TW202337569A - 基板處理裝置、基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法，能夠抑制因新飛散的處理液碰撞到留在杯體內壁面的處理液所引起的霧的產生，防止所述霧附著於基板。本發明的基板處理裝置包括：保持部，保持基板；驅動部，設於保持部，使基板與所述保持部一同旋轉；供給部，為了對基板進行處理而對基板的被處理面供給處理液；第一杯體，以包圍基板的方式而設；第二杯體，以包圍第一杯體的方式而設，且內壁面的性質與第一杯體不同；以及移動控制部，使第一杯體以及第二杯體移動，使第一杯體的內壁面或第二杯體的內壁面的其中一者承接從基板飛散的處理液。

Description

基板處理裝置、基板處理方法
本發明涉及一種基板處理裝置、基板處理方法。
以往，已知有逐片式的基板處理裝置，其一邊使半導體晶片等基板旋轉，一邊對基板的被處理面供給處理液，以進行蝕刻處理或清洗處理等。基板處理裝置包括基板保持部、旋轉驅動部、處理液供給部以及處理液回收部。基板保持部通過設於平臺的卡銷來保持基板的端部。旋轉驅動部使基板與基板保持部一同旋轉。處理液供給部朝向旋轉的基板的被處理面噴出處理液。處理液回收部回收從旋轉的基板飛散的處理液。具體而言，通過以包圍旋轉驅動部的方式而設的杯體（cup）來承接飛散的處理液。處理液順著杯體的內壁面流向下方，並從設在杯體底部的配管得到回收而再利用。
一般而言，基板處理是切換多種處理液而進行。因此，對於承接處理液的杯體，例如已知有下述技術：如專利文獻1所記載的那樣，通過上下移動來變更高度，由此能夠對應於處理液的每個種類來承接從基板飛散的處理液。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2009-110985號公報
[發明所要解決的問題] 在通過多種處理液來進行基板處理的情況下，例如有時會因處理液的黏性的差異而導致處理液留在杯體的內壁面。當新飛散的處理液碰撞到留在所述杯體內側的處理液時，處理液會綻開而成為霧狀。所述成為霧狀的處理液有可能飛散至杯體的外側或者反彈至基板側而附著於基板。尤其存在下述問題：因附著於基板的處理液的霧乾燥，而易造成製品不良。
本發明的目的在於提供一種基板處理裝置、基板處理方法，能夠抑制因新飛散的處理液碰撞到留在杯體內壁面的處理液所引起的霧的產生，防止所述霧附著於基板。
[解決問題的技術手段] 本發明的實施方式的基板處理裝置包括：保持部，保持基板；驅動部，設於所述保持部，使所述基板與所述保持部一同旋轉；供給部，為了對所述基板進行處理而對所述基板的被處理面供給處理液；第一杯體，以包圍所述基板的方式而設；第二杯體，以包圍所述第一杯體的方式而設，且內壁面的性質與所述第一杯體不同；以及移動控制部，使所述第一杯體以及所述第二杯體移動，使所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者承接從所述基板飛散的所述處理液。
本發明的實施方式的基板處理方法包括下述步驟：保持基板；使所保持的所述基板旋轉；對所述基板的被處理面供給處理液；以及使以包圍所述基板的方式而設的第一杯體以及以包圍所述第一杯體的方式而設且內壁面的性質與所述第一杯體不同的第二杯體移動，使所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者承接從所述基板飛散的所述處理液。
[發明的效果] 根據本發明的實施方式的基板處理裝置、基板處理方法，能夠抑制因新飛散的處理液碰撞到留在杯體內壁面的處理液所引起的霧的產生，防止所述霧附著於基板。
（結構） 以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。本實施方式的基板處理裝置1如圖1所示，例如是對半導體晶片等基板W的面（以下也稱作被處理面）供給處理液以進行蝕刻處理或清洗處理的逐片式的基板處理裝置。基板處理裝置1包括：保持部11，保持基板W；驅動部12，使基板W與保持部11一同旋轉；供給部13，對基板W供給處理液；排出部14，排出被供給至基板W的處理液；以及檢測部15，對從基板W飛散並由後述的杯體C承接而反彈的處理液進行檢測。基板處理裝置1包括後述的控制部8，由所述控制部8予以控制。
