TW202323769A - 用以改良準確缺陷位置報告之面板設計 - Google Patents

用以改良準確缺陷位置報告之面板設計 Download PDF

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Abstract

本發明描述一種陣列檢查器(AC)。該陣列檢查器可包含經組態以實施一方法之軟體。藉由實施該方法，該陣列檢查器可偵測一缺陷之一位置且接著補償該缺陷之一移位。特定言之，該方法可包含在一面板中產生一或多個參考線。該等參考線可包含在產生該面板之一影像之前已知之一位置。該陣列檢查器可接著擷取該面板之一影像。可藉由電壓成像而擷取該影像。該影像可包含該缺陷及該一或多個參考線。該方法可接著包含自該已知位置計算該參考線之一偏移。可接著將該偏移應用至該缺陷位置以用於補償該缺陷之該移位。

Description

用以改良準確缺陷位置報告之面板設計
本發明大體上係關於平板顯示器且更特定言之，係關於偵測平板顯示器中之缺陷。
在一或多個生產步驟期間，生產缺陷可出現在平板顯示器中。生產缺陷可限制產品良率且不利地影響平板顯示器之成本。陣列檢查器(AC)系統可用於針對生產缺陷檢查面板。當像素足夠大時，陣列檢查器可準確地報告像素之缺陷位置。然而，隨著像素之大小減小，陣列檢查器可經歷準確度問題。小大小之像素之準確度之降低可引起陣列檢查器不準確地判定缺陷之位置。像素缺陷之不準確位置可引起一缺陷修復系統修復陣列上之錯誤像素。因此，提供一種解決上文描述之缺點之裝置、系統及方法將係有利的。
根據本發明之一或多項實施例，描述一種方法。在一些實施例中，該方法可包含啟動一面板之一主動區域中之一或多個參考線；在一些實施例中，該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置。在一些實施例中，該方法包含產生該面板之至少一部分之一影像；在一些實施例中，該方法包含在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置。在一些實施例中，該方法包含判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移。在一些實施例中，該偏移對應於該影像及亦該缺陷位置之一移位。在一些實施例中，該方法包含基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
根據本發明之一或多項實施例，描述一種陣列檢查器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以產生照明之一照明源。在一些實施例中，該陣列檢查器包含用於一面板之一載物台。在一些實施例中，該陣列檢查器包含安置於該照明之一路徑中且藉由一氣隙與該面板分離開之一光電調變器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以產生該面板之至少一部分之一影像之一偵測器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以執行維持於一記憶體媒體上之程式指令之一或多個處理器。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器啟動該面板之一主動區域中之一或多個參考線。在一些實施例中，該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器產生該面板之至少該部分之該影像。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移。在一些實施例中，該偏移對應於該缺陷位置之一移位。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
根據本發明之一或多項實施例，描述一種成像系統。在一些實施例中，該成像系統包含一面板。在一些實施例中，該面板包含一主動區域、複數個閘極線及複數個資料線。在一些實施例中，該主動區域包含複數個主動片段。在一些實施例中，該成像系統包含陣列檢查器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以產生照明之一照明源。在一些實施例中，該陣列檢查器包含用於一面板之一載物台。在一些實施例中，該陣列檢查器包含安置於該照明之一路徑中且藉由一氣隙與該面板分離開之一光電調變器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以產生該面板之至少一部分之一影像之一偵測器。在一些實施例中，該陣列檢查器包含經組態以執行維持於一記憶體媒體上之程式指令之一或多個處理器。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器啟動該面板之一主動區域中之一或多個參考線。在一些實施例中，該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器產生該面板之至少該部分之該影像。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移。在一些實施例中，該偏移對應於該缺陷位置之一移位。在一些實施例中，該等程式指令引起該一或多個處理器基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)主張2021年11月17日申請之美國臨時申請案第63/280,599號之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
已關於某些實施例及其等之特定特徵特別展示且描述本發明。將本文中闡述之實施例視為闡釋性而非限制性。一般技術者應容易瞭解，可作出形式及細節上之各種改變及修改而不脫離本發明之精神及範疇。現將詳細參考在隨附圖式中繪示之所揭示標的物。
