TW202343581A - 半導體製造方法及設備 - Google Patents

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Abstract

一種半導體製造方法包括：量測半導體製造設備中的振動等級；決定半導體製造設備中以大於一預設振動等級的等級振動的一或多個區塊；以及藉由將一或多個重塊耦接至一或多個區塊中半導體製造設備的一外表面，減少一或多個區塊的振動等級，以在預設振動等級或以內。

Description

半導體製造方法及設備
本揭露實施例係有關於一種半導體製造方法及設備，特別係有關於一種減少振動的半導體製造方法及設備。
隨著半導體晶片向更小的奈米尺寸發展，在製造設施設計和操作中更需要隔離不需要的振動頻率。 低頻振動可能會影響生產工具，從而降低半導體製造中的生產良率。 來自製造和設計問題的挑戰導致了三維設計的發展，例如多閘極場效電晶體(field effect transistor，FET)，包括鰭式場效電晶體(Fin FET)和閘極全環(gate-all-around，GAA)場效電晶體。
根據本揭露的一型態，一種減少振動的方法包括：量測半導體製造設備中的振動等級；決定半導體製造設備中以大於一預設振動等級的等級振動的一或多個區塊；以及藉由將一或多個重塊耦接至一或多個區塊中半導體製造設備的一外表面，減少一或多個區塊的振動等級，以在預設振動等級或以內。
根據本揭露的另一型態，一種減少振動的方法包括：將一第一重塊附接至一半導體製造設備的一第一外表面；將一第二重塊附接至半導體製造設備的一第二外表面，第二外表面與第一外表面相對；量測半導體製造設備具有第一重塊及第二重塊的部分中的振動等級；以及當振動等級大於一預設等級時，增加第一重塊及第二重塊。
根據本揭露的另一型態，一種半導體製造設備包括：一第一側向壁、與第一側向壁相對的一第二側向壁以及一或多個重塊。一或多個重塊附接至第一側向壁及第二側向壁，其中重塊附接在半導體製造設備上的複數個地點，在上述地點處最大程度地減少半導體製造設備的振動。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，元件的尺寸不限於所揭露的範圍或數值，而可視製程條件及/或裝置的所需性質而定。此外，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。為了簡化及明確目的，各種特徵可用不同的比例任意地繪製。
此外，與空間相關用詞，例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。此外，用語「由…製成」可表示「包括」或「由…組成」。除非另外闡明，在本揭露中，片語「A、B及C其中一者」表示「A、B及/或C」(A、B、C、A及B、A及C、B及C、或A及B及C)，並不表示A的一元件、B的一元件以及C的一元件。
隨著半導體工業已經發展到奈米技術製程節點以追求更高的裝置密度、更高的性能和更低的成本，減輕影響半導體製造設備的振動的振動控制已經變得重要。低頻振動可能會影響生產工具，例如光微影工具、薄膜沉積工具、熔爐設備，從而降低半導體製造中的生產良率。由於人員經過設備或操作設備、擺動泵、壓縮機、冷卻器和空氣處理裝置(air handling units，AHUs)所造成的人流或地震、龍捲風或颶風等自然現象，會產生透過建築物和清潔室的地板結構傳播的低振動頻率。振動會影響正在製造的半導體裝置的品質。例如，在薄膜沉積製程中，薄膜粒子不僅沉積在半導體基板上，還沉積在承載晶圓的晶舟(wafer boat)和腔室的側壁上。當設備發生振動/晃動時，沉積在晶舟和腔室側壁上的薄膜粒子可能會掉落到晶圓上，從而導致缺陷，例如凹坑、凸塊、線缺陷等。
