JPH06309729A - 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法Info
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- JPH06309729A JPH06309729A JP2265394A JP2265394A JPH06309729A JP H06309729 A JPH06309729 A JP H06309729A JP 2265394 A JP2265394 A JP 2265394A JP 2265394 A JP2265394 A JP 2265394A JP H06309729 A JPH06309729 A JP H06309729A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な構成でＳ／Ｎの高い光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能な光磁気記録媒体及び該媒体を
用いた情報再生方法の提供。 【構成】 室温及び高温において面内磁化膜で、その中
間温度で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化膜か
らなる第２磁性層とを有することを特徴とする光磁気記
録媒体及び、該媒体を用いて、前記第１磁性層に光スポ
ットを照射することによりそのスポット内の一部を垂直
磁化膜として前記第２磁性層の情報に応じた磁化方向に
対して安定な方向に配向させ、前記光スポットの反射光
の磁気光学変化により前記情報の再生を行うことを特徴
とする情報再生方法。
の周期の信号を再生可能な光磁気記録媒体及び該媒体を
用いた情報再生方法の提供。 【構成】 室温及び高温において面内磁化膜で、その中
間温度で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化膜か
らなる第２磁性層とを有することを特徴とする光磁気記
録媒体及び、該媒体を用いて、前記第１磁性層に光スポ
ットを照射することによりそのスポット内の一部を垂直
磁化膜として前記第２磁性層の情報に応じた磁化方向に
対して安定な方向に配向させ、前記光スポットの反射光
の磁気光学変化により前記情報の再生を行うことを特徴
とする情報再生方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体に関し、特に線記録密度、トラック密度を向上して、
媒体の高密度化を可能とする光磁気再生方法及び光磁気
記録媒体に関するものである。
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体に関し、特に線記録密度、トラック密度を向上して、
媒体の高密度化を可能とする光磁気再生方法及び光磁気
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
【０００３】近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
【０００４】ところで、光磁気記録媒体等の光ディスク
の線記録密度は、主として再生光学系のレーザー波長、
対物レンズの開口数に大きく依存する。
の線記録密度は、主として再生光学系のレーザー波長、
対物レンズの開口数に大きく依存する。
【０００５】すなわち再生光学系のレーザー波長λと対
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期はλ／２ＮＡと決まる。
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期はλ／２ＮＡと決まる。
【０００６】一方、トラック密度は、主としてクロスト
ークによって制限されている。このクロストークは、主
として媒体面上でのレーザービームの分布（プロファイ
ル）で決まり、前記ビット周期と同様にλ／２ＮＡの関
数で表される。
ークによって制限されている。このクロストークは、主
として媒体面上でのレーザービームの分布（プロファイ
ル）で決まり、前記ビット周期と同様にλ／２ＮＡの関
数で表される。
【０００７】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００８】しかしながら、レーザー波長や対物レンズ
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
【０００９】たとえば、特開平３−９３０５８において
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、信号の再生
前に再生層の磁化の向きを一方向に揃えた後に、記録層
に保持された信号を再生層に転写して再生時の符号間干
渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可
能（磁気超解像）とし、線記録密度及びトラック密度の
向上を試みている。
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、信号の再生
前に再生層の磁化の向きを一方向に揃えた後に、記録層
に保持された信号を再生層に転写して再生時の符号間干
渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可
能（磁気超解像）とし、線記録密度及びトラック密度の
向上を試みている。
【００１０】しかしながら特開平３−９３０５８記載の
光磁気再生方法では、再生層の磁化をレーザー光が照射
する前に一方向に揃えなけらばならない。そのため従来
の装置に再生層の初期化用磁石を追加することが必要と
なる。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑
化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問題点を
有している。
光磁気再生方法では、再生層の磁化をレーザー光が照射
する前に一方向に揃えなけらばならない。そのため従来
の装置に再生層の初期化用磁石を追加することが必要と
なる。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑
化し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問題点を
有している。
【００１１】このため本発明者は先に、再生時に外部磁
界をまったく必要とせずに簡素な膜構成で磁気的超解像
を実現する方法を提案した。これは室温で面内磁化膜で
昇温すると垂直磁化膜からなる再生層と、垂直磁化膜か
らなる記録層の２層からなる光磁気記録媒体を用いて、
前記再生層を、光スポット内の低温領域においては面内
磁化膜、高温領域においては垂直磁化膜として記録層の
磁化情報を転写し再生して、磁気超解像を実現するもの
である。
界をまったく必要とせずに簡素な膜構成で磁気的超解像
を実現する方法を提案した。これは室温で面内磁化膜で
昇温すると垂直磁化膜からなる再生層と、垂直磁化膜か
らなる記録層の２層からなる光磁気記録媒体を用いて、
前記再生層を、光スポット内の低温領域においては面内
磁化膜、高温領域においては垂直磁化膜として記録層の
磁化情報を転写し再生して、磁気超解像を実現するもの
である。
【００１２】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、こ
の面内磁化膜を用いた超解像媒体では、光スポット内の
高温領域のみを再生可能領域とする。このため、安定的
に一定の広さの再生領域を広げることが困難であった
り、再生領域が光スポットの端に位置して信号出力が小
さくなることが考えられる。
の面内磁化膜を用いた超解像媒体では、光スポット内の
高温領域のみを再生可能領域とする。このため、安定的
に一定の広さの再生領域を広げることが困難であった
り、再生領域が光スポットの端に位置して信号出力が小
さくなることが考えられる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑
み、簡易な構成でＳ／Ｎの高い光の回折限界以下の周期
の信号を再生可能な光磁気記録媒体および該媒体を用い
た情報再生方法の提供を目的とする。
み、簡易な構成でＳ／Ｎの高い光の回折限界以下の周期
の信号を再生可能な光磁気記録媒体および該媒体を用い
た情報再生方法の提供を目的とする。
【００１４】そして上記目的は、光磁気記録媒体におい
て、室温及び高温において面内磁化膜で、その中間温度
で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化膜からなる
第２磁性層とを有することによって達成される。
て、室温及び高温において面内磁化膜で、その中間温度
で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化膜からなる
第２磁性層とを有することによって達成される。
【００１５】又、情報再生方法において、前記第１磁性
層をレーザー光照射で昇温することにより垂直磁化膜と
して前記第２磁性層に記録された磁気信号を前記第１磁
性層に転写しながら、磁気光学効果により光学信号に変
換して読み取ることによって達成される。
層をレーザー光照射で昇温することにより垂直磁化膜と
して前記第２磁性層に記録された磁気信号を前記第１磁
