TW202406923A - 用於沉積含鉬薄膜的液態二(芳烴)鉬組合物 - Google Patents

用於沉積含鉬薄膜的液態二(芳烴)鉬組合物 Download PDF

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Abstract

本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(芳烴) 2化合物的混合物及其用於沉積含鉬薄膜的用途。芳烴配位子係經選擇以提供於約20℃及約35℃的溫度下為液態的Mo(芳烴) 2化合物的混合物，其中該混合物的不同組分之間的沸點幾乎沒有差異或沒有差異。

Description

用於沉積含鉬薄膜的液態二(芳烴)鉬組合物
本發明揭示並請求保護的標的關於包括Mo(芳烴) 2錯合物的混合物及其用於沉積含鉬薄膜的用途。該芳烴配位子係經選擇以提供於約20℃及約35℃的溫度下為液態的Mo(芳烴) 2組合物的混合物，其中該混合物的不同組分之間的沸點幾乎沒有差異或沒有差異。在一些具體實例中，該芳烴配位子各自具有實質上相同或相同的分子量。在其他具體實例中，該芳烴配位子各自具有相同數目的碳。
含過渡金屬的薄膜係用於半導體及電子應用。化學氣相沉積(CVD)及原子層沉積(ALD)已被用作生產半導體裝置薄膜的主要沉積技術。這些方法能夠通過含金屬化合物(前驅物)的化學反應獲得保形薄膜(金屬、金屬氧化物、金屬氮化物及金屬矽化物等)。該化學反應發生在可包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物及其他表面在內的表面上。在CVD及ALD中，該前驅物分子在獲得具有高保形性及低雜質的高品質薄膜方面起著關鍵作用。CVD及ALD製程中基材的溫度係選擇前驅物分子的重要考慮因素。在150至500攝氏度(°C)範圍內的較高基材溫度會促進較高膜生長速率。較佳的前驅物分子必須在此溫度範圍內保持安定。該較佳前驅物能夠以液相輸送到反應容器中。前驅物的液相輸送一般提供比固相前驅物更均勻的前驅物輸送至該反應容器。
CVD及ALD製程越來越常被使用，因為其具有增進的組成控制、高薄膜均勻性及有效控制摻雜的優點。再者，CVD及ALD製程在與現代微電子裝置相關的高度非平面幾何形狀上提供優異的保形性步階覆蓋率(conformal step coverage)。
CVD係一種使用前驅物於基材表面上形成薄膜的化學製程。在典型的CVD製程中，該前驅物在低壓或環境壓力反應艙中通過基材(例如，晶圓)的表面上面。該前驅物於該基材表面上反應及/或分解，形成沉積材料的薄膜。電漿可用以輔助前驅物的反應或材料性質的改進。揮發性副產物藉由通過該反應艙的氣體流去除。該沉積薄膜厚度可能難以控制，因為其取決於許多參數的協調，例如溫度、壓力、氣體流量和均勻性、化學耗盡效應及時間。
ALD係一種用於沉積薄膜的方法。其係一種以可提供精確的厚度控制並且於不同組成的基材表面上沉積由前驅物提供的材料的保形性薄膜之表面反應為基礎的自限性、連續、獨特的膜生長技術。在ALD中，該前驅物在該反應的期間分離。使該第一前驅物通過該基材表面上面，於該基材表面上產生一單層。任何過量的未反應前驅物皆被泵抽至該反應艙外。然後使第二前驅物通過該基材表面上面並且與該第一前驅物反應，於該基材表面上的最初形成的膜單層上面形成第二膜單層。電漿可用以輔助前驅物或共反應物的反應或材料品質的改進。此循環可接著重複進行以產生期望厚度的膜。
薄膜，特別是含金屬薄膜，具有多種重要應用，例如奈米技術及半導體裝置的製造。此應用的實例包括電容器電極、閘極電極、黏合劑擴散阻障層及積體電路。
與鎢及鈷等其他金屬相比，含鉬薄膜由於其較低的電阻率及熱安定性而引起關注。因此，鉬(Mo)已成為電子業中越來越受歡迎用於下一代裝置中運用CVD或ALD技術形成含鉬薄膜的材料。持續需要的是於室溫或低溫下為液態、具有相對高蒸氣壓、高熱安定性和反應性的無鹵素鉬前驅物。大多數已知的鉬前驅物皆含有高氧化態4至6的鉬，這通常產生高電阻率的含鉬薄膜。低氧化態鉬錯合物，0至4，係沉積低電阻率含鉬薄膜所需要的。
二(芳烴)鉬前驅物係一系列式Mo(芳烴) 2的有機金屬化合物，其中該芳烴係相同或不同之未經取代或經取代的苯，像是苯、甲苯、均三甲苯、乙苯、二乙苯及二甲苯。此前驅體通常具有相對高的蒸氣壓，這使其成為CVD或ALD生產具有低電阻率及低含量的碳和氮污染物之鉬薄膜的良好候選物。有人使用包括Mo(EtBz) 2的市售可得的混合物來沉積含鉬薄膜，像是MoO、MoC晶種層及鉬金屬薄膜。
舉例來說，美國專利案公開第2022/0139713 A1號描述使用包括雙(乙苯)鉬的液態前驅物於基材上沉積元素鉬薄膜的方法。在該方法中，藉由循環式沉積製程將含有作為污染物的碳的鉬薄膜沉積於基材上，隨後進行氧化以去除碳，並且該方法包括將基材提供於沉積艙中，採蒸氣相將鉬前驅物提供於該艙及採蒸氣相將反應物提供於該反應艙以將鉬薄膜形成於該基材上。該鉬前驅物採混合物的形式提供並且該反應物係鹵素(I 2)或鹵化烴(ICH 2CH 2I)，其中至少二鹵原子係接附於該烴的不同碳原子上。
美國專利案公開第2021/0047726 A1號描述一種使用零價態的無鹵化物有機金屬鉬前驅物[Mo(EtBz) 2、CpMo(CO) 2(NO)及MeCpMo(CO) 2(NO)]藉由氧化作用及還原作用形成鉬薄膜的方法。第一步係藉由CVD或ALD形成氧化鉬薄膜，但是該薄膜含有少量的碳作為污染物。因此，該氧化鉬薄膜需要額外的處理(即，氧化)以去除碳，然後藉由還原去除氧，最終形成高純度鉬薄膜。該鉬薄膜具有類似於塊狀鉬的低電阻及性質。
美國專利案公開第2020/0115798號描述用於基材上沉積鉬或鎢金屬薄膜或層的氣相沉積方法，該方法涉及有機金屬鉬或鎢前驅物，像是僅包括該金屬、碳和氫的Mo(EtBz) 2或W(EtBz) 2。該沉積金屬層含有衍生自該前驅物的碳作為污染物。因此，我們期望額外的處理以去除碳；換言之，在使氫氣流入該沉積艙以將該沉積金屬暴露於氫之後，引入氧化劑與該碳污染物反應並且自該沉積金屬層去除該碳污染物而得到高品質金屬薄膜或層。
美國專利案公開第2019/226086號描述一種化學氣相沉積方法用於使用包括Mo(EtBz) 2的雙(烷基-芳烴)鉬組合物作為前驅物，於氮化鈦表面(具有垂直壁的3D NAND裝置)上沉積鉬薄膜以在300℃以下及10至50托耳的壓力下形成MoC晶種層(Mo：C = 40：60至99：1，厚度：6至100 Å)或含鉬金屬薄膜。
儘管使用含有Mo(EtBz) 2的液態Mo(芳烴) 2組合物證實含鉬薄膜的沉積，但是該市售可得的組合物含有具有不同配位子的芳烴鉬錯合物的混合物；特別地，該混合物包括＜ 60莫耳%的乙苯配位子、＞ 10莫耳%的苯配位子、＞ 30莫耳%的二乙基苯配位子及＞ 1莫耳%的三乙苯。不受理論的束縛，咸相信此組合物含有各種芳烴鉬錯合物，例如Mo(Bz) 2、Mo(EtBz)(Bz)、Mo(EtBz) 2、Mo(EtBz)(Et 2Bz)、Mo(Et 2Bz) 2、Mo(Et 3Bz) 2等等。這些錯合物具有充分不同的分子量、充分不同的熱安定性及蒸氣壓，導致對設備的化學輸送不一致及不可再現的含鉬薄膜沉積。我們非常期望獲得芳烴配位子包含較高濃度的乙苯的液態組合物以減少不同混合物組分的沸點差異。
美國專利案公開第US2022/0372053 A1號描述一種於基材上形成含金屬薄膜的方法，其包括下列步驟：將該基材暴露於含有含金屬前驅物的成膜組合物的蒸氣；及透過氣相沉積製程將該含金屬前驅物的至少一部分沉積於該基材上以於該基材上形成該含金屬薄膜，其中相對於純Mo(EtBz) 2及金屬芳烴組合物之市售可得的 “Mo(EtBz) 2”混合物，該含金屬前驅物據稱是純Mo(芳烴) 2，像是Mo(甲苯) 2、Mo(間二甲苯) 2、Mo(均三甲苯) 2。然而，卻沒有提供確定Mo(芳烴) 2純度的數據。除此之外，該據稱純的材料係藉由先前報導的沒有任何已知會帶來雜質的額外純化步驟之方法(下文討論過的)來製備。因此，儘管此參考文獻描述理想上在該揭示方法中使用“純”材料，但是其並未描述如何獲得此純材料。因此，其描述了對實質上不含影響已沉積的含鉬薄膜的品質之雜質的高純度芳烴鉬錯合物的持續需求。
藉由Fischer-Hafner方法不可能直接製備組成純的Mo(EtBz) 2錯合物。該Fischer-Hafner方法會遇到烷基大於甲基的烷基苯異構化的問題。因此，此芳烴鉬錯合物含有具有不同分子量的各種芳烴的混合物。舉例來說，當乙苯被用於合成Mo(芳烴) 2錯合物時，該芳烴配位子包含苯、乙苯、二乙苯及三乙苯的混合物，其中該乙苯的量＜ 60莫耳%。另一方面，相對純的Mo(芳烴) 2錯合物可使用苯、甲基苯(甲苯)、二甲基苯(二甲苯)及三甲基苯(均三甲苯)來製備。然而，所有這些錯合物皆為熔點高於80 oC 的固體：Mo(苯) 2(熔點 = 115 oC)、Mo(甲苯) 2(熔點 = 82 oC)、Mo(間二甲苯) 2(熔點 = 104 oC)、Mo(均三甲苯) 2(熔點 = 110 oC)。
M.T. Ashby等人在Organometalics, 20, 1687–1688 (2001)中運用芳烴置換反應(arene metathesis)與Mo(苯) 2錯合物生產Mo(RC 6H 5) 2(R = Et、 iPr、 tBu)。然而，由於Mo(苯) 2的熱不安定性，所有錯合物皆為以低產率生產的固體。除此之外，這些組合物仍然具有殘餘的Mo(苯) 2，其具有不同蒸氣壓及低熱安定性。因此，仍然需要實質上不含Mo(苯) 2的芳烴鉬組合物。
我們非常期望獲得於室溫下為液態的Mo(芳烴) 2化合物的混合物。這是因為將該液體從散裝容器運輸至半導體設備上的內建容器更容易許多。通常，較佳為熔點＜ 35℃的組合物。
我們也期望獲得Mo(芳烴) 2化合物的液態混合物，其中所有芳烴配位子具有相同或實質上相同的分子量。不受理論的束縛，咸相信這些混合物的所有組分將具有相似的沸點，並且在從半導體設備上的安瓿汽化期間相應地保持其組成。
該揭示並請求保護的標的藉由提供特別適合用於CVD及ALD應用之具有一致蒸氣壓的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物克服上述缺陷。
本發明揭示並請求保護的標的關於經由芳烴置換反應製備的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該組合物中乙苯配位子(“EtBz”)成分的量從約54% (工業級)提高至約60莫耳%至約95莫耳%之間，同時伴隨著不期望的配位子，即，苯配位子(“Bz”)、二乙苯配位子(“Et 2Bz”)及三乙苯配位子(“Et 3Bz”)的減少。很明顯地，此組成變化仍然提供了在汽化期間具有更加一致的蒸氣壓的室溫液態組合物。
在一具體實例中，舉例來說，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括(i) 約60莫耳%至約95莫耳%的EtBz及(ii) 減少量的其他不期望的配位子。在此具體實例的另一態樣中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括(i) 約60莫耳%至約95莫耳%的EtBz及(iia) 約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz、(iib) 約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz和(iic) 約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz。這些組合物於室溫下為液態是非常出乎意料的，舉例來說，含有高於約97%的EtBz、約0.48%的Bz及約2.35%的Et 2Bz之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物於低於37℃(熔點)下為固體。因此，本發明揭示並請求保護的組合物包括顯著提高量的期望配位子(例如，乙苯配位子)，同時也出乎意料地能夠於室溫下保持為液體。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括＞ 60莫耳%的EtBz及＜ 約1莫耳%的Bz和Et 3Bz各者。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括＜ 約1莫耳%的Bz及/或Et 3Bz各者。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括＜ 約0.5莫耳%的Bz及/或Et 3Bz各者。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括＜ 約0.1莫耳%的Bz及/或Et 3Bz各者。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物不含Bz及/或Et 3Bz各者。
在另一具體實例中，本發明揭示並請求保護的標的包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物，其包括(i) 約60莫耳%至約95%的EtBz，及(ii) 至少5莫耳%的二甲苯配位子(“Me 2Bz”)。包括EtBz及Me 2Bz二者的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物更有吸引力，因為Mo(EtBz) 2及Mo(Me 2Bz) 2及Mo(EtBz)(Me 2Bz)各自具有相同的分子量並且預期具有相同的沸點或蒸氣壓。
