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A7 _____ B7 五、發明説明（1 ) 本發明是有關於一種光磁性記錄媒質及其讀取方法。 光磁性記錄媒質被廣泛用作高密度及低成本的可重複 寫入資訊記錄媒質。尤其是那些其記錄層是由稀土族金屬 和過渡金屬的無定形合金構成者，將會顯示出非常優良的 記錄特性。 光碟片是一種具有非常大容量的記錄媒質，但隨著社 會上資訊量增加的進展，因此還需要更大的貯存容量。 光碟的記錄密度通常是由讀取光束點的大小來決定。 由於點的大小可藉著縮短雷射光的波長來加以縮小，因此 硏究重點主要是針對縮短雷射光的波長，但要達到這個目 標卻牽涉到很大的困難。 另一方面，近年來，除了由雷射光波長來決定解析度 外’已有各種嚐試——比如超解析度技術，期盼能獲得較高 的解析度。 其中一件值得注意的提案是、磁感應超解析度系統" (magnetically induced super resolution system '以 下簡稱作MSR系統），它應用了在光碟中各個層之間作 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用的交換耦合作用力。在該系統的一個形式中，有使用到 具有交換-耦合作用之磁性層的記錄媒質——該層包含有一 個具有小頑磁作用力（coercive force)的讀取層、一個 具有低居里（Curie )溫度的截斷（cut-off )層（交換 用）、和一個具有高居里溫度和大頑磁作用力的記憶層。 在施以讀取磁場的同時以讀取光束來使媒質加熱，則交換 耦合作用會在媒質的高溫區域中被破壞掉。由於讀取層本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 300303 at B7 五、發明説明（2) 身的頑磁作用力很小，磁化作用會朝向高溫區域的讀取磁 場方向’於是記錄位元會被洗掉。因此，只有低溫區域可 被讀取。於是由於讀取區域實際上變窄了，因此可得到有 如讀取光束波長被縮短時的相同效應，於是就可讀取高密 度的記錄位元。 被洗掉的記錄位元可恢復回來，因爲當媒質的溫度降 低至交換耦合作用恢復時，記錄位元可由記憶層中被轉移 出來。這個系統稱作"前端鏡徑偵測系統（front a p e r t u r e d e t e c t i ο n s y s t e m，F A D 系統）# ，因爲訊號是 在讀取光束點的前端被偵測到的。 這種FAD系統的缺點是需要一個讀取磁場（H r ) 來進行讀取。通常所需求的讀取磁場要不低於 2 4，0 0 OA/m，也由於讀取動作是在這個不低於 2 4 ’ 0 0 OA/m的讀取磁場存在下進行，記錄在記憶 層中的位元會有變得不穩定的傾向。 此外爲方便讀取，則有可能需要使用一個比記錄時所 需磁場要強的磁場。而這在試著要將磁頭縮小及簡化裝置 的時候就變成嚴重的問題了。尤其是在磁場模組化（ modulation)記錄時，記錄用磁場大多低於1 0，0 0 0 A/m，則施加讀取磁場會產生嚴重的問題》 因此，對於獲得可提供高C/N比值而無需施以讀取 磁場的超解析型光學記錄媒質，和一個用來讀取這類記錄 媒質的方法有強烈的需求。 依據所獲得之其上的記憶層擁有可產生髙靜電磁場（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 is -5 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 用作磁鐵的性質）和有高的垂直磁各向異性（magnetic anisotropy)的光磁性記錄媒質，則以高磁化作用來使靜 電磁場上讀取層的磁化方向反轉，而使磁化方向傾斜並不 太可能會使記億層的垂直磁各向異性降低，此外也不可能 在iB憶層之磁域上產生微小的反轉（reversal)區域。 另一種用來獲得高容量貯存量的裝置是應用脈衝寬度 模組化（pulse width modulation, PWM )記錄系統。就 光碟記錄而言，傳統上是使用脈衝位置模組化（pulse position modulation, PPM)記錄系統——其中所偵測者爲 脈衝位置的間隔’但依據P W Μ記錄系統，可偵測到脈衝 末端間隔，並可獲得約1. 5倍的質量容量貯存量。 P W Μ記錄系統的一個缺點是很難精確地偵測到脈衝 末端。有兩種方法可用來偵測脈衝末端，舉例來說，其中 —種方法包括設定一定的切線（slice )量，並且在當訊 號超過這個量時就算是偵測到形式爲脈衝末端的訊號；另 一種方法包括對每個訊號進行二次微分。 就光碟記錄而言’最常使用以切線量系統來進行偵測 ，因爲以二次微分系統來進行偵測會因微分之故而飽受訊 號S/N比值的掉落之苦。 然而，切線量系統有個缺點是它對整個訊號的大小變 化非常敏感。另外就是，當以同一個裝置來讀取P PM系 統光碟時，則有必要以雙向方式來使用讀取訊號偵測系統 〇 此外，傳統的P PM記錄方法還爲用以偵測波峰之微 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ————----PI, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

,1T _η λμα' 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 __B7 五、發明説明（4 ) 分訊號的麻煩所牽連。 爲克服上述相關技藝問題所作的密集研究得到的結果 是，吾人發現在未外加任何磁場下，以讀取光束來使光磁 性記錄媒質加熱，以便使高溫區域上讀取層的次晶格磁化 方向反轉以讀取光磁性記錄媒質， 而光磁性記錄媒質包含一個基質和一個至少由讀取層 、截斷層（交換用）和記憶層依序擺放在基質上之交換-耦合磁性層所構成， 其中該讀取層的居里溫度（Td)、該截斷層的居里 溫度（丁。2)和該記億層的居里溫度（Tc3)滿足下列關 係式： T C1 > T c2^ 5 0 °C ( 1 ) T c3> T c2 ( 2 ) 以及該記錄媒質具有一種特性——即當以讀取光束來使該磁 性層加熱至接近T。2或更高的溫度時，則記憶層與讀取層 的交換耦合作用力會減少或變成零，而在溫度被加熱至接 近Tc2或更高溫度時，高溫區域上讀取層的次晶格磁化方 向會以相對於該區域在低溫時的磁化方向來反轉，並且磁 性層的溫度在讀取光束通過後會降低，而可恢復到原先的 磁化方向。 於是有可能獲得超解析度效應和高的C/N比值，而 無須使用讀取磁場，也不必像傳統系統要使用遮罩（mask 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'乂297公釐) ~ " -7 - I--------P — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 經濟部中央標準局負工消費合作杜印装 A7 B7 五、發明説明（5 ) )。本發明即是依據這些發現來完成的。 本發明概要 本發明的目標是要提供一種超解析度光磁性記錄媒質 ——它可在不必外加任何讀取磁場下表現出高的C / N比值 ，以及提供其讀取方法。 ‘本發明的另一個目標則是要提供具有特定磁性的光磁 性記錄媒質，該記錄媒質可在與使用遮罩之傳統原則不同 的方式下來產生超解析度效應，其中高溫區域的磁化作用 方向可在無外加讀取磁場來進行讀取下發生反轉，以及提 供其讀取方法。 本發明還有另一個目標是要提供一種在鄰近其記憶層 有偏壓層（bias layer)的光磁性記錄媒質，該媒質具有 優良的讀取性質，並且以和使用遮罩之傳統原則不同的方 式來產生超解析度效應，其中_高溫區域的磁化方向可在 無外加讀取磁場下進行讀取時發生反轉，以及提供其讀取 方法。 本發明的其他目標是要提供光磁性記錄媒質的讀取方 法——如此可以使用比P PM或PWM記錄所用的傳統方法 要簡單些的方式來偵測訊號和讀取訊息一它可由具有以和 使用遮罩的傳統操作方法不同的方式來產生超解析度效應 能力的媒質來直接取得不同的訊號，其中在高溫區域的磁 化作用方向可在無外加讀取磁場下進行讀取時發生反轉。 就本發明的第一點來看，爲達到這些目標，吾人提供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 一 8 一 I---------C»-------訂—----- (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裳 A7 ____ B7 五、發明説明（6 ) 含有基質和由讀取層、截斷層（交換用）和記憶層依序擺

I 放在該基質上m構成之磁性層的光磁性記錄媒質， 該磁性層的性質是當該磁性層被用以讀取訊息的讀取 光束照射來加熱時，則高溫區域上至少該磁性層中與讀取 動作有關之層上的次晶格磁化方向會相對該區域在低溫時 的磁化作用方向來發生反轉，並且當該磁性層的溫度在讀 取光束通過後而下降時，次晶格磁化作用方向會恢復回來 0 本發明的第二點是提供一種由基質和至少由讀取層、 截斷層（交換用）和記憶層一各層是由稀土族金屬和過渡 金屬所形成的合金構成一依序擺放在該基質上的交換-耦 合磁性層所構成的光磁性媒質， 該讀取層、截斷層和記憶層的居里溫度滿足下列關係 式：

