TW202418374A - 用於cmos元件的接觸層之選擇性覆蓋 - Google Patents

Abstract

一種在半導體結構中形成電觸點的方法，包括執行圖案化製程以在半導體結構上形成硬遮罩，該半導體結構包括第一半導體區域、第二半導體區域、在該第一半導體區域上具有第一開口和在該第二半導體區域上具有第二開口的介電層，其中該硬遮罩覆蓋該第一開口內的該第一半導體區域的暴露表面，執行第一選擇性沉積製程以在該第二開口內的該第二半導體區域的暴露表面上形成接觸層，以及執行第二選擇性沉積製程以在該接觸層上形成覆蓋層。

Description

用於CMOS元件的接觸層之選擇性覆蓋

本文所述之實施例大體上係關於半導體元件製造，更特定而言係關於在半導體結構內形成觸點之系統和方法。

多閘極金屬氧化物半導體場效電晶體（multi-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; MOSFET），例如互補金屬氧化物半導體（complementary metal-oxide semiconductor; CMOS）元件，由於其三維（3D）設計和小尺寸，所以具有製造挑戰。在進階的CMOS元件中，在溝槽觸點的底部形成的含矽材料（例如，摻硼的p型矽鍺或摻磷的n型矽）的磊晶層經常用於將接觸電阻率降低到10 ^-9Ω·cm ²範圍，並實現進階CMOS技術所需的效能。典型地，p型磊晶層由具有高鍺（Ge）濃度的矽鍺（SiGe）形成，例如濃度在約60%和約80%之間，或在某些情況下為100%，以便最小化接觸電阻。然而，具有高鍺（Ge）濃度的矽鍺（SiGe）磊晶層對氧化以及對濕法蝕刻化學物質敏感，因此可以在隨後的製程步驟中移除。

因此，需要能夠形成覆蓋材料以保護具有高鍺（Ge）濃度的矽鍺（SiGe）磊晶層免受氧化和污染之方法和系統。

本揭示案之實施例提供了一種在半導體結構中形成電觸點的方法。該方法包括執行圖案化製程以在半導體結構上形成硬遮罩，該半導體結構包括第一半導體區域、第二半導體區域、在該第一半導體區域上具有第一開口和在該第二半導體區域上具有第二開口的介電層，其中該硬遮罩覆蓋該第一開口內的第一半導體區域的暴露表面，執行第一選擇性沉積製程以在該第二開口內的第二半導體區域的暴露表面上形成接觸層，以及執行第二選擇性沉積製程以在該接觸層上形成覆蓋層。

本揭示案之實施例還提供了一種在半導體結構中形成電觸點的方法。該方法包括在半導體結構的暴露表面上執行預清潔製程，該半導體結構包括第一半導體區域、第二半導體區域、在第一半導體區域上具有第一開口和在第二半導體區域上具有第二開口的介電層，其中半導體結構的暴露表面安置在第一開口內的第一半導體區域上和在第二開口內的第二半導體區域上，執行圖案化製程以在第一開口內的第一半導體區域的暴露表面上形成硬遮罩，執行蝕刻製程以在第二半導體區域的暴露表面處形成凹槽，執行第一選擇性沉積製程以在第二開口內的第二半導體區域的暴露表面上形成接觸層，執行第二選擇性沉積製程以在接觸層上形成覆蓋層，執行移除製程以移除硬遮罩，執行第三選擇性沉積製程以在第一半導體區域的暴露表面和覆蓋層上形成金屬層，以及執行金屬填充製程以在第一開口中形成第一接觸插塞和在第二開口中形成第二接觸插塞，其中第一選擇性沉積製程和第二選擇性沉積製程在不破壞真空環境的情況下進行。

本揭示案之實施例還提供一種處理系統。該處理系統包括第一處理腔室、第二處理腔室、第三處理腔室和系統控制器，該系統控制器經配置為使該處理系統在該第一處理腔室中執行圖案化製程以在半導體結構上形成硬遮罩，該半導體結構包括第一半導體區域、第二半導體區域、在該第一半導體區域上具有第一開口和在該第二半導體區域上具有第二開口的介電層，其中該硬遮罩覆蓋在該第一開口內的第一半導體區域的暴露表面上，在該第二處理腔室中執行第一選擇性沉積製程以在該第二開口內的第二半導體區域的暴露表面上形成接觸層，並且在該第三處理腔室中執行第二選擇性沉積製程以在該接觸層上形成覆蓋層。

本文所述之實施例提供了用於形成觸點的方法和系統，該觸點包括在用於形成CMOS元件的結構的選定部分（例如，在矽層或矽鍺層的暴露表面上）處的含矽材料（例如，摻硼的p型矽鍺或摻磷的n型矽）的磊晶層。該等方法和系統可特別用於在具有包括矽的區域、包括矽鍺的區域和在其上形成的介電層的半導體結構中，在形成於介電層中的開口或特徵（例如，接觸溝槽）內的矽鍺材料的暴露表面上選擇性地形成包括矽鍺的磊晶層。本文所述之製程經配置成形成覆蓋層以保護在半導體結構中形成的觸點免受氧化和污染。

第1圖是根據本揭示案之一或多個實施例的多腔室處理系統100的示意性俯視圖。處理系統100大體上包括工廠介面102、裝載閘腔室104、106、具有各自傳送機器人112、114的傳送腔室108、110、保持腔室116、118和處理腔室120、122、124、126、128、130。如本文所詳述的，處理系統100中的基板可以在各種腔室中處理並在各種腔室之間轉移，而不會將基板暴露於處理系統100外部的周圍環境（例如，諸如可能存在於晶圓廠中的周圍大氣環境）。例如，在處理系統100中對基板執行的各種製程中，可以在保持在低壓（例如，小於或等於約300托）或真空環境下的各種腔室中處理基板並在這些腔室之間轉移，而不會破壞低壓或真空環境。因此，處理系統100可以提供用於基板的一些處理的整合解決方案。

可根據本文提供的教示進行適當修改的處理系統的實例包括Endura®、Producer®或Centura®整合處理系統或可從位於加州聖克拉拉市的應用材料公司商購的其他合適的處理系統。可以設想，其他處理系統（包括來自其他製造商的處理系統）可以適於受益於本文所述的態樣。

