KR20080076195A - 박막 트랜지스터 기판 검사 장치 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
- G03B17/02—Bodies
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 기판 검사 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판 검사 장치는 박막 트랜지스터 기판을 안치하는 스테이지와, 상기 스테이지에 안치된 박막 트랜지스터 기판과 접속하여 테스트 구동 신호를 인가는 프로브와, 상기 박막 트랜지스터 기판에 형성된 박막 트랜지스터의 불량 여부를 검사하는 모듈레이터와, 상기 모듈레이터를 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면에 평행한 방향으로 이송시키는 이송 유닛과, 상기 모듈레이터의 상태를 검사하는 모듈레이터 검사 유닛을 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 검사 장치의 정면도이다.
도 2는 도 1의 모듈레이터를 검사 중인 작동 상태를 나타낸 정면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 박막 트랜지스터 기판 검사 장치
110 : 본체부 120 : 모듈레이터(modulator)
140 : 이송 유닛 150 : 스테이지(stage)
160 : 프로브(probe) 180 : 모듈레이터 검사 유닛
본 발명은 박막 트랜지스터 기판 검사 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터 기판을 안정적으로 검사할 수 있는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 기판은 기판 상에 다수의 박막 트랜지스터가 형성된 기판을 말한다. 박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등에 사용된다.
박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등에 사용되기 전에 박막 트랜지스터 기판에 형성된 박막 트랜지스터의 이상 유무를 검사하게 된다.
종래의 박막 트랜지스터 기판 검사 장치는 모듈레이터(modulator)를 박막 트랜지스터 기판의 표면으로부터 수십㎛ 간격을 유지하면서 이동시켜 박막 트랜지스터의 불량 유무를 검사하였다.
따라서 박막 트랜지스터 기판의 표면에 이물질이 있는 경우, 검사 과정에서 이물질이 모듈레이터에 박히거나 부착될 수 있다. 이 때, 모듈레이터에 박히거나 부착된 이물질은 모듈레이터와 함께 이동하면서 박막 트랜지스터 기판에 형성된 박막 트랜지스터에 지속적으로 손상을 줄 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 박막 트랜지스터 기판을 안정적으로 검사할 수 있는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치를 제공하고자 한다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 기판 검사 장치는 박막 트랜지스터 기판을 안치하는 스테이 지(stage)와, 상기 스테이지에 안치된 박막 트랜지스터 기판과 접속하여 테스트 구동 신호를 인가는 프로브(probe)와, 상기 박막 트랜지스터 기판에 형성된 박막 트랜지스터의 불량 여부를 검사하는 모듈레이터(modulator)와, 상기 모듈레이터를 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면에 평행한 방향으로 이송시키는 이송 유닛과, 상기 모듈레이터의 상태를 검사하는 모듈레이터 검사 유닛을 포함한다.
상기 모듈레이터 검사 유닛은 상기 박막 트랜지스터 기판으로부터 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면에 평행한 방향으로 이격 배치될 수 있다.
상기 이송 유닛이 상기 모듈레이터를 이송시키는 구간은 상기 박막 트랜지스터 기판 검사 영역과 상기 모듈레이터 검사 영역으로 구분되며, 상기 모듈레이터 검사 유닛은 상기 모듈레이터 검사 영역 안에 배치될 수 있다.
상기 모듈레이터 검사 유닛은 이미지 캡처 카메라(image capture camera)를 포함할 수 있다.
상기한 박막 트랜지스터 기판 검사 장치에서, 상기 모듈레이터는 상기 박막 트랜지스터 기판을 검사하는 과정에서 상기 박막 트랜지스터 기판의 표면으로부터 1 내지 100㎛ 범위 내의 간격을 유지할 수 있다.
상기 모듈레이터는 고분자 분산형 액정 (polymer dispersed liquid crystal, PDLC) 필름을 포함하여 만들어질 수 있다.
이에, 박막 트랜지스터 기판 검사 장치는 박막 트랜지스터 기판을 안정적으로 검사할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 기판 검사 장치(100)를 설명한다. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판 검사 장치(100)는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)에 사용되는 박막 트랜지스터 기판(S)을 검사한다. 박막 트랜지스터 기판(S)은 다수의 박막 트랜지스터를 가진다.
도 1 에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터 검사 장치(100)는 본체부(110), 스테이지(stage)(150), 프로브(probe)(160), 모듈레이터(modulator)(120), 이송 유닛(140), 모듈레이터 검사 유닛(180)을 포함한다.
