TW202320952A - 雷射加工方法、光學片材之製造方法及雷射加工裝置 - Google Patents

雷射加工方法、光學片材之製造方法及雷射加工裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之雷射加工方法包含如下工序：一面於作為長度方向之第1方向搬送長條狀之片材(10)，一面使用多邊形掃描器(40)使雷射光(LB)沿與第1方向交叉之第2方向掃描，藉此於片材(10)形成二維圖案。

Description

雷射加工方法、光學片材之製造方法及雷射加工裝置
本發明係關於一種雷射加工方法、光學片材之製造方法及雷射加工裝置。
近年來，作為一面搬送長條狀之片材(例如膜、紙或布)一面對該片材高效地進行加工之方法，備受關注的是雷射加工方法。例如專利文獻1中揭示了一種雷射加工方法，其係一面利用對片材卷進行捲出、捲取之所謂卷對卷方式搬送片材，一面使用檢流計式掃描器使雷射光進行二維掃描，藉此對片材進行加工。檢流計式掃描器藉由具有相互非平行之旋轉軸之2個板狀之檢流計鏡而使雷射光偏向，從而可使雷射光進行二維掃描。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-107288號公報
[發明所欲解決之問題]
檢流計式掃描器能夠進行二維掃描，加工自由度較高。另一方面，檢流計式掃描器之掃描速度不是那麼高，最大為10 m/s左右。檢流計式掃描器之掃描範圍不是那麼寬，未達100 mm。自一面搬送長條狀之片材一面高效地進行加工之觀點而言，期望一種代替掃描速度較低且掃描範圍較窄之檢流計式掃描器之雷射加工方法。
本發明之目的在於，提供一種一面搬送長條狀之片材一面對該片材高效地進行雷射加工之雷射加工方法及雷射加工裝置、以及使用該雷射加工方法之光學片材之製造方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之實施方式，提供以下項目中記載之解決手段。
[項目1] 一種雷射加工方法，其包含如下工序：一面於作為長度方向之第1方向搬送長條狀之片材，一面使用多邊形掃描器使雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描，藉此於上述片材形成二維圖案。
[項目2] 如項目1之雷射加工方法，其中於上述片材形成上述二維圖案之工序，係根據上述多邊形掃描器之每1秒之掃描線數、及形成於上述片材之預定之二維圖案之在上述第1方向鄰接的掃描線間之距離而決定上述片材之搬送速度。
[項目3] 如項目1或2之雷射加工方法，其中上述片材具有某部分、及與上述某部分一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他部分， 於上述片材形成上述二維圖案之工序包含： 使用上述多邊形掃描器使上述雷射光向上述某部分偏向，而使上述雷射光沿上述第2方向掃描； 使用與上述多邊形掃描器一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他多邊形掃描器，使至少一束其他雷射光向上述至少一個其他部分偏向而使上述至少一束其他雷射光沿上述第2方向掃描，藉此於上述片材形成上述二維圖案。
[項目4] 如項目1至3中任一項之雷射加工方法，其中於上述片材形成上述二維圖案之工序包含：斷續性地出射上述雷射光，使用上述多邊形掃描器使上述雷射光沿上述第2方向掃描，藉此於上述片材形成點狀分佈之複數個加工區域； 上述複數個加工區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個加工區域中最接近之2個加工區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
[項目5] 如項目1至4中任一項之雷射加工方法，其中上述片材之移動速度為0.5 m/min以上且10 m/min以下。
[項目6] 如項目1至5中任一項之雷射加工方法，其中上述片材之上述第2方向上之長度為100 mm以上。
[項目7] 一種光學片材之製造方法，其包含如下工序：一面於作為長度方向之第1方向搬送能夠藉由光照射而形成折射率與周圍折射率不同之部分的長條狀之片材，一面使用多邊形掃描器使斷續性地出射之雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描，藉此於上述片材形成第1區域、及各自被上述第1區域包圍且點狀分佈之複數個第2區域， 上述複數個第2區域之各自之折射率與上述第1區域之折射率不同。
[項目8] 如項目7之光學片材之製造方法，其中上述複數個第2區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個第2區域中最接近之2個第2區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
[項目9] 如項目7或8之光學片材之製造方法，其中上述片材之移動速度為0.5 m/min以上且10 m/min以下。
[項目10] 如項目7或8之光學片材之製造方法，其中上述片材係光學積層片材，具有：多孔質層，其具有多孔質構造；及樹脂組成物層，其積層於上述多孔質層，包含藉由上述雷射光之照射而熔融之樹脂組成物；上述樹脂組成物層位於較上述多孔質層更靠近上述多邊形掃描器之位置， 於上述片材形成上述第1區域及上述複數個第2區域之工序包含：使用上述多邊形掃描器，使上述雷射光向上述光學積層片材之上述樹脂組成物層偏向而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 上述第1區域係於上述光學積層片材之上述多孔質層具有上述多孔質構造之區域， 上述複數個第2區域之各者係於上述多孔質構造具有之空隙中至少部分地填充有藉由上述雷射光之照射而熔融的上述樹脂組成物之區域。
[項目11] 一種雷射加工裝置，其具備搬送機、雷射光源、多邊形掃描器及控制裝置， 上述控制裝置係 使上述搬送機於作為長度方向之第1方向搬送長條狀之片材， 使上述雷射光源出射雷射光， 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材偏向，而使上述雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描， 藉此於上述片材形成二維圖案。
[項目12] 如項目11之雷射加工裝置，其中上述控制裝置係根據上述多邊形掃描器之每1秒之掃描線數、及形成於上述片材之預定之二維圖案之在上述第1方向鄰接的掃描線間之距離，而決定上述片材之搬送速度。
[項目13] 如項目11或12之雷射加工裝置，其進而具備：至少一個其他雷射光源；及至少一個其他多邊形掃描器，其與上述多邊形掃描器一起位於沿上述第2方向之位置； 上述片材具有某部分、及與上述某部分一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他部分， 上述控制裝置係 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材之上述某部分偏向而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 使上述至少一個其他雷射光源出射至少一束其他雷射光， 使上述至少一個其他多邊形掃描器將上述至少一束其他雷射光向上述片材之上述至少一個其他部分偏向，而使上述至少一束其他雷射光沿上述第2方向掃描， 藉此於上述片材形成上述二維圖案。
[項目14] 如項目11至13中任一項之雷射加工裝置，其中上述控制裝置係 使上述雷射光源斷續性出射上述雷射光， 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材偏向，而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 藉此於上述片材形成點狀分佈之複數個加工區域， 上述複數個加工區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個加工區域中最接近之2個加工區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
