TW202323951A - 積層體及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供一種積層體，其具有彎曲性，且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿。

本發明之解決手段為一種積層體，係包含至少含有線性偏光層之偏光板、及使用黏著劑組成物形成之黏著劑層。使用黏著劑組成物所形成之厚度150μm的黏著劑基準層之在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C1為10%以上200%以下。積層體之在溫度60℃的抗撓剛度D1為1200m．gf以上1700m．gf以下。

Description

積層體及顯示裝置

本發明係關於積層體及含有該積層體之顯示裝置。

顯示裝置所使用光學膜等已知有係作為積層體組裝於顯示裝置(例如專利文獻1至5等)。積層體所具有的光學膜是透過黏著劑(pressure sensitive adhesive)層等貼合層而積層。在可重複彎曲之顯示面板之可撓性顯示器中，係使用可實現顯示面板之良好彎曲特性之積層體(例如專利文獻1、2、4、5等)。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：韓國公開專利第10-2014-0085299號公報。

專利文獻2：日本特開2018-27995號公報。

專利文獻3：日本特開2017-125195號公報。

專利文獻4：日本特開2018-28573號公報。

專利文獻5：日本特表2019-528330號公報。

顯示面板所使用之積層體會進行裁切處理及/或研磨處理而形成特定形狀及大小。若在高溫條件下對具有彎曲性之積層體實施裁切處理、或在常溫條件下對具有彎曲性之積層體實施研磨處理，則會產生脫漿，脫漿為黏著劑層的一部分從積層體之端面脫落的情形。

本發明目的在於提供具有彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體，又，亦提供一種含有該積層體之顯示裝置。

本發明提供以下之積層體及顯示裝置。

〔1〕一種積層體，係包含至少含有線性偏光層之偏光板、及使用黏著劑組成物形成之黏著劑層，其中，

使用前述黏著劑組成物所形成之厚度150μm的黏著劑基準層之在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C1為10%以上200%以下，

前述積層體之在溫度60℃的抗撓剛度D1為1200m．gf以上1700m．gf以下。

〔2〕如〔1〕所述之積層體，其中，前述剪切潛變率C1為80%以上200%以下。

〔3〕如〔1〕或〔2〕中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑層之厚度為10μm以上100μm以下。

〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑層之玻璃轉移溫度為-50℃以下。

〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑層之凝膠分率為45%以上85%以下。

〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑組成物係含有(甲基)丙烯酸系聚合物，

前述(甲基)丙烯酸系聚合物係含有：源自於具有碳數為1以上24以下之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之第一構成單元、及源自於具有胺甲酸乙酯鍵之單體之第二構成單元。

〔7〕如〔6〕所述之積層體，其中，相對於構成前述(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，前述第二構成單元的含有量為2.0質量%以下。

〔8〕如〔6〕或〔7〕所述之積層體，其中，前述具有胺甲酸乙酯鍵之單體係具有1個或2個(甲基)丙烯醯基。

〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一項所述之積層體，其中，前述偏光板係具有積層於前述線性偏光層的單面或雙面之保護膜。

〔10〕如〔1〕至〔9〕中任一項所述之積層體，其中，前述偏光板為具有前述線性偏光層及相位差層之圓偏光板。

〔11〕如〔1〕至〔10〕中任一項所述之積層體，進一步包含相對於前述偏光板可剝離地設置之防護膜(protect film)。

〔12〕如〔1〕至〔11〕中任一項所述之積層體，進一步包含相對於前述黏著劑層可剝離地設置之分隔片。

〔13〕一種顯示裝置，係包含如〔1〕至〔12〕中任一項所述之積層體。

根據本發明可提供一種積層體，其具有彎曲性，且實施裁切處理及/或研磨處理時可抑制脫漿。

X:黏著劑層

1,2:積層體

11:防護膜

15:分隔片

30:偏光板

31:線性偏光層

32:保護膜

33:第一相位差層(相位差層)

34:第二相位差層(相位差層)

37,38:貼合層

100:試驗片

501,502:平台

圖1係示意性表示本發明一實施型態之積層體的概略剖面圖。

圖2係示意性表示本發明之其他實施型態之積層體的概略剖面圖。

圖3(a)及圖3(b)為用以說明彎曲試驗之方法的概略圖。

以下參照圖式說明且本發明之實施型態，但本發明並不限定於以下實施型態。以下之所有圖式為用以理解本發明所例示者，圖式所示各構成要件之尺寸或形狀未必與實際一致。

(積層體)

圖1及圖2為示意性表示本實施型態之積層體一例的概略剖面圖。積層體1、2係包含至少含有線性偏光層31之偏光板30、及使用黏著劑組成物形成之黏著劑層X。積層體1、2所含有之黏著劑層X可為1層，也可為2層以上。含有2層以上之黏著劑層X時，2層以上之黏著劑層X可為相同組成之黏著劑層，也可為相異組成之黏著劑層，又，可為相同厚度，也可為相異厚度。偏光板30與黏著劑層X較佳為直接相接，但偏光板30與黏著劑層X之間可存在其他層。偏光板30係至少含有線性偏光層31， 可為如後述之線性偏光板，也可為圓偏光板。如圖1及圖2所示，積層體1、2可進一步包含相對於偏光板30可剝離地設置之防護膜11，也可包含相對於黏著劑層X可剝離地設置之分隔片15。積層體1、2可具有後述可撓性顯示裝置用積層體之層構造。

如後述，積層體1、2可適用於可折彎或捲繞等之顯示裝置(可撓性顯示器)。以偏光板30側(防護膜11側)為內側或外側之方式彎曲時，積層體1、2的彎曲性優異。

積層體1、2中，使用形成黏著劑層X之黏著劑組成物所形成之厚度150μm的黏著劑基準層之在溫度60℃藉言扭轉測得的剪切潛變率C1為10%以上200%以下。又，積層體1、2之溫度60℃的抗撓剛度D1為1200m．gf以上1700m．gf以下。

積層體1、2在溫度60℃之高溫條件下的裁切處理及/或溫度25℃之常溫條件下的研磨處理會產生熱，使積層體1、2之溫度變高。又，適用積層體1、2之顯示裝置有時會暴露於高溫條件下。本發明人等發現在溫度60℃的剪切潛變率C1及抗撓剛度D1與高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時的積層體1、2的特性、以及彎曲時的積層體1、2的特性具有相關性。具體而言，藉由使上述剪切潛變率C1及上述抗撓剛度D1在上述範圍，使積層體具有優異彎曲性，且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿，脫漿為黏著劑層X的一部分從端面脫落的情形。

上述剪切潛變率C1可為30%以上，也可為50%以上，也可為75%以上，也可為80%以上，也可為85%以上。上述剪切潛變率C1可為190%以下，也可為180%以下，也可為150%以下，也可為100%以下。

上述剪切潛變率C1例如可藉由形成黏著劑層X之黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、該聚合物之重量平均分子量，用以形成該聚合物之單體的種類及量、上述黏著劑組成物所含有之添加劑的種類及量、黏著劑層X之厚度等而調整。上述剪切潛變率C1為對使用形成黏著劑層X之黏著劑組成物形成之厚度150μm的黏著劑基準層測定的在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率，可藉由後述實施例所記載方法測定。

上述抗撓剛度D1可為1250m．gf以上，也可為1300m．gf以上，也可為1400m．gf以上。上述抗撓剛度D1可為1690m．gf以下，也可為1680m．gf以下，也可為1650m．gf以下，也可為1600m．gf以下，也可為1500m．gf以下。

上述抗撓剛度D1可藉由形成黏著劑層X之黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、該聚合物之重量平均分子量、用以形成該聚合物之單體的種類及量、上述黏著劑組成物所含有之添加劑的種類及量、黏著劑層X之厚度等而調整。上述抗撓剛度D1可藉由後述實施例所記載方法測定。

上述黏著劑基準層之在溫度25℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C2較佳為50%以上160%以下。上述剪切潛變率C2可為55%以上，也可為60%以上，也可為80%以上。上述剪切潛變率C2可為150%以下，也可為140%以下，也可為120%以下，也可為100%以下。

藉由使上述剪切潛變率C2在上述範圍內，可使積層體具有優異彎曲性，且在常溫條件下實施裁切處理時可抑制脫漿。根據上述剪切潛變率C2可評價常溫下的積層體1、2之特性。上述剪切潛變率C2例如可藉由形成黏著劑層X之黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、該聚合物之重量平均分子量、用以形成該聚合物之單體的種類及量、上述黏著劑組成物所含有之添加劑的種類及量、黏著劑層X之厚度等而調整。上述剪切潛變率C2為對上述黏著劑基準層測定之在溫度25℃藉由扭轉測得的剪切潛變率，且除了測定溫度變更為25℃以外，其餘可根據後述實施例所記載剪切潛變率方法C1之測定方法而測定。

上述黏著劑基準層之在溫度-20℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C3可為5%以上，也可為10%以上，也可為15%以上，也可為20%以上，也可為25%以上。上述剪切潛變率C3可為85%以下，也可為80%以下，也可為75%以下，也可為70%以下。

藉由使上述剪切潛變率C3在上述範圍內，可使積層體具有優異彎曲性，且實施裁切處理時可抑制脫漿。根據上述剪切潛變率C3可評價低溫條件下的積層體1、2之特性。上述剪切潛變率C3例如可藉由形成黏著劑層X之黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、該聚合物之重量平均分子量、用以形成該聚合物之單體的種類及量、上述黏著劑組成物所含有之添加劑的種類及量、黏著劑層X之厚度等而調整。上述剪切潛變率C3為對上述黏著劑基準層測定之在溫度-20℃藉由扭轉測得的剪切潛變率，且除了測定溫度變更為-20℃以外，其餘可根據後述實施例所記載剪切潛變率方法C1之測定方法而測定。

積層體1、2之在溫度25℃的抗撓剛度D2較佳為1300m．gf以上1800m．gf以下。上述抗撓剛度D2可為1350m．gf以上，也可為1400m．gf以上，也可為1450m．gf以上。上述抗撓剛度D2可為1780m．gf以下，也可為1750m．gf以下，也可為1700m．gf以下，也可為1600m．gf以下。

藉由使上述抗撓剛度D2在上述範圍內，可使積層體具有優異彎曲性，且在常溫條件下實施裁切處理時可抑制脫漿。根據上述抗撓剛度D2可評價常溫下的積層體1、2之特性。上述抗撓剛度D2可藉由形成黏著劑層X之黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、該聚合物之重量平均分子量、用以形成該聚合物之單體的種類及量、上述黏著劑組成物所含有之添加劑的種類及量、黏著劑層X之厚度等而調整。有關於上述抗撓剛度D2，除了放置積層體時之溫度變更為25℃以外，其餘可根據後述實施例所記載剪切潛變率方法C1之測定方法而測定。

積層體1、2之厚度較佳為100μm以上，可為150μm以上，又，可為2000μm以下，也可為1000μm以下，也可為500μm以下，也可為250μm以下，較佳為200μm以下。

