TW202326892A - 用於半導體老化製程之老化板對準及腔室與框架之間密封之裝置以及方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 68
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 6
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
- G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2862—Chambers or ovens; Tanks
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
- G01R31/287—Procedures; Software aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67724—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations by means of a cart or a vehicule
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本揭露是有關於用於進行半導體器件老化製程的老化裝置、移轉方法、老化裝置的老化腔室及可互換框架。老化裝置包括具有不完整的基底的老化腔室,不完整的基底將與至少一個可互換框架的隔溫基底協作而變完整且隔溫,所述至少一個可互換框架將可移除地移動至腔室中且對接於腔室中以使老化裝置完整。協作的對準元件分別佈置於所述框架及腔室處,且被配置成漸進地且可移動地耦合至彼此以抬高所述框架以使由所述框架支撐的一組老化板對準以插入至腔室中的一組接收連接件中。協作的隔溫側元件可分別佈置於所述框架及腔室處且包括互補特徵,所述互補特徵被配置成當隔溫側元件彼此部分地交疊時提供隔溫側元件之間的間隙且當隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供鄰接配合。
Description
本發明是有關於對半導體器件或積體電路實行老化製程的老化裝置,確切而言是有關於一種包括老化腔室的老化裝置,所述老化腔室可與一或多個可互換框架協作地操作以完成腔室的隔溫且使所述框架所支撐的老化板對準至老化腔室中的接收連接件;用於藉由分別完成及未完成腔室的隔溫藉此使老化板與老化腔室中的接收連接件對準及不對準來將至少一個框架移轉於腔室中及移轉出腔室的方法;用於在老化區域中的老化裝置與至少一個其他裝置之間移轉支撐於框架上的一組老化板的方法;以及包括老化腔室及一或多個可互換框架的老化裝置,所述腔室及所述框架兩者具有一組協作的對準元件及/或一組協作的隔溫側元件。
PCT/SG2020/050791中所述的老化裝置包括:老化腔室,具有至少一個側開口及至少一個基底開口;至少一個門或蓋子,適於封閉所述側開口;至少一個可互換框架,可移動穿過所述側開口且能夠可移除地對接於腔室中以封閉所述基底開口,每一框架具有隔溫基底及齒條,所述隔溫基底具有第一側及第二側,所述齒條佈置於所述隔溫基底的所述第一側處,其中當側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述框架的隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口處且鄰接所述腔室以完成所述腔室的隔溫,且齒條及隔溫基底的第一側位於所述腔室中,而隔溫基底的第二側位於所述腔室之外。
若上面佈置有老化裝置及所對接的可互換框架的地表面(例如生產車間)可能不平坦,則可能出現潛在問題。微小的不平坦角度可在老化製程之前造成承載於框架上的一組老化板的介接連接件與佈置於腔室中的接收連接件之間的不對準或對準誤差。確切而言,介接連接件與接收連接件可被設置成如下形式:邊緣插座與邊緣連接件、插頭與插座、管座與連接件、銷與插口、彈簧或壓縮探針或等效配接連接件。此誤差可呈三種形式(例如俯仰、滾動及搖擺)中的一或多者,且當與是不平坦起因的地表面相距更遠時,所述誤差會被放大。
由於此不對準或對準誤差,無法將可互換框架所承載的一組老化板正確地插入至腔室中對應的一組接收連接件中。當在不對準條件下強行插入時,將不可避免地損壞老化板的介接連接件、腔室中的接收連接件或者損壞老化板的介接連接件及腔室中的接收連接件兩者。
另一潛在問題是有關於可互換框架的隔溫基底與腔室的基底開口之間的隔溫密封。在PCT/SG2020/050791中所述的老化裝置中,可將隔溫側元件設置於腔室的基底開口處,所述隔溫側元件鄰接可互換框架的隔溫基底以封閉腔室的基底開口。
在例子中,隔溫側元件可以是高溫及/或低溫隔絕材料塊,例如G10、G11、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)、特氟龍(Teflon)或任何複合材料,所述高溫及/或低溫隔絕材料塊可與腔室的基底形成為一個整體或附接至腔室的基底,且被設定為適合的大小以鄰接可互換框架的隔溫基底。為了將可互換框架對接於腔室中,在框架的隔溫基底與腔室的隔溫側元件漸進地鄰接的同時將框架漸進地移動或插入至腔室的基底開口中,直至所述框架被完全對接或插入以使得腔室的基底開口被封閉為止。
類似地,地表面的不平坦可造成不對準且導致難以將可互換框架插入至腔室的基底開口中。此外,在側開口亦被封閉的老化製程期間,可互換框架的隔溫基底與腔室的隔溫側元件之間的鄰接可能無法完全密封且此可導致自腔室至外部環境或周圍環境的洩漏,或反之亦然。
在另一例子中,可互換框架的隔溫基底及/或腔室的隔溫側元件可任選地包括高溫或低溫可壓縮密封件或墊圈(例如,聚矽氧可壓縮或充氣式密封件或泡沫墊圈),所述可壓縮密封件或墊圈被設定成適合的大小以經由一些壓縮力彼此鄰接以完成密封。在對接製程期間,隨著框架漸進地移動至腔室的基底開口中,框架的隔溫基底及/或腔室的隔溫側元件將被漸進地壓縮並在老化板框架完全對接或插入於腔室中時完成對腔室的基底開口的密封。
在此例子中,同樣,地表面的不平坦可造成不對準且導致難以將可互換框架插入至腔室的基底開口中。此外,在對接及分離期間老化腔室的隔溫側元件與框架的隔溫基底的漸進壓縮會產生阻力及摩擦。此阻力及摩擦將導致框架的隔溫基底以及腔室的隔溫側元件被磨損。在側開口亦被封閉的老化製程期間,隔溫基底及/或隔溫側元件的此磨損亦將導致自腔室至外部環境或周圍環境的洩漏,或反之亦然。
雖然可藉由將老化腔室下的地表面整平或在所述地表面上添加平台來修整或修平所述地表面,但此並不是簡單或方便的解決方案。每當安裝新老化腔室或將現有老化腔室移動至新位置時,將必須在新位置處重複進行地表面修整或修平。此是繁瑣的活動且導致不必要的生產停機。
根據一個態樣,提供一種用於對半導體器件或積體電路實行老化製程的老化裝置。所述裝置包括:
老化腔室,具有至少一個側開口、至少一個基底開口及佈置於所述腔室中的一組接收連接件;
至少一個門或蓋子,適於封閉所述側開口;
至少一個可互換框架,可移動穿過所述側開口且能夠可移除地對接於所述腔室中以封閉所述基底開口,每一框架具有隔溫基底及齒條,所述隔溫基底具有第一側及第二側,所述齒條佈置於所述隔溫基底的所述第一側處且支撐一組老化板;以及
多個協作的對準元件,分別佈置於所述框架及所述腔室處,且被配置成漸進地且可移動地耦合至彼此以抬高所述框架以使由所述齒條支撐的所述一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將所述框架的至少所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中,
其中當所述側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時,完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化條件的溫控區帶,以使得所述齒條、所述一組老化板及所述隔溫基底的所述第一側位於所述溫控區帶中,而所述隔溫基底的所述第二側位於所述溫控區帶之外。
根據另一態樣,一種方法包括:
藉由將至少一個框架穿過腔室的側開口移動至所述腔室中來將一組老化板移轉至所述腔室中,其中每一框架包括隔溫基底及齒條,所述齒條佈置於所述隔溫基底的第一側處且支撐所述一組老化板,其中所述腔室包括佈置於所述腔室中的一組接收連接件,其中所述框架及所述腔室處分別佈置有多個協作的對準元件;
完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化溫度的溫控區帶,完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化溫度的溫控區帶包括:
將所述協作的對準元件漸進地且可移動地耦合至彼此,以抬高所述框架以使所述齒條上的所述一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將所述框架的至少所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述腔室的所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中,
將所述一組老化板插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,以及
封閉所述側開口以使得所述齒條、所述一組老化板及所述隔溫基底的所述第一側位於所述溫控區帶中,而所述隔溫基底的第二側位於所述溫控區帶之外;以及
對佈置於所述一組老化板中的半導體器件實行老化製程。
根據另一態樣,提供上述老化裝置的老化腔室。
