TW202326150A - 克氏檢測用接觸針組合及具有其之克氏檢測裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可與半導體元件的電極間的窄節距化對應的克氏檢測用接觸針組合以及具有其之克氏檢測裝置。

Description

克氏檢測接觸針組合以及具有其之克氏測試元件

本發明是有關於一種克氏檢測用接觸針組合以及具有其之克氏檢測裝置。

在半導體測試中，克氏（Kelvin）檢測是用於對半導體元件的電阻精密地進行測定。克氏檢測裝置被佈置成在半導體元件的一個電極與電路基板的兩個連接盤（land）之間連接有一對導電接觸針。

克氏檢測裝置通常應用彈簧針（Pogo-pin）型的接觸針。彈簧針（Pogo-pin）型的接觸針包括以下來構成：上部柱塞，與半導體元件的電極接觸；下部柱塞，與電路基板的連接盤接觸；筒體，為圓筒形，供上部柱塞及/或下部柱塞插入；彈性彈簧，被收容在筒體內部以提供彈力。接觸針以插入至具有貫通孔的殼體的貫通孔的狀態對半導體元件的電阻進行測定。

然而，根據先前技術的克氏檢測裝置存在如下問題點。

首先，彈簧針型的接觸針因收容彈性彈簧的圓筒形的筒體結構、以及彈性彈簧自身的結構上的特性在減小兩個電極間的節距的方面存在限制。特別是，最近處於半導體元件逐漸高積體化且半導體元件的電極間的節距在微細地減小的時候，由於彈簧針型的接觸針難以減小自身整體大小，因此存在不能與如上所述的半導體元件的高積體化對應的問題點。

另外，由於兩個接觸針與半導體元件的一個電極接觸且各個接觸針插入至各個貫通孔，因此半導體元件的每個電極需要兩個貫通孔。由於電極間的節距窄節距化，因此貫通孔的內部寬度亦應變小，且貫通孔之間的壁部分的間隔亦應變小，因而產生難以確保殼體的剛性的問題點。 [現有技術文獻] [專利文獻]

（專利文獻1）註冊編號第10-0915654號 註冊公報

[發明所欲解決之課題]

本發明是為了解決上述先前技術的問題點而提出，本發明的目的在於提供一種可與半導體元件的電極間的窄節距化對應的克氏檢測用接觸針組合以及具有其之克氏檢測裝置。 [解決課題之手段]

為達成上述目的，根據本發明的克氏檢測用接觸針組合是與配置於檢測對象的一個電極及配置於電路基板的兩個連接盤分別進行電性連接的克氏檢測用接觸針組合，包括：第一導電接觸針；第二導電接觸針；以及絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間，以使所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針彼此絕緣。

另外，所述絕緣部包括：表面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面；以及側面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間，且所述表面絕緣部與所述側面絕緣部一體地連續形成。

另外，所述克氏檢測用接觸針組合包括微細溝槽，所述微細溝槽配置於與所述絕緣部相接的所述第一導電接觸針的側面與所述第二導電接觸針的側面。

另外，所述微細溝槽呈沿所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針的側面山與谷重複的褶皺形態，所述微細溝槽的深度為20 nm以上且1 μm以下。

另外，所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針藉由在導電接觸針的厚度方向上積層多個金屬層來形成。

另外，所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針分別包括：第一柱塞；第二柱塞；彈性部，使所述第一柱塞與所述第二柱塞進行彈性位移；以及支撐部，引導所述彈性部在所述克氏檢測用接觸針組合的長度方向上進行壓縮及伸長，且所述絕緣部配置在配置於所述第一導電接觸針的支撐部與配置於所述第二導電接觸針的支撐部之間。

另外，所述彈性部包括：第一彈性部，連結至所述第一柱塞；第二彈性部，連結至所述第二柱塞；以及中間固定部，在所述第一彈性部和所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結，且與所述支撐部配置成一體，所述絕緣部包括：表面絕緣部，配置在配置於所述第一導電接觸針的中間固定部及配置於所述第二導電接觸針的中間固定部中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面；以及側面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間。

另外，所述絕緣部為熱塑性聚醯亞胺。

另一方面，根據本發明的克氏檢測裝置包括克氏檢測用接觸針組合及支撐板，所述克氏檢測用接觸針組合包括：第一導電接觸針；第二導電接觸針；以及絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間，以使所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針彼此絕緣，所述支撐板形成有收容所述克氏檢測用接觸針組合的收容孔洞。

另外，所述收容孔洞的剖面為四邊形形狀，且所述克氏檢測用接觸針組合的剖面的外廓形狀為與所述收容孔洞的形狀對應的四邊形形狀，以使得所述克氏檢測用接觸針組合在插入至所述收容孔洞的狀態下不能旋轉。 [發明的效果]

本發明提供一種可與半導體元件的電極間的窄節距化對應的克氏檢測用接觸針組合以及具有其之克氏檢測裝置。

以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示，相應領域的技術人員亦可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外，本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的，並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。

所述的目的、特徵及優點藉由與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭，因此在發明所屬的技術領域內具有通常知識者可容易地實施發明的技術思想。

將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖及/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。為了有效地說明技術內容，對該些附圖所示的膜及區域的厚度等進行誇張表現。例示圖的形態可因製造技術及/或公差等變形。本發明的實施例並不限於所示的特定形態，亦包括根據製造製程生成的形態的變化。在本說明書中使用的技術用語僅用於說明特定的實施例，不旨在限定本發明。除非上下文另有明確規定，否則單數的表達包括複數的表達。在本說明書中，應理解的是，「包括」或「具有」等用語欲指定存在本說明書所記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合，不預先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、零部件或對其等進行組合的存在或附加可能性。

以下，參照附圖對本發明的較佳實施例具體地進行說明。以下在對各種實施例進行說明時，即使實施例不同，為了方便起見亦對執行相同功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的參考編號。另外，為了方便起見，將省略已經在其他實施例中說明的構成及操作。 第一實施例

以下，參照圖1至圖15的(b)對根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合進行說明。

圖1是根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的立體圖，圖2是示出利用根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合進行克氏檢測的圖，且圖3的(a)至圖15的(b)是用於對根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的製造方法進行說明的圖。

根據第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）與配置於檢測對象（1）的一個電極（2）及配置於電路基板（3）的兩個連接盤（4）分別進行電性連接。

根據第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）包括第一導電接觸針（10）、第二導電接觸針（20）及絕緣部（30）。絕緣部（30）配置於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間，以使第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）彼此絕緣。

第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）在其上部與配置於檢測對象的一個同一電極連接，且在其下部與配置於電路基板的各個連接盤連接。藉此，對檢測對象的電阻精密地進行測定。