Tci>U50°C (1) T c3 > T c2 ( 2 ) 其中Tcl代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷層的 居里溫度和T c3代表記憶層的居里溫度； 以及該磁性層具有的特性是當該磁性層被讀取光束加 熱至接近丁。2或更高的溫度時，則在記億層與讀取層之間 的交換-耦合作用力會減少或變成零，而被加熱至接近 Tc2或更高溫度時’高溫區域上至少與讀取有關之磁性層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------(於-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -9 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7 ) 的次晶格磁化方向會以相對於該區域在低溫時的磁化作用 方向來發生反轉，並且當磁性層的溫度在讀取光束通過後 降低時，次晶格磁化作用方向可恢復回來。 本發明的第三點是提供一種由基質和至少含有讀取層 、截斷層（交換用）和記憶層——各層是由稀土族金屬和過 渡金屬所形成的合金構成一依序澱積在該基質上的交換-耦合磁性層所構成的光磁性記錄媒質’該讀取層、截斷層 和記憶層的居里溫度滿足下列關係式： TC1SU50。。 （1) T c3> T c2 ( 2 ) 其中Tcl代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷層的 居里溫度和Τ d代表記憶層的居里溫度； 以及該磁性層具有的特性是當該磁性層被讀取光束加 熱至接近T c2或更高的溫度時，則在記憶層與讀取層之間 的交換-耦合作用力會減少或變成零，因此高溫區域上讀 取層的次晶格磁化方向會以相對於該區域在低溫時的磁化 方向來發生反轉， 以及在Tc2時讀取層中主要是稀土族金屬的磁化作用 佔多數，記憶層中則主要是過渡金屬的磁化作用佔多數， 或者讀取層中主要是過渡金屬的磁化作用佔多數，然後記 憶層中主要是稀土族的磁化作用佔多數，以及記憶層的磁 化作用在Tc2時不低於8 0 e m u / c c ，在室溫時則不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------C’衣-------訂------of (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 - A7 ____'_B7____ 五、發明説明（8 ) 超過3 0 〇 emu/c c ，而讀取層的磁化作用在Tc2時 不低於1 5 0 emu/c c ，在室溫時則不超過5 0 〇 e m u / c c => 本發明第四點是提供一種由一個基質和一個至少包含 讀取層、截斷層（交換用）、偏壓層和記憶層——各層是由 稀土族金屬和過渡金靥所形成的合金構成一依序擺放在該 基質上的交換-耦合磁性層所構成的光磁性記錄媒質， 該讀取層、截斷層、偏壓層和記憶層的居里溫度滿足 下列關係式：

Tc1>Tc2^5 0°C (1) TC3〉TC2 (2) TC4〉TC2 (3) 其中Tcl代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷層的 居里溫度和T。3代表記憶層的居里溫度和T 代表偏 壓層的居里溫度； 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以及該磁性層具有的特性是當該磁性層被讀取光束加 熱至接近T 或更高的溫度時，則在記憶層與讀取層之間 的交換一耦合作用力會減少或變成零，因此高溫區域上讀 取層的次晶格磁化方向會以相對於該區域在低溫時的磁化 方向來發生反轉， 以及在Tc2時，偏壓層會與記憶層有交換-耦合作用 ，並且有較記憶層高的磁化作用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（9 ) 本發明的第五點是提供一種由一個基質和一個至少包 含讀取層、截斷層（交換用）和記憶層一各層是 由稀土 族金屬和過渡金屬所形成的合金構成一依序擺放在該基質 上的交換-耦合磁性層所構成的光磁性記錄媒質， 該讀取層、截斷層和記憶層的居里溫度滿足下列關係 式：

Tcl>Tc2^ 5 0°C (1) T c3 > T c2 ( 2 ) 其中TC1代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷層的 居里溫度和T c 3代表記憶層的居里溫度； 以及該磁性層具有的特性是當該磁性層被讀取光束加 熱至接近T或更高的溫度時，則在記憶層與讀取層之間 的交換一耦合作用力會減少或變成零，因此高溫區域上讀 取層的次晶格磁化方向會以相對於該區域在低溫時的磁化 方向來發生反轉，以及當磁性層的溫度在讀取光束通過後 降低時，次晶格的磁化方向會恢復回來； 在T c2時，讀取層中主要是稀土族金屬的磁化作用佔 多數，而在Tc2時記憶層中主要是過渡金屬的磁化作用佔 多數，或者在T c2時讀取層中是過渡金屬的磁化作用佔多 數，以及在T c2時記億層主要是稀土族的磁化作用佔多數 ， 讀取層在丁。2時具有頑磁作用力（coersive force) 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --------Ό衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 12 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10) 不低於2 ，〇〇〇A/m，其垂直磁各向異性在Tc2時爲 2 X 1 0 _5至8X106耳格/ cc ，其磁化作用在Tc2 時不低於1 〇〇 emu/c c ，以及在室溫時則不超過 500emu/cc ;以及 記憶層在Tc2時的磁化作用不低於8 0 emu/c c ，在室溫時的磁化作用則不超過3 0 0 emu/ c c。 本發明的第六個特點是提供一種光磁性記錄媒質的讀 取方法，它包括使用如第1個或第2個特點公布的光磁性 記錄媒質，以及在未外加磁場下以讀取光束來照射光磁性 記錄媒質，如此高溫區域上至少與讀取相關之磁性層的次 晶格磁化方向會以相對於該區域在低溫時的磁化方向來發 生反轉。 本發明的第七個特點是提供一種光磁性記錄媒質的讀 取方法，它包括使用如第3個或第4個特點公布的光磁性 記錄媒體，以及在未外加磁場下以讀取光束來照射光磁性 記錄媒質，如此在施以不超過1 6，0 0 ΟΑ/m的讀取 磁場或未施以這類讀取磁場的同時，則至少本身會形成讀 取區域，部份的讀取層的次晶格磁化方向會發生反轉。 本發明的第八點是提供一種光磁性記錄媒質的記錄和 讀取方法，它包括使用如第1個或第2個特點公布的光磁 性記錄媒質，其中訊息是利用方向朝上或朝下的磁化作用 來貯存的，並且在一部份的媒質爲讀取光束所加熱而使溫 度上升時，·經加熱區域會使柯爾（Kerr)旋轉方向與該區 域在低溫時的方向相反，以及當該區域在讀取光束通過而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐") — " ' -13 - Λ^-訂------ηΓ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 ^〇Q3〇3 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 冷卻下來時，則原先的柯爾旋轉方向可得以恢復，並且在 涵蓋讀取光束點整個範圍的磁域被讀取時，使用可產生大 體上訊號大小相同的讀取功率一無論磁化方向是朝上或朝 下，來讀取訊息。 附圖扼要說明 •圖1 ( a )是在溫度低於T 時使用本發明光磁性記 錄媒質之讀取系統的結構圖，以及圖1(b)是在溫度超 過Tc2時使用本發明光磁性記錄媒質之讀取系統的結構圖 〇 圖2是本發明光磁性記錄媒質的示意縱向剖面圖。 圖3是本發明光磁性記錄媒質的計畫說明圖。 圖4 ( a )是在溫度低於Tc2時使用另一個本發明光 磁性記錄媒質體系之讀取系統的結構說明圖，以及圖4 ( b)是溫度超過丁^時使用光磁性記錄媒質體系之讀取系 統的結構說明圖。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 圖5 ( a )和圖5 (b)是使用本發明光磁性記錄媒 質之讀取系統的概略說明圖。 本發明詳細說明 當在本發明的光磁性記錄媒質上進行記錄，而以一個 固定方向來施加磁場以使磁化作用朝一個方向（抹除， erasure广的同時，首先使媒質曝照於連續光束" 然後在以相反方向來施加磁場的同時，以相當於訊息 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 14 _ A7 _ _B7_ 五、發明説明（l2) 的脈衝光束來照射，因此可以相反磁化作用的方向來形成 磁域（記錄）。 有可能應用一種磁場模組化記錄系統，其中模組化相 當於對訊息提供記錄用的磁場。 在本發明中，當使用讀取光束照射以讀取記錄的資料 時，至少媒質上與讀取相關之磁性層的次晶格磁化方向會 發生反轉。在讀取傳統的光磁性記錄媒質當中，當磁域彼 此之間的間距縮短時，記錄訊號與抹除訊號（比如N極訊 和S極訊號）彼此會互相抵消，以致無法對不同訊號加以 區別，造成訊號強度的下降。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反之，依據本發明的光磁性記錄媒質，由於在高溫區 域中的次晶格磁化作用方向會發生反轉，由其柯爾旋轉來 由該區域得到的訊號也同樣在極性上發生反轉。因此，如 果在高溫區域有記錄訊號之處，由於該訊號發生反轉，則 它將與周圍抹除訊號（比如N極訊號）相同，所以在兩個 訊號結合起來下可得到高的訊號強度。如果在高溫區域存 在有抹除訊號模式（比如N極訊號）的話，由於該訊號是 反向的，則它將與周圍記錄訊號相同，所以在這個情形下 也可以得到高的訊號強度。 此外，在本發明的光磁性記錄媒質中，由於磁化作用 反轉只會在讀取點的高溫區域處發生，則與傳統光磁性記 錄媒質相比，將可得到具有寬度非常窄之銳細（sharp ) 讀取訊號，其中整個讀取點與訊號有關，於是甚至更精細 的記錄訊號也可輕易讀取出來》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 13) 使 高 溫 區 域 發 生 次 晶 格 磁 化 作 用 方 向 的 反 轉 > 則 較 宜 使 用 具 有 以 下 特 定 組 成 的 光 磁 性 記 錄 媒 質 〇 — 種 光 磁 性 記 錄 媒 質 > 其 中 — 個 交 換 — 耦 合 磁 性 層 至 少 含 有 擺 放 在 基 質 上 的 讀 取 層 、 截 斷 層 ( 交 換 用 ) 和 記 憶 層 > 而 該 讀 取 層 、 截 斷 層 和 記 憶 層 的 居 里 溫 度 滿 足 下 列 關 . 