在如第1圖所示的實例中，工廠介面102包括塢站132和工廠介面機器人134，以促進基板的轉移。塢站132適於接受一個或多個前開式晶圓傳送盒（front opening unified pod; FOUP）136。在一些實例中，每個工廠介面機器人134大體上包括安置在各自工廠介面機器人134的一端上的刀刃138，該刀刃138適於將基板從工廠介面102轉移到裝載閘腔室104、106。

裝載閘腔室104、106具有耦合到工廠介面102的各自埠140、142和耦合到傳送腔室108的各自埠144、146。傳送腔室108還具有耦合到保持腔室116、118的各自埠148、150，以及耦合到處理腔室120、122的各自埠152、154。類似地，傳送腔室110具有耦合到保持腔室116、118的各自埠156、158，以及耦合到處理腔室124、126、128、130的各自埠160、162、164、166。埠144、146、148、150、152、154、156、158、160、162、164、166可以是例如帶有狹縫閥的狹縫閥開口，用於藉由傳送機器人112、114使基板穿過該等狹縫閥開口，並且用於在各自腔室之間提供密封以防止氣體在各自腔室之間通過。大體上，任何埠都可以打開用於轉移基板從中穿過。否則，埠關閉。

裝載閘腔室104、106、傳送腔室108、110、保持腔室116、118和處理腔室120、122、124、126、128、130可以流體地耦合到氣體和壓力控制系統（未具體示出）。氣體和壓力控制系統可以包括一個或多個氣泵（例如渦輪泵、低溫泵、粗加工泵）、氣源、各種閥和流體連接到各種腔室的導管。在操作中，工廠介面機器人134經由埠140或142將基板從FOUP136轉移到裝載閘腔室104或106。然後，氣體和壓力控制系統抽氣裝載閘腔室104或106。氣體和壓力控制系統進一步保持傳送腔室108、110和保持腔室116、118具有內部低壓或真空環境（其可包括惰性氣體）。因此，裝載閘腔室104或106的抽氣有助於基板在例如工廠介面102的大氣環境和傳送腔室108的低壓或真空環境之間通過。

在基板處於已經抽氣的裝載閘腔室104或106中的情況下，傳送機器人112經由埠144或146將基板從裝載閘腔室104或106傳送到傳送腔室108中。然後，傳送機器人112能夠經由各自埠152、154將基板傳送到處理腔室120、122用於處理，和經由各自埠148、150將基板傳送到保持腔室116、118用於保持以等待進一步傳送，和/或在該等腔室中的任何一個之間傳送基板。類似地，傳送機器人114能夠經由埠156或158接取保持腔室116或118中的基板，並且能夠經由各自埠160、162、164、166將基板傳送到處理腔室124、126、128、130用於處理，和經由各自埠156、158將基板傳送到保持腔室116、118用於保持以等待進一步傳送，和/或在該等腔室中的任何一個之間傳送基板。可以在由氣體和壓力控制系統提供的低壓或真空環境中，在各種腔室內和在各種腔室間轉移和保持基板。

處理腔室120、122、124、126、128、130可以是用於處理基板的任何合適的腔室。在一些實例中，處理腔室120能夠執行蝕刻製程，處理腔室122能夠執行清潔製程，處理腔室124能夠執行選擇性移除製程，並且處理腔室126、128、130能夠執行各自的磊晶生長製程。處理腔室120可以是可從加州聖克拉拉市的應用材料公司獲得的Selectra™蝕刻腔室。處理腔室122可以是可從加州聖克拉拉市的應用材料公司獲得的SiCoNi™預清潔室。處理腔室126、128或130可以是可從加州聖克拉拉市的應用材料公司獲得的Centura™磊晶室。

系統控制器168耦合到處理系統100，用於控制處理系統100或其部件。例如，系統控制器168可以使用對處理系統100的腔室104、106、108、110、116、118、120、122、124、126、128、130的直接控制或者藉由控制與腔室104、106、108、110、116、118、120、122、124、126、128、130相關的控制器來控制處理系統100的操作。在操作中，系統控制器168使得能夠從各個腔室收集和反饋資料，以協調處理系統100的執行。

系統控制器168大體上包括中央處理單元（central processing unit; CPU）170、記憶體172和支援電路174。CPU 170可以是可以在工業環境中使用的任何形式的通用處理器之一。記憶體172或非暫時性電腦可讀媒體可由CPU 170存取，並且可以是諸如隨機存取記憶體（random access memory; RAM）、唯讀記憶體（read only memory; ROM）、軟碟、硬碟或本端或遠端的任何其他形式的数位儲存器中的一個或多個。支援電路174耦合到CPU 170，並且可以包括快取記憶體、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源等。本文揭示之各種方法大體上可以在CPU 170的控制下藉由CPU 170執行作為例如軟體常式儲存在記憶體172（或特定處理腔室的記憶體）中的電腦指令代碼來實現。當電腦指令代碼由CPU 170執行時，CPU 170控制腔室以根據各種方法執行處理。

其他處理系統可以採用其他配置。例如，更多或更少的處理腔室可以耦合到傳送裝置。在所示的實例中，傳送裝置包括傳送腔室108、110和保持腔室116、118。在其他實例中，更多或更少的傳送腔室（例如，一個傳送腔室）和/或更多或更少的保持腔室（例如，沒有保持腔室）可以實現為處理系統中的傳送裝置。

第2A圖是根據一或多個實施例的處理腔室200的橫截面圖，其適於執行如下文詳述的預清潔製程。處理腔室200可以是第1圖所示的處理腔室122。第2B圖是第2A圖的處理腔室200的一部分的放大圖。

處理腔室200可特別用於執行熱或基於電漿的清潔製程和/或電漿輔助的乾式蝕刻製程。處理腔室200包括腔室主體202、蓋組件204和支撐組件206。蓋組件204安置在腔室主體202的上端，且支撐組件206至少部分安置在腔室主體202內。真空系統可用於從處理腔室200移除氣體。真空系統包括耦合到安置在腔室主體202中的真空埠210的真空泵208。處理腔室200還包括用於控制處理腔室200內的製程的控制器212。

