TW202406973A - 聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜、使用其之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及影像顯示裝置 - Google Patents

聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜、使用其之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及影像顯示裝置 Download PDF

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Abstract

一種聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其滿足下述(1)及(2)。(1)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜具有3000～30000nm的遲滯值，(2)以ATR-FTIR法測定的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數為0.275以上。

Description

聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜、使用其之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及影像顯示裝置
本發明係關於聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜、使用其之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之影像顯示裝置。
液晶顯示裝置(LCD)所使用的偏光板，通常係以2片偏光鏡保護膜夾住使聚乙烯醇(PVA)等染附有碘之偏光鏡所構成，作為偏光鏡保護膜，通常使用三乙醯纖維素(TAC)薄膜。近年來，隨著LCD之薄型化，正要求偏光板的薄層化。然而，若為此而將作為保護膜使用的TAC薄膜之厚度變薄，則無法得到充分的機械強度，還會發生透濕性變差之問題。又，TAC薄膜係非常昂貴，雖然有提案聚酯薄膜作為便宜的替代材料(專利文獻1～3)，但會有觀察到虹狀的色斑之問題。
於偏光鏡的單側配置有具有雙折射性的配向聚酯薄膜時，自背光元件或偏光鏡射出的直線偏光在通過聚酯薄膜時偏光狀態會變化。透射的光係在配向聚酯薄膜的雙折射與厚度之積的遲滯值(retardation)上顯示出特有的干渉色。因此，作為光源若使用冷陰極管或熱陰極管等不連續的發光光譜，則會依波長顯示出不同的透射光強度，而成為虹狀的色斑。
作為解決上述問題之手段，有提案使用如白色發光二極體之具有連續且寬廣的發光光譜之白色光源作為背光光源，此外還使用具有一定的遲滯值之配向聚酯薄膜作為偏光鏡保護膜(專利文獻4)。白色發光二極體係在可見光區域中具有連續且寬廣的發光光譜。因此，當著眼於因透射雙折射體的透射光所造成的干渉色光譜之包絡線形狀時，可藉由控制配向聚酯薄膜的遲滯值，而得到與光源發光光譜相似之光譜，藉此可抑制虹斑。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2002-116320號公報 專利文獻2：日本特開2004-219620號公報 專利文獻3：日本特開2004-205773號公報 專利文獻4：WO2011/162198
[發明欲解決之課題]
以抑制虹斑為目的而賦予有一定的遲滯值之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係被用於偏光鏡保護膜、觸控面板等之透明導電性薄膜的基材、表面覆蓋薄膜等各式各樣的用途，但由於其高的配向各向異性，故在與慢軸平行的方向上容易裂開，已知有因分切加工(slitting process)中的斷裂而使生產性降低之可能性。又，由於配向結晶化所伴隨的切削阻力的增大，在分切加工時切割部係伸展而在製品卷端部發生卷邊(raised edge)，有損害製品的品質之情況。又，隨著切削阻力的增大，在切割部薄膜被刮削，所產生的微粉變成異物，有損害製品的品質之情況。
亦即，本發明中，課題在於提供一種加工適應性優異，尤其能有效地抑制分切加工時的斷裂或卷邊發生之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜。又，課題在於提供使用前述聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之影像顯示裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明者們專心致力地檢討，結果發現關於具有特定範圍的遲滯值之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，藉由將以ATR-FTIR法測定的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數控制在一定以上的值，可解決上述課題，而終於完成了本發明。
代表性的本發明係如以下。 項1. 一種聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其滿足下述(1)及(2)， (1)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜具有3000～30000nm的遲滯值， (2)下式表示之以ATR-FTIR法測定的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數為0.275以上。 (介相配向參數)=R slow/R fast惟，R slow=(慢軸方向在1457cm -1的吸光度)/(慢軸方向在795cm -1的吸光度)，R fast=(快軸方向在1457cm -1的吸光度)/(快軸方向在795cm -1的吸光度)。 項2. 如項1記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(3)及(4)， (3)慢軸方向的彈性模數為8600MPa以下， (4)慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比為3.6以下。 項3. 如項1或2記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(5)， (5)慢軸方向的斷裂強度為450MPa以下。 項4. 如項1至3中任一項記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(6)， (6)下式表示之剛性非晶分率為33質量%以上 (剛性非晶分率(質量%))=100–(可動非晶分率(質量%))–(質量分率結晶化度(質量%))。 項5. 一種偏光板，其係將如項1至4中任一項記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為偏光鏡保護膜積層在偏光鏡的至少一面而成者。 項6. 一種影像顯示裝置，其具有如項5記載之偏光板。 項7. 一種液晶顯示裝置，其係具有背光光源、2個偏光板、及配置於前述2個偏光板之間的液晶胞之液晶顯示裝置， 前述2個偏光板之中，至少一個為如項5記載之偏光板。 項8. 一種有機EL顯示裝置，其具有如項5記載之偏光板。 項9. 一種透明導電性薄膜，其具有如項1～4中任一項記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為透明導電性薄膜的基材薄膜。 項10. 一種觸控面板，其具有如項9記載之透明導電性薄膜。 項11. 一種影像顯示裝置，其係在影像顯示面板的視覺識別側具有如項1至4中任一項記載之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為防碎薄膜(shatter-proof film)或表面保護膜者。 [發明之效果]
根據本發明，可提供加工適應性優異，尤其能有效地抑制分切加工時的斷裂、卷邊及異物發生之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜。又，可提供使用前述聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之影像顯示裝置。
[用以實施發明的形態]
1.聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜 本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜較佳具有3000nm以上30000nm以下的遲滯值。若遲滯值為3000nm以上，則在從斜向方向觀察時會抑制干渉色之發生，可確保良好的視覺識別性。較佳的遲滯值之下限值為4000nm，其次較佳的下限值為5000nm。
另一方面，遲滯值之上限較佳為30000nm。即便使用具有其以上的遲滯值之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，也實質上得不到進一步的視覺識別性之改善效果，薄膜之厚度亦會相當地變厚，作為工業材料的操作性降低。較佳的上限值為10000nm，更佳的上限值為9000nm，尤佳的上限值為8000nm。
尚且，薄膜面內的折射率差(慢軸方向的折射率–快軸方向的折射率)較佳為0.08以上。在一方向被強烈延伸，薄膜面內的折射率差大者，即使為更薄的薄膜也能得到充分的遲滯值，從薄膜化之觀點來看較宜，更佳為0.09以上，尤佳為0.10以上，特佳為0.105以上，最佳為0.11以上。本發明可適當地適應如此的折射率差大之薄膜。另一方面，若薄膜面內的折射率差過大，則薄膜的力學特性之各向異性變得顯著，因此有容易發生裂開、破損等之傾向，前述折射率差較佳為0.15以下，更佳為0.145以下，尤佳為0.14以下，尤更佳為0.135以下，特佳為0.13，最佳為0.125以下。
尚且，本發明之遲滯值亦可測定薄膜面內的2軸方向之折射率與薄膜厚度而求得，也可使用KOBRA-21ADH(王子計測機器股份有限公司)的市售自動雙折射測定裝置而求得。折射率之測定波長係在589nm進行測定。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係薄膜面內的朝向慢軸方向的配向中間相(介相)之配向度的指標之介相配向參數為0.275以上，從藉由抑制過剩的配向結晶化而減少切割時的切削阻力、抑制分切加工時的斷裂、卷邊及異物發生之觀點來看較宜。本發明之介相配向參數較佳為0.275以上，更佳為0.280以上，尤佳為0.285以上，特佳為0.290以上。從使配向結晶化適度地進行而賦予聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜良好的尺寸安定性之觀點來看，介相配向參數較佳為0.500以下，更佳為0.450以下，尤佳為0.400以下，尤更佳為0.370以下，特佳為0.360以下，最佳為0.355以下。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數係以下述(1)式表示。 (介相配向參數)=R slow/R fast・・・(1)