根據另一態樣,提供上述老化裝置的框架。
在上述態樣的一些實施例中,每一框架更包括滑輪或無輪佈置,所述滑輪是人工的或助力式的或者適於與自主導引車(AGV)搭配使用,所述無輪佈置適於與所述AGV搭配使用,其中所述滑輪或所述無輪佈置佈置於所述隔溫基底的所述第二側處,其中所述協作的對準元件被配置成將所述滑輪抬離地表面或將所述無輪佈置抬離所述自主導引車。
在上述態樣的一些實施例中,多個協作的隔溫側元件分別佈置於所述框架及所述腔室處且分別具有互補特徵,所述互補特徵被配置成當所述協作的隔溫側元件彼此部分地交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的間隙,且進一步被配置成當所述協作的隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的鄰接配合。
在上述態樣的一些實施例中,所述框架的所述滑輪至少包括前滑輪及後滑輪;所述協作的對準元件包括滾軸且更包括至少一個滾軸接收支撐件,所述滾軸至少包括前滾軸及後滾軸;所述前滾軸及所述後滾軸被配置成當所述前滾軸及所述後滾軸分別耦合至所述滾軸接收支撐件時分別抬高所述前滑輪及所述後滑輪;所述協作的對準元件佈置於
所述協作的隔溫側元件上方,以使得當所述側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之內,或
所述協作的隔溫側元件下方,以使得當所述側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之外。
在上述態樣的一些實施例中,所述滾軸佈置於所述框架處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述腔室處;或所述滾軸佈置於所述腔室處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述框架處。
在上述態樣的一些實施例中,所述協作的對準元件及/或所述協作的隔溫側元件被佈置成靠近所述框架的所述隔溫基底及所述腔室的所述基底開口,或佈置於所述框架的所述隔溫基底及所述腔室的所述基底開口處。
在以下說明中,陳述很多具體細節以提供對本發明的各種說明性實施例的透徹理解。然而熟習此項技術者將理解,可在不存在該些具體細節中的一些或所有細節的情況下實踐本發明的實施例。在其他實例中,不詳細闡述眾所周知的製程操作以免不必要地模糊正在闡述的實施例的有關態樣。
在方法、裝置或系統中的一者的內容脈絡中闡述的實施例同樣可適用於其他方法、裝置或系統。類似地,在方法的內容脈絡中闡述的實施例同樣可適用於裝置或系統,且反之亦然。
在一實施例的內容脈絡中闡述的特徵可對應地適用於其他實施例中的相同或類似特徵。在一實施例的內容脈絡中闡述的特徵可對應地適用於其他實施例,即使該些其他實施例中未明確闡述。此外,針對一實施例的內容脈絡中的特徵闡述的添加項及/或組合及/或替代形式可對應地適用於其他實施例中的相同或類似特徵。
在圖式中,相似的參考編號遍及幾個視圖皆指代相同或類似的功能或特徵。圖式中所示的特定佈置不應被視為限制性的。應理解,其他實施例可包括給定的圖中所示的每一元件中或多或少的元件。所說明元件中的一些元件可被組合或省略。
在各種實施例的內容脈絡中,包括在例子及申請專利範圍中,針對特徵或元件所使用的冠詞「一(a/an)」及「所述(the)」包括提及特徵或元件中的一或多者。用語「包括(comprising)」、「包含(including)」、「具有(having)」及其變型旨在是開放式的且意指可存在除所列舉的特徵或元件之外的附加特徵或元件。用語「及/或」包括相關聯的所列舉物項中的一或多者的任何及所有組合。例如「第一」、「第二」及「第三」等辨識符僅用作標籤,並不旨在對其對象施加數字要求,亦不應被解釋為除進行限制以外施加任何相對位置或時間順序。用語「耦合(coupled)」可指代在實體上耦合、電性耦合及/或可以通訊方式耦合。用語「耦合」在應用於兩個對象時可指代所述兩個對象直接耦合或藉由第三對象間接耦合。用語「佈置於…處(arranged at)」可包括指代「耦合至」。用語「支撐(support或supporting)」當應用於兩個對象時可指代第一對象由第二對象直接支撐或經由第三對象間接支撐。用語「位於…上方」並不僅限於「直接位於…上方」;用語「位於…下方」並不僅限於「直接位於…下方」。用語「鄰接(abut)」及其相關用語當應用於兩個對象時可指代將所述兩個對象佈置成彼此接觸或壓縮接觸,無論此接觸或壓縮接觸是直接的還是間接的。片語「佈置於…上(arranged on)」及其相關用語當應用於兩個對象時可指代將第一對象佈置成接觸第二對象或耦合至第二對象;此接觸可以是直接的或間接的;此耦合可以是直接耦合或經由至少第三對象間接耦合,所述第三對象可耦合至第一對象及/或第二對象或是第一對象及/或第二對象的不可分割的一部分。
老化裝置包括具有不完整基底的老化腔室,所述不完整基底適於與至少一個可互換框架的隔溫基底協作而變完整且隔溫,所述至少一個可互換框架適於可移除地移動至老化腔室中且對接於所述老化腔室中。更確切而言,老化裝置包括具有至少一個側開口及至少一個基底開口的老化腔室(作為另外一種選擇被稱為「腔室」)以及至少一個門或蓋子,所述至少一個門或蓋子適於封閉或密封側開口且為所述側開口提供隔溫。當框架移動至腔室中且對接於所述腔室中時,至少框架的隔溫基底可封閉或可密封基底開口。當側開口及基底開口兩者皆被封閉時,完成老化腔室的隔溫,藉此界定處於腔室中且被配置成經受由腔室提供的老化條件(例如溫度)的溫控區帶。此溫控區帶對應於封圍空間(enclosure),在所述封圍空間中老化板經受老化製程且所述封圍空間可至少由腔室的封閉的基底開口、封閉的側開口及其餘部分界定。腔室的其餘部分(即除前述側開口及基底開口之外的其餘部分)可以是隔溫的且包括背部面板,所述背部面板具有分別用於接收或耦合至一組老化板的一組接收連接件。
老化裝置可耦合至至少一個老化驅動器或測試裝置,或與所述至少一個老化驅動器或測試裝置協作,所述至少一個老化驅動器或測試裝置適於經由腔室中的所述一組接收連接件連接至已對接框架上的老化板且將電力訊號及/或電性訊號提供至佈置於老化板中及/或連接至老化板的半導體器件,及/或所述自半導體器件接收電力訊號及/或電性訊號。所述老化驅動器可佈置於驅動器區段或箱櫃中,所述驅動器區段或箱櫃可位於腔室的外部但可被佈置成與腔室相鄰。腔室適於容納支撐老化板的至少一個框架。包括腔室及框架的老化裝置與老化驅動器的完整總成形成老化系統。
框架提供老化板及半導體器件的載體以至少往來於老化腔室而運送所述老化板及半導體器件且在老化製程期間固持所述老化板及半導體器件。所述框架被適合地構造且尺寸被設定成可移除地移動至老化腔室中並對接於老化腔室中且與另一類似框架互換。因此,作為另外一種選擇框架可被稱為可互換框架、運送框架、可移除框架、可對接框架或其合適的組合。框架包括至少一個齒條、至少一個隔溫基底(作為另外一種選擇被稱為「隔絕基底」),所述至少一個隔溫基底適合地定位於所述框架(例如框架的底部)處,以使得當框架對接於腔室中時框架的隔溫基底佈置於腔室的基底開口中(例如,鄰接腔室的至少一部分或至少部分地界定腔室的基底開口的腔室的基底框架),且藉此封閉基底開口並為腔室的基底開口提供隔溫。隔溫基底包括第一側及第二側,所述第二側可與所述第一側相對、或橫向於所述第一側、或以其他方式相對於所述第一側合適地定向,例如相同方向或不同方向。齒條佈置於隔溫基底的第一側處,即耦合至隔溫基底及/或框架。因此,當隔溫基底佈置於腔室的基底開口處時,隔溫基底的第一側及齒條佈置於腔室或溫控區帶中/之內且因此在老化製程期間經受腔室中的老化溫度,而隔溫基底的第二側佈置於腔室或溫控區帶之外(例如,佈置於周圍環境中或老化裝置的在腔室外部的殼體內),且因此在老化製程期間不經受腔室中的老化溫度。
協作的對準元件(例如,至少第一對準元件及第二對準元件)分別佈置於框架及腔室處或反之亦然,且被配置成當正在將框架移動至腔室中或對接於腔室中時漸進地且可移動地耦合至彼此以漸進地抬高框架。在所述協作的對準元件實質上或完全耦合至彼此之後,框架被抬高,因此將支撐於框架的齒條上的所述一組老化板對準(例如,處於所期望的對準位置中)以隨後將所述一組老化板(例如,所述一組老化板的介接連接件)插入至腔室中的/腔室的所述一組接收連接件中,且此外由於至少隔溫基底對接於腔室中因此腔室的基底開口被封閉。為了說明此對準位置,圖1A及圖1C示出老化板220及其介接連接件221(例如邊緣插座等),在將老化板220的介接連接件221插入至腔室中的接收連接件119之前,介接連接件221與腔室中的接收連接件119對準。圖1B及圖1D示出老化板220的介接連接件221插入至腔室的接收連接件119中,藉此將老化板傳導性地耦合至老化驅動器或測試裝置以進行老化製程。因此,所述一組老化板與所述一組接收連接件的對準一般而言指代至少老化板的介接連接件與腔室中的接收連接件的共面佈置或實質上共面佈置,以便於將老化板的介接連接件(例如,邊緣插座等)恰當地插入至佈置於腔室中的接收連接件中。協作的對準元件的例子包括佈置於框架處的滾軸及佈置於腔室處的至少一個互補滾軸接收支撐件,或反之亦然。協作的對準元件的另一例子包括具有固定軌道及互補可移動滑動器件的滑動軌道總成,所述固定軌道及互補可移動滑動器件分別佈置於腔室及框架處,或反之亦然。
協作的隔溫側元件(例如,至少第一隔溫側元件及第二隔溫側元件)可分別佈置於框架及腔室處或反之亦然,且設置有互補特徵(例如梯度、形狀、尺寸),所述互補特徵被配置成當協作的隔溫側元件在對接期間彼此部分地交疊時在所述協作的隔溫側元件之間提供間隙且當協作的隔溫側元件在對接之後彼此實質上或完全交疊時提供鄰接配合,以提供隔溫密封。協作的對準元件的漸進耦合將使得所述協作的隔溫側元件漸進地交疊。互補梯度及/或形狀的例子可包括一組互補的梯形輪廓、一組互補的三角形輪廓及一組互補的凸形與凹形輪廓。
