JP2023100410A - 計測装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】短時間で板状物の厚み又は高さを計測することができる計測装置を提供する。【解決手段】板状物10を保持する保持手段3と、保持手段3に保持された板状物10の厚み又は高さを計測する計測手段6と、を含み、計測手段6は、所定の波長域の光源62と、光源62が発した光L1を保持手段3に保持された板状物10に照射する集光レンズ61aと、板状物10で反射した戻り光L2を平行光に生成するコリメートレンズ66と、平行光に生成された戻り光L2の干渉光Wを透過する透過フィルター67と、透過フィルター67を透過した干渉光Wを受光して光強度Qを検出する座標を備えたセンサー68と、センサー68が検出した光強度Qの高い座標位置S1~S4を、板状物10の厚み、又は高さとする計測手段と、を含み構成される。【選択図】図3
Description
本発明は、板状物の厚み又は高さを計測する計測装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され薄化された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを回転可能に備えた研削手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの厚みを計測する計測手段と、から概ね構成されていて、ウエーハを所望の厚みに加工することができる。
上記の研削装置の計測手段として、ブローバをウエーハの研削面に接触させてウエーハの厚みを計測する接触タイプのものを採用すると、研削面に傷を付ける場合があることから、近年では、ウエーハの研削面(上面)から反射した光と、ウエーハを透過して反射面(下面)から反射した光との分光干渉波形によって厚みを計測する非接触タイプの計測手段が採用されている(例えば特許文献1を参照)。
また、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し内部に改質層を形成する場合にも、上面から一定の深さ位置に該集光点を位置付けるために、ウエーハの厚み、又は高さを正確に計測すべく、上記の如くウエーハの上面から反射した光と、ウエーハを透過して下面から反射した光との分光干渉波形によって厚みを計測する非接触タイプの計測手段が使用される(例えば特許文献2を参照)。
ところで、上記した特許文献1、2に記載された技術において採用される非接触タイプの計測手段は、ウエーハに光を照射してウエーハの上面と下面とで反射した戻り光を回折格子で分光して分光干渉波形を取得し、波長毎の光強度を演算(フーリエ変換)してウエーハの厚み又は高さを検出する構成であり、ウエーハの所望の領域の厚みを短時間に計測できない、という問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、短時間で板状物の厚み又は高さを計測することができる計測装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物の厚み又は高さを計測する計測装置であって、板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物の厚み又は高さを計測する計測手段と、を含み、該計測手段は、所定の波長域の光源と、該光源が発した光を該保持手段に保持された板状物に照射する集光レンズと、板状物で反射した戻り光を平行光に生成するコリメートレンズと、平行光に生成された該戻り光の干渉光を透過する透過フィルターと、該透過フィルターを透過した干渉光を受光して光強度を検出する座標を備えたセンサーと、該センサーが検出した光強度の高い座標位置を、該板状物の厚み、又は高さとする制御手段と、を含み構成される計測装置が提供される。
該光源が発した光は、第一の光ファイバーで該集光レンズまで導かれ、該戻り光は、第二の光ファイバーで該コリメートレンズまで導かれ、該第一の光ファイバーと該第二の光ファイバーは光サーキュレータにより連結されていることが好ましい。また、板状物の上面で反射した戻り光と板状物の下面で反射した戻り光との干渉光によって板状物の厚みを計測することが好ましい。さらに、光路長が特定された基準光と板状物の上面で反射した戻り光との干渉光によって板状物の上面の高さを計測し、該基準光と板状物の下面で反射した戻り光との干渉光とによって板状物の下面の高さを計測し、板状物の上面の高さと下面の高さとの差によって板状物の厚みを計測するものであってもよい。
