TW202412094A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種「可因應於處理環境，效率良好地去除微粒」的技術。 [解決手段]本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具有：處理容器；基板保持部，被配置於前述處理容器的內部，保持基板；氣體噴嘴，將氣體噴射至前述處理容器的內部；調整機構，調整被保持於前述基板保持部之前述基板與前述氣體噴嘴的距離；及控制部，前述控制部，係被構成為基於從前述氣體噴嘴所噴射的前述氣體之流動狀態，設定前述距離的目標值，以使前述距離成為前述目標值的方式，控制前述調整機構。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本揭示，係關於基板處理裝置及基板處理方法。

已知如以下技術：使藉由從氣體噴嘴噴射氣體而產生的垂直衝擊波碰撞基板，藉此，去除附著於基板的微粒(例如，參閱專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2020/110858號

[本發明所欲解決之課題]

本揭示，係提供一種「可因應於處理環境，效率良好地去除微粒」的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具有：處理容器；基板保持部，被配置於前述處理容器的內部，保持基板；氣體噴嘴，將氣體噴射至前述處理容器的內部；調整機構，調整被保持於前述基板保持部之前述基板與前述氣體噴嘴的距離；及控制部，前述控制部，係被構成為基於從前述氣體噴嘴所噴射的前述氣體之流動狀態，設定前述距離的目標值，以使前述距離成為前述目標值的方式，控制前述調整機構。 [發明之效果]

根據本揭示，可因應於處理環境，效率良好地去除微粒。

以下，參閱附加圖面，說明關於本揭示之非限定例示的實施形態。在附加的所有圖面中，針對相同或對應之構件或零件，係賦予相同或對應的參考符號，並省略重複說明。

在以下之說明中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向，係相互垂直的方向，X軸方向及Y軸方向，係水平方向，Z軸方向，係垂直方向。又，下方，係意味著垂直方向下方(Z軸負方向)，上方，係意味著垂直方向上方(Z軸正方向)。

(基板處理裝置) 參閱圖1~圖3，說明關於實施形態的基板處理裝置。圖1，係表示實施形態之基板處理裝置的概略圖。

基板處理裝置10，係朝向基板2的主表面3噴射氣體，藉此，去除附著於基板2的主表面3之微粒。基板2，係例如矽晶圓等的半導體基板。基板處理裝置10，係主要具備有：處理容器20；基板保持部30；旋轉軸部32；旋轉驅動部34；升降驅動部36；水平驅動部38；氣體噴嘴40；噴嘴升降驅動部50；氣體供給機構60；減壓機構70；紋影裝置80；距離測定部90；氣體承接部100；及控制部150。

處理容器20，係在內部具有處理基板2的空間。處理容器20，係具有：基板2的搬入搬出口(未圖示)；及閘閥(未圖示)，開關搬入搬出口。處理容器20之內壁面22，係具有：上壁面23；下壁面24；及側壁面25，從上壁面23的外周延伸至下壁面24的外周。

基板保持部30，係被配置於處理容器20的內部。基板保持部30，係具有：基板保持面31，保持基板2。基板保持部30，係例如將基板2之被去除微粒的主表面3朝上，水平地保持基板2。基板保持部30，係亦可包含有靜電卡盤。在該情況下，由於可將被保持於基板保持面31的基板2靜電吸附而固定，因此，可防止基板保持面31上之基板2的翹曲或位置偏差。基板保持部30，係亦可包含有機械夾具。在該情況下，由於可將被保持於基板保持面31的基板2機械性地按壓而固定，因此，可防止基板保持面31上之基板2的翹曲或位置偏差。

旋轉軸部32，係從基板保持部30的中央向下方延伸，並垂直地配置。

旋轉驅動部34，係藉由使旋轉軸部32繞垂直軸旋轉的方式，使基板保持部30旋轉。旋轉驅動部34，係例如具有：旋轉馬達；及傳遞機構，將旋轉馬達的旋轉驅動力傳遞至旋轉軸部32。

升降驅動部36，係使基板保持部30升降。升降驅動部36，係例如由流體壓汽缸等所構成。升降驅動部36，係例如經由旋轉驅動部34使基板保持部30升降。升降驅動部36，係亦可不經由旋轉驅動部34使基板保持部30升降。升降驅動部36，係調整機構的一例。