(黏著劑層X)

黏著劑層X較佳為由含有(甲基)丙烯酸系聚合物黏著劑組成物形成。本說明書中，「(甲基)丙烯酸系聚合物」表示選自由丙烯酸系聚合物及甲基丙烯酸系聚合物所組成的群組之至少1種。其他記載「(甲基)」的用語亦同理。

黏著劑層X之厚度較佳為10μm以上，也可為15μm以上，也可為20μm以上，也可為25μm以上，又，較佳為100μm以下，也可為80μm以下，也可為75μm以下，也可為70μm以下。

藉由使黏著劑層X之厚度在上述範圍內，而容易獲得具有優異彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。

黏著劑層X之玻璃轉移溫度可為-50℃以下，也可為-55℃以下，較佳為-57℃以下，也可為-59℃以下，通常為-80℃以上。藉由使黏著劑層X具有上述範圍之玻璃轉移溫度，而容易獲得具有優異彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。黏著劑層X之玻璃轉移溫度例如可藉由黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、用以形成該聚合物之單體的種類及量等而調整。玻璃轉移溫度可藉由後述實施例所記載方法測定。

黏著劑層X之凝膠分率較佳為45%以上，也可為50%以上，也可為55%以上，又，較佳為85%以下，也可為80%以下，也可為76%以下。藉由使黏著劑層X具有上述範圍之凝膠分率，而容易獲得具有優異彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。黏著劑層X之凝膠分率例如可藉由黏著劑組成物所含有之聚合物的種類及量、用以形成該聚合物之單體的種類及量等而調整。凝膠分率可藉由後述實施例所記載方法測定。

黏著劑層X之溫度60℃的儲藏彈性模數G1通常為10kPa以上，也可為15kPa以上，也可為20kPa以上，也可為25kPa以上。上述儲 藏彈性模數G1通常為70kPa以下，也可為65kPa以下，也可為60kPa以下，也可為50kPa以下。上述儲藏彈性模數G1可藉由後述實施例所記載方法測定。

黏著劑層X之在溫度25℃的儲藏彈性模數G2通常為20kPa以上，也可為30kPa以上，也可為40kPa以上，也可為45kPa以上。上述儲藏彈性模數G2通常為80kPa以下，也可為70kPa以下，也可為60kPa以下。上述儲藏彈性模數G2可藉由後述實施例所記載方法測定。

(黏著劑組成物)

黏著劑組成物較佳為含有(甲基)丙烯酸系聚合物。(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為含有源自於具有碳數為1以上24以下之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯(單體)之第一構成單元、及源自於具有胺甲酸乙酯鍵之單體之第二構成單元。藉此容易獲得具有優異彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。

第一構成單元所具有的烷基可為直鏈狀，也可為支鏈狀。(甲基)丙烯酸系聚合物更佳為含有源自於具有碳數為20以上24以下之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之構成單元作為第一構成單元。

上述具有烷基之(甲基)丙烯酸烷酯可舉出(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基) 丙烯酸二十二烷酯等。上述(甲基)丙烯酸烷酯可僅單獨使用1種，也可併用2種以上。

相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，第一構成單元的含有量較佳為50質量%以上，也可為70質量%以上，也可為85質量%以上，也可為95質量%以上，又，也可為99質量%以下，也可為98質量%以下。

(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為含有源自於均聚物之玻璃轉移溫度為-40℃以下之(甲基)丙烯酸烷酯(以下稱為「低Tg單體」)之構成單元、及源自於均聚物之玻璃轉移溫度超過0℃之(甲基)丙烯酸烷酯(以下稱為「高Tg單體」)之構成單元，作為第一構成單元。藉由使用含有該(甲基)丙烯酸系聚合物之黏著劑組成物而形成黏著劑層X，而獲得容易具有優異彎曲性且實施裁切處理及/或研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。低Tg單體及高Tg單體分別可使用1種或2種以上。(甲基)丙烯酸烷酯之均聚物之玻璃轉移溫度例如可採用POLYMER HANDBOOK(Wiley-Interscience)等的文獻值。

(甲基)丙烯酸系聚合物中，可進一步含有源自於均聚物之玻璃轉移溫度為超過-40℃且為0℃以下之(甲基)丙烯酸烷酯(以下稱為「中Tg單體」)之構成單元作為第一構成單元。中Tg單體可使用1種或2種以上。

低Tg單體之玻璃轉移溫度可為-45℃以下，也可為-50℃以下。相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，源自於低Tg單體之構成單元的含有量例如可為50質量%以上，也可為60質量%以上，也可為70 質量%以上，也可為80質量%以上，又，也可為99質量%以下，也可為95質量%以下。

高Tg單體之玻璃轉移溫度可為5℃以上，也可為10℃以上，又，也可為100℃以下，也可為80℃以下，也可為60℃以下。相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，源自於高Tg單體之構成單元的含有量例如可為1質量%以上，也可為2質量%以上，也可為3質量%以上，又，也可為30質量%以下，也可為20質量%以下，也可為15質量%以下。

(甲基)丙烯酸系聚合物所含有之第二構成單元含有源自於具有胺甲酸乙酯鍵之單體之構成單元。具有胺甲酸乙酯鍵之單體例如可作為異氰酸酯化合物與多元醇化合物的反應物而獲得。上述具有胺甲酸乙酯鍵之單體較佳為具有1個或2個(甲基)丙烯醯基，更佳為具有2個(甲基)丙烯醯基。具有1個或2個(甲基)丙烯醯基且具有胺甲酸乙酯鍵之單體例如可作為異氰酸酯化合物與多元醇化合物與(甲基)丙烯酸酯化合物的反應物而獲得。具有胺甲酸乙酯鍵之單體可僅單獨使用1種，也可併用2種以上。使用含有第二構成單元之(甲基)丙烯酸系聚合物而形成黏著劑層X，藉此，黏著劑層X之上述剪切潛變率C1、及積層體1、2之上述抗撓剛度D1容易調整為上述範圍。藉此獲得容易具有優異彎曲性且在實施高溫條件下的裁切處理及/或常溫條件下的研磨處理時可抑制脫漿之積層體1、2。

相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，第二構成單元的含有量較佳為2.0質量%以下，也可為1.5質量%以下，也可為1.0質量%以下，通常為0.1質量%以上，也可為0.3質量%以上。

作為第二構成單元之具有胺甲酸乙酯鍵之單體之重量平均分子量以聚苯乙烯換算較佳為300以上，也可為500以上，也可為1000以上，通常為15000以下，也可為10000以下，也可為8000以下，也可為6000以下。上述重量平均分子量可藉由膠體滲透層析法(GPC)測定。

(甲基)丙烯酸系聚合物可含有源自於具有反應性官能基之單體之構成單元。反應性官能基可舉出藉由活性能量線之照射處理、加熱處理或加熱水分處理而可與其他官能基反應並形成共價鍵之官能基。加熱水分處理為在高溫環境下(例如溫度80℃)與水或水蒸氣接觸之處理，可為高溫環境下的加濕處理。反應性官能基可舉例如羥基、羧基、胺基、環氧基、及醯胺基等。

具有反應性官能基之單體可舉出：

(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-羥基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-或3-氯-2-羥基丙酯、二乙二醇單(甲基)丙烯酸酯等具有羥基之(甲基)丙烯酸酯；

(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸、檸康酸、β-(甲基)丙烯酸羧基乙酯等乙烯性不飽和羧酸；

(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲胺基丙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯等具有胺基之(甲基)丙烯酸酯；

(甲基)丙烯酸(3,4-環氧環己基)甲酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等具有環氧基之(甲基)丙烯酸酯；

(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等具有醯胺基之(甲基)丙烯酸酯；

(甲基)丙烯醯基

啉、乙烯基己內醯胺、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、乙烯基吡啶、(甲基)丙烯酸四氫糠酯等具有雜環基之單體等。

具有反應性官能基之單體可僅單獨使用1種，也可併用2種以上。

相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，源自於具有反應性官能基之單體之構成單元的含有量較佳為2質量%以下，也可為未達2質量%，也可為1質量%以下。(甲基)丙烯酸系聚合物也可不含有源自於具有反應性官能基之單體之構成單元。

(甲基)丙烯酸系聚合物可含有具有烷氧基之單官能性(甲基)丙烯酸系單體、及己內酯(甲基)丙烯酸系單體等。

上述單官能性(甲基)丙烯酸系單體所具有之烷氧基可舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等。具有烷氧基之單官能性(甲基)丙烯酸系單體可舉出丙烯酸乙氧基乙氧基乙酯(EOEOEA)、壬基苯酚EO改質丙烯酸酯[NP(EO)8A]等。上述單官能性(甲基)丙烯酸系單體可僅單獨使用1種，也可併用2種以上。

相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，源自於上述單官能性(甲基)丙烯酸系單體之構成單元的含有量較佳為1質量%以上，也可為2質量%以上，也可為3質量%以上，又，也可為30質量%以下，也可為20質量%以下，也可為10質量%以下。

己內酯(甲基)丙烯酸系單體可舉出丙烯酸己內酯等。相對於(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，源自於己內酯(甲基)丙烯酸系單體之構成單元的含有量可為1質量%以上，也可為2質量%以上，又，也可為30質量%以下，也可為20質量%以下，也可為10質量%以下。

(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由混合上述單體並添加聚合起始劑等使單體聚合而獲得。聚合方法並無特別限定，可舉出溶液聚合、塊狀聚合、乳化聚合、光聚合等公知聚合方法。(甲基)丙烯酸系聚合物可為隨機共聚物、嵌段共聚物、或接枝共聚物。

聚合起始劑可因應聚合方法選擇，可舉例如陽離子聚合起始劑或自由基聚合起始劑。聚合方法為光聚合時，例如可使用苯甲基二甲基縮酮、1-羥基環己苯基酮、及4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮等光聚合起始劑。

(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算較佳為60萬以上，也可為70萬以上，也可為90萬以上，也可為200萬以下，也可為180萬以下，較佳為150萬以下。重量平均分子量(Mw)可藉由膠體滲透層析法(GPC)測定。

黏著劑組成物含有1種或2種以上上述(甲基)丙烯酸系聚合物，亦可進一步含有(甲基)丙烯酸系化合物及聚合起始劑。

相對於黏著劑組成物之固形份，(甲基)丙烯酸系聚合物之含有量例如為80質量%以上，也可為90質量%以上，也可為95質量%以上，又，也可為99質量%以下，也可為98質量%以下，也可為95質量%以下。

黏著劑組成物所含有之聚合起始劑可舉出光聚合起始劑及熱聚合起始劑等。聚合起始劑可使用1種或2種以上。相對於黏著劑組成物之固形份，聚合起始劑之含有量例如為0.1質量%以上，也可為1質量%以上，又，也可為10質量%以下，也可為5質量%以下。

光聚合起始劑可舉例如苯甲基二甲基縮酮、1-羥基環己苯基酮、及4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮等。