係 式 T cl > T c 2 5 0 °c ( 1 ) T 〇 3 > T 〇 2 ( 2 ) 其 中 T cl 代 表 讀 取 層 的 居 里 溫 度 T c 2 代 表 截 斷 層 的 居 里 溫 度 和 T c 3 代 表 記 憶 層 的 居 里 溫 度 將 T c 1 T c 2 和 T 〇 3 全 部 叹 定 在 不 超 過 5 0 °C 其 理 由 是 媒 質 的 使 用 環 境 溫 度 通 常 都 低 於 5 0 V 〇 當 爲 了 要 讀 取 記 錄 資 料 而 以 讀 取 光 束 照 射 時 則 使 媒 質 中 至 少 與 讀 取 有 關 之 磁 性 層 的 次 晶 格 磁 化 方 向 反 轉 時 將 可 獲 得 超 解 析 度 效 應 0 可 產 生 超 解 析 度 效 應 的 媒 質 含 有 二 個 磁 性 層 包 括 讀 取 層 截 斷 層 和 記 憶 層 〇 使 用 上 述 媒 質 產 生 超 解 析 度 的 操 作 原 則 將 參 見 圖 1 至 3 來 解 釋 0 在 ran 圖 1 ( a ) 中 如 果 當 讀 取 層 1 與 記 憶 層 3 各 自 均 由 包 含 稀 土 族 金 屬 和 過 渡 金 屬 的 鐵 磁 性 合 金 構 成 以 及 各 個 該 層 之 主 要 次 晶 格 磁 化 方 向 彼 此 相 異 時 則 交 換 耦 合 作 用 力 4 在 溫 度 低 於 T c 2 時 會 很 強 各 個 該 層 的 磁 化 方 向 會 藉 著 交 換 耦 合 作 用 力 4 來 彼 此 相 對 而 得 以 穩 定 下 來 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 16 一 A7 _________B7 _ 五、發明説明（l4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當該媒質以讀取光束8來加熱時，記憶層3與讀取層 1之間的交換耦合作用力4會在截斷層2之居里溫度Tc2 附近降低或變爲零。 在此階段對讀取層1之磁化有作用的力大多數是在記 憶層3和讀取層1 (圖1 (b))之間的磁化作用所引起 的靜磁場親合作用力5。 '如果在Tc2時，記憶層1與讀取層3各自之主要次晶 格磁化方向彼此相異時，則交換耦合作用力4與靜磁場耦 合作用力5會彼此方向相反，如此藉著該靜磁場5 ，則讀 取層1的次晶格磁化方向會在相對當交換耦合作用力4在 低溫爲主要時的情來發生反轉。本發明希望使用靜磁場耦 合作用來以安定的 方式導致磁化作用的反轉。因此吾人 希望在T c2時記憶層與讀取層的主要次晶格磁化作用方向 上是不同的。說得明白些，吾人希望於T c2時，記憶層3 主要是稀土族金屬的磁化作用，而讀取層1則主要是過渡 金屬的磁化作用，以及當記億層3主要是過渡金屬的磁化 作用時，則然後讀取層1主要是稀土族金屬的磁化作用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 爲利用靜磁場耦合用來引發安定的磁化作用反轉，吾 人希望記億層3可產生足夠大且相當於在T c2時之記錄位 元的磁場。爲達此目標，則需要使記億層3進行一定大小 或更高的磁化作用。Tc2時，記億層3的磁化作用需要不 低於80emu/cc。 然而如果室溫時記憶層3的磁化作用太高的話’則在 記憶層3內部可能會有幾個反向微小磁域形成’或者是磁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 17 - A7 __B7 五、發明説明（i5) 各向異性可能會下降，這使它無法讓讀取層1的磁化作用 以完美的垂直性來站起來（plumb up)，所以室溫時記億 層的磁化作用不可超過3 0 0 emu/c c β 在丁。2時，記憶層的磁化作用較宜不低於1 2 〇 emu/cc ，更適宜不低於150emu/cc ，並且 在室溫時較宜不超過2 5 0 emu/c c ，更適宜不超過 2 0 0 emu/c c。在此的"室溫"是指工作環境的溫 度，通常是2 5 °C。 另一方面，施加在讀取層1上的作用力也會影響到該 層的磁化作用。因此在Tc2時，讀取層也較宜有一定大小 或更高的磁化作用。在Tc2時，讀取層1的較佳磁化作用 是不低於100emu/cc，更適宜不低於150 emu/cc，甚至更適宜不低於2 0 0 emu/c c， 還有更適宜不低於2 5 0 emu/c c。 經濟部中央標準局員工消t合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如果室溫時讀取層的磁化作用太高的話，則當讀取層 1與記憶層3發生交換-耦合時，則可能會有不希望的現 象發生，比如記憶層3可能無法有完美的垂直磁化作用， 或者其磁化方向可能會在讀取層1的影響下發生局部反轉 ，而有低的垂直磁各向異性。 室溫時讀取層1的較佳磁化作用較宜不超過5 0 0 emu/cc ，更適宜不超過450 emu/c c ，甚至 較宜不超過400 emu/c c。 當記憶層3是一種其中在達T c2以前主要是稀土族金 屬的磁化作用佔多數的組成物時，則媒質的記錄性質——比 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -18 - A7 __B7_ 五、發明説明（l6) 如寫入場域依存性，會變差。因此讀取層1較宜爲稀土族 金屬磁化作用佔多數的組合物來構成。因爲在Tc2時讀取 層1中主要爲稀土族金屬的磁化作用佔多數，則讀取層1 的補償溫度T 較宜較T c2低》 此外，爲引發所需求的磁化作用反轉，讀取層1的頑 磁作用力H c需要比某些值小》然而如果頑磁作用力太小 的話，則讀取訊號可能會發生惡化，所以Tc2時讀取層的 頑磁作用力（Hc )較宜在2至4 0 kA/m的範圍內。 爲能以讀取層之磁化反轉來使磁障（magnetic wall )能量增加量減小，則較宜減少讀取層的垂直磁各向異性 ，但如果該值太小，則仍可能會導致讀取訊號的變差，所 以在Tc2時讀取層的垂直磁各異性較宜在2 X 1 05至8 X106耳格/c c之間，更適宜在5xl05至6x 1 0 6耳格/ c c之間。 爲使記錄資料有穩定的貯存效果，記憶層3在Tu時 的頑磁作用力較宜不超過8 0 0 k A/m。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，讀取層1也較宜爲其中主要是稀土族金屬的磁 化作用，和垂直磁各向異性在溫度上升時會隨著磁化作用 的減少而增加的組成物，因爲這樣的組成物可減小因磁化 作用反轉所引起的磁障能量增加，並且還可提供在高溫區 域有高的垂直磁各向異性，而可得到高的讀取訊號值。 另外如圖2所示，利用這樣的組成物則低溫區域的光 磁性訊號會不大，並且可減小來自讀取點8無線電干擾（ crosstalk )之周圍部份訊號的漏失。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17) 於是讀取層1的一個重要必須條件是其柯爾旋轉胃胃 在溫度接近T c2時要比室溫左右、交換親合作用強時 〇 稀土族和過渡金屬的合金可作爲讀取層1的材料，上匕 如較宜使用 GdFeCo、GdCo、GdFe、 GdDyFe 、GdDyCo、GdDyFeC〇、 GdTbFe 、GdTbCo ;GdTbFeC〇 、 DyFeCo、DyCo 'TbCo、TbFeC〇 、 TbDyFeCo 和 TbDyCo。 讀取層的居里溫度較宜不低於2 5 0 °C。可單獨 或以和稀土族及過渡金屬之合金層合起之磁性物質——比如 P t C 〇 或 P t — C 〇 超晶格（superlatice )，來形成 讀取層1 。較宜使用可減少頑磁作用力之以G d F e C 〇 爲主的合金。這類合金以下列方程式來表示：

Gdx(FeyC〇i〇0_y) l〇〇_x (單位：原子 ％) 其中 30SXS35 和 OSySlOO 像 T i 、C r、P t、Mo 等的附屬物（adjunct ) 也可以不超過5原子％的量來加入。 讀取層1的厚度較宜儘可能小以便可接收較大的磁化 作用力》然而太小的厚度會引起讀取訊號的變小，所以讀 取層的厚度較宜在8至5 0 0 nm之間，更適宜在1 2至 3 5 0 n m之間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------Φ------ΐτ------or (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20 - A7 __B7 五、發明説明（is) 截斷層2的居里溫度需要比讀取層和記憶層者低。讀 取層2的居里溫度較宜在1 0 0至1 8 0°C之間。 本發明所用截斷層較宜爲具有高垂直磁各向異性，以 及可以對讀取層的磁化作用施以強烈作用力者。該截斷層 較宜包含有稀土族金屬和過渡金屬的合金，比如Tb F e 、TbFeCo 、DyFeCo 'DyFe 、

TbDy F e C o等等。截斷層的厚度較宜在2至3 ◦ n m之間。 記憶層3是一個其中記錄資料可穩定貯存的磁性層， 因此該記憶層的溫度必須具有可防止該層因讀取光束而惡 化的居里溫度。居里溫度較宜在2 0 0至2 8 0°C之間》 當居里溫度太高時，則記錄時所需的雷射功率將變得過高 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 記憶層3也較宜具有高的垂直磁各向異性以給予讀取 層在磁化時所需的強烈作用力。說得明白些，在T 時記 憶層的垂直磁各向異性較宜不低於2 X 1 06耳格/c c ，更適宜不低於5X106耳格/c c。該層較宜由像 TbFeCo ' T b C 〇、DyFeCo、GdTbFe 、G d Tb F e C 〇之類的稀土族/過渡金屬的合金製成 。具有高垂直磁各向異性之以Tb F e C 〇爲主的合金則 特別適宜。以Tb F e C 〇爲主的合金如以下化學式表之 T bxi ( F e yiC 〇 i〇Ci_yl) (單位：原子 ％ ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210χ297公釐） -21 - A7 _B7 五、發明説明（19) 其中 17SxlS24 ，和 70Sy 1S85。 像T i ' C r 、P t 、M〇等的附屬物也可以不超過 5原子％的量來加入。記億層3的厚度較宜在1 〇至5 0 n m之間。爲使記錄層上之記錄資料有穩定的貯存，則該 記億層較宜具有比讀取層1大的頑磁作用力。記憶層的頑 磁作用力較宜不低於2 4 0 kA/m。 爲了要以靜磁場耦合超解析度記錄作用上的靜電耦合 作用來產生更穩定的磁化作用反轉，則記億層與讀取層這 兩層較宜在丁。2附近有相反極性之相當大的磁化作用。然 而，當記憶層的磁化作用上升時，可能垂直磁各異性會降 低，以致無法建立垂直磁化作用，或者是可能會有微小的 磁化作用反轉發生。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲#背面之注意事項再填寫本頁) 記憶層需要有足夠的磁化作用來產生所需求的靜電磁 場，同時它需要選用一個可提 供足夠之垂直磁各向異性 的磁性層。要找出一種能同時滿足這兩個要求的磁性層組 成物是很困難的。當記憶層是由一種組成物——其中在T e 2 時主要是稀土族金屬的磁化作用佔多數——構成時，則室溫 左右的磁化作用會變得比在T c2時要高些，如此將無法得 到良好的磁性層性質。因此組成物的記憶層較宜爲其中主 要是過渡金靥的磁化作用佔多數者。 如圖4所示，在本發明的一個較佳體系中，將能夠產 生供反轉用靜電磁場的偏壓層2 0提供在鄰近記憶層3處 。