스테이지(150)는 검사하고자 하는 박막 트랜지스터 기판(S)을 안치한다. 프로브(160)는 스테이지(150)에 안치된 박막 트랜지스터 기판(S)과 접속하여 테스트 구동 신호를 본체부(110)로부터 전달받아 박막 트랜지스터 기판(S)에 인가한다.
모듈레이터(120)는 박막 트랜지스터 기판(S)에 형성된 박막 트랜지스터의 불량 여부를 검사한다. 모듈레이터(120)는 고분자 분산형 액정(polymer dispersed liquid crystal, PDLC) 필름을 포함하여 만들어진다. 또한, 모듈레이터(120)는 박 막 트랜지스터 기판(S)을 검사하는 과정에서 박막 트랜지스터 기판(S)의 표면으로부터 1 내지 100㎛ 범위 내의 간격을 유지한다.
모듈레이터 검사 유닛(180)은 모듈레이터(120)의 상태를 검사한다. 구체적으로 모듈레이터 검사 유닛(180)은 박막 트랜지스터 기판(S)에 손상을 줄 수 있는 이물질이 모듈레이터(120)에 박혀있거나 붙어있는지 여부를 검사한다. 또한, 모듈레이터 검사 유닛(180)은 스테이지(150)에 안치된 박막 트렌지스터 기판(S)으로부터 박막 트랜지스터 기판(S)의 판면에 평행한 방향으로 이격 배치된다. 또한, 모듈레이터 검사 유닛(180)은 이미지 캡처 카메라(image capture camera)를 포함한다.
이송 유닛(140)은 모듈레이터(120)를 박막 트랜지스터 기판(S)의 판면에 평행한 방향으로 이송시킨다. 이송 유닛(140)이 모듈레이터(120)를 이송시키는 구간은 박막 트랜지스터 기판 검사 영역(T)과 모듈레이터 검사 영역(C)으로 구분된다. 박막 트랜지스터 기판 검사 영역(T)은 실질적으로 스테이지(150)의 위치에 대응하며, 모듈레이터 검사 영역(C)은 실질적으로 모듈레이터 검사 유닛(180)의 위치에 대응된다.
이송 유닛(140)은 박막 트랜지스터 기판 검사 영역(T) 내에서 모듈레이터(120)를 이송시켜 모듈레이터(120)가 박막 트랜지스터 기판(S)을 검사할 수 있도록 한다. 또한, 이송 유닛(140)은 모듈레이터(120)를 모듈레이터 검사 영역(C)으로 이송시켜 모듈레이터 검사 유닛(180)이 모듈레이터(120)의 이상 유무를 검사할 수 있도록 한다.
본체부(110)는 프로브(160)를 통해 박막 트랜지스터 기판(S)에 공급할 테스트 구동 신호를 제공한다. 또한, 본체부(110)는 이송 유닛(140)을 구동한다. 또한, 본체부(110)는 모듈레이터(120)를 제어하고, 모듈레이터(120)를 통해 얻은 검사 결과를 분석한다. 또한, 본체부(110)는 모듈레이터 검사 유닛(180)을 작동시키고, 모듈레이터 검사 유닛(180)이 캡처한 이미지를 표시하거나, 이미지를 분석하여 모듈레이터(120)의 이상 유무를 판단할 수 있도록 한다.
이와 같은 구성을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치(100)의 작동 과정을 살펴본다.
액정 표시 장치는 각 화소(화소는 화면을 표시하는 최소단위를 말한다)마다 박막 트랜지스터를 사용하여 전압으로 액정 배열을 변화시켜 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 표시한다. 따라서 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 기판(S)의 전압 분포를 알고자하는 영역에 전압에 대한 빛의 투과율을 미리 할고 있는 액정판을 두고 투과율을 재면, 빛의 투과율을 미리 알고 있는 액정판은 전압 분포를 재는 센서가 될 수 있다. 즉, 모듈레이터(120)는 빛의 투과율을 미리 알고 있는 액정판이 된다.
프로브(160)를 통해 박막 트랜지스터 기판(S)에 테스트 구동 신호를 인가하면, 박막 트랜지스터를 포함한 각 화소마다 전계가 형성된다. 이때, 이송 유닛(140)을 구동하여 박막 트랜지스터 기판 검사 영역(T)에서 모듈레이터(120)를 박막 트랜지스터 기판(S)의 표면으로부터 10 내지 100㎛ 범위 내의 간격을 유지하며 이송시킨다. 여기서, 모듈레이터(120)가 박막 트랜지스터 기판(S)의 표면으로부터 너무 가까우면, 모듈레이터(120)와 박막 트랜지스터 기판(S) 간의 충돌 위험이 현저히 높아진다. 반면, 모듈레이터(120)가 박막 트랜지스터 기판(S)의 표면으로부터 너무 멀어지면, 모듈레이터(120)가 박막 트랜지스터 기판(S)에 형성된 박막 트랜지스터의 이상 유무를 적절하게 판별하지 못하게 된다.