[項目15] 如項目11至14中任一項之雷射加工裝置，其中上述片材之移動速度為0.5 m/min以上且50 m/s以下。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，提供一種一面搬送長條狀之片材一面對該片材高效地進行雷射加工之雷射加工方法及雷射加工裝置、以及使用該雷射加工方法之光學片材之製造方法。
以下，參照圖式對本發明之實施方式之雷射加工方法、雷射加工裝置及光學片材之製造方法進行說明。本發明之實施方式之雷射加工裝置並不限定於以下例示者。
(實施方式) [雷射加工裝置] 首先，參照圖1對本發明之實施方式之雷射加工裝置之構成例進行說明。圖1表示本發明之實施方式之雷射加工裝置100之模式性立體圖。圖式中，作為參考而模式性示出相互正交之X軸、Y軸及Z軸。將X軸之箭頭方向稱為+X方向，將其相反方向稱為-X方向。於不區分±X方向之情形時，簡單地稱為X方向。至於Y軸及Z軸亦相同。
圖1所示之雷射加工裝置100具備：搬送機20，其於作為長度方向之+X方向搬送長條狀之片材10；雷射光源30，其出射雷射光LB；多邊形掃描器40，其使雷射光LB偏向而使雷射光LB沿+Y掃描；及控制裝置50，其控制搬送機20、雷射光源30及多邊形掃描器40之動作。圖1所示之中空箭頭D1及D2分別表示片材10之移動方向及多邊形掃描器40之掃描方向。圖1所示之點線表示自控制裝置50發送之控制信號。
根據本實施方式之雷射加工裝置100，一面於+X方向搬送片材10，一面使用能夠高速掃描之多邊形掃描器40使雷射光LB於+Y方向掃描，藉此可於片材10高效地形成二維圖案。以下，對各構成要素進行說明。
＜片材10＞ 片材10例如可為膜、紙或布。膜例如可為單層膜或具有複數個膜之積層膜。積層膜除具有複數個膜以外，亦可具有將最接近之2個塑膠接著之接著層，亦可於表面具有自例如ITO、Ag、Au及Cu選擇之至少一種之導電性之無機膜。膜例如可為用於顯示器之偏光膜或相位差膜。片材10之Y方向上之尺寸例如可為100 mm以上且300 mm以下。於使用多邊形掃描器40之情形時，與檢流計式掃描器不同，可使片材10之Y方向上之尺寸為100 mm以上。
＜搬送機20＞ 搬送機20具備捲出輥22a及捲取輥22b、2個搬送輥24、捲出馬達26a及捲取馬達26b。捲出馬達26a及捲取馬達26b使捲出輥22a及捲取輥22b分別向相同旋轉方向旋轉。捲出輥22a自卷中捲出加工前之片材10，捲取輥22b對加工後之片材10進行捲取。2個搬送輥24位於在X方向上分開之位置，支持移動中之片材10。藉由經由2個搬送輥24將片材10捲出、捲取，而可一面將片材10相對於XY平面保持為平行，一面於+X方向搬送片材10。藉由將捲取輥22b之旋轉速度設定得較捲出輥22a之旋轉速度稍高，而可對片材10作用張力，抑制片材10之鬆弛。
藉由使捲出輥22a及捲取輥22b持續旋轉而可連續搬送片材10。藉由片材10之連續搬送，而相比於每當加工時停止片材之搬送且加工後重新開始搬送之間歇搬送及將單片狀之片材逐片搬送之單片搬送，可對片材10高效地進行雷射加工。間歇搬送亦包含如下工序，即，將加工前之片材真空吸附於載台，且於加工後解除真空吸附。單片搬送亦包含如下工序：將單片狀片材中之1個載置並真空吸附於載台，於加工後解除真空吸附而進行回收。連續搬送中之片材10之搬送速度例如可為0.5 m/min以上且10 m/min以下。隨著多邊形掃描器40高速掃描而可提高片材10之搬送速度。其中，本實施方式中，只要在雷射加工中搬送片材10即可，因此亦可在雷射加工之前及/或後暫時停止片材10之搬送。
圖1所示之例中，藉由卷對卷方式搬送片材10，但亦可藉由將不為卷狀之長條片材10載置於載台上，使該載台向+X方向移動來搬送片材10。
＜雷射光源30＞ 雷射光源30係能夠連續性或斷續性地出射紫外線、可見光或紅外線之雷射光LB之雷射光源。圖1所示之例中，雷射光源30配置於多邊形掃描器40之外側，但亦可內置於多邊形掃描器40中。雷射光LB之波長係適合片材10之加工之波長。雷射光LB例如可為150 nm以上且11000 nm以下，較佳為250 nm以上且2000 nm以下。於片材10包含吸收紅外線之材料之情形時，雷射光LB之波長例如可為900 nm以上且1500 nm以下，較佳為900 nm以上且1200 nm以下。
雷射光LB之空間強度分佈較佳為具有高斯分佈或頂帽型分佈，但並不限定於此。光束形狀可為圓形，亦可為矩形。亦可使用物鏡等聚光光學系統進行聚光。於光束形狀為圓形之情形時，焦點直徑(光點直徑)例如較佳為10 μm以上且150 μm以下之範圍，更佳為30 μm以上且100 μm以下之範圍。藉由使焦點直徑為10 μm以上，可獲得充分之焦點深度，從而可謀求製程之穩定化。又，藉由使焦點直徑為150 μm以下，可抑制能量密度之降低，促進所需圖案之形成。又，於脈衝雷射光之情形時，藉由增加每單位時間能夠出射之脈衝數量，而可增加每單位時間能夠形成之圖案之數量，從而帶來生產性之提高。
自於短時間進行圖案形成之觀點而言，雷射光LB較佳為斷續性地出射之脈衝雷射光，且較佳為具有奈秒至微秒級之脈衝寬度之雷射光。若脈衝寬度過短，則有時不伴隨發熱，但若為上述範圍之脈衝寬度，則成為伴隨有發熱之光化學反應，因此能量注入時間充足，可謀求所需圖案之形成。又，若為該脈衝寬度之範圍，則可於短時間形成1個圖案，自生產性之觀點而言較佳。
脈衝雷射光之重複頻率並未特別限定，自生產性之觀點而言越高越好，可於10 kHz～5,000 kHz之範圍適當調整。
作為滿足上述諸要件之雷射振盪器之種類，可列舉YAG雷射裝置、YLF雷射裝置、YVO 4雷射裝置、光纖雷射裝置、半導體雷射裝置等，但並不限定於此。
雷射光LB之照射條件可設定為任意適當條件，但能量密度較佳為1 J/cm 2以上且20 J/cm 2以下。若為該範圍內之能量密度，則為足以形成所需圖案之能量，又，亦可抑制被照射物之蒸散、熱解。能量密度係根據以下式計算。 能量密度[J/cm 2]＝脈衝能量[J]/聚光光點面積[cm 2](再者，脈衝能量[J]＝功率[W]/重複頻率[kHz])
＜多邊形掃描器40＞ 多邊形掃描器40具備可旋轉之多邊鏡42、凸面鏡44a、凹面鏡44b、及收容該些構成要素之殼體46。圖1中，為便於說明而以虛線表示透明之殼體46。凸面鏡44a位於較多邊鏡42更靠-Z方向側。凹面鏡44b位於較多邊鏡42及凸面鏡44a更靠+X方向側，位於較多邊鏡42更低之位置，且位於較凸面鏡44a更高之位置。殼體46具有位於+X方向側之正面、位於-X方向側之背面、位於±Y方向側之2個側面及位於+Z方向側之上表面、及位於-Z方向側之下表面。殼體46於+Y方向側之側面具有使自雷射光源30出射之雷射光LB通過之開口部46о。亦可不於側面而是於正面、背面、或上表面設置開口部。該情形時，通過開口部之雷射光LB藉由設置於多邊形掃描器40內部之例如板狀之鏡而向多邊鏡42偏向。
多邊形掃描器40使雷射光LB依序於多邊鏡42、凸面鏡44a及凹面鏡44b反射而使雷射光LB向片材10偏向，從而使雷射光LB沿+Y方向重複掃描。圖1所示之例中，多邊形掃描器40之掃描方向D2與片材10之移動方向D1正交，但兩者並非必須相互正交，只要交叉即可。本說明書中，亦將片材10之移動方向D1稱為「第1方向」，亦將多邊形掃描器40之掃描方向D2稱為「第2方向」。下文說明多邊形掃描器40之掃描動作之詳細內容。
多邊形掃描器40使雷射光LB於片材10之表面上沿+Y方向掃描之掃描速度例如可為25 m/s以上且200 m/s。多邊形掃描器40之掃描範圍例如可為10 mm以上且500 mm以下。
檢流計式掃描器之掃描速度最大為10 m/s左右，檢流計式掃描器之掃描範圍未達100 mm。因此，多邊形掃描器40較之檢流計式掃描器，可一面搬送片材10一面對該片材10高效地進行雷射加工。
＜控制裝置50＞ 控制裝置50控制搬送機20、雷射光源30及多邊形掃描器40之控制動作係如下所述。 (1)使搬送機20向+X方向搬送片材10。 (2)使雷射光源30出射雷射光LB。 (3)使多邊形掃描器40將雷射光LB偏向而使雷射光LB沿+Y掃描。
控制裝置50藉由控制動作(1)至(3)而於片材10形成二維圖案。
控制動作(1)中，控制裝置50控制搬送機20中之捲出馬達26a及捲取馬達26b之旋轉來調整片材10之搬送速度。於2個搬送輥24中之1個安裝有未圖示之旋轉編碼器。旋轉編碼器測量搬送輥24之轉數、旋轉位置及旋轉角度，並將測量結果之信號發送至控制裝置50。控制裝置50根據自旋轉編碼器發送之信號來算出片材10之搬送速度。控制動作(2)中，控制裝置50控制雷射光源30，而調整連續性或斷續性地出射雷射光LB之出射時序及雷射光LB之輸出。控制動作(3)中，控制裝置50控制多邊鏡42之旋轉而調整多邊形掃描器40之掃描速度。