水平驅動部38，係藉由使基板保持部30沿與旋轉軸部32的中心線正交之水平方向移動的方式，使氣體噴嘴40與基板保持部30在基板2的徑方向上相對地移動。水平驅動部38，係例如使基板保持部30沿著導引軌移動。水平驅動部38，係亦可藉由使臂體旋轉的方式，使基板保持部30移動。

氣體噴嘴40，係朝向被保持於基板保持部30之基板2的主表面3噴射氣體。氣體噴嘴40，係將氣體之噴射口41朝下，被配置於基板保持部30的上方。氣體噴嘴40，係被安裝於噴嘴升降驅動部50。

噴嘴升降驅動部50，係使氣體噴嘴40升降。噴嘴升降驅動部50，係例如由流體壓汽缸等所構成。噴嘴升降驅動部50，係亦可由電動馬達與將電動馬達的旋轉運動轉換成氣體噴嘴40之升降運動的滾珠螺桿所構成。噴嘴升降驅動部50，係被設置於處理容器20的上壁面23。噴嘴升降驅動部50，係調整機構的一例。

氣體供給機構60，係將氣體供給至氣體噴嘴40。氣體供給機構60，係具有：共通管線L1，下游端被連接於氣體噴嘴40；第1分歧管線L2，從共通管線L1的上游端延伸至第1供給源61；及第2分歧管線L3，從共通管線L1的上游端延伸至第2供給源62。

在共通管線L1，係設置有：壓力調整閥63，調整向氣體噴嘴40之氣體的供給壓力P。壓力調整閥63，係在控制部150之控制下，調整向氣體噴嘴40之氣體的供給壓力P。在共通管線L1之壓力調整閥63的上游側，係亦可更設置有氣體升壓機等的升壓器。

在第1分歧管線L2，係設置有：第1開關閥64；及第1流量調整閥65。當第1開關閥64開啟氣體的流路時，則氣體從第1供給源61被供給至氣體噴嘴40。第1流量調整閥65，係調整流動於第1分歧管線L2之氣體的流量。當第1開關閥64關閉氣體的流路時，則停止從第1供給源61向氣體噴嘴40之氣體的供給。

在第2分歧管線L3，係設置有：第2開關閥66；及第2流量調整閥67。當第2開關閥66開啟氣體的流路時，則氣體從第2供給源62被供給至氣體噴嘴40。第2流量調整閥67，係調整流動於第2分歧管線L3之氣體的流量。當第2開關閥66關閉氣體的流路時，則停止從第2供給源62向氣體噴嘴40之氣體的供給。

第1供給源61，係例如將二氧化碳(CO ₂)氣體供給至氣體噴嘴40。第2供給源62，係例如將氫(H ₂)氣體供給至氣體噴嘴40。供給至氣體噴嘴40之氣體所含有的二氧化碳氣體之含有率C，係藉由第1流量調整閥65與第2流量調整閥67予以調整。第1流量調整閥65與第2流量調整閥67，係在控制部150之控制下，調整二氧化碳氣體的含有率C。

減壓機構70，係對處理容器20的內部進行減壓。減壓機構70，係具有：吸引泵71；吸引管線72；及壓力調整閥73。吸引泵71，係吸引處理容器20之內部的氣體。吸引管線72，係從被形成於處理容器20之下壁面24的吸引口27延伸至吸引泵71。壓力調整閥73，係被設置於吸引管線72的中途。

紋影裝置80，係藉由紋影法，生成將從氣體噴嘴40所噴射之氣體可視化的圖像(以下稱為「紋影圖像」。)。紋影裝置80，係具有：光源81；第1紋影透鏡82；第2紋影透鏡83；刀緣84；及攝像部85。光源81、刀緣84及攝像部85，係例如被設定於處理容器20的外部。光源81、刀緣84及攝像部85，係亦可被設定於處理容器20的內部。第1紋影透鏡82及第2紋影透鏡83，係例如被設置於處理容器20的側壁面25。第1紋影透鏡82與第2紋影透鏡83，係夾隔著氣體噴嘴40而對向配置。