蓋組件204包括適於向處理腔室200內的處理區域214提供前驅物氣體和/或電漿的堆疊部件。第一板216耦合到第二板218。第三板220耦合到第二板218。蓋組件204可以連接到電源（未示出），用於將電漿供應到形成在蓋組件204中的錐形腔室222。蓋組件204還可以連接到遠端電漿源224，遠端電漿源224在蓋堆疊的上游產生電漿。遠端電漿腔（例如，第2A~2B圖中的處理區域214、第一板216和第二板218）經由遠端電漿源224耦合到氣體源226（或者在沒有遠端電漿源224的情況下，氣體源226直接耦合到蓋組件204）。氣體源226可以包括適於提供氦、氬或其他惰性氣體的氣體源。在一些配置中，由氣體源226提供的氣體可以被激發成電漿，該電漿藉由使用遠端電漿源224被提供給蓋組件204。在替代實施例中，氣體源226可以提供在被引入到安置在處理腔室200內的基板表面之前可以由遠端電漿源224激活的處理氣體。參照第2B圖，錐形腔室222具有開口228，該開口228允許形成的電漿從遠端電漿源224流到形成在蓋組件204的第四板232中的容積230。

在蓋組件204的一些配置中，藉由施加從電漿源傳遞的能量，在錐形腔室222內產生電漿。在一個實例中，可以藉由偏置蓋組件204以將RF、VHF和/或UHF能量電容耦合到位於錐形腔室222中的氣體來提供能量。在蓋組件204的這種配置中，可以不使用遠端電漿源224，或者不安裝在蓋組件204內。

形成在第四板232中的中心導管234適於經由第五板236將從容積230提供的電漿產生的物種提供到形成在蓋組件204的第六板240中的混合腔室238。中心導管234經由第五板236中的開口242與混合腔室238連通。開口242的直徑可以小於、大於或等於中央導管234的直徑。在第2B圖的實施例中，開口242具有與中心導管234相同的直徑。

第四板232還包括入口244和246，它們適於向混合腔室238提供氣體。入口244耦合到第一氣源248，且入口246耦合到第二氣源250。第一氣體源248和第二氣體源250可以包括處理氣體以及惰性氣體，例如惰性氣體，例如氬和/或氦，用作載送氣體。第一氣體源248可以包括氨（NH ₃）以及氬（Ar）。第二氣體源250可以含有含氟氣體、含氫氣體或其組合。在一個實例中，第二氣體源250可以含有氟化氫（HF）以及氬（Ar）。

如第2B圖所示，在一些配置中，入口244經由圓柱形通道252（以虛線示出）和形成在第五板236中的孔254耦合到混合腔室238。入口246經由圓柱形通道256（以虛線示出）和形成在第五板236中的孔258耦合到混合腔室238。形成在第五板236中的孔254、258的尺寸大體上使得它們能夠使從它們各自的氣體源248、250提供的氣體均勻地流入混合腔室238。在一種配置中，孔258的直徑小於由形成在第四板232中的圓柱形通道256的相對側壁限定的開口的寬度。孔258通常圍繞圓柱形通道256的中心線的圓周分佈，以提供進入混合腔室238的均勻流體流。在一種配置中，孔254的直徑小於由形成在第四板232的圓柱形通道252的相對側壁限定的開口的寬度。孔254通常圍繞圓柱形通道252的中心線的圓周分佈，以提供進入混合腔室238的均勻流體流。

入口244和246提供各自的流體流動路徑，橫向穿過第四板232，轉向並穿透第五板236到達混合腔室238。蓋組件204還包括第七板或第一氣體分配器260，其可以是氣體分配板，例如噴頭，其中混合在蓋組件204中的各種氣體流過形成在其中的穿孔262。穿孔262與混合腔室238流體連通，以提供從混合腔室238穿過第一氣體分配器260的流動路徑。回到第2A圖，在蓋組件204的下方安置阻障板264和氣體分配板，例如第二氣體分配器266，其可以是氣體分配板，例如噴頭。

或者，可利用不同的清潔製程來清潔基板表面。例如，含有氦（He）和氨（NH ₃）的遠端電漿可以經由蓋組件204引入處理腔室200，而氨（NH ₃）可以經由單獨的氣體入口268直接注入處理腔室200，該氣體入口268安置在室主體202的一側並耦合到氣體源（未示出）。

支撐組件206可包括基板支撐件270，以在處理期間在其上支撐基板272。基板支撐件270可以藉由軸276耦合到致動器274，軸276延伸穿過形成在腔室主體202底部的位於中心的開口。致動器274可以藉由波紋管（未示出）可撓地密封到腔室主體202，波紋管防止圍繞軸276的真空泄漏。致動器274允許基板支撐件270在腔室主體202內在處理位置和裝載位置之間垂直移動。裝載位置略低於形成在腔室主體202的側壁中的通道（未示出）的開口。

基板支撐件270具有平坦或基本上平坦的基板支撐表面，用於支撐要在其上處理的基板272。基板支撐件270可以藉由致動器274在腔室主體202內垂直移動，致動器274藉由軸276耦合到基板支撐件270。對於一些製程操作，基板支撐件270可以升高到緊鄰蓋組件204的位置，以控制正在處理的基板272的溫度。因此，基板272可經由從第二氣體分配器266或另一輻射源發射的輻射，或經由從第二氣體分配器266穿過中間氣體的對流或傳導而被加熱。在一些製程步驟中，基板可以安置在升舉銷278上，以執行額外的熱處理操作，例如執行退火步驟。

第3圖是根據一或多個實施例的處理腔室300的橫截面圖，其適於執行如下所述的磊晶（Epi）沉積製程。處理腔室300可以是如第1圖所示的處理腔室126、128或130。

處理腔室300包括由耐製程材料製成的外殼結構302，該耐製程材料例如鋁或不鏽鋼，例如316L不鏽鋼。外殼結構302封閉處理腔室300的各種功能元件，例如石英腔室304，其包括上石英腔室306和下部石英腔室308，其中含有處理容積310。藉由氣體分配組件312將反應性物種提供給石英腔室304，並且藉由出口埠314從處理容積310中移除處理副產物，出口埠314通常與真空源（未示出）連通。

基板支撐316適於接收被傳送到處理容積310的基板318。基板支撐件316沿着處理腔室300的縱軸320安置。基板支撐件316可以由陶瓷材料或塗覆有矽材料（例如碳化矽）的石墨材料或其他耐製程材料製成。來自前驅物反應物材料的反應性物種被施加到基板318的表面322，並且副產物可以隨後從基板318的表面322移除。基板318和/或處理容積310的加熱可以由輻射源，例如上燈模組324A和下部燈模組324B來提供。