圖1所示之例中，控制裝置50係膝上型個人電腦，但亦可為桌上型個人電腦。控制裝置50並非必須為單個控制裝置。控制裝置50亦可分為控制搬送機20、雷射光源30及多邊形掃描器40中之兩者之動作的控制裝置、及控制剩餘一者之動作之控制裝置。或者，控制裝置50亦可分為控制搬送機20之動作之控制裝置、控制雷射光源30之動作之控制裝置、及控制多邊形掃描器40之動作之控制裝置。控制裝置50亦可配置於遠離搬送機20、雷射光源30及多邊形掃描器40之遠距地，而經由通信網路而將控制信號發送至搬送機20、雷射光源30及多邊形掃描器40。
接下來，參照圖2A至圖2C對多邊形掃描器40之掃描動作進行說明。圖2A至圖2C表示表現多邊形掃描器40使雷射光LB向片材10偏向之情況之模式性前視圖。其中，圖2A至圖2C中省略殼體46。按圖2A至圖2C所示之例之順序經過時間。多邊鏡42係於側面具有反射面之正八稜柱。多邊鏡42並不限定於正八稜柱，可為以任意多邊形為底面之柱體。多邊鏡42以與X方向平行之軸為旋轉軸向自+X方向側觀察為逆時針之方向旋轉。多邊鏡42於某反射面42s將雷射光LB向凸面鏡44a反射。凸面鏡44a配置於接收在多邊鏡42反射之雷射光LB並將該雷射光LB向凹面鏡44b反射之位置。凹面鏡44b配置於接收在凸面鏡44a反射之雷射光LB並將該雷射光LB向片材10反射之位置。
如圖2A至圖2C所示，多邊鏡42藉由自身之旋轉而將雷射光LB向不同之方向反射。凸面鏡44a及凹面鏡44b可不管藉由多邊鏡42反射之雷射光LB之方向如何而均使雷射光LB垂直入射至片材10。其結果，可抑制雷射光LB傾斜入射至片材10，從而可藉由雷射光LB而高精度地加工片材10。
如圖2A至圖2C所示，多邊形掃描器40使雷射光LB沿+Y方向掃描。當自圖2C所示之例進一步經過時間時，多邊鏡42在與反射面42s鄰接之逆旋轉方向側之反射面將雷射光LB如圖2A至圖2C所示再次反射。如此，多邊形掃描器40使雷射光LB沿+Y方向重複掃描。
多邊形掃描器40中，僅使多邊鏡42向相同旋轉方向持續旋轉，便可進行一維掃描。相對於此，檢流計式掃描器中，需要分別對2個檢流計鏡之旋轉角進行調整來進行二維掃描。多邊形掃描器40中，可用較檢流計掃描簡單之構成實現高速掃描。
接下來，參照圖3A及圖3B，對藉由本實施方式之雷射加工裝置100而形成於片材10之二維圖案之例進行說明。形成於片材10之預定之二維圖案例如示為點陣圖圖像。圖3A表示形成於片材10之一部分之預定之二維圖案之例的點陣圖圖像。圖3A所示之例中，形成之預定之二維圖案由區分成12列12行之區域中複數個影線區域表示。各影線區域係由雷射光LB照射之照射區域。雷射光LB係脈衝雷射光。
圖3B表示實際上形成於片材10之一部分之二維圖案之例的模式性俯視圖。如圖3B所示，形成於片材10之二維圖案具有藉由照射雷射光LB而形成之點狀之複數個加工區域10a。加工區域10a例如可為折射率與周圍折射率不同之部分、凹部或貫通孔。形成於片材10之二維圖案之形狀係由點狀的複數個加工區域10a之分佈決定。圖3B所示之例中，正方形係由4列4行之16個加工區域10a之分佈決定，三角形係由10個加工區域10a之分佈決定。
複數個加工區域10a之各自之平均直徑例如可為10 μm以上且500 μm以下。複數個加工區域10a中最接近之2個加工區域之中心間距離例如可為10 μm以上且500 μm以下。可藉由該複數個加工區域10a之分佈而形成高精細之二維圖案。
作為雷射加工之另一例，無需所有加工區域10a離散性地分佈，而至少一部分加工區域10a亦可部分地重疊。接下來，參照圖4A及圖4B對該加工區域10a之例進行說明。圖4A表示形成於片材10之一部分之預定之二維圖案之另一例的點陣圖圖像。圖4A所示之例中，形成之預定之二維圖案形成閉路。圖4B表示實際上形成於片材10之一部分之二維圖案之另一例的模式性俯視圖。圖4B所示之各加工區域10a係貫通孔。圖4B所示之各加工區域10a之上下左右之部分自圖4A所示的對應之照射區域露出。鄰接之加工區域10a之各者之點尺寸大於鄰接的加工區域10a之中心間距離，因此鄰接之加工區域10a相互部分地重疊。圖4B所示之片材10具有被複數個加工區域10a包圍之切出部分10A、及位於複數個加工區域10a之周圍之周緣部分10B。藉由形成閉路之複數個加工區域10a而可將切出部分10A與周緣部分10B相互分離。切出部分10A之形狀由複數個加工區域10a之分佈決定。可以如上方式自片材10切出任意形狀之部分。
本說明書中，「點狀分佈之複數個加工區域10a」不僅指點形狀之複數個加工區域10a不相互重疊而離散性分佈之情形，亦指點形狀之複數個加工區域10a中至少一部分(一部分或全部)部分地相互重疊分佈之情形。
作為雷射加工之又一例，亦可藉由雷射光LB而將積層構造之層之一部分除去。接下來，參照圖5對該雷射加工之例進行說明。圖5表示表現藉由雷射光LB將層之一部分除去之情況之模式圖。按上側、中央及下側之圖所示之例之順序經過時間。圖5所示之片材10具有下部層10C1與上部層10C2之積層構造。藉由利用多邊形掃描器40使雷射光LB沿+Y方向重複掃描，而將上部層10C2之一部分以線狀重複除去。其結果，於上部層10C2形成位於在X方向隔開間隔之位置之複數個槽。於槽之形成中，可斷續性或連續性地出射雷射光LB。例如，亦可藉由將雷射光LB向上部層10C2斷續性地出射且使雷射光LB向+Y方向掃描，而於上部層10C2形成相互部分地重疊之點狀之複數個加工區域。或者，亦可藉由將雷射光LB向上部層10C2連續性地出射且使雷射光LB向+Y方向掃描，而於上部層10C2形成線狀之加工區域。
上部層10C2可由選自例如Cr、Cu、Ti、Ag、Ni-Cr合金、SUS、Cu-Zn合金、ITO、SiO 2、TiO 2及ZnO中之至少一種之材料形成。下部層10C1可由能夠將該材料形成於上表面之材料形成。
於片材10形成二維圖案之控制裝置50，於上述控制動作(1)至(3)之前執行以下步序(A)至(D)。 (A)決定多邊形掃描器40之每1秒之掃描線數。 (B)決定所要形成之預定之二維圖案。 (C)根據所要形成之預定之二維圖案來決定雷射光LB之出射時序。 (D)根據每1秒之掃描線數與所要形成之預定之二維圖案的在X方向鄰接之掃描線間之距離，來決定片材10之搬送速度。
例如，於每1秒之掃描線之條數為224 line(線)/s，且在X方向鄰接之掃描線間之距離為150 μm/line的情形時，片材10之搬送速度為224 line/s×150 μm/line＝0.034 m/s＝2.04 m/min。
控制裝置50以由步序(D)決定之片材10之搬送速度來執行上述控制動作(1)，以由步序(C)決定之出射時序來執行上述控制動作(2)，以由步序(A)決定之每1秒之掃描線數來執行上述控制動作(3)。
接下來，參照圖6對本發明之另一實施方式之雷射加工裝置之構成例進行說明。此處，以與上述實施方式之雷射加工裝置不同之點為中心進行說明。片材10之Y方向上之尺寸的上限，可藉由將複數個多邊形掃描器40沿Y方向並排配置而進一步變大。圖6表示本發明之另一實施方式之雷射加工裝置110之模式性立體圖。圖6中，省略控制裝置50發送之控制信號。圖6所示之雷射加工裝置110與圖1所示之雷射加工裝置100不同之點在於，片材10及搬送機20之Y方向上之尺寸較大，且雷射加工裝置110具備2個雷射光源30-1、30-2及2個多邊形掃描器40-1、40-2。雷射光源30-2與雷射光源30-1一起位於沿+Y方向之位置，多邊形掃描器40-2與多邊形掃描器40-1一起位於沿+Y方向之位置。
雷射加工裝置110除具備雷射光源30-1般之雷射光源以外，還可具備雷射光源30-2般之至少一個其他雷射光源，且除具備多邊形掃描器40-1般之多邊形掃描器以外，還可具備多邊形掃描器40-2般之至少一個其他多邊形掃描器。雷射光源之數量及多邊形掃描器之數量分別亦可為3個以上。本說明書中，將自上述某雷射光源出射之雷射光亦稱為「雷射光」，將自上述至少一個其他雷射光源出射之雷射光亦稱為「至少一束其他雷射光」。
