TW202314994A - 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之基板洗淨裝置具備:一對上側保持裝置,其等保持基板之外周端部;下表面刷,其接觸於基板之下表面並將基板之下表面洗淨;及控制裝置,其於下表面刷將基板之下表面中央區域洗淨之期間,使將洗淨具向上方推壓之上推力變化。
Description
本發明係關於一種基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
為對用於液晶顯示裝置或有機EL(ElectroLuminescence:電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理,使用基板處理裝置。為將基板洗淨,使用基板洗淨裝置。
例如,專利文獻1所記載之基板洗淨裝置具備保持晶圓之背面周緣部之2個吸附墊、保持晶圓之背面中央部之旋轉夾盤、及將晶圓之背面洗淨之刷子。2個吸附墊保持晶圓且橫向移動。於該狀態下,以刷子將晶圓之背面中央部洗淨。其後,旋轉夾盤自吸附墊接收晶圓,旋轉夾盤保持晶圓之背面中央部且繞鉛直方向之軸(旋轉軸)旋轉。於該狀態下,以刷子將晶圓之背面周緣部洗淨。
[專利文獻1]日本專利第5904169號公報
[發明所欲解決之問題]
於以吸附墊保持晶圓周緣部時,晶圓因自重而晶圓之中心部分向下方變位,晶圓之下表面成為曲面。又,為使刷子接觸於晶圓,而將刷子自下方按壓至晶圓之背面中央部時,藉由來自刷子之載荷,晶圓之中心部分向上方變位,晶圓之下表面成為曲面。於刷子之上表面平坦之情形時,刷子之上表面整體未接觸於晶圓,刷子與晶圓接觸之面積變小,晶圓中不與刷子接觸之區域之洗淨頻率降低。
本發明之目的在於提供一種將基板之下表面中央區域之洗淨效率化之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
[解決問題之技術手段]
(1)根據本發明之某一態様,基板洗淨裝置具備:基板保持部,其保持基板之外周端部;洗淨具,其接觸於基板之下表面並將基板之下表面洗淨;及洗淨控制部,其於洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間,使將洗淨具向上方推壓之上推力變化。由於在洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間,將洗淨具向上方推壓之上推力變化,故洗淨具與基板之接觸面隨著基板之變位而變動。因此,可提供一種將基板之下表面中央區域之洗淨效率化之基板洗淨裝置。
(2)洗淨控制部使上推力連續變化。
(3)洗淨控制部使洗淨具階段性變化上推力。
(4)基板洗淨裝置進而具備檢測基板之變位之變位感測器,洗淨控制部以基板之變位落在特定範圍內之方式使上推力變化。因此,可防止基板破損。
(5)根據本發明之另一態様,基板洗淨裝置具備:基板保持部,其保持基板之外周端部;洗淨具,其接觸於基板之下表面並將基板之下表面洗淨;及控制部,其於洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間,使作用於洗淨具與基板之間之力變化。因此,在洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間,作用於洗淨具與基板之間之力變化,因而可於將下表面中央區域洗淨之期間使基板與洗淨具之接觸面變化。因此,可提供一種將基板之下表面中央區域之洗淨效率化之基板洗淨裝置。
(6)進而具備檢測基板之變位之變位感測器,控制部以基板之變位落在特定範圍之方式使作用於洗淨具與基板之間之力變化。因此,可防止基板破損。
(7)根據本發明之又一態様,基板洗淨方法係由基板洗淨裝置執行者,且上述基板洗淨裝置具備保持基板之外周端部之基板保持部、及接觸於基板之下表面並將基板之下表面洗淨之洗淨具;且上述基板洗淨方法包含:洗淨控制步驟,其於洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間使將洗淨具向上方推壓之上推力變化。
(8)根據本發明之又一態様,基板洗淨方法係由基板洗淨裝置執行者,且上述基板洗淨裝置具備保持基板之外周端部之基板保持部、及接觸於基板之下表面並將基板之下表面洗淨之洗淨具;且上述基板洗淨方法包含:控制步驟,其於洗淨具將基板之下表面中央區域洗淨之期間,使作用於洗淨具與基板之間之力變化。
[發明之效果]
根據本發明,可有效地將基板之下表面中央區域之洗淨進行洗淨。
以下,對於本發明之實施形態之基板洗淨裝置及基板洗淨方法使用圖式進行說明。於以下說明中,基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(ElectroLuminescence)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。又,本實施形態中使用之基板之至少一部分具有圓形之外周部。例如,除定位用之凹口外,外周部具有圓形。
[第1實施形態]
1.基板洗淨裝置之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。圖2係顯示基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。於本實施形態之基板洗淨裝置1中,為明確位置關係而定義互相正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖1及圖2以後之特定圖式中,適當以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內互相正交,Z方向相當於鉛直方向。
如圖1所示,基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開閉裝置90。該等構成要件設置於單元殼體2內。於圖2中,以虛線顯示單元殼體2。