圖2A至圖2D示出根據本發明的一個實施例的老化裝置100。老化裝置100包括老化腔室110及老化驅動器區段或箱櫃150,所述老化驅動器區段或箱櫃150可被佈置成與老化腔室110的背部面板118相鄰。老化驅動器區段或箱櫃150可容放老化驅動器或測試裝置以及相關聯的組件或電路系統。背部面板118包括一組接收連接件119,所述一組接收連接件119耦合至老化驅動器或測試裝置且適於接收一組老化板220或所述一組老化板220的介接連接件221。腔室110設置有至少兩個開口,例如基底開口112及側開口114。基底開口112可設置於腔室110的底部(例如,腔室的基底框架111)處。腔室110(例如,腔室基底框架111)可包括至少一個隔溫側元件116(參見圖3B及圖6B),所述至少一個隔溫側元件116至少部分地沿著基底開口112設置以提供協作的隔溫側元件中的至少一者。隔溫側元件116可以是腔室110的不可分割的一部分或被設置為耦合至腔室110的至少一個單獨元件。由隔溫側元件116及基底開口112界定的尺寸適於確保隔溫側元件116鄰接相容的框架200的隔溫側元件216(參見圖3A及圖6A),以在框架移動至腔室110中且對接於腔室110中時封閉基底開口112。側開口114可設置於腔室110的側面處且可被佈置成與基底開口112流體連通,即基底開口112與側開口114交叉。側面可指代非頂側或非底側,且可橫向於底側。側開口114允許將框架(例如,裝載有老化板的框架)移轉至腔室110中及移轉出腔室110。側開口114可由可例如藉由鉸鏈、滑件或等效器件可移動地耦合至腔室110或老化裝置100的至少一個門120或蓋子或者由自腔室110或老化裝置100拆下或分開的至少一個門或蓋子來封閉。門120在被封閉時適於為側開口114提供隔溫,然而即使側開口114被門120封閉,但當腔室110中不存在相容框架200或將相容框架200自腔室110移出時,由於基底開口112未被填充或未被蓋住,因此腔室110的隔溫仍未完成。當基底開口112及側開口114中的至少一者未被封閉時,基底開口112及側開口114允許腔室110的內部與腔室110的外部或周圍環境流體連通。腔室110經由自腔室的基底框架111延伸的支撐腳座或可調整支撐腳座佈置於地表面90上(例如,與地表面90接觸或耦合至地表面90)。
圖2B至圖2D示出適於可移除地對接於腔室110中的框架200。框架200包括用於支撐一或多個老化板(作為另外一種選擇被稱為一組老化板220)的齒條210(參見圖3A及圖6A),所述一或多個老化板可被堆疊或佈置成其他配置。齒條210可包括用於直接或間接地支撐老化板的其他結構元件。框架200更包括隔溫基底212(參見圖3A及圖6A),隔溫基底212可部分地或完全形成齒條210或框架200的底部。在圖2B至圖2D的內容脈絡中,隔溫基底212具有第一側(例如頂側)及第二側(例如底側)。儘管第一側與第二側可如圖2B至圖2D中所示地一樣互相相對,但在其他例子中第一側與第二側可互相橫向或佈置於非相對側上,只要在老化製程期間或當框架200對接於腔室110中時第一側佈置於腔室110或溫控區帶之內而第二側佈置於腔室110或溫控區帶之外即可。框架200可更包括佈置於隔溫基底212的第二側處的滑輪230(參見圖3A及圖6A),滑輪230例如可旋轉地耦合至隔溫基底212及/或齒條210。因此,在老化製程期間或當框架200對接於腔室110中時,滑輪230佈置於腔室110或溫控區帶之外。滑輪230可以是防靜電(electrostatic discharge,ESD)滑輪或非防ESD滑輪,滑輪230可以是人工的、助力式的或適於與自主導引車(autonomous guided vehicle,AGV)搭配使用。滑輪230可包括前滑輪2301及後滑輪2302(參見圖3A及圖6A)。可相對於對接方向250在框架200的對接順序的內容脈絡中理解用語「前」及「後」,即在對接期間,前滑輪2301將首先移動至腔室110中,而後滑輪2302將在前滑輪2301之後移動至腔室110中。框架200及其滑輪230的組合可被稱為手推車。
框架200可更包括佈置於隔溫基底212的第二側處的電子電路系統(未示出)。因此,在老化製程期間或當框架200對接於腔室110中時,電子電路系統佈置於腔室110或溫控區帶之外且因此在老化製程期間不受影響或至少不經受腔室110中的溫度條件。所述電子電路系統可包括適於藉由有線連接或無線連接向一或多個遠端器件(例如,通訊器件)發送訊號及/或接收訊號的通訊電路系統(例如,傳輸器、接收器)。所述電子電路系統可更包括至少一個感測器、計算處理器或微處理器及/或用於儲存可由所述計算處理器或微處理器執行的指令的記憶器件,所述計算處理器或微處理器可以通訊方式耦合至通訊電路系統、感測器及/或記憶器件。訊號可提供關於正對接於腔室110中的框架200、正由特定框架200支撐的老化板及/或半導體器件的資訊。此資訊可包括特定框架200、正由特定框架200支撐的老化板及/或半導體的方位及/或特徵。
當框架200可移除地對接於腔室110中時(圖2B),框架200被抬高以佈置於腔室110內(例如,與腔室基底框架111或另一結構接觸或耦合至腔室基底框架111或另一結構,所述腔室基底框架111或另一結構耦合至腔室110或是腔室110的一部分),因此使由框架200及/或框架200的齒條210支撐的一組老化板對準至佈置於腔室110的背部面板118上的一組接收連接件119。在此對準佈置下,老化板的介接連接件221可恰當地插入至接收連接件119中(例如,參見圖1A至圖1D)。
圖3A及圖3B分別示出根據實施例的可互換框架200、及老化腔室110的內部的部分視圖。在具有四側的框架200處,前滾軸2401及後滾軸2402(統稱為240)佈置於框架200上,例如直接或間接地耦合至框架200。可相對於對接方向250在框架200的對接順序的內容脈絡中理解用語「前」及「後」,即在對接期間前滾軸2401(或第一滾軸)將首先可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,而後滾軸2402(或第二滾軸)將在前滾軸2401之後可移動地耦合至滾軸接收支撐件140。用語「滾軸」可指代便於框架200在腔室110(例如,腔室110的基底框架111)上運動的滑輪、滾珠軸承、旋轉器件、滑動器件或等效器件。滾軸2401、2402可沿著框架200的相對側(例如,靠近框架200的隔溫基底212)佈置。滾軸2401、2402可佈置於與框架200的前側及後側相距適合的距離處以在對接期間將框架200的俯仰運動及不穩定減小或最小化。在框架200處,隔溫側元件216亦佈置於框架200上(例如,直接或間接地耦合至框架200的隔溫基底212),且可沿著框架200的相對側或三側佈置。隔溫側元件216中的至少一者可自框架的後側至框架的前側(即沿著自後滾軸2402至前滾軸2401的方向)漸縮,即厚度逐漸減小。框架的隔溫側元件216可佈置於框架的前滾軸2401及後滾軸2402下方。
在腔室110處,滾軸接收支撐件140及隔溫側元件116可沿著腔室110的基底開口112的相對側或三側佈置,例如直接或間接地耦合至腔室110或腔室110的基底框架111,基底框架111界定基底開口112,基底開口112具有靠近腔室110中的接收連接件119的內側、相對側面及遠離(不太靠近)接收連接件119的外側。隔溫側元件116中的至少一者可自基底開口的內側至基底開口的外側(即沿著自滾軸接收支撐件140的靠近接收連接件119的一端至滾軸接收支撐件140的遠離(不太靠近)接收連接件119的另一端的方向)漸縮,即厚度逐漸減小。腔室的隔溫側元件116可佈置於其滾軸接收支撐件140下方。
總體而言,前滾軸2401與後滾軸2402以及滾軸接收支撐件140提供協作的對準元件,所述協作的對準元件可操作以抬高框架200以使支撐於框架200上的一組老化板220與腔室110中的一組接收連接件119對準。總體而言,框架的隔溫側元件216及腔室的隔溫側元件116提供具有互補特徵(例如,梯度及形狀)的協作的隔溫側元件,所述互補特徵可操作以當協作的隔溫側元件116與216彼此部分地交疊時藉由提供間隙來便於協作的對準元件140、240沿著對接方向250無障礙地相對運動或漸進耦合,且更可操作以當協作的隔溫側元件116、216實質上或完全交疊時藉由提供鄰接配合來阻止進一步交疊或交疊增大。
圖4A、圖4C、圖4E示出分別處於分離位置、部分對接位置及對接位置或完全對接位置中的圖3A所示可互換框架200的側視圖。圖4B、圖4D、圖4F分別是圖4A、圖4C、圖4E的部分特寫視圖。因此,圖4A、圖4C、圖4E及圖4B、圖4D、圖4F所示的框架200的運動順序各自界定對接方向250。
在分離位置中(參見圖4A及圖4B),框架200佈置於地表面90上(例如與地表面90接觸或耦合至地表面90),老化腔室110亦可佈置於地表面90上。當前滑輪2301及後滑輪2302佈置於地表面90上時,前滾軸2401及後滾軸2402自由懸掛(例如既不接觸亦不耦合至滾軸接收支撐件140)。對應地,圖5A及圖5B示出分離位置的前視圖,例如未被佔用的腔室110具有:一組接收連接件119,佈置於其背部面板118處;滾軸接收支撐件140,沿著未被佔用的腔室110的基底框架111的相對的兩側佈置;以及隔溫側元件116,沿著未被佔用的腔室110的未被佔用的基底開口112的三側佈置。在圖5A及圖5B中,滾軸接收支撐件140佈置於隔溫側元件116上方。