圖6所示之片材10具有第1部分10-1、及與第1部分10-1一起位於沿+Y方向之位置之第2部分10-2。圖6所示之單點鏈線表示第1部分10-1與第2部分10-2之交界。圖6所示之例中，第1部分10-1及第2部分10-2於Y方向具有相同寬度，但第1部分10-1及第2部分10-2中之一者之寬度亦可寬於另一者之寬度。片材10可具有第1部分10-1般之某部分、及第2部分10-2般之至少一個其他部分。片材10中位於沿+Y方向之位置之複數個部分之數量亦可為3個以上。
圖6所示之2個雷射光源30-1、30-2之各者具備與圖1所示的雷射光源30相同之構成。圖6所示之多邊形掃描器40-1具備鏡46-1，圖6所示之多邊形掃描器40-2具備鏡46-2。關於2個鏡46-1、46-2以外之構成，圖6所示之2個多邊形掃描器40-1、40-2之各者具備與圖1所示的多邊形掃描器40相同之構成。圖6所示之例中，2個雷射光源30-1、30-2分別配置於2個多邊形掃描器40-1、40-2之背面側。自雷射光源30-1、30-2出射之雷射光LB1、LB2通過未圖示之開口部，且藉由鏡46-1、46-2而向多邊鏡偏向。再者，亦可使自1個雷射光源出射之高輸出之雷射光分支而入射至2個多邊形掃描器40-1、40-2。
一面搬送片材10一面藉由2個雷射光源30-1、30-2及2個多邊形掃描器40-1、40-2進行雷射加工之控制裝置50之控制動作係如下所述。 (1)使搬送機20向+X方向搬送片材10。 (2)使雷射光源30-1出射雷射光LB1。 (3)使多邊形掃描器40-1將雷射光LB1向第1部分10-1偏向，而使雷射光LB1沿+Y方向掃描。 (4)使雷射光源30-2出射雷射光LB2。 (5)使多邊形掃描器40-2將雷射光LB2向第2部分10-2偏向，而使雷射光LB2沿+Y方向掃描。
關於多邊形掃描器40-1、40-2之每1秒之掃描線數、雷射光LB1、LB2之出射時序及片材10之搬送速度，係如上述步序(A)至(D)所說明。
控制裝置50藉由上述控制動作而於片材10形成二維圖案。為了可於片材10形成預定那樣之二維圖案，而期待控制動作(2)及(3)與控制動作(4)及(5)。根據本實施方式之雷射加工裝置110，可使片材10之Y方向上之尺寸的上限進一步變大。於使用2個多邊形掃描器40-1、40-2之情形時，片材10之Y方向上之尺寸的上限例如可為600 mm。片材10之Y方向上之尺寸的上限，可藉由增加沿Y方向並排配置之多邊形掃描器之數量而進一步變大。藉由複數個多邊形掃描器並排配置而可一次加工更寬幅之片材10，因此可提高生產性。
[雷射加工方法] 藉由上述本發明之實施方式之雷射加工裝置100而可實現以下雷射加工方法。本發明之實施方式之雷射加工方法包含如下工序：藉由一面向+X方向搬送片材10，一面使用多邊形掃描器40使雷射光LB沿+Y方向掃描，而於片材10形成二維圖案。於二維圖案係由點狀之複數個加工區域10a之分佈決定之情形時，於片材10形成二維圖案之工序包含：藉由斷續性地出射雷射光LB並使雷射光LB沿+Y方向掃描，而於片材10形成點狀分佈之複數個加工區域。
進而，藉由上述本發明之另一實施方式之雷射加工裝置110而實現以下雷射加工方法。本發明之另一實施方式之雷射加工方法包含如下工序：一面向+X方向搬送片材10，一面使用多邊形掃描器40-1使雷射光LB1向片材10之第1部分10-1偏向而使雷射光LB1沿+Y方向掃描，且使用多邊形掃描器40-2使雷射光LB2向片材10之第2部分10-2偏向而使雷射光LB2沿+Y方向掃描，藉此於片材10形成二維圖案。
[光學片材之製造方法] 以下，對利用上述雷射加工方法來製造光學片材之方法進行說明。片材10設為可藉由光照射而形成折射率與周圍折射率不同之部分之片材。光學片材之製造方法包含如下工序：藉由一面向+X方向搬送片材10，一面使用多邊形掃描器40使斷續性地出射之雷射光LB沿+Y方向掃描，而於片材10形成第1區域與各自被第1區域包圍之點狀分佈之複數個第2區域。複數個第2區域之各自之折射率與第1區域之折射率不同。複數個第2區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下，複數個第2區域中最接近之2個第2區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。藉由該光學片材之製造方法而可製造具有例如以下功能性之光學片材，即，該光學片材將於導光層內傳輸之光高效地取出至外部，或使入射至光學片材之光高效地擴散。
片材10可包含例如光致變色材料。或者，片材10亦可為以下說明之光學積層片材，其可藉由光照射而形成折射率與周圍折射率不同之部分。接下來，參照圖7對該光學積層片材之構成例進行說明。圖7表示光學積層片材10SS之模式性剖視圖。圖7所示之光學積層片材10SS具有：多孔質層12，其具有多孔質構造；及樹脂組成物層14，其積層於多孔質層12，包含藉由雷射光LB之照射而熔融之樹脂組成物。樹脂組成物層14位於較多孔質層12更靠近多邊形掃描器40之位置。於雷射光LB之波長超過800 nm且2000 nm以下之情形時，樹脂組成物層14相對於雷射光LB之透過率為5%以上且85%以下。光學積層片材10SS進而具有支持多孔質層12之基材層16、及配置於樹脂組成物層14之與多孔質層12為相反側之剝離片材(分隔件)18。亦可省略基材層16及/或剝離片材18。
多孔質層12可由例如氧化矽多孔體形成。氧化矽多孔體之空隙率超過0%且未達100%。為獲得較低之折射率，空隙率較佳為40%以上，進而佳為50%以上，更佳為55%以上。空隙率之上限並未特別限制，但自強度之觀點而言，較佳為95%以下，進而佳為85%以下。
氧化矽(氧化矽多孔體之基質部分)之折射率例如較佳為1.41以上且1.43以下。樹脂組成物層14可由各種樹脂組成物形成。一般之樹脂之折射率大概為1.45以上且1.70以下。樹脂組成物亦可包含光硬化性樹脂。
樹脂組成物層14吸收雷射光LB，因此可藉由雷射光LB之照射而高效地加熱。其結果，樹脂組成物層14中被雷射光LB照射之區域之樹脂組成物熔融，樹脂組成物選擇性地填充於多孔質層12具有之多孔質構造之空隙中。於多孔質構造具有之空隙中填充有樹脂組成物之區域之折射率，高於位於其周圍之具有多孔質構造之區域之折射率。
藉由雷射光LB對樹脂組成物層14進行照射而利用雷射光LB之吸收來進行加熱之方法，相較於先前之方法可更高效地形成比較高精細之圖案。樹脂組成物層14相對於雷射光LB之透過率進而佳為70%以下，更佳為65%以下。
再者，一般而言，有機物吸收紅外線便於在其鑑定中使用紅外分光法。用於有機物之鑑定之紅外線之波長範圍(指紋區域)，以波數記為400 cm -1～4000 cm -1，以波長記為2.5 μm～25 μm，一般之有機物幾乎不吸收波長2 μm(20000 nm)以下之紅外線。再者，吸收紅外線之有機物有時被稱為紅外線吸收色素。
樹脂組成物層14具有之樹脂組成物例如包含幾乎不吸收雷射光LB之樹脂組成物、及吸收雷射光LB之著色材。著色材可包含色素(或染料)，著色材亦可包含顏料。再者，色素(或染料)係指可溶於溶劑(例如水、醇)之著色材(coloring material)，顏料係指不溶或難溶於溶劑之著色材。再者，亦可向樹脂組成物中所含之樹脂自身化學性地(即，藉由化學鍵結)而導入吸收第1光之原子團。
接下來，參照圖8A及圖8B對利用本實施方式之雷射加工方法而製造之光學片材之例進行說明。光學片材之製造方法中於片材10形成第1區域及複數個第2區域之工序包含：使用多邊形掃描器40，使雷射光LB向光學積層片材10SS之樹脂組成物層14偏向而使雷射光LB沿+Y方向掃描。
圖8A表示利用雷射光LB照射光學積層片材10SS而製造之光學片材10S之模式性剖視圖。圖8B表示圖8A所示之多孔質層12之模式性俯視圖。圖8A所示之光學片材10S與圖7所示之光學積層片材10SS不同之點在於，如圖8B所示，於多孔質層12形成有第1區域12a、及各自被第1區域12a包圍之點狀分佈之複數個第2區域12b。第1區域12a係於多孔質層12具有多孔質構造之區域。複數個第2區域12b之各者係於多孔質構造具有之空隙中至少部分地填充有藉由雷射光LB之照射而熔融之樹脂組成物的區域。第2區域12b之折射率高於第1區域12a之折射率。
若設第1區域12a之折射率為n1，設第2區域12b之折射率為n2，設樹脂組成物層14之折射率為n3，則n1＜n2，且n1＜n3。此時，例如滿足n2＜n3之關係。n1例如可為1.30以下，n2例如可為1.43以上，n3例如可為1.45以上。藉由調整多孔質層12中所含之多孔質構造之空隙率及樹脂組成物層14中所含之樹脂組成物之折射率n3，而可控制第2區域12b之折射率n2。｜n2-n3｜較佳為0.1以下。由此可抑制於樹脂組成物層14與多孔質層12之第2區域12b之界面處產生內部全反射。