第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）可由選自以下中的至少一種以上的金屬形成：銠（Rd）、鉑（Pt）、銥（Ir）、鈀（Pd）、鎳（Ni）、錳（Mn）、鎢（W）、磷（P）或其等的合金、或鈀鈷（PdCo）合金、鈀鎳（PdNi）合金或鎳磷（NiP）合金、鎳錳（NiMn）、鎳鈷（NiCo）或鎳鎢（NiW）合金、銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）或其等的合金。

第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）以絕緣部（30）為基準排列成左、右對稱的形狀。

絕緣部（30）同時具有使第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）結合成一體的結合功能、以及使第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）彼此絕緣的絕緣功能。

絕緣部（30）包含熱塑性聚醯亞胺（thermoplastic polyimide，TPI），且熱塑性聚醯亞胺（TPI）包括對用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物進行固化來形成的情形，所述用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺及聚醯胺酸樹脂組成的群組的一種以上的樹脂。但絕緣部（30）的材質不限定於此，且只要是可同時達成對第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的結合功能與絕緣功能的材質則均可包括。

絕緣部（30）在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的兩端部之間的一部分區域中以整體地包覆第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的形態形成。因此，在配置有絕緣部（30）的區域中，第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的一部分區域不會被暴露出。

絕緣部（30）包括表面絕緣部（33）與側面絕緣部（35）。表面絕緣部（33）與側面絕緣部（35）一體地連續形成。

表面絕緣部（33）配置於第一導電接觸針（10）及第二導電接觸針（20）中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面。表面絕緣部（33）包括：上部表面絕緣部（33a），配置於第一導電接觸針（10）及第二導電接觸針（20）中的至少任一者的上表面；以及下部表面絕緣部（33b），配置於第一導電接觸針（10）及第二導電接觸針（20）中的至少任一者的下表面。

側面絕緣部（35）包括配置於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間的內側面絕緣部（35a）、以及配置於其相反側面、即外側面的外側面絕緣部（35b）。

圖1及圖2中所示的絕緣部（30）包括以下來構成：上部表面絕緣部（33a），配置於第一導電接觸針（10）及第二導電接觸針（20）二者的上表面；下部表面絕緣部（33b），配置於第一導電接觸針（10）及第二導電接觸針（20）二者的下表面；內側面絕緣部（35a），配置於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間；以及外側面絕緣部（35b），配置於其相反側面、即外側面。

上部表面絕緣部（33a）、下部表面絕緣部（33b）、內側面絕緣部（35a）及外側面絕緣部（35b）彼此連結並形成為一體。內側面絕緣部（35a）執行使第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）彼此絕緣的絕緣功能。與內側面絕緣部（35a）一體地形成的表面絕緣部（33）執行對第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的結合功能。與表面絕緣部（33）一體地形成的外側面絕緣部（35b）執行對第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的結合功能。

以下，參照圖3的(a)至圖15的(b)對根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的製造方法（100）進行說明。

首先，執行準備在下部配置有晶種層（51）的陽極氧化膜材質的模具（50）的步驟。

圖3的(a)是示出在下部配置有晶種層（51）的陽極氧化膜材質的模具（50）的圖，且圖3的(b)是圖3的(a)的A-A’剖面圖。

陽極氧化膜意指對作為母材的金屬進行陽極氧化形成的膜，氣孔意指於對金屬進行陽極氧化形成陽極氧化膜的過程中形成的孔洞。例如，於作為母材的金屬為鋁（Al）或鋁合金的情況，若對母材進行陽極氧化，則於母材的表面形成氧化鋁（Al ₂O ₃）材質的陽極氧化膜。但母材金屬並非限定於此，包括Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb或其等的合金。如上所述形成的陽極氧化膜在垂直方向上區分為在內部未形成氣孔的阻擋層、與在內部形成有氣孔的多孔層。在具有阻擋層與多孔層的陽極氧化膜形成於表面的母材中，若移除母材，則僅保留氧化鋁（Al ₂O ₃）材質的陽極氧化膜。陽極氧化膜可由移除在進行陽極氧化時形成的阻擋層且氣孔沿上、下貫通的結構形成，或者由在進行陽極氧化時形成的阻擋層照原樣保留並將氣孔的上、下中的一端部密閉的結構形成。

陽極氧化膜具有2 ppm/℃至3 ppm/℃的熱膨脹係數。因此，於在高溫的環境下暴露出的情況，由溫度引起的熱變形小。因此，於克氏檢測用接觸針組合（100）的製作環境即使為高溫環境，亦可製作精密的克氏檢測用接觸針組合（100）而無熱變形。

在根據本發明的較佳實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）利用陽極氧化膜材質的模具（50）代替光阻模具來製造的方面，可發揮出實現作為光阻模具實現時曾存在限制的形狀的精密度、微細形狀的效果。另外，於現有的光阻模具的情況下，可製作40 μm厚度水準的探針，但於利用陽極氧化膜材質的模具（50）的情況下，可製作具有40 μm以上且200 μm以下的厚度的克氏檢測用接觸針組合（100）。

於模具（50）的下表面配置晶種層（51）。晶種層（51）可於在模具（50）形成蝕刻槽（52）之前配置於模具（50）的下表面。另一方面，在模具（50）的下部形成支撐基板（未圖示）從而可提高模具（50）的可操作性。

晶種層（51）利用沈積方法配置於模具（50）的下表面。在進行電鍍時，形成晶種層（51）以提高鍍覆特性。晶種層（51）形成為0.01 μm以上且1 μm以下的厚度。晶種層（51）可由鈦（Ti）、銅（Cu）或鎳（Ni）的單一層或其等的多個層形成。

接著，執行在模具（50）中形成第一蝕刻槽（52）的步驟。

圖4的(a)是示出形成有第一蝕刻槽（52）的模具（50）的圖，且圖4的(b)是圖4的(a)的A-A’剖面圖。

第一蝕刻槽（52）可藉由對陽極氧化膜材質的模具（50）的一部分進行濕式蝕刻來形成。為此，可在模具（50）的上表面配置光阻並對其進行圖案化，然後經圖案化而被開口的區域的陽極氧化膜與蝕刻溶液進行反應從而形成第一蝕刻槽（52）。

接著，執行在第一蝕刻槽（52）形成鍍覆層（53）的步驟。

圖5的(a)是示出在第一蝕刻槽（52）形成有鍍覆層（53）的模具（50）的圖，且圖5的(b)是圖5的(a)的A-A’剖面圖。

藉由在模具（50）的第一蝕刻槽（52）執行電鍍製程來形成第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）。由於鍍覆層（53）在模具（50）的厚度方向上生長並形成，因此在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的厚度方向上的各剖面中的形狀是相同的。

鍍覆層（53）可由選自以下中的至少一種以上的金屬形成：銠（Rd）、鉑（Pt）、銥（Ir）、鈀（Pd）、鎳（Ni）、錳（Mn）、鎢（W）、鈷（Co）、磷（P）或其等的合金、或鈀鈷（PdCo）合金、鈀鎳（PdNi）合金或鎳磷（NiP）合金、鎳錳（NiMn）、鎳鈷（NiCo）或鎳鎢（NiW）合金、銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）或其等的合金。

