2^3i5g
A 明説 明發五 暑 赀 明 發 單 億 記 之 中 體 億 記 取 存 機 隨 態 動 〇 在法 種方 一 之 於器 關容 有電 明成 發形 本内 元 億 。 記加 取增 存益 機日 隨求 態需 動良 的改 體之 積器 高容 之電 元 一 單或 億體 記晶 量電 大對 有一 含含 於包 對各 體 ，容 積電 面内 佔 |兀 所單 元億 單記 各少 少減 減步 步一 一 進 進需 需則 必少 ，減 求之 需積。 種面稹 此佔面 足所平 祺元水 了單之 為各器 具 億差 記誤 使體 以軟 容的 電成 的造 大所 分荷 十電 一 訊 要雜 需的 也生 元産 單所 億子 記粒 . α 面因 方於 一 對 另元 單 容億。 電記積 元加面 單增的 億。膜 記比質 成正介 構成電 與積夾 容面所 電的間 之膜極 元質電 單介下 億電上 記夾 。所 率間 阻極 1gBl ipsr 的下 分上 充之 有器 加 增 要 需 容 電 之 元 單 器 容 Β 少 減 要 需 也 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 減積 何面 如的 為膜 題質 間介 器器 水容容 StiE Be 元加 單增 億 _Μ 記而 計 ， 設積 ，面 下平 ,況水 述情的 所述器 上上容 如在電 但 少 積 面 平 說極 方電 比下 ，上 極器 電容 下電 的内 展元 伸單 直億 垂記 成加 形增 出以 提， 經棰 已電 0 下 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 積 面 的 的膜 4 形質21 筒介3-圓電第 一 間案 請 _ 利 專 Ba开 公 本 曰 於 示 掲 提 •111 種 此 號 第 第 及 號 中 號 電 下 形 筒 圓 以 内 元 單 億 記 中 件 元 億 記 取 存 37機 99隨 4-態 第動 、在 號 圖 考 參 將 法 方 統膜 傳化 一 氣 之場 器 ， 容1Α 電圖 成考 形參 極 材 基 體 導 半 在 域 區 性 活 一 定 界 而 成 形 地 性 明 說 以 加 擇 選 域 匾 面 表 的 極 閛 及 膜 化 氣 極 閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（> ) 在場氣化膜2所形成的活性區域中之通道區上選擇性地 形成，源極區3與汲極區4在半導體基材1的表面區域選 擇性地形成，以包夾閘極5下的通道區，一第一中間會 絶緣體6在元件的整個表面上形成以掩埋閘極5，一位元 線通孔在第一中間層絶緣體6内選擇性地形成，使位元 線通孔覆蓋汲極匾4, 一位元線插塞在位元線通孔内形 成以插滿位元線通孔，另一位元線7在第一中間層絶緣 匾6上形成，一第二中間層绝綈體8在元件的整傾表面上 形成以掩埋位元線7, —氮化矽膜10在第二中間層絶綠體 8上形成，一光阻膜11在氮化矽膜10上形成，光阻膜11 圖型化而在源極區3上産生一開口，氮化矽膜10形成一 開口，在光阻膜〗1之開口下面，使用氮化矽膜1 〇作為遮 罩而形成一接觸孔9,穿通第二中間層絶線體8,位元線 7及第中間層絶緣體6到逹源極區3，使源極區3的表面得 以部分曝露。 參考匾1B,在移除了光阻圖型11之後，一第一於膜1 2在 氮化矽膜10上及接觸孔9内形成以缜滿觸孔，第一矽膜 12摻以雜質以增加其導電率。 參者圖1C,以化學氣相沈積法在第一矽膜12上形成氣 化矽膜14, 一光阻膜在氣化矽膜14上形成，然後圖型化 形成光阻圖型13，覆蓋氣化矽膜14。光阻圖型13的中心 與接觸孔的中心對齊。光阻圖型13的水平水平尺寸大於 接觸孔的水平尺寸。 參者圖1D,使用光阻圖型13作為遮軍以選擇性蝕刻氣 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _____»__f___ίΑ______丁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜S3U9 Λ7. _Β7_ 五、發明説明U ) 化矽膜14及第一矽膜12,使氣化矽膜14與第一矽膜12僅 在光阻圖型13下面保留，而覆蓋接«孔9及接觸孔9的週 邊區域。然後移除光阻圖型13。 參考圖1E,厚度在100毫撤米至200毫撤米範圍之第二 矽膜15在元件的整個表面上形成，在氮化矽膜10、第一 矽膜12與氣化矽膜14的垂直側壁以及氣化矽膜14的上表 面擴展，結果，氣化砂膜14由第一與第二氣化矽膜12與 15包圍。 參考圖1F,第二矽膜15接著接受一回蝕，只留下在第 一矽膜12與氣化矽膜14之垂直表面上延伸的第二矽膜15 垂直部分。 參考圖1G,以氟酸蝕刻氣化矽膜14因而形成一下電極 ，包括第二矽膜15的垂直部分與第一 δί?膜12的水平部分。 經濟部中央梂準局I工消费合作社印製 (請先刹讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 參考圖1Η, —電介質膜16在元件的整値表面上形成， 而擴展於氮化矽膜10上及下電極第二矽膜15的垂直外側 壁上，以及第二矽膜15的上面與第二矽膜15的垂直内側 壁上，並在第一矽膜12的上面，因而覆蓋下電極的整値 表面。在電介質暌16的整個表面上形成一上電極17,於 是形成了動態隨機存取記億體中記億單元之電容器。 如上所述，傳統形成記億單元電容器的程序太複雜了 ，此種形成記億單元電容器之程序為何複雜的原因如下 :首先非常難以使用正常照柑平販印刷術形成圓筒型下 霉極所用之精密園型，因為該精密圃型的尺寸小於減縮 曝光之解析度。其次，若形成一環狀圓型，且随後進行 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A 7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印«. 