接下來，參照圖9A及圖9B對光學片材10S中所含之多孔質層12及樹脂組成物層14之應用例進行說明。將光學片材10S積層於介電層，且將剝離片材18剝離，於樹脂組成物層14之上設置基材層，藉此可製造配光元件。介電層之折射率與光學片材10S中之基材層16的基材層之折射率大致相等。介電層及基材層16作為導光層11發揮功能。圖9A及圖9B分別表示第1配光元件10D1及第2配光元件10D2之模式性剖視圖。
圖9A所示之第1配光元件10D1具有導光層11、多孔質層12、樹脂組成物層14、及基材層13依序積層而成之積層構造。亦將圖9A所示之多孔質層12及樹脂組成物層14總稱為「光學層10Sa」。自導光層11之受光端面(未圖示)入射之光，於導光層11與多孔質層12之第1區域12a之界面及導光層11與空氣之界面處進行內部全反射，於導光層11中沿X方向傳輸(波導光L P)。入射至導光層11內之光之一部分會入射至導光層11與多孔質層12之第2區域12b之界面，不進行內部全反射而通過樹脂組成物層14及基材層13，自第1配光元件10D1出射(出射光L E)。換言之，入射至導光層11內之光之一部分藉由光學層10Sa而光學性地耦合(取出)至基材層13，向Z方向出射。當然，光之傳輸方向與X方向有偏差(分佈)，光之出射方向亦與Z方向有偏差(分佈)。
圖9B所示之第2配光元件10D2與圖9A所示之第1配光元件10D1不同之點在於，多孔質層12及樹脂組成物層14之配置反轉。亦將圖9B所示之多孔質層12及樹脂組成物層14總稱為「光學層10Sb」。自導光層11之受光端面(未圖示)入射之光，於樹脂組成物層14與多孔質層12之第1區域12a之界面及導光層11與空氣之界面處進行內部全反射，於導光層11中沿X方向傳輸(波導光L P)。入射至導光層11內之光之一部分會入射至樹脂組成物層14與多孔質層12之第2區域12b之界面，不進行內部全反射而通過樹脂組成物層14及基材層13，自第2配光元件10D2出射(出射光L E)。換言之，入射至導光層11內之光之一部分藉由光學層10Sb而光學性地耦合於基材層13，向Z方向出射。
藉由調整多孔質層12之第1區域12a及第2區域12b之層面內(與XY面平行)之配置，而可控制藉由多孔質層12自導光層11取出(與基材層13光耦合)之光之配光分佈(出射強度分佈、出射角度分佈等)。多孔質層12中之第1區域12a與第2區域12b之配置可根據所要求之配光分佈來適當設計。
光學積層片材10SS、光學片材10S及配光元件10D1、D2之詳細內容例如記載於本案申請人之日本專利特願2020-163478號(申請日:2020年09月29日)。將日本專利特願2020-163478號之所有揭示內容藉由參照而引用於本說明書中。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明之實施方式具體地進行說明，但本發明之實施方式並不受該些實施例限定。
以下說明之實施例1至3及比較例1至3中，對具有與圖7所示之光學積層片材10SS相同之構成的光學積層片材進行雷射加工，而製造具有與圖8A所示之光學片材10S相同之構成的光學片材。實施例1至3及比較例1至3中，光學積層片材之雷射加工方法不同。
實施例1中，將藉由卷對卷方式連續搬送之光學積層片材使用單個多邊形掃描器進行雷射加工。實施例2中，將藉由卷對卷方式而中間伴有停止地搬送之光學積層片材使用單個多邊形掃描器進行雷射加工。實施例3中，將藉由卷對卷方式而連續搬送之光學積層片材使用並排配置之2個多邊形掃描器進行雷射加工。比較例1中，將藉由卷對卷方式而間歇搬送之光學積層片材使用單個檢流計式掃描器進行雷射加工。比較例2中，將藉由卷對卷方式而連續搬送之光學積層片材使用單個檢流計式掃描器進行雷射加工。比較例3中，將單片搬送之光學積層片材使用單個多邊形掃描器進行雷射加工。關於實施例1至3及比較例1至3之光學片材之製造方法之流程圖，分別參照下述圖10A至圖10F來進行說明。
於實施例1至3及比較例1至3中，將以下動作設為1循環而算出循環時間來對光學片材之生產性進行評估。光學片材之生產性係藉由每1分鐘製造之光學片材之長度來定義。實施例1及2以及比較例3中，將對X方向上之尺寸為50 mm、Y方向上之尺寸為310 mm之區域使用單個多邊形掃描器進行雷射加工的動作設為1循環。實施例3中，將對X方向上之尺寸為50 mm、Y方向上之尺寸為600 mm之區域使用2個多邊形掃描器進行雷射加工之動作設為1循環。比較例1及2中，將對X方向上之尺寸為50 mm、Y方向上之尺寸為50 mm區域使用單個檢流計式掃描器進行雷射加工之動作設為1循環。
[實施例1] 圖10A表示實施例1之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。如圖10A所示，於1循環中，對光學積層片材一面藉由卷對卷方式連續搬送一面使用單個多邊形掃描器進行雷射加工。
下文說明多孔質層之製作方法。
作為樹脂組成物層，使用不包含色素之黏著層(樹脂組成物層)、及形成於黏著層上之色素層之積層構造。相對於溶媒100質量份(MIBK)而添加日本卡爾利特(Carlit)(股)公司製造之染料系色素CIR-RL(苯二胺系二亞銨化合物)0.52質量份來製備色素溶液。
將利用下述方法製作之雙面黏著劑A(PET分隔件/丙烯酸系黏著劑A/PET分隔件，厚度38 μm/10 μm/38 μm)之一側之分隔件剝離，對露出之丙烯酸系黏著劑之表面賦予上述色素溶液而獲得色素層。光學黏著層與色素層之積層體相對於波長1060 nm之雷射光之透過率為28%。
實施例2及比較例1至3中，使用與實施例1相同種類之多孔質層及樹脂組成物層。
在以下諸條件之下，利用近紅外線奈秒脈衝光纖雷射光對光學積層片材進行照射來製造光學片材。 雷射振盪器:SPI公司製造redENERGY G4 物鏡:f350 mm 多邊形掃描器:Next Scan Technology公司製造 LSE310 光束強度分佈:高斯 光點尺寸: ϕ55 μm 重複頻率:500 kHz 掃描速度:50 m/秒 圖案間距:150 μm 功率:55 W 脈衝能量:110 μJ 能量密度:4.6 J/cm 2
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑為30 μm之大致圓形之第2區域。亦可自光學片材之剖面SEM像確認出形成有第2區域。圖11表示實施例1中獲得之光學片材之剖面SEM像。如自圖11所示之剖面SEM像得知，於多孔質層中藉由雷射照射而形成之第2區域幾乎未發現空隙。相對於此，於多孔質層中之第1區域觀察到多個微細之空隙(細孔)。進而，亦可確認到出光效果。下文說明剖面SEM像之光學片材之形態評估及出光效果之確認方法。
實施例1中，在1循環中僅有加工工序，因此循環時間與加工時間相等。循環時間係作為加工時間之1.5秒。生產性為2.02 m/min。
[實施例2] 圖10B表示實施例2之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。如圖10B所示，於1循環中，將搬送停止中之光學積層片材藉由真空吸附而固定於載台，一面將光學積層片材藉由卷對卷方式搬送，且使載台以相同時序及相同搬送速度移動，一面藉由單個多邊形掃描器進行雷射加工，於加工後將載台之移動及光學積層片材之搬送停止，解除吸附固定，使載台移動至吸附固定前之初始位置。1循環中之載台之移動距離為50 mm。藉由吸附固定於載台而可抑制於雷射加工中光學積層片材自載台浮起或偏移。其結果，可使雷射加工之精度提高。
在以下諸條件之下，利用近紅外線奈秒脈衝光纖雷射光對光學積層片材進行照射而製造光學片材。 雷射振盪器:SPI公司製造redENERGY G4 物鏡:f350 mm 多邊形掃描器:Next Scan Technology公司製造 LSE310 光束強度分佈:高斯 光點尺寸:ϕ55 μm 重複頻率:500 kHz 掃描速度:100 m/秒 圖案間距:150 μm 功率:86 W 脈衝能量:172 μJ 能量密度:7.2 J/cm 2
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑為42 μm之大致圓形之第2區域。亦可確認到出光效果。
