TW202414369A - 顯示面板、顯示裝置及拼接顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板、顯示裝置及拼接顯示裝置。顯示面板包括基板、驅動線路層、多個第一連結電極、多條連接導線。基板包括相對的第一表面和第二表面以及多個側面，多個側面中的至少一個側面為選定側面。多條連接導線包括位於第一表面一側的第一部、位於選定側面一側的第二部和位於第二表面一側的第三部。相鄰的兩條連接導線的第一部由第一間隙間隔。第一間隙包括第一類間隙區域，第一類間隙區域包括第一子間隙區域和第二子間隙區域，第一子間隙區域相對於第二子間隙區域更靠近選定側面。第一子間隙區域沿第一方向上的尺寸小於第二子間隙區域沿第一方向上的尺寸。

Description

顯示面板、顯示裝置及拼接顯示裝置

本揭露有關於顯示技術領域，尤其有關於一種顯示面板、顯示裝置及拼接顯示裝置。

Micro LED（Micro Light Emitting Diode，微發光二極體）及Mini LED（Mini Light Emitting Diode Display，迷你發光二極體）相較於傳統LED，顆粒更小，即體積更小。

一方面，提供一種顯示面板，包括：基板、驅動線路層、多個第一連結電極、多條連接導線。基板包括第一表面、第二表面以及連接第一表面和第二表面的多個側面，多個側面中的至少一個側面為選定側面。基板的第一表面包括顯示區和位於顯示區至少一側的周邊區，周邊區相較於顯示區更靠近基板的選定側面。驅動線路層設置於顯示區的。多個第一連結電極沿第一方向間隔排列，設置於周邊區。第一方向平行於基板的選定側面和基板的第一表面。

多條連接導線沿第一方向間隔排列。多條連接導線中的每條連接導線包括位於基板的第一表面一側的第一部、位於基板的選定側面一側的第二部和位於基板的第二表面一側的第三部。每條連接導線的第一部與一個第一連結電極電連接。

相鄰兩條連接導線的第一部由第一間隙間隔，第一間隙包括第一類間隙區域。第一類間隙區域包括第一子間隙區域和第二子間隙區域，每個第一類間隙區域的第一子間隙區域相對於每個第一類間隙區域的第二子間隙區域更靠近基板的選定側面。每個第一類間隙區域的第一子間隙區域沿第一方向上的尺寸小於該第一類間隙區域的第二子間隙區域沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，每個第一類間隙區域的第一子間隙區域沿第二方向上的尺寸小於或者等於該第一類間隙區域的第二子間隙區域沿第二方向上的尺寸。第二方向與連接導線的第一部的延伸方向平行。

在一些實施例中，每個第一類間隙區域的第一子間隙區域和第二子間隙區域沿第一方向上的尺寸之差的範圍為0~100μm。

在一些實施例中，多條連接導線中的任意兩條相鄰的連接導線的第一部由第一類間隙區域間隔。

在一些實施例中，第一間隙還包括第二類間隙區域，第二類間隙區域沿第一方向上的尺寸等於第一類間隙區域的第一子間隙區域沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，第一類間隙區域和至少一個第二類間隙區域交替設置。

在一些實施例中，多個第一類間隙區域中，每個第一類間隙區域中的第一子間隙區域和第二子間隙區域的分界線，相較於多個第一連結電極靠近基板的選定側面的一端的邊界，更靠近基板的選定側面。

在一些實施例中，多個第一連結電極沿第一方向並排間隔排列。第一連結電極沿第一方向上的尺寸小於或者等於與該第一連結電極連接的連接導線的第一部沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，第一類間隙區域沿第一方向上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個第一連結電極沿第一方向上的間距。

在一些實施例中，顯示面板還包括：多個第二連結電極。多個第二連結電極設置於基板的第二表面一側，且沿第一方向間隔排列。每個第二連結電極包括第一子部和第二子部，每個第二連結電極的第一子部相較於第二子部更靠近基板的選定側面。每條連接導線的第三部與一個第二連結電極的第一子部電連接。第二連結電極的第一子部的延伸方向和與其電連接的連接導線的第三部的延伸方向相同。

相鄰兩條連接導線的第三部之間由第三間隙間隔，第三間隙包括第三類間隙區域，多個第三類間隙區域中的每個第三類間隙區域包括第三子間隙區域和第四子間隙區域，每個第三類間隙區域的第三子間隙區域相較於該第三類間隙區域的第四子間隙區域更靠近基板的選定側面。每個第三類間隙區域的第三子間隙區域沿第一方向上的尺寸小於該第三類間隙區域的第四子間隙區域沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，多條連接導線中的任意兩條相鄰的連接導線的第三部由第三類間隙區域間隔。

在一些實施例中，第三間隙還包括第四類間隙區域，第三類間隙區域和至少一個第四類間隙區域交替設置。第四類間隙區域沿第一方向上的尺寸等於第三類間隙區域的第三子間隙區域沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，多個第三類間隙區域中，每個第三類間隙區域中的第三子間隙區域和第四子間隙區域的分界線，相較於多個第二連結電極靠近基板的選定側面的一端的邊界，更靠近選定側面。

在一些實施例中，多個第二連結電極沿第一方向間隔排列。第二連結電極沿第一方向上的尺寸小於或者等於與該第二連結電極連接的連接導線的第三部沿第一方向上的尺寸。

在一些實施例中，第三類間隙區域的沿第一方向上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個第二連結電極的第一子部沿第一方向上的間距。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括：如上述任一實施例所述的顯示面板。

又一方面，提供一種拼接顯示裝置，包括：多個如上述任一實施例所述的顯示裝置。

再一方面，提供一種顯示面板的製備方法，包括： 提供基板。其中，基板包括第一表面、第二表面以及連接第一表面和第二表面的多個側面，多個側面中的至少一個側面為選定側面。基板的第一表面包括顯示區和位於顯示區至少一側的周邊區，周邊區相較於顯示區更靠近基板的選定側面。

在基板的第一表面一側形成陣列層。其中，在基板的第一表面一側形成陣列層包括：在顯示區形成驅動線路層。

在基板的第一表面一側設置第一光罩。其中，第一光罩至少包括第一主體部，第一主體部至少包覆驅動線路層靠近基板的選定側面的部分。

形成導電層。其中，導電層包括：位於基板的第一表面一側的第一部分、位於基板的選定側面一側的第二部分和位於基板的第二表面一側的第三部分。

採用雷射蝕刻圖案化導電層，形成並排間隔排列的多條連接導線。其中多條連接導線中的每條連接導線包括位於基板的第一表面一側的第一部、位於基板的選定側面一側的第二部和位於基板的第二表面一側的第三部。雷射蝕刻導電層形成多條連接導線包括：至少雷射蝕刻導電層的第二部分形成多條連接導線的第二部。

去除第一光罩。

在一些實施例中，在基板的第一表面一側形成陣列層還包括：在周邊區形成多個第一連結電極。其中，多個第一連結電極沿第一方向間隔排列，且每個第一連結電極沿第二方向延伸。周邊區沿第一方向延伸。第一方向與第二方向交叉。

在基板的第一表面一側設置第一光罩的步驟中，第一光罩的第一主體部還包覆多個第一連結電極靠近顯示區的部分。

在一些實施例中，在基板的第一表面一側設置第一光罩的步驟中，第一光罩還包括多個第一指部。多個第一指部的第一端連接第一主體部，多個第一指部的第二端朝向基板的選定側面延伸，第一光罩的多個第一指部相較於第一主體部更靠近基板的選定側面。

每個第一指部位於相鄰的兩個第一連結電極之間的間隙區域。

下面將結合附圖，對本揭露一些實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本揭露一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本揭露所提供的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬於本揭露保護的範圍。

除非上下文另有要求，否則，在整個說明書和申請專利範圍中，用語“包括（comprise）”及其其他形式例如第三人稱單數形式“包括（comprises）”和現在分詞形式“包括（comprising）”被解釋為開放、包含的意思，即為“包含，但不限於”。在說明書的描述中，用語“一個實施例（one embodiment）”、“一些實施例（some embodiments）”、“示例性實施例（exemplary embodiments）”、“示例（example）”、“特定示例（specific example）”或“一些示例（some examples）”等旨在表明與該實施例或示例相關的特定特徵、結構、材料或特性包括在本揭露的至少一個實施例或示例中。上述用語的示意性表示不一定是指同一實施例或示例。此外，所述的特定特徵、結構、材料或特點可以以任何適當方式包括在任何一個或多個實施例或示例中。

以下，用語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本揭露實施例的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。

在描述一些實施例時，可能使用了“耦接”和“連接”及其衍伸的表達。例如，描述一些實施例時可能使用了用語“連接”以表明兩個或兩個以上部件彼此間有直接物理接觸或電接觸。又如，描述一些實施例時可能使用了用語“耦接”以表明兩個或兩個以上部件有直接物理接觸或電接觸。然而，用語“耦接”或“通訊耦合（communicatively coupled）”也可能指兩個或兩個以上部件彼此間並無直接接觸，但仍彼此協作或相互作用。這裡所揭露的實施例並不必然限制於本文內容。

“A、B和C中的至少一個”與“A、B或C中的至少一個”具有相同含義，均包括以下A、B和C的組合：僅A，僅B，僅C，A和B的組合，A和C的組合，B和C的組合，及A、B和C的組合。

“A和/或B”，包括以下三種組合：僅A，僅B，及A和B的組合。

本文中“適用於”或“被配置為”的使用意味著開放和包容性的語言，其不排除適用於或被配置為執行額外任務或步驟的設備。

如本文所使用的那樣，“約”、“大致”或“近似”包括所闡述的值以及處於特定值的可接受偏差範圍內的平均值，其中所述可接受偏差範圍如由本領域普通技術人員考慮到正在討論的測量以及與特定量的測量相關的誤差（即，測量系統的局限性）所確定。

如本文所使用的那樣，“平行”、“垂直”、“相等”包括所闡述的情況以及與所闡述的情況相近似的情況，此相近似的情況的範圍處於可接受偏差範圍內，其中所述可接受偏差範圍如由本領域普通技術人員考慮到正在討論的測量以及與特定量的測量相關的誤差（即，測量系統的局限性）所確定。例如，“平行”包括絕對平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差範圍例如可以是5°以內偏差；“垂直”包括絕對垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差範圍例如也可以是5°以內偏差。“相等”包括絕對相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差範圍內例如可以是相等的兩者之間的差值小於或等於其中任一者的5%。

應當理解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板上時，可以是該層或元件直接在另一層或基板上，或者也可以是該層或元件與另一層或基板之間存在中間層。

本文參照作為理想化示例性附圖的剖視圖和/或平面圖描述了示例性實施方式。在附圖中，為了清楚，放大了層的厚度和區域的面積。因此，可設想到由於例如製造技術和/或公差引起的相對於附圖的形狀的變動。因此，示例性實施方式不應解釋為局限於本文示出的區域的形狀，而是包括因例如製造而引起的形狀偏差。例如，示為矩形的蝕刻區域通常將具有彎曲的特徵。因此，附圖中所示的區域本質上是示意性的，且它們的形狀並非旨在示出設備的區域的實際形狀，並且並非旨在限制示例性實施方式的範圍。

為提高產品可靠性，以及降低運輸成本、維修成本，大尺寸顯示裝置可以採用多個小尺寸顯示裝置拼接的方法來組裝形成。

為了避免拼接帶來的顯示畫面割裂感，需要減小單個小尺寸顯示裝置的邊框尺寸，降低拼縫寬度。小尺寸顯示裝置包括顯示面板，例如可以藉由連接導線將位於顯示面板的顯示面一側的繞線與設置在顯示面板的非顯示面一側的電路板（例如柔性電路板）實現連接，從而在多個小尺寸顯示裝置拼接形成更大尺寸的大尺寸顯示裝置時，相鄰的小尺寸顯示裝置之間的間距可以更小，從而使得多個小尺寸顯示裝置拼接形成的大尺寸顯示裝置的顯示品質得以提升。

在一些實施例中，如第1A圖、第1B圖所示，顯示面板包括基板11、多個第一連結電極12和多條連接導線13。基板11包括相對的第一表面11a和第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，基板11的多個側面11c中的至少一個側面11c為選定側面11cc。每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。

其中，基板11的第一表面11a一側設置有發光器件層G，為顯示面板的正面；相應地，基板11的第二表面11b一側為顯示面板的背面。基板11的第一表面11a包括顯示區AA，在顯示區AA設置有驅動線路層14等膜層結構。連接導線13的第一部131和第三部133均沿垂直於基板11的選定側面11cc的方向，例如第1A圖、第1B圖所示的Y方向延伸。

具體地，如第1C圖、第1D圖所示，驅動線路層14包括自基板11依次設置的：緩衝層141、第一金屬層142、絕緣層143、第二金屬層144、平坦層145和鈍化層146。

其中，緩衝層141設置於基板11的第一表面11a一側。第一金屬層142設置於緩衝層141遠離基板11一側，第一金屬層142包括多條第一訊號線1421。絕緣層143設置於第一金屬層142遠離基板11一側。第二金屬層144設置於絕緣層143遠離基板11一側，第二金屬層144包括多個第一連結電極12，以及多條第二訊號線1441。平坦層145設置於第二金屬層144遠離基板11一側。鈍化層146設置於平坦層145遠離基板11一側。可以理解的是，第一連結電極12和與其直接接觸第二訊號線為一體結構，且第一連結電極為位於周邊區且被平坦層145和鈍化層146的暴露出來的區域。

第一訊號線1421包括沿Y方向延伸的多條資料線Dm、多條第一正極訊號線Hm1、多條第二正極訊號線Hm2、多條參考訊號線Vm和多條掃描訊號轉接線Cn。所述第二金屬層144包括多條掃描訊號線Sn，每條掃描訊號線Sn與一條掃描訊號轉接線Cn電連接。多條掃描訊號線Sn沿X方向延伸。示例性地，在陣列排列的多個像素（例如每個像素包括沿Y方向排列的三個發光器件G1，以及用於向三個發光器件G1提供訊號的驅動晶片G2）中，每一行像素與同一條掃描訊號線Sn電連接，每一列像素與一條資料訊號線Dm、一條參考訊號線Vm、一條第一正極訊號線Hm1和一條第二正極訊號線Hm2電連接，以實現合理佈線，藉由多條訊號線向像素傳輸相應的訊號。