性層に転写しながら、磁気光学効果により光学信号に変
換して読み取ることによって達成される。
【００１６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒体
及び該媒体を用いた再生の方法について詳しく説明す
る。以下、第１磁性層を再生層、第２磁性層を記録層、
また第３磁性層を中間層と称して取り扱う。
及び該媒体を用いた再生の方法について詳しく説明す
る。以下、第１磁性層を再生層、第２磁性層を記録層、
また第３磁性層を中間層と称して取り扱う。
【００１７】本発明の光磁気記録媒体は、室温で面内磁
化膜であり、昇温すると垂直磁化膜に変化し、更に高温
になると面内磁化膜、もしくは磁化消失する再生層と、
室温、昇温時において垂直磁化膜である記録層の２層を
少なくとも有する。尚、上述は再生層と記録層を積層し
た状態で各層が取る状態を表したものである。
化膜であり、昇温すると垂直磁化膜に変化し、更に高温
になると面内磁化膜、もしくは磁化消失する再生層と、
室温、昇温時において垂直磁化膜である記録層の２層を
少なくとも有する。尚、上述は再生層と記録層を積層し
た状態で各層が取る状態を表したものである。
【００１８】再生層としては、例えば希土類−鉄族非晶
質合金、例えば、GdCo,GdFeCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo,NdGd
FeCoなどが望ましい。好ましくは、磁気異方性が小さい
もの、室温とキュリー温度の間に補償温度があるものが
望ましい。
質合金、例えば、GdCo,GdFeCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo,NdGd
FeCoなどが望ましい。好ましくは、磁気異方性が小さい
もの、室温とキュリー温度の間に補償温度があるものが
望ましい。
【００１９】記録層としては、垂直磁気異方性が大きく
安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−鉄族
非晶質合金、例えば、TbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoなど、も
しくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期構造
膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co 白金族−鉄族合金、例えばPt
Co，PdCoなどが望ましい。再生層と記録層等の磁性層に
は、Cr,Al,Ti,Pt,Nbなどの耐食性改善のための元素添加
を行なっても良い。
安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−鉄族
非晶質合金、例えば、TbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoなど、も
しくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期構造
膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co 白金族−鉄族合金、例えばPt
Co，PdCoなどが望ましい。再生層と記録層等の磁性層に
は、Cr,Al,Ti,Pt,Nbなどの耐食性改善のための元素添加
を行なっても良い。
【００２０】又、上記再生層と記録層に加えて、干渉効
果を高めるために、SiNx,AlNx,TaOx,SiOx 等の誘電体な
どを設けても良い。また、熱伝導性改良のためAl,AlTa,
AlTi,AlCr,Cuなどを設けても良い。
果を高めるために、SiNx,AlNx,TaOx,SiOx 等の誘電体な
どを設けても良い。また、熱伝導性改良のためAl,AlTa,
AlTi,AlCr,Cuなどを設けても良い。
【００２１】又更に、交換結合力または静磁結合力を調
節するための中間層、記録補助、再生補助のための補助
層を設けても良い。更に保護膜として前記誘電体層や高
分子樹脂からなる保護コートを付与しても良い。
節するための中間層、記録補助、再生補助のための補助
層を設けても良い。更に保護膜として前記誘電体層や高
分子樹脂からなる保護コートを付与しても良い。
【００２２】次に本発明の記録再生方法について説明す
る。
る。
【００２３】図１に示すように、まず本発明の光磁気記
録媒体の記録層に情報信号を記録する。記録は記録層が
キュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照
射しながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一度
消去した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザー
パワーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加しな
がらレーザーパワーを変調して行なう。この時、光スポ
ット内の所定領域のみが記録層のキュリー温度近傍にな
る様に記録媒体の線速度を考慮してレーザー光の強度を
決定すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形成で
き、その結果、光の回折限界以下の周期の信号を記録で
きる。
録媒体の記録層に情報信号を記録する。記録は記録層が
キュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照
射しながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一度
消去した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザー
パワーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加しな
がらレーザーパワーを変調して行なう。この時、光スポ
ット内の所定領域のみが記録層のキュリー温度近傍にな
る様に記録媒体の線速度を考慮してレーザー光の強度を
決定すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形成で
き、その結果、光の回折限界以下の周期の信号を記録で
きる。
【００２４】情報再生時には、媒体に再生レーザー光を
照射するが、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体
は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分布は図５
もしくは図９に示す様に媒体の移動方向に延びた形状と
なり、光スポット内の一部が高温となった温度分布とな
る。
照射するが、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体
は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分布は図５
もしくは図９に示す様に媒体の移動方向に延びた形状と
なり、光スポット内の一部が高温となった温度分布とな
る。
【００２５】初めに本発明のうち、基本的に再生層と記
録層からなる２層膜構成の光磁気記録媒体について説明
する。
録層からなる２層膜構成の光磁気記録媒体について説明
する。
【００２６】まず単層の磁性薄膜について、飽和磁化を
ＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、（数１） （数１） Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。Ｋ⊥が
正の場合には垂直磁化膜、負の場合には面内磁化膜とな
る。
ＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、（数１） （数１） Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。Ｋ⊥が
正の場合には垂直磁化膜、負の場合には面内磁化膜とな
る。
【００２７】ここで２πＭs 2は反磁界エネルギーであ
る。例えば図４で示した様なＫｕ，Ｍｓの温度依存性を
持つ場合、室温（ＲＴ）では、（数２）の関係となるた
め、面内磁化膜である （数２） Ｋｕ＜２πＭS 2 ，Ｋ⊥＜０ が、再生時には温度上昇するため、再生層のＭｓが小さ
くなる。このため２πＭｓ2 は急激に小さくなって垂直
磁気異方性定数Ｋｕとの大小関係が逆転し、（数３）と
なって （数３） Ｋｕ＞２πＭS 2 ，Ｋ⊥＞０ 垂直磁化膜となる。
る。例えば図４で示した様なＫｕ，Ｍｓの温度依存性を
持つ場合、室温（ＲＴ）では、（数２）の関係となるた
め、面内磁化膜である （数２） Ｋｕ＜２πＭS 2 ，Ｋ⊥＜０ が、再生時には温度上昇するため、再生層のＭｓが小さ
くなる。このため２πＭｓ2 は急激に小さくなって垂直
磁気異方性定数Ｋｕとの大小関係が逆転し、（数３）と
なって （数３） Ｋｕ＞２πＭS 2 ，Ｋ⊥＞０ 垂直磁化膜となる。
【００２８】更に温度が上昇すると、補償温度以降で再
び２πＭｓ2 とＫｕの大小関係が逆転し再び（数４） （数４） Ｋｕ＜２πＭS 2 ，Ｋ⊥＜０ となって面内磁化膜となる。
