TW202328064A - 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種在形成極微細之圖案時的LWR性能及解析度優異的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法。感光化射線性或感放射線性樹脂組成物包含含有陰離子及具有特定取代基的陽離子的化合物（N）和藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）。

Description

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法

本發明涉及感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法。更具體而言，本發明涉及能夠適用於超LSI（Large Scale Integration，大規模積體電路）及高容量微晶片之製造製程、奈米壓印模具製作製程以及高密度資訊記錄介質之製造製程等的超微影製程、以及適宜用於其他感光蝕刻加工製程的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用上述感光化射線性或感放射線性組成物的光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法。

以往，在IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI等半導體器件之製造製程中，藉由使用光阻組成物之微影術進行微細加工。近年來，隨著積體電路的高積體化，要求形成次微米區域或四分之一微米區域的超微細圖案。伴隨於此，曝光波長亦從g射線向i射線、進而向KrF準分子雷射光等，呈現短波長化之趨勢，目前已開發出以波長為193nm的ArF準分子雷射作為光源的曝光機。又，作為進一步提高解析力之技術，正在開發在投影透鏡與試樣之間充滿高折射率之液體（以下亦稱為「浸漬液」）的所謂液浸法。

又，目前除了準分子雷射光之外，使用電子束（EB）、X射線、及極紫外線（EUV）等的微影術亦在開發中。伴隨於此，已開發出有效地感應各種放射線，並具有優異的感度及解析度的化學增幅型光阻組成物。

光阻組成物等的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中經常使用鎓鹽。例如，專利文獻1～9中記載了包含具有含氟原子之基團的鋶鹽的光阻組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2019-182861號公報 專利文獻2：日本特開2019-182860號公報 專利文獻3：日本特開2020-180119號公報 專利文獻4：日本特開2020-180118號公報 專利文獻5：日本特開2020-180122號公報 專利文獻6：日本特開2020-180121號公報 專利文獻7：日本特開2020-91376號公報 專利文獻8：日本特開2020-91374號公報 專利文獻9：日本特開2021-71720號公報

[發明所欲解決之課題] 近年來，所形成之圖案的微細化不斷發展，要求一種例如在形成線寬為16nm以下的1:1線與空間圖案等的極微細之圖案時的線寬粗糙度（Line Width Roughness：LWR）性能及解析度優異的光阻組成物。所謂LWR性能係指可以降低圖案LWR之性能。

本發明的課題在於提供一種在形成極微細之圖案（例如，線寬為16nm以下的1:1線與空間圖案等）時的LWR性能及解析度優異的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。 又，本發明的課題在於提供一種使用上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法。 [解決課題之手段]

本發明人等發現藉由以下之構成能夠解決上述課題。

[1] 一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其含有具有陰離子及由下述通式（N1）表示的陽離子的化合物（N）和藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）。

[化學式1]

通式（N1）中， R ^N1、R ^N2及R ^N3分別獨立地表示鹵代烷基或鹵素原子。其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個表示鹵代烷基，並且，至少一個表示鹵素原子。 k1表示2～5的整數。 k2及k3分別獨立地表示1～5的整數。 存在複數個之R ^N1可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N2時，複數個R ^N2可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N3時，複數個R ^N3可以相同亦可以不同。 其中， 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示2，則兩個R ^N3不同時在間位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 若k1表示3，兩個R ^N1在間位，一個R ^N1在對位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在鄰位，k2表示2，兩個R ^N2都在鄰位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 R ^N4、R ^N5及R ^N6分別獨立地表示取代基。其中，R ^N4、R ^N5及R ^N6不表示鹵素原子及鹵代烷基。 存在複數個R ^N4時，複數個R ^N4可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N5時，複數個R ^N5可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N6時，複數個R ^N6可以相同亦可以不同。 k4表示0～3的整數。 k5及k6分別獨立地表示0～4的整數。 通式（N1）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 [2] 如[1]所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其滿足下述條件1及2中的至少一個。 條件1：k1表示2～4的整數，在R ^N1所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N1，並且，另一個間位沒有R ^N1。 條件2：k2及k3分別獨立地表示2～4的整數，在R ^N2所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N2，另一個間位沒有R ^N2，並且，在R ^N3所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N3，另一個間位沒有R ^N3。 [3] 如[1]或[2]所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N2）表示的陽離子。

[化學式2]

通式（N2）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6相同含意。 通式（N2）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N3）表示的陽離子。

[化學式3]

通式（N3）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意。 k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。 通式（N3）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 [5] 如[1]或[2]所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N4）或（N5）表示的陽離子。

[化學式4]

通式（N4）及（N5）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意。 k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。 通式（N4）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 通式（N5）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 [6] 如[1]至[5]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵素原子均為氟原子。 [7] 如[1]至[6]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵代烷基均為氟代烷基。 [8] 如[1]至[7]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基中至少一個為碳數1～4。 [9] 如[1]至[8]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，上述陰離子為具有選自由下述通式（N6）表示的基團、＊-SO ₃ ^-及＊-CO ₂ ^-所組成之群組中的至少一者的有機陰離子。

[化學式5]

L ^N1及L ^N2分別獨立地表示-SO ₂-或-CO-。 ＊表示鍵結位置。 [10] 一種光阻膜，其使用[1]至[9]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物而形成。 [11] 一種圖案形成方法，其具有： 使用[1]至[9]中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物在基板上形成光阻膜之製程； 對上述光阻膜進行曝光之製程；以及 使用顯影液對上述曝光後的光阻膜進行顯影之製程。 [12] 一種電子器件之製造方法，其包括[11]所述之圖案形成方法。 [發明效果]

根據本發明，能夠提供一種在形成極微細之圖案（例如，線寬為16nm以下的1:1線與空間圖案等）時的LWR性能及解析度優異的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。又，根據本發明，能夠提供一種使用上述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的光阻膜、圖案形成方法及電子器件之製造方法。

以下，將對本發明進行詳細說明。 以下所記載的對構成要素之說明，有時係基於本發明之代表性實施態樣而進行，但本發明並不限定於該等實施態樣。 關於本說明書中之基團（原子團）的表述，只要不違背本發明之主旨，未記載取代及無取代之表述者，既包括不具有取代基的基團，亦包括含有取代基的基團。例如，所謂「烷基」，不僅包括不具有取代基的烷基（無取代烷基），亦包括具有取代基的烷基（取代烷基）。又，本說明書中，所謂「有機基」，係指含有至少一個碳原子的基團。 作為取代基，若無特別指明，則較佳為一價的取代基。

本說明書中，「可以具有取代基」時的取代基的種類、取代基的位置及取代基的數量並無特別限定。取代基的數量，例如，可以為一個、兩個、三個、或更多個。作為取代基的例子，可舉出除氫原子之外的一價的非金屬原子團，例如，可以從以下取代基T中選擇。

（取代基T） 作為取代基T，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等鹵素原子；甲氧基、乙氧基及第三丁氧基等烷氧基；苯氧基及對-甲苯氧基等芳氧基；甲氧基羰基、丁氧羰基及苯氧羰基等烷氧羰基；乙醯氧基、丙醯氧基及苯甲醯氧基等醯氧基；乙醯基、苯甲醯基、異丁醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基及甲基草醯基等醯基；甲硫基及第三丁基硫烷基等烷基硫烷基；苯硫基丙基及對-甲苯基硫烷基等芳基硫基；烷基（例如，碳數1～10）；環烷基（例如，碳數3～20）；芳基（例如，碳數6～20）；雜芳基；羥基；羧基；甲醯基；磺基；氰基；烷基胺基羰基；芳基胺基羰基；磺醯胺基；矽烷基；胺基；單烷基胺基；二烷基胺基；芳基胺基；硝基；以及此等之組合。

本說明書中，所謂「光化射線」或「放射線」，例如，係意指以水銀燈之明線光譜、準分子雷射為代表的遠紫外線、極紫外線（EUV光：Extreme Ultraviolet）、X射線及電子束（EB：Electron Beam）。 本說明書中，所謂「光」，係意指光化射線或放射線。 本說明書中，所謂「曝光」，若無特別指明，不僅包括利用以水銀燈之明線光譜、準分子雷射為代表的遠紫外線、極紫外線（EUV：Extreme ultraviolet）及X射線等進行的曝光，亦包括利用電子束及離子束等粒子束進行的描繪。 本說明書中，所謂「～」係以將其前後記載之數值作為下限值及上限值而包含之意來使用。

本說明書中，所記載的二價的連結基的鍵結方向，若無特別指明，則無特別限制。例如，由「X-Y-Z」所成之式所表示的化合物中，當Y為-COO-時，Y既可以為-CO-O-，亦可以為-O-CO-。上述化合物既可以為「X-CO-O-Z」，亦可以為「X-O-CO-Z」。

本說明書中，（甲基）丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，（甲基）丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。 本說明書中，重量平均分子量（Mw）、數量平均分子量（Mn）及分散度（以下亦稱為「分子量分佈」）（Mw/Mn），係以利用GPC（Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透色譜）裝置（東曹（Tosoh）公司製HLC-8120GPC）藉由GPC測定（溶媒：四氫呋喃，流量（樣品注入量）：10μL，管柱：東曹公司製TSK gel Multipore HXL-M，管柱溫度：40°C，流速：1.0mL/分，檢測器：示差折射率檢測器（Refractive Index Detector））而得到的聚苯乙烯換算值來定義。

本說明書中，所謂酸解離常數（pKa），係表示水溶液中之pKa，具體而言，係使用下述軟體包1，將基於哈米特取代基常數及公知文獻值之資料庫的值，藉由計算求得的值。 軟體包1：Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD/Labs)。

pKa亦可以利用分子軌道計算法求得。作為具體方法，可舉出藉由基於熱力學循環計算水溶液中的H ⁺解離自由能來算出之方法。關於H ⁺解離自由能之計算方法，例如，可藉由DFT（密度泛函理論）來計算，但並不限於此，亦有其他各種方法報告於文獻等中。此外，可實施DFT的軟體有複數種，例如，可舉出Gaussian16。

本說明書中，所謂pKa，如上所述，係指使用軟體包1將基於哈米特取代基常數及公知文獻值之資料庫的值，藉由計算求得的值，然而在利用該方法無法算出pKa時，採用基於DFT（密度泛函理論）藉由Gaussian16得到的值。 本說明書中，pKa，如上述所示，係指「在水溶液中的pKa」，但是，在不能算出在水溶液中的pKa之情況下，採用「在二甲基亞碸（DMSO）溶液中的pKa」。

所謂「固體成分」，係意指形成感光化射線性或感放射線性膜（典型而言為光阻膜）的成分，不含溶劑。又，只要係形成感光化射線性或感放射線性膜的成分，則即使其性狀為液體狀，亦視為固體成分。

以下，對本發明進行詳細說明。

[感光化射線性或感放射線性樹脂組成物] 本發明之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（以下亦稱為「本發明之組成物」），其含有具有陰離子及由下述通式（N1）表示的陽離子的化合物（N）和藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）。

[化學式6]

通式（N1）中， R ^N1、R ^N2及R ^N3分別獨立地表示鹵代烷基或鹵素原子。其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個表示鹵代烷基，並且，至少一個表示鹵素原子。 k1表示2～5的整數。 k2及k3分別獨立地表示1～5的整數。 存在複數個之R ^N1可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N2時，複數個R ^N2可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N3時，複數個R ^N3可以相同亦可以不同。 其中， 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示2，則兩個R ^N3不同時在間位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 若k1表示3，兩個R ^N1在間位，一個R ^N1在對位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 若k1表示2，兩個R ^N1都在鄰位，k2表示2，兩個R ^N2都在鄰位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 R ^N4、R ^N5及R ^N6分別獨立地表示取代基。其中，R ^N4、R ^N5及R ^N6不表示鹵素原子或鹵代烷基。 存在複數個R ^N4時，複數個R ^N4可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N5時，複數個R ^N5可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N6時，複數個R ^N6可以相同亦可以不同。 k4表示0～3的整數。 k5及k6分別獨立地表示0～4的整數； 通式（N1）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。

本發明之組成物典型而言為光阻組成物，可以為正型光阻組成物，亦可以為負型光阻組成物。光阻組成物可以為鹼顯影用光阻組成物，亦可以為有機溶劑顯影用光阻組成物。本發明之光阻組成物可以為化學增幅型光阻組成物，亦可以為非化學增幅型光阻組成物。本發明之組成物較佳為化學增幅型光阻組成物。 使用本發明之組成物形成的膜為感光化射線性或感放射線性膜，典型而言為光阻膜。

本發明之組成物在形成極微細之圖案（例如，線寬為16nm以下的1:1線與空間圖案等）時的LWR性能及解析度優異之原因雖然尚未被詳細闡明，但本發明人等推測如下。 本發明之組成物中所包含的化合物（N）所具有的陽離子於三個芳香環（芳基）中的每一個具有鹵素原子及鹵代烷基中的至少一者，並且，作為化合物整體具有鹵素原子及鹵代烷基二者。又，在特定情況下，化合物（N）所具有的陽離子滿足關於鹵素原子及鹵代烷基的取代位置的特定條件。藉此，化合物（N）具有較高的陽離子分解效率，酸產生量得以提高，形成極微細之圖案時的LWR性能得以提高。此外，化合物（N）的陽離子分解物能夠抑制酸的擴散，在曝光部中酸難以擴散，因此解析度得以改善。

＜化合物（N）＞ 化合物（N）係至少含有一個由通式（N1）表示的陽離子（鋶離子）的化合物。 由通式（N1）表示的陽離子亦稱為「特定陽離子」。 化合物（N），除了至少一個特定陽離子之外，較佳為含有陰離子。 化合物（N）除了至少一個特定陽離子外，亦可以含有其他的陽離子。 根據陰離子的種類，化合物（N）既可以作為光酸產生劑發揮作用，亦可以作為酸擴散控制劑（猝滅劑）發揮作用。 又，化合物（N）亦可以兼作藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）。

化合物（N）的分子量並無限定，可以為低分子化合物，亦可以為高分子化合物。 化合物（N）為低分子化合物時，化合物（N）的分子量較佳為200～3500，更佳為300～3000，進一步較佳為400～2500。 化合物（N）為高分子化合物時，化合物（N）的重量平均分子量（Mw）較佳為3500～50000，更佳為4000～40000，進一步較佳為5000～30000。 化合物（N）為高分子化合物時，化合物（N）的分散度（分子量分佈，Mw/Mn）較佳為1～5，更佳為1～3，進一步較佳為1.2～3.0，特佳為1.2～2.0。 作為化合物（N）為高分子化合物之態樣，可舉出包含由通式（N1）表示的陽離子和具有陰離子的樹脂的態樣。作為由通式（N1）表示的陽離子和具有陰離子的樹脂，例如，可舉出化合物（N）兼作藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）的情況。此種情況下，樹脂（A）較佳為具有含有光酸產生基的重複單元，並且光酸產生基中所包含的陽離子為由通式（N1）所示的陽離子。作為化合物（N）兼作藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）之一態樣，可舉出化合物（N）為如下高分子化合物之情況，該高分子化合物具有陰離子及由通式（N1）表示的陽離子，還具有藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）中後述的重複單元。在這樣的態樣中，感光化射線性或感放射線性樹脂組成物可以另外含有樹脂（A），但亦較佳為不含有樹脂（A）。 又，作為化合物（N）為高分子化合物之態樣，也可舉出包含具有由通式（N1）表示的陽離子的樹脂和陰離子的態樣。

（由通式（N1）表示的陽離子） 將對由通式（N1）表示的陽離子進行說明。

通式（N1）中的R ^N1、R ^N2及R ^N3分別獨立地表示鹵代烷基或鹵素原子。 作為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵素原子，較佳為氟原子、氯原子、溴原子或碘原子，更佳為氟原子、氯原子或碘原子，最佳為氟原子。

R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。鹵代烷基的碳數並無特別限定，較佳為1～12，更佳為1～8，進一步較佳為1～5，特佳為1～4，最佳為1～3。鹵代烷基既可以為烷基的一些（至少一個）氫原子被鹵素原子取代的基團，亦可以為烷基的全部氫原子被鹵素原子取代的基團。 R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基的碳數，較佳為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基中的至少一個為上述範圍內的碳數，更佳為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵代烷基均為上述範圍內的碳數。 鹵代烷基可以具有取代基。作為取代基，例如可舉出上述的取代基T（其中，鹵素原子除外）。當取代基為有機基時，有機基的碳數較佳為1～12，更佳為1～8，進一步較佳為1～5，特佳為1～4。

作為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基，較佳為具有氟原子、氯原子、溴原子及碘原子中的至少一者的烷基，更佳為具有氟原子及碘原子中的至少一者的烷基，進一步較佳為氟代烷基，最佳為全氟烷基。

通式（N1）中的R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個表示鹵代烷基，並且，至少一個表示鹵素原子。即，通式（N1）中的k1個R ^N1、k2個R ^N2及k3個R ^N3中的至少一個表示鹵代烷基，並且，至少一個表示鹵素原子。 R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個較佳為表示氟原子。 較佳為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵素原子均為氟原子。 R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個較佳為表示氟代烷基，更佳為表示全氟烷基。 較佳為R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵代烷基均為氟代烷基，更佳為全氟烷基。 存在複數個之R ^N1可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N2時，複數個R ^N2可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N3時，複數個R ^N3可以相同亦可以不同。

k1表示2～5的整數。k1較佳為表示2～4的整數，更佳為表示2或3，進一步較佳為表示2。

k2及k3分別獨立地表示1～5的整數。k2及k3較佳為分別獨立地表示1～4的整數，更佳為表示1～3的整數，進一步較佳為表示1或2。

通式（N1）中的R ^N1、R ^N2及R ^N3的取代位置並不受限定。 其中，若R ^N1、R ^N2、k1、k2及k3符合下述（1）～（5）中的任一條，則R ^N3分別受到在下述（1）～（5）中所記載的取代位置的限制。 （1）若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 （2）若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示2，則兩個R ^N3不同時在間位。 （3）若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 （4）若k1表示3，兩個R ^N1在間位，一個R ^N1在對位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位。 （5）若k1表示2，兩個R ^N1都在鄰位，k2表示2，兩個R ^N2都在鄰位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位。 除上述特殊情況之外，R ^N3的取代位置不受限制。

在通式（N1）中，鄰位、間位及對位表示相對於硫原子的芳基上的位置。具體而言，下述通式（M1）中被Ro取代的位置為鄰位，被Rm取代的位置為間位，被Rp取代的位置為對位。

[化學式7]

通式（M1）中，Ro、Rm及Rp表示取代基。

通式（N1）中的R ^N4、R ^N5及R ^N6分別獨立地表示取代基。其中，R ^N4、R ^N5及R ^N6不表示鹵素原子及鹵代烷基。即，R ^N4、R ^N5及R ^N6與R ^N1、R ^N2及R ^N3相異。 R ^N4、R ^N5及R ^N6較佳為不含有鹵素原子。 作為R ^N4、R ^N5及R ^N6所表示的取代基，例如可舉出上述的取代基T（其中，鹵素原子除外），較佳為羥基、氰基、硝基或有機基。 當R ^N4、R ^N5及R ^N6表示有機基時，有機基的碳數較佳為1～15，更佳為1～10，進一步較佳為1～6。上述有機基並無特別限定，較佳為烷基、環烷基、烯基、芳基、雜環基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、醯基、烷氧羰基或芳氧羰基，更佳為烷基或烷氧基。烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。作為烷基，例如，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基等。烷氧基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。作為烷氧基，例如，可舉出甲氧基、乙氧基等。芳基可以為單環芳基，亦可以為多環芳基。作為芳基，例如，可舉出苯基、萘基、蒽基等，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。雜環基既可以為芳香族雜環基，亦可以為非芳香族雜環基。雜環基較佳為5員環基或6員環基。雜環基亦較佳為由5員環和5員環或6員環構成的稠環基。雜環基亦較佳為由6員環和5員環或6員環構成的稠環基。作為芳香族雜環基（雜芳基），較佳為含有選自由氮原子、硫原子及氧原子所組成之群組中的至少一個雜原子的芳香族雜環基。芳香族雜環基中作為環員所包含的碳原子亦可以被氧代基（＝O）取代。作為非芳香族雜環基（脂肪族雜環基），較佳為含有選自由氮原子、硫原子及氧原子所組成之群組中的至少一個雜原子的非芳香族雜環基。非芳香族雜環基中作為環員所包含的碳原子可以被氧代基（＝O）取代。 上述有機基可以具有取代基。作為取代基，例如可舉出上述的取代基T（其中，鹵素原子除外）。