在一些實施例中，如第1C圖和第1D圖所示，第二金屬層144還包括多個連接焊盤，多個連接焊盤包括用於連接發光器件G1的多個第一焊盤1442和用於連接像素驅動晶片G2的多個第二焊盤1443。

具體地，如第1D圖所示，發光器件G1的接腳和像素驅動晶片G2的接腳藉由焊接材料S（例如焊錫、錫銀銅合金、錫銅合金等）與對應的連接焊盤連接。平坦層145包括多個第二通孔a2，多個第二通孔a2貫穿至第二金屬層144。鈍化層146包括多個第三通孔a3，多個第三通孔a3貫穿至平坦層145。其中，一個第三通孔a3和一個第二通孔a2位置對應，形成由鈍化層146貫穿至第二金屬層144的連接焊盤的貫穿通孔。

示例性地，如第1C圖、第1D圖所示，每個發光器件G1包括兩個連接接腳，每個像素驅動晶片G2包括六個連接接腳，每個發光器件G1的接腳藉由貫穿平坦層145和鈍化層146的貫穿通孔與兩個第一焊盤1442連接，每個像素驅動晶片G2的接腳藉由貫穿平坦層145和鈍化層146的通孔與六個第二焊盤1443連接，從而在訊號線（第一訊號線1421和/或第二訊號線1441）傳輸的訊號以及像素驅動晶片G2的控制下，控制發光器件G1發光。可以理解的是，任一連接焊盤和與其直接接觸第二訊號線1441為一體結構，且連接焊盤為第二訊號線1441被平坦層145和鈍化層146的暴露出來的區域。

如第1C圖、第1D圖所示，圖中所示的邊界線B為平坦層145和鈍化層146靠近基板11的選定側面11cc的邊界線。平坦層145和鈍化層146靠近基板11的選定側面11cc的邊界線B在基板11上的正投影與基板11的選定側面11cc之間的距離為距離L1。多個第一連結電極12沿第一方向X並排間隔排列，且多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的邊界齊平或者大致齊平，第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的邊界在基板11上的正投影與基板11的選定側面11cc之間的距離為距離L2。

其中，距離L1大於距離L2，且距離L1與距離L2的差值的絕對值的範圍為50~80μm。

示例性地，距離L1與距離L2的差值的絕對值例如為50μm、70μm或者80μm。

如第1C圖所示，多個第一連結電極12位於第二金屬層144內，且多個第一連結電極12的寬度（沿第一方向X的尺寸）不同，且每個第一連結電極12的寬度與其所電連接的訊號線，如第1C圖所示，例如為第二訊號線1441的寬度對應，不同寬度的訊號線所電連接的第一連結電極12的寬度不同。

在一些實施例中，第一金屬層142或第二金屬層144為包含多個疊層結構的金屬層。例如第一金屬層142或第二金屬層144包括自基板11一側依次設置的鈦層、銅層、鈦層。或者第一金屬層142或第二金屬層144例如包括自基板11一側依次設置的鉬層、銅層、鉬層。或者，第一金屬層142或第二金屬層144例如包括自基板11一側依次設置的鉬層、鋁層、鉬層。

在一些實施例中，第一金屬層142或第二金屬層144為單層結構的訊號繞線層。進一步地，驅動線路層14例如為銅層或鋁層等。

具體地，第一金屬層142或第二金屬層144需要具備良好的導電性能即可，此處僅做示例性描述，不作為對驅動線路層14所採用的材料的限定。

在一些實施例中，多個第一連結電極12中的各個第一連結電極12與驅動線路層14中對應連接的訊號線（例如多條第一訊號線1421和多條第二訊號線1441）為一體結構，其中，第一連結電極12位於周邊區AN且表面裸露。

由於第一連結電極12的表面裸露，因此，在第一連結電極12遠離基板11的一側可以進一步設置防氧化層（材料可以包含鎳金屬，具體可以為含鎳的合金，或者鎳層和金層的層疊結構），防止在製程過程中膜層氧化而導致後續製備過程中，第一連結電極12與連接導線13的不可靠電連接。

每條連接導線13的第一部131藉由一個第一連結電極12與一條第一訊號線1421連接，示例性地，第一連結電極12在沿第一方向X上的尺寸與其所屬於的第一訊號線1421在沿第一方向X上的尺寸相適配，連接導線13的第一部131與其所連接的第一連結電極12在沿第一方向X上的尺寸正相關。如第1C圖所示，驅動線路層14包括的多條不同功能的第一訊號線1421在第一方向X上的尺寸不同，可以理解的是，與不同功能的第一訊號線1421對應的多個第一連結電極12在沿第一方向X上的尺寸適應性地不同，相應地，分別藉由不同第一連結電極與不同功能的第一訊號線1421連接的多條連接導線13（或連接導線13的第一部131）的在沿第一方向X上的尺寸不同。

需要說明的是，為簡化示意，說明書附圖中將多個第一連結電極12沿第一方向X的尺寸示意為相同，本領域的技術人員可以理解，應不限於此，多個第一連結電極12沿第一方向X的尺寸可以不同。

相應地，多條連接導線13（或連接導線13的第一部131）沿第一方向X上的尺寸可以相同或者不同。

在一些實施例中，如第1A圖所示，多條連接導線13的第三部133被配置為連接位於基板11的第二表面11b一側的電路板，例如多條連接導線13的第三部133的遠離選定側面11cc的端部作為連接柔性電路板F的連結電極，也就是說多條連接導線13的第三部133需要預留較大位置進行外部線路連結。

如第1B圖所示，顯示面板還包括多個第二連結電極19，多個第二連結電極19的一端與連接導線電連接，另一端被配置為連接位於基板11的第二表面11b一側的電路板。

在一些示例中，多條連接導線13的製備製程如下：在基板11的選定側面11cc形成連接基板11的第一表面11a和第二表面11b的整面的導電層，例如藉由立體濺射鍍膜製程形成導電層，具體地，導電層包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部分、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部分和位於基板11的第二表面11b一側的第三部分。接著，藉由雷射製程修整，將導電層圖案化，使其形成連接基板11的第一表面11a和第二表面11b的獨立的多條連接導線13。

可以理解的是，每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc上的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。

在垂直於基板11的第一表面11a的方向上，例如第1A圖、第1B圖中所示的Z方向，連接導線13的第一部131的尺寸小於顯示區AA內的膜層結構的尺寸，即連接導線13的第一部131的厚度d2小於顯示區AA內的膜層的厚度d1。這樣在實際雷射製程過程中，在蝕刻得到連接導線13的第二部132的過程中，雷射可能會自基板11的選定側面11cc一側入射到第一表面11a的顯示區AA內，造成顯示面板的正面膜層的損傷。

請參閱第1A圖、第1B圖，在雷射蝕刻形成多條連接導線13的第二部132時，雷射Laser2沿圖中所示的方向照射向導電層，由於連接導線13的第一部131在基板11上的厚度d2小於顯示區AA內膜層厚度d1，因此雷射的部分能量會到達顯示區AA並對該區域內的膜層和器件造成損傷，導致局部腐蝕、發光器件無法點亮等可靠度問題。

本申請中，連接導線13由雷射分別由三個方向照射並蝕刻導電層形成，以下說明中，雷射Laser1為由顯示面板的第一表面一側射向顯示面板的雷射，雷射Laser2為由顯示面板的選定側面一側射向顯示面板的雷射，雷射Laser3為由顯示面板的第二表面一側射向顯示面板的雷射。

在一些實施例中，如第1A圖、第1B圖所示，驅動線路層14遠離基板11的一側設置有發光器件層G，發光器件層G包括多個發光器件G1，驅動線路層14包括訊號繞線，被配置為向發光器件G1傳輸訊號，驅動發光器件層G中的多個發光器件G1發光。

在採用雷射蝕刻連接導線13的第二部132時，正面的驅動線路層14包括的訊號繞線受到雷射照射後，會導致訊號繞線被雷射照射到的部分被雷射蝕刻去除或受到損傷，從而影響訊號正常傳輸。多個發光器件G1受到雷射照射後會導致發光器件G1的特性發生改變，使得發光器件G1的發光效果不能達到預期效果，例如發光器件G1無法正常發光或者發光亮度、顏色等產生變化，從而影響顯示效果。上述提到的雷射損傷顯示面板的正面膜層，包括損傷驅動線路層14和發光器件層G。

上述製備製程，例如濺射鍍膜製程和雷射製程等僅作為示例性描述，不作為對實際生產製程的限定。

基於此，本揭露的實施例提供了一種顯示面板及其製備方法，以解決上述提到的雷射損傷顯示面板的正面膜層的問題，為清楚說明本揭露的方案，首先介紹顯示面板的製備方法。

如第2圖所示，顯示面板的製備方法包括： 步驟S11、提供基板11。

其中，如第1A圖、第1B圖、第3圖所示，基板11包括第一表面11a、第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，多個側面11c中的至少一個側面為選定側面11cc。第一表面11a包括顯示區AA和位於顯示區AA至少一側的周邊區AN，周邊區AN相較於顯示區AA更靠近基板11的選定側面11cc。

在一些示例中，基板11的材料例如為玻璃、石英、塑膠等剛性材料。

在另一些示例中，基板11的材料例如為FPC（Flexible Printed Circuit Board，柔性印刷電路板）、PI基膜（Polyimide Film，聚醯亞胺薄膜）等柔性材料。

步驟S21、在基板11的第一表面11a一側形成陣列層。

其中，如第4圖所示，在基板11的第一表面11a一側形成陣列層包括：在顯示區AA形成驅動線路層14。

步驟S31、在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20。

其中，如第5圖所示，第一光罩20至少包括第一主體部201，第一主體部201至少包覆驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分。

步驟S41、形成導電層13’。

其中，如第6圖~第9圖所示，導電層13’包括：位於基板11的第一表面11a一側的第一部分13’1、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部分13’2和位於基板11的第二表面11b一側的第三部分13’3。

第7圖和第8圖分別為沿第6圖中的截面線CC和DD得到的截面圖，可見，第一光罩20和導電層13’不接觸，二者之間具有一定距離。

在上述步驟中，導電層13’例如採用立體濺射鍍膜製程形成。

步驟S51、採用雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成並排間隔排列的多條連接導線13。

其中，如第1A圖、第1B圖所示，多條連接導線13中的每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。

雷射蝕刻導電層13’形成多條連接導線13包括：如第10圖、第11圖所示，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

在上述步驟中，如第6圖~第8圖所示，導電層13’的第一部分13’1與第一光罩20的第一主體部201不交疊。

在上述步驟中，雷射蝕刻導電層13’形成的多條連接導線13是獨立分隔開的，多條連接導線13中的任意兩條連接導線13之間都存在間隙。將雷射蝕刻的過程中導電層13’被雷射蝕刻去除的部分所對應的區域稱為蝕刻區，示例性地，如第6圖、第9圖~第11圖所示，導電層13’的第一部分13’1包括多個第一蝕刻區K1，導電層13’的第二部分13’2包括多個第二蝕刻區K2，導電層13’的第三部分13’3包括多個第三蝕刻區K3。

當蝕刻區（例如第6圖中所示的多個第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2，以及第9圖中所示的多個第三蝕刻區K3）對應的部分被蝕刻去除後，得到的相鄰的連接導線13之間的間隔即為相鄰的連接導線13之間的間隙。

步驟S61、去除第一光罩20。

第12A圖、第12B圖和第13圖為在去除第一光罩20後，最終得到多條連接導線13在基板11的第一表面11a的示意圖和在基板11的第二表面11b的示意圖。

採用上述顯示面板的製備方法，在第一表面11a的顯示區AA形成驅動線路層14，接著在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20，將驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分的包覆其中。這樣，在採用雷射蝕刻圖案化導電層13’的過程中，雷射Laser2沿第11圖中所示的方向照射向導電層13’，雖然連接導線13的第一部131在基板11上的厚度d2小於顯示區AA內膜層厚度d1，但由於第一光罩20將驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分包覆其中，使得雷射Laser2沿第11圖中所示的方向照射向導電層13’時，射向驅動線路層14的雷射被第一光罩20的主體部201遮擋，對驅動線路層14起到了保護作用，避免了雷射對驅動線路層14造成損傷。從而避免了驅動線路層14受到雷射照射後導致被配置為傳輸電路訊號的部分線路被雷射蝕刻去除或損傷，從而影響電路訊號正常傳輸的問題，進而提高了顯示面板的可靠度。

示例性地，如第6圖所示，多個第一蝕刻區K1中的每個第一蝕刻區K1均包括第一子蝕刻區K11和第二子蝕刻區K12，每個第一蝕刻區K1的第一子蝕刻區K11相較於該第一蝕刻區K1的第二子蝕刻區K12更靠近基板11的選定側面11cc。

如第12A圖和第12B圖所示，每個第一子蝕刻區K11對應的部分被蝕刻去除後形成的間隙區域為第一子間隙區域151，每個第二子蝕刻區K12對應的部分被蝕刻去除後形成的間隙區域為第二子間隙區域152。可以理解的是，每個第一蝕刻區K1被蝕刻去除後得到的第一間隙J1包括第一子間隙區域151和第二子間隙區域152。每個第一間隙J1包括的第一子間隙區域151相較於該第一間隙J1包括的第二子間隙區域152更靠近基板11的選定側面11cc。

示例性地，如第9圖所示，多個第三蝕刻區K3中的每個第三蝕刻區K3均包括第三子蝕刻區K31和第四子蝕刻區K32，每個第三蝕刻區K3的第三子蝕刻區K31相較於該第三蝕刻區K3的第四子蝕刻區K32更靠近基板11的選定側面11cc。

如第13圖所示，每個第三子蝕刻區K31對應的部分被蝕刻去除後形成的間隙區域為第三子間隙區域171，每個第四子蝕刻區K32對應的部分被蝕刻去除後形成的間隙區域為第四子間隙區域172。可以理解的是，每個第三蝕刻區K3被蝕刻去除後得到的第三間隙J3包括第三子間隙區域171和第四子間隙區域172，每個第三間隙J3包括的第三子間隙區域171相較於該第三間隙J3包括的第四子間隙區域172更靠近基板11的選定側面11cc。