び２πＭｓ2 とＫｕの大小関係が逆転し再び（数４） （数４） Ｋｕ＜２πＭS 2 ，Ｋ⊥＜０ となって面内磁化膜となる。
【００２９】即ち、図５で示される様に光スポットの一
部である最も高温部及び低温部において再生層の磁化が
面内磁化膜となり、それらの中間温度の部分における再
生層の磁化が垂直磁化膜という状態が実現する。垂直磁
化膜である再生層は記録層と交換結合によって磁気的に
結合されるので、再生層の磁化方向は記録層の情報に基
づく磁化方向に対して安定な方向にならっている。即
ち、記録層に記録された情報が再生層に転写されてい
る。そして、転写されている情報は、再生層の磁気光学
効果（詳しくは再生層から反射されたレーザー光の磁気
光学効果（極カー効果））によって光学信号に変換され
て検出される。この場合、光スポット内の再生層が面内
磁化膜の部分は磁気光学効果（極カー効果）が生じな
い。
部である最も高温部及び低温部において再生層の磁化が
面内磁化膜となり、それらの中間温度の部分における再
生層の磁化が垂直磁化膜という状態が実現する。垂直磁
化膜である再生層は記録層と交換結合によって磁気的に
結合されるので、再生層の磁化方向は記録層の情報に基
づく磁化方向に対して安定な方向にならっている。即
ち、記録層に記録された情報が再生層に転写されてい
る。そして、転写されている情報は、再生層の磁気光学
効果（詳しくは再生層から反射されたレーザー光の磁気
光学効果（極カー効果））によって光学信号に変換され
て検出される。この場合、光スポット内の再生層が面内
磁化膜の部分は磁気光学効果（極カー効果）が生じな
い。
【００３０】したがって、図５で示す様に、光スポット
内には、記録層の磁化情報をマスクするマスク領域と検
出するアパーチャー領域ができる。アパーチャー領域
は、光スポットよりも狭い面積にすることができるの
で、光の回折限界以下の周期の信号の検出が可能とな
り、線密度を上げることができる。
内には、記録層の磁化情報をマスクするマスク領域と検
出するアパーチャー領域ができる。アパーチャー領域
は、光スポットよりも狭い面積にすることができるの
で、光の回折限界以下の周期の信号の検出が可能とな
り、線密度を上げることができる。
【００３１】また、隣接トラックのマークもマスクする
ことができるので、隣接トラックの密度も向上させるこ
ともできる。
ことができるので、隣接トラックの密度も向上させるこ
ともできる。
【００３２】尚、上述では再生層と記録層が交換相互作
用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に記
録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合されると
してもよい。又、再生層を記録層とを直接もしくは中間
層を介して積層する場合、垂直磁化膜からの交換結合
力、静磁結合力などが働き、見かけ上Ｋｕが増加するた
め、垂直磁化となる温度領域は、積層しない場合と比較
して低温側にシフトする。しかし、単層膜での垂直磁化
温度領域をやや高めに設定しておけば、垂直磁化膜と積
層した場合にも、室温及び高温において面内磁化膜で、
その中間温度領域においてのみ垂直磁化膜となる状況が
成立する。
用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に記
録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合されると
してもよい。又、再生層を記録層とを直接もしくは中間
層を介して積層する場合、垂直磁化膜からの交換結合
力、静磁結合力などが働き、見かけ上Ｋｕが増加するた
め、垂直磁化となる温度領域は、積層しない場合と比較
して低温側にシフトする。しかし、単層膜での垂直磁化
温度領域をやや高めに設定しておけば、垂直磁化膜と積
層した場合にも、室温及び高温において面内磁化膜で、
その中間温度領域においてのみ垂直磁化膜となる状況が
成立する。
【００３３】又、再生層の磁化が消失することで最も高
温部でマスクが形成できるとしても良い。しかしその場
合、再生層のキュリー温度Ｔｃは記録層のＴｃよりも小
さくする必要があるので、再生時の信号強度はやや低下
することが考えられる。
温部でマスクが形成できるとしても良い。しかしその場
合、再生層のキュリー温度Ｔｃは記録層のＴｃよりも小
さくする必要があるので、再生時の信号強度はやや低下
することが考えられる。
【００３４】次に、前述の本発明の光磁気記録媒体を改
良し、図６で表される様に再生層と記録層の間に中間層
を設けて基本的に３層の磁性膜からなる場合について述
べる。
良し、図６で表される様に再生層と記録層の間に中間層
を設けて基本的に３層の磁性膜からなる場合について述
べる。
【００３５】この場合、中間層は、再生層と記録層の間
に位置し、キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び
記録層のキュリー温度よりも低い。中間層の材料として
は、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、TbFe、Gd
Fe, TbFeCo,GdFeCo もしくはキュリー温度を低減するた
めに、それらにAl,Cu,Crなどの非磁性元素を添加したも
のなどが挙げられる。
に位置し、キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び
記録層のキュリー温度よりも低い。中間層の材料として
は、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、TbFe、Gd
Fe, TbFeCo,GdFeCo もしくはキュリー温度を低減するた
めに、それらにAl,Cu,Crなどの非磁性元素を添加したも
のなどが挙げられる。
【００３６】再生層を記録層と積層した場合、記録層か
らの交換結合力は、再生層のスピン（磁化）の向きを垂
直にする方向に作用する。このため再生層の垂直磁気異
方性定数は見かけ上増加する。前述では、この見かけ上
増加した量を省略して記述したが、以下では、この増加
量を考慮して実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥を取り扱
う。
らの交換結合力は、再生層のスピン（磁化）の向きを垂
直にする方向に作用する。このため再生層の垂直磁気異
方性定数は見かけ上増加する。前述では、この見かけ上
増加した量を省略して記述したが、以下では、この増加
量を考慮して実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥を取り扱
う。
【００３７】交換結合力による再生層の垂直磁気異方性
の増加量は、界面磁壁の厚さを無視した場合、再生層の
膜厚をｈ１、飽和磁化をＭｓ、垂直磁気異方性定数をＫ
ｕ、再生層と記録層の間の界面磁壁エネルギーをσw と
すると、σw ／（４ｈ１）と表わされる。
の増加量は、界面磁壁の厚さを無視した場合、再生層の
膜厚をｈ１、飽和磁化をＭｓ、垂直磁気異方性定数をＫ
ｕ、再生層と記録層の間の界面磁壁エネルギーをσw と
すると、σw ／（４ｈ１）と表わされる。
【００３８】このため実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥
は、（数５）
は、（数５）
【００３９】
【外１】 となる。
【００４０】図６で示したように、室温（ＲＴ）では、
再生層は記録層からの交換結合力を受けるが、室温付近
の低温領域ではＭｓが大きいため反磁界エネルギーが優
勢となって、（数６）
再生層は記録層からの交換結合力を受けるが、室温付近
の低温領域ではＭｓが大きいため反磁界エネルギーが優
勢となって、（数６）
【００４１】
【外２】 のため面内磁化膜である。
【００４２】さて前述と同じく、本光磁気記録媒体のう
ち再生光の照射により温度上昇した部分は、再生層のＭ
ｓが小さくなるため、２πＭｓ2 は急激に小さくなって
大小関係が逆転し、（数７）
ち再生光の照射により温度上昇した部分は、再生層のＭ
ｓが小さくなるため、２πＭｓ2 は急激に小さくなって
大小関係が逆転し、（数７）
【００４３】
【外３】 となって垂直磁化膜となる。しかし光スポット内の高温
領域では、室温と同じく面内磁化膜である。
領域では、室温と同じく面内磁化膜である。
【００４４】中間層は、キュリー温度に達するまでは再
生層に記録層からの交換結合力を媒介する役割を果たし
ており、記録層の情報は再生層に転写される。
生層に記録層からの交換結合力を媒介する役割を果たし
ており、記録層の情報は再生層に転写される。
【００４５】しかし光スポット内の高温領域において
は、中間層はキュリー温度に達する。（中間層をキュリ
ー温度に達するような組成にする、もしくはレーザーパ
ワーを設定する。）このため、この領域では交換結合力
が失われるて、見かけ上の再生層の垂直磁気異方性定数
は、急激に小さくなる。したがって再生層の磁化は再び
面内方向に配向する（図６参照）。すなわち再生層と記
録層の間の界面磁壁エネルギーσw は０となり、（数
８）の関係 （数８） Ｋｕ ＜ ２πＭS 2 ， Ｋ
⊥＜０ となる。したがって２層構成の場合と同様に中温領域の
みが、アパーチャー領域となって超解像が実現する。
は、中間層はキュリー温度に達する。（中間層をキュリ
ー温度に達するような組成にする、もしくはレーザーパ
ワーを設定する。）このため、この領域では交換結合力
