JP3101462B2 - 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法Info
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- JP3101462B2 JP3101462B2 JP05038137A JP3813793A JP3101462B2 JP 3101462 B2 JP3101462 B2 JP 3101462B2 JP 05038137 A JP05038137 A JP 05038137A JP 3813793 A JP3813793 A JP 3813793A JP 3101462 B2 JP3101462 B2 JP 3101462B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体及び該媒体を用いた情報再生方法に関する。
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体及び該媒体を用いた情報再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
【０００３】近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
【０００４】ところで、光磁気記録媒体等の光ディスク
の線記録密度は、主として再生光学系のレーザー波長、
対物レンズの開口数に大きく依存する。
の線記録密度は、主として再生光学系のレーザー波長、
対物レンズの開口数に大きく依存する。
【０００５】すなわち再生光学系のレーザー波長λと対
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期はλ／２ＮＡと決まる。
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期はλ／２ＮＡと決まる。
【０００６】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短く
し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００７】しかしながら、レーザー波長や対物レンズ
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
【０００８】たとえば、特開平３−９３０５８において
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、外部磁界を
一方向に印加しながら、記録層に保持された信号を再生
層に転写して再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折
限界以下の周期の信号を再生可能とし、線記録密度の向
上を試みている。
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、外部磁界を
一方向に印加しながら、記録層に保持された信号を再生
層に転写して再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折
限界以下の周期の信号を再生可能とし、線記録密度の向
上を試みている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平３
−９３０５８記載の光磁気再生方法では、再生の際に再
生層の磁化を外部磁界により一方向に揃えなけらばなら
ない。そのため再生時に磁界を印加することが必要とな
る。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑化
し、コストが高くなる等の問題点を有している。
−９３０５８記載の光磁気再生方法では、再生の際に再
生層の磁化を外部磁界により一方向に揃えなけらばなら
ない。そのため再生時に磁界を印加することが必要とな
る。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑化
し、コストが高くなる等の問題点を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑
み、再生時に磁界を印加することなく、光の回折限界以
下の周期の信号を再生可能な高密度光磁気記録媒体及び
該媒体を用いた情報再生方法の提供を目的とする。
み、再生時に磁界を印加することなく、光の回折限界以
下の周期の信号を再生可能な高密度光磁気記録媒体及び
該媒体を用いた情報再生方法の提供を目的とする。
【００１１】そして、上記目的は、室温において垂直磁
化膜で、昇温すると面内磁化膜になる第1磁性層と、垂
直磁化膜からなる第2磁性層と、前記第1磁性層と第2磁
性層の間にそれらの磁性層よりキュリー温度が低い垂直
磁化膜からなる第3磁性層を有する光磁気記録媒体によ
り達成される。
化膜で、昇温すると面内磁化膜になる第1磁性層と、垂
直磁化膜からなる第2磁性層と、前記第1磁性層と第2磁
性層の間にそれらの磁性層よりキュリー温度が低い垂直
磁化膜からなる第3磁性層を有する光磁気記録媒体によ
り達成される。
【００１２】また、室温において垂直磁化膜で、昇温す
ると面内磁化膜になる第1磁性層と、垂直磁化膜からな
る、情報を蓄積する第2磁性層と、前記第1磁性層と第2
磁性層の間にそれらの磁性層よりキュリー温度が低い垂
直磁化膜からなる第3磁性層を有する光磁気記録媒体か
ら情報を再生する情報再生方法において、前記媒体に光
ビームスポットを照射し、前記スポット内の高温部分に
おいては前記第３磁性層をそれのキュリー温度以上に昇
温させると共に、前記第1磁性層を面内磁化膜とし、低
温部分においては前記第1磁性層を垂直磁化膜とすると
共に前記第2磁性層と交換結合させ、前記第1磁性層の磁