如第6圖和第9圖所示，採用雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成並排間隔排列的完整的多條連接導線13的過程包括：將導電層13’的多個與第一蝕刻區K1對應的部分藉由雷射蝕刻去除後，得到多條連接導線13的第一部131，相鄰的兩條連接導線13的第一部131被一個第一間隙J1間隔；將導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分藉由雷射蝕刻去除後，得到多條連接導線13的第二部132，相鄰的兩條連接導線13的第二部132被一個第二間隙J2間隔；將導電層13’的多個與第三蝕刻區K3對應的部分藉由雷射蝕刻去除後，得到多條連接導線13的第三部133，相鄰的兩條連接導線13的第三部133被一個第三間隙J3間隔。

可以理解的是，將導電層13’的多個與第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2和多個第三蝕刻區K3對應的部分全部去除後才能夠得到完整的多條連接導線13。

示例性地，雷射Laser1照射向導電層13’，對導電層的多個第一蝕刻區K1進行蝕刻，從而形成多條連接導線13的第一部131。雷射Laser2照射向導電層13’，對導電層的多個第二蝕刻區K2進行蝕刻，從而形成多條連接導線13的第二部132。雷射Laser3照射向導電層13’，對導電層的多個第三蝕刻區K3進行蝕刻，從而形成多條連接導線13的第三部133。

在一些示例中，雷射Laser1、Laser2、Laser3分別從不同的方向同時對導電層13’的多個與第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2和多個第三蝕刻區K3對應的部分進行蝕刻，將導電層13’圖案化，從而得到如第12A圖、第12B圖和第13圖中所示的多條連接導線13。

需要說明的是，以上僅作為對一種可能的實施方式的舉例說明，雷射對導電層13’的多個與第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2和多個第三蝕刻區K3對應的部分的蝕刻順序不做要求。

以下以雷射Laser1、Laser2和Laser3分別從不同方向蝕刻導電層13’，形成多條連接導線13為例進行具體說明。

示例性地，在雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成多條連接導線13的步驟中，雷射Laser2先照射向導電層13’，將導電層13’的第二部分13’2的多個第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除，從而形成多條連接導線13的第二部132。接著，雷射Laser1和Laser3分時或者同時分別從不同方向照射向導電層13’，將導電層13’的第一部分13’1的多個第一蝕刻區K1對應的部分和第三部分13’3的多個第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除，從而形成多條連接導線13的第一部131和第三部133。

雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2的多個第二蝕刻區K2對應的部分時，雷射自基板11的選定側面11cc的一側朝向基板11的選定側面11cc發射，雷射將多個第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，導電層13’的第一部分13’1靠近基板11的選定側面11cc的部分，和/或導電層13’的第三部分13’3靠近基板11的選定側面11cc的部分會被雷射的殘餘能量蝕刻去除。

也就是說，在步驟S51中，形成多條連接導線13的第二部132時，如第10圖、第11圖所示，導電層13’的多個與第一子蝕刻區K11對應的部分被雷射的殘餘能量蝕刻去除；導電層13’的多個與第三子蝕刻區K31對應的部分被雷射的殘餘能量蝕刻去除。

可以理解的是，在這種情況下，導電層13’的第一部分13’1需要被蝕刻去除的部分和導電層13’的第三部分13’3需要被蝕刻去除的部分是分兩次分別蝕刻去除的，其靠近基板11的選定側面11cc的部分（例如第一蝕刻區K1中的第一子蝕刻區K11對應的部分以及第三蝕刻區K3中的第三子蝕刻區K31對應的部分）在形成多條連接導線13的第二部132時被蝕刻去除，其餘需要蝕刻的部分是藉由另外的步驟蝕刻去除的，因此，第一蝕刻區K1對應的部分被蝕刻去除後得到的第一間隙J1包括的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸可能相同或者不相同，第三蝕刻區K3對應的部分被蝕刻去除後得到的第三間隙J3包括的第三子間隙區域171和第四子間隙區域172沿第一方向XS上的尺寸可能相同或者不相同。

在一些實施例中，如第12A圖所示，相鄰兩條連接導線13之間的第一間隙J1包括的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸相同。

在另一些實施例中，相鄰兩條連接導線13之間的第一間隙J1包括的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸不同。

在一些示例中，如第12B圖所示，相鄰兩條連接導線13之間的第一間隙J1包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸小於該第一間隙J1包括的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸。

在另一些示例中，相鄰兩條連接導線13之間的第一間隙J1包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸大於該第一間隙J1包括的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸。

關於蝕刻去除第一蝕刻區K1對應的部分後得到的第一間隙J1和蝕刻去除第三蝕刻區K3對應的部分後得到的第三間隙J3的具體結構見後文，此處不多做介紹。

示例性地，在步驟S61之後還包括：S71、雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13。

其中，雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13包括：雷射Laser1蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131和/或Laser3方向的雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

需要說明的是，在雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13的步驟中，去除第一光罩20的步驟在雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1之前，雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3和去除第一光罩20的步驟不分先後。

相鄰的兩條連接導線13的第一部131之間被第一間隙J1間隔，相鄰的兩條連接導線13的第二部132之間被第二間隙J2間隔，相鄰的兩條連接導線13的第三部133之間被第三間隙J3間隔，以下對任意相鄰的兩條連接導線13之間的第一間隙J1、第二間隙J2和第三間隙J3的尺寸做說明。

示例性地，第一間隙J1、第二間隙J2和第三間隙J3沿第一方向X上的尺寸可以相同或者不相同。

在一些示例中，第一間隙J1、第二間隙J2和第三間隙J3中的至少兩個在沿第一方向X上的尺寸相同。例如第一間隙J1和第二間隙J2在沿第一方向X上的尺寸相同，或者第一間隙J1和第三間隙J3在沿第一方向X上的尺寸相同，或者第二間隙J2和第三間隙J3在沿第一方向X上的尺寸相同，又或者第一間隙J1、第二間隙J2和第三間隙J3在沿第一方向X上的尺寸均相同。

在另一些示例中，第二間隙J2和第一間隙J1包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸相同。可以理解的是，在這種情況下，第一間隙J1包括的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152在沿第一方向X上的尺寸可以相同或者不相同。

在又一些示例中，第二間隙J2、第三間隙J3、第一子間隙區域151沿第一方向X上尺寸不同。例如第二間隙J2（或第三間隙J3）在沿第一方向X上的尺寸大於第一間隙J1包括的第一子間隙區域151在沿第一方向X上的尺寸。

在再一些實施例中，在步驟S51中，雷射蝕刻導電層13’形成了完整的多條連接導線13，因此，在步驟S51和步驟S61之後，不包括步驟S71。

在另一些實施例中，如第14圖所示，本揭露的一些實施例提供另一種顯示面板的製備方法，包括： 步驟S12、提供基板11。

其中，如第1A圖、第1B圖和第3圖所示，基板11包括第一表面11a、第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，多個側面11c中的至少一個側面為選定側面11cc。第一表面11a包括顯示區AA和位於顯示區AA至少一側的周邊區AN，周邊區AN相較於顯示區AA更靠近基板11的選定側面11cc。

步驟S22、在基板11的第一表面11a一側形成陣列層，包括：在顯示區AA形成驅動線路層14，還包括：在周邊區AN形成多個第一連結電極12。

其中，如第4圖所示，多個第一連結電極12沿第一方向X間隔排列，且每個第一連結電極12沿第二方向Y延伸。周邊區AN沿第一方向X延伸。第一方向X與第二方向Y交叉。

在上述步驟中，多個第一連結電極12與驅動線路層14電連接。

示例性地，第一方向X垂直於第二方向Y。

示例性地，第一連結電極12沿第二方向Y上的尺寸大於或等於50μm。

進一步地，第一連結電極12沿第二方向Y上的尺寸範圍為50~80μm。第一連結電極沿第二方向Y上的尺寸例如為50μm、70μm或者80μm。

步驟S32、在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20。

其中，如第5圖所示，第一光罩20至少包括第一主體部201，第一主體部201包覆驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分，第一光罩20的第一主體部201還包覆多個第一連結電極12靠近顯示區AA的部分。

需要說明的是，為了更好的保護驅動線路層14，避免在製備連接導線13時對驅動線路層14造成損傷，第一光罩20包括的第一主體部201可以將驅動線路層14完全覆蓋。在這種情況下，第一主體部201仍然是覆蓋多個第一連結電極12靠近顯示區AA的部分。

步驟S42、形成導電層13’。

其中，如第6圖~第9圖所示，導電層13’包括：位於基板11的第一表面11a一側的第一部分13’1、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部分13’2和位於基板11的第二表面11b一側的第三部分13’3。

導電層13’的第一部分13’1覆蓋多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的部分。

在一些實施例中，在上述步驟中，導電層13’的第一部分13’1和第一光罩20的第一主體部201不交疊。

可以理解的是，導電層13’的第一部分13’1與多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的部分有交疊，因此，在前述設置第一光罩20的步驟中，第一光罩20的主體部201不能將多個第一連結電極12全部包覆其中，至少需要將第一連結電極12與連接導線13有交疊的部分暴露出。

導電層13’的第一部分13’1與多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的部分有交疊，該交疊部分在垂直於基板11的選定側面11cc的方向上的尺寸範圍為30~60μm。

導電層13’的第一部分13’1與多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的交疊部分沿第二方向Y的尺寸例如為30μm、50μm或者60μm。

在一些實施例中，第一連結電極12靠近顯示區AA的部分被第一光罩20的第一主體部201覆蓋，第一連結電極12遠離顯示區AA的部分被導電層13’的第一部分13’1覆蓋。

示例性地，第一連結電極12被第一光罩20的第一主體部201覆蓋的部分沿第二方向Y的尺寸的範圍為30~60μm。第一連結電極12被第一光罩20的第一主體部201覆蓋的部分沿第二方向Y的尺寸例如為30μm、45μm或者60μm。

步驟S52、採用雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成並排間隔排列的多條連接導線13。

其中，如第1A圖、第1B圖所示，多條連接導線13中的每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。每條連接導線13的第一部131與一個第一連結電極12電連接。

雷射蝕刻導電層13’形成多條連接導線13包括：如第10圖、第11圖所示，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

在上述步驟中，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132包括的幾種情況參見前文對於步驟S51的描述，此處不再贅述。

步驟S62、去除第一光罩20。請參見第12A圖、第12B圖和第13圖。

示例性地，在步驟S62之後還包括： S72、雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13。

其中，雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13包括：雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131和/或雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。完整的多條連接導線13如第12A圖、第12B圖和第13圖所示。

在上述步驟中，對於雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13包括的幾種情況參見前文對於步驟S71的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，當連接導線13的第三部133呈直線狀時，且連接導線13的第三部133的延伸方向與基板11的選定側面11cc垂直，則連接導線13的第三部133可以在雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成連接導線13的第二部132時在同一步驟中一同形成。

參見第11圖、第13圖，雷射Laser2沿第11圖中方向射向導電層13’，當雷射將導電層13’的第二部分13’2的第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，雷射能夠繼續射向導電層13’的第三部分13’2，將導電層13’的第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除，可以理解的是，在這種情況下，連接導線13的第二部分132和第三部分133時在同一步驟中形成，相鄰的連接導線13的第二部132和第三部133均是藉由雷射蝕刻形成。

在又一些實施例中，如第15圖所示，本揭露的一些實施例提供另一種顯示面板的製備方法，包括： 步驟S13、提供基板11。

其中，如第1A圖、第1B圖和第3圖所示，基板11包括第一表面11a、第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，多個側面11c中的至少一個側面為選定側面11cc。第一表面11a包括顯示區AA和位於顯示區AA至少一側的周邊區AN，周邊區AN相較於顯示區AA更靠近基板11的選定側面11cc。

步驟S23、在基板11的第一表面11a一側形成陣列層，包括：在顯示區AA形成驅動線路層14，還包括：在周邊區AN形成多個第一連結電極12。

其中，如第4圖所示，多個第一連結電極12沿第一方向X間隔排列，且每個第一連結電極12沿第二方向Y延伸。周邊區AN沿第一方向X延伸。第一方向X與第二方向Y交叉。

在上述步驟中，多個第一連結電極12與驅動線路層14電連接。

示例性地，第一方向X與第二方向Y垂直。

步驟S33、在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20。

其中，第一光罩20包括第一主體部201和多個第一指部202。第一光罩20的多個第一指部202的第一端連接第一光罩20的第一主體部201，第一光罩20的多個第一指部202的第二端朝向基板11的選定側面11cc延伸，第一光罩20的多個第一指部202相較於第一光罩20的第一主體部201更靠近基板11的選定側面11cc。

如第16圖、第24圖所示，第一光罩20具有兩種形狀，多個第一指部202中的每個第一指部202位於相鄰的兩個第一連結電極12之間的間隙區域。

示例性地，第一指部202沿第二方向Y的尺寸大於或者等於第一連結電極12沿第二方向Y的尺寸。

在一些示例中，第一指部202沿第二方向Y的尺寸的範圍為60μm~1mm。

第一指部202沿第二方向Y的尺寸例如為60μm、500μm或者1mm。

示例性地，在上述步驟中，如第16圖、第24圖所示，第一光罩20的多個第一指部202在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間具有設定距離。該設定距離例如為如第16圖、第24圖中所示的距離d3。

在一些實施例中，如第16圖、第24圖所示，第一光罩20的多個第一指部202在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間的距離d3的範圍為0~60μm。距離d3例如為20μm、35μm或者60μm。

示例性地，在上述步驟中，如第16圖、第24圖所示，沿第一方向X上，第一光罩20的多個第一指部202中的每個第一指部202的尺寸d5小於或等於與其相鄰的兩個第一連結電極12的間距d4。

在一些實施例中，第一光罩20包括的第一指部202沿第一方向X上的尺寸的範圍為大於等於20μm且小於60μm。與前述第一指部202相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距大於或者等於30μm，且小於或者等於300μm。

步驟S43、形成導電層13’。

其中，如第17圖~第19圖所示，導電層13’包括：位於基板11的第一表面11a一側的第一部分13’1、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部分13’2和位於基板11的第二表面11b一側的第三部分13’3。