保持部11包括平臺T與設於平臺T的頂面的卡銷P。平臺T例如為圓筒形狀的載台。卡銷P被設於平臺T的頂面，保持基板W的邊緣。
驅動部12被設於保持部11。驅動部12例如通過馬達等的驅動源，以與基板W正交的軸為中心，使保持部11所保持的基板W與保持部11一同旋轉。基板W的轉速是由控制部8予以控制。
供給部13是與基板W的兩面分別相向地設置，朝向通過驅動部12而旋轉的基板W的兩面噴出處理液的噴嘴。供給部13既可相對於基板W的各面而設有一個，也可設有多個，但以下設為相對於各面設有一個的情況進行說明。與基板W的兩面中的、跟平臺T的頂面為相同朝向的面（表面）相向的噴嘴連接於未圖示的噴嘴移動機構，可在跟基板W的表面的中心相向的噴出位置、與從所述噴出位置處於基板W的徑向外側的待機位置之間往復地設置。與基板W的兩面中的跟平臺T的頂面相向的面（背面）相向的噴嘴被設於未圖示的中空部，所述中空部設於平臺T的中心。另外，所述噴嘴是以不受驅動部12的影響，不與平臺T一同旋轉的方式固定地設置。噴嘴的移動以及處理液的供給量由控制部8予以控制。
作為本實施方式的處理液，使用緩衝氟化氫（Buffered Hydrogen Fluoride，BHF）、去離子水（DeIonized Water，DIW）、臭氧水、氟化氫（Hydrogen Fluoride，HF）。
BHF是將高純度的氫氟酸的水溶液與氟化銨的水溶液混合而成的水溶液。BHF被用作用於去除形成於基板W的面上的氧化膜或附著於基板W的面（被處理面）上的金屬雜質等的蝕刻液。而且，BHF呈高黏性。
DIW是幾乎不含雜質的純水。DIW被用作用於從基板W去除蝕刻液的沖洗液。而且，DIW呈低黏性。
臭氧水為臭氧的水溶液。臭氧水被用於在通過BHF或HF去除了氧化膜而Si已露出的基板W的面上形成氧化膜。而且，臭氧水呈低黏性。
HF為氫氟酸的水溶液。HF與BHF同樣，被用作用於去除形成於基板W的面上的氧化膜或附著於基板W的面上的金屬雜質等的蝕刻液。而且，HF呈低黏性。
排出部14是承接從基板W的面飛散的處理液並予以排出的容器。排出部14包括：杯體C，以包圍驅動部12所保持的基板W的方式而設，承接從基板W的面飛散的處理液；以及配管D，設在杯體C的底部，排出順著杯體C的內壁面而來的處理液。
杯體C包括第一杯體C1與第二杯體C2。第一杯體C1以及第二杯體C2為具有使基板W的面（表面）露出的開口的圓筒形狀，且均以包圍基板W的方式而設。第二杯體C2的直徑大於第一杯體C1，且以包圍第一杯體C1的方式而設。形成第一杯體C1以及第二杯體C2的開口的上部的壁面以朝向徑向內側傾斜的方式彎曲。所述彎曲的部分（以下也稱作彎曲部）的前端接近保持基板W的保持部11而設。如後所述，在第一杯體C1以及第二杯體C2，為了排出順著各個內壁面流動的處理液而設有第一配管D1以及第二配管D2，但由第二杯體C2的內壁面所承接的處理液會被第一杯體C1的彎曲部的上表面妨礙，以使其不會誤流入第一配管D1（參照圖2）。
第一杯體C1的內壁面例如刻有無數個細槽，呈親水性。第二杯體C2的內壁面例如由可溶性聚四氟乙烯（Polyfluoroalkoxy，PFA）予以塗覆或者包含聚四氟乙烯（Poly Tetra Fluoroethylene，PTFE），呈疏水性。這樣，第一杯體C1與第二杯體C2的內壁面的性質不同。
第一杯體C1包括移動機構M1。移動機構M1由控制部8予以控制，使第一杯體C1上下移動。第二杯體C2包括移動機構M2。移動機構M2由控制部8予以控制，使第二杯體C2上下移動。如圖1所示，當處於第一杯體C1移動至上方的狀態時，從基板W飛散的處理液由第一杯體C1的內壁面予以承接。另一方面，如圖2所示，當處於第二杯體C2移動至上方的狀態且第一杯體C1移動至下方的狀態時，第二杯體C2的內壁面相對於從基板W飛散的處理液而露出。由此，從基板W飛散的處理液由第二杯體C2的內壁面予以承接。
以下，關於處理液的黏性與杯體C的內壁面的性質的關係，對本申請發明人等發現的見解進行說明。