另一方面，在完成鍍覆製程之後，藉由在升溫至高溫後施加壓力對完成鍍覆製程的鍍覆層（53）進行按壓，從而可使鍍覆層（53）更高密度化。於將光阻材質用作模具的情況，由於在完成鍍覆製程之後的鍍覆層周邊存在光阻，因此不能執行升溫至高溫並施加壓力的製程。與此不同，由於在完成鍍覆製程的鍍覆層（53）的周邊配置有陽極氧化膜材質的模具（50），因此即便升溫至高溫亦因陽極氧化膜的低熱膨脹係數而可將變形最小化且使鍍覆層（53）高密度化。因此，與將光阻用作模具的技術相比，可獲得更加高密度化的鍍覆層（53）。

接著，執行在模具（50）的上部形成經圖案化的第一光阻層（54）的步驟。

圖6的(a)是示出在模具（50）的上部形成有經圖案化的第一光阻層（54）的圖，且圖6的(b)是圖6的(a)的A-A’剖面圖。

在經過之前步驟的模具（50）的上部形成第一光阻層（54）並對其進行圖案化來形成第一開口區域（55）。藉由第一開口區域（55）暴露出第一導電接觸針（10）的一部分、第二導電接觸針（20）的一部分及模具（50）的一部分。

接著，執行形成第二蝕刻槽（56）的步驟。

圖7的(a)是移除第一開口區域（54）的陽極氧化膜形成第二蝕刻槽（56）的圖，且圖7的(b)是圖7的(a)的A-A’剖面圖。

第二蝕刻槽（56）可藉由對陽極氧化膜材質的模具（50）的一部分進行濕式蝕刻來形成。為此，藉由第一開口區域（55）暴露出的陽極氧化膜可與蝕刻溶液進行反應來形成第二蝕刻槽（56）。在形成第二蝕刻槽（56）時，蝕刻溶液僅對陽極氧化膜選擇性地進行反應，而不對鍍覆層（53）進行反應。

由於形成第二蝕刻槽（56），因此第一導電接觸針（10）的上表面與左、右側面暴露出，且第二導電接觸針（20）的上表面與左、右側面暴露出。

圖8是顯示具有微細溝槽（88）的第一導電接觸針（10）的側面的圖。第二導電接觸針（20）的側面亦與圖8相同地具有微細溝槽（88）。因此，以下針對圖8的說明以第一導電接觸針（10）為基準進行說明，但配置於第二導電接觸針（20）的側面的微細溝槽（88）亦形成為與以下的構成相同的構成。

在第一導電接觸針（10）的側面形成微細溝槽（88），所述微細溝槽（88）呈在垂直於第一導電接觸針（10）的厚度方向的方向上沿第一導電接觸針（10）的側面山與谷重複的褶皺形態，所述微細溝槽（88）的深度為20 nm以上且1 μm以下。

微細溝槽（88）在第一導電接觸針（10）的側面中在第一導電接觸針（10）的厚度方向上長長地延伸形成。換言之，微細溝槽（88）的山與谷的延伸方向為第一導電接觸針（10）的厚度方向。此處，第一導電接觸針（10）的厚度方向意指在進行電鍍時鍍覆層（53）生長的方向。

微細溝槽（88）的深度具有20 nm以上且1 μm以下的範圍，其寬度亦具有20 nm以上且1 μm以下的範圍。此處，由於微細溝槽（88）源於在製造陽極氧化膜模具時形成的氣孔，因此微細溝槽（88）的寬度與深度具有陽極氧化膜模具（50）的氣孔的直徑範圍以下的值。另一方面，於在陽極氧化膜模具（50）形成第一蝕刻槽（52）的過程中，可藉由蝕刻溶液使陽極氧化膜模具（50）的氣孔的一部分彼此破碎，且至少部分形成具有較在進行陽極氧化時形成的氣孔的直徑範圍更大範圍的深度的微細溝槽（88）。

由於陽極氧化膜模具（50）包括大量氣孔，對此種陽極氧化膜模具（50）的至少一部分進行蝕刻形成第一蝕刻槽（52），且利用電鍍在第一蝕刻槽（52）內部形成鍍覆層（53），因此在第一導電接觸針（10）的側面配置有與陽極氧化膜模具（50）的氣孔接觸的同時形成的微細溝槽（88）。

由於如上所述般的微細溝槽（88）呈在垂直於厚度方向的方向上深度為20 nm以上且1 μm以下的山與谷重複的褶皺形態，因此對於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的側面而言具有可使表面積變大的效果。藉由在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的側面形成的微細溝槽（88）的構成，由於集膚效應（skin effect）使電流流通的表面積增大，從而可增大沿第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）流動的電流的密度並提高克氏檢測用接觸針組合（100）的電性特性（特別是高頻率特性）。另外，藉由微細溝槽（88）的構成，可快速釋放在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）中產生的熱，因此可抑制克氏檢測用接觸針組合（100）的溫度上升。

接著，執行對第二蝕刻槽（56）填充絕緣物質（59）的步驟。圖9的(a)是示出對第二蝕刻槽（56）填充絕緣物質（59）的圖，且圖9的(b)是圖9的(a)的A-A’剖面圖。

絕緣物質（59）可藉由對用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物進行固化來形成，所述用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺及聚醯胺酸樹脂組成的群組的一種以上的樹脂，但不限定於此。

接著，執行移除第一光阻層（54）的步驟。圖10的(a)是示出移除第一光阻層（54）的圖，且圖10的(b)是圖10的(a)的A-A’剖面圖。

接著，執行將經過之前步驟的半成品上、下翻轉的步驟。圖11的(a)是示出將所述半成品上、下翻轉的圖，且圖11的(b)是圖11的(a)的A-A’剖面圖。

接著，執行在上表面形成第二光阻層（57）的步驟。圖11的(a)是示出在上表面形成第二光阻層（57）的圖，且圖11的(b)是圖11的(a)的A-A’剖面圖。

在上表面形成第二光阻層（57）並對其進行圖案化來形成第二開口區域（58）。藉由第二開口區域（58）使第一導電接觸針（10）的一部分、第二導電接觸針（20）的一部分及絕緣物質（59）的一部分暴露出。

接著，執行對第二開口區域（58）填充絕緣物質（59）的步驟。圖13的(a)是示出對第二開口區域（58）填充絕緣物質（59）的圖，且圖13的(b)是圖13的(a)的A-A’剖面圖。在第二開口區域（58）形成的絕緣物質（59）與在之前步驟中形成的絕緣物質（59）為同一材質。填充至第二開口區域（58）的絕緣物質（59）與之前形成的絕緣物質達成一體化。