上述(1)式中，R slow=(慢軸方向在1457cm -1的吸光度)/(慢軸方向在795cm -1的吸光度)，R fast=(快軸方向在1457cm -1的吸光度)/(快軸方向在795cm -1的吸光度)。在1457cm -1的吸光度及在795cm -1的吸光度係使用FTS 60A/896(VARIAN公司)的市售傅立葉轉換紅外分光光度計，藉由全反射測定法的傅立葉轉換紅外分光法(ATR-FTIR)求出。於本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之紅外吸收光譜中，在1457cm -1的吸光度波峰係出現在1454cm -1的源自非晶相的吸光度波峰與出現在1463cm -1的源自介相(亦稱為配向中間相，相當於作為結晶前驅物的配向非晶)的吸光度波峰重疊者，在1457cm -1的吸光度波峰之二色比反映了介相的配向各向異性。1454cm -1與1463cm -1的吸光度波峰皆反映亞甲基與酯鍵之構形的組合，1454cm -1的吸光度波峰係相當於亞甲基為間扭(gauche)(鬆弛狀態)且酯鍵成為反式(緊張狀態)之組合，1463cm -1的吸光度波峰係相當於亞甲基為反式且酯鍵成為間扭之組合。另一方面，在795cm -1的吸光度反映了苯環的面外振動，吸光度不會因薄膜表面的配向度或ATR測定時的壓砧(鐵砧)之推壓而變化，故可用於其它波數的吸光度之規格化。尚且，在1457cm -1的吸光度，未必意指正好在1457cm -1的吸光度，而是表示在1457cm -1附近(1452cm -1～1462cm -1)所觀察到的峰頂之吸光度，在看不到明確的峰頂時，可讀取在1457cm -1的吸光度。同樣地，在795cm -1的吸光度，未必意指正好在795cm -1的吸光度，而是表示在795cm -1附近(790cm -1～800cm -1)所觀察到的峰頂之吸光度，在看不到明確的峰頂時，可讀取在795cm -1的吸光度。測定方法之詳細內容係在實施例中後述。
一般而言，聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之加工適應性係受到延伸所伴隨的沿配向方向成長的結晶之影響。本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜以抑制虹斑為目的而提高薄膜面內的配向各向異性，結晶優先地朝向相當於主延伸方向的慢軸方向成長。結晶之成長係提高與慢軸方向正交的快軸方向之切削阻力，同時使聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜脆化。基於上述理由，藉由已知方法所製膜的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係在分切加工時於經切割的部分中，有發生因薄膜刮削所造成的微粉或薄膜的伸展所造成的製品卷之端部的卷邊之情況，且折射率差愈大愈顯著。本發明者們進行各種的檢討，結果發現了藉由將薄膜面內之朝向慢軸方向的非晶配向度之指標的介相配向參數控制在上述範圍，即使在提高配向各向異性時，也有效地抑制聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的脆化或切削阻力的增大，可有效地抑制因在分切加工時經切割的部分之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成微粉發生或因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊發生。
本發明係在慢軸方向為TD方向時發揮優異的效果，可較佳地適應，但即使在慢軸方向為MD方向時，抑制卷邊或微粉發生之效果也高，亦適應慢軸方向為MD方向者。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係薄膜面內的慢軸方向之彈性模數為8600MPa以下，此從更減少快軸方向的切削阻力，更抑制因在分切加工時經切割的部分之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉發生或因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊發生之觀點來看較宜。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之慢軸方向的彈性模數較佳為8600MPa以下，更佳為8500MPa以下，尤佳為8400MPa以下，特佳為8300MPa以下。下限係沒有特別的限定，但從維持充分抑制虹斑的配向各向異性之觀點來看，較佳為5400MPa以上，更佳為5450MPa以上，尤佳為5500MPa以上，特佳為5550MPa以上。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係薄膜面內的慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比為3.6以下，此從更減少快軸方向的切削阻力，更抑制因在分切加工時經切割的部分之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉發生或因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊發生之觀點來看較宜。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比較佳為3.6以下，更佳為3.5以下，尤佳為3.4以下，特佳為3.3以下。下限係沒有特別的限定，但從維持充分抑制虹斑的配向各向異性之觀點來看，較佳為2.0以上，更佳為2.5以上，尤佳為2.6以上，特佳為2.7以上。又，快軸方向的彈性模數較佳為2000MPa以上，更佳為2300MPa以上，尤佳為2350MPa以上，特佳為2400MPa以上，最佳為2450MPa以上。上限較佳為4300MPa以下，更佳為4200MPa以下，尤佳為4100MPa以下，尤更佳為4000MPa以下，特佳為3500MPa以下，最佳為3000MPa以下。
彈性模數會因其測定方法而所得之值可能大幅變化。一般而言，彈性模數係定義為藉由拉伸試驗所得之應力-應變曲線的延伸初期之斜率值，但除了用在測定的夾頭之面(face)形狀、推壓或預備力之外，彈性模數之值也會因用在斜率之算出的應變區間而大幅變化。例如，關於圖1所示的標稱應力-標稱應變曲線(以實施例中後述的依據JIS K7161方法進行測定)，於依據JIS K7161之10.3.2項的應變區間(標稱應變：0.0005～0.0025)中彈性模數被算出為6986MPa，但於標稱應變：0.0005～0.0100的區間中彈性模數變成6469MPa，於標稱應變：0.0005～0.0200的區間中彈性模數變成5149MPa，於標稱應變：0.0005～0.0500的區間中彈性模數變成2590MPa。又，彈性模數亦可採用以動態黏彈性測定所得之儲存彈性模數之值，但所得之值會因測定溫度而大幅變化。圖2顯示：將與圖1所測定者同樣的樣品，依照JIS-K7244，以SEIKO儀器公司製的動態黏彈性測定裝置(DMS6100)測定的儲存彈性模數之溫度依賴性(測定條件為拉伸模數、驅動頻率1Hz、夾頭間距離5mm、升溫速度2℃/min、測定溫度範圍20℃～230℃)。例如在20℃的彈性模數為6958MPa，在60℃的彈性模數為6425MPa，在100℃的彈性模數為4533MPa，在140℃的彈性模數為1028MPa，在180℃的彈性模數為719MPa，在220℃的彈性模數為497MPa。一般亦採用特定區間的平均值來進行，例如20℃～60℃區間的平均彈性模數為6718MPa，20℃～100℃區間的平均彈性模數為6244MPa，20℃～140℃區間的平均彈性模數為4931MPa，20℃～180℃區間的平均彈性模數為3930MPa，20℃～220℃區間的平均彈性模數為3254MPa，100℃～220℃區間的平均彈性模數為1264MPa。如上所述，彈性模數會因測定方法而所得之值大幅變化，但本發明之申請專利範圍為以依據JIS K7161之10.3.2項之方法所測定的值，測定方法之詳細內容係在實施例中後述。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係薄膜面內的慢軸方向之斷裂強度為450MPa以下，此從更減少快軸方向的切削阻力，更抑制因在分切加工時經切割的部分之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉發生或因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊發生之觀點來看較宜。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之慢軸方向的斷裂強度更佳為440MPa以下，尤佳為430MPa以下，特佳為420MPa以下。下限係沒有特別的限定，但從維持充分抑制虹斑的配向各向異性之觀點來看，較佳為220MPa以上，更佳為230MPa以上，尤佳為240MPa以上，特佳為250MPa以上。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係剛性非晶分率為33質量%以上，此從更抑制聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的脆化，更抑制以分切加工中的經切割部分作為起點的斷裂或因聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉發生之觀點來看較宜。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的剛性非晶分率更佳為34質量%以上，尤佳為35質量%以上，特佳為36質量%以上。上限較佳為60質量%，但50質量%以下或45質量%以下亦充分，為更佳為範圍。此處，剛性非晶分率係以下述(2)式表示。
(剛性非晶分率(質量%))=100-(可動非晶分率(質量%))-(質量分率結晶化度(質量%))・・・(2)
以往，認為高分子的高階結構可被分成結晶與非晶。但近年來非晶區域係可按照其分子運動的溫度依賴性而進一步區別，有報告分成在玻璃轉移點(Tg)能釋放分子運動的可動非晶與即使在Tg以上之溫度分子運動也被凍結的剛性非晶。已知該剛性非晶為聚對苯二甲酸乙二酯時，係在200℃附近的溫度之前仍保持著非晶。一般而言，該剛性非晶係存在於結晶與可動非晶之邊界區域，認為隨著結晶化度的增大而剛性非晶分率亦會增大。本發明者們進行檢討，結果發現了藉由將剛性非晶分率控制在上述範圍，即使在增大薄膜面內的配向各向異性時，也更有效地抑制因結晶化所伴隨的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的脆化，更容易抑制以分切加工中的經切割部分作為起點的斷裂或因聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉發生。
以上述(2)式，剛性非晶分率係使用可動非晶分率及質量分率結晶化度之值而間接地求得。可動非晶分率係由使用示差掃描熱量計(TA Instrument公司製Q100)的溫度調變DSC測定所得的可逆熱容量曲線之在Tg的可逆熱容量差ΔCp求出。另一方面，質量分率結晶化度係依照JIS K7112，由使用密度梯度管所得的密度之值算出。詳細內容係在實施例中後述。從將剛性非晶分率控制在上述較佳的範圍之觀點來看，可動非晶分率較佳為24.5質量%以上，更佳為25質量%以上，尤佳為25.5質量%以上，特佳為26質量%以上。上限較佳為36質量%以下，更佳為35.5質量%以下，尤佳為35質量%以下，特佳為34.5質量%以下。