在部分對接位置中(參見圖4C及圖4D),框架200部分地佈置於腔室110上且部分地佈置於地表面90上。確切而言,前滾軸2401可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,以使得框架200的前滑輪2301被抬離地表面90;後滾軸2402自由懸掛以使得框架200的後滑輪2302仍佈置於地表面90上。在此部分對接位置中,協作的隔溫側元件116、216彼此部分地交疊。由於協作的隔溫側元件116、216的互補特徵,所述協作的隔溫側元件116、216間隔開達間隙92(例如垂直空隙),此允許協作的隔溫側元件116、216在對接方向250上進一步無障礙地相對運動以增大其交疊。
在對接位置(作為另外一種選擇被稱為完全對接位置,參見圖4E及圖4F)中,框架200佈置於腔室110上。確切而言,前滾軸2401及後滾軸2402可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,以使得前滑輪2301及後滑輪2302被抬離地表面90且因此不再佈置於地表面90上。在此對接位置中,協作的隔溫側元件116、216彼此實質上或完全交疊。由於協作的隔溫側元件116、216的互補特徵,協作的隔溫側元件116、216之間的間隙92實質上減小或消除以使得協作的隔溫側元件116、216彼此鄰接以提供協作的隔溫側元件116、216之間的隔溫密封。對應地,圖5C及圖5D示出對接位置的前視圖,即腔室110中的一組接收連接件119對準至支撐於框架200上的一組老化板220,框架200的前滾軸2401及後滾軸2402可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,腔室的隔溫側元件116鄰接框架200的協作的隔溫側元件216,且框架200佈置於腔室110上以使得前滑輪2301及後滑輪2302被抬高(參見圖4F及圖5D,被抬高的滑輪230與地表面90之間的空隙95)。在對接位置中,框架200的前滾軸2401及後滾軸2402、隔溫側元件216以及腔室110的滾軸接收支撐件140佈置於溫控區帶之內。
在圖3A、圖3B、圖4A至圖4F、圖5A至圖5D中所說明的實施例中,框架的滾軸2401、2402佈置於框架的隔溫側元件216上方,框架的隔溫側元件216中的一些自框架的後側至框架的的前側漸縮(即厚度逐漸減小),而腔室的滾軸接收支撐件140佈置於腔室的隔溫側元件116上方,腔室的隔溫側元件116中的一些自基底開口的內側至基底開口的的外側漸縮(即厚度逐漸減小)。當框架200處於對接位置中時,協作的對準元件140、240位於隔溫側元件116、216上方。
在圖10A至圖10C中所說明的其中漸縮的隔溫側元件116、216與圖3A、圖3B、圖4A至圖4F、圖5A至圖5D中相同(因此將不再對其加以贅述)的經修改實施例中,框架的滾軸2401、2402被修改成佈置於框架的隔溫側元件216下方,而腔室的滾軸接收支撐件140被修改成佈置於腔室的隔溫側元件116下方。圖10A及圖10B分別示出處於分離位置及部分對接位置中的框架。當框架200處於對接位置中時(參見圖10C),協作的對準元件140、240佈置於協作的隔溫側元件116、216下方。
圖6A及圖6B分別示出根據實施例的可互換框架200、及老化腔室110的內部的部分視圖。與圖3A的框架200類似,前滾軸2401、後滾軸2402及隔溫側元件216佈置於框架200處。然而,在圖6A中,框架的隔溫側元件216佈置於前滾軸2401及後滾軸2402上方;框架的隔溫側元件116中的至少一者可沿著自後滾軸2402至前滾軸2401的方向漸縮,即厚度逐漸減小。與圖3B的腔室110類似,滾軸接收支撐件140及隔溫側元件116佈置於腔室110處。然而,腔室的隔溫側元件116可佈置於腔室的滾軸接收支撐件140上方;腔室的隔溫側元件116中的至少一者可自基底開口的內側至基底開口的的外側漸縮,即厚度逐漸減小。總體而言,前滾軸2401及後滾軸2402以及滾軸接收支撐件140提供協作的對準元件。總體而言,框架的隔溫側元件216及腔室的隔溫側元件116提供具有互補特徵(例如,梯度及形狀)的協作的隔溫側元件。
圖7A、圖7C、圖7E示出分別處於分離位置、部分對接位置及對接位置或完全對接位置中的圖7A所示可互換框架200的側視圖。圖7B、圖7D、圖7F分別是圖7A、圖7C、圖7E的部分特寫視圖。因此,圖7A、圖7C、圖7E及圖7B、圖7D、圖7F所示的框架200的運動順序各自界定對接方向250。
在分離位置中(參見圖7A及圖7B),框架200佈置於地表面90上,老化腔室110佈置於地表面90上。前滾軸2401及後滾軸2402自由懸掛(例如既不接觸亦不可移動地耦合至滾軸接收支撐件140),而前滑輪2301及後滑輪2302佈置於地表面90上。對應地,圖8A及圖8B示出分離位置的前視圖,例如未被佔用的腔室110具有:一組接收連接件119,佈置於腔室110的背部面板118處;滾軸接收支撐件140,沿著腔室110的基底框架111的相對的兩側佈置;以及隔溫側元件116,沿著腔室110的未被佔用的基底開口112的三側佈置。在圖8A及圖8B中,滾軸接收支撐件140佈置於隔溫側元件116下方。
在部分對接位置中(參見圖7C及圖7D),框架200部分地佈置於腔室110上且部分地佈置於地表面90上。確切而言,前滾軸2401可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,以使得框架200的前滑輪2301被抬離地表面90;後滾軸2402自由懸掛以使得框架200的後滑輪2302仍佈置於地表面90上。在此部分對接位置中,協作的隔溫側元件116、216彼此部分地交疊。由於協作的隔溫側元件116、216的互補特徵,協作的隔溫側元件116、216間隔開達間隙92(例如垂直空隙),此允許協作的隔溫側元件116、216在對接方向250上進一步無障礙地相對運動以增大其交疊。
在對接位置(作為另外一種選擇被稱為完全對接位置,參見圖7E及圖7F)中,框架200佈置於腔室110上。確切而言,前滾軸2401及後滾軸2402可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140以使得前滑輪2301及後滑輪2302被抬離地表面90且因此不再佈置於地表面90上。在此對接位置中,協作的隔溫側元件116、216彼此實質上或完全交疊。由於協作的隔溫側元件116、216的互補特徵,協作的隔溫側元件116、216之間的間隙92實質上減小或消除以使得協作的隔溫側元件116、216彼此鄰接且提供協作的隔溫側元件116、216之間的隔溫密封。對應地,圖8C及圖8D示出對接位置的前視圖,即腔室110中的一組接收連接件119對準至支撐於框架200上的一組老化板220,框架200的前滾軸2401及後滾軸2402可移動地耦合至腔室110的滾軸接收支撐件140,腔室110的隔溫側元件116鄰接框架200的協作的隔溫側元件216,且框架200佈置於腔室110上以使得前滑輪2301及後滑輪2302被抬高(參見圖7F及圖8D,抬高達滑輪230與地表面90之間的空隙95)。在對接位置中,前滾軸2401及後滾軸2402、框架的隔溫側元件216及腔室110的滾軸接收支撐件140佈置於溫控區帶之外。
在圖6A、圖6B、圖7A至圖7F、圖8A至圖8D中所說明的實施例中,框架的滾軸2401、2402佈置於框架的隔溫側元件216下方,框架的隔溫側元件216中的一些自框架的後側至框架的前側漸縮(即厚度逐漸減小),而腔室的滾軸接收支撐件140佈置於腔室的隔溫側元件116下方,腔室的隔溫側元件116中的一些自基底開口的內側至基底開口的外側漸縮(即厚度逐漸減小)。當框架200處於對接位置中時,協作的對準元件140、240佈置於協作的隔溫側元件116、216下方。
在圖11A至圖11C所說明的其中漸縮的隔溫側元件116、216與圖6A、圖6B、圖7A至圖7F、圖8A至圖8D中相同(因此將不再對其加以贅述)的經修改實施例中,框架的滾軸2401、2402被修改成佈置於框架的隔溫側元件216上方,而腔室的滾軸接收支撐件140被修改成佈置於腔室的隔溫側元件116上方。圖11A及圖11B分別示出處於分離位置及部分對接位置中的框架。當框架200處於對接位置中時(圖11C),協作的對準元件140、240佈置於協作的隔溫側元件116、216上方。
圖9示出將支撐一組老化板的框架移轉於老化腔室中/移轉出老化腔室的方法的流程圖900,所述方法包括對框架及腔室進行對準及隔溫密封的方法。
在圖9的方塊902中,將一組老化板及半導體器件裝載於至少一個框架上。將半導體器件裝載至所述一組老化板上可在框架對接於老化裝載/卸載裝置(未示出)中時藉由所述老化裝載/卸載裝置來實行。
在圖9的方塊904中,將已裝載的框架移轉至老化腔室中,所述已裝載的框架包括支撐老化板的齒條,所述老化腔室中佈置有一組接收連接件。在此移入或對接製程期間,已裝載的框架穿過腔室的側開口漸進地移動至腔室中,同時框架的至少隔溫基底漸進地封閉腔室的基底開口。確切而言,此移入或對接製程包括將框架的協作的對準元件與腔室的協作的對準元件漸進地且可移動地耦合至彼此以抬高框架以將框架或齒條上的所述一組老化板對準以插入至腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將框架的隔溫基底佈置於腔室的基底開口中來封閉腔室的基底開口,藉此將框架可移除地對接於腔室中。更確切而言,漸進且可移動的耦合包括將框架的前滾軸安置或抬高至腔室的滾軸接收支撐件上,藉此在將框架的後滑輪維持於地表面上的同時將框架的前滑輪抬離地表面,且隨後將框架的後滾軸安置或抬高至腔室的滾軸接收支撐件上,藉此將框架的後滑輪抬離地表面且藉此維持框架的前滑輪及後滑輪兩者皆離開地表面。同時,漸進且可移動的耦合亦包括使協作的隔溫側元件漸進地交疊,所述協作的隔溫側元件的互補特徵在所述協作的隔溫側元件彼此部分地交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的間隙,且當所述協作的隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的鄰接配合。