存在複數個R ^N4時，複數個R ^N4可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N5時，複數個R ^N5可以相同亦可以不同。 存在複數個R ^N6時，複數個R ^N6可以相同亦可以不同。

k4表示0～3的整數。k4較佳為表示0～2的整數，更佳為表示0或1，進一步較佳為表示0。 k5及k6分別獨立地表示0～4的整數；k5及k6較佳為表示0～2的整數，更佳為表示0或1，進一步較佳為表示0。 當k4、k5及k6表示1以上的整數時，R ^N4、R ^N5及R ^N6的取代位置並無特別限定。

通式（N1）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。作為連結基，較佳為-O-、-CO-、-SO ₂-、-S-、-SO-、烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基、伸芳基等）、及將選自此等之兩種以上組合而成的二價的連結基，更佳為-CO-或-SO ₂-。

化合物（N）較佳為滿足下述條件1及2中的至少一個。較佳為藉由滿足下述條件1及2中的至少一個，化合物（N）的陽離子分解效率得以進一步提高。 條件1：k1表示2～4的整數，在R ^N1所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N1，並且，另一個間位沒有R ^N1。 條件2：k2及k3分別獨立地表示2～4的整數，在R ^N2所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N2，另一個間位沒有R ^N2，並且，在R ^N3所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N3，另一個間位沒有R ^N3。

由通式（N1）表示的陽離子較佳為由下述通式（N2）表示的陽離子。

[化學式8]

通式（N2）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6相同含意。 通式（N2）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。

通式（N2）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6的說明、具體例及較佳範圍分別與關於通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6的記載相同。

通式（N2）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。作為連結基，較佳為-O-、-CO-、-SO ₂-、-S-、-SO-、烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基、伸芳基等）、及將選自此等之兩種以上組合而成的二價的連結基，更佳為-CO-或-SO ₂-。

由通式（N1）表示的陽離子及由通式（N2）表示的陽離子較佳為由下述通式（N3）表示的陽離子。

[化學式9]

通式（N3）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意。 k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。 通式（N3）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。

通式（N3）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k4的說明、具體例及較佳範圍分別與關於通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4的記載相同。

通式（N3）中的k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。k7及k8較佳為表示0～2的整數，更佳為表示0或1，進一步較佳為表示0。

通式（N3）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。作為連結基，較佳為-O-、-CO-、-SO ₂-、-S-、-SO-、烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基、伸芳基等）、及將選自此等之兩種以上組合而成的二價的連結基，更佳為-CO-或-SO ₂-。

由通式（N1）表示的陽離子亦較佳為由下述通式（N4）或（N5）表示的陽離子。

[化學式10]

通式（N4）及（N5）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意。 k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。 通式（N4）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。 通式（N5）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。

通式（N4）和（N5）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4的說明、具體例及較佳範圍分別與關於通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4的記載相同。

通式（N4）及（N5）中的k7及k8分別獨立地表示0～3的整數。k7及k8較佳為表示0～2的整數，更佳為表示0或1，進一步較佳為表示0。

通式（N4）及（N5）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。作為連結基，較佳為-O-、-CO-、-SO ₂-、-S-、-SO-、烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基、伸芳基等）、及將選自此等之兩種以上組合而成的二價的連結基，更佳為-CO-或-SO ₂-。

特定陽離子可以具有酸分解性基。關於酸分解性基，與後述的樹脂（A）的說明中的酸分解性基相同。一較佳態樣為特定陽離子不具有酸分解性基。

特定陽離子，例如，可藉由依據以下文獻之方法等來合成。 ・J. Org. Chem., Vol.53, No.23, 1988, 5571-5573

下面列出特定陽離子的具體例，但本發明並不限定於此。

[化學式11]

[化學式12]

[化學式13]

化合物（N）較佳為具有選自由下述通式（N6）表示的基團、＊-SO ₃ ^-及＊-CO ₂ ^-所組成之群組中的至少一者。 化合物（N）含有特定陽離子和有機陰離子，有機陰離子較佳為具有選自由下述通式（N6）表示的基團、＊-SO ₃ ^-及＊-CO ₂ ^-所組成之群組中的至少一者。＊表示鍵結位置。

[化學式14]

通式（N6）中， L ^N1及L ^N2分別獨立地表示-SO ₂-或-CO-。 ＊表示鍵結位置。

（有機陰離子） 化合物（N）的一較佳態樣為，化合物（N）係由「M ⁺X ^-」表示的化合物。 M ⁺表示上述的特定陽離子。 X ^-表示有機陰離子。 作為有機陰離子並無特別限制，可舉出1或2價以上的有機陰離子。 作為有機陰離子，較佳為引起親核反應的能力極低的陰離子，更佳為非親核性陰離子。

作為非親核性陰離子，例如，可舉出磺酸陰離子（脂肪族磺酸陰離子、芳香族磺酸陰離子、及樟腦磺酸陰離子等）、羧酸陰離子（脂肪族羧酸陰離子、芳香族羧酸陰離子、及芳烷基羧酸陰離子等）、磺醯亞胺陰離子、雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子、及參（烷基磺醯基）甲基化物陰離子。

脂肪族磺酸陰離子及脂肪族羧酸陰離子中的脂肪族部位可以為直鏈狀或支鏈狀的烷基，亦可以為環烷基，較佳為碳數1～30之直鏈狀或支鏈狀的烷基、或碳數3～30之環烷基。 上述烷基，例如，可以為氟烷基（可以具有氟原子之外的取代基。亦可以為全氟烷基）。

作為芳香族磺酸陰離子及芳香族羧酸陰離子中的芳基，較佳為碳數6～14之芳基，例如，可舉出苯基、甲苯基、及萘基。

上述舉出的烷基、環烷基、及芳基可以具有取代基。作為取代基並無特別限制，例如，可舉出硝基、氟原子及氯原子等鹵素原子、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基（較佳為碳數1～15）、烷基（較佳為碳數1～10）、環烷基（較佳為碳數3～15）、芳基（較佳為碳數6～14）、烷氧羰基（較佳為碳數2～7）、醯基（較佳為碳數2～12）、烷氧基羰氧基（較佳為碳數2～7）、烷硫基（較佳為碳數1～15）、烷基磺醯基（較佳為碳數1～15）、烷基亞胺基磺醯基（較佳為碳數1～15）、及芳氧基磺醯基（較佳為碳數6～20）。

作為芳烷基羧酸陰離子中的芳烷基，較佳為碳數7～14之芳烷基。 作為碳數7～14之芳烷基，例如，可舉出芐基、苯乙基、萘甲基、萘乙基、及萘丁基。

作為磺醯亞胺陰離子，例如，可舉出糖精陰離子。

作為雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子及參（烷基磺醯基）甲基化物陰離子中的烷基，較佳為碳數1～5之烷基。作為此等烷基的取代基，可舉出鹵素原子、被鹵素原子取代的烷基、烷氧基、烷硫基、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基、及環烷基芳氧基磺醯基，較佳為氟原子或被氟原子取代的烷基。 又，雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子中的烷基，亦可以相互鍵結而形成環結構。藉此，可增加酸強度。

作為其他非親核性陰離子，例如，可舉出氟化磷（例如，PF ₆ ^-）、氟化硼（例如，BF ₄ ^-）、及氟化銻（例如，SbF ₆ ^-）。

作為非親核性陰離子，較佳為磺酸的至少α位被氟原子取代的脂肪族磺酸陰離子、被氟原子或具有氟原子的基團取代的芳香族磺酸陰離子、烷基被氟原子取代的雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子、或烷基被氟原子取代的參（烷基磺醯基）甲基化物陰離子。其中，更佳為全氟脂肪族磺酸陰離子（較佳為碳數4～8）、或具有氟原子的苯磺酸陰離子，進一步較佳為九氟丁烷磺酸陰離子、全氟辛烷磺酸陰離子、五氟苯磺酸陰離子、或3,5-雙（三氟甲基）苯磺酸陰離子。

作為非親核性陰離子，亦較佳為由下述式（AN1）表示的陰離子。

[化學式15]

式（AN1）中，R ¹及R ²分別獨立地表示氫原子或取代基。 取代基並無特別限制，較佳為非拉電子基之基團。作為非拉電子基之基團，例如，可舉出烴基、羥基、氧烴基、氧羰基烴基、胺基、烴取代的胺基、及烴取代的醯胺基。 作為非拉電子基之基團，分別獨立地，較佳為-R’、-OH、-OR’、-OCOR’、-NH ₂、-NR’ ₂、-NHR’、或-NHCOR’。R’為一價的烴基。

作為由上述R’表示的一價的烴基，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、及丁基等烷基；乙烯基、丙烯基、及丁烯基等烯基；乙炔基、丙炔基、及丁炔基等炔基等一價的直鏈狀或支鏈狀的烴基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、降冰片基、及金剛烷基等環烷基；環丙烯基、環丁烯基、環戊烯基、及降冰片烯基等環烯基等一價的脂環烴基；苯基、甲苯基、二甲苯基、三甲苯基、萘基、甲基萘基、蒽基、及甲基蒽基等芳基；芐基、苯乙基、苯丙基、萘甲基、蒽甲基等芳烷基等一價的芳香族烴基。 其中，R ¹及R ²，分別獨立地，較佳為烴基（較佳為環烷基）或氫原子。

L表示二價的連結基。 存在複數個L時，L可以分別相同亦可以不同。 作為二價的連結基，例如，可舉出-O-CO-O-、-COO-、-CONH-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO ₂-、伸烷基（較佳為碳數1～6）、伸環烷基（較佳為碳數3～15）、伸烯基（較佳為碳數2〜6）、及將此等複數個組合而成的二價的連結基。其中，作為二價的連結基，較佳為-O-CO-O-、-COO-、-CONH-、-CO-、-O-、-SO ₂-、-O-CO-O-伸烷基-、-COO-伸烷基-、或-CONH-伸烷基-，更佳為-O-CO-O-、-O-CO-O-伸烷基-、-COO-、-CONH-、-SO ₂-、或-COO-伸烷基-。

作為L，例如，較佳為由下述式（AN1-1）表示的基團。 ＊ ^a-(CR ^2a ₂) _X-Q-(CR ^2b ₂) _Y-＊ ^b（AN1-1）

式（AN1-1）中，＊ ^a表示與式（AN1）中之R ³的鍵結位置。 ＊ ^b表示與式（AN1）中之-C(R ¹)(R ²)-的鍵結位置。 X及Y分別獨立地表示0～10的整數，較佳為0～3的整數。 R ^2a及R ^2b分別獨立地表示氫原子或取代基。 分別存在複數個R ^2a及R ^2b時，存在複數個之R ^2a及R ^2b可以分別相同亦可以不同。 其中，當Y為1以上時，與式（AN1）中的-C(R ¹)(R ²)-直接鍵結的CR ^2b ₂中的R ^2b係氟原子之外者。 Q表示＊ ^A-O-CO-O-＊ ^B、＊ ^A-CO-＊ ^B、＊ ^A-CO-O-＊ ^B、＊ ^A-O-CO-＊ ^B、＊ ^A-O-＊ ^B、＊ ^A-S-＊ ^B、或＊ ^A-SO ₂-＊ ^B。 其中，當式（AN1-1）中的X+Y為1以上，並且，式（AN1-1）中的R ^2a及R ^2b均為氫原子時，Q表示＊ ^A-O-CO-O-＊ ^B、＊ ^A-CO-＊ ^B、＊ ^A-O-CO-＊ ^B、＊ ^A-O-＊ ^B、＊ ^A-S-＊ ^B、或＊ ^A-SO ₂-＊ ^B。 ＊ ^A表示式（AN1）中之R ³側的鍵結位置，＊ ^B表示式（AN1）中之-SO ₃ ^-側的鍵結位置。

式（AN1）中，R ³表示有機基。 上述有機基只要具有一個以上的碳原子，則並無特別限制，可以為直鏈狀的基團（例如，直鏈狀的烷基）、支鏈狀的基團（例如，第三丁基等支鏈狀的烷基），亦可以為環狀的基團。上述有機基可以具有取代基，亦可以不具有取代基。上述有機基可以具有雜原子（氧原子、硫原子及/或氮原子等），亦可以不具有雜原子。

其中，R ³較佳為具有環狀結構的有機基。上述環狀結構可以為單環亦可以為多環，亦可以具有取代基。包含環狀結構的有機基中的環較佳為與式（AN1）中的L直接鍵結。 具有上述環狀結構的有機基，例如，可以具有雜原子（氧原子、硫原子及/或氮原子等），亦可以不具有雜原子。雜原子可以取代形成環狀結構的一個以上的碳原子。 具有上述環狀結構的有機基，例如，較佳為環狀結構的烴基、內酯環基、及磺內酯環基。其中，具有上述環狀結構的有機基，較佳為具有環狀結構的烴基。 上述環狀結構的烴基，較佳為單環或多環的環烷基。此等基團可以具有取代基。 上述環烷基可以為單環（環己基等）或多環（金剛烷基等），碳數較佳為5～12。 作為上述內酯基及磺內酯基，例如，在由后述式（LC1-1）～（LC1-21）表示的結構及由式（SL1-1）～（SL1-3）表示的結構的任一結構中，較佳為從構成內酯結構或磺內酯結構的環員原子中去除一個氫原子而成的基團。

作為非親核性陰離子，可以為苯磺酸陰離子，較佳為被支鏈狀的烷基或環烷基取代的苯磺酸陰離子。

作為非親核性陰離子，亦較佳為由下述式（AN2）表示的陰離子。

[化學式16]

式（AN2）中，o表示1～3的整數。p表示0～10的整數。q表示0～10的整數。

Xf表示氫原子、氟原子、被至少一個氟原子取代的烷基、或不具有氟原子的有機基。該烷基的碳數，較佳為1～10，更佳為1～4。作為被至少一個氟原子取代的烷基，較佳為全氟烷基。 Xf較佳為氟原子或碳數1～4之全氟烷基，更佳為氟原子或CF ₃，進一步較佳為兩者的Xf均為氟原子。

R ⁴及R ⁵分別獨立地表示氫原子、氟原子、烷基、或被至少一個氟原子取代的烷基。存在複數個R ⁴及R ⁵時，R ⁴及R ⁵可以分別相同亦可以不同。 由R ⁴及R ⁵表示的烷基，較佳為碳數1～4。上述烷基可以具有取代基。作為R ⁴及R ⁵，較佳為氫原子。

L表示二價的連結基。L的定義與式（AN1）中的L同義。

W表示含有環狀結構的有機基。其中，較佳為環狀有機基。 作為環狀有機基，例如，可舉出脂環基、芳基及雜環基。 脂環基可以為單環，亦可以為多環。作為單環的脂環基，例如，可舉出環戊基、環己基、及環辛基等單環的環烷基。作為多環的脂環基，例如，可舉出降冰片基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基、及金剛烷基等多環的環烷基。其中，較佳為降冰片基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等碳數7以上的具有大體積結構的脂環基。

芳基可以為單環或多環。作為上述芳基，例如，可舉出苯基、萘基、菲基、及蒽基。 雜環基可以為單環或多環。其中，為多環的雜環基時，能夠進一步抑制酸的擴散。雜環基可以具有芳香族性，亦可以不具有芳香族性。作為具有芳香族性的雜環，例如，可舉出呋喃環、噻吩環、苯並呋喃環、苯并噻吩環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環及吡啶環。作為不具有芳香族性的雜環，例如，可舉出四氫吡喃環、內酯環、磺內酯環、及十氫異喹啉環。作為雜環基中的雜環，較佳為呋喃環、噻吩環、吡啶環、或十氫異喹啉環。

上述環狀有機基可以具有取代基。作為上述取代基，例如，可舉出烷基（可以為直鏈狀及支鏈狀中之任一者，較佳為碳數1～12）、環烷基（可以為單環、多環、及螺環中之任一者，較佳為碳數3～20）、芳基（較佳為碳數6～14）、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基、及磺酸酯基。此外，構成環狀有機基的碳（有助於環形成的碳）亦可以為羰基碳。

作為由式（AN2）表示的陰離子，較佳為SO ₃ ^--CF ₂-CH ₂-OCO-(L) _q’-W、SO ₃ ^--CF ₂-CHF-CH ₂-OCO-(L) _q’-W、SO ₃ ^--CF ₂-COO-(L) _q’-W、SO ₃ ^--CF ₂-CF ₂-CH ₂-CH ₂-(L) _q-W、或SO ₃ ^--CF ₂-CH(CF ₃)-OCO-(L) _q’-W。在此，L、q及W與式（AN2）相同。q’表示0～10的整數。

作為非親核性陰離子，亦較佳為由下述式（AN3）表示的芳香族磺酸陰離子。

[化學式17]

式（AN3）中，Ar表示芳基（苯基等），可以進一步具有磺酸陰離子及-（D-B）基之外的取代基。作為可以進一步具有的取代基，例如，可舉出氟原子及羥基。 n表示0以上的整數。作為n，較佳為1～4，更佳為2～3，進一步較佳為3。

D表示單鍵或二價的連結基。作為二價的連結基，可舉出醚基、硫醚基、羰基、亞碸基、碸基、磺酸酯基、酯基、及由此等兩種以上之組合構成的基團。

B表示烴基。 作為B，較佳為脂肪族烴基，更佳為異丙基、環己基、或可以進一步具有取代基的芳基（三環己基苯基等）。

作為非親核性陰離子，亦較佳為二磺醯胺陰離子。 例如，二磺醯胺陰離子為由N ^-(SO ₂-R ^q) ₂表示的陰離子。 在此，R ^q表示可以具有取代基的烷基，較佳為氟烷基，更佳為全氟烷基。兩個R ^q可以相互鍵結而形成環。兩個R ^q相互鍵結而形成的基團，較佳為可以具有取代基的伸烷基，更佳為氟伸烷基，進一步較佳為全氟伸烷基。上述伸烷基的碳數較佳為2～4。

又，作為非親核性陰離子，亦可舉出由下述式（d1-1）～（d1-4）表示的陰離子。

[化學式18]

[化學式19]

式（d1-1）中，R ⁵¹表示可以具有取代基（例如，羥基）的烴基（例如，苯基等芳基）。

式（d1-2）中，Z ^2c表示可以具有取代基的碳數1～30之烴基（其中，與S相鄰的碳原子未被氟原子取代）。 Z ^2c中的上述烴基可以為直鏈狀亦可以為支鏈狀，亦可以具有環狀結構。又，上述烴基中的碳原子（較佳為上述烴基具有環狀結構時的、作為環員原子的碳原子）可以為羰基碳（-CO-）。作為上述烴基，例如，可舉出具有可以具有取代基的降冰片基的基團。形成上述降冰片基的碳原子可以為羰基碳。 式（d1-2）中的「Z ^2c-SO ₃ ^-」較佳為與由上述的式（AN1）～（AN3）表示的陰離子相異。例如，Z ^2c較佳為芳基之外者。例如，Z ^2c中相對於-SO ₃ ^-，α位及β位的原子較佳為具有氟原子作為取代基的碳原子之外的原子。例如，Z ^2c中相對於-SO ₃ ^-，α位的原子及/或β位的原子較佳為環狀基中的環員原子。

式（d1-3）中，R ⁵²表示有機基（較佳為具有氟原子的烴基），Y ³為直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基、伸芳基、或羰基，Rf表示烴基。

式（d1-4）中，R ⁵³及R ⁵⁴分別獨立地表示有機基（較佳為具有氟原子的烴基）。R ⁵³及R ⁵⁴可以相互鍵結而形成環。

有機陰離子可以單獨使用一種，亦可以使用兩種以上。

化合物（N）亦較佳為選自由化合物（NI）及化合物（NII）所組成之群組中的至少一個。

（化合物（NI）） 化合物（NI）係具有一個以上下述結構部位X及一個以上下述結構部位Y的化合物，並且係藉由光化射線或放射線之照射，產生包含源自下述結構部位X的下述第一酸性部位和源自下述結構部位Y的下述第二酸性部位的酸的化合物。 結構部位X：由陰離子部位A ₁ ^-和陽離子部位M ₁ ⁺組成，並且藉由光化射線或放射線之照射形成由HA ₁表示的第一酸性部位的結構部位。 結構部位Y：由陰離子部位A ₂ ^-和陽離子部位M ₂ ⁺組成，並且藉由光化射線或放射線之照射形成由HA ₂表示的第二酸性部位的結構部位。 上述化合物（NI）滿足下述條件I。