本発明の計測装置は、板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物の厚み又は高さを計測する計測手段と、を含み、該計測手段は、所定の波長域の光源と、該光源が発した光を該保持手段に保持された板状物に照射する集光レンズと、板状物で反射した戻り光を平行光に生成するコリメートレンズと、平行光に生成された該戻り光の干渉光を透過する透過フィルターと、該透過フィルターを透過した干渉光を受光して光強度を検出する座標を備えたセンサーと、該センサーが検出した光強度の高い座標位置を、該板状物の厚み、又は高さとする制御手段と、を含み構成されていることから、板状物の厚みを計測するために、戻り光を回折格子によって分光して、波長毎の光強度を演算(フーリエ変換等)する必要がなく、短時間で板状物の厚みを計測することができる。
以下、本発明に基づいて構成される計測装置に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
図1には、本実施形態の計測装置2の全体斜視図が示されている。計測装置2は、基台2a上に配設された被計測対象の板状物(ウエーハ10)を保持する保持手段3と、保持手段3に保持されるウエーハ10の厚みを計測する計測手段6と、を少なくとも備えている。また、本実施形態の計測装置2は、該保持手段3をX軸方向及びY軸方向に移動させる移動手段4と、移動手段4の側方に立設される垂直壁部5a及び該垂直壁部5aの上端部から水平方向に延びる水平壁部5bからなる枠体5と、を備えている。計測手段6の光学系(追って詳述する)は、水平壁部5bの内部に収容されている。
保持手段3は、図1に示すように、X軸方向において移動自在に基台2aに搭載された矩形状のX軸方向可動板31と、Y軸方向において移動自在にX軸方向可動板31に搭載された矩形状のY軸方向可動板32と、Y軸方向可動板32の上面に固定された円筒状の支柱33と、支柱33の上端に固定された矩形状のカバー板34とを含む。カバー板34には、カバー板34上に形成された長穴を通って上方に延びるチャックテーブル35が配設されている。チャックテーブル35は、X座標及びY座標で特定されるXY平面を保持面としウエーハ10を保持する手段であり、支柱33内に収容された図示を省略する回転駆動手段により回転可能に構成される。チャックテーブル35の該保持面は、通気性を有する多孔質材料から形成された吸着チャック36により構成されている。吸着チャック36は、支柱33を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されており、吸着チャック36の周囲には、後述するウエーハ10をチャックテーブル35に保持する際に環状のフレームFを把持する4つのクランプ37が等間隔で配置されている。
移動手段4は、上記したチャックテーブル35をX軸方向に移動するX軸移動手段4aと、チャックテーブル35をY軸方向に移動するY軸移動手段4bとを備えている。X軸移動手段4aは、モータ42aの回転運動を、ボールねじ42bを介して直線運動に変換してX軸方向可動板31に伝達し、基台2a上にX軸方向に沿って配設された一対の案内レール2b、2bに沿ってX軸方向可動板31をX軸方向に移動させる。Y軸移動手段4bは、モータ44aの回転運動を、ボールねじ44bを介して直線運動に変換し、Y軸方向可動板32に伝達し、X軸方向可動板31上においてY軸方向に沿って配設された一対の案内レール31a、31aに沿ってY軸方向可動板32をY軸方向に移動させる。
図2には、本実施形態の計測手段6によって厚みが計測される板状物であるウエーハ10が示されている。ウエーハ10は、複数のデバイス12が分割予定ライン14によって区画されて表面10aに形成された、例えば、サファイア(Al2O3)基板である。該デバイス12は、例えば、LED等の光デバイスである。
図3には、本実施形態の計測手段6の光学系の概略を示すブロック図が示されている。計測手段6は、所定の広波長域の光L1を照射する光源62と、光源62が発した光L1を保持手段3のチャックテーブル35に保持されたウエーハ10に照射する集光レンズ61aを備えた集光器61と、ウエーハ10で反射して逆行する戻り光L2を平行光に生成するコリメートレンズ66と、平行光に生成された戻り光L2を構成する干渉光Wを透過する透過フィルター67と、透過フィルター67を透過した干渉光Wを受光して光強度Qを検出する座標を備えたセンサー68と、を含み、制御手段100は、センサー68が検出した光強度Qの高い座標位置をウエーハ10の厚み(又は高さ)として計測し、該計測結果を表示手段7に表示する。
光源62は、例えば、波長が1280~1360nm領域の光L1を発することが可能な光源を採用することができ、例えば、LED、SLD(Superluminescent diode)、SC(SuperContinuum)光源等から選択することができる。