本揭露的實施例涉及半導體製造設備和類似的高精度處理設備，並且更具體地涉及用於在半導體製造設備等中減少振動的系統和方法。根據本揭露的實施例，可以藉由附接(或耦接)重塊(weights)(或質量塊(masses))至半導體製造設備來增加半導體製造設備(例如：用於薄膜沉積的熔爐設備，或其他類型的半導體製造設備)的重量(或質量)來達成振動減少。增加設備的重量(或質量)使設備不易受到振動的影響，並減少正在製造的半導體裝置中的缺陷。附加的重塊(或質量塊)可以是或包括金屬(例如：鐵)塊、金屬板、金屬棒等。在一些實施例中，重塊使用緊固件(螺釘、螺栓、螺柱、銷、釘子、錨、鉚釘、鉤子、磁鐵等)而附接到半導體製造設備。在一些實施例中，重塊或質量塊是將設備固定到清潔室的地板或格柵(gratings)上的錨。重物在任何所需的位置附接到半導體製造設備，例如，在設備的側面。在一些實施例中，阻尼材料(例如：橡膠墊、氯丁橡膠墊等)配置在重塊與半導體製造設備之間。阻尼材料更佳地將重塊固定到半導體製造設備並且限制半導體製造設備的振動傳遞到重塊，從而限制重塊的振動(擾動(rattling))。
在本文中為了討論目的，「振動(vibrations)」係指半導體製造設備非期望的、無意的振動，可導致製造製程中的錯誤。
在一些實施例中，重塊以可移除的方式附接，使得它們可以容易地從半導體製造設備移除(分離或拆卸)。例如，重塊使用螺釘、鉤子或其他容易移除的緊固件連接，使得重塊可以容易且相對快速地移除。重塊可以完全移除，或根據需要而用更重或更輕的重塊代替。應當理解，添加(附接)到半導體製造設備的重塊(或質量塊)不限於金屬重塊和任何特定形狀的重塊。可以使用任何材料和具有任何形狀的重塊(或質量塊)，只要此重塊將振動降低到所需的等級。亦應當注意，當重塊可以從設備移除而不需要破壞保持重塊的緊固件或不會對重塊及/或設備造成損壞時，重塊即被認為是可移除地附接的。因此，與使用鉚釘(rivets)連接的重塊相比，擰上和擰下或使用磁鐵連接的重塊被認為是可移除地附接的，因為需要切割(破壞)鉚釘以移除重塊。
在一些實施例中，重塊(質量塊)的形狀和尺寸(或以其他方式配置)使得不需要移除已經附接至半導體製造設備的配重以增加重量。例如，所附接的重塊可以包括可供附加配重附接的附件部分(鉤子、桿等)。在其他情況下，重塊被成形為板狀(或類似形狀)或以其他方式具有可以在其上放置(或堆疊)額外重塊以增加半導體製造設備的總重量的表面。類似地，可以去除增加的重量以減少半導體製造設備的總重量。這種重量的增加和去除也有助於相對容易地調整半導體製造設備上的重量分佈。
在一些實施例中，附加重塊(或質量塊)附接到半導體製造設備，使得附加重塊不與放置半導體製造設備的地板接觸。結果，附加重塊的全部重量被添加到半導體製造裝置。相反，當附加重塊接觸(擱置)地板時，半導體製造裝置上的重量減輕。在一些實施例中，半導體製造設備放置在抑振平台上，抑振平台位於半導體製造設備所在設施的地板上。需要說明的是，為便於說明，本揭露實施例均以半導體製造裝置為例進行說明。然而，實施例不限於半導體製造設備，並且在不脫離本公開的精神和範圍的情況下，本揭露的實施例可以應用於減少任何裝置、工具或機械中的振動。
第1圖繪示根據本揭露之一些實施例的半導體製造設備100，包括附接至半導體製造設備100的多個重塊(或質量塊)。作為範例，第1圖繪示用於半導體裝置之製造的一熔爐(furnace)。如圖所示，多個重塊102-1、重塊102-2、重塊102-3及重塊102-4(統稱為重塊102)附接在半導體製造設備100的相對側向壁上。舉例來說，重塊102-1及重塊102-2附接在相對的側向壁101-1及側向壁101-2的外表面上，且背向彼此。重塊102-3及重塊102-4附接在相對的側向壁101-3及側向壁101-4的外表面上，且面向彼此。替代性地，在一些實施例中，重塊102-3及重塊102-4附接至側向壁101-1及側向壁101-2而非側向壁101-3及側向壁101-4，且面朝彼此的相反方向。在其他實施例中，除了重塊102-3及重塊102-4附接至相對的側向壁101-3及側向壁101-4，額外的重塊亦附接至相對的側向壁101-1及側向壁101-2。應注意的是，上述額外的重塊與重塊102-1及重塊102-2為間隔分開的。應注意的是，重塊102的數量並未以任何形式限制。重塊102的數量可增加或減少，視應用及設計而定，只要所使用的重塊將半導體製造設備100中的振動減少至所需的等級。