五、發明説明（ 4 ) 1 1 蝕 刻 I 則 因 蝕 刻 程 序 而 出 現 與 m 塞 之 斷 接 0 1 1 上 述 傳 統 形 成 記 億 單 元 電 容 器 之 程 序 太 複 雜 了 t 包 括 1 1 兩 次 形 矽 膜 Λ 兩 次 各 向 異 性 之 乾 式 蝕 刻 程 序 一 次 濕 請 ! 先 1 式 蝕 刻 程 序 〇 此 種 形 成 記 億 單 元 電 容 器 之 程 序 的 複 雜 性 閲 讀 1 使 成 本 增 加 且 因 蝕 刻 程 序 所 産 生 的 殘 餘 及 粒 子 而 使 産 背 1 I 之 1 品 良 率 降 低 〇 注 意 事 1 發 明 項 | 因 此 本 發 明 之 巨 的 在 提 供 一 種 新 穎 的 方 法 以 形 成 圔 % 本 裝 筒 形 之 記 億 單 元 電 容 器 • 不 會 有 上 述 問 題 〇 頁 Nw·· 1 I 本 發 明 上 述 的 及 其 他 的 巨 的 特 色 與 優 點 由 下 面 的 說 1 1 明 時 更 為 清 楚 〇 1 1 本 發 明 提 供 —- 種 新 穎 的 方 法以形成 —- 記 億 αα 卑 元 電 容 器 1 訂 之 環 形 且 垂 直 伸 展 的 下 電 極 • 包 含 下 述 步 驟 —·- 導 電 膜 1 在 一 中 間 層 絶 緣 體 上 形 成 1 一 光 阻 材 料 施 加 於 該 導 電 膜. 1 I 上 以 形 成 一 光 阻 膜 * 使 用 遮 罩 以 照 相 平 販 印 刷 術 將 光 阻 1 I 糢 圖 型 化 1 該 遮 罩 包 括 一 透明板狀物體及 一 相 位 偏 移 膜 1 9 相位偏移膜在透明板狀物體的預定區域上選擇性地設 ί- I 置 * 因 而 在 導 電 膜 上 形 成 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 面 圖 型 » 1 I 導 電 膜 接 受 一 各 向 異 性 蝕 刻 » 其 中 使 用 環 形 且 垂 直 伸 展 1 1 的 光 阻 圖 型 作 為 m 罩 < 以 在 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 (^5f 圖 型 1 下 形 成 一 環 形 且 垂 直 伸 展 的 下 電 極 * 然 後 移 除 瓌 形 且 垂 1 I 直 伸 展 的 光 阻 圔 型 0 1 圖式：簡沭 1 I 本 發 明 優 選 實 例 將 參 考 6 附 圖 詳 加 說 明 〇 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 89〇lS9五、發明説明（r ) 單 億 記 成 形 統 傳 出 示 圖 視 正 面 剖 横 斷 〇 片法 為方 1H之 至器 1A容 圖電 元 第 明 發 本 據 根 出 0 示法 ，方 圖穎 視新 正之 面器 剖容 横電 斷元 Η 單 為億 Ε 2 記 至成 2Α形 圖例 實 其罩 ，遮 時在 罩及 遮以 移 ， 偏異 位差 相佈 及公 罩之 遮幅 常振 正與 用度 使強 當光佈 出上分 示面幅 圖表振 之阻光 3 光上 圖在面 間表 異 差 之 圖時 罩 第 明 發 本 在 當 出 示 圖 之 遮 移 偏 位 相 用 使 中 例 實 圔 佈 分 之 度 強 光 上 面 表 阻 光 在 二 第 明 發 本 據 根 出 0 示法 -方 圖穎 視新 正之 面器 剖容 横電 斷元 Η 單 為億 Ε 5 記 至成 y形 圖例 實 移 三 偏 第 位 明 相 發 一 本 用 C據 使形根 例圔出 實佈示 二分 ， 第之圖 明度視 發強正 本光 據上 根面 當表 出阻 示光 圖在 之 ， 6 時7A 圖罩圖 遮 面 剖 横 斷 片 為 E 7 至 法 方 穎 新 之 器 容 ipir 元 單 億 記 成述 形_MM A »d 之在 器膜 容電 電導 元 一 單 ： 億驟 記步 成列 形下 以含 法包 方 ， 的極 穎電 新下 種的 一 展 供伸 提直 明垂 發且 本形 環 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局工消费合作社印製 成 形 上 體 緣 絶 成圖選 形膜膜 上阻移 膜光镐 電將位 導法柑 到刷一 加印及 料販 ， 材平體 阻相物 光照狀 一 用板 »E 月 罩透 遮一 一 括 用包 使罩 ，遮 層膜該 間阻 ， 中光化 1 一 型 環一 一 受 成接 形膜 而電 因導 ，該 域。 區上 定膜 預電 的導 體於 物型 狀圖 板阻 明光 透的 在展 置伸 設直 地垂 性且 擇形 型 圔 阻 光 的 展 伸 直 i S 且 形 環 用 使 中 其 刻 蝕 之 性 異 向 各 本紙张尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（b ) 作為遮罩，以在環形且垂直伸展的光阻圖型下形成環形 且垂直伸展的下電棰，然後移除環形且垂直伸展的光阻 圖型》 本發明也提供一種形成記億單元電容器之方法，包含 下列步驟：具一開口之第一光阻膜加到一中間層絶緣體 上，中間層絶緣體接受一各向異性之濕式蝕刻，其中使 用第一光阻膜作為遮罩，在中間層絶緣體的上區域中 形成碗狀凹口，中間層絶線體接受一各向同性之乾式蝕 刻，其中使用第一光阻膜作為遮罩，以形成一垂直伸展 的柱狀孔從碗狀凹口向下伸展，其直徑小於碗狀凹口的 直徑，因而形成一接觸孔包括碗狀凹口及垂直伸展的柱 狀孔，然後移除第一光阻膜，形成一導電膜，填滿接觸 孔並擴展於整値中間層絶緣體上，一光阻材料加到導 電膜上形成一光阻膜，使用一遮罩並用照相平販印刷 將光阻膜圖型化，此遮罩包含一透明板狀物體，及一 相位偏移膜選擇性地設在透明板狀物體的預定區域上， 以形成一環形且垂直伸展的光阻圖型於導電膜上，該環 形且垂直伸展的光阻圖型有一垂直外表面，在平面圖中 位於碗狀凹口的周緣外側，並有一垂直内表面，在平面 圖中位於碗狀凹口周緣内側且在垂直伸展的柱狀孔周緣 外側，導電膜接受一各向異性蝕刻，其中使用環形且垂 