本發明之實施例係關於一種包含一陣列檢查器及一面板之成像系統。該陣列檢查器可經組態以藉由電壓成像而產生該面板之一影像。該影像可接著由該陣列檢查器使用以偵測該面板中之一或多個缺陷之一位置。本發明之實施例係關於藉由陣列檢查器實施之用於在偵測缺陷位置時補償由陣列檢查器擷取之影像之一移位之方法。本發明之實施例係關於面板之一設計。面板設計可與陣列檢查器組合使用以改良缺陷位置之準確度。面板可包含用於開啟一參考線之一或多個開關。本發明之實施例係關於與面板組合使用陣列檢查器改良有缺陷像素之資料位址之準確度。
在以下案中大體上描述成像系統：2014年10月7日申請之標題為「DIRECT TESTING FOR PERIPHERAL CIRCUITS IN FLAT PANEL DEVICES」之美國專利公開案2015/0097592；2014年10月7日申請之標題為「SYSTEMS AND METHODS FOR REAL-TIME MONITORING OF DISPLAYS DURING INSPECTION」之美國專利公開案2014/0266244；2000年11月21日發表之標題為「MODULATOR TRANSFER PROCESS AND ASSEMBLY」之美國專利第6,151,153號；2001年4月3日發表之標題為「MODULATOR MANUFACTURING PROCESS AND DEVICE」之美國專利第6,211,991號；2005年3月15日發表之標題為「METHOD FOR MANUFACTURING PDLC-BASED ELECTRO-OPTIC MODULATOR USING SPIN COATING」之美國專利第6,866,887號；2006年8月29日發表之標題為「SCRATCH AND MAR RESISTANT PDLC MODULATOR」之美國專利第7,099,067號；2010年10月19日發表之標題為「MODULATOR WITH IMPROVED SENSITIVITY AND LIFETIME」之美國專利第7,817,333號；及2014年8月12日發表之標題為「ENCAPSULATED POLYMER NETWORK LIQUID CRYSTAL MATERIAL, DEVICE AND APPLICATIONS」之美國專利第8,801,964號，該等案之各者之全文以引用的方式併入本文中。
圖1係繪示根據本發明之一或多項實施例之在用於在電壓成像時補償一影像之移位之一方法100中執行之步驟之一流程圖。在面板200、成像系統300及/或陣列檢查器301之背景內容中描述之實施例及實現技術應被解譯為擴展至方法100。然而，應進一步注意，方法100不限於面板200、成像系統300及陣列檢查器301之架構。
在步驟110中，啟動一面板之一主動區域中之一或多個參考線。啟動參考線亦可係指對參考線充電使得參考線電容耦合至一光電調變器。可以類似於一缺陷之一方式對參考線充電，使得參考線及缺陷兩者在切換光電調變器時展現類似行為。當啟動參考線時，主動陣列可顯示參考線。可以任何方式啟動參考線。例如，可使用一開關以啟動參考線。開關可藉由來自一陣列檢查器之一信號控制。陣列檢查器可啟動開關且類似地啟動一或多個參考線。開關可用於在成像期間產生參考線。參考線對於計算藉由一陣列檢查器擷取之一影像之一移位可係有利的。在實施例中，參考線可包含主動區域中之一已知參考線位置。參考線之位址可係先驗已知的。已知參考線位置可對應於耦合至開關之一或多個資料線或閘極線。啟動參考線可係指向參考線供應一電壓。
在步驟120中，可產生面板之主動區域之至少一部分之一影像。影像可藉由一陣列檢查器產生。陣列檢查器可使用電壓成像以產生影像。在一些例項中，主動區域之影像可為跨主動區域之一電壓分佈之一二維影像。可藉由使用行進穿透一光電調變器之光學能量照明主動區域而判定電壓分佈。在實施例中，影像可包含一或多個缺陷及一或多個參考線。例如，缺陷及/或參考線可對應於其中光電調變器對來自一陣列檢查器之一照明源之光局部不透明之區域。光電調變器可在缺陷及參考線上方局部不透明。例如，缺陷及參考線可包含引起光電調變器局部不透明之一電荷。主動區之其他部分可包含引起光電調變器局部半透明之一電荷。因此，光可藉由透過光電調變器之透射指示缺陷及參考線。可接著藉由陣列檢查器之一偵測器(例如，一電荷耦合裝置(CCD))捕獲光及類似地電壓分佈作為影像。偵測器可以任何影像格式產生影像。影像可包含複數個像素。像素可對應於主動區域之一或多個部分(例如，主動區域之子像素或主動區)。在一些例項中，影像包含整個主動區域，儘管此不旨在作為本發明之一限制。經進一步審慎考慮，影像可包含主動區域之一子集。影像亦可被稱為一電壓影像及/或電壓成像光學系統(VIOS™)影像。
在步驟130中，偵測一缺陷位置及一參考線位置。可藉由陣列檢查器之一控制器在影像中偵測缺陷位置及參考線位置。例如，控制器可偵測歸因於電壓分佈之一改變而局部半透明之區域。可基於主動區域之影像中之一缺陷之一位址偵測缺陷位置。類似地，可基於主動區域之影像中之參考線之一位址偵測參考線位置。
在步驟140中，判定參考線位置自已知參考線位置之一偏移。影像可包含參考線自已知位址之一移位。已知參考線位置可先驗已知且可係基於資料線及/或閘極線上之開關之位址。影像中之參考線之位置可自參考線之實際位址移位一或多個像素。該移位可引起在步驟130中判定之參考線位置自已知參考線位置偏移。例如，陣列檢查器可包含一軟體特徵以用於計算並比較參考線之位置與實際參考線以判定影像之一移位。陣列檢查器可藉由判定經偵測參考線位置與實際參考線位置之間之差異而偵測偏移。偏移可對應於影像之一移位及類似地對應於缺陷位置之一移位。因此，判定參考線位置自已知參考線位置之偏移在判定影像及缺陷位置之移位方面可係有益的。
在步驟150中，基於缺陷位置及偏移判定缺陷之一經補償缺陷位置。例如，可基於偏移加上或減去缺陷位置而判定。可將參考線之移位應用至點缺陷位址以改良陣列檢查器之缺陷位置偵測能力。經補償缺陷位置可接著提供陣列檢查器之一經改良準確度。以經改良準確度偵測缺陷位置之能力對於相對小的像素大小可係有益的。
在步驟160中，可修復缺陷。可使用任何適合方法修復缺陷。陣列檢查器可報告經補償缺陷位置以實施對於缺陷之修復。例如，可將經補償缺陷位置自陣列檢查器報告至一薄膜電晶體(TFT)陣列修復工具。該TFT陣列修復工具可使用經補償缺陷位置結合一或多個修復配方以修復缺陷。經補償缺陷位置可容許面板上之修復之一增加之成功率。面板之良率可藉由修復成功率之增加而改良。