透過フィルター67は、フーリエ変換を利用した周波数フィルターとして知られているいわゆる濃淡変換フィルターである。該透過フィルター67は、戻り光L2を構成する干渉光Wを透過するフィルターであるが、図4に示すように、ウエーハ10の厚みに対応して変化する干渉光W1~W4に応じて透過する位置が変化するように設計製作された透過膜によって構成されている。より具体的に言えば、例えば、図から理解されるように、ウエーハ10の厚みが100μmである場合にウエーハ10の上面と下面とにおいて反射した戻り光L2は干渉光W1によって構成され、該干渉光W1は透過フィルター67の位置67aのみを良好に透過し、他の位置は殆ど透過しない。また、ウエーハ10の厚みが300μmである場合に戻り光L2を構成する干渉光W2は、透過フィルター67の位置67bのみを良好に透過し、他の位置は殆ど透過しない。同様に、ウエーハ10の厚みが500μmである場合に戻り光L2を構成する干渉光W3は、透過フィルター67の位置67cのみを良好に透過し、他の位置は殆ど透過しない。さらに、ウエーハ10の厚みが700μmである場合に戻り光L2を構成する干渉光W4は、透過フィルター67の位置67dのみを良好に透過し、他の位置は殆ど透過しない。なお、図3、図4に示す実施形態では、戻り光L2が干渉光W3(実線で示す)によって構成されている場合について示し、干渉光W1、W2、W4は破線により示している。また、図4の実施形態では、説明の都合上、端的な例として、4種類の干渉光W1~W4が透過フィルター67の対応する位置67a~67dを透過する例のみを示しているが、実際の透過フィルター67においては、例えば、ウエーハ10の厚みが100μm~800μmの間で変化した場合に形成される干渉光Wのそれぞれに対応して透過する位置が変化するように設計製作される。
ここで、上記のセンサー68においては、透過フィルター67を透過した干渉光W1~W4のいずれかを検出し、検出された干渉光W1~W4に応じた座標位置で、光強度Qの高いピークS1~S4が出現する。上記したように、センサー68によって検出されるピークS1~S4の座標位置は、ウエーハ10の厚み(又は高さ)に対応するように制御手段100に記憶されていることから、表示手段7に示されているように、ピークS1~S4が出現した該座標位置68a~68dに基づいて、ウエーハ10の厚みを計測することができる。
上記した実施形態の計測手段6によってウエーハ10の厚みを計測するに際しては、図2に示すウエーハ10を、チャックテーブル35に載置して吸引保持する。次いで、移動手段4を作動して、ウエーハ10を集光器61の直下に位置付ける。なおウエーハ10を集光器61の直下に位置付ける前に、図示を省略する撮像手段によってウエーハ10の被計測位置(例えば、分割予定ライン14上の計測位置P)を撮像して計測位置情報を制御手段100に記憶して、該計測位置情報に基づき、ウエーハ10を集光器61の直下に位置付けるようにしてもよい。本実施形態においては、光源62が発した光L1を、第一の光ファイバー63によって集光器61の集光レンズ61aに導き、ウエーハ10上の計測位置Pに照射する。ウエーハ10に照射された光L1は、ウエーハ10の上面(表面10a)と下面(裏面10b)とで反射し、反射した戻り光L2は、第一の光ファイバー63を通り、光サーキュレータ65により第二の光ファイバー64に導かれてコリメートレンズ66に至り、透過フィルター67に照射される。ここで、図3、図4に基づき説明したように、該戻り光L2が干渉光W3で構成されていた場合、干渉光W3は、透過フィルター67の位置67cを良好に透過し、他の位置においては殆ど透過しないことから、該位置67cに対応するセンサー68の座標位置68cにおいて、光強度Qが高いピークS3を出現させ、該ピークS3が検出された座標位置68cに対応する厚み(500μm)が計測される。このようにして計測された厚み(500μm)は、上記の計測位置Pを特定するXY座標に対応して制御手段100に記憶される。上記の計測位置Pにおける厚みを計測したならば、必要に応じて、上記の移動手段4を作動して、計測位置Pをウエーハ10上で移動し、他の位置における厚みも適宜計測し、制御手段100に記憶する。
上記した実施形態によれば、従来技術のように、板状物の厚みを計測するために、戻り光L2を回折格子によって分光して、波長毎の光強度をフーリエ変換等する必要がなく、短時間で板状物の厚みを計測することができる。そして、上記のように板状物の厚みが容易に効率よく計測されることで、レーザー加工や研削加工の効率化も図ることができる。