が失われるて、見かけ上の再生層の垂直磁気異方性定数
は、急激に小さくなる。したがって再生層の磁化は再び
面内方向に配向する（図６参照）。すなわち再生層と記
録層の間の界面磁壁エネルギーσw は０となり、（数
８）の関係 （数８） Ｋｕ ＜ ２πＭS 2 ， Ｋ
⊥＜０ となる。したがって２層構成の場合と同様に中温領域の
みが、アパーチャー領域となって超解像が実現する。
【００４６】このようにキュリー温度の低い中間層を設
けた場合には、再生層に単層状態にて高温で再び面内磁
化膜に戻るものを用いなくとも、中間層、記録層との積
層状態において、再生層が室温及び高温において面内磁
化膜でその中間温度で垂直磁化膜となる状態を実現する
ことも可能となる。このため材料選択の幅が広がるなど
のメリットがある。
けた場合には、再生層に単層状態にて高温で再び面内磁
化膜に戻るものを用いなくとも、中間層、記録層との積
層状態において、再生層が室温及び高温において面内磁
化膜でその中間温度で垂直磁化膜となる状態を実現する
ことも可能となる。このため材料選択の幅が広がるなど
のメリットがある。
【００４７】また中間層は磁気光学効果に寄与する必要
はないのでキュリー温度を低く設定しても再生特性を劣
化させることはない。
はないのでキュリー温度を低く設定しても再生特性を劣
化させることはない。
【００４８】尚、上述では説明の簡便のため再生層と記
録層の間の界面磁壁の幅が無視できると仮定したが、界
面磁壁が再生層に浸透するなどして無視できない程度の
厚みを持つ場合についても同様に説明される。しかし、
再生層と記録層との界面磁壁が再生層側に生じる場合に
は、図７にスピンの配向状態を模式的に示した様に再生
層の一部に記録層の磁化が転写される。このため、界面
磁壁があまり厚くなると、記録層の磁化情報を完全にマ
スクすることは難しい。したがって、再生層の膜厚を厚
くするか、低温領域での面内異方性を大きくするのが望
ましい。
録層の間の界面磁壁の幅が無視できると仮定したが、界
面磁壁が再生層に浸透するなどして無視できない程度の
厚みを持つ場合についても同様に説明される。しかし、
再生層と記録層との界面磁壁が再生層側に生じる場合に
は、図７にスピンの配向状態を模式的に示した様に再生
層の一部に記録層の磁化が転写される。このため、界面
磁壁があまり厚くなると、記録層の磁化情報を完全にマ
スクすることは難しい。したがって、再生層の膜厚を厚
くするか、低温領域での面内異方性を大きくするのが望
ましい。
【００４９】次に、前述の３層の磁性膜からなる光磁気
記録媒体をさらに改良した場合について述べる。この場
合、中間層は、前述と同じく、再生層と記録層の間に位
置し、キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び記録
層のキュリー温度よりも低いという条件に加えて、室温
付近での面内異方性が再生層よりも大きい必要がある。
面内異方性を大きくするには、例えば希土類鉄族合金を
用いる場合には、希土類元素優勢もしくは鉄族元素優勢
にして中間層の室温でのＭｓを大きくすればよい。
記録媒体をさらに改良した場合について述べる。この場
合、中間層は、前述と同じく、再生層と記録層の間に位
置し、キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び記録
層のキュリー温度よりも低いという条件に加えて、室温
付近での面内異方性が再生層よりも大きい必要がある。
面内異方性を大きくするには、例えば希土類鉄族合金を
用いる場合には、希土類元素優勢もしくは鉄族元素優勢
にして中間層の室温でのＭｓを大きくすればよい。
【００５０】さてこのような中間層を再生層と記録層の
間に設けると、室温からアパーチャー領域に至るまで
に、図８の様に界面磁壁を中間層に閉じ込めることがで
きる。
間に設けると、室温からアパーチャー領域に至るまで
に、図８の様に界面磁壁を中間層に閉じ込めることがで
きる。
【００５１】したがって、再生層は低温領域において安
定的に面内磁化膜となり、記録層の磁化情報を完全にマ
スクすることが可能となる。
定的に面内磁化膜となり、記録層の磁化情報を完全にマ
スクすることが可能となる。
【００５２】そして前述のように中間層のキュリー温度
を、記録層のキュリー温度より低く、光スポット内の中
温領域において再生層と記録層間の交換結合が切断しな
い程度に高くすれば、中温領域では中間層のＭｓが十分
小さくなり、面内異方性が弱くなって垂直磁気異方性が
高まる。また中間層が再生温度において、それ自体が垂
直磁気異方性を有しない場合でも、記録層および、垂直
磁気異方性をもつようになった再生層からの磁気的結合
力により、中間層に垂直磁気異方性を持たせることがで
きる。
を、記録層のキュリー温度より低く、光スポット内の中
温領域において再生層と記録層間の交換結合が切断しな
い程度に高くすれば、中温領域では中間層のＭｓが十分
小さくなり、面内異方性が弱くなって垂直磁気異方性が
高まる。また中間層が再生温度において、それ自体が垂
直磁気異方性を有しない場合でも、記録層および、垂直
磁気異方性をもつようになった再生層からの磁気的結合
力により、中間層に垂直磁気異方性を持たせることがで
きる。
【００５３】このため中温領域では、再生層に記録層の
磁化が転写される。また高温領域では前述と同様に中間
層がキュリー温度に達して交換力がなくなり、再生層が
面内磁化膜となる。
磁化が転写される。また高温領域では前述と同様に中間
層がキュリー温度に達して交換力がなくなり、再生層が
面内磁化膜となる。
【００５４】したがって、図９で示す様に、光スポット
内には、記録層の磁化情報をマスクするマスク領域と記
録層の磁化情報を検出するアパーチャー領域ができる。
アパーチャー領域は、光スポットよりも狭い面積にする
ことができるので、光の回折限界以下の周期の信号の検
出が可能となる。そして前述した通り、特にフロント側
のマスクをより完全に機能させることができる。
内には、記録層の磁化情報をマスクするマスク領域と記
録層の磁化情報を検出するアパーチャー領域ができる。
アパーチャー領域は、光スポットよりも狭い面積にする
ことができるので、光の回折限界以下の周期の信号の検
出が可能となる。そして前述した通り、特にフロント側
のマスクをより完全に機能させることができる。
【００５５】また、隣接トラックのマークもより完全に
マスクすることができるので、隣接トラックの密度もよ
り向上させることができる。
マスクすることができるので、隣接トラックの密度もよ
り向上させることができる。
【００５６】又この場合中間層は、より望ましくはＧｄ
等の異方性が小さく界面磁壁を形成しやすいような材
料、例えばGdFe,GeFeCo など、及びキュリー温度を低減
するために、それらにAl,Cu,Crなどの非磁性元素を添加
したものが良い。
等の異方性が小さく界面磁壁を形成しやすいような材
料、例えばGdFe,GeFeCo など、及びキュリー温度を低減
するために、それらにAl,Cu,Crなどの非磁性元素を添加
したものが良い。
【００５７】中間層の膜厚は、室温から再生温度に至る
までに面内磁化膜である再生層と垂直磁化膜である記録
層の間の磁壁となる程度以上の膜厚があれば良い。一
方、中間層の膜厚が厚すぎると、磁性層の全膜厚が厚く
なり記録パワーを多く必要となるので好ましくない。よ
って中間層の膜厚は２０Å以上、２００Å以下が良く、
より好ましくは５０Å以上、１５０Å以下が良い。
までに面内磁化膜である再生層と垂直磁化膜である記録
層の間の磁壁となる程度以上の膜厚があれば良い。一
方、中間層の膜厚が厚すぎると、磁性層の全膜厚が厚く
なり記録パワーを多く必要となるので好ましくない。よ
って中間層の膜厚は２０Å以上、２００Å以下が良く、
より好ましくは５０Å以上、１５０Å以下が良い。
【００５８】また、再生層、中間層、記録層の物性とし
ては、再生層、中間層、記録層のキュリー温度をＴ１，
Ｔ３、Ｔ２とし、再生層の補償温度をＴｃｏｍｐ１と
し、再生層、中間層、記録層の飽和磁化をＭｓ１，Ｍｓ
３，Ｍｓ２、実効的垂直磁気異方性定数をＫ⊥１、Ｋ⊥
３、Ｋ⊥２、垂直磁気異方性エネルギーをＫｕ１，Ｋｕ
３、Ｋｕ２として、 （数９） Ｋ⊥i ＝Ｋｕi −２πＭｓi 2 （ｉ＝１，
２，３） とすると、室温では （数１０） Ｋ⊥３＜Ｋ⊥１＜＜Ｋ⊥２ であれば良い。
ては、再生層、中間層、記録層のキュリー温度をＴ１，
Ｔ３、Ｔ２とし、再生層の補償温度をＴｃｏｍｐ１と
し、再生層、中間層、記録層の飽和磁化をＭｓ１，Ｍｓ
３，Ｍｓ２、実効的垂直磁気異方性定数をＫ⊥１、Ｋ⊥
３、Ｋ⊥２、垂直磁気異方性エネルギーをＫｕ１，Ｋｕ
３、Ｋｕ２として、 （数９） Ｋ⊥i ＝Ｋｕi −２πＭｓi 2 （ｉ＝１，
２，３） とすると、室温では （数１０） Ｋ⊥３＜Ｋ⊥１＜＜Ｋ⊥２ であれば良い。
【００５９】このような関係を満たす例として、室温に
おいて （数１１） Ｍｓ１＜Ｍｓ３ （数１２） Ｍｓ２＜Ｍｓ３ であることが挙げられる。
おいて （数１１） Ｍｓ１＜Ｍｓ３ （数１２） Ｍｓ２＜Ｍｓ３ であることが挙げられる。
【００６０】また先に述べた通りキュリー温度は、 （数１３） ＲＴ（室温）＜Ｔｃ３＜＜Ｔｃ１ とであることが必要である。
【００６１】以上の条件を満たす再生層、中間層、記録
層の飽和磁化の温度依存性の一例を図１０に示した。
層の飽和磁化の温度依存性の一例を図１０に示した。
【００６２】尚、中間層の面内異方性を大きくするため