熱聚合起始劑可舉出偶氮系化合物、有機過氧化物、無機過氧化物等。偶氮系化合物可舉例如2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1’-偶氮雙(環己烷1-甲腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基-4-甲氧基戊腈)、二甲基2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2’-偶氮雙(2-羥基甲基丙腈)、2,2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]等。

有機過氧化物可舉例如過氧化苯甲醯、過氧化苯甲酸第三丁酯、氫過氧化異丙苯、過氧化二碳酸二異丙酯、過氧化二碳酸二正丙酯、過氧化二碳酸二(2-乙氧基乙基)酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化新戊酸第三丁酯、(3,5,5-三甲基己醯基)過氧化物、二丙醯基過氧化物、二乙醯基過氧化物等。

無機過氧化物可舉例如過硫酸鉀、過硫酸銨、過氧化氫等。

黏著劑組成物可含有交聯劑、矽烷耦合劑、交聯觸媒、耐候穩定劑、增黏劑、塑化劑、軟化劑、染料、顏料、無機填料、光散射性微粒子、離子性化合物等抗靜電劑等添加劑。

交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、胺系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、肼系交聯劑、醛系交聯劑、

唑啉系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螫合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、銨鹽系交聯劑等。

矽烷耦合劑可舉出分子內具有至少1個烷氧基矽基之有機矽化合物。矽烷耦合劑可舉例如：

乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等含有聚合性不飽和基之矽化合物；

3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等具有環氧基構造之矽化合物；

3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-驗基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基二甲氧基甲基矽烷等含有巰基的矽化合物；

3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等含有胺基的矽化合物；

3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、或該等的至少1者與甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷等含有烷基的矽化合物的縮合物等。

黏著劑組成物例如可藉由混合(甲基)丙烯酸系聚合物、具有胺甲酸乙酯鍵之化合物、(甲基)丙烯酸系化合物、聚合起始劑、及添加劑等而調製。黏著劑組成物可將其本身或黏著劑組成物之有機溶劑稀釋液塗布於基材上並乾燥，藉此而形成黏著劑層X。黏著劑組成物或其有機溶劑稀 釋液之塗布方法可舉例如棒塗布法、刀塗布法、輥塗布法、刮刀塗布法、模塗布法、凹板塗布法等。

對於塗布於基材上之黏著劑組成物進行活性能量線之照射處理或加熱處理等，而可形成黏著劑層X。活性能量線可舉出紫外線及電子線等，較佳為紫外線。

(偏光板)

偏光板30只要至少含有線性偏光層即可。偏光板30可為線性偏光板(圖1)，也可為圓偏光板(圖2)。線性偏光板係於線性偏光層31的單面或雙面具有保護膜32。保護膜32可於線性偏光層31的單面或雙面透過貼合層(接著劑層或黏著劑層)而設置。如圖1及圖2所示，線性偏光板較佳為至少在線性偏光層31之與黏著劑層X側相反側處具有保護膜32。

如圖2所示，圓偏光板具有線性偏光層31及第一相位差層33(相位差層)。圓偏光板可具備於線性偏光層31的單面或雙面具有保護膜32之線性偏光板、及第一相位差層33。線性偏光層31或線性偏光板與第一相位差層33可透過貼合層37(接著劑層或黏著劑層)而積層。該貼合層37為黏著劑層時，該黏著劑層可為上述黏著劑層X，也可為與黏著劑層X相異之黏著劑層。第一相位差層33為λ/4相位差層，也可為逆波長色散性之λ/4相位差層。

圓偏光板除了第一相位差層33以外，亦可具有第二相位差層34(相位差層)。第二相位差層34可設置於線性偏光層31與第一相位差層33之間，也可如圖2所示設置於第一相位差層33之與線性偏光層31側相反側處。第二相位差層34較佳為λ/2相位差層或正C層。第一相位差層 33與第二相位差層34可透過貼合層38(接著劑層或黏著劑層)而積層。該貼合層38為黏著劑層時，該黏著劑層可為上述黏著劑層X，也可為與黏著劑層X相異之黏著劑層。

如圖2所示，圓偏光板為線性偏光板時，線性偏光板可於線性偏光層31的單面具有保護膜32。此時，可在線性偏光層31之與保護膜32側相反側處透過貼合層(接著劑層或黏著劑層)37而設置第一相位差層33或第二相位差層34。

(線性偏光層)

線性偏光層在入射無偏光的光時具有使具有與吸收軸正交之振動面之線性偏光穿透的性質。線性偏光層可為吸附配向碘之聚乙烯醇系樹脂膜(以下稱為「PVA系膜」)，也可為含有液晶性偏光層的膜，該液晶性偏光層為將含有具有吸收異向性及液晶性化合物之組成物塗布於基材膜而形成。具有吸收異向性及液晶性化合物可為具有吸收異向性之色素與具有液晶性化合物的混合物，也可為具有吸收異向性及液晶性色素。

PVA系膜之線性偏光層可舉例如於聚乙烯醇膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇膜、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等PVA系膜實施碘染色處理及延伸處理而成者等。視需要可進行將以染色處理而吸附配向碘之PVA系膜於硼酸水溶液中處理，其後洗掉硼酸水溶液之洗淨步驟。各步驟中可採用公知方法。

聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)可藉由皂化聚乙酸乙烯酯系樹脂而製造。聚乙酸乙烯酯系樹脂除了屬於乙酸乙烯酯之均聚物之聚乙酸乙烯酯以外，也可為乙酸乙烯酯與可與該乙酸乙烯酯共聚之其 他單體的共聚物。可與乙酸乙烯酯共聚之其他單體可舉例如不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯基醚類、不飽和磺酸類、具有銨基之丙烯醯胺類等。

PVA系樹脂之皂化度通常為85至100莫耳%左右，較佳為98莫耳%以上。PVA系樹脂可經改質，例如亦可使用以醛類改質之聚乙烯醇縮甲醛或聚乙烯醇縮乙醛等。PVA系樹脂之平均聚合度通常為1,000至10,000左右，較佳為1,500至5,000左右。PVA系樹脂之皂化度及平均聚合度可根據JIS K 6726(1994)而求出。平均聚合度若未達1000則難以獲得較佳之偏光性能獲，若超過10000則膜加工性較差。

PVA系膜之線性偏光層之製造方法可包括下述步驟：準備基材膜，於基材膜上塗布PVA系樹脂等樹脂之溶液，進行去除溶劑之乾燥等，而於基材膜上形成樹脂層。又，在基材膜之形成有樹脂層之面可預先形成底漆層。基材膜可使用利用後述用以形成保護膜之熱塑性樹脂所說明之樹脂材料的膜。底漆層之材料可舉出使線性偏光層所使用之親水性樹脂交聯而成的樹脂等。

接著視需要調整樹脂層之水分等溶劑量，其後將基材膜及樹脂層單軸延伸，接著以碘染色樹脂層，使碘吸附配向於樹脂層。接著視需要進行將吸附配向碘之樹脂層以硼酸水溶液處理，其後進行洗掉硼酸水溶液之洗淨步驟。藉此可製造吸附配向碘之樹脂層，亦即成為線性偏光層之PVA系膜。各步驟中可採用公知方法。

處理吸附配向碘之PVA系膜或樹脂層的含有硼酸之水溶液中，硼酸量通常在每100質量份的水中為2至15質量份左右，較佳為5至12質量份。該含有硼酸之水溶液較佳為含有碘化鉀。含有硼酸之水溶液中， 碘化鉀量通常在每100質量份的水中為0.1至15質量份左右，較佳為5至12質量份左右。含有硼酸之水溶液之浸漬時間通常為60至1,200秒左右，較佳為150至600秒左右，更佳為200至400秒左右。含有硼酸之水溶液之溫度通常為50℃以上，較佳為50至85℃，更佳為60至80℃。

PVA系膜以及基材膜及樹脂層之單軸延伸可在染色前進行，也可在染色中進行，也可在染色後之硼酸處理中進行，也可在該等複數階段中分別進行單軸延伸。PVA系膜以及基材膜及樹脂層可朝MD方向(膜搬送方向)單軸延伸，此時可在周速相異之輥間單軸延伸，也可使用熱輥單軸延伸。又，PVA系膜以及基材膜及樹脂層可朝TD方向(與膜搬送方向垂直之方向)單軸延伸，此時可使用所謂拉幅機法。又，上述延伸可為在大氣中延伸之乾式延伸、或在溶劑中使PVA系膜或樹脂層在膨潤狀態下延伸之濕式延伸。為了展現線性偏光層之性能，延伸倍率為4倍以上，較佳為5倍以上，更佳為5.5倍以上。延伸倍率上限並無特別限定，以抑制破裂等之觀點來看，較佳為8倍以下。

可在積層保護膜後剝離基材膜，藉此可獲得使用基材膜之製造方法所製作之線性偏光層。根據該方法可使線性偏光層進一步薄膜化。

PVA系膜之線性偏光層之厚度較佳為1μm以上，也可為2μm以上，也可為5μm以上，又，較佳為30μm以下，更佳為15μm以下，也可為10μm以下，也可為8μm以下。

液晶性偏光層膜可舉出將含有具有液晶性及吸收異向性之色素之組成物、或含有具有吸收異向性之色素及色素以外之聚合性液晶化合物等的液晶性化合物之組成物塗布於基材膜，而獲得線性偏光層。基材膜 可舉例如使用後述用以形成保護膜之熱塑性樹脂所說明之樹脂材料的膜。含有液晶性偏光層的膜可舉例如日本特開2013-33249號公報等所記載之偏光層。

液晶性化合物只要具有顯示液晶狀態的性質即可，尤其具有層列相等高階配向狀態可發揮較高的偏光性能，故較佳。液晶性化合物較佳為聚合性液晶化合物。聚合性液晶化合物為具有聚合性官能基之液晶性化合物。

具有吸收異向性之色素例如為二色性色素。二色性色素可具有液晶性，也可具有聚合性官能基。二色性色素可藉由二色性色素本身的液晶性而配向，或可與液晶性化合物一起配向並顯示二色性。用以形成液晶性偏光層之組成物所含有之任一化合物較佳為具有聚合性官能基。上述組成物可進一步含有起始劑、溶劑、分散劑、調平劑、穩定劑、界面活性劑、交聯劑、矽烷耦合劑等。

可於配向膜上塗布上述組成物並形成含有液晶性偏光層的膜，藉此製造含有液晶性偏光層的膜。相較於PVA系膜之偏光層，含有液晶性偏光層的膜可形成為較薄的厚度。含有液晶性偏光層的膜之厚度例如為0.5至10μm，也可為1至5μm。

例如於基材膜上塗布配向膜形成組成物，並藉由摩擦、偏光照射等而賦予配向性，藉此可製造配向膜。配向膜形成組成物除了配向劑以外，亦可含有溶劑、交聯劑、起始劑、分散劑、調平劑、矽烷耦合劑等。配向劑例如可使用聚乙烯醇類、聚丙烯酸酯類、聚醯胺酸類、聚醯亞胺類。使用光配向劑時，較佳為使用含有桂皮酸酯基之配向劑。