化を前記第2磁性層の情報に基づく磁化の方向に対して
安定な方向にならわし、前記スポット内の前記第1磁性
層の垂直磁化膜部分の影響による前記光ビームの磁気光
学変化を検出することにより情報の再生を行うことで達
成される。
ると面内磁化膜になる第1磁性層と、垂直磁化膜からな
る、情報を蓄積する第2磁性層と、前記第1磁性層と第2
磁性層の間にそれらの磁性層よりキュリー温度が低い垂
直磁化膜からなる第3磁性層を有する光磁気記録媒体か
ら情報を再生する情報再生方法において、前記媒体に光
ビームスポットを照射し、前記スポット内の高温部分に
おいては前記第３磁性層をそれのキュリー温度以上に昇
温させると共に、前記第1磁性層を面内磁化膜とし、低
温部分においては前記第1磁性層を垂直磁化膜とすると
共に前記第2磁性層と交換結合させ、前記第1磁性層の磁
化を前記第2磁性層の情報に基づく磁化の方向に対して
安定な方向にならわし、前記スポット内の前記第1磁性
層の垂直磁化膜部分の影響による前記光ビームの磁気光
学変化を検出することにより情報の再生を行うことで達
成される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒体
及び該媒体を用いた情報再生方法について詳しく説明す
る。
及び該媒体を用いた情報再生方法について詳しく説明す
る。
【００１４】本発明の光磁気記録媒体は、室温で垂直磁
化膜であり、昇温すると面内磁化膜に変化する再生層と
室温及び昇温時においても垂直磁化膜である記録層の２
層を少なくとも有する。尚、前記再生層及び記録層は互
いが垂直磁化膜である時には互いに交換結合する。
化膜であり、昇温すると面内磁化膜に変化する再生層と
室温及び昇温時においても垂直磁化膜である記録層の２
層を少なくとも有する。尚、前記再生層及び記録層は互
いが垂直磁化膜である時には互いに交換結合する。
【００１５】再生層としては、例えば希土類−鉄族非晶
質合金、例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏなどが望
ましい。好ましくは、磁気異方性が小さいもの、室温と
キュリー温度の間に補償温度があるものが望ましい。
質合金、例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏなどが望
ましい。好ましくは、磁気異方性が小さいもの、室温と
キュリー温度の間に補償温度があるものが望ましい。
【００１６】又、記録層としては、垂直磁気異方性が大
きいもの、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなど、も
しくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期構造
膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co 白金族−鉄族合金、例えばPt
Co，PdCoなどが望ましい。
きいもの、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなど、も
しくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期構造
膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co 白金族−鉄族合金、例えばPt
Co，PdCoなどが望ましい。
【００１７】又、再生層と記録層には、Cr,Al,Ti,Pt,Nb
などの耐食性改善のための元素添加を行なっても良い。
などの耐食性改善のための元素添加を行なっても良い。
【００１８】又更に、上記再生層と記録層に加えて、干
渉効果を高めるために、SiN,AlOx,TaOx,SiOx等の誘電体
などを設けても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，
ＡｌＮｘ，ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどを
設けても良い。
渉効果を高めるために、SiN,AlOx,TaOx,SiOx等の誘電体
などを設けても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，
ＡｌＮｘ，ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどを
設けても良い。
【００１９】又、交換結合力を調節するなどの中間層、
記録補助、再生補助のための補助層を設けても良い。更
に保護膜として前記誘電体層や高分子樹脂からなる保護
コートを付与しても良い。
記録補助、再生補助のための補助層を設けても良い。更
に保護膜として前記誘電体層や高分子樹脂からなる保護
コートを付与しても良い。
【００２０】以下に本発明の情報再生方法を説明する。
【００２１】図１Ａに示すように、まず本発明の光磁気
記録媒体の記録層に情報信号を記録する。記録は記録層
がキュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を
照射しながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一
度消去した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザ
ーパワーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加し
ながらレーザーパワーを変調して行なう。
記録媒体の記録層に情報信号を記録する。記録は記録層
がキュリー温度以上になるようなパワーのレーザー光を
照射しながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一
