 0有一操作效率之優點,及可在較寬 帶寬範圍以直線性操作之優點。 & ’ 上述較佳之具體實例可提供許多優點。列如,經由—多 赫帝放大器之組延遲較一般放大器爲高,因爲多赫帝電路 -10: 尺度適财關家縣(CN彳)A4規格(210X297公 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝. 訂 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明(8 ) 之天生頻帶限制之故。較佳具體實例可經由多赫帝放大器 減少群延遲。此外,在複載波放大器應用中,在多互調變 產品之間之相位關係宜儘量隨機,其在某些頻率會在向量 上增加。在每一並聯多赫帝級中產生之互調變產品間已介 入相位補償。相位補償所以發生是因爲每一多赫帝級有一 獨特之匹配結構,獨特之相位線長度及一獨特峰化放大器 偏,塾設定點。結果是多載波互調變產品在向量上峰値相加 較一般並聯放大器設計爲少,而產生較低之平均互調變位 準。此外’此較佳X / Ν Μ Η z設計方法可增加受到頻帶限制 之多赫帝放大器之帶寬’因而可降氏在增益,效率及互調 變性能之影響。 圖4説明一前餚放大電路100之較隹具體實例。放大器電 路100包括一主要放大器106及一誤差放大器114。放大器 100包括輸入102,第一耦合器104,第二耦合器108,第 三核合器112及第四搞合器116。放大器電路i〇〇尚含有第 一延遲線110及第二延遲線116。第一耦合器i 〇4將輸入 102收到之信號柚樣一 RF輸入信號’並產生一清除信號並 電延遲線110予以延遲。第二耦合器108將主放大器1〇6之 輸出120予以抽樣。第三耦合器112自耦合器108接收抽樣 之信號,並將主放大器106之輸出120之輸出信號與由第一 耦合器104抽樣之輸入信號之延遲版相結合第三耦合器 之輸出最好是由誤差放大器114放大之誤差信號以產生一 放大之誤差信號118 °放大之誤差信號118由第四耗合器 116將其與第二延遲線116產生之延遲輸出信號122相結合 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· 訂 五、發明説明(9) 。將延遲輸出信號122與放大之誤差信號116相結合後,合 成义輸出118之誤差位準較輸出信號12〇言爲低。以此方式 ,由於王放大器1 〇 6及由於非直線性、至少誤差信號之一 部分被第四耦合器116所消除以產生更直線性之輸:ιΐ8。 在具體實例,主放大器1 0 6爲一多赫帝式故大器,如圈i中 之放大器電路20 —樣,其曾被根據上述之調諧方法予以調 諧。 訂 多赫帝構型之主放大器1〇6提供在前積放大器電路之 内足量之直流至RF轉換效率之增加傳統前饋放大器電路 之效率改進可達40 %,較諧波中止之傳統效率改進技術超 過許多。對小段帶寬(少於1%)而言,多赫帝構型主放大器 106亦可改進互調變性能。此外,多赫帝主放大器亦可輿 大段帶寬共用。 ~ 對於此技藝人士,上述裝置及方法之更多優點及修改應 可達成。本發明在廣義上言之,並不受限於細節,代表性 装置及上述之説明性舉例。許多修改及改變均可實施而不 致有悖本發明之範圍及精神,本發明亦欲涵蓋各種修改及 變化,祇要其在以下申請專利範圍以内。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公酱)

Claims (1)