直伸展的光阻圖型作為遮罩，以形成一下電極，其包含 一環形且垂直伸展的部位在環形且垂直伸展的光阻圖型 下面，一碗狀部位具有一收容在碗狀凹口中之凹面，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --------f--ί 裝------訂------ί (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 2^〇lS9 B7 鍾濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 五、發明説明（ 7 ) 1 1 一 垂 直 伸 展 的 柱 狀 部 位 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 有 一 垂 1 1 直 外 表 面 9 在 平 面 _ 中 位 於 碗 狀 凹 口 的 周 緣 外 側 9 並 有 1 I 一 垂 直 内 表 面 > 在 平 面 圖 中 位 於 碗 狀 凹 口 周 緣 内 側 及 垂 請 1 1 直 伸 展 的 柱 狀 孔 周 緣 外 側 1 移 除 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 先 *閲 1 I / 1 1 圖 型 » 形 成 一 電 介 質 膜 i 其 在 下 電 極 之 環 形 且 垂 直 伸 展 背 \ I 部 位 的 整 痼 表 面 上 擴 展 $ 也 在 中 間 層 絶 緣 體 的 上 表 面 擴 之 注 1 1 I 意 展 * 在 電 介 質 膜 的 整 傾 表 面 上 形 成 第 二 導 電 膜 而 形 成 事 項 1 I 再 1 上 電 極 〇 填 本 發 明 並 提 供 另 一 種 方 法 以 形 成 記 億 單 元 電 容 器 t 包 本 頁 1 含 下 列 步 驟 具 一 開 α 之 第 一 光 阻 膜 在 一 中 間 層 絶 緣 體 1 1 上 形 成 » 中 間 層 絶 綠 體 接 受 一 各 向 同 性 之 乾 式 独 刻 » 其 1 I 中 使 用 第 一 光 阻 膜 作 為 遮 罩 > 以 形 成 一 垂 直 伸 展 的 柱 狀 1 1 訂 1 孔 > 因 而 形 成 一 接 觸 孔 包 括 該 垂 直 伸 展 的 柱 狀 孔 9 移 除 第 一 光 阻 膜 9 形 成 一 導 電 膜 9 镇 滿 接 觸 孔 且 擴 展 於 中 間 1 | 層 绝 緣 體 上 9 一 光 阻 材 料 加 到 導 電 膜 上 而 形 成 一 光 阻 膜 1 1 > 使 用 —_- 遮 罩 並 用 照 相 平 版 印 刷 術 將 光 阻 膜 圖 型 化 1 該 1 丄 遮 罩 包 括 一 透 明 板 狀 物 體 » 及 一 相 位 偏 移 膜 選 擇 性 地 設 I 在 透 明 板 狀 的 物 體 的 預 定 區 域 上 1 以 在 導 電 膜 上 形 成 一環 1 1 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 圖 型 9 此 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 圖 1 | 型 有 一 部 分 位 於 該 垂 直 伸 展 的 柱 狀 孔 上 9 導 電 膜 接 受 一 1 1 各 向 異 性 蝕 刻 • 其 中 使 用 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 圖 型 作 1 1 為 遮 罩 1 以 形 成 下 電 極 > 其 包 含 一 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 1 位 在 環 形 且 垂 直 伸 展 的 光 阻 圖 型 下 面 > 及 一 垂 直 伸 展 的 1 柱 狀 部 位 t 該 環 形 且 垂 直 9 伸 展 的 部 位 有 該 垂 直 伸 展 的 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（21 OX 297公釐） 293lS9 A7 B7 五、發明説明（S ) 柱狀部位向下伸展的部分，移除該環形且垂直伸展的光 阻圖型，形成一電介質膜，在下電極的環形且垂直伸展 的部位之整傾表面上擴展，也在中間層絶緣體的上表面 上擴展.一第二導電膜在電介質膜的整値表面上形成， 因而形成一上電棰。 光阻膜可用一種正光阻膜。 環形且垂直伸展的光阻圖型可為一圓筒形。 而且導霣膜為一接以雜質之矽膜。 此外照相平販印刷術可用波長3 6 5毫徹米之光線進行， 遮罩之尺寸為1.3微米x〇.5徹米，相位餹移膜之寬度為 0 . 35撤米。 照相平販印刷術也可以用波長248毫微米之光線進行， 遮罩之尺寸則為0.7徹米X0.35撤米，相位偏移膜之寬度 為0 . 25撤米。 上述之形成記億單元電容器之新穎程序非常簡單， 只含有一次之矽膜形成，一次之各向異性乾式蝕刻程序 ，及一次之濕式蝕刻程序。此種形成記億單元電容器之 簡翬程序可以解決其成本增加的問題，並且解決因蝕刻 程序所産生的殘餘及粒子所造成産品良率減少的其他問 題。 皤S實便L· 根據本發明之第一實例將參考圖2A至2E, 3及4詳加 說明，圖中所示為在64M動態随機存取記億體中各記億 單元内形成圓筒形霄容器的新穎方法。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 293isg A7 B7 五、發明説明（9 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 參考圖2A,在半導體基材1的表面區域中以矽之局部 氣化而選擇性地形成場氣化膜2,由場氣化膜2圍撓界 定一活性區。在此活性區的一部分上選擇性地形成一閘 氣化膜及一閘極5。