經審慎考慮，隨著主動片段之大小減小(例如，隨著每英寸像素(PPI)增加)，方法100對於偵測面板之主動片段中之一或多個缺陷之一位置可尤其有利。例如，方法100可在容許一陣列檢查器準確地偵測其中主動片段為大約100微米或更小之主動片段(例如，子像素)之缺陷位置方面可係有利的。例如，方法100可容許一陣列檢查器準確地偵測其中主動片段具有至少30微米之一寬度之一或多個主動片段中之一缺陷之一位置。特定言之，方法100對於補償缺陷位置之一移位可係有利的。
各個步驟可或可不依序執行。經進一步審慎考慮，各個步驟可同時執行。例如，可偵測缺陷之位置且接著可產生參考線。藉由另一實例，可產生參考線且接著可針對缺陷及參考線兩者掃描面板。在發現缺陷及參考線之後，可接著計算偏移量。
經進一步審慎考慮，上文描述之方法之實施例之各者可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。雖然未描繪，但方法100可進一步包含一或多個額外步驟。例如，方法100可包含(但不限於)玻璃(例如，面板)裝載、對準、載物台移動及/或玻璃擦洗。裝載、對準、載物台移動及/或玻璃擦洗可或可不發生在步驟110之前。
現參考圖2A至圖2E，描述根據本發明之一或多項實施例之一面板200。面板200亦可被稱為一液晶顯示器(LCD)面板、一薄膜電晶體(TFT)面板、一TFT陣列、一顯示面板及類似者。面板200可包含任何類型之LCD面板，諸如(但不限於)一主動矩陣LCD (AMLCD)面板、一扭轉向列(TN) LCD面板、一垂直對準(VA) LCD面板、一平面內切換(IPS) LCD面板及類似者。類似地，面板200可包含LCD面板之任何產生。
面板200可包含用作LCD面板之一或多個層，諸如(但不限於)一或多個偏光器、一或多個彩色濾光片、一液晶、一TFT背板、一背光及類似者。背板可係指一電極連接，其可或可不跨多個背板散佈。在一些例項中，面板200在檢測時可或可不包含偏光器、彩色濾光片及/或LCD面板。例如，面板200在檢測時可不包含偏光器、彩色濾光片及/或LCD面板以容許偵測TFT背板中之一缺陷之一位置且使用經偵測位置補救缺陷之能力。
面板200可包含形成於一基板(諸如薄玻璃之一清透板)上之一或多個TFT陣列。TFT陣列可包含一或多個列印層。列印層可藉由數個程序形成於基板上，諸如(但不限於)一或多個材料沈積步驟、一或多個微影步驟、一或多個蝕刻步驟及類似者。製造可分階段發生，其中根據一製程圖案在一先前層上或在玻璃基板上沈積一材料(例如，氧化銦錫(ITO)等)。在製造期間，在選定容限內製造列印層以適當地建構最終裝置。列印層可展現選定容限之外之缺陷。可量測TFT陣列之特性以偵測缺陷。在實施例中，面板200包含一薄膜電晶體(TFT)陣列。
面板200可包含一或多個組件。例如，面板200可包含(但不限於)一主動區域202、一或多個閘極線204、一或多個資料線206、一扇出208及類似者。
面板200之主動區域202可用於顯示各種資訊。主動區域202之大小可用於界定面板200之一大小。例如，一大面板可為一電視之大小(例如，30英寸顯示器或更大)。藉由另一實例，一小面板可為一手持式智慧型電話之大小(例如，6英寸、7英寸等)。本發明之實施例相等地適用於任何大小之面板。
主動區域202可係指面板200之包含一或多個主動片段210之一區域。如圖2A (例如，面板200a)及圖2E (例如，面板200d)中描繪，主動片段210被描繪為方形。各主動片段210可包含如此項技術中已知之一或多個組件。例如，主動片段210可包含(但不限於)一薄膜電晶體(TFT)、一像素電極、一儲存電容器及類似者。主動片段210亦可被稱為一單元像素及/或一子像素。一般言之，可使用三個主動片段210以形成一像素。像素亦可被稱為一彩色像素或一RGB像素。主動片段210之數目(及類似地像素之數目)可經選擇以定義面板200之一解析度。主動片段210可包含任何適合尺寸。例如，圖2E被描繪為對於具有三種彩色像素之一全HD解析度顯示器包含5760乘1080個主動片段210，儘管此不旨在作為本發明之一限制。主動區域202可包含用於達成一所要解析度之任何數目個子像素或像素。
在實施例中，面板200可包含一或多個閘極線204及/或一或多個資料線206。面板200亦可由閘極線204及/或資料線206視為一矩陣顯示器及/或一點矩陣。閘極線204及/或資料線206可以此項技術中已知之任何方式耦合至主動區域202之主動片段210。各主動片段210可耦合至閘極線204之一者及資料線206之一者。例如，主動區域202之一行中之全部主動片段210可耦合至閘極線204。各行可接著包含一單獨閘極線204。閘極線204亦可被視為水平線。藉由另一實例，主動區域202之一列中之全部主動片段210可耦合至資料線206。各行可接著包含一單獨資料線206。資料線206亦可被視為垂直線。資料線206亦可被稱為源極線。資料線可用於將一信號發送至主動片段210中。閘極線204及資料線206可接著以此項技術中已知之一方式耦合至主動片段210之各種組件(例如，TFT、像素節點、儲存電容器等)。
如圖2C中描繪，面板200可包含一資料線206a及一資料線206b，儘管此不旨在為限制性。例如，主動區域202之每隔一列可由資料線206a控制。類似地，主動區域202之每隔一列可由資料線206b控制。面板200可包含來自一積體電路之任何數目個閘極線204及/或資料線206。
主動區域202中之子像素之一相對位置可用於表示子像素。如可理解，用於指代子像素之位置之特定命名法不旨在為限制性。在一個實例中，面板包含M乘N個子像素之一陣列。陣列之一左上子像素可被稱為一子像素(1,1)。陣列之一右上子像素可被稱為一子像素(1,N)。陣列之一左下子像素可被稱為一子像素(M,1)。陣列之一右下子像素可被稱為一子像素(M,N)。此命名法不旨在為限制性。任何參考點可用於指定主動區域202中之子像素之相對位置。
主動片段210可包含一或多個缺陷212。缺陷212可包含此項技術中已知之任何缺陷。例如，缺陷212可包含(但不限於)金屬突部、氧化銦錫(ITO)突部、嚙齒(mouse bite)、開路、短路、外界微粒、遮罩問題、過度蝕刻及類似者。