には、上述のようにＭｓを大きくする以外に、Ｃｏなど
の面内異方性を向上させる元素を加えるなど、垂直異方
性エネルギーＫｕを小さくするかもしくは負の値（面内
異方性を持つ）を持たせても良い。
には、上述のようにＭｓを大きくする以外に、Ｃｏなど
の面内異方性を向上させる元素を加えるなど、垂直異方
性エネルギーＫｕを小さくするかもしくは負の値（面内
異方性を持つ）を持たせても良い。
【００６３】以上の様に、本発明の光磁気記録媒体を用
いた情報再生方法においては、図１１に示す様に光スポ
ット内の再生可能領域が、高温領域と低温領域とに挟ま
れた幅の狭い領域となるため、より高密度の記録がなさ
れても良好に高解像をもって再生することが可能とな
る。さらに検出領域が光スポットの中心に位置している
ため、より良好なＣ／Ｎが得られることが期待できる。
いた情報再生方法においては、図１１に示す様に光スポ
ット内の再生可能領域が、高温領域と低温領域とに挟ま
れた幅の狭い領域となるため、より高密度の記録がなさ
れても良好に高解像をもって再生することが可能とな
る。さらに検出領域が光スポットの中心に位置している
ため、より良好なＣ／Ｎが得られることが期待できる。
【００６４】これは、レーザー光の強度分布は、ガウシ
アン分布であってスポット中心部が最も強度が高いた
め、スポットのより中心部で再生した方がＣ／Ｎが大き
くなるためである。（一般に、媒体移動時には光スポッ
トの中心と媒体の温度分布の中心とは一致せず、最も温
度の高い領域は、光スポット内の媒体移動方向側にずれ
る。このため最も温度の高い領域を検出可能領域とする
場合は、検出領域はスポットの中心部からはずれる。
（図１２））
アン分布であってスポット中心部が最も強度が高いた
め、スポットのより中心部で再生した方がＣ／Ｎが大き
くなるためである。（一般に、媒体移動時には光スポッ
トの中心と媒体の温度分布の中心とは一致せず、最も温
度の高い領域は、光スポット内の媒体移動方向側にずれ
る。このため最も温度の高い領域を検出可能領域とする
場合は、検出領域はスポットの中心部からはずれる。
（図１２））
【００６５】以下に実験例をもって本発明を詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
【００６６】（実験例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｌ、Ｃ
ｕの各ターゲットを取り付け、ガラス基板を基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるま
でチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｌ、Ｃ
ｕの各ターゲットを取り付け、ガラス基板を基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるま
でチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
【００６７】真空排気をしながらＡｒガスを０．３Ｐａ
となるまでチャンバー内に導入した後、干渉誘電体層で
あるＳｉＮ層を７００Å成膜し、次いで再生層であるＧ
ｄＦｅＣｏ層を４００Å成膜し、記録層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ層を４００Å成膜し、保護誘電体層としてＳｉＮ層
を８００Å成膜し、図３（ａ）に示す２層構成の本発明
の光磁気記録媒体を作成した。
となるまでチャンバー内に導入した後、干渉誘電体層で
あるＳｉＮ層を７００Å成膜し、次いで再生層であるＧ
ｄＦｅＣｏ層を４００Å成膜し、記録層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ層を４００Å成膜し、保護誘電体層としてＳｉＮ層
を８００Å成膜し、図３（ａ）に示す２層構成の本発明
の光磁気記録媒体を作成した。
【００６８】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
【００６９】ＧｄＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が２４
０℃でキュリー温度は４００℃以上となるように設定し
た。
０℃でキュリー温度は４００℃以上となるように設定し
た。
【００７０】ＴｂＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が室温
以下でキュリー温度は２３０℃となる様に設定した。
以下でキュリー温度は２３０℃となる様に設定した。
【００７１】この積層膜を温度を上げながら、磁界０の
時の残留θK を測定したところ、図１３に示した様に１
３０℃から１８０℃の範囲のみ磁場印加しない時のカー
効果（残留カー回転角）が現れ、垂直磁化膜となってい
ることが確認された。
時の残留θK を測定したところ、図１３に示した様に１
３０℃から１８０℃の範囲のみ磁場印加しない時のカー
効果（残留カー回転角）が現れ、垂直磁化膜となってい
ることが確認された。
【００７２】（実験例２）次にφ１３０ｍｍのプリグル
ーブのあるポリカーボネイト基板を装着した以外は上述
と同じ膜構成の光磁気記録媒体を作成した。
ーブのあるポリカーボネイト基板を装着した以外は上述
と同じ膜構成の光磁気記録媒体を作成した。
【００７３】次に、この光磁気記録媒体を用いて、記録
再生特性を測定した。
再生特性を測定した。
【００７４】測定装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に６〜１５ＭＨｚ
のキャリア信号を段階的に±２００Ｏｅの磁界を印加し
て磁界変調方式で書き込み、Ｃ／Ｎ比の記録マーク長依
存性を調べた。
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に６〜１５ＭＨｚ
のキャリア信号を段階的に±２００Ｏｅの磁界を印加し
て磁界変調方式で書き込み、Ｃ／Ｎ比の記録マーク長依
存性を調べた。
【００７５】再生パワーはＣ／Ｎ比がｍａｘとなる値
（２．５〜３．５ｍＷ）に設定した。
（２．５〜３．５ｍＷ）に設定した。
【００７６】表１に、１５ＭＨｚ（マーク長０．３０μ
ｍ），１１．２５ＭＨｚ（マーク長０．４０μｍ），９
ＭＨｚ（マーク長０．５０μｍ）のキャリア信号を記録
した場合のＣ／Ｎ比を示した。
ｍ），１１．２５ＭＨｚ（マーク長０．４０μｍ），９
ＭＨｚ（マーク長０．５０μｍ）のキャリア信号を記録
した場合のＣ／Ｎ比を示した。
【００７７】次に、隣接トラックとのクロストークの測
定を行なった。クロストークは、マーク長１．６μｍの
信号を記録したランド部の再生信号と隣接グルーブ部の
再生信号との差として表した。結果を表１に示した。
定を行なった。クロストークは、マーク長１．６μｍの
信号を記録したランド部の再生信号と隣接グルーブ部の
再生信号との差として表した。結果を表１に示した。
【００７８】（実験例３）次に再生層と記録層の間にキ
ュリー温度の低い中間層を設けた本発明の光磁気記録媒
体を作成して評価した。
ュリー温度の低い中間層を設けた本発明の光磁気記録媒
体を作成して評価した。
【００７９】実験例２と同様の成膜装置、成膜方法によ
り、１３０ｍｍφのプリグルーブ付きのポリカーボネイ
ト基板上に干渉誘電体層としてＳｉＮ層を８３０Å成膜
し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜
し、次いで中間層としてＴｂＦｅＣｏＡｌ層を１００Å
成膜し、記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を３００Å成膜
し、保護誘電体層としてＳｉＮ層を７００Å成膜して図
３（ｂ）の構成の光磁気記録媒体を作成した。
り、１３０ｍｍφのプリグルーブ付きのポリカーボネイ
ト基板上に干渉誘電体層としてＳｉＮ層を８３０Å成膜
し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜
し、次いで中間層としてＴｂＦｅＣｏＡｌ層を１００Å
成膜し、記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を３００Å成膜
し、保護誘電体層としてＳｉＮ層を７００Å成膜して図
３（ｂ）の構成の光磁気記録媒体を作成した。
【００８０】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して同時スパッ
タにより成膜し、その組成は、スパッタ成膜時の各ター
ゲットのパワーを変えることにより調節した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して同時スパッ
タにより成膜し、その組成は、スパッタ成膜時の各ター
ゲットのパワーを変えることにより調節した。
【００８１】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、補償温度が
２５０℃でキュリー温度は３１０℃以上となる様に設定
した。
２５０℃でキュリー温度は３１０℃以上となる様に設定
した。
【００８２】ＴｂＦｅＣｏＡｌ中間層の組成は、キュリ
ー温度が１５０℃となる様に設定した。
ー温度が１５０℃となる様に設定した。
【００８３】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、キュリー温