即令對截斷層2加熱到使溫度不超過T c2下，記憶層3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 - A7 B7 五、發明説明（2〇) 和偏壓層2 0會藉著由交換耦合作用力4來保持彼此耦合 在~起。 使用具有低磁化作用和高垂直磁各向異性的薄膜來作 記憶層3 ’同時使用具有磁化作用比記憶層3要高的薄膜 來作偏壓層2 0 ，如此即有可能產生一個強烈的靜電磁場 〇 '當記憶層3和偏壓層2 0表現出所個別賦予的工作， 同時記憶層3產生垂直磁各向異性和偏壓層2 0產生靜電 磁場時，則利用偏壓層2 0產生的強烈靜電磁場將有可能 獲得一個大的組成物極限（margin)，以及得到良好的訊 號性質。 此外，由於有可能應用到偏壓層2 0與記憶層3的不 同極性，則記憶層4的選用範圍將會變寬。 即令偏壓層的磁化作用在室溫時很高，同時磁化作用 方向不是垂直得很完美，但當在Tc2附近時偏壓層的磁化 作用會降低，而且磁化作用方向變垂直時，則有可能獲得 良好的性質。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 磁性層結構較宜爲其中的偏壓層在低溫時不是垂直， 但在高溫時會變成垂直者，因爲來自低溫區域的訊號大小 會消失而減少了無線電干擾。 當偏壓層是在丁。2時主要爲過渡金屬的磁化作用的組 成物時，則讀取層是在T c2時主要爲稀土族金屬的磁化作 用的組成物。在這個情形下，基於前面所提到的理由，則 低溫時讀取層的磁化作用方向較宜不爲垂直的。偏壓層的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - A7 B7 五、發明説明（21 ) 磁 化 作 用 需 要 至 少 比 讀 取 層 者 大 > 以 便 產 生 可 使 讀 取 層 的 磁 化 作 用 方 向 反 轉 的 磁 場 0 在 T c 2 時 > 偏 壓 層 的 磁 化 作 用 較 宜 不 低 於 1 5 0 e m U / C C 5 更 適 宜 不 低 於 2 0 0 e m u / C C 0 然 而 » 當 磁 化 作 用 太 高 時 則 T c 2 時 的 磁 化 作 用 方 向 會 變 得 不 垂 直 而 造 成 訊 號 品 質 的 惡 化 » 因 此 磁 化 作 用 大 小 較 宜 低 於 5 0 0 e m U / C C 〇 偏 壓 層 的 居 里 溫 度 較 宜 不 低 於 2 5 0 °C > 而 且 其 厚 度 較 宜 在 2 至 5 0 η m 之 間 0 稀 土 族 和 過 渡 金 屬 的 合 金 一 -比 如 G d F e C 0 G d C 0 、 G d F e G d D y F e 、 G d D y C 0 > G d D y F e C 0 、 G d T b F e 、 G d T b C 0 G d Τ b F e C 0 、 D y F e C 0 D y C 0 ; T b C 0 t T b F e C 0 、 T b D y F e C 0 ' T b D y C 0 之 類 較 宜 用 作 偏 壓 層 的 組 成 材 料 ο 如 果 提 供 —· 種 偏 壓 層 時 » 則 T c 2 時 記 億 層 的 磁 化 作 用 較 宜 比 偏 壓 層 者 低 y 且 不 超 過 1 5 0 e m u / C C 〇 記 憶 層 的 垂 直 磁 各 向 異 性 同 樣 也 較 也 不 低 於 2 X 1 0 6 耳 格 / Αν 、訂 Q. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 由於稀土族和過渡金屬的合金非常容易氧化，因此較 宜在磁性層的兩側提供保護性薄膜。 矽氧化物、鋁氧化物、鈦氧化物、矽硝化物、鋁硝化 物、矽碳化物等等較宜以單獨或以適當比例結合來用作這 類保護性薄膜的材料。保護性薄膜的厚度較宜在約5 0至 1 5 0 n m之間。 本紙張^度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -24 - ^00303 at ____B7_ 五、發明説明（22 ) 形成在基質和磁性層之間的保護性薄膜較宜在基質表 面接受電獎触刻（plasma etching)，以改進接著形成在 其上之磁性層的磁各向異性。 較宜直接方式或經由保護性層來將高導熱性材料層—— 比如人1、〇11、八11、人2之類一以單一形式或以其中 一個這類元素爲主的合金作熱散座（heatsink)層來提供 在磁性層上的記憶層旁邊。這將有助於在讀取時使熱分布 穩定下來。這類熱散座層的厚度較宜約爲1 0至1 〇 〇 n m 。 在光強度模組化記錄中，由於位向朝抹除方向的磁域 和位向朝記錄方向的磁域彼此在形狀上有所不同，則記錄 方向與抹除方向在高溫時，可對其中一個該方向施以讀取 磁場。它較宜以與抹除時所施加之磁場的相同方向來施加 。然而，當讀取磁場與在記憶層和讀取層之間的靜電磁場 相同或比它大時，則將影響到讀取層的反轉，因此讀取磁 場較宜不超過1 6 ，0 0 OA/m。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲讀取本發明的光磁性記錄媒質，可在一個大小不超 過1 6 ，00 OA/m的讀取磁場存在或不存在下以照射 用讀取光束來使媒質加熱，以使在高溫區域之讀取層的次 晶格磁化作用在相對該區域於低溫時的磁化方向下發生反 轉。 在本發明的另一個讀取方法中，使用一種光磁性記錄 媒質，其中訊息是以方向朝上的磁化和方向朝 下的磁化 作用來貯存的，當媒質以讀取光束來加熱時，經加熱區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -25 - A7 B7 五、發明説明（23) 會使柯爾旋轉以與該區域在低溫時呈現之方向相反來進行 ’並且該區域在讀取光束通過後而冷卻下來時，可恢復到 柯爾旋轉的原始方向，當沿著讀取光束點的全部範圍來讀 取記錄磁域時，利用讀取功率來進行的讀取方法可產生— 個大體上相同的訊號大小一無論磁化作用的方向是朝上或 朝下。 •上述法說明在圖5中。由於磁化反轉只在讀取點1 1 的高溫區域1 3處發生，則和其中整個讀取點1 1會與訊 號結合的傳統方法相較，將可得到寬度非常窄的尖銳讀取 訊號，以及可很輕易地讀取到更精細的記錄資料。 在對這類靜磁場耦合超解析記錄媒質作硏究過程當中 ，本發明者發現到藉著使用這種媒質則有可能直接獲得一 般讀取中得到之讀取訊號的微分波形。 在此以f 1 ( t )來代表由讀取點1’1之低溫區域 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2得到之訊號1 6，以及以f 2 ( t )來代表會造成磁 化 反轉之高溫區域1 3獲得之訊號1 7。以F ( t )代 表之實際獲得訊號1 8是這兩個訊號的總和，如以下方程 式（4 )所示： F(t)=fl(t)+f2(t) (4) 訊號f 1和f 2會以彼此極性相反方式來讀取磁域 1 4，同時基於高溫區域1 3會略微位在低溫區域1 2後 方的這項事實而產生出一個微小的時間差»因此會引 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公* ) -26 - A7 _______ B7 五、發明説明（24) 起磁化反轉之由高溫區域獲得的訊號f 2 ( t )可以下列 方程式（5 )表之： f 2 (t)=A(Pr) · { - f 1 ( t - Δ t ) } ( 5 ) 其中A是一個由低溫區域12和高溫區域13之光強 度的相對值決定的因子。 於是讀取功率P r的作用在決定高溫區域1 3的大小 〇 因此實際獲得之訊號F ( t )是以下列方程式（6 ) 來表之： F ( T ) = f 1 (t)-A(Pr) · { - f 1 ( t - Δ t ) } (6) A ( P r )可藉著調整讀取來使大體上爲1 ，則此時 實際獲得訊號F(t)是以 下列方程式（7)來表之： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) F (T)=f 1 ( t ) — { — f 1 ( t — Δ t ) } (7) 由於△ t是一個非常短暫的固定期限，則如圖5所示 ’ F (t)變成f 1 (t)的時間微分訊號。在此f 1 ( t )是由低溫區域1 2 (或高溫區域1 3 )發射出來的超 解析度讀取訊》於是即令是很細微的記錄磁域也可被精確 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -27 - A7 _ B7 五、發明説明（25) 地讀取。 實際上由於高溫區域13與低溫區域12之間組態的 差異，該訊號並無法很完美地變成微分訊號，但該差異很 細微，且其影響只是在訊號讀出上的一定位移，因此不會 造成嚴重問題。 於是可直接以微分形式來讀取訊號，因此在P PM記 錄的情形則有可能只偵測訊號通過切線量的位置來進行相 當於一般波峰偵測的訊號偵測》 在以A C耦合作用讀取訊號後，截面量較宜設定爲零 。這可使訊號的沿電路（circuit-wise)微分變得不需要 ，而這在傳統的記錄媒質是必須的，於是簡化了電路以及 還有改進了 S / N比值》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在PWM記錄的情形，由於訊號的波峰1 9與磁域末 端重疊，則可藉偵測波峰1 9的位置來讀取訊號。此時就 如同傳統的P PM記錄，使讀取訊號進行一次微分，並偵 測訊號通過零點位置所在。然而和P P Μ記錄不同的是存 在有方向朝上和朝下的波峰，則有必要偵測訊號由上往下 通過零點處所在和訊號由下往上通過零點處所在。和傳統 的P W Μ偵測方法相比，由於有波峰的偵測這個方法具有 和Ρ ΡΜ記錄資料優秀的交換能力，並且幾乎不受到整個 訊號大小變化的影響。另外還有，由於在電路上的一次微 分，則和二次微分者相較，S / Ν比值的下降可變得最小 。此外，由於應用了超解析讀取系統，則有可能以比 Ρ ΡΜ和PWM這兩種傳統記錄方法要高得多的密度來進 ^紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ' -28 - A7 B7_____ 五、發明説明（26 ) 行讀取動作。 爲使上述方程式（5)中的A (Pr) =1 ，則使用 可產生大體上相同訊號大小的讀取功率，而無論當記錄磁 域是沿著讀取光束點11的整個寬度來讀取時磁化方向是 朝上或朝下。