TW202320047A - 發光基板和顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本掲露提供一種發光基板和顯示裝置，屬於顯示技術領域。發光基板包括沿行方向（H1）依次排列的多個信號通道（CH）；每個信號通道（CH）包括沿列方向（H2）排列的多個控制區（BB）；每個控制區（BB）包括由同一晶片（IC）控制的至少一個燈區（AA）；每個信號通道（CH）中，發光基板設置有第一驅動走線、第二驅動走線和多個參考電源線（GNDA）；第一驅動走線、第二驅動走線分別用於向晶片（IC）提供不同的驅動信號；參考電源線（GNDA）用於向晶片（IC）提供參考電源電壓（GND）；其中，同一信號通道（CH）中的各個參考電源線（GNDA）之間電連接，且第一驅動走線和第二驅動走線之間設置有至少一條參考電源線（GNDA）。該發光基板能夠減小至少部分驅動走線上的噪音。

Description

發光基板和顯示裝置

本申請要求於2021年11月2日提交的國際專利申請號PCT/CN2021/128266的優先權。將國際專利申請號PCT/CN2021/128266的全部公開以引用方式併入本文，作為本申請公開的一部分。本掲露涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種發光基板和顯示裝置。

LED（發光二極體）發光基板可以採用主動驅動模式進行驅動；其中，在發光區域設置有LED和用於驅動LED的晶片。外部電路（例如電路板）通過設置於發光基板上的驅動走線向LED和晶片提供電源和信號。驅動走線被干擾而產生噪音時，LED發光基板的發光品質將受到較大程度的影響。

需要說明的是，在上述背景技術部分掲示的資訊僅用於加強對本掲露的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的資訊。

本掲露的目的在於克服上述現有技術的不足，提供一種發光基板和顯示裝置，降低至少部分驅動走線上的噪音。

根據本掲露的第一個方面，提供一種發光基板，包括沿行方向依次排列的多個信號通道；每個所述信號通道包括沿列方向排列的多個控制區；每個所述控制區包括由同一晶片控制的至少一個燈區； 每個所述信號通道中，所述發光基板設置有第一驅動走線、第二驅動走線和多個參考電源線；所述第一驅動走線、所述第二驅動走線分別用於向所述晶片提供不同的驅動信號；所述參考電源線用於向所述晶片提供參考電源電壓；其中，同一所述信號通道中的各個所述參考電源線之間電連接，且所述第一驅動走線和所述第二驅動走線之間設置有至少一條所述參考電源線。

在本掲露的一種實施方式中，所述第一驅動走線為向所述晶片提供時鐘信號的時鐘信號線； 所述第二驅動走線為用於向所述晶片提供驅動資料信號的驅動資料線或者用於向所述晶片提供位址配置信號的位址配置線。

在本掲露的一種實施方式中，所述第二驅動走線為驅動資料線。

在本掲露的一種實施方式中，在所述信號通道中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線、用於向所述晶片載入位址配置信號的位址配置線； 沿所述行方向，所述燈區電源線、所述參考電源線、所述晶片電源線、所述位址配置線、所述時鐘信號線、所述參考電源線、所述驅動資料線、所述參考電源線和所述燈區電源線依次設置。

在本掲露的一種實施方式中，在所述位址配置線和所述時鐘信號線之間也設置有所述參考電源線。

在本掲露的一種實施方式中，所述發光基板具有用於與所述晶片接合連接的晶片焊墊組，以及設置有參考電源連接線； 其中，所述參考電源連接線與各個所述參考電源線通過通孔連接，且與所述晶片焊墊組電連接。

在本掲露的一種實施方式中，在所述信號通道中，所述多個參考電源線包括位於所述信號通道兩側的兩個主參考電源線和位於所述主參考電源線之間的輔助參考電源線；所述主參考電源線的寬度大於所述輔助參考電源線的寬度； 所述主參考電源線與所述燈區交疊，且與至少部分所述晶片不交疊。

在本掲露的一種實施方式中，在所述信號通道中，所述多個參考電源線包括一個主參考電源線和至少一個輔助參考電源線；所述主參考電源線在各個所述參考電源線中寬度最大，且與所述驅動資料線、所述時鐘信號線不相鄰。

在本掲露的一種實施方式中，所述晶片位於所述主參考電源線和所述輔助參考電源線之間。

在本掲露的一種實施方式中，在所述信號通道中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線； 所述主參考電源線與所述燈區電源線相鄰，且寬度大於所述晶片電源線； 所述輔助參考電源線的寬度小於所述晶片電源線。

在本掲露的一種實施方式中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線；在至少部分所述燈區電源線與所述參考電源線之間，設置有第一電容器；和/或者，在至少部分所述晶片電源線與所述參考電源線之間，設置有第二電容器。

在本掲露的一種實施方式中，在沿所述行方向相鄰的兩個所述信號通道中，其中一個所述信號通道中的一個燈區電源線與另一個所述信號通道中的一個所述燈區電源線相鄰設置；該相鄰設置的兩個所述燈區電源線相互連接為合併的燈區電源線；所述合併的燈區電源線為兩個所述信號通道中的燈區提供所述燈區電源電壓； 任意一個所述合併的燈區電源線與所述參考電源線之間，設置有3~5個所述第一電容器。

在本掲露的一種實施方式中，任意一個所述晶片電源線與所述參考電源線之間，設置有2~4個所述第二電容器。

在本掲露的一種實施方式中，所述發光基板設置有溫度感測器，以及用於向所述溫度感測器載入溫度感測器電源電壓的溫度感測器電源線； 任意一個所述溫度感測器電源線與所述參考電源線之間，設置有第三電容器。

在本掲露的一種實施方式中，所述發光基板包括依次層疊設置的襯底基板、驅動金屬層、第一絕緣層、佈線金屬層、第二絕緣層和器件層； 所述驅動金屬層設置有所述第一驅動走線、所述第二驅動走線和所述參考電源線； 所述燈區包括電連接的多個發光元件；所述發光元件和所述晶片設置於所述器件層； 所述佈線金屬層設置有用於接合所述發光元件的發光元件焊墊組、用於接合所述晶片的晶片焊墊組、用於與所述發光元件焊墊組和所述晶片焊墊組電連接的連接走線。

在本掲露的一種實施方式中，所述佈線金屬層設置有與至少部分所述參考電源線對應的參考電源降阻結構；所述參考電源降阻結構與對應的所述參考電源線通過通孔連接。

在本掲露的一種實施方式中，所述參考電源降阻結構在所述襯底基板上的正投影，位於對應的所述參考電源線在所述襯底基板的正投影的範圍內。

在本掲露的一種實施方式中，所述參考電源降阻結構與對應的所述參考電源線之間的至少部分通孔，環繞所述參考電源降阻結構的邊緣分佈。

在本掲露的一種實施方式中，在所述信號通道中，多個所述參考電源線具有寬度最大的一個或者兩個主參考電源線；所述參考電源降阻結構與所述主參考電源線連接。

在本掲露的一種實施方式中，所述驅動金屬層設置有用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線；所述佈線金屬層設置有與所述燈區電源線對應的燈區電源降阻結構；所述燈區電源線與對應的所述燈區電源降阻結構之間通過通孔連接。

在本掲露的一種實施方式中，所述燈區電源降阻結構與對應的所述燈區電源線之間的至少部分通孔，環繞所述燈區電源降阻結構的邊緣分佈。

在本掲露的一種實施方式中，所述燈區電源降阻結構在所述襯底基板上的正投影，與對應的所述燈區電源線在所述襯底基板上的正投影重合。

在本掲露的一種實施方式中，所述驅動金屬層設置有用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線；所述佈線金屬層設置有與所述晶片電源線對應的晶片電源降阻結構；所述晶片電源降阻結構與對應的所述晶片電源線之間通過通孔連接。

在本掲露的一種實施方式中，所述晶片電源降阻結構與對應的所述晶片電源線之間的至少部分通孔，沿列方向直線排列。

根據本掲露的第二個方面，提供一種顯示裝置，包括上述的發光基板。

應當理解的是，以上的一般描述和後文的細節描述僅是示例性和解釋性的，並不能限制本掲露。

現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限於在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本掲露將全面和完整，並將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結構，因而將省略它們的詳細描述。此外，附圖僅為本掲露的示意性圖解，並非一定是按比例繪製。

雖然本說明書中使用相對性的用語，例如“上”、“下”來描述圖示的一個元件對於另一元件的相對關係，但是這些術語用於本說明書中僅出於方便，例如根據附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖示的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會成為在“下”的組件。當某結構在其它結構“上”時，有可能是指某結構一體形成於其它結構上，或指某結構“直接”設置在其它結構上，或指某結構通過另一結構“間接”設置在其它結構上。

用語“一個”、“一”、“該”、和“至少一個”用以表示存在一個或多個要素/組成部分/等；用語“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內的意思並且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等；用語“第一”、“第二”和“第三”等僅作為標記使用，不是對其對象的數量限制。

在本掲露中，除非特別說明，否則走線的寬度指的是，該走線在行方向上的尺寸。

在本掲露中，除非特別說明，當描述兩個結構之間的相對位置關係時，指的是兩個結構在襯底基板上的正投影之間的位置關係。當說明兩個結構相對於襯底基板的位置關係時，指的是兩個結構在垂直於襯底基板方向上的位置關係，即兩個結構所處的膜層之間的層得關係。

當描述兩個結構之間交疊時，指的是兩個結構處於不同的膜層，且兩個結構在襯底基板上的正投影至少部分重合。當描述兩個結構之間完全交疊時，指的是其中一個結構在襯底基板上的正投影，完全在另一個結構在襯底基板上的正投影內。當描述兩個結構之間不交疊時，指的是其中一個結構在襯底基板上的正投影，在另一個結構在襯底基板上的正投影之外。