源極與汲極區3與4選擇性地形成， 比方説以自我對齊技術使用閘棰作為遮罩，使源極與汲 極區3與4包夾一在閘極5下的通過區。為了隔離閘極 5, —第一高溫氣化膜及一硼磷矽酸鹽玻璃膜依次在元 件的整傾表面上形成，且接受一溫度範園在7 5 Ο υ至9 0 0 t 之回火，而诰成硼磷矽酸鹽玻璃材料之再流動，因而得 到一平坦表面之硼雔矽酸鹽玻璃膜。結果形成一第一中 間層絶綠體6 ,覆蓋源極與汲極區3與4以及場氣化膜 2 ,而掩埋閛極5。一通孔在汲極4上面的第一中間 層絶緣體6中形成，一以耐火金屬如矽化鎢WSi所製成 之導電膜沈積於通孔内及第一中間層絶緣體δ上面，然 後導電膜以照相平販印刷術圖型化而形成位元線7, 一 未摻雜的矽酸鹽玻璃膜及一硼磷矽酸鹽玻璃膜以化學氣 相沈積法形成，然後接受一溫度範圍在7501C至900*0之 回火，使硼磷矽酸鹽玻璃材料重新流動，因而得到一平 坦表而之硼磷矽酸鹽玻璃膜。此外並在溫度範圍400C 至500 1C使用化學氣相沈積法採用矽烷氣體（S〖H 4 )及氧 氣（02 )形成厚度在ΙΟΟηΒ至300η·範圍之未摻雜的矽酸 隳玻璃膜。結果形成一第二中間層絶緣體8,覆蓋位元 線7及第一中間層绝線體6。光阻膜加到第二中間層绝 緣體8的整値表面上，然後用照相平販印刷術圖型化形 -11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 請 *閲 之 注
I 本衣 頁 訂 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 10 ) 1 1 成 一 光 阻 圖 型 11 • 光 阻 面 圖 型 11有 一 孔 位 於 源 極 匾 3 的 上 1 1 面 〇 第 二 中 間 層 絶 緣 體 8 經 由 光阻圖型11的孔而部分曝 1 1 露 9 使 m 光 阻 圖 型 11使第二中 間 層 絶 緣 體 8 的 曝 露 部 分 /«-V 請 1 先 1 接 受 一 各 向 同 性 之 濕 式 蝕 刻 9 用 氟 酸 在 第 二 中 間 層 絶 緣 閱 I 一 讀 I 體 8 的 上 區 域 中 形 成 碗 狀 開 口 » 隨 後 進 行 一 各 向 異 性 之 背 1 I 之 1 蝕 刻 形 成 一 1 m * 於 是 形 成 一 接 觸 孔 9 · 包括碗狀 注 意 1 開 Ρ 及 碗 狀 開 P 下 面 的 垂 直 開 P t 穿 透 第 二 中 間 層 絶 緣 事 項 再 1 體 8 t 位 元 線 7 及 第 一 中 間 層 绝 m 體 6 , 使源極區3 的 填 寫 本 一 部 分 經 由 接 觸 孔 9 而 得 以 曝 露 ο 頁 1 I 參 考 圖 2B * 使 用 包 含 m 酸 鹽 及 矽 烷 (乙矽烷）之氣體条 1 1 統 進 行 一 低 壓 化 學 氣 相 沈 積 法 而 沈 積 — 第 一 矽 膜 12 9 其 1 1 磷 濃 度 在 0 . 5E20原子/ c C 至 1 . 0E20原子 / C C 的 範 圍 内 * 1 訂 厚度為500η m , 使第- -矽膜12填谋接觸孔9 9 並擴展於 1 第 二 中 間 層 絶 緣 體 8 之 上 Ο 1 | 一 正 光 阻 加 到 元 件 的 整 傾 表 面 上 9 然 後 使 用 相 位 m 移 1 I 網 線 作 為 遮 罩 以 照 相 平 板 印 刷 術 圖 型 化 〇 圖 3 示 出 當 使 1 L 用 正 常 遮 罩 及 相 位 偏 移 遮 罩 時 > 光 阻 表 面 上 的 光 強 度 分 | 佈 • 以 及 當 使 用 正 常 遮 軍 及 相 位 m 移 遮 罩 時 > 光 阻 表 面 1 I 上 的 光 振 幅 分 佈 〇 此 外 $ 圖 3 示 出 當 使 用 正 常 遮 罩 及 相 1 1 位 編 移 遮 蓽 時 « 遮 罩 表 面 上 的 光 振 幅 分 佈 〇 正 常 遮 罩 在 1 匾 域 B 上 設 置 一 光 屏 敝 膜 « 其 餘 區 域 A m 對 光 線 透 明 〇 1 1 相 位 偏 移 遮 罩 在 區 域 B 上 設 置 一 透 明 的 相 位 镐 移 膜 t 其 1 餘 區 域 A 也 對 光 線 透 明 • 但 不 産 生 任 何 相 位 m 移 1 從 園 1 I 3 可 以 瞭 解 在 正 常 遮 罩 中 之 區 域 B 上 幾 乎 沒 有 光 線 通 過 1 1 -1 2 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） B7 鋰濟部中央標準局貝工消费合作社印*. 五、發明説明（ I / ) 1 1 » 但 在 相 位 偏 移 遮 罩 中 之 區 域 B 上 光 線 被 相 位 偏 移 且 可 1 1 通 過 〇 當 使 用 相 位 偏 移 遮 罩 時 » 在 區 域 A 與 Β 上 傳 送 的 1 1 光 線 互 相 反 相 9 結 果 在 區 域 A 與 B 間 邊 界 之 光 阻 表 面 上 /***>· 請 1 ! > 互 相 反 相 的 光 線 互 相 抵 消 9 使 區 域 A 與 B 間 邊 界 出 現 先 .閲 i# 1 1 一 黑 暗 部 分 〇 此 即 表 示 若 區 域 A 的 形 狀 為 i=£s» 兀 全 長 方 形 f t •η 背 A 1 I 之 1 圓 形 或 橢 圓 形 時 9 則 在 光 阻 表 面 出 現 近 似 於 區 域 A 形 狀 注 1 意 ί 的 環 形 圖 形 〇 事 項 1 I 再 1 人 圖 4 示 出 當 使 用 相 位 偏 移 網 線 作 為 遮 罩 時 t 出 現 在 光 4 寫 本 阻 遮 罩 上 的 光 強 度 分 佈 9 其 中 使 用 波 長 為 3 6 5 η B1之發射； 頁 1 射 線 的 光 源 9 所 用 相 位 偏 移 遮 罩 之 大 小 為 1 . 3微米X 0 .5 1 1 徹 米 $ 且 設 有 寬 度 為 0 . 