讀取光束點11的寬度是由其中所提供之最 大強度不低於Ι/e2的範圍內選取的。較宜使用DC耦 合作用來量取訊號大小。 當實際設定讀取.功率時，比如當具有足夠長之單一頻 率的磁域被記錄，並設定功率以使在磁域區域中除了其末 端外，方向朝上之磁域和方向朝下之磁域內的訊號大小要 變成大體上相同。假定讀取的波長爲7 8 0 nm，以波長 少於約2 μιη者即足以記錄磁域。在這個情形，則在方向 朝上之磁域和方向朝下之磁域二者之間的訊號大小差異較 宜在±2 0%以內，更適宜在±1 0%以內。 A ( P r )的值是可改變的，端視一些因子—比如靈 敏度的變異性和周遭溫度的變化，而定’因此較宜利用將 這些因子回蝕饋進去來設定最佳的讀取功率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉著使用本發明的光磁性記錄媒質及其讀取方法，則 有可能獲得超解析度效應而無須使用讀取磁場，並且在和 傳統超解析記錄媒質相比，這對記錄位元的長期存放安全 性和驅動器的縮小化及減輕重量有顯著的貢獻。 此外，藉著提供偏壓層來在可以靜磁場耦合作用以使 磁域反轉之超解析度光磁性記錄媒質上產生磁場時，則可 獲得更優異的超解析度效應。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 — _B7 五、發明説明（27) 藉著使用本發明的光磁性記錄媒質，則有可能直接來 偵測微分訊號，這在先前技藝中是不可能的.，並且可實現 讀取訊號品質的改良。 本發明將參考實施例來作進一步說明。然而這些實施 例只是用來作說明用，而非被解釋成對本發明範圍的限制 0 實施例1 將一個其導向凹槽（guide groove)上之磁軌大小（ track pitch )爲1 . 6 μιη的聚碳酸脂基質加入噴鍍裝 置中，並使噴鍍裝置抽真空至真空度達5 X 1 〇-5P a。 然後利用反應性噴鍍來使一個8 0 nm厚的鈦氧化物層在 基質上形成保護性層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 同樣地，在鈦氧化物層上也形成一個包含有 G d34( F e80C 〇2。）ββ(這裡和在下列化學式中的數 字爲""原子)的30.nm讀取層、一個包含有 Tb20F e8。的1 5 nm截斷層和一個包含有 Tb2i( F e8〇C 〇2。）79的4 0 nm記憶層。最後並提 供一個8 0 n m - S i N保護性層。 該讀取層、截斷層和記憶層的居里溫度分別不低於 3 0 〇°C、- 1 20°C和240°C。在讀取層中，室溫時將 是稀土族金屬的磁化作用佔主要，補償溫度爲1 9 0°C。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（28) 在其他層中，室溫將是過渡金屬的磁化作用佔多數。 室溫時讀取層的垂直磁各向異性爲2 X 1.0 6耳格/ c c 〇 在室溫時，有關讀取層的頑磁作用力是幾乎爲零，而 其柯爾旋轉角度（0kl)在室溫時爲〇. 2 4度。在 1 2〇°C時，頑磁作用力爲8，000A/m，磁化作用 爲280emu/cc，以及柯爾旋轉角度（0k2)爲 〇 . 3 4 度。 對以上述方式製作出來的光碟測試記錄情形，並以一 個波長調到7 8 0 nm和數值孔徑（numerical aperture )調爲0. 55的評估裝置來評估其C/N比值。記錄工 作是在線性速度爲7m/s ，頻率爲7MHz ，記錄功率 爲9 m W，和記錄負荷大小（duty )爲3 0%的條件下進 行。 在完成記錄後，在以無外加讀取磁.場下改變讀取功率 P r來量測C/N比值。吾人發現，當P r上升至不超過 1. 6mW下，則訊號相位將可有完美的反轉，並可供高 的C/N比值。當Pr是2. OmW時，C/N比值爲 4 8 d B 〇 當在2 ΜΗ z對鄰近磁軌作類似的記錄動作時’無線 電干擾會低到只有—3 3 d B。 對照實施例1 如實例1的製程來製造光碟，不同的是讀取層組成爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） ---------------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 31 — Α7 Β7 五、發明説明（29 ) G d 2 1 ( F 6 8〇C Ο 2〇) 79。 讀取層的居里溫度不低於3 〇 〇。(：。還有就是在讀取 層中’室溫時將是稀土族金屬的磁化作用佔多數，並且在 室溫或以上溫度沒有補償溫度存在。 在室溫時，讀取層的頑磁作用力爲18 ，〇〇〇Α/ m’柯爾旋轉角度0kl爲〇. 33»在120。(：時，讀 取層的頑磁作用力爲1 6 ’ 0〇〇A/m，磁化作用爲 240emu/cc，以及柯爾旋轉角度（（0匕2)爲 0. 3 2度。12 0°C時’單單讀取層的柯爾垂磁各向異 性爲5xl0e耳格/cc。 然後’在如實施例1相同的條件下，除了在無外加讀 取磁場下以2 _ 0 m W的讀取功率p r來量測C / Ν比值 。該比值爲3 5 dB。當沿著抹除方向施以40 ，〇〇〇 A / m的讀取磁場來進行讀取時，可得到c / N比值爲 4 9 d B。未觀察到訊號相位有反轉。 以如實施例1相同方式量測到無線電干擾量爲- 2 7 d B。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對照眚施例2 如實例1的製程來進行來製造光碟，不同的是讀取層 組成爲 G d26( F ee〇C 〇2。）7 4。 讀取層的居里溫度超過3 0 0°C。室溫時是稀土族金 靥的磁化作用佔多數’並且其補償溫度爲9 0°C。單單讀 取層的垂直磁各向異性爲4x 1 0β耳格/c c。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -32 - A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 在室溫時’讀取層的頑磁作用力爲3 6 ，ο ο 0A/ m ’柯爾旋轉角度ek 1爲〇. 3 3。在1 20時，讀取 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層的頑磁作用力爲3 0 ’ 0〇〇A/m，磁化作用爲 emu/CC，以及柯爾旋轉角度（0k2)爲〇 34 〇 以如實施例1的條件’在無外加讀取磁場下以2 ◦ Π1 W的讀取功率p r所量測到的c / N比值爲3 '3 d B。 當沿著抹除方向施以4 0 ’ 〇 〇 〇 A/m的讀取磁場 來進行讀取時，可得到C/N比值爲4 9 d B。未觀察訊 號相位有反轉。 如如實施例1相同方式量測到無線電干擾量爲—2 6 d B。 對照實施例3 依循和實例1相同的製程來製造光碟，不同的是使用 組成爲G d37( F e8〇C 〇2。）β3的讀取層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 讀取層的居里溫度不低於3 0 0 °C。在讀取層中，室 溫時是過渡金屬的磁化作用佔多數，並且在低於室溫時或 沒有補償溫度存在。1 2 0°C時，讀取層的垂直磁各向異 性爲4xl〇5耳格/cc。 在室溫時，讀取層的頑磁作用力幾乎爲零，柯爾旋轉 角度爲〇. 12。在120 °C時，頑磁作用力爲 4 ，80CfA/m，磁化作用爲 430 emu/cc ，以 及柯爾旋轉角度0k2爲0· 28。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明（si) 以如實施例1的條件下，在無外加讀取磁場下以 2. 〇mW的讀取功率pr所量測到的C/N比值爲41 d B ’雖然訊號相位沒有反轉。 以如實施例1相同方式量測到無線電干擾量爲一 3 5 d B 〇 對照實施例4 依循和實例1相同的製程並使用相同的基質，則所製 造出的光碟是由9 0 nm的鈦氧化物保護性層、2 8 nm 含有Tb2:1( F e93C 〇7) 的記錄層、3 0 nm的 S i N中間物層和4 0 nm的A 1反射（reflective)層 構成。 在如實施例1的條件下，於無外加讀取磁場下以 2 . OmW的讀取功率p r所量測到的c/N比值爲3 2 d B。未觀察到訊號相位有反轉。 以如實施例1相同方式量測到無線電干擾量爲- 2 7 d B °

實施例2 — B 將一個具有1 . 4 yin導向軌跡大小的聚碳酸酯基質 加入噴鍍裝置中，並使該裝置抽真空達到真空度不超過5 X 1 0_5P a。然後利用反應性噴鍍方式來使8 0 nm厚 之鈦氧化物的保護性層形成在基質上》 同樣地，在該鈦氧化物層上形成一個包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------o^.-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -34 - 五、發明説明（ 3ί 0 G d 3 3 ( F e 8 0 C 0 2 0 ) 6 7 的 3 0 η m 厚 讀 取 層 一 個 包 含 T b 2 0 F e 8 0 的 1 5 η m 厚 截 斷 層 和 — 個 包 含 丁 b X X ( F e 8 0 C 0 2 0 ) 1 0 0 - X X 的 4 0 η m 厚 記 憶 層 〇 記 憶 暦 中 T b 的 組 成 X 1 會 如 表 1 所 示 變 化 〇 在 該 記 憶 層 上 提 供 一 個 8 0 η m 厚 的 S i N 保 護 性 層 該 讀 取 層 截 斷 層 和 記 憶 層 的 居 里 溫 度 分 別 不 低 於 3 0 0 °C 1 2 0 °c 和 2 4 0 °c 0 在 讀 取 層 中 室 溫 時 主 要 是 稀 土 族 金 屬 的 磁 化 作 用 佔 多 數 補 償 溫 度 爲 1 9 0 °C 0 在 其 他 層 中 室 溫 時 主 要 是 過 渡 金 屬 的 磁 化 化 作 用 佔 多 數 0 室 溫 時 讀 取 層 的 頑 磁 作 用 力 幾 乎 爲 零 柯 爾 旋 轉 角 度 Θ k 1 爲 0 2 4 度 磁 化 作 用 爲 2 7 0 e m U / C C 0 在 1 2 0 °c 時 讀 取 層 的 頑 磁 作 用 力 爲 1 0 0 0 0 A / m 柯 爾 旋 轉 角 度 Θ k 2 爲 0 3 4 度 以 及 磁 化 作 用 爲 3 3 0 e m U / C C 〇 利 用 一 個 波 長 調 整 至 7 8 0 η m 和 數 值 孔 徑 2田 m 整 至 0 5 5 的 評 估 裝 置 來 由 光 強 度 模 組 記 錄 資 料 對 各 個 如 此 製 造 出 來 的 光 碟 進 行 C Ν R ( 在 窄 帶 的 訊 號 — 對 — 雜 訊 比 值 Si gna 1 -t 〇- no is e r a t i 0 in η a r Γ 0 W ba nd ) 評 估 〇 在 線 性 速 度 7 m / S 頻 率 爲 7 Μ Η Z 記 錄 功 率 爲 9 m W 和 記 錄 負 荷 大 小 爲 3 0 % 的 條 件 下 來 進 行 記 錄 〇 在 讀 取 中 未 外 加 磁 場 0 當 藉 著 改 變 讀 取 功 率 來 進 行 記 錄 和 量 測 動 作 時 在 讀 取 功 率 不 低 於 1 6 m W 時 高 溫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^00303 a7 _B7_ 五、發明説明（33 ) 區域的磁域有發生反轉而產生超解析度。 