在一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有相同的碳數，並且(iii) 該組合物於約20℃至約35℃的溫度範圍內為液體。
在另一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴結構，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有實質上相同或相同的分子量，並且(iii) 該組合物於約20℃至約35℃的溫度範圍內為液體。
本文引用的所有參考文獻，包括公開案、專利申請案及專利，皆以引用的方式併入本文，其程度如同各自參考文獻被單獨地並具體地指示為藉由引用併入本文並在此完整闡述。
在描述本發明揭示並請求保護的標的之上下文中(尤其是在後附申請專利範圍的上下文中)，除非在本文中另行指明或與上下文明顯矛盾，否則措辭“一”及“該”及類似對象的使用應被解釋為涵蓋單數及複數。除非另行指明，否則措辭“包含”、“具有”、“包括”及“含有”應解釋為開放式措辭(即，意指“包括，但不限於，”)。除非在此另行指明，否則本文中數值範圍的列舉僅意欲用作個別表示落於該範圍內的各自單獨值之簡寫方法，並且各自單獨值都被併入本說明書，就如同其於本文中被單獨引用一樣。除非本文另行指明或與上下文明顯矛盾，否則本文描述的所有方法皆可以任何合適的順序執行。除非另行請求，否則本文提供的所有實施例或示範性語言(比方說，“例如”)之使用僅意欲更好地舉例說明本發明揭示並請求保護的標的，並且不對本發明揭示並請求保護的標的之範疇構成限制。說明書中的任何語言都不應解釋為表示任何未請求保護的元件對於實施本發明揭示並請求保護的標的不可或缺。在說明書及申請專利範圍書中的措辭“包含” 或“包括”之使用包括更狹義的語言“基本上由...所組成”及“由...所組成”。
本文描述的本發明揭示並請求保護的標的之具體實例包括發明人已知之用於進行本發明揭示並請求保護的標的之最佳方式。當閱讀前述說明時，那些具體實例的變型對於普通熟悉此技藝者而言將變得顯而易見。發明人期望熟練的技術人員適當地採用此變型，並且發明人意指能以不同於本文具體描述的方式來實踐本發明揭示並請求保護的標的。因此，本發明揭示並請求保護的標的包括適用法律所允許的後附申請專利範圍所述標的之所有修飾及等同物。再者，除非本文另行指明或與上下文明顯矛盾，否則本發明揭示並請求保護的標的涵蓋上述元件在其所有可能的變型的任何組合。
應當理解作為材料沉積於微電子裝置上的措辭“矽”將包括多晶矽。
為了便於參考，“微電子裝置”或“半導體裝置”相當於為用於微電子、積體電路或電腦晶片應用而製造的其上裝配著積體電路、記憶體和其他電子結構的半導體晶圓及平板顯示器、相變記憶體裝置、太陽能電池板及其他產品(包括太陽能基板、光伏電池及微機電系統(MEMS))。太陽能基板包括，但不限於，矽、非晶矽、多晶矽、單晶矽、CdTe、硒化銅銦、硫化銅銦及鎵上砷化鎵。該太陽能基板可為經摻雜或未經摻雜。應當理解該措辭“微電子裝置” 或“半導體裝置”並不意指以任何方式進行限制，而是包括最終將成為微電子裝置或微電子組件的任何基板。
如本文所定義的，措辭“阻障材料”相當於本領域中用以密封金屬線，例如，銅互連件，以使前述金屬，例如，銅，擴散到介電材料中的任何材料減至最少。較佳的阻障層材料包括鉭、鈦、釕、鉿和其他耐火金屬及其氮化物和矽化物。
如本文所用的，措辭“芳烴”意指碳原子之間具有交替雙鍵及單鍵的環狀烴(即，芳族環)，並且也包括雜芳烴，其中形成此芳族環的一或更多碳原子被雜原子取代(例如，氧、硫、氮、矽、鍺、磷)。芳烴的實例包括，舉例來說，苯、經取代的苯、萘及蒽等。雜芳烴的實例包括，舉例來說，吡啶、呋喃、吲哚、苯并咪唑、噻吩及苯并噻唑等。
“實質上不含”在本文中定義為小於0.001重量%。措辭“不含”意指0.000重量%。如本文所用的，“約”意欲對應於所述值的±5%以內。措辭“實質上不含”及“不含”也可能關於鹵化物離子(或鹵化物)例如，舉例來說，氯化物、氟化物、溴化物及碘化物。鹵化物雜質的水準藉由離子層析法(IC)測得小於100 ppm (按重量計)，較佳地藉由IC測得小於25 ppm，更佳地藉由IC測得小於5 ppm，最佳地藉由IC測得0 ppm。除此之外，措辭“實質上不含”或“不含”也可表示實質上不含作為芳烴鉬化合物中的雜質的金屬離子例如，Li +、Na +、K +、Mg 2+、Ca 2+、Al 3+、Fe 2+、Fe 3+、Ni 2+及Cr 3+。如本文所用的，措辭“實質上不含”當其關於Li、Na、K、Mg、Ca、Al、Fe、Ni及Cr時，各金屬皆藉由ICP-MS或用於測量金屬的其他分析方法測得小於5 ppm (按重量計)，較佳地小於3 ppm，更佳地小於1 ppm，最佳地0.1 ppm。
在所有此組合物中，其中參考包括零下限的重量百分比(或“重量%”)範圍討論該組合物的特定組分，應當理解該組合物的各個特定具體實例中可存有或沒有此組分，並且在存有此組分的情況下，其可以採用此組分的組合物之總重量為基準計低至0.001重量百分比的濃度存在。注意該組分的所有百分比皆為重量百分比並且以該組合物的總重量(也就是說，100%)為基準計。凡提及“一或更多”或“至少一”包括“二或更多”及“三或更多”等等。
在適用的情況下，除非另行指明，否則所有重量百分比皆為“純的”，意指其不包括當加於該組合物中時存在於其中的水溶液。舉例來說，“純的”表示未稀釋的酸或其他材料的重量%的量(即，100 g的85%磷酸包含85 g酸及15 g稀釋劑)。
再者，當按重量%提及本文所述的組合物時，咸應理解在任何情況下，所有組分的重量%，包括非必要組分，例如雜質，加起來不得超過100重量%。在“基本上由”所述組分組成的組合物中，此組分的總和可達到該組合物的100重量%或可達到小於100重量%。當該組分加起來小於100重量%時，此組合物可包括一些少量的非必須污染物或雜質。舉例來說，在一此具體實例中，該配方可含有2重量%或更少的雜質。在另一具體實例中，該配方可含有1重量%或更少的雜質。在另一具體實例中，該配方可含有0.05重量%或更少的雜質。在其他這樣的具體實例中，該構成成分可形成至少90重量%，更佳地至少95重量%，更佳地至少99重量%，更佳地至少99.5重量%，最佳地至少99.9重量%，並且可包括其他不影響該濕式蝕刻劑性能的成分。否則，若不存在顯著的非必須雜質成分，則咸應理解所有必須成分的組合物將基本上加起來達到100重量%。
如該領域之習知技藝者將理解的，在本發明揭示並請求保護的標的中，該鉬組合物包括芳烴(Ar)配位子或簡稱為“芳烴”。本文使用下列縮寫來表示那些芳烴配位子：
芳烴配位子 縮寫
苯 Bz
二甲苯 Me 2Bz
鄰二甲苯 o-Me 2Bz
間二甲苯 m-Me 2Bz
對二甲苯 p-Me 2Bz
乙苯 EtBz
二乙苯 Et 2Bz
鄰二乙苯 o-Et 2Bz
間二乙苯 m-Et 2Bz
對二乙苯 p-Et 2Bz
三乙苯 Et 3Bz
吡啶 Py
乙基吡啶 EtPy
2,6-二甲基吡啶 Lt
應當理解，除非指定特定芳烴的具體異構體，否則可包括多於一異構體的芳烴之列舉可包括此異構體的任何單一者或混合物。因此，舉例來說，當使用縮寫“Me 2Bz”時，應理解為包括o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中任一者、o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中二或更多者或o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中全部三者的混合物。
本文所使用的標題並非意欲進行限制；相反地，其僅為了組織的目的而包括在內。
本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)組合物
I. 改進的Mo(Ar 1)(Ar 2)組合物
如上文揭示的，在一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其包括(i) 約60莫耳%至約95莫耳%的乙苯配位子(“ EtBz”）及(ii) 減少量的其他不期望的配位子，其中該化合物的混合物於低於35 oC下為液態。在另一態樣中，該液態Mo(Ar 1)(Ar 2)組合物另外包括(iii) 至少5莫耳%的二甲苯配位子(“Me 2Bz”)。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括(i) 約60莫耳%至約95莫耳%的EtBz，(iia) 約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz，(iib) 約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz及(iic) 約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz。在此具體實例的另一態樣中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物另外包括(iii)至少5莫耳%的Me 2Bz。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物於約20℃至約35℃的溫度範圍內為液態。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物於約35℃或以下的溫度下為液態。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物於約30℃或以下的溫度下為液態。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物於約25℃或以下的溫度下為液態。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物於約20℃或以下的溫度下為液態。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約500 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約250 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約100 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約50 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約25 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物具有小於或等於約15 cP的黏度。
配位子成分
(i) 乙苯 (“EtBz”) 配位子
如上文說明的，在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約60莫耳%至約95莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括60莫耳%至約90莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括65莫耳%至約85莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括70莫耳%至約80莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括60莫耳%至約65莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括65莫耳%至約70莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括70莫耳%至約75莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括75莫耳%至約80莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括80莫耳%至約85莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括85莫耳%至約90莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括85莫耳%至約95莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括90莫耳%至約95莫耳%的EtBz。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約60莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約65莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約70莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約75莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約80莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約85莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約90莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約91莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約92莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約93莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約94莫耳%的EtBz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約95莫耳%的EtBz。