在承接高黏性的處理液的情況下，與承接低黏性的處理液的情況相比，處理液容易留在杯體C的內壁面。因此，高黏性的處理液與低黏性的處理液相比，容易以突起的狀態（液滴的接觸角大的狀態）留在杯體C的內壁面。當從基板W新飛散來的處理液碰撞到所述突起狀態的處理液時，因其衝擊而處理液綻開並細分化，成為霧狀。成為霧狀的處理液因碰撞的衝擊而反彈至基板W側，附著於基板W的被處理面，由此導致製造不良的可能。
高黏性的處理液因其黏性高而難以綻開。但是，如上所述，若成為以突起的狀態留在杯體C的內壁面的液滴，則會與從基板W新飛散來的處理液碰撞而液滴的形狀崩壞，從而綻開，由此成為霧狀。此時，若杯體C的內壁面為親水性，則由內壁面所承接的處理液以展開的方式留在杯體C的內壁面。即，與杯體C的內壁面為疏水性的情況相比，由內壁面所承接而附著的處理液易成為平坦的形狀（液滴的接觸角小的狀態）。即便從基板W新飛散來的處理液碰撞到以此種平坦的形狀附著的處理液，形狀也難以崩壞，因此所述處理液綻開而成為霧狀的可能也少。即，因碰撞的衝擊導致處理液成為霧狀而反彈至基板W側的可能變少。因而，對於高黏性的處理液，較佳利用親水性的第一杯體C1來承接。
另一方面，即便是低黏性的處理液，在利用內壁面為親水性的杯體C來承接的情況下，也容易在杯體C的內壁面成為平坦的形狀（液滴的接觸角小的狀態）。但是，低黏性的處理液由於處理液的黏性其自身，相對於高黏性的處理液容易綻開。即，低黏性的處理液即便只是留在杯體C的內壁面，當從基板W新飛散來的處理液碰撞時，也會因其衝擊而綻開，從而容易成為霧狀。此時，若杯體C的內壁面為疏水性，則低黏性的處理液由於其黏性低，附著於杯體C的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，即便是少量，也難以留在杯體C的內壁面，而容易順著杯體C的內壁面朝下方流落。因此，從基板W新飛散來的處理液碰撞到留在杯體C內壁面的處理液的可能得到抑制，處理液難以成為霧狀。由於處理液難以成為霧狀，因此處理液反彈至基板W側而附著於基板W的可能得到抑制。因而，對於低黏性的處理液，較佳利用疏水性的第二杯體C2來承接。
如上所述，根據處理液的黏性而適當地分開使用內壁面為親水性的第一杯體C1與內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接處理液，由此，能夠抑制處理液成為霧狀的可能。由於處理液難以成為霧狀，因此處理液反彈至基板W側而附著於基板W的可能得到抑制。另外，可預先借助實驗等，通過測定霧產生量來求出對於哪種處理液利用哪種性質的內壁面的杯體C來承接是適當的。本實施方式中，對於BHF，使用具有親水性的內壁面的第一杯體C1來承接處理液，對於DIW、臭氧水、HF，使用具有疏水性的內壁面的第二杯體C2來承接處理液。
配管D包括：第一配管D1，設於第一杯體C1的底面；以及第二配管D2，在第一杯體C1的外側設於第二杯體C2的底面。第一配管D1將順著第一杯體C1的內壁面而來的處理液予以排出（排液）。第二配管D2將順著第二杯體C2的內壁面而來的處理液予以排出（排液）。具體而言，第一配管D1以及第二配管D2分別連接於未圖示的氣液分離裝置。順著杯體C的內壁面而來的處理液通過氣液分離裝置被送往處理液的回收儲罐或工廠的排液設備而排出。而且，氣液分離裝置可根據處理液的種類來變更輸送的目標，由此，能夠對應於處理液的每個種類而排出。另外，廢氣通過氣液分離裝置被送往工廠的廢氣設備而排出。
檢測部15例如為光電傳感器等傳感器。以下，將檢測部15設為投光部與受光部成為一體的反射型光電傳感器來進行說明。檢測部15被設在杯體C的上方且不會對杯體C的升降動作造成障礙的位置。而且，檢測部15是以其光軸與基板W的面成為平行的方式而設。檢測部15的光軸的高度例如是比移動至上方的杯體C的上端稍高的高度。檢測部15對從基板W飛散而由杯體C的內壁面所承接並從杯體C的內壁面反彈至基板W側的處理液的飛沫（以下也稱作霧）進行檢測。由此，檢測部15對反彈至到達其光軸的高度為止的處理液的飛沫（霧）進行檢測。當檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，通過控制部8的控制，驅動部12使基板W的轉速下降，供給部13減少處理液的供給量。
控制部8例如包含專用的電子電路或者以規定的程序運行的計算機等，對基板處理裝置1的各結構進行控制。如圖3所示，控制部8包括保持控制部81、驅動控制部82、供給控制部83、移動控制部84、存儲部85、設定部86以及輸入/輸出控制部87。