3 5微米之相位偏移膜 〇 相位偏移 1 I 膜 設 在 區 域 B 上 t 在 其 餘 的 區 域 A 上 則 不 設 相 位 偏 移 膜 1 1 〇 開 口 NA的數字等於 0 . 6 3 9 6 = 0 . 3。 在這些條件下， it 1 將 光 阻 膜 以 照 相 平 販 印 刷 術 曝 光 1 適 當 設 定 曝 光 值 使 實 1 I 線 所 表 示 的 部 位 不 威 光 〇 於 是 在 後 缠 的 顯 影 中 » 實 線 所 1 1 表 示 的 正 光 阻 部 位 保 持 原 狀 〇 1 1 回 頭 參 考 圖 2 c 加 到 第 一 矽 膜 1 2上 的 光 阻 以 上 述 方 式 I 曝 光 9 随 後 顯 影 形 成 一 環 形 且 具 垂 直 伸 展 壁 的 光 阻圖 1 1 1 3 〇 光 阻 圖 型 1 3的垂 直 伸 展 壁 之 垂 直 内 表 面 位 於 第 一 矽 1 I 膜 1 2碗狀部位周邊 ----- 内 側 9 且 在 第 一 矽 膜 1 2垂 直 伸 展 部 位 1 I 周 邊 外 側 Ο 光 阻 圖 型 1 3的垂直伸展壁有 一 垂 直 外 表 面 位 1 1 於 第 一 矽 膜 1 2碗狀 部 位 周 邊 外 側 Ο I 參 考 圖 2D 使 用 光 阻 圖 型 1 3作為 —— fcb 方 說 各 向 異 性 蝕 1 -1 3 - 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（a ) 刻之遮罩，羅擇性移除第一矽膜12,因而形成一下電極 ，包括一在接觸孔9之垂直孔部位内之垂直姐展部-收， 一碗狀部位在接觸孔9的碗狀開口内有一凹部及一垂直 'v-------- 伸展部位在光阻圖型13下方形成環狀。對於下電極12, 該環形的垂直伸展部位有一垂直内表面，位於碗狀部位 凹部之對應外端，及一垂直外表面位於碗狀部位周緣外 側。然後移除光阻圖型13。使用一稀釋的氣酸溶液移除 下霄搔12的自生性氣化塗膜表面。為了避免自生性氣化 膜再次形成，在溫度範圍8501C至900¾之氛氟中進行30 秒到60秒之快速加熱氮化。 參考圖2E，生長一厚度在5nm至7nm範圍之氮化的矽膜 ，在下電極12的整艏表面上及第二中間層絶緣體8上伸 展，此氮化矽膜在溫度範圍8001C至900¾之蒸氣下接受 一高溫氣化反_10分鐘到30分鐘，因而形成一 Si〇2/ Si3N4電介質膜16,在下電極12的整錮表面上及第二 中間層絶緣體8的上表面上延伸。以低壓化學氣相沈積 法在S〖〇2 / Si3 H4電介質膜16的整値表面上沈積一厚 度為150nm之第二矽膜17,以熱擴散法在850C的溫度下 將磷引入第二矽膜17中10分鐘到15分鐘以形成上電極17 ，結果記億體電容器以上述方式形成。 上述形成記億單元霣容器的方法可應用於位於位元線 下面的記億單元電容器。 没有任何雜質的第一矽膜可用上述之同樣方式預先形 成，然後以將璘引入第二矽膜的相同方式引入雜質如磷 -1 4- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（210X 297公釐） ^^1-^^^1 n^i ^^^1 m· n ml —^ϋ (nn I、一OJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（u ) 等 性 同 。向 上各 膜之 質後 介隨 電合 於結 積刻 沈蝕 膜式 矽濕 二之 第性 的異 磷向 雜各 摻以 已 9' 將孔 可觸 亦接 一 位 保部 確的 在展 是伸 由直 理垂 的且 位形 部環 口成 開形 狀序 碗程 成刻 形蝕 且用 ，所 成供 形限 刻遴 蝕的 式大 乾較 使直 這垂 ，其 部與 底位 的部 位展 部伸 狀直 碗垂 孔之 觸形 接環 逹極 到電 度下 深在 刻能 蝕可 止不 防12 而極 ，下 包 只 單 簡 此 如 序 程 穎 新 的 。器 裂容 斷電 間.元 之單 位億 部記 狀成 柱形 的述 展上 伸 及程 , 單 序簡 程的 刻器 蝕容 式電 乾元 之單 性億 異記 向成 各形 次種 一 此 成序 形程 膜刻 矽蝕 之式 次濕 1 次 含一 所 序 程 〇 刻題 蝕問 因的 他少 其減 決率 解良 並品 ，産 題之 問成 的造 加所 增子 本粒 成及 其餘 決殘 解之 可生 序産 說内 加元 詳單 6 億 圖記 及各 5E之 至體 5A億 圖記 考取 參存 將機 例隨 實態 二動 第6M 之25 明在 發為 本中 據圖 根 ， 明 筒一 圓1 成 形 器 容
Hr mV nn ^^^1 ^ϋ (請先-M讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 圖 考 參 矽 的 部 局 以 域 區 面 表 。之 法一 1 方一材 顆I基 新一體 之一導 半 一 在 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 5 極 閘1 及 2’膜 膜化 化氣 氣極 場閘 成一 形 。 地區 性性 擇活 選一 而定 化界 氣澆 琛 2 膜 化 氣 場 此 由 而 已 性 活 在 地 性 擇 選 4 與 3 區 極 汲 與 區 極 源 源離 使隔 ，了 軍為 遮。 為區 作道 極通 閘的 用面 使下 術 5 技極 齊閘 ，對夾 成我包 形自 4 地以與 性説 3 擇方匾 選比極 上，汲 分成與 部形極 及 膜 化 氣 溫 高1 第 成 形 上 面 表 傾 整 -的 5,件 掙元 閛在 次 P 順50 膜？ 璃 玻 鹽 酸 矽 磷 硼 受 接 後 然 圍 範 度 溫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（14 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 到900P之回火，使硼磷矽酸鹽玻璃材料重新流動，因 而獲得一平坦表面之硼磷矽酸鹽玻璃膜，結果形成一第一 中間靥絶線體6.