作為配向劑使用之高分子的重量平均分子量為10,000至1000,000。配向膜之厚度較佳為5nm至10000nm，尤其若為10至500nm則可充分展現配向限制力，故較佳。

液晶性偏光層可從基材膜剝離並轉印至其他構件而組裝於顯示裝置等，也可將基材膜直接組裝於顯示裝置等。基材膜可作為後述保護膜或相位差層、窗的透明基材。

以上述方式形成之基材膜與線性偏光層的合計厚度以愈小愈佳，但若過小則強度會降低，有加工性變差之傾向，因此通常為20μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.5至3μm。

(保護膜)

保護膜例如可使用由透明性、機械性強度、熱穩定性、水分阻斷性、等向性、延伸性等優異之熱塑性樹脂所形成的膜。熱塑性樹脂之具體例可舉出三乙酸纖維素等纖維素樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；聚醚碸樹脂；聚碸樹脂；聚碳酸酯樹脂；耐綸或芳香族聚醯胺等聚醯胺樹脂；聚醯亞胺樹脂；聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物等聚烯烴樹脂；環系及具有降莰烯構造之環狀聚烯烴樹脂(降莰烯系樹脂)；(甲基)丙烯酸樹脂；聚芳酯樹脂；聚苯乙烯樹脂；聚乙烯醇樹脂、以及該等的混合物。

保護膜為將環氧樹脂等陽離子硬化組成物或丙烯酸酯等自由基硬化組成物塗布並硬化而獲得之塗層型保護膜。

保護膜可視需要含有塑化劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、顏料或染料之類之著色劑、螢光增白劑、分散劑、熱穩定劑、光穩定劑、抗靜電劑、抗氧化劑、滑劑、溶劑等。

保護膜可具有抗反射特性、防眩特性、硬塗特性等(以下將具有該特性之保護膜稱為「功能性保護膜」)。保護膜非功能性保護膜時，可於線性偏光板的單面設置抗反射層、防眩層、硬塗層等表面功能層。表面功能層較佳為以與保護膜直接相接之方式設置。表面功能層較佳為設置於保護膜之與線性偏光層側相反側處。

保護膜可為1μm以上，較佳為3μm以上，更佳為5μm以上，又，可為200μm以下，也可為100μm以下，較佳為50μm以下，更佳為30μm以下。厚度超過200μm之保護膜的柔軟性會降低。

保護膜可兼作為後述窗的透明基材。

(第一相位差層、第二相位差層)

第一相位差層及第二相位差層(以下將兩者合稱為「相位差層」)可為延伸膜，也可為含有液晶性化合物者。相位差層含有液晶性化合物時，相位差層可為含有聚合性液晶化合物之硬化物層者。偏光板含有2層以上相位差層時，延伸膜之相位差層與含有液晶性化合物之相位差層的組合可為任意組合，但以減少圓偏光板之厚度之觀點來看，較佳為使用含有液晶性化合物之相位差層。

相位差層為延伸膜時，延伸膜可使用以往公知者，也可使用將樹脂膜藉由單軸延伸或雙軸延伸而賦予相位差者。樹脂膜可使用三乙酸纖維素及二乙酸纖維素等纖維素膜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸 乙二酯及聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯膜、聚(甲基)丙烯酸甲酯及聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂膜、聚碳酸酯膜、聚醚碸膜、聚碸膜、聚醯亞胺膜、聚烯烴膜、聚降莰烯膜等，但並不限定於該等。

延伸膜視需要可含有相位差調整劑、塑化劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、顏料或染料之類之著色劑、螢光增白劑、分散劑、熱穩定劑、光穩定劑、抗靜電劑、抗氧化劑、滑劑、溶劑等。

相位差層為延伸膜時，相位差層之厚度通常為1μm以上200μm以下，也可為1μm以上100μm以下，也可為5μm以上200μm以下，較佳為10μm以上80μm以下，更佳為40μm以下。相位差層之厚度若超過200μm則柔軟性會降低。

相位差層含有液晶性化合物時，液晶性化合物可具有顯示向列型、膽固醇狀、層列等液晶狀態的性質。可將含有液晶性化合物之組成物塗布於基材膜等，藉此形成含有液晶性化合物之相位差層。上述組成物所含有之任一化合物較佳為具有聚合性官能基。上述組成物可進一步含有起始劑、溶劑、分散劑、調平劑、穩定劑、界面活性劑、交聯劑、矽烷耦合劑等。

與含有液晶性偏光層的膜同樣地，可於配向膜上塗布含有液晶性化合物之組成物並進行乾燥、硬化等，藉此製造含有液晶性化合物之相位差層。相較於延伸膜之相位差層，含有液晶性化合物之相位差層的厚度可形成為較小。含有液晶性化合物之相位差層之厚度例如為0.5至10μm，也可為1至5μm。

相位差層為含有上述硬化物層者時，聚合性液晶化合物可使用公知聚合性液晶化合物。聚合性液晶化合物為至少具有1個聚合性基且具有液晶性之化合物。

聚合性液晶化合物之種類無特別限定，可使用棒狀液晶化合物、圓盤狀液晶化合物、及該等的混合物。藉由聚合聚合性液晶化合物所形成之硬化物層係在使聚合性液晶化合物朝合適方向配向之狀態下硬化，藉此展現相位差。棒狀聚合性液晶化合物相對於積層體之平面方向朝水平配向或垂直配向時，該聚合性液晶化合物之光軸與該聚合性液晶化合物之長軸方向一致。配向圓盤狀聚合性液晶化合物時，該聚合性液晶化合物之光軸存在於與該聚合性液晶化合物之圓盤面正交的方向。棒狀聚合性液晶化合物例如適合使用日本特表平11-513019號公報(請求項1等)所記載者。圓盤狀聚合性液晶化合物適合使用日本特開2007-108732號公報(段落[0020]至[0067]等)、日本特開2010-244038號公報(段落[0013]至[0108]等)所記載者。

聚合性液晶化合物所具有之聚合性基是指參與聚合反應的基，較佳為光聚合性基。光聚合性基是指藉由光聚合起始劑所產生的活性自由基或酸等而參與聚合反應的基。聚合性基可舉出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、(甲基)丙烯醯氧基、環氧乙烷基、氧雜環丁烷基、苯乙烯基、烯丙基等。其中較佳為(甲基)丙烯醯氧基、乙烯基氧基、環氧乙烷基及氧雜環丁烷基，更佳為丙烯醯氧基。聚合性液晶化合物所具有之液晶性可為熱致性液晶，也可為溶致液晶，熱致液晶可依規律度分類為向列型液晶及層列液晶。併用2種類以上之用以形成聚合性液 晶化合物之硬化物層之聚合性液晶化合物時，較佳為至少1種類於分子內具有2個以上聚合性基。

相位差層為含有上述硬化物層者時，相位差層可具有配向層。配向層具有使聚合性液晶化合物配向於所求方向之配向限制力。配向層可為使聚合性液晶化合物之分子軸相對於積層體之平面方向垂直配向之垂直配向層，也可為使聚合性液晶化合物之分子軸相對於積層體之平面方向水平配向之水平配向層，也可為使聚合性液晶化合物之分子軸相對於積層體之平面方向傾斜配向之傾斜配向層。相位差層含有2個以上配向層時，配向層可互相相同，也可互相相異。

配向層較佳為具有不會因塗布含有聚合性液晶化合物之液晶層形成用組成物等而溶解之溶劑耐性，且具有相對於用以去除溶劑或使聚合性液晶化合物配向之加熱處理的耐熱性。配向層可舉出由配向性聚合物所形成之配向性聚合物層、由光配向聚合物所形成之光配向性聚合物層、於層表面具有凹凸圖案或複數條溝(groove)之溝配向層。

上述硬化物層係將含有聚合性液晶化合物、溶劑、及視需要之各種添加劑之相位差層形成用組成物塗布於配向層上並形成塗膜，將該塗膜固化(硬化)，藉此可形成聚合性液晶化合物之硬化物層。或者，在基材膜上塗布上述組成物並形成塗膜，將該塗膜與基材膜一起延伸，藉此可形成硬化物層。上述組成物除了上述聚合性液晶化合物及溶劑以外，亦可含有聚合起始劑、反應性添加劑、調平劑、聚合抑制劑等。聚合性液晶化合物、溶劑、聚合起始劑、反應性添加劑、調平劑、聚合抑制劑等可適當使用公知者。

基材膜可使用由樹脂材料所形成的膜，可舉例如使用上述用以形成保護膜之熱塑性樹脂所說明之樹脂材料的膜。基材膜之厚度並無特別限定，一般而言，以強度或操作性等操作性之觀點來看，較佳為1至300μm以下，更佳為20至200μm，又更佳為30至120μm。基材膜可與聚合性液晶化合物之硬化物層一起組裝於積層體，也可剝離基材膜而僅將聚合性液晶化合物之硬化物層組裝於積層體或將該硬化物層及配向層組裝於積層體。

含有液晶性化合物之相位差層可從基材膜剝離並轉印至其他構件而組裝於顯示裝置等，也可將基材膜直接組裝於顯示裝置等。基材膜可作為後述相位差層之保護層等。

如上述，第一相位差層可為λ/4相位差層。λ/4相位差層為朝與入射光之行進方向正交的方向(膜的面內方向)賦予λ/4之相位差的膜。一般而言，大多的材料顯示波長越短雙折射越大，波長越長則越小。此時，難以在全可見光區域達成λ/4之相位差，故相對於視感度較高之560nm附近之波長，較佳為以使作為λ/4之相位差層之面內相位差成為100至180nm(較佳成為130至150nm)之方式設計。

如上述，λ/4相位差層可為逆波長色散性之λ/4相位差層。逆波長色散性之λ/4相位差層通常可使用具有逆雙折射率波長色散特性之材料形成，可提高視覺確認性。該材料在延伸膜之相位差層的情形可使用日本特開2007-232873號公報等所記載者，在含有液晶性化合物之相位差層的情形可使用日本特開2010-30979號公報等所記載者。

如上述，第二相位差層可為λ/2相位差層。藉由組合λ/4相位差層及λ/2相位差層，而可獲得所謂寬帶域λ/4相位差板(例如日本特開平10-90521號公報)。

如上述，第二相位差層可為正C層。藉由使用正C層而可提高圓偏光板之斜方向之視覺確認性(例如日本特開2014-224837號公報)。正C層之厚度方向之相位差例如為-200至-20nm，較佳為-140至-40nm。

(防護膜)

防護膜相對於偏光板30可剝離地設置。防護膜可含有基材層及黏著劑層，也可為自黏著性基材層。基材層可為樹脂膜，樹脂膜例如可由上述用以形成保護膜之熱塑性樹脂而形成。構成自黏著性基材層之熱塑性樹脂可舉例如聚丙烯系樹脂及聚乙烯系樹脂等。

