TW202335550A - 無膜式乾式光阻曝光製程 - Google Patents
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Abstract
一種無膜式乾式光阻曝光製程，包括：在一電路基板的一銅箔層上形成至少一鍍銅層；在該鍍銅層表面形成一光阻層，該光阻層被形成於該鍍銅層表面前是被塗布於一PET膜；移除該PET膜；對該光阻層進行曝光處理，使該光阻層一部份成為保留區且另一部份成為待移除區；將該待移除區的光阻層移除而裸露其原先覆蓋的所述鍍銅層；以蝕刻液移除裸露的所述鍍銅層及所述裸露的鍍銅層原先覆蓋的所述銅箔層；以及移除該保留區的光阻層。
Description
本發明是關於一種電路基板的銅層圖形化技術，特別是關於一種能減少曝光誤差的電路基板的銅層圖形化技術。
電路基板的電路圖形化處理中，經常需要對電鍍銅層進行貼附光阻、曝光、顯影、蝕刻等一系列處理，其中，貼附光阻時，光阻層通常是預先形成於一透明的載體上（例如PET膜）。在本技術領域中存在一種技術偏見在於，為了避免光阻層在曝光作業的過程受到污損，因此在曝光作業時，PET膜並不會被移除，以此保護光阻層不被刮傷或污損。
然而，在現有技術中，光阻曝光作業時所使用的光束並非是理想的平行光，其光束無可避免地具有平行半角及傾斜角，並且，光束需要經過PET膜及光阻層這兩層介質，亦即，光束會產生兩次折射，從而增加了因折射而產生的曝光誤差；除此之外，由於兩介質的折射率並不同，因此也增加了光束的反射。
有鑑於此，本發明之主要目的在於提供一種能通過降低曝光誤差的曝光製程。
為了達成上述的目的，本發明提供一種無膜式乾式光阻曝光製程，包括：
在一電路基板的一銅箔層上形成至少一鍍銅層；
在該鍍銅層表面形成一光阻層，該光阻層被形成於該鍍銅層表面前是被塗布於一PET膜；
移除該PET膜；
對該光阻層進行曝光處理，使該光阻層一部份成為保留區且另一部份成為待移除區；
將該待移除區的光阻層移除而裸露其原先覆蓋的所述鍍銅層；
以蝕刻液移除裸露的所述鍍銅層及所述裸露的鍍銅層原先覆蓋的所述銅箔層；以及
移除該保留區的光阻層。
本發明一改本技術領域的技術偏見，在曝光處理前即預先移除了光阻層上的PET膜，這使得曝光光束減少了額外的折射及反射，進而減少了曝光誤差，曝光誤差一旦明顯降低，即有助於實現更精細的線寬解析度。
請參考第1至8圖，所繪示者是本發明的無膜式乾式光阻曝光製程的其中一實施例。
首先，請參考第1圖，在一電路基板10的一銅箔層11上形成至少一鍍銅層12，鍍銅層12例如是以電鍍方式形成，鍍銅層12的數量可視需求增加。需說明的是，所述銅箔層11可以是以化學鍍銅法形成的。
請參考第2、3圖，在鍍銅層12的表面形成一光阻層20，光阻層20的厚度不大於10μm。本實施例中，光阻層20被形成於鍍銅層12表面前是被塗布於一PET膜21，其中，光阻層的厚度均勻度較佳可被控制於±2μm或更高的均勻度。
而後，如第4圖所示，PET膜21被移除，亦即，PET膜21是在光阻層20被形成於鍍銅層12表面後、進行後續曝光處理前被移除，從而使得後續曝光處理時，光阻層20的表面不具有該PET膜。
如第5圖所示，使用曝光機31及光罩32對光阻層20進行曝光處理，使光阻層20一部份成為保留區201且另一部份成為待移除區202。本實施例中，曝光處理是以非接觸式曝光方式進行，但並不以此為限。需說明的是，本實施例所使用的光阻層20適用於正顯影製程（正性光阻），亦即，受光束照射的區域會溶解於顯影液中，從而，本實施例中，受光束照射的區域為待移除區；在其他可能的實施方式中，也可以使用適用於負顯影製程的光阻層（負性光阻），此時，未受光束照射的區域會溶解於顯影液中，亦即，未受光束照射的區域為待移除區；從而，正性光阻及負性光阻的保留區及待移除區會是相反的，並不侷限於本實施例所示的位置。
接著，請參考第6圖，將待移除區202的光阻層20移除而裸露其原先覆蓋的鍍銅層12。
如第7圖所示，以蝕刻液40移除裸露的鍍銅層12及所述裸露鍍銅層12原先覆蓋的銅箔層11，亦即，未被保留區201的光阻層20覆蓋的鍍銅層12及銅箔層11被蝕刻液移除了。需說明的是，在蝕刻製程中，保留區201的光阻層20底部受到鍍銅層12的支撐，因此不易在蝕刻液沖洗的過程中產生破損。
最後，如第8圖所示，移除保留區的光阻層，完成至少一部份所需的電路圖形化處理。
10:電路基板
11:銅箔層
12:鍍銅層
20:光阻層
201:保留區
202:待移除區
21:PET膜
31:曝光機
32:光罩
40:蝕刻液
第1至8圖是本發明其中一實施例的製程示意圖。
20:光阻層
201:保留區
202:待移除區
31:曝光機
32:光罩
Claims (1)
- 一種無膜式乾式光阻曝光製程，包括： 在一電路基板的一銅箔層上形成至少一鍍銅層； 在該鍍銅層表面形成一光阻層，該光阻層被形成於該鍍銅層表面前是被塗布於一PET膜； 移除該PET膜； 對該光阻層進行曝光處理，使該光阻層一部份成為保留區且另一部份成為待移除區； 將該待移除區的光阻層移除而裸露其原先覆蓋的所述鍍銅層； 以蝕刻液移除裸露的所述鍍銅層及所述裸露的鍍銅層原先覆蓋的所述銅箔層；以及 移除該保留區的光阻層。
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| TW111105854A TWI823259B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 無膜式乾式光阻曝光製程 |
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| TW111105854A TWI823259B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 無膜式乾式光阻曝光製程 |
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| TW111105854A TWI823259B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 無膜式乾式光阻曝光製程 |
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