條件I：在上述化合物（N1）中，將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺及上述結構部位Y中的上述陽離子部位M ₂ ⁺取代為H ⁺而成的化合物PNI，具有源自將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₁表示的酸性部位的酸解離常數a1和源自將上述結構部位Y中的上述陽離子部位M ₂ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₂表示的酸性部位的酸解離常數a2，並且上述酸解離常數a2大於上述酸解離常數a1。

以下，將對條件I進行更具體的說明。 當化合物（NI），例如，為產生具有一個源自上述結構部位X的上述第一酸性部位和一個源自上述結構部位Y的上述第二酸性部位的酸的化合物時，化合物PNI相當於「具有HA ₁和HA ₂的化合物」。 所謂化合物PNI之酸解離常數a1及酸解離常數a2，更具體而言，係在求出了化合物PNI之酸解離常數之情況下，化合物PNI成為「具有A ₁ ^-和HA ₂的化合物」時的pKa為酸解離常數a1，上述「具有A ₁ ^-和HA ₂的化合物」成為「具有A ₁ ^-和A ₂ ^-的化合物」時的pKa為酸解離常數a2。

當化合物（NI），例如，為產生具有兩個源自上述結構部位X的上述第一酸性部位和一個源自上述結構部位Y的上述第二酸性部位的酸的化合物時，化合物PNI相當於「具有兩個HA ₁和一個HA ₂的化合物」。 在求出了化合物PNI之酸解離常數之情況下，化合物PNI成為「具有一個A ₁ ^-、一個HA ₁和一個HA ₂的化合物」時的酸解離常數及「具有一個A ₁ ^-、一個HA ₁和一個HA ₂的化合物」成為「具有兩個A ₁ ^-和一個HA ₂的化合物」時的酸解離常數相當於上述的酸解離常數a1。當「具有兩個A ₁ ^-和一個HA ₂的化合物」成為「具有兩個A ₁ ^-和A ₂ ^-的化合物」時的酸解離常數相當於酸解離常數a2。亦即，在化合物PNI之情況下，將源自上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₁表示的酸性部位的酸解離常數存在複數個時，酸解離常數a2的值大於複數個酸解離常數a1中的最大值。此外，當將化合物PNI成為「具有一個A ₁ ^-、一個HA ₁及一個HA ₂的化合物」時的酸解離常數設為aa、並將「具有一個A ₁ ^-、一個HA ₁及一個HA ₂的化合物」成為「具有兩個A ₁ ^-及一個HA ₂的化合物」時的酸解離常數設為ab時，aa與ab的關係滿足aa＜ab。

酸解離常數a1及酸解離常數a2可藉由上述的酸解離常數之測定方法而求出。 上述化合物PNI相當於對化合物（NI）照射光化射線或放射線時產生的酸。 化合物（NI）具有兩個以上的結構部位X時，結構部位X可以分別相同亦可以不同。又，兩個以上的上述A ₁ ^-及兩個以上的上述M ₁ ⁺可以分別相同亦可以不同。 化合物（NI）中，上述A ₁ ^-及上述A ₂ ^-、以及上述M ₁ ⁺及上述M ₂ ⁺可以分別相同亦可以不同，但上述A ₁ ^-及上述A ₂ ^-較佳為分別不同。

在上述化合物PNI中，酸解離常數a1（存在複數個酸解離常數a1時為最大值）與酸解離常數a2之差（絕對值），較佳為0.1以上，更佳為0.5以上，進一步較佳為1.0以上。此外，酸解離常數a1（存在複數個酸解離常數a1時為最大值）與酸解離常數a2之差（絕對值）的上限值並無特別限制，例如，為16以下。

在上述化合物PNI中，酸解離常數a2較佳為20以下，更佳為15以下。此外，作為酸解離常數a2的下限值，較佳為-4.0以上。

在上述化合物PNI中，酸解離常數a1較佳為2.0以下，更佳為0以下。此外，作為酸解離常數a1的下限值，較佳為-20.0以上。

陰離子部位A ₁ ^-及陰離子部位A ₂ ^-係含有帶負電荷的原子或原子團的結構部位，例如，可舉出選自由以下所示的式（AA-1）～（AA-3）及式（BB-1）～（BB-6）所組成之群組中的結構部位。 作為陰離子部位A ₁ ^-，較佳為可形成酸解離常數小的酸性部位者，其中，更佳為式（AA-1）～（AA-3）中之任一者，進一步較佳為式（AA-1）及（AA-3）中之任一者。 又，作為陰離子部位A ₂ ^-，較佳為可形成酸解離常數比陰離子部位A ₁ ^-大的酸性部位者，更佳為式（BB-1）～（BB-6）中之任一者，進一步較佳為式（BB-1）及（BB-4）中之任一者。 此外，在以下的式（AA-1）～（AA-3）及式（BB-1）～（BB-6）中，＊表示鍵結位置。 式（AA-2）中，R ^A表示一價的有機基。由R ^A表示的一價的有機基並無特別限制，例如，可舉出氰基、三氟甲基及甲磺醯基。

[化學式20]

[化學式21]

陰離子部位A ₁ ^-和陰離子部位A ₂ ^-較佳為具有選自由上述通式（N7）表示的基團、-SO ₃ ^-及-CO ₂ ^-所組成之群組中的至少一者。

陽離子部位M ₁ ⁺及陽離子部位M ₂ ⁺係包含帶正電荷的原子或原子團之結構部位，例如，可舉出電荷為一價的有機陽離子。M ₁ ⁺及M ₂ ⁺中的至少一個為上述的特定陽離子。

作為化合物（NI）的具體結構並無特別限制，例如，可舉出由後述之式（Ia-1）～式（Ia-5）表示的化合物。

-由式（Ia-1）表示的化合物- 以下，首先對由式（Ia-1）表示的化合物進行描述。

M ₁₁ ⁺A ₁₁ ^--L ₁-A ₁₂ ^-M ₁₂ ⁺（Ia-1）

由式（Ia-1）表示的化合物，藉由光化射線或放射線之照射，產生由HA ₁₁-L ₁-A ₁₂H表示的酸。

式（Ia-1）中，M ₁₁ ⁺及M ₁₂ ⁺分別獨立地表示有機陽離子。 A ₁₁ ^-及A ₁₂ ^-分別獨立地表示一價的陰離子性官能基。 L ₁表示二價的連結基。 M ₁₁ ⁺及M ₁₂ ⁺可以分別相同亦可以不同。 A ₁₁ ^-及A ₁₂ ^-可以分別相同亦可以不同，但較佳為相互不同。 其中，在上述式（Ia-1）中，在將由M ₁₁ ⁺及M ₁₂ ⁺表示的陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIa(HA ₁₁-L ₁-A ₁₂H)中，源自由A ₁₂H表示的酸性部位的酸解離常數a2大於源自由HA ₁₁表示的酸性部位的酸解離常數a1。此外，酸解離常數a1和酸解離常數a2的較佳值如上所述。化合物PNIa與藉由光化射線或放射線之照射而從由式（Ia-1）表示的化合物所產生的酸相同。 又，M ₁₁ ⁺、M ₁₂ ⁺、A ₁₁ ^-、A ₁₂ ^-及L ₁中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

式（Ia-1）中，M ₁₁ ⁺及M ₁₂ ⁺中的至少一個為上述的特定陽離子。

所謂由A ₁₁ ^-表示的一價的陰離子性官能基，係意指含有上述的陰離子部位A ₁ ^-的一價的基團。又，所謂由A ₁₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基，係意指包含上述的陰離子部位A ₂ ^-的一價的基團。 作為由A ₁₁ ^-及A ₁₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基，較佳為包含上述式（AA-1）～（AA-3）及式（BB-1）～（BB-6）中之任一者的陰離子部位的一價的陰離子性官能基，更佳為選自由式（AX-1）～（AX-3）及式（BX-1）～（BX-7）所組成之群組中的一價的陰離子性官能基。作為由A ₁₁ ^-表示的一價的陰離子性官能基，其中，較佳為由式（AX-1）～（AX-3）中的任一者表示的一價的陰離子性官能基。作為由A ₁₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基，其中，較佳為由式（BX-1）～（BX-7）中的任一者表示的一價的陰離子性官能基，更佳為由（BX-1）～（BX-6）中的任一者表示的一價的陰離子性官能基。

[化學式22]

式（AX-1）～（AX-3）中，R ^A1及R ^A2分別獨立地表示一價的有機基。＊表示鍵結位置。 由R ^A1表示的一價的有機基並無特別限制，例如，可舉出氰基、三氟甲基及甲磺醯基。

作為由R ^A2表示的一價的有機基，較佳為直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、或芳基。 上述烷基的碳數較佳為1～15，更佳為1～10，進一步較佳為1～6。 上述烷基可以具有取代基。作為取代基，較佳為氟原子或氰基，更佳為氟原子。上述烷基具有氟原子作為取代基時，亦可以為全氟烷基。

作為上述芳基，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。 上述芳基可以具有取代基。作為取代基，較佳為氟原子、碘原子、全氟烷基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6）、或氰基，更佳為氟原子、碘原子或全氟烷基。

式（BX-1）～（BX-4）及式（BX-6）中，R ^B表示一價的有機基。＊表示鍵結位置。 作為由R ^B表示的一價的有機基，較佳為直鏈狀、支鏈狀、或環狀的烷基，或芳基。 上述烷基的碳數較佳為1～15，更佳為1～10，進一步較佳為1～6。 上述烷基可以具有取代基。作為取代基並無特別限制，作為取代基較佳為氟原子或氰基，更佳為氟原子。上述烷基具有氟原子作為取代基時，亦可以為全氟烷基。 此外，當在烷基中成為鍵結位置的碳原子具有取代基時，亦較佳為氟原子或氰基之外的取代基。在此，所謂在烷基中成為鍵結位置的碳原子，例如，在式（BX-1）及（BX-4）之情況下，相當於與烷基中的式中所明示的-CO-直接鍵結的碳原子，在式（BX-2）及（BX-3）之情況下，相當於與烷基中的式中所明示的-SO ₂-直接鍵結的碳原子，在式（BX-6）之情況下，相當於與烷基中的式中所明示的N ^-直接鍵結的碳原子。 上述烷基的碳原子可以被羰基碳取代。

作為上述芳基，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。 上述芳基可以具有取代基。作為取代基，較佳為氟原子、碘原子、全氟烷基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6）、氰基、烷基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6）、烷氧基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6）、或烷氧羰基（例如，較佳為碳數2～10，更佳為碳數2～6），更佳為氟原子、碘原子、全氟烷基、烷基、烷氧基或烷氧羰基。

式（Ia-1）中，作為由L ₁表示的二價的連結基並無特別限制，可舉出-CO-、-NR-、-O-、-S-、-SO-、-SO ₂-，伸烷基（較佳為碳數1～6，可以為直鏈狀亦可以為支鏈狀）、伸環烷基（較佳為碳數3～15）、伸烯基（較佳為碳數2～6）、二價的脂肪族雜環基（較佳為在環結構內具有至少一個N原子、O原子、S原子或Se原子的5～10員環，更佳為5～7員環，進一步較佳為5～6員環。）、二價的芳香族雜環基（較佳為在環結構內具有至少一個N原子、O原子、S原子或Se原子的5～10員環，更佳為5～7員環，進一步較佳為5～6員環。）、二價的芳香族烴環基（較佳為6～10員環，更佳為6員環。）及將此等複數個組合而成的二價的連結基。上述R可舉出氫原子或一價的有機基。作為一價的有機基並無特別限制，例如，較佳為烷基（較佳為碳數1～6）。 上述伸烷基、上述伸環烷基、上述伸烯基、上述二價的脂肪族雜環基、二價的芳香族雜環基、及二價的芳香族烴環基可以具有取代基。作為取代基，例如，可舉出鹵素原子（較佳為氟原子）。

其中，作為由L ₁表示的二價的連結基，較佳為由式（L1）表示的二價的連結基。

[化學式23]

式（L1）中，L ₁₁₁表示單鍵或二價的連結基。 作為由L ₁₁₁表示的二價的連結基並無特別限制，例如，可舉出-CO-、-NH-、-O-、-SO-、-SO ₂-、或可以具有取代基的伸烷基（較佳為碳數1～6。可以為直鏈狀及支鏈狀中的任一種）、可以具有取代基的伸環烷基（較佳為碳數3～15）、可以具有取代基的芳基（較佳為碳數6～10）、及將此等複數個組合而成的二價的連結基。作為取代基並無特別限制，例如，可舉出鹵素原子。 p表示0～3的整數，較佳為表示1～3的整數。 v表示0或1的整數。 Xf ₁分別獨立地表示氟原子或被至少一個氟原子取代的烷基。該烷基的碳數，較佳為1～10，更佳為1～4。作為被至少一個氟原子取代的烷基，較佳為全氟烷基。 Xf ₂分別獨立地表示氫原子、可以具有氟原子作為取代基的烷基、或氟原子。該烷基的碳數，較佳為1～10，更佳為1～4。作為Xf ₂，其中，較佳為表示氟原子或被至少一個氟原子取代的烷基，更佳為氟原子或全氟烷基。 其中，作為Xf ₁及Xf ₂，分別獨立地，較佳為氟原子或碳數1～4之全氟烷基，更佳為氟原子或CF ₃。特別地，進一步較佳為Xf ₁及Xf ₂均為氟原子。 ＊表示鍵結位置。 式（Ia-1）中的L ₁表示由式（L1）表示的二價的連結基時，式（L1）中的L ₁₁₁側的鍵結鍵（＊）較佳為與式（Ia-1）中的A ₁₂ ^-鍵結。

-由式（Ia-2）～（Ia-4）表示的化合物- 接著，將對由式（Ia-2）～（Ia-4）表示的化合物進行說明。

[化學式24]

式（Ia-2）中，A _21a ^-及A _21b ^-分別獨立地表示一價的陰離子性官能基。在此，由A _21a ^-及A _21b ^-表示的一價的陰離子性官能基，係意指包含上述的陰離子部位A ₁ ^-的一價的基團。作為由A _21a ^-及A _21b ^-表示的一價的陰離子性官能基並無特別限制，例如，可舉出選自由上述的式（AX-1）～（AX-3）所組成之群組中的一價的陰離子性官能基。 A ₂₂ ^-表示二價的陰離子性官能基。在此，所謂由A ₂₂ ^-表示的二價的陰離子性官能基，係意指包含上述陰離子部位A ₂ ^-的二價的連結基。作為由A ₂₂ ^-表示的二價的陰離子性官能基，例如，可舉出由以下所示的式（BX-8）～（BX-11）表示的二價的陰離子性官能基。

[化學式25]

M _21a ⁺、M _21b ⁺及M ₂₂ ⁺分別獨立地表示有機陽離子。M _21a ⁺、M _21b ⁺及M ₂₂ ⁺中的至少一個為上述的特定陽離子。 L ₂₁及L ₂₂分別獨立地表示二價的有機基。

在上述式（Ia-2）中，在將由M _21a ⁺、M _21b ⁺及M ₂₂ ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIa-2中，源自由A ₂₂H表示的酸性部位的酸解離常數a2大於源自由A _21aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-1及源自由A _21bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-2。此外，酸解離常數a1-1及酸解離常數a1-2，相當於上述的酸解離常數a1。 此外，A _21a ^-及A _21b ^-可以相互相同亦可以不同。M _21a ⁺、M _21b ⁺及M ₂₂ ⁺可以相互相同亦可以不同。 M _21a ⁺、M _21b ⁺、M ₂₂ ⁺、A _21a ^-、A _21b ^-、L ₂₁及L ₂₂中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

式（Ia-3）中，A _31a ^-及A ₃₂ ^-分別獨立地表示一價的陰離子性官能基。此外，由A _31a ^-表示的一價的陰離子性官能基的定義與上述式（Ia-2）中的A _21a ^-及A _21b ^-同義，並且較佳態樣亦相同。 由A ₃₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基，係意指包含上述的陰離子部位A ₂ ^-的一價的基團。作為由A ₃₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基並無特別限制，例如，可舉出選自由上述的式（BX-1）～（BX-7）所組成之群組中的一價的陰離子性官能基。 A _31b ^-表示二價的陰離子性官能基。在此，所謂由A _31b ^-表示的二價的陰離子性官能基，係意指包含上述陰離子部位A ₁ ^-的二價的連結基。作為由A _31b ^-表示的二價的陰離子性官能基，例如，可舉出由以下所示的式（AX-4）表示的二價的陰離子性官能基。

[化學式26]

M _31a ⁺、M _31b ⁺及M ₃₂ ⁺分別獨立地表示一價的有機陽離子。M _31a ⁺、M _31b ⁺及M ₃₂ ⁺中的至少一個為上述的特定陽離子。 L ₃₁及L ₃₂分別獨立地表示二價的有機基。

在上述式（Ia-3）中，在將由M _31a ⁺、M _31b ⁺及M ₃₂ ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIa-3中，源自由A ₃₂H表示的酸性部位的酸解離常數a2大於源自由A _31aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-3及源自由A _31bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-4。此外，酸解離常數a1-3及酸解離常數a1-4，相當於上述的酸解離常數a1。 此外，A _31a ^-及A ₃₂ ^-可以相互相同亦可以不同。又，M _31a ⁺、M _31b ⁺及M ₃₂ ⁺可以相互相同亦可以不同。 M _31a ⁺、M _31b ⁺、M ₃₂ ⁺、A _31a ^-、A ₃₂ ^-、L ₃₁及L ₃₂中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

式（Ia-4）中，A _41a ^-、A _41b ^-及A ₄₂ ^-分別獨立地表示一價的陰離子性官能基。此外，由A _41a ^-及A _41b ^-表示的一價的陰離子性官能基的定義與上述式（Ia-2）中的A _21a ^-及A _21b ^-同義。由A ₄₂ ^-表示的一價的陰離子性官能基的定義與上述式（Ia-3）中的A ₃₂ ^-同義，並且較佳態樣亦相同。 M _41a ⁺、M _41b ⁺及M ₄₂ ⁺分別獨立地表示有機陽離子。 L ₄₁表示三價的有機基。

在上述式（Ia-4）中，在將由M _41a ⁺、M _41b ⁺及M ₄₂ ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIa-4中，源自由A ₄₂H表示的酸性部位的酸解離常數a2大於源自由A _41aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-5及源自由A _41bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-6。此外，酸解離常數a1-5及酸解離常數a1-6，相當於上述的酸解離常數a1。 此外，A _41a ^-、A _41b ^-及A ₄₂ ^-可以相互相同亦可以不同。又，M _41a ⁺、M _41b ⁺及M ₄₂ ⁺可以相互相同亦可以不同。 M _41a ⁺、M _41b ⁺、M ₄₂ ⁺、A _41a ^-、A _41b ^-、A ₄₂ ^-及L ₄₁中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

作為由式（Ia-2）中的L ₂₁及L ₂₂、以及式（Ia-3）中的L ₃₁及L ₃₂表示的二價的有機基並無特別限制，例如，可舉出-CO-、-NR-、-O-、-S-、-SO-、-SO ₂-、伸烷基（較佳為碳數1～6，可以為直鏈狀亦可以為支鏈狀）、伸環烷基（較佳為碳數3～15）、伸烯基（較佳為碳數2～6）、二價的脂肪族雜環基（較佳為在環結構內具有至少一個N原子、O原子、S原子或Se原子的5～10員環，更佳為5～7員環，進一步較佳為5～6員環。）、二價的芳香族雜環基（較佳為在環結構中具有至少一個N原子、O原子、S原子或Se原子的5～10員環，更佳為5～7員環，進一步較佳為5～6員環。）、二價的芳香族烴環基（較佳為6～10員環，更佳為6員環。）、及將此等複數個組合而成的二價的有機基。上述-NR-中的R可舉出氫原子或一價的有機基。作為一價的有機基並無特別限制，例如，較佳為烷基（較佳為碳數1～6）。 上述伸烷基、上述伸環烷基、上述伸烯基、上述二價的脂肪族雜環基、二價的芳香族雜環基、及二價的芳香族烴環基可以具有取代基。作為取代基，例如，可舉出鹵素原子（較佳為氟原子）。

作為由式（Ia-2）中的L ₂₁及L ₂₂、以及式（Ia-3）中的L ₃₁及L ₃₂表示的二價的有機基，例如，亦較佳為由下述式（L2）表示的二價的有機基。

[化學式27]