本発明は、上記した実施形態の計測装置1に限定されない。図5には、上記の計測装置1に配設された計測手段6の別の実施形態である計測手段6’が示されている。なお、計測手段6と計測手段6’とは、概ね同一の構成であり、同一の部材については、同一の番号を付し、新たに追加された部材には新たな番号を付している。
図示の実施形態における計測手段6’は、計測手段6と同様の光源62を備え、該光源62が発した光L1は、第一の光ファイバー63で集光レンズ61aまで導かれ、戻り光L2は、第二の光ファイバー64でコリメートレンズ66まで導かれ、第一の光ファイバー63と第二の光ファイバー64は光サーキュレータ65’に連結されている。本実施形態の光サーキュレータ65’は、上記の第一の光ファイバー63、第二の光ファイバー64とは異なる光路81に光L1を分岐し、光路81に導かれた光L1は、反射ミラー69によって光路が変更され、集光器61に固定された反射ミラー61bに導かれる。該反射ミラー61bにおいて反射した戻り光L3は、光サーキュレータ65’によって、第二の光ファイバー64に導かれて、上記の戻り光L2と共にコリメートレンズ66を介して透過フィルター67に照射される。図から理解されるように、光サーキュレータ65’から該反射ミラー61bまでの光路長は、ウエーハ10の厚みに影響されず、該集光器61がいずれの位置にあったとしても変化しない特定された値となるものであり、該反射ミラー61bにおいて反射し逆行する戻り光L3を、以下においては、基準光L3と称する。なお、光サーキュレータ65’から該反射ミラー61bまでの光路長は、光サーキュレータ65’からチャックテーブル35の吸着チャック36の表面までの光路長よりも短く設定され、本実施形態においては、光サーキュレータ65’からチャックテーブル35の吸着チャック36の表面までの光路長よりも例えば1000μm短く設定されている。
上記の計測手段6’において、光源62が発した光L1は、第一の光ファイバー63によって集光レンズ61aに導かれると共に、光サーキュレータ65’において分岐され、反射ミラー69を介して反射ミラー61bに導かれる。集光レンズ61aを介して光L1がウエーハ10に照射されて、表面10aと裏面10bとで反射した反射光を含む戻り光L2と、反射ミラー61bにて反射した基準光L3とにより、戻り光L2+L3を形成し、光サーキュレータ65’を経由して第二の光ファイバー64及びコリメートレンズ66を経由して透過フィルター67に照射される。
上記したように、該透過フィルター67は、戻り光L2+L3を構成する干渉光を透過し、ウエーハ10の厚み及び高さに対応して変化する干渉光に応じて、透過する位置が変化するように設定されているフィルターであり、センサー68によって、透過フィルター67を透過して照射された光強度Qの高いピークが出現する座標位置を特定可能である。制御手段100は、該座標位置に基づいてウエーハ10の上面(表面10a)及び下面(裏面10b)の高さ、及びウエーハ10の厚みを計測する。より具体的には、図5に示すように、戻り光L2+L3に含まれる基準光L3とウエーハ10の表面10aで反射した戻り光との干渉光W5が透過フィルター67の所定の位置67eを透過して、センサー68の座標位置68eに、光強度Qが高いピークS5を出現させ、該ピークS5が検出された座標位置68eに基づき、ウエーハ10の表面10aの高さが450μmであることが計測される。これと同時に、該基準光L3とウエーハ10の裏面10bで反射した戻り光との干渉光W6が透過フィルター67の所定の位置67fを透過して、センサー68の座標位置68fに光強度Qが高いピークS6を出現させ、該ピークS6が検出された座標位置68fに基づき、ウエーハ10の裏面10bの高さが800μmであることが計測される。なお、上記した高さは、基準光L3の光路長を基準とするものであり、該基準光L3の光路長と光サーキュレータ65’から表面10aまでの光路長との差、及び該基準光L3の光路長と光サーキュレータ65’から裏面10bまでの光路長との差である。該光サーキュレータ65’から該反射ミラー61bまでの光路長は、光サーキュレータ65’からチャックテーブル35の吸着チャック36の表面までの光路長よりも1000μm短く設定されていることから、ウエーハ10の表面10aの高さの値(450μm)は裏面10bの高さの値(800μm)よりも小さい値となる。