在讀取訊號中未觀察到起因於A mask"而有均一~磁化 方向——比如在一般F AD超解析記錄中產生者一的D C b i a s成份° 記憶層的磁性性質，和在讀取功率爲2 . 4 m W下的 CNR評估結果收集顯示在表1中（記憶層的Tb組成依 存性）。 在讀取實施例2的光碟時，沿著抹除方向施以 8 ，OOOA/m的讀取磁場時，則CNR會較無外加讀 取磁場的情形增加2. 4dB，變成45. 5dB。 當讀取磁場上升至20，OOOA/m時，CNR減 少至3 7 d B。 使用實施例4之光碟量測到的無線電干擾量爲_ 3 4 d B。 實施例7 ~ 1 1 將一個具有1. 4 導向軌跡大小的聚碳酸酯基質 加入噴鍍裝置中，並對該裝置抽真空來使達真空度不超過 5xl0_5Pa 〇 然後利用反應性噴鑛方式來使8 0 n m厚之鈦氧化物 的保護性層形成在基質上。 同樣地，在該鈦氧化物層上形成一個包含 G d χΐ ( F e 〇 2。）loo — xi的 3 0 n m 厚讀取層、一 個包含Tb2C)F e80的1 5 nm厚截斷層和一個包含 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------0私------ir------ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -36 - A7 _B7_ 五、發明説明（34)

Tb2〇.8( F e80C 〇2〇) 79_2的 4 0 nm 厚記億層。 讀取層中G d的組成X會如表2所示變化。最後提供 —個8 0 nm的S i N保護性層。 該讀取層、截斷層和記憶層的居里溫度分別不低於 3 〇 〇 °C、1 2 0 °C 和 2 4 0 °C。 在讀取層中，室溫時主要是稀土族金屬的磁化作用佔 多數，補償溫度爲1 9 0 °C。

在其他層中，室溫時主要是過渡金屬的磁化作用佔多 數。利用一個波長調整至7 8 0 nm和數值孔徑調整至 0 . 5 5的評估裝置來對各個如此製造出來的光碟進行C /N比值評估。在線性速度7ms 、頻率爲7MHz、記 錄功率爲9 m W和記錄負荷大小爲3 0的條件下來進行記 錄，並藉著改變讀取功率來進行量測動作。在讀取功率不 低於1 . 6mW下，高溫區域的磁域有發生反轉而引起超 解析度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在讀取當中未外加磁場。記憶層的磁性，和在讀取功 率爲2. 4mW下的CNR評估結果顯示在表2中（讀取 層的G d組成依存性）。 使用實施例9之光碟量測到的無線電干擾量爲- 3 6 d B 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） -37 - A7 B7 五、發明説明（35 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實 施 例 1 2 將 — 個 具 有 1 4 β τη 導 向 軌 跡 大 小 的 聚 碳 酸 酯 基 質 加 入 噴 鍍 裝 置 中 » 並 對該 裝 置 抽 真 空 來 使 達 真 空 度 不 超 過 5 X 1 0 -5 P a 〇 然 後 利 用 反 應 性 噴鍍 方 式 來 使 8 0 η m 厚 之 欽 氧 化 物 以 保 護 性 層 形 式 形 成 在基 質 上 〇 同 樣 地 在 該 鈦 氧化 物 層 上 形 成 一 個 包 含 G d 3 4 ( F e 8 0 C 0 2 0) 6 β 的 3 0 η m 讀 取 層 、 一 個 包 含 T b 2 0 F e 8 0 的 1 5 n m 截 斷 層 、 一 個 包 含 有 G d 1 8 ( Γ e 7 Ο C 0 3 Ο ) 8 2 的 2 0 η m 偏 壓 層 和 — 個 包 含 T b 2 3 ( F e 8 0 C 0 2 0 ) Τ 7 的 4 0 η m 記 憶 層 〇 最 後 提 供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公鏟） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -38 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A 7 ____ B7 五、發明説明（36) —個2 0 nm的S i N保護性層。 該讀取層、截斷層、偏壓層和記憶層的居里溫度分別 不低於 3 0 0 °C、1 2 0 °C、3 0 0 °C 和 2 4 0 °C。 在讀取層中，室溫時主要是稀土族金屬的磁化作用佔 多數，該層的補償溫度爲1 9 0°C。 在截斷層和偏壓層中，室溫時主要是過渡金屬的磁化 作用佔多數。 室溫時（2 5°C)，讀取層的頑磁作用力幾乎爲零， 柯爾旋轉角度θΐίΐ爲0. 24度，磁化作用爲380 emu/cc。在120°C時，讀取層的頑磁作用力爲 10，000A/m，柯爾旋轉角度爲0. 34度 ，以及磁化作用爲250emu/cc。 在1 2 0°C時偏壓層的磁化作用爲3 9 0 emu/c 〇 在以上述方式製造出來的光碟進行記錄動作，並利用 一個波長爲780nm和數值孔徑爲0. 55的評估裝置 來對其C / N比值進行評估。記錄條件：線性速度=7 m /s ;頻率爲=9MHz (標記長度：0. 39#m)； 記錄負荷大小=3 0 %。 在完成記錄後，在無外加讀取磁場下改變讀取功率 Pr來進行上述的量測動作。當Pr上升至不低於2. 0

mW時，訊號相位會完美地反轉，並可提供高的C/N比 值（窄帶的訊號—對_雜訊比值）。當P r爲2 · 4 m W 時，C/N比值爲46. 5dB» 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------〇衣------ΪΤ------ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 __________ R1 五、發明説明（37 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 當 記 錄 動 作 是 在 2 Μ Η Z 時 於 鄰 近 的 磁 軌 進 行 時 y 則 所 有 持 有 的 •far 撕 線 電 干 擾 量 爲 — 3 6 d Β 〇 實 施 例 ] 3 將 — 個 具 有 1 4 U m 導 向 軌 跡 大 小 的 聚 碳 酸 酯 基 質 安 置 在 噴 鍍 裝 置 中 9 並 對 該 裝 置 抽 真 空 來 使 達 真 空 度 不 超 週 5 X 1 0 -5 Ρ a 〇 然 後 利 用 反 應 性 噴 鍍 方 式 來 使 8 0 η m 厚 之 欽 氧 化 物 以 保 護 性 層 形 式 形 成 在 基 質 上 0 同 樣 的 ， 在 該 欽 氧 化 物 層 上 形 成 一 個 包 含 G d 19 ( F e 8 0 C 0 2 0) 8 1 的 3 0 η m 讀 取 層 - —. 個 包 含 T b 2 0 F e 8 0 的 1 5 η m 截 斷 層 > 一 個 包 含 有 G d 3 5 ( F e 7 0 C 0 3 0 ) 6 5 的 2 0 η m 偏 壓 層 和 —· 個 包 含 T b 2 3 ( F e 8 0 C 0 2 0) 7 Ύ 的 4 0 η m 記 憶 層 0 最 後 提 供 -- 個 8 0 η m 的 S i Ν 保 護 性 層 0 該 讀 取 層 截 斷 層 偏 壓 層 和 記 憶 層 的 居 里 溫 度 分 別 不 低 於 3 0 0 V 1 2 0 °C 、 3 0 0 °c 和 2 4 0 °c 0 記 憶 層 的 居 里 溫 度 會 隨 組 成 不 同 而 有 些 微 變 化 但 它 都 在 2 4 0 °C 左 右 〇 室 溫 時 ( 2 5 °c ) ， 偏 壓 層 中 主 要 是 稀 土 族 金 屬 的 磁 化 作 用 佔 多 數 > 並 且 補 償 溫 度 爲 2 0 0 °c 〇 室 溫 時 > 在 讀 取 層 和 截 斷 層 中 主 要 是 •JIH, 過 渡 金 屬 的 磁 化 作 用 佔 多 數 ο 室 溫 時 9 讀 取 層 的 頑 磁 作 用 力 爲 2 > 2 0 0 A / m » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（38) 柯爾旋轉角度0kl爲0.18度，和磁化作用爲420 emu/cc。在120eC時，頑磁作用力爲1 ’ 600 A/m，柯爾旋轉角度0k2爲0_ 34度’以及磁化作 用爲 330emu/cc。 在1 2 0°C時偏壓層的磁化作用爲3 8 0 emu/ c c ° ‘對以上述方式製造出來的光碟進行記錄動作，並利用 一個波長爲7 8 0 nm和數值孔徑爲0 _ 5 5的評估裝置 來對其C / N比值進行評估。記錄是在下列條件下進行： 線性速度=7m/s ;頻率爲=9MHz ;記錄功率=9 mW;記錄負荷大小=30%。 在完成記錄後，在無外加讀取磁場下改變讀取功率 Pr來進行上述的量測動作。當Pr上升至不低於2. 0 m W時，訊號相位會完美地反轉，並可提供高的C/N比