(分隔片)

分隔片例如相對於黏著劑層X可剝離地設置，且被覆保護黏著劑層X的表面。分隔片也可相對於積層體1、2所具有之黏著劑層X以外之黏著劑層可剝離地設置。分隔片具有基材層及脫模處理層。基材層為樹脂膜。樹脂膜例如可由上述用以形成保護膜之熱塑性樹脂而形成。脫模處理層只要為公知脫模處理層即可，可舉例如將氟化合物或聚矽氧化合物等脫模劑塗布於基材層所形成的層。

(貼合層)

貼合層為黏著劑層或接著劑層。貼合層為黏著劑層時，為使用黏著劑所形成之黏著劑層。黏著劑為藉由將其本身貼合於被著體而展現接著性者，亦即稱為感壓型接著劑者。黏著劑可為上述所說明黏著劑組成物，也可使 用公知之光學性透明性優異之黏著劑。公知黏著劑例如可使用含有丙烯酸聚合物、胺甲酸乙酯聚合物、聚矽氧聚合物、聚乙烯醚等基礎聚合物之黏著劑。又，黏著劑可為活性能量線硬化型黏著劑、或熱硬化型黏著劑等。該等中較佳為以透明性、黏著力、再剝離性(重工性)、耐候性、耐熱性等優異之丙烯酸樹脂作為基礎聚合物之黏著劑。黏著劑層較佳為由(甲基)丙烯酸樹脂、交聯劑、矽烷耦合劑黏著劑所構成，也可含有其他成分。

黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為5μm以上，也可為10μm以上，也可為15μm以上，也可為20μm以上，也可為25μm以上，通常為300μm以下，也可為250μm以下，也可為100μm以下，也可為50μm以下。

貼合層為接著劑層時，接著劑層可藉由使接著劑組成物中之硬化性成分硬化而形成。用以形成接著劑層之接著劑組成物可舉出感壓型接著劑(黏著劑)以外之接著劑，例如水系接著劑、活性能量線硬化型接著劑。

水系接著劑可舉例如將聚乙烯醇樹脂溶解或分散於水的接著劑。使用水系接著劑時之乾燥方法並無特別限定，例如可採用使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機之乾燥方法。

活性能量線硬化型接著劑可舉例如含有硬化性化合物之無溶劑型活性能量線硬化型接著劑，該硬化性化合物可藉由照射紫外線、可見光、電子線、X射線之類之活性能量線而硬化。藉由使用無溶劑型活性能量線硬化型接著劑而可提高層間的密著性。

為了顯示良好接著性，活性能量線硬化型接著劑較佳為含有陽離子聚合性之硬化性化合物、自由基聚合性之硬化性化合物之任一者或兩者。活性能量線硬化型接著劑可進一步含有用以使上述硬化性化合物起始硬化反應之光陽離子聚合起始劑等陽離子聚合起始劑、或自由基聚合起始劑。

貼合層為接著劑層時之厚度較佳為0.1μm以上，也可為0.5μm以上，又，較佳為10μm以下，也可為5μm以下。

(顯示裝置)

顯示裝置係具有積層體1、2。顯示裝置較佳為可彎曲之可撓性顯示器(可撓性顯示裝置)。顯示裝置可以偏光板30側為內側之方式(黏著劑層X側為外側之方式)彎曲，也可以偏光板30側為外側之方式(黏著劑層X側為內側之方式)彎曲。可彎曲是指後述彎曲性之評價的彎曲次數10萬次以上時，積層體1、2可在不產生氣泡或黏著劑的脫落下進行彎曲。

顯示裝置所具有之積層體1、2較佳為透過黏著劑層X而貼合於顯示裝置之影像顯示元件。積層體1、2通常在從積層體1、2剝離分隔片15之狀態下組裝於顯示裝置，其後剝離去除防護膜11。因此，顯示裝置所含有之積層體通常為不含有分隔片15及防護膜11之積層體。顯示裝置並無特別限定，但較佳為有機EL顯示裝置。

顯示裝置可為智慧型手機或平板等行動裝置，也可為電視、數位相框、電子看板、測定器或測定機器類、事務用機器、醫療機器、電子計算機器等。

(可撓性顯示裝置用積層體)

可撓性顯示裝置所含有之積層體可為可撓性顯示裝置用積層體。可撓性顯示裝置用積層體除了偏光板及黏著劑層X以外，亦可具有選自窗、觸碰感應器、及遮光著色圖案等的1種以上。可撓性顯示裝置用積層體例如可於偏光板的雙面具有黏著劑層X。例如可透過設置於偏光板一側之黏著劑層X而積層窗及/或遮光著色圖案，也可透過設置於偏光板之另一側之黏著劑層X而積層觸碰感應器等。可撓性顯示裝置用積層體具有窗及遮光著色圖案時，該等可透過黏著劑層X而積層。

可撓性顯示裝置例如可為可撓性顯示裝置用積層體及有機EL顯示面板所構成，相對於有機EL顯示面板於視覺確認側配置可撓性顯示裝置用積層體，並以可折彎之方式構成。可撓性顯示裝置用積層體可含有窗、上述圓偏光板、觸碰感應器，該等的積層順序為任意，但較佳為從視覺確認側起依序積層窗、圓偏光板、觸碰感應器，或是依序積層窗、觸碰感應器、圓偏光板。圓偏光板若存在於觸碰感應器之視覺確認側，則觸碰感應器之圖案難以被視覺確認，可提高顯示影像之視覺確認性，故較佳。各個構件可使用接著劑層或黏著劑層等而積層。使用黏著劑層時，該黏著劑層可為上述黏著劑層X，也可為與黏著劑層X相異之黏著劑層。

可撓性顯示裝置用積層體可具備形成於窗、圓偏光板、觸碰感應器之任一層之至少一面的遮光圖案。可撓性顯示裝置可進一步具有遮光著色圖案。

(窗)

窗係配置於可撓性顯示裝置之視覺確認側並保護顯示裝置之其他構成構件不受來自外部的衝擊或溫濕度等的環境變化影響。以往該窗使用玻璃， 但可撓性顯示裝置中的窗較佳為非玻璃般堅硬而具有可撓性特性者。窗由可撓性透明基材所構成，且可於至少一面具有硬塗層。

透明基材之可見光線之穿透率為70%以上，較佳為80%以上。透明基材可使用透明性高分子膜。具體而言可為：具有包含聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、降莰烯或環烯烴之單體的單元之環烯烴系衍生物等聚烯烴類；二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、丙醯基纖維素等(改質)纖維素類；甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物等丙烯酸酯類；苯乙烯(共)聚合物等聚苯乙烯類；丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物類；丙烯腈/苯乙烯共聚物類；乙烯乙酸乙烯酯共聚物類；聚氯乙烯類；聚偏二氯乙烯類；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚芳酯等聚酯類；耐綸等聚醯胺類；聚醯亞胺類；聚醯胺醯亞胺類；聚醚醯亞胺類；聚醚碸類；聚碸類；聚乙烯醇類；聚乙烯醇縮乙醛類；聚胺甲酸乙酯類；環氧樹脂類等的高分子所形成的膜。高分子膜可為未延伸，也可為單軸或雙軸延伸膜。該等高分子分別可單獨使用或混合2種以上使用。較佳為透明性及耐熱性優異之聚醯胺膜、聚醯胺醯亞胺膜、聚醯亞胺膜、聚酯系膜、烯烴系膜、丙烯酸膜、纖維素系膜。

高分子膜中較佳為分散有二氧化矽等無機粒子、有機微粒子、橡膠粒子等。又，可含有顏料或染料之類之著色劑、螢光增白劑、分散劑、塑化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、抗氧化劑、滑劑、溶劑等的摻配劑。

透明基材之厚度例如可為5至200μm，較佳為20至100μm。

透明基材中可設置有硬塗層。硬塗層之厚度無特別限定，例如可為2至100μm。若硬塗層之厚度變小，則有難以確保充分耐衝擊性及耐擦傷性之傾向，若硬塗層之厚度變大，則有耐彎曲性降低，且容易產生硬化收縮所造成的捲曲之傾向。

硬塗層可藉由含有照射活性能量線或熱能量而形成交聯構造之反應性材料的硬塗組成物的硬化而形成，但較佳為活性能量線硬化所形成者。活性能量線的定義為可使產生活性物種之化合物分解而產生活性物種之能量線。活性能量線可舉出可見光、紫外線、紅外線、X射線、α線、β線、γ線及電子線等，特佳為紫外線。

硬塗組成物可含有自由基聚合性化合物及陽離子聚合性化合物等的至少1種聚合物。自由基聚合性化合物是指具有自由基聚合性基之化合物。自由基聚合性化合物所具有之自由基聚合性基只要為可產生自由基聚合反應之官能基即可，可舉出含有碳-碳不飽和雙鍵的基等。具體而言可舉出乙烯基、(甲基)丙烯醯基等。自由基聚合性化合物具有2個以上自由基聚合性基時，該等自由基聚合性基分別可為相同或相異。以提高硬塗層之硬度此點來看，自由基聚合性化合物其1分子具有的自由基聚合性基的數目較佳為2個以上。從反應性之高度之觀點來看，自由基聚合性化合物中較佳為具有(甲基)丙烯醯基之化合物，較佳為使用1分子中具有2至6個(甲基)丙烯醯基之稱為多官能丙烯酸酯單體之化合物、或稱為環氧基(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯之分子內具有多個(甲基)丙烯醯基之分子量為數百至數千之寡聚物。較佳為含有 選自環氧基(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯及聚酯(甲基)丙烯酸酯的1種以上。

陽離子聚合性化合物是指具有環氧基、氧雜環丁烷基、乙烯基醚基等陽離子聚合性基之化合物。以提高硬塗層之硬度此點來看，前述陽離子聚合性化合物於1分子中所具有之陽離子聚合性基的數目較佳為2個以上，更佳為3個以上。陽離子聚合性化合物較佳為具有環氧基及氧雜環丁烷基之至少1種作為陽離子聚合性基之化合物。其原因為環氧基、氧雜環丁烷基等環狀醚基之伴隨聚合反應的收縮較小。環狀醚基中，具有環氧基之化合物有容易獲得各種構造之化合物、不會對所得硬塗層之耐久性造成不良影響、容易控制與自由基聚合性化合物的相溶性之優點。環狀醚基中，氧雜環丁烷基有相較於環氧基容易提高聚合度、低毒性、從所得硬塗層之陽離子聚合性化合物獲得的網狀形成速度較快、即使在與自由基聚合性化合物混合存在的區域中亦不會於膜中殘留未反應的單體而會形成獨立網狀等優點。