保持控制部81控制保持部11使其保持基板W。驅動控制部82控制驅動部12使基板W旋轉或停止。而且，驅動控制部82控制驅動部12改變基板W的轉速。例如，當檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，使基板W的轉速下降。
供給控制部83控制供給部13使噴嘴移動，進而供給或停止處理液。而且，供給控制部83控制供給部13改變處理液的供給量。例如，當檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，使處理液的供給量減少。
移動控制部84對排出部14所包括的第一杯體C1以及第二杯體C2進行控制。具體而言，對第一杯體C1所包括的移動機構M1與第二杯體C2所包括的移動機構M2進行控制，使第一杯體C1以及第二杯體移動。例如，在第一杯體C1以及第二杯體C2上升的狀態下，使第一杯體C1升降，由此，對於從基板W飛散的處理液，可選擇是利用第一杯體C1的內壁面來承接，還是利用第二杯體C2的內壁面來承接。即，移動控制部84使第一杯體C1以及第二杯體C2移動，使第一杯體C1的內壁面或第二杯體C2的內壁面的其中任一者承接從基板W飛散的處理液。由此，能夠根據處理液的種類來選擇難以產生霧的杯體C。而且，通過設在所選擇的杯體C的底部的配管D，能夠將處理液對應於其每個種類來予以排出。
存儲部85是硬盤驅動器（Hard Disk Drive，HDD）或固態硬盤（Solid State Drive，SSD）等記錄介質。在存儲部85中，預先存儲有系統的運行所需的數據、程序，而且存儲系統的運行所需的數據。設定部86是根據輸入來將信息設定至存儲部85的處理部。輸入/輸出控制部87是對與作為控制對象的各結構之間的信號的轉換或輸入/輸出進行控制的接口。
在控制部8，連接有輸入裝置91、輸出裝置92。輸入裝置91是供作業員經由控制部8來操作基板處理裝置1的開關、觸控面板、鍵盤、鼠標等輸入部件。作業員可通過輸入裝置91來輸入對存儲部85設定的各種信息。輸出裝置92是將用於確認裝置狀態的信息設為作業員可看到的狀態的顯示器、燈、儀錶等輸出部件。例如，輸出裝置92可顯示來自輸入裝置91的信息的輸入畫面。
（作用） 關於基板處理裝置1的作用，參照圖4的流程圖來進行說明。作為前提，設基板W由設於保持部11的平臺T的卡銷P予以保持。而且，第一杯體C1以及第二杯體C2如圖1所示，通過移動機構M1以及移動機構M2而移動到上方。即，從基板W飛散的處理液由第一杯體C1的內壁面予以承接。另外，此前提是通過下述操作來實現，即，首先，使第一杯體C1以及第二杯體C2下降，將基板W搬送至基板處理裝置1，接下來，使保持部11保持基板W，並使第一杯體C1以及第二杯體C2上升。
首先，通過驅動控制部82的控制，驅動部12使基板W以規定的轉速旋轉（步驟S01）。接下來，通過供給控制部83的控制，供給部13對基板W的被處理面供給規定量的BHF，使親水性的第一杯體C1承接從基板W飛散的BHF（步驟S02）。由內壁面為親水性的第一杯體C1所承接的BHF從第一配管D1予以排液。此時，高黏性的BHF以展開的方式留在第一杯體C1的內壁面，容易成為平坦的形狀（液滴的接觸角小的狀態），因此，因與新飛散的BHF發生碰撞而綻開引起的霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制。由此，能夠抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助BHF所進行的基板W的蝕刻進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止BHF的供給（步驟S03）。繼而，通過移動控制部84的控制，排出部14如圖2所示，使第一杯體C1移動至下方，使已預先移動到上方的第二杯體C2露出（步驟S04）。當第二杯體C2露出時，通過供給控制部83的控制，供給部13為了從基板W去除BHF，將所供給的處理液由BHF切換為DIW，對基板W的面供給規定量的DIW，並使內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接（步驟S05）。