光源81之光，係藉由第1紋影透鏡82而成為平行光束，通過從氣體噴嘴40所噴射的氣體，並藉由第2紋影透鏡83被予以聚焦。經聚焦的光，係通過刀緣84，入射至攝像部85。攝像部85，係對通過了刀緣84的光進行拍攝，將拍攝到的圖像發送至控制部150。此時，當從氣體噴嘴40所噴射之氣體存在折射率的不均時，則由於光會發生失真而焦點偏移，因此，被刀緣84遮擋的不均，係作為陰影被顯示於圖像中。藉此，從氣體噴嘴40所噴射之氣體的壓力分布或質量流速密度分布可作為明暗的對比而進行觀測。例如，在紋影圖像中，係氣體的壓力或質量流速密度越高，則從白色變化為黑色。光源81，係例如點光源。攝像部85，係例如攝像機。

距離測定部90，係被設置於基板保持部30的上方。距離測定部90，係檢測從距離測定部90至基板2的主表面3為止之距離。距離測定部90，係例如一邊沿著基板2的主表面3移動，一邊檢測從距離測定部90至基板2的主表面3為止之距離。在該情況下，可檢測基板2之翹曲等的基板2之形狀。距離測定部90，係例如被構成為可在基板保持部30的中心部之正上方的位置與基板保持部30的外周部之正上方的位置之間移動。距離測定部90，係將檢測值發送至控制部150。距離測定部90，係例如亦可為雷射位移計。距離測定部90，係檢測部的一例。

氣體承接部100，係被設置於處理容器20的內部。氣體承接部100，係被構成為可在噴射口41之下方的氣體承接位置與側壁面25附近的退避位置之間移動。氣體承接部100，係在氣體承接位置處，接取從氣體噴嘴40所噴射的氣體，防止被噴射至基板2的主表面3。氣體承接部100，係將接取到之氣體排出至處理容器20的外部。

控制部150，係例如藉由電腦所構成。控制部150，係具備有CPU(Central Processing Unit)151與記憶體等的記憶媒體152。在記憶媒體152，係儲存有控制在基板處理裝置10中所執行之各種處理的程式。控制部150，係藉由使CPU151執行被記憶於記憶媒體152之程式的方式，控制基板處理裝置10的動作。控制部150，係具備有：輸入介面153；及輸出介面154。控制部150，係以輸入介面153來接收來自外部的信號，以輸出介面154來對外部發送信號。

該程式，係被記憶於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制部150的記憶媒體152者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如可列舉出硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。程式，係亦可經由網際網路從伺服器下載而被安裝於控制部150的記憶媒體152。

圖2，係表示實施形態之垂直衝擊波碰撞基板的剖面圖。氣體噴嘴40，係例如一般被稱為拉瓦噴嘴。氣體噴嘴40，係具有：噴射口41；供給口42；喉部43；及錐形孔45。喉部43，係具有比供給口42小的直徑。錐形孔45，係被設置於喉部43與噴射口41之間。錐形孔45，係從喉部43越朝向噴射口41，則直徑越大。

氣體噴嘴40，係被配置於處理容器20的內部。處理容器20之內部，係藉由減壓機構70預先減壓。供給至氣體噴嘴40之供給口42的氣體，係藉由通過喉部43的方式，被加速至超過音速的速度，並從噴射口41予以噴射。所噴射之氣體，係形成垂直衝擊波SW。垂直衝擊波SW，係亦被稱為馬赫盤(Mach Disk)。垂直衝擊波SW，係具有垂直於傳播方向之波面的衝擊波。衝擊波，係以超音速在處理容器20的內部傳播之壓力的不連續變化。

控制部150，係控制氣體對於被保持在基板保持部30的基板2之碰撞。氣體對於基板2之碰撞，係例如藉由氣體噴嘴40的噴射口41與基板2的主表面3之距離G1而變化。

因此，控制部150，係藉由調整距離G1的方式，控制氣體對於基板2的碰撞。控制部150，係例如控制升降驅動部36，使基板保持部30升降，藉此，調整距離G1。控制部150，係亦可控制噴嘴升降驅動部50，使氣體噴嘴40升降，藉此，調整距離G1。控制部150，係亦可控制升降驅動部36及噴嘴升降驅動部50，使基板保持部30及氣體噴嘴40升降，藉此，調整距離G1。