重塊102距離地面185表面一特定的垂直距離H(間隔或間隙)而附接，半導體製造設備100安置(定位)在地面185表面上。在一些實施例中，距離H是基於半導體製造設備100中的半導體基板的位置所決定。舉例來說，設置距離H使得重塊102接近半導體基板傳送通過半導體製造設備100的不同站台(stages)的路徑及/或半導體製造設備100中半導體基板在處理前或後儲存的位置。
在一些實施例中，重塊102使用緊固件(螺釘、螺栓、螺柱、銷、釘子、錨、鉚釘、鉤子、磁鐵等)而附接到半導體製造設備100。在一些實施例中，重塊102為防震的緊固件，設計用於限制振動引起的自鬆動。防震的緊固件包括帶尼龍嵌件的六角螺母、鎖緊螺帽、鎖緊螺母、開槽六角螺母、齒鎖緊墊圈、鎖緊墊圈和彈簧墊圈。
附接重塊102使得半導體製造設備100上的重量分佈平衡。一種平衡重量分佈的方式是將重塊102定位在相對側向壁的相同位置上。在一些實施例中，在相對側向壁上的重塊彼此恰好相對地附接，或在所需的餘量(margin)內彼此偏移(例如：+/-1至10公分)。舉例來說，相對的重塊102-1及重塊102-2附接在對應的相對側向壁101-1及側向壁101-2上，且距離地面表面相同高度，且距離側向壁101-1及側向壁101-2的邊緣(端部)相同距離。類似地，相對的重塊102-3及重塊102-4附接在對應的相對側向壁101-3及側向壁101-4上，且距離地面表面相同高度，且距離側向壁101-1及側向壁101-4的邊緣(端部)相同距離。相對地附接的重塊102亦具有相同的重量，使得重量分佈為平衡。舉例來說，重塊102-1及重塊102-2皆為10公斤至100公斤重。
在一些實施例中，附接相對的重塊102-1及重塊102-2使得重塊102-1與重塊102-2之間的間隔為最小值，且重塊102-1及重塊102-2對稱地附接以提升重量分佈的平衡。因此，作為範例，參照第1圖，為了保持重塊102-1與重塊102-2之間的間隔為最小值，重塊102-1及重塊102-2在寬度W方向上間隔分開，而非縱向地(長度L方向)定位而彼此間隔分開。然而，在其他實施例中，半導體製造設備100的長度L可短於寬度W。在此情況下，為了保持重塊102-1與重塊102-2之間的間隔為最小值，重塊102-1及重塊102-2在長度L方向上間隔分開。為了類似的理由，相對的重塊102-3及重塊102-4在寬度W方向上彼此間隔分開。
與半導體製造過程的其他步驟相比，半導體製造過程中的某些步驟或子製程對半導體製造設備的振動更敏感(或易受影響)。換言之，與半導體製造過程中的其他步驟相比，希望減輕半導體製造過程中的某些步驟或子製程期間的振動。例如，在薄膜沉積製程(例如：物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、溶液沉積和原子層沉積(atomic layer deposition，ALD))中，裝載/卸載晶舟至腔室或從腔室裝載/卸載晶舟時的振動會導致薄膜粒子從晶舟和腔室側壁掉落到半導體基板上。在這種情況下，重塊將被附接到或接近(例如：在1公分至10公分內)薄膜沉積設備的發生晶舟裝載/卸載的區塊。因此，參考第1圖，重塊102-1和重塊102-2附接到半導體製造設備100的更易受振動影響的步驟或子製程發生的區塊。