接著，執行移除第二光阻層（57）的步驟。圖14的(a)是示出移除第二光阻層（57）的圖，且圖14的(b)是圖14的(a)的A-A’剖面圖。

接著，執行移除陽極氧化膜材質的模具（50）的步驟。圖15的(a)是示出移除陽極氧化膜材質的模具（50）的圖，且圖15的(b)是圖15的(a)的A-A’剖面圖。

藉由如上所述的過程完成克氏檢測用接觸針組合（100）的製作，所述克氏檢測用接觸針組合（100）包括：第一導電接觸針（10）；第二導電接觸針（20）；以及絕緣部（30），配置於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間，以使第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）彼此絕緣。

根據第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）藉由在第一導電接觸針（10）的側面與第二導電接觸針（20）的側面配置微細溝槽（88）的構成，第一導電接觸針（10）與絕緣部（30）的結合力得到提高，且第二導電接觸針（20）與絕緣部（30）的結合力得到提高。因此，即便在第一導電接觸針（10）與絕緣部（30）之間的介面及第二導電接觸針（20）與絕緣部（30）之間的介面處產生欲使其等分離的剪切力，藉由微細溝槽（88）的構成亦可有效地防止第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）自絕緣部（30）分離。

根據第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）中由於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）藉由絕緣部（30）進行結合並形成為一個部件，因此可將第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）一次性插入至一個收容孔洞（H）。因此，可減小第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間的隔開距離，進而可與檢測對象的高積體化對應。另外，由於可將應形成於支撐板（GP）的收容孔洞（H）的個數減少一半，因此可解決支撐板（GP）的剛性下降的問題。 第一實施例的變形例

圖16的(a)及圖16的(b)是示出根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）的變形例的圖。

圖16的(a)及圖16的(b)中示出的克氏檢測用接觸針組合（200）僅在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）藉由積層多個金屬層來配置的方面與第一實施例存在差異，且其餘構成相同。

多個金屬層包括第一金屬層（160）與第二金屬層（180）。第一金屬層（160）為與第二金屬層（180）相比耐磨性相對高的金屬，較佳為可由選自以下中的金屬形成：銠（Rd）、鉑（Pt）、銥（Ir）、鈀（Pd）、鎳（Ni）、錳（Mn）、鎢（W）、鈷（Co）、磷（P）或其等的合金、或鈀鈷（PdCo）合金、鈀鎳（PdNi）合金或鎳磷（NiP）合金、鎳錳（NiMn）、鎳鈷（NiCo）或鎳鎢（NiW）合金。第二金屬層（180）為與第一金屬層（160）相比電導率相對高的金屬，較佳為可由選自銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）或其等的合金中的金屬形成。

第一金屬層（160）在第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）的厚度方向上配置於下表面與上表面，且第二金屬層（180）配置於第一金屬層（160）之間。例如，第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）藉由按照第一金屬層（160）、第二金屬層（180）、第一金屬層（160）的順序交替積層第一金屬層（160）、第二金屬層（180）來配置，且積層的層數可由三層以上組成。

例如，第一金屬層（160）由鈀鈷（PdCo）合金形成，第二金屬層（180）由銅（Cu）形成，從而可藉由交替積層鈀鈷（PdCo）合金與銅（Cu）來構成三層以上的金屬層。或者，第一金屬層（160）由鈀鈷（PdCo）合金或銠（Rd）形成，第二金屬層（180）由銅（Cu）形成，從而可按順序積層鈀鈷（PdCo）合金、銅（Cu）、銠（Rd）、銅（Cu）及鈀鈷（PdCo）合金來構成五層以上的金屬層。

藉由積層有多個金屬層的構成，可提高以窄節距排列的克氏檢測用接觸針組合（200）的彈力、耐磨性及/或導電性。換言之，藉由採用積層有多個金屬層的構成，即便以窄節距排列克氏檢測用接觸針組合（200）亦可防止耐磨性下降或導電性下降的現象，且可提供高彈力的機械特性。

圖17的(a)及圖17的(b)是示出根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）的變形例的圖。

圖17的(a)及圖17的(b)中所示的克氏檢測用接觸針組合（300）僅在絕緣部（30）覆蓋的區域方面與第一實施例存在差異，且其餘構成相同。

圖17的(a)及圖17的(b)中所示的絕緣部（30）由表面絕緣部（33）與側面絕緣部（35）形成，所述表面絕緣部（33）配置於第一導電接觸針（10）的上表面及下表面、第二導電接觸針（20）的上表面及下表面，所述側面絕緣部（35）配置於第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）之間，且在不配置外側面絕緣部（35）的方面與第一實施例的構成存在差異。

藉由不配置外側面絕緣部（35）的構成，與根據第一實施例的克氏檢測用接觸針組合（100）相比，具有以下效果：改善通過克氏檢測用接觸針組合（300）的側面進行散熱的特性。 第二實施例

接著，對根據本發明的第二實施例進行闡述。但，以下說明的實施例與所述第一實施例相比以特徵性的構成要素為中心進行說明，且盡可能省略對與第一實施例相同或相似的構成要素的說明。

以下，參照圖18的(a)至圖21對根據本發明的較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合（1000）進行說明。

圖18的(a)是根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合的平面圖，圖18的(b)是圖18的(a)的A-A’剖面圖，圖19是根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合的立體圖，圖20是示出根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合中僅一對導電接觸針的圖，且圖21是示出利用根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合進行克氏檢測的圖。

根據第二實施例的克氏檢測用接觸針組合（1000）與配置於檢測對象（1）的一個電極（2）及配置於電路基板（3）的兩個連接盤（4）分別進行電性連接。

根據第二實施例的克氏檢測用接觸針組合（1000）包括第一導電接觸針（1010）、第二導電接觸針（1020）及絕緣部（1030）。絕緣部（1030）配置於第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）之間，以使第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）彼此絕緣。

第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）藉由積層多個金屬層來配置。多個金屬層包括第一金屬層（160）與第二金屬層（180）。第一金屬層（160）為與第二金屬層（180）相比耐磨性相對高的金屬，較佳為可由選自以下中的金屬形成：銠（Rd）、鉑（Pt）、銥（Ir）、鈀（Pd）、鎳（Ni）、錳（Mn）、鎢（W）、鈷（Co）、磷（P）或其等的合金、或鈀鈷（PdCo）合金、鈀鎳（PdNi）合金或鎳磷（NiP）合金、鎳錳（NiMn）、鎳鈷（NiCo）或鎳鎢（NiW）合金。第二金屬層（180）為與第一金屬層（160）相比電導率相對高的金屬，較佳為可由選自銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）或其等的合金中的金屬形成。

第一金屬層（160）在第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的厚度方向上配置於下表面與上表面，且第二金屬層（180）配置於第一金屬層（160）之間。例如，第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）藉由按照第一金屬層（160）、第二金屬層（180）、第一金屬層（160）的順序交替積層第一金屬層（160）、第二金屬層（180）來配置，且積層的層數可由三層以上組成。