覆蓋源掻區3與汲極區4以及場氣化 膜2,因而掩埋閘極5。在汲極區4上面第一中間層絶緣 體6中形成一通孔，一以耐火金靨如矽化鎢WSi製成的 導電膜沈積於通孔内及第一中間層絶緣體6上，導電膜 接箸以照相平販印刷術圖型化形成位元線7。一未摻雜 的矽酸鹽玻瑰膜及一硼磷矽酸鹽玻璃膜以化學氣相沈積 法形成，然後接受一溫度範圍750t：到9001C之回火，使 硼雔矽酸鹽玻璃材料重新流動，因而獲得一平坦表面之 硼磷矽酸鹽玻璃膜。而且，採用化學氣用沈積法使用矽 烷氣體（SiiU )及氣氣（02 )在溫度4001到5001的範圍街 中形成厚度範圍在lOOnm至300nm之未摻雜的矽酸鹽玻璃 膜，結果形成一第二中間層絶緣體8,覆蓋位元線7及 第一中間層絶緣體6。一光阻膜加到第二中間層絶緣體8 的整個表面上.然後以照相平販印刷術圖型化形成一光 阻圖型11 .而有一孔位於源極區3上面。第二中間層絶 緣體8經由光阻圖型11之孔而部分曝露，使用光阻圖型 11使第二中間層絶緣體8的曝露部分接受一各向同性之 氟酸濕式蝕刻，而在第二中間層絶緣體8的上面區域形 成一碗狀開口。随後實施一各向異性蝕刻以形成一垂直 開口，因而形成一接瞄孔9,包括該碗狀開口，碗狀開口 下方之垂直開口，穿通第二中間層絶絲體8,位元線7與 — _丨 - 第一中間靥絶緣體6,使部分源棰區3經由接觸孔9而 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0·〆297公釐） A7 B7 s^SlS9 五、發明説明（) 曝露出夾。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考圖5B,進行一低壓化學氣相沈積方法，使用包含 礎酸鹽及矽烷或乙矽烷之氣體糸統沈積一第一矽膜12, 碟濃度範圍為0.5E20原子/ cc至1.0E20原子/ cc,厚度 為500nm,使第一矽膜12«谋接觸孔9並延伸於第二中間 厣絶狳體8上。 一正光阻加到元件的整値表面上，然後以照相平販印 刷術使用相位偏移網線作為遮軍而圖型化。 圖6繪出當使用相位偏移網線作為遮罩時，出現在光 阻遮罩上的光強度分佈，其中使用發出KrF雷射，波長 為248nm之光源。所使用的相位偏移遮罩尺寸為0.7w m x〇.35w®,且具有一 〇 .25uni寬度之相位偏移膜。此相 位偏移膜置於區域B上.而非相位饍移膜則置於其餘的 區域A上，開口 NA的數字等於0.60, σ = 0.3,在這些 條件下，將光阻膜以照相平販印刷術曝光，適當地設定 曝光值使實線所表示的部位不感光，於是在後绩的顯影 中，實線所表示的正光阻部分保持不變。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印笨 固頭參考圖5C,第一矽膜12上所加的光阻以前述之方 式曝光，隨後顯影形成一環形且具垂直伸展壁之光阻圖 塑13,此光阻圖型13的垂直伸展壁有一垂直内表面，位 於第一矽膜12之碗狀部位周端之内側，且在第一矽膜12 之垂直伸展部位周端外側。光阻圖型13的垂直伸展壁之 垂直外表面刖位於第一矽膜1 2之碗狀部位周端外側。 參考圖5D,使用光阻圖型13作為遮罩作一比方說各向 -17- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2SS15b A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（ vb ) 1 1 異 性 之 蝕 刻 9 選 擇 性 地 移除 第 一 矽 膜 12 $ 因 而 形 成 —‘ 下 1 1 電 極 t 包 括 在 接 觸 孔 9 的垂 直 孔 部 位 内 的 垂 直 伸 展 部 位 1 1 9 接 觸 孔 9 的 碗 狀 開 P 内之 有 一 凹 部 的 碗 狀 部 位 » 及 一 請 1 1 在 光 阻 圖 型 1 3下方之環 形且 垂 直 伸 展 的 部 位 〇 下 電 極 12 先 閲 1 1 中 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位有 —* 垂 直 内 表 面 ， 位 於 碗 狀 部位 背 1 I 凹 部 之 對 應 外 端 9 及 __- 垂直 外 表 面 位 於 碗 狀 部 位 周 緣 外 之 注 1 1 意 • I 側 0 然 後 移 除 光 阻 匾 型 13, 使 用 稀 釋 的 氟 酸 溶 液 移 除 下 事 項 1 I 再 1 電 極 1 2的 白 生 性 氣 化 塗 膜表 面 為 7 避 免 再 次 形 成 3 一 白 生 性 氣 化 膜 t 在 氨 氣中 以 8 5 0 °C 至 9 0 0 °C 之 溫 度 範 寫 本 頁 1 圍作30秒到60秒之快速加熱氮化 〇 1 1 參 考 圖 5E 9 生 長 一 厚 度範 圍 在 5 η β到7nm之氮化矽膜 9 1 I 延 伸 於 下 電 極 1 2的整値表面及第 二 中 間 層 絶 緣 體 8 上 〇 1 1 訂 1 此 氮 化 矽 膜 在 蒸 氣 溫 度 8 0 0 °C 到 9 0 0 °C 的 範 圍 内 接 受 —‘ 高 溫 氣 化 反 應 1 0分鐘到3 0分鐘 因 而 形 成 一 Si 0 1 / S i Ξ N 4 1 | 電 介 質 膜 1 6 9 延 伸 於 下 電極 1 2的整個表面 及 第 二 中 間 層 1 1 絶 緣 體 8 的 上 表 面 上 〇 一厚 度 為 1 5 0 η m之第二矽膜17以低 丄 I 壓化學氣相沈積法沈積於S i 0 2 / S i : 3 N 4 電 介 質 膜 1 6的 整 値 表 面 上 〇 以熱擴散法在850 °C的溫度下將磷引入第 1 1 二 矽 膜 17内 1 0分鐘到 15分鐘而 形 成 上 電 極 1 7 9 結 果 記 億 1 | 體 電 容 器 以 上 述 方 式 形 成。 1 1 上 述 形 成 記 億 單 元 電 容器 之 方 法 可 應 用 於 位 於 位 元 線 [ 1 下 方 的 記 億 αο 卑 元 之 電 容 器。 