本掲露提供一種發光基板以及具有該發光基板的顯示裝置。參見圖21，該發光基板包括依次層疊設置的襯底基板BP、驅動金屬層Cu1、第一絕緣層OC1、佈線金屬層Cu2、第二絕緣層OC2和器件層。其中，驅動金屬層Cu1形成有驅動走線，驅動走線用於與外部電路（例如電路板）電連接，並向位於器件層的電子元件提供信號和電源。佈線金屬層Cu2通過通孔與驅動金屬層Cu1連接，其設置有用於接合電子元件的焊墊和與焊墊連接的連接走線，至少部分連接走線與驅動走線電連接以向各個電子元件載入信號和電源（在本掲露中，可以將用於載入電源電壓的驅動走線定義為電源走線）。其中，第一絕緣層OC1用於隔離驅動金屬層Cu1和佈線金屬層Cu2，其設置有使得驅動金屬層Cu1和佈線金屬層Cu2電連接的通孔。第二絕緣層OC2用於對佈線金屬層Cu2進行保護，其設置有暴露焊墊的通孔，以使得電子元件可以通過通孔與焊墊接合連接。

在本掲露中，驅動金屬層Cu1和/或佈線金屬層Cu2上還可以設置有用於與外部電路接合連接的接合焊墊。接合焊墊可以設置於發光基板的邊緣。發光基板在靠近接合焊墊的一端設置有扇出區，扇出區內設置有與各個驅動走線一一對應電連接的扇出走線，扇出走線可以彎折以連接至對應的接合焊墊上。其中，扇出走線可以設置於驅動金屬層Cu1，也可以設置於佈線金屬層Cu2；部分扇出走線還可以在驅動金屬層Cu1和佈線金屬層Cu2之間跨接設置。在本掲露的一種實施方式中，扇出區可以跨越2~4個燈區行，例如跨越三個燈區行。

在本掲露中，可以將驅動走線在非扇出區部分的延伸方向定義為列(column)方向H2，將垂直於列方向H2且平行於發光基板所在平面的方向定義為行(row)方向H1。在本掲露的一些實施方式中，扇出區和接合焊墊位於發光基板的列方向H2的其中一端。進一步地，在發光基板遠離扇出區的一端，至少部分載入相同電源的驅動走線（即電源走線）可以相互電連接。可以理解的是，在發光基板的端部，相同的電源走線之間既可以通過位於驅動金屬層Cu1的導電結構電連接，也可以通過位於佈線金屬層Cu2的導電結構電連接，還可以同時利用驅動金屬層Cu1和佈線金屬層Cu2的導電結構進行電連接，本掲露對此不做特殊的限定。

舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，電源走線可以包括用於載入參考電源電壓GND的參考電源線GNDA、用於載入燈區電源電壓VLED的燈區電源線VLEDA。在遠離扇出區的一端，各個參考電源線GNDA之間通過位於驅動金屬層Cu1和/或佈線金屬層Cu2的導電走線電連接，各個燈區電源線VLEDA之間通過位於驅動金屬層Cu1和/或佈線金屬層Cu2的導電走線電連接。

當然的，在本掲露的其他實施方式中，發光基板的列方向H2的兩端可以均設置有接合焊墊和與接合焊墊毗鄰的扇出區。用於驅動發光基板的外部電路，可以與任意一端的接合焊墊電連接，以驅動該發光基板。

如下，從各個膜層的材料的角度，對本掲露的發光基板的各個膜層進行示例性地的介紹和說明。

在本掲露中，襯底基板BP可以為無機材料的襯底基板BP，也可以為有機材料的襯底基板BP。舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，襯底基板BP的材料可以為鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、藍寶石玻璃等玻璃材料，即襯底基板BP可以為玻璃基板。在本掲露的另一種實施方式中，襯底基板BP的材料可以為聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚碸(Polyether sulfone，PES)、聚醯亞胺、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其組合，即襯底基板BP可以為有機柔性基板。當然地，在本掲露的其他實施方式中，襯底基板BP還可以為其他材料和結構，例如為多層複合的襯底基板BP，以能夠有效的支撐發光基板為準。

在一些實施方式中，驅動金屬層Cu1的厚度可以大於佈線金屬層Cu2的厚度，以降低各個驅動走線的阻抗，降低發光基板的功耗並降低發光基板的調試難度，提高發光基板的發光均一性。可選地，可以採用電鍍銅、化學鍍銅、多層薄金屬層層疊或者其他可行的方法進行製備，以使得驅動金屬層Cu1具有滿足發光基板的電學性能所需的厚度為準。其中，任意薄層金屬層可以採用磁控濺鍍的方法進行製備。佈線金屬層Cu2層可以採用磁控濺鍍的方法進行製備。在本掲露的一種實施方式中，驅動金屬層Cu1的厚度可以在1~20微米之間，例如在2~5微米之間。在本掲露的一種實施方式中，佈線金屬層Cu2的厚度在0.3~0.8微米之間，例如在0.3~0.5微米之間。當然地，在本掲露的其他實施方式中，驅動金屬層Cu1和佈線金屬層Cu2的厚度可以相差不大，以能夠滿足發光基板對驅動走線的電學性能要求為準。

可選地，驅動金屬層Cu1可以包括一層或者多層層疊的金屬層。在本掲露的一種實施方式中，驅動金屬層Cu1中至少包括一層銅金屬層，以提高驅動金屬層Cu1的導電性能，降低驅動金屬層Cu1的方阻。進一步地，驅動金屬層Cu1中還可以包括其他金屬層，例如包括位於銅金屬層上（遠離襯底基板BP一側）或者下（靠近襯底基板BP一側）的合金層（例如鉬鈮合金層）。

在本掲露的一種實施方式中，可以在襯底基板BP上通過微影製程形成驅動金屬層Cu1，包括濺鍍（Sputter）、清潔（Cleaning）、塗覆（Coating）、烘烤、曝光（Photo）、顯影、硬烤、蝕刻（Etch）、剝離等步驟。

在一些實施方式中，在驅動金屬層Cu1上表面（遠離襯底基板BP的表面）還可以設置有第一鈍化層，第一鈍化層用於保護驅動金屬層Cu1，避免驅動金屬層Cu1在製程過程中被氧化。第一鈍化層的材料可以為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽等無機絕緣材料，尤其是可以為氮化矽。

第一絕緣層OC1設置於驅動金屬層Cu1遠離襯底基板BP的一側。在一些實施方式中，第一絕緣層OC1的材料可以為光敏樹脂等有機材料；可以通過塗覆、曝光、顯影的製程形成第一絕緣層OC1，使得第一絕緣層OC1覆蓋驅動金屬層Cu1且形成有暴露部分驅動金屬層Cu1的通孔。當發光基板設置有第一鈍化層時，第一絕緣層OC1形成於第一鈍化層遠離襯底基板BP的一側。在第一絕緣層OC1形成通孔後，可以以第一絕緣層OC1為罩幕，在第一鈍化層上開設暴露驅動金屬層Cu1的通孔。

在本掲露中，佈線金屬層Cu2可以包括一層或者多層層疊的金屬層。在本掲露的一種實施方式中，佈線金屬層Cu2中至少包括一層銅金屬層，以提高佈線金屬層Cu2的導電性能，降低佈線金屬層Cu2的方阻。進一步地，佈線金屬層Cu2中還可以包括其他金屬層，例如包括位於銅金屬層上（遠離襯底基板BP一側）或者下（靠近襯底基板BP一側）的合金層（例如鉬鈮合金層）。

在本掲露的一種實施方式中，可以在襯底基板BP上通過微影製程形成佈線金屬層Cu2，包括濺鍍（Sputter）、清潔（Cleaning）、塗覆（Coating）、烘烤、曝光（Photo）、顯影、硬烤、蝕刻（Etch）、剝離等步驟。

在一些實施方式中，在佈線金屬層Cu2上表面（遠離襯底基板BP的表面）還可以設置有第二鈍化層，第二鈍化層用於保護佈線金屬層Cu2，避免佈線金屬層Cu2在發光基板的製備過程中被氧化。第二鈍化層的材料可以為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽等無機絕緣材料，尤其是可以為氮化矽。

第二絕緣層OC2設置於佈線金屬層Cu2遠離襯底基板BP的一側。在一些實施方式中，第二絕緣層OC2的材料可以為光敏樹脂等有機材料。可以通過塗覆、曝光、顯影的製程形成第二絕緣層OC2，使得第二絕緣層OC2覆蓋佈線金屬層Cu2且形成有暴露部分佈線金屬層Cu2的通孔。當發光基板設置有第二鈍化層時，第二絕緣層OC2形成於第二鈍化層遠離襯底基板BP的一側。在第二絕緣層OC2形成通孔後，可以以第二絕緣層OC2為罩幕，在第二鈍化層上開設暴露焊墊的通孔。

可以理解的是，在本掲露的其他實施方式中，驅動金屬層Cu1、佈線金屬層Cu2的材料、膜層結構和形成方法，還可以為其他可行方式，以能夠形成滿足發光基板電性需求的驅動金屬層Cu1、佈線金屬層Cu2為準。相應的，第一絕緣層OC1、第二絕緣層OC2的材料和形成方法，也可以為其他可行方式。

在本掲露中，器件層可以包括與佈線金屬層Cu2接合連接的各個電子元件，這些電子元件可以包括發光元件和驅動發光元件的晶片IC。對應的，在佈線金屬層Cu2上的焊墊包括用於與發光元件接合的發光元件焊墊組LEDPAD和用於與晶片IC接合的晶片焊墊組ICPAD。在一些實施方式中，電子元件還可以包括溫度感測器，則佈線金屬層Cu2還可以包括用於與溫度感測器接合的溫度感測器焊墊組。在一些實施方式中，電子元件還可以包括電容器，則佈線金屬層Cu2則還可以設置有用於與電容器接合連接的電容器焊墊組。在一些實施方式中，發光元件可以為LED（發光二極體）、Mini LED（次毫米發光二極體，Mini Light Emitting Diode）、Micro LED（微型發光二極體，Micro Light Emitting Diode）等主動發光的電子元件，在本掲露的附圖中均以LED表示和示意。