모듈레이터(120)는 불량한 박막 트랜지스터를 포함한 화소를 지날 때, 정상적인 박막 트랜지스터를 포함한 화소를 지날 때와 다른 전계를 감지할 수 있다. 따라서 박막 트랜지스터 기판(S)에 형성된 각 박막 트랜지스터의 불량 유무를 판별할 수 있다.
하나 이상의 박막 트랜지스터 기판(S)을 검사한 후, 이송 유닛(140)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 모듈레이터(120)를 모듈레이터 검사 영역(C)으로 이송시킨다. 그리고 모듈레이터 검사 유닛(180)을 통해 모듈레이터(120)의 이상 유무를 판별한다. 이때, 모듈레이터 검사 유닛(180)은 이미지 캡처 카메라가 캡처한 모듈레이터(120)의 이미지를 분석하여 모듈레이터(120)의 이상 유무를 판별한다.
이와 같은 구성에 의하여, 박막 트랜지스터 기판 검사 장치(100)는 박막 트랜지스터 기판(S)을 더욱 안정적으로 검사할 수 있다. 즉, 모듈레이터(120)에 박히거나 부착된 이물질로 인하여 박막 트랜지스터 기판(S)을 검사하는 과정에서, 모듈레이터(120)가 도리어 지속적으로 박막 트랜지스터 기판(S)의 박막 트랜지스터를 손상시키는 것을 미연에 방지할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터 기판 검사 장치는 박막 트랜지스터 기판을 더욱 안정적으로 검사할 수 있다.
즉, 모듈레이터에 박히거나 부착된 이물질로 인하여 박막 트랜지스터 기판을 검사하는 과정에서, 모듈레이터가 도리어 지속적으로 박막 트랜지스터 기판의 박막 트랜지스터를 손상시키는 것을 미연에 방지할 수 있다.
Claims (6)
- 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 기판 검사 장치에 있어서,박막 트랜지스터 기판을 안치하는 스테이지(stage)와,상기 스테이지에 안치된 박막 트랜지스터 기판과 접속하여 테스트 구동 신호를 인가는 프로브(probe)와,상기 박막 트랜지스터 기판에 형성된 박막 트랜지스터의 불량 여부를 검사하는 모듈레이터(modulator)와,상기 모듈레이터를 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면에 평행한 방향으로 이송시키는 이송 유닛과,상기 모듈레이터의 상태를 검사하는 모듈레이터 검사 유닛을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
- 제1항에서,상기 모듈레이터 검사 유닛은 상기 박막 트랜지스터 기판으로부터 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면에 평행한 방향으로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
- 제2항에서,상기 이송 유닛이 상기 모듈레이터를 이송시키는 구간은 상기 박막 트랜지스 터 기판 검사 영역과 상기 모듈레이터 검사 영역으로 구분되며,상기 모듈레이터 검사 유닛은 상기 모듈레이터 검사 영역 안에 배치된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
- 제3항에서,상기 모듈레이터 검사 유닛은 이미지 캡처 카메라(image capture camera)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 모듈레이터는 상기 박막 트랜지스터 기판을 검사하는 과정에서 상기 박막 트랜지스터 기판의 표면으로부터 1 내지 100㎛ 범위 내의 간격을 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
- 제5항에서,상기 모듈레이터는 고분자 분산형 액정 (polymer dispersed liquid crystal, PDLC) 필름을 포함하여 만들어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 검사 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070015820A KR20080076195A (ko) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | 박막 트랜지스터 기판 검사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070015820A KR20080076195A (ko) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | 박막 트랜지스터 기판 검사 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080076195A true KR20080076195A (ko) | 2008-08-20 |
Family
ID=39879497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070015820A KR20080076195A (ko) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | 박막 트랜지스터 기판 검사 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080076195A (ko) |
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---|---|---|---|---|
KR20160116124A (ko) * | 2015-03-25 | 2016-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법 |
US10020234B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of inspecting device using first measurement and second measurement lights |
CN113267714A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160116124A (ko) * | 2015-03-25 | 2016-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법 |
US10020234B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of inspecting device using first measurement and second measurement lights |
CN113267714A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
CN113267714B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-05-20 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
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