(ii) 不期望的配位子成分
如上文說明的，在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括減少量的不期望的配位子，換言之(1) 苯配位子(Bz)，(2) 二乙基苯配位子(Et 2Bz，三種異構體)及(3) 三乙苯配位子(Et 3Bz，三種異構體)。如本領域的習知技藝者理解的，在Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的特定液態混合物中EtBz與任何一或更多不期望的配位子的總量不超過100莫耳%。
(iia) 苯配位子(“Bz”)
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.5莫耳%至約10莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約10莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.25莫耳%至約5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.75莫耳%至約5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2.5莫耳%至約5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5莫耳%至約10莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5莫耳%至約13莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6莫耳%至約13莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7莫耳%至約13莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7.5莫耳%至約13莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約10莫耳%至約13莫耳%的Bz。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.25莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.75莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2.0莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約3莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約3.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約4莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約4.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約8莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約8.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約9莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約9.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約10莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約10.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約11莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約11.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約12莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約12.5莫耳%的Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約13莫耳%的Bz。
(iib) 二乙苯配位子(“Et 2Bz”)
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6.75莫耳%至約10莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約10莫耳%至約15莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約15莫耳%至約20莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約20莫耳%至約25莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約25莫耳%至約30莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約30莫耳%至約35莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約35莫耳%至約40莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約40莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6.75莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約8莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約9莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約10莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約15莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約20莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約25莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約30莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約35莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約40莫耳%的Et 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約44.5莫耳%的Et 2Bz。
(iic) 三乙苯配位子(“Et 3Bz”)
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)組合物包括約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1.5莫耳%至約6.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2莫耳%至約6莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約3莫耳%至約5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約3莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約4莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約3莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%至約2莫耳%的Et 3Bz。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約0.75莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約1.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約2.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約3莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約3.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約4莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約4.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約5.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約6.5莫耳%的Et 3Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括約7莫耳%的Et 3Bz。
組合
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括EtBz及下列其一或多者：(1) 苯配位子(Bz)，(2) 二乙苯配位子(Et 2Bz)及(3) 三乙苯配位子(Et 3Bz)，其中該芳烴配位子的總量不超過100莫耳%。關此，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括任何組合及用量的EtBz配位子及一或更多上述配位子。舉例來說，在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的液態混合物包括(i) 約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz配位子，(ii) 約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz配位子及(iii) 約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz，並且其中該總量配位子不超過100莫耳%。
專用Mo(Ar 1)(Ar 2)組合物
在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，並且(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成大於95莫耳%的存在的芳烴配位子。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成大於約97莫耳%的存在的芳烴配位子。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成約97莫耳%或更多的存在的芳烴配位子。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成約99莫耳%或更多的存在的芳烴配位子。
在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成大於95莫耳%的存在的芳烴配位子。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成大於約97莫耳%的存在的芳烴配位子，及(iii) 該化合物皆為液態。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成約97莫耳%或更多的存在的芳烴配位子。在另一態樣中，本發明揭示並請求保護的標的關於Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物，其中(i) Ar 1及Ar 2不同，(ii) 該Ar 1及Ar 2配位子構成約99莫耳%或更多的存在的芳烴配位子。