在本掲露的一種實施方式中，發光元件為Mini LED。其中，Mini LED的截面尺寸(長、寬或者對角線或者直徑等參數)在大約100μm到大約300μm之間。

在本掲露的另一種實施方式中，發光元件為Micro LED。其中，Mini LED的截面尺寸(長、寬或者對角線或者直徑等參數)在100μm以下。

可以理解的是，在本掲露的其他實施方式中，器件層還可以包括更多種類的電子元件，佈線金屬層Cu2可以根據電子元件的種類和位置，設置與之對應的焊墊。

從俯視的角度看，參見圖2，本掲露的發光基板可以包括沿行方向H1依次排列的多個信號通道CH（圖2示出了一個信號通道CH的局部原理示意圖）；每個信號通道CH包括沿列方向H2排列的多個控制區BB；每個控制區BB包括由同一晶片IC（圖2中示出了用於接合該晶片IC的晶片焊墊組ICPAD）控制的至少一個燈區AA。在本掲露的一種實施方式中，每個控制區BB包括由同一晶片IC控制的多個燈區AA，例如四個燈區AA。其中，每個燈區AA包括一個或者多個電連接的發光元件。在本掲露的一種實施方式中，每個燈區AA包括多個電連接的發光元件，例如包括依次串聯的四個發光元件。可以理解的是，在一個燈區AA中，發光元件的數量可以為四個以外的其他數量，例如為兩個、六個、九個等等，燈區AA中的發光元件可以並聯或則串聯，本掲露對此不做特殊限制，以燈區AA中的各個發光元件能夠同步工作為準。

圖1示出了本掲露一種實施方式中的晶片IC同時驅動四個燈區AA的原理示意圖。參見圖1，晶片IC包括四個輸出接腳（即第一輸出接腳OUT1D、第二輸出接腳OUT2D、第三輸出接腳OUT3D、第四輸出接腳OUT4D）、時鐘信號接腳CLKD、參考電源接腳GNDD、驅動資料接腳DataD、晶片電源接腳VCCD、位址中繼接腳DOSD、位址配置接腳DISD等十個接腳。其中，第一輸出接腳OUT1D、第二輸出接腳OUT2D、第三輸出接腳OUT3D、第四輸出接腳OUT4D分別與一個燈區AA的第二端電連接，燈區AA的第一端用於載入燈區電源電壓VLED。參考電源接腳GNDD用於向晶片IC載入參考電源電壓GND，時鐘信號接腳CLKD用於向晶片IC載入時鐘信號CLK，驅動資料接腳DataD用於向晶片IC載入驅動資料信號Data，晶片電源接腳VCCD用於向晶片IC載入晶片電源電壓VCC，位址配置接腳DISD用於向晶片IC載入位址配置信號DIS，晶片IC通過位址中繼接腳DOSD輸出位址中繼信號DOS。

圖1示出了本掲露一種實施方式中，晶片IC的各個接腳的排列方式。參加圖1，晶片IC的各個接腳排列為兩列，每列包括5個接腳。其中，每列具有兩個輸出接腳。在本掲露的一種實施方式中，第一列接腳包括依次排列的時鐘信號接腳CLKD、第一輸出接腳OUT1D、位址配置接腳DISD、第三輸出接腳OUT3D、晶片電源接腳VCCD，第二列接腳包括依次排列的驅動資料接腳DataD、第二輸出接腳OUT2D、位址中繼接腳DOSD、第四輸出接腳OUT4D、參考電源接腳GNDD。可以理解的是，在本掲露的其他實施方式中，晶片IC的各個接腳還可以採用其他的方式進行排列，例如調整每一列接腳中各個接腳的排列順序或者使得各個接腳在兩列中重新分佈，亦或可以使得各個接腳排列成三列或者四列等，以使得晶片IC包括上述的十個接腳為準。

參見圖2，同一信號通道CH中，各個晶片IC（圖2中示出了用於接合晶片IC的晶片焊墊組ICPAD）可以依次級聯。在相鄰級聯的兩個晶片IC中，上一級晶片IC的位址中繼接腳DOSD可以與下一級晶片IC的位址配置接腳DISD電連接，使得上一級晶片IC的位址中繼信號DOS作為下一級晶片IC的位址配置信號DIS。其中，各個晶片IC與各個控制區BB一一對應設置，每個控制區BB包括四個燈區AA，且該四個燈區AA由該控制區BB所對應的晶片IC驅動。晶片IC可以位於對應的控制區BB中，可以位於對應的控制區BB以外，以能夠實現對控制區BB中的四個燈區AA的驅動為準。

本掲露的晶片IC在工作時，可以此次在位址配置模式、驅動配置模式和器件驅動模式下工作。在位址配置模式下，外部電路可以向晶片IC的位址配置焊墊DISP載入位址配置信號DIS，晶片IC可以根據所接收的位址配置信號DIS來配置自身的位址，並自動生成位址中繼信號DOS並通過位址中繼焊墊DOSP輸出。晶片IC所輸出的位址中繼信號DOS，可以作為下一級的位址配置信號DIS，使得下一級晶片IC進行位址配置。如此，一個信號通道CH中的各個晶片IC可以依次完成位址配置，確定自身的位址資訊。最後一級晶片IC所輸出的位址中繼信號DOS可以回饋至外部電路。在驅動配置模式下，外部電路向同一信號通道CH中的各個晶片IC發送驅動資料信號Data和時鐘信號CLK。具體的，外部電路向晶片IC的時鐘信號焊墊CLKP載入時鐘信號CLK，向晶片IC的驅動資料焊墊DataP載入驅動資料信號Data。其中，時鐘信號CLK用於控制晶片IC對驅動資料信號Data的取樣，例如使得驅動資料焊墊DataP在時鐘信號CLK的上升沿或者下降沿進行取樣。驅動資料信號Data中包含各個晶片IC的驅動資料資訊，每個驅動資料資訊均與一個位址資訊相對應（例如驅動資料資訊具有位址資訊標籤）。各個晶片IC可以根據自身的位址資訊，進而接收自身所需的驅動資料資訊。在器件驅動模式下，晶片IC可以根據所接收的驅動資料資訊，進而控制各個輸出接腳的開啟或者關閉，進而實現對各個燈區的控制。

圖2和圖3示出了本掲露的一些實施方式中，發光基板在一個信號通道CH中的原理示意圖。在圖2和圖3中，示出了用於與晶片IC接合連接的晶片焊墊組ICPAD。在圖2和圖3中，各個驅動走線的順序僅僅為原理性示意，並不表示本掲露的發光基板的各個驅動走線按照圖2和圖3所示的順序進行排列。

參見圖2，驅動金屬層Cu1中設置有驅動走線，這些驅動走線包括用於載入參考電源電壓GND的參考電源線GNDA、用於載入燈區電源電壓VLED的燈區電源線VLEDA、用於載入晶片電源電壓VCC的晶片電源線VCCA、用於載入位址配置信號DIS的位址配置線DSA、用於載入驅動資料信號Data的驅動資料線DataA和用於載入時鐘信號CLK的時鐘信號線CLKA等。

用於與晶片IC接合連接的晶片焊墊組ICPAD設置於佈線金屬層Cu2。晶片焊墊組ICPAD包括用於與參考電源接腳GNDD接合連接的參考電源焊墊GNDP、用於與晶片電源接腳VCCD接合連接的晶片電源焊墊VCCP、用於與驅動資料接腳DataD接合連接的驅動資料焊墊DataP、用於與時鐘信號接腳CLKD接合連接的時鐘信號焊墊CLKP、用於與位址配置接腳DISD接合連接的位址配置焊墊DISP、用於與位址中繼接腳DOSD接合連接的位址中繼焊墊DOSP、各分別與四個輸出接腳接合連接的四個輸出焊墊。四個輸出焊墊包括用於與第一輸出接腳OUT1D接合連接的第一輸出焊墊OUT1P、用於與第二輸出接腳OUT2D接合連接的第二輸出焊墊OUT2P、用於與第三輸出接腳OUT3D接合連接的第三輸出焊墊OUT3P、用於與第四輸出接腳OUT4D接合連接的第四輸出焊墊OUT4P等十個焊墊。

晶片焊墊組ICPAD的各個焊墊的排布方式可以跟晶片IC的接腳的排布方式相匹配，使得晶片IC的各個接腳能夠一一對應的接合至各個焊墊上。在本掲露的一種實施方式中，參見圖2，在一個晶片焊墊組ICPAD中，十個焊墊排列成兩列。第一列焊墊包括依次排列的時鐘信號焊墊CLKP、第一輸出焊墊OUT1P、位址配置焊墊DISP、第三輸出焊墊OUT3P、晶片電源焊墊VCCP，第二列焊墊包括依次排列的驅動資料焊墊DataP、第二輸出焊墊OUT2P、位址中繼焊墊DOSP、第四輸出焊墊OUT4P、參考電源焊墊GNDP。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖2和圖3，晶片電源焊墊VCCP和驅動資料焊墊DataP分別設置於晶片焊墊組ICPAD的兩列焊墊中，以設置有晶片電源焊墊VCCP的一列焊墊為第一列焊墊，以設置有驅動資料焊墊DataP的一列焊墊為第二列焊墊。其中，晶片焊墊組ICPAD在設置時，各列焊墊可以沿列方向H2延伸。這樣，沿行方向H1，晶片電源焊墊VCCP位於驅動資料焊墊DataP的一側。在本掲露中，可以將行方向H1的其中一個特定方向定義為預設方向H11，以使得驅動資料焊墊DataP位於晶片電源焊墊VCCP的預設方向H11一側。

參加圖7和圖8，佈線金屬層Cu2中還設置有用於接合發光元件的發光元件焊墊組LEDPAD。其中，發光元件焊墊組LEDPAD可以包括用於與發光元件陽極連接的發光元件第一焊墊LEDPAD1和與發光元件陰極連接的發光元件第二焊墊LEDPAD2。