具有環氧基之陽離子聚合性化合物可舉例如：具有脂環族環之多元醇之聚環氧丙基醚、或藉由將含有環己烯環、環戊烯環之化合物以過氧化氫、過酸等適當氧化劑環氧化而獲得之脂環族環氧樹脂；脂肪族多元醇、或其環氧烷加成物之聚環氧丙基醚、脂肪族長鏈多元酸之聚環氧丙基酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯之均聚物、共聚物等脂肪族環氧樹脂；雙酚A、雙酚F或氫化雙酚A等雙酚類、或該等的環氧烷加成物；藉由己內酯加成物等的衍生物與環氧氯丙烷的反應而製造之環氧丙基醚；屬於酚醛清漆環氧樹脂等且由雙酚類所衍生之環氧丙基醚型環氧樹脂等。

硬塗組成物中可進一步含有聚合起始劑。聚合起始劑為自由基聚合起始劑、陽離子聚合起始劑、自由基及陽離子聚合起始劑等，可適當地選擇使用。該等聚合起始劑係藉由活性能量線照射及加熱之至少一種而分解並產生自由基或陽離子，而進行自由基聚合及陽離子聚合。

自由基聚合起始劑只要可藉由活性能量線照射及加熱之至少一者而釋放出起始自由基聚合的物質即可。例如熱自由基聚合起始劑可舉出過氧化氫、過氧化苯甲酸等有機過氧化物、偶氮雙丁腈等偶氮化合物等。

活性能量線自由基聚合起始劑有以分子分解而生成自由基之Type1型自由基聚合起始劑、及與三級胺共存並以脫氫型反應而生成自由基之Type2型自由基聚合起始劑，可分別單獨使用或併用。

陽離子聚合起始劑只要可藉由活性能量線照射及加熱之至少一者而釋放出起始陽離子聚合的物質即可。陽離子聚合起始劑可使用芳香族錪鹽、芳香族鋶鹽、二茂鐵(II)錯合物等。該等會因構造差異而以活性能量線照射或加熱之任一者或兩者而起始陽離子聚合。

聚合起始劑相對於硬塗組成物整體100重量%可含有0.1至10重量%。聚合起始劑之含量未達0.1重量%時，無法充分進行硬化，難以實現最終所得塗膜之機械性物性或密著力，超過10重量%時，會產生硬化收縮所造成的接著力不良、或破裂現象及捲曲現象。

硬塗組成物可進一步含有選自由溶劑、添加劑所組成的群組一個以上。溶劑為可使聚合性化合物及聚合起始劑溶解或分散者，可使用已知作為本技術領域之硬塗組成物之溶劑者，無特別限制。添加劑可舉出無機粒子、調平劑、穩定劑、界面活性劑、抗靜電劑、潤滑劑、防污劑等。

(觸碰感應器)

觸碰感應器係使用作為輸入手段。觸碰感應器已提出電阻膜方式、表面聲波方式、紅外線方式、電磁感應方式、靜電容量方式等各種樣式，可為任一方式。其中較佳為靜電容量方式。靜電容量方式觸碰感應器區分為活性區域、及位於活性區域之外周部之非活性區域。活性區域為與顯示面板顯示畫面之區域(顯示部)對應的區域，為感測使用者的觸碰的區域，非活性區域為與顯示裝置未顯示畫面之區域(非顯示部)對應的區域。觸碰感應器可包含：具有可撓性特性之基板、形成於基板之活性區域之感測圖案、及形成於基板之非活性區域且透過感測圖案及墊部而與外部之驅動電路連接之各感測線。

具有可撓性特性之基板可使用構成窗之透明基板所例示者。以抑制觸碰感應器之破裂來看，觸碰感應器之基板較佳為韌性為2,000MPa%以上者。更佳為韌性為2,000MPa%至30,000MPa%。韌性為在溫度23℃、相對濕度55%之條件下以拉伸評價試驗機(萬能試驗機)測定的值。

感測圖案可具備形成於第一方向之第一圖案及形成於第二方向之第二圖案。第一圖案及第二圖案配置於互相相異之方向。第一圖案及第二圖案形成於同一層，為了感測觸碰位置，各個圖案必須電性連接。第一圖案為各單元圖案透過連接器互相連接之形態，第二圖案為各單元圖案以島形態互相分離之構造，故為了電性連接第二圖案而需要另外的橋接電極。

感測圖案可適用公知透明電極素材。可舉例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、鎘錫氧化物(CTO)、PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、碳奈米管(CNT)、石墨烯、金屬線等，該等可單獨使用或混合2種以上使用。較佳可使用ITO。金屬線所使用之金屬無特別限定，可舉例如銀、金、鋁、銅、鐵、鎳、鈦、釕、鉻等。該等可單獨使用或混合2種以上使用。

橋接電極可在感測圖案上部透過絕緣層形成於絕緣層上部，可於基板上形成橋接電極，並於其上方形成絕緣層及感測圖案。橋接電極可由與感測圖案相同的素材形成，也可由鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫、鈦或該等中2種以上的合金等金屬形成。第一圖案與第二圖案必須為電性絕緣，故感測圖案與橋接電極之間形成有絕緣層。絕緣層可僅形成在第一圖案之連接器與橋接電極之間，也可形成為覆蓋感測圖案的層之構造。後者的情形，橋接電極可透過形成於絕緣層之接觸孔而與第二圖案連接。

觸碰感應器中，作為適當彌補形成有圖案之圖案區域與未形成圖案之非圖案區域之間的穿透率差，具體而言為該等區域中的折射率差所產生的光穿透率差的手段，可於基板與電極之間進一步含有光學調節層。光學調節層可含有無機絕緣物質或有機絕緣物質。光學調節層可將含有光硬化性有機黏合劑及溶劑之光硬化組成物塗布於基板上而形成。光硬化組成物可進一步含有無機粒子。可藉由無機粒子而提高光學調節層之折射率。

光硬化性有機黏合劑例如可含有丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體、羧酸系單體等各單體之共聚物。光硬化性有機黏合劑例如可為包含 含有環氧基之重複單元、丙烯酸酯重複單元、羧酸重複單元等互相相異之各重複單元的共聚物。

無機粒子例如可含有二氧化鋯粒子、二氧化鈦粒子、氧化鋁粒子等。光硬化組成物可進一步含有光聚合起始劑、聚合性單體、硬化補助劑等各添加劑。

(遮光著色圖案)

遮光著色圖案可適用作為可撓性顯示裝置之表框或外殼之至少一部分。藉由遮光著色圖案可隱藏配置於可撓性顯示裝置之邊緣部的配線，使其難以被視覺確認，藉此提高影像之視覺確認性。遮光著色圖案可為單層或複數層之形態。

遮光著色圖案的顏色並無特別限制，可具有黑色、白色、金屬色等各種顏色。遮光著色圖案可由顯示顏色之顏料、及丙烯酸系樹脂、酯系樹脂、環氧系樹脂、聚胺甲酸乙酯、聚矽氧等高分子而形成。該等可單獨使用或使用2種類以上的混合物。遮光著色圖案可藉由印刷、微影、噴墨等各種方法形成。遮光著色圖案之厚度可為1至100μm，較佳為2至50μm。較佳為賦予於遮光著色圖案之厚度方向傾斜等的形狀。

(實施例)

以下以實施例示進一步具體說明本發明，但本發明並不限定於該等例。

[藉由扭轉測得的剪切潛變率C1及C3之測定]

黏著劑層(x)之在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C1係使用黏彈性測定裝置(MCR-301，Anton Paar公司)測定。將後述黏著薄片裁切為寬度20mm×長度20mm並剝離分隔片，以厚度成為150μm之方式積層複數 片，而獲得黏著劑基準層。將該黏著劑基準層接合於板，在與測定小片接著之狀態下，於溫度60℃以Normal force 1N、壓力10000Pa之條件下進行測定，測定600秒的剪切變形量值(剪切潛變率)。以在溫度60℃測定的值作為藉由扭轉測得的剪切潛變率C1。除了測定溫度變更為-20℃以外，其餘以與藉由扭轉測得的剪切潛變率C1之測定相同之方式測定扭轉的剪切潛變率C3。

[抗撓剛度D1之測定]

將實施例及比較例所得積層體於溫度60℃之環境下放置24小時後，於5分鐘以內在溫度25℃之環境下使用抗撓剛度評價機器(GURLEY STIFFNESS TESTER，KUMAGAI RIKI KOGYO製)施加25g之荷重，而測定抗撓剛度，以所得值作為溫度60℃之抗撓剛度D1。

[厚度之測定]

厚度係使用接觸式膜厚測定裝置(Nikon股份有限公司製「ZC-101」)測定。

[玻璃轉移溫度之測定]

從後述黏著薄片剝離分隔片而獲得黏著劑層(x)。所得黏著劑層(x)之玻璃轉移溫度係使用SII NanoTechnology股份有限公司製示差掃描熱量計(DSC)「EXSTAR DSC6000」在氮環境下以測定溫度範圍-80至50℃、升溫速度10℃/分鐘之條件測定。

[凝膠分率之測定]

將後述黏著薄片裁切為寬度80mm×長度80mm後，以裁切之黏著薄片所含有的黏著劑層(x)作為試料。將試料包覆於聚酯製網(網目尺寸200)， 使用精密天秤秤量其質量。將所秤量質量減去上述網單獨之質量，藉此計算僅試料之質量M1。

接著將包覆於上述聚酯製網之黏著劑層(x)於室溫下(23℃)浸漬於乙酸乙酯72小時，取出試料(以下將所取出的試料稱為「浸漬後之試料」)。將浸漬後之試料在溫度23℃、相對濕度50%之環境下風乾24小時，進一步在120℃之烘箱中乾燥4小時後，使用精密天平秤量其質量。將所秤量質量減去上述網單獨之質量，藉此計算浸漬後之僅試料之質量M2。從質量M1及質量M2根據下式決定凝膠分率。

凝膠分率[%]=(M2/M1)×100。

[儲藏彈性模數G1及G2之測定]

黏著劑層(x)的在溫度60℃的儲藏彈性模數G1及在溫度25℃的儲藏彈性模數G2係使用黏彈性測定裝置(MCR-301，Anton Paar公司)測定。將後述黏著薄片裁切為寬度20mm×長度20mm後，剝離分隔片，以厚度成為150μm之方式積層複數片並貼合於玻璃板，在與測定小片接著之狀態下在-20℃至80℃之溫度區域中在頻率1.0Hz、Normal force 1N、變形量1%、升溫速度2℃/分鐘之條件下進行測定，而求出在溫度25℃及溫度60℃的儲藏彈性模數G1及G2。

[彎曲性之評價]

從實施例及比較例所得積層體剝離分隔片A，並於露出之黏著劑層(x)貼合假設為影像顯示元件之厚度100μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜，而獲得試驗片100。使用該試驗片100進行以下之高溫彎曲性試驗。圖3(a)及(b)為示意性表示高溫彎曲性試驗之方法的圖。準備具備2個平台501、 502之彎曲裝置(Science Town公司製，STS-VRT-500)。於平台501、502上將試驗片100以防護膜側朝上之方式安置(圖3(a))。將2個平台501、502以間隙x1配置，於以寬度方向之中心位於間隙x1的中心之方式固定試驗片100並配置(圖3(a))。該平台501、502為可擺動，初期2個平台501、502係構成相同平面。將2個平台501、502以位置P1及位置P2作為旋轉軸之中心往上方旋轉90度，以相對向的試驗片100彼此之間隔x2成為6mm之方式閉合2個平台501、502(圖3(b))，再次打開平台501、502，將此動作定義為1次彎曲。在溫度60℃之條件下重覆該動作，計數於試驗片100之黏著劑層(x)產生氣泡或黏著劑脫落為止的彎曲次數，並評價在溫度60℃的彎曲性。評價之基準如下。