從將剛性非晶分率控制在上述較佳範圍，同時抑制因過度結晶化所造成的脆化之觀點來看，質量分率結晶化度較佳為41質量%以下，更佳為40質量%以下，尤佳為39質量%以下，特佳為38質量%以下。下限為27質量%以上，更佳為28質量%以上，尤佳為29質量%以上，特佳為30質量%以上。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係可根據一般的聚酯薄膜之製造方法而製造。例如可舉出：將聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂熔融，擠出成薄片狀，將所成形的無配向聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂在玻璃轉移溫度以上之溫度，利用輥的速度差在縱向延伸後，藉由拉幅機在橫向延伸，施行熱處理之方法。另外，亦可使用同時雙軸延伸機，在拉幅機內同時或逐次地沿縱向及橫向進行延伸。
具體地說明聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之製膜條件。本發明者們日夜檢討，結果發現了在充分高的溫度下進行預熱，使薄膜充分軟化後，藉由在比其更適度低的溫度下進行延伸，可促進延伸中的非晶分子鏈之配向，有效地提高介相配向參數。延伸溫度係相對於預熱溫度，較佳設為至少低5℃以上的溫度。
延伸溫度之上限，相對於預熱溫度，更佳設為低10℃以上的溫度，尤佳設為低15℃以上的溫度，特佳設為低20℃以上的溫度。延伸溫度之下限較佳為預熱溫度-60℃以上，尤佳為預熱溫度-55℃以上，特佳為預熱溫度-50℃以上。藉由將延伸溫度設為上述範圍，容易控制延伸中的薄膜溫度，容易調整介相配向參數。
說明縱向延伸及橫向延伸的具體條件，預熱溫度較佳為100℃以上，更佳為105℃以上，尤佳為108℃以上，特佳為110℃以上。預熱溫度較佳為150℃以下，更佳為140℃以下，尤佳為135℃以下，特佳為130℃以下。若預熱溫度過低，則非晶分子鏈之配向難以進行，有難以使介相配向參數充分地增大之傾向。另一方面，若預熱溫度過高，則在延伸時有容易發生厚度不均之傾向。雖然預熱時間會因加熱方式而不同，但例如藉由拉幅機的熱風進行加熱時，較佳為1～120秒，更佳為2～60秒，薄膜之厚度可亦考慮風速等而設定適當時間。
又，延伸溫度較佳為85℃以上，更佳為88℃以上，尤佳為90℃以上。延伸溫度較佳為105℃以下，更佳為102℃以下，尤佳為100℃以下。若延伸溫度過高，則除了延伸應力不足，發生厚度不均外，還有難以使介相配向參數充分增大之傾向。另一方面，若延伸溫度過低，則結晶過剩地成長，有難以使介相配向參數充分增大之傾向。本發明者們發現了藉由將延伸溫度控制在上述範圍，即使在提高預熱溫度時，也可一邊抑制厚度不均，一邊有效地使介相配向參數增大。
上述條件較佳為至少對主延伸方向的延伸能適應。惟，在利用輥的速度差而在縱向進行主延伸時，一般而言應變速度充分大而非晶分子鏈的配向容易進行，因此可不一定採用上述條件。
製造在薄膜寬度方向(TD方向)具有慢軸的薄膜時，縱向延伸倍率較佳為0.7倍，更佳為0.8倍以上，尤佳為0.9倍以上，特佳為0.95倍以上。縱向延伸倍率較佳為1.5倍以下，更佳為1.3倍以下，尤佳為1.2倍以下，特佳為1.1倍以下，最佳為1.05倍以下。再者，亦可不進行縱向延伸，亦即縱向延伸倍率可為1倍。藉由設為上述範圍，薄膜不易在橫向裂開，容易賦予大的折射率差或本發明之各式各樣的特性。橫向延伸倍率較佳為4.0～7.0倍。又，從抑制延伸中的非晶分子鏈的鬆弛而提高剛性非晶分率之觀點來看，較佳為橫向延伸倍率高。橫向延伸倍率之下限更佳為4.5倍，尤佳為4.7倍，特佳為5.0倍。另一方面，若橫向延伸倍率超過7.0倍，則有薄膜在橫向變得容易裂開，而生產性降低之傾向。因此，橫向延伸倍率之上限更佳為6.5倍，尤佳為6.0倍，特佳為5.7倍，最佳為5.5倍。
另一方面，製造在薄膜縱向(MD方向)具有慢軸的薄膜時，橫向延伸倍率較佳為0.7倍以上，更佳為1.0倍以上，尤佳為1.3倍以上，尤更佳為1.5倍以上，特佳為1.7倍以上，最佳為2.0倍以上。橫向延伸倍率較佳為3.0倍以下，更佳為2.7倍以下，尤佳為2.5倍以下。藉由設為上述範圍，薄膜不易在縱向裂開，容易賦予大的折射率差或本發明之各式各樣的特性。尤其在使用本發明之薄膜作為偏光鏡保護膜，與在長度方向延伸PVA而成的偏光鏡貼合而成為偏光板時，為了抑制偏光板變得容易在長度方向裂開或破裂者，橫向延伸倍率較佳為超過1倍。從抑制延伸中之非晶分子鏈的鬆弛、提高剛性非晶分率之觀點來看，縱向延伸倍率宜高。縱向延伸倍率較佳為4.0倍以上，更佳為4.5倍以上，尤佳為4.7倍以上，特佳為5.0倍以上。若縱向延伸倍率過高，則薄膜在縱向容易裂開而生產性降低，因此縱向延伸倍率較佳為7.0倍，更佳為6.5倍，特佳為6.0倍。藉由將縱向延伸倍率及橫向延伸倍率分別設為上述範圍，可有效地提高剛性非晶分率，但另一方面，隨著慢軸方向的延伸倍率變高，會有結晶成長變優勢，而難以使介相配向參數充分地增大之傾向。因此，為了促進延伸中之非晶分子鏈的配向而將介相配向參數控制在上述範圍，較佳為如前所述在充分高的溫度下進行預熱後，在比其更適度低的溫度下進行延伸。
為了將遲滯值控制在上述範圍，較佳為控制縱向延伸倍率與橫向延伸倍率之比率或延伸溫度、薄膜之厚度。若縱橫的延伸倍率之差過小，則有難以提高遲滯值的傾向。
為了有效地抑制熱處理時的結晶化所伴隨的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的脆化，較佳為使剛性非晶分率增大。具體而言，較佳為抑制延伸中之非晶分子鏈的鬆弛，較佳為增大薄膜朝向慢軸方向延伸時的應變速度。應變速度較佳為13%/sec以上，更佳為15%/sec以上，特佳為17%/sec以上。在使用拉幅機式延伸機進行延伸時，從製膜性之觀點來看，上限較佳為60%/sec。輥延伸時，應變速度之上限係沒有特別的設置，但較佳為能穩定地搬運薄膜之速度範圍，例如高速側輥的搬運速度較佳為600m/min以下。此處，應變速度係以(朝向慢軸方向延伸時的標稱應變(%))/(朝向慢軸方向延伸時的所需時間(sec))表示的參數，標稱應變(%)係藉由((變形量(mm))/(初期長度(mm)))×100求出。
於後續的熱處理中，從促進配向結晶化而提高遲滯值之觀點來看，必須在能充分促進配向結晶化的高溫下進行處理。另一方面，本發明者們專心致力地檢討之結果，發現藉由將前述熱處理分成在高溫處理之後低溫處理的兩個階段實施，而可抑制結晶的過剩成長，防止介相配向參數的降低，而可有效地抑制切削阻力的增大或薄膜的脆化。高溫處理時的熱處理溫度較佳為比低溫處理時的熱處理溫度至少高5℃以上的高溫。
高溫處理的溫度之下限，相對於低溫處理的溫度，更佳設為高10℃以上的溫度，尤佳設為高15℃以上的溫度，特佳設為高20℃以上的溫度。高溫處理的上限溫度更佳為低溫處理的溫度+80℃以下，尤佳為低溫處理的溫度+75℃以下，特佳為低溫處理的溫度+70℃以下，最佳為低溫處理的溫度+65℃以下。
具體而言，高溫處理時的熱處理溫度較佳為150℃以上，更佳為160℃以上，特佳為170℃以上，最佳為180℃以上。另一方面，從抑制結晶的過剩成長而防止介相配向參數的降低之觀點來看，高溫處理時的熱處理溫度較佳為220℃以下，更佳為210℃以下，特佳為200℃以下。又，低溫處理時的熱處理溫度較佳為100℃以上，更佳為110℃以上，特佳為120℃以上，最佳為130℃以上。另一方面，從抑制結晶的過剩成長而防止介相配向參數的降低之觀點來看，低溫處理時的熱處理溫度較佳為170℃以下，更佳為160℃以下，特佳為150℃以下。
高溫處理的時間較佳為1秒以上，更佳為3秒以上，尤佳為5秒以上，特佳為7秒以上。高溫處理的時間較佳為60秒以下，更佳為40秒以下，尤佳為30秒以下。
低溫處理的較佳時間亦與高溫處理的較佳時間範圍相同。
尚且，例如於高溫處理後之冷卻中，由於降低冷卻風的風量，明顯變得通過低溫處理的溫度區域要一定的時間，但為了穩定生產，較佳為使其通過如保持低溫處理的溫度之溫度區域的烘箱內之方法。
藉由將高溫熱處理及低溫熱處理設為上述範圍，可更有效地發揮熱處理的效果，同時確保生產性。
薄膜係在低溫處理後，冷卻到能捲取的溫度為止，視需要切割寬度方向端部後被捲取。
為了調整薄膜的熱收縮率，在從熱處理到冷卻為止之間亦可進行鬆弛處理。鬆弛處理係藉由在TD方向、MD方向的至少一方向收縮而進行。鬆弛率較佳為0.1～5%，更佳為0.2～4%。鬆弛處理可在高溫處理中、高溫處理至低溫處理之間、低溫處理中、冷卻中之任一者之間，也可跨過數個步驟而進行。
本發明者們發現了藉由同時進行：在充分高的溫度下進行預熱後，在比其更低的溫度下進行延伸者，與將熱處理分成在高溫處理之後低溫處理的兩個階段實施者，可有效地提高介相配向參數，可有效地抑制以分切加工中的經切割部分作為起點的斷裂或因聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉、因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊，終於完成本發明。
構成聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂，較佳係單體單元的85莫耳%以上為對苯二甲酸乙二酯。對苯二甲酸乙二酯單元較佳為90莫耳%以上，更佳為95莫耳%以上。尚且，作為共聚合成分，亦可包含眾所周知的酸成分、二醇成分。作為聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂，特佳為均聚物的聚對苯二甲酸乙二酯。
該等樹脂係透明性優異，同時熱、機械特性亦為優異，可藉由延伸加工而容易地控制遲滯值。聚對苯二甲酸乙二酯係固有雙折射大，即使薄膜之厚度薄也比較容易地得到大的遲滯值，為最合適的材料。
又，以抑制碘色素等光學功能性色素之劣化為目的，可使本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之波長380nm的光線透射率成為20%以下。380nm的光線透射率更佳為15%以下，尤佳為10%以下，特佳為5%以下。若前述光線透射率為20%以下，則可抑制光學功能性色素之因紫外線所引起的變質。尚且，本發明中的透射率係在對於薄膜之平面呈垂直方向中測定者，可使用分光光度計(例如日立U-3500型)進行測定。
為了使本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的波長380nm之透射率成為20%以下，最好適當調節紫外線吸收劑的種類、濃度及薄膜的厚度。本發明所使用的紫外線吸收劑係眾所周知的物質。作為紫外線吸收劑，可舉出有機系紫外線吸收劑與無機系紫外線吸收劑，但從透明性之觀點來看，較佳為有機系紫外線吸收劑。作為有機系紫外線吸收劑，可舉出苯并三唑系、二苯甲酮系、環狀亞胺酯系等及其組合，但只要是在上述吸光度之範圍，則沒有特別的限定。然而，從耐久性之觀點來看，特佳為苯并三唑系、環狀亞胺酯系。在併用2種以上的紫外線吸收劑時，由於可同時吸收各個波長之紫外線，故可進一步改善紫外線吸收效果。