在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約500 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約250 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約100 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約50 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約25 cP的黏度。在一具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的專用混合物具有小於或等於約15 cP的黏度。
A. 專用具體實例1
在一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有相同數目的碳。在一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有相同數目的碳，及(iii) 該化合物在約20 oC至約35 oC的溫度範圍內為液態。
在本具體實例的一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多選自下列的取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經胺基取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多未經取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經鹵素取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經胺基取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多未經取代的胺取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經取代的胺取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多C 1-C 3烷基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多甲基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多乙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多丙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括二取代基。
在本具體實例的一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包含一或更多選自下列的不同取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經胺基取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多未經取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經鹵素取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經胺基取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中皆包括一或更多未經取代的胺取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經取代的胺取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多C 1-C 3烷基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多甲基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多乙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多丙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括二取代基。
在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為5員芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為6員芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為5員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為6員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為5員環狀芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為6員環狀芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為5員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為6員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃及噻吩。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃及噻吩。
B. 專用具體實例2
在另一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴結構，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有實質相同或相同的分子量。在另一具體實例中，該專用混合物包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2皆為不同的芳烴結構，(ii) Ar 1及Ar 2各自具有實質相同或相同的分子量，及(iii) 該化合物在約20 oC至約35 oC的溫度範圍內為液態。本領域之習知技藝者將理解，在這些具體實例中，Ar 1及Ar 2皆不能為Bz，因為Bz沒有異構體。
在本具體實例的一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多選自下列的取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經胺基取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多未經取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經鹵素取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經胺基取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多未經取代的胺取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多經取代的胺取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多C 1-C 3烷基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多甲基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多乙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一或更多丙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括一取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括二取代基。
在本具體實例的一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包含選自一或更多選自下列的不同取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經胺基取代的線性C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多未經取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經鹵素取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經胺基取代的分支C 1-C 6烷基取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多未經取代的胺取代基。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多經取代的胺取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多C 1-C 3烷基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多甲基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多乙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一或更多丙基取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2皆包括一取代基。在一較佳態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一包括二取代基。
在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為5員芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為6員芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為5員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為6員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為5員環狀芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為6員環狀芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為5員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為6員雜環族芳烴。在一態樣中，Ar 1及Ar 2中的至少其一為經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃及噻吩。在一態樣中，Ar 1及Ar 2皆為經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃及噻吩。
代表性專用具體實例
在以上具體實例中，較佳的芳烴配位子包括：
芳烴配位子 縮寫
二甲苯 Me 2Bz
鄰二甲苯 o-Me 2Bz
間二甲苯 m-Me 2Bz
對二甲苯 p-Me 2Bz
乙苯 EtBz
二乙苯 Et 2Bz
鄰二乙苯 o-Et 2Bz
間二乙苯 m-Et 2Bz
對二乙苯 p-Et 2Bz
三乙苯 Et 3Bz
吡啶 Py
乙基吡啶 EtPy
2,6-二甲基吡啶 Lt
本領域的習知技藝者應當理解，在一些具體實例中，有些芳烴可包括異構體的混合物。應當理解，除非指定特定芳烴的具體異構體，否則可包括多於一異構體的芳烴之列舉可包括此異構體的任何單一者或混合物。因此，舉例來說，當使用縮寫“Me 2Bz”時，應理解為包括o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中任一者、o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中二或更多者或o-Me 2Bz、m-Me 2Bz及p-Me 2Bz中全部三者的混合物。
在上述具體實例中，較佳的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括：
Mo(EtBz)(m-Me 2Bz)
Mo(EtBz)(o-Me 2Bz)
Mo(EtBz)(p-Me 2Bz)
