JP6442370B2 - スルホニウム塩および光酸発生剤 - Google Patents
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Description
本発明の第2の目的は、上記スルホニウム塩を含んでなる新たな光酸発生剤を提供することである。
すなわち、本発明は、下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩である。
本発明の光酸発生剤は、EUV(極紫外線)、EB(電子線)、X線等の作用による光感応性に優れており、従来のものよりも低露光量で反応(重合、架橋、脱保護等)を行うことが可能である。
一般式(1)中、R5における、炭素数1〜5のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、iso−ペントキシ基、neo−ペントキシ基及び2−メチルブトキシ基等が挙げられる。
一般式(1)中、R5における、炭素数1〜5のアシル基としては、アセチル基、エタノイル基、n−プロパノイル基、iso−プロパノイル基、n−ブタノイル基、sec−ブタノイル基、tert−ブタノイル基、n−ペンタノイル基、iso−ペンタノイル基、neo−ペンタノイル基及び2−メチルブタノイル基等が挙げられる。
一般式(1)中、R5における、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基としては、 炭素数1〜5アルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基が挙げられ、該アルキル基としては、直鎖アルキル基(メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル及びn−ペンチル等)、分岐アルキル基(イソプロピル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル及びtert−ペンチル等)、シクロアルキル基(シクロプロピル、シクロブチル及びシクロペンチル等)が挙げられる。
一般式(1)中、R5における、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Yはハロゲン原子(フッ素原子が好ましい。)を表す。
aは4〜6の整数を表す。
bは、1〜5の整数が好ましく、さらに好ましくは2〜4、特に好ましくは2又は3である。
cは、1〜4の整数が好ましく、さらに好ましくは4である。
X’−は、例えば、上記のように複分解反応により、本発明の他のアニオン(X−)に交換することができる。
1−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼン96.5g(0.50モル)、マグネシウム13.4g(0.55モル)、テトラヒドロフラン400gを用いて常法により調整した3,5−ジフルオロフェニルマグネシウムブロマイドのテトラヒドロフラン溶液に、塩化チオニル28.6g(0.48モル)をテトラヒドロフラン50gに希釈した溶液を、系内温度が−5℃を超えない範囲で滴下した。滴下終了後室温で1時間反応を継続し反応を完結させた。
この溶液を、イオン交換水500gに15℃を超えないように加え、1時間攪拌した。その後、酢酸エチル300gを投入し、1時間攪拌した。水層を除去した後、イオン交換水300gで3回洗浄した。有機層を脱溶剤し、得られた茶色の残渣をシクロヘキサンで再結晶することで、ビス(3,5−ジフルオロフェニル)スルホキシド26.0gを得た。
製造例1の1−ブロモ−3,5−ジフルオロベンゼン96.5gを1−ブロモ−3,5−ビストリフルオロメチルベンゼン146.5g(0.5モル)に変更した以外は、製造例1と同様の方法で、ビス(3,5−ビストリフルオロメチルフェニル)スルホキシド43.6gを得た。
製造例1で合成したビス(3,5−ジフルオロフェニル)スルホキシド6.86g(0.025モル)をベンゼン30gに溶解させ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物8.46g(0.03モル)を系内温度が−5℃を超えない範囲で滴下した。
滴下終了後室温で1時間反応を継続し反応を完結させた。上澄みを除去し、油状沈殿物にイオン交換水50gに15℃を超えないように加え、次いでテトラヒドロフラン75g、トルエン30gを加え、1時間攪拌した。上層を除去し、残った溶液をトルエン30g部で2回洗浄した。その後溶液を炭酸水素ナトリウムで中和し、ジクロロメタン100gを加え抽出し、水層を除去し、さらに有機層をイオン交換水50gで3回洗浄した。有機層を脱溶剤し、結晶が析出してきたところで、メチル−tertブチルエーテル150gを加え、白色の結晶を析出させた。この結晶をろ過して分取し、減圧乾燥することにより、目的物である[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)]フェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート6.53g(純度99.9%以上)を得た。
実施例1のビス(3,5−ジフルオロフェニル)スルホキシド6.86g(0.025モル)を製造例2で合成したビス(3,5−ビストリフルオロメチルフェニル)スルホキシド11.9g(0.025モル)に変更した以外は、実施例1と同様の方法で、[ビス(3,5−ビストリフルオロメチルフェニル)]フェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート1.37g(純度99.9%以上)を得た。
実施例1のベンゼンをパラキシレン30.0gに変更した以外は、実施例1と同様の方法で、[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)](2,5−ジメチルフェニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート7.67g(純度99.9%以上)を得た。
