TW202328635A - 計測裝置 - Google Patents

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能丸圭司
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種計測裝置，其可以在短時間內計測板狀被加工物的厚度或高度。 [解決手段]一種計測裝置的計測器，包含：光源，射出預定的波長帶之光；聚光透鏡，將光源所射出之光朝已保持在工作夾台之板狀被加工物照射；準直透鏡，將在板狀被加工物反射後之返回光生成為平行光；透射濾波器，供已生成為平行光之返回光的干涉光穿透；感測器，具備有接收已穿透透射濾波器之干涉光來檢測光強度之座標；及控制器，將感測器所檢測出之光強度較高的座標位置決定為板狀被加工物的厚度或高度。

Description

計測裝置
本發明是有關於一種測量板狀被加工物的厚度或高度之計測裝置。
將IC、LSI等複數個器件以交叉之複數條分割預定線來區劃而形成於正面之晶圓，是在背面被磨削裝置磨削而薄化之後，藉由切割裝置、雷射加工裝置來分割成一個個的器件晶片，並將所分割出之器件晶片利用於行動電話、個人電腦等電氣機器上。
磨削晶圓的背面之磨削裝置大致是由工作夾台、磨削單元與計測器所構成，且可以將晶圓加工成所期望的厚度，前述工作夾台會保持晶圓，前述磨削單元可旋轉地設置有磨削輪，前述磨削輪對已保持在該工作夾台之晶圓進行磨削，前述計測器是計測已保持在該工作夾台之晶圓的厚度。
作為上述之磨削裝置的計測器，由於若採用使探針接觸於晶圓的磨削面來計測晶圓的厚度之接觸型的計測器，會有對磨削面造成損傷之情形，所以近年來所採用的是非接觸型的計測器，前述非接觸型的計測器是藉由從晶圓之磨削面(上表面)反射後之光、與穿透晶圓並從反射面(下表面)反射後之光的分光干涉波形來計測厚度(參照例如專利文獻1)。
又，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部來照射，而在晶圓的內部形成改質層的情況下，為了將該聚光點定位在距離上表面一定的深度位置，也會使用用來正確地計測晶圓的厚度或高度之非接觸型的計測器，前述非接觸型的計測器是如上述地藉由從晶圓的上表面反射後之光、與穿透晶圓並從下表面反射後之光的分光干涉波形來計測厚度(參照例如專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2012-021916號公報 專利文獻2：日本特開2011-122894號公報
發明欲解決之課題
然而，在專利文獻1、2所記載之技術中所採用之非接觸型的計測器是以下之構成：可對晶圓照射光並以繞射光柵對在晶圓的上表面與下表面反射後之返回光進行分光而取得分光干涉波形，且對每個波長的光強度進行運算(傅立葉轉換)來檢測晶圓的厚度或高度，有無法在短時間內計測晶圓的所期望之區域的厚度之問題。
據此，本發明之目的在於提供一種計測裝置，其可以在短時間內計測板狀被加工物的厚度或高度。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種計測裝置，計測板狀被加工物的厚度或高度，前述計測裝置具備：工作夾台，保持該板狀被加工物；及計測器，計測已保持在該工作夾台之該板狀被加工物的厚度或高度， 該計測器包含：光源，射出預定的波長帶之光；聚光透鏡，將該光源所射出之光朝已保持在該工作夾台之該板狀被加工物照射；準直透鏡，將在該板狀被加工物反射後之返回光生成為平行光；透射濾波器，供已生成為平行光之該返回光的干涉光穿透；感測器，具備有接收已穿透該透射濾波器之干涉光來檢測光強度之座標；及控制器，將該感測器所檢測出之光強度較高的座標位置決定為該板狀被加工物的厚度或高度。