Mo(m-Me 2Bz)(o-Me 2Bz)
Mo(m-Me 2Bz)(p-Me 2Bz)
Mo(o-Me 2Bz)(p-Me 2Bz)
Mo(m-Et 2Bz)(o-Et 2Bz)
Mo(m-Et 2Bz)(p-Et 2Bz)
Mo(Ar 1)(Ar 2)：乙苯(EtBz)及二甲苯(“Me 2Bz”)配位子
該專用混合物的較佳具體實例包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物，其中(i) Ar 1及Ar 2中的其一為乙苯(“EtBz”)並且Ar 1及Ar 2中的另一者為二甲苯(“Me 2Bz”)。如上文說明的，在這些Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物中，該Ar 1及Ar 2配位子構成100莫耳%的存在的芳烴配位子。因此，在此具體實例中，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物中不存在EtBz及Me 2Bz以外的芳烴配位子(即，該EtBz莫耳%加上該Me 2Bz莫耳%等於100莫耳%存在的芳烴配位子)。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括至多約95莫耳%的EtBz及至少約5莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約95莫耳%至約60莫耳%的EtBz及約5莫耳%至約40莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約95莫耳%至約90莫耳%的EtBz及約5莫耳%至約10莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約90莫耳%至約85莫耳%的EtBz及約10莫耳%至約15莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約85莫耳%至約80莫耳%的EtBz及約15莫耳%至約20莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約80莫耳%至約75莫耳%的EtBz及約20莫耳%至約25莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約75莫耳%至約70莫耳%的EtBz及約25莫耳%至約30莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約70莫耳%至約65莫耳%的EtBz及約30莫耳%至約35莫耳%的Me 2Bz。在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物包括約65莫耳%至約60莫耳%的EtBz及約35莫耳%至約40莫耳%的Me 2Bz。
使用方法
本發明揭示並請求保護的標的另外包括該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物使用本領域之習知技藝者已知的任何化學氣相沉積製程來沉積含鉬薄膜的用途。如本文所用的，措辭“化學氣相沉積製程”表示任何使基材暴露於一或更多揮發性前驅物的製程，該前驅物於該基材表面上反應及/或分解以產生期望的沉積。
在一具體實例中，該方法包括Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的一或更多混合物利用原子層沉積製程(ALD)沉積含鉬薄膜之用途。如本文所用的，該措辭“原子層沉積製程”或ALD表示把材料的膜沉積於變化組成的基材上之自限性(例如，各反應周期所沉積膜材料量恆定)連續表面化學。儘管本文所用的前驅物、試劑及來源有時候可能被描述成“氣態”，但是咸了解該前驅物可能是液態或固態，該前驅物係經由直接汽化、鼓泡或昇華利用或沒用惰性氣體輸送至該反應器中。於一些案例中，該經汽化的前驅物能通過電漿產生器。本文所用的措辭“反應器”包括，但不限於，反應艙、反應容器或沉積艙。
可利用上述Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物之化學氣相沉積製程包括，但不限於，用於製造半導體型微電子裝置的那些製程例如ALD及電漿強化ALD (PEAVD)。這，在一具體實例中，舉例來說，該含金屬薄膜使用ALD製程來沉積。在另一具體實例中，該含金屬薄膜使用電漿強化ALD (PEALD)製程來沉積。
可於其上沉積該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物之合適基材沒有特別限制並且根據期望的最終用途而變化。舉例來說，該基材可選自氧化物例如HfO 2系材料、TiO 2系材料、ZrO 2系材料、稀土氧化物系材料、三元氧化物系材料等等或氮化物系薄膜。其他基材可包括固體基材例如金屬基材(舉例來說，Au、Pd、Rh、Ru、W、Al、Ni、Ti、Co、Pt及金屬矽化物(例如，TiSi 2、CoSi 2和 NiSi 2)；含金屬氮化物的基材(例如，TaN、TiN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN及TiSiN)；半導體材料(例如，Si、SiGe、GaAs、InP、金剛石、GaN及SiC)；絕緣體(例如，SiO 2、Si 3N 4、SiON 、HfO 2、Ta 2O 5、ZrO 2、TiO 2、Al 2O 3、鈦酸鋇鍶)；其組合。
在此沉積方法及製程中可使用氧化劑。該氧化劑通常以氣態形式引入。合適的氧化劑的實例包括，但不限於，氧氣、水蒸氣、臭氧、氧電漿或其混合物。
該沉積方法及製程也可能涉及一或更多吹掃氣體。該吹掃氣體係不會與該前驅物反應的惰性氣體，其係用以吹掃掉沒消耗掉的反應物及/或反應副產物。例示性吹掃氣體包括，但不限於，氬(Ar)、氮(N 2)、氦(He)、氖及其混合物。舉例來說，將吹掃氣體例如Ar以介於約10至約2000 sccm的流速供入該反應器經過約0.1至10000秒，藉以吹掃可能留在該反應器中的未反應的材料及任何副產物。
該沉積方法及製程需要對上述芳烴鉬前驅物施加能量以引發反應並且將該含金屬薄膜或塗層形成於該基材上。此能量能藉由，但不限於，熱、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿、高密度電漿、誘導耦合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合來提供。在一些製程中，能使用二次RF頻率源來改變該基材表面處的電漿特性。當使用電漿時，該電漿產生製程可包含在該反應器中直接產生電漿的直接電漿產生製程或選擇性地在該反應器外側產生電漿並且供入該反應器的遠距電漿產生製程。
當使用於此沉積方法及製程中時，上述Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物可以種種不同方式輸送至該反應艙例如ALD反應器。在一些例子中，可利用液體運送系統。在其他例子中，可運用合併液體輸送及閃蒸(flash vaporization)處理單元，例如，舉例來說，明尼蘇達州，休爾瓦的MSP股份有限公司所製造的渦輪汽化器，使低揮發性材料能夠以容積測流方式運送，導致可再現的輸送及沉積而不會使該前驅物熱分解。
當在這些沉積方法及製程中使用時，該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物之配方可與烴溶劑混合並且可包括烴溶劑，由於其能被乾燥至亞ppm級的水，因此特別需要烴溶劑。能用於該前驅物的示範性烴溶劑包括，但不限於，甲苯、均三甲苯(mesitylene)、枯烯(異丙基苯)、對-枯烯(4-異丙基甲苯)、1,3-二異丙基苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環己烷、正-丁基環己烷及萘烷(十氫荼)。本發明揭示並請求保護的前驅物也可被儲存於不銹鋼容器中並且使用。在某些具體實例中，該烴溶劑係高沸點溶劑或具有100攝氏度或更高的沸點。本發明揭示並請求保護的前驅物也可與其他適合的金屬前驅物混合，而且該混合物可用以同時輸送兩種金屬以供生長含二元金屬薄膜。
氬及/或其他氣體流可用作載氣以幫助在該前驅物脈衝期間將含有該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物的蒸氣輸送至該反應艙。當輸送上述Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物時，該反應艙製程壓力係介於1與50托耳之間，較佳地介於5與20托耳之間。
在高品質含金屬薄膜的沉積中基材溫度可能是一重要製程變數。典型的基材溫度介於約150°C至約550°C。較高溫度可促成較高薄膜生長速率。
有鑑於前述內容，本領域之習知技藝者將認知到本發明揭示並請求保護的標的另外包括下列化學氣相沉積製程中的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物之用途。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的標的包括一種將含鉬薄膜形成於基材的至少一表面上之方法，其包括下列步驟： a. 將具有該至少一表面的基材提供於反應容器中； b. 藉由熱化學氣相沉積(CVD)或熱原子層沉積(ALD)製程使用一或更多Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物作為該沉積製程的金屬來源化合物於該至少一表面上形成含過渡金屬的薄膜。 在本具體實例之另一態樣中，該方法包括將至少一反應物引入該反應容器。在本具體實例之另一態樣中，該方法包括將至少一反應物引入該反應容器，其中該至少一反應物係選自由水、雙原子氧、氧電漿、臭氧、NO、N 2O、NO 2、一氧化碳、二氧化碳及其組合所組成的群組。在本具體實例之另一態樣中，該方法包括將至少一反應物引入該反應容器，其中該至少一反應物係選自由氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨電漿、氮電漿、氮/氫電漿及其組合所組成的群組。在本具體實例之另一態樣中，該方法包括將該至少一種反應物引入該反應容器，其中該至少一反應物係選自由氫、氫電漿、氫和氦的混合物、氫和氬的混合物，氫/氦電漿、氫/氬電漿、含硼化合物、含矽化合物及其組合所組成的群組。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的標的包括一種經由循環式化學氣相沉積(CCVD)製程於高於高於300 °C的溫度下將含鉬薄膜形成於基材的至少一表面上之方法，其包括下列步驟： a. 將基材提供於反應容器中； b. 將該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物中之其一及來源氣體引入該反應容器； c. 用第二吹掃氣體吹掃該反應容器； d. 依序重複進行步驟b至c直到獲得期望厚度的過渡金屬薄膜為止。 在本具體實例之另一態樣中，該來源氣體係選自水、雙原子氧、臭氧、NO、N 2O、NO 2、一氧化碳、二氧化碳及其組合的含氧來源氣體中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該來源氣體係選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨電漿、氮電漿、氮/氫電漿及其混合物的含氮來源氣體中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該第一及第二吹掃氣體係各自獨立地選自氬、氮、氦、氖及其組合中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該方法另外包括對該一或更多前驅物、該來源氣體、該基材及其組合施加能量，其中該能量係熱、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿、高密度電漿、誘導耦合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該方法的步驟b另外包括以使用載氣流將該前驅物蒸氣輸送至該反應容器中的方式將該前驅物引入該反應容器。在本具體實例之另一態樣中，該方法的步驟b另外包括使用包含下列一或多者的溶劑介質：甲苯、均三甲苯、異丙基苯、4-異丙基甲苯、1,3-二異丙基苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環己烷、正-丁基環己烷及十氫荼及其組合。