度が２１０℃となる様に設定した。
度が２１０℃となる様に設定した。
【００８４】次に実験例２と同様にＣ／Ｎ比のマーク長
依存性、クロストークを測定した。結果を表１に示し
た。
依存性、クロストークを測定した。結果を表１に示し
た。
【００８５】（実験例４〜７）次に、実験例２、３と同
様の成膜装置で２層構成からなる本発明の光磁気記録媒
体を作成して、同様にＣ／Ｎ比のマーク長依存性を測定
した。各層の物性値とＣ／Ｎ比及びクロストークを表１
に示した。
様の成膜装置で２層構成からなる本発明の光磁気記録媒
体を作成して、同様にＣ／Ｎ比のマーク長依存性を測定
した。各層の物性値とＣ／Ｎ比及びクロストークを表１
に示した。
【００８６】（実験例８、９）次に、実験例２〜７と同
様の成膜装置でキュリー温度の低い中間層を設けた３層
構成からなる本発明の光磁気記録媒体を作成して、同様
にＣ／Ｎ比のマーク長依存性を測定した。各層の物性値
とＣ／Ｎ比、クロストークを表１に示した。
様の成膜装置でキュリー温度の低い中間層を設けた３層
構成からなる本発明の光磁気記録媒体を作成して、同様
にＣ／Ｎ比のマーク長依存性を測定した。各層の物性値
とＣ／Ｎ比、クロストークを表１に示した。
【００８７】（実験例１０）次に、実験例２〜９と同様
の成膜装置でキュリー温度の低く、かつ光スポット内の
低温領域で再生層よりも面内異方性の大きい中間層を設
けた３層構成からなる本発明の光磁気記録媒体を作成し
た。
の成膜装置でキュリー温度の低く、かつ光スポット内の
低温領域で再生層よりも面内異方性の大きい中間層を設
けた３層構成からなる本発明の光磁気記録媒体を作成し
た。
【００８８】まず ガラス基板上に、ＳｉＮ誘電体層を
９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中
間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、Ｓｉ
Ｎ保護層を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の
構成のサンプルを得た。各ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガス
に加えてＮ2 ガスを導入し、直流反応性スパッタにより
成膜し、屈折率が２．１となるようにＡｒガスとＮ2 ガ
スの混合比を調節した。
９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中
間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、Ｓｉ
Ｎ保護層を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の
構成のサンプルを得た。各ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガス
に加えてＮ2 ガスを導入し、直流反応性スパッタにより
成膜し、屈折率が２．１となるようにＡｒガスとＮ2 ガ
スの混合比を調節した。
【００８９】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化Ｍｓは１６０ｍｕ／ｃｃ，補償温度は
２０５℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定
した。
リッチで飽和磁化Ｍｓは１６０ｍｕ／ｃｃ，補償温度は
２０５℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設定
した。
【００９０】ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッ
チでＭｓは５２０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１５０
℃となる様に設定した。
チでＭｓは５２０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１５０
℃となる様に設定した。
【００９１】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【００９２】上述の方法でガラス基板上に成膜した試料
に、８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板側から照
射してカー回転角（θK）の外部磁界依存性を測定し
た。測定は、室温から約２００℃まで試料を加熱して行
なった。外部磁界０の時のカー回転角（残留カー回転
角；θK R）の温度依存性を図１に示した。図より室温か
ら１４０℃付近までθK Rはほぼ０であり、かつ１４０℃
付近から急激にθK Rが大きくなり約２００℃で０になる
ことがわかる。
に、８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板側から照
射してカー回転角（θK）の外部磁界依存性を測定し
た。測定は、室温から約２００℃まで試料を加熱して行
なった。外部磁界０の時のカー回転角（残留カー回転
角；θK R）の温度依存性を図１に示した。図より室温か
ら１４０℃付近までθK Rはほぼ０であり、かつ１４０℃
付近から急激にθK Rが大きくなり約２００℃で０になる
ことがわかる。
【００９３】（実験例１１）次に、実験例１０と同じ層
構成、同じ膜組成でプリグルーブ付きのポリカーボネイ
ト基板上に光磁気記録膜を成膜をして本発明の光磁気記
録媒体を作成した。
構成、同じ膜組成でプリグルーブ付きのポリカーボネイ
ト基板上に光磁気記録膜を成膜をして本発明の光磁気記
録媒体を作成した。
【００９４】次に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１３に示した。
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１３に示した。
【００９５】（実験例１２）実験例１と同様の装置、方
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
１２０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護
層を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成の
サンプルを得た。
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
１２０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護
層を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成の
サンプルを得た。
【００９６】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化Ｍｓは１８０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は２２０℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
リッチで飽和磁化Ｍｓは１８０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は２２０℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
【００９７】ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッ
チでＭｓは６８０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１８０
℃となる様に設定した。
チでＭｓは６８０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１８０
℃となる様に設定した。
【００９８】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【００９９】次に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
【０１００】（実験例１３）実験例１と同様の装置、方
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
８０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成のサ
ンプルを得た。
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
８０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成のサ
ンプルを得た。
【０１０１】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化Ｍｓは１５０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は１８８℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