可判定主動片段210中之缺陷212之一位置。缺陷212之位置可以任何方式(諸如(但不限於)藉由經組態以對面板200進行電壓成像之一陣列檢查器)判定。可接著基於子像素位址報告缺陷之位置。子像素位址可接著用於校正缺陷。如圖2D中描繪，缺陷212被描繪為具有距左側800個子像素之一水平位置或位址。可在無補償之情況下判定此位置。
在實施例中，面板200可經設計使得一或多個閘極線204及/或一或多個資料線206驅動一或多個參考線218。參考線218亦可被稱為主動區域202中之線缺陷。可藉由有意地引起主動區域202中之一線參考而引起參考線218。參考線218可為水平及/或垂直的。如圖2D中描繪，缺陷212可鄰近安置於距左側1000個子像素之已知位址處之參考線218。此參考線可用於計算影像之一移位。例如，參考線可經量測為在距左側1001個像素處，對應於1像素之一偏移。可接著應用影像之移位以校正缺陷212之位置之移位。雖然圖2D描繪一個垂直參考線，但此不旨在作為本發明之一限制。可在影像中擷取任何數目個參考線218。參考線218可包含主動區域上之一已知位置。例如，圖2E描繪沿著水平方向處於1000、2000、3000、4000之一已知位址處之參考線218，儘管此不旨在為限制性。藉由另一實例，圖2E描繪沿著水平方向處於250、500、750及1000之一位址處之已知位置，儘管此不旨在為限制性。可以在用於判定影像之一移位且補償缺陷212之位置之移位之方法100中描述之一方式使用參考線218。例如，可比較參考線218之經偵測位置與已知位置以偵測影像之移位，及類似地缺陷212之經偵測位置之移位。
可在電壓影像或一VIOS影像中擷取參考線218。參考線218可包含一預定線位址。亦可在電壓影像中擷取缺陷212。缺陷212可出現在參考線218附近。一陣列檢查器可在影像中看見若干參考線。可接著自影像偵測參考線。參考線位址可接著用於補償點不同位置。參考線218之線位址可用於補償缺陷位址。
在實施例中，面板200可包含一或多個開關214。如可理解，開關214通常可包含任何開關，諸如一電晶體。電晶體可包含(但不限於)一場效電晶體，諸如金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET或M)。
開關214可用於開啟及關閉由閘極線204及/或資料線206驅動之參考線218。可開啟或關閉開關214以產生參考線218。因此，開關214可用於產生參考線218。開關214可耦合至資料線206以用於產生垂直參考線。例如，圖2C描繪耦合至資料線206a之開關214，儘管此不旨在為限制性。開關214亦可耦合至資料線206b。然而，至資料線206a之耦合可提供足以達成用於判定影像之移位之一充分準確度位準之間距。開關214亦可耦合至閘極線204以用於產生水平參考線。雖然未描繪，但閘極線204亦可包含開關214 (及類似地，信號線216)。可接著切換閘極線204以用於產生水平參考線。
面板200可包含任何數目個開關214。開關之數目可藉由一或多個因素平衡。例如，可在對於用於偏移偵測之更多參考線之一期望與相關聯於開關214之製造成本之間平衡開關之數目。可藉由調整開關214之數目而調整每一面板之參考線218之量。例如，可增加參考線218之量以增加缺陷位置之準確度。在此方面，隨著參考線之數目增加，缺陷212可更接近參考線218。類似地，隨著面板200之大小增加，參考線218之量可增加。若面板為大，則參考線之數目可增加。若面板為小，則參考線之數目可減小。例如，一小面板(例如，一智慧型電話)可包含兩個或三個參考線。如圖2E中描繪，面板200被描繪為具有垂直方向上之四個參考線及水平方向上之四個參考線，儘管此不旨在為限制性。
各開關214可對應於閘極線204、資料線206及/或參考線218上之一位址。面板200可包含位址之任何間隔。例如，開關214之位址可為每一百條線(例如，100、200、300等)、每250條線(例如，250、500、750、1000等)、每一千條線(例如，1000、2000、3000、4000等)或某一其他間隔。如圖2E中描繪，垂直參考線被描繪為處於1000、2000、3000及4000之位址處，儘管此不旨在為限制性。如圖2E中進一步描繪，水平參考線被描繪為處於250、500、750及1000之位址處，儘管此不旨在為限制性。
可使用一控制信號以啟動開關214，從而引起參考線218在作用中。在實施例中，面板200可包含一或多個信號線216。信號線216可用於將一控制信號提供至開關214。開關214可藉由信號線216接收一信號以控制參考線218。控制信號可引起開關214啟動以用於驅動參考線218之電荷。面板200亦可包含一或多個墊(未描繪)。墊可用於將信號線216耦合至一積體電路及類似者。例如，墊可用於耦合一陣列檢查器(例如，陣列檢查器301)。陣列檢查器可接著提供用於開啟開關214以產生參考線218之信號。信號線216可耦合至一接觸墊。接觸墊可接收一信號。例如，接觸墊可接收來自一積體電路及/或一陣列檢查器之一信號。開關214在容許藉由憑藉信號線216傳輸來自一積體電路之一信號而控制閘極線204及/或資料線206方面可係有利的。
在實施例中，開關214安置於主動區域202外部。開關214可在閘極線204進入主動區域202之前(例如，在一扇出之前)耦合至閘極線204。類似地，開關214可在資料線206進入主動區域202之前(例如，在扇出208之前)耦合至資料線206。在此方面，開關214可安置於主動區域202外部。
現特定參考圖2D，描述根據本發明之一或多項實施例之一面板200c。面板200c可提供補償缺陷位置之水平移位之一實例。一陣列檢查器(例如，陣列檢查器301)可判定缺陷212之水平位置在距面板之一左側800個像素處。陣列檢查器亦可判定參考線218之水平位置在距面板之左側1001個像素處。參考線之實際位置可為在距面板之左側1000個像素處。陣列檢查器可判定參考線之實際位置與參考線之經判定位置之間之差異係1個像素(例如，1001個像素減去1000個像素)。陣列檢查器可基於移位補償點缺陷位置以判定799個像素(例如，800個像素減去1個像素位移)之一經補償點缺陷位置。陣列檢查器可接著將點缺陷位置輸出為在距面板之左側799個像素處。可將輸出提供至一TFT修復工具以用於修復面板200中之缺陷。