在一具體實例中，本發明揭示並請求保護的標的包括一種經由熱原子層沉積(ALD)製程或類熱ALD製程形成含鉬薄膜之方法，該方法包括下列步驟： a. 將基材提供於反應容器中； b. 將該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物中的其一引入該反應容器； c. 用第一吹掃氣體吹掃該反應容器； d. 將來源氣體引入該反應容器； e. 用第二吹掃氣體吹掃該反應容器； f. 依序重複進行步驟b至e直到獲得期望厚度的含過渡金屬的薄膜為止。 在本具體實例之另一態樣中，該來源氣體係選自水、雙原子氧、臭氧、NO、N 2O、NO 2、一氧化碳、二氧化碳及其組合的含氧來源氣體中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該來源氣體係選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨電漿、氮電漿、氮/氫電漿及其混合物的含氮來源氣體中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該第一及第二吹掃氣體係各自獨立地選自氬、氮、氦、氖及其組合中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該方法另外包括對該一或更多前驅物、該來源氣體、該基材及其組合施加能量，其中該能量係熱、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿、高密度電漿、誘導耦合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合中之其一或多者。在本具體實例之另一態樣中，該方法的步驟b另外包括以使用載氣流將該前驅物蒸氣輸送至該反應容器中的方式將該前驅物引入該反應容器。在本具體實例之另一態樣中，該方法的步驟b另外包括使用包含下列一或多者的溶劑介質：甲苯、均三甲苯、異丙基苯、4-異丙基甲苯、1,3-二異丙基苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環己烷、正-丁基環己烷及十氫荼及其組合。
實施例
現在將參考本揭示內容的更明確的具體實例及為此具體實例提供支持的實驗結果。下文提供的實施例將更全面地舉例說明本發明揭示並請求保護的標的並且不應解釋為以任何方式限制本發明揭示的標的。
對本領域的習知技藝者顯而易見的是可在不悖離本發明揭示的標的之精神或範疇的情況下對本發明揭示的標的及本文提供的特定實施例進行各種修飾及變化。因此，本發明揭示的標的，包括由下列實施例提供的描述在內，意欲涵蓋在任何請求項及其等效物的範疇內之揭示標的的修飾及變化。
材料及方法：
實施例中描述的所有反應及操作皆在氮氣氣氛之下使用惰性氣氛手套箱或標準Schlenk技術進行。所有化學品皆來自Millipore-Sigma及Strem。
比較例1：Mo(EtBz) 2化合物的合成
在氮氣作用下，在攪拌情況之下將5.4 g MoCl 5緩慢加於0.3 g AlCl 3及2.1 g Al在30 mL無水脫氧乙苯中的懸浮液中。將該混合物加熱至135℃並且保持24小時，然後冷卻至室溫。此後，將20 mL脫氧THF緩慢加於該反應中。將該混合物加熱至100℃保持8小時。冷卻至室溫之後，真空除去揮發物。然後添加60 mL戊烷，並且將該混合物攪拌1小時。將深綠色溶液緩慢傾析至250 mL燒瓶中的25 mL於0℃以下的脫氧KOH溶液中。自該混合物中分離之後，用25 mL水清洗該有機綠色溶液。用無水的10 g MgSO 4乾燥該綠色溶液。除去溶劑，得到3.7 g深綠色液體。於130至170℃/0.075至0.1 mmHg下蒸餾得到1.65 g純產物，產率30%。
比較例2：Mo(EtBz) 2化合物的合成
在氮氣作用下，在攪拌情況之下將5.4 g MoCl 5緩慢加於0.3 g AlCl 3及2.1 g Al在30 mL無水脫氧乙苯中的懸浮液中。將該混合物加熱至135℃並且保持24小時，然後冷卻至室溫。此後，將20 mL脫氧THF緩慢加於該反應中。將該混合物加熱至100℃保持8小時。冷卻至室溫之後，真空除去揮發物。然後添加60 mL戊烷，並且將該混合物攪拌1小時形成一懸浮液。將該懸浮液緩慢加於25 mL在0℃以下的脫氧KOH溶液中。自該混合物中分離之後，用25 mL水清洗該有機綠色溶液。用無水的10 g MgSO 4乾燥該綠色溶液。除去溶劑，得到4.0 g深綠色液體。於130至170℃/0.075至0.1 mmHg下蒸餾得到2.2 g純產物，產率40%。
實施例3：比較例Mo(EtBz) 2化合物的組成分析
我們開發下列分析方法來分析Mo(EtBz) 2化合物。將50 mg樣品溶於4 mL甲苯中形成綠色溶液，使其被氧氣氧化而在過濾之後得到含有芳烴配位子及棕色固體(MoO物種)的無色溶液。將該無色溶液直接用於GC-FID分析。將可自Strem購得的市售產品及按照比較例1和2製備的材料之結果彙總於表1。GC分析顯示比較例1的樣品具有與Strem的市售產品相似的組成。然而，該比較例2的樣品顯示，當藉由不同的合成途徑製備時，該化合物含有超過40%的Et 2Bz及6%的Et 3Bz。因此，這些樣品在Mo(芳烴) 2錯合物中使用的芳烴混合物中皆含有＜ 60莫耳%的EtBz。
批號 苯 乙苯 二乙苯 三乙苯
市售產品 13.11% 53.94% 31.08% 1.86%
實施例1 11.19% 53.24% 34.1% 1.47%
實施例2 7.06% 41.52% 44.48% 6.93%
表1
比較例4：商用Mo(EtBz) 2的真空汽化
將10.2 g來自Strem的樣品在真空作用之下於不同溫度(135至153℃)下蒸餾。收集三餾分(6.5重量%、68.6重量%及18.6重量%)並且藉由GC-FID進行分析。將GC 結果彙總於表2。該GC分析顯示三餾分含有不同組成，這可能導致真空汽化期間的輸送不一致。
餾分 溫度 量(產率) 苯 乙苯 二乙苯 三乙苯
1 ＜135℃ 0.66g (6.5%) 16.76% 54.39% 27.18% 1.67%
2 135-143℃ 7.0g (68.6%) 10.77% 51.79% 34.95% 2.48%
3 143-153℃ 1.9g (18.6%) 6.39% 46.56% 43.12% 3.93%
表2
實施例5：液態Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(＞ 60莫耳%的EtBz )
將含有約7.06% Bz、41.52% EtBz、44.48% Et 2Bz及6.93% Et 3Bz的Mo(EtBz) 2化合物的混合物(4.5 g)溶於乙苯(22.5 g)中形成綠色溶液。將該綠色溶液在氮氣作用下於120℃、125℃及135℃下加熱18小時。將該溶液冷卻至室溫之後，濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下在90℃以下自該綠色濾液除去所有揮發物，得到綠色殘餘物(4.0 g)。在130至170℃、0.1 mmHg下蒸餾得到3.2 g產物(產率80%)。該產物藉由實施例3所述的GC-FID方法進行分析，並且將結果彙總於表3。
實施例 溫度 苯 乙苯 二乙苯 三乙苯
5a 120℃ 4.34% 64.4% 27.29% 3.97%
5b 125℃ 3.39% 75.18% 19.59% 1.84%
5c 135℃ 0.37% 91.97% 6.76% 0.89%
表3
該GC分析顯示芳烴置換反應明顯改變該Mo(EtBz) 2混合物的組成。根據表3的數據，該混合物中的EtBz於120℃下自41.5莫耳%提高到64%以上，於125℃下提高到75莫耳%，於135℃下提高到92莫耳%。該產物於135℃下仍為液體，而其他配位子的Bz降至0.5莫耳%以下，Et 3Bz降至1莫耳%以下，並且Et 2Bz降至8莫耳%以下。
實施例6：熔點＜ 50℃且EtBz ＞ 97莫耳%的Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物之製備
藉由再結晶純化實施例5c的液態產物，得到綠色固體。於室溫下將其3.5 g溶於20 mL己烷中。在乾冰/丙酮作用之下將該深綠色溶液冷卻至-78℃，得到綠色固體。過濾之後，單離出1.95 g綠色固體(產率55.7%)。將該Mo(EtBz) 2的 1H NMR顯示於圖1： 1H NMR (C 6D 6, 500 MHz, 20°C) d 4.64 (d, 4 H, C 6H 5CH 2CH 3), 4.59 (t, 10 H, C 6H 5CH 2CH 3), 4.54 (t, 2 H, C 6H 5CH 2CH 3), 2.10 (q, 4 H, C 6H 5CH 2CH 3), 1.07 (t, 6 H, C 6H 5CH 2CH 3)；該綠色固體也藉由DSC及GC-FID進行分析，如實施例3中所述。DSC顯示該綠色固體於36.9 ℃下熔化(圖2)。TGA顯示殘留物為0.23% (圖 3)，GC分析如實施例3所示顯示該樣品組成含有97.17莫耳% EtBz、2.35莫耳% Et 2Bz、0.48莫耳% Bz、＜ 0.01莫耳% Et 3Bz。
實施例7：實質上不含氯化物的芳烴鉬組合物之製備
市售可得的芳烴鉬或通過文獻方法製備的芳烴鉬含有至少27 ppm的氯化物，如藉由離子層析法測量的。殘餘氯化物可能造成含有芳烴鉬的不銹鋼容器腐蝕及/或可能造成由芳烴鉬沉積的含鉬薄膜被不期望的氯化物污染。下列程序可有效將氯化物降至＜ 5 ppm。將市售可得的芳烴鉬樣品(5 g)溶於己烷(100 mL)或MTBE (甲基第三丁基醚) (100 mL)中以形成綠色溶液。該溶液用50 mL 10% KOH/H 2O 溶液清洗兩次。分離之後，用無水硫酸鈉乾燥該有機溶液。過濾之後，使該溶液通過吸附劑，得到深綠色溶液。真空去除揮發物，得到4.8 g綠色液體。藉由離子層析法分析該液體。結果顯示該氯化物自27 ppm降至低於1 ppm。
實施例8：芳烴鉬組合物的黏度
實施例3所述的含有各種芳烴配位子的混合物之市售可得的芳烴鉬組合物(13.1%的苯、54.0%的乙苯、31.1%的二乙苯及1.9%的三乙苯)的黏度係使用自Paragon Scientific有限公司購得的毛細管黏度計管及ISO 17025標準套組進行測量。該黏度於20 oC下為15 cP。實施例2中具有較大量的二乙苯和三乙苯配位子的芳烴鉬組合物之黏度為20.5 cP。我們發現本發明的改進組合物(實施例5的表3中的樣品5c)於20℃下具有實質上較低的11 cP的黏度。該實施例暗示減少二乙苯及三乙苯配位子的量對於降低基於Mo(EtBz) 2的芳烴鉬組合物之黏度是至關重要的。＜ 15 cP的黏度對於藉由直接液體注入將前驅物有效輸送至沉積設備非常重要。
實施例9：Mo(m-Me 2Bz) 2化合物的製備
在氮氣作用之下，攪拌同時將5.4 g MoCl 5緩慢加於2.6 g AlCl 3及1.0 g Al在30 mL無水的脫氧間二甲苯中的懸浮液中。將該混合物加熱至135℃保持20小時並且冷卻至室溫。此後，於室溫下將60 mL MTBE緩慢​加於該反應混合物。接下來，將100 mL冷的30% KOH溶液緩慢(先逐滴)加於0℃以下的燒瓶中。添加KOH之後，將該燒瓶攪拌4小時。然後將綠色有機餾分與含水餾分分離並且用水(100 mL)清洗。將所有揮發物汽化，並且用己烷/MTBE (100/100 mL)萃取殘餘物以得到深綠色溶液，在手套箱內用10 g Na 2SO 4將其乾燥。在該手套箱內過濾之後，在真空情況下除去所有揮發物，得到綠色固體。將該綠色固體用10 mL己烷清洗，得到1.95 g產物(產率32%)。藉由TGA及DSC來分析該固體。頃發現此錯合物的熔點為104 oC。
實施例10：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約60%)的液態混合物之製備
將實施例9的Mo(間二甲苯) 2樣品(10 g)溶於無水乙苯(80 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該綠色懸浮液加熱至120℃保持18小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下在90℃以下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。於130至150℃、0.1 mmHg下蒸餾，得到8.5 g產物，產率85%。該產物藉由 1H NMR光譜來描述其特徵(圖4)。該產物為液體，其根據NMR分析含有60% Mo(EtBz) 2、30% Mo(EtBz)(間二甲苯)及10% Mo(間二甲苯) 2。TGA殘留量為0.3 %並且DSC於272 ℃下顯示放熱事件。Mo(EtBz) 2： 1H NMR (C 6D 6, 500 MHz, 20°C) d 4.60 (d, 4 H, C 6H 5CH 2CH 3), 4.54 (t, 10 H, C 6H 5CH 2CH 3), 4.50 (m, 2 H, C 6H 5CH 2CH 3), 2.09 (q, 4 H, C 6H 5CH 2CH 3), 1.07 (t, 6 H, C 6H 5CH 2CH 3); Mo(EtBz)(m-xylene): 1H NMR (C 6D 6, 500 MHz, 20°C) d 4.72 (s, 1 H, C 6H 5(CH 3) 2), 4.54(m, 1 H, C 6H 5(CH 3) 2), 4.42 (m, 2 H, C 6H 5(CH 3) 2), 2.01 (q, 2 H, C 6H 5CH 2CH 3), 1.93 (s, 6 H, C 6H 5(CH 2) 2), 1.09 (t, 3 H, C 6H 5CH 2CH 3); Mo(m-xylene) 2: 1H NMR (C 6D 6, 500 MHz, 20°C) d 4.54 (s, 2 H, C 6H 5(CH 3) 2), 4.50 (m, 6 H, C 6H 5(CH 3) 2), 1.84 (s, 12 H, C 6H 5(CH 2) 2).