  1. ABCD 322657 申請專利範圍 1. 一種放大器電路,包含: 第一放大器,具有多赫帝安排之一載波放大器及一 + 化放大器’第一放大器產生於第一頻帶寬之直線第—輸 出信號; 第二放大器,具有以多赫帝安排之載波故大器戈一峰 化放大器,第二放大器產生於第二帶寬之直線性第二輸 出信號;及 一組合電路,響應該第一及第二放大器及響應第一及 第二輸出信號,並產生一實質上在一組合帶寬上直線性 輸出信號,該組合頻帶寬較第一及第二頻帶寬之—爲寬 2. 根據申請專利範圍第1項之放大器電路’尚包括具有以 多赫帝構型之載波放大器及峰化放大器之第三放大器, 第三放大器於第三帶寬產生一實質上直線性輸出信號, 該組合電路尚對第三輸出信號響應。 3. 根據申請專利範圍第2項之放大器電路,其中該第一放 大器操作於第一渡越電壓,該第二故大器操作於第二渡 越電壓。 4_ f艮據申請專利範圍第2項之放大器,其中該第—故大器 包括一與該峰化放大器連通之延遲線,—輸送線耦合至 載波放大器,一相位輸送線耦合至該峰化放大器及一輸 出輸送線對該峰化及載波放大器響應, 5. —種放大器電路,包括: 一載波放大器,產生一載波放大器輸出信號: 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) m^i i I n (m —f I 1^1 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i線. 經濟部中央椟準局員工消費合作社印製 7 5 6 2 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 一峰化放大器’耦合至多赫帝構型之載波放大器,該 岭化放大器有一偏壓之電壓,以產生一調整之互調變成 分信號; 一組合電路,對該載波放大器及峰化放大器響應,該 組合電路將該調整後之互調變成分信號與載波放大器輸 出信號予以結合,以產生實際上直線性之放大器輸出信 號。 6. 根據申請專利範圍第5項之放大器,尚包含一相位輸送 線耦合至該峰化放大器。 7. —種放大器電路,包括: 一具有一輸入及一輸出之主放大器,包含: 一載波放大器,產生一載波放大器輸出信號;及 一峰化放大器,以多赫帝構型,耦合至該載波放大器, 該峰化放大器以偏壓電壓以產生一調整之互調變成分信 號;及 一組合電路’對載波放大器及峰化放大器響應,該組 合電路將該調整後之互調變成分信號與載波放大器輸出 信號予以結合,以產生實質上爲直線性之放大器電路輪 出信號: 第一稱合器’將在主放大器之輸入收到之輸入信號插 樣; 第二耦合器,耦合至主放大器之輸出: 第三耦合器,對第一及第二耦合器響應; 一誤差放大器,具有一輸入對該第三耦合器響應’並 -14- (請先閲讀背面之注意事項存填寫本育) 装_ ir i疼. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2l〇x297公釐)
    六、申請專利範圍 產生一誤差輸出;及 第四耦合器,對第二耦合器及主放大器響應,該第四 耦合器產生—誤差降低之放大輸出信號。 —種調諧多赫帝式放大器電路之方法,包含以下步驟·· 提供—多赫帝式放大器; 測量多赫帝式放大器之互調變性能作爲峰化放大器偏 壓電壓之函數:及 依據測量之互調變性能選擇峰化放大器偏壓電壓。 9_根據申請專利範圍第8項之方法,尚包括在多赫帝式放 大器内調整一匹配電路。 10.根據申請專利範圍第8項之方法,尚包括在多赫帝式放 大器内調整相位線之長度。 ---------裝------訂 一 · -. 一请先聞讀背面之注意事項存填寫本 I-線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公嫠)
TW085111159A 1995-11-30 1996-09-12 TW322657B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56484595A 1995-11-30 1995-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW322657B true TW322657B (zh) 1997-12-11

Family

ID=24256136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085111159A TW322657B (zh) 1995-11-30 1996-09-12

Country Status (10)