佈線金屬層Cu2中還可以設置有連接走線，連接走線可以與發光元件焊墊組LEDPAD和晶片焊墊組ICPAD連接。

連接走線可以包括與發光元件焊墊組LEDPAD電連接的燈區連接線LEDL，同一燈區AA中的發光元件焊墊組LEDPAD之間通過燈區連接線LEDL電連接，以使得同一燈區AA中的發光元件電連接。其中，燈區AA中的一個發光元件第二焊墊LEDPAD2可以作為燈區AA的第二端而通過燈區連接線LEDL與輸出焊墊（第一輸出焊墊OUT1P、第二輸出焊墊OUT2P、第三輸出焊墊OUT3P、第四輸出焊墊OUT4P中的任意一個）連接，燈區AA中的一個發光元件第一焊墊LEDPAD1可以作為燈區AA的第一端而通過燈區連接線LEDL與燈區電源線VLEDA連接。

連接走線還包括參考電源連接線GNDL、晶片電源連接線VCCL、驅動資料連接線DataL、位址配置連接線DISL、位址中繼連接線DOSL、時鐘信號連接線CLKL等。其中，參考電源焊墊GNDP通過參考電源連接線GNDL與參考電源線GNDA電連接，晶片電源焊墊VCCP通過晶片電源連接線VCCL與晶片電源線VCCA電連接，驅動資料焊墊DataP通過驅動資料連接線DataL與驅動資料線DataA電連接，位址配置焊墊DISP通過位址配置連接線DISL與位址配置線DSA連接，位址中繼焊墊DOSP通過位址中繼連接線DOSL與位址配置線DSA連接，時鐘信號焊墊CLKP通過時鐘信號連接線CLKL與時鐘信號線CLKA連接。

參見圖2，一個晶片焊墊組ICPAD與兩個位址配置線DSA電連接，其中與位址配置焊墊DISP電連接的位址配置線DSA可以定義為該晶片焊墊組ICPAD的前位址配置線DSA，與位址中繼焊墊DOSP電連接的位址配置線DSA可以定義為該晶片焊墊組ICPAD的後位址配置線DSA。可以理解的是，在級聯的兩個晶片IC中，上一級晶片IC對應的晶片焊墊組ICPAD的後位址配置線DSA，與下一級晶片IC對應的晶片焊墊組ICPAD的後位址配置線DSA為同一位址配置線DSA。

參見圖4、圖9、圖14和圖15，在本掲露的一些實施方式中，發光基板的每個信號通道CH中，設置有多條用於向晶片載入不同驅動信號（非電源信號）的驅動走線，例如設置有用於載入不同驅動信號的第一驅動走線和第二驅動走線。每個信號通道CH中還設置有多個參考電源線GNDA。其中，同一信號通道CH中的各個參考電源線GNDA之間電連接，且第一驅動走線和第二驅動走線之間設置有至少一條參考電源線GNDA。這樣，第一驅動走線和第二驅動走線之間可以通過參考電源線GNDA進行屏蔽，避免不同的驅動走線上所載入的不同的驅動信號之間的相互干擾，進而降低至少部分驅動走線上的噪音。

在一些示例中，第一驅動走線為時鐘信號線CLKA；第二驅動走線為驅動資料線DataA或者位址配置線DSA。

舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，第一驅動走線為時鐘信號線CLKA；第二驅動走線為驅動資料線DataA。這樣，本掲露的發光基板通過在驅動資料線DataA和時鐘信號線CLKA之間設置參考電源線GNDA作為屏蔽走線，可以減小或者消除驅動資料線DataA上載入的驅動資料信號Data對時鐘信號線CLKA上載入的時鐘信號CLK的干擾，克服了時鐘信號CLK作為高頻信號易被干擾的缺陷，進而使得晶片IC工作狀態更穩定。不僅如此，在每個信號通道CH中，各個參考電源線GNDA之間相互電連接，這樣可以使得各個參考電源線GNDA之間的電流可以相互流通，可以平抑單個參考電源線GNDA上的電流波動進而使得參考電源電壓GND更穩定，降低參考電源電壓GND噪音。另一方面，這可以使得信號通道CH內的參考電源線GNDA的整體阻抗降低，進一步提高信號通道CH內的參考電源電壓GND的信號穩定性。

在本掲露的一種實施方式中，同一信號通道CH中，各個參考電源線GNDA和參考電源焊墊GNDP之間通過參考電源連接線GNDL電連接。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖7和圖8，至少部分晶片IC對應的晶片焊墊組ICPAD設置於該晶片IC對應的控制區BB中。在該控制區BB中設置有參考電源連接線GNDL，該參考電源連接線GNDL與參考電源焊墊GNDP、各個參考電源線GNDA電連接。這樣，可以使得信號通道CH中的參考電源電壓GND呈網格化，進一步提高發光基板的穩定性。

在本掲露的一些實施方式中，在一個信號通道CH中，多個參考電源線GNDA的尺寸並不完全相同。可以將具有較大寬度的參考電源線GNDA記為主參考電源線GNDA，將具有較小寬度、主要用於屏蔽時鐘信號線CLKA、驅動資料線DataA等驅動走線的參考電源線GNDA記為輔助參考電源線GNDA。在本掲露的一種實施方式中，主參考電源線GNDA的寬度大於晶片電源線VCCA的寬度，晶片電源線VCCA的寬度大於各個輔助參考電源線GNDA的寬度。在本掲露的一種實施方式中，主參考電源線GNDA可以與燈區電源線VLEDA相鄰設置。當然的，當信號通道CH中設置兩條燈區電源線VLEDA，且設置一條主參考電源線GNDA時，主參考電源線GNDA與其中一條燈區電源線VLEDA相鄰設置；另一條燈區電源線VLEDA可以與輔助參考電源線GNDA相鄰，也可以不與參考電源線GNDA相鄰。

在本掲露的一種實施方式中，主參考電源線GNDA可以與燈區AA交疊，且與至少部分晶片IC不交疊。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖4，在一個信號通道CH中，沿預設方向H11，驅動走線包括依次設置的燈區電源線VLEDA、參考電源線GNDA、晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA、參考電源線GNDA、驅動資料線DataA、參考電源線GNDA、燈區電源線VLEDA。其中，各個驅動走線在整體上沿列方向H2延伸。在該實施方式中，信號通道CH中兩側的兩個參考電源線GNDA為主參考電源線GNDA，主參考電源線GNDA主要用於向晶片IC載入參考電源電壓GND。兩個主參考電源線GNDA之間的參考電源線GNDA為輔助參考電源線GNDA，輔助參考電源線GNDA與時鐘信號線CLKA相鄰設置，以屏蔽其他驅動走線上的信號對時鐘信號線CLKA的串擾。參見圖4，主參考電源線GNDA的寬度大於輔助參考電源線GNDA的寬度。在本掲露的一種實施方式中，晶片焊墊組ICPAD設置於兩個主參考電源線GNDA之間，以使得晶片焊墊組ICPAD在行方向上靠近信號通道的中心。

在本掲露的另一種實施方式中，參見圖14，在位址配置線DSA和時鐘信號線CLKA之間，也可以額外設置輔助參考電源線GNDA，這樣，時鐘信號線CLKA夾設於兩個輔助參考電源線GNDA之間，更不容易受到其他信號的串擾。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖2、圖4~圖8，發光基板具有用於佈設晶片焊墊組ICPAD的晶片區ICA，晶片焊墊組ICPAD佈設於晶片區ICA內。在一個晶片焊墊組ICPAD中，相較於位址中繼焊墊DOSP，位址配置焊墊DISP靠近晶片電源線VCCA設置。其中，晶片焊墊組ICPAD位於晶片電源線VCCA和位址配置線DSA之間。驅動金屬層Cu1在晶片焊墊組ICPAD靠近晶片電源線VCCA的一側設置有位址配置轉接結構DSC，位址配置轉接結構DSC與該晶片焊墊組ICPAD的前位址配置線DSA電連接。這樣，該晶片焊墊組ICPAD的位址中繼焊墊DOSP可以通過位址中繼連接線DOSL與該晶片焊墊組ICPAD的後位址配置線DSA電連接，該晶片焊墊組ICPAD的位址配置焊墊DISP可以通過位址配置連接線DISL與DAC電連接，進而與該晶片焊墊組ICPAD的前位址配置線DSA電連接。在本掲露的一些實施方式中，參見圖4，晶片電源線VCCA設置有晶片電源線避讓缺口VCCAG。位址配置轉接結構DSC部分設置於晶片電源線避讓缺口VCCAG。如此，晶片電源線VCCA可以通過晶片電源線避讓缺口VCCAG避讓位址配置轉接結構DSC，進而節省空間以增大驅動走線的寬度。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖4，晶片電源線VCCA設置晶片電源線避讓缺口VCCAG的部分為晶片電源線VCCA的避讓段，晶片電源線VCCA不設置晶片電源線避讓缺口VCCAG的部分為晶片電源線VCCA的布線段。由於晶片電源線避讓缺口VCCAG的設置，晶片電源線VCCA的避讓段的寬度小於晶片電源線VCCA的布線段的寬度。進一步地晶片電源線VCCA的避讓段和布線段，遠離晶片焊墊組ICPAD的邊緣為同一邊緣。換言之，晶片電源線VCCA可以通過設置晶片電源線避讓缺口VCCAG的方式避讓位址配置轉接結構DSC，而無需通過彎折的方式避讓位址配置轉接結構DSC，進而避免彎折對各個驅動走線的影響。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖5和圖6，部分參考電源線GNDA設置有參考電源線避讓缺口GNDAG，以避讓發光元件焊墊組LEDPAD，例如主參考電源線GNDA設置有參考電源線避讓缺口GNDAG。這樣，可以避免發光元件焊墊組LEDPAD與參考電源線GNDA交疊，進而消除發光元件焊墊組LEDPAD與參考電源線GNDA之間短路的風險，提高發光基板的良率。