製造例1で合成したビス(3,5−ジフルオロフェニル)スルホキシド6.86g(0.025モル)とアニソール5.40g(0.050モル)をジクロロメタン20gに溶解させ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物8.46g(0.03モル)を系内温度が−5℃を超えない範囲で滴下した。滴下終了後室温で1時間反応を継続し反応を完結させた。反応液にメチル−tertブチルエーテル150gを加え、褐色の結晶を析出させた。この結晶をろ過して分取し、ジクロロメタン30gに溶解させ、三臭化ほう素の17%ジクロロメタン溶液100g(0.075モル)を系内温度が10℃を超えない範囲で滴下した。滴下終了後室温で1時間反応を継続し反応を完結させた。反応液にイオン交換水50gを加え、炭酸水素ナトリウムで中和後、水層を除去し、さらに有機層をイオン交換水50gで3回洗浄した。有機層を脱溶剤し、結晶が析出してきたところで、メチル−tertブチルエーテル150gを加え、白色の結晶を析出させた。この結晶をろ過して分取し、減圧乾燥することにより、目的物である[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)] (4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート5.58g(純度99.9%以上)を得た。
実施例4のアニソール5.40g(0.050モル)を2、6−ジメチルアニソール6.81g(0.050モル)に変更した以外は、実施例4と同様の方法で、[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)](2,6−ジメチル-4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート5.68g(純度99.9%以上)を得た。
実施例1で合成した(A−1)4.84gをジクロロメタン20部に溶かし、5%ノナフルオロブタンスルホン酸カリウム水溶液81g中に投入した後、25℃で2時間撹拌した。水層を除去した後、有機層を水で数回洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物である[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)]フェニルスルホニウム ノナフルオロブタンスルホネート5.53gを得た。
実施例6の5%ノナフルオロブタンスルホン酸カリウム水溶液81gを10%ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドリチウム水溶液41gに変更した以外は、実施例6と同様の方法で、[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)](2,6−ジメチル-4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミド5.00g(純度99.9%以上)を得た。
実施例6の5%ノナフルオロブタンスルホン酸カリウム水溶液81gを5%(±)-10-カンファースルホン酸ナトリウム水溶液254gに変更した以外は、実施例6と同様の方法で、[ビス(3,5−ジフルオロフェニル)](2,6−ジメチル-4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム (±)−10−カンファースルホネート3.94g(純度99.9%以上)を得た。
(試料溶液の調製)
本発明の光酸発生剤(A−1)〜(A−8)および比較例1としてトリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート(Sigma−Aldrich製)をモル濃度が2.5mMになるようにアセトニトリルでそれぞれ希釈し、各溶液にローダミンBベース(酸の呈色試薬、Sigma−Aldrich製)をモル濃度が2.5mMになるように加え、試料溶液とした。
上記で得た試料溶液を、光路長1cmの石英セルに入れ、EB露光装置を用いて、所定の条件で露光した。露光により、試料溶液中の光酸発生剤が分解して酸が発生し、ローダミンBベースと反応して556nm付近の吸光度が増加するため、分光光度計(UV−vis)にて露光後の各試料溶液の556nmの吸光度を測定した。556nmの吸光度から、検量線(標準物質:p−トルエンスルホン酸)を用いて、露光後の試料溶液中の酸のモル濃度を定量した。定量した酸濃度と光酸発生剤の初期濃度から、酸発生率を下記計算により求めた。酸発生率が高いほど、光感応性が優れていることを示す。
・酸発生率(%)=露光後の酸濃度(mM)/露光前の光酸発生剤濃度(mM)×100
上記操作により求めた酸発生率を次の基準で判断した。結果を表1に示す。
◎:50%以上
○:40%以上50%未満
×:40%未満
・露光装置:JEOL JBX−9300(日本電子株式会社製)
・加速電圧:100kV
・積算光量:100μC/cm2
Claims (3)
- X−がCl−、Br−、SbF6 −、PF6 −、BF4 −、(CF3CF2)3PF3 −、(CF3CF2)2PF4 −、(CF3CF2)1PF5 −、(C6F5)4B−、((CF3)2C6H3)4B−、(C6F5)4Ga−、((CF3)2C6H3)4Ga−、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、ブタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、p−トルエンスルホン酸アニオン、(CF3SO2)3C−、(CF3SO2)2N−及び(C4F9SO2)2N−からなる群から選ばれるアニオンである請求項1に記載のスルホニウム塩。
- 請求項1又は2に記載のスルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤。
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