較佳的是，該光源所射出之光被第一光纖引導至該聚光透鏡，該返回光被第二光纖引導至該準直透鏡，該第一光纖與該第二光纖是藉由光循環器來連結。較佳的是，藉由在板狀被加工物的上表面反射後之返回光與在板狀被加工物的下表面反射後之返回光的干涉光來計測板狀被加工物的厚度。較佳的是，藉由已特定光路長度之基準光與在板狀被加工物的上表面反射後之返回光的干涉光，來計測板狀被加工物的上表面的高度，並藉由該基準光與在板狀被加工物的下表面反射後之返回光的干涉光，來計測板狀被加工物的下表面的高度，且藉由板狀被加工物的上表面的高度與下表面的高度之差來計測板狀被加工物的厚度。 發明效果
根據本發明，為了計測板狀被加工物的厚度，可以藉由繞射光柵對返回光進行分光，而在毋須對每個波長的光強度進行運算的情形下，在短時間內計測板狀被加工物的厚度。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明實施形態之計測裝置，一邊參照附加圖式一邊詳細地進行說明。
於圖1顯示有本發明實施形態之計測裝置2的整體立體圖。計測裝置2至少具備有保持單元3與計測器6，前述保持單元3會保持已配設在基台2a上之被計測對象的板狀被加工物的一種即晶圓10，前述計測器6是對被保持單元3保持之晶圓10的厚度進行計測。又，本實施形態之計測裝置2具備有：移動機構4，使該保持單元3在X軸方向以及Y軸方向上移動；及框體5，由垂直壁部5a以及水平壁部5b所構成，前述垂直壁部5a豎立設置於移動機構4的側邊，前述水平壁部5b從該垂直壁部5a的上端部朝水平方向延伸。計測器6的光學系統(之後詳細敘述)是容置在水平壁部5b的內部。
如圖1所示，保持單元3包含在X軸方向上移動自如地搭載在基台2a之矩形狀的X軸方向可動板31、在Y軸方向上移動自如地搭載在X軸方向可動板31之矩形狀的Y軸方向可動板32、固定在Y軸方向可動板32的上表面之圓筒狀的支柱33、與固定在支柱33的上端之矩形狀的罩板34。在罩板34上配設有工作夾台35，前述工作夾台35通過已形成在罩板34上之長孔而朝上方延伸。工作夾台35是將以X座標以及Y座標所特定出之XY平面作為保持面來保持晶圓10之組件，且藉由已容置於支柱33內之省略圖示的旋轉驅動機構而構成為可旋轉。工作夾台35的該保持面是藉由吸附夾頭36來構成，前述吸附夾頭36由具有通氣性之多孔質材料所形成。吸附夾頭36是藉由通過支柱33之流路而連接到未圖示之吸引組件，且在吸附夾頭36的周圍以等間隔方式配置有可在將後述之晶圓10保持在工作夾台35時把持環狀的框架F之4個夾具37。
移動機構4包含：X軸移動機構4a，在X軸方向上移動上述之工作夾台35；及Y軸移動機構4b，在Y軸方向上移動工作夾台35。X軸移動機構4a將馬達42a的旋轉運動透過滾珠螺桿42b來轉換成直線運動並傳達至X軸方向可動板31，而使X軸方向可動板31沿著在基台2a上沿著X軸方向而配設之一對引導軌道2b、2b在X軸方向上移動。Y軸移動機構4b將馬達44a的旋轉運動透過滾珠螺桿44b來轉換成直線運動並傳達至Y軸方向可動板32，而使Y軸方向可動板32沿著在X軸方向可動板31上沿著Y軸方向而配設之一對引導軌道31a、31a在Y軸方向上移動。
於圖2顯示有可藉由本實施形態的計測器6來計測厚度之板狀被加工物即晶圓10。晶圓10是複數個器件12已被交叉之複數條分割預定線14區劃且形成於正面10a之例如藍寶石(Al 2O 3)基板。該器件12可為例如LED等的光器件。晶圓10的背面貼附於切割膠帶T，切割膠帶T的外周部貼附於環狀框架F。
於圖3顯示有表示本實施形態的計測器6的光學系統之概要的方塊圖。計測器6包含：光源62，射出預定的寬波長帶之光L1；聚光器61，具備有聚光透鏡61a，前述聚光透鏡61a將光源62所射出之光L1朝已保持在保持單元3的工作夾台35之晶圓10照射；準直透鏡66，將在晶圓10反射而逆行之返回光L2生成為平行光；透射濾波器67，供構成已生成為平行光的返回光L2之干涉光W穿透；及感測器68，具備有接收已穿透透射濾波器67之干涉光W來檢測光強度Q之座標。控制器100會將感測器68所檢測出之光強度Q較高的座標位置計測為晶圓10的厚度(或高度)，並且將該計測結果顯示於監視器7。