リッチで飽和磁化Ｍｓは１５０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は１８８℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
【０１０２】ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッ
チでＭｓは５２０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１７０
℃となる様に設定した。
チでＭｓは５２０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１７０
℃となる様に設定した。
【０１０３】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【０１０４】次に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
【０１０５】（実験例１４）実験例１と同様の装置、方
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
９０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成のサ
ンプルを得た。
法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
９０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Åを各々順々に成膜して図３（ｂ）の構成のサ
ンプルを得た。
【０１０６】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化Ｍｓは１６０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は１８８℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
リッチで飽和磁化Ｍｓは１６０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は１８８℃、キュリー温度は３００℃以上となる様に設
定した。
【０１０７】ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッ
チでＭｓは４７０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１６５
℃となる様に設定した。
チでＭｓは４７０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は１６５
℃となる様に設定した。
【０１０８】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【０１０９】次に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１に示した。
【０１１０】（比較実験例１）実験例１と同様の装置、
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９０
０Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＴｂＦｅＣｏ記
録層を３００Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に
成膜して図３（ａ）の構成のサンプルを得た。
方法でポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電体層を９０
０Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＴｂＦｅＣｏ記
録層を３００Å、ＳｉＮ保護層を７００Åを各々順々に
成膜して図３（ａ）の構成のサンプルを得た。
【０１１１】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化Ｍｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は２８０℃、キュリー温度は約３００℃となる様に設定
した。
リッチで飽和磁化Ｍｓは１３０ｅｍｕ／ｃｃ，補償温度
は２８０℃、キュリー温度は約３００℃となる様に設定
した。
【０１１２】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【０１１３】このサンプルは、図１５に示すような残留
θK の温度依存性を持ち、高温で再び面内磁化膜となら
なかった。本比較例のように、再生層と記録層の２層構
成で補償温度とキュリー温度が近い場合には、高温で面
内磁化膜とすることができない。
θK の温度依存性を持ち、高温で再び面内磁化膜となら
なかった。本比較例のように、再生層と記録層の２層構
成で補償温度とキュリー温度が近い場合には、高温で面
内磁化膜とすることができない。
【０１１４】（比較実験例２）次に実験例２と同様にポ
リカーボネイト基板上に成膜して光磁気記録媒体を作成
後に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記録マーク長依
存性及びクロストークを調べた。結果を表１に示した。
リカーボネイト基板上に成膜して光磁気記録媒体を作成
後に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記録マーク長依
存性及びクロストークを調べた。結果を表１に示した。
【０１１５】（比較実験例３）実験例１と同様の成膜
機、成膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上にＳｉ
Ｎ誘電体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００
Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層を７
００Åを各々順々に成膜して図６（ｃ）の構成の本発明
の光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層の屈折率は２．１
とした。
機、成膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上にＳｉ
Ｎ誘電体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００
Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層を７
００Åを各々順々に成膜して図６（ｃ）の構成の本発明
の光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層の屈折率は２．１
とした。
【０１１６】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化は１８０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２
９０℃、キュリー温度は約３００℃となるように設定し
た。
リッチで飽和磁化は１８０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２
９０℃、キュリー温度は約３００℃となるように設定し
た。
【０１１７】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
リッチで飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度
は２２０℃となる様に設定した。
【０１１８】次に、実験例２〜９と同様にＣ／Ｎ比の記
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１３に示した。
録マーク長依存性及びクロストークを調べた。結果を表
１３に示した。
【０１１９】以上実験例２〜１４および比較実験例２、
３を比べると、本発明により、短いマーク長でＣ／Ｎ比
およびクロストークが大幅に改善されていることが分か
る。
３を比べると、本発明により、短いマーク長でＣ／Ｎ比
およびクロストークが大幅に改善されていることが分か
る。
【０１２０】
【表１】
【０１２１】
【発明の効果】本発明の光磁気記録方式を用いれば、初
期化磁石が不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、
ビームスポット径より小さい磁区の再生が可能となり、
線記録密度およびトラック密度をさらに向上した高密度
記録の達成が可能となり、Ｃ／比が向上した。
期化磁石が不要な簡素な装置（従来の装置）を用いて、
ビームスポット径より小さい磁区の再生が可能となり、
線記録密度およびトラック密度をさらに向上した高密度
記録の達成が可能となり、Ｃ／比が向上した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の膜構成を示す模式図
【図２】本発明の膜構成の他の形態を示す模式図
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明の膜構成の全体を示す
模式図
模式図
【図４】再生層の２πＭｓ2 と垂直磁気異方性定数Ｋｕ