移入或對接製程可包括:將框架或齒條上的所述一組老化板插入至腔室中的所述一組接收連接件中,更具體而言將老化板的介接連接件插入至腔室中的接收連接件中。此插入可在對接之後發生,例如逐個地插入板或同時插入多個板。作為另外一種選擇,此插入可在將框架完全對接於腔室中之後立即發生或與將框架完全對接於腔室中同時地發生。
此移入或對接製程可包括:在將已裝載的框架移動至腔室中之前,在不將所述一組老化板自齒條或框架卸載的情況下將已裝載的框架自老化裝載/卸載裝置移動至腔室。
在圖9的方塊906中,藉由使用或致動指定用於封閉側開口的至少一或多個門或蓋子來封閉所述側開口。當藉由將框架對接於腔室中來封閉基底開口且亦封閉側開口時,完成腔室的隔溫,藉此界定溫控區帶,所述溫控區帶被配置成經受由腔室提供的老化條件(例如溫度)。此時,框架的隔溫基底的第一側及齒條兩者皆位於腔室或溫控區帶之內,而框架的隔溫基底的第二側位於腔室或溫控區帶之外。
在圖9的方塊908中,在腔室或溫控區帶之內進行或實行老化製程。腔室或溫控區帶中的溫度被設定至所期望的老化溫度。由框架支撐的老化板以及框架的隔溫基底的第一側暴露於老化溫度。隔溫基底的第二側以及任何滑輪及/或任何通訊與電子電路系統位於腔室或溫控區帶之外且因此不暴露於腔室或溫控區帶溫度並且因此保持於周圍溫度下。在老化製程期間,電子電路系統可操作,例如通訊電路系統可操作以將訊號發送至遠離老化裝置的一或多個器件(例如通訊器件)及/或自遠離老化裝置的所述一或多個器件接收訊號。
在圖9的方塊910中,老化製程完成。將側開口敞開,例如打開門或蓋子以允許經由所述側開口拿取(access)腔室中的已裝載的框架及/或老化板。
在方塊912中,將已裝載的框架移轉出腔室。在此移轉出或分離製程期間,自腔室中的所述一組接收連接件取出框架上的所述一組老化板的介接連接件。此取出可包括逐個取出板或同時取出多個板。然後,藉由將已裝載的框架與腔室分離且將已裝載的框架經由側開口漸進地移動出腔室直至框架位於基底開口之外或遠離基底開口來敞開或顯露出所述基底開口。確切而言,此移轉出或分離製程包括漸進地減小協作的隔溫側元件的交疊,以在協作的隔溫側元件漸進地減小其交疊(即,自實質上或完全交疊減小至部分交疊或不交疊)時解開鄰接配合從而在協作的隔溫側元件之間提供間隙或非鄰接佈置。同時,漸進且可移動的脫離亦包括使框架的協作的對準元件與腔室的協作的對準元件彼此漸進地且可移動地脫離以將框架自腔室降低,以使框架上的所述一組老化板與腔室中的所述一組接收連接件不對準且當框架的隔溫基底漸進地移動出腔室時敞開腔室的基底開口。更確切而言,此包括在維持框架的前滑輪耦合至腔室的滾軸接收支撐件的同時使框架的後滾軸與腔室的滾軸接收支撐件脫離藉此將框架的後滑輪降低至地表面,且隨後使框架的前滾軸與腔室的滾軸接收支撐件脫離藉此將框架的前滑輪降低至地表面且藉此將框架的前滑輪及後滑輪佈置於地表面上。
在分離位置中,框架的隔溫基底敞開或顯露出腔室的基底開口,因此即使腔室的側開口可被封閉,但腔室的隔溫仍未完成。然後,可在不將所述一組老化板自齒條或框架卸載的情況下將已裝載的框架移轉至老化裝載/卸載裝置中。在老化裝載/卸載裝置處,可自所述一組老化板卸載已完成老化製程的半導體器件。
應瞭解,可如下文所述地修改或變化上文所述及/或所說明的實施例及/或例子。
在一個實施例中,腔室可容納一個以上框架且因此具有一或多個基底開口以及一或多個側開口。因此,可藉由將兩個或更多個框架對接於腔室中來封閉基底開口。每一框架提供隔溫基底以使得框架的隔溫基底的組合鄰接腔室及/或腔室的隔溫側元件以封閉腔室的基底開口。在一個例子中,將多個框架相鄰地佈置以封閉單個基底開口,而在另一例子中,將多個框架佈置成分別封閉多個基底開口。在一個例子中,所有已對接的框架裝載有老化板,而在另一例子中,至少一個已對接的框架沒有老化板或未被裝載但必須對接於腔室中以封閉基底開口從而完成腔室的隔溫。
在圖中所示的實施例中,隔溫側元件可沿著腔室的基底開口的三側設置且亦沿著框架的隔溫基底的三側設置。在一些其他實施例(未示出)中,隔溫側元件可沿著腔室的基底開口的一側或多側設置且亦沿著框架的隔溫基底的一側或多側設置。在又一些其他實施例中,沿著腔室的基底開口的任一側及框架的隔溫基底的任一側可皆不設置隔溫側元件。換言之,框架的隔溫基底可被配置成在腔室的基底開口處以互相直接接觸的形式鄰接腔室。
在圖中所示的實施例中,為框架設置滑輪。在一些其他實施例(未示出)中,可不為框架設置滑輪。如此,可需要車來將框架移轉至老化腔室中及移轉出老化腔室;框架可包括至少一種無輪佈置,所述至少一種無輪佈置在框架的運送期間佈置於車上或與車接合。車可以是人工操作的及/或自動的,例如自主導引車(AGV)、自主機器人車(ARV)。因此,應瞭解,先前提及的「滑輪」可並不相關且可省略。替代地,框架的無輪佈置在框架被分離時可佈置於AGV上,在框架部分地對接時部分地佈置於AGV及腔室兩者上,且在框架對接或完全對接時佈置於腔室上。因此,在此內容脈絡中,先前提及的將框架佈置於地表面上可由將框架佈置於AGV上繼而佈置於地表面上來取代。
在圖中所示的實施例中,無論是否使用AGV,在框架對接於腔室中之前,框架的滑輪及腔室(例如腔室的基底框架)、可調整支撐腳座或腔室的底部皆佈置於同一地表面上。在一些其他實施例(未示出)中,框架及腔室在對接之前可佈置於不同的表面上,例如腔室可佈置於地表面上而框架的滑輪可佈置於平台或等效位置上繼而佈置於地表面上,或框架的無輪佈置可佈置於AGV上。因此,將框架對接於腔室中將使得滑輪被抬離平台或等效位置,或無輪佈置被抬離平台或AGV。因此,所提及的地表面可指代上述平台或等效位置。
在圖中所示的實施例中,協作的對準元件設置於框架及腔室兩者的底部或近底部處,例如滾軸被佈置成靠近框架的隔溫基底且因此滾軸接收支撐件靠近腔室的基底開口而佈置於互補位置處以與滾軸協作,如前文中所述。在一些其他實施例(未示出)中,滾軸可沿著框架的高度佈置於任何適合的位置(例如,半高度處、接近頂部或頂部或沿著框架的高度的任何中間位置)處,且因此滾軸接收支撐件可佈置於互補位置(例如半高度、接近頂部或頂部或沿著腔室的高度的任何中間位置)處以便於與滾軸協作,如前文中所述。在圖中所示的實施例中,說明一組對準元件。在一些其他實施例(未示出)中,可在上述位置中的兩者或更多者處設置一組以上對準元件。類似地,在圖中所示的實施例中,協作的隔溫側元件設置於框架及腔室兩者的底部或近底部處。在一些其他實施例(未示出)中,協作的隔溫側元件可沿著框架及腔室兩者的高度而設置於任何適合的位置處。此外,一或多組隔溫側元件可設置於上述位置中的兩者或更多者處。
在圖中所示的實施例中,隔溫側元件的梯度是線性的或直線的。在一些其他實施例(未示出)中,梯度可以是分段線性的、非線性的(例如彎曲的)或其任何組合。然而,梯度較佳地應互補以允許隔溫側元件沿著對接方向無障礙地相對運動從而增大交疊且在隔溫側元件實質上或完全交疊時提供鄰接配合。
在圖中所示的實施例中,框架處佈置有多個滾軸,而腔室處佈置有至少一個滾軸接收支撐件,即當框架200對接於腔室110中時滾軸240佈置於滾軸接收支撐件140上。在一些其他實施例(未示出)中,腔室處佈置有多個滾軸且框架處佈置有至少一個滾軸接收支撐件,即當框架200對接於腔室110中時滾軸接收支撐件140佈置於滾軸240上。
在圖中所示的實施例中,協作的對準元件及協作的隔溫側元件兩者皆被設置為單獨的機構。在一些其他實施例(未示出)中,僅設置除對準功能之外亦可整體地提供隔溫密封功能的協作的對準元件。具有此雙重功能的例子是具有至少一個隔溫固定軌道及至少一個互補隔溫滑動器件的協作滑動軌道總成。在又一些其他實施例中,僅設置除隔溫功能之外亦可整體地提供對準功能的協作的隔溫側元件。具有此雙重功能的例子是協作的隔溫側元件,只有所述協作的隔溫側元件亦用作協作的對準元件。此例子可藉由移除圖3A、圖3B、圖4A至圖4F、圖5A至圖5D中所示的滾軸2401、2402及滾軸接收支撐件140而設想出。
在又一些其他實施例(未示出)中,協作的隔溫側元件可另外用作滾軸或滾軸接收支撐件。此例子可藉由修改圖6A、圖6B、圖7A至圖7F、圖8A至圖8D(例如佈置滾軸2401、2402來替代滾軸接收支撐件140,且使用隔溫側元件216的底表面作為滾軸接收支撐件)而設想出。
在一些實施例中,協作的對準元件可另外包括佈置於腔室處的至少一個定位銷或導引銷以及佈置於框架處的至少一個定位銷或導引銷接收件(例如開口),或反之亦然。該些附加協作的對準元件進一步確保在對接期間及對接之後將框架按照期望對準。
在一些實施例中,框架包括第一對準元件(例如,滾軸及第一隔溫側元件),而老化腔室包括第二對準元件(例如,滾軸接收支撐件及第二隔溫側元件)。在一些其他實施例中,老化腔室包括第一對準元件(例如,滾軸接收支撐件及第一隔溫側元件),而框架包括第二對準元件(例如,滾軸及第二隔溫側元件)。因此,片語「第一對準元件」及「第二對準元件」在不同的內容脈絡中可各自指代不同的特徵。
在圖1A至圖1D中,每一老化板220包括用於插入至多個接收連接件119中的多個介接連接件221。在一些其他實施例中,每一老化板220可包括用於插入至唯一一個接收連接件119中的唯一一個介接連接件221。
應瞭解,上述實施例及/或例子可選擇性地組合。