光源62可以採用例如可發出波長為1280~1360nm區域之光L1的光源，且可以從例如LED、SLD(超輻射發光二極體(Superluminescent diode))、SC(超連續光譜(SuperContinuum))光源等來選擇。
透射濾波器67是作為利用了傅立葉轉換之頻率濾波器而被周知之所謂的濃淡轉換濾波器。該透射濾波器67雖然是供構成返回光L2之干涉光W穿透之濾波器，但如圖4所示，是藉由透射膜所構成，前述透射膜設計製作成和對應於晶圓10的厚度而改變之干涉光W1~W4相應地改變穿透之位置。更具體來說，例如，如從圖4所可理解地，在晶圓10的厚度為100μm的情況下，在晶圓10的上表面與下表面反射之返回光L2是藉由干涉光W1所構成，該干涉光W1僅在透射濾波器67的位置67a良好地穿透，其他的位置幾乎沒有穿透。又，在晶圓10的厚度為300μm的情況下，構成返回光L2之干涉光W2僅在透射濾波器67的位置67b良好地穿透，其他的位置幾乎沒有穿透。同樣地，在晶圓10的厚度為500μm的情況下，構成返回光L2之干涉光W3僅在透射濾波器67的位置67c良好地穿透，其他的位置幾乎沒有穿透。此外，在晶圓10的厚度為700μm的情況下，構成返回光L2之干涉光W4僅在透射濾波器67的位置67d良好地穿透，其他的位置幾乎沒有穿透。再者，在圖3、圖4所示之實施形態中，是顯示返回光L2是藉由干涉光W3(以實線表示)來構成之情況，且干涉光W1、W2、W4是以虛線來表示。又，在圖4的實施形態中，雖然為了方便說明，而僅顯示有4種干涉光W1~W4於透射濾波器67的對應之位置67a~67d穿透之例子來作為明確的例子，但在實際的透射濾波器67中，是例如設計製作成，和晶圓10的厚度在100μm~800μm之間改變之情況下所形成之各個干涉光W對應地改變穿透之位置。
在此，在上述之感測器68中，是檢測已穿透透射濾波器67之干涉光W1~W4的任一個，並在和所檢測出之干涉光W1~W4相應之座標位置出現光強度Q較高之峰值S1~S4。如上述，由於藉由感測器68所檢測之峰值S1~S4的座標位置是以對應於晶圓10的厚度(或高度)的方式記憶於控制器100，所以可以如監視器7所顯示地，依據峰值S1~S4所出現之該座標位置68a~68d，來計測晶圓10的厚度。
在藉由上述之實施形態的計測器6計測晶圓10的厚度時，是將圖2所示之晶圓10載置並吸引保持於工作夾台35。接著，作動移動機構4，將晶圓10定位到聚光器61的正下方。再者，亦可設成：在將晶圓10定位在聚光器61的正下方之前，藉由省略圖示之拍攝單元拍攝晶圓10的被計測位置(例如分割預定線14上的計測位置P)並將計測位置資訊記憶到控制器100，且依據該計測位置資訊將晶圓10定位到聚光器61的正下方。在本實施形態中，是將光源62所射出之光L1藉由第一光纖63來引導到聚光器61的聚光透鏡61a，並照射於晶圓10上的計測位置P。照射於晶圓10之光L1會在晶圓10的上表面(正面10a)與下表面(背面10b)反射，經反射之返回光L2會通過第一光纖63，並藉由光循環器65而被引導至第二光纖64且到達準直透鏡66，而照射於透射濾波器67。在此，如依據圖3、圖4所說明地，在該返回光L2為以干涉光W3所構成之情況下，由於干涉光W3會良好地在透射濾波器67的位置67c穿透，在其他的位置則幾乎沒有穿透，所以在對應於該位置67c之感測器68的座標位置68c，會出現光強度Q較高之峰值S3，和檢測出該峰值S3之座標位置68c對應之厚度(500μm)即被計測。如此進行而計測出之厚度(500μm)，會對應於特定出上述之計測位置P的XY座標並記憶到控制器100。計測出上述之計測位置P中的厚度後，即因應於需要來作動上述之移動機構4，而在晶圓10上移動計測位置P，對其他的位置中的厚度也合宜進行計測，並記憶到控制器100。
根據上述之實施形態，如以往技術，為了計測板狀被加工物的厚度，可以藉由繞射光柵將返回光L2分光，而在毋須對每個波長的光強度進行傅立葉轉換等的情形下，在短時間內計測板狀被加工物的厚度。並且，藉由如上述地容易地且有效率地計測板狀被加工物的厚度，也可以謀求雷射加工或磨削加工的效率化。