由第二杯體C2所承接的DIW順著第二杯體C2的內壁面流向下方並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的DIW由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的DIW發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助DIW所進行的基板W的沖洗進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止DIW的供給。移動控制部84維持使第一杯體C1下降且使第二杯體C2上升的狀態。接下來，通過供給控制部83的控制，供給部13為了在基板W的被處理面上形成氧化膜，將所供給的處理液由DIW切換為臭氧水，對基板W的面供給規定量的臭氧水，並使內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接（步驟S06）。由第二杯體C2所承接的臭氧水順著第二杯體C2的內壁面流向下方並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的臭氧水由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的臭氧水發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助臭氧水所進行的針對基板W的氧化膜的形成進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止臭氧水的供給。移動控制部84維持使第一杯體C1下降且使第二杯體C2上升的狀態。接下來，通過供給控制部83的控制，供給部13為了從基板W去除氧化膜，將所供給的處理液由臭氧水切換為HF，對基板W的被處理面供給規定量的HF，並使內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接（步驟S07）。由第二杯體C2所承接的HF順著第二杯體C2的內壁面流向下方並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的HF由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的HF發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助HF所進行的基板W的蝕刻進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止HF的供給。移動控制部84維持使第一杯體C1下降且使第二杯體C2上升的狀態。接下來，通過供給控制部83的控制，供給部13為了在基板W上形成氧化膜，將所供給的處理液由HF切換為臭氧水，對基板W的被處理面供給規定量的臭氧水，並使內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接（步驟S08）。由第二杯體C2所承接的臭氧水順著第二杯體C2的內壁面流向下方並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的臭氧水由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的臭氧水發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助臭氧水所進行的針對基板W的氧化膜的形成進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止臭氧水的供給。移動控制部84維持使第一杯體C1下降且使第二杯體C2上升的狀態。接下來，通過供給控制部83的控制，供給部13為了從基板W去除HF，將所供給的處理液由臭氧水切換為DIW，對基板W的被處理面供給規定量的DIW，並使內壁面為疏水性的第二杯體C2來承接（步驟S09）。由第二杯體C2所承接的DIW順著第二杯體C2的內壁面流向下方並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的DIW由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的DIW發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