控制部150，係使藉由氣體的噴射而產生之垂直衝擊波SW碰撞基板2的主表面3。在該情況下，由於垂直衝擊波SW作用於基板2的主表面3，因此，容易效率良好地去除附著於基板2的主表面3之微粒。

氣體噴嘴40之中心線，係亦可垂直於基板2的主表面3而配置。垂直衝擊波SW之波面平行地碰撞基板2的主表面3。在該情況下，垂直衝擊波SW作用於基板2的主表面3之範圍較廣，容易效率良好地去除微粒。又，可抑制基板2的主表面3之凹凸圖案的圖案倒塌。

控制部150，係基於從氣體噴嘴40所噴射的氣體之流動狀態，設定氣體噴嘴40的噴射口41與基板2的主表面3之距離G1的目標值。

在一實施形態中，控制部150，係基於藉由使用了環境參數之模擬所算出的氣體之壓力分布或氣體的質量流速密度分布，設定距離G1的目標值。環境參數，係包含有對氣體之流動狀態造成影響的參數。環境參數，係例如包含氣體所含有的二氧化碳之含有率C、氣體的壓力、氣體的流速、氣體的溫度、處理容器20之內部的壓力、處理容器20之內部的溫度。氣體之壓力分布及氣體之質量流速密度分布，係氣體之流動狀態的一例。控制部150，係例如以使基板2的主表面3位於氣體之壓力高的位置或氣體的質量流速密度高之位置的方式，設定距離G1的目標值。在該情況下，由於垂直衝擊波SW碰撞基板2的主表面3，因此，容易效率良好地去除附著於基板2的主表面3之微粒。

在一實施形態中，控制部150，係基於藉由「以紋影裝置80拍攝從氣體噴嘴40所噴射之氣體」的方式而取得的紋影圖像，設定距離G1的目標值。紋影圖像，係氣體之流動狀態的一例。控制部150，係例如對紋影圖像進行解析，特定垂直衝擊波SW的位置Z1，基於經特定之垂直衝擊波SW的位置Z1，設定距離G1的目標值。控制部150，係亦可藉由與紋影裝置80不同的裝置，生成將從氣體噴嘴40所噴射之氣體可視化的圖像。

圖3，係表示實施形態的距離調整方法之一例的圖。圖3之上圖，係表示距離G1不是目標值時的基板2與氣體噴嘴40之位置關係的圖。圖3之下圖，係表示距離G1為目標值時的基板2與氣體噴嘴40之位置關係的圖。在圖3的上圖及下圖中，左側之圖像，係表示紋影圖像，右側之圖像，係表示氣體的壓力分布。如圖3之上圖及下圖所示般，在紋影圖像中，係氣體的壓力越高，則從白色變化為黑色。

例如，如圖3之上圖所示般，在「基板2的主表面3位於比經特定之複數個垂直衝擊波SW的位置Z1中最接近噴射口41之垂直衝擊波的SW的位置Z1更靠近噴射口41」的情況下，控制部150，係調整距離G1。

例如，控制部150，係如圖3之下圖所示般，以使基板2的主表面3位於比最接近噴射口41之垂直衝擊波SW的位置Z1稍微遠離之位置的方式，設定距離G1的目標值。在該情況下，由於垂直衝擊波SW碰撞基板2的主表面3，因此，容易效率良好地去除附著於基板2的主表面3之微粒。

例如，控制部150，係亦可以使基板2的主表面3位於比在較最接近噴射口41的垂直衝擊波SW更遠離噴射口41之位置所形成的垂直衝擊波SW稍微遠離之位置的方式，設定距離G1的目標值。

在使用氣體團簇進行處理時，將基板2配置於垂直衝擊波SW發生的位置或其附近而進行處理，藉此，可將能量更強的氣體照射至基板2，並可有效率地去除微粒。氣體團簇，係例如二氧化碳氣體之分子彼此藉由凡得瓦爾力而鍵結的集合體。藉由氣體團簇碰撞基板2的主表面3的方式，可效率良好地去除附著於基板2的主表面3之小粒徑(例如數十nm)的微粒。