在一個實施例中，上燈模組324A和下部燈模組324B是紅外（IR）燈。來自燈模組324A和324B的非熱能或輻射行進穿過上石英腔室306的上石英窗口326，並穿過下石英腔室308的下石英窗口328。如果需要，用於上石英腔室306的冷卻氣體經由入口330進入並經由出口332離開。前驅物反應物材料以及用於處理腔室300的稀釋劑、凈化和排放氣體通經由氣體分配組件312進入並經由出口埠314離開。雖然上石英窗口326被示出為彎曲的或凸的，但是上石英窗口326可以是平面的或凹的，因為上石英窗口326兩側的壓力基本上相同（即，大氣壓）。

處理容積310中的低波長輻射係用於激發反應性物種並幫助反應物的吸附和製程副產物從基板318的表面322的脫附，該低波長輻射通常範圍為約0.8 µm至約1.2 µm，例如約0.95 µm至約1.05 µm之間，提供各種波長的組合，這取決於例如正在磊晶生長的膜的組成。

組分氣體經由氣體分配組件312進入處理容積310。氣體從氣體分配組件312流出，並經由出口埠314離開，如大體上由流動路徑334所示。用於清潔/鈍化基板表面或形成正在磊晶生長的含矽和/或含鍺膜的組分氣體的組合通常在進入處理容積310之前混合。處理容積310中的總壓力可以經由出口埠314上的閥（未示出）來調節。處理容積310的內表面的至少一部分被襯墊336覆蓋。在一個實施例中，襯墊336包括不透明的石英材料。以這種方式，腔室壁與處理容積310中的熱量絕緣。

處理容積310中的表面溫度可藉由冷卻氣體的流動與來自位於上石英窗口326上方的上燈模組324A的輻射相結合而控制在約200℃至約600℃或更高的溫度範圍內，該冷卻氣體經由入口330進入並經由出口332離開。藉由調節未示出的鼓風機單元的速度，以及藉由來自安置在下石英腔室308下方的下燈模組324B的輻射，可以將下石英腔室308中的溫度控制在約200℃至約600℃或更高的溫度範圍內。處理容積310中的壓力可以在約0.1托至約600托之間，例如在約5托至約30托之間。

基板318的表面322上的溫度可以藉由對下石英腔室308中的下燈模組324B的功率調節來控制，或者藉由對覆蓋上石英窗口326的上燈模組324A和下石英腔室308中的下燈模組324B兩者的功率調節來控制。處理容積310中的功率密度可以在約40 W/cm ²至約400 W/cm ²之間，例如約80 W/cm ²至約120 W/cm ²。

在一個態樣中，氣體分配組件312垂直於處理腔室300或基板318的縱軸320或相對於處理腔室300或基板318的縱軸320沿徑向338安置。在該方位中，氣體分配組件312適於使處理氣體沿徑向338穿過或平行於基板318的表面322流動。在一個處理應用中，處理氣體在引入到處理腔室300的點被預熱，以在引入到處理容積310之前啟動氣體的預熱，和/或打破氣體中的特定鍵。以這種方式，可以獨立於基板318的熱溫度來改質表面反應動力學。

在操作中，用於形成矽（Si）和矽鍺（SiGe）毯覆或選擇性磊晶膜的前驅物從一個或多個氣體源340A和340B提供到氣體分配組件312。IR燈342（第3圖中僅示出一個）可用於加熱氣體分配組件312內以及沿着流動路徑334的前驅物。氣體源340A、340B可以以適於促進氣體分配組件312內的引入區域的方式耦合到氣體分配組件312，例如當從頂視平面圖向內觀察時，徑向外部區域和外部區域之間的徑向內部區域。氣體源340A、340B可以包括閥（未示出）以控制引入到區域中的速率。

氣體源340A、340B可包括矽前驅物，例如矽烷，包括矽烷（SiH ₄）、二矽烷（Si ₂H ₆）、二氯矽烷（SiH ₂Cl ₂）、六氯二矽烷（Si ₂Cl ₆）、二溴矽烷（SiH ₂Br ₂）、高級矽烷、其衍生物及其組合。氣體源340A、340B還可以包括含鍺的前驅物，例如鍺烷（GeH ₄）、二鍺烷（Ge ₂H ₆）、四氯化鍺（GeCl ₄）、二氯鍺烷（GeH ₂Cl ₂）、其衍生物及其組合。含矽和/或鍺的前驅物可與氯化氫（HCl）、氯氣（Cl ₂）、溴化氫（HBr）及其組合結合使用。氣體源340A、340B可以包括氣體源340A、340B中的一個或兩個中的一或多種含矽和鍺的前驅物。

前驅物材料在該激發態下經由穿孔板346中的開口或孔344（第3圖中僅示出一個）進入處理容積310，在一個實施例中，穿孔板346是石英材料，其中孔344穿過穿孔板346形成。穿孔板346對IR能量是透明的，並且可以由清透石英材料製成。在其他實施例中，穿孔板346可以是對IR能量透明並且耐製程化學物質和其他處理化學物質的任何材料。被激勵的前驅物材料穿過穿孔板346中的孔344並穿過通道348（第3圖中僅示出了一個）流向處理容積310。來自IR燈342的一部分光子和非熱能也通過孔344、穿孔板346和通道348，這得益於安置在氣體分配組件312的內表面上的反射材料和/或表面，從而照亮前驅物材料的流動路徑334。以這種方式，可以沿着流動路徑從引入到處理容積310的點保持前驅物材料的振動能量。

第4圖描繪了根據本揭示案之第一實施例的在半導體結構500中形成接觸層的方法400的製程流程圖。第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖、第5E圖、第5F圖、第5G圖和第5H圖是對應於方法400的各種狀態的半導體結構500的一部分的橫截面圖。應當理解，第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖、第5E圖、第5F圖、第5G圖和第5H圖僅示出了半導體結構500的部分示意圖，並且半導體結構500可以含有任何數量的電晶體部分和具有圖中所示態樣的附加材料。還應注意，儘管按順序描述了第4圖中所示的方法，但是包括已經被省略和/或添加的、和/或已經以另一期望順序重新排列的一個或多個操作的其他製程序列落入本文提供的本揭示案之實施例的範疇內。

參照第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖、第5E圖、第5F圖、第5G圖和第5H圖，半導體結構500可以包括形成在基板（未示出）上的第一電晶體元件502和第二電晶體元件504。