式（L2）中，q表示1～3的整數。＊表示鍵結位置。 Xf分別獨立地表示氟原子或被至少一個氟原子取代的烷基。該烷基的碳數，較佳為1～10，更佳為1～4。作為被至少一個氟原子取代的烷基，較佳為全氟烷基。 Xf較佳為氟原子或碳數1～4之全氟烷基，更佳為氟原子或CF ₃。特別地，進一步較佳為兩者的Xf均為氟原子。

L _A表示單鍵或二價的連結基。 作為由L _A表示的二價的連結基並無特別限制，例如，可舉出-CO-、-O-、-SO-、-SO ₂-、伸烷基（較佳為碳數1～6。可以為直鏈狀亦可以為支鏈狀）、伸環烷基（較佳為碳數3～15）、二價的芳香族烴環基（較佳為6～10員環，進一步較佳為6員環）、及將此等複數個組合而成的二價的連結基。 上述伸烷基、上述伸環烷基、及二價的芳香族烴環基可以具有取代基。作為取代基，例如，可舉出鹵素原子（較佳為氟原子）。

作為由式（L2）表示的二價的有機基，例如，可舉出＊-CF ₂-＊、＊-CF ₂-CF ₂-＊、＊-CF ₂-CF ₂-CF ₂-＊、＊-Ph-O-SO ₂-CF ₂-＊、＊-Ph-O-SO ₂-CF ₂-CF ₂-＊、＊-Ph-O-SO ₂-CF ₂-CF ₂-CF ₂-＊及＊-Ph-OCO-CF ₂-＊。此外，所謂Ph係可以具有取代基的伸苯基，較佳為1,4-伸苯基。作為取代基並無特別限制，但較佳為烷基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6。）、烷氧基（例如，較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6。）、或烷氧羰基（例如，較佳為碳數2～10，更佳為碳數2～6。）。 當式（Ia-2）中的L ₂₁及L ₂₂表示由式（L2）表示的二價的有機基時，式（L2）中的L _A側的鍵結鍵（＊）較佳為與式（Ia-2）中的A _21a ^-及A _21b ^-鍵結。 當式（Ia-3）中的L ₃₁及L ₃₂表示由式（L2）表示的二價的有機基時，式（L2）中的L _A側的鍵結鍵（＊）較佳為與式（Ia-3）中的A _31a ^-及A ₃₂ ^-鍵結。

-由式（Ia-5）表示的化合物- 接著，將對式（Ia-5）進行說明。

[化學式28]

式（Ia-5）中，A _51a ^-、A _51b ^-及A _51c ^-分別獨立地表示一價的陰離子性官能基。在此，由A _51a ^-、A _51b ^-及A _51c ^-表示的一價的陰離子性官能基，係意指包含上述的陰離子部位A ₁ ^-的一價的基團。作為由A _51a ^-、A _51b ^-及A _51c ^-表示的一價的陰離子性官能基並無特別限制，例如，可舉出選自由上述的式（AX-1）～（AX-3）所組成之群組中的一價的陰離子性官能基。 A _52a ^-及A _52b ^-表示二價的陰離子性官能基。在此，由A _52a ^-及A _52b ^-表示的二價的陰離子性官能基，係意指包含上述的陰離子部位A ₂ ^-的二價的連結基。作為由A ₂₂ ^-表示的二價的陰離子性官能基，例如，可舉出選自由上述的式（BX-8）～（BX-11）所組成之群組中的二價的陰離子性官能基。

M _51a ⁺、M _51b ⁺、M _51c ⁺、M _52a ⁺及M _52b ⁺分別獨立地表示有機陽離子。M _51a ⁺、M _51b ⁺、M _51c ⁺、M _52a ⁺及M _52b ⁺中的至少一個為上述的特定陽離子。 L ₅₁及L ₅₃分別獨立地表示二價的有機基。作為由L ₅₁及L ₅₃表示的二價的有機基，與上述式（Ia-2）中的L ₂₁及L ₂₂同義，並且較佳態樣亦相同。 L ₅₂表示三價的有機基。作為由L ₅₂表示的三價的有機基，與上述式（Ia-4）中的L ₄₁同義，並且較佳態樣亦相同。

在上述式（Ia-5）中，在將由M _51a ⁺、M _51b ⁺、M _51c ⁺、M _52a ⁺及M _52b ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIa-5中，源自由A _52aH表示的酸性部位的酸解離常數a2-1及源自由A _52bH表示的酸性部位的酸解離常數a2-2大於源自由A _51aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-1、源自由A _51bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-2及源自由A _51cH表示的酸性部位的酸解離常數a1-3。此外，酸解離常數a1-1～a1-3相當於上述酸解離常數a1，酸解離常數a2-1及a2-2相當於上述的酸解離常數a2。 此外，A _51a ^-、A _51b ^-及A _51c ^-可以相互相同亦可以不同。又，A _52a ^-及A _52b ^-可以相互相同亦可以不同。M _51a ⁺、M _51b ⁺、M _51c ⁺、M _52a ⁺及M _52b ⁺可以相互相同亦可以不同。 M _51b ⁺、M _51c ⁺、M _52a ⁺、M _52b ⁺、A _51a ^-、A _51b ^-、A _51c ^-、L ₅₁、L ₅₂及L ₅₃中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

（化合物（NII）） 化合物（NII）係具有兩個以上的上述結構部位X及一個以上的下述結構部位Z的化合物，且係藉由光化射線或放射線之照射而產生包含兩個以上的源自上述結構部位X的第一酸性部位和上述結構部位Z的酸的化合物。 結構部位Z：能夠中和酸的非離子性之部位。

化合物（NII）中，結構部位X的定義以及A ₁ ^-及M ₁ ⁺的定義與上述的化合物（NI）中的結構部位X的定義、以及A ₁ ^-及M ₁ ⁺的定義同義，並且較佳態樣亦相同。

在上述化合物（NII）中，在將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺取代為H ⁺而成的化合物PNII中，源自將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₁表示的酸性部位的酸解離常數a1的較佳範圍與上述化合物PNI中的酸解離常數a1相同。 此外，例如，當化合物（NII）為產生具有兩個源自上述結構部位X的上述第一酸性部位及上述結構部位Z的酸之化合物時，化合物PNII相當於「具有兩個HA ₁的化合物」。在求出了該化合物PNII的酸解離常數之情況下，化合物PNII成為「具有一個A ₁ ^-和一個HA ₁的化合物」時的酸解離常數及「具有一個A ₁ ^-和一個HA ₁的化合物」成為「具有兩個A ₁ ^-的化合物」時的酸解離常數，相當於酸解離常數a1。

酸解離常數a1可藉由上述的酸解離常數的測定方法而求出。 上述化合物PNII相當於對化合物（NII）照射光化射線或放射線時所產生的酸。 此外，上述兩個以上的結構部位X可以分別相同亦可以不同。兩個以上的上述A ₁ ^-及兩個以上的上述M ₁ ⁺可以分別相同亦可以不同。

作為能夠中和結構部位Z中的酸的非離子性之部位並無特別限制，例如，較佳為含有能夠與質子靜電相互作用的基團或具有電子的官能基的部位。 作為能夠與質子靜電相互作用的基團或具有電子的官能基，例如，可舉出環狀聚醚等具有大環結構的官能基或具有含有無助於π共軛的非共用電子對的氮原子的官能基。具有無助於π共軛之非共用電子對的氮原子係指，例如，具有下述式所示的部分結構之氮原子。

[化學式29]

作為能夠與質子靜電相互作用的基團或具有電子的官能基的部分結構，例如，可舉出冠醚結構、氮雜冠醚結構、1～3級胺結構、吡啶結構、咪唑結構及吡嗪結構，其中，較佳為1～3級胺結構。

作為化合物（NII）並無特別限制，例如，可舉出由下述式（IIa-1）及下述式（IIa-2）表示的化合物。

[化學式30]

上述式（IIa-1）中，A _61a ^-及A _61b ^-分別與上述式（Ia-1）中的A ₁₁ ^-同義，並且較佳態樣亦相同。又，M _61a ⁺及M _61b ⁺分別與上述式（Ia-1）中的M ₁₁ ⁺同義，並且較佳態樣亦相同。 上述式（IIa-1）中，L ₆₁及L ₆₂分別與上述式（Ia-1）中的L ₁同義，並且較佳態樣亦相同。

式（IIa-1）中，R _2X表示一價的有機基。作為由R _2X表示的一價的有機基並無特別限制，可舉出烷基（較佳為碳數1～10，可以為直鏈狀亦可以為支鏈狀）、環烷基（較佳為碳數3～15）、或烯基（較佳為碳數2～6）。由R _2X表示的一價的有機基中的烷基、環烷基及烯基中所包含的-CH ₂-可以被選自由-CO-、-NH-、-O-、-S-、-SO-，及-SO ₂-所組成之群組中的一種或兩種以上的組合取代。 上述伸烷基、上述伸環烷基、及上述伸烯基可以具有取代基。作為取代基並無特別限制，例如，可舉出鹵素原子（較佳氟原子）。

在上述式（IIa-1）中，在將由M _61a ⁺及M _61b ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIIa-1中，源自由A _61aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-7及源自由A _61bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-8相當於上述的酸解離常數a1。 此外，在上述式（IIa-1）中將上述結構部位X中的上述陽離子部位M _61a ⁺及M _61b ⁺取代為H ⁺而成的化合物PNIIa-1相當於HA _61a-L ₆₁-N(R _2X)-L ₆₂-A _61bH。又，化合物PNIIa-1與藉由光化射線或放射線之照射而從由式（IIa-1）表示的化合物產生的酸相同。 M _61a ⁺、M _61b ⁺、A _61a ^-、A _61b ^-、L ₆₁、L ₆₂及R _2X中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

上述式（IIa-2）中，A _71a ^-、A _71b ^-及A _71c ^-分別與上述式（Ia-1）中的A ₁₁ ^-同義，並且較佳態樣亦相同。M _71a ⁺、M _71b ⁺及M _71c ⁺分別與上述式（Ia-1）中的M ₁₁ ⁺同義，並且較佳態樣亦相同。 上述式（IIa-2）中，L ₇₁、L ₇₂及L ₇₃分別與上述式（Ia-1）中的L ₁同義，並且較佳態樣亦相同。

在上述式（IIa-2）中，在將由M _71a ⁺、M _71b ⁺及M _71c ⁺表示的有機陽離子取代為H ⁺而成的化合物PNIIa-2中，源自由A _71aH表示的酸性部位的酸解離常數a1-9、源自由A _71bH表示的酸性部位的酸解離常數a1-10及源自由A _71cH表示的酸性部位的酸解離常數a1-11，相當於上述的酸解離常數a1。 此外，在上述式（IIa-1）中，將上述結構部位X中的上述陽離子部位M _71a ⁺、M _71b ⁺及M _71c ⁺取代為H ⁺而成的化合物PNIIa-2，相當於HA _71a-L ₇₁-N（L ₇₃-A _71cH）-L ₇₂-A _71bH。又，化合物PNIIa-2與藉由光化射線或放射線之照射而從由式（IIa-2）表示的化合物產生的酸相同。 M _71a ⁺、M _71b ⁺、M _71c ⁺、A _71a ^-、A _71b ^-、A _71c ^-、L ₇₁、L ₇₂及L ₇₃中的至少一個可以具有酸分解性基作為取代基。

例示化合物（NI）及化合物（NII）可能具有的除陽離子之外的部位。

[化學式31]

[化學式32]

本發明之組成物中，化合物（N）可以單獨使用一種，亦可以併用兩種以上。

本發明之組成物中的化合物（N）的含量並無特別限定。 例如，在化合物（N）用作光酸產生劑之情況下，本發明之組成物中的化合物（N）的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.5質量%以上，更佳為1.0質量%以上。本發明之組成物中的化合物（N）的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為55.0質量%以下，更佳為30.0質量%以下，進一步較佳為25.0質量%以下。 例如，當化合物（N）用作酸擴散控制劑時，本發明之組成物中的化合物（N）的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.1～15.0質量%，更佳為1.0～15.0質量%以上。 又，例如，當化合物（N）兼作藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）時，本發明之組成物中的化合物（N）的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為40.0～99.9質量%，更佳為60.0～98.0質量%。

＜藉由酸的作用而極性增大之樹脂（A）＞ 將對藉由酸的作用而極性增大之樹脂（A）（亦稱為「樹脂（A）」進行說明）。樹脂（A）係酸分解性樹脂。 樹脂（A）通常含有藉由酸的作用發生分解而極性增大的基團（亦稱為「酸分解性基」），較佳為包含具有酸分解性基的重複單元。樹脂（A）具有酸分解性基時，在本說明書中的圖案形成方法中，典型而言，當採用鹼性顯影液作為顯影液時，可較佳地形成正型圖案，當採用有機系顯影液作為顯影液時，可較佳地形成負型圖案。 作為具有酸分解性基的重複單元，除了後述的具有酸分解性基的重複單元以外，較佳為具有包含不飽和鍵的酸分解性基的重複單元。

（具有酸分解性基的重複單元） 所謂酸分解性基，係藉由酸的作用分解而產生極性基的基團。酸分解性基較佳為具有以藉由酸的作用脫離的基團（脫離基）來保護極性基之結構。亦即，樹脂（A）具有重複單元，該重複單元具有藉由酸的作用發生分解而產生極性基的基團。具有該重複單元的樹脂，藉由酸的作用，極性增大，從而相對於鹼性顯影液的溶解度增大，相對於有機溶劑的溶解度減小。 作為極性基，較佳為鹼可溶性基，例如，可舉出羧基、酚性羥基、氟化醇基、磺酸基、磷酸基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、（烷基磺醯基）（烷基羰基）亞甲基、（烷基磺醯基）（烷基羰基）醯亞胺基、雙（烷基羰基）亞甲基、雙（烷基羰基）亞胺基、雙（烷基磺醯基）亞甲基、雙（烷基磺醯基）醯亞胺基、三（烷基羰基）亞甲基及三（烷基磺醯基）亞甲基等酸性基，以及醇性羥基。 其中，作為極性基，較佳為羧基、酚性羥基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）、或磺酸基。

作為藉由酸的作用而脫離的基團，例如，可舉出由式（Y1）～（Y4）表示的基團。 式（Y1）：-C(Rx ₁)(Rx ₂)(Rx ₃) 式（Y2）：-C(=O)OC(Rx ₁)(Rx ₂)(Rx ₃) 式（Y3）：-C(R ₃₆)(R ₃₇)(OR ₃₈) 式（Y4）：-C(Rn)(H)(Ar)

式（Yl）及式（Y2）中，Rx ₁～Rx ₃分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）、環烷基（單環或多環）、烯基（直鏈狀或支鏈狀）、或芳基（單環或多環）。此外，當所有Rx ₁～Rx ₃均為烷基（直鏈狀或支鏈狀）時，Rx ₁～Rx ₃中的至少兩個較佳為甲基。 其中，Rx ₁～Rx ₃，分別獨立地，較佳為表示直鏈狀或支鏈狀的烷基，Rx ₁～Rx ₃，分別獨立地，更佳為表示直鏈狀的烷基。 Rx ₁～Rx ₃中的兩個可以鍵結而形成單環或多環。 作為Rx ₁～Rx ₃的烷基，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基及第三丁基等碳數1～5之烷基。 作為Rx ₁～Rx ₃的環烷基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基、以及降冰片基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。 作為Rx ₁～Rx ₃的芳基，較佳為碳數6～10之芳基，例如，可舉出苯基、萘基及蒽基。 作為Rx ₁～Rx ₃的烯基，較佳為乙烯基。 作為Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環，較佳為環烷基。作為Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基，較佳為環戊基或者環己基等單環的環烷基、或降冰片基、四環癸基、四環十二烷基或者金剛烷基等多環的環烷基，更佳為碳數5～6之單環的環烷基。 Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基，其中構成環的亞甲基中的一個可以被氧原子等雜原子、羰基等含有雜原子的基團或亞乙烯基取代。此等環烷基中，構成環烷烴環的一個以上伸乙基可以被伸乙烯基取代。 由式（Y1）或式（Y2）表示的基團較佳為，例如，Rx ₁為甲基或乙基，且Rx ₂與Rx ₃鍵結而形成上述的環烷基之態樣。 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，例如，係EUV曝光用光阻組成物之情況下，由Rx ₁～Rx ₃表示的烷基、環烷基、烯基、芳基、以及Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環，進一步亦較佳為具有氟原子或碘原子作為取代基。

式（Y3）中，R ₃₆～R ₃₈分別獨立地表示氫原子或一價的有機基。R ₃₇和R ₃₈可以相互鍵結而形成環。作為一價的有機基，可舉出烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基。R ₃₆較佳為氫原子。 此外，上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基中，可含有氧原子等雜原子及/或羰基等包含雜原子的基團。例如，在上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基中，一個以上的亞甲基可以被氧原子等雜原子及/或羰基等包含雜原子的基團取代。 R ₃₈可以與重複單元的主鏈所具有的另一取代基相互鍵結而形成環。R ₃₈與重複單元之主鏈所具有的另一取代基相互鍵結而形成的基團較佳為亞甲基等伸烷基。 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，例如，係EUV曝光用光阻組成物之情況下，由R ₃₆～R ₃₈表示的一價的有機基及R ₃₇與R ₃₈相互鍵結而形成的環，亦較佳為進一步具有氟原子或碘原子作為取代基。

作為式（Y3），較佳為由下述式（Y3-1）表示的基團。

[化學式33]

在此，L ₁及L ₂分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、或將此等組合而成的基團（例如，將烷基和芳基組合而成的基團）。 M表示單鍵或二價的連結基。 Q表示可以含有雜原子的烷基、可以含有雜原子的環烷基、可以含有雜原子的芳基、胺基、銨基、巰基、氰基、醛基、或將此等組合而成的基團（例如，將烷基和環烷基組合而成的基團）。 烷基及環烷基，例如，其中一個亞甲基可以被氧原子等雜原子、或羰基等含有雜原子之基團取代。 此外，較佳為L ₁及L ₂中之一者為氫原子，另一者為烷基、環烷基、芳基、或伸烷基與芳基組合而成的基團。 Q、M及L ₁中的至少兩個可以鍵結而形成環（較佳為5員或者6員環）。 從圖案微細化之觀點而言，L ₂較佳為二級或三級烷基，更佳為三級烷基。作為二級烷基，可舉出異丙基、環己基及降冰片基，作為三級烷基，可舉出第三丁基及金剛烷基。在此等態樣中，Tg（玻璃轉移溫度）及活化能變高，因此除了確保膜強度之外，亦可抑制霧化。

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，例如，係EUV曝光用光阻組成物之情況下，由L ₁及L ₂表示的烷基、環烷基、芳基及將此等組合而成的基團，進一步亦較佳為具有氟原子或碘原子作為取代基。較佳為上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基中除了氟原子及碘原子之外還含有氧原子等雜原子。具體而言，上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基，例如，一個亞甲基可以被氧原子等雜原子、或羰基等包含雜原子的基團取代。 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，例如，係EUV曝光用光阻組成物之情況下，在可以含有由Q表示的雜原子的烷基、可以含有雜原子的環烷基、可以含有雜原子的芳基、胺基、銨基、巰基、氰基、醛基、及將此等組合而成的基團中，作為雜原子，亦較佳為選自由氟原子、碘原子及氧原子所組成之群組中的雜原子。

式（Y4）中，Ar表示芳香環基。Rn表示烷基、環烷基或芳基。Rn和Ar可以相互鍵結而形成非芳香族環。作為Ar，較佳為芳基。 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，例如，係EUV曝光用光阻組成物之情況下，由Ar表示的芳香環基以及由Rn表示的烷基、環烷基及芳基，亦較佳為具有氟原子或碘原子作為取代基。

從重複單元的酸分解性優異之觀點而言，在保護極性基的脫離基中，當非芳香族環直接與極性基（或其殘基）鍵結時，上述非芳香環中的、與上述極性基（或其殘基）直接鍵結的環員原子相鄰的環員原子亦較佳為不具有氟原子等鹵素原子作為取代基。

除此之外，藉由酸的作用脫離的基團亦可以為具有諸如3-甲基-2-環戊烯基的取代基（烷基等）的2-環戊烯基、及具有諸如1,1,4,4-四甲基環己基的取代基（烷基等）的環己基。

作為具有酸分解性基的重複單元，亦較佳為由式（A）表示的重複單元。

[化學式34]