度消去した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザ
ーパワーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加し
ながらレーザーパワーを変調して行なう。
【００２２】この時、光スポット内の所定領域のみが記
録層のキュリー温度近傍になる様に記録媒体の線速度を
考慮してレーザー光の強度を決定すれば、光スポットの
径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限界
以下の周期の信号を記録できる。
録層のキュリー温度近傍になる様に記録媒体の線速度を
考慮してレーザー光の強度を決定すれば、光スポットの
径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限界
以下の周期の信号を記録できる。
【００２３】情報再生時には、媒体に再生レーザー光を
照射するが、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体
は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分布は図３
に示す様に媒体の移動方向の延びた形状となり、光スポ
ット内の一部（光スポットの移動方向に対する後縁部）
が高温となった温度分布となる。
照射するが、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体
は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分布は図３
に示す様に媒体の移動方向の延びた形状となり、光スポ
ット内の一部（光スポットの移動方向に対する後縁部）
が高温となった温度分布となる。
【００２４】ところで単層の磁性薄膜について、飽和磁
化をＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、 Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。ここで
２πＭs 2は反磁界エネルギーである。例えば、再生層が
図５で示されるＭs、Ｋｕの温度依存性を持つならば、
再生層のＭｓは再生時には温度が上昇するため、大きく
なる。このため図６で示す様に２πＭｓ2は急激に大き
くなって垂直磁気異方性定数Ｋｕとの大小関係が逆転
し、 Ｋ⊥＜０ となって面内磁化膜となる。
化をＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、 Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。ここで
２πＭs 2は反磁界エネルギーである。例えば、再生層が
図５で示されるＭs、Ｋｕの温度依存性を持つならば、
再生層のＭｓは再生時には温度が上昇するため、大きく
なる。このため図６で示す様に２πＭｓ2は急激に大き
くなって垂直磁気異方性定数Ｋｕとの大小関係が逆転
し、 Ｋ⊥＜０ となって面内磁化膜となる。
【００２５】即ち、図２で示される様に光スポットの一
部である高温部において再生層の磁化が面内磁化膜とな
る様に、再生時のレ−ザ−光の強度及び線速度を考慮し
て再生層の飽和磁化ＭS 、垂直磁気異方性定数Ｋｕを設
定しておけば、光スポット内の高温部のみが面内磁化膜
となり、他の部分は垂直磁化膜という状態が実現する。
垂直磁化膜である再生層は記録層と交換結合によって磁
気的に結合されるので、再生層の磁化方向は記録層の情
報に基づく磁化方向に対して安定な方向にならってい
る。即ち、記録層に記録された情報が再生層に転写され
ている。そして、転写されている情報は、再生層の磁気
光学効果（詳しくは再生層から反射されたレ−ザ−光の
磁気光学効果）によって光学信号に変換されて検出され
る。この場合、光スポット内の再生層が面内磁化膜の部
分は磁気光学効果が生じない。
部である高温部において再生層の磁化が面内磁化膜とな
る様に、再生時のレ−ザ−光の強度及び線速度を考慮し
て再生層の飽和磁化ＭS 、垂直磁気異方性定数Ｋｕを設
定しておけば、光スポット内の高温部のみが面内磁化膜
となり、他の部分は垂直磁化膜という状態が実現する。
垂直磁化膜である再生層は記録層と交換結合によって磁
気的に結合されるので、再生層の磁化方向は記録層の情
報に基づく磁化方向に対して安定な方向にならってい
る。即ち、記録層に記録された情報が再生層に転写され
ている。そして、転写されている情報は、再生層の磁気
光学効果（詳しくは再生層から反射されたレ−ザ−光の
磁気光学効果）によって光学信号に変換されて検出され
る。この場合、光スポット内の再生層が面内磁化膜の部
分は磁気光学効果が生じない。
【００２６】尚、上述では再生層と記録層が交換相互作
用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に記
録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合されると
してもよい。又、この磁性薄膜を垂直磁化膜と直接もし
くは中間層等を介して積層する場合、垂直磁化膜からの
交換結合力、静磁結合力などが働くため、面内磁化とな
る温度領域は高温側にシフトするが、単層膜での面内磁
化転移温度をやや低めに設定しておけば、垂直磁化膜と
積層した場合にも、室温において垂直磁化膜で、高温に
おいて面内磁化膜となる状況が成立する。
用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に記
録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合されると
してもよい。又、この磁性薄膜を垂直磁化膜と直接もし