重塊亦附接至或接近半導體製造設備的使用者與半導體製造設備互動的區塊。舉例來說，參照第1圖，半導體製造設備100包括一圖形使用者介面(graphical user interface，GUI)105，位於側向壁101-4上，用於控制半導體製造設備100的操作。圖形使用者介面105周圍的區域由於增加的操作員動作而經歷較高的人流(foot traffic)。重塊102-4作用以減輕由於高人流而造成的振動。
在一些實施例中，半導體製造設備上的重量可藉由增加附接至半導體製造設備的重塊數量(值)來增加。在此種實施例中，附接至半導體製造設備的重塊的尺寸和形狀(或以其他方式配置)使得附加的重塊可堆疊在其上。
參照第2圖且繼續參考第1圖，所繪示的是重塊102-1的前視圖，包括附接至側向壁101-1的一垂直部113以及從垂直部113向外延伸的一水平部111。垂直部113及水平部111經由複數個互連部115而彼此連接。重塊102-1亦包括複數個附接部分107，用於將附加的重塊附接至重塊102-1。在第2圖中，附接部分107包括呈X形狀的通孔。待放置在重塊102-1上的附加重塊會具有類似於X形狀的凸起，凸起被接收在附接部分107中使得附加的重塊穩固地定位在重塊102-1上。為了增加半導體製造設備100上的重量，附加的重塊可被放置在水平部111上。重塊102-1亦包括多個相鄰附接部分107之間的互連部115，以對附加的重塊提供側向的支撐。在一範例中，附加的重塊呈板狀而可被堆疊在水平部111上。在另一範例中，附加的重塊為圓形的球體，放置在水平部111上。
其他重塊102-2、重塊102-3、重塊102-4的一或多者亦可與重塊102-1形狀相似。應理解的是，重塊102的形狀和尺寸僅為範例，且重塊102可具有任何所需的形狀和尺寸，只要重塊102可支撐用於增加半導體製造設備上總重量的附加的重塊(作用為用於附加的重塊的平台)。
因此，藉由在重塊102上增加附加的重塊來增加半導體製造設備100上的重量是相對容易的，不須將現有的重塊拆卸再增加新的更重的重塊。類似地，附加的重塊亦可相對容易地被移除。
參照第3A圖且繼續參考第1圖及第2圖，所繪示的是根據本揭露之一些實施例，半導體製造設備100上多個重塊102的一範例排列。半導體製造設備100具有約為460公分的一長度L以及約為110公分的一寬度W。重塊102-1具有約為50公分至100公分的一長度L2，且與半導體製造設備100的縱向端部間隔分開。重塊102-1以約為180公分至230公分的一長度L1與一近端間隔分開，且以約為180公分至230公分的一長度L3與一遠端間隔分開。參照第3B圖，重塊102-1的垂直部113具有約為10公分至50公分的一高度H，且水平部111具有約為10公分至30公分的一寬度W。
如圖所示，因為對振動相對敏感的半導體裝置製程步驟(子製程)發生在半導體製造設備100的大致中央的部分，重塊102-1附接至半導體製造設備100的大致中央的部分。若對振動敏感的製程步驟發生再半導體製造設備100的其他部分，重塊102-1可位於或靠近此些部分。類似地，應理解的是，若振動敏感的製程發生在半導體製造設備100的多於一個部分，多個重塊可附接至此些部分的一些者或所有者。然而，應注意的是，重塊的位置不限於任何特定的位置，且重塊可被放置在半導體製造設備上任何所需的位置，以獲得所需的振動減弱。其他重塊102-2、重塊102-3及重塊102-4的一或多者亦與重塊102-1形狀相似。應理解的是，重塊102的形狀和尺寸僅為範例，且重塊102可具有任何應用及設計所需的形狀和尺寸，用於將振動減少到所需的等級。
在一實施例中，重塊102具有約為30公斤至80公斤的重量值。然而，重量值不限於此。在一些其他實施例中，重量值約為20公斤至90公斤，或10公斤至100公斤。重量值的下限是基於使用重塊時所獲得的振動減輕量來決定。低的重量值可能無法提供相對重的半導體製造設備所需的足夠振動減少。因此，重塊可具有重量值的最小下限。重量值的下限亦基於可被放置在所附接重塊上的附加重塊的重量值來決定。具有較低重量值的重塊可具有較低的承重能力，且可被放在所附接重塊上較重的附加重塊損壞。