當借助DIW所進行的基板W的沖洗進行了規定時間時，通過供給控制部83的控制，供給部13停止DIW的供給（步驟S10）。最後，通過驅動控制部82的控制，驅動部12使基板W的轉速上升（步驟S11）。由此，從基板W甩去DIW，使基板W乾燥。被甩去的DIW由第二杯體C2的內壁面來承接並從第二配管D2予以排液。此時，低黏性的DIW由於其黏性低，因此附著於疏水性的第二杯體C2的內壁面的力弱，而成為液球狀（液滴的接觸角大的狀態）。即，不會留在第二杯體C2的內壁面而陸續流下，因此與新飛散的DIW發生碰撞的可能得到抑制，由此，霧的產生以及朝向基板W側的反彈得到抑制，可抑制霧附著於基板W的被處理面。
而且，在所述步驟S01～步驟S11中的基板W的處理中，也可為，當檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，通過驅動控制部82的控制，驅動部12使基板W的轉速下降，且通過供給控制部83的控制，供給部13使處理液的供給量減少。由此，由杯體C的內壁面所承接的處理液的勢頭得到抑制，而且，處理液的量也減少，因此在即便選擇具有與處理液的黏性相適合的內壁面的杯體C也無法充分抑制霧的情況下，也能夠有效地抑制因處理液的碰撞引起的霧的產生以及朝向基板W側的反彈。由此，能夠有效地抑制霧附著於基板W的被處理面。
關於基板W的轉速下降，既可使其一律下降至規定轉速為止，也可使其逐漸下降，直至檢測部15不再檢測到規定量以上的處理液的飛沫為止。此時，只要在檢測部15不再檢測到規定量以上的處理液的飛沫的時間點維持基板W的轉速即可。
關於處理液的供給量的下降，既可使其一律下降至規定的供給量為止，也可使其逐漸下降至檢測部15不再檢測到規定量以上的處理液的飛沫為止。此時，只要在檢測部15不再檢測到規定量以上的處理液的飛沫的時間點維持處理液的供給量即可。
而且，在檢測部15不再檢測到規定量以上的處理液的飛沫的時間點所維持的基板W的轉速或處理液的供給量也可存儲至存儲部85中，以用於下次以後的基板W的處理。另外，也可為，在下次以後的基板W的處理中，當檢測部15再次檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，再次調整基板W的轉速或處理液的供給量，並重新使用所述經調整的基板W的轉速或處理液的供給量。
（效果） （1）本實施方式的基板處理裝置1包括：保持部11，保持基板W；驅動部12，設於保持部11，使基板W與保持部11一同旋轉；供給部13，為了對基板W進行處理而對基板W的被處理面供給處理液；第一杯體C1，以包圍基板W的方式而設；第二杯體C2，以包圍第一杯體C1的方式而設，且內壁面的性質與第一杯體C1不同；以及移動控制部84，使第一杯體C1以及第二杯體C2移動，使第一杯體C1的內壁面或第二杯體C2的內壁面的其中任一者承接從基板W飛散的處理液。由此，能夠根據處理液的黏性來選擇具有適合於承接處理液的內壁面的杯體C。例如，對於由杯體C的內壁面承接而留住的高黏性的處理液，選擇可減小內壁面上的液滴的接觸角的杯體C，對於在由杯體C的內壁面承接時容易綻開而成為霧狀的低黏性的處理液，可選擇難以留在內壁面的杯體C。由此，能夠抑制留在內壁面的處理液與新飛散的處理液發生碰撞而產生霧的可能、或者不使處理液留在內壁面而抑制與新飛散的處理液發生碰撞的可能，由此，能夠抑制霧的產生。無論在哪種情況下，均可抑制霧的產生，由此可抑制霧附著於基板W的被處理面。