現特定參考圖2E，描述根據本發明之一或多項實施例之一面板200d。雖然將面板200描述為包含用於驅動參考線218之開關214，但此不旨在作為本發明之一限制。建構之一替代方法可涉及使用面板200d且製造參考開放線，如展示。
圖3係繪示根據本發明之一或多項實施例之一成像系統300之一概念視圖。成像系統300通常可包含適用於使面板200成像之任何類型之成像工具。該成像工具可包含(但不限於)一陣列檢查器301。
陣列檢查器301可經組態以藉由電壓成像而使面板200成像。電壓成像可用於偵測並量測平板薄膜電晶體(TFT)陣列中之缺陷。模擬TFT陣列之效能宛如其被組裝至一TFT單元中且接著藉由間接量測面板上之實際電壓分佈或使用一光電調變器(例如，光電調變器305)之所謂的電壓成像而量測TFT陣列之特性。電壓成像可藉由陣列檢查器301執行。陣列檢查器301可包含用於檢查此等TFT陣列或其他面板之一或多個組件。陣列檢查器301亦可被稱為一陣列檢查器(AC)系統。陣列檢查器301對於在面板包含一液晶之前偵測LCD面板中之缺陷可係有利的。在此方面，當陣列檢查器301產生主動區域之影像時，面板200可或可不包含液晶層。
陣列檢查器301可以一資料位址之形式產生一缺陷位置。缺陷位置在容許缺陷之補救方面可係有利的。在一些實施例中，缺陷位置可對應於一相對大像素大小。例如，相對大像素大小可為大約一百微米或更大。陣列檢查器301可以足夠良好的準確度偵測缺陷位置以準確地偵測相對大像素大小之缺陷位置而無需補償影像之移位。然而，隨著像素大小減小，準確度可為不足的。當像素大小非常小時，陣列檢查器可展現一或多個不準確度。不準確度可導致經報告缺陷位置自實際缺陷位置之一移位。缺陷位置之不準確度可類似地引起有缺陷像素之經報告資料位址不同於有缺陷像素之實際資料位址。報告具有自缺陷之實際位置移位之一位址之缺陷位置可係非所要的，此係因為製造商可能無法補救缺陷，除非實際位置係已知的。不準確度可歸因於數個因素。例如，不準確度可歸因於一載物台振動、一玻璃旋轉及類似者。歸因於不準確度，VIOS影像可接著具有缺陷位置之一移位。
在實施例中，陣列檢查器301經組態以將一控制信號提供至面板200。控制信號可用於控制面板200之開關(例如，開關214)。開關可引起一資料線或一增益線產生一參考線(例如，參考線218)。例如，控制器303可經組態以產生控制信號。藉由陣列檢查器301擷取之電壓影像可接著包含參考線。因此，陣列檢查器301可用於控制面板200之開關及類似地參考線。
陣列檢查器301可包含用於基於參考線之經偵測位置及參考線之已知位置補償影像之移位之各種軟體。例如，陣列檢查器301可在軟體中實施方法100。陣列檢查器301可偵測主動區域之影像中之參考線及缺陷。陣列檢查器301可判定參考線位置與參考線之一已知位置之間之一偏移。陣列檢查器301可接著使用偏移以補償缺陷位址。例如，可歸因於影像之一移位而補償缺陷位址。因此，陣列檢查器301可藉由偏移更準確地報告缺陷位置。隨著像素大小減小，補償電壓影像之移位可容許陣列檢查器301準確地偵測缺陷之位置。
陣列檢查器301可包含用於偵測缺陷之任何數目個組件。在實施例中，陣列檢查器301包含用於產生照明308之一照明源306。照明308可包含光之一或多個選定波長，包含(但不限於)真空紫外光輻射(VUV)、深紫外光輻射(DUV)、紫外光(UV)輻射、可見光輻射或紅外光(IR)輻射。照明源306可進一步產生包含選定波長之任何範圍之照明308。在實施例中，照明源306可包含用於產生具有一可調諧光譜之照明308之一光譜可調諧照明源。
在實施例中，照明源306經由一照明路徑309 (例如，路徑)將照明308引導至一面板200。照明路徑309可包含適用於修改及/或調節照明308之一或多個透鏡312或額外照明光學組件314。例如，一或多個照明光學組件314可包含(但不限於)一或多個偏光器、一或多個濾波器、一或多個分離器、一或多個漫射器、一或多個均質器、一或多個變跡器、一或多個塑形器、一或多個快門(例如，機械快門、電光快門、聲光快門或類似者)、一或多個孔徑光闌及/或一或多個場光闌。
在實施例中，陣列檢查器301包含一光電調變器305。光電調變器可安置於來自照明源306之照明308之路徑中。光電調變器305可調變照明308之一或多個特性。在操作期間，光透射穿過光電調變器305之部分，且可藉由觀察反射光或透射光之改變而偵測缺陷。光電調變器305可與面板200之一表面分離開達一氣隙。氣隙可包含選定數目之微米(例如，5至75微米之間)。可接著跨光電調變器305之一表面上之氧化銦錫(在下文中為「ITO」)之一層之一透明電極施加一電壓偏壓。隨即，光電調變器305電容耦合至面板200使得與面板200相關聯之一電場藉由光電調變器305之一或多個層(例如，包含液晶之一層)感測。基於由液晶感知之電場強度變更(即，調變)透射穿過光電調變器之液晶之入射光之強度。例如，在其中一正常像素所處之區域中，外加一局部電壓電位(例如，面板200與光電調變器305之間之一電容耦合)，從而引起光電調變器305之一或多個膜局部半透明。在局部半透明區中，容許來自光源306之光行進穿透光電調變器305且自面板200反射以用於行進穿透至一集光路徑322 (例如，用於藉由偵測器304擷取)。藉由另一實例，在其中未外加電壓電位(例如，無電容耦合)之區域中，光電調變器305之一或多個膜保持局部不透明。在其中光電調變器305局部不透明之情況中，散射來自光源306之光或以其他方式防止來自光源306之光行進穿透至面板200且自面案200反射。因此，可藉由施加電壓而判定一透射電壓(T-V)曲線。光電調變器305之固有切換電壓可對應於跨光電調變器305之電壓，在該電壓下，透過光電調變器305之光透射具有對電壓之一改變之一最大靈敏度。例如，切換電壓可對應於液晶分子之一給定百分比在其下與電場實質上對準以容許光透射之電場強度。光電調變器305對於數個成像任務可係有利的，諸如調變陣列檢查器301之一光源以輔助偵測面板200之一或多個缺陷。