L ₁表示可以具有氟原子或碘原子的二價的連結基，R ₁表示氫原子、氟原子、碘原子、可以具有氟原子或碘原子的烷基、或可以具有氟原子或碘原子的芳基，R ₂表示藉由酸的作用而脫離並可以具有氟原子或碘原子的脫離基。其中，L ₁、R ₁及R ₂中的至少一個具有氟原子或碘原子。 作為由L ₁表示的、可以具有氟原子或碘原子的二價的連結基，可舉出-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO ₂-、可以具有氟原子或碘原子的烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基及伸芳基等）、及此等複數個連結而成的連結基。其中，作為L ₁較佳為-CO-、伸芳基、或-伸芳基-具有氟原子或者碘原子的伸烷基-，更佳為-CO-、或-伸芳基-具有氟原子或者碘原子的伸烷基-。 作為伸芳基，較佳為伸苯基。 伸烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。伸烷基的碳數並無特別限制，較佳為1～10，更佳為1～3。 具有氟原子或碘原子的伸烷基中所包含的氟原子及碘原子之總數並無特別限制，但較佳為2以上，更佳為2～10，進一步較佳為3～6。

由R ₁表示的烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。烷基的碳數並無特別限制，較佳為1～10，更佳為1～3。 由R ₁表示的、具有氟原子或碘原子的烷基中所包含的氟原子及碘原子之總數並無特別限制，但較佳為1以上，更佳為1～5，進一步較佳為1～3。 由R ₁表示的烷基可以包含鹵素原子之外的氧原子等雜原子。

作為由R ₂表示的、可以具有氟原子或碘原子的脫離基，可舉出由上述式（Y1）～（Y4）表示、且具有氟原子或碘原子的脫離基。

作為具有酸分解性基的重複單元，較佳為由式（AI）表示的重複單元。

[化學式35]

在式（AI）中，Xa ₁表示氫原子或可以具有取代基的烷基。T表示單鍵、或二價的連結基。Rx ₁～Rx ₃分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）、環烷基（單環或多環）、烯基（直鏈狀或支鏈狀）、或芳基（單環或多環）。其中，當所有Rx ₁～Rx ₃均為烷基（直鏈狀或支鏈狀）時，Rx ₁～Rx ₃中的至少兩個較佳為甲基。 Rx ₁～Rx ₃中的兩個可以鍵結而形成單環或多環（單環或多環的環烷基等）。

作為由Xa ₁表示的、可以具有取代基的烷基，例如，可舉出甲基或由-CH ₂-R ₁₁表示的基團。R ₁₁表示鹵素原子（氟原子等）、羥基或一價的有機基。作為由R ₁₁表示的一價的有機基，例如，可舉出可以被鹵素原子取代的碳數5以下的烷基、可以被鹵素原子取代的碳數5以下的醯基、以及可以被鹵素原子取代的碳數5以下的烷氧基，較佳為碳數3以下的烷基，更佳為甲基。作為Xa ₁，較佳為氫原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基。

作為T的二價的連結基，可舉出伸烷基、芳香環基、-COO-Rt-基、及-O-Rt-基。式中，Rt表示伸烷基或伸環烷基。 T較佳為單鍵或-COO-Rt-基。當T表示-COO-Rt-基時，作為Rt，較佳為碳數1～5之伸烷基，更佳為-CH ₂-基、-(CH ₂) ₂-基或-(CH ₂) ₃-基。

作為Rx ₁～Rx ₃的烷基，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、及第三丁基等碳數1～4之烷基。 作為Rx ₁～Rx ₃的環烷基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基、或降冰片基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。 作為Rx ₁～Rx ₃的芳基，較佳為碳數6～10之芳基，例如，可舉出苯基、萘基及蒽基。 作為Rx ₁～Rx ₃的烯基，較佳為乙烯基。 作為Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基。又，亦較佳為降冰片基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。其中，較佳為碳數5～6之單環的環烷基。 Rx ₁～Rx ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基，例如，其中構成環的亞甲基中的一個可以被氧原子等雜原子、羰基等含有雜原子的基團、或亞乙烯基取代。又，此等環烷基，其中構成環烷烴環的伸乙基中的一個以上可以被伸乙烯基取代。 由式（AI）表示的重複單元，例如，較佳為Rx ₁為甲基或乙基、並且Rx ₂與Rx ₃鍵結而形成上述的環烷基之態樣。

當上述各基團具有取代基時，作為取代基，例如，可舉出烷基（碳數1～4）、鹵素原子、羥基、烷氧基（碳數1～4）、羧基、及烷氧羰基（碳數2～6）。取代基中的碳數較佳為8以下。

作為由式（AI）表示的重複單元，較佳為酸分解性（甲基）丙烯酸三級烷基酯系重複單元（Xa ₁表示氫原子或甲基、且T表示單鍵的重複單元）。

具有酸分解性基的重複單元的具體例如下所示，但並不限定於此。此外，式中，Xa ₁表示H、CH ₃、CF ₃或CH ₂OH，Rxa及Rxb分別獨立地表示碳數1～5之直鏈狀或支鏈狀的烷基。

[化學式36]

[化學式37]

[化學式38]

[化學式39]

[化學式40]

樹脂（A），作為具有酸分解性基的重複單元，可以具有包含不飽和鍵之酸分解性基的重複單元。 作為具有包含不飽和鍵的酸分解性基的重複單元，較佳為由式（B）表示的重複單元。

[化學式41]

在式（B）中，Xb表示氫原子、鹵素原子或可以具有取代基的烷基。L表示單鍵、或可以具有取代基的二價的連結基。Ry ₁～Ry ₃分別獨立地表示直鏈狀或者支鏈狀的烷基、單環或者多環的環烷基、烯基、炔基、或單環或者多環的芳基。其中，Ry ₁～Ry ₃中的至少一個表示烯基、炔基、單環或者多環的環烯基、或單環或者多環的芳基。 Ry ₁～Ry ₃中的兩個可以鍵結而形成單環或多環（單環或多環的環烷基、環烯基等）。

作為由Xb表示的、可以具有取代基之烷基，例如，可舉出由甲基或-CH ₂-R ₁₁表示的基團。R ₁₁表示鹵素原子（氟原子等）、羥基、或一價的有機基，例如，可舉出可以被鹵素原子取代的碳數5以下的烷基、可以被鹵素原子取代的碳數5以下的醯基、及可以被鹵素原子取代的碳數5以下的烷氧基，較佳為碳數3以下的烷基，更佳為甲基。作為Xb，較佳為氫原子、氟原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基。

作為L的二價的連結基，可舉出-Rt-基、-CO-基、-COO-Rt-基、-COO-Rt-CO-基、-Rt-CO-基、及-O-Rt-基。式中，Rt表示伸烷基、伸環烷基或芳香環基，較佳為芳香環基。 作為L，較佳為-Rt-基、-CO-基、-COO-Rt-CO-基或-Rt-CO-基。Rt可以具有鹵素原子、羥基、烷氧基等取代基。

作為Ry ₁～Ry ₃的烷基，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、及第三丁基等碳數1～4之烷基。 作為Ry ₁～Ry ₃的環烷基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基、或降冰片基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。 作為Ry ₁～Ry ₃的芳基，較佳為碳數6～10之芳基，例如，可舉出苯基、萘基及蒽基。 作為Ry ₁～Ry ₃的烯基，較佳為乙烯基。 作為Ry ₁～Ry ₃的炔基，較佳為乙炔基。 作為Ry ₁～Ry ₃的環烯基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基的一部分中含有雙鍵之結構。 作為Ry ₁～Ry ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基，較佳為環戊基及環己基等單環的環烷基、或降冰片基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基。其中，更佳為碳數5～6之單環的環烷基。 Ry ₁~Ry ₃中的兩個鍵結而形成的環烷基或環烯基，例如，其中構成環的亞甲基中的一個可以被氧原子等雜原子、羰基、-SO ₂-基及-SO ₃-基等含有雜原子的基團、亞乙烯基、或此等之組合取代。又，此等環烷基或環烯基，其中構成環烷烴環或環烯烴環的伸乙基中的一個以上可以被伸乙烯基取代。 由式（B）表示的重複單元，例如，較佳為Ry ₁為甲基、乙基、乙烯基、烯丙基、或芳基、且Ry ₂與Ry3鍵結而形成上述的環烷基或環烯基之態樣。

當上述各基團具有取代基時，作為取代基，例如，可舉出烷基（碳數1～4）、鹵素原子、羥基、烷氧基（碳數1～4）、羧基、及烷氧羰基（碳數2～6）。取代基中的碳數較佳為8以下。

作為由式（B）表示的重複單元，較佳為酸分解性（甲基）丙烯酸三級烷基酯系重複單元（Xb表示氫原子或甲基、且L表示-CO-基的重複單元）、酸分解性羥基苯乙烯三級烷基醚系重複單元（Xb表示氫原子或甲基、且L表示苯基的重複單元）、酸分解性苯乙烯羧酸三級酯系重複單元（Xb表示氫原子或甲基、且L表示-Rt-CO-基（Rt為芳香族基）的重複單元）。

具有包含不飽和鍵的酸分解性基的重複單元的含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為15莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上，進一步較佳為30莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為80莫耳%以下，更佳為70莫耳%以下，進一步較佳為60莫耳%以下。

具有包含不飽和鍵的酸分解性基的重複單元之具體例如下所示，但並不限定於此。此外，式中，Xb及L ₁表示如上所述的取代基和連結基中之任一者，Ar表示芳香族基，R表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’’或-COOR’’’、R’’’為碳數1～20之烷基或氟化烷基）、或羧基等取代基，R’表示直鏈狀或者支鏈狀的烷基、單環狀或者多環狀的環烷基、烯基、炔基、或單環或者多環的芳基，Q表示氧原子等雜原子、羰基、-SO ₂-基及-SO ₃-基等含有雜原子的基團、亞乙烯基、或此等之組合，n、m及l表示0以上的整數。

[化學式42]

[化學式43]

[化學式44]

[化學式45]

具有酸分解性基的重複單元之含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為15莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上，進一步較佳為30莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為90莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下，進一步較佳為70莫耳%以下，特佳為60莫耳%以下。

樹脂（A）可以含有選自由以下A群組所組成之群組中的至少一種重複單元及/或選自由以下B群組所組成之群組中的至少一種重複單元。 A群組：由以下（20）～（25）的重複單元所組成的群組。 （20）後述的、具有酸基的重複單元 （21）後述的、不具有酸分解性基及酸基中之任一者，而具有氟原子、溴原子或碘原子的重複單元 （22）後述的、具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元 （23）後述的、具有光酸產生基的重複單元 （24）後述的、由式（V-1）或下述式（V-2）表示的重複單元 （25）用於降低主鏈的運動性的重複單元 此外，後述的由式（A）～式（E）表示的重複單元相當於（25）用於降低主鏈的運動性的重複單元。 B群組：由以下（30）～（32）的重複單元所組成之群組。 （30）後述的、具有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基、及鹼可溶性基中的至少一種基團的重複單元 （31）後述的、具有脂環式烴結構、且不顯示酸分解性的重複單元 （32）後述的、不具有羥基及氰基中之任一者、且由式（III）表示的重複單元

樹脂（A）較佳為具有酸基，如後所述，較佳為含有具有酸基的重複單元。此外，關於酸基的定義，將在後文中與具有酸基的重複單元之較佳態樣一起進行說明。樹脂（A）具有酸基時，樹脂（A）與由光酸產生劑產生的酸之間的相互作用性更優異。作為其結果，可進一步抑制酸的擴散，使得所形成的圖案之截面形狀更接近矩形。

樹脂（A）可以具有選自由上述A群組所組成之群組中的至少一種重複單元。當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作EUV曝光用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）較佳為具有選自由上述A群組所組成之群組中的至少一種重複單元。 樹脂（A）可以含有氟原子及碘原子中的至少一者。當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作EUV曝光用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）較佳為包含氟原子及碘原子中的至少一者。當樹脂（A）包含氟原子及碘原子之兩者時，樹脂（A）可以具有包含氟原子及碘原子之兩者的一個重複單元，樹脂（A）亦可以具有包含氟原子的重複單元和包含碘原子的重複單元之兩種。 樹脂（A）可以具有含有芳香族基的重複單元。當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作EUV曝光用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）亦較佳為具有含有芳香族基的重複單元。 樹脂（A）可以具有選自由上述B群組所組成之群組中的至少一種重複單元。當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作ArF用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）較佳為具有選自由上述B群組所組成之群組中的至少一種重複單元。 此外，當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作ArF用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）較佳為不含有氟原子及矽原子中之任一者。 當感光化射線性或感放射線性樹脂組成物用作ArF用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，樹脂（A）較佳為不具有芳香族基。

（具有酸基的重複單元） 樹脂（A）可以具有含有酸基的重複單元。 作為酸基，較佳為pKa為13以下之酸基。上述酸基的酸解離常數較佳為13以下，更佳為3～13，進一步較佳為5～10。 在樹脂（A）具有pKa為13以下之酸基之情況下，樹脂（A）中的酸基的含量並無特別限制，多數情況為0.2～6.0mmol/g。其中，較佳為0.8～6.0mmol/g，更佳為1.2～5.0mmol/g，進一步較佳為1.6～4.0mmol/g。若酸基的含量在上述範圍內，則顯影會良好地進行，所形成的圖案形狀優異，解析度亦優異。 作為酸基，例如，較佳為羧基、酚性羥基、氟代醇基（較佳為六氟異丙醇基）、磺酸基、磺醯胺基或異丙醇基。 在上述六氟異丙醇基中，一個以上（較佳為1～2個）的氟原子可以被氟原子以外的基團（烷氧羰基等）取代。作為酸基，亦較佳為如此形成的-C(CF ₃)(OH)-CF ₂-。又，一個以上的氟原子可以被氟原子以外的基團取代而形成包含-C(CF ₃)(OH)-CF ₂-的環。 具有酸基的重複單元，較佳為與具有以藉由上述的酸的作用而脫離的基團來保護極性基之結構的重複單元及具有後述的內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元相異的重複單元。 具有酸基的重複單元可以具有氟原子或碘原子。

作為具有酸基的重複單元，可舉出以下重複單元。

[化學式46]

作為具有酸基的重複單元，較佳為由下述式（1）表示的重複單元。

[化學式47]

式（1）中，A表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子或氰基。R表示鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、烯基、芳烷基、烷氧基、烷基羰基氧基、烷基磺醯氧基、烷氧羰基或芳氧羰基，有複數個時可以相同亦可以不同。當具有複數個R時，可以相互共同形成環。作為R，較佳為氫原子。a表示1～3的整數。b表示0～（5-a）的整數。

以下，例示具有酸基的重複單元。式中，a表示1或2。

[化學式48]

[化學式49]

[化學式50]

[化學式51]

具有酸基的重複單元之含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為10莫耳%以上，更佳為15莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為70莫耳%以下，更佳為65莫耳%以下，進一步較佳為60莫耳%以下。

（不具有酸分解性基及酸基中之任一者，而具有氟原子、溴原子或碘原子的重複單元） 樹脂（A）除了上述之＜具有酸分解性基的重複單元＞及＜具有酸基的重複單元＞之外，亦可以具有不具有酸分解性基及酸基中之任一者，而具有氟原子、溴原子或碘原子的重複單元（以下，亦稱為單元X）。在此所說的＜不具有酸分解性基及酸基中之任一者，而具有氟原子、溴原子或碘原子的重複單元＞，較佳為與後述之＜具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元＞及＜具有光酸產生基的重複單元＞等屬於A群組的其他種類的重複單元相異。

作為單元X，較佳為由式（C）表示的重複單元。

[化學式52]

L ₅表示單鍵或酯基。R ₉表示可以具有氫原子、或氟原子或者碘原子的烷基。R ₁₀表示可以具有氫原子、氟原子或者碘原子的烷基、可以具有氟原子或者碘原子的環烷基、可以具有氟原子或者碘原子的芳基、或將此等組合而成的基團。

以下，例示具有氟原子或碘原子的重複單元。

[化學式53]

單元X的含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為0莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上，進一步較佳為10莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為50莫耳%以下，更佳為45莫耳%以下，進一步較佳為40莫耳%以下。

在樹脂（A）的重複單元中，含有氟原子、溴原子及碘原子中的至少一者的重複單元的總含量，相對於樹脂（A）的所有重複單元，較佳為10莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上，進一步較佳為30莫耳%以上，特佳為40莫耳%以上。上限值並無特別限制，例如，相對於樹脂（A）的所有重複單元為100莫耳%以下。 此外，作為包含氟原子、溴原子及碘原子中的至少一者的重複單元，例如，可舉出：具有氟原子、溴原子或碘原子並且具有酸分解性基的重複單元；具有氟原子、溴原子或碘原子並且具有酸基的重複單元；及具有氟原子、溴原子或碘原子的重複單元。

（具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元） 樹脂（A）可以具有含有選自由內酯基、磺內酯基及碳酸酯基所組成之群組中的至少一種之重複單元（以下，亦稱為「單元Y」）。 單元Y亦較佳為不具有羥基及六氟丙醇基等酸基。

作為內酯基或磺內酯基，只要具有內酯結構或磺內酯結構即可。內酯結構或磺內酯結構較佳為5～7員環內酯結構或5～7員環磺內酯結構。其中，更佳為以形成雙環結構或者螺環結構之形式在5～7員環內酯結構上縮環有其他環結構者、或以形成雙環結構或者螺環結構之形式在5～7員環磺內酯結構上縮環有其他環結構者。 樹脂（A）較佳為具有含有內酯基或磺內酯基的重複單元，該內酯基或磺內酯基係從由下述式（LC1-1）～（LC1-21）中之任一者表示的內酯結構、或由下述式（SL1-1）～（SL1-3）中之任一者表示的磺內酯結構的環員原子中去掉一個以上氫原子而成，內酯基或磺內酯基可以直接鍵結在主鏈上。例如，內酯基或磺內酯基的環員原子亦可以構成樹脂（A）的主鏈。

[化學式54]

上述內酯結構或磺內酯結構亦可以具有取代基（Rb ₂）。作為較佳的取代基（Rb ₂），可舉出碳數1～8之烷基、碳數4～7之環烷基、碳數1～8之烷氧基、碳數1～8之烷氧羰基、羧基、鹵素原子、氰基、及酸分解性基。n ₂表示0～4的整數。n ₂為2以上時，存在複數個之Rb ₂可以不同，存在複數個之Rb ₂亦可以彼此鍵結而形成環。

作為具有含有由式（LC1-1）～（LC1-21）中任一者表示的內酯結構、或由式（SL1-1）～（SL1-3）中任一者表示的磺內酯結構之基團的重複單元，例如，可舉出由下述式（AI）表示的重複單元。

[化學式55]

式（AI）中，Rb ₀表示氫原子、鹵素原子、或碳數1～4之烷基。作為Rb ₀的烷基可以具有的較佳取代基，可舉出羥基及鹵素原子。 作為Rb ₀的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。Rb ₀較佳為氫原子或甲基。 Ab表示單鍵、伸烷基、具有單環或多環的脂環式烴結構的二價的連結基、醚基、酯基、羰基、羧基、或將此等組合而成的二價的連結基。其中，作為Ab，較佳為單鍵、或由-Ab ₁-CO ₂-表示的連結基。Ab ₁為直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基，或單環或者多環的伸環烷基，較佳為亞甲基、伸乙基、伸環己基、伸金剛烷基或伸降冰片基。 V表示從由式（LC1-1）～（LC1-21）中之任一者表示的內酯結構的環員原子中去掉一個氫原子而成的基團、或從由式（SL1-1）～（SL1-3）中之任一者表示的磺內酯結構的環員原子中去掉一個氫原子而成的基團。

具有內酯基或磺內酯基的重複單元中存在光學異構體時，可以使用任意一種光學異構體。又，可以單獨使用一種光學異構體，亦可以混合使用複數種光學異構體。主要使用一種光學異構體之情況下，其光學純度（ee）較佳為90以上，更佳為95以上。

作為碳酸酯基，較佳為環狀碳酸酯基。 作為具有環狀碳酸酯基的重複單元，較佳為由下述式（A-1）表示的重複單元。

[化學式56]

式（A-1）中，R _A ¹表示氫原子、鹵素原子或一價的有機基（較佳為甲基）。n表示0以上的整數。R _A ²表示取代基。n為2以上時，存在複數個之R _A ²可以分別相同亦可以不同。A表示單鍵或二價的連結基。作為上述二價的連結基，較佳為伸烷基、具有單環或多環的脂環式烴結構的二價的連結基、醚基、酯基、羰基、羧基、或將此等組合而成的二價的連結基。Z表示與由式中的-O-CO-O-表示的基團一起形成單環或多環的原子團。

以下，例示單元Y。式中，Rx表示氫原子、-CH ₃、-CH ₂OH或-CF ₃。

[化學式57]