本發明的實施例具備數個優點,例如地表面不平坦所造成的問題得到解決。由框架承載的老化板與老化腔室中的接收連接件的對準不受地表面條件的影響且可容易且方便地達成。一旦框架對接於腔室中,老化板的位置是以腔室(例如腔室基底框架)為參考而非以地表面為參考。確切而言,框架可被抬離先前承載或支撐框架的地表面或AGV或者與先前承載或支撐框架的地表面或AGV間隔開,例如在對接之前佈置於地表面上的框架的滑輪在對接之後佈置於腔室(例如腔室基底框架)上,或者佈置於AGV上的框架的無輪佈置在對接之後佈置於腔室(例如腔室基底框架)上。此外,框架的協作的隔溫側元件與腔室的協作的隔溫側元件之間的隔溫密封亦在對接之後不地表面條件的影響且可在不會對隔溫側元件產生太多的障礙或摩擦磨損的情況下容易且方便地達成充分的隔溫密封。此外,本發明的實施例能夠輕而易舉地安裝新的老化腔室且重新定位現有老化腔室,而不必克服新位置處或遍佈整個老化生產車間的不平坦地表面。
應理解,上文所述的實施例及特徵應被視為示例性的而非限定性的。依據對說明書的考慮及本發明的實踐,諸多其他實施例對於熟習此項技術者而言將變得顯而易見。此外,某些用語是出於說明清晰的目的而使用,並非限制本發明所揭露的實施例。
90:地表面
92:間隙
95:空隙
100:老化裝置
110:老化腔室/腔室
111:腔室的基底框架/基底框架
112:基底開口
114:側開口
116:隔溫側元件/腔室的隔溫側元件/協作的隔溫側元件/漸縮的隔溫側元件
118:背部面板
119:接收連接件
120:門
140:滾軸接收支撐件/協作的對準元件
150:老化驅動器區段或箱櫃
200:相容框架/框架/可互換框架
210:齒條
212: 框架的隔溫基底/隔溫基底
216:框架的隔溫側元件/隔溫側元件/協作的隔溫側元件/漸縮的隔溫側元件
220:老化板
221:介接連接件
230:滑輪
240:協作的對準元件/滾軸
250:對接方向
900:流程圖
902、904、906、908、910、912、914:方塊
2301:前滑輪
2302:後滑輪
2401:前滾軸/滾軸/框架的滾軸
2402:後滾軸/滾軸/框架的滾軸
圖1A及圖1B是平面圖,其中圖1A示出在插入至老化腔室的接收連接件中之前的老化板的介接連接件,且圖1B示出在插入至接收連接件中之後的介接連接件。
圖1C及圖1D是分別對應於圖1A及圖1B的側視圖;
圖2A是門已封閉的老化腔室的立體圖。
圖2B是圖2A所示老化腔室的立體圖,其中老化腔室的門已打開且所裝載的可互換框架對接於所述老化腔室中。
圖2C是圖2A所示老化腔室的立體圖,其中所述老化腔室的門已打開且所裝載的可互換框架與所述老化腔室分離。
圖2D示出其中老化腔室的部件被移除以示出腔室的背部面板及其一組接收連接件的圖2C。
圖3A示出根據實施例可互換框架的立體圖,所述可互換框架具有佈置於其隔溫側元件上方的滾軸,所述可互換框架的隔溫側元件被配置成與圖3B的腔室的隔溫側元件協作。
圖3B示出設置於老化腔室處的滾軸接收支撐件及隔溫側元件,所述滾軸接收支撐件及隔溫側元件被配置成與圖3A的滾軸及隔溫側元件協作。
圖4A示出圖3A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架與圖3B的老化腔室分離,即處於分離位置中。
圖4B示出圖4A的部分特寫視圖。
圖4C示出圖3A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架部分地對接於圖3B的老化腔室中,即處於部分對接位置中。
圖4D示出圖4C的部分特寫視圖。
圖4E示出圖3A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架完全對接於圖3B的老化腔室中,即處於對接或完全對接位置中。
圖4F示出圖4E的部分特寫視圖。
圖5A是其中圖3B的腔室未被佔用的分離位置的前視圖。
圖5B是圖5A的部分特寫視圖。
圖5C是其中圖3B的腔室與圖3A的可互換框架對接的對接位置的前視圖。
圖5D是圖5C的部分特寫視圖。
圖6A示出根據實施例的可互換框架的立體圖,所述可互換框架具有佈置於其隔溫側元件下方的滾軸,所述可互換框架的隔溫側元件被配置成與圖6B的腔室的隔溫側元件協作。
圖6B示出設置於老化腔室處的滾軸接收支撐件及隔溫側元件,所述滾軸接收支撐件及隔溫側元件被配置成與圖6A的滾軸及隔溫側元件協作。
圖7A示出圖6A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架與圖6B的老化腔室分離,即處於分離位置中。
圖7B示出圖7A的部分特寫視圖。
圖7C示出圖6A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架部分地對接於圖6B的老化腔室中,即處於部分對接位置中。
圖7D示出圖7C的部分特寫視圖。
圖7E示出圖6A的可互換框架的側視圖,所述可互換框架完全對接於圖6B的老化腔室中,即處於對接或完全對接位置中。
圖7F示出圖7E的部分特寫視圖。
圖8A是其中圖6B的腔室未被佔用的分離位置的前視圖。
圖8B是圖8A的部分特寫視圖。
圖8C是其中圖6B的腔室與圖6A的可互換框架對接的對接位置的前視圖。
圖8D是圖8C的部分特寫視圖。
圖9示出用於將老化板移轉於老化腔室中/移轉出老化腔室的方法的流程圖,所述方法包括用於將框架與腔室對準及隔溫密封的方法。
圖10A示出根據另一實施例的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架與老化腔室分離,即處於分離位置中。
圖10B示出圖10A的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架部分地對接於老化腔室中,即處於部分對接位置中。
圖10C示出圖10A的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架完全對接於老化腔室中,即處於對接或完全對接位置中。
圖11A示出根據又一實施例的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架與老化腔室分離,即處於分離位置中。
圖11B示出圖11A的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架部分地對接於老化腔室中,即處於部分對接位置中。
圖11C示出圖11A的可互換框架的部分特寫側視圖,所述可互換框架完全對接於老化腔室中,即處於對接或完全對接位置中。
90:地表面
92:間隙
111:腔室的基底框架/基底框架
116:腔室的隔溫側元件/隔溫側元件/協作的隔溫側元件/漸縮的隔溫側元件
119:接收連接件
140:滾軸接收支撐件/協作的對準元件
212:框架的隔溫基底/隔溫基底
216:框架的隔溫側元件/隔溫側元件/協作的隔溫側元件/漸縮的隔溫側元件
250:對接方向
2301:前滑輪
2302:後滑輪
2401:前滾軸/滾軸/框架的滾軸
2402:後滾軸/滾軸/框架的滾軸
Claims (22)
- 一種用於對半導體器件或積體電路實行老化製程的老化裝置,所述裝置包括: 老化腔室,具有至少一個側開口、至少一個基底開口及佈置於所述腔室中的一組接收連接件; 至少一個門或蓋子,適於封閉所述側開口; 至少一個可互換框架,可移動穿過所述側開口且能夠可移除地對接於所述腔室中以封閉所述基底開口,所述至少一個可互換框架中的每一框架具有隔溫基底及齒條,所述隔溫基底具有第一側及第二側,所述齒條佈置於所述隔溫基底的所述第一側處且支撐一組老化板;以及 多個協作的對準元件,分別佈置於所述框架及所述腔室處,且被配置成漸進地且可移動地耦合至彼此以抬高所述框架以使由所述齒條支撐的所述一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將所述框架的至少所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中, 其中當所述側開口被封閉且所述至少一個可互換框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化條件的溫控區帶,以使得所述齒條、所述一組老化板及所述隔溫基底的所述第一側位於所述溫控區帶中,而所述隔溫基底的所述第二側位於所述溫控區帶之外。
- 如請求項1所述的老化裝置,其中所述至少一個可互換框架中的每一框架更包括滑輪或無輪佈置,所述滑輪是人工的或助力式的或者適於與自主導引車(AGV)搭配使用,所述無輪佈置適於與所述自主導引車搭配使用,其中所述滑輪或所述無輪佈置佈置於所述隔溫基底的所述第二側處,其中所述協作的對準元件被配置成將所述滑輪抬離地表面或將所述無輪佈置抬離所述自主導引車。
- 如請求項2所述的老化裝置,更包括: 多個協作的隔溫側元件,分別佈置於所述框架及所述腔室處且分別具有互補特徵,所述互補特徵被配置成當所述協作的隔溫側元件彼此部分地交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的間隙,且進一步被配置成當所述協作的隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供所述協作的隔溫側元件之間的鄰接配合。
- 如請求項3所述的老化裝置, 其中所述框架的所述滑輪至少包括前滑輪及後滑輪, 其中所述協作的對準元件包括多個滾軸且更包括至少一個滾軸接收支撐件,所述多個滾軸至少包括前滾軸及後滾軸,其中所述前滾軸及所述後滾軸被配置成當所述前滾軸及所述後滾軸分別耦合至所述滾軸接收支撐件時分別抬高所述前滑輪及所述後滑輪, 其中所述協作的對準元件佈置於 所述協作的隔溫側元件上方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個可互換框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之內,或 所述協作的隔溫側元件下方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個可互換框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之外。