導電層13’的第一部分13’1覆蓋多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的部分。

示例性地，在上述步驟中，如第18圖和第19圖所示，第18圖為根據第17圖中的截面線EE得到的截面圖，第19圖為根據第17圖中的截面線FF得到的截面圖，導電層13’的第一部分13’1和第一光罩20的第一主體部201不交疊，導電層13’的第一部分13’1和第一光罩20的第一指部202有交疊。

步驟S53、採用雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成並排間隔排列的多條連接導線13。

其中，如第1A圖、第1B圖所示，多條連接導線13中的每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。每條連接導線13的第一部131與一個第一連結電極12電連接。

雷射蝕刻導電層13’形成多條連接導線13包括：如第20圖~第22圖所示，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

在上述步驟中，對於雷射蝕刻導電層13’的形成的多條連接導線13的第一部131和第三部133的形狀的描述，以及對多條連接導線13的第三部133的製備方法參加前文，此處不再贅述。

步驟S63、如第23圖所示，去除第一光罩20。

在此步驟中，導電層的位於第一光罩的第一指部上的部分，隨著第一光罩的去除而一併去除，得到如第23圖中的較寬的第二子間隙區域152。

採用上述顯示面板的製備方法，在第一表面11a的顯示區AA形成驅動線路層14，接著在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20，將驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分的包覆其中。這樣，在採用雷射蝕刻圖案化導電層13’的過程中，雷射Laser2沿第23圖、第24圖、第25圖中所示的方向照射向導電層13’，雖然連接導線13的第一部131在基板11上的厚度d2小於顯示區AA內膜層厚度d1，但由於第一光罩20將驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分包覆其中，使得雷射Laser2沿第23圖、第24圖、第25圖中所示的方向照射向導電層13’時，射向驅動線路層14的雷射被第一光罩20的主體部201遮擋，對驅動線路層14起到了保護作用，避免了雷射對驅動線路層14造成損傷。從而避免了驅動線路層14受到雷射照射後導致被配置為傳輸電路訊號的部分線路被雷射蝕刻去除或損傷，從而影響電路訊號正常傳輸的問題，進而提高了顯示面板的可靠度。

需要說明的是，導電層13’的第一部分13’1與第一光罩20的第一指部202有交疊，示例性地，如第17圖和第19圖所示，導電層13’的第一部分13’1的第二子蝕刻區K12對應的部分與第一光罩20的多個第一指部202有交疊，且導電層13’的第一部分13’1的第二子蝕刻區K12對應的部分位於第一光罩20的多個第一指部202遠離基板11的一側。

因此，在去除第一光罩20時，導電層13’的第一部分13’位於第一光罩20的多個第一指部202遠離基板11一側的部分，可以理解的是，導電層13’的第一部分13’1的第二子蝕刻區K12對應的部分會在去除第一光罩20時隨第一光罩20的多個第一指部202一起被去除。

因此，在雷射蝕刻圖案化導電層13’，從而形成多條連接導線13的過程中，無需對第23圖中所示的多個第二子蝕刻區K12蝕刻，減少了雷射蝕刻範圍。在顯示面板的製備過程中，第一光罩20在起到保護顯示區AA內的膜層結構的同時，還減少了雷射蝕刻導電層13’的蝕刻範圍，減少了雷射蝕刻步驟的時間，進一步地，提高了生產效率。

在一些實施例中，如第1C圖、第1D圖和第25圖所示，第一子蝕刻區K11沿第二方向Y的尺寸小於平坦層145和鈍化層146靠近基板11的選定側面11cc的邊界線B在基板11上的正投影與基板11的選定側面11cc之間的距離L1。

在一些示例中，在步驟S53中，雷射Laser1、Laser2、Laser3分別沿第18圖、第19圖中所示的方向同時對導電層13’的多個與第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2和多個第三蝕刻區K3對應的部分進行蝕刻，將導電層13’圖案化，從而得到如第23圖中所示的多條連接導線13。

示例性地，顯示面板包括A（A≥1，A為正整數）個沿第一方向X間隔排列的第一連結電極12，那麼，沿第一方向X上，A個第一連結電極12之間有（A-1）個間隙區域，相應地，第一光罩20的第一指部202的數量小於或者等於（A-1）個。

可以理解的是，當第一光罩20的第一指部202的數量為零時，第一光罩20只包括第一主體部201。在這種情況下，第一光罩20的設置參見前文的描述，此處不再贅述。

在一些實施例中，如第16圖所示，沿第一方向X上，第一光罩20的多個第一指部202中的任意兩個第一指部202之間包括至少兩個第一連結電極12。

示例性地，顯示面板包括A（A≥3，A為正整數）個第一連結電極12，那麼，沿第一方向X上，A個第一連結電極12有（A-1）個間隙區域，第一光罩20的第一指部202的數量小於（A-1）個，第一光罩20至多包括（A-2）個第一指部202。

示例性地，如第1C圖所示，多個第一連結電極12中的任意兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距不唯一。

在一些實施例中，多個第一連結電極12中的任意一個第一連結電極12和其一側的另一個第一連結電極12沿第一方向X上的間距與，該第一連結電極12和其另一側的又一個第一連結電極12沿第一方向X上的間距相同。

在另一些實施例中，多個第一連結電極12中的任意一個第一連結電極12和其一側的另一個第一連結電極12沿第一方向X上的間距與，該第一連結電極12和其另一側的又一個第一連結電極12沿第一方向X上的間距不同。

為保證第一光罩20包括的第一指部202能夠起到預期效果，則第一指部202的寬度（沿第一方向X上的尺寸）應在一定範圍內。當第一指部202的寬度過窄時，則第一指部202易變形，且易導致其不能起到間隔效果。示例性地，第一光罩20包括的第一指部202的寬度大於20μm，那麼，當相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距小於20μm時，則在這兩個第一連結電極12之間無法設置第一指部202。

可以理解的是，當第一指部202的寬度大於其所相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距時，如果在這兩個第一連結電極12之間設置第一指部202，相較於具備充足的距離（第一指部202的寬度小於其所相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距），第一指部202的貼附平整度降低，會造成第一指部202貼附不良，例如第一指部202貼附不服貼，形狀變形等，無法保證第一指部202可以起到預期效果，引起第一指部202的可靠度問題。

這時，如第16圖所示，第一光罩20包括的多個第一指部202只能設置於沿第一方向X上的間距大於20μm的兩個第一連結電極12之間。可以理解的是，在這種情況下，在滿足沿第一方向X上的間距大於20μm的兩個第一連結電極12之間可以設置第一指部202，也可以不設置第一指部202。

在這種情況下，在步驟S53中，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，包括以下幾種情況。

在一些示例中，步驟S53包括：步驟S53a、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

其中，導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分被蝕刻去除。得到的多條連接導線13的第二部132中，如第20圖所示，任意相鄰的兩條連接導線13的第二部132之間由第二間隙J2間隔。

在另一些示例中，步驟S53包括：步驟S53b、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131。其中，每條連接導線13的第二部132與一個第一部131相連。

其中，如第21圖所示，形成多條連接導線13的第二部132時，雷射殘餘能量將導電層13’的第一部分13’1靠近基板11的選定側面11cc的部分蝕刻去除，可以理解的是，如第21圖所示，導電層13’的第一部分13’1被蝕刻去除的部分沿第一方向X的尺寸和與其相鄰的兩條連接導線13的第二部132沿第一方向X的間距相同。

可以理解的是，在這種情況下，沿Laser2方向射入的雷射對導電層13’的第一部分13’1的蝕刻長度與第一光罩20的多個第一指部202在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間的距離相同或大致相同。

雷射對導電層13’的第一部分13’1的蝕刻長度為雷射將導電層13’的第一部分13’1靠近基板11的選定側面11cc的部分蝕刻後，導電層13’的第一部分13’1的剩餘部分在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間的距離。例如，如第17圖中所示的第一子蝕刻區K11對應的部分被蝕刻去除，得到如第23圖中所示的第一子間隙區域151，那麼，雷射對導電層13’的第一部分13’1的蝕刻長度即為第一子間隙區域151在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間的距離。

導電層13’的第一部分13’1的多個第一蝕刻區K1中的至少一個第一蝕刻區K1對應的部分與第一光罩20的多個第一指部202有交疊。如第17圖所示，多個第一蝕刻區K1包括第一類蝕刻區和第二類蝕刻區K13，每個第一類蝕刻區包括第一子蝕刻區K11和第二子蝕刻區K12，第一類蝕刻區包括的第一子蝕刻區K11相較於該第一類蝕刻區的第二子蝕刻區K12更靠近基板11的選定側面11cc。第一子蝕刻區K11、第二類蝕刻區K13和第二蝕刻區K2沿第一方向X上的尺寸相同。

在上述步驟中，雷射Laser2照射向導電層13’，將導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分被蝕刻去除後，如第22圖所示，雷射繼續照射向導電層13’的第一部分13’1，將多個第一子蝕刻區K11和多個第二類蝕刻區K13對應的部分蝕刻去除。多個第一子蝕刻區K11對應的部分被去除後得到多個第一子間隙區域151，多個第二類蝕刻區K13對應的部分被去除後得到多個第二類間隙區域16。

對於多個第一連結電極12，在顯示面板的製備過程中，當相鄰的兩個第一連結電極12之間沒有被第一光罩20的第一指部202間隔開時，如第23圖所示，在最終形成的顯示面板中，與前述相鄰的兩個第一連結電極12相連的兩條連接導線13的第一部131之間被第二類間隙區域16間隔。當相鄰的兩個第一連結電極12之間被第一光罩20的第一指部202間隔開時，在最終形成的顯示面板中，如第23圖所示，與前述相鄰的兩個第一連結電極12相連的兩條連接導線13的第一部131之間被第一類間隙區域15間隔。

可以理解的是，多個第二子蝕刻區K12在導電層13’上對應的部分會在去除第一光罩20時，會隨著第一光罩20的多個指部202一起被去除，因此，雷射不需要對這部分區域進行蝕刻，省去了雷射蝕刻這部分區域對應的部分的時間，進一步地，提高了生產效率。

需要說明的是，當在步驟S53中，導電層13’的第一部分13’1的多個第一子蝕刻區K11、多個第二類蝕刻區K13對應的部分被蝕刻去除時，在步驟S63中，在去除第一光罩後，如第23圖所示，形成了多條連接導線13的第一部131。

在一些實施例中，在步驟S63之後還包括： S73、雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13。

其中，雷射蝕刻導電層13’的其餘部分，形成完整的多條連接導線13包括：雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131和/或雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

可以理解的是，步驟S73作為對步驟S53的補充，在去除第一光罩20後，導電層13’的多個與第一蝕刻區K1、多個第二蝕刻區K2、多個第三蝕刻區K3對應的部分已經全部蝕刻去除的情況下，不需要執行步驟S73。

在一些實施例中，在步驟S53a中僅形成了多條連接導線13的的第二部132。那麼，步驟S73a包括雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131，以及雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

需要說明的是，S73中，利用的是的雷射Laser1和/或雷射Laser2。

如第23圖所示，藉由上述流程製備的顯示面板包括的多條連接導線13中，相鄰的兩條連接導線13之間由第一間隙J1間隔。其中，第一間隙J1包括第一類間隙區域15和第二類間隙區域16。每個第一類間隙區域15包括第一子間隙區域151和第二子間隙區域152，每個第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151相較於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152更靠近基板11的選定側面11cc。

示例性地，第二類間隙區域16沿第一方向X上的尺寸等於第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸。

在一些實施例中，每個第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸小於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸。可以理解的是，在這種情況下，第一類間隙區域15與第二類間隙區16的形狀不同，第二類間隙區16為條狀間隙，第一類間隙區域15為“凸”字型間隙。

在另一些實施例中，每個第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸等於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸。可以理解的是，在這種情況下，第一類間隙區域15與第二類間隙區16均為條狀間隙，且兩者形狀、尺寸相同。

作為一種可能的設計，多個第一連結電極12沿第一方向X間隔排列，且每個第二連結電極12沿第二方向Y延伸，其中，第二方向Y垂直於第一方向X且第二方向Y垂直於基板11的選定側面11cc。

在另一些實施例中，如第24圖所示，第一光罩20具有另一種形狀，多個第一連結電極12中的任意兩個相鄰的第一連結電極12之間的間隙區域內均設置有一個第一光罩20的第一指部202。

示例性地，顯示面板包括A（A≥2，A為正整數）個第一連結電極12，那麼，沿第一方向X上，A個第一連結電極12有（A-1）個間隙區域，第一光罩20的第一指部202的數量為（A-1）個，第一光罩20包括（A-1）個第一指部202。

在這種情況下，在步驟S43中，如第25圖所示，導電層13’的第一部分13’1包括多個第一蝕刻區K1，每個第一蝕刻區K1包括第一子蝕刻區K11和第二子蝕刻區K12，導電層13’的第一部分13’1的第二子蝕刻區K12對應的部分與第一光罩20的第一指部202有交疊。

在步驟S53中，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132包括的幾種情況參加前文對於步驟S53的描述。

如第26圖所示，藉由上述流程製備的顯示面板包括的多條連接導線13中，相鄰的兩條連接導線13之間由第一間隙J1間隔，第一間隙J1均為第一類間隙區域15。每個第一類間隙區域15包括第一子間隙區域151和第二子間隙區域152，每個第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151相較於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152更靠近基板11的選定側面11cc。所述多條連接導線13中的任意兩條相鄰的連接導線13的第一部131由第一類間隙區域15間隔。

示例性地，多條連接導線13中任意兩條相鄰的連接導線13的第一部分131由第一間隙J1間隔，當第一間隙J1包括的第二子間隙區域152是在去除第一光罩20時，第一光罩20的第一指部202將覆蓋其上的導電層13’的對應的部分隨第一指部202一起去除形成的，而該第一間隙J1包括的第一子間隙區域151是由雷射蝕刻導電層13’對應的部分形成的。

為保證將導電層13’的第二子蝕刻區K12對應的部分完全蝕刻去除，雷射的能量需要滿足一定條件，在一些示例中，在垂直於基板11第一表面11a的方向，雷射除蝕刻導電層13’外，還會蝕刻到與導電層13’接觸且更靠近基板11一側的膜層的表面（在導電層與基板11直接接觸的情況下，雷射會蝕刻到基板11的表面），從而使得該第一間隙J1包括的第一子間隙區域151在垂直於第一表面11a的方向的尺寸要大於該第一間隙J1包括的第二子間隙區域152在垂直於第一表面11a的方向的尺寸。