第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）以絕緣部（30）為基準排列成左、右對稱的形狀。由於以下說明的第一導電接觸針（1010）的構成是在第二導電接觸針（1020）中亦採用的構成，因此以第一導電接觸針（1010）為基準進行說明，且在針對第二導電接觸針（1020）的說明中將省略針對第一導電接觸針（1010）說明的構成。

第一導電接觸針（1010）包括：第一柱塞（110），位於第一導電接觸針（1010）的第一端部側且其端部為第一接點；第二柱塞（120），位於第一導電接觸針（1010）的第二端部側且其端部為第二接點；彈性部（130），使第一柱塞（110）與第二柱塞（120）在探針（100）的長度方向上進行彈性位移；以及支撐部（140），引導彈性部（130）在探針（100）的長度方向上進行壓縮及伸長，且沿探針（100）的長度方向配置於彈性部（130）的外側，以防止彈性部（130）在壓縮時在水平方向上拐彎或彎曲從而挫曲。

第一柱塞（110）的第一接點連接至上部連接對象，且第二柱塞（120）連接至下部連接對象。參照圖21，第一柱塞（110）與電路基板（3）的連接盤（4）接觸，且第二柱塞（120）與檢測對象（1）的電極（2）接觸。另一方面，反之，亦可為第一柱塞（110）與檢測對象（1）的電極（2）接觸而第二柱塞（120）與電路基板（3）的連接盤（4）接觸。

彈性部（130）包括：第一彈性部（131），連結至第一柱塞（110）；第二彈性部（135），連結至第二柱塞（120）；以及中間固定部（137），在第一彈性部（131）和第二彈性部（135）之間與第一彈性部（131）及第二彈性部（135）連結，且與支撐部（140）配置成一體。彈性部（130）在第一導電接觸針（1010）的厚度方向上的各剖面形狀在所有厚度剖面中是相同的。另外，彈性部（130）的厚度整體上相同。第一彈性部（131）、第二彈性部（135）藉由具有實質寬度（t）的板狀板以S字模樣反復彎折來形成，且板狀板的實質寬度（t）整體上是固定的。板狀板的實質寬度與板狀板的厚度之比具有1:5以上且1:30以下的範圍。

在第一導電接觸針（1010）對檢測對象（1）進行檢測之前，第一柱塞（110）與電路基板（3）的連接盤（4）接觸且第一彈性部（130）在第一導電接觸針（1010）的長度方向上被壓縮變形，且第二柱塞（120）呈不與檢測對象（1）接觸的狀態，在第一導電接觸針（1010）對檢測對象（1）進行檢測的過程中，第二柱塞（120）與檢測對象（1）的電極（2）接觸且第二彈性部（135）被壓縮變形。

第一柱塞（110）的一端為自由端且另一端連結至第一彈性部（131），從而可藉由接觸壓力彈性地垂直移動。第二柱塞（120）的一端為自由端且另一端連結至第二彈性部（135），從而可藉由接觸壓力彈性地垂直移動。

第一彈性部（131）的一端連結至第一柱塞（110），且另一端連結至中間固定部（137）。第二彈性部（135）的一端連結至第二柱塞（120），且另一端連結至中間固定部（137）。

支撐部（140）包括：第一支撐部（141），配置於彈性部（130）的左側；以及第二支撐部（145），配置於彈性部（130）的右側。

在支撐部（140）的外壁配置有卡合部（149），以使支撐部（140）可卡合固定在支撐板（GP）。卡合部（149）包括卡接在支撐板（GP）的上表面的上部卡合部（149a）、以及卡接在支撐板（GP1）的下表面的下部卡合部（149b）。

中間固定部（137）在第一導電接觸針（1010）的寬度方向上延伸形成，且連結第一支撐部（141）與第二支撐部（145）。

第一彈性部（131）以中間固定部（137）為基準配置於其上部，且第二彈性部（135）以中間固定部（137）為基準配置於其下部。第一彈性部（131）及第二彈性部（135）以中間固定部（137）為基準進行壓縮或伸長變形。中間固定部（137）固定在第一支撐部（141）、第二支撐部（145），從而在第一彈性部（131）、第二彈性部（135）壓縮變形時執行限制第一彈性部（141）、第二彈性部（145）的位置移動的功能。

第一支撐部（141）與第二支撐部（145）沿第一導電接觸針（1010）的長度方向形成，且第一支撐部（141）與第二支撐部（145）一體地連結至沿第一導電接觸針（1010）的寬度方向延伸形成的中間固定部（137）。另外，第一彈性部（131）、第二彈性部（135）藉由中間固定部（137）連結成一體，同時第一導電接觸針（1010）在整體上構成為一個整體。

第一彈性部（131）、第二彈性部（135）藉由多個直線部（130a）與多個彎曲部（130b）交替連接形成。直線部（130a）連結左、右相鄰的彎曲部（130b），且彎曲部（130b）連結上、下相鄰的直線部（130a）。彎曲部（130b）配置成圓弧形狀。

於第一彈性部（131）、第二彈性部（135）的中央部位佈置直線部（130a），且於第一彈性部（131）、第二彈性部（135）的外側部位佈置彎曲部（130b）。直線部（130a）與寬度方向平行地配置，使得彎曲部（130b）更容易根據接觸壓進行變形。

與中間固定部（137）連結的第一彈性部（131）、第二彈性部（135）為第一彈性部（131）、第二彈性部（135）的彎曲部（130b）。藉此，第一彈性部（131）、第二彈性部（135）相對於中間固定部（137）保持彈力。

第一彈性部（131）需要使多個第一導電接觸針（100）的第一柱塞（110）可分別穩定地與上部連接對象接觸的程度的壓縮量，相比之下，第二彈性部（135）需要使多個探針（100）的第二柱塞（120）可分別穩定地與下部連接對象接觸的程度的壓縮量。因此，第一彈性部（131）的彈性係數與第二彈性部（135）的彈性係數彼此不同。例如，第一彈性部（131）的長度與第二彈性部（135）的長度彼此不同地配置。另外，第二彈性部（135）的長度方向的長度可形成得較第一彈性部（131）的長度方向的長度長。

第一支撐部（141）與第二支撐部（145）在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成開口部。開口部包括供第一柱塞（110）在垂直方向上可通過的上部開口部、以及供第二柱塞（120）在垂直方向上可通過的下部開口部。上部開口部與下部開口部執行以下功能：藉由第一彈性部（131）、第二彈性部（135）的復原力防止第一柱塞（110）、第二柱塞（120）向支撐部（140）突出得過多。

第一支撐部（141）具有向上部開口部側延伸的第一門戶部（144a），且第二支撐部（145）具有向上部開口部側延伸的第二門戶部（144b）。第一門戶部（144a）與第二門戶部（144b）彼此相對而隔開的空間為上部開口部。上部開口部的開口寬度較第一彈性部（131）的直線部（130a）的左、右長度形成得小。