くは中間層等を介して積層する場合、垂直磁化膜からの
交換結合力、静磁結合力などが働くため、面内磁化とな
る温度領域は高温側にシフトするが、単層膜での面内磁
化転移温度をやや低めに設定しておけば、垂直磁化膜と
積層した場合にも、室温において垂直磁化膜で、高温に
おいて面内磁化膜となる状況が成立する。
【００２７】以上の様に、本発明の光磁気記録媒体を用
いた情報再生方法においては、初期化磁界を必要とせず
に、ビット周期がレーザー光のビーム径よりも小さい場
合においても、符号間干渉が抑えられ、高Ｃ／Ｎで情報
の再生が行える。
いた情報再生方法においては、初期化磁界を必要とせず
に、ビット周期がレーザー光のビーム径よりも小さい場
合においても、符号間干渉が抑えられ、高Ｃ／Ｎで情報
の再生が行える。
【００２８】次に、上述した光磁気記録媒体を改良し、
図１Ｂで示される再生層と記録層の間に中間層を設けた
場合について述べる。
図１Ｂで示される再生層と記録層の間に中間層を設けた
場合について述べる。
【００２９】中間層は、再生層と記録層の間に位置し、
キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び記録層のキ
ュリー温度よりも低い。中間層の材料としては、例えば
希土類−鉄族非晶質合金、例えば、ＴｂＦｅ、ＧｄＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏもしくはそれらにＡ
ｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの非磁性元素を添加したものなどが
挙げられる。
キュリー温度は、室温よりも高く再生層及び記録層のキ
ュリー温度よりも低い。中間層の材料としては、例えば
希土類−鉄族非晶質合金、例えば、ＴｂＦｅ、ＧｄＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏもしくはそれらにＡ
ｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの非磁性元素を添加したものなどが
挙げられる。
【００３０】この中間層は、図４Ａに示す様に、そのキ
ュリー温度に達するまでは再生層に記録層からの交換結
像力を媒介する役割を果たしており、記録層の情報は再
生層に転写される。
ュリー温度に達するまでは再生層に記録層からの交換結
像力を媒介する役割を果たしており、記録層の情報は再
生層に転写される。
【００３１】しかし中間層のキュリー温度に達した高温
部分では、再生層と記録層との交換結合は切断される。
このため、再生層は記録層からの交換結合力が失われる
ため、見かけ上他の部分より垂直磁化異方性定数は小さ
くなる。したがって見かけ上の垂直磁気異方性と反磁界
エネルギーの大小が逆転し、再生層の磁化方向は面内方
向に配向するようになる。
部分では、再生層と記録層との交換結合は切断される。
このため、再生層は記録層からの交換結合力が失われる
ため、見かけ上他の部分より垂直磁化異方性定数は小さ
くなる。したがって見かけ上の垂直磁気異方性と反磁界
エネルギーの大小が逆転し、再生層の磁化方向は面内方
向に配向するようになる。
【００３２】このようにキュリー温度の低い中間層を設
けた場合には、再生層に、単層状態にて昇温すると垂直
磁化膜から面内磁化膜となる特性を示さなくとも（換言
すれば、室温からキュリー温度まで面内磁化膜であって
も）、中間層、記録層との積層状態において、再生層が
室温において垂直磁化膜で昇温すると面内磁化膜となる
状態を実現することも可能となる。このため材料選択の
幅が広がるなどの利点がある。
けた場合には、再生層に、単層状態にて昇温すると垂直
磁化膜から面内磁化膜となる特性を示さなくとも（換言
すれば、室温からキュリー温度まで面内磁化膜であって
も）、中間層、記録層との積層状態において、再生層が
室温において垂直磁化膜で昇温すると面内磁化膜となる
状態を実現することも可能となる。このため材料選択の
幅が広がるなどの利点がある。
【００３３】このように、図４Ｂに示す様に再生層の光
スポット内の一部（再生層が面内磁化膜になっていない
部分、即ち低温部分）が垂直磁化膜となっているので、
この部分においては再生層と記録層は交換結合して再生
層には記録層の情報が転写されている。そして、転写さ
れている情報は、再生層の磁気光学効果（詳しくは再生
層から反射されたレ−ザ−光の磁気光学効果）によって
光学信号に変換されて検出される。尚、他の部分は面内
磁化膜となって磁気光学効果が生じないため、より高密
度の記録がなされても良好に高解像をもって再生するこ
とが可能となる。
スポット内の一部（再生層が面内磁化膜になっていない
部分、即ち低温部分）が垂直磁化膜となっているので、
この部分においては再生層と記録層は交換結合して再生
層には記録層の情報が転写されている。そして、転写さ
れている情報は、再生層の磁気光学効果（詳しくは再生
層から反射されたレ−ザ−光の磁気光学効果）によって
光学信号に変換されて検出される。尚、他の部分は面内
磁化膜となって磁気光学効果が生じないため、より高密
度の記録がなされても良好に高解像をもって再生するこ
とが可能となる。
【００３４】以下に実験例をもって本発明を詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
【００３５】（実験例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各タ−ゲ
ットを取り付け、ガラス基板を基板ホルダーに固定した
後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバ−
内をクライオポンプで真空排気した。
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各タ−ゲ