在本掲露的一種實施方式中，部分燈區連接線LEDL佈設於參考電源線避讓缺口GNDAG，這樣可以減小參考電源線GNDA與燈區連接線LEDL之間短路的風險，提高發光基板的良率。當然的，參見圖4~圖6，部分燈區連接線LEDL需要與參考電源線GNDA交疊，以使得燈區連接線LEDL穿過參考電源線GNDA的佈線區域以與燈區電源線VLEDA通過通孔電連接。示例性地的，在燈區AA中，主參考電源線GNDA的兩側均內縮以形成作為參考電源線避讓缺口GNDAG一部分的佈線空間，該佈線空間沿列方向H2延伸；至少部分沿列方向H2延伸的燈區連接線LEDL佈設於該佈線空間內。

示例性地，參見圖4~圖6，主參考電源線GNDA可以包括在控制區BB中的控制段和位於控制區BB之間的連接段。其中，參考電源線避讓缺口GNDAG設置於主參考電源線GNDA的控制段，其不僅設置有凹陷部分，而且在寬度上也小於主參考電源線GNDA的連接段。主參考電源線GNDA的控制段相較於主參考電源線GNDA的連接段所設置的凹陷部分和收縮部分，可以作為參考電源線避讓缺口GNDAG。其中，沿列方向H2，燈區連接線LEDL在主參考電源線GNDA的連接段之間設置。

當然的，在本掲露的其他實施方式中，主參考電源線GNDA也可以不設置參考電源線避讓缺口，部分發光元件焊墊組LEDPAD、部分燈區連接線LEDL可以與參考電源線GNDA交疊。這樣，避免參考電源線GNDA設置參考電源線避讓缺口GNDAG而對阻抗的影響。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖7~圖8，佈線金屬層Cu2設置有參考電源連接線GNDL，參考電源連接線GNDL與各個參考電源線GNDA通過通孔HH連接。換言之，參考電源連接線GNDL可以設置於晶片焊墊組ICPAD靠近參考電源焊墊GNDP的一側，且行方向H1的兩端分別與主參考電源線GNDA電連接，中間部分通過通孔H與輔助參考電源線GNDA電連接，且與參考電源焊墊GNDP電連接。這樣，參考電源連接線GNDL不僅使得主參考電源線GNDA和輔助參考電源線GNDA電連接，提高了參考電源線GNDA上信號的穩定性，而且可以有效的向晶片IC提供參考電源電壓GND。

當然的，在本掲露的其他實施方式中，晶片焊墊組ICPAD與驅動走線之間的相對位置還可以為其他方式。

舉例而言，在本掲露的另外一些實施方式中，參見圖14，在一個信號通道CH中，驅動走線包括沿預設方向H11依次排列的燈區電源線VLEDA（圖14中未示出）、主參考電源線GNDA、晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、輔助參考電源線GNDA、時鐘信號線CLKA、輔助參考電源線GNDA、驅動資料線DataA、位址配置線DSA、主參考電源線GNDA和燈區電源線VLEDA（圖14中未示出）。其中，晶片焊墊組ICPAD的第一列接腳設於中位址配置線DSA與時鐘信號線CLKA之間，例如與這兩個驅動走線之間的輔助參考電源線GNDA交疊；晶片焊墊組ICPAD的第二列接腳與時鐘信號線CLKA交疊。在該實施方式中，位於兩側的兩個位址配置線DSA可以通過位於佈線金屬層Cu2的位址配置轉接結構DSC（圖14中未示出）進行跨接連接，進而使得位於兩側的兩個位址配置線DSA電連接為一個整體。

在一種示例中，參見圖14，晶片電源線VCCA可以不設置晶片電源線避讓缺口VCCAG以避讓晶片焊墊組ICPAD或者其他驅動走線，進而保證晶片電源線VCCA上的壓降較小。

在一種示例中，參見圖14，晶片電源線VCCA的寬度小於主參考電源線GNDA的寬度，大於輔助參考電源線GNDA的寬度。位址配置線DSA、驅動資料線DataA、時鐘信號線CLKA等驅動走線的寬度相同，且小於輔助參考電源線GNDA的寬度。

在一種示例中，參見圖14，參考電源連接線GNDL可以與各個主參考電源線GNDA、各個輔助參考電源線GNDA和參考電源焊墊GNDP電連接。

再示例性地，在本掲露的另外一些實施方式中，參見圖15，在一個信號通道CH中，驅動走線包括沿預設方向H11依次排列的燈區電源線VLEDA（圖15中未示出）、主參考電源線GNDA、晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA、輔助參考電源線GNDA、驅動資料線DataA、位址配置轉接結構DSC、主參考電源線GNDA、燈區電源線VLEDA（圖15中未示出）。其中，輔助參考電源線GNDA的寬度不小於晶片焊墊組ICPAD的寬度。這樣，晶片焊墊組ICPAD可以設置在輔助參考電源線GNDA上或者在輔助參考電源線GNDA斷開所形成的避讓空間內。

在一種示例中，參見圖15，輔助參考電源線GNDA在晶片焊墊組ICPAD處斷開以形成避讓空間作為佈設晶片焊墊組ICPAD的晶片區ICA，晶片焊墊組ICPAD設置於該晶片區ICA內。這樣，位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA、驅動資料線DataA、位址配置轉接結構DSC走線可以無需彎折以避讓晶片焊墊組ICPAD。輔助參考電源線GNDA被避讓空間分割為多段。進一步地，輔助參考電源線GNDA靠近晶片焊墊組ICPAD的一端均與參考電源連接線GNDL電連接。這樣，參考電源連接線GNDL包括第一參考電源連接線GNDL1和第二參考電源連接線GNDL2；第一參考電源連接線GNDL1和第二參考電源連接線GNDL2分別與靠近晶片焊墊組ICPAD的兩個輔助參考電源線GNDA的端部連接，且均與兩個主參考電源線GNDA連接。

在一種示例中，晶片電源線VCCA設置有晶片電源線避讓缺口VCCAG；主參考電源線GNDA具有向晶片焊墊組ICPAD一側延伸的參考電源線延伸部GNDE，部分參考電源線延伸部GNDE可以設置於晶片電源線避讓缺口VCCAG中。這樣，參考電源連接線GNDL可以與參考電源線延伸部GNDE通過通孔HH連接，且可以避讓燈區連接線LEDL。

在一種示例中，部分或者全部晶片電源線避讓缺口VCCAG可以斷開以使得晶片電源線VCCA分為多段；相鄰兩段晶片電源線VCCA之間可以通過設置於佈線金屬層Cu2的晶片電源轉接結構VCCBC電連接。

在一種示例中，晶片電源連接線VCCL與晶片電源轉接結構VCCBC連接。

在一種示例中，晶片電源轉接結構VCCBC包括並排的兩個走線，以避免出現缺陷接地結構。

在一種示例中，晶片焊墊組ICPAD對應的前位址配置線DSA通過位址配置連接線DISL與位址配置焊墊DISP電連接。晶片焊墊組ICPAD對應的後位址配置線DSA通過一位於佈線金屬層Cu2的轉接線與位址配置轉接結構DSC電連接，位址配置轉接結構DSC通過位址中繼連接線DOSL與位址中繼焊墊DOSP電連接。

在一種示例中，位址配置線DSA、CKLA、驅動資料線DataA、位址配置轉接結構DSC寬度相同且小於輔助參考電源線GNDA。晶片電源線VCCA的寬度大於輔助參考電源線GNDA，且小於主參考電源線GNDA（圖15中未示出主參考電源線GNDA的全部）。

在一種示例中，晶片電源線VCCA與主參考電源線GNDA之間設置有用於佈設燈區連接線LEDL的間隙，以減小燈區連接線LEDL與主參考電源線GNDA的交疊，降低短路不良的風險。

在一些實施方式中，佈線金屬層Cu2還設置有多個降阻結構（例如圖6和圖7中的燈區電源降阻結構VLEDB、參考電源降阻結構GNDB、晶片電源降阻結構VCCB等），任意一個降阻結構與其中一條驅動走線對應設置。其中，降阻結構通過通孔HH連接至對應的驅動走線上。可以理解的是，任意一個驅動走線，可以對應於一個或者多個降阻結構；多個降阻結構可以對應於同一驅動走線。這樣，與降阻結構通過通孔連接的驅動走線相當於被並聯了導電通路，使得該驅動走線的阻抗降低。這一方面可以減小驅動走線的阻抗，保證信號和電源在發光基板上具有較小的壓降；另一方面，可以使得驅動走線的厚度減小或者寬度降低。

在本掲露的一種實施方式中，可以通過磁控濺鍍的方法形成厚度較小的驅動金屬層Cu1；由於佈線金屬層Cu2的降阻結構能夠降低驅動走線的阻抗，因此對驅動金屬層Cu1的厚度降低不會對發光基板的電學性能減低產生明顯的負面影響，而且可以簡化驅動金屬層Cu1的製備製程，降低發光基板的成本和厚度。在本掲露的一種實施方式中，降阻結構在襯底基板BP上的正投影，位於對應的驅動走線的正投影內。

可選地，在降阻結構和對應的驅動走線之間，可以通過通孔連接，尤其是可以通過多個通孔HH連接。圖16~圖20中，以與主參考電源線GNDA對應的參考電源降阻結構GNDB為例，例舉了降阻結構與對應的驅動走線之間的通孔HH的設置方式。可以理解的是，圖16~圖20中對通孔HH的分佈方式的例舉，僅僅為本掲露的部分實施方式的示例。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖16，降阻結構（圖16中以參考電源降阻結構GNDB作為示例）上的通孔HH可以環繞降阻結構的邊緣呈環形排列。當然的，當降阻結構寬度較小而無法呈環形時，也可以沿列方向H2排列。通孔HH的這種排列方式，一方面可以使得降阻結構與對應的驅動走線之間呈現分散且多點的連接，進而提高降阻結構和驅動走線之間電流的多樣性和靈活性，使得降阻結構與對應的驅動走線之間具有較低的接觸阻抗，減小了通孔接觸阻抗帶來的升溫問題，進而提高發光基板的信賴性。在另一方面，在降阻結構和對應的驅動走線之間具有較小的接觸面積，能夠保證降阻結構和驅動走線之間的第一絕緣層OC1面積不會過分減小，進而避免第一絕緣層OC1面積減小而導致的容值增大。