第一柱塞（110）與第一彈性部（131）的直線部（130a）連結，且配置成在第一導電接觸針（100）的長度方向上長長地形成的桿（rod）形狀。第一柱塞（110）可在垂直方向上通過由第一支撐部（141）與第二支撐部（145）形成的上部開口部。另外，由於第一彈性部（131）的直線部（130a）的左、右長度較上部開口部的寬度形成得大，因此第一彈性部（131）的直線部（130a）無法通過上部開口部。藉此，限制了第一柱塞（110）的上升衝程。

第一支撐部（141）與第二支撐部（145）在其兩端部彼此接近但彼此隔開並形成供第一柱塞（110）在垂直方向上可通過的上部開口部，若第一柱塞（141）在支撐部（140）內部垂直下降，則上部開口部的開口寬度減小，且第一支撐部（141）、第二支撐部（145）與第一柱塞（110）彼此接觸，從而形成額外的接觸點。

第一支撐部（141）具有向支撐部（140）的內側空間延伸的第一延伸部（145a），且第二支撐部（145）具有向支撐部（140）的內側空間延伸的第二延伸部（145b）。

第一延伸部（145a）連結至第一門戶部（144a）。第一延伸部（145a）的一端連結至第一門戶部（144a），且其另一端向支撐部（140）的內側空間延伸並構成為自由端。

第二延伸部（145b）連結至第二門戶部（144b）。第二延伸部（145b）的一端連結至第二門戶部（144b），且其另一端向支撐部（140）的內側空間延伸並構成為自由端。

在第一柱塞（110）配置有向第一延伸部（145a）方向延伸的第一突出片（110a）、以及向第二延伸部（145b）方向延伸的第二突出片（110b）。若第一柱塞（110）藉由加壓力下降，則第一突出片（110a）及第二突出片（110b）可分別與第一延伸部（145a）及第二延伸部（145b）接觸。

若第一柱塞（110）下降，則第一突出片（110a）及第二突出片（110b）可分別與第一延伸部（145a）及第二延伸部（145b）接觸，從而形成額外的接觸點。

由於第一延伸部（145a）與第二延伸部（145b）傾斜地形成，因此若第一柱塞（110）垂直下降，則第一突出片（110a）與第二突出片（110b）分別對第一延伸部（145a）與第二延伸部（145b）加壓，從而減小第一門戶部（144a）與第二門戶部（144b）的隔開空間。換言之，隨著第一柱塞（110）下降，第一門戶部（144a）與第二門戶部（144b）以彼此更加接近的方式變形，從而減小上部開口部的開口寬度。如此，若第一柱塞（110）向支撐部（140）的內部垂直下降，則上部開口部的開口寬度減小，且第一支撐部（141）、第二支撐部（145）與第一柱塞（110）彼此接觸，從而形成額外的接觸點。

在第一柱塞（110）下降時首先第一突出片（110a）、第二突出片（110b）與第一延伸部（145a）、第二延伸部（145b）彼此接觸而形成額外的接觸點，並且其次藉由進一步的下降第一門戶部（144a）、第二門戶部（144b）與第一柱塞（110）彼此接觸而額外地形成接觸點。如此，由於第一柱塞（110）垂直下降，在第一柱塞（110）與支撐部（140）間形成額外的電流通道。此種額外的電流通道不通過彈性部（130）而在支撐部（140）中由第一柱塞（110）直接形成。由於形成額外的電流通道，因此可實現更穩定的電性連接。

上部開口部的開口寬度與第一柱塞（110）的垂直下降距離成比例地減小。另外，於在第一門戶部（144a）、第二門戶部（144b）與第一柱塞（110）接觸之後亦對第一柱塞（110）施加下降壓力的情況，第一門戶部（144a）、第二門戶部（144b）與第一柱塞（110）間的摩擦力進一步變大。增大的摩擦力防止第一柱塞（110）下降得過多。藉此，可防止彈性部（更具體而言第一彈性部（131））被過度地壓縮變形。

第二柱塞（120）在上部連結至第二彈性部（135），且其端部通過下部開口部。

第二柱塞（120）包括：連結部（129），與彈性部（130）連結；突出尖（125），提供第二接點；以及內側主體（121），配置於連結部（129）與突出尖（125）之間且不會脫離至支撐部（140）的外側。

連結部（129）的一端連結至彈性部（130），更具體而言連結至第二彈性部（135），且連結部（129）的另一端連結至內側主體（121）。

第二柱塞（120）重複執行上升及下降動作，此時位於左側、右側的支撐部（140）與第二柱塞（120）彼此進行滑動接觸。為了將第二柱塞（120）與支撐部（140）間的滑動摩擦力最小化，內側主體（121）以平面圖為基準構成為半球形狀。內側主體（121）以半球形狀構成從而將與支撐部（140）的摩擦阻力最小化。

內側主體（121）是位於支撐部（140）的內側的部位，內側主體（121）的下表面的左、右長度較下部開口部的開口寬度形成得大，以使得內側主體（121）不會自支撐部（140）脫離。

在第二柱塞（120）的突出尖（125）處配置有階梯部（127）。階梯部（127）在第二柱塞（120）自支撐部（140）突出的部位處在自第二接點向下部開口部的方向上在第二柱塞（120）的寬度增加時形成。

在執行第二柱塞（120）的擦拭動作的過程中產生氧化膜層的碎屑。碎屑彼此黏附並結塊，此種碎屑被卡在階梯部（127）並被誘導自然地下落，且防止持續地生長。另外，階梯部（127）執行防止碎屑向支撐部（140）內側移動的功能。

第二柱塞（120）在支撐部（140）內部垂直上升且在第二接點處執行擦拭動作。彈性部（130）相對於第二柱塞（120）的軸線方向偏心地連結至第二柱塞（120），以使得第二彈性部（135）在第二柱塞（120）上升時在第二柱塞（120）的第二接點處可執行擦拭動作。

連結部（129）具有傾斜角度且連結至第二彈性部（135）及內側主體（121）的球面。連結部（129）的一端在第二柱塞（120）的軸線位置或靠近軸線的位置處連結至內側主體（121）的球面，且連結部（129）的另一端相較於一端在距軸線更遠的位置處連結至第二彈性部（135）。較佳為連結部（129）的一端在內側主體（121）的軸線位置處連結至內側主體（121），且連結部（129）的另一端在第二彈性部（135）的彎曲部（130b）位置處連結至第二彈性部（135）。

若第二柱塞（120）上升，則內側主體（121）藉由在內側主體（121）的上表面傾斜地連結至第二彈性部（135）的連結部（129）受到偏向的推斥力。藉由此種構成，在第二柱塞（120）藉由加壓力在垂直方向上上升時，內側主體（121）受到偏心阻力。內側主體（121）在上側受到偏心阻力並對內側主體（121）產生旋轉力矩，因此第二柱塞（120）的突出尖（125）在保持與檢測對象的適當的接觸壓力的同時傾斜，並對檢測對象執行擦拭動作。