ットを取り付け、ガラス基板を基板ホルダーに固定した
後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバ−
内をクライオポンプで真空排気した。
【００３６】真空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａ
となるまでチャンバ−内に導入した後、ＳｉＮ層を８０
０Å成膜し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００
Å成膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００
Å成膜し、次いで保護膜としてＳｉＮ層を７００Å成膜
した。
となるまでチャンバ−内に導入した後、ＳｉＮ層を８０
０Å成膜し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００
Å成膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００
Å成膜し、次いで保護膜としてＳｉＮ層を７００Å成膜
した。
【００３７】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。
【００３８】ＧｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇ
ｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔｂの各タ−ゲットに直流パワーを印
加して同時スパッタにより成膜し、その組成は、スパッ
タ成膜時の各タ−ゲットのパワ−を変えることにより調
節した。
ｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔｂの各タ−ゲットに直流パワーを印
加して同時スパッタにより成膜し、その組成は、スパッ
タ成膜時の各タ−ゲットのパワ−を変えることにより調
節した。
【００３９】ＧｄＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が１２
０℃でキュリー温度は４００℃以上となる様に設定し
た。
０℃でキュリー温度は４００℃以上となる様に設定し
た。
【００４０】ＴｂＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が室温
以下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
以下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
【００４１】この積層膜を温度を上げながら、磁界０の
時の残留θK を測定したところ、図６に示した様に１５
０℃付近での残留カー回転角が消失し、面内磁化膜とな
ることが確認された。
時の残留θK を測定したところ、図６に示した様に１５
０℃付近での残留カー回転角が消失し、面内磁化膜とな
ることが確認された。
【００４２】（実施例２）次にφ１３０ｍｍのプリグル
ーブのあるポリカーボネイト基板を装着した以外は実験
例１と同じ膜構成の光磁気記録媒体を作成した。次に、
この光磁気記録媒体を用いて、記録再生特性を測定し
た。
ーブのあるポリカーボネイト基板を装着した以外は実験
例１と同じ膜構成の光磁気記録媒体を作成した。次に、
この光磁気記録媒体を用いて、記録再生特性を測定し
た。
【００４３】測定装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に５．８〜１３Ｍ
Ｈｚのキャリア信号を磁界変調方式で書き込み（記録磁
界±３００Ｏｅ）、Ｃ／Ｎ比の記録周波数依存性を調べ
た。再生パワーはＣ／Ｎ比が最大となる様に設定した。
結果を表１に示した。
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に５．８〜１３Ｍ
Ｈｚのキャリア信号を磁界変調方式で書き込み（記録磁
界±３００Ｏｅ）、Ｃ／Ｎ比の記録周波数依存性を調べ
た。再生パワーはＣ／Ｎ比が最大となる様に設定した。
結果を表１に示した。
【００４４】（実施例３）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各タ−ゲ
ットを取り付け、プリグル−ブを設けたポリカーボネイ
ト樹脂基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐ
ａ以下の高真空になるまでチャンバ−内をクライオポン
プで真空排気した。
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各タ−ゲ
ットを取り付け、プリグル−ブを設けたポリカーボネイ
ト樹脂基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐ
ａ以下の高真空になるまでチャンバ−内をクライオポン
プで真空排気した。
【００４５】真空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａ
となるまでチャンバ−内に導入した後、ＳｉＮ層を８２
０Å成膜し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００
Å成膜し、次いで中間層としてＴｂＦｅＣｏＡｌ層を５
０Å成膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を３０
０Å成膜し、次いで保護膜としてＳｉＮ層を７００Å成
膜して、本発明の光磁気記録媒体を作成した。
となるまでチャンバ−内に導入した後、ＳｉＮ層を８２
０Å成膜し、ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００