實施例11：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約80%)的液態混合物之製備
將實施例9的Mo(間二甲苯) 2樣品(27 g)溶於無水乙苯(135 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該綠色懸浮液加熱至120℃保持24小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。於130至142℃、0.1 mmHg下蒸餾，得到25 g產物，產率92%。該產物藉由 1H NMR光譜來描述其特徵並且根據實施例10所述的峰積分來分析組成。該產物根據NMR分析含有80.5% Mo(EtBz) 2、18% Mo(EtBz)(間二甲苯)及1.5% Mo(間二甲苯) 2。TGA殘留量為0.013 %並且DSC於278 ℃下顯示放熱事件。
實施例12：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約80%)的液態混合物之製備
將實施例9的Mo(間二甲苯) 2樣品(69 g)溶於無水乙苯(420 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該綠色懸浮液加熱至130℃保持24小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。於130至140℃、0.15至0.2 mmHg下蒸餾之後，獲得61.5 g產物，產率89%。該產物藉由NMR光譜來描述其特徵並且根據實施例10所述的峰積分來分析組成。該產物根據NMR分析含有80% Mo(EtBz) 2、18% Mo(EtBz)(間二甲苯)及2% Mo(間二甲苯) 2。TGA殘留量為0.05 %並且DSC於280 ℃下顯示放熱事件。
實施例13：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(間二甲苯) 2為高於15%)的液態混合物之製備
將實施例9的Mo(間二甲苯) 2樣品(52 g)溶於無水乙苯(290 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該綠色懸浮液加熱至132℃保持24小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。於130至140℃、0.15至0.2 mmHg下蒸餾之後，獲得47 g產物，產率90%。該產物藉由NMR光譜來描述其特徵並且根據實施例10所述的峰積分來分析組成並且將結果彙總於表4。該產物根據NMR分析含有65% Mo(EtBz) 2、19% Mo(EtBz)(間二甲苯)及16% Mo(間二甲苯) 2。過夜之後，燒瓶內形成固體。TGA殘留量為1 %並且DSC於272 ℃下顯示放熱事件。實驗顯示為了避免期望的液態配方中形成固體，Mo(間二甲苯) 2的殘留量應該＜ 15莫耳%。
實施例14：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約80%)的液態混合物之黏度
將實施例9的Mo(間二甲苯) 2樣品(55 g)溶於無水乙苯(250 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該綠色懸浮液加熱至139.7℃保持24小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。獲得50 g產物，產率90%。該產物藉由NMR光譜來描述其特徵並且根據實施例10所述的峰積分來分析組成並且將結果彙總於表4。該產物根據NMR分析含有81% Mo(EtBz) 2、17.4% Mo(EtBz)(間二甲苯)及1.6% Mo(間二甲苯) 2。此樣品的黏度為10 mPa-s，實質上低於市售可得的含有Mo(EtBz) 2的組合物。ICP-MS的微量金屬分析顯示此組合物僅含有低於3 ppm的鋁。離子層析法顯示氯化物殘留量也降至＜ 1 ppm。
將實施例10至14的芳烴鉬混合物的組成彙總於表4：
實施例 Mo(EtBz) 2 Mo(EtBz)(間二甲苯) Mo(間二甲苯) 2 EtBz:間二甲苯
10 60 30 10 75:25
11 80.5 18 1.5 89.5:10.5
12 80 18 2 89:11
13 65 19 16 74.5:25.5
14 81 17.4 1.6 89.7:10.3
表4
實施例15：Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為高於90%)的液態混合物之製備
將110 g實施例12的組合物溶於無水乙苯(120 g)中形成綠色懸浮液。在氮氣作用下將該懸浮液加熱至137℃保持24小時。將該溶液冷卻至室溫之後，經由矽膠濾出黑色固體並且收集剩餘的綠色濾液。在真空的情況下自該綠色濾液中除去所有揮發物，得到綠色液態殘餘物。該產物藉由NMR光譜來描述其特徵並且根據實施例10所述的峰積分來分析組成。該產物根據NMR分析含有90% Mo(EtBz) 2、9.5% Mo(EtBz)(間二甲苯)及0.5% Mo(間二甲苯) 2。
實施例16：使用熱氫及Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約70%)的液態混合物沉積含鉬薄膜
在該沉積製程中，藉由使50 sccm氬氣通過裝填該化合物並加熱至110 oC的不銹鋼容器將含有70.6% Mo(EtBz) 2、22.0% Mo(EtBz)(間二甲苯)及7.4% Mo(間二甲苯) 2的芳烴鉬化合物輸送到沉積反應艙。艙壓為20托耳。該基材為TiN、Cu、Pt及SiO 2。含鉬薄膜經由循環式化學氣相沉積(CCVD)製程於400 °C下沉積，其包括下列步驟： a. 將基材提供於沉積反應艙中； b. 將芳烴鉬蒸氣引入該沉積反應艙10秒； c. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙30秒； d. 將氫氣以1000 sccm引入該沉積反應艙10秒； e. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙10秒；及 f. 依序重複進行步驟b至e 100次。 將不同基材上的含鉬薄膜厚度彙總於表5。
基材 薄膜厚度(Å)
SiO 2 0.0
TiN 5.3
Cu 29.1
Pt 3.8
該實施例顯示含鉬薄膜選擇性沉積於銅基材上。
實施例17：使用二碘丁烷及Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約70%)的液態混合物沉積含鉬薄膜
在該沉積製程中，藉由使50 sccm氬氣通過裝填該化合物並加熱至110 oC的不銹鋼容器將含有70.6% Mo(EtBz) 2、22.0% Mo(EtBz)(間二甲苯)及7.4% Mo(間二甲苯) 2的芳烴鉬化合物輸送到沉積反應艙。艙壓為10托耳。該基材為TiN、Cu、Pt及SiO 2。也藉由使50 sccm氬氣通過裝填該二碘丁烷並加熱至50 oC的不銹鋼容器將單獨的二碘丁烷脈衝輸送到該沉積反應艙。含鉬薄膜經由循環式化學氣相沉積(CCVD)製程於400 °C下沉積，其包括下列步驟： a. 將基材提供於沉積反應艙中； b. 將芳烴鉬蒸氣引入該沉積反應艙20秒； c. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙30秒； d. 將二碘丁烷蒸氣引入該沉積反應艙20秒； e. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙42秒；及 f. 依序重複進行步驟b至e 100次。 將不同基材上的含鉬薄膜厚度彙總於表6。
基材 薄膜厚度(Å)
SiO 2 187
TiN 187
Cu 299
Pt 195
藉由四點探針法測量沉積於氧化矽上的含鉬薄膜的電阻率為260μOhm·cm。
實施例18：使用二碘丁烷及Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物(其中Ar 1及Ar 2係各自獨立選擇的芳烴並且Mo(EtBz) 2為約70%)的液態混合物沉積含鉬薄膜
在該沉積製程中，藉由使50 sccm氬氣通過裝填該化合物並加熱至110 oC的不銹鋼容器將含有70.6% Mo(EtBz) 2、22.0% Mo(EtBz)(間二甲苯)及7.4% Mo(間二甲苯) 2的芳烴鉬化合物輸送到沉積反應艙。艙壓為10托耳。該基材為TiN、Cu、Pt及SiO 2。也藉由使50 sccm氬氣通過裝填該二碘丁烷並加熱至50 oC的不銹鋼容器將單獨的二碘丁烷脈衝輸送到該沉積反應艙。含鉬薄膜經由循環式化學氣相沉積(CCVD)製程於300 °C下沉積，其包括下列步驟： a. 將基材提供於沉積反應艙中； b. 將芳烴鉬蒸氣引入該沉積反應艙20秒； c. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙30秒； d. 將二碘丁烷蒸氣引入該沉積反應艙2秒； e. 用氬氣吹掃氣體吹掃該沉積反應艙42秒；及 f. 依序重複進行步驟b至e 100次。 將不同基材上的含鉬薄膜厚度彙總於表7。
基材 薄膜厚度(Å)
SiO 2 237
TiN 273
Cu 636
Pt 299
藉由四點探針法測量沉積於氧化矽上的含鉬薄膜的電阻率為131μOhm·cm。該實施例顯示電阻率低於150μOhm·cm的含鉬薄膜的沉積。預計薄膜電阻率可藉著進一步的製程優化降至低於50μOhm·cm。
預計本發明的方法可與半導體製造場所常見的沉積設備結合使用以製造用於邏輯應用及其他潛在功能的含鉬層。
先前描述主要是為了舉例說明的目的。儘管本發明揭示並請求保護的標的已經相對於其示範性具體實例進行了顯示並描述，但是咸應理解本領域的習知技藝者可在不悖離本發明揭示並請求保護的標的之精神及範疇的情況下對其格式及細節進行前述及各種其他改變、省略及增加。
無
所包括的後附圖式是為了提供對本發明揭示的標的進一步理解並且併入並構成本說明書的一部分，其舉例說明本發明揭示的具體實例並且與發明內容一起用以解釋本發明揭示的標的之原理。在該圖式中：
圖1圖解說明實施例6的＞ 97%組成純的Mo(EtBz) 2的 1H NMR；
圖2圖解說明實施例6的＞ 97%組成純的Mo(EtBz) 2的DSC；
圖3圖解說明實施例6的＞ 97%組成純的Mo(EtBz) 2的TGA；及
圖4圖解說明實施例10的含有60% Mo(EtBz) 2、30% Mo(EtBz)(間二甲苯)及10% Mo(間二甲苯) 2的混合物之組合物的 1H NMR。

Claims (108)

  1. 一種包含約60莫耳%至約95莫耳%的EtBz配位子之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中Ar 1及Ar 2係芳烴配位子並且該莫耳%係基於Ar 1及Ar 2的總莫耳數，其中該化合物為液態。
  2. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約60莫耳%至約90莫耳%的EtBz配位子。
  3. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約65莫耳%至約85莫耳%的EtBz配位子。
  4. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約70莫耳%至約80莫耳%的EtBz配位子。
  5. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約60莫耳%至約65莫耳%的EtBz配位子。
  6. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約65莫耳%至約70莫耳%的EtBz配位子。
  7. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約70莫耳%至約75莫耳%的EtBz配位子。
  8. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約75莫耳%至約80莫耳%的EtBz配位子。
  9. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約80莫耳%至約85莫耳%的EtBz配位子。
  10. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約85莫耳%至約90莫耳%的EtBz配位子。
  11. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物包含約90莫耳%至約95莫耳%的EtBz配位子。
  12. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  13. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約5莫耳%至約13莫耳%的Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  14. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約5莫耳%至約10莫耳%的Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  15. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約10莫耳%至約13莫耳%的Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  16. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  17. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約6.75莫耳%至約10莫耳%的Et 2Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  18. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約10莫耳%至約15莫耳%的Et 2Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  19. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約15莫耳%至約20莫耳%的Et 2Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  20. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  21. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約1莫耳%至約3莫耳%的Et 3Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  22. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約3莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  23. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含約1莫耳%至約2莫耳%的Et 3Bz配位子並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  24. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物另外包含(i) 約0.25莫耳%至約13莫耳%的Bz配位子，(ii) 約6.75莫耳%至約44.5莫耳%的Et 2Bz配位子，及(iii) 約0.75莫耳%至約7莫耳%的Et 3Bz，並且其中配位子的總量不超過100莫耳%。