本文使用的術語「基板」係指用作後續處理操作的基礎的材料層，並包括待清潔的表面。根據需要，基板可以是矽基板料或任何合適的絕緣材料或導電材料。基板可以包括諸如晶體矽（例如，Si＜100＞或Si＜111＞）、氧化矽、應變矽、鍺矽、摻雜或未摻雜的多晶矽、摻雜或未摻雜的矽晶圓和圖案化或未圖案化的晶圓、絕緣體上矽（silicon on insulator; SOI）、摻碳的氧化矽、氮化矽、摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃或藍寶石的材料。

如第5A圖所示，形成在基板上的複數個第一電晶體元件中的第一電晶體元件502的一部分包括由第一材料形成的第一半導體區域506。形成在基板上的複數個第二電晶體元件中的第二電晶體元件504的一部分包括由第二材料形成的第二半導體區域508。第一和第二材料包括具有不同組成的材料，使得可以相對於第一材料選擇性地蝕刻第二材料（即，第二材料的蝕刻速率高於第一材料的蝕刻速率）。第二材料的蝕刻選擇性（即，第二材料的蝕刻速率與第一材料的蝕刻速率之比）在約10：1至500：1之間。第一材料和第二材料的示例組合分別包括矽（Si）/矽鍺（SiGe）、鍺（Ge）/矽鍺（SiGe）、或矽（Si）/鍺錫（GeSn）。

第一半導體區域506可以摻雜有n型摻雜劑，例如磷（P）、銻（Sb），濃度在約10 ²⁰cm ^-3和5×10 ²¹cm ^-3之間，這取決於第一電晶體元件502的期望導電特徵。第二半導體區域508可以摻雜p型摻雜劑，例如硼（B）或鎵（Ga），其濃度在約10 ²⁰cm ^-3和約5×10 ²¹cm ^-3之間，這取決於第二電晶體元件504的期望導電特性。

半導體結構500還包括介電層510，介電層510具有形成在每個第一半導體區域506上的第一開口512和形成在每個第二半導體區域508上的第二開口514。介電層510可以由介電材料形成，例如二氧化矽（SiO ₂）或氮化矽（Si ₃N ₄）。

第一半導體區域506和第二半導體區域508可以使用任何合適的沉積技術形成，例如磊晶（Epi）沉積、化學氣相沉積（chemical vapor deposition; CVD）、原子層沉積（atomic layer deposition; ALD）或物理氣相沉積（physical vapor deposition; PVD），並且開口512和514藉由圖案化技術形成，例如微影術和蝕刻製程。

方法400從方塊410中的預清潔製程開始。預清潔製程可以在處理腔室中進行，例如第1圖所示的處理腔室122或如第2圖所示的處理腔室200。

預清潔製程經配置為移除污染物，例如在第一開口512內的第一半導體區域506的暴露表面和在第二開口514內的第二半導體區域508的暴露表面上形成的天然氧化物層或圖案化殘留物（例如碳氟化合物）。預清潔製程用於製備第一開口512內的第一半導體區域506的暴露表面和第二開口514內的第二半導體區域508的暴露表面，在隨後的磊晶沉積製程中，磊晶層可以形成在該些暴露表面上。

預清潔製程可包括各向異性遠端電漿輔助乾式蝕刻製程，例如使用由包括氬（Ar）、氦（He）或其組合的氣體形成的電漿的反應性離子蝕刻（reactive ion etching; RIE）製程。電漿流出物定向轟擊並移除第一開口512和第二開口514內的剩餘介電層。

預清潔製程可以包括各向同性電漿蝕刻製程，例如SiCoNi™乾式化學蝕刻製程，使用由包括氨（NH ₃）、三氟化氮（NF ₃）、氟化氫（HF）或其組合的氣體和例如氮氣（N ₂）、氫氣（H ₂）或其組合的載送氣體形成的電漿。乾式化學蝕刻製程對於氧化物層是具有選擇性的，因此不容易蝕刻矽、鍺或氮化物層，而不管這些層是否為非晶的、晶體的還是多晶的。氧化物相對於矽或鍺的乾式化學蝕刻製程的選擇性至少為約3:1，並且通常為5：1或更好，有時為10：1。乾式化學蝕刻製程對氧化物相對於氮化物也有很高的選擇性。乾式化學蝕刻製程相對於氮化物的選擇性為至少約3:1，通常為5：1或更好，有時為10：1。

預清潔製程可包括電感耦合電漿（inductively coupled plasma; ICP）蝕刻製程，該電感耦合電漿（ICP）蝕刻製程使用由包括氯（Cl ₂）和氫（H ₂）的氣體和包括氬（Ar）和氦（He）的載送氣體形成的電漿。ICP蝕刻製程用於在矽中形成具有光滑側壁的深脊。

在方塊420中，執行圖案化製程以在第一半導體區域506上方的介電層510的第一開口512內形成硬遮罩516，從而覆蓋第一開口512內的第一半導體區域506的暴露表面，如第5B圖所示。圖案化製程可以在處理腔室中進行，例如第1圖所示的處理腔室126、128或130。圖案化製程可以使用任何習知沉積製程來執行，例如化學氣相沉積（CVD）製程、物理氣相沉積（PVD）製程、原子層沉積（ALD）製程和旋塗製程，並且隨後使用覆蓋硬遮罩516的圖案化光阻劑層（未示出）藉由習知光微影製程來圖案化。

硬遮罩516可以由正矽酸乙酯（tetra-ethyl-orthosilicate; TEOS）或氧氮化矽（SiON）形成，並且具有約500 nm和約2 µm的厚度。

在方塊430中，執行蝕刻製程在第二開口514內的第二半導體區域508的暴露表面處形成凹槽508A，如第5C圖所示。蝕刻製程可以在蝕刻腔室中進行，例如第1圖所示的處理腔室120。

凹槽508A可以具有V形、U形或任何其他形狀，並且擴大要形成在第二半導體區域508和要形成在第二開口514內的金屬接觸插塞之間的接觸層的接觸面積，以最小化寄生電阻。

在方塊440中，執行第一選擇性沉積以磊晶地在凹槽508A內和在第二開口514內的第二半導體區域508的暴露表面上形成接觸層518，如第5D圖所示。第一選擇性沉積可以在處理腔室中進行，例如第1圖所示的處理腔室126、128或130，或者第3圖所示的處理腔室300。