[化學式58] （式中，Rx表示H、CH ₃、CH ₂OH、或CF ₃）

[化學式59] （式中，Rx表示H、CH ₃、CH ₂OH、或CF ₃）

單元Y的含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為1莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為85莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下，進一步較佳為70莫耳%以下，特佳為60莫耳%以下。

（具有光酸產生基的重複單元） 作為上述之外的重複單元，樹脂（A）可以具有含有藉由光化射線或放射線之照射而產生酸的基團（以下，亦稱為「光酸產生基」）的重複單元。 作為含有光酸產生基的重複單元，可舉出由式（4）表示的重複單元。

[化學式60]

R ⁴¹表示氫原子或甲基。L ⁴¹表示單鍵或二價的連結基。L ⁴²表示二價的連結基。R ⁴⁰表示藉由光化射線或放射線之照射發生分解而在側鏈產生酸的結構部位。如上所述，在化合物（N）兼作藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）之態樣中，樹脂（A）較佳為具有含有光酸產生基的重複單元，並且光酸產生基中所包含的陽離子為由通式（N1）表示的陽離子。在這樣的態樣中，感光化射線性或感放射線性樹脂組成物可以另外含有樹脂（A），但亦較佳為不含有樹脂（A）。 以下，例示具有光酸產生基的重複單元。

[化學式61]

此外，作為由式（4）表示的重複單元，例如，可舉出日本特開2014-041327號公報之段落[0094]～[0105]中所記載之重複單元、及國際公開第2018/193954號公報之段落[0094]中所記載之重複單元。

具有光酸產生基的重複單元的含量，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為1莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。又，作為其上限值，相對於樹脂（A）中的所有重複單元，較佳為40莫耳%以下，更佳為35莫耳%以下，進一步較佳為30莫耳%以下。

（由式（V-1）或下述式（V-2）表示的重複單元） 樹脂（A）可以具有由下述式（V-1）、或下述式（V-2）表示的重複單元。 由下述式（V-1）及下述式（V-2）表示的重複單元，較佳為與上述的重複單元相異的重複單元。

[化學式62]

式中， R ₆及R ₇分別獨立地表示氫原子、羥基、烷基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR或-COOR：R為碳數1～6之烷基或氟化烷基）、或羧基。作為烷基，較佳為碳數1～10之直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基。 n ₃表示0～6的整數。 n ₄表示0～4的整數。 X ₄為亞甲基、氧原子或硫原子。 以下，例示由式（V-1）或（V-2）表示的重複單元。 作為由式（V-1）或（V-2）表示的重複單元，例如，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0100]中所記載之重複單元。

（用於降低主鏈的運動性的重複單元） 從能夠抑制所產生的酸的過度擴散或顯影時的圖案崩塌之觀點而言，樹脂（A）較佳為具有較高的玻璃轉移溫度（Tg）。Tg較佳為大於90°C，更佳為大於100°C，進一步較佳為大於110°C，特佳為大於125°C。此外，從在顯影液中具有良好的溶解速度之觀點而言，Tg較佳為400°C以下，更佳為350°C以下。 此外，本說明書中，樹脂（A）等聚合物的玻璃轉移溫度（Tg）（以下亦稱為「重複單元之Tg」）藉由以下方法算出。首先，藉由Bicerano法分別計算出僅由包含於聚合物中的各重複單元構成的均聚物之Tg。接著，計算出各重複單元相對於聚合物中的所有重複單元的質量比（%）。接著，使用Fox的式（記載於Materials Letters 62（2008）3152等中）計算出各質量比下的Tg，並將該等進行總和作為聚合物之Tg（℃）。 Bicerano法記載於Prediction of polymer properties, Marcel Dekker Inc, New York(1993)。利用Bicerano法計算Tg時，可使用聚合物之物理性質評估軟體MDL Polymer（MDL Information Systems, Inc.）來進行計算。

為了提高樹脂（A）之Tg（較佳為，使Tg超過90°C），較佳為使樹脂（A）的主鏈的運動性降低。降低樹脂（A）的主鏈的運動性之方法，可舉出以下（a）～（e）之方法。 （a）向主鏈中導入大體積的取代基 （b）向主鏈中導入複數個取代基 （c）向主鏈附近導入誘發樹脂（A）間之相互作用的取代基 （d）在環狀結構中形成主鏈 （e）向主鏈連結環狀結構 此外，樹脂（A）較佳為具有均聚物之Tg顯示130°C以上的重複單元。 此外，均聚物之Tg顯示130°C以上的重複單元的種類並無特別限制，只要係利用Bicerano法算出的均聚物之Tg為130°C以上的重複單元即可。此外，由後述之式（A）～式（E）表示的重複單元，根據其中的官能基的種類，相當於均聚物之Tg顯示130°C以上的重複單元。

作為上述（a）的具體實現方法之一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（A）表示的重複單元之方法。

[化學式63]

式（A）中，R _A表示包含多環結構之基團。R _x表示氫原子、甲基或乙基。所謂包含多環結構之基團，係包含複數個環結構之基團，並且複數個環結構可以稠合，亦可以不稠合。 作為由式（A）表示的重複單元之具體例，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0107]～[0119]中所記載之重複單元。

作為上述（b）的具體實現方法之一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（B）表示的重複單元之方法。

[化學式64]

式（B）中，R _b1～R _b4分別獨立地表示氫原子或有機基，R _b1～R _b4中的至少兩個以上表示有機基。 有機基中的至少一個為環結構與重複單元中的主鏈直接連結的基團之情況下，對其他有機基的種類並無特別限制。 又，有機基中之任一者皆非環結構與重複單元中的主鏈直接連結的基團之情況下，有機基的至少兩個以上為除氫原子之外的構成原子數為三個以上的取代基。 作為由式（B）表示的重複單元之具體例，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0113]～[0115]中所記載之重複單元。

作為上述（c）的具體實現方法之一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（C）表示的重複單元之方法。

[化學式65]

式（C）中，R _c1～R _c4分別獨立地表示氫原子或有機基，R _c1～R _c4中的至少一個為自主鏈碳起在原子數3以內包含氫鍵結性的氫原子的基團。其中，就誘發樹脂（A）的主鏈間之相互作用而言，較佳為在原子數2以內（更靠近主鏈側）具有氫鍵結性的氫原子。 作為由式（C）表示的重複單元之具體例，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0119]～[0121]中所記載之重複單元。

作為上述（d）的具體實現方法之一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（D）表示的重複單元之方法。

[化學式66]

式（D）中，「Cyclic」表示以環狀結構形成主鏈的基團。環的構成原子數並無特別限制。 作為由式（D）表示的重複單元之具體例，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0126]～[0127]中所記載之重複單元。

作為上述（e）的具體實現方法之一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（E）表示的重複單元之方法。

[化學式67]

式（E）中，Re分別獨立地表示氫原子或有機基。作為有機基，例如，可舉出可以具有取代基的烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基。 「Cyclic」為含有主鏈的碳原子的環狀基。環狀基所包含的原子數並無特別限制。 作為由式（E）表示的重複單元之具體例，可舉出國際公開第2018/193954號之段落[0131]～[0133]中所記載之重複單元。

（具有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少一種基團的重複單元） 樹脂（A）可以具有含有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少一種基團的重複單元。 作為樹脂（A）所具有的含有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元，可舉出上述的＜含有內酯基、磺內酯基或碳酸酯的重複單元＞中所描述之重複單元。較佳的含量亦係如上述的＜含有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基的重複單元＞中所描述的含量。

樹脂（A）可以具有含有羥基或氰基的重複單元。藉此，可提高基板密著性、顯影液親和性。 具有羥基或氰基的重複單元，較佳為具有被羥基或氰基取代的脂環式烴結構的重複單元。 具有羥基或氰基的重複單元，較佳為不具有酸分解性基。作為具有羥基或氰基的重複單元，可舉出日本特開2014-098921號公報之段落[0081]～[0084]中所記載之重複單元。

樹脂（A）可以具有含有鹼可溶性基的重複單元。 作為鹼可溶性基團，可舉出羧基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、雙磺醯亞胺基、及α位被拉電子基取代的脂肪族醇基（例如，六氟異丙醇基），較佳為羧基。藉由樹脂（A）包含具有鹼可溶性基的重複單元，可增加在接觸孔用途中的解析度。作為具有鹼可溶性基的重複單元，可舉出日本特開2014-098921號公報之段落[0085]及[0086]中所記載之重複單元。

（具有脂環式烴結構且不顯示酸分解性的重複單元） 樹脂（A）可以具有具有脂環式烴結構且不顯示酸分解性的重複單元。藉此，在浸漬曝光時，能夠減少低分子成分從光阻膜向浸漬液中溶出。作為具有脂環式烴結構且不顯示酸分解性的重複單元，例如，可舉出源自（甲基）丙烯酸1-金剛烷酯、（甲基）丙烯酸二金剛烷酯、（甲基）丙烯酸三環癸酯、或（甲基）丙烯酸環己酯的重複單元。

（不具有羥基及氰基中之任一者的、由式（III）表示的重複單元） 樹脂（A）可以具有不具有羥基及氰基中之任一者的、由式（III）表示的重複單元。

[化學式68]

式（III）中，R ₅表示具有至少一個環狀結構且不具有羥基及氰基中之任一者的烴基。 Ra表示氫原子、烷基或-CH ₂-O-Ra ₂基。式中，Ra ₂表示氫原子、烷基或醯基。 作為不具有羥基及氰基中之任一者的、由式（III）表示的重複單元，可舉出日本特開2014-098921號公報之段落[0087]～[0094]中所記載之重複單元。

（其他重複單元） 此外，樹脂（A）還可以具有上述的重複單元之外的其他的重複單元。 例如，樹脂（A）可以具有選自由具有氧硫雜環己烷（oxathiane）環基的重複單元、具有噁唑啉酮（oxazolone）環基的重複單元、具有二噁烷（dioxane）環基的重複單元、及具有乙內醯脲（hydantoin）環基的重複單元所組成之群組中的重複單元。

樹脂（A）除了上述重複單元之外，亦可以為了調節耐乾式蝕刻性、標準顯影液適應性、基板密著性、光阻形狀、解析度、耐熱性、及感度等而具有各種重複單元。

作為樹脂（A），特別地，當本發明之組成物用作ArF用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物時，較佳為所有重複單元由源自具有乙烯性不飽和鍵的化合物的重複單元構成。特別地，亦較佳為所有重複單元由（甲基）丙烯酸酯系重複單元構成。當所有重複單元由（甲基）丙烯酸酯系重複單元構成時，可使用所有重複單元皆為甲基丙烯酸酯系重複單元者、所有重複單元皆為丙烯酸酯系重複單元者、所有重複單元皆為由甲基丙烯酸酯系重複單元及丙烯酸酯系重複單元構成者中之任一者，較佳為丙烯酸酯系重複單元為所有重複單元的50莫耳%以下。

樹脂（A）可依據常規方法（例如自由基聚合）來合成。 利用GPC法以聚苯乙烯換算值計，樹脂（A）的重量平均分子量（Mw）較佳為30000以下，更佳為1000 ～30000，進一步較佳為3000 ～30000，特佳為5000～15000。 樹脂（A）的分散度（分子量分佈，Mw/Mn）較佳為1～5，更佳為1～3，進一步較佳為1.2～3.0，特佳為1.2～2.0。分散度越小者，其解析度及光阻形狀越優異，而且，光阻圖案之側壁越平滑，粗糙度亦越優異。

在感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中，樹脂（A）的含量，相對於感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的總固體成分，較佳為40.0～99.9質量%，更佳為60.0～90.0質量%。 樹脂（A）可以使用一種，亦可以併用複數種。

＜藉由光化射線或放射線之照射而產生酸的化合物（B）＞ 除了上述的化合物（N），本發明之組成物還可以含有與化合物（N）相異的、藉由光化射線或放射線之照射而產生酸的化合物（B）（亦稱為化合物（B）或「光酸產生劑（B）」）。 光酸產生劑（B）可以為低分子化合物的形態，亦可以為組入至聚合物（例如，後述之樹脂（A））之一部分的形態。又，亦可以併用低分子化合物之形態與組入至聚合物（例如，後述之樹脂（A））之一部分的形態。 光酸產生劑（B）為低分子化合物的形態時，光酸產生劑的分子量較佳為3000以下，更佳為2000以下，進一步較佳為1000以下。下限並無特別限制，較佳為100以上。 光酸產生劑（B）為組入至聚合物之一部分的形態時，可以組入至樹脂（A）之一部分中，亦可以組入至與樹脂（A）相異的樹脂中。 本說明書中，光酸產生劑（B）較佳為低分子化合物的形態。

作為光酸產生劑（B），例如，可舉出由「M ⁺X ^-」表示的化合物（鎓鹽），較佳為藉由曝光產生有機酸的化合物。 作為上述有機酸，例如，可舉出磺酸（脂肪族磺酸、芳香族磺酸、及樟腦磺酸等）、羧酸（脂肪族羧酸、芳香族羧酸、及芳烷基羧酸等）、羰基磺醯亞胺酸、雙（烷基磺醯基）醯亞胺酸、及參（烷基磺醯基）甲基化物。

在由「M ⁺X ^-」表示的化合物中，M ⁺表示有機陽離子。 作為有機陽離子並無特別限制。有機陽離子的價數可以為一價或二價以上。 其中，作為上述有機陽離子，較佳為由式（ZaI）表示的陽離子（以下亦稱為「陽離子（ZaI）」）、或由式（ZaII）表示的陽離子（以下亦稱為「陽離子（ZaII）」）。

[化學式69]

在上述式（ZaI）中，R ²⁰¹、R ²⁰²及R ²⁰³分別獨立地表示有機基。 作為R ²⁰¹、R ²⁰²及R ²⁰³的有機基的碳數，較佳為1～30，更佳為1～20。R ²⁰¹～R ²⁰³中的兩個可以鍵結而形成環結構，在環中可以含有氧原子、硫原子、酯基、醯胺基或羰基。作為R ²⁰¹～R ²⁰³中的兩個鍵結而形成的基團，例如，可舉出伸烷基（例如，伸丁基及伸戊基）、及-CH ₂-CH ₂-O-CH ₂-CH ₂-。

作為式（ZaI）中的有機陽離子的適合的態樣，可舉出後述的陽離子（ZaI-1）、陽離子（ZaI-2）、陽離子（ZaI-3b）、陽離子（ZaI-4b）。

首先，將對陽離子（ZaI-1）進行說明。 陽離子（ZaI-1）為芳基鋶陽離子，其中，上述式（ZaI）的R ²⁰¹至R ²⁰³的至少一個為芳基。 芳基鋶陽離子，可以係R ²⁰¹～R ²⁰³均為芳基，亦可以係R ²⁰¹～R ²⁰³之一部分為芳基，餘者為烷基或環烷基。 可以係R ²⁰¹～R ²⁰³中的一個為芳基、R ²⁰¹～R ²⁰³中剩餘的兩個鍵結而形成環結構，亦可以係在環內包含氧原子、硫原子、酯基、醯胺基或羰基。作為R ²⁰¹～R ²⁰³中的兩個鍵結而形成的基團，例如，可舉出伸烷基（例如，伸丁基、伸戊基、及-CH ₂-CH ₂-O-CH ₂-CH ₂-），其中，一個以上的亞甲基可以被氧原子、硫原子、酯基、醯胺基及/或羰基取代。 作為芳基鋶陽離子，可舉出三芳基鋶陽離子、二芳基烷基鋶陽離子、芳基二烷基鋶陽離子、二芳基環烷基鋶陽離子及芳基二環烷基鋶陽離子。

作為芳基鋶陽離子中所含有的芳基，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。芳基可以係具有含有氧原子、氮原子、或硫原子等之雜環結構的芳基。作為雜環結構，可舉出吡咯殘基、呋喃殘基、噻吩殘基、吲哚殘基、苯並呋喃殘基及苯並噻吩殘基。當芳基鋶陽離子具有兩個以上的芳基時，兩個以上的芳基可以相同亦可以不同。 芳基鋶陽離子視需要而具有的烷基或環烷基，較佳為碳數1～15之直鏈狀烷基、碳數3～15之支鏈狀烷基、或碳數3～15之環烷基，更佳為甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、第三丁基、環丙基、環丁基或環己基。

作為R ²⁰¹～R ²⁰³的芳基、烷基及環烷基可以具有的取代基，較佳為烷基（例如，碳數1～15）、環烷基（例如，碳數3～15）、芳基（例如，碳數6～14）、烷氧基（例如，碳數1～15）、環烷基烷氧基（例如，碳數1～15）、鹵素原子（例如，氟及碘）、羥基、羧基、酯基、亞磺醯基、磺醯基、烷硫基、或苯硫基。 上述取代基若有可能可以進一步具有取代基，亦較佳為上述烷基具有鹵素原子作為取代基、且成為三氟甲基等的鹵代烷基。 上述取代基亦較佳為藉由任意的組合而形成酸分解性基。 此外，所謂酸分解性基意指藉由酸的作用分解而產生極性基的基團，較佳為以藉由酸的作用脫離的基團來保護極性基之結構。作為上述極性基及脫離基，如上所述。

接下來，將對陽離子（ZaI-2）進行說明。 陽離子（ZaI-2）係式（ZaI）中的R ²⁰¹～R ²⁰³分別獨立地表示不具有芳香環的有機基的陽離子。所謂芳香環，亦包含含有雜原子的芳香族環。 作為R ²⁰¹～R ²⁰³的不具有芳香環的有機基之碳數，較佳為1～30，更佳為1～20。 作為R ²⁰¹～R ²⁰³，分別獨立地，較佳為烷基、環烷基、烯丙基或乙烯基，更佳為直鏈狀或支鏈狀的2-氧代烷基、2-氧代環烷基或烷氧羰基甲基，進一步較佳為直鏈狀或支鏈狀的2-氧代烷基。

R ²⁰¹～R ²⁰³的烷基及環烷基，例如，可舉出碳數1～10之直鏈狀烷基或碳數3～10之支鏈狀烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基及戊基）、以及碳數3～10之環烷基（例如，環戊基、環己基及降冰片基）。 R ²⁰¹～R ²⁰³可以進一步被鹵素原子、烷氧基（例如，碳數1～5）、羥基、氰基或硝基取代。 R ²⁰¹～R ²⁰³的取代基，分別獨立地，亦較佳為藉由取代基之任意組合形成酸分解性基團。

接下來，將對陽離子（ZaI-3b）進行說明。 陽離子（ZaI-3b）為由下述式（ZaI-3b）表示的陽離子。

[化學式70]

式（ZaI-3b）中，R _1c～R _5c分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、烷基羰基氧基、環烷基羰基氧基、鹵素原子、羥基、硝基、烷硫基或芳硫基。 R _6c及R _7c分別獨立地表示氫原子、烷基（例如，第三丁基等）、環烷基、鹵素原子、氰基或芳基。 R _x及R _y分別獨立地表示烷基、環烷基、2-氧代烷基、2-氧代環烷基、烷氧羰基烷基、烯丙基或乙烯基。 R _1c～R _7c、以及R _x及R _y的取代基，分別獨立地，亦較佳為藉由取代基之任意組合形成酸分解性基團。

R _1c～R _5c中的任意兩個以上、R _5c與R _6c、R _6c與R _7c、R _5c與R _x、及R _x與R _y可以分別相互鍵結而形成環，該環可以分別獨立地包含氧原子、硫原子、酮基、酯鍵或醯胺鍵。 作為上述環，可舉出芳香族或非芳香族烴環、芳香族或非芳香族雜環、及兩個以上的此等環組合而成的多環稠環。作為環，可舉出3～10員環，較佳為4～8員環，更佳為5或6員環。

作為R _1c～R _5c中的任意兩個以上、R _6c與R _7c、及R _x與R _y鍵結而形成的基團，可舉出伸丁基及伸戊基等伸烷基。該伸烷基中的亞甲基可以被氧原子等雜原子取代。 作為R _5c與R _6c、及R _5c與R _x鍵結而形成的基團，較佳為單鍵或伸烷基。作為伸烷基，可舉出亞甲基及伸乙基等。

R _1c～R _5c、R _6c、R _7c、R _x、R _y、以及R _1c～R _5c中的任意兩個以上、R _5c與R _6c、R _6c與R _7c、R _5c與R _x、及R _x與R _y分別相互鍵結而形成的環可以具有取代基。

接下來，將對陽離子（ZaI-4b）進行說明。 陽離子（ZaI-4b）為由下述式（ZaI-4b）表示的陽離子。

[化學式71]