作為二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑，例如可舉出2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯氧基甲基)苯基]-2H-苯并三唑、2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯氧基乙基)苯基]-2H-苯并三唑、2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯氧基丙基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,4-二三級丁基-6-(5-氯苯并三唑-2-基)苯酚、2-(2’-羥基-3’-三級丁基-5’-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(5-氯(2H)-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(三級丁基)苯酚、2,2’-亞甲基雙(4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)苯酚等。作為環狀亞胺酯系紫外線吸收劑，例如可舉出2,2’-(1,4-伸苯基)雙(4H-3,1-苯并 -4-酮)、2-甲基-3,1-苯并 -4-酮、2-丁基-3,1-苯并 -4-酮、2-苯基-3,1-苯并 -4-酮等。惟，不受該等所特別限定。
又，於紫外線吸收劑以外，在不妨礙本發明的效果之範圍內，含有觸媒以外的各種添加劑者亦為較佳的樣態。作為添加劑，例如可舉出無機粒子、耐熱性高分子粒子、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物、磷化合物、抗靜電劑、耐光劑、難燃劑、熱安定劑、抗氧化劑、防凝膠化劑、界面活性劑等。又，為了發揮高透明性，在聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中實質上不含有粒子亦為較佳。所謂「實質上不含有粒子」，就是意指例如於無機粒子之情況，以螢光X射線分析來定量無機元素時為50ppm以下，較佳為10ppm以下，特佳為檢測極限以下之含量。
又，作為於本發明的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中摻合紫外線吸收劑之方法，可組合眾所周知的方法而採用，例如可藉由使用混煉擠壓機，摻合經乾燥的紫外線吸收劑與聚合物原料而預先製作母料，在薄膜製膜時混合指定的該母料與聚合物原料之方法等而進行摻合。
此時，為了使紫外線吸收劑均勻地分散且經濟地摻合，母料的紫外線吸收劑濃度較佳為5～30質量%之濃度。作為製作母料之條件，較佳為使用混煉擠壓機，在擠出溫度為聚對苯二甲酸乙二酯系原料之熔點以上290℃以下之溫度，以1～15分鐘擠出。若為290℃以上，則紫外線吸收劑之減量大，而且母料之黏度降低係變大。於擠出時間1分鐘以下會有紫外線吸收劑的均勻混合變得困難的傾向。此時，視需要亦可添加安定劑、色調調整劑、抗靜電劑。
又，本發明中亦可將薄膜作成至少3層以上的多層結構，且將紫外線吸收劑添加至薄膜的中間層。在中間層含有紫外線吸收劑的3層結構之薄膜，具體地可如以下地製作。將作為外層用的對苯二甲酸乙二酯系樹脂之丸粒單獨、作為中間層用的含有紫外線吸收劑之母料與聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之丸粒以指定的比例混合，進行乾燥後，供給至眾所周知的熔融積層用擠壓機，自狹縫狀的模頭擠出成薄片狀，在澆鑄輥上冷卻固化而製作未延伸薄膜。即，使用2台以上的擠壓機、3層的集料管(manifold)或合流塊(例如具有角型合流部的合流塊)，將構成兩外層的薄膜層、構成中間層的薄膜層予以積層，自金屬口擠出3層之薄片，在澆鑄輥上冷卻而製作未延伸薄膜。尚且，為了去除成為光學缺陷之原因的原料聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂中所含有之異物，較佳為在熔融擠出之際進行高精度過濾。用於熔融樹脂之高精度過濾的濾材之過濾粒子尺寸(初期過濾效率95%)，較佳為15μm以下。濾材之過濾粒子尺寸若超過15μm，則20μm以上的異物之去除係容易變不充分。
再者，為了使薄膜表面的接著性成為良好，亦可對本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜施行電暈處理、塗布處理或火焰處理等。
於本發明中，為了使對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜表面之接著性成為良好，較佳在本發明之薄膜的至少一面上，具有易接著層(接著性改質塗布層)。易接著層可適當採用習知者，但較佳以聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂或聚丙烯酸樹脂的至少1種作為主成分者。此處所謂「主成分」，就是指構成易接著層的固體成分中50質量%以上之成分。用於易接著層之形成的塗布液，較佳為含有水溶性或水分散性的共聚合聚酯樹脂、丙烯酸樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂之中的至少1種之水性塗布液。作為該等塗布液，例如可舉出日本特許第3567927號公報、日本特許第3589232號公報、日本特許第3589233號公報、日本特許第3900191號公報、日本特許第4150982號公報等中揭示之水溶性或水分散性共聚合聚酯樹脂溶液、丙烯酸樹脂溶液、聚胺基甲酸酯樹脂溶液等。
易接著層例如可將前述塗布液塗布於未延伸薄膜或縱向的單軸延伸薄膜之單面或兩面後，在100～150℃乾燥，更沿橫向延伸而獲得。最終的易接著層之塗布量較佳為管理在0.05～0.20g/m 2。若塗布量小於0.05g/m 2，則有接著性變不充分之情況。另一方面，若塗布量超過0.20g/m 2，則有防黏連性降低之情況。又，延伸後所得之最終的易接著層之厚度，從得到良好的塗布外觀之觀點來看，較佳設為1μm以下，更佳為0.5μm以下，尤佳為0.2μm以下。於聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之兩面上設置易接著層時，兩面的易接著層之塗布量可相同或相異，可各自獨立地在上述範圍內設定。
較佳為在易接著層中添加粒子以賦予易滑性。較佳為使用微粒子之平均粒徑為2μm以下之粒子。若粒子之平均粒徑超過2μm，則粒子變得容易從被覆層脫落。作為易接著層中所含有的粒子，例如可舉出氧化鈦、硫酸鋇、碳酸鈣、硫酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、滑石、高嶺土、黏土、磷酸鈣、雲母、鋰膨潤石、氧化鋯、氧化鎢、氟化鋰、氟化鈣等之無機粒子，或苯乙烯系、丙烯酸系、三聚氰胺系、苯并胍胺系及聚矽氧系等之有機聚合物系粒子等。該等可單獨地添加至易接著層中，也可組合2種以上添加。
又，作為將塗布液塗布之方法，可使用眾所周知的方法。例如，可舉出逆輥塗布法、凹版印刷塗布法、吻塗法、輥刷法、噴塗法、氣刀塗布法、線棒塗布法及管刮法等。可單獨或組合該等之方法而進行。
尚且，上述粒子的平均粒徑之測定係藉由下述方法進行。
用掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝粒子的照片，以最小粒子1個的大小成為2～5mm之倍率，測定300～500個粒子的最大直徑(最遠離的2點間之距離)，將其平均值當作平均粒徑。
於本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的至少一面，隔著易接著層，積層硬塗層、抗反射層、低反射層、防眩層、光擴散層、透鏡層、稜鏡層等功能層者亦為較佳的態樣。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之厚度為任意，但較佳為25～300μm之範圍。即使為低於25μm的厚度之薄膜，原理上也可得到3000nm以上的遲滯值。然而，在該情況下薄膜的力學特性之各向異性會變得顯著，而有容易發生裂開、破損等之傾向。
若列舉本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的更佳厚度，則上限為200μm、150μm、120μm、100μm、90μm、80μm、75μm、70μm。若列舉下限，則為30μm、35μm、40μm、45μm、50μm。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜可用於各式各樣的用途，可配合其用途，從上述範圍中選擇最適合的厚度範圍。
例如，使用本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為偏光鏡保護膜時，從實用性之觀點來看，厚度之上限係可在120μm以下選擇上述之上限，下限係如上述。從近年來的更薄型化之觀點來看，更佳為65μm以下，尤佳為60μm以下，特佳為55μm以下。
將本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜使用作為透明導電性薄膜的基材、使用作為防碎薄膜時，亦與在偏光鏡保護膜所列舉的較佳範圍相同。
使用本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為如影像顯示裝置的覆蓋薄片之表面保護膜時，厚度之下限係可從上述下限之值中選擇40μm以上之值，厚度之上限係可從上述上限之值中選擇150μm以上之值。
近年來，對偏光鏡保護膜之進一步薄膜化的要求變強，偏光鏡保護膜之加工適應性係有愈來愈低的傾向。即使於那樣的情況中，根據本發明，也可有效地抑制快軸方向的切削阻力的增大或聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜的脆化，可抑制以分切加工中的經切割部分作為起點的斷裂或因聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜被刮削所造成的微粉、因薄膜之伸展所造成的製品卷端部之卷邊發生。
為了抑制遲滯值的變動，薄膜的厚度不均宜小。由於延伸溫度、延伸倍率係對薄膜的厚度不均造成大的影響，從減小厚度不均之觀點來看，亦較佳為進行製膜條件的最佳化。特別地若為了提高遲滯值而降低縱向延伸倍率，則縱向厚度不均有時會變大。縱向厚度不均係在延伸倍率的某一特定範圍中有變得非常差之區域，故宜在該範圍以外設定製膜條件。
本發明之薄膜的厚度不均較佳為5.0%以下，更佳為4.5%以下，尤佳為4.0%以下，特佳為3.0%以下。