一載物台318可支撐面板200。載物台318可包含適用於將面板200定位於陣列檢查器301內之任何裝置。可提供載物台318以用於固定面板200。載物台318可使用任何機械或類似附接構件固定面板200。
在實施例中，一偵測器304經組態以透過一集光路徑322擷取自面板200發出之輻射(例如，樣本光320)。例如，集光路徑322可包含(但無需包含)光電調變器305、一集光透鏡(例如，一物鏡)或一或多個額外集光路徑透鏡324。在此方面，一偵測器304可接收自面板200反射或散射(例如，經由鏡面反射、漫反射及類似者)或藉由面板200產生(例如，與照明308之吸收相關聯之發光或類似者)之輻射。
系統300可包含(但不限於)一控制器303。控制器303可包含一或多個處理器及記憶體，且可包含或耦合至一使用者介面310。例如，陣列檢查器301可包含控制器303，儘管此不旨在為限制性。
集光路徑322可進一步包含用於引導及/或修改由光電調變器305收集之照明之任何數目個集光光學組件326，包含(但不限於)一或多個集光路徑透鏡324、一或多個濾波器、一或多個偏光器或一或多個擋塊。另外，集光路徑322可包含用於控制經成像至偵測器304上之樣本之空間範圍之場光闌或用於控制來自用於在偵測器304上產生一影像之樣本之照明之角度範圍之孔徑光闌。在另一實施例中，集光路徑322包含定位於與一光學元件之後焦平面共軛之一平面中以提供樣本之遠心成像之一孔徑光闌。在實施例中，陣列檢查器301包含經定向使得光電調變器305可同時將照明308引導至面板200且收集自面板200發出之輻射之一光束分離器328。
偵測器304可包含適用於量測自面板200接收之照明之任何類型之光學偵測器。例如，偵測器304可包含(但不限於)一CCD偵測器、一TDI偵測器、一光電倍增管(PMT)、一崩潰光電二極體(APD)、一互補金屬氧化物半導體(CMOS)感測器或類似者。在另一實施例中，偵測器304可包含適用於識別自面板200發出之光之波長之一光譜偵測器。
在實施例中，控制器303通信地耦合至一偵測器304。控制器303可包含經組態以執行各種程序步驟之任何者之一或多個處理器。在實施例中，控制器303經組態以基於來自偵測器304之影像信號313產生並提供一或多個控制信號，該一或多個控制信號經組態以執行對一或多個製程工具之一或多個調整。
控制器303之一或多個處理器可包含此項技術中已知之任何處理器或處理元件。為了本發明之目的，術語「處理器」或「處理元件」可被廣泛地定義以涵蓋具有一或多個處理或邏輯元件(例如，一或多個微處理器裝置、一或多個特定應用積體電路(ASIC)裝置、一或多個場可程式化閘陣列(FPGA)或一或多個數位信號處理器(DSP))之任何裝置。在此意義上，一或多個處理器可包含經組態以執行演算法及/或指令(例如，儲存或維持於記憶體中之程式指令)之任何裝置。在一項實施例中，一或多個處理器可體現為一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器、網路連結電腦或經組態以執行一程式(其經組態以操作陣列檢查器301或結合陣列檢查器301操作)之任何其他電腦系統，如貫穿本發明所描述。再者，系統300之不同子系統可包含適用於實行本發明中描述之步驟之至少一部分之一處理器或邏輯元件。因此，上文之描述不應被解譯為對本發明之實施例之一限制而僅為一圖解。此外，貫穿本發明描述之步驟可藉由一單一控制器或替代地多個控制器實行。另外，控制器303可包含容置於一共同外殼中或多個外殼內之一或多個控制器。以此方式，任何控制器或控制器之組合可單獨封裝為適用於整合至陣列檢查器301中之一模組。此外，控制器303可分析自偵測器304接收之資料且將資料饋送至陣列檢查器301內或陣列檢查器301外部之額外組件。
記憶體媒體可包含此項技術中已知之適用於儲存可由相關聯之一或多個處理器執行之程式指令之任何儲存媒體。例如，記憶體媒體可包含一非暫時性記憶體媒體。藉由另一實例，記憶體媒體可包含(但不限於)一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一磁性或光學記憶體裝置(例如，磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及類似者。應進一步注意，記憶體媒體可與一或多個處理器一起容置於一共同控制器外殼中。在一項實施例中，記憶體媒體可相對於一或多個處理器及控制器之實體位置遠端定位。例如，控制器303之一或多個處理器可存取可透過一網路(例如，網際網路、內部網路及類似者)存取之一遠端記憶體(例如，伺服器)。
在實施例中，使用者介面310通信地耦合至控制器303。在實施例中，使用者介面310可包含(但不限於)一或多個桌上型電腦、膝上型電腦、平板電腦及類似者。在實施例中，使用者介面310包含用於將系統300之資料顯示給一使用者之一顯示器。使用者介面310之顯示器可包含此項技術中已知之任何顯示器。例如，顯示器可包含(但不限於)一液晶顯示器(LCD)、一基於有機發光二極體(OLED)之顯示器或一CRT顯示器。熟習此項技術者應認知，能夠與一使用者介面310整合之任何顯示裝置適用於本發明中之實施方案。在實施例中，一使用者可回應於經由使用者介面310之一使用者輸入裝置顯示給使用者之資料而輸入選擇及/或指令。
再次大體上參考圖1A至圖3，經進一步審慎考慮，上文描述之方法之實施例之各者可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。另外，上文描述之方法之實施例之各者可藉由本文中描述之任何系統執行。
在已發生缺陷偵測之後，面板200可接著用於顯示各種影像(例如，正常顯示操作)。在撤銷啟動參考線之後，資料信號可進入像素而無來自開關之干擾。一液晶層可添加至面板200。面板可經切割且組裝至一顯示器。面板之線可接著用於正常顯示一影像。在正常顯示操作期間，可關閉開關214且不對主動區域202提供影響。在此方面，可關閉開關214使得在正常操作期間不顯示參考線218，此對於確保對觀察特性無影響可係有利的。應注意，若顯示器具有至信號線216之一耦合且使用信號線216上之一控制信號以觸發開關214及類似地參考線218，則主動區域202亦可展示參考線218。