重量值的上限是基於重塊可多穩固地附接至半導體製造設備以及半導體製造設備所放置的地面的承重能力來決定。將重的重塊附接至半導體製造設備可為困難的，或者，可能會有重重塊從半導體製造設備脫落(分離)而對設備及地面造成損壞的風險。
半導體製造設備100包括複數個延伸部151，從半導體製造設備100的主體縱向地延伸。在所繪示的實施例中，如上所述，延伸部151的其中一者(請見第1圖)包括圖形使用者介面105；然而，延伸部兩者皆可包括圖形使用者介面。重塊102-3及重塊102-4各自附接至側向壁101-3及側向壁101-4，以減少由於設備操作員使用圖形使用者介面105的動作所造成的振動。在一範例中，如圖所示，延伸部151的寬度W1及寬度W3約為20公分，且側向壁101-3與側向壁101-4之間的距離W2約為70公分。在一實施例中，重塊102-3及重塊102-4具有約為10公分至50公分的一高度H，約為10公分至20公分的一寬度W，以及約為100公分至120公分的一長度。選擇重塊102-3及重塊102-4的形狀及尺寸使得操作員可佔據延伸部151之間的間隙。在一實施例中，重塊102-3及重塊102-4具有約為30公斤至80公斤的重量值。然而，重量值不限於此。在一些其他實施例中，重量值約為20公斤至90公斤，或10公斤至100公斤。重量值的下限是基於使用重塊時所獲得的振動減輕量來決定。低的重量值可能無法提供相對重的半導體製造設備所需的足夠振動減少。因此，重塊可具有重量值的最小下限。重量值的下限亦基於可被放置在所附接重塊上的附加重塊的重量值來決定。具有較低重量值的重塊可具有較低的承重能力，且可被放在所附接重塊上較重的附加重塊損壞。
重量值的上限是基於重塊可多穩固地附接至半導體製造設備以及半導體製造設備所放置的地面的承重能力來決定。將重的重塊附接至半導體製造設備可為困難的，或者，可能會有重重塊從半導體製造設備脫落(分離)而對設備及地面造成損壞的風險。
重塊102-3及重塊102-4的形狀與第3B圖所繪示的重塊102-1類似，且尺寸長度、寬度及高度皆與重塊102-1類似。在一些實施例中，舉例來說，當延伸部151不存在時，省略重塊102-3及重塊102-4。在另一些實施例中，即使延伸部151存在，也省略重塊102-3及重塊102-4。在其他實施例中，半導體製造設備100僅包括一個有包括重塊102-3(或重塊102-4)的延伸部151。
在一些實施例中，半導體製造設備100放置在一抑振(anti-vibration)平台上。抑振平台用以緩和例如因地震所導致的大振動，但在設備在操作中(例如：傳遞晶圓)時可增加設備的小振動。重塊102可緩和因地震所導致的振動且亦可減少由於半導體製造設備100的操作所造成的小振動。在一些實施例中，重塊102附接至半導體製造設備100，在半導體製造設備100的基部與抑振平台的上表面之間。在一實施例中，重塊102與抑振平台的上表面及地面間隔分開。第4圖繪示半導體製造設備100固定至抑振平台181，且重塊102與抑振平台181的上表面187及地面185(半導體製造設備100所在的清潔室的地面185的上表面)間隔分開。