這裡所說的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152在垂直於基板11第一表面11a的尺寸是指，第一子間隙區域151/第二子間隙區域152遠離基板11的一側表面與基板11之間的沿第1A圖中所示的Z方向的深度。

在一些實施例中，每個第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸小於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸。可以理解的是，在這種情況下，第一類間隙區域15與第二類間隙區16的形狀不同，第二類間隙區16為條狀間隙，第一類間隙區域15為“凸”字型間隙。

示例性地，第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸大於或者等於33μm且小於或者等於73μm。

在一些實施例中，第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸大於或者等於30μm且小於或者等於70μm。

在一些實施例中，如第31圖所示，顯示面板還包括設置於基板11的第二表面11b一側的多個第二連結電極19。多個第二連結電極19靠近基板11的選定側面11cc的一端被配置為與連接導線13的第三部133連接，多個第二連結電極19遠離基板11的選定側面11cc的一端被配置為與位於基板11的第二表面11b一側的電路板連接。

例如多個第二連結電極19遠離基板11的選定側面11cc的一端的端部作為連接柔性電路板F的連結電極，也就是說多個第二連結電極19需要預留較大位置進行外部線路連結。

可以理解的是，採用這種設計，由於多個第二連結電極19作為連接柔性電路板F的連結電極，因此連接導線13的第三部133只需要保證可以與第二連結電極19的有效連接，而不需要預留與外部線路連結的位置。

因此，相較於採用如第13圖中所示的結構，即多條連接導線13的第三部133充當連結電極，直接與柔性線路板F電連接，採用如第31圖中所示的結構時，由於存在第二連結電極19，連接導線13的第三部133的長度縮短。

上述製備製程，例如濺射鍍膜製程和雷射製程等僅作為示例性描述，不作為對實際生產製程的限定。

對於第二連結電極19的形狀，有以下幾種情況： 在一些實施例中，第二連結電極19呈直線狀。每個第二連結電極19例如沿第28圖中所示的Y方向延伸。

在另一些實施例中，第二連結電極19呈非直線狀，第二連結電極19包括依次首尾連接的多個延伸方向不同的部分。示例性地，如第27圖所示，每個第二連結電極19例如包括第一子部191和第二子部192，且第二連結電極19包括的第一子部191和第二子部192延伸方向不同。

示例性地，如第27圖所示，每個第二連結電極19的第一子部191例如為直子部，每個第二連結電極19的第一子部191沿第二方向Y延伸。

可以理解的是，當第二連結電極19呈直線狀時，雷射Laser2沿第28圖中所示的方向射向導電層，形成多條連接導線13的第二部132時，雷射將導電層的第二蝕刻區對應的部分蝕刻完後，雷射殘餘能量對導電層的第三部分靠近基板的選定側面的部分被去除。

由於第二連結電極的延伸方向與雷射蝕刻第二蝕刻區對應部分時的雷射路徑方向一致，因此，即使雷射Laser2沿第28圖中所示的方向射向導電層的第三部分，雷射蝕刻範圍位於相鄰兩個第二連結電極之間，雷射不會射向第二連結電極，因此，最終形成的第二連結電極19不會造成損傷。

當第二連結電極19呈非直線狀時，雷射Laser2沿第28圖中所示的方向射向導電層13’，形成多條連接導線的第二部時，雷射將導電層13’的第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻完後，雷射殘餘能量會對第二連結電極造成損傷，示例性地，如第29圖所示，當雷射Laser2將導電層13’的第三部分13’3的多個第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除後，雷射的殘餘能量會射向第二連結電極19的第二子部192，使得第二連結電極19受到損傷，造成不良，從而影響顯示面板的可靠度。

需要說明的是，由於形成多條連接導線的第二部的過程中，雷射蝕刻路徑位於第二蝕刻區K2和第三蝕刻區K3對應的範圍內，且連接導線13的第三部133沿第一方向X上的尺寸大於與其相連的第二連結電極19沿第一方向X上的尺寸，可以理解的是，第二連結電極19的第一子部191位於雷射的蝕刻路徑範圍外，因此，雷射的殘餘能量不會對第二連結電極19的第一子部191造成損傷。

將導電層13’的第三部分13’3的多個第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除後，得到多條連接導線的第三部133，因此，每個第三蝕刻區K3對應的區域位元為形成的多條連接導線中的任意相鄰的兩條連接導線13的第三部133之間的區域。

為避免這種問題，在一些實施例中，提供一種顯示面板的製備方法，包括： S1、提供基板11。

其中，如第1A圖、第1B圖所示，基板11包括第一表面11a、第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，多個側面11c中的至少一個側面為選定側面11cc。第一表面11a包括顯示區AA和位於顯示區AA至少一側的周邊區AN，周邊區AN相較於顯示區AA更靠近基板11的選定側面11cc。

S2a、在基板11的第一表面11a一側形成陣列層。

其中，在基板11的第一表面11a一側形成陣列層至少包括：在顯示區AA形成驅動線路層14。

示例性地，在上述步驟中，在基板11的第一表面11a一側形成陣列層還包括：在周邊區AN形成多個第一連結電極12。其中，如第4圖所示，多個第一連結電極12沿第一方向X間隔排列，且每個第一連結電極12沿第二方向Y延伸。周邊區AN沿第一方向X延伸。第一方向X與第二方向Y交叉。

在上述步驟中，多個第一連結電極12與驅動線路層14電連接。

示例性地，第一方向X垂直於第二方向Y。

S2b、在基板11的第一表面11a一側設置第一光罩20。

其中，如第5圖所示，第一光罩20至少包括第一主體部201，第一主體部201包覆驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分，第一光罩20的第一主體部201還包覆多個第一連結電極12靠近顯示區AA的部分。

示例性地，在上述步驟中，如第16圖、第24圖所示，第一光罩20還包括多個第一指部202。

步驟S3a、在基板11的第二表面11b一側形成並排間隔排列的多個第二連結電極19。

其中，如第27圖所示，每個第二連結電極19包括第一子部191和第二子部192。每個第二連結電極19的第一子部191相較於該第二連結電極19的第二子部192更靠近基板11的選定側面11cc。

每條連接導線13的第三部133與一個第二連結電極19的第一子部191電連接。第二連結電極19的第一子部191的延伸方向和與其連接的連接導線13的第三部133的端部的延伸方向相同。

步驟S3b、在基板11的第二表面11b一側設置第二光罩21。

其中，如第28圖所示，第二光罩21至少包括第二主體部211。第二主體部211至少包覆多個第二連結電極19的第二子部192靠近基板11的選定側面11cc的部分。

在一些實施例中，在上述步驟中，形成的第二光罩21還包括多個第二指部212。多個第二指部212的第一端連接第二主體部211，多個第二指部212的第二端朝向基板11的選定側面11cc延伸，第二光罩21的多個第二指部212相較於第二光罩21的第二主體部211更靠近基板11的選定側面11cc。

如第28圖所示，第二光罩21的多個第二指部212中的每個第二指部212位於相鄰的兩個第二連結電極19之間的間隙區域。

示例性地，在上述步驟中，第二光罩21的多個第二指部212在基板11上的正投影的邊界與基板11的選定側面11cc之間具有設定距離。

示例性地，在上述步驟中，沿第一方向X上，第二光罩21的多個第二指部212中的每個第二指部212的尺寸小於或等於與其相鄰的兩個第二連結電極19的間距。

示例性地，第二連結電極19例如採用成膜、曝光、顯影蝕刻的圖案化製程製備。

步驟S4、形成導電層13’。

其中，導電層13’包括：位於基板11的第一表面11a一側的第一部分13’1、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部分13’2和位於基板11的第二表面11b一側的第三部分13’3。

導電層13’的第一部分13’1覆蓋多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的部分。如第28圖所示，導電層13’的第三部分13’3覆蓋多個第二連結電極19靠近基板11的選定側面11cc的部分。

在一些實施例中，在上述步驟中，導電層13’的第一部分13’1和第一光罩20的第一主體部201不交疊。導電層13’的第三部分13’3和第二光罩21的第二主體部211不交疊。

步驟S5、採用雷射蝕刻圖案化導電層13’，形成並排間隔排列的多條連接導線13。

其中，如第1A圖、第1B圖所示，多條連接導線13中的每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。每條連接導線13的第一部131與一個第一連結電極12電連接。

雷射蝕刻導電層13’形成多條連接導線13包括：如第29圖、第30圖、第33圖和第34圖所示，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

步驟S61、去除第一光罩20。

步驟S62、如第32圖、第36圖所示，去除第二光罩21。導電層的第三部位於第二光罩21上的部分隨第二光罩21的去除一併去除，形成間隙。

在一些實施例中，如第31圖和第35圖所示，沿第一方向X上，連接導線13的第三部133的尺寸大於與其相連的第二連結電極19的尺寸。

在另一些實施例中，沿第一方向X上，連接導線13的第三部133的尺寸等於與其相連的第二連結電極19的尺寸。

在又一些實施例中，沿第一方向X上，連接導線13的第三部133的尺寸小於與其相連的第二連結電極19的尺寸。

示例性地，在上述步驟中，設置第一光罩20的步驟在形成陣列層的步驟之後，設置第二光罩21的步驟在形成多個第二連結電極19的步驟之後。

示例性地，在上述步驟中，形成陣列層的步驟和形成多個第二連結電極的步驟不限定先後順序。

示例性地，在上述步驟中，去除第一光罩的步驟在形成多條連接導線的第二部之後，且在形成多條連接導線的第一部之前。

示例性地，在上述步驟中，去除第二光罩的步驟在形成多條連接導線的第二部之後，且在形成多條連接導線的第三部之前。

在步驟S5中，形成多條連接導線的第一部和第二部的方法參見前文，此處不再贅述。

以下對顯示面板包括多個第二連結電極19時，形成多條連接導線13的第三部133的方法做介紹。

在一些實施例中，在設置第二光罩的步驟中，第二光罩包括第二主體部。其中，第二主體部至少包覆多個第二連結電極的第二子部靠近基板的選定側面的部分。

在這種情況下，雷射Laser2對導電層的第二部分進行蝕刻，形成多條連接導線的第二部。由於多個第二連結電極的第二子部靠近基板的選定側面的部分被第二光罩的第二主體部包覆其中，因此，當雷射將第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除後，雷射被第二光罩的第二主體部遮擋，從而避免第二連結電極19的第二子部192被雷射的殘餘能量損傷的問題。

接著，去除第二光罩21。然後，雷射Laser3沿第1B圖中所示的方向將導電層的第三部分的多個第三蝕刻區對應的部分蝕刻去除，從而形成完整的多條連接導線的第三部。

具體方法步驟可參照前文對於第一光罩僅包括第一主體部的情況下，形成多條連接導線的第一部的方法。

在另一些實施例中，在設置第二光罩21的步驟中，如第28圖、第32圖所示，第二光罩21包括第二主體部211和多個第二指部212。其中，第二主體部201至少包覆多個第二連結電極19的第二子部192靠近基板11的選定側面11cc的部分。

示例性地，顯示面板包括B（B≥1，B為正整數）個沿第一方向X間隔排列的第二連結電極19，那麼，沿第一方向X上，B個第二連結電極19之間有（B-1）個間隙區域，相應地，第二光罩21的第二指部212的數量小於或者等於（B-1）個。

可以理解的是，當第二光罩21的第二指部212的數量為零時，第二光罩21只包括第二主體部211。

在一些實施例中，第二光罩21的多個第二指部212的數量較少，如第28圖所示，沿第一方向X上，第二光罩21的多個第二指部212中的任意兩個第二指部212之間包括至少兩個第二連結電極19。

示例性地，顯示面板包括B（B≥3，B為正整數）個第二連結電極19，那麼，沿第一方向X上，B個第二連結電極19有（B-1）個間隙區域，第二光罩21的第二指部212的數量小於（B-1）個，第二光罩21至多包括（B-2）個第二指部212。

需要說明的是，導電層13’的第三部分13’3的多個第三蝕刻區K3中的至少一個第三蝕刻區K3對應的部分與第二光罩21的多個第二指部212有交疊。如第28圖所示，多個第三蝕刻區K3包括第三類蝕刻區和第四類蝕刻區K33，每個第三類蝕刻區包括第三子蝕刻區K31和第四子蝕刻區K32，第三類蝕刻區包括的第三子蝕刻區K31相較於該第三類蝕刻區的第四子蝕刻區K32更靠近基板11的選定側面11cc。第三子蝕刻區K31、第四類蝕刻區K33和第二蝕刻區K2沿第一方向X上的尺寸相同。

在去除第二光罩21時，導電層13’的第三部分13’3位於第二光罩21的多個第二指部212遠離基板11一側的部分為第四子蝕刻區K32對應的部分，可以理解的是，導電層13’的第三部分13’3的第四子蝕刻區K32對應的部分會在去除第二光罩21時隨第二光罩21的多個第二指部212一起被去除。

在這種情況下，在步驟S5中，至少雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，包括以下幾種情況。

在一些實施例中，如第29圖、第33圖所示，步驟S5包括：步驟S5a、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132。

在上述步驟中，如第29圖和第30圖所示，雷射Laser2沿第32圖中所示的方向將導電層13’的第二部分13’2的多個第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除，形成多條連接導線13的第二部132。

在這個過程中，雷射將多個第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，雷射的殘餘能量還會對導電層13’的第三部分13’3靠近基板11的選定側面11cc的部分造成損傷。示例性地，在形成多條連接導線13的第二部132之後，雷射的殘餘能量將導電層13’的第三部分13’3中多個第三子蝕刻區K31對應的部分蝕刻去除。

在這種情況下，在去除第一光罩的步驟之後，還包括：步驟S71a、雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131。

在這種情況下，在去除第二光罩的步驟之後，如第30圖所示，還包括：步驟S72a、雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

可以理解的是，在上述步驟中，步驟S71和步驟S72的先後順序不做限定。

在另一些實施例中，步驟S5包括：步驟S5b、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131。

在上述步驟中，形成多條連接導線的第一部和第二部的方法參見前文，此處不再贅述。

在這種情況下，在去除第一光罩的步驟之後，形成了完整的多條連接導線13的第一部131。

在這種情況下，在去除第二光罩的步驟之後，還包括：步驟S72b、雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