の温度依存性の一例を示した図
の温度依存性の一例を示した図
【図５】本発明の情報再生方法の一例を示す説明図
【図６】再生層と記録層との間に中間層を設けた場合の
本発明の磁化状態を示す図
本発明の磁化状態を示す図
【図７】面内異方性の小さい中間層を設けた場合の磁化
状態を示す図
状態を示す図
【図８】面内異方性の大きい中間層を設けた場合の磁化
状態を示す図
状態を示す図
【図９】本発明の情報再生方法の他の例を示す説明図
【図１０】再生層と記録層との間に中間層を設けた場合
の本発明のＭｓの温度依存性を示す図
の本発明のＭｓの温度依存性を示す図
【図１１】光スポットのビーム強度とスポット内の検出
領域の関係を示す図
領域の関係を示す図
【図１２】比較例の情報再生方法を示す説明図
【図１３】本発明の媒体の残留θK（磁界が０の時）の
温度依存性の一例を示した図
温度依存性の一例を示した図
【図１４】本発明の媒体の残留θK（磁界が０の時）の
温度依存性の一例を示した図
温度依存性の一例を示した図
【図１５】比較例の媒体の残留θK（磁界が０の時）の
温度依存性の一例を示した図
温度依存性の一例を示した図
Claims (7)
- 【請求項１】 室温及び高温において面内磁化膜で、そ
の中間温度で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化
膜からなる第２磁性層とを有することを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第１磁性層が希土類−鉄族元素非晶質合金からなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第１磁性層が希土類元素副格子磁化が優勢である光
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第１と第２磁性層の間に、前記第１、第２の磁性層
のキュリー温度より低いキュリー温度を有する第３磁性
層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４記載の光磁気記録媒体におい
て、 室温において前記第３磁性層の面内異方性が前記第１磁
性層の面内異方性よりも大きいことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項６】 請求項５記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第３磁性層の室温での飽和磁化が前記第１磁性層の
室温での飽和磁化よりも大きいことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項７】 室温及び高温において面内磁化膜で、そ
の中間温度で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁化
膜からなる第２磁性層とを有する光磁気記録媒体を用い
て、前記第１磁性層をレーザー光照射で昇温することに
より垂直磁化膜として前記第２磁性層に記録された磁気
信号を前記第１磁性層に転写しながら、磁気光学効果に
より光学信号に変換して読み取ることを特徴とする光磁
気記録媒体における情報再生方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265394A JPH06309729A (ja) | 1993-02-26 | 1994-02-21 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| CA002142767A CA2142767C (en) | 1994-02-21 | 1995-02-17 | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| DE69526532T DE69526532T2 (de) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Magneto-optischer Aufzeichnungsträger und verwendete Informationswiedergabemethode |
| EP95301061A EP0668586B1 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| AU12355/95A AU696024B2 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| US08/391,563 US5830589A (en) | 1994-02-21 | 1995-02-21 | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| KR1019950003305A KR950025656A (ko) | 1994-02-21 | 1995-02-21 | 광자기 기록 매체 및 이를 이용하는 정보 재생 방법 |
| US08/858,206 US5831944A (en) | 1993-02-26 | 1997-05-13 | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from a magnetooptical recording medium having three layers |
| US09/045,682 US6307816B1 (en) | 1994-02-21 | 1998-03-23 | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| US09/704,703 USRE38922E1 (en) | 1992-08-28 | 2000-11-03 | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information from a magneto-optical recording medium having three layers |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3813893 | 1993-02-26 | ||
| JP5-38138 | 1993-02-26 | ||
| JP2265394A JPH06309729A (ja) | 1993-02-26 | 1994-02-21 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309729A true JPH06309729A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=26359917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265394A Pending JPH06309729A (ja) | 1992-08-28 | 1994-02-21 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06309729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5732049A (en) * | 1994-12-27 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium of super-resolution type using in-plane magnetic layer, and information reproducing method using the same medium |
| WO2002035540A1 (fr) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magneto-optique, procede de reproduction et dispositif correspondant |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP2265394A patent/JPH06309729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5732049A (en) * | 1994-12-27 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium of super-resolution type using in-plane magnetic layer, and information reproducing method using the same medium |
| WO2002035540A1 (fr) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magneto-optique, procede de reproduction et dispositif correspondant |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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