- 如請求項4所述的老化裝置,其中 所述滾軸佈置於所述框架處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述腔室處;或 所述滾軸佈置於所述腔室處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述框架處。
- 如請求項3至5中任一項所述的老化裝置,其中所述協作的對準元件及/或所述協作的隔溫側元件被佈置成靠近所述框架的所述隔溫基底及所述腔室的所述基底開口,或佈置於所述框架的所述隔溫基底及所述腔室的所述基底開口處。
- 一種方法,包括: 藉由將至少一個框架穿過腔室的側開口移動至所述腔室中來將一組老化板移轉至所述腔室中,其中所述至少一個框架中的每一框架包括隔溫基底及齒條,所述齒條佈置於所述隔溫基底的第一側處且支撐所述一組老化板,其中所述腔室包括佈置於所述腔室中的一組接收連接件,其中所述框架及所述腔室處分別佈置有多個協作的對準元件; 完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化溫度的溫控區帶,所述完成所述腔室的隔溫藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化溫度的溫控區帶包括: 將所述協作的對準元件漸進地且可移動地耦合至彼此,以抬高所述框架以使所述齒條上的所述一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將所述框架的至少所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述腔室的所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中, 將所述一組老化板插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,以及 封閉所述側開口以使得所述齒條、所述一組老化板及所述隔溫基底的所述第一側位於所述溫控區帶中,而所述隔溫基底的第二側位於所述溫控區帶之外;以及 對佈置於所述一組老化板中的半導體器件實行老化製程。
- 如請求項7所述的方法,其中將所述至少一個框架對接於所述腔室中包括: 佈置滑輪或無輪佈置,所述滑輪是人工的或助力式的或者適於與自主導引車(AGV)搭配使用,所述無輪佈置適於與所述自主導引車搭配使用,其中所述滑輪或所述無輪佈置佈置於所述隔溫基底的所述第二側處,其中將所述至少一個框架對接於所述腔室中包括將所述框架的所述滑輪抬離地表面或將所述框架的所述無輪佈置抬離所述自主導引車。
- 如請求項8所述的方法,其中將所述協作的對準元件漸進地且可移動地耦合至彼此包括: 使分別佈置於所述框架及所述腔室處的多個協作的隔溫側元件漸進地交疊; 當所述協作的隔溫側元件彼此部分地交疊時,藉由所述協作的隔溫側元件的互補特徵提供所述協作的隔溫側元件之間的間隙;以及 當所述協作的隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時藉由所述協作的隔溫側元件的所述互補特徵提供所述協作的隔溫側元件之間的鄰接配合。
- 如請求項9所述的方法,其中所述框架的所述滑輪至少包括前滑輪及後滑輪, 其中所述協作的對準元件包括多個滾軸且更包括至少一個滾軸接收支撐件,所述多個滾軸至少包括前滾軸及後滾軸, 其中將所述協作的對準元件漸進地且可移動地耦合至彼此以抬高所述框架以使所述齒條上的所述一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中包括當所述前滾軸及所述後滾軸分別耦合至所述滾軸接收支撐件時分別抬高所述前滑輪及所述後滑輪, 其中所述協作的對準元件佈置於 所述協作的隔溫側元件上方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之內,或 所述協作的隔溫側元件下方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之外。
- 如請求項10所述的方法,其中 所述滾軸佈置於所述框架處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述腔室處;或 所述滾軸佈置於所述腔室處,且所述滾軸接收支撐件佈置於所述框架處。
- 一種老化腔室,包括: 腔室,具有至少一個側開口、與所述側開口交叉的至少一個基底開口、佈置於所述腔室中的一組接收連接件及佈置於所述腔室處的第一對準元件, 其中至少所述基底開口當敞開時被配置成允許所述腔室的內部與所述腔室的外部之間流體連通且未完成所述腔室的隔溫, 其中所述第一對準元件被配置成漸進地且可移動地耦合至至少一個框架的協作的第二對準元件以抬高所述框架,以使所述框架上的一組老化板對準以插入至所述腔室中的所述一組接收連接件中,且藉由將所述框架的所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述腔室的所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中, 其中所述腔室的所述隔溫被配置成當所述側開口被封閉且所述至少一個框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時完成,以藉此界定被配置成經受由所述腔室提供的老化條件的溫控區帶。
- 如請求項12所述的老化腔室,更包括第一隔溫側元件,所述第一隔溫側元件具有與佈置於所述框架處的第二隔溫側元件的第二特徵互補的第一特徵,且被配置成當所述第一隔溫側元件與所述第二隔溫側元件彼此部分地交疊時提供與所述第二隔溫側元件的間隙,且當所述第一隔溫側元件與所述第二隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供鄰接配合。
- 如請求項13所述的老化腔室, 其中所述第一對準元件及所述第二對準元件包括至少一個滾軸接收支撐件及多個滾軸,所述多個滾軸至少包括前滾軸及後滾軸,其中所述前滾軸及所述後滾軸被配置成當所述前滾軸及所述後滾軸分別耦合至所述滾軸接收支撐件時分別抬高所述框架的前滑輪及後滑輪, 其中所述第一對準元件及所述第二對準元件佈置於 所述第一隔溫側元件及所述第二隔溫側元件上方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之內,或 所述第一隔溫側元件及所述第二隔溫側元件下方,以使得當所述側開口被封閉且所述至少一個框架中的每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之外。
- 如請求項14所述的老化腔室,其中所述第一對準元件包括至少一個滾軸接收支撐件或多個滾軸。
- 如請求項13至15中任一項所述的老化腔室,其中所述第一對準元件及/或所述第一隔溫側元件被佈置成靠近所述基底開口或佈置於所述基底開口處。
- 一種用於運送老化板的框架,所述框架包括: 齒條,支撐一組老化板; 隔溫基底,具有第一側及第二側,其中所述齒條佈置於所述隔溫基底的所述第一側處;以及 第一對準元件,被配置成漸進地耦合至老化腔室的協作的第二對準元件以抬高所述框架以使所述齒條上的所述一組老化板對準以插入至佈置於所述老化腔室中的一組接收連接件中,且藉由將所述隔溫基底佈置於所述腔室的所述基底開口中來封閉所述基底開口,藉此將所述框架可移除地對接於所述腔室中,以使得當所述老化腔室的側開口被封閉時完成所述老化腔室的隔溫以界定被配置成經受所述腔室的老化溫度的溫控區帶,且使得所述齒條、所述老化板及所述隔溫基底的所述第一側位於所述溫控區帶中,而所述隔溫基底的所述第二側位於所述溫控區帶之外。
- 如請求項17所述的框架,更包括:滑輪,所述滑輪是人工的或助力式或者適於與自主導引車(AGV)搭配使用;或者無輪佈置,所述無輪佈置適於與所述自主導引車搭配使用,其中所述滑輪或所述無輪佈置佈置於所述隔溫基底的所述第二側處,其中當所述框架可移除地對接於所述老化腔室中時,所述第一對準元件被配置成將所述滑輪抬離地表面或將所述無輪佈置抬離所述自主導引車。
- 如請求項18所述的框架,更包括第一隔溫側元件,所述第一隔溫側元件具有與佈置於所述老化腔室處的第二隔溫側元件的第二特徵互補的第一特徵,且被配置成當所述第一隔溫側元件與所述第二隔溫側元件彼此部分地交疊時提供與所述第二隔溫側元件的間隙,且進一步被配置成當所述第一隔溫側元件與所述第二隔溫側元件彼此實質上或完全交疊時提供鄰接配合。
- 如請求項19所述的框架, 其中所述滑輪至少包括前滑輪及後滑輪, 其中所述第一對準元件及所述第二對準元件包括多個滾軸且更包括至少一個滾軸接收支撐件,所述多個滾軸至少包括前滾軸及後滾軸,其中所述前滾軸及所述後滾軸被配置成當所述前滾軸及所述後滾軸分別耦合至所述滾軸接收支撐件時分別抬高所述前滑輪及所述後滑輪, 其中所述第一對準元件及所述第二對準元件佈置於 所述第一隔溫側元件及所述第二隔溫側元件上方,以使得當所述側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之內,或 所述第一隔溫側元件及所述第二隔溫側元件下方,以使得當所述側開口被封閉且每一框架可移除地對接於所述腔室中時,所述協作的對準元件佈置於所述溫控區帶之外。
- 如請求項20所述的框架,其中所述第一對準元件包括多個滾軸或至少一個滾軸接收支撐件。