值。當Pr爲2. 4mW時，C/N比值爲47. 3 d B 〇 當記錄動作是2MH z時於鄰近的磁軌進行時，則無 線電干擾量會低至—3 9 d B。 對照實施例5 以和實例1 2相同的製程來製造光碟，不同的是讀取 層組成爲G d2e( F e8〇C 〇2。）74’並且沒有提供偏壓 層。 - 讀取層的居里溫度不低於3 0 0°C。在該層中，室溫 本紙张尺度適用中國國家揉準（CNS > A4規格（210 X 297公釐） --------------1T------η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -41 - s〇〇3〇3 A7 B7 五、發明説明（39) 時主要是稀土族金屬的磁化作用佔多數，補償溫度爲9 0 ◦C。 在室溫時，讀取層的頑磁作'用力爲5 6，Ο Ο 0A/ m，柯爾旋轉角度0kl爲〇. 33。在120 °C時，讀 取層的頑磁作用力爲48，0 0 0A/m，以及柯爾旋轉 角度0k2爲0. 34度。 ’以和實施例1 2相同的條件，無外加讀取磁場下以 2 . 0 m W的讀取功率P r所量測到的C / N比值爲2 8 d B。 當沿著抹除方向施以4 0，0 0 0 A/m的讀取磁場 來進行讀取時，C/N比值爲46.ldB。 未觀察到訊號極性有反轉。在讀取磁場爲 4 0 ，0 0 0 A / m下，以和實施例1 2相同方式所量測 到無線電干擾量爲—2 3 d B。 對照實施例6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依循和實例1 2相同的製程並使用和實施例1 2所用 相同的基質，則可製造出的光碟是由9 0 nm的鈦氧化物 保護性層、2 8nm含有Tb2i(F e93C〇7) 79的記 錄、30nm的S i Ν中間物層和4〇nm的A 1反射層 tM» ι\. 構成。 在和實施例1 2相同的條件下，於無外加讀取磁場下 以2 . 0 ιτί W的讀取功率P r所量測到的C / N比值爲 2 6 d B 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 42 五、發明説明（ 4( 未 觀 察 到 訊 號 相 位 有 反 轉 0 以 和 實 施 例 1 相 同 方 式 量 測 到 Jnt 撕 線 電 干 擾 量 爲 — 2 5 d B 〇 實 施 例 1 4 將 一 個 具 有 1 4 β m 導 向 軌 跡 大 小 的 聚 破 酸 酯 基 質 加 入 噴 鍍 裝 置 中 並 對 該 機 器 抽 真 空 來 使 真 空 度 不 超 過 5 X 1 0 -5 P a 〇 然 後 利 用 反 應 性 噴 銨 方 式 來 使 8 0 η m 厚. 之 鈦 氧 化 物 以 保 護 性 層 形 式 形 成 在 基 質 上 0 同 樣 地 在 該 鈦 氧 化 物 層 上 形 成 — 個 包 含 G d 3 3 ( F e 8 0 C 0 2 0) 6 7 的 3 0 η m 讀 取 層 一 個 包 含 T b 2 0 F e 8 0 的 1 5 η m 截 mi m 層 和 一 個 包 含 T b 2 3 ( F e 8 0 C 0 2 0 ) 7 7 的 4 0 η m 記 憶 層 〇 最 後 提 供 — 個 8 0 η m 的 S i Ν 保 護 性 層 〇 利 用 一 個 波 長 調 整 至 7 8 0 η m 和 數 值 孔 徑 調 整 爲 0 5 5 ( 1 / e 2 直 徑 1 3 6 β m ) 的 評 估 裝 置 來 由 光 強 度 模 組 記 對 所 得 光 碟 的 C Ν R ( 窄 頻 訊 號 — 對 — 雜 訊 比 值 ) 進 行 評 估 〇 藉 著 使 用 該 光 碟 則 記 錄 是 在 線 性 速 度 = 7 m / S 記 錄 頻 率 爲 = 1 Μ Η Ζ 和 記 錄 負 荷 大 小 5 0 % 下 進 行 〇 在 Art m 外 加 讀 取 磁 場 下 持 續 改 變 讀 取 功 率 時 在 Ρ r — 1 6 m W 時 開 始 有 磁 域 的 反 轉 不 管 磁 域 的 方 向 爲 何 y 當 P r = 2 3 m W 時 除 了 磁 域 末 端 以 外 的 其 他 區 域 的 訊 號 大 小 會 相 等 〇 在 這 個 情 形 則 在 相 對 應 於 磁 域 末 端 區 域 的 訊 號 產 生 — 個 投 射 ( pr 〇 j e c t i on ) 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 __B7__ 五、發明説明（4i) 在一旦將記錄抹除後，在4 0 n s的脈衝寬度、7 ΜΗ ζ的頻率9 mW的記錄功率下來進行記錄，然後在 2. 3mW時讀取。訊號中相當於一般讀取中訊號波峰的 部份會越過大體上爲零點處。利用讀取訊號通過高頻過濾 器後，偵測其越過零點的位置則有可能對磁域作位置的偵 測。 ‘以時距分析儀量測到的雜頻（j i tter，偵測點的統計 變異收）爲1 . 6 n s。當藉著改變讀取功率來進行讀取 時，則在依據磁域所偵到的訊號大小會產生差異，但在差 異值達± 1 2%以前，雜頻不會有增加發生。 實施例1 5 在線性速度爲7m/s 、記錄頻率爲4MHz、負荷 大小爲5 0%和記錄功率爲6mW下對和實施例1 4所用 相同的光碟進行記，並在2. 3mW讀取記錄記錄。 讀取訊號在相當於磁域末端區域有向上和向下的投射 。藉著使訊號作一次微分，然後決定訊號通過零點處即有 可能來偵測磁域末端。雜頻爲2.Ins。 對照實施例7 將一個具有1 . 4 //m導向軌跡大小的聚碳酸酯基質 安置在噴鍍裝置中，並對該機器抽真空來使真空度不超過 5 X 1 0 _5 P a。 然後利用反應性噴鍍方式來使8 0 n m厚之鈦氧化物 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ >冬------訂------n.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -44 - A7 B7 五、發明说明（42) 以 保 護 性 層 形 式 形 成 在 基 質 在 該 AL 欽 氧 化 物 層 上 依 序 G d 2 4 ( F e 8 0 C 0 2 0 ) 7 e T b 2 0 F e 8 0 的 1 5 η m 截 丁 b 2 3 ( F e 8 0 C 0 2 Ο ) 7 7 憶 層 上 提 供 __. 個 8 0 η m 的 F A D 記 錄 媒 質 〇 在 線 性 速 度 = 7 m s 脈 衝 寬 度 爲 4 0 η S 下 對 該 例 1 4 的 評 估 0 超 解 析 度 會 和 在 讀 取 功 率 不 低 於 1 6 5 0 0 〇 e 和 在 讀 取 功 率 爲 C N R 爲 4 8 5 d B 〇 在 該 情 形 » 雖 然 可 觀 察 磁 場 的 方 向 * 但 未 觀 察 到 等 域 反 轉 的 訊 號 波 形 有 任 何 變 對 讀 取 訊 號 進 行 — 次 微 值 處 來 決 定 其 波 位 置 〇 以 時 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C! 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 對照實施例8_ 將一個具有1. 4/zm 加入噴鍍裝置中’並對該機 X 1 0 ~5 P a 。 上。 形成一個包含 的3 0 nm讀取層、一個包含 斷層和一個包含 的40nm記億層。最後在記 S i N保護性層以產生傳統的 記錄頻率爲=7MHz和記錄 光碟進行記錄，並進行如實施 在讀取磁場不低於3 0 0 〇 e mW下發生。當在讀取磁場爲 2. 4mW下進行讀取時， 到磁域的形成遮罩是朝向讀取 於以靜磁場耦合作用產生之磁 化。 分，並藉著偵測訊號通過零切 距分析儀量測到雜頻爲2 . 6 導向軌跡大小的聚碳酸酯基質 器抽真空來使真空度不超過5 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45 - A7 _____B7_____ 五、發明説明（.43) 然後利用反應性噴鍍方式來使8 0 n m厚之鈦氧化物 以保護性層形式形成在基質上。 在該鈦氧化物層上形成一個包含 Tb23( F e80C 〇20) 的2 8 nm記憶層和一個包含 S i N的3 0 nm中間物層，以及最後形成一個5 0 nm 的A 1反射薄膜來產生可使用一般解析功率（非超解析度 )的記錄媒質。 在線性速度=7m/s ，記錄頻率爲=7MHz和記

錄脈衝寬度爲4 0 n s下對該光碟進行記錄，並進行和實 施例1 4相同的評估。當記錄是在讀取功率爲1 . 5 mW 下進行讀取時，CNR爲36· 7dB。 對讀取訊號進行一次微分，並藉著偵測訊號通過零切 值處來決定其波位置。以時距分析儀量測到雜頻超過2 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -46 -

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 ㈣月丨1日 補无 第83110880號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國85年6月修正 1 . 一種光磁性記錄媒質，無需使用讀取磁場下，它 包含一個基質和一個至少由讀取層、截斷層和記憶層依序 擺放在該基質上所構成的交換耦合磁性層，各層是由稀土 族金屬與過渡金屬的合金構成， 該讀取層、截斷層和記憶層的居里溫度滿足下列關係 式： T c 1 > T C 2 ^ 5 0 °C (1) Tc3〉Tc2 (2) 其中Tcl代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷厝的 居里溫度和Tc 3代表記憶層的居里溫度； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 該磁性層具有的特性是，當該磁性層以讀取光束加熱 至接近丁^或更高的溫度時，則在記憶層與讀取層之間的 交換一耦合作用力會減少或變成零，而被加熱至接近Tc2 或更高溫度時，由於記憶層與讀取層間之耦合作用，高溫 區域上至少與讀取相關之磁性層的次晶格磁化方向會以相 對於該區域在低溫時的磁化方向來發生反轉，使得該讀取 層的磁化方向與該記憶層的磁化方向相同，以及 在讀取光束通過後，磁性暦的溫度降低時，經由截斷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 層之媒介使讀取層與記憶屠間產生反磁性交換耦合作用， 次晶格磁化方向會恢復回來，使得該讀取層的磁化方向與 該記憶層的磁化方向相反。 2.—種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質， 其中在丁。