實施例2中，在1循環中有加工、吸附固定及解除吸附固定以及向載台之初始位置移動之工序，因此循環時間與該些工序之合計時間相等。加工時間為1.5秒，吸附固定及解除吸附固定之時間為0.6秒，向載台之初始位置之移動時間為1秒，循環時間係該些時間之合計之3.1秒。生產性為0.97 m/min。
[實施例3] 圖10C表示實施例3之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。實施例3除將Y方向上之尺寸更大之光學積層片材藉由2個多邊形掃描器進行雷射加工之點以外，與實施例1相同。
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑30 μm之大致圓形之第2區域。亦確認到出光效果。
實施例3中，在1循環中僅有加工工序，因此循環時間與加工時間相等。循環時間係作為加工時間之1.5秒。生產性為2.02 m/min。即便為Y方向上之尺寸更大之光學積層片材，生產性於實施例1及3中亦相同。
[比較例1] 圖10D表示比較例1之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。如圖10D所示，在1循環中，將利用卷對卷方式進行之光學積層片材之搬送停止，將光學積層片材藉由真空吸附而固定於載台，利用單個檢流計式掃描器進行雷射加工，於加工後解除真空吸附，重新開始利用卷對卷方式搬送光學積層片材。
在以下諸條件之下，利用近紅外線奈秒脈衝光纖雷射光對光學積層片材進行照射而製造光學片材。 雷射振盪器:Jenoptik公司製造JenLas fiber ns 20 波長:1064 nm 物鏡:fθ透鏡(f82 mm) 檢流計式掃描器:ScanLab公司製造intelliScan14 光束強度分佈:高斯 光點尺寸:ϕ60 μm 重複頻率:12.5 kHz 掃描速度:2500 mm/秒 圖案間距:150 μm 功率:5.6 W 脈衝能量:448 μJ
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑為50 μm之大致圓形之第2區域。亦確認到出光效果。
比較例1中，在1循環中有加工、吸附固定及解除吸附固定以及搬送之工序，因此循環時間與該些工序之合計時間相等。加工時間為60.0秒，吸附固定及解除吸附固定之時間為0.6秒，搬送時間為1秒，循環時間為該些時間之合計之61.6秒。生產性為0.05 m/min。
[比較例2] 圖10E表示比較例2之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。如圖10E所示，在1循環中，一面將光學積層片材藉由卷對卷方式連續搬送，一面利用單個檢流計式掃描器進行雷射加工。
在以下諸條件之下，利用近紅外線奈秒脈衝光纖雷射光對光學積層片材進行照射而製造光學片材。 雷射振盪器:Jenoptik公司製造JenLas fiber ns 20 波長:1064 nm 物鏡:fθ透鏡(f82 mm) 檢流計式掃描器:ScanLab公司製造intelliScan14 光束強度分佈:高斯 光點尺寸:ϕ60 μm 重複頻率:12.5 kHz 掃描速度:2500 mm/秒 圖案間距:150 μm 功率:4.5 W 脈衝能量:360 μJ
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑70 μm之大致圓形之第2區域。亦可確認到出光效果。
比較例2中，在1循環中僅有加工工序，因此循環時間與加工時間相等。循環時間係作為加工時間之60.0秒。生產性為0.05 m/min。
[比較例3] 圖10F表示比較例3之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。如圖10F所示，在1循環中，將單片狀之1個光學積層片材載置於載台並藉由真空吸附來固定，藉由單個多邊形掃描器進行雷射加工，於加工後解除吸附固定而回收加工後之光學積層片材。
在實施例1中說明之諸條件之下，利用近紅外線奈秒脈衝光纖雷射光對光學積層片材進行照射而製造光學片材。
利用光學顯微鏡觀察所獲得之光學片材之正面圖像後可確認出，比較高精細地形成有150 μm間距且直徑30 μm之大致圓形之第2區域。亦確認到出光效果。
比較例3中，在1循環中有加工、吸附固定及解除吸附固定以及載置回收之工序，因此循環時間與該些工序之合計時間相等。加工時間為1.5秒，吸附固定及解除吸附固定之時間為0.6秒，載置回收之時間為60秒，循環時間係該些時間之合計之62.1秒。生產性為0.05 m/min。
將上述實施例及比較例之光學片材之製造方法的1循環之流程、循環時間及生產性彙總示於表1。
[表1]
   1循環之流程 循環時間 (sec) 生產性 (m/min)
加工時間 (sec) 吸附固定及解除吸附固定 (sec) 搬送 (sec) 向載台之初始位置移動 (sec) 載置回收 (sec)
實施例1 1.5 - - - - 1.5 2.02
實施例2 1.5 0.6 - 1 - 3.1 0.97
實施例3 1.5 - - - - 1.5 2.02
比較例1 60.0 0.6 1 - - 61.6 0.05
比較例2 60.0 - - - - 60.0 0.05
比較例3 1.5 0.6 - - 60.0 62.1 0.05
生產性最高的是實施例1及3之光學片材之製造方法。該較高之生產性起因於利用卷對卷方式進行之連續搬送及利用多邊形掃描器進行之高速掃描。生產性第二高的是實施例2之光學片材之製造方法。即便有光學積層片材之吸附固定及解除吸附固定以及向載台之初始位置移動之工序，藉由利用多邊形掃描器進行之高速掃描而使生產性比較高。
相對於此，比較例1及2之光學片材之製造方法中，因利用檢流計式掃描器之加工時間較長而使得生產性較低。比較例3之光學片材之製造方法中，即便為利用多邊形掃描器之高速掃描，因單片搬送之光學積層片材之利用真空吸附來進行之固定、吸附固定之解除、及載置回收之工序而使得生產性較低。
根據以上所述得知，藉由利用卷對卷方式之連續搬送或中間伴有停止之搬送、及利用多邊形掃描器之高速掃描，而可提高光學片材之生產性。
用於實施例及比較例之多孔質層之製作方法係如下所述。
[多孔質層之製作] (1)矽化合物之凝膠化 於2.2 g之二甲基亞碸(DMSO)中溶解0.95 g之作為凝膠狀矽化合物之前驅物的甲基三甲氧基矽烷(MTMS)而製備混合液A。向該混合液A中添加0.5 g之0.01 mol/L之草酸水溶液，於室溫攪拌30分鐘，藉此將MTMS水解而產生包含三(羥基)甲基矽烷之混合液B。
向5.5 g之DMSO添加0.38 g之28質量%之氨水、及0.2 g之純水後，進而追加添加上述混合液B，於室溫攪拌15分鐘，藉此進行三(羥基)甲基矽烷之凝膠化，獲得包含凝膠狀矽化合物(聚甲基倍半矽氧烷)之混合液C。 (2)熟化處理 將如上述般製備之包含凝膠狀矽化合物之混合液C直接於40℃保溫20小時，進行熟化處理。 (3)粉碎處理 接下來，將如上述般熟化處理之凝膠狀矽化合物使用刮鏟粉碎成數mm～數cm尺寸之顆粒狀。接下來，向混合液C中添加40 g之異丙醇(IPA)，輕輕攪拌後，於室溫靜置6小時而使凝膠中之溶媒及觸媒傾析。藉由將相同之傾析處理進行3次而進行溶媒置換，獲得混合液D。接下來，對混合液D中之凝膠狀矽化合物進行粉碎處理(高壓無介質粉碎)。粉碎處理(高壓無介質粉碎)係使用均化器(SMT公司製造，商品名「UH-50」)，向5 cc之螺旋瓶中稱量混合液D中之凝膠狀化合物1.85 g及IPA1.15 g後，於50 W、20 kHz之條件下粉碎2分鐘。
利用該粉碎處理將上述混合液D中之凝膠狀矽化合物粉碎，藉此該混合液D'成為粉碎物之溶膠液。利用動態光散射式NANOTRAC粒度分析計(日機裝公司製造，UPA-EX150型)，確認出表示混合液D'中所含之粉碎物之粒度不均的體積平均粒徑為0.50～0.70。進而，相對於0.75 g之該溶膠液(混合液C')，將光產鹼劑(和光純藥工業股份公司:商品名WPBG266)之1.5質量%濃度MEK(甲基乙基酮)溶液以0.062 g之比率，且將雙(三甲氧基矽烷基)乙烷之5%濃度MEK溶液以0.036 g之比率添加，獲得多孔質層形成用塗覆液(含微細孔粒子之液體)。多孔質層形成用塗覆液含有包含倍半矽氧烷作為基本構造之氧化矽多孔體。