本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係以|ny-nz|/|ny-nx|表示的Nz係數較佳為1.7以下。Nz係數可如以下地求得。使用分子配向計(王子計測機器股份有限公司製，MOA-6004型分子配向計)，求出薄膜的配向軸方向，藉由阿貝折射率計(ATAGO公司製，NAR-4T，測定波長589nm)求出配向軸方向及與其正交的方向之二軸的折射率(ny、nx，惟ny＞nx)及厚度方向的折射率(nz)。將如此所求出的nx、ny、nz代入|ny-nz|/|ny-nx|所示的式中，可求出Nz係數。Nz係數更佳為1.65以下，尤佳為1.63以下。Nz係數之下限值較佳為1.2。又，為了保持薄膜的機械強度，Nz係數之下限值較佳為1.3以上，更佳為1.4以上，尤佳為1.45以上。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜係其遲滯值(Re)與厚度方向遲滯值(Rth)之比(Re/Rth)較佳為0.2以上，更佳為0.5以上，尤佳為0.6以上。上述比(Re/Rth)愈大愈佳。上限較佳為2.0以下，更佳為1.8以下。尚且，所謂厚度方向遲滯值，就是表示將從薄膜厚度方向剖面來觀看時的2個雙折射△Nxz(=|nx-nz|)、△Nyz(=|ny-nz|)分別乘以薄膜厚度d而得之遲滯值的平均之參數。可求出nx、ny、nz與薄膜厚度d(nm)，算出(△Nxz×d)與(△Nyz×d)之平均值而求出厚度方向遲滯值(Rth)。尚且，nx、ny、nz係藉由阿貝折射率計(ATAGO公司製，NAR-4T，測定波長589nm)求得。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之表面粗糙度(SRa)(JIS B0601：1994)係至少一面、進而兩面較佳為0.05μm以下，更佳為0.01μm以下，尤佳為0.005μm以下。藉由將SRa設為0.05μm以下，可成為透明性高的薄膜。又，為了確保薄膜的滑動性，SRa較佳為0.0001μm以上，更佳為0.0005μm以上。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之十點平均表面粗糙度(SRz)(JIS B0601：1994)係至少一面、進而兩面較佳為1.0μm以下，更佳為0.70μm以下，尤佳為0.50μm以下，特佳為0.30μm以下，最佳為0.2μm以下。SRz較佳為0.001μm以上，更佳為0.005μm以上。
表面粗糙度變大的現象大多是因為粒子凝聚物或觸媒殘渣等粗大粒子而引起，若為上述上限以下，則在薄膜的製造或加工步驟中，於裝入為液晶顯示裝置後，可防止粗大粒子脫落而在薄膜表面造成損傷，亦可抑制其變成亮點或暗點而使畫質降低者。又，也可抑制影像的鮮明性降低及對比降低。
薄膜中的粗大粒子較佳在樹脂之製造中以過濾器去除、在薄膜之生產線中設置過濾器等之方法來去除。
又，表面為易接著層或其它塗布層時，較佳採用：在塗布液之製備後以過濾器進行過濾，以在送到塗布模頭的管線中設置過濾器來過濾塗布液等之方法。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中的長徑100μm以上的異物數較佳為2個以下。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中的長徑100μm以上之異物，係在被切斷成組裝於影像顯示裝置中的大小之偏光板的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜側，以成為正交尼科耳(crossed nicols)之方式放置檢查用偏光板，作為亮點所觀察到的異物之長徑成為100μm以上者。作為薄膜中的異物，例如可舉出滑劑粒子之凝聚物。較佳為製膜時不僅以孔徑小的過濾器去除凝聚物，而且將薄膜作成多層構成，僅在表層使用滑劑粒子。又，於薄膜不用滑劑粒子，在表面的易接著塗層使用滑劑粒子之方法亦較佳。
再者，樹脂的劣化物亦可能成為薄膜中的異物。若為熔融樹脂中的硬異物，則可用前述過濾器去除，但熔融樹脂熱劣化的凝膠狀異物等，由於在熔融樹脂溫度可能會某程度變形，即使大於過濾器的孔徑也有穿過過濾器之情況，於大的熱劣化物時，有被過濾器所切斷而反而作為異物的數目增加之情況。又，過濾器後的管線中所產生的樹脂之熱劣化物係直接包含於薄膜中。該等異物不僅在延伸步驟中不能追隨周邊的樹脂之延伸配向，而且會擾亂周邊的樹脂之延伸配向，在用正交尼科耳進行測定之情況中會成為亮點出現。又，即使為通過過濾器之小的硬異物，也會在延伸時於與樹脂之間形成空隙(孔洞)，有變成薄膜的異物之情況。又，過濾器之孔徑亦非意味不使其以上的異物通過，即使孔徑以上的異物也會以某程度之比例通過。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中之長徑100μm以上的異物數更佳為1個以下，尤佳為0個，亦即無。
又，聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中之長徑50μm以上的異物數較佳為5個以下，更佳為3個以下，尤佳為1個以下，特佳為0個。
再者，聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中之長徑20μm以上的異物數較佳為10個以下，更佳為5個以下，尤佳為、3個以下，特佳為1個以下，最佳為0個。
若在聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜中有這樣的異物，則不僅在近看影像時有看見著色的異物的情況，而且即使為幾乎無色的透明異物，也會由於折射率與周邊的正常部分不同，而有在微小的部分成為不同顏色或紊亂色調的均勻性的情況。又，於光源側偏光板之情況，會有成為暗點的情況。
為了減少薄膜中的前述異物，較佳為在熔融樹脂通過的路徑中儘量減少樹脂滯留的部分。具體而言，較佳為儘量減少擠壓機中螺旋元件間的高低差、桶管(barrel)的各區塊間之高低差、配管的各連接部分之高低差。又，較佳為成為能減少配管、過濾器的外殼或過濾器元件內、金屬口的流路等的樹脂滯留之設計，或減小該等的內壁之粗糙度。
又，於薄膜之製造開始時或提高樹脂擠出量時，有異物增加之傾向。於該等之情況，亦較佳為暫時提高樹脂擠出量後，下降到指定量。
再者，較佳為進行以下對策：於薄膜之製膜後進行缺陷檢査，不將異物量多的薄膜使用於偏光板之製造，標記缺陷部位，不使用該部分的偏光板等。
聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之霧度較佳為5%以下，更佳為3%以下，尤佳為2%以下，特佳為1.5%以下。霧度之下限較佳為0.01%以上，更佳為0.1%以上。
尚且，SRa及SRz分別為塗布後述的低反射層等功能性層之前的坯材之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之表面的SRa及SRz，但在線內設有易接著層時，則成為易接著層面之值。霧度亦相同。
霧度可依據JIS-K7105，使用濁度計(NHD2000，日本電色工業製)進行測定。
構成薄膜的樹脂之固有黏度(IV)較佳為0.45～1.5dL/g。
於PET之情況，IV較佳為0.5～1.5dL/g。IV之下限更佳為0.53dL/g，尤佳為0.55L/g。IV之上限更佳為1.2dL/g，尤佳為1dL/g，特佳為0.8dL/g。
於PEN之情況，IV之下限較佳為0.45dL/g，更佳為0.48dL/g，尤佳為0.5dL/g，特佳為0.53dL/g。IV之上限更佳為1dL/g，尤佳為0.8dL/g，尤更佳為0.75dL/g，特佳為0.7dl/g。
藉由設為上述範圍，可成為耐衝擊性等機械強度優異的薄膜，且可在不對機器施加大負荷下高效率地製造。尚且，IV係將0.2g的試料溶解於酚/1,1,2,2-四氯乙烷(60/40(重量比))之混合溶劑50ml中，在30℃使用奧士華黏度計進行測定。
於偏光鏡保護膜中，不溶於對氯酚及四氯乙烷之混合溶劑的殘渣中之銻原子之量，相對於構成薄膜的樹脂1kg，較佳為50mg以下，更佳為30mg以下，尤佳為20mg以下，特佳為10mg以下，最佳為5mg以下。殘渣中的銻原子之量少者較佳，就下限而言，較佳為0.1mg，更佳為超過0.5mg，尤佳為超過1mg。該偏光鏡保護膜較佳為以銻化合物作為觸媒所聚合的樹脂、尤其是以聚酯樹脂來形成。
作為觸媒使用的銻化合物，例如可舉出三氧化二銻、五氧化二銻、乙酸銻、乙二醇銻(antimony glycoxide)等，較佳為三氧化二銻(Sb 2O 3)。
尚且，作為觸媒，除了銻化合物以外，還可併用四丁氧基鈦酸酯等之鈦化合物觸媒、鹼性乙酸鋁與含受阻酚的磷酸酯(例如Irganox1222等)之鋁系觸媒。
再者，亦較佳為添加聚合的安定劑或助劑、熔融比電阻之調節劑。作為代表者，可舉出磷酸三甲酯、磷酸等之磷化合物、乙酸鎂等之鎂化合物、乙酸鈣等之鈣化合物。
為了使薄膜之不溶於混合溶劑的殘渣中之銻原子之量成為上述以下，較佳為使不溶於製造薄膜時所用的樹脂之混合溶劑的殘渣中之銻原子之量成為上述以下。
作為使聚酯樹脂之不溶於混合溶劑的殘渣中之銻原子之量成為上述以下之方法，例如可舉出以下方法，可單獨或複數併用該等方法。 ・對於聚合後的聚酯樹脂，將添加的銻量以銻原子量表示，較佳為300ppm以下，更佳為250ppm以下，尤佳為220ppm以下，特佳為200ppm以下。尚且，銻量之下限較佳為30ppm，更佳為50ppm，特佳為80ppm。 ・將銻化合物以乙二醇的溶液或漿體的形式添加。此時，銻化合物之濃度較佳為10質量%以下，更佳為7質量%以下，特佳為5質量%以下。 ・將聚酯樹脂之聚合的最高溫度較佳設為290℃以下，更佳設為285℃以下。 ・以到聚酯樹脂之聚合的最高溫度之時間成為45分鐘以內，進而成為30分鐘以內之方式，提高減壓度。尚且，連續聚合之情況為平均滯留時間。 ・添加磷化合物、鎂化合物或鈣化合物時，相對於聚合後的聚酯樹脂，所添加的量以磷原子量表示，較佳為15～120ppm，更佳為20～100ppm，尤佳為25～80ppm，鎂原子量或鈣原子量較佳為30～120ppm，更佳為40～100ppm。再者，較佳為在添加鎂化合物或鈣化合物後添加磷化合物，此時以多階段分割而添加。
2.偏光板 本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜可作為偏光鏡保護膜使用。本發明之偏光板具有在偏光鏡的至少一面積層有由本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜所構成之偏光鏡保護膜而成的結構。偏光鏡可使用使碘染附於聚乙烯醇(PVA)等者等。
於偏光鏡之與積層有聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之側相反側的面(稱為另一面)，較佳為使用以如TAC薄膜、丙烯酸薄膜及降莰烯系薄膜為代表之無雙折射的薄膜。又，於另一面，未積層偏光鏡保護膜或光學補償薄膜等之態樣亦較宜。又，於另一面，可將硬塗層等之塗布層積層於偏光鏡上。於本發明所用的偏光板，以防止映入或抑制眩光抑制、抑制損傷等為目的，將各種硬塗劑塗布於表面者亦為較佳的樣態。
3.影像顯示裝置 本發明之偏光板係如後述，可作為液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之影像顯示裝置的構成構件使用。
4.液晶顯示裝置 一般而言，液晶面板係從與背光光源相向之側朝向顯示影像之側(視覺識別側)，依序由後面模組、液晶胞及前面模組所構成。後面模組及前面模組一般係由透明基板、形成在其液晶胞側表面上的透明導電膜、與配置於其相反側之偏光板所構成。此處，偏光板於後面模組中係配置在與背光光源相向之側，於前面模組中係配置在顯示影像之側(視覺識別側)。
本發明之液晶顯示裝置係至少以背光光源、2個偏光板、及配置在前述2個偏光板之間的液晶胞作為構成構件。又，也可適當具有該等以外的其它構成，例如彩色濾光片、透鏡薄膜、擴散片、防反射薄膜等。較佳前述2個偏光板之中，至少一個偏光板為前述本發明之偏光板。
作為背光之構成，可為以導光板或反射板等作為構成構件之側光方式，也可為正下方型方式。