氣體對於基板2之碰撞，係例如亦藉由「被供給至氣體噴嘴40之氣體所含有的二氧化碳氣體之含有率C、向氣體噴嘴40之氣體的供給壓力P」等而變化。

因此，控制部150，係亦可藉由控制二氧化碳氣體之含有率C或供給壓力P的方式，控制氣體對於基板2之碰撞。

供給至氣體噴嘴40之氣體的組成(例如二氧化碳氣體之含有率C)，係例如藉由第1流量調整閥65與第2流量調整閥67予以調整。供給至氣體噴嘴40之氣體，係亦可包含二氧化碳氣體。由於二氧化碳氣體，係具有比氫氣大的分子量，因此，質量流速密度變大。供給至氣體噴嘴40之氣體，係亦可包含氫氣。藉由包含氫氣的方式，容易抑制氣體團簇之失速。供給至氣體噴嘴40之氣體的供給壓力P，係藉由壓力調整閥63予以調整。

根據以上所說明的基板處理裝置10，控制部150基於從氣體噴嘴40所噴射的氣體之流動狀態，設定距離G1的目標值，以使距離G1成為目標值的方式，控制升降驅動部36及噴嘴升降驅動部50的至少任一者。藉此，可因應於處理環境，效率良好地去除微粒。

(基板處理方法) 參閱圖4，說明關於實施形態的基板處理方法。圖4，係表示實施形態之基板處理方法的流程圖。圖4所示之工程S101~工桯S108，係在控制部150之控制下予以實施。在一實施形態中，工程S101~工桯S108，係依該順序予以實施。

在工程S101中，係設定氣體噴嘴40的噴射口41與基板2的主表面3之距離G1的目標值。在工程S101中，控制部150，係基於從氣體噴嘴40所噴射的氣體之流動狀態，設定氣體噴嘴40的噴射口41與基板2的主表面3之距離G1的目標值。工程S101，係例如在基板2未被保持於基板保持部30的狀態下予以實施。

在一實施形態中，控制部150，係基於藉由使用了環境參數之模擬所算出的氣體之壓力分布或氣體的質量流速密度分布，設定距離G1的目標值。在一實施形態中，控制部150，係基於藉由「以紋影裝置80拍攝從氣體噴嘴40所噴射之氣體」的方式而取得的紋影圖像，設定距離G1的目標值。

在工程S102中，係在處理容器20的內部配置基板2。在工程S102中，係搬送裝置將基板2從處理容器20之外部搬入至處理容器20的內部，並將搬入之基板2配置於基板保持部30的基板保持面31。基板保持部30，係將基板2的主表面3朝上，水平地保持基板2。

在工程S103中，係檢測被保持於基板保持部30之基板2的形狀。在工程S103中，係距離測定部90檢測從距離測定部90至基板2的主表面3為止之距離。例如，距離測定部90，係一邊沿著基板2的主表面3移動，一邊檢測與基板2的主表面3之距離。在該情況下，可檢測基板2之翹曲等的基板2之形狀。距離測定部90，係將檢測值發送至控制部150。

在工程S104中，係從被配置於處理容器20之內部的氣體噴嘴40噴射氣體。在工程S104中，係減壓機構70吸引處理容器20之內部的氣體，並且氣體供給機構60將氣體供給至氣體噴嘴40。供給至氣體噴嘴40之氣體的組成(例如二氧化碳氣體之含有率C)，係藉由第1流量調整閥65與第2流量調整閥67予以調整。供給至氣體噴嘴40之氣體的供給壓力P，係藉由壓力調整閥63予以調整。

在工程S105中，係藉由氣體的噴射形成垂直衝擊波SW。形成垂直衝擊波SW之區域，係不連續且存在有未形成垂直衝擊波SW的區域。

在工程S106中，係使垂直衝擊波SW碰撞基板2的主表面3。垂直衝擊波SW之波面亦可平行地碰撞基板2的主表面3。在該情況下，垂直衝擊波SW作用於基板2的主表面3之範圍較廣。又，可抑制基板2的主表面3之凹凸圖案的圖案倒塌。