2時讀取層主要是稀土族金屬的磁化佔多數，以 及在Tc2時記憶層主要是過渡金屬的磁化佔多數，或者 在T c 2時讀取層主要是過渡金屬的磁化佔多數，以及 在T c2時記憶層主要是稀土族金屬的磁化佔多數。 3·—種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質， 其中讀取層的補償溫度（Tc〇mp)超過Tc2。 4. 一種如申請專利範圍第1項的光磁性記錄媒質， 其中在接近丁。2或更高的溫度時，讀取層的柯爾旋轉角度 會比室溫附近一交換耦合作用强時一的柯爾旋轉角度要大 0 5 ·—種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質， 其中在T c2時讀取層的頑磁作用力不低於2，Ο Ο 0A/ m，TC2時的垂直磁各向異性在2 X 1 〇 -5至8 X 1 06 耳格/c c，丁。2時的磁化不低於1 〇 〇 emu/c c， 以及室溫時的磁化不超過5 0 0 emu/c c。 6 .—種如申請專利範圍第1項的光磁性記錄媒質， 其中讀取層是由GdFeCo、GdCo、GdFe、 GdDyFe、GdDyCo、GdDyFeCo、 GdTbFe、GdTbCo :GdTbFeCo、 GdFeCo 、DyCo 、TbCo 'TbFeCo 、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) -^0 丁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 κ、申請專利範圍 TbDyFeCo或TbDyCo構成，截斷層是由 TbFe、TbFeCo、DyFeC〇、DyFe 或 TbDyFeCo構成，以及記憶層是*TbFeCo、 TbCo、DyFeCo、TbDyFeCo ' GdTbFe或GdTbFeCo構成。 7·—種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質， 其中讀取層是厚度在8至5 0 0 nm，截斷層的厚度在2 至3 0 nm，以及記憶層的厚度在1 〇至5 〇 nm° 8. —種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質， 其中醸取層的居里溫度不低於2 5 0 °C，截斷層的居里溫 度是1 0 0°C至1 8 0°C，以及記憶曆的居里溫度是 2 0 0 0C 至 2 8 0 0C。 9 .—種如申請專利範圍第1項的光磁性記錄媒質， 其中Tc2時記憶層的磁化不低於8 0 emu/c c，室溫 時的磁化不超過3 0 0 emu/c c ’以及垂直磁各向異 性不低於2X106耳格/cc。 1 0 .—種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質 ，其中記憶層的頑磁作用力不低於2 4 0 k A/m。 1 1 . 一種如申請專利範圍第2項的光磁性記錄媒質 ，其中TC2時，記憶層的磁化不低於8 0 emu/c c， 和室溫時的磁化不超過3 0 0 emu/c c，以及丁^時 讀取層的磁化不低於1 5 0 emu/c c，和室溫時的磁 化不超過5 0 0 emu/ c c。 1 2. —種如申請專利範圍第1 1項的光磁性記錄媒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 質，其中τ。2時，讀取層主要是稀土族金屬的磁化佔多數 ，以及tc2時，記憶層主要是過渡金屬的磁化佔多數。 1 3.—種如申請專利範園第1 1項的光磁性記錄媒 質，其中在Tc2時讀取層的頑磁作用力在2，0 0 0至 4 0，0 0 OA/m，以及Tc2時記憶層的頑磁作用力不 低於800，000A/m。 1 4 . 一種如申請專利範圍第1 1項的光磁性記錄媒 質，其中讀取層是由以下列化學式表示之稀土族金屬與過 渡金屬的合金構成： G dx ( Ρ β yC 0 100-y) 1 0 0 - χ 其中3 0客χ (原子％) S3 5和OSy (原子％) S 1 0 0 ，以及記憶層是由以下列化學式表示之稀土族金屬 與過渡金屬的合金構成： T b χ 1 ( F e y 1 C Ο 1 Ο Ο - y 1 ) ΙΟΟ-χΙ 其中17Sxl (原子％)$24，和70Syl (原子 % ) S 8 5。 1 5. —種如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質 ，其中磁性層至少由依序擺放在基質上之讀取層、截斷層 、偏壓層和記憶層所構成，各層是由稀土族金靥與過渡金 屬的合金構成， 該四層彼此有交換耦合作用，居里溫度滿足以下關係 式： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   A8 B8 C8 D8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 T c 1 > T C 2 ,^ 5 0 T c 3 > T c 2 T c 4 > T c 2 其 中 T c 1 代 表 讀 取 層 的 居 里 溫 度 和 T c 3 代 表 記 表 偏 壓 層 的 居 里 溫 度 9 以 及 在 T c 2 時 9 偏 壓 層 9 並 且 T c 2 時 偏 壓 層 的 磁 化 1 6 — 種 如 丰 請 專 利 質 9 其 中 在 T c 2 時 記 憶 層 主 以 及 在 T c 2 時 偏 壓 層 主 要 在 T c 2 時 讀 取 層 主 要 是 在 T C 2 時 9 偏 壓 層 主 要 是 稀 1 7 一 種 如 丰 請 專 利 質 > 其 中 T c 2 時 偏 壓 層 的 磁 °C C C 0 1 8 . —種如申請專利 質，其中偏壓層是由GdF 、GdDyFe、GdDy GdTbFe、GdTbC DyFeCo ；DyCo ； TbDyFeCo 或 TbD 1 9 . 一種如申請專利 質，其中偏壓層的厚度爲2 居里溫度，Tc2代表截斷層的 憶層的居里溫度，以及T C4代 會與記憶層有交換一耦合作用 會較記憶層高。 範圍第1 5項的光磁性記錄媒 要是稀土族金屬的磁化佔多數 是過渡金屬的磁化佔數，或者 過渡金屬的磁化佔多數，以及 土族金屬的磁化佔多數。 範圍第1 5項的光磁性記錄媒 化爲 1 5 0 至 5 0 0 emu/ 範園第15項的光磁性記錄媒 eCo、GdCo、GdFe Co 'GdDyFeCo ' o、GdTbFeCo、 TbCo、TbFeCo、 y C o構成。 範圍第1 5項的光磁性記錄媒 至 5 0 n m ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐）-5 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 0 .—種如申請專利範圍第1 5項的光磁性記錄媒 質，其中偏壓層的居里溫度不低於2 5 0 °C。 2 1 . —種如申請專利範園第1 5項的光磁性記錄媒 質，其中偏壓厝的磁化爲1 5 0至5 0 0 emu/c c， Tc2時記憶層的磁化不超過1 5 0 emu/c c，以及記 憶層的垂直磁各向異性不低於2 X 1 06耳格/c c。 2 2 . —種光磁性記錄媒質，無需加入一讀取磁場下 ，它包括一個基質和一個至少由讀取層、截斷層和記憶厝 依序擺放在該基質上的交換耦合磁性層所構成，各層是由 稀土族金屬與過渡金屬的合金構成， 該讀取層、截斷厝和記憶層的居里溫度滿足下列關係 式： Tci>Tc2^5 0°C (1) T C3 > T c2 ( 2 ) 其中Tcl代表讀取層的居里溫度，Tc2代表截斷層的 居里溫度和Tc 3代表記憶層的居里溫度； 該磁性層具有的特性是，當該磁性層以讀取光束加熱 至接近Tc2或更高的溫度時，則在記憶層與讀取層之間的 交換-耦合作用力會減少或變成零，而被加熱至接近Tc2 或更髙溫度時，由於記憶層與讀取層間之耦合作用，髙溫 區域上至少與讀取相關之磁性層的次晶格磁化方向會以相 對於該區域在低溫時的磁化方向來發生反轉，使得該讀取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 T 8 888 ABCD 六、申請專利靶圍 層的磁化方向與該記憶層的磁化方向相同，以及當磁性層 的溫度在讀取光束通過後降低時，經由截斷層之媒介使讀 取層與記憶層間產生反磁性交換耦合作用，次晶格磁化方 向會恢復回來，使得該讀取層的磁化方向與該記憶層的磁 化方向相反： 在Tc2時讀取層主要是稀土族金屬的磁化佔多數，以 及在T C2時記憶層主要是過渡金屬的磁化佔多數，或者在 T c2時讀取層主要是過渡金屬的磁化佔多數，以及在TC2 時記憶層主要是稀土族金屬的磁化佔多數； 在Tc2時讀取層的頑磁作用力不低於2 0 ，Ο Ο 0A /m，Tc2時的垂直磁各向異性在2 X 1 0 _5至8 X 1 06耳格/ c c，Tc2時的磁化不低於1 0 0 emu/ c c，以及室溫時的磁化不超過5 0 0 emu/c c :以 及 T c 2時記憶層的磁化不低於8 0 emu/c c，和室 溫時的磁化不超過3 0 0 emu/c c。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 3 . —種光磁性記錄媒質的讀取方法，它包含使用 如申請專利範圍第1項的光磁性記錄媒質，並在無外加磁 場下以讀取光束照射光磁性媒質，如此至少高溫區域中與 讀取有關之磁性層的次晶格磁化會在相對於該區域在低溫 時的磁化方向發生反轉。 2 4 . —種光磁性記錄媒質的讀取方法，它包含使用 如申請專利範圔第11項或第15項的光磁性記錄媒質， 施以未施以這類讀取磁場的同時，以讀取光束照射光磁性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 媒質，以便使至少形成讀取面段—部份的讀取層的次晶格 磁化發生反轉。 2 5 _ —種光磁性記錄媒質的記錄和讀取方法，它包 含使用如申請專利範園第1項的光磁性記錄媒質一其中訊 息是以方向朝上或朝下的磁化來貯存，以及在有以讀取光 束來加熱一部份的媒質以使溫度上升時，經加熱區域會使 柯爾旋轉以相反於該區域在低溫時所引起的方向來旋轉， 以及該區域在讀取光束通過後冷卻下來時，可恢復至柯爾 旋轉的原始方向，以及在讀取涵蓋讀取光束點全部範圍的 磁域時一無論磁化是方向朝上或朝下，使用可產生大體上 相同訊號大小的讀取功率來讀取訊息。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）