式（ZaI-4b）中，l表示0～2的整數，r表示0～8的整數。 R ₁₃表示氫原子、鹵素原子（例如，氟原子及碘原子等）、羥基、烷基、鹵代烷基、烷氧基、羧基、烷氧羰基、或含有環烷基的基團（可以為環烷基其本身，亦可以為部分包含環烷基的基團）。此等基團可以具有取代基。 R ₁₄表示羥基、鹵素原子（例如，氟原子及碘原子等）、烷基、鹵代烷基、烷氧基、烷氧羰基、烷基羰基、烷基磺醯基、環烷基磺醯基、或包含環烷基的基團（可以為環烷基本身，亦可以為部分包含環烷基的基團）。此等基團可以具有取代基。R ₁₄存在複數個時，分別獨立地表示羥基等上述基團。 R ₁₅分別獨立地表示烷基、環烷基或萘基。兩個R ₁₅可以相互鍵結而形成環。兩個R ₁₅相互鍵結而形成環時，環骨架內可以含有氧原子或氮原子等雜原子。 在一態樣中，較佳為兩個R ₁₅為伸烷基，且相互鍵結而形成環結構。此外，上述烷基、上述環烷基及上述萘基、以及兩個R ₁₅相互鍵結而形成的環可以具有取代基。

在式（ZaI-4b）中，R ₁₃、R ₁₄及R ₁₅的烷基可以為直鏈狀或支鏈狀。烷基的碳數較佳為1～10。烷基較佳為甲基、乙基、正丁基或第三丁基等。 R ₁₃～R ₁₅、以及R _x及R _y的各取代基，分別獨立地，亦較佳為藉由取代基之任意組合形成酸分解性基。

接下來，將對式（ZaII）進行說明。 式（ZaII）中，R ²⁰⁴及R ²⁰⁵分別獨立地表示芳基、烷基或環烷基。 作為R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的芳基，較佳為苯基或萘基，更佳為苯基。R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的芳基可以為具有雜環的芳基，該雜環具有氧原子、氮原子或硫原子等。作為具有雜環的芳基的骨架，例如，可舉出吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯並呋喃及苯並噻吩。 作為R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的烷基及環烷基，較佳為碳數1～10之直鏈狀烷基或碳數3～10之支鏈狀烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基或戊基）、或碳數3～10之環烷基（例如，環戊基、環己基或降冰片基）。

R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的芳基、烷基及環烷基可以分別獨立地具有取代基。作為R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的芳基、烷基及環烷基可以具有的取代基，例如，可舉出烷基（例如，碳數1～15）、環烷基（例如，碳數3～15）、芳基（例如，碳數6～15）、烷氧基（例如，碳數1～15）、鹵素原子、羥基及苯硫基。又，R ²⁰⁴及R ²⁰⁵的取代基，分別獨立地，亦較佳為藉由取代基之任意組合形成酸分解性基。

以下示出有機陽離子之具體例，但本發明並不限定於此。

[化學式72]

[化學式73]

在由「M ⁺X ^-」表示的化合物中，X ^-表示陰離子。 關於陰離子的說明、具體例及較佳範圍與上述的關於由化合物（N）的X ^-表示的陰離子的記載相同。

光酸產生劑（B），亦較佳為選自由化合物（I）及化合物（II）所組成之群組中的至少一個。

（化合物（I）） 化合物（I）係具有一個以上下述結構部位X及一個以上下述結構部位Y的化合物，且係藉由光化射線或放射線之照射，產生包含源自下述結構部位X的下述第一酸性部位和源自下述結構部位Y的下述第二酸性部位的酸的化合物。 結構部位X：由陰離子部位A ₁ ^-和陽離子部位M ₁ ⁺組成，並且藉由光化射線或放射線之照射形成由HA ₁表示的第一酸性部位的結構部位 結構部位Y：由陰離子部位A ₂ ^-和陽離子部位M ₂ ⁺組成，並且藉由光化射線或放射線之照射形成由HA ₂表示的第二酸性部位的結構部位 上述化合物（I）滿足下述條件I。

條件I：在上述化合物（I）中，將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺及上述結構部位Y中的上述陽離子部位M ₂ ⁺取代為H ⁺而成的化合物PI，具有源自將上述結構部位X中的上述陽離子部位M ₁ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₁表示的酸性部位的酸解離常數a1和源自將上述結構部位Y中的上述陽離子部位M ₂ ⁺取代為H ⁺而成的由HA ₂表示的酸性部位的酸解離常數a2，並且上述酸解離常數a2大於上述酸解離常數a1。

化合物（I）中的陽離子部位M ₁ ⁺及陽離子部位M ₂ ⁺係含有帶正電荷的原子或原子團的結構部位，較佳為電荷為一價之有機陽離子，例如，可舉出上述的由M ⁺表示的有機陽離子。 關於化合物（I）中的陽離子部位M ₁ ⁺及陽離子部位M ₂ ⁺以外的部分的說明、具體例及較佳範圍與上述的關於化合物（NI）中的陽離子部位M ₁ ⁺和陽離子部位M ₂ ⁺以外的部分的記載相同。

（化合物（II）） 化合物（II）係具有兩個以上的上述結構部位X及一個以上的下述結構部位Z的化合物，且係藉由光化射線或放射線之照射而產生包含兩個以上的源自上述結構部位X的第一酸性部位和上述結構部位Z的酸的化合物。 結構部位Z：能夠中和酸的非離子性之部位。

化合物（II）中，結構部位X的定義以及A ₁ ^-及M ₁ ⁺的定義與上述的化合物（I）中的結構部位X的定義、以及A ₁ ^-及M ₁ ⁺的定義同義，並且較佳態樣亦相同。 關於化合物（II）中的結構部位Z的說明、具體例及較佳範圍與上述的關於化合物（NII）中的結構部位Z的記載相同。 關於化合物（II）中的陽離子部位M ₁ ⁺以外的部分的說明、具體例及較佳範圍與上述的關於化合物（NII）中的陽離子部位M ₁ ⁺以外的部分的記載相同。

化合物（I）及化合物（II）可以具有的陽離子以外的部位的具體例與上述的化合物（NI）及化合物（NII）可以具有的陽離子以外的部位的具體例相同。

以下示出光酸產生劑（B）之具體例，但並不限定於此。

[化學式74]

[化學式75]

[化學式76]

[化學式77]

當本發明之組成物含有光酸產生劑（B）時，其含量並無特別限制，但相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.5質量%以上，更佳為1.0質量%以上。上述含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為50.0質量%以下，更佳為30.0質量%以下，進一步較佳為25.0質量%以下。

光酸產生劑（B）可以單獨使用一種，亦可以使用兩種以上。

＜酸擴散控制劑（C）＞ 本發明之組成物可以含有與化合物（N）相異的酸擴散控制劑（C）。 酸擴散控制劑（C）作為猝滅劑發揮作用，該淬滅劑捕獲曝光時從光酸產生劑等產生的酸，並抑制因多餘的產生酸引起之未曝光部中的酸分解性樹脂的反應。 酸擴散控制劑（C）之種類並無特別限制，例如，可舉出鹼性化合物（CA）、具有氮原子並且具有藉由酸的作用而脫離的基團的低分子化合物（CB）、及藉由光化射線或放射線之照射而酸擴散控制能力降低或消失的化合物（CC）。 作為化合物（CC），可舉出相對於光酸產生劑（化合物（N）或光酸產生劑（B））而言成為相對弱酸的鎓鹽化合物（CD）、及藉由光化射線或放射線之照射而鹼性降低或消失的鹼性化合物（CE）。 作為鹼性化合物（CA）之具體例，例如，可舉出國際公開第2020/066824號之段落[0132]～[0136]中所記載者，作為藉由光化射線或放射線之照射而鹼性降低或消失的鹼性化合物（CE）之具體例，可舉出國際公開第2020/066824號之段落[0137]～[0155]中所記載者及國際公開第2020/066824號之段落[0164]中所記載者，作為具有氮原子並且具有藉由酸的作用而脫離的基團的低分子化合物（CB）之具體例，可舉出國際公開第2020/066824號之段落[0156]～[0163]中所記載者。 作為相對於光酸產生劑而言成為相對弱酸的鎓鹽化合物（CD）之具體例，例如，可舉出國際公開第2020/158337號之段落[0305]～[0314]中所記載者。

除了上述之外，例如，可適當地使用美國專利申請公開2016/0070167A1號之段落[0627]～[0664]、美國專利申請公開2015/0004544A1號之段落[0095]～[0187]、美國專利申請公開2016/0237190A1號之段落[0403]～[0423]、及美國專利申請公開2016/0274458A1號之段落[0259]～[0328]中所揭露之公知的化合物作為酸擴散控制劑。

當本發明之組成物包含酸擴散控制劑（C）時，酸擴散控制劑（C）的含量（若存在複數種，則為其總和），相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.1～15.0質量%，更佳為1.0～15.0質量%。 本發明之組成物中，酸擴散控制劑（C）可以單獨使用一種，亦可以併用兩種以上。

＜疏水性樹脂（D）＞ 本發明之組成物，可以進一步含有與樹脂（A）相異的疏水性樹脂。 疏水性樹脂較佳為設計成偏向存在於光阻膜之表面，但與界面活性劑相異，其分子內並非一定要具有親水基，亦可以無助於極性物質及非極性物質的均勻混合。 作為經添加疏水性樹脂而帶來的效果，可舉出控制光阻膜表面相對於水的靜態及動態之接觸角，以及抑制逸氣。

從對膜表層偏在化之觀點而言，疏水性樹脂較佳為具有氟原子、矽原子、及包含於樹脂的側鏈部分之CH ₃部分結構中之任一種以上，更佳為具有兩種以上。上述疏水性樹脂較佳為具有碳數5以上之烴基。此等基團可以存在於樹脂之主鏈中，亦可以於側鏈進行取代。 作為疏水性樹脂，可舉出國際公開第2020/004306號之段落[0275]～[0279]中所記載的化合物。

當本發明之組成物含有疏水性樹脂時，疏水性樹脂的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.01～20.0質量%，更佳為0.1～15.0質量%。

＜界面活性劑（E）＞ 本發明之組成物可以含有界面活性劑。含有界面活性劑時，能夠形成密著性更優異、顯影缺陷更少的圖案。 界面活性劑較佳為氟系及/或矽系界面活性劑。 作為氟系及/或矽系界面活性劑，可舉出揭露於國際公開第2018/193954號之段落[0218]及[0219]中之界面活性劑。

此等界面活性劑可以單獨使用一種，亦可以使用兩種以上。

當本發明之組成物包含界面活性劑時，界面活性劑的含量，相對於本發明之組成物的總固體成分，較佳為0.0001～2.0質量%，更佳為0.0005～1.0質量%，進一步較佳為0.1～1.0質量%。

＜溶劑（F）＞ 本發明之組成物較佳為含有溶劑。 溶劑較佳為包含（M1）及（M2）中的至少一者，該（M1）為丙二醇單烷基醚羧酸酯，該（M2）為選自由丙二醇單烷基醚、乳酸酯、乙酸酯、烷氧基丙酸酯、鏈狀酮、環狀酮、內酯及碳酸伸烷基酯所組成之群組中的至少一者。此外，上述溶劑可以進一步包含成分（M1）及（M2）之外的成分。

從提高本發明之組成物的塗佈性和減少圖案的顯影缺陷數量的觀點而言，較佳為將上述溶劑及上述樹脂組合起來。由於上述樹脂的溶解性、沸點及粘度的平衡良好，上述溶劑能夠抑制光阻膜的膜厚不均及旋塗過程中產生析出物等。 成分（M1）及成分（M2）之詳細，記載於國際公開第2020/004306號之段落[0218]～[0226]中，此等內容併入本說明書中。

溶劑進一步含有成分（M1）及（M2）之外之成分時，成分（M1）及（M2）之外之成分的含量，相對於溶劑之總量，較佳為5～30質量%。

本發明之組成物中的溶劑之含量，較佳為設定成使固體成分濃度成為0.1～30質量%，更佳為成為0.5～14.0質量%。如此，可進一步提高本發明之組成物的塗佈性。又，能夠獲得可用於形成高精度的微細圖案的適合於ArF浸漬曝光和EUV曝光的膜厚的光阻膜。

＜其他添加劑＞ 本發明之組成物可以進一步含有溶解抑制化合物、染料、塑化劑、光增感劑、光吸收劑、及/或促進相對於顯影液的溶解性之化合物（例如，分子量1000以下之酚化合物、或含有羧基的脂環族或者脂肪族化合物）。

上述「溶解抑制化合物」，係指藉由酸的作用分解而在有機系顯影液中的溶解度降低的、分子量3000以下的化合物。

本發明之組成物適合用作EUV曝光用感光性組成物。 EUV光的波長為13.5nm，與ArF（波長193nm）光等相比，其波長更短，故以相同感度曝光時的入射光子數少。因此，在概率上光子數有偏差的「光子散粒雜訊」之影響較大，導致LER惡化及橋接缺陷。為了減少光子散粒雜訊，有增加曝光量以增加入射光子數量之方法，但與高感度化之要求做權衡。

由下述式（1）求出的A值高時，由光阻組成物形成的光阻膜的EUV光及電子束的吸收效率變高，可有效降低光子散粒雜訊。A值表示光阻膜的質量比的EUV光及電子束的吸收效率。 式（1）：A=([H]×0.04+[C]×1.0+[N]×2.1+[O]×3.6+[F]×5.6+[S]×1.5+[I]×39.5)/([H]×1+[C]×12+[N]×14+[O]×16+[F]×19+[S]×32+[I]×127) A值較佳為0.120以上。上限並無特別限制，但A值太大時，光阻膜的EUV光及電子束透過率會降低，光阻膜中的光學圖像輪廓劣化，結果難以得到良好的圖案形狀，因此較佳為0.240以下，更佳為0.220以下。

此外，式（1）中，[H]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的氫原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[C]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的碳原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[N]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的氮原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[O]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的氧原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[F]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的氟原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[S]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的硫原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比，[I]表示源自本發明之組成物中的總固體成分的碘原子相對於總固體成分的全部原子的莫耳比。 例如，當本發明之組成物含有化合物（N）、樹脂（A）、光酸產生劑（B）、酸擴散控制劑（C）及溶劑時，化合物（N）、樹脂（A）、光酸產生劑（B）和酸擴散控制劑（C）相當於固體成分。亦即，總固體成分的全部原子相當於源自化合物（N）的全部原子、源自樹脂（A）的全部原子、源自光酸產生劑（B）的全部原子、及源自酸擴散控制劑（C）的全部原子之總和。例如，[H]表示源自總固體成分的氫原子與總固體成分的全部原子的莫耳比，若基於上述例子來說明，則[H]表示源自化合物（N）的氫原子、源自樹脂（A）的氫原子、源自光酸產生劑（B）的氫原子、及源自酸擴散控制劑（C）的氫原子的總和相對於源自化合物（N）的全部原子、源自樹脂（A）的全部原子、源自光酸產生劑（B）的全部原子、及源自酸擴散控制劑（C）的全部原子之總和的莫耳比。

A值的計算，在本發明之組成物中的總固體成分的構成成分之結構及含量已知之情況下，可藉由計算所含有的原子數比來算出。又，即使在構成成分未知之情況下，亦可針對使本發明之組成物的溶劑成分蒸發而獲得的光阻膜，藉由元素分析等分析方法計算出構成原子數比。

＜光阻膜、圖案形成方法＞ 使用本發明之組成物的圖案形成方法的順序並無特別限制，但較佳為包括以下的製程。 製程1：使用本發明之組成物在基板上形成光阻膜之製程。 製程2：對光阻膜進行曝光之製程。 製程3：使用顯影液對曝光後的光阻膜進行顯影之製程。 以下，將對上述各個製程之步驟進行詳細描述。

（製程1：光阻膜形成製程） 製程1係使用本發明之組成物在基板上形成光阻膜之製程。 本發明之組成物如上所述。

作為使用本發明之組成物在基板上形成光阻膜之方法，例如，可舉出將本發明之組成物塗佈到基板上之方法。 此外，較佳為在塗佈之前視需要用過濾器過濾本發明之組成物。過濾器之孔徑較佳為0.1μm以下，更佳為0.05μm以下，進一步較佳為0.03μm以下。過濾器較佳為聚四氟乙烯製、聚乙烯製、或尼龍製。 作為過濾器，可以將上述的不同孔徑及/或材料的過濾器組合。例如，可舉出按照首先藉由孔徑為50nm的聚乙烯製過濾器，其次藉由孔徑為10nm的尼龍製過濾器，最後藉由孔徑為5nm的聚乙烯製過濾器的順序進行過濾之態樣。

本發明之組成物可藉由旋轉器或塗佈機等適當的塗佈方法塗佈到諸如用於製造積體電路元件的基板（例如，矽、二氧化矽塗層）上。塗佈方法較佳為使用旋轉器的旋轉塗佈。使用旋轉器進行旋轉塗佈時的旋轉速度較佳為1000～3000rpm。 塗佈本發明之組成物之後，可以將基板乾燥，並形成光阻膜。此外，視需要，可以在光阻膜的下層形成各種基底膜（無機膜、有機膜、抗反射膜）。

作為乾燥方法，例如，可舉出藉由加熱進行乾燥之方法。加熱可藉由通常的曝光機及/或顯影機所具備之裝置實施，亦可以使用熱板等實施。加熱溫度較佳為80～150℃，更佳為80～140℃，進一步較佳為80～130℃。加熱時間較佳為30～1000秒，更佳為60～800秒，進一步較佳為60～600秒。

光阻膜之膜厚並無特別限制，但從可形成更高精度的微細圖案之觀點而言，較佳為10～120nm。其中，在設為EUV曝光之情況下，作為光阻膜之膜厚，更佳為10～65nm，進一步較佳為15～50nm。在設為ArF浸漬曝光之情況下，作為光阻膜之膜厚，更佳為10～120nm，進一步較佳為15～90nm。

此外，可以使用頂塗層組成物在光阻膜的上層形成頂塗層。 頂塗層組成物較佳為不與光阻膜混合，而且能夠均勻地塗佈於光阻膜上層。頂塗層並無特別限定，可藉由先前公知的方法來形成先前公知的頂塗層，例如，可根據日本特開2014-059543號公報之段落[0072]～[0082]中之記載來形成頂塗層。 例如，較佳為在光阻膜上形成諸如日本特開2013-61648號公報中所記載的包含鹼性化合物之頂塗層。頂塗層所能包含的鹼性化合物的具體例，可舉出感光化射線性或感放射線性樹脂組成物可以包含的鹼性化合物。 頂塗層亦較佳為包含含有至少一個選自由醚鍵、硫醚鍵、羥基、硫醇基、羰基鍵及酯鍵所組成之群組中的基團或鍵的化合物。

（製程2：曝光製程） 製程2係對光阻膜進行曝光之製程。 作為曝光之方法，可舉出經由規定的遮罩對所形成的光阻膜照射光化射線或放射線之方法。 作為光化射線或放射線，可舉出紅外光、可見光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X射線、及電子束，較佳為250nm以下、更佳為220nm以下、特佳為1～200nm之波長的遠紫外光，具體而言，可舉出KrF準分子雷射（248nm）、ArF準分子雷射（193nm）、F ₂準分子雷射（157nm）、EUV（13.5nm）、X射線、及電子束。 對光阻膜進行曝光之製程較佳為對光阻膜進行EUV曝光之製程。

較佳為在曝光後且進行顯影之前進行烘烤（加熱）。藉由烘烤可促進曝光部的反應，從而使感度及圖案形狀更加良好。 加熱溫度較佳為80～150℃，更佳為80～140℃，進一步較佳為80～130℃。 加熱時間較佳為10～1000秒，更佳為10～180秒，進一步較佳為30～120秒。 加熱可藉由通常的曝光機及/或顯影機所具備之裝置實施，亦可以使用熱板等進行。 該製程亦稱為曝光後烘烤。

（製程3：顯影製程） 製程3係使用顯影液，對曝光後的光阻膜進行顯影以形成圖案之製程。 顯影液可以為鹼性顯影液，亦可以為含有有機溶劑的顯影液（以下，亦稱為有機系顯影液）。