- 如請求項19至21中任一項所述的框架,其中所述第一對準元件及/或所述第一隔溫側元件被佈置成靠近所述隔溫基底或佈置於所述隔溫基底處。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/SG2020/050791 WO2022146225A1 (en) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | Apparatus, transfer method, chamber and frame for semiconductor burn-in process |
WOPCT/SG2021/050828 | 2021-12-29 | ||
PCT/SG2021/050828 WO2022146237A1 (en) | 2020-12-30 | 2021-12-29 | Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI807610B TWI807610B (zh) | 2023-07-01 |
TW202326892A true TW202326892A (zh) | 2023-07-01 |
Family
ID=82198970
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110100422A TWI760048B (zh) | 2020-12-30 | 2021-01-06 | 半導體老化製程裝置、移轉方法、腔室以及框架 |
TW111102702A TWI807610B (zh) | 2020-12-30 | 2022-01-21 | 用於半導體老化製程之老化板對準及腔室與框架之間密封之裝置以及方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110100422A TWI760048B (zh) | 2020-12-30 | 2021-01-06 | 半導體老化製程裝置、移轉方法、腔室以及框架 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240053397A1 (zh) |
EP (2) | EP4042472A4 (zh) |
JP (2) | JP2023536767A (zh) |
KR (2) | KR20220098318A (zh) |
CN (2) | CN115066743A (zh) |
TW (2) | TWI760048B (zh) |
WO (2) | WO2022146225A1 (zh) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2653913B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1997-09-17 | 三菱電機株式会社 | バーンイン装置及びバーンインボード挿抜方法 |
JPH10177056A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Ono Sokki Co Ltd | 評価検証装置 |
US6526841B1 (en) * | 1999-08-02 | 2003-03-04 | Pemstar, Inc. | Environmental test chamber and a carrier for use therein |
JP2004286499A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Nec Kansai Ltd | バーンイン装置 |
JP2006292727A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-10-26 | Alps Electric Co Ltd | 半導体搬送トレイ、これを用いたバーンインボード、バーンイン試験用の検査装置及びバーンイン試験方法並びに半導体の製造方法 |
TWM434304U (en) * | 2012-02-23 | 2012-07-21 | King Yuan Electronics Co Ltd | Structure of universal slideway for burn in apparatus |
CN206387749U (zh) * | 2016-12-12 | 2017-08-08 | 广东圆融新材料有限公司 | 一种热老化试验箱 |
JP7164539B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2022-11-01 | エイアー テスト システムズ | 電子試験器 |
CN107085155A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-08-22 | 惠科股份有限公司 | 一种高温测试设备 |
CN206710573U (zh) * | 2017-05-16 | 2017-12-05 | 惠州雷士光电科技有限公司 | 一种led灯盘老化设备 |
CN108828432A (zh) * | 2018-06-08 | 2018-11-16 | 湖州慧能机电科技有限公司 | 一种大功率芯片老化测试装置 |
JP2020060400A (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | 末晴 宮川 | トレー交換式バーンイン試験装置 |
CN111289877B (zh) * | 2020-03-03 | 2022-07-19 | 武汉精鸿电子技术有限公司 | 一种老化测试设备 |
CN111220829A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-06-02 | 苏州广林达电子科技有限公司 | 一种显示屏模组高温老化测试装置 |
CN211741503U (zh) * | 2020-09-14 | 2020-10-23 | 武汉精鸿电子技术有限公司 | 一种可自动开关门的半导体测试设备 |
-
2020
- 2020-12-30 JP JP2021561039A patent/JP2023536767A/ja active Pending
- 2020-12-30 EP EP20934241.9A patent/EP4042472A4/en active Pending
- 2020-12-30 KR KR1020217034249A patent/KR20220098318A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-12-30 CN CN202080033496.6A patent/CN115066743A/zh active Pending
- 2020-12-30 WO PCT/SG2020/050791 patent/WO2022146225A1/en unknown
-
2021
- 2021-01-06 TW TW110100422A patent/TWI760048B/zh active
- 2021-12-29 EP EP21915965.4A patent/EP4356418A1/en active Pending
- 2021-12-29 US US18/258,235 patent/US20240053397A1/en active Pending
- 2021-12-29 WO PCT/SG2021/050828 patent/WO2022146237A1/en active Application Filing
- 2021-12-29 CN CN202180087639.6A patent/CN116783496A/zh active Pending
- 2021-12-29 JP JP2023535930A patent/JP2023553177A/ja active Pending
- 2021-12-29 KR KR1020237021015A patent/KR20230142450A/ko unknown
-
2022
- 2022-01-21 TW TW111102702A patent/TWI807610B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202229897A (zh) | 2022-08-01 |
TWI807610B (zh) | 2023-07-01 |
KR20220098318A (ko) | 2022-07-12 |
TWI760048B (zh) | 2022-04-01 |
US20240053397A1 (en) | 2024-02-15 |
WO2022146237A1 (en) | 2022-07-07 |
CN115066743A (zh) | 2022-09-16 |
US20230251305A1 (en) | 2023-08-10 |
JP2023553177A (ja) | 2023-12-20 |
EP4356418A1 (en) | 2024-04-24 |
KR20230142450A (ko) | 2023-10-11 |
EP4042472A1 (en) | 2022-08-17 |
EP4042472A4 (en) | 2022-12-21 |
CN116783496A (zh) | 2023-09-19 |
JP2023536767A (ja) | 2023-08-30 |
WO2022146225A1 (en) | 2022-07-07 |
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