接觸層518形成為第二半導體區域508和要形成在第二開口514內的金屬接觸插塞之間的介面，以最小化寄生電阻。接觸層518由第三材料形成。第三材料的實例包括鍺（Ge）比率範圍在20%和100%之間，例如，在約60%和約80%之間，在約60%和約100%之間，或在約80%和約100%之間的矽鍺（SiGe）。接觸層518可以摻雜p型摻雜劑，例如硼（B）或鎵（Ga），濃度在約10 ²⁰cm ^-3和5×10 ²¹cm ^-3之間，這取決於接觸層518的期望導電特性。

在一些實施例中，第一選擇性沉積包括磊晶沉積製程和蝕刻製程。第一選擇性沉積中的選擇性可由第二半導體區域508（例如，矽鍺（SiGe））上的第三材料與介電層510（例如，二氧化矽（SiO ₂）或氮化矽（Si ₃N ₄））的暴露表面上的第三材料的成核的差異引起。當半導體結構500在沉積製程中暴露於沉積氣體時，在第二半導體區域508（例如，矽鍺（SiGe））上的成核可以比在介電層510（例如，二氧化矽（SiO ₂）或氮化矽（Si ₃N ₄））的暴露表面上更快的速率發生，並且因此，第三材料的磊晶層可以選擇性地形成在第二半導體區域508（例如，矽（Si）或矽鍺（SiGe））的暴露表面上，而第三材料的非晶層可以形成在介電層510（例如，二氧化矽（SiO ₂）或氮化矽（Si ₃N ₄））的暴露表面上。在隨後的蝕刻製程中，形成在介電層510的暴露表面上的第三材料的非晶層可以藉由適當的蝕刻氣體以比形成在第二半導體區域508的暴露表面上的第三材料的磊晶層更快的速率被蝕刻。因此，磊晶沉積製程和蝕刻製程組合的總體結果可以是第三材料在第二半導體區域508的暴露表面上的磊晶生長，同時最小化第三材料在介電層510的暴露表面上的生長（如果有的話）。

在一些實施例中，沉積氣體包括含矽前驅物、含鍺前驅物和摻雜劑源。該含矽前驅物可包括矽烷（SiH ₄）、二矽烷（Si ₂H ₆）、四矽烷（Si ₄H ₁₀）或其組合。含鍺前驅物可以包括鍺烷（GeH ₄）、四氯化鍺（GeCl ₄）和二鍺烷（Ge ₂H ₆）。取決於接觸層518的期望導電特性，摻雜劑源可以包括例如硼或鎵。摻雜劑源可以包括前驅物二硼烷（B ₂H ₆）。蝕刻氣體包括蝕刻劑氣體和載送氣體。蝕刻劑氣體可以包括含鹵化物的氣體，例如氯化氫（HCl）、氯（Cl ₂）或氟化氫（HF）。載送氣體可以包括氮氣（N ₂）、氬氣（Ar）、氦（He）或氫氣（H ₂）。

第一選擇性沉積可在低於約450℃的低溫和5托至600托的壓力下進行。

可以根據需要重複磊晶沉積和蝕刻製程的循環，以獲得接觸層518的期望厚度。接觸層518的厚度可以在約30埃和約100埃之間。

在方塊450中，執行第二選擇性沉積製程以在接觸層518上形成覆蓋層520，如第5E圖所示。第二選擇性沉積製程可以在處理腔室中執行，例如第1圖所示的處理腔室126、128或130，或第3圖所示的處理腔室300，或用於方塊440中的第一選擇性沉積的相同處理腔室。方塊440中的第一選擇性沉積和方塊450中的第二選擇性沉積製程可以在不破壞多腔室處理系統中的真空環境的情況下進行，例如第1圖所示的多腔室處理系統100。

覆蓋層520可以保護接觸層518在從磊晶製程過渡到後續製程（例如矽化和圖案化）期間免受大氣環境中的氧化和污染，同時保持穿過接觸層518的電連接，減少寄生電阻。覆蓋層520可以由第一金屬材料形成，例如鉬（Mo）、釕（Ru）或其矽化物。

在一些實施例中，第二選擇性沉積製程包括化學氣相沉積（CVD）製程和蝕刻製程。

在一些實施例中，在沉積製程中使用的沉積氣體包括金屬源，例如含鉬（Mo）的鹵化物前驅物，或包括釕（Ru）的含釕（Ru）的有機金屬。第二選擇性沉積製程可以在約240℃和約450℃之間的溫度和3°托和300°托之間的壓力下進行。例如，在沉積製程期間，氬（Ar）氣體可以約0 sccm和約1000 sccm之間的流動速率供應，並且氫氣（H ₂）氣體可以約500 sccm和約15000 sccm之間的流動速率供應。

可根據需要重複第二選擇性沉積製程的循環，以獲得覆蓋層520的期望厚度，例如，在約5倍和約1000倍之間。

在方塊460中，執行移除製程以移除硬遮罩516，如第5F圖所示。移除製程可以是在蝕刻腔室中執行的適當蝕刻製程，例如第1圖所示的處理腔室120。

在方塊470中，執行第三選擇性沉積製程以在覆蓋層520上形成金屬層522，如第5G圖所示。第三選擇性沉積製程可以在處理腔室中進行，例如第1圖所示的處理腔室126、128或130，或者第3圖所示的處理腔室300。

金屬層522接觸覆蓋層520，並在要形成在第二開口514內的接觸插塞和第二半導體區域508之間提供電連接，同時經由其保持電連接。金屬層522可以由第二金屬材料形成，例如鈦（Ti）、鈷（Co）、鎳（Ni）、鉬（Mo）或鉭（Ta）或其矽化物。

在一些實施例中，第三選擇性沉積製程包括沉積製程，例如磊晶沉積、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等，以及蝕刻製程。

在一些實施例中，在沉積製程中使用的沉積氣體包括金屬源，例如含有鈦（Ti）、鉭（Ta）、鈷（Co）、鎳（Ni）或鉬（Mo）或其組合的前驅物。第三選擇性沉積製程可以在約300℃和約800℃之間的溫度和1°托和50°托之間的壓力下進行。