第二柱塞（120）的突出尖（125）在保持適當的接觸壓力的同時傾斜，並在氧化膜層誘發龜裂，且電極（2）的導電物質層藉由龜裂暴露出從而與突出尖（125）接觸。藉此實現電性連接。另外，藉由此種擦拭動作，可將電極（2）的損傷最小化，且不會引起過多量的氧化膜層的碎屑，從而發揮出增加第一導電接觸針（100）的使用時間的效果。

在第二接點處對檢測對象的電極（2）擦拭的程度的大小可藉由下部開口部與突出尖（125）間的縫隙的大小來控制。下部開口部與突出尖（125）之間的縫隙是決定容許傾斜角度的因素，若下部開口部與突出尖（125）之間的縫隙大，縫隙越大則突出尖（125）在第二接點的傾斜角度變得越大，若下部開口部與突出尖（125）之間的縫隙小，縫隙越小則突出尖（125）在第二接點的傾斜角度變得越小。

由於所述第一導電接觸針（1010）為在被反復彎折的彈簧結構中壓縮變形並進行擦拭的結構，因此可防止對電極（2）施加過大的壓力，從而將電極（2）受到損傷的情形最小化。

由於第一柱塞（110）、第二柱塞（120）、彈性部（130）及支撐部（140）利用鍍覆製程一次性製作，因此配置成一體型。第一導電接觸針（1010）的板狀板在整體上一體連結來構成第一柱塞（110）、第二柱塞（120）、彈性部（130）及支撐部（140）。

絕緣部（1030）同時具有使第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）結合成一體的結合功能、以及使第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）彼此絕緣的絕緣功能。

絕緣部（1030）包含熱塑性聚醯亞胺（TPI），且熱塑性聚醯亞胺（TPI）包括對用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物進行固化來形成的情形，所述用於形成熱塑性聚醯亞胺的樹脂組成物包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺及聚醯胺酸樹脂組成的群組的一種以上的樹脂。但絕緣部（30）的材質不限定於此，且只要是可同時達成對第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的結合功能與絕緣功能的材質則均可包括。

絕緣部（1030）在第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的兩端部之間的一部分區域中以包覆第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的形態形成。因此，在配置有絕緣部（30）的區域中不會暴露出第一導電接觸針（10）與第二導電接觸針（20）。

絕緣部（1030）包括表面絕緣部（1033）與側面絕緣部（1035）。表面絕緣部（1033）與側面絕緣部（1035）一體地連續形成。

表面絕緣部（1033）配置於第一導電接觸針（1010）及第二導電接觸針（1020）中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面。

側面絕緣部（1035）配置於第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）之間。更具體而言，側面絕緣部（1035）配置在配置於第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）及配置於第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）之間。側面絕緣部（1035）不僅配置於第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的內側面，而且雖然未示出但亦可配置於第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）的外側面。

絕緣部（1030）藉由與第一導電接觸針（1010）的中間固定部（137）及第二導電接觸針（1020）的中間固定部（137）的位置對應來進行配置。

表面絕緣部（1033）配置在配置於第一導電接觸針（1010）的中間固定部（137）及配置於第二導電接觸針（1020）的中間固定部（137）中的任一者的上表面及下表面中的至少任一表面，且側面絕緣部（1035）配置於第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）與第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）之間。

側面絕緣部（1035）可按照第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）與第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）在長度方向的延伸長度在長度方向上延伸並配置於第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）與第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）之間，以使得第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）與第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）不會彼此接觸。

表面絕緣部（1033）配置於中間固定部（137）的表面（上表面及/或下表面）上，從而不妨礙彈性部（130）的彈性變形並將側面絕緣部（1035）自第一導電接觸針（1010）及/或第二導電接觸針（1020）分離的情形最小化。

在第一導電接觸針（1010）的側面及第二導電接觸針（1020）的側面亦配置第一實施例中說明的微細溝槽（88）。更具體而言，第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）利用陽極氧化膜材質的模具（50）製作而成。因此，在第一導電接觸針（1010）的支撐部（140）的側面與第二導電接觸針（1020）的支撐部（140）的側面配置微細溝槽（88）。

藉由在第一導電接觸針（1010）的側面與第二導電接觸針（1020）的側面配置微細溝槽（88）的構成，第一導電接觸針（1010）與絕緣部（1030）的結合力得到提高，且第二導電接觸針（1020）與絕緣部（1030）的結合力得到提高。因此，即便在第一導電接觸針（1010）與絕緣部（1030）之間的介面及第二導電接觸針（1020）與絕緣部（1030）之間的介面處產生欲使其等分離的剪切力，藉由微細溝槽（88）的構成亦可有效地防止第一導電接觸針（1010）與第二導電接觸針（1020）自絕緣部（1030）分離。 檢測裝置

以上說明的根據本發明較佳各實施例的克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）配置於檢測裝置並用於對檢測對象的電特性精密地進行測定。可使用根據本發明較佳實施例的克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）的檢測裝置並不限定於此，包括任何施加電以確認檢測對象的電特性的檢測裝置。

檢測裝置的檢測對象可包括半導體元件、記憶體晶片、微處理器晶片、邏輯晶片、發光元件或其等的組合。例如，檢測對象包括：邏輯大型積體電路（large scale integration，LSI）（如應用專用積體電路（application specified integrated circuit，ASIC）、場可程式化閘陣列（field programmable gate array，FPGA）及應用專用標準產品（Application Specific Standard Product，ASSP）般）、微處理器（如中央處理單元（central processing unit，CPU）及圖形處理單元（graphic processing unit，GPU）般）、記憶體（動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM）、混合記憶體立方體（Hybrid Memory Cube，HMC）、磁性隨機存取記憶體（磁性RAM（Magnetic random access memory，MRAM））、相變記憶體（Phase-Change Memory，PCM）、電阻式隨機存取記憶體（Resistive RAM，ReRAM）、鐵電隨機存取記憶體（鐵電RAM）（Ferroelectric RAM，FeRAM）及快閃記憶體（反及快閃（NAND flash））、半導體發光元件（包括發光二極體（light emitting diode，LED）、迷你LED、微型LED等）、電力裝置、類比積體電路（integrated circuit，IC）（如直交流（DC-AC）轉換器及絕緣閘雙極電晶體（insulated gate bipolar transistor，IGBT）般）、微機電系統（MEMS）（如加速感測器、壓力感測器、振動器及陀螺儀（Gyro）感測器般）、無線裝置（如全球定位系統（global positioning system，GPS）、調頻（frequency modulation，FM）、近場通訊（near field communication，NFC）、射頻電磁（Radio Frequency Electro-Magnetic，RFEM）、微波單片積體電路（Microwave Monolithic Integrated Circuit，MMIC）及無線區域網路（Wireless Local Area Network，WLAN）般）、獨立裝置、背照式（Back-side illuminated，BSI）、互補金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）影像感測器（CMOS image sensor，CIS）、照相機模組、CMOS、手動裝置、GAW濾波器、射頻（radio frequency，RF）濾波器、RF積體被動裝置（Integrated Passive Device，IPD）、自適應預測編碼（adaptive predictive encoding，APE）及基帶（Baseband，BB）。