熟習此項技術者將認知，為概念清楚起見，將本文中描述之組件操作、裝置、物件及伴隨其等之論述用作實例，且預期各種組態修改。因此，如本文中所使用，所闡述之特定範例及隨附論述意欲表示其等更一般類別。一般言之，使用任何特定範例意欲表示其類別，且未包含特定組件操作、裝置及物件不應被視為限制性的。
如本文中所使用，諸如「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」、「上」、「向上」、「下」、「下面」及「向下」之方向性術語意欲為描述之目的而提供相對位置，且並不意欲指定一絕對參考系。熟習此項技術者將明白對所描述實施例之各種修改，且本文中定義之一般原理可應用於其他實施例。
關於本文中所使用之實質上任何複數及/或單數術語，熟習此項技術者可根據背景內容及/或應用來將複數轉化成單數及/或將單數轉化成複數。為清楚起見，本文中未明確闡述各種單數/複數排列。
本文中描述之標的物有時繪示其他組件內含有或與其他組件連接之不同組件。應理解，此等所描繪之架構僅僅係例示性，且事實上可實施達成相同功能性之許多其他架構。在一概念意義上，用於達成相同功能性之組件之任何配置有效「相關聯」使得達成所要功能性。因此，在本文中組合以達成一特定功能性之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要功能性而不考慮架構或中間組件。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「可耦合」以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含(但不限於)可實體配合及/或實體互動組件及/或可無線互動及/或無線互動組件及/或邏輯互動及/或可邏輯互動組件。
此外，應理解，本發明由隨附發明申請專利範圍界定。熟習此項技術者將理解，一般言之，本文中所使用之術語且尤其隨附發明申請專利範圍(例如，隨附發明申請專利範圍之主體)中所使用之術語一般意欲為「開放式」術語(例如，術語「包含(including)」應解譯為「包含但不限於」，術語「具有」應解譯為「至少具有」，術語「包括(includes)」應解譯為「包括但不限於」，及類似者)。熟習技術者應進一步瞭解，若想要一引入請求項敘述之一特定數目，則此一意圖將被明確敘述於請求項中，且若缺乏此敘述，則不存在此意圖。例如，作為理解之一輔助，以下隨附發明申請專利範圍可含有使用引導性片語「至少一個」及「一或多個」來引入請求項敘述。然而，此等片語之使用不應被解釋為隱含：由不定冠詞「一(a/an)」引入之一請求項敘述將含有此引入請求項敘述之任何特定請求項限制為僅含有此一敘述之發明，即使相同請求項包含引導性片語「一或多個」或「至少一個」及諸如「一(a/an)」之不定冠詞(例如，「一(a/an)」通常應被解譯為意指「至少一個」或「一或多個」)；上述內容對用於引入請求項敘述之定冠詞之使用同樣適用。另外，即使明確敘述一引入請求項敘述之一特定數目，但熟習技術者亦應認知，此敘述通常應被解譯為意指至少該敘述數目(例如，「兩條敘述」之基本敘述(無其他修飾語)通常意指至少兩條敘述或兩條或兩條以上敘述)。此外，在其中使用類似於「A、B及C之至少一者及類似者」之一慣用表述的該等例項中，此一構造一般意指熟習技術者將理解之慣用表述意義(例如，「具有A、B及C之至少一者的一系統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C之系統，等等)。在其中使用類似於「A、B或C之至少一者及類似者」之一慣用表述的該等例項中，此一構造一般意指熟習技術者將理解之慣用表述意義(例如，「具有A、B或C之至少一者的一系統」將包含(但不限於)僅具有A、僅具有B、僅具有C、同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C之系統，等等)。熟習技術者應進一步瞭解，無論在實施方式、發明申請專利範圍或圖式中，呈現兩個或更多個替代項之實際上任何轉折連詞及/或片語通常應被理解為審慎考慮以下可能性：包含該等項之一者、該等項之任一者或兩項。例如，片語「A或B」通常將被理解為包含「A」或「B」或「A及B」之可能性。
據信本發明及許多其伴隨優點將藉由前述描述理解，且將明白，可對組件之形式、構造及配置做出多種改變而不脫離所揭示之標的物或不犧牲全部其材料優點。所描述之形式僅僅係解釋性，且以下發明申請專利範圍之意圖係涵蓋且包含此等改變。此外，應理解，本發明由隨附發明申請專利範圍界定。
100:方法 200a:面板 200c:面板 202:主動區域 204:閘極線 206:資料線 206a:資料線 206b:資料線 208:扇出 210:主動片段 212:缺陷 214:開關 216:信號線 218:參考線 300:成像系統 301:陣列檢查器 303:控制器 304:偵測器 305:光電調變器 306:照明源 308:照明 309:照明路徑 310:使用者介面 312:透鏡 313:影像信號 314:照明光學組件 318:載物台 320:樣本光 322:集光路徑 324:集光路徑透鏡 326:集光光學組件 328:光束分離器
熟習此項技術者藉由參考附圖可更佳理解本發明之若干優點。
圖1描繪根據本發明之一或多項實施例之用於在電壓成像時補償一影像之移位之一方法之一流程圖。
圖2A描繪根據本發明之一或多項實施例之包含一面板之一主動區域中之主動區之一電壓影像。
圖2B描繪根據本發明之一或多項實施例之一面板。
圖2C描繪根據本發明之一或多項實施例之包含一或多個開關之一面板之一資料線之一視圖。
圖2D描繪根據本發明之一或多項實施例之包含一垂直參考線及具有一缺陷之一主動區之一主動區域之一面板。
圖2E描繪根據本發明之一或多項實施例之包含水平參考線及垂直參考線之一面板之一主動區域之一電壓影像。
圖3繪示根據本發明之一或多項實施例之包含一陣列檢查器及一面板之一成像系統之一簡化視圖。
100:方法

Claims (20)