作為本發明之液晶顯示裝置內所搭載的背光光源，並沒有特別的限定，但可較宜使用在400nm以上且小於495nm、495nm以上且小於600nm及600nm以上780nm以下之各波長區域分別具有發光光譜的峰頂之白色光源。作為如此的光源，例如可舉出利用量子點技術之白色光源、使用藉由激發光而在R(紅)、G(綠)之區域分別具有發光波峰的螢光體與藍色LED之螢光體方式的白色LED光源、3波長方式的白色LED光源、組合紅色雷射的白色LED光源、具有藍色發光二極體與作為螢光體的至少K 2SiF 6：Mn 4+之氟化物螢光體(亦稱為「KSF」)之白色發光二極體等。
又，以往所使用的組合使用化合物半導體之發出藍色光或紫外光的發光二極體、與螢光體(例如，釔/鋁/石榴石系的黃色螢光體或鋱/鋁/石榴石系的黃色螢光體等)之螢光體方式的白色LED亦可較宜使用。
由本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜所構成之偏光鏡保護膜的液晶顯示裝置內的配置係沒有特別的限定，但於配設有配置於入射光側(光源側)的偏光板、液晶胞與配置於出射光側(視覺識別側)的偏光板之液晶顯示裝置的情況，配置於入射光側的偏光板之入射光側的偏光鏡保護膜、及/或配置於出射光側的偏光板之射出光側的偏光鏡保護膜較佳為由本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜所構成之偏光鏡保護膜。特佳的態樣係將配置於出射光側的偏光板之射出光側之偏光鏡保護膜設為本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之態樣。在上述以外的位置配置由聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜所構成之偏光鏡保護膜時，會有使液晶胞的偏光特性變化之情況。由於在需要偏光特性的部位不宜使用由本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜所成的偏光鏡保護膜，故較佳係作為如此特定位置的偏光板之保護膜使用。
本發明之液晶顯示裝置的畫面尺寸係沒有特別的限定，但較佳為32型(對角線的長度為32吋)以上，更佳為42型以上，特佳為50型以上。
5.有機EL顯示裝置 較佳為在有機EL顯示裝置的視覺識別側，配置圓偏光板。外光被有機EL單元之金屬電極所反射而往視覺識別側出射，從外部來視覺識別時，會有有機EL顯示裝置之顯示面看起來如鏡面的情況。為了遮蔽如此的外光之鏡面反射，較佳在有機EL單元的視覺識別側配置圓偏光板。可將在上述本發明之偏光板上例如積層1/4波長板(1/4波長層)者使用作為有機EL顯示裝置用的圓偏光板。
6.透明導電性薄膜及觸控面板 觸控面板通常具有1片或2片以上的透明導電性薄膜。透明導電性薄膜具有在基材薄膜上積層有透明導電層之結構。作為前述基材薄膜，可使用本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜。觸控面板之種類及方式係沒有特別的限制，例如可舉出電阻膜方式觸控面板及靜電容量方式觸控面板。
透明導電層可直接積層於基材薄膜，但亦可隔著易接著層及/或各種其它層而積層。作為其它層，例如可舉出硬塗層、折射率匹配(IM)層及低折射率層等。IM層例如其本身為高折射率層/低折射率層之積層構成(透明導電性薄膜側為低折射率層)，藉由使用它，在觀看液晶顯示畫面時可不易看到ITO圖案。
基材薄膜上的透明導電層可由導電性金屬氧化物而形成。構成透明導電層的導電性金屬氧化物係沒有特別的限定，可使用選自由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所組成之群組中的至少1種金屬之導電性金屬氧化物。於該金屬氧化物中，可視需要進一步包含上述群組中所示的金屬原子。較佳的透明導電層例如為錫摻雜氧化銦(ITO)層及銻摻雜氧化錫(ATO)層，更佳為ITO層。又，透明導電層可為Ag奈米線、Ag油墨、Ag油墨之自我組織化導電膜、網目狀電極、CNT油墨、導電性高分子。 透明導電層之厚度係沒有特別的限制。透明導電層可依照眾所周知的程序來形成。例如，可例示真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法。
本發明之透明導電性薄膜可為去除透明導電層的面內之一部分而圖案化者。透明導電層經圖案化的透明導電性薄膜具有：在基材薄膜上形成透明導電層之圖案形成部，與在基材薄膜上不具有透明導電層之圖案開口部。圖案形成部之形狀例如除了條帶狀之外，還可舉出方形等。
7.防碎薄膜、表面保護膜 本發明之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜可作為防碎薄膜或表面保護膜，積層於影像顯示面板的視覺識別側而使用。 [實施例]
以下，舉出實施例來更具體說明本發明，惟本發明不受下述實施例所限制，在能適合本發明之宗旨之範圍內，亦可加以適當變更而實施，彼等皆包含於本發明之技術範圍內。再者，以下的實施例中之物性的評價方法係如以下。
(1)遲滯值(Re) 所謂遲滯值，就是以薄膜上的正交二軸之折射率的各向異性(△Nxy=|nx-ny|)與薄膜厚度d(nm)之積(△Nxy×d)所定義的參數，為表示光學的各向同性、各向異性之尺度。二軸的折射率之各向異性(△Nxy)係藉由以下方法求得。使用分子配向計(王子計測機器股份有限公司製，MOA-6004型分子配向計)，求出薄膜的慢軸方向，以慢軸方向與測定用樣品長邊成為平行之方式，切出4cm×2cm的長方形，當作測定用樣品。對於該樣品，藉由阿貝折射率計(ATAGO公司製，NAR-4T，測定波長589nm)求出正交的二軸之折射率(慢軸方向之折射率：ny，與慢軸方向正交的方向之折射率：nx)及厚度方向之折射率(nz)，將前述二軸的折射率差之絕對值(|nx-ny|)當作折射率之各向異性(△Nxy)。薄膜之厚度d(nm)係使用電動測微計(Feinpruf公司製，Militron 1245D)進行測定，將單位換算成nm。藉由折射率之各向異性(△Nxy)與薄膜之厚度d(nm)之積(△Nxy×d)，求出遲滯值(Re)。
(2)介相配向參數 聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數係以前述(1)式表示，使用傅立葉轉換紅外分光光度計(VARIAN公司製，FTS 60A/896)，由藉由全反射測定法的傅立葉轉換紅外分光法(ATR-FTIR)所得之慢軸方向在1457cm -1的吸光度A 1457-slow、慢軸方向在795cm -1的吸光度A 795-slow、快軸方向在1457cm -1的吸光度A 1457-fast、快軸方向在795cm -1的吸光度A 795-fast之值算出。ATR-FTIR測定係在光學系統插入偏光鏡之狀態下，於ATR稜鏡使用鑽石結晶，將入射角度設為45度而進行。此時，以與插入光學系統中的偏光鏡之透射軸呈平行的方式配置薄膜的慢軸，取得慢軸方向在各波數ν(cm -1)的紅外吸收光譜A slow(ν)。又，以與插入光學系統中的偏光鏡之透射軸呈平行的方式配置薄膜的快軸，取得快軸方向在各波數ν(cm -1)的紅外吸收光譜A fast(ν)。累計次數係樣品、背景(background)皆為64次，將波數分解能力設為2cm -1，將測定波數範圍設為650～4000cm -1而進行測定。經由ATR-FTIR測定所得之紅外吸收光譜，由於對試料的侵入深度係隨著波數而不同，且基線彎曲，因此藉由所得之紅外吸收光譜係將在各波數ν(cm -1)的吸光度乘以測定範圍內的最大波數ν MAX(cm -1)與各波數ν(cm -1)之比ν MAX/ν而進行基線修正。於基線修正後的各紅外吸收光譜中，採用在1456.253cm -1的吸光度作為A 1457-slow至A 1457-fast，採用在792.7415cm -1的吸光度作為A 795-slow至A 795-fast。此處所謂吸光度，就是指基線修正後的紅外吸收光譜中之在該波數的吸收強度之絕對值。尚且，於上述測定時，薄膜的慢軸方向係使用分子配向計(王子計測機器股份有限公司製，MOA-6004型分子配向計)求出。而且將薄膜面內與慢軸方向正交的方向當作快軸方向。
(3)慢軸方向的彈性模數 慢軸方向的彈性模數係藉由依據JIS K7161之10.3.2項的拉伸試驗進行評價。試驗片係將遲滯值(Re)之測定時所得之慢軸方向當作長邊，切出180mm×10mm的矩形狀。在距試驗片的兩短邊之40mm內側的位置，分別描繪平行於短邊的長度10mm之標線，於標線所夾住的長度100mm之區間中，將試驗片的厚度(mm)分成5點進行測量，求出其平均值，將與試驗片的寬度10mm之積當作試驗片的剖面積(mm 2)。尚且，薄膜之厚度係使用電動測微計(Feinpruf公司製，Militron 1245D)進行測定。以試驗片的長邊方向成為拉伸方向之方式，用夾頭抓住從標線到短邊的區域，進行拉伸試驗。於拉伸試驗中，使用精密萬能試驗機(島津製作所公司製，Autograph AGX-V)，夾頭間距離係設為100mm，拉伸速度係設為100mm/min。藉由將負載(N)的各測定值除以試驗片的初期剖面積(mm 2)而換算成標稱應力(MPa)。又，藉由將得到負載的各測定值時之夾頭間距離的行程量(mm)除以初期的夾頭間距離100mm，而換算成標稱應變。計算標稱應變0.0005及0.0025之2點間的標稱應力-標稱應變曲線之斜率，得到慢軸方向的彈性模數(MPa)。夾頭係使用空壓式者(A&D公司製，在平行鎖緊型氣動顎夾J-JFA1-1KN-09上安裝有面(face)J-FFA3W-1KN者)，空氣壓力為0.5MPa。又，在不施加以消除試驗片的鬆弛為目的之預備力下進行了測定。
(4)慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比 藉由前述慢軸方向的彈性模數同樣之方法，得到快軸方向的彈性模數(MPa)。使用所得之慢軸方向的彈性模數E TD及快軸方向的彈性模數E MD，求出慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比E TD/E MD。
(5)慢軸方向的斷裂強度 慢軸方向的斷裂強度係藉由依據JIS C2318的7.2項之拉伸試驗進行評價。於前述慢軸方向的彈性模數之測定所得之標稱應力-標稱應變曲線中，將斷裂時的負載(N)除以試驗片的剖面積(mm 2)，而得到慢軸方向的斷裂強度(MPa)。
(6)面配向係數(ΔP) 使用遲滯值(Re)之測定時所得的折射率之值，將由(nx+ny)/2-nz所得之值當作面配向係數(ΔP)。
(7)剛性非晶分率 剛性非晶分率係以前述(2)式表示，由可動非晶分率及質量分率結晶化度之值來間接地算出。
可動非晶分率係由使用示差掃描熱量計(TA Instrument公司製，Q100)的溫度調變DSC測定所得之可逆熱容量曲線的在Tg的可逆熱容量差ΔCp(J/(g・K))，以((試料的ΔCp)/(完全非晶的ΔCp))×100(質量%)所定義的參數。於聚對苯二甲酸乙二酯之情況，為完全非晶的ΔCp=0.4052(J/(g・K))。試料係在鋁盤內以2.0±0.2mg秤量，以MDSC(註冊商標)僅加熱模式(heat only mode)，以平均升溫速度5.0℃/min、調變周期60sec進行測定。測定數據係以5Hz之取樣頻率來收集。又，於溫度及熱量之校正中使用銦，於比熱之校正中使用藍寶石。
以下，顯示Tg及ΔCp之算出方法。首先，繪製可逆熱容量曲線F(T)的溫度T之1次導函數F’(T)，取得每2401點的移動平均，進行平滑化處理後，讀取峰頂的溫度之值，求出Tg。其次，求出通過點A(Tg-15, F(Tg-15))及點B(Tg+15, F(Tg+15))的2點之直線G(T)。接著，將在Tg-15≦T≦Tg+15之範圍內F(T)-G(T)成為最小的溫度設為T1，將成為最大的溫度設為T2。此處，T1相當於玻璃轉移的開始溫度，T2相當於玻璃轉移的結束溫度，因此藉由ΔCp=F(T2)-F(T1)得到ΔCp之值。