在工程S107中，係去除微粒。在工程S107中，係垂直衝擊波SW藉由其壓力，使微粒從基板2的主表面3分離。

上述工程S104~工程S107，係一邊變更基板2之垂直衝擊波SW所撞擊的位置，一邊重覆實施。位置之變更，係例如藉由「旋轉驅動部34使基板保持部30旋轉的同時，噴嘴升降驅動部50使氣體噴嘴40沿基板2之徑方向移動」的方式予以實施。可使垂直衝擊波SW碰撞基板2的主表面3整體。

在一實施形態中，使基板保持部30旋轉並且沿水平方向移動，藉此，變更基板2之垂直衝擊波SW所撞擊的位置。亦可藉由「在固定了基板保持部30之狀態下，使氣體噴嘴40沿X軸方向及Y軸方向移動」的方式，變更基板2之垂直衝擊波SW所撞擊的位置。

在上述工程S104~工程S107中，控制部150，係亦可基於在工程S103中所檢測到的基板2之形狀，控制距離G1。在該情況下，即便在基板2有翹曲等的變形的情況下，亦可使垂直衝擊波SW均勻地碰撞基板2的主表面3整體。

另外，在上述工程S104~工程S107中，係亦可重新設定距離G1的目標值。控制部150，係亦可一邊從氣體噴嘴40噴射氣體，一邊基於從氣體噴嘴40所噴射的氣體之流動狀態，重新設定距離G1的目標值，並且以使距離G1成為經重新設定之目標值的方式，控制距離G1。在該情況下，即便在「氣體之流動狀態於從氣體噴嘴40噴射氣體的中途發生變化」的情況下，亦可以即時提高微粒之去除效率的方式，重新設定距離G1的目標值。控制部150，係例如亦可與工程S101相同地，基於藉由使用了環境參數之模擬所算出的氣體之壓力分布或氣體的質量流速密度分布，重新設定距離G1的目標值。控制部150，係例如亦可與工程S101相同地，基於在使氣體從氣體噴嘴40噴射之狀態下藉由紋影裝置80所拍攝的紋影圖像，重新設定距離G1的目標值。

在工程S108中，係將基板2從處理容器20之內部搬出至處理容器20的外部。在工程S108，係基板保持部30解除基板2之保持，搬送裝置從基板保持部30接收基板2，並將接收到的基板2從處理容器20之內部搬出至處理容器20的外部。

根據以上所說明的基板處理方法，基於從氣體噴嘴40所噴射的氣體之流動狀態，設定距離G1的目標值，以使距離G1成為目標值的方式，控制升降驅動部36及噴嘴升降驅動部50的至少任一者。藉此，可因應於處理環境，效率良好地去除微粒。

另外，亦可替換圖4所示的工程S101~工程S108之一部分的順序。例如，亦可在工程S102後實施工程S101。在該情況下，在基板2被保持於基板保持部30的狀態下，從氣體噴嘴40噴射氣體。因此，為了防止從氣體噴嘴40所噴射的氣體被噴射至基板2的主表面3，亦可使氣體承接部100移動至噴射口41之下方的氣體承接位置。例如，工程S103，係亦可與實施工程S104~工程S107並行地予以實施。

又，亦可不實施圖4所示的工程S101~工程S108的一部分。例如，亦可在「於工程S104~工程S107中，設定距離G1之目標值」的情況下，亦可不實施工程S101。例如，在實施工程S101的情況下，亦可在工程S104~工程S107中不重新設定距離G1的目標值。例如，在被保持於基板保持部30之基板2未產生翹曲等的變形的情況下，亦可不實施工程S103。

本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示，吾人應瞭解該等例示並非用以限制本發明。上述之實施形態，係亦可在不脫離添附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態進行省略､置換､變更。

2:基板 10:基板處理裝置 20:處理容器 30:基板保持部 40:氣體噴嘴 36:升降驅動部 50:噴嘴升降驅動部 150:控制部

[圖1]圖1，係表示實施形態之基板處理裝置的概略圖。 [圖2]圖2，係表示實施形態之垂直衝擊波碰撞基板的剖面圖。 [圖3]圖3，係表示實施形態之距離調整方法之一例的圖。 [圖4]圖4，係表示實施形態之基板處理方法的流程圖。