上記した実施形態では、ウエーハ10の表面10aの高さの値(450μm)と、裏面10bの高さの値(800μm)が計測されることから、その差を演算することにより、ウエーハ10の該計測位置Pの厚みが演算される(350μm)。なお、上記したように、戻り光L2は、ウエーハ10の表面10aと裏面10bとで反射した反射光を含んでおり、該反射光を構成する干渉光W7は、透過フィルター67の所定の位置67gを透過することから、センサー68の座標位置68gにおいて光強度Qが高いピークS7が検出される。そして、上記した制御手段100に記憶されたテーブルを参照することで、そのピークS7が検出された座標位置68gに対応する厚みが350μmであることが計測される。なお、上記した実施形態では、光L1がウエーハ10を透過するものとして説明したが、上記の計測手段6’のように、光路長が特定された基準光L3の光路長とウエーハ10において反射した反射光との光路長の差を計測する構成によれば、仮にウエーハ10が光L1を透過しない場合であっても、ウエーハ10の表面10aの高さを正確に計測することが可能である。
上記した計測手段6’によれば、光路長が特定された基準光L3を使用して、該基準光L3の光路長とウエーハ10において反射した戻り光L2との光路長差に基づく高さを容易に計測できることから、回折格子で分光し波長毎の光の強度を演算(フーリエ変換)することなく、短時間でウエーハ10の高さ、及び厚みを計測することができる。
上記した実施形態では、計測装置2が、専ら、ウエーハの厚み、又は高さを計測する装置であるとして説明したが、本発明はこれに限定されず、板状物に対して加工を施す加工装置に配設されてもよく、例えば、板状物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し、内部に改質層を形成して分割の起点とするレーザー加工装置に配設されてもよい。
2:計測装置
2a:基台
3:保持手段
31:X軸方向可動板
32:Y軸方向可動板
33:支柱
34:カバー部材
35:チャックテーブル
36:吸着チャック
4:移動手段
4a:X軸移動手段
4b:Y軸移動手段
5:枠体
6、6’:計測手段
62:光源
61:集光器
61a:集光レンズ
61b:反射ミラー
62:光源
63:第一の光ファイバー
64:第二の光ファイバー
65、65’:光サーキュレータ
66:コリメートレンズ
67:透過フィルター
67a~67d:位置
68:センサー
68a~68d:座標位置
69:反射ミラー
7:表示手段
10:ウエーハ
12:デバイス
14:分割予定ライン
81:光路
L1:光
L2:戻り光
Q:光強度
W、W1~W7:干渉光
S1~S7:光強度のピーク
2a:基台
3:保持手段
31:X軸方向可動板
32:Y軸方向可動板
33:支柱
34:カバー部材
35:チャックテーブル
36:吸着チャック
4:移動手段
4a:X軸移動手段
4b:Y軸移動手段
5:枠体
6、6’:計測手段
62:光源
61:集光器
61a:集光レンズ
61b:反射ミラー
62:光源
63:第一の光ファイバー
64:第二の光ファイバー
65、65’:光サーキュレータ
66:コリメートレンズ
67:透過フィルター
67a~67d:位置
68:センサー
68a~68d:座標位置
69:反射ミラー
7:表示手段
10:ウエーハ
12:デバイス
14:分割予定ライン
81:光路
L1:光
L2:戻り光
Q:光強度
W、W1~W7:干渉光
S1~S7:光強度のピーク
Claims (4)
- 板状物の厚み又は高さを計測する計測装置であって、
板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物の厚み又は高さを計測する計測手段と、を含み、
該計測手段は、所定の波長域の光源と、該光源が発した光を該保持手段に保持された板状物に照射する集光レンズと、板状物で反射した戻り光を平行光に生成するコリメートレンズと、平行光に生成された該戻り光の干渉光を透過する透過フィルターと、該透過フィルターを透過した干渉光を受光して光強度を検出する座標を備えたセンサーと、該センサーが検出した光強度の高い座標位置を、該板状物の厚み、又は高さとする制御手段と、
を含み構成される計測装置。 - 該光源が発した光は、第一の光ファイバーで該集光レンズまで導かれ、該戻り光は、第二の光ファイバーで該コリメートレンズまで導かれ、該第一の光ファイバーと該第二の光ファイバーは光サーキュレータにより連結されている請求項1に記載の計測装置。
- 板状物の上面で反射した戻り光と板状物の下面で反射した戻り光との干渉光によって板状物の厚みを計測する請求項1又は2に記載の計測装置。
- 光路長が特定された基準光と板状物の上面で反射した戻り光との干渉光によって板状物の上面の高さを計測し、該基準光と板状物の下面で反射した戻り光との干渉光とによって板状物の下面の高さを計測し、板状物の上面の高さと下面の高さとの差によって板状物の厚みを計測する請求項1又は2に記載の計測装置。
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