當然的，在本掲露的其他示例中，降阻結構與對應的驅動走線之間的通孔HH還按照其他的可行方式進行設置。在一種示例中，參見圖17（用參考電源降阻結構GNDB來示例降阻結構），通孔HH可以排列成多個通孔行，例如排列成位於降阻結構列方向H2的兩端的兩個通孔行；每個通孔行包括沿行方向H1延伸的多個通孔H。在另一種示例中，參見圖18（用參考電源降阻結構GNDB來示例降阻結構），通孔行中的各個通孔可以相互合併為一個通孔HH，使得該通孔HH呈沿行方向H1延伸的長條形。在另一種示例中，參見圖19（用參考電源降阻結構GNDB來示例降阻結構），環繞降阻結構邊緣的各個通孔可以依次合併，進而形成一整個環形通孔HH。在另一種示例中，參見圖20（用參考電源降阻結構GNDB來示例降阻結構），環形通孔所環繞的第一絕緣層OC1部分也被去除，使得通孔HH呈一整個腔體結構，該腔體結構的邊緣沿降阻結構的邊緣設置；這樣，位於佈線金屬層Cu2的降阻結構大面積的直接搭接與位於驅動金屬層Cu1的驅動走線，例如搭接面積達到降阻結構面積的30%以上。

在本掲露的一種實施方式中，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔HH的尺寸可以在100~300微米之間。示例性地，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔的尺寸為200微米。

在本掲露的一種實施方式中，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔HH的間距可以在800~1200微米之間。示例性地，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔的間距可以為1000微米。

在本掲露的一種實施方式中，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔HH與降阻結構的邊緣之間的距離，不小於10微米。

在本掲露的一種實施方式中，在降阻結構和對應的驅動走線之間，通孔HH的形狀可以為正方形或者圓形。當然的，通孔HH的形狀也可以為其他可行的形狀，例如矩形、六邊形等。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖4~圖8，降阻結構包括與主參考電源線GNDA對應的參考電源降阻結構GNDB；參考電源降阻結構GNDB在襯底基板BP上的正投影位於對應的主參考電源線GNDA中。其中，參考電源降阻結構GNDB通過通孔與對應的參考電源線GNDA連接。在該實施方式中，位於參考電源線GNDA與參考電源降阻結構GNDB之間的至少部分通孔可以環繞參考電源降阻結構GNDB的邊緣設置，以高效的降低參考電源線GNDA的阻抗。當然的，在本掲露的另一種實施方式中，位於參考電源線GNDA與參考電源降阻結構GNDB之間的通孔可以排列成兩個通孔行，每個通孔行包括沿行方向H1排列的多個通孔。其中，兩個通孔行可以分別設置於參考電源降阻結構GNDB在列方向H2上的兩端。在本掲露的另一種實施方式中，通孔行中的各個通孔可以依次連接而整體上呈沿行方向H1延伸的長條孔。

在本掲露的一種實施方式中，參考電源線GNDA可以包括在控制區BB中的控制段和位於控制區BB之間的連接段。

在本掲露的一種實施方式中，參考電源降阻結構GNDB可以包括與參考電源線GNDA的連接段交疊的參考電源降阻結構GNDB連接段和與參考電源線GNDA的控制段交疊的參考電源降阻結構GNDB控制段。參見圖6和圖7，參考電源降阻結構GNDB連接段和參考電源降阻結構GNDB控制段之間設置有燈區連接線LEDL。

在本掲露的一種實施方式中，參考電源降阻結構GNDB控制段設置有暴露參考電源線GNDA的控制段的避讓缺口，參考電源連接線GNDL在該避讓缺口內通過通孔與參考電源線GNDA電連接。

在本掲露的一種實施方式中，輔助參考電源線GNDA上可以不設置與之對應的參考電源降阻結構GNDB。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖4~圖8，降阻結構可以包括與燈區電源線VLEDA對應的燈區電源降阻結構VLEDB；所述燈區電源降阻結構VLEDB在襯底基板BP上的正投影位於對應的燈區電源線VLEDA內，且通過多個通孔HH與燈區電源線VLEDA電連接。在該實施方式中，位於燈區電源線VLEDA與燈區電源降阻結構VLEDB之間的至少部分通孔HH可以環繞燈區電源降阻結構VLEDB的邊緣設置，以高效的降低燈區電源線VLEDA的阻抗。在本掲露的一種實施方式中，在每個控制區BB，燈區電源線VLEDA與燈區電源降阻結構VLEDB之間還可以設置有一個或者多個不位於燈區電源降阻結構VLEDB邊緣的通孔HH，以使得這些通孔與位於邊緣的部分通孔形成通孔行，提高通孔密度進而降低燈區電源線VLEDA的阻抗。

當然的，在本掲露的另一種實施方式中，位於燈區電源線VLEDA與燈區電源降阻結構VLEDB之間的通孔可以排列成兩個通孔行，每個通孔行包括沿行方向H1排列的多個通孔。其中，兩個通孔行可以分別設置於燈區電源降阻結構VLEDB在列方向H2上的兩端。在本掲露的另一種實施方式中，通孔行中的各個通孔可以依次連接而整體上呈沿行方向H1延伸的長條孔。

在本掲露的一種實施方式中，在非扇出區，燈區電源降阻結構VLEDB可以與燈區電源線VLEDA完全重合，以使得燈區電源降阻結構VLEDB具有最大的佈設面積，能夠最大程度的減小燈區電源線VLEDA的阻抗。

在一些實施方式中，參見圖4~圖8，降阻結構可以包括晶片電源降阻結構VCCB；所述晶片電源降阻結構VCCB在襯底基板BP上的正投影位於晶片電源線VCCA內，且通過多個通孔與晶片電源線VCCA電連接。在本掲露的一種實施方式中，晶片電源降阻結構VCCB可以與晶片電源線VCCA的避讓段交疊，而與晶片電源線VCCA的非避讓段不交疊。如此，相鄰晶片電源降阻結構VCCB之間形成有避讓空間，以利於時鐘信號連接線CLKL、燈區連接線LEDL、位址配置連接線DISL、晶片電源連接線VCCL、參考電源連接線GNDL等位於佈線金屬層Cu2的連接走線的佈設。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖7，晶片電源降阻結構VCCB與晶片電源線VCCA之間通過沿列方向H2依次排列的多個通孔連接。

在本掲露的一些實施方式中，器件層還可以設置有電容器，電容器的兩個接腳分別與參考電源線GNDA和其他電源走線（參考電源線GNDA以外的其他電源走線）電連接，以使得電源走線的信號穩定，濾除電源走線上的噪音並解除電源走線與參考電源線GNDA之間的耦合，避免電源走線上的電壓波動而導致降低發光基板的品質。

可選地，電容器可以設置於燈區AA以外，以減小對發光基板出光均一性的影響，並降低佈線難度。

可選地，電容器在發光基板上可以較為均勻的分佈，以利於更高效、更均勻的消除電壓信號可能的波動，並使得對發光基板出光均一性的影響更均勻。

可選地，可以僅在部分電源走線上設置電容器，以避免在各個電源線上設置電容器而導致電容器密度太大，進而避免電容器密度太大而影響發光基板出光的均一性。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖3，在至少部分燈區電源線VLEDA與參考電源線GNDA之間，可以設置第一電容器Cst1，以使得燈區電源線VLEDA上的噪音被濾除，進而提高燈區電源線VLEDA上的燈區電源電壓VLED的穩定性。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2可以設置有第一電容器焊墊組，第一電容器焊墊組包括與燈區電源線VLEDA通過通孔連接的電容器第一電容器第一焊墊和用於主參考電源線GNDA通過通孔連接的第一電容器第二焊墊。電容器的兩個接腳，分別與第一電容器第一焊墊、第一電容器第二焊墊電連接。

在一種示例中，部分燈區電源線VLEDA上可以連接電容器且其餘燈區電源線VLEDA上可以不連接電容器，以避免電容器數量太多而影響發光基板的出光均一性。

在一種示例中，相鄰兩個信號通道CH的相鄰兩個燈區電源線VLEDA相互電連接以形成合併的燈區電源線VLEDA，例如合併為一條較寬的走線或者通過導電結構相互連接以形成鏤空結構。任意一個合併的燈區電源線VLEDA與參考電源線GNDA之間，均連接有第一電容器。進一步地，每個合併的燈區電源線VLEDA上連接有3~5個第一電容器。

舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，發光基板上燈區AA的列數為80列，燈區AA的行數為45行（遠離接合焊墊的一端，一個晶片IC可以驅動兩個燈區AA）。第一電容器Cst1設置在驅動第偶數列或者第奇數列的燈區電源線VLEDA上。各個第一電容器Cst1排列成四行，各個第一電容器Cst1行與第11行（從靠近接合焊墊的一端開始）、第13行、第33行和第39行燈區AA毗鄰。

在本掲露的一種實施方式中，參見圖3，在至少部分晶片電源線VCCA與主參考電源線GNDA之間，可以設置第二電容器Cst2，以使得晶片電源線VCCA上的噪音被濾除，進而提高晶片電源線VCCA上的晶片電源電壓VCC的穩定性。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2可以設置有第二電容器焊墊組，第二電容器焊墊組包括與晶片電源線VCCA通過通孔連接的第二電容器第一焊墊和與主參考電源線GNDA通過通孔連接的第二電容器第二焊墊。電容器的兩個接腳，分別與第二電容器第一焊墊、第二電容器第二焊墊電連接。

在一種示例中，部分晶片電源線VCCA上可以連接第二電容器Cst2且其餘晶片電源線VCCA上可以不連接第二電容器Cst2，以避免第二電容器Cst2數量太多而影響發光基板的出光均一性。

在一種示例中，每個晶片電源線VCCA上連接有第二電容器Cst2。進一步地，每個晶片電源線VCCA上，所連接的第二電容器Cst2的數量為2~4個。

舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，發光基板上燈區AA的列數為80列，燈區AA的行數為45行（遠離接合焊墊的一端，一個晶片IC可以驅動兩個燈區AA）。各個晶片電源線VCCA均連接有三個第二電容器Cst2。各個第二電容器Cst2排列成三行，且第二電容器Cst2行與第3行（從靠近接合焊墊的一端開始）、第23行、第43行燈區AA毗鄰。