質量分率結晶化度χ係依照JIS K7112，採用使用水/硝酸鈣系的密度梯度管而得的密度之值d(g/cm 3)，藉由下式算出。 χ=(dc/d)×((d-da)/(d-dc))×100(質量%) 其中，dc：完全結晶的密度，da：完全非晶的密度 於聚對苯二甲酸乙二酯時，dc=1.498(g/cm 3)、da=1.335(g/cm 3)。
(8)分切加工中的操作穩定性 將以後述方法所作成的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜捲取在巨型輥後，以巨型輥中央部作為中心，藉由切割寬度：1000mm之範圍時的斷裂次數，評價操作穩定性。尚且，用於切割的切斷刀刃係被使用於相當於比較例的習知薄膜之切斷，將超過規定使用量而被取下者再度組裝而進行，行進速度係以切割機(slitter)的設計之最高速度的90%之速度進行。 ○：1日的斷裂次數為0次。 △：1日的斷裂次數為1次。 ×：1日的斷裂次數為2次以上。
(9)分切加工後的製品卷卷邊 將以後述方法所作成的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜捲取在巨型輥，以捲出速度：185m/分鐘，用切割機加工機捲出，同時以巨型輥中央部作為中心，切出寬度：1000mm之範圍，設為捲取張力：150N/m、捲取接觸壓力：130N/m，不施行對端部的滾花加工，捲取為捲長：2000m的製品卷，進行卷邊量之評價。於製品卷之兩端部，測量以距端部的100mm內側之位置作為基準(0mm)時的最端部之高度，當作卷邊量，求出兩端部的卷邊量之平均值。尚且，捲取張力係將薄膜在圓筒狀的核心上捲取成捲筒狀時的張力，捲取接觸壓力係在捲取時，邊推壓接觸輥邊捲取，為當時的接觸輥之捲取接觸壓力。 ◎：卷邊量為1.0mm以內 ○：卷邊量為2.0mm以內 ×：卷邊量大於2.0mm
(10)虹斑觀察 於由PVA與碘所構成之偏光鏡的一側，以偏光鏡的吸收軸與薄膜的配向主軸呈垂直的方式，貼附以後述方法所作成的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，於其相反面貼附市售的TAC薄膜，而作成偏光板。將所得之偏光板與市售的液晶顯示裝置(SHARP公司製，LC32DZ3)中原本存在的出射光側之偏光板進行置換。尚且，以偏光板的吸收軸與原本貼附於液晶顯示裝置的偏光板之吸收軸方向呈一致之方式，且以聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜成為視覺識別側之方式置換偏光板。前述液晶顯示裝置係在背光光源具有由藍色光發光二極體與釔/鋁/石榴石系黃色螢光體組合之發光元件所構成的白色LED。
使如此所製作的液晶顯示裝置顯示白影像，從顯示器之正面及斜向進行目視觀察，對於虹斑之發生，如以下地判定。尚且，觀察角度為從顯示器畫面中心沿法線方向(垂直)畫出的線與連接顯示器中心和觀察時的眼睛位置的線所成之角。 ◎：在觀察角度0～60度之範圍，看不到虹斑。 ○：在觀察角度0～60度之範圍，看到一部分淡的虹斑。 ×：在觀察角度0～60度之範圍，明確地看到虹斑。
(11)三次元表面粗糙度 使用觸針式三次元粗糙度計(SE-3AK，小阪研究所公司股份有限公司製)，在針的半徑2μm、負載30mg之條件下，於薄膜的長度方向中截止值0.25mm、測定長度跨1mm、針的進給速度0.1mm/秒下進行測定，以2μm間距分割成500點，將各點的高度輸入三次元粗糙度解析裝置(SPA-11)。與此同樣的操作係在薄膜的寬度方向中，以2μm間隔連續150次，亦即在薄膜的寬度方向跨0.3mm下進行，將數據輸入解析裝置中。接著使用解析裝置，求出中心面平均粗糙度(SRa)、十點平均表面粗糙度(SRz)。尚且，測定係進行3次，採用平均值。
(12)霧度 依據JIS-K7105，使用濁度計(NHD2000，日本電色工業製)，測定薄膜的霧度。
(13)薄膜中的異物之檢査 於所製作的偏光板之高Re偏光鏡保護膜側之面，以與所製作的偏光板成為正交尼科耳之狀態的方式，放置檢査用偏光板。檢査用的偏光板為兩面無相位差的TAC薄膜，選擇無傷痕或異物者。在此狀態下使用NIKON萬能投影機V-12(投影透鏡50x，透射照明光束切換旋鈕50x，透射光檢査)進行檢査。於高Re偏光鏡保護膜中存在異物時，光從該部分透射，看起來光亮。計測該部分的長徑為100μm以上者、小於100μm且為50μm以上者、小於50μm且為20μm以上者之數，求出偏光板全面的各自之合計數。
尚且，無法區別長徑時，從偏光板切取經由前述方法所檢測出的異物所造成的缺陷部分，使用偏光顯微鏡，提高倍率進行觀察而決定長徑。將此時偏光板的高Re偏光鏡保護膜面朝上，偏光方向為與偏光顯微鏡的光源側之偏光鏡的偏光方向呈平行。
(14)殘渣中的銻原子之量 用剃刀刮掉薄膜表面的易接著層而去除後，用剪刀將薄膜切成小片。將該小片0.1g溶解於對氯酚/四氯乙烷混合溶劑=60/40(重量比)20mL後，使用平均孔徑0.1μm的親水性PTFE 製薄膜過濾器(ADVANTEC公司製H010A047A)，藉由水流式抽吸過濾法過濾該溶解液。過濾後，回收過濾器，以硝酸溶解/定容過濾器上的殘渣，作為測定供試液。尚且，試料製備係以各試料N=3實施。以高分解能力感應耦合電漿質量分析裝置(HR-ICP-MS，Thermo Fisher Scientific股份有限公司製)測定供試液中的Sb。
(製造例1-聚酯A) 將酯化反應槽升溫，於到達200℃之時間點，加入86.4質量份的對苯二甲酸及64.6質量份的乙二醇，邊攪拌邊加入作為觸媒的0.017質量份的三氧化二銻、0.064質量份的乙酸鎂四水合物、0.16質量份的三乙胺。接著，進行加壓升溫，於錶壓0.34MPa、240℃之條件下進行加壓酯化反應後，使酯化反應槽回到常壓，添加0.014質量份的磷酸。再者，費時15分鐘升溫至260℃，添加0.012質量份的磷酸三甲酯。接著，於15分鐘後，用高壓分散機進行分散處理，15分鐘後，將所得之酯化反應生成物移送至聚縮合反應槽，於280℃、減壓下進行聚縮合反應。
於聚縮合反應結束後，用95%截留直徑為5μm之Naslon製過濾器進行過濾處理，自噴嘴擠出成線料狀，使用已預先進行過濾處理(孔徑：1μm以下)的冷卻水，使其冷卻、固化，切割成丸粒狀。所得之聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(A)的固有黏度為0.62dl/g，惰性粒子及內部析出粒子係實質上不含有。(以下，簡稱PET(A))。
(製造例2-聚酯B) 混合10質量份的經乾燥之紫外線吸收劑(2,2’-(1,4-伸苯基)雙(4H-3,1-苯并 -4-酮)、90質量份的不含粒子之PET(A)(固有黏度為0.62dl/g)，使用混煉擠壓機，得到含紫外線吸收劑的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(B)(以下，簡稱PET(B))。尚且，聚酯B係於用於擠出成線料狀的熔融管線中設置Naslon過濾器(標稱過濾精度5μm粒子95%截止)，進行過濾。
(製造例3-接著性改質塗布液之製備) 藉由常見方法進行酯交換反應及聚縮合反應，製備作為二羧酸成分(相對於二羧酸成分全體)的46莫耳%的對苯二甲酸、46莫耳%的間苯二甲酸及8莫耳%的5-磺酸根基間苯二甲酸鈉、作為二醇成分(相對於二醇成分全體)的50莫耳%的乙二醇及50莫耳%的新戊二醇之組成的水分散性含磺酸金屬鹼之共聚合聚酯樹脂。接著，混合51.4質量份的水、38質量份的異丙醇、5質量份的正丁基賽珞蘇、0.06質量份的非離子系界面活性劑後，加熱攪拌，到達77℃時，添加5質量份的上述水分散性含磺酸金屬鹼的共聚合聚酯樹脂，繼續攪拌直到樹脂的團塊消失為止後，將樹脂水分散液冷卻到常溫，得到固體成分濃度5.0質量%之均勻的水分散性共聚合聚酯樹脂液。再者，使3質量份的凝聚體二氧化矽粒子(富士SILYSIA(股)公司製，Silysia 310)分散於50質量份的水中後，於99.46質量份的上述水分散性共聚合聚酯樹脂液中加入0.54質量份的Silysia 310之水分散液，邊攪拌邊添加20質量份的水，得到接著性改質塗布液。塗布液係以95%分離粒徑10μm的筒式過濾器進行過濾。
(實施例1) 將作為基材薄膜中間層用原料之90質量份的不含粒子之PET(A)樹脂丸粒與10質量份的含有紫外線吸收劑之PET(B)樹脂丸粒在135℃減壓乾燥(1Torr)6小時後，供給至擠壓機2(中間層II層用)，而且藉由常見方法將PET(A)乾燥，分別供給至擠壓機1(外層I層及外層III用)，在285℃溶解。將此2種的聚合物分別以不銹鋼燒結體的濾材(標稱過濾精度10μm粒子95%截留)予以過濾，在2種3層合流塊中積層，由噴嘴擠出成片狀後，使用靜電施加澆鑄法，捲繞於表面溫度30℃之澆鑄鼓上，進行冷卻固化，製作未延伸薄膜。此時，以I層、II層、III層的厚度之比成為10:80:10之方式，調整各擠壓機的吐出量。
其次，藉由逆輥法，在該未延伸PET薄膜之兩面上，以乾燥後的塗布量成為0.08g/m 2之方式，塗布上述接著性改質塗布液後，在80℃乾燥20秒。於塗布中，在將塗布液1送到塗布模頭的管線中設置95%分離粒徑10μm的筒式過濾器，去除粒子的凝聚物。
將形成有該塗布層的未延伸薄膜導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度138℃之熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.0倍之方式，以溫度90℃、應變速度17.2%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度210℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度160℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約65μm的單軸配向PET薄膜。
尚且，於製造中，使用熔融的樹脂通過的配管之凸緣的接合部分的墊片之內徑與配管之內徑之差為50μm以下者，在運轉開始時進行3次以比設定樹脂擠出量1.2倍的流量的5分鐘之樹脂放流後，進行薄膜之生產，對生產開始起30分鐘後的薄膜進行取樣。又，過濾器元件在運轉開始時更換為已洗淨過者。
(實施例2) 將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度132℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.0倍之方式，以溫度90℃、應變速度17.2%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度210℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度160℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約65μm的單軸配向PET薄膜。