2:基板

3:主表面

10:基板處理裝置

20:處理容器

22:內壁面

23:上壁面

24:下壁面

25:側壁面

27:吸引口

30:基板保持部

31:基板保持面

32:旋轉軸部

34:旋轉驅動部

36:升降驅動部

38:水平驅動部

40:氣體噴嘴

41:噴射口

50:噴嘴升降驅動部

60:氣體供給機構

61:第1供給源

62:第2供給源

63:壓力調整閥

64:第1開關閥

65:第1流量調整閥

66:第2開關閥

67:第2流量調整閥

70:減壓機構

71:吸引泵

72:吸引管線

73:壓力調整閥

80:紋影裝置

81:光源

82:第1紋影透鏡

83:第2紋影透鏡

84:刀緣

85:攝像部

90:距離測定部

100:氣體承接部

150:控制部

151:CPU

152:記憶媒體

153:輸入介面

154:輸出介面

L1:共通管線

L2:第1分歧管線

L3:第2分歧管線

Claims (14)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具有： 處理容器； 基板保持部，被配置於前述處理容器的內部，保持基板； 氣體噴嘴，將氣體噴射至前述處理容器的內部； 調整機構，調整被保持於前述基板保持部之前述基板與前述氣體噴嘴的距離；及 控制部， 前述控制部，係被構成為基於從前述氣體噴嘴所噴射的前述氣體之流動狀態，設定前述距離的目標值，以使前述距離成為前述目標值的方式，控制前述調整機構。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為藉由「使用了對前述氣體之流動狀態造成影響的環境參數」之模擬，算出前述氣體之流動狀態。
3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為藉由拍攝從前述氣體噴嘴所噴射之前述氣體的方式，取得前述氣體之流動狀態。
4. 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為一邊將前述氣體從前述氣體噴嘴噴射至被保持於前述基板保持部的前述基板，一邊控制前述調整機構。
5. 如請求項1~3中任一項之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係被構成為在前述基板未被保持於前述基板保持部的狀態下，控制前述調整機構。
6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更具有： 檢測部，檢測被保持於前述基板保持部之前述基板的形狀， 前述控制部，係被構成為基於前述檢測部檢測到之前述基板的形狀，控制前述調整機構。
7. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述氣體，係包含有二氧化碳氣體與氫氣。
8. 一種基板處理方法，其特徵係，具有： 「使基板保持於被配置在處理容器的內部之基板保持部」的工程； 「從被配置於前述處理容器的內部之氣體噴嘴噴射氣體」的工程； 「基於從前述氣體噴嘴所噴射的前述氣體之流動狀態，設定被保持於前述基板保持部之前述基板與前述氣體噴嘴的距離之目標值」的工程；及 「以使前述距離成為前述目標值的方式，控制前述距離」的工程。
9. 如請求項8之基板處理方法，其中， 前述設定之工程，係包含：藉由「使用了對前述氣體之流動狀態造成影響的環境參數」之模擬，算出前述氣體之流動狀態。
10. 如請求項8之基板處理方法，其中， 前述設定之工程，係包含：藉由拍攝從前述氣體噴嘴所噴射之前述氣體的方式，取得前述氣體之流動狀態。
11. 如請求項8~10中任一項之基板處理方法，其中， 前述設定之工程，係一邊將前述氣體從前述氣體噴嘴噴射至被保持於前述基板保持部的前述基板，一邊予以實施。
12. 如請求項8~10中任一項之基板處理方法，其中， 前述設定之工程，係在前述基板未被保持於前述基板保持部的狀態下予以實施。
13. 如請求項8之基板處理方法，其中，更具有： 「檢測被保持於前述基板保持部的前述基板之形狀」的工程， 前述控制之工程，係包含：基於在前述檢測之工程中所檢測到的前述基板之形狀，控制前述距離。
14. 如請求項8之基板處理方法，其中， 前述氣體，係包含有二氧化碳氣體與氫氣。