於按照日本專利特開2012-234163號公報之製造例1來準備之丙烯酸系樹脂膜(厚度:40 μm)之表面塗佈(塗覆)上述塗覆液而形成塗覆膜。將上述塗覆膜以溫度100℃處理1分鐘來進行乾燥，進而，對乾燥後之塗覆膜使用波長360 nm之光以300 mJ/cm 2之光照射量(能量)照射UV(ultraviolet，紫外線)，獲得於上述丙烯酸系樹脂膜上形成有多孔質層(氧化矽微細孔粒子彼此化學鍵結而成之氧化矽多孔體)之積層體(附氧化矽多孔質層之丙烯酸膜)。上述多孔質層之折射率為1.15。
用於實施例及比較例之丙烯酸系黏著劑及雙面黏著帶之製作方法係如下所述。
[丙烯酸系黏著劑溶液A之製備及雙面黏著帶A之製作] 向具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之4口燒瓶中放入丙烯酸丁酯91質量份、N-丙烯醯𠰌啉7質量份、丙烯酸3質量份、丙烯酸2-羥基丁酯0.3質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1質量份、乙酸乙酯200質量份，一面緩慢攪拌一面導入氮氣而進行氮置換後，將燒瓶內之液溫保持於55℃左右進行8小時之聚合反應，製備丙烯酸系聚合物溶液。上述丙烯酸系聚合物之質量平均分子量為220萬。
相對於所獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固形份100質量份，調配作為交聯劑之過氧化二苯甲醯(1分鐘半衰期:130℃)0.25質量份、及包含甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物之聚異氰酸酯系交聯劑(東梭公司製造，Coronate L)0.15份、作為矽烷偶合劑之3-甘油氧丙基三甲氧基矽烷(信越矽公司製造，KBM403)0.1質量份而製備丙烯酸系黏著劑溶液A。
接下來，於實施了矽處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(三菱化學公司製造，厚度:38 μm)之單面，以乾燥後之黏著劑層之厚度為10 μm之方式塗佈上述丙烯酸系黏著劑溶液A，以150℃乾燥3分鐘而形成黏著劑層。將上述PET膜之矽處理面朝向黏著層側來貼合該黏著劑層而製作雙面黏著帶。
[折射率之測定] 於丙烯酸膜形成多孔質層之後，切割為50 mm×50 mm之尺寸，隔著感壓接著劑層而將多孔質層貼合於玻璃板(厚度:3 mm)之正面。將上述玻璃板之背面中央部(直徑20 mm左右)利用黑色標記油墨塗滿而製成不於該玻璃板之背面反射之樣品。將上述樣品放置於橢圓偏光計(J.A.Woollam Japan公司製造:VASE)，於500 nm之波長、入射角50度以上且80度以下之條件下測定折射率。
[出光效果之測定] 將下述實施例中獲得之光學構件之分隔件剝離，貼合於厚度2 mm之樹脂板(三菱化學公司製造Acrylite「EX001」)，進而於其上隔著水(折射率1.33)來積層凹凸賦形膜，使LED(light emitting diode，發光二極體)光自樹脂板之端部入射而目視評估出光效果。圖12模式性地表示用於出光效果之評估之配光元件樣品之構成。於樹脂板導光層11之上配置光學層10Sb，於光學層10Sb之上配置基材層13。隔著水而於基材層13之上配置凹凸賦形膜15，目視評估出射光L E之分佈。
[凹凸賦形膜之製造] 按照日本專利特表2013-524288號公報記載之方法來製造凹凸賦形膜。具體而言，利用漆(三洋化成工業公司製造Finecure RM-64)塗佈聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)膜之表面，於包含該漆之膜表面上壓紋加工光學圖案，其後使漆硬化而製造目標之凹凸賦形膜。凹凸賦形膜之總厚度為130 μm，霧度為0.8%。
圖13A表示自凹凸面側觀察所製造之凹凸賦形膜15之一部分之俯視圖。又，圖13B表示圖13A所示之凹凸賦形膜之13B-13B'剖視圖。將長度L為80 μm、寬度W為14 μm、深度H為10 μm且剖面為三角形之複數個凹部15a於X軸方向隔開寬度E(155 μm)之間隔而配置。進而，將該凹部之圖案於Y軸方向隔開寬度D(100 μm)之間隔而配置。凹凸賦形膜表面上之凹部15a之密度為3612個/cm 2。圖13B中之θa及θb均為41°，自凹凸面側俯視膜時之凹部15a之佔有面積率為4.05%。
[光學片材之形態評估] 對實施例中獲得之光學片材，除利用光學顯微鏡觀察正面圖像之外，還如下般獲取剖面SEM像。
作為具體步序，在將分隔件剝離而露出色素黏著劑面之狀態下，利用日立高新技術公司製造之磁控濺鍍器(E-1030)於黏著劑表面塗佈10秒之Pt-Pd。接下來，利用日本FEI公司製造之FIB-SEM(Helios G4 UX)，於常溫將FIB加工用之保護膜(利用碳沈積來形成)形成於黏著劑表面。進而，於該裝置中將試樣冷卻至-160℃，於冷卻至-160℃之狀態下，以使光學片材之主面相對於聚焦離子束傾斜52°之狀態進行FIB加工，對藉由FIB加工而形成之剖面進行SEM觀察。 FIB-SEM設定條件 加速電壓:FIB 30kV、SEM 2kV 觀察像:反射電子像 設定溫度:-160℃
[色素黏著劑之近紅外線透過率測定] 於在一主面配置有PET分隔件(厚度38 μm，折射率1.57)之狀態下，使測定光自色素黏著劑面入射，測定相對於所使用之雷射光之波長之透過率。近紅外線透過率之測定中使用日立分光光度計U-4100。 [產業上之可利用性]
本發明之實施方式之雷射加工方法及雷射加工裝置，可用於例如藉由卷對卷方式搬送之片材之雷射加工。本發明之實施方式之光學片材之製造方法，可用於具有光耦合性之功能性之光學片材之製造。
10:片材 10-1:第1部分 10-2:第2部分 10a:加工區域 10A:切出部分 10B:周緣部分 10C1:下部層 10C2:上部層 10D:配光元件 10D1:第1配光元件 10D2:第2配光元件 10S:光學片材 10Sa、10Sb:光學層 10SS:光學積層片材 11:導光層 12:多孔質層 12a:第1區域 12b:第2區域 13:基材層 14:樹脂組成物層 15:凹凸賦形膜 15a:凹部 16:基材層 18:剝離片材 20:搬送機 22a:捲出輥 22b:捲取輥 24:搬送輥 26a:捲出馬達 26b:捲取馬達 30,30-1,30-2:雷射光源 40,40-1,40-2:多邊形掃描器 42:多邊鏡 42s:反射面 44a:凸面鏡 44b:凹面鏡 46:殼體 46-1,46-2:鏡 46о:開口 50:控制裝置 100,110:雷射加工裝置 D1:片材之移動方向 D2:多邊形掃描器之掃描方向 H:深度 L:長度 LB,LB1,LB2:光 L E:出射光 L P:波導光 W:寬度 X:方向 Y:方向 Z:方向
圖1係本發明之實施方式之雷射加工裝置之模式性立體圖。 圖2A表示表現多邊形掃描器使雷射光向片材偏向之情況之模式性前視圖。 圖2B表示表現多邊形掃描器使雷射光向片材偏向之情況之模式性前視圖。 圖2C表示表現多邊形掃描器使雷射光向片材偏向之情況之模式性前視圖。 圖3A表示形成於片材之一部分之預定之二維圖案之例的點陣圖圖像。 圖3B表示實際上形成於片材之一部分之二維圖案之例的模式性俯視圖。 圖4A表示形成於片材之一部分之預定之二維圖案之另一例的點陣圖圖像。 圖4B表示實際上形成於片材之一部分之二維圖案之另一例的模式性俯視圖。 圖5表示表現藉由雷射光而將層之一部分除去之情況的模式圖。 圖6表示本發明之另一實施方式之雷射加工裝置之模式性立體圖。 圖7表示光學積層片材之模式性剖視圖。 圖8A係利用雷射光照射光學積層片材而製造之光學片材之模式性剖視圖。 圖8B表示圖8A所示之多孔質層之模式性俯視圖。 圖9A表示第1配光元件之模式性剖視圖。 圖9B表示第2配光元件之模式性剖視圖。 圖10A表示實施例1之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖10B表示實施例2之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖10C表示實施例3之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖10D表示比較例1之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖10E表示比較例2之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖10F表示比較例3之光學片材之製造方法中的1循環之工序之流程圖。 圖11表示實施例1中獲得之光學片材之剖面SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)像。 圖12模式性地表示出光效果之評估中所使用之配光元件樣品之構成。 圖13A表示自凹凸面側觀察所製造之凹凸賦形膜之一部分之俯視圖。 圖13B表示圖13A所示之凹凸賦形膜之13B-13B'剖視圖。