  25. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約500 cP的黏度。
  26. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約250 cP的黏度。
  27. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約100 cP的黏度。
  28. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約50 cP的黏度。
  29. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約25 cP的黏度。
  30. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約10 cP的黏度。
  31. 一種包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中 (i)     Ar 1及Ar 2各自包含不同的芳烴結構；及 (ii)    Ar 1及Ar 2各自具有相同數目的碳。
  32. 如請求項31之混合物，其中該化合物在約20 oC至約35 oC的溫度範圍內為液態。
  33. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一包含一或更多選自下列的取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。
  34. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包含一或更多選自下列的不同取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。
  35. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一包含一或更多未經取代的線性C 1-C 3烷基取代基。
  36. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包含一或更多未經取代的線性C 1-C 3烷基取代基。
  37. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多C 1-C 3烷基取代基。
  38. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多甲基取代基。
  39. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多乙基取代基。
  40. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多丙基取代基。
  41. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一取代基或二取代基。
  42. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係5員芳烴。
  43. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係6員芳烴。
  44. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係5員雜環族芳烴。
  45. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係6員雜環族芳烴。
  46. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係5員環狀芳烴。
  47. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係6員環狀芳烴。
  48. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係5員雜環族芳烴。
  49. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係6員雜環族芳烴。
  50. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃或噻吩。
  51. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃或噻吩。
  52. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中之其一係EtBz並且Ar 1及Ar 2之另一者係Me 2Bz。
  53. 如請求項31之混合物，其中Ar 1及Ar 2中之其一係EtBz並且Ar 1及Ar 2之另一者係間-Me 2Bz。
  54. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約500 cP的黏度。
  55. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約250 cP的黏度。
  56. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約100 cP的黏度。
  57. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約50 cP的黏度。
  58. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約25 cP的黏度。
  59. 如請求項31之混合物，其中該混合物包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物具有小於或等於約10 cP的黏度。
  60. 一種包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中 (i)     Ar 1及Ar 2各自包含不同的芳烴結構；及 (ii)    Ar 1及Ar 2各自具有實質上相同的分子量。
  61. 如請求項60之混合物，其中該化合物在約20 oC至約35 oC的溫度範圍內為液態。
  62. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2具有相同分子量。
  63. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一包含一或更多選自下列的取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。
  64. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包含一或更多選自下列的不同取代基：未經取代的線性C 1-C 6烷基、經鹵素取代的線性C 1-C 6烷基、經胺基取代的線性C 1-C 6烷基、未經取代的分支C 3-C 6烷基、經鹵素取代的分支C 3-C 6烷基或經胺基取代的分支C 3-C 6烷基、未經取代的胺或經取代的胺。
  65. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一包含一或更多未經取代的線性C 1-C 3烷基取代基。
  66. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包含一或更多未經取代的線性C 1-C 3烷基取代基。
  67. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多C 1-C 3烷基取代基。
  68. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多甲基取代基。
  69. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多乙基取代基。
  70. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一或更多丙基取代基。
  71. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自包括一取代基或二取代基。
  72. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係5員芳烴。
  73. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係6員芳烴。
  74. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係5員雜環族芳烴。
  75. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係6員雜環族芳烴。
  76. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係5員環狀芳烴。
  77. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係6員環狀芳烴。
  78. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係5員雜環族芳烴。
  79. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係6員雜環族芳烴。
  80. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中的至少其一係經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃或噻吩。
  81. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2各自係經取代的苯、吡啶、吡咯、呋喃或噻吩。
  82. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中之其一係EtBz並且Ar 1及Ar 2之另一者係Me 2Bz。
  83. 如請求項60之混合物，其中Ar 1及Ar 2中之其一係EtBz並且Ar 1及Ar 2之另一者係間-Me 2Bz。
  84. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約500 cP的黏度。
  85. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約250 cP的黏度。
  86. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約100 cP的黏度。
  87. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約50 cP的黏度。
  88. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約25 cP的黏度。
  89. 如請求項60之混合物，其中包含Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物具有小於或等於約15 cP的黏度。
  90. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物實質上不含鹵化物離子。
  91. 如請求項1之Mo(Ar 1)(Ar 2)化合物的混合物，其中該混合物實質上不含氯化物離子。
  92. 如請求項31之混合物，其中該混合物實質上不含鹵化物離子。
  93. 如請求項31之混合物，其中該混合物實質上不含氯化物離子。
  94. 如請求項60之混合物，其中該混合物實質上不含鹵化物離子。
  95. 如請求項60之混合物，其中該混合物實質上不含氯化物離子。
  96. 一種將含過渡金屬的薄膜形成於基材的至少一表面上之方法，其包含： a. 將基材的至少一表面提供於反應容器中； b. 藉由化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)製程使用請求項1至95中任一項之混合物中的一或多者於該至少一表面上形成含過渡金屬的薄膜。
  97. 如請求項96之方法，其中該含過渡金屬的薄膜之形成包含化學氣相沉積(CVD)。
  98. 如請求項96之方法，其中該含過渡金屬的薄膜之形成方包含熱化學氣相沉積(CVD)。
  99. 如請求項96之方法，其中該含過渡金屬的薄膜之形成包含循環式化學氣相沉積(CCVD)。
  100. 如請求項96之方法，其中該含過渡金屬的薄膜之形成包含原子層沉積(ALD)。
  101. 一種將含過渡金屬的薄膜形成於基材的至少一表面上之方法，其包含： a. 將基材提供於反應容器中； b. 將一或更多包含請求項1至95中任一項之混合物中的一或多者之前驅物引入該反應容器； c. 用第一吹掃氣體吹掃該反應容器； d. 將來源氣體引入該反應容器； e. 用第二吹掃氣體吹掃該反應容器； f. 依序重複進行步驟b至e直到獲得期望厚度的含鉬薄膜為止。
  102. 如請求項101之方法，其中該來源氣體係一或更多選自水、雙原子氧、氧電漿、臭氧、NO、N 2O、NO 2、一氧化碳、二氧化碳及其組合之含氧來源氣體。
  103. 如請求項101之方法，其中該來源氣體係一或更多選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨電漿、氮電漿、氮/氫電漿及其混合物之含氮來源氣體。
  104. 如請求項101之方法，其中該第一及第二吹掃氣體係各自獨立地選自氬、氮、氦、氖及其組合中之其一或多者。
  105. 如請求項101之方法，其另外包含對該一或更多前驅物、該來源氣體、該基材或其組合施加能量，其中該能量係熱、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿、高密度電漿、誘導耦合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合中之其一或多者。
  106. 如請求項101之方法，其中該步驟b另外包含以使用載氣流將該一或更多前驅物蒸氣輸送至該反應容器中的方式將該一或更多前驅物引入該反應容器。
  107. 如請求項101之方法，其中該步驟b另外包含使用包含下列一或多者的溶劑介質：甲苯、均三甲苯、異丙基苯、4-異丙基甲苯、1,3-二異丙基苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環己烷、正-丁基環己烷、十氫荼及其組合。
  108. 一種前驅物供應包裝，其包含一容器及請求項1至95中任一項之混合物中的一或多者，其中該容器適用於容納並且分配該混合物。
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