在又一些實施例中，步驟S5包括：步驟S5c、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

因為導電層13’的第三部分13’3的多個第四子蝕刻區K32對應的部分在去除第二光罩21時會隨著第二光罩21的多個第二指部212一起被去除。因此，在上述步驟中，雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3時，如第33圖所示，僅需將導電層13’的第三部分13’3的多個第三子蝕刻區K31和多個第四類蝕刻區K33對應的部分蝕刻去除。

可以理解的是，在這種情況下，省去了雷射蝕刻多個第四子蝕刻區K32對應的部分的時間，進一步地，提高了生產效率。

在這種情況下，在去除第一光罩的步驟之後，還包括：步驟S71c、雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131。

在這種情況下，在去除第二光罩的步驟之後，如第31圖、第35圖所示，形成了完整的多條連接導線13的第三部133。

在再一些實施例中，步驟S5包括：步驟S5d、雷射蝕刻導電層13’的第二部分13’2形成多條連接導線13的第二部132，雷射蝕刻導電層13’的第一部分13’1形成多條連接導線13的第一部131，雷射蝕刻導電層13’的第三部分13’3形成多條連接導線13的第三部133。

在另一些實施例中，第二光罩21的多個第二指部212的數量較多，如第32圖所示，多個第二連結電極19中的任意兩個相鄰的第二連結電極19之間的間隙區域內均設置有一個第二光罩21的第二指部212。

示例性地，顯示面板包括B（B≥2，B為正整數）個第二連結電極19，那麼，沿第一方向X上，B個第二連結電極19有（B-1）個間隙區域，第二光罩21的第二指部212的數量為（B-1）個，第二光罩21包括（B-1）個第二指部212。

在這種情況下，在步驟S5中，如第32圖所示，導電層13’的第三部13’3的第三蝕刻區K3包括的第四子蝕刻區K32對應的部分與第二光罩21的第二指部212有交疊。

在這種情況下，在形成多條連接導線13的第二部132的過程中，雷射Laser2蝕刻導電層13’的第二部分13’2。

在一些實施例中，如第33圖所示，雷射僅將導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除。

在另一些實施例中，如第34圖所示，雷射將導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，雷射的殘餘能量還會對導電層13’的第三部分13’3的靠近基板11的選定側面11cc的部分造成損傷。

示例性地，如第32圖、第34圖所示，形成多條連接導線13的第二部132時，雷射將導電層13’的多個與第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，雷射還會將導電層13’的第三部分13’3的多個第三子蝕刻區K31對應的部分蝕刻去除。在這種情況下，去除第二光罩21後，形成了如第35圖所示的多條連接導線13的第三部133。

可以理解的是，雷射從一個方向射向導電層的第二部分和第三部分，相較於如第1B圖所示，雷射分別沿兩個方向射向導電層對導電層的第二部分和第三部分進行蝕刻，減少了製作程序。

在一些實施例中，在設置第一光罩20的步驟之前，如第36圖、第37圖所示，還包括：在驅動線路層14遠離基板11的一側形成發光器件層G。

其中，如第36圖~第39圖所示，第一光罩20至少包括第一主體部201，或者第一光罩20包括第一主體部和多個第一指部，第一主體部201至少包覆驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分。第一光罩20的主體部201還包覆發光器件層G靠近基板11的選定側面11cc的部分。

第38圖和第39圖為根據第36圖中截面線GG和HH得到的截面圖，這樣在雷射蝕刻形成多條連接導線的過程中，雷射被第一光罩20阻擋，由於第一光罩20的保護作用，雷射不會對發光器件層造成損傷，提高了顯示面板的品質。

在另一些實施例中，在形成了完整的多條連接導線之後，如第40圖、第41圖所示，還包括：在驅動線路層14遠離基板11的一側形成發光器件層G。

可以理解的是，形成發光器件層G的步驟，可以在形成完整的多條連接導線13的步驟之前，也可以在形成完整的多條連接導線13的步驟之後。

示例性地，如第1C圖、第40圖所示，第一子間隙區域151沿第二方向Y的尺寸p1小於第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的邊界在基板11上的正投影與基板11的選定側面11cc之間的距離為距離L2。

另一方面，本揭露的實施例提供一種顯示面板100，如第1A圖、第1B圖、第40圖、第41圖所示，包括：基板11、驅動線路層14、多個第一連結電極12、多條連接導線13。基板11包括第一表面11a、第二表面11b以及連接第一表面11a和第二表面11b的多個側面11c，多個側面11c中的至少一個側面11c為選定側面11cc。

基板11的第一表面11a包括顯示區AA和位於顯示區AA至少一側的周邊區AN，周邊區AN相較於顯示區AA更靠近基板11的選定側面11cc。驅動線路層14設置於顯示區AA。多個第一連結電極12設置於周邊區AN，沿第一方向X間隔排列。第一方向X平行於基板11的選定側面11cc和基板11的第一表面11a。

多條連接導線13沿第一方向X間隔排列。多條連接導線13中的每條連接導線13包括位於基板11的第一表面11a一側的第一部131、位於基板11的選定側面11cc一側的第二部132和位於基板11的第二表面11b一側的第三部133。每條連接導線13的第一部131與一個第一連結電極12電連接。

相鄰兩條連接導線13的第一部131由第一間隙J1間隔，第一間隙J1包括第一類間隙區域15。第一類間隙區域15包括第一子間隙區域151和第二子間隙區域152，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151相對於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152更靠近基板11的選定側面11cc。如第23圖、第26圖所示，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸p3小於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸p4。

本申請上述實施例提供的顯示面板中的多條連接導線13中相鄰兩條連接導線13的第一部131由第一間隙J1間隔，第一間隙J1包括第一類間隙區域15。第一類間隙區域15包括第一子間隙區域151和第二子間隙區域152，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸p3小於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸p4，參照前邊對於顯示面板的製備方法的介紹，多條連接導線13具備上述結構特徵，這是由於在製備過程中，在形成導電層以及雷射蝕刻之前，在驅動線路層14上設置第一光罩20，將驅動線路層14靠近基板11的選定側面11cc的部分的包覆其中，從而雷射Laser2沿由垂直於基板11的選定側面11cc一側照射向導電層13’時，射向驅動線路層14的雷射被第一光罩20的主體部201遮擋，對驅動線路層14起到了保護作用，避免了雷射對驅動線路層14造成損傷，從而避免了驅動線路層14受到雷射照射後導致被配置為傳輸電路訊號的部分線路被雷射蝕刻去除或損傷，從而影響電路訊號正常傳輸的問題，進而提高了顯示面板的可靠度。

並且，由於第一光罩20包括第一主體部201和多個第一指部202，形成在多個第一指部202上的導電層能夠隨著第一光罩20的去除而一併去除，從而無需對該部分導電層進行雷射蝕刻，即可形成第一類間隙區域15的第二子間隙區域152，且第二子間隙區域152的尺寸與第一指部202的尺寸相同或大致相同，從而節省雷射蝕刻步驟，減少雷射蝕刻範圍，提高了生產效率。

需要說明的是，在顯示面板的製備過程中，第一光罩20只包括第一主體部201，就能起到保護驅動線路層14的作用。在一些可能的情況中，第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸p3大於或等於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸p4。在顯示面板的製備過程中，第一光罩20包括第一主體部201，當雷射蝕刻形成多條連接導線13的第二部132後，雷射的殘餘能量會繼續沿Laser2方向射向基板11，將相鄰的兩條連接導線13的第一部131之間靠近基板11的選定側面11cc的部分蝕刻去除，在這種情況下，第一子間隙區域151由來自顯示面板的選定側面一側的雷射Laser2蝕刻得到，第二子間隙區域152由來自顯示面板的第一表面一側的雷射Laser1蝕刻得到，兩個方向的雷射的蝕刻寬度可以一致或不一致，相應的，使得第一類間隙區域15的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152在第一方向上的尺寸一致或不一致。

需要說明的是，第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151也可以是由來自顯示面板的第一表面一側的雷射Laser1蝕刻得到的，在這種情況下，第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152都是由來自顯示面板的第一表面一側的雷射Laser1蝕刻得到的。

在顯示面板的製備過程中，為保證蝕刻區（第一蝕刻區K1、第二蝕刻區K2或者第三蝕刻區K3）對應的部分被完全蝕刻去除（即需要被蝕刻去除的部分不會在蝕刻製程結束後存在殘留），不會出現導電層本應被蝕刻去除的部分存在殘留導致本應彼此之間不存在電連接關係的多條連接導線中的至少兩條連接導線存在電連接，導致訊號傳輸異常的問題，雷射在往返掃描時，雷射的蝕刻路徑相較於蝕刻區更大，雷射蝕刻的範圍會超出需要蝕刻的長度。

示例性地，如第37圖、第41圖所示，第一蝕刻區K1的第一子蝕刻區K11沿第一方向X上的尺寸例如為0.5mm時，則在蝕刻第一子蝕刻區K11時，雷射沿第一方向X上的掃描路徑相較於第一蝕刻區K1的第一子蝕刻區K11沿第一方向X上的尺寸超出10~13μm。

可以理解的是，雖然第一間隙J1是由第一蝕刻區K1被去除形成的，但是第一間隙J1對應的部分在基板11上的正投影將第一蝕刻區K1對應的部分在基板11上的正投影包圍其中。示例性地，第一間隙J1在沿第一方向X的尺寸與第一蝕刻區K1沿第一方向X的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm，第一間隙J1在第二方向Y的尺寸與第一蝕刻區K1第二方向Y的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm。

相應地，第二間隙J2對應的部分在基板11上的正投影將第二蝕刻區K2對應的部分在基板11上的正投影包圍其中。示例性地，第二間隙J2在沿第一方向X的尺寸與第二蝕刻區K2沿第一方向X的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm，第二間隙J2在第二方向Y的尺寸與第二蝕刻區K2沿第二方向Y的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm。

第三間隙J3對應的部分在基板11上的正投影將第三蝕刻區K3對應的部分在基板11上的正投影包圍其中。示例性地，第三間隙J3在沿第一方向X的尺寸與第三蝕刻區K3沿第一方向X的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm，第三間隙J3在第二方向Y的尺寸與第三蝕刻區K3第二方向Y的尺寸之差的絕對值的範圍為10~13μm。

在一些實施例中，如第40圖、第41圖所示，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第二方向Y上的尺寸p1小於或者等於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第二方向Y上的尺寸p2。第二方向Y與連接導線13的第一部131的延伸方向平行。

示例性地，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第二方向Y上的尺寸p1大於或者等於33μm且小於或者等於73μm。

在一些示例中，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第二方向Y上的尺寸p1大於或者等於30μm且小於或者等於70μm。

在多條連接導線13的製備過程中，雷射蝕刻形成多條連導線13的第二部132時，雷射殘餘能量還會對將連接導線13的第一部131靠近基板11的選定側面11cc之間的部分蝕刻掉一部分，相應地，也會對第一光罩20的第一指部202靠近基板11的選定側面11cc的一部分造成損傷，使得雷射（沿第二方向Y）蝕刻長度大於第一光罩20的第一指部202與基板11的選定側面11cc之間的距離。可以理解的是，這樣的情況下，第一子間隙區域151沿第二方向Y的尺寸相較於第一指部202與選定側面11cc的沿第二方向Y的距離增大。

如第40圖、第41圖所示，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第二方向Y上的尺寸小於或者等於該第一類間隙區域15的第二子間隙區域152沿第二方向Y上的尺寸，在顯示面板的製備過程中，第一光罩的第一指部沿第二方向上的尺寸較長，第一指部盡可能延伸向靠近選定側邊的位置，從而能更有效地阻擋雷射射向驅動線路層，導電層中形成在多個第一指部上的無需被雷射蝕刻的部分更多，進一步減少雷射蝕刻範圍，提高生產效率。

在一些實施例中，如第40圖、第41圖所示，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸之差的範圍為0~100μm。

每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸之差的範圍例如0、55μm或者100μm。

第一類間隙區域15的尺寸會影響其緊鄰的連接導線13的尺寸，每個第一類間隙區域15的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸不能相差過大，在保證相鄰兩條連接導線13之間的電絕緣的基礎上，保證多條連接導線13的尺寸一致性，保證其電學性能的一致性。

在一些實施例中，如第41圖所示，多條連接導線13中的任意兩條相鄰的連接導線13的第一部131由第一類間隙區域15間隔。

如第41圖所示，每兩條相鄰的連接導線13的第一部131均由第一類間隙區域15間隔，也就是說，在顯示面板的製備過程中，第一光罩20例如如第25圖所示，包括多個第一指部202，且多個第一指部202一一對應的位於每相鄰的兩個第一連結電極12之間的間隙區域，從而得到的多條連接導線13中的第一部131均由第一類間隙區域15間隔開。

在一些實施例中，如第40圖所示，第一間隙J1還包括第二類間隙區域16，第二類間隙區域16沿第一方向X上的尺寸p5等於第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸p3。

如第36圖所示，第二類間隙區域16藉由雷射蝕刻導電層13’中的第二類蝕刻區K13得到，第一類間隙區域15藉由雷射蝕刻導電層中的第一子蝕刻區K11得到，由此，如第40圖所示，第二類間隙區域16沿第一方向X上的尺寸一致地不變，且第二類間隙區域16沿第一方向X上的尺寸等於第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸，均等於雷射蝕刻的設定蝕刻寬度。

在一些示例中，如第40圖所示，第一類間隙區域15和至少一個第二類間隙區域16交替設置。

多個第一間隙J1中第一類間隙區域15和第二類間隙區域16的設置方式與第一光罩的第一指部的設置方式有關，設置方式為一個第一類間隙區域15和至少一個第二類間隙區域16交替設置，也就是說每相鄰兩個第一類間隙區域15之間設置有至少一個第二類間隙區域16，如第40圖所示，相鄰兩個第一類間隙區域15之間設置有一個、兩個或多個第二類間隙區域16。

在一些實施例中，如第40圖、第41圖所示，多個第一類間隙區域15中，每個第一類間隙區域15中的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152的分界線，相較於多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的一端的邊界，更靠近基板11的選定側面11cc。