1- I 沒 有 任 何 雜 質 之 第 矽膜 可 以 上 述 相 同 的 方 式 預 先 形 1 成 然 後 以 將 磷 引 入 第 二矽 膜 的 相 同 方 式 將 磷 等 雜 質 引 1 1 -1 8 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） 2 Q 315 9 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ ) 1 1 入 其 中 Ο 1 1 也 可 以 將 已 摻 雜 磷 的 第 二 矽 膜 沈 積 於 電 介 質 膜 上 〇 1 1 接 m ?L 9 以 各 向 異 性 之 濕 式 蝕 刻 與 後 缠 的 各 向 同 性 乾 ^-V 請 1 先 1 式 蝕 刻 組 合 形 成 碗 狀 開 Π 部 位 的 理 由 是 確 保 —- 較 大 的 邊 -閲 讀 1 的 部 / 背 I 限 供 蝕 刻 程 序 使 用 以 形 成 環 形 且 垂 直 伸 展 位 1 因 而 i 之 1 避 免 蝕 刻 深 度 到 達 接 觸 孔 之 碗 狀 部 位 底 部 • 這 使 下 電 極 注 意 1 r 12在其環形 且 垂 直 伸 展 部 位 與 其 垂 直 伸 展 的 柱 狀 部 位 間 項 1 不 可 能 能 斷 裂 〇 填 窝 本 今、 上 述 形 成 記 億 單 元 電 容 器 的 新 穎 程 序 如 此 簡 單 • 包 含 賁 1 I 一 次 矽 膜 形 成 ) 一 次 各 向 異 性 之 乾 式 蝕 刻 程 序 9 及 一 次 1 1 m 式 蝕 刻 程 序 〇 這 種 形 成 記 億 單 元 之 電 容器的簡單程.序 1 1 可 解 決 其 成 本 增 加 的 間 題 » 並 解 決 因 蝕 刻 程 序 所 産 生 的 1 訂 殘 餘 及 粒 子 使 産 品 良 率 降 低 的 其 他 間 題 〇 1 根 據 本 發 明 之 第 二 實例將參考圖7Α至7Ε詳加說明 * 圖 1 1 中 為在64M動態隨機存取記億體中各記億單元内形成圓 1 I 筒 形 電 容 器 的 新 穎 方 法 〇 1 1 參 者 圖 7A 1 在 一 半 導 體 基 材 1 之 表 面 區 域 以 局 部 的 矽 1 氣 化 m 擇 性 地 形 成 場 氣 化 膜 2 9 由 此 場 氣 化 膜 2 環 嬈 界 1 I 定 一 活 性 區 0 一 閘 極 氣 化 膜 及 一 閘 極 5 在 部 分 活 性 區 上 1 1 選 擇 性 地 形 成 * 使 用 閘 搔 作 為 遮 罩 以 白 我 對 齊 技 術 選 擇 1 ! 性 地 形 成 源 極 區 3 與 汲 極 匾 4 , 使源極區3 與汲_區4 包 1 L 1 夾 蘭 極 5 下 方 的 通 道 區 〇 為 了 隔 離 閛 極 5 » 在 元 件 的 整 値 表 面 上 順 次 形 成 一 第 一 高 溫 氣 化 膜 及 一 硼磷矽酸鹽玻 1 I 璃 膜 9 然 後 接 受 一 溫度範圍7 5 0 C至9 0 0 C 之 回 火 • 造 成 1 I -1 9- 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210 X㈧7公釐） 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（d ) 硼礙矽酸馥玻璃材料之重新流動，因而獲得一平坦表面 之硼磷矽酸鹽玻璃膜，結果形成一第一中間層絶緣醱6, 覆蓋源楝區3與汲極區4以及場氣化膜2,因而掩埋閘 極5。在汲極區4上面的第一中間層绝緣體6中形成一 通孔，一耐火金屬如矽化鎮WSi所製之導電膜沈積於通 孔内及第一中間層絶緣體6上，然後以照相平販印刷術 將導電膜圖型化形成位元線7, —未摻雜的矽酸裔玻璃 膜及一硼雔矽酸鹽玻璃膜以化學氣相沈積法形成，然後 接受一溫度範圍7501C至8001C之回火，使硼礎矽酸鹽玻 璃材料重新流動.因而得到一平坦表面之硼礎矽酸鹽玻 璃膜。而且，厚度在lOOnm到300nm之未摻雜的矽酸鹽玻 璃膜使用矽烷氣體（SiH4 )及氣氣（〇2 )在溫度範圍400">0 到500¾下採用化學氣相沈積法形成。结果形成第二中間 層絶緣體8 ,覆蓋位元線7及第一中間層絶緣體6。一 光阻膜加到第二中間層絶緣皚3的整値表面上，然後以 照相平販印刷術圖型化形成一光阻圖型11，具有一孔位 於源極區3上面。第二中間層絶緣體8經光阻圖型11之 孔而部分曝露，使用此光阻圖型11將第二中間層絶緣體 8的曝露部分接受一各向異性蝕刻以形成一垂直開口， 因而形成一接觸孔9,包含垂直開口穿通第二中間層絶 緣體8,位元線7及第一中間層絶緣體6 ,使部分源極 區3經由接觸孔9而得以曝露。 參考圖7B,進行一低®化學氣相沈積法.使用含磷及 矽烷或乙矽烷之氣體糸統沈積一第一矽膜12,其磷濃度 -20 - 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） ^^1- ^^^1 H^I —^ϋ I km· if nm mu Ink mu 一eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ύ^159 α7 Β7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 五、發明説明（19 ) 1 1 在0 . 5Ε20原子/ C C 至 1 . 0E20原子/ c c • 厚度為500η η , 1 1 I 使 第 一 矽 膜 1 2填滿接觸孔9 並 延 伸 於 第 二 中 間 層 絶 緣 醴 1 1 8 上 〇 /·—V 請 1 I 先 1 一 正 光 阻 加 到 元 件 的 整 個 表 面 上 I 然 後 以 照 相 平 販 印 1 / 背 I 刷 術 使 用 相 位 傾 移 網 線 作 為 遮 罩 而 圃 型 化 〇 & | 之 1 回 頭 參 考 圖 7C 9 將 加 到 第 一 矽 膜 1 2的光阻加以 曝 光 $ 注 1 事 Γ 随 後 顯 影 形 成 一 環 形 且 具 垂 直 伸 展 壁 之 光 阻 nar 圖 型 13 〇 項 | 光阳.