(實施例3) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度130℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.8倍之方式，以溫度90℃、應變速度20.0%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度200℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度140℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約40μm的單軸配向PET薄膜。
(實施例4) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度120℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.6倍之方式，以溫度102℃、應變速度39.3%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度180℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度160℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約50μm的單軸配向PET薄膜。
(實施例5) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度100℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為4.5倍之方式，以溫度90℃、應變速度25.2%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度200℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度160℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約60μm的單軸配向PET薄膜。
(比較例1) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度100℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.0倍之方式，以溫度100℃、應變速度34.6%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度180℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度180℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約60μm的單軸配向PET薄膜。
(比較例2) 除了將延伸時的溫度設為80℃以外，以與實施例2相同之方法，得到薄膜厚度約65μm的單軸配向PET薄膜。
(比較例3) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度138℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.8倍之方式，以溫度90℃、應變速度49.2%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度190℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度190℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約50μm的單軸配向PET薄膜。
(比較例4) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度115℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為5.6倍之方式，以溫度102℃、應變速度39.3%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度180℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度180℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約25μm的單軸配向PET薄膜。
(比較例5) 除了改變薄膜之厚度以外，將以與實施例1相同方法所製作的未延伸薄膜(塗布層形成完畢者)導引至拉幅延伸機，一邊以夾具抓住薄膜之端部，一邊導引至溫度90℃的熱風區而預熱後，以在寬度方向成為4.5倍之方式，以溫度90℃、應變速度25.2%/sec進行延伸。接著，就那樣保持著寬度方向中經延伸的寬度，在溫度200℃的熱風區中熱處理後，導引至溫度160℃的熱風區，更在寬度方向進行3%的鬆弛處理，得到薄膜厚度約60μm的單軸配向PET薄膜。
表1中顯示實施例、比較例所得之PET薄膜的測定結果。
尚且，確認在切割後的切斷刀刃附近之機器所附著的微粉量，結果在各實施例中微粉量少，但在比較例中觀察到許多的微粉。又，使用實施例1之薄膜作為代表，進行表面粗糙度、異物、霧度之測定，結果SRa：2nm以下，SRz：28nm，霧度：0.7%，100μm以下的異物數：0個，50μm以上且小於100μm的異物數：0個，20μm以上且小於50μm的異物數：1個，Sb原子之量：2ppm。
[表1]
厚度 (μm) 預熱 溫度 (℃) 延伸 溫度 (℃) 寬度方向延伸 倍率 應變 速度 (%/sec) 高溫 熱處理 溫度 (℃) 低溫 熱處理 溫度 (℃) 遲滯值 (nm) 介相配向參數 慢軸 方向的 彈性模數 (MPa) 快軸 方向的彈性模數 (MPa) 彈性模數率比 慢軸 方向的斷裂強度 (MPa) 剛性非晶 分率 (質量%) 可動非晶 分率 (質量%) 質量分率 結晶化度 (質量%) 分切加工 安定性 製品卷 卷邊 虹斑 觀察
實施例1 65 138 90 5.0 17.2 210 160 7437 0.324 7470 2488 3.0 318 35.3 30.5 34.2 ◎ ◎ ◎
實施例2 65 132 90 5.0 17.2 210 160 7684 0.296 8328 2514 3.3 363 33.6 30.1 36.2 ○ ◎ ◎
實施例3 40 130 90 5.8 20.0 200 140 4800 0.313 8495 2525 3.4 391 38.2 25.5 36.3 ○ ○ ○
實施例4 50 120 102 5.6 39.3 180 160 6147 0.297 8508 2483 3.4 412 41.2 25.0 33.8 ○ ○ ◎
實施例5 60 100 90 4.5 25.2 200 160 6575 0.281 7563 2756 2.7 378 33.8 33.5 32.7 ◎ ◎ ○
比較例1 60 100 100 5.0 34.6 180 180 7181 0.263 9177 2479 3.7 372 39.2 27.3 33.5 × × ○
比較例2 65 132 80 5.0 17.2 210 160 7241 0.265 8611 2517 3.4 373 32.2 30.7 37.1 × × ○
比較例3 50 138 90 5.8 49.2 190 190 6292 0.256 9686 2444 4.0 504 39.4 25.2 35.4 × × ○
比較例4 25 115 102 5.6 39.3 180 180 2588 0.255 8220 2543 3.2 498 39.1 25.4 35.5 × × ×
比較例5 50 90 90 4.5 25.2 200 160 8582 0.265 8270 2755 3.0 383 33.7 34.1 32.2 × × ×
[產業上利用之可能性]
根據本發明，可提供一種加工適應性優異，尤其能有效地抑制分切加工時的斷裂或卷邊發生之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜。又，可提供使用前述聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之偏光板、透明導電性薄膜、觸控面板及液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之影像顯示裝置。
無
圖1係拉伸試驗的標稱應力-標稱應變曲線之測定例。 圖2係動態黏彈性測定的儲存彈性模數之測定例。
無。

Claims (11)

  1. 一種聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其滿足下述(1)及(2)， (1)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜具有3000～30000nm的遲滯值， (2)下式表示之以ATR-FTIR法測定的聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜之介相配向參數為0.275以上， (介相配向參數)=R slow/R fast惟，R slow=(慢軸方向在1457cm -1的吸光度)/(慢軸方向在795cm -1的吸光度)，R fast=(快軸方向在1457cm -1的吸光度)/(快軸方向在795cm -1的吸光度)。
  2. 如請求項1之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(3)及(4)， (3)慢軸方向的彈性模數為8600MPa以下， (4)慢軸方向與快軸方向的彈性模數之比為3.6以下。
  3. 如請求項1或2之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(5)， (5)慢軸方向的斷裂強度為450MPa以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜，其進一步滿足下述(6)， (6)下式表示之剛性非晶分率為33質量%以上 (剛性非晶分率(質量%))=100–(可動非晶分率(質量%))–(質量分率結晶化度(質量%))。
  5. 一種偏光板，其係將如請求項1至4中任一項之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為偏光鏡保護膜積層在偏光鏡的至少一面而成。
  6. 一種影像顯示裝置，其具有如請求項5之偏光板。
  7. 一種液晶顯示裝置，其係具有背光光源、2個偏光板、及配置於該2個偏光板之間的液晶胞之液晶顯示裝置， 該2個偏光板之中，至少一個為如請求項5之偏光板。
  8. 一種有機EL顯示裝置，其具有如請求項5之偏光板。
  9. 一種透明導電性薄膜，其具有如請求項1至4中任一項之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為透明導電性薄膜的基材薄膜。
  10. 一種觸控面板，其具有如請求項9之透明導電性薄膜。
  11. 一種影像顯示裝置，其係在影像顯示面板的視覺識別側具有如請求項1至4中任一項之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜作為防碎薄膜或表面保護膜者。
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