  1. 一種方法，其包括： 啟動一面板之一主動區域中之一或多個參考線，其中該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置； 產生該面板之至少一部分之一影像； 在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置； 判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移，其中該偏移對應於該缺陷位置之一移位；及 基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
  2. 如請求項1之方法，其中藉由切換耦合至該面板之一閘極線或一資料線之一者之一或多個開關而啟動該一或多個參考線。
  3. 如請求項1之方法，其中藉由使用一陣列檢查器之電壓成像而產生該影像，其中該電壓成像包括將該陣列檢查器之一光電調變器電容耦合至該面板，其中當該光電調變器電容耦合至該面板時該光電調變器對於該缺陷及該一或多個參考線上方之照明局部不透明，其中該光電調變器局部不透明引起該光電調變器防止該照明行進穿透至該面板且自該面板反射，其中該陣列檢查器之一偵測器基於該照明產生該影像。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括修復該經補償缺陷位置處之該缺陷。
  5. 如請求項4之方法，其中一薄膜電晶體陣列修復工具修復該經補償缺陷位置處之該缺陷。
  6. 一種陣列檢查器，其包含： 一照明源，其經組態以產生照明； 一載物台，其用於固定一面板； 一光電調變器，其安置於該照明之一路徑中且藉由一氣隙與該面板分離開； 一偵測器，其經組態以產生該面板之至少一部分之一影像；及 一或多個處理器，其經組態以執行維持於一記憶體媒體上之程式指令以引起該一或多個處理器： 啟動該面板之一主動區域中之一或多個參考線，其中該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置； 產生該面板之至少該部分之該影像； 在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置； 判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移，其中該偏移對應於該缺陷位置之一移位；且 基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
  7. 如請求項6之陣列檢查器，其中該陣列檢查器經組態以耦合至該面板之一或多個墊；其中該陣列檢查器藉由憑藉該一或多個墊將一控制信號提供至該面板之一或多個開關而引起該一或多個參考線啟動，其中該等開關耦合至該面板之一閘極線或該面板之一資料線之一者。
  8. 如請求項6之陣列檢查器，其中該光電調變器經組態以電容耦合至該面板；其中當該光電調變器電容耦合至該面板時該光電調變器對於該缺陷及該一或多個參考線上方之該照明局部不透明；其中該光電調變器局部不透明引起該光電調變器防止該照明行進穿透至該面板且自該面板反射。
  9. 如請求項6之陣列檢查器，其中該缺陷在該面板之一主動片段中；其中該陣列檢查器經組態以判定其中該主動片段具有至少30微米之一寬度之該缺陷之該經補償缺陷位置。
  10. 一種成像系統，其包括： 一面板，其包含一主動區域、複數個閘極線及複數個資料線，其中該主動區域包含複數個主動片段；及 一陣列檢查器，其包括： 一照明源，其經組態以產生照明； 一載物台，其用於該面板； 一光電調變器，其安置於該照明之一路徑中且藉由一氣隙與該面板分離開； 一偵測器，其經組態以產生該面板之至少一部分之一影像；及 一或多個處理器，其經組態以執行維持於一記憶體媒體上之程式指令以引起該一或多個處理器： 啟動該面板之該主動區域中之一或多個參考線，其中該一或多個參考線包含該主動區域中之一已知參考線位置； 產生該面板之至少該部分之該影像； 在該影像中偵測該主動區域中之一缺陷之一缺陷位置及該一或多個參考線之一參考線位置； 判定該參考線位置與該已知參考線位置之間之一偏移，其中該偏移對應於該缺陷位置之一移位；且 基於該缺陷位置及該偏移判定該缺陷之一經補償缺陷位置。
  11. 如請求項10之成像系統，其中該面板包含一或多個開關；其中該一或多個開關耦合至該複數個閘極線之一閘極線或該複數個資料線之一資料線之一者。
  12. 如請求項11之成像系統，其中該面板包含將該一或多個開關耦合至一或多個墊之一信號線；其中該陣列檢查器耦合至該一或多個墊；其中該陣列檢查器藉由憑藉該墊將一控制信號提供至該面板之該一或多個開關而引起該一或多個參考線啟動。
  13. 如請求項12之成像系統，其中該一或多個開關耦合至該主動區域外部之該閘極線或該資料線之一者；其中該閘極線耦合至該主動區域之一列主動片段；其中該資料線耦合至該主動區域之一行主動片段。
  14. 如請求項13之成像系統，其中該一或多個開關包含耦合至該閘極線以用於產生一水平參考線之至少一個開關。
  15. 如請求項13之成像系統，其中該一或多個開關包含耦合至該資料線以用於產生一垂直參考線之至少一個開關。
  16. 如請求項13之成像系統，其中該一或多個開關包含耦合至該閘極線以用於產生一水平參考線之一第一開關；其中該一或多個開關包含耦合至該資料線以用於產生一垂直參考線之一第二開關。
  17. 如請求項10之成像系統，其中該面板係包含一薄膜電晶體背板之一液晶顯示器面板。
  18. 如請求項17之成像系統，其中當該陣列檢查器產生該影像時，該液晶顯示器面板不包含一液晶層。
  19. 如請求項10之成像系統，其中該光電調變器經組態以電容耦合至該面板；其中當該光電調變器電容耦合至該面板時該光電調變器對於該缺陷及該一或多個參考線上方之該照明局部不透明；其中該光電調變器局部不透明引起該光電調變器防止該照明行進穿透至該面板且自該面板反射。
  20. 如請求項10之成像系統，其中該缺陷係在該複數個主動片段之一主動片段中；其中該陣列檢查器經組態以判定其中該主動片段具有至少30微米之一寬度之該缺陷之該經補償缺陷位置。
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