10:片材
20:搬送機
22a:捲出輥
22b:捲取輥
24:搬送輥
26a:捲出馬達
26b:捲取馬達
30:雷射光源
40:多邊形掃描器
42:多邊鏡
44a:凸面鏡
44b:凹面鏡
46:殼體
46o:開口
50:控制裝置
100:雷射加工裝置
D1:片材之移動方向
D2:多邊形掃描器之掃描方向
LB:光
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (15)

  1. 一種雷射加工方法，其包含如下工序：一面於作為長度方向之第1方向搬送長條狀之片材，一面使用多邊形掃描器使雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描，藉此於上述片材形成二維圖案。
  2. 如請求項1之雷射加工方法，其中於上述片材形成上述二維圖案之工序，係根據上述多邊形掃描器之每1秒之掃描線數、及形成於上述片材之預定之二維圖案之在上述第1方向鄰接的掃描線間之距離而決定上述片材之搬送速度。
  3. 如請求項1或2之雷射加工方法，其中上述片材具有某部分、及與上述某部分一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他部分， 於上述片材形成上述二維圖案之工序包含： 使用上述多邊形掃描器使上述雷射光向上述某部分偏向，而使上述雷射光沿上述第2方向掃描； 使用與上述多邊形掃描器一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他多邊形掃描器，使至少一束其他雷射光向上述至少一個其他部分偏向而使上述至少一束其他雷射光沿上述第2方向掃描，藉此於上述片材形成上述二維圖案。
  4. 如請求項1至3中任一項之雷射加工方法，其中於上述片材形成上述二維圖案之工序包含：斷續性地出射上述雷射光，使用上述多邊形掃描器使上述雷射光沿上述第2方向掃描，藉此於上述片材形成點狀分佈之複數個加工區域； 上述複數個加工區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個加工區域中最接近之2個加工區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之雷射加工方法，其中上述片材之搬送速度為0.5 m/min以上且10 m/min以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之雷射加工方法，其中上述片材之上述第2方向上之長度為100 mm以上。
  7. 一種光學片材之製造方法，其包含如下工序：一面於作為長度方向之第1方向搬送能夠藉由光照射而形成折射率與周圍折射率不同之部分的長條狀之片材，一面使用多邊形掃描器使斷續性地出射之雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描，藉此於上述片材形成第1區域、及各自被上述第1區域包圍且點狀分佈之複數個第2區域； 上述複數個第2區域之各自之折射率與上述第1區域之折射率不同。
  8. 如請求項7之光學片材之製造方法，其中上述複數個第2區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個第2區域中最接近之2個第2區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
  9. 如請求項7或8之光學片材之製造方法，其中上述片材之搬送速度為0.5 m/min以上且10 m/min以下。
  10. 如請求項7或8之光學片材之製造方法，其中上述片材係光學積層片材，具有：多孔質層，其具有多孔質構造；及樹脂組成物層，其積層於上述多孔質層，包含藉由上述雷射光之照射而熔融之樹脂組成物；上述樹脂組成物層位於較上述多孔質層更靠近上述多邊形掃描器之位置， 於上述片材形成上述第1區域及上述複數個第2區域之工序包含：使用上述多邊形掃描器，使上述雷射光向上述光學積層片材之上述樹脂組成物層偏向而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 上述第1區域係於上述光學積層片材之上述多孔質層具有上述多孔質構造之區域， 上述複數個第2區域之各者係於上述多孔質構造具有之空隙中至少部分地填充有藉由上述雷射光之照射而熔融的上述樹脂組成物之區域。
  11. 一種雷射加工裝置，其具備搬送機、雷射光源、多邊形掃描器及控制裝置， 上述控制裝置係 使上述搬送機於作為長度方向之第1方向搬送長條狀之片材， 使上述雷射光源出射雷射光， 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材偏向，而使上述雷射光沿與上述第1方向交叉之第2方向掃描， 藉此於上述片材形成二維圖案。
  12. 如請求項11之雷射加工裝置，其中上述控制裝置係根據上述多邊形掃描器之每1秒之掃描線數、及形成於上述片材之預定之二維圖案之在上述第1方向鄰接的掃描線間之距離，而決定上述片材之搬送速度。
  13. 如請求項11或12之雷射加工裝置，其進而具備：至少一個其他雷射光源；及至少一個其他多邊形掃描器，其與上述多邊形掃描器一起位於沿上述第2方向之位置； 上述片材具有某部分、及與上述某部分一起位於沿上述第2方向之位置之至少一個其他部分， 上述控制裝置係 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材之上述某部分偏向而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 使上述至少一個其他雷射光源出射至少一束其他雷射光， 使上述至少一個其他多邊形掃描器將上述至少一束其他雷射光向上述片材之上述至少一個其他部分偏向，而使上述至少一束其他雷射光沿上述第2方向掃描， 藉此於上述片材形成上述二維圖案。
  14. 如請求項11至13中任一項之雷射加工裝置，其中上述控制裝置係 使上述雷射光源斷續性出射上述雷射光， 使上述多邊形掃描器將上述雷射光向上述片材偏向，而使上述雷射光沿上述第2方向掃描， 藉此於上述片材形成點狀分佈之複數個加工區域， 上述複數個加工區域之各自之平均直徑為10 μm以上且500 μm以下， 上述複數個加工區域中最接近之2個加工區域之中心間距離為10 μm以上且500 μm以下。
  15. 如請求項11至14中任一項之雷射加工裝置，其中上述片材之搬送速度為0.5 m/min以上且10 m/min以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5841102A (en) * 1996-11-08 1998-11-24 W. L. Gore & Associates, Inc. Multiple pulse space processing to enhance via entrance formation at 355 nm
JP2014048575A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Opcell Co Ltd 薄膜に多数の微少孔を高速に作成する方法とそれを用いた装置
JP6422182B2 (ja) 2014-12-04 2018-11-14 大阪シーリング印刷株式会社 レーザー加工装置
KR102450792B1 (ko) * 2016-10-04 2022-10-06 가부시키가이샤 니콘 빔 주사 장치, 패턴 묘화 장치 및 패턴 묘화 장치의 정밀도 검사 방법
JP7134182B2 (ja) * 2017-03-22 2022-09-09 コーニング インコーポレイテッド ガラスウェブを分割する方法

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