本發明並不限定於上述之實施形態的計測裝置2。在圖5，顯示有已配設在上述之計測裝置2之計測器6的其他的實施形態即計測器6’。再者，計測器6與計測器6’是大致相同的構成，針對相同的構件會附上相同的編號，在新追加之構件上則附有新的編號。
圖5所示之實施形態中的計測器6’具備和計測器6同樣的光源62，該光源62所射出之光L1是被第一光纖63引導至聚光透鏡61a，且返回光L2被第二光纖64引導至準直透鏡66，第一光纖63與第二光纖64已連結於光循環器65’。本實施形態之光循環器65’是將光L1分歧成和上述之第一光纖63、第二光纖64不同之光路81，並將已被引導至光路81之光L1藉由反射鏡69來變更光路，並引導至已固定於聚光器61之反射鏡61b。在該反射鏡61b中反射之返回光L3可被光循環器65’引導至第二光纖64，並透過準直透鏡66和上述之返回光L2一起照射於透射濾波器67。如從圖5所可理解地，從光循環器65’起到該反射鏡61b為止之光路長度是不會受到晶圓10的厚度影響，且成為即使該聚光器61位於任何位置也不會改變之已特定之值的光路長度，在以下將在該反射鏡61b反射而逆行之返回光L3稱為基準光L3。再者，將從光循環器65’起到該反射鏡61b為止之光路長度設定得比從光循環器65’起至工作夾台35的吸附夾頭36的正面為止之光路長度更短，在本實施形態中，是設定得比從光循環器65’起到工作夾台35的吸附夾頭36的正面為止之光路長度更短例如1000μm。
在上述之計測器6’中，光源62所射出之光L1是被第一光纖63引導至聚光透鏡61a，並且在光循環器65’中分歧，且透過反射鏡69而被引導至反射鏡61b。可透過聚光透鏡61a來對晶圓10照射光L1，並藉由包含在正面10a與背面10b反射後之反射光的返回光L2、與在反射鏡61b反射後之基準光L3，來形成返回光L2+L3，且經由光循環器65’並經由第二光纖64以及準直透鏡66而照射於透射濾波器67。
如上述，該透射濾波器67是設定成供構成返回光L2+L3之干涉光穿透、並和對應於晶圓10的厚度以及高度而改變之干涉光相應地改變穿透之位置的濾波器，且可藉由感測器68來特定出穿透透射濾波器67而照射之光強度Q較高之峰值出現之座標位置。控制器100是依據該座標位置來計測晶圓10的上表面(正面10a)以及下表面(背面10b)的高度、以及晶圓10的厚度。更具體來說，如圖5所示，包含於返回光L2+L3之基準光L3與在晶圓10的正面10a反射後之返回光的干涉光W5，於透射濾波器67的預定的位置67e穿透，而讓光強度Q較高之峰值S5出現在感測器68的座標位置68e，而可依據檢測出該峰值S5之座標位置68e，來計測出晶圓10的正面10a的高度為450μm。與此同時，該基準光L3與在晶圓10的背面10b反射後之返回光的干涉光W6，在透射濾波器67的預定的位置67f穿透，而讓光強度Q較高之峰值S6出現在感測器68的座標位置68f，而可依據檢測出該峰值S6之座標位置68f，來計測出晶圓10的背面10b的高度為800μm。再者，上述之高度是以基準光L3的光路長度為基準之高度，且是該基準光L3的光路長度與從光循環器65’起到正面10a為止之光路長度之差、以及該基準光L3的光路長度與從光循環器65’起到背面10b為止之光路長度之差。由於從該光循環器65’起到該反射鏡61b為止之光路長度，是設定得比從光循環器65’起到工作夾台35的吸附夾頭36的正面為止之光路長度更短1000μm，所以晶圓10的正面10a的高度之值(450μm)會成為比背面10b的高度之值(800μm)更小之值。
在上述之實施形態中，由於是計測晶圓10的正面10a的高度之值(450μm)、與背面10b的高度之值(800μm)，所以可藉由運算該差，而運算晶圓10的該計測位置P的厚度(350μm)。再者，如上述，由於返回光L2包含有在晶圓10的正面10a與背面10b反射後之反射光，且構成該反射光之干涉光W7在透射濾波器67的預定的位置67g穿透，所以可在感測器68的座標位置68g檢測光強度Q較高之峰值S7。並且，藉由參照已記憶於上述之控制器100的表格，可計測和檢測出該峰值S7之座標位置68g對應之厚度為350μm。再者，在上述之實施形態中，雖然是設為光L1為在晶圓10穿透之光來說明，但如上述之計測器6’，根據計測已特定光路長度之基準光L3的光路長度與在晶圓10反射之反射光的光路長度之差的構成，即使在晶圓10為不會讓光L1穿透的情況下，仍然可正確地計測晶圓10的正面10a的高度。