圖型1 3之瓌形且垂 直 伸 展 壁 有 部 分 位 於 第 . 矽 膜 填 寫 本 1 12的 垂 直 伸 展 部 位 上 面 • 垂 直 伸 展 壁 此 部 分 有 —- 垂 直 外 I I 表 而 « 位 於 第 一 矽 膜 12的垂 直 伸 展 部 位 周 端 外 側 • 垂 直 1 1 伸 展 壁 此 部 分 亦 有 一 垂 直 内 表 面 9 位 於 第 一 矽 膜 1 2的 垂 1 1 直 伸 展 部 位 内 端 内 側 〇 1 訂 參 考 圖 7D • 使 用 光 阻 圖 型 13作為遮 罩 進 行 一 各 向 異 性 1 蝕 刻 以選擇性地移除第 一 矽 膜 12 • 因 而 形 成 一 下 電 極 < 1 1 包 括 接 觸 孔 9 的 垂 直 孔 部 位 内 垂 直 伸 展 的 柱 狀 部 位 及 1 I 光 阻 圖 型 13下 方 之 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 〇 下 電 極 1 2中 1 1 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 有 一 垂 直 外 表 面 位 於 第 一 矽 膜 12 1 的 垂 直 伸 展 部 位 固 端 外 側 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 亦 有 1 I 一 垂 直 内 表 面 位 於 第 一 矽膜1 2的垂直伸展部位内端内側。 1 1 然 後 移 除 光 阻 圖 型 1 3 9 使 用 一 稀 釋 的 氟 酸 溶 液 移 除 下 1 1 霄 極 1 2的 白 生 性 氣 化 塗 膜 表 面 Ο 為 避 免 再 次 形 成 另 一 白 1 1 生 件 氣 化 膜 < 在 氨 氣 中 以 850C 至 900t! 之 溫 度 範 圍 作 一 ί 快 速 加熱氮化3 0秒到6 0秒 〇 1 I 參 考 圖 7E , 生 長 一 厚 度 5 η m至7 η η 之 氮 化 矽 膜 t 在 下 電 1 1 I -2 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 五、發明説明（ 叫 1 1 極 1 2的 整 個 表 面 上 及 第 二 中 間 層 絶 緣 體 8 上 延 伸 t 此 氮 1 1 化 矽 膜 在 溫 度 範 圍 8001C 到 900TC 的 蒸 氣 中 接 受 一 高 溫 氣 1 1 化 反 應 10分 鐘 到 30分 鐘 » 因 而 形 成 一 Si 0 ί ./ S 1 Ξ N 4 電 請 1 先 1 介 質 膜 16 1 在 下 電 極 12的 整 m 表 面 上 及 第 二 中 間 層 絶 緣 閱 讀 1 I 體 8 的 上 表 面 上 延 伸 〇 厚 度 為 150η m之第二矽膜1 7以低 背 1 | 之 1 壓 化 學 氣 相 沈 積 法 沈 積 於 Si 0 2 / S 1 Ξ N 4 電 介 質 膜 1 6的 注 意 1 Γ 整 個 表 面 上 〇 以 熱 擴 散 在 850 υ的溫度下將磷引入第二 項 1 再 >1 X V9 膜 17 1 0分鐘到15分鐘而形成上電極1 7 , 結果記億體 寫 — 本 I 電 容 器 以 上 述 方 式 形 成 〇 頁 '—^ 1 I 上 述 形 成 記 億 cao 单 元 電 容 器 的 方 法 可 應 用 於 位 於 位 元 線 1 1 下 而 的 記 億 βα 單 元 電 容 器 η 1 1 η 有 任 何 雜 質 的 第 - 矽 膜 可 以 上 述 相 同 方 式 預 先 形 成 1 訂 然 後 以 相 同 於 將 磔 引 入 第 二 矽 膜 之 方 式 將 m 等 雜 質 引 1 λ 其 中 〇 1 也 可 以 將 已 雜 磷 的 第 二 矽 膜 沈 積 於 電 介 質 膜 上 〇 1 I 接 觸 孔 9 以 各 向 異 性 之 濕 式 蝕 刻 與 隨 後 的 各 向 同 性 之 1 1 乾 式 蝕 刻 組 合 形 成 碗 狀 開 □ 部 位 的 理 由 在 確 保 一 較 大 的 | 邊 限 供 蝕 刻 程 序 使 用 以 形 成 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 1 因 1 1 而 避 免 蝕 刻 深 度 到 逹 接 觸 孔 的 碗 狀 部 位 底 部 % 這 使 下 電 1 1 極 1 2之 環 形 且 垂 直 伸 展 的 部 位 與 其 垂 直 伸 展 的 柱 狀 部 位 1 不 會 斷 裂 〇 1 | 上 述 形 成 記 億 單 元 電 容 器 的 新 穎 程 序 如 此 簡 單 t 包 含 1 一 次 矽 膜 形 成 * 一 次 各 向 異 性 之 乾 式 蝕 刻 程 序 • 及 一 次 1 I 濕 式 蝕 刻 程 序 Cl 此 種 形 成 記 億 單 元 電 容 器 的 簡 單 程 序 可 1 I -22- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐〉 A7 B7 五、發明説明（μ ) 解決其成本增加的間題，並解決因蝕刻程序所産生的殘 餘及粒子所造成的産品良率降低的其他問題。- 本發明之各種修正例對本行一般專家而言十分清楚， 亦颶於本發明，應瞭解的是以圖示方式所示出及所說明 的實例絶非意圖視為具有限制意味。因此，申請專利範 圍企圖涵括所有落於本發明精神與範圍内之所有修正例。 請 先 -閱 背 之 注 意
I 旁 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