（2）本實施方式的第一杯體C1的內壁面為親水性，第二杯體C2的內壁面為疏水性。由此，對於處理液為BHF等高黏性的處理液，利用親水性的第一杯體C1的內壁面來承接，由此，可減小內壁面上的處理液的接觸角，抑制與新飛散的處理液發生碰撞而產生霧的可能。而且，對於處理液為DIW、臭氧水、HF等低黏性的處理液，利用疏水性的第二杯體C2的內壁面來承接，由此，可增大內壁面上的處理液的接觸角，不使處理液留住而抑制與新飛散的處理液發生碰撞的可能。由此，能夠抑制霧的產生。這樣，無論處理液為高黏性或低黏性的哪種情況，均可抑制霧的產生，從而可抑制霧附著於基板W的被處理面。
（3）本實施方式的基板處理裝置1還包括檢測部15，所述檢測部15對由第一杯體C1的內壁面或第二杯體C2的內壁面的其中一者所承接並反彈至基板W側的處理液的飛沫進行檢測，當檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，驅動部12使基板W的轉速下降，供給部13減少對基板W供給的處理液的供給量。由此，由杯體C的內壁面所承接的處理液的勢頭得到抑制，而且，處理液的量也減少，因此在即便選擇具有與處理液的黏性相適合的內壁面的杯體C也無法充分抑制霧的情況下，也能夠有效地抑制因處理液的碰撞引起的霧的產生以及朝向基板W側的反彈。由此，能夠有效地抑制霧附著於基板W的被處理面。
[變形例] （1）所述實施方式中，將第一杯體C1設為親水性，將設在第一杯體C1外側的第二杯體C2設為疏水性，但並不限於此。也可將第一杯體C1設為疏水性，將設在第一杯體C1外側的第二杯體C2設為親水性。此時，若設與所述實施方式同樣，首先進行借助高黏性的處理液即BHF的處理，繼而進行借助低黏性的處理液即DIW、臭氧水、HF的處理，則在借助BHF所進行的處理的階段，使第一杯體C1移動至下方，相對於從基板W飛散的處理液而使第二杯體C2露出。由此，高黏性的BHF由設在外側的親水性的第二杯體C2來承接，因此可減小內壁面上的處理液的接觸角，抑制與新飛散的處理液發生碰撞而產生霧的可能。另一方面，在借助DIW、臭氧水、HF所進行的處理的階段，使第一杯體C1移動至上方，相對於從基板W飛散的處理液而使第一杯體C1相向。由此，低黏性的DIW、臭氧水、HF由疏水性的第一杯體C1來承接，不會留在第一杯體C1的內壁面而陸續流下，因此可不使處理液留在內壁面而抑制與新飛散的處理液發生碰撞的可能，由此，能夠抑制霧的產生。無論在哪種情況下，均可抑制霧的產生，由此可抑制霧附著於基板W的被處理面。
（2）當所述實施方式的檢測部15檢測到規定量以上的處理液的飛沫時，通過驅動控制部82的控制，驅動部12使基板W的轉速下降，通過供給控制部83的控制，供給部13使處理液的供給量減少，但並不限於此。例如也可為，驅動部12使基板W的轉速下降，但供給部13不使處理液的供給量減少。而且也可為，供給部13使處理液的供給量減少，但驅動部12不使基板W的轉速下降。另外，也可省略檢測部15，不根據檢測部15的檢測來控制基板W的轉速或處理液的供給量。
（3）所述實施方式的檢測部15是設為投光部與受光部成為一體的反射型光電傳感器，但並不限於此。例如也可為投光部與受光部成為獨立體的透射型光電傳感器。而且，檢測部15並不限於光電傳感器，也可為紅外線（Infra-Red，IR）照相機、電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD）照相機、互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）照相機等。
（4）所述實施方式的處理液是設為BHF、DIW、臭氧水、HF，但並不限於此。例如，只要是適合於處理基板W的處理液，則使用任何處理液皆可，例如硫酸、磷酸等。而且，所述實施方式的使用處理液的順序為一例，以任何順序來使用處理液皆可。例如，也可按照低黏性的處理液、高黏性的處理液、低黏性的處理液的順序來使用。此時，對於從基板W飛散的處理液，只要使疏水性的第二杯體C2的內壁面、親水性的第一杯體C1的內壁面、疏水性的第二杯體C2的內壁面分別相向而承接各處理液即可。
[其他實施方式] 以上，對本發明的實施方式以及各部的變形例進行了說明，但所述實施方式或各部的變形例是作為一例而提示，並不意圖限定發明的範圍。所述的這些新穎的實施方式能夠以其他的各種形態來實施，可在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨中，並且包含在權利要求範圍所記載的發明中。