Å成膜し、次いで中間層としてＴｂＦｅＣｏＡｌ層を５
０Å成膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を３０
０Å成膜し、次いで保護膜としてＳｉＮ層を７００Å成
膜して、本発明の光磁気記録媒体を作成した。
【００４６】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。
【００４７】ＧｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇ
ｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔｂの各タ−ゲットに直流パワーを印
加して同時スパッタにより成膜し、その組成は、スパッ
タ成膜時の各タ−ゲットのパワ−を変えることにより調
節した。
ｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔｂの各タ−ゲットに直流パワーを印
加して同時スパッタにより成膜し、その組成は、スパッ
タ成膜時の各タ−ゲットのパワ−を変えることにより調
節した。
【００４８】ＧｄＦｅＣｏ再生層は、補償温度が１３０
℃でキュリー温度は３５０℃以上となる様に設定した。
℃でキュリー温度は３５０℃以上となる様に設定した。
【００４９】ＴｂＦｅＣｏＡｌ中間層は、補償温度が室
温以下でキュリー温度は１５０℃となる様に設定した。
温以下でキュリー温度は１５０℃となる様に設定した。
【００５０】ＴｂＦｅＣｏ記録層は、補償温度が室温以
下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
【００５１】測定装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは
７．８ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に５．８〜
１２ＭＨｚのキャリア信号を２ＭＨｚおきに磁界変調方
式で書き込み（記録磁界±３００Ｏｅ）、Ｃ／Ｎ比の記
録周波数依存性を調べた。再生パワーはＣ／Ｎ比が最大
となる様に設定した。結果を表１に示した。
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは
７．８ｍＷ、線速度９ｍ／ｓとして、記録層に５．８〜
１２ＭＨｚのキャリア信号を２ＭＨｚおきに磁界変調方
式で書き込み（記録磁界±３００Ｏｅ）、Ｃ／Ｎ比の記
録周波数依存性を調べた。再生パワーはＣ／Ｎ比が最大
となる様に設定した。結果を表１に示した。
【００５２】（比較実施例）再生層を削除し、ＴｂＦｅ
Ｃｏ記録層を８００Åとした以外は実験例２と同様の構
成の光磁気記録媒体を作成し、同様にＣ／Ｎ比の記録周
波数依存性を調べた。結果を表１に示した。表１から、
本発明の方法を採用すると高い記録周波数においても良
好なＣ／Ｎ比が得られることがわかる。
Ｃｏ記録層を８００Åとした以外は実験例２と同様の構
成の光磁気記録媒体を作成し、同様にＣ／Ｎ比の記録周
波数依存性を調べた。結果を表１に示した。表１から、
本発明の方法を採用すると高い記録周波数においても良
好なＣ／Ｎ比が得られることがわかる。
【００５３】（実験例４）実施例３と同様の方法で、以
下の膜厚、組成条件の光磁気記録媒体を作成した。
下の膜厚、組成条件の光磁気記録媒体を作成した。
【００５４】ＳｉＮ層を７８０Å成膜し、ついで再生層
としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次いで中間層と
してＴｂＦｅＣｏＳｉを１００Å成膜し、記録層として
ＴｂＦｅＣｏ層を３００Å成膜し、次いで保護膜として
ＳｉＮ層を７００Å成膜した。
としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次いで中間層と
してＴｂＦｅＣｏＳｉを１００Å成膜し、記録層として
ＴｂＦｅＣｏ層を３００Å成膜し、次いで保護膜として
ＳｉＮ層を７００Å成膜した。
【００５５】ＧｄＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が１１
０℃でキュリー温度は３２０℃となる様に設定した。
０℃でキュリー温度は３２０℃となる様に設定した。
【００５６】ＴｂＦｅＣｏＳｉ層の組成は、補償温度が
室温以下でキュリー温度は１１０℃となる様に設定し
た。
室温以下でキュリー温度は１１０℃となる様に設定し
た。
【００５７】ＴｂＦｅＣｏ層の組成は、補償温度が室温
以下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
以下でキュリー温度は２００℃となる様に設定した。
【００５８】作成後に実施例２、３と同様に記録再生特
性を評価した。結果を表１に示した。
性を評価した。結果を表１に示した。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及び該媒体を用
いた情報再生方法を用いれば、初期化磁石が不要な簡素
な装置（従来の装置）を用いて、ビームスポット径より
小さい磁区の再生が可能となり、高密度記録の達成が可
能となった。
いた情報再生方法を用いれば、初期化磁石が不要な簡素
な装置（従来の装置）を用いて、ビームスポット径より
小さい磁区の再生が可能となり、高密度記録の達成が可
能となった。
【図１】Ａは本発明の光磁気記録媒体の膜構成を示す模
式図 Ｂは本発明の光磁気記録媒体の膜構成の改良形を示す模
式図
式図 Ｂは本発明の光磁気記録媒体の膜構成の改良形を示す模
式図
【図２】図１Ａ図示の光磁気記録媒体を用いた本発明の
情報再生方法を説明する図
情報再生方法を説明する図
【図３】媒体移動時の光スポット周辺の媒体の温度分布