在本掲露的一種實施方式中，電子元件還可以包括用於測量溫度的溫度感測器和對溫度感測器的電源線進行濾波的第三電容器。在驅動金屬層Cu1，驅動走線包括用於向溫度感測器載入溫度感測器電源電壓的溫度感測器電源線。第三電容器的一個接腳與溫度感測器電源線電連接，另一個接腳與主參考電源線GNDA電連接。

在一種示例中，每個溫度感測器電源線均連接有第三電容器。

在一種示例中，每個溫度感測器電源線上連接有2~4個第三電容器。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2設置有第三電容器焊墊組、溫度感測器第一走線、溫度感測器第二走線和用於接合溫度感測器的溫度感測器焊墊組。其中，溫度感測器第一走線與溫度感測器電源線電連接，且與溫度感測器焊墊組電連接，以向溫度感測器載入溫度感測器電源電壓。溫度感測器第二走線與參考電源線GNDA電連接，且與溫度感測器焊墊組電連接，以向溫度感測器載入參考電源電壓GND。第三電容器焊墊組包括第三電容器第一焊墊和第三電容器第二焊墊；第三電容器第一焊墊設置於溫度感測器第一走線，第三電容器第二焊墊設置於溫度感測器第二走線。第三電容器的兩個接腳，分別與第三電容器第一焊墊、第三電容器第二焊墊電連接。

舉例而言，在本掲露的一種實施方式中，發光基板上燈區AA的列數為80列，燈區AA的行數為45行（遠離接合焊墊的一端，一個晶片IC可以驅動兩個燈區AA）。其中，發光基板至少設置有5列溫度感測器電源線，5列溫度感測器電源線分別與第8列、24列、40列、56列和72列燈區毗鄰。每列溫度感測器電源線包括三個溫度感測器電源線，每個溫度感測器電源線均連接有第三電容器。各個第三電容器排列成三行五列。沿列方向H2，各個第三電容器行與第6行（從靠近接合焊墊的一端開始）、第22行、第38行燈區AA毗鄰。沿行方向H1，各個第三電容器與第8列、24列、40列、56列和72列燈區毗鄰。

在本掲露的一些實施方式中，參見圖9，主參考電源線GNDA可以相互合併以形成一個更大寬度的主參考電源線GNDA。這樣，發光基板在一個信號通道CH中可以僅僅設置一個主參考電源線GNDA。在本掲露的一種實施方式中，主參考電源線GNDA設置於晶片電源線VCCA遠離驅動資料線DataA的一側。在本掲露的一種實施方式中，晶片焊墊組ICPAD位於主參考電源線GNDA的一側而不與主參考電源線GNDA交疊，這使得晶片焊墊組ICPAD在行方向上偏離信號通道CH的中心。在本掲露的一種實施方式中，晶片焊墊組ICPAD位於主參考電源線GNDA與輔助參考電源線GNDA之間。

在一種示例中，參見圖9和圖10，沿預設方向H11，一個信號通道CH中的驅動走線可以包括依次設置的燈區電源線VLEDA、主參考電源線GNDA、晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA、輔助參考電源線GNDA、驅動資料線DataA、輔助參考電源線GNDA和燈區電源線VLEDA。在該示例中，時鐘信號線CLKA與驅動資料線DataA之間設置有輔助參考電源線GNDA，進而避免驅動資料線DataA上的信號對時鐘信號線CLKA進行串擾。

在一種示例中，參見圖11~圖13，佈線金屬層Cu2所設置的燈區電源電壓V燈區連接線LEDL、發光元件焊墊組LEDPAD等，可以與燈區電源線VLEDA、參考電源線GNDA等交疊。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2設置有與燈區電源線VLEDA交疊的燈區電源降阻結構VLEDB，燈區電源降阻結構VLEDB與燈區電源線VLEDA之間通過多個通孔連接，多個通孔至少部分沿燈區電源降阻結構VLEDB的邊緣環繞設置。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2設置有與主參考電源線GNDA部分交疊的參考電源降阻結構GNDB，參考電源降阻結構GNDB之間設置有燈區電源電壓V燈區連接線LEDL、發光元件焊墊組LEDPAD等。其中，參考電源降阻結構GNDB與參考電源線GNDA之間通過多個通孔連接，多個通孔至少部分環繞參考電源降阻結構GNDB的邊緣設置。

在一種示例中，晶片焊墊組ICPAD設置於晶片電源線VCCA和主參考電源線GNDA之間。其中，驅動金屬層Cu1在主參考電源線GNDA和晶片焊墊組ICPAD之間設置有輸出轉接線OUTC，與第三輸出焊墊OUT3P連接的燈區電源電壓V燈區連接線LEDL通過輸出轉接線OUTC跨接。

在一種示例中，參見圖13，時鐘信號連接線CLKL與晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA交疊，並與時鐘信號焊墊CLKP、時鐘信號線CLKA電連接。

驅動資料連接線DataL與晶片電源線VCCA、位址配置線DSA、時鐘信號線CLKA、輔助參考電源線GNDA和驅動資料線DataA交疊，並與驅動資料焊墊DataP、驅動資料線DataA連接。

位址配置連接線DISL與輸出轉接線OUTC、主參考電源線GNDA、晶片電源線VCCA和前位址配置線DSA交疊，並與位址配置焊墊DISP、前位址配置線DSA連接。

位址中繼連接線DOSL與晶片電源線VCCA、後位址配置線DSA交疊，並與晶片電源焊墊VCCP、後位址配置線DSA連接。

參考電源連接線GNDL包括第一參考電源連接線GNDL1和第二參考電源連接線GNDL2。主參考電源電壓GND具有向靠近參考電源焊墊GNDP一側延伸的參考電源線延伸部GNDE，第一參考電源連接線GNDL1與參考電源線延伸部GNDE、參考電源焊墊GNDP和靠近晶片電源線VCCA的輔助參考電源線GNDA連接，第二參考電源連接線GNDL2與兩個輔助參考電源線GNDA連接。

在一種示例中，晶片電源線VCCA在靠近主參考電源線GNDA的一側設置有避讓晶片焊墊組ICPAD的晶片電源線避讓缺口VCCAG。晶片焊墊組ICPAD設置於晶片電源線避讓缺口VCCAG中。晶片電源線VCCA具有設置晶片電源線避讓缺口VCCAG的避讓段和未設置晶片電源線避讓缺口VCCAG的非避讓段，其中，晶片電源線VCCA的避讓段的寬度小於晶片電源線VCCA的非避讓段的寬度。

在一種示例中，佈線金屬層Cu2還設置有晶片電源降阻結構VCCB，晶片電源降阻結構VCCB與晶片電源線VCCA的非避讓段通過通孔連接。

本掲露的發光基板中，局部區域的走線排布可以根據實際走線需求進行微調，例如當位於驅動金屬層Cu1的一個走線被驅動金屬層Cu1的其他走線阻擋時，該走線可以通過佈線金屬層Cu2進行跨接。相應的，當位於佈線金屬層Cu2的一個走線被佈線金屬層Cu2的其他走線阻擋時，該走線可以通過驅動金屬層Cu1進行跨接。在一些實施方式中，在PNL的扇出區，扇出走線設置於驅動金屬層Cu1；當扇出走線被其他驅動走線阻擋時，該扇出走線可以局部的通過佈線金屬層Cu2進行跨接。在另外一些實施方式中，在扇出區，部分晶片IC需要通過較長的連接走線才能夠與驅動走線和燈區連接，這些連接走線可能需要進行彎折以避讓其他連接走線，也可以通過驅動金屬層Cu1進行跨接以避讓其他走線。

在本掲露提供的顯示裝置中，發光基板可以直接顯示畫面而作為顯示面板，也可以作為穿透式液晶顯示裝置的背光源或者作為反射式液晶顯示裝置的前光源。該顯示裝置可以為手機螢幕、電腦顯示器、電視機、電子看板或者其他用於顯示的裝置，本掲露不做特殊的限定。

本領域技術人員在考慮說明書及實踐這裡掲露的發明後，將容易想到本掲露的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本掲露的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本掲露的一般性原理並包括本掲露未掲露的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本掲露的真正範圍和精神由所附的申請專利範圍指出。

AA:燈區 BB:控制區 CH:信號通道 BP:襯底基板 Cu1:驅動金屬層 Cu2:佈線金屬層 OC1:第一絕緣層 OC2:第二絕緣層 VLED:燈區電源電壓 GND:參考電源電壓 VCC:晶片電源電壓 DIS:位址配置信號 DOS:位址中繼信號 Data:驅動資料信號 CLK:時鐘信號 GNDD:參考電源接腳 VCCD:晶片電源接腳 DISD:位址配置接腳 DOSD:地址中繼接腳 DataD:驅動資料接腳 CLKD:時鐘信號接腳 ICA:晶片區 VLEDA:燈區電源線 GNDA:參考電源線 VCCA:晶片電源線 DSA:位址配置線 DataA:驅動資料線 CLKA:時鐘信號線 VLEDB:燈區電源降阻結構 GNDB:參考電源降阻結構 VCCB:晶片電源降阻結構 GNDL:參考電源連接線 VCCL:晶片電源連接線 DISL:位址配置連接線 DOSL:地址中繼連接線 DataL:驅動資料連接線 CLKL:時鐘信號連接線 LEDL:燈區連接線 DSC:位址配置轉接結構 GNDE:參考電源線延伸部 VCCAG:晶片電源線避讓缺口 GNDAG:參考電源線避讓缺口 LEDPAD:發光元件焊墊組 LEDPAD1:發光元件第一焊墊 LEDPAD2:發光元件第二焊墊 ICPAD:晶片焊墊組 Cst1:第一電容器 Cst2:第二電容器 GNDP:參考電源焊墊 VCCP:晶片電源焊墊 DISP:位址配置焊墊 DOSP:地址中繼焊墊 DataP:驅動資料焊墊 CLKP:時鐘信號焊墊 HH:通孔 H1:行方向 H11:預設方向 H2:列方向