如第40圖、第41圖所示，第一子間隙區域151和第二子間隙區域152的分界線與選定側面11cc之間的距離p6，小於多個第一連結電極12與基板11的選定側面11cc之間的距離L2，第一子間隙區域151和第二子間隙區域152的分界線為第一光罩20的第一指部202靠近基板11的選定側面11cc的一端的邊界，第一光罩20的第一指部202超過多個第一連結電極12靠近基板11的選定側面11cc的一端的邊界，第一指部202盡可能延伸向靠近基板11的選定側面11cc的位置，從而進一步減少雷射蝕刻範圍，提高生產效率。

在一些實施例中，多個第一連結電極12沿第一方向X並排間隔排列。如第40圖、第41圖所示，第一連結電極12沿第一方向X上的尺寸p9小於或者等於與該第一連結電極12連接的連接導線13的第一部131沿第一方向X上的尺寸p8/p8’。

為了保證連接導線13第一連結電極12的有效連接，連接導線的第一部131沿第一方向X上的尺寸一般會比與其連接的第一連結電極12沿第一方向X上的尺寸大一些或者相等，從而二者具有更大的接觸面積，能夠更穩固連接。

需要說明的是，由於第一類間隙區域15包括尺寸不等的第一子間隙區域151和第二子間隙區域152，因此被該第一類間隙區域15分隔開的連接導線13的第一部131也被分為尺寸不等的兩部分，連接導線13的第一部131沿第一方向X上的尺寸為連接導線13的第一部131的兩部分分別沿第一方向X上的尺寸的平均值。

在一些實施例中，如第40圖、第41圖所示，第一類間隙區域15沿第一方向X上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距p10。

如第40圖、第41圖所示，第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸p3和第二子間隙區域152沿第一方向X上的尺寸p4均小於或者等於與其相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距p10。

對應顯示面板的製備方法，第一光罩包括多個第一指部，第一指部沿第一方向X上的尺寸小於或等於與其相鄰的兩個第一連結電極12沿第一方向X上的間距p10，第一指部對應的區域形成第二子間隙區域152，第一子間隙區域151由雷射蝕刻寬度決定。

在一些實施例中，如第40圖、第41圖所示，相鄰的兩條連接導線13的第二部132之間由第二間隙J2間隔。第二間隙J2均為雷射蝕刻導電層的第二蝕刻區K2得到的。示例性地，多個第二間隙J2沿第一方向X上的尺寸相等。

示例性地，在形成多條連接導線13的第二部132時，雷射將導電層13’的第二蝕刻區K2對應的部分蝕刻去除後，雷射的殘餘能量還會將導電層13’的第一子蝕刻區K11對應的部分蝕刻去除，可以理解的是，第二間隙J2和與其相連的第一間隙J1的第一子間隙區域151都是在同一步驟中由相同的雷射蝕刻形成。因此，第二間隙J2和與其相連的第一間隙J1的第一子間隙區域151沿第一方向X的尺寸相等。

在一些實施例中，如第1A圖所示，顯示面板100包括第一連結電極和多條連接導線，在基板的第二表面一側不設置連結電極，從而多條連接導線的第三部遠離選定側面的部分與積體電路晶片或者柔性線路板電連接，以充當連結電極。

在一些實施例中，如第1B圖、第42圖、第43圖和第44圖所示，顯示面板100還包括：多個第二連結電極19。多個第二連結電極19設置於基板11的第二表面11b一側，且沿第一方向X間隔排列。每個第二連結電極19包括第一子部191和第二子部192，每個第二連結電極19的第一子部191相較於第二子部192更靠近基板11的選定側面11cc。每條連接導線13的第三部133與一個第二連結電極19的第一子部191電連接。第二連結電極19的第一子部191的延伸方向和與其電連接的連接導線13的第三部133的延伸方向相同。

第二連結電極19呈非直線狀，第二連結電極19包括的第一子部191和第二子部192延伸方向不同。

如第42圖、第43圖和第44圖所示，相鄰兩條連接導線13的第三部133之間由第三間隙J3間隔，第三間隙J3包括第三類間隙區域17，多個第三類間隙區域17中的每個第三類間隙區域17包括第三子間隙區域171和第四子間隙區域172，每個第三類間隙區域17的第三子間隙區域171相較於該第三類間隙區域17的第四子間隙區域172更靠近基板11的選定側面11cc。每個第三類間隙區域17的第三子間隙區域171沿第一方向X上的尺寸t1小於該第三類間隙區域17的第四子間隙區域172沿第一方向X上的尺寸t2。

參照前邊對於顯示面板的製備方法的描述，雷射Laser2對導電層的第二部分進行蝕刻，形成多條連接導線的第二部。由於多個第二連結電極的第二子部靠近基板的選定側面的部分被第二光罩的第二主體部包覆其中，因此，當雷射將第三蝕刻區K3對應的部分蝕刻去除後，雷射被第二光罩的第二主體部遮擋，從而避免第二連結電極19的第二子部192被雷射的殘餘能量損傷的問題。並且，第二光罩還包括第二指部，形成在多個第二指部上的導電層能夠隨著第二光罩的去除而一併去除，從而無需對該部分導電層（第四子蝕刻區K32）進行雷射蝕刻，即可形成第三間隙的第四子間隙區域172，且第四子間隙區域172的尺寸與第二指部的尺寸一致，從而節省雷射蝕刻步驟，減少雷射蝕刻範圍，提高了生產效率。在最終得到的多條連接導線的第三部具有與第二光罩相對應的結構特徵，相鄰第三部由第三間隙間隔，每個第三類間隙區域17的第三子間隙區域171沿第一方向X上的尺寸小於該第三類間隙區域17的第四子間隙區域172沿第一方向X上的尺寸。

在一些實施例中，如第44圖所示，多條連接導線13中的任意兩條相鄰的連接導線13的第三部133由第三類間隙區域17間隔。

多條連接導線13中的每兩條相鄰的連接導線13的第三部133由第三類間隙區域17間隔，對應第33圖中的第二光罩21，第二光罩21包括多個第二指部，多個第二指部和每相鄰兩個第二連結電極的間隙一一對應，從而得到的多條連接導線13有如上特徵。

在一些實施例中，如第42圖、第43圖所示，第三間隙J3還包括第四類間隙區域18，第三類間隙區域17和至少一個第四類間隙區域18交替設置。第四類間隙區域18沿第一方向X上的尺寸t3等於第三類間隙區域17的第三子間隙區域171沿第一方向X上的尺寸t1。

如第28圖所示，第四類間隙區域18藉由雷射蝕刻導電層13’中的第四類蝕刻區K33得到，第三類間隙區域17藉由雷射蝕刻導電層中的第三子蝕刻區K31和第四子蝕刻區K32得到，由此，如第42圖、第43圖所示，第四類間隙區域18沿第一方向X上的尺寸一致地不變，且第四類間隙區域18沿第一方向X上的尺寸t3等於第一類間隙區域15的第一子間隙區域151沿第一方向X上的尺寸，均等於雷射蝕刻的設定蝕刻寬度。

在一些實施例中，如第42圖、第43圖、第44圖所示，多個第三類間隙區域17中，每個第三類間隙區域17中的第三子間隙區域171和第四子間隙區域172的分界線，相較於多個第二連結電極19靠近基板11的選定側面11cc的一端的邊界，更靠近選定側面11cc。

如第42圖、第43圖、第44圖所示，第三子間隙區域171和第四子間隙區域172的分界線與基板11的選定側面11cc之間的距離t4，小於多個第二連結電極19與選定側面之間的距離t5。

進一步地，如第42圖所示，第三子間隙區域171和第四子間隙區域172的分界線與連接導線13的第三部133遠離基板11的選定側面11cc的一側邊界的距離t9大於，第三子間隙區域171和第四子間隙區域172的分界線與選定側面11cc之間的距離t4。

採用這樣的設計，第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151沿第二方向Y的尺寸小於該第一類間隙區域15包括的第二子間隙區域152沿第二方向Y的尺寸。第一類間隙區域15包括的第二子間隙區域152例如是在去除第二光罩21時隨著第二指部212的去除所形成的，該第一類間隙區域15包括的第一子間隙區域151例如是藉由雷射蝕刻形成的，可以理解的是，採用這樣的設計，減少了雷射蝕刻的範圍，進一步地提高了連接導線13的製備效率。

示例性地，如第43圖所示，第二連結電極19的第一子部191包括第一連接子部1911和第二連接子部1912，每個第一子部191的第一連接子部1911相較於該第一子部191的第二連接子部1912更靠近基板11的選定側面11cc。第三子間隙區域171和第四子間隙區域172的分界線與基板11的選定側面11cc之間的距離t4，大於多個第二連結電極19與選定側面之間的距離t5。

每個第二連結電極19的第一子部191的第二連接子部1912被配置為與該第二連結電極19的第二子部192電連接，該第二連結電極19的第一子部191的第一子連接部1911被配置與一條連接導線13的第三部133電連接。

參見第43圖，當第二連結電極19呈非直線狀時，第二連結電極19靠近基板11的選定側面11cc的部分的延伸方向垂直於基板11的選定側面11cc，第二連結電極19遠離基板11的選定側面11cc的部分的延伸方向與基板11的選定側面11cc所在的平面呈一定夾角。

可以理解的是，如果第二連結電極19的寬度唯一，例如第二連結電極的第一子部191包括的第二子連接部1912在垂直於其延伸方向上的尺寸與該第一子部191包括的第一子連接部1911在垂直於其延伸方向上的尺寸相同，那麼，相鄰的兩個第二連結電極19的第一子部191的第二子連接部1912存在相接造成短路的風險。

因此，採用第一子部191的第二子連接部1912在垂直於其延伸方向上的尺寸小於該第一子部191的第一子連接部1911在垂直於其延伸方向上的尺寸的設計，將每個第一子部191的第二子連接部1912作為過渡連接部，從而在增大第二連結電極19與連接導線13的交疊面積的同時，保證多個第二連結電極19之間能夠保證獨立分隔開，不會造成多個第二連結電極19中的任意兩個第二連結電極19相接造成線路短路的問題。

進一步地，每個第二連結電極19的第一子部191包括的第一連接子部1911沿第一方向X的尺寸該第一子部191包括的第二連接子部1912沿第一方向X的尺寸。第二連接子部1912和與其電連接的連接導線13的第三部133有交疊。可以理解的是，採用這樣的設計，使得第二連結電極19與連接導線13電連接的部分的交疊面積增大，使得第二連結電極19和與其電連接的連接導線13能夠保證充分接觸，進而保證第二連結電極19與連接導線13的連接穩定性。

同時，由於第二連結電極19與連接導線的連接部分的面積增大，相應地，在其餘條件（例如第二連結電極19在垂直於基板11的方向上的尺寸和第二連結電極19與連接導線13有交疊的部分沿第二方向Y的尺寸）不變的情況下，這部分的阻抗也會減小，使得第二連結電極19和連接導線13之間的訊號傳輸更穩定。

示例性地，如第43圖所示，第二連結電極19的第一子部191的第二連接子部1912和該第二連結電極19的第二子部192的寬度相同或大致相同。這裡所說的第二連接子部1912和第二子部192的寬度是指第二連接子部1912/第二子部192在垂直於其延伸方向上的尺寸。

在一些實施例中，如第42圖、第43圖、第44圖所示，多個第二連結電極19沿第一方向X間隔排列。第二連結電極19的第一子部191沿第一方向X上的尺寸t6小於或者等於與該第二連結電極19連接的連接導線13的第三部133沿第一方向X上的尺寸t7。

在一些實施例中，如第42圖、第43圖、第44圖所示，第三類間隙區域17的沿第一方向X上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個第二連結電極19的第一子部191沿第一方向X上的間距t8。

第三類間隙區域17的第三子間隙區域171沿第一方向X上的尺寸t1和第四子間隙區域172沿第一方向X上的尺寸t2均小於或者等於與其相鄰的兩個第二連結電極19的第一子部191沿第一方向X上的間距t8。

進一步地，如第38圖、第39圖所示，顯示面板100還包括發光器件層G，發光器件層G包括多個發光器件G1和保護膜G3。

示例性地，顯示面板100包括至少三種顏色的子像素P，該多種顏色的子像素至少包括第一顏色子像素、第二顏色子像素和第三顏色子像素，第一顏色、第二顏色和第三顏色為三基色（例如紅色、綠色和藍色）。示例性地，每個子像素P包括至少一個發光器件G1。

在一些示例中，如第38圖、第39圖所示，保護膜G3包括覆蓋多個發光器件G1的部分和填充多個發光器件G1的間隙區域的部分。示例性地，保護膜G3的材料可以為黑色矽膠或者黑色樹脂等。保護膜G3能夠對多個發光器件G1進行保護，避免多個發光器件G1在形成發光器件G1之後的製程中受到損壞。

示例性地，發光器件G1包括但不限於OLED（Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體）、Mini LED（Mini Light-Emitting Diode，迷你發光二極體）、Micro LED（Micro Light-Emitting Diode，微型發光二極體）等。

又一方面，提供一種顯示裝置1000，如第45圖所示，包括：如上述任一實施例所述的顯示面板100。

採用迷你發光二極體或微型發光二極體作為發光器件G1，相較於傳統LED，所占體積更小，顆粒更小，在同樣的螢幕尺寸內，單位面積內光源密度更高且光源單位尺寸更小，因此能夠對發光器件G1實現更為精密的局部控制，不會產生發光器件G1亮度不勻的問題，可以保證顯示亮度的均勻度，從而保證顯示裝置1000的顯示品質。

在一些實施例中，顯示裝置1000還包括積體電路晶片和柔性電路板F。

示例性地，積體電路晶片被配置為與柔性電路板F實現電氣連接，藉由積體電路晶片發出控制訊號，再藉由柔性電路板F將驅動訊號傳遞至多條連接導線13，並藉由多條連接導線13傳遞至多個第一連結電極12。多個第一連結電極12被配置為與驅動線路層14實現電連接。

驅動線路層14例如包括多條訊號線等結構，驅動線路層14與發光器件層G耦接，被配置為驅動發光器件層G發光。具體地，第一連結電極12接收多條連接導線13傳輸的驅動訊號並將該驅動訊號傳遞至驅動線路層14，從而控制發光器件層G發光，使得顯示裝置1000顯示畫面。