檢測裝置包括形成有孔洞的支撐板（GP）及插入至支撐板（GP）的收容孔洞（H）來設置於支撐板（GP）的克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）。更具體而言，檢測裝置包括克氏檢測用接觸針組合（100、1000）及支撐板（GP），所述克氏檢測用接觸針組合（100、1000）包括：第一導電接觸針（10、1010）；第二導電接觸針（20、1020）；以及絕緣部（30、1030），配置於第一導電接觸針（10、1010）與第二導電接觸針（20、1020）之間，以使第一導電接觸針（10、1010）與第二導電接觸針（20、1020）彼此絕緣，所述支撐板（GP）形成有收容克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）的收容孔洞（H）。

此處，第一導電接觸針（10、1010）與第二導電接觸針（20、1020）一同插入至一個收容孔洞（H）。

收容孔洞（H）的剖面為四邊形形狀，且克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）的剖面的外廓形狀為與收容孔洞（H）的形狀對應的四邊形形狀。藉此，使得在克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）插入至收容孔洞（H）的狀態下，克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）不會在收容孔洞（H）內旋轉。因此，可預先防止由於克氏檢測用接觸針組合（100、200、300、1000）在收容孔洞（H）內旋轉而產生的接觸錯誤。

如上所述，雖然參照本發明的較佳實施例進行說明，但相應技術領域的普通技術人員可在不脫離下述申請專利範圍所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。

1:檢測對象 2:電極 3:電路基板 4:連接盤 10、1010:第一導電接觸針 20、1020:第二導電接觸針 30、1030:絕緣部 33、1033:表面絕緣部 33a:上部表面絕緣部 33b:下部表面絕緣部 35、1035:側面絕緣部 35a:內側面絕緣部 35b:外側面絕緣部 50:模具 51:晶種層 52:蝕刻槽/第一蝕刻槽 53:鍍覆層 54:第一光阻層 55:第一開口區域 56:第二蝕刻槽 57:第二光阻層 59:絕緣物質 88:微細溝槽 100、200、300、1000:克氏檢測用接觸針組合 110:第一柱塞 110a:第一突出片 110b:第二突出片 120:第二柱塞 121:內側主體 125:突出尖 127:階梯部 129:連結部 130:彈性部 130a:直線部 130b:彎曲部 131:第一彈性部 135:第二彈性部 137:中間固定部 140:支撐部 141:第一支撐部 144a:第一門戶部 144b:第二門戶部 145:第二支撐部 145a:第一延伸部 145b:第二延伸部 149:卡合部 149a:上部卡合部 149b:下部卡合部 160:第一金屬層 180:第二金屬層 GP:支撐板 H:收容孔洞

圖1是根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的立體圖。 圖2是示出利用根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合進行克氏檢測的圖。 圖3的(a)至圖15的(b)是用於對根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的製造方法進行說明的圖。 圖16的(a)及圖16的(b)是示出根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的變形例的圖。 圖17的(a)及圖17的(b)是示出根據本發明較佳第一實施例的克氏檢測用接觸針組合的變形例的圖。 圖18的(a)是根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合的平面圖。 圖18的(b)是圖18的(a)的A-A’剖面圖。 圖19是根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合的立體圖。 圖20是示出在根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合中僅一對導電接觸針的圖。 圖21是示出利用根據本發明較佳第二實施例的克氏檢測用接觸針組合進行克氏檢測的圖。

10:第一導電接觸針

20:第二導電接觸針

30:絕緣部

33:表面絕緣部

33a:上部表面絕緣部

35:側面絕緣部

35a:內側面絕緣部

35b:外側面絕緣部

100:克氏檢測用接觸針組合

Claims (10)

1. 一種克氏檢測用接觸針組合，是與配置於檢測對象的一個電極及配置於電路基板的兩個連接盤分別進行電性連接的克氏檢測用接觸針組合，包括： 第一導電接觸針； 第二導電接觸針；以及 絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間，以使所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針彼此絕緣。
2. 如請求項1所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述絕緣部包括： 表面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面；以及 側面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間， 所述表面絕緣部與所述側面絕緣部一體地連續形成。
3. 如請求項1所述的克氏檢測用接觸針組合，包括： 微細溝槽，配置於與所述絕緣部相接的所述第一導電接觸針的側面與所述第二導電接觸針的側面。
4. 如請求項3所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述微細溝槽呈沿所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針的側面山與谷重複的褶皺形態，所述微細溝槽的深度為20 nm以上且1 μm以下。
5. 如請求項1所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述第一導電接觸針及所述第二導電接觸針藉由在導電接觸針的厚度方向上積層多個金屬層來形成。
6. 如請求項1所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針分別包括： 第一柱塞；第二柱塞；彈性部，使所述第一柱塞與所述第二柱塞進行彈性位移；以及支撐部，引導所述彈性部在所述克氏檢測用接觸針組合的長度方向上進行壓縮及伸長， 所述絕緣部配置在配置於所述第一導電接觸針的支撐部與配置於所述第二導電接觸針的支撐部之間。
7. 如請求項6所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述彈性部包括： 第一彈性部，連結至所述第一柱塞； 第二彈性部，連結至所述第二柱塞；以及 中間固定部，在所述第一彈性部和所述第二彈性部之間與所述第一彈性部及所述第二彈性部連結，且與所述支撐部配置成一體， 所述絕緣部包括： 表面絕緣部，配置在配置於所述第一導電接觸針的中間固定部及配置於所述第二導電接觸針的中間固定部中的至少任一者的上表面及下表面中的至少任一表面；以及 側面絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間。
8. 如請求項1所述的克氏檢測用接觸針組合，其中 所述絕緣部為熱塑性聚醯亞胺。
9. 一種克氏檢測裝置，包括克氏檢測用接觸針組合及支撐板，其中 所述克氏檢測用接觸針組合包括：第一導電接觸針；第二導電接觸針；以及絕緣部，配置於所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針之間以使所述第一導電接觸針與所述第二導電接觸針彼此絕緣， 所述支撐板形成有收容所述克氏檢測用接觸針組合的收容孔洞。
10. 如請求項9所述的克氏檢測裝置，其中 所述收容孔洞的剖面為四邊形形狀，且 所述克氏檢測用接觸針組合的剖面的外廓形狀為與所述收容孔洞的形狀對應的四邊形形狀，以使得所述克氏檢測用接觸針組合在插入至所述收容孔洞的狀態下不能旋轉。