在第三選擇性沉積製程中，阻障金屬層524也可以形成在第一開口512和第二開口514的暴露內表面以及介電層510的暴露表面上。阻障金屬層524保護金屬層522，並允許接觸插塞在第一開口512和第二開口514中成核和生長。阻障金屬層524可以由阻障金屬材料形成，阻障金屬材料是氮化鈦（TiN）或氮化鉭（TaN）。在一些實施例中，金屬層522是藉由使用尖峰退火製程由阻障金屬層524的一部分形成的矽化物層。

在方塊480中，執行金屬填充製程以在第一開口512中形成第一接觸插塞526並在第二開口514中形成第二接觸插塞528，如第5G圖所示。第一接觸插塞526和第二接觸插塞528可以由接觸插塞金屬材料形成，例如鎢（W）、鈷（Co）、釕（Ru）或鉬（Mo）。第一接觸插塞526和第二接觸插塞528可以包括具有期望功函數的金屬。方塊470中的金屬填充製程可包括在諸如第1圖所示的處理腔室126、128或130的處理腔室中使用諸如WF ₆的含鎢前驅物或含鈷前驅物的化學氣相沉積（CVD）製程。

在金屬填充製程之後，可以藉由使用化學機械平坦化（chemical mechanical planarization; CMP）製程來平坦化半導體結構500。

本文描述的實施例提供了用於在電晶體結構的選定部分上的溝槽內形成接觸磊晶層和在接觸磊晶層上形成覆蓋層以保護接觸磊晶層免受氧化和污染的方法和系統。接觸溝槽結構包括形成在相鄰元件模組之間的溝槽內的金屬接觸插塞，以及介接於接觸插塞與元件模組中的基於矽通道之間的觸點。觸點藉由選擇性沉積形成，減少了寄生電阻。金屬接觸插塞藉由沉積-蝕刻-沉積製程形成無孔隙，降低了接觸電阻。接觸磊晶層可以是在p型MOS元件（例如，矽鍺）的暴露表面上形成的p型矽鍺，而在n型MOS（例如，矽）或在p型MOS元件和n型MOS元件上形成的介電層上可以不形成磊晶層。由於覆蓋層，減少了對製造的接觸磊晶層的損傷。

儘管前述內容針對本揭示案之實施例，但在不脫離本揭示案之基本範疇的情況下，可以設計本揭示案之其他和進一步的實施例，並且本揭示案之範疇由隨後的申請專利範圍決定。

100:多腔室處理系統 102:工廠介面 104:裝載閘腔室 106:裝載閘腔室 108:裝載閘腔室 112:傳送機器人 114:傳送機器人 116:腔室 118:腔室 120:處理腔室 122:處理腔室 124:處理腔室 126:處理腔室 128:處理腔室 130:處理腔室 132:塢站 134:工廠介面機器人 136:前開式晶圓傳送盒 138:刀刃 140:埠 142:埠 144:埠 146:埠 148:埠 150:埠 152:埠 154:埠 156:埠 158:埠 160:埠 162:埠 164:埠 166:埠 168:系統控制器 170:中央處理單元 172:記憶體 174:支援電路 200:處理腔室 202:腔室主體 204:蓋組件 206:支撐組件 208:真空泵 210:真空埠 212:控制器 214:處理區域 216:第一板 218:第二板 220:第三板 222:錐形腔室 226:氣體源 228:開口 230:容積 232:第四板 234:中心導管 236:第五板 238:混合腔室 240:第六板 242:開口 244:入口 246:入口 248:氣體源 250:氣體源 252:圓柱形通道 254:孔 256:圓柱形通道 258:孔 260:第一氣體分配器 262:穿孔 264:阻障板 266:第二氣體分配器 268:氣體入口 270:基板支撐件 272:基板 274:致動器 276:軸 278:升舉銷 300:處理腔室 302:外殼結構 304:石英腔室 306:上石英腔室 308:下石英腔室 310:處理容積 312:氣體分配組件 314:出口埠 316:基板支撐件 318:基板 320:縱軸 322:表面 324A:上燈模組 324B:下燈模組 326:上石英腔室 328:下石英窗口 330:入口 332:出口 334:流動路徑 336:襯墊 338:徑向 340A:氣體源 340B:氣體源 342:IR燈 344:孔 346:穿孔板 348:通道 400:方法 410:方塊 420:方塊 430:方塊 440:方塊 450:方塊 460:方塊 470:方塊 480:方塊 500:半導體結構 502:第一電晶體元件 504:第二電晶體元件 506:第一半導體區域 508:第二半導體區域 508A:凹槽 510:介電層 512:第一開口 514:第二開口 516:硬遮罩 518:接觸層 520:覆蓋層 522:金屬層 524:阻障金屬層 526:第一接觸插塞 528:第二接觸插塞 X:橫軸 Y:遠點 Z:縱軸

為了能夠詳細理解本揭示案之上述特徵的方式，可以藉由參考實施例對上文簡要總結的本揭示案進行更具體的描述，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應注意的是，附圖僅示出了本揭示案之典型實施例，因此不應被視為對其範圍的限制，因為本揭示案可以允許其他同等有效的實施例。

第1圖是根據本揭示案之一或多個實施例的多腔室處理系統的示意性俯視圖。

第2A圖是根據一或多個實施例的處理腔室的橫截面圖。

第2B圖是第2A圖的處理腔室的一部分的放大圖。

第3圖是根據一或多個實施例的處理腔室的橫截面圖。

第4圖描繪了根據本揭示案之一或多個實施例的在半導體結構中形成接觸層的方法的製程流程圖。

第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖、第5E圖、第5F圖、第5G圖和第5H圖是對應於第4圖的方法的各種狀態的半導體結構的一部分的橫截面圖。

為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來表示附圖共有的相同元件。這些附圖不是按比例繪製的，為了清楚起見可以簡化。可以考慮將一個實施例的元件和特徵可以有益地結合到其他實施例中，而無需贅述。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

500:半導體結構

502:第一電晶體元件

504:第二電晶體元件

506:第一半導體區域

508:第二半導體區域

510:介電層

512:第一開口

514:第二開口

516:硬遮罩

518:接觸層

520:覆蓋層

Claims (20)