第5圖為根據本揭露之一些實施例，繪示當不同值的重塊附接至半導體處理設施時，半導體處理設施中振動改變的圖表。為了討論，將半導體處理設施設想為一薄膜沉積設備或一熔爐，且振動是在裝載及/或卸載一晶舟時量測。裝載/卸載晶舟處或附近的振動是在重塊不存在以及存在不同重量值的重塊時量測的。在點A處，沒有重塊附接至薄膜沉積設備，且如所示，在裝載(或卸載)晶舟時的振動是最大的，約為每分鐘0.25毫米。在點B、點C及點D處，越來越重的重塊(分別為30公斤、60公斤、80公斤)附接至半導體處理設施。如所示，在裝載及/或卸載晶舟時，振動顯著地減少到各自約每分鐘0.12毫米、每分鐘0.1毫米及每分鐘0.08毫米。在點E處，晶舟裝載在薄膜沉積設備且80公斤的重塊附接至薄膜沉積設備。如所示，振動是最小的，約為每分鐘0.052毫米。因此，觀察到重塊的增加實質上減少薄膜沉積設備中的振動，從約每分鐘0.25毫米減少到約每分鐘0.052毫米。舉例來說，使用自動振動系統(auto vibration system，AVS)或其他種類的振動計來量測(測試)振動。
在利用重塊102減少半導體製造設備中振動的一方法中，初始地，振動是在重塊不存在且在利用半導體製造設備執行所需操作時量測的。在一些實施例中，在操作半導體製造設備時，在半導體製造設備的多個位置量測振動。在其他實施例中，振動是在半導體製造設備中較容易受振動影響的製程發生的位置量測。舉例來說，在薄膜沉積設備中，振動是在或靠近裝載/卸載晶舟的位置量測，且在裝載/卸載晶舟時量測。在量測振動之後，將重塊附接至半導體製造設備所需的位置處，且再次量測振動。若振動超過可接受的等級，則增加重塊。如本文其他段落所述，將先前附接的重塊移除且用較重的重塊取代，或者將附加的重塊放置在現有的重塊上。再次量測振動以確保振動在可接受的等級或以下。若振動超過可接受的等級，則進一步增加重塊。當振動等級在或小於可接受的等級，利用半導體製造設備執行操作。
本揭露的實施例有利地減少了設備的振動，並且考慮到減少的振動，設備可以變得更穩定。由於減少了振動，減少了缺陷及/或其他製造錯誤。應當理解，並非所有優點都必須在本文中進行討論，所有實施例或示例都不需要特定的優點，並且其他實施例或示例可以提供不同的優點。
本揭露的一實施例為在一半導體製造設備中減少振動的方法600，根據第6圖繪示的流程圖。應理解的是，附加的操作可提供在第6圖所討論的製程之前、期間或之後，且對於本方法的附加實施例，以下所描述的一些操作可被取代或刪除。操作/製程的順序可為可互換的，且至少一些操作/製程可以不同的排序執行。至少二或多個操作/製程可時間重疊地執行，或幾乎為同時地執行。
上述方法包括一操作S610，量測半導體製造設備中的振動等級。在操作S620中，決定半導體製造設備中以大於預設振動等級振動的一或多個區塊。在操作S630中，藉由將一或多個重塊耦接至一或多個區塊中半導體製造設備的一外表面，減少一或多個區塊的振動等級，以在預設振動等級或以內。
本揭露的一實施例為在一半導體製造設備中減少振動的方法700，根據第7圖繪示的流程圖。應理解的是，附加的操作可提供在第7圖所討論的製程之前、期間或之後，且對於本方法的附加實施例，以下所描述的一些操作可被取代或刪除。操作/製程的順序可為可互換的，且至少一些操作/製程可以不同的排序執行。至少二或多個操作/製程可時間重疊地執行，或幾乎為同時地執行。
上述方法包括一操作S710，將一第一重塊附接至一半導體製造設備的一第一外表面。在操作S720，將一第二重塊附接至半導體製造設備的一第二外表面，第二外表面與第一外表面相對。在操作S730，量測半導體製造設備具有第一重塊及第二重塊的部分中的振動等級。在操作S740，當振動等級大於預設等級時，增加第一重塊及第二重塊。
根據本揭露的一型態，一種減少振動的方法包括：量測半導體製造設備中的振動等級；決定半導體製造設備中以大於一預設振動等級的等級振動的一或多個區塊；以及藉由將一或多個重塊耦接至一或多個區塊中半導體製造設備的一外表面，減少一或多個區塊的振動等級，以在預設振動等級或以內。在一些實施例中，一或多個重塊與一地面表面間隔分開地耦接，半導體製造設備定位在地面表面上。在一些實施例中，複數個重塊耦接至半導體製造設備，複數個重塊耦接至半導體製造設備相對的複數個側向壁，且每一重塊與另一重塊相對地耦接。在一些實施例中，耦接至相對的側向壁的重塊面向彼此。在一些實施例中，耦接至相對的側向壁的重塊背向彼此。在一些實施例中，上述方法更包括：藉由將附加的複數個重塊耦接至已耦接至半導體製造設備的重塊，增加附接至半導體製造設備的一總重塊量。在一些實施例中，複數個重塊耦接至半導體製造設備，且每一重塊具有相同的重量值。在一些實施例中，半導體製造設備放置在一抑振平台上，抑振平台放置在一地面表面上，且上述方法包括：將一或多個重塊耦接在半導體製造設備的一基部以及抑振平台的一上表面之間。在一些實施例中，重塊從抑振平台的上表面以及地面表面間隔分開。