作為顯影方法，例如，可舉出將基板浸漬於填滿顯影液的槽中一定時間之方法（浸漬法）、藉由表面張力使顯影液堆積在基板表面並靜置一定時間從而進行顯影之方法（覆液法（puddle method）、向基板表面噴霧顯影液之方法（噴塗法）、及在以一定速度旋轉的基板上使顯影液噴出噴嘴一邊以一定速度掃描一邊持續噴出顯影液之方法（動態分配法）。 又，在進行顯影的製程之後，亦可以實施一邊置換為其他溶劑一邊停止顯影之製程。 顯影時間只要係使未曝光部的樹脂充分溶解的時間即可，並無特別限制，較佳為10～300秒，更佳為20～120秒。 顯影液的溫度較佳為0～50℃，更佳為15～35℃。

鹼性顯影液，較佳為使用含有鹼之鹼性水溶液。鹼性水溶液之種類並無特別限制，例如，可舉出包含以氫氧化四甲基銨為代表的四級銨鹽、無機鹼、一級胺、二級胺、三級胺、醇胺、或環狀胺等的鹼性水溶液。其中，鹼性顯影液較佳為以氫氧化四甲基銨（TMAH）為代表的四級銨鹽的水溶液。可以向鹼性顯影液中添加適量的醇類、界面活性劑等。鹼性顯影液的鹼濃度通常較佳為0.1～20質量%。鹼性顯影液的pH通常較佳為10.0～15.0。

有機系顯影液較佳為含有選自由酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑、及烴系溶劑所組成之群組中的至少一種有機溶劑的顯影液。

上述溶劑可以混合複數種，亦可以與上述之外的溶劑或水混合。作為顯影液整體之含水率，較佳為小於50質量%，更佳為小於20質量%，進一步較佳為小於10質量%，特佳為實質上不含水。 有機溶劑相對於有機系顯影液的含量，相對於顯影液的總量，較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為80質量%以上且100質量%以下，進一步較佳為90質量%以上且100質量%以下，特佳為95質量%以上且100質量%以下。

（其他製程） 上述圖案形成方法較佳為在製程3之後包括用沖洗液清洗之製程。

作為在用鹼性顯影液顯影的製程之後的沖洗製程中所使用的沖洗液，例如，可舉出純水。此外，可以在純水中添加適量的界面活性劑。 亦可以在沖洗液中添加適量的界面活性劑。

在使用有機系顯影液之顯影製程後的沖洗製程中所使用的沖洗液，只要係不溶解圖案者即可，並無特別限制，可使用包含一般有機溶劑之溶液。沖洗液較佳為使用含有選自由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑所組成之群組中的至少一種有機溶劑的沖洗液。

沖洗製程之方法並無特別限定，例如，可舉出向以一定速度旋轉的基板上持續噴出沖洗液之方法（旋轉塗佈法）、將基板浸漬於充滿沖洗液的槽中一定時間之方法（浸漬法）、及向基板表面噴霧沖洗液之方法（噴塗法）。 又，圖案形成方法可以在沖洗製程之後包括加熱製程（Post Bake）。藉由本製程，殘留於圖案間及圖案內部的顯影液及沖洗液藉由烘烤而被去除。又，藉由本製程，亦具有使光阻圖案退火、圖案的表面粗糙度得到改善之效果。沖洗製程之後的加熱製程通常在40～250°C（較佳為90～200°C）下、通常進行10秒鐘～3分鐘（較佳為30秒鐘～120秒鐘）。

又，可以將所形成之圖案作為遮罩，實施基板的蝕刻處理。亦即，可以將製程3中所形成之圖案作為遮罩，對基板（或下層膜及基板）進行加工，而在基板上形成圖案。 基板（或下層膜及基板）之加工方法並無特別限定，但較佳為將製程3中所形成之圖案作為遮罩，藉由對基板（或下層膜及基板）進行乾式蝕刻，以在基板上形成圖案之方法。乾式蝕刻較佳為氧電漿蝕刻。

本發明之組成物及本發明之圖案形成方法中所使用的各種材料（例如，溶劑、顯影液、沖洗液、抗反射膜形成用組成物、頂塗層形成用組成物等）較佳為不含有金屬等雜質。此等材料中所包含的雜質含量較佳為1質量ppm（parts per million，百萬分之一）以下，更佳為10質量ppb（parts per billion，十億分之一）以下，進一步較佳為100質量ppt（parts per trillion，萬億分之一）以下，特佳為10質量ppt以下，最佳為1質量ppt以下。下限並無特別限制，較佳為0質量ppt以上。在此，作為金屬雜質，例如，可舉出Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Al、Li、Cr、Ni、Sn、Ag、As、Au、Ba、Cd、Co、Pb、Ti、V、W及Zn。

作為從各種材料中去除金屬等雜質之方法，例如，可舉出使用過濾器進行過濾之方法。在國際公開第2020/004306號之段落[0321]中記載了使用過濾器進行過濾的細節。

作為減少各種材料中所包含的金屬等雜質之方法，例如，可舉出選擇金屬含量少的原料作為構成各種材料的原料之方法、對構成各種材料的原料進行過濾器過濾之方法、及利用TEFLON（註冊商標）在裝置內形成內襯等而在儘可能抑制污染的條件下進行蒸餾之方法等。

除過濾器過濾之外，還可以利用吸附材料去除雜質，亦可以將過濾器過濾和吸附材料組合使用。作為吸附材料，可使用公知的吸附材料，例如，可使用矽膠及沸石等無機系吸附材料、以及活性碳等有機系吸附材料。為了減少上述各種材料中所包含的金屬等雜質，需要在製造製程中防止金屬雜質的混入。關於金屬雜質是否已從製造裝置中充分去除，可藉由測定用於清洗製造裝置的清洗液中所包含的金屬成分之含量來確認。使用後的清洗液中所包含的金屬成分的含量較佳為100質量ppt以下，更佳為10質量ppt以下，進一步較佳為1質量ppt以下。下限並無特別限制，較佳為0質量ppt以上。

沖洗液等有機系處理液中，可以添加導電性化合物，以防止伴隨靜電帶電及隨後產生的靜電放電，藥液配管及各種部件（過濾器、O型環、及管等）出現故障。導電性化合物並無特別限制，例如，可舉出甲醇。添加量並無特別限制，但從維持較佳顯影特性或沖洗特性之觀點而言，較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下。下限並無特別限制，較佳為0.01質量%以上。 作為藥液配管，例如，可使用SUS（不銹鋼）、或塗覆有已施加防帶電處理的聚乙烯、聚丙烯或者氟樹脂（聚四氟乙烯或全氟烷氧基樹脂等）之各種配管。同樣，對於過濾器及O型環，亦可使用已施加防帶電處理的聚乙烯、聚丙烯或氟樹脂（聚四氟乙烯或全氟烷氧基樹脂等）。

＜電子器件之製造方法＞ 本發明還涉及包含上述圖案形成方法的電子器件之製造方法、及藉由該製造方法製造的電子器件。 作為本說明書之電子器件的較佳態樣，可舉出搭載於電氣電子機器（家電、OA（Office Automation，辦公自動化）、媒體相關機器、光學用機器及通信機器等）之態樣。 [實施例]

以下基於實施例對本發明進行更詳細的說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比率、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明之主旨，可以適當變更。因此，本發明之範圍不應被如下所示之實施例限定性地解釋。

下面描述實施例及比較例中使用的化合物。

＜化合物（N）＞ 作為化合物（N），使用了X-1～X-27。X-25的重複單元的比例為X-25所包含的各重複單元相對於所有重複單元的質量比（質量%）。X-25的重量平均分子量（Mw）為10100，分散度（Mw/Mn）為1.61。 又，在比較例中使用了Z-1～Z-7。儘管Z-1～Z-7不是化合物（N），但為方便起見將其記載於化合物（N）一欄中。

[化學式78]

[化學式79]

[化學式80]

[化學式81]

[化學式82]

（合成例1：X-1的合成） X-1的合成例如下所示。

[化學式83]

將鎂（8.9g）添加到四氫呋喃（THF）（390mL）中，得到混合物。將4-溴-2-氟三氟甲苯（94.0g）滴加到所獲得的混合物中。然後將上述混合物攪拌1小時，製備了格氏試劑X-1-1。將格氏試劑X-1-1冷卻至0℃並滴加亞硫醯氯（23.0g）。將上述混合液攪拌1小時後，將1mol/L鹽酸（300mL）添加到上述混合液中，同時將上述混合液的溫度保持在0℃。用乙酸乙酯（300mL）萃取在上述混合液中生成的反應產物。將所獲得的有機相用水（300mL）清洗3次，然後從上述有機相中將溶媒餾去。藉由將所獲得的濃縮物用庚烷（100mL）結晶，獲得了X-1-A（25.3g）（產率35%）。

[化學式84]

將鎂（5.0g）加入到四氫呋喃（200mL）中，獲得了混合物。將4-溴-2-氟三氟甲苯（48.5g）滴加到所獲得的混合物中。然後將上述混合物攪拌1小時，製備了格氏試劑X-1-2。將格氏試劑X-1-2冷卻至-10°C，並加入X-1-A（25.0g）。隨後，將三甲基甲矽烷基三氟甲磺酸酯（TMSOTf）（103.6g）滴加到上述混合物中。將上述混合液攪拌1小時後，將水（200mL）滴加到上述混合液中。用二氯甲烷（200mL）萃取在上述混合液中生成的反應產物。將所獲得的有機相用水（200mL）清洗3次，然後從有機相中將溶媒餾去。藉由將所獲得的濃縮物用二異丙醚（100mL）結晶，獲得了X-1-B（9.3g）（產率21%）。

[化學式85]

混合二氯甲烷（100mL）和水（100mL），加入X-1-3（4.0g）及X-1-B（6.7g）。攪拌1小時後，除去水層，用0.1mol/L鹽酸（100mL）和水（100mL）清洗有機層。將溶媒餾去，由此得到X-1（7.9g）（產率95%）。

以與X-1同樣的方式合成了其他化合物（N）。

＜樹脂（A）＞ 作為樹脂（A），使用了A-1～A-27。 表1示出每個樹脂中所包含的各重複單元的含量（莫耳%）、重量平均分子量（Mw）及分散度（Mw/Mn）。 重複單元之含量為各樹脂所包含的各重複單元相對於所有重複單元的比率（莫耳比）。 表1中，各樹脂的重複單元的含量的值對應於如下所示的各樹脂的結構式中的重複單元的記載順序。例如，A-1的左側的重複單元的含量為25莫耳%，中央的重複單元的含量為30莫耳%，右側的重複單元的含量為45莫耳%。 樹脂的重量平均分子量（Mw）及分散度（Mw/Mn）藉由GPC（載體：四氫呋喃（THF））測定（係聚苯乙烯換算量）。又，重複單元之含量藉由 ¹³C-NMR（nuclear magnetic resonance，核磁共振）測定。

[化學式86]

[化學式87]

[化學式88]

[表1]

＜光酸產生劑（B）＞ 作為光酸產生劑（B），使用了B-1～B-11。

[化學式89]

[化學式90]

＜酸擴散控制劑＞ 作為酸擴散控制劑，使用了C-1～C-7。

[化學式91]

＜疏水性樹脂＞ 作為疏水性樹脂，使用了下述表2所示的D-1～D-6。 表2示出每個樹脂中所包含的各重複單元的種類及含量（莫耳%）、重量平均分子量（Mw）及分散度（Mw/Mn）。重複單元之含量為各樹脂所包含的各重複單元相對於所有重複單元的比率（莫耳比）。各重複單元之種類藉由對應的單體之結構示出。 樹脂的重量平均分子量（Mw）及分散度（Mw/Mn）藉由GPC（載體：四氫呋喃（THF））測定（係聚苯乙烯換算量）。又，重複單元之含量藉由 ¹³C-NMR（nuclear magnetic resonance）測定。

[表2]

與構成表2所示的疏水性樹脂的各重複單元對應的單體ME-1～ME-13的結構如下所示。

[化學式92]

＜界面活性劑＞ 作為界面活性劑，使用了E-1～E-3。 E-1：MEGAFAC F176（DIC（股）製，氟系界面活性劑）。 E-2：MEGAFAC R08（DIC（股）製，氟系及矽系界面活性劑）。 E-3：PF656（OMNOVA公司製，氟系界面活性劑）

＜溶劑＞ 作為溶劑，使用了F-1～F-9。 F-1：丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA） F-2：丙二醇單甲醚（PGME） F-3：丙二醇單乙醚（PGEE） F-4：環己酮 F-5：環戊酮 F-6：2-庚酮 F-7：乳酸乙酯 F-8：γ-丁內酯 F-9：碳酸丙烯酯

[光阻組成物的製備] 將下述表3及表4所示的各成分混合成使固體成分濃度成為2質量%。接著，將獲得的混合液按照首先藉由孔徑為50nm的聚乙烯製過濾器，其次藉由孔徑為10nm的尼龍製過濾器，最後藉由孔徑為5nm的聚乙烯製過濾器的順序進行過濾，由此製備了光阻組成物（Re-1～Re-42）。在光阻組成物中，所謂固體成分係意指溶劑以外的所有成分。 表3和表4中，化合物（N）、樹脂（A）、光酸產生劑（B）、酸擴散控制劑、疏水性樹脂及界面活性劑的含量（質量%）係意指相對於光阻組成物的總固體成分的質量基準之含有比率。溶劑的混合比係意指將所有溶劑設為100時各溶劑的比例（質量比）。 當各成分使用兩種以上時，每個種類和含量用「/」分隔表示。例如，光阻組成物Re-28中的「X-17/X-18/X-24」表示使用了X-17、X-18和X-24三種化合物（N），「20.0/3.2/22.6」表示X-17的含量為20.0質量%，X-18的含量為3.2質量%，X-24的含量為22.6質量%。 在實施例及比較例中使用了所獲得的光阻組成物。

[表3]

[表4]

[圖案形成（1）：EUV曝光、鹼顯影] 將下層膜形成用組成物AL412（Brewer Science公司製）塗佈於矽晶圓上，並在205°C下烘烤60秒鐘，以形成膜厚20nm的下層膜。在下層膜上塗佈表5所示的光阻組成物，在100℃下烘烤60秒鐘，以形成膜厚30nm的光阻膜。 使用EUV曝光裝置（Exitech公司製，Micro Exposure Tool，NA0.3，Quadrupole，外西格瑪（σ）0.68，內西格瑪（σ）0.36），對具有所獲得的光阻膜的矽晶圓進行圖案照射。作為標線片（reticle），使用了線尺寸=16nm，且線:空間=1:1的遮罩。 曝光後的光阻膜在90℃下烘烤60秒鐘，用四甲基氫氧化銨水溶液（2.38質量%）顯影30秒鐘，然後用純水沖洗30秒鐘。之後，將其旋轉乾燥而得到了正型圖案。

[圖案形成（2）：EUV曝光、有機溶劑顯影] 將下層膜形成用組成物AL412（Brewer Science公司製）塗佈於矽晶圓上，並在205°C下烘烤60秒，形成了膜厚20nm的下層膜。在下層膜上塗佈表6所示的光阻組成物，並在100℃下烘烤60秒鐘，形成了膜厚30nm的光阻膜。 使用EUV曝光裝置（Exitech公司製，Micro Exposure Tool，NA0.3，Quadrupole，外西格瑪（σ）0.68，內西格瑪（σ）0.36），並對具有所獲得的光阻膜的矽晶圓進行圖案照射。作為標線片，使用了線尺寸=16nm，且線:空間=1:1的遮罩。 將曝光後的光阻膜在90°C下烘烤60秒鐘後，用乙酸正丁酯顯影30秒鐘，並將其旋轉乾燥而得到了負型圖案。

[LWR性能的評價] 利用測長掃描型電子顯微鏡（CD-SEM（（股）日立製作所S-9380II）），對以在解析線寬平均為16nm的線圖案時的最佳曝光量解析的16nm（1:1）線與空間之圖案，從圖案上方進行了觀察。在任意點（100處）觀察圖案的線寬，並求出其標準偏差（σ），以3σ（nm）評價線寬的測量偏差，並設為LWR（nm）。LWR值愈小表示LWR性能愈良好。LWR（nm）較佳為4.3nm以下，更佳為3.9nm以下，進一步較佳為3.5nm以下。 結果示於表5及6。

[解析度的評價] 使用上述光阻圖案形成方法，求出了形成目標尺寸的線與空間圖案的最佳曝光量Eop（mJ/cm ²）。利用測長掃描型電子顯微鏡（CD-SEM（（股）日立製作所S-9380II））求出該Eop中的極限解析度，具體而言，當曝光量從最佳曝光量Eop逐漸增加以形成線與空間圖案時，不崩塌而解析之圖案的最小尺寸。將此設為「極限解析（nm）」。極限解析值愈小，解析度愈良好。 又，極限解析（nm）較佳為14.0nm以下，更佳為13.0nm以下，進一步較佳為12.0nm以下。 結果示於表5及6。

[表5]

[表6]

從表5及表6的結果可知，實施例的光阻組成物在形成極微細之圖案時的LWR性能及解析度優異。

無

無

Claims (12)

1. 一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其含有具有陰離子及由下述通式（N1）表示的陽離子的化合物（N）和藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（A）， [化學式1] 通式（N1）中， R ^N1、R ^N2及R ^N3分別獨立地表示鹵代烷基或鹵素原子，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3中的至少一個表示鹵代烷基，並且，至少一個表示鹵素原子， k1表示2～5的整數， k2及k3分別獨立地表示1～5的整數， 存在複數個之R ^N1可以相同亦可以不同， 存在複數個R ^N2時，複數個R ^N2可以相同亦可以不同， 存在複數個R ^N3時，複數個R ^N3可以相同亦可以不同， 其中， 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位， 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示2，兩個R ^N2都在間位，並且，k3表示2，則兩個R ^N3不同時在間位， 若k1表示2，兩個R ^N1都在間位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位， 若k1表示3，兩個R ^N1在間位，一個R ^N1在對位，k2表示1，R ^N2在對位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位或間位， 若k1表示2，兩個R ^N1都在鄰位，k2表示2，兩個R ^N2都在鄰位，並且，k3表示1，則R ^N3在鄰位， R ^N4、R ^N5及R ^N6分別獨立地表示取代基，其中，R ^N4、R ^N5及R ^N6不表示鹵素原子及鹵代烷基， 存在複數個R ^N4時，複數個R ^N4可以相同亦可以不同， 存在複數個R ^N5時，複數個R ^N5可以相同亦可以不同， 存在複數個R ^N6時，複數個R ^N6可以相同亦可以不同， k4表示0～3的整數， k5及k6分別獨立地表示0～4的整數， 通式（N1）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。
2. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其滿足下述條件1及2中的至少一個， 條件1：k1表示2～4的整數，在R ^N1所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N1，並且，另一個間位沒有R ^N1， 條件2：k2及k3分別獨立地表示2～4的整數，在R ^N2所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N2，另一個間位沒有R ^N2，並且，在R ^N3所鍵結之芳香環中，一個間位有R ^N3，另一個間位沒有R ^N3。
3. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N2）表示的陽離子， [化學式2] 通式（N2）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6、k2、k3、k4、k5及k6相同含意， 通式（N2）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。
4. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N3）表示的陽離子， [化學式3] 通式（N3）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意， k7及k8分別獨立地表示0～3的整數， 通式（N3）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。
5. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，由上述通式（N1）表示的陽離子為由下述通式（N4）或（N5）表示的陽離子， [化學式4] 通式（N4）及（N5）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4分別表示與通式（N1）中的R ^N1、R ^N2、R ^N3、R ^N4、R ^N5、R ^N6及k4相同含意， k7及k8分別獨立地表示0～3的整數， 通式（N4）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結， 通式（N5）中的至少兩個芳香環可以藉由單鍵或連結基鍵結。
6. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵素原子均為氟原子。
7. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的所有鹵代烷基均為氟代烷基。
8. 如請求項1所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，R ^N1、R ^N2及R ^N3所表示的鹵代烷基中至少一個為碳數1～4。
9. 如請求項1至8中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，所述陰離子為具有選自由下述通式（N6）表示的基團、＊-SO ₃ ^-及＊-CO ₂ ^-所組成之群組中的至少一者的有機陰離子， [化學式5] L ^N1及L ^N2分別獨立地表示-SO ₂-或-CO-， ＊表示鍵結位置。
10. 一種光阻膜，其使用請求項1至9中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物而形成。
11. 一種圖案形成方法，其具有： 使用請求項1至9中任一項所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物在基板上形成光阻膜之製程； 對所述光阻膜進行曝光之製程；以及 使用顯影液對所述曝光後的光阻膜進行顯影之製程。
12. 一種電子器件之製造方法，其包括請求項11所述之圖案形成方法。