を表す模式図
を表す模式図
【図４】図１のＢ図示の光磁気記録媒体を用いた本発明
の情報再生方法を説明する図
の情報再生方法を説明する図
【図５】再生層の２πＭｓ2 と垂直磁気異方性定数Ｋｕ
の温度依存性の一例を示した図
の温度依存性の一例を示した図
【図６】本発明の光磁気記録媒体のカー回転角の温度依
存性を示した図
存性を示した図
Claims (2)
- 【請求項１】 室温において垂直磁化膜で、昇温すると
面内磁化膜になる第1磁性層と、垂直磁化膜からなる第2
磁性層と、前記第1磁性層と第2磁性層の間にそれらの磁
性層よりキュリー温度が低い垂直磁化膜からなる第3磁
性層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 室温において垂直磁化膜で、昇温すると
面内磁化膜になる第1磁性層と、垂直磁化膜からなる、
情報を蓄積する第2磁性層と、前記第1磁性層と第2磁性
層の間にそれらの磁性層よりキュリー温度が低い垂直磁
化膜からなる第3磁性層を有する光磁気記録媒体から情
報を再生する情報再生方法において、前記媒体に光ビー
ムスポットを照射し、前記スポット内の高温部分におい
ては前記第３磁性層をそれのキュリー温度以上に昇温さ
せると共に、前記第1磁性層を面内磁化膜とし、低温部
分においては前記第1磁性層を垂直磁化膜とすると共に
前記第2磁性層と交換結合させ、前記第1磁性層の磁化を
前記第2磁性層の情報に基づく磁化の方向に対して安定
な方向にならわし、前記スポット内の前記第1磁性層の
垂直磁化膜部分の影響による前記光ビームの磁気光学変
化を検出することにより情報の再生を行うことを特徴と
する情報再生方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05038137A JP3101462B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| EP01201745A EP1143434A3 (en) | 1992-08-28 | 1993-08-24 | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| ES93306690T ES2176194T3 (es) | 1992-08-28 | 1993-08-24 | Soporte de grabacion magnetooptico y metodos de grabacion y reproduccion de informacion que utilizan en soporte de grabacion. |
| DE69331924T DE69331924T2 (de) | 1992-08-28 | 1993-08-24 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Informationsaufzeichungs- und Wiedergabeverfahren damit |
| EP93306690A EP0586175B1 (en) | 1992-08-28 | 1993-08-24 | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| US08/643,833 US5616428A (en) | 1992-08-28 | 1996-05-07 | Magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| US08/774,721 US5889739A (en) | 1992-08-28 | 1997-01-03 | Magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| US09/820,734 USRE38501E1 (en) | 1992-08-28 | 2001-03-30 | Magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05038137A JP3101462B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251445A JPH06251445A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3101462B2 true JP3101462B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=12517043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05038137A Expired - Fee Related JP3101462B2 (ja) | 1992-08-28 | 1993-02-26 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101462B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945228A (en) * | 1996-04-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for reproducing thereof |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP05038137A patent/JP3101462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06251445A (ja) | 1994-09-09 |
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