根據上述之計測器6’，由於可以使用已特定光路長度之基準光L3，而容易地計測依據該基準光L3的光路長度與在晶圓10反射之返回光L2的光路長度差之高度，所以可以在不用以繞射光柵分光並對每個波長之光的強度進行運算(傅立葉轉換)的情形下，在短時間內計測晶圓10的高度以及厚度。
在上述之實施形態中，雖然是設為計測裝置2為專門計測晶圓的厚度或高度之裝置來說明，但本發明並非限定於此，亦可配設在對板狀被加工物施行加工之加工裝置，亦可配設在例如雷射加工裝置，前述雷射加工裝置是將對板狀被加工物具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於內部來照射，而在內部形成改質層來作為分割的起點之裝置。
10:晶圓 10a:正面 10b:背面 12:器件 14:分割預定線 100:控制器 2:計測裝置 2a:基台 2b,31a:引導軌道 3:保持單元 31:X軸方向可動板 32:Y軸方向可動板 33:支柱 34:罩板(罩構件) 35:工作夾台 36:吸附夾頭 37:夾具 4:移動機構 4a:X軸移動機構 42a,44a:馬達 42b,44b:滾珠螺桿 4b:Y軸移動機構 5:框體 5a:垂直壁部 5b:水平壁部 6,6’:計測器 61:聚光器 61a:聚光透鏡 61b,69:反射鏡 62:光源 63:第一光纖 64:第二光纖 65,65’:光循環器 66:準直透鏡 67:透射濾波器 67a,67b,67c,67d,67e,67f,67g:位置 68:感測器 68a,68b,68c,68d,68e,68f,68g:座標位置 7:監視器 81:光路 F:框架(環狀框架) L1:光 L2:返回光 L3:返回光(基準光) P:計測位置 Q:光強度 S:峰值 S1~S7:光強度之峰值 T:切割膠帶 W,W1~W7:干涉光 X,Y,Z:方向
圖1是計測裝置的整體立體圖。 圖2是被計測物即晶圓的立體圖。 圖3是顯示裝設在圖1之計測裝置之計測器的光學系統的方塊圖。 圖4是顯示圖3之計測器的透射濾波器以及感測器之功能的概念圖。 圖5是顯示圖3所示之計測器的其他的實施形態的方塊圖。
10:晶圓
10a:正面
10b:背面
100:控制器
35:工作夾台
36:吸附夾頭
6:計測器
61:聚光器
61a:聚光透鏡
62:光源
63:第一光纖
64:第二光纖
65:光循環器
66:準直透鏡
67:透射濾波器
67c:位置
68:感測器
68c:座標位置
7:監視器
L1:光
L2:返回光
P:計測位置
Q:光強度
S:峰值
S3:光強度之峰值
W,W3:干涉光

Claims (4)

  1. 一種計測裝置，計測板狀被加工物的厚度或高度，前述計測裝置具備： 工作夾台，保持該板狀被加工物；及 計測器，計測已保持在該工作夾台之該板狀被加工物的厚度或高度， 該計測器包含： 光源，射出預定的波長帶之光； 聚光透鏡，將該光源所射出之光朝已保持在該工作夾台之該板狀被加工物照射； 準直透鏡，將在該板狀被加工物反射後之返回光生成為平行光； 透射濾波器，供已生成為平行光之該返回光的干涉光穿透； 感測器，具備有接收已穿透該透射濾波器之干涉光來檢測光強度之座標；及 控制器，將該感測器所檢測出之光強度較高的座標位置決定為該板狀被加工物的厚度或高度。
  2. 如請求項1之計測裝置，其中該光源所射出之光被第一光纖引導至該聚光透鏡，該返回光被第二光纖引導至該準直透鏡，該第一光纖與該第二光纖是藉由光循環器來連結。
  3. 如請求項1或2之計測裝置，其藉由在該板狀被加工物的上表面反射後之返回光與在該板狀被加工物的下表面反射後之返回光的干涉光來計測該板狀被加工物的厚度。