示例性地，如第38圖、第39圖所示，發光器件層G還包括像素驅動晶片G2。可以理解的是，驅動線路層14還可以與像素驅動晶片G2連接，使得像素驅動晶片G2控制發光器件G1的發光亮度。具體地，可以是三個發光器件G1由一個像素驅動晶片G2驅動控制，在此不做限定，僅作為對一種可能的實施方式的舉例說明。

再一方面，提供一種拼接顯示裝置10000，如第46圖所示，包括：多個如上述任一實施例所述的顯示裝置1000。

示例性地，拼接顯示裝置10000中的多個顯示裝置1000呈陣列排列。

示例性地，如第46圖所示，顯示裝置1000例如為矩形。

顯示面板100中，多個第一連結電極12沿第一方向X並排排列，相應地，多條連接導線13也是沿第一方向X並排排列，將平行與顯示裝置1000的顯示面，且垂直於第一方向X的另一方向稱為第二方向Y。顯示裝置1000包括多個側面，以下，將顯示裝置1000的多個側面中靠近基板11的周邊區AN的側面稱為顯示裝置1000的選定側面進行描述。

示例性地，如第40圖、第41圖所示，顯示面板100包括顯示區AA和位於顯示區AA一側的周邊區AN，多條連接導線13和多個第一連結電極12靠近基板11的周邊區AN設置。

進一步地，如第46圖所示，將多個包括如第46圖所示的顯示面板100的顯示裝置1000拼接時，將相鄰的兩個顯示裝置1000的選定側面均沿第一方向X設置，這樣，沿第一方向X上排成一排的多個顯示裝置1000中，相鄰兩個顯示裝置1000之間沿第一方向X基本沒有拼縫；沿第二方向Y上排成一列的多個顯示裝置1000中相鄰兩個顯示裝置1000之間有拼接縫隙。

也就是說沿第一方向X上排成一排的多個顯示裝置1000中，相鄰兩個顯示裝置之間的拼接縫隙的尺寸，小於沿第二方向Y上排成一列的多個顯示裝置1000中相鄰兩個顯示裝置1000之間的拼接縫隙的尺寸。但周邊區AN在第二方向Y上的尺寸很小，因此拼接顯示裝置10000在實際觀看時，相鄰兩個顯示裝置1000之間的拼縫在觀看距離內較難被肉眼發現，從而使得拼接顯示裝置10000的顯示畫面較完整，可以呈現較佳的顯示效果。

以上所述，僅為本揭露的具體實施方式，但本揭露的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本揭露揭露的技術範圍內，想到變化或替換，都應涵蓋在本揭露的保護範圍之內。因此，本揭露的保護範圍應以所述申請專利範圍的保護範圍為准。

100:顯示面板 1000:顯示裝置 10000:拼接顯示裝置 11:基板 11a:第一表面 11b:第二表面 11c:側面 11cc:選定側面 12:第一連結電極 13:連接導線 131:第一部 132:第二部 133:第三部 13’:導電層 13’1:第一部分 13’2:第二部分 13’3:第三部分 14:驅動線路層 141:緩衝層 142:第一金屬層 1421:第一訊號線 143:絕緣層 144:第二金屬層 1441:第二訊號線 1442:第一焊盤 1443:第二焊盤 145:平坦層 146:鈍化層 15:第一類間隙區域 151:第一子間隙區域 152:第二子間隙區域 16:第二類間隙區域 17:第三類間隙區域 171:第三子間隙區域 172:第四子間隙區域 18:第四類間隙區域 19:第二連結電極 191:第一子部 1911:第一連接子部 1912:第二連接子部 192:第二子部 20:第一光罩 201:第一主體部 202:第一指部 21:第二光罩 211:第二主體部 212:第二指部 AA:顯示區 AN:周邊區 B:邊界線 CC,DD,EE,FF,GG,HH:截面線 Cn:掃描訊號轉接線 d1,d2:厚度 d3:距離 d4:間距 d5:尺寸 Dm:資料線/資料訊號線 F:柔性線路板 G:發光器件層 G1:發光器件 G2:像素驅動晶片 G3:保護膜 Hm1:第一正極訊號線 Hm2:第二正極訊號線 K1:第一蝕刻區 K11:第一子蝕刻區 K12:第二子蝕刻區 K13:第二類蝕刻區 K2:第二蝕刻區 K3:第三蝕刻區 K31:第三子蝕刻區 K32:第四子蝕刻區 K33:第四類蝕刻區 L1,L2:距離 Laser1,Laser2,Laser3:雷射 p1,p2,p3,p4,p5,p8,p8’,p9:尺寸 p6:距離 p10: J1:第一間隙 J2:第二間隙 J3:第三間隙 S:焊接材料 S11,S21,S31,S41,S51,S61,S12,S22,S32,S42,S52,S62,S13,S23,S33,S43,S53,S63,S3a,S3b,S4,S5:步驟 Sn:掃描訊號線 t1,t2,t3,t6,t7:尺寸 t4,t5,t9:距離 t8:間距 Vm:參考訊號線

為了更清楚地說明本揭露中的技術方案，下面將對本揭露一些實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本揭露的一些實施例的附圖，對於本領域普通技術人員來講，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。此外，以下描述中的附圖可以視作示意圖，並非對本揭露實施例所有關於的產品的實際尺寸、方法的實際流程、訊號的實際時序等的限制。

第1A圖為根據一些實施例的顯示面板的截面圖； 第1B圖為根據另一些實施例的顯示面板的截面圖； 第1C圖為根據一些實施例的驅動線路層的平面結構圖； 第1D圖為根據一些實施例的驅動線路層的截面結構圖； 第2圖為根據一些實施例的顯示面板的製備方法的流程圖； 第3圖~第13圖為根據一些實施例的顯示面板的製備方法的步驟圖； 第14圖為根據另一些實施例的顯示面板的製備方法的流程圖； 第15圖為根據又一些實施例的顯示面板的製備方法的流程圖； 第16圖~第26圖為根據另一些實施例的顯示面板的製備方法的步驟圖； 第27圖~第35圖為根據又一些實施例的顯示面板的製備方法的流程圖； 第36圖為在發光器件層上設置一種第一光罩的示意圖； 第37圖為在發光器件層上設置另一種第一光罩的示意圖； 第38圖為根據第36圖中截面線GG得到的截面圖； 第39圖為根據第36圖中截面線HH得到的截面圖； 第40圖為根據一些實施例的一種顯示面板的正面結構圖； 第41圖為根據另一些實施例的一種顯示面板的正面結構圖； 第42圖為根據一些實施例的一種顯示面板的背面結構圖； 第43圖為根據另一些實施例的一種顯示面板的背面結構圖； 第44圖為根據又一些實施例的一種顯示面板的背正面結構圖； 第45圖為根據一些實施例的一種顯示裝置的結構圖； 第46圖為根據一些實施例的一種拼接顯示裝置的結構圖。

11:基板

11a:第一表面

11c:側面

11cc:選定側面

12:第一連結電極

13:連接導線

131:第一部

132:第二部

14:驅動線路層

15:第一類間隙區域

151:第一子間隙區域

152:第二子間隙區域

AA:顯示區

AN:周邊區

J1:第一間隙

J2:第二間隙

Claims (20)

1. 一種顯示面板，包括： 基板；所述基板包括第一表面、第二表面以及連接所述第一表面和第二表面的多個側面，所述多個側面中的至少一個側面為選定側面；所述第一表面包括顯示區和位於所述顯示區至少一側的周邊區，所述周邊區相較於所述顯示區更靠近所述選定側面； 設置於所述顯示區的驅動線路層； 設置於所述周邊區的多個第一連結電極；所述多個第一連結電極沿第一方向間隔排列；所述第一方向平行於所述選定側面和所述第一表面； 沿所述第一方向間隔排列的多條連接導線；所述多條連接導線中的每條連接導線包括位於所述第一表面一側的第一部、位於所述選定側面一側的第二部和位於所述第二表面一側的第三部；每條所述連接導線的第一部與一個所述第一連結電極電連接； 其中，相鄰兩條連接導線的第一部由第一間隙間隔，所述第一間隙包括第一類間隙區域，所述第一類間隙區域包括第一子間隙區域和第二子間隙區域，所述第一子間隙區域相對於所述第二子間隙區域更靠近所述選定側面；所述第一子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸小於所述第二子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸。
2. 如請求項1所述的顯示面板，其中，所述第一子間隙區域沿第二方向上的尺寸小於或者等於所述第二子間隙區域沿所述第二方向上的尺寸； 所述第二方向與所述連接導線的第一部的延伸方向平行。
3. 如請求項1所述的顯示面板，其中，每個所述第一類間隙區域的第一子間隙區域和第二子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸之差的範圍為0~100μm。
4. 如請求項1所述的顯示面板，其中，所述多條連接導線中的任意兩條相鄰的連接導線的第一部由所述第一類間隙區域間隔。
5. 如請求項1所述的顯示面板，其中，所述第一間隙還包括第二類間隙區域，所述第二類間隙區域沿所述第一方向上的尺寸等於所述第一子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸。
6. 如請求項5所述的顯示面板，其中，所述第一類間隙區域和至少一個所述第二類間隙區域交替設置。
7. 如請求項1~6中任一項所述的顯示面板，其中，所述多個第一類間隙區域中，每個所述第一類間隙區域中的第一子間隙區域和第二子間隙區域的分界線，相較於所述多個第一連結電極靠近所述選定側面的一端的邊界，更靠近所述選定側面。
8. 如請求項1~6中任一項所述的顯示面板，其中，所述多個第一連結電極沿所述第一方向並排間隔排列； 所述第一連結電極沿所述第一方向上的尺寸小於或者等於與所述第一連結電極連接的所述連接導線的第一部沿所述第一方向上的尺寸。
9. 如請求項1~6中任一項所述的顯示面板，其中，所述第一類間隙區域沿所述第一方向上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個所述第一連結電極沿所述第一方向上的間距。
10. 如請求項1~6中任一項所述的顯示面板，其中，所述顯示面板還包括： 設置於所述第二表面一側的多個第二連結電極；所述多個第二連結電極沿所述第一方向間隔排列；每個第二連結電極包括第一子部和第二子部；所述第一子部相較於所述第二子部更靠近所述選定側面； 每條連接導線的第三部與一個所述第一子部電連接，所述第一子部的延伸方向和與其電連接的所述連接導線的第三部的延伸方向相同； 相鄰兩個連接導線的第三部之間由第三間隙間隔，所述第三間隙包括第三類間隙區域，所述多個第三類間隙區域中的每個第三類間隙區域包括第三子間隙區域和第四子間隙區域，所述第三子間隙區域相較於所述第四子間隙區域更靠近所述選定側面； 所述第三子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸小於所述第四子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸。
11. 如請求項10所述的顯示面板，其中，所述多條連接導線中的任意兩條相鄰的連接導線的第三部由所述第三類間隙區域間隔。
12. 如請求項10所述的顯示面板，其中，所述第三間隙還包括第四類間隙區域，所述第四類間隙區域沿所述第一方向上的尺寸等於所述第三子間隙區域沿所述第一方向上的尺寸； 所述第三類間隙區域和至少一個所述第四類間隙區域交替設置。
13. 如請求項10所述的顯示面板，其中，所述多個第三類間隙區域中，每個第三類間隙區域中的第三子間隙區域和第四子間隙區域的分界線，相較於所述多個第二連結電極靠近所述選定側面的一端的邊界，更靠近所述選定側面。
14. 如請求項10所述的顯示面板，其中，所述多個第二連結電極沿所述第一方向間隔排列； 所述第二連結電極的第一子部沿所述第一方向上的尺寸小於或者等於與所述第二連結電極連接的所述連接導線的第三部沿所述第一方向上的尺寸。
15. 如請求項10所述的顯示面板，其中，所述第三類間隙區域的沿所述第一方向上的尺寸小於或者等於與其相鄰的兩個所述第二連結電極的第一子部沿所述第一方向上的間距。
16. 一種顯示裝置，包括如請求項1~15中任一項所述的顯示面板。
17. 一種拼接顯示裝置，包括多個如請求項16所述的顯示裝置。
18. 一種顯示面板的製備方法，包括： 提供基板；其中，所述基板包括第一表面、第二表面以及連接所述第一表面和第二表面的多個側面，所述多個側面中的至少一個側面為選定側面；所述第一表面包括顯示區和位於所述顯示區至少一側的周邊區，所述周邊區相較於所述顯示區更靠近所述選定側面； 在所述第一表面一側形成陣列層；其中，所述在所述第一表面一側形成陣列層包括：在所述顯示區形成驅動線路層； 在所述第一表面一側設置第一光罩；其中，所述第一光罩至少包括第一主體部，所述第一主體部至少包覆所述驅動線路層靠近所述選定側面的部分； 形成導電層；其中，所述導電層包括：位於所述第一表面一側的第一部分、位於所述選定側面一側的第二部分和位於所述第二表面一側的第三部分； 採用雷射蝕刻圖案化所述導電層，形成並排間隔排列的多條連接導線；其中，所述多條連接導線中的每條連接導線包括位於所述第一表面一側的第一部、位於所述選定側面一側的第二部和位於所述第二表面一側的第三部；所述雷射蝕刻所述導電層形成多條連接導線包括：至少雷射蝕刻所述導電層的第二部分形成所述多條連接導線的第二部； 去除所述第一光罩。
19. 如請求項18所述的製備方法，其中，所述在所述第一表面一側形成陣列層還包括：在所述周邊區形成多個第一連結電極；其中，所述多個第一連結電極沿第一方向間隔排列，且每個第一連結電極沿第二方向延伸；所述周邊區沿所述第一方向延伸，所述第一方向與所述第二方向交叉； 所述在所述第一表面一側設置第一光罩的步驟中，所述第一光罩的第一主體部還覆蓋所述多個第一連結電極靠近所述顯示區的部分。
20. 如請求項19所述的製備方法，其中，所述在所述第一表面一側設置第一光罩的步驟中，所述第一光罩還包括多個第一指部；所述多個第一指部的第一端連接所述第一主體部，所述多個第一指部的第二端朝向所述選定側面延伸，所述多個第一指部相較於所述第一主體部更靠近所述選定側面；每個第一指部位於相鄰的兩個第一連結電極之間的間隙區域。

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