A：即使彎曲次數到達20萬次也未產生氣泡及黏著劑脫落。

B：彎曲次數為10萬次以上且未達20萬次時產生氣泡或黏著劑脫落。

C：彎曲次數未達10萬次時產生氣泡或黏著劑脫落。

[裁切性之評價]

將實施例及比較例所得積層體在溫度60℃之環境下放置24小時後，於5分鐘以內在溫度25℃之環境下使用超級切割機裁切。以顯微鏡觀察該裁切所得的剖面，用以下所示基準評價。

a：未觀察到脫漿、或脫漿未達1mm且可藉由洗淨去除。

b：脫漿為1mm以上，無法藉由洗淨去除。

[(甲基)丙烯酸系聚合物A1至A4之調製]

使氮氣迴流並以容易調節溫度之方式，於裝設有冷卻裝置之1L反應器中投入以表1所示摻配量混合表1所示單體成分而成的混合物。為了去 除氧，在反應器內使氮氣迴流1小時後，將混合物維持為溫度60℃。將混合物均一混合後，將表1所示光聚合起始劑以表1所示摻配量投入，一邊攪拌一邊照射UV燈(10mW)，而獲得(甲基)丙烯酸系聚合物A1至A4。表1所示摻配量表示相對於單體成分及光聚合起始劑之合計質量之質量比率。結果示於表1。

[表1]

表1中的各簡稱如下。

TDA：丙烯酸十三烷酯(玻璃轉移溫度：-55℃)。

IDA：丙烯酸異癸酯(玻璃轉移溫度：-60℃)。

EOEOEA：丙烯酸乙氧基乙氧基乙酯(玻璃轉移溫度：-56℃)。

CA：丙烯酸己內酯(玻璃轉移溫度：-40℃)。

2-EHA：丙烯酸2-乙基己酯(玻璃轉移溫度：-70℃)。

BA：丙烯酸正丁酯(玻璃轉移溫度：-55℃)。

2-HEA：丙烯酸2-羥基乙酯(玻璃轉移溫度：-15℃)。

LA：丙烯酸月桂酯(玻璃轉移溫度：15℃)。

DCA：丙烯酸二十二烷酯。

I-651：苯甲基二甲基縮酮。

I-184：1-羥基環己苯基酮。

[黏著劑組成物B1至B7之調製]

將表2所示丙烯酸系聚合物、化合物、及聚合起始劑以表2所示摻配量混合，而獲得黏著劑組成物B1至B7。表2所示摻配量表示相對於聚合物、化合物、及聚合起始劑之合計質量之質量比率。

[表2]

表2中的各簡稱如下。

PU2100：胺甲酸乙酯丙烯酸單體(Miwon specialty chemical公司之「MIRAMER PU2100」，丙烯醯基數：2，重量平均分子量：1300)。

PU2200：胺甲酸乙酯丙烯酸單體(Miwon specialty chemical公司之「MIRAMER PU2200」，丙烯醯基數：2，重量平均分子量：2000)。

PU2510：胺甲酸乙酯丙烯酸單體(Miwon specialty chemical公司之「MIRAMER PU2510」，丙烯醯基數：2，重量平均分子量：4900)。

SC2565：胺甲酸乙酯丙烯酸單體(Miwon specialty chemical公司之「MIRAMER SC2565」，丙烯醯基數：2，重量平均分子量：5100)。

HDDA：1,6-己二醇二丙烯酸酯。

IDA：丙烯酸異癸酯。

[黏著薄片(1)至(10)之製作]

於表3及表4所示厚度之分隔片A(塗布含有聚矽氧化合物之脫模劑之聚對苯二甲酸乙二酯膜)之脫模處理面塗布表3及表4所示黏著劑組成物。於塗布層上將表3及表4所示厚度之分隔片B(塗布含有聚矽氧化合物之脫模劑之聚對苯二甲酸乙二酯膜)以脫模處理面側為塗布層側之方式積層後，進行UV照射，而獲得具有分隔片A/黏著劑層(x)/分隔片B之層構造之黏著薄片(1)至(10)。UV照射係以累積光量為400mJ/cm²、照度為1.8mW/cm²(UVV基準)之方式進行。對於所得黏著薄片(1)至(10)之黏著劑層(x)測定在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C1、在溫度60℃及25℃的儲藏彈性模數G1及G2、厚度、玻璃轉移溫度Tg、凝膠分率。結果示於表3及表4。

〔實施例1、2、6、比較例1〕

(圓偏光板之準備)

將保護膜(環烯烴系樹脂膜，厚度18μm)及線性偏光層(厚度8μm)使用水系接著劑貼合，而獲得具有保護膜/接著劑層/線性偏光層之層構造之線性偏光板。

獲得依序積層第一相位差層(厚度3μm)、接著劑層(厚度1μm)、及第二相位差層(厚度2μm)之相位差積層體。第一相位差層為λ/4相位差層，為聚合性液晶化合物之硬化物層。接著劑層為光硬化型接著劑 組成物之環氧系接著劑之硬化物層。第二相位差層為正C層，為聚合性液晶化合物之硬化物層。

將上述所得線性偏光板之線性偏光層側與相位差積層體之第一相位差層側使用丙烯酸系黏著劑層(厚度5μm)貼合，而獲得作為偏光板之圓偏光板。圓偏光板之層構造為線性偏光板(保護膜/接著劑層/線性偏光層)/相位差積層體(第一相位差層/接著劑層/第二相位差層)。

(防護膜之準備)

準備於基材層(聚酯樹脂膜，厚度38μm)的一面形成有丙烯酸系硬化型黏著劑層(厚度15μm)之防護膜。

(積層體之製作)

以防護膜之丙烯酸系硬化型黏著劑層側成為線性偏光板側之方式貼合上述所得圓偏光板及防護膜，於圓偏光板之相位差積層體側貼合從表3及表4所示黏著薄片剝離分隔片B所露出之黏著劑層(x)，藉此獲得積層體(1)、(2)、(6)、(7)。該等積層體之層構造為防護膜(基材層/丙烯酸系硬化型黏著劑層)/線性偏光板(保護膜/接著劑層/線性偏光層)/丙烯酸系黏著劑層/相位差積層體(第一相位差層/接著劑層/第二相位差層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

對所得積層體進行抗撓剛度D1、彎曲性及裁切性之評價。結果示於表3及表4。

〔實施例3、4〕

(圓偏光板之準備)

獲得依序積層第一相位差層(厚度2μm)、接著劑層(厚度2μm)、及第二相位差層(厚度1μm)之相位差積層體。第一相位差層為λ/2相位差層，為聚合性液晶化合物之硬化物層。接著劑層為光硬化型接著劑組成物之環氧系接著劑之硬化物層。第二相位差層為λ/4相位差層，為聚合性液晶化合物之硬化物層。

使用上述所得相位差積層體，其餘以與實施例1、2、6、比較例1所說明順序相同之方式而獲得作為偏光板之圓偏光板。圓偏光板之層構造為線性偏光板(保護膜/接著劑層/線性偏光層)/相位差積層體(第一相位差層/接著劑層/第二相位差層)。

(積層體之製作)

使用上述所得圓偏光板，其餘以與實施例1、2、6、比較例1所說明順序相同方式而獲得積層體(3)、(4)。該等積層體之層構造為防護膜(基材層/丙烯酸系硬化型黏著劑層)/線性偏光板(保護膜/接著劑層/線性偏光層)/丙烯酸系黏著劑層/相位差積層體(第一相位差層/接著劑層/第二相位差層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

對所得積層體進行抗撓剛度D1、彎曲性及裁切性之評價。結果示於表3。

〔實施例5、比較例2、3〕

(線性偏光板之準備)

準備於環烯烴系樹脂膜(厚度25μm)的一面形成有硬塗層(厚度2μm)之保護膜。將該保護膜之環烯烴系樹脂膜側及線性偏光層(厚度8μm)使用水 系接著劑貼合，而獲得具有保護膜(硬塗層/環烯烴系樹脂膜)/接著劑層/線性偏光層之層構造之線性偏光板。

(防護膜之準備)

準備於基材層(聚酯樹脂膜，厚度38μm)的一面形成有丙烯酸系硬化型黏著劑層(厚度15μm)之防護膜。

(積層體之製作)

以防護膜之丙烯酸系硬化型黏著劑層側成為保護膜側之方式貼合上述所得線性偏光板及防護膜，於線性偏光板之線性偏光層側貼合從表3及表4所示黏著薄片剝離分隔片B所露出之黏著劑層(x)，藉此獲得積層體(5)、(8)、(9)。該積層體之層構造為防護膜(基材層/丙烯酸系硬化型黏著劑層)/線性偏光板(保護膜/接著劑層/線性偏光層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

對所得積層體進行抗撓剛度D1、彎曲性及裁切性之評價。結果示於表3及表4。

〔實施例7〕

(窗之準備)

於根據日本特開2018-119141號公報之實施例4之記載製作之透明基材膜(聚醯胺醯亞胺膜，厚度50μm)之一表面塗布硬塗層用組成物(1)後，使溶劑乾燥並進行UV硬化，藉此製作於基材膜的單面形成有厚度8μm之硬塗層之窗(厚度58μm)。硬塗層形成用組成物(1)為將多功能丙烯酸酯(MIWON Specialty Chemical，MIRAMER M340)30質量份、分散於丙二醇單甲基醚之奈米二氧化矽溶膠(粒徑12nm，固形份40%)50質量份、乙基乙酸酯17質量份、光聚合起始劑(BASF公司，I184)2.7質量份、氟系添 加劑(信越化學工業股份有限公司，KY1203)0.3質量份利用攪拌機摻配，並使用聚丙烯(PP)材質之過濾器過濾，藉此而調製。窗之層構造為硬塗層/聚醯亞胺膜。

從黏著薄片(10)剝離分隔片B。於露出之黏著劑層(x)表面及窗之聚醯亞胺膜側表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，積層黏著劑薄片(10)及窗，而獲得硬塗層/聚醯亞胺膜/黏著劑層(x)/分隔片A之層構造之附黏著劑層之窗。

(線性偏光板之準備)