  4. 如請求項1或2之計測裝置，其藉由已特定光路長度之基準光與在該板狀被加工物的上表面反射後之返回光的干涉光，來計測該板狀被加工物的上表面的高度，並藉由該基準光與在該板狀被加工物的下表面反射後之返回光的干涉光，來計測該板狀被加工物的下表面的高度，且藉由該板狀被加工物的上表面的高度與下表面的高度之差，來計測該板狀被加工物的厚度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4017440C2 (de) * 1990-05-30 1994-02-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Messung der Schichtdicke und des Brechungsindex einer dünnen Schicht auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2935412B2 (ja) * 1995-06-13 1999-08-16 東レ株式会社 薄膜の厚さ測定方法および測定装置ならびに光学フィルターの製造方法
JP3734773B2 (ja) * 2002-06-19 2006-01-11 芝浦メカトロニクス株式会社 ドライエッチングの終点検出方法および装置
KR100947228B1 (ko) * 2003-06-20 2010-03-11 엘지전자 주식회사 광디스크의 두께 측정 방법
JP2011122894A (ja) 2009-12-09 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
US8619263B2 (en) * 2010-01-06 2013-12-31 Panasonic Corporation Film thickness measuring apparatus using interference and film thickness measuring method using interference
JP2012021916A (ja) 2010-07-15 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 厚み検出装置および研削機
JP5743697B2 (ja) * 2011-05-06 2015-07-01 キヤノン株式会社 計測装置
JP5851784B2 (ja) * 2011-09-28 2016-02-03 株式会社ディスコ 高さ位置検出装置およびレーザー加工機
JP6159156B2 (ja) * 2013-06-07 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 測定対象物の厚さ計測方法
JP6412710B2 (ja) * 2014-04-08 2018-10-24 株式会社ミツトヨ 光干渉測定装置
JP6953242B2 (ja) * 2017-09-06 2021-10-27 株式会社ディスコ 高さ検出装置、及びレーザー加工装置
JP7210200B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-23 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた研削装置
JP7235500B2 (ja) * 2018-12-27 2023-03-08 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
JP7481090B2 (ja) * 2019-01-09 2024-05-10 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置

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