此處的附圖被併入說明書中並構成本說明書的一部分，示出了符合本掲露的實施例，並與說明書一起用於解釋本掲露的原理。明顯而易理解地，下面描述中的附圖僅僅是本掲露的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。 圖1為本掲露的一種實施方式中，晶片的接腳示意圖。 圖2為本掲露的一種實施方式中，晶片焊墊組與驅動走線之間連接的原理示意圖。 圖3為本掲露的一種實施方式中，晶片焊墊組與驅動走線之間連接的原理示意圖。 圖4為本掲露的第一種實施方式中，驅動金屬層的局部結構示意圖。 圖5為本掲露的第一種實施方式中，佈線金屬層的局部結構示意圖。 圖6為本掲露的第一種實施方式中，驅動金屬層和佈線金屬層的局部結構示意圖。 圖7為本掲露的第一種實施方式中，驅動金屬層、佈線金屬層和設置於第一絕緣層上的通孔的局部結構示意圖。 圖8為圖7在晶片區周圍的局部放大圖。 圖9為本掲露的第二種實施方式中，驅動金屬層的局部結構示意圖。 圖10為圖9在晶片區周圍的局部放大圖。 圖11為本掲露的第二種實施方式中，佈線金屬層的局部結構示意圖。 圖12為圖11在晶片區周圍的局部放大圖。 圖13為本掲露的第二種實施方式中，驅動金屬層、佈線金屬層和設置於第一絕緣層上的通孔的在晶片區周圍的局部結構示意圖。 圖14為本掲露的第三種實施方式中，驅動金屬層、佈線金屬層和設置於第一絕緣層上的通孔的在晶片區周圍的局部結構示意圖。 圖15為本掲露的第四種實施方式中，驅動金屬層、佈線金屬層和設置於第一絕緣層上的通孔的在晶片區周圍的局部結構示意圖。 圖16為本掲露的一種實施方式中，第一絕緣層上的通孔與降阻結構的示意圖。 圖17為本掲露的一種實施方式中，第一絕緣層上的通孔與降阻結構的示意圖。 圖18為本掲露的一種實施方式中，第一絕緣層上的通孔與降阻結構的示意圖。 圖19為本掲露的一種實施方式中，第一絕緣層上的通孔與降阻結構的示意圖。 圖20為本掲露的一種實施方式中，第一絕緣層上的通孔與降阻結構的示意圖。 圖21為本掲露的一種實施方式中，發光基板的膜層結構示意圖。

CLKA:時鐘信號線

CLKL:時鐘信號連接線

DataA:驅動資料線

DataL:驅動資料連接線

DISL:位址配置連接線

DOSL:地址中繼連接線

DSA:位址配置線

DSC:位址配置轉接結構

GNDA:參考電源線

GNDAG:參考電源線避讓缺口

GNDL:參考電源連接線

H1:行方向

H11:預設方向

H2:列方向

HH:通孔

ICPAD:晶片焊墊組

LEDL:燈區連接線

LEDPAD:發光元件焊墊組

LEDPAD1:發光元件第一焊墊

LEDPAD2:發光元件第二焊墊

VCCA:晶片電源線

VCCAG:晶片電源線避讓缺口

VCCB:晶片電源降阻結構

VCCL:晶片電源連接線

Claims (25)

1. 一種發光基板，包括沿行方向依次排列的多個信號通道；每個所述信號通道包括沿列方向排列的多個控制區；每個所述控制區包括由同一晶片控制的至少一個燈區； 每個所述信號通道中，所述發光基板設置有第一驅動走線、第二驅動走線和多個參考電源線；所述第一驅動走線、所述第二驅動走線分別用於向所述晶片提供不同的驅動信號；所述參考電源線用於向所述晶片提供參考電源電壓；其中，同一所述信號通道中的各個所述參考電源線之間電連接，且所述第一驅動走線和所述第二驅動走線之間設置有至少一條所述參考電源線。
2. 如請求項1所述的發光基板，其中，所述第一驅動走線為向所述晶片提供時鐘信號的時鐘信號線； 所述第二驅動走線為用於向所述晶片提供驅動資料信號的驅動資料線或者用於向所述晶片提供位址配置信號的位址配置線。
3. 如請求項1所述的發光基板，其中，所述第二驅動走線為驅動資料線。
4. 如請求項3所述的發光基板，其中，在所述信號通道中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線、用於向所述晶片載入位址配置信號的位址配置線； 沿所述行方向，所述燈區電源線、所述參考電源線、所述晶片電源線、所述位址配置線、所述時鐘信號線、所述參考電源線、所述驅動資料線、所述參考電源線和所述燈區電源線依次設置。
5. 如請求項4所述的發光基板，其中，在所述位址配置線和所述時鐘信號線之間也設置有所述參考電源線。
6. 如請求項3所述的發光基板，其中，所述發光基板具有用於與所述晶片接合連接的晶片焊墊組，以及設置有參考電源連接線； 其中，所述參考電源連接線與各個所述參考電源線通過通孔連接，且與所述晶片焊墊組電連接。
7. 如請求項3所述的發光基板，其中，在所述信號通道中，所述多個參考電源線包括位於所述信號通道兩側的兩個主參考電源線和位於所述主參考電源線之間的輔助參考電源線；所述主參考電源線的寬度大於所述輔助參考電源線的寬度； 所述主參考電源線與所述燈區交疊，且與至少部分所述晶片不交疊。
8. 如請求項3所述的發光基板，其中，在所述信號通道中，所述多個參考電源線包括一個主參考電源線和至少一個輔助參考電源線；所述主參考電源線在各個所述參考電源線中寬度最大，且與所述驅動資料線、所述時鐘信號線不相鄰。
9. 如請求項8所述的發光基板，其中，所述晶片位於所述主參考電源線和所述輔助參考電源線之間。
10. 如請求項7或8所述的發光基板，其中，在所述信號通道中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線； 所述主參考電源線與所述燈區電源線相鄰，且寬度大於所述晶片電源線； 所述輔助參考電源線的寬度小於所述晶片電源線。
11. 如請求項1~9任意一項所述的發光基板，其中，所述發光基板還包括用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線、用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線；在至少部分所述燈區電源線與所述參考電源線之間，設置有第一電容器；和/或者，在至少部分所述晶片電源線與所述參考電源線之間，設置有第二電容器。
12. 如請求項11所述的發光基板，其中，在沿所述行方向相鄰的兩個所述信號通道中，其中一個所述信號通道中的一個燈區電源線與另一個所述信號通道中的一個所述燈區電源線相鄰設置；該相鄰設置的兩個所述燈區電源線相互連接為合併的燈區電源線；所述合併的燈區電源線為兩個所述信號通道中的燈區提供所述燈區電源電壓； 任意一個所述合併的燈區電源線與所述參考電源線之間，設置有3~5個所述第一電容器。
13. 如請求項11所述的發光基板，其中，任意一個所述晶片電源線與所述參考電源線之間，設置有2~4個所述第二電容器。
14. 如請求項1~9任意一項所述的發光基板，其中，所述發光基板設置有溫度感測器，以及用於向所述溫度感測器載入溫度感測器電源電壓的溫度感測器電源線； 任意一個所述溫度感測器電源線與所述參考電源線之間，設置有第三電容器。
15. 如請求項1~9任意一項所述的發光基板，其中，所述發光基板包括依次層疊設置的襯底基板、驅動金屬層、第一絕緣層、佈線金屬層、第二絕緣層和器件層； 所述驅動金屬層設置有所述第一驅動走線、所述第二驅動走線和所述參考電源線； 所述燈區包括電連接的多個發光元件；所述發光元件和所述晶片設置於所述器件層； 所述佈線金屬層設置有用於接合所述發光元件的發光元件焊墊組、用於接合所述晶片的晶片焊墊組、用於與所述發光元件焊墊組和所述晶片焊墊組電連接的連接走線。
16. 如請求項15所述的發光基板，其中，所述佈線金屬層設置有與至少部分所述參考電源線對應的參考電源降阻結構；所述參考電源降阻結構與對應的所述參考電源線通過通孔連接。
17. 如請求項16所述的發光基板，其中，所述參考電源降阻結構在所述襯底基板上的正投影，位於對應的所述參考電源線在所述襯底基板的正投影的範圍內。
18. 如請求項16所述的發光基板，其中，所述參考電源降阻結構與對應的所述參考電源線之間的至少部分通孔，環繞所述參考電源降阻結構的邊緣分佈。
19. 如請求項16所述的發光基板，其中，在所述信號通道中，多個所述參考電源線具有寬度最大的一個或者兩個主參考電源線；所述參考電源降阻結構與所述主參考電源線連接。
20. 如請求項15所述的發光基板，其中，所述驅動金屬層設置有用於向所述燈區載入燈區電源電壓的燈區電源線；所述佈線金屬層設置有與所述燈區電源線對應的燈區電源降阻結構；所述燈區電源線與對應的所述燈區電源降阻結構之間通過通孔連接。
21. 如請求項20所述的發光基板，其中，所述燈區電源降阻結構與對應的所述燈區電源線之間的至少部分通孔，環繞所述燈區電源降阻結構的邊緣分佈。
22. 如請求項20所述的發光基板，其中，所述燈區電源降阻結構在所述襯底基板上的正投影，與對應的所述燈區電源線在所述襯底基板上的正投影重合。
23. 如請求項15所述的發光基板，其中，所述驅動金屬層設置有用於向所述晶片載入晶片電源電壓的晶片電源線；所述佈線金屬層設置有與所述晶片電源線對應的晶片電源降阻結構；所述晶片電源降阻結構與對應的所述晶片電源線之間通過通孔連接。
24. 如請求項23所述的發光基板，其中，所述晶片電源降阻結構與對應的所述晶片電源線之間的至少部分通孔，沿列方向直線排列。
25. 一種顯示裝置，包括請求項1~24任意一項所述的發光基板。

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