於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度100μm)藉由棒塗布法塗布硬塗層用組成物(2)，在80℃之乾燥烘箱中加熱乾燥3分鐘。於所得乾燥被膜使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-7，USHIO電機股份有限公司製)照射曝光量500mJ/cm²(365nm基準)之UV光而形成硬塗層(HC層)，獲得附HC層之PET膜。硬塗層用組成物(2)係藉由混合具有18官能之丙烯醯基之樹狀體丙烯酸酯(Miramer SP1106，Miwon)2.8質量份、具有6官能之丙烯醯基之胺甲酸乙酯丙烯酸酯(Miramer PU-620D，Miwon)6.6質量份、光聚合起始劑(Irgacure-184，BASF)0.5質量份、調平劑(BYK-3530，BYK)0.1質量份、及甲基乙酮(MEK)90質量份而調製。以雷射顯微鏡(OLYMPUS股份有限公司製OLS3000)測定硬塗層(HC層)之厚度為2.0μm。

於上述所得附HC層之PET膜之HC層側實施電暈處理1次。電暈處理之條件為輸出0.3kW、處理速度3m/分鐘。其後，於附HC層之PET膜之HC層上以棒塗布法塗布配向膜形成用組成物，在溫度80℃之乾燥烘箱中加熱乾燥1分鐘。配向膜形成用組成物係使用日本特開2020- 157577號公報之段落[0103]所記載者。於所得乾燥被膜實施偏光UV照射處理而形成配向膜。偏光UV處理係使UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；USHIO電機股份有限公司製)所照射光穿透線柵極(UIS-27132##，USHIO電機股份有限公司製)後，以在波長365nm所測定的累積光量為100mJ/cm²之條件進行。配向膜之厚度為100nm。

在上述形成之配向膜上以棒塗布法塗布偏光層形成用組成物，於120℃之乾燥烘箱加熱乾燥1分鐘後，冷卻至室溫。使用上述UV照射裝置，以累積光量1200mJ/cm²(365nm基準)對乾燥被膜照射紫外線，藉此形成偏光層。偏光層形成用組成物係使用日本特開2020-157577號公報之段落[0104]至[0107]所記載者。以雷射顯微鏡(OLYMPUS股份有限公司製OLS3000)測定所得偏光層之厚度為1.8μm。

於上述所得偏光層上以棒塗布法塗布保護層用組成物，以乾燥後之厚度成為1.0μm之方式塗布，於溫度80℃乾燥3分鐘，而形成保護層(OC層)，獲得線性偏光板。保護層用組成物係使用日本特開2020-157577號公報之段落[0108]所記載者。線性偏光板之層構造為PET膜/HC層/配向膜/偏光層/OC層。

準備由重剝離膜/黏著劑層A(厚度5μm之丙烯酸系黏著劑)/輕剝離膜所構成之黏著薄片A。從黏著薄片A剝離輕剝離膜。於露出之黏著劑層A表面及線性偏光板之OC層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，貼合黏著劑層A及OC層，而獲得附黏著劑層之線性偏光板。附黏著劑層之線性偏光板之構成為PET膜/HC層/配向膜/偏光層/OC層/黏著劑層A/重剝離膜。

(圓偏光板之準備)

混合以下成分並脫泡，而調製UV硬化型接著劑A。

3’,4’-環氧環己基甲基3,4-環氧環己烷羧酸酯(CEL2021P，Daicel股份有限公司)70份；

新戊二醇二環氧丙基醚(EX-211，Nagasechemtex股份有限公司製)20質量份；

2-乙基己基環氧丙基醚(EX-121，Nagasechemtex股份有限公司製)10質量份；

陽離子聚合起始劑(CPI-100，san-apro股份有限公司，固形份量2.25質量份(作為50%碳酸伸丙酯溶液摻配。)；及

1,4-二乙氧基萘2份。

準備依序積層基材膜A、第一相位差層、接著劑層、第二相位差層、及基材膜B之厚度7μm之附基材之相位差積層體。接著劑層為由UV硬化型接著劑A之硬化物所構成，厚度為2pm。第一相位差層為λ/4相位差層，係具有由聚合性液晶化合物硬化的層及配向膜，厚度為2μm。第二相位差層為正C層，具有由聚合性液晶化合物硬化的層及配向膜，厚度為3μm。附基材之相位差積層體之層構造為基材膜A/第一相位差層(λ/4相位差層)/接著劑層/第二相位差層(正C層)/基材膜B。

將上述所得附黏著劑層之線性偏光板之重剝離膜剝離，從上述所得附基材之相位差積層體剝離基材膜A。於剝離重剝離膜所露出之黏著劑層A表面、及剝離基材膜A露出之第一相位差層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)，貼合黏著劑層A及λ/4層，而獲得附基材 之圓偏光板。附基材之圓偏光板之層構造為PET膜/HC層/配向膜/偏光層/OC層/黏著劑層A/第一相位差層(λ/4相位差層)/接著劑層/第二相位差層(正C層)/基材膜B。

從黏著薄片(10)剝離分隔片B，從附基材之圓偏光板剝離基材膜B。於剝離分隔片B所露出之黏著劑層(x)表面、及剝離基材膜B所露出之第二相位差層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，貼合黏著劑層(x)及第二相位差層，而獲得附黏著劑層之圓偏光板。附黏著劑層之圓偏光板之層構造為PET膜/HC層/配向膜/偏光層/OC層/黏著劑層A/第一相位差層(λ/4相位差層)/接著劑層/第二相位差層(正C層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

(積層體(10)之製作)

從上述所得附黏著劑層之窗剝離分隔片A，剝離附黏著劑層之圓偏光板之PET膜。於剝離分隔片A所露出之黏著劑層(x)表面、及剝離PET膜所露出之HC層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，貼合黏著劑層(x)及HC層，而獲得積層體(10)。積層體(10)之層構造為硬塗層/聚醯亞胺膜/黏著劑層(x)/HC層/配向膜/偏光層/OC層/黏著劑層A/第一相位差層(λ/4相位差層)/接著劑層/第二相位差層(正C層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

對所得積層體進行抗撓剛度D1、彎曲性及裁切性之評價。結果示於表3。

〔實施例8〕

(著色構件積層體之準備)

將丙烯酸系樹脂塗布於玻璃板(支持體)並形成分離層(厚度：0.3μm)。於分離層上使用著色層形成用組成物以乾燥後之厚度成為1.5μm之方式藉由光刻法使著色層圖案化，而部分形成著色層，並形成遮光著色圖案。著色層形成用組成物係使用含有碳黑之活性能量線硬化型著色層形成用組成物(Samsung SDI公司製「CR-BK0951L」)。光刻法中係進行塗布著色層形成用組成物而形成塗布層之步驟、曝光塗布層之步驟、使曝光之塗布層顯影之步驟、將顯影後的層熱硬化之步驟，而形成著色層。

接著，於形成之著色層側的面塗布日本特開2016-014877號公報中的實施例1之組成物，形成保護層(厚度：3μm)。如上述，於玻璃板上形成具有保護層/著色層/分鐘離層之層構成之著色構件。接著，於保護層上貼合防護膜。其後去除玻璃板，將露出之分離層及聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂膜(PET)的一面使用以實施例7所說明順序所調製之UV硬化型接著劑A而積層，以累積光量250mJ/cm²(UVB)之條件照射紫外線，硬化UV硬化型接著劑A並形成接著劑層，而獲得著色構件積層體。著色構件積層體之層構造為PET膜/接著劑層/著色構件(分離層/著色層/保護層)/防護膜。

從黏著薄片(10)剝離分隔片B，從著色構件積層體剝離防護膜。於剝離分隔片B所露出之黏著劑層(x)表面、及剝離防護膜所露出之保護層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，貼合黏著劑層(x)及保護層，而獲得附黏著劑層之著色構件。附黏著劑層之著色構件之層構造為PET膜/接著劑層/著色構件(分離層/著色層/保護層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

(積層體(11)之製作)

從上述所得附黏著劑層之著色構件剝離分隔片A，從以實施例7所說明順序準備之附黏著劑層之圓偏光板剝離PET膜。於剝離分隔片A所露出之黏著劑層(x)表面、及剝離PET膜所露出之HC層表面實施電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)。電暈處理後，貼合黏著劑層(x)及HC層。

上述貼合後，於著色構件上透過接著劑層積層之PET膜、及從以實施例7所說明順序準備之附黏著劑層之窗剝離分隔片A所露出之黏著劑層(x)進行電暈處理(輸出0.3kW，速度3m/分鐘)，並貼合PET膜及黏著劑層(x)，而獲得積層體(11)。積層體(11)之層構造為硬塗層/聚醯亞胺膜/黏著劑層(x)/PET膜/接著劑層/著色構件(分離層/著色層/保護層)/黏著劑層(x)/HC層/配向膜/偏光層/OC層/黏著劑層A/第一相位差層(λ/4相位差層)/接著劑層/第二相位差層(正C層)/黏著劑層(x)/分隔片A。

對所得積層體進行抗撓剛度D1、彎曲性及裁切性之評價。結果示於表3。

[表3]

[表4]

X:黏著劑層

1:積層體

11:保護膜

15:分隔片

30:偏光板

31:線性偏光層

32:保護膜

Claims (13)

1. 一種積層體，係包含至少含有線性偏光層之偏光板、及使用黏著劑組成物形成之黏著劑層，其中，

   使用前述黏著劑組成物所形成之厚度150μm的黏著劑基準層之在溫度60℃藉由扭轉測得的剪切潛變率C1為10%以上200%以下，

   前述積層體之在溫度60℃的抗撓剛度D1為1200m．gf以上1700m．gf以下。
2. 如請求項1所述之積層體，其中，前述剪切潛變率C1為80%以上200%以下。
3. 如請求項1或2所述之積層體，其中，前述黏著劑層之厚度為10μm以上100μm以下。
4. 如請求項1至3中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑層之玻璃轉移溫度為-50℃以下。
5. 如請求項1至4中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑層之凝膠分率為45%以上85%以下。
6. 如請求項1至5中任一項所述之積層體，其中，前述黏著劑組成物係含有(甲基)丙烯酸系聚合物，

   前述(甲基)丙烯酸系聚合物係含有:源自於具有碳數為1以上24以下之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯之第一構成單元、及源自於具有胺甲酸乙酯鍵之單體之第二構成單元。
7. 如請求項6所述之積層體，其中，相對於構成前述(甲基)丙烯酸系聚合物之全構成單元，前述第二構成單元的含有量為2.0質量%以下。
8. 請求項6或7所述之積層體，其中，前述具有胺甲酸乙酯鍵之單體係具有1個或2個(甲基)丙烯醯基。
9. 如請求項1至8中任一項所述之積層體，其中，前述偏光板係具有積層於前述線性偏光層的單面或雙面之保護膜。
10. 如請求項1至9中任一項所述之積層體，其中，前述偏光板為具有前述線性偏光層及相位差層之圓偏光板。
11. 如請求項1至10中任一項所述之積層體，進一步包含相對於前述偏光板可剝離地設置之防護膜。
12. 如請求項1至11中任一項所述之積層體，進一步包含相對於前述黏著劑層可剝離地設置之分隔片。
13. 一種顯示裝置，係包含如請求項1至12中任一項所述之積層體。

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