根據本揭露的另一型態，一種減少振動的方法包括：將一第一重塊附接至一半導體製造設備的一第一外表面；將一第二重塊附接至半導體製造設備的一第二外表面，第二外表面與第一外表面相對；量測半導體製造設備具有第一重塊及第二重塊的部分中的振動等級；以及當振動等級大於一預設等級時，增加第一重塊及第二重塊。在一些實施例中，第一重塊恰好與第二重塊相對地附接。在一些實施例中，上述方法更包括：將一第三重塊附接至第一外表面且將一第四重塊附接至第二外表面，以減少振動等級至小於或等於預設等級。在一些實施例中，複數個重塊附接至第一外表面及第二外表面，複數個重塊包括第一重塊及第二重塊；以及附接至第一外表面及第二外表面的重塊數量相同。在一些實施例中，第一外表面上的每一重塊在第二外表面上具有一對應的重塊，且彼此恰好相對地附接。在一些實施例中，第一重塊及第二重塊與一地面表面間隔分開地附接，半導體製造設備定位在地面表面上。在一些實施例中，增加第一重塊及第二重塊包括：耦接附加的複數個重塊至第一重塊及第二重塊的每一者。在一些實施例中，第一重塊及第二重塊具有相同的重量值。
根據本揭露的另一型態，一種半導體製造設備包括：一第一側向壁、與第一側向壁相對的一第二側向壁以及一或多個重塊。一或多個重塊附接至第一側向壁及第二側向壁，其中重塊附接在半導體製造設備上的複數個地點，在上述地點處最大程度地減少半導體製造設備的振動。在一些實施例中，每一重塊與一地面表面間隔分開地附接，半導體製造設備定位在地面表面上。在一些實施例中，上述半導體製造設備更包括一或多個附加的重塊，耦接至一或多個重塊，以增加半導體製造設備上的一總重量。
前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的發明精神與範圍。在不背離本揭露的發明精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。
100:半導體製造設備 101-1:側向壁 101-2:側向壁 101-3:側向壁 101-4:側向壁 102:重塊 102-1:重塊 102-2:重塊 102-3:重塊 102-4:重塊 105:圖形使用者介面 107:附接部分 111:水平部 113:垂直部 115:互連部 151:延伸部 181:抑振平台 185:地面 187:上表面 600:方法 700:方法 H:距離(高度) L:長度 L1:長度 L2:長度 L3:長度 S610:操作 S620:操作 S630:操作 S710:操作 S720:操作 S730:操作 S740:操作 W:寬度 W1:寬度 W2:寬度(距離) W3:寬度
根據以下的詳細說明並配合所附圖式做完整揭露。應被強調的是，根據本產業的一般作業，圖示並未必按照比例繪製且僅用於繪示目的。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。 第1圖繪示根據本揭露之一些實施例的一半導體製造設備，包括附接至半導體製造設備的多個重塊(或質量塊)。 第2圖繪示根據本揭露之一些實施例，第1圖中一重塊的前視圖。 第3A圖繪示根據本揭露之一些實施例，第1圖中半導體製造設備上多個重塊的範例排列。 第3B圖繪示第1圖中重塊的尺寸。 第4圖繪示第1圖的半導體製造設備放置在抑振平台上。 第5圖為根據本揭露之一些實施例，繪示半導體處理設施中振動減少的圖表，半導體處理設施具有與其附接的數個不同值的重塊。 第6圖為根據本揭露之一些實施例，減少半導體製造設備中振動之方法的流程圖。 第7圖為根據本揭露之一些實施例，減少半導體製造設備中振動之方法的流程圖。