1:基板處理裝置 8:控制部 11:保持部 12:驅動部 13:供給部 14:排出部 15:檢測部 81:保持控制部 82:驅動控制部 83:供給控制部 84:移動控制部 85:存儲部 86:設定部 87:輸入/輸出控制部 91:輸入裝置 92:輸出裝置 C:杯體 C1:第一杯體 C2:第二杯體 D:配管 D1:第一配管 D2:第二配管 M1、M2:移動機構 P:卡銷 S01～S11:步驟 T:平臺 W:基板
圖1是表示實施方式的基板處理裝置的圖。 圖2是表示在實施方式的基板處理裝置中，第一杯體移動至下方的狀態的圖。 圖3是表示實施方式的控制部的圖。 圖4是表示實施方式的基板處理裝置的作用的流程圖。
1:基板處理裝置
8:控制部
11:保持部
12:驅動部
13:供給部
14:排出部
15:檢測部
C:杯體
C1:第一杯體
C2:第二杯體
D:配管
D1:第一配管
D2:第二配管
M1、M2:移動機構
P:卡銷
W:基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 保持部，保持基板； 驅動部，設於所述保持部，使所述基板與所述保持部一同旋轉； 供給部，為了對所述基板進行處理而對所述基板的被處理面供給處理液； 第一杯體，以包圍所述基板的方式而設； 第二杯體，以包圍所述第一杯體的方式而設，且內壁面的性質與所述第一杯體不同；以及 移動控制部，使所述第一杯體以及所述第二杯體移動，使所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者承接從所述基板飛散的所述處理液。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中 所述第一杯體的內壁面為親水性或疏水性的其中任一種， 所述第二杯體的內壁面為親水性或疏水性的任意另一種。
  3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中 所述移動控制部使所述第一杯體以及所述第二杯體移動，以使得： 在所述處理液為高黏性的情況下，使所述第一杯體或所述第二杯體中的、內壁面為親水性的杯體的內壁面承接從所述基板飛散的所述處理液， 在所述處理液為低黏性的情況下，使所述第一杯體或所述第二杯體中的、內壁面為疏水性的內壁面承接從所述基板飛散的所述處理液。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的基板處理裝置，還包括： 檢測部，對由所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者所承接並反彈至所述基板側的所述處理液的飛沫進行檢測， 當所述檢測部檢測到規定量以上的所述處理液的飛沫時，所述驅動部使所述基板的轉速下降。
  5. 如請求項1至請求項3中任一項所述的基板處理裝置，還包括： 檢測部，對由所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者所承接並反彈至所述基板側的所述處理液的飛沫進行檢測， 當所述檢測部檢測到規定量以上的所述處理液的飛沫時，所述供給部減少對所述基板供給的所述處理液的供給量。
  6. 如請求項1至請求項3中任一項所述的基板處理裝置，還包括： 檢測部，對由所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中一者所承接並反彈至所述基板側的所述處理液的飛沫進行檢測， 當所述檢測部檢測到規定量以上的所述處理液的飛沫時，所述驅動部使所述基板的轉速下降，所述供給部減少對所述基板供給的所述處理液的供給量。
  7. 一種基板處理方法，包括下述步驟： 保持基板的步驟； 使所保持的所述基板旋轉的步驟； 對所述基板的被處理面供給處理液的步驟；以及 使以包圍所述基板的方式而設的第一杯體以及以包圍所述第一杯體的方式而設且內壁面的性質與所述第一杯體不同的第二杯體移動，使所述第一杯體的內壁面或所述第二杯體的內壁面的其中任一者承接從所述基板飛散的所述處理液的步驟。
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