1. 一種在一半導體結構中形成一電觸點的方法，包括以下步驟： 執行一圖案化製程以在一半導體結構上形成一硬遮罩，該半導體結構包括一第一半導體區域、一第二半導體區域、一介電層，該介電層具有在該第一半導體區域上的一第一開口和在該第二半導體區域上的一第二開口，其中該硬遮罩覆蓋在該第一開口內的該第一半導體區域的一暴露表面； 執行一第一選擇性沉積製程，以在該第二開口內的該第二半導體區域的該暴露表面上形成一接觸層；以及 執行一第二選擇性沉積製程以在該接觸層上形成一覆蓋層。
2. 如請求項1所述之方法，其中該第一半導體區域包括摻雜有n型摻雜劑的矽，該第二半導體區域包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺，以及該接觸層包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺。
3. 如請求項1所述之方法，其中該覆蓋層包括選自矽化鉬（Mo）和矽化釕（Ru）的材料。
4. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該圖案化製程之前，對該第一開口內的該第一半導體區域的該暴露表面和該第二開口內的該第二半導體區域的該暴露表面執行一預清潔製程。
5. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該第一選擇性沉積製程之前，執行一蝕刻製程以在該第二半導體區域的該暴露表面處形成一凹槽，其中該凹槽具有一V形、一U形和任何其他形狀以擴大該接觸層的一接觸面積。
6. 如請求項5所述之方法，其中該第一選擇性沉積製程、該第二選擇性沉積製程和該蝕刻製程在不破壞真空環境的情況下進行。
7. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 在該第二選擇性沉積製程之後，執行一移除製程以移除該硬遮罩； 執行一第三選擇性沉積製程，以在該第一半導體區域的該暴露表面和該覆蓋層上形成一金屬層；以及 執行一金屬填充製程以在該第一開口中形成一第一接觸插塞和在該第二開口中形成一第二接觸插塞。
8. 如請求項7所述之方法，其中該金屬層包括選自矽化鈦（Ti）、矽化鈷（Co）、矽化鎳（Ni）、矽化鉬（Mo）和矽化鉭（Ta）的材料。
9. 一種在一半導體結構中形成一電觸點的方法，包括以下步驟： 在一半導體結構的暴露表面上執行一預清潔製程，該半導體結構包括一第一半導體區域、一第二半導體區域、一介電層，該介電層具有在該第一半導體區域上的一第一開口和在該第二半導體區域上的一第二開口，其中該半導體結構的該等暴露表面安置在該第一開口內的該第一半導體區域上和在該第二開口內的該第二半導體區域上； 執行一圖案化製程以該在第一開口內的該第一半導體區域的該暴露表面上形成一硬遮罩； 執行一蝕刻製程以在該第二半導體區域的該暴露表面處形成一凹槽； 執行一第一選擇性沉積製程，以在該第二開口內的該第二半導體區域的該暴露表面上形成一接觸層； 執行一第二選擇性沉積製程以在該接觸層上形成一覆蓋層； 執行一移除製程以移除該硬遮罩； 執行一第三選擇性沉積製程，以在該第一半導體區域的該暴露表面和該覆蓋層上形成一金屬層；以及 執行一金屬填充製程以在該第一開口中形成一第一接觸插塞和在該第二開口中形成一第二接觸插塞。
10. 如請求項9所述之方法，其中，在不破壞真空環境的情況下執行該蝕刻製程、該第一選擇性沉積製程和該第二選擇性沉積製程。
11. 如請求項9所述之方法，其中該第一半導體區域包括摻雜有n型摻雜劑的矽，該第二半導體區域包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺，以及該接觸層包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺。
12. 如請求項9所述之方法，其中該覆蓋層包括選自矽化鉬（Mo）和矽化釕（Ru）的材料。
13. 如請求項9所述之方法，其中該金屬層包括選自矽化鈦（Ti）、矽化鈷（Co）、矽化鎳（Ni）、矽化鉬（Mo）和矽化鉭（Ta）的材料。
14. 一種處理系統，包括： 一第一處理腔室； 一第二處理腔室； 一第三處理腔室；以及 一系統控制器，該系統控制器經配置成使該處理系統： 在該第一處理腔室中執行一圖案化製程，以在一半導體結構上形成一硬遮罩，該半導體結構包括一第一半導體區域、一第二半導體區域、一介電層，該介電層具有在該第一半導體區域上的一第一開口和在該第二半導體區域上的一第二開口，其中該硬遮罩覆蓋在該第一開口內的該第一半導體區域的一暴露表面上； 在該第二處理腔室中執行一第一選擇性沉積製程，以在該第二開口內的該第二半導體區域的該暴露表面上形成一接觸層；以及 在該第三處理腔室中執行一第二選擇性沉積製程，以在該接觸層上形成一覆蓋層。
15. 如請求項14所述之處理系統，進一步包括： 一第四處理腔室，其中該系統控制器還經配置成： 在該第一選擇性沉積製程之前，在該第四處理腔室中執行一蝕刻製程以在該第二半導體區域的該暴露表面處形成一凹槽，其中該凹槽具有一V形、一U形和任何其他形狀以擴大該接觸層的一接觸面積。
16. 如請求項15所述之處理系統，其中該系統控制器還經配置成使得該處理系統在不破壞真空環境的情況下在該第二、第三和第四處理腔室之間轉移該半導體結構。
17. 如請求項15所述之處理系統，進一步包括： 一第五處理腔室，其中該系統控制器還經配置成： 在該圖案化製程之前，在該第五處理腔室中，對該第一開口內的該第一半導體區域的該暴露表面和該第二開口內的該第二半導體區域的該暴露表面執行一預清潔製程。
18. 如請求項17所述之處理系統，進一步包括： 一第六處理腔室； 一第七處理腔室；以及 一第八處理腔室，其中該系統控制器還經配置成使該處理系統： 在該第二選擇性沉積製程之後，在該第六處理腔室中執行一移除製程以移除該硬遮罩； 在該第七處理腔室中執行一第三選擇性沉積製程，以在該第一半導體區域的該暴露表面和該覆蓋層上形成一金屬層；以及 在該第八處理腔室中執行一金屬填充製程，以在該第一開口中形成一第一接觸插塞和在該第二開口中形成一第二接觸插塞。
19. 如請求項14所述之處理系統，其中該第一半導體區域包括摻雜有n型摻雜劑的矽，該第二半導體區域包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺，以及該接觸層包括摻雜有p型摻雜劑的矽鍺。
20. 如請求項14所述之處理系統，其中該覆蓋層包括選自矽化鉬（Mo）和矽化釕（Ru）的材料。