Country Link
JP (1) JPH10513631A (zh)
KR (1) KR19980701804A (zh)
AU (1) AU7154696A (zh)
CA (1) CA2204409A1 (zh)
DE (1) DE19681072T1 (zh)
FI (1) FI972345A0 (zh)
GB (1) GB2313009A (zh)
SE (1) SE9701538L (zh)
TW (1) TW322657B (zh)
WO (1) WO1997020385A1 (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786727A (en) * 1996-10-15 1998-07-28 Motorola, Inc. Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor
US6028485A (en) * 1998-08-03 2000-02-22 Motorola, Inc. Power amplification apparatus and method therefor
KR100362925B1 (ko) * 1999-03-31 2002-11-29 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 피드포워드 증폭기
US6320462B1 (en) * 2000-04-12 2001-11-20 Raytheon Company Amplifier circuit
SE516847C2 (sv) 2000-07-07 2002-03-12 Ericsson Telefon Ab L M Sammansatt förstärkare samt sändare som innefattar en sådan förstärkare
SE520760C2 (sv) * 2000-06-06 2003-08-19 Ericsson Telefon Ab L M Doherty-förstärkare av flerstegstyp
US6760230B2 (en) 2001-02-28 2004-07-06 Andrew Corporation Compact, high efficiency, high isolation power amplifier
US20020186079A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Kobayashi Kevin W. Asymmetrically biased high linearity balanced amplifier
US6917246B2 (en) * 2001-09-10 2005-07-12 Skyworks Solutions, Inc. Doherty bias circuit to dynamically compensate for process and environmental variations
JP2004221646A (ja) 2003-01-09 2004-08-05 Nec Corp ドハ−ティ増幅器
JP2004222151A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Nec Corp ドハーティ増幅器
US7038539B2 (en) * 2003-05-06 2006-05-02 Powerwave Technologies, Inc. RF amplifier employing active load linearization
EP1667320B1 (en) * 2003-09-17 2015-04-29 NEC Corporation Amplifier
US7710202B2 (en) 2003-09-17 2010-05-04 Nec Corporation Amplifier
JP4520204B2 (ja) 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
KR100654650B1 (ko) * 2004-11-25 2006-12-08 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 하이브리드 커플러가 없는 직렬구조의 도허티 증폭기
US7180372B2 (en) * 2004-12-07 2007-02-20 Stmicroelectronics, Inc. High frequency amplifier
JP4700470B2 (ja) * 2004-12-15 2011-06-15 株式会社日立国際電気 増幅器
US7193473B2 (en) * 2005-03-24 2007-03-20 Cree, Inc. High power Doherty amplifier using multi-stage modules
US7649412B2 (en) 2005-08-01 2010-01-19 Mitsubishi Electric Corporation High efficiency amplifier
JP4486620B2 (ja) 2006-06-23 2010-06-23 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ マルチバンドドハティ増幅器
EP2383883B1 (en) 2010-04-23 2013-07-17 Nxp B.V. Power amplifier
KR101255821B1 (ko) * 2011-06-17 2013-04-24 주식회사 피플웍스 삽입형 바이어스 혼합 전력 증폭장치
EP2698918A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-19 Nxp B.V. Amplifier circuit
US9407214B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Cree, Inc. MMIC power amplifier
DE102013226635B4 (de) * 2013-12-19 2023-07-06 Rohde & Schwarz GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Doherty-Verstärker mit zusätzlichem Verzögerungsglied

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01137710A (ja) * 1987-11-24 1989-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 広帯域増幅器
US5420541A (en) * 1993-06-04 1995-05-30 Raytheon Company Microwave doherty amplifier
US5444418A (en) * 1994-07-29 1995-08-22 Motorola, Inc. Method and apparatus for feedforward power amplifying
JP4047406B2 (ja) * 1996-11-15 2008-02-13 芝浦メカトロニクス株式会社 洗浄処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
SE9701538L (sv) 1997-09-30
JPH10513631A (ja) 1998-12-22
GB2313009A (en) 1997-11-12
KR19980701804A (ko) 1998-06-25
CA2204409A1 (en) 1997-05-31
DE19681072T1 (de) 1998-01-22
FI972345A (fi) 1997-06-02
GB9713888D0 (en) 1997-09-03
WO1997020385A1 (en) 1997-06-05
SE9701538D0 (sv) 1997-04-24
FI972345A0 (fi) 1997-06-02
AU7154696A (en) 1997-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW322657B (zh)
US7151407B2 (en) Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
TW543286B (en) Application of the Doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers
Grundlingh et al. A high efficiency Chireix out-phasing power amplifier for 5GHz WLAN applications
JP5874441B2 (ja) 増幅器
JP4793807B2 (ja) 増幅器
EP1394932A1 (en) Doherty Amplifier
EP0940912A1 (en) High frequency power amplifier
TW296504B (zh)
WO2004036736A1 (en) Chireix architecture using low impedance amplifiers
JP2005110284A (ja) デジタルプレディストーションを行う送信装置、および送信装置におけるプレディストーションの制御方法
US11824501B2 (en) Power amplifier circuit
Lee et al. A CMOS outphasing power amplifier with integrated single-ended Chireix combiner
EP3942691A1 (en) Asymmetric doherty amplifier circuit with shunt reactances
JP2006345341A (ja) 増幅器
Kaymaksut et al. E-band transformer-based Doherty power amplifier in 40 nm CMOS
JP2008135829A (ja) 電力増幅回路
Qunaj et al. An E-band fully-integrated true power detector in 28nm CMOS
JP2013027048A (ja) 広帯域バラン構体
TWI272762B (en) Frequency multiplier without spurious oscillation
JP2011176394A (ja) 電力増幅器
US4359696A (en) Amplifiers
Bagger et al. An 11 GHz–bandwidth variable gain Ka–band power amplifier for 5G applications
US2255476A (en) High efficiency amplifier
JP2010050611A (ja) ドハティ増幅器