600:方法
S610:操作
S620:操作
S630:操作

Claims (20)

  1. 一種半導體製造方法，包括： 量測半導體製造設備中的振動等級； 決定該半導體製造設備中以大於一預設振動等級的等級振動的一或多個區塊；以及 藉由將一或多個重塊耦接至該一或多個區塊中該半導體製造設備的一外表面，減少該一或多個區塊的振動等級，以在該預設振動等級或以內。
  2. 如請求項1之方法，其中該一或多個重塊與一地面表面間隔分開地耦接，該半導體製造設備定位在該地面表面上。
  3. 如請求項1之方法，其中複數個重塊耦接至該半導體製造設備，該些重塊耦接至該半導體製造設備相對的複數個側向壁，且每一重塊與另一重塊相對地耦接。
  4. 如請求項3之方法，其中耦接至相對的該些側向壁的該些重塊面向彼此。
  5. 如請求項3之方法，其中耦接至相對的該些側向壁的該些重塊背向彼此。
  6. 如請求項1之方法，更包括：藉由將附加的複數個重塊耦接至已耦接至該半導體製造設備的該些重塊，增加附接至該半導體製造設備的一總重塊量。
  7. 如請求項1之方法，其中複數個重塊耦接至該半導體製造設備，且每一該些重塊具有相同的重量值。
  8. 如請求項1之方法，其中該半導體製造設備放置在一抑振平台上，該抑振平台放置在一地面表面上，且該方法包括：將該一或多個重塊耦接在該半導體製造設備的一基部以及該抑振平台的一上表面之間。
  9. 如請求項8之方法，其中該些重塊從該抑振平台的該上表面以及該地面表面間隔分開。
  10. 一種半導體製造方法，包括： 將一第一重塊附接至一半導體製造設備的一第一外表面； 將一第二重塊附接至該半導體製造設備的一第二外表面，該第二外表面與該第一外表面相對； 量測該半導體製造設備具有該第一重塊及該第二重塊的部分中的振動等級；以及 當該些振動等級大於一預設等級時，增加該第一重塊及該第二重塊。
  11. 如請求項10之方法，其中該第一重塊恰好與該第二重塊相對地附接。
  12. 如請求項10之方法，更包括： 將一第三重塊附接至該第一外表面且將一第四重塊附接至該第二外表面，以減少該些振動等級至小於或等於該預設等級。
  13. 如請求項10之方法，其中複數個重塊附接至該第一外表面及該第二外表面，該些重塊包括該第一重塊及該第二重塊；以及 附接至該第一外表面及該第二外表面的重塊數量相同。
  14. 如請求項13之方法，其中該第一外表面上的每一重塊在該第二外表面上具有一對應的重塊，且彼此恰好相對地附接。
  15. 如請求項10之方法，其中該第一重塊及該第二重塊與一地面表面間隔分開地附接，該半導體製造設備定位在該地面表面上。
  16. 如請求項10之方法，其中增加該第一重塊及該第二重塊包括： 耦接附加的複數個重塊至該第一重塊及該第二重塊的每一者。
  17. 如請求項10之方法，其中該第一重塊及該第二重塊具有相同的重量值。
  18. 一種半導體製造設備，包括： 一第一側向壁； 一第二側向壁，與該第一側向壁相對；以及 一或多個重塊，附接至該第一側向壁及該第二側向壁，其中該些重塊附接在該半導體製造設備上的複數個地點，在該些地點處最大程度地減少該半導體製造設備的振動。
  19. 如請求項18之半導體製造設備，其中每一該些重塊與一地面表面間隔分開地附接，該半導體製造設備定位在該地面表面上。
  20. 如請求項18之半導體製造設備，更包括： 一或多個附加的重塊，耦接至該一或多個重塊，以增加該半導體製造設備上的一總重量。
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