單元殼體2具有矩形之底面部2a、與自底面部2a之4條邊向上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c互相對向,側壁部2d、2e互相對向。於側壁部2b之中央部,形成有矩形之開口。該開口為基板W之搬入搬出口2x,於對單元殼體2搬入及搬出基板W時使用。於圖2中,以較粗之虛線表示搬入搬出口2x。於以下說明中,將Y方向中自單元殼體2之內部通過搬入搬出口2x朝向單元殼體2之外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方,將其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。
於側壁部2b中之搬入搬出口2x之形成部分及其附近之區域,設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含構成為可將搬入搬出口2x開閉之擋板91、與驅動擋板91之擋板驅動部92。於圖2中,以較粗之兩點鏈線表示擋板91。擋板驅動部92以於對基板洗淨裝置1搬入及搬出基板W時將搬入搬出口2x打開之方式驅動擋板91。又,擋板驅動部92以於基板洗淨裝置1中進行基板W之洗淨時將搬入搬出口2x閉合之方式驅動擋板91。
於底面部2a之中央部,設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性導軌31、可動台座32及台座驅動部33。線性導軌31包含2條軌道,且設置為於俯視下自側壁部2b之附近於Y方向延伸至側壁部2c之附近為止。可動台座32設置為可於線性導軌31之2條軌道上於Y方向移動。台座驅動部33例如包含脈衝馬達,使可動台座32於線性導軌31上於Y方向移動。
於可動台座32上,下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50以排列於Y方向之方式設置。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21為所謂之旋轉夾盤,具有可吸附保持基板W之下表面之圓形吸附面,且構成為可繞於上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉。於以下說明中,於藉由吸附保持部21吸附保持基板W時,將基板W之下表面中應由吸附保持部21之吸附面吸附之區域稱為下表面中央區域。另一方面,將基板W之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。
吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝上方突出之方式設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又,於吸附保持驅動部22之旋轉軸,形成有用以於吸附保持部21中吸附保持基板W之吸引路徑。該吸引路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞上述旋轉軸旋轉。
於可動台座32上,於下側保持裝置20之附近進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3個)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42形成為於俯視下包圍吸附保持部21,且將複數根支持銷41連結。複數根支持銷41於藉由銷連結構件42互相連結之狀態下,自銷連結構件42向上方延伸一定長度。銷升降驅動部43於可動台座32上使銷連結構件42升降。藉此,複數根支持銷41相對於吸附保持部21相對升降。
下表面洗淨裝置50包含下表面刷51、2個液體噴嘴52、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷動作驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支持部55設置為於可動台座32上之一定區域內可相對於下側保持裝置20於Y方向移動。如圖2所示,於移動支持部55上,可升降地設置有升降支持部54。升降支持部54具有於遠離吸附保持部21之方向(本例中為後方)上朝斜下方傾斜之上表面54u。
如圖1所示,下表面刷51於俯視下具有圓形之外形,且於本實施形態中形成為相對較大型。具體而言,下表面刷51之直徑大於吸附保持部21之吸附面之直徑,例如為吸附保持部21之吸附面之直徑之1.3倍。又,下表面刷51之直徑大於基板W之直徑之1/3且小於1/2。另,基板W之直徑例如為300 mm。
下表面刷51具有可與基板W之下表面接觸之洗淨面。又,下表面刷51以洗淨面朝向上方且洗淨面可繞通過該洗淨面之中心於上下方向延伸之軸旋轉之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。
2個液體噴嘴52各自以位於下表面刷51附近且液體噴出口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52,連接有下表面洗淨液供給部56(圖5)。下表面洗淨液供給部56對液體噴嘴52供給洗淨液。液體噴嘴52於利用下表面刷51將基板W洗淨時,將自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液噴出至基板W之下表面。於本實施形態中,使用純水作為供給至液體噴嘴52之洗淨液。
氣體噴出部53為具有於一方向延伸之氣體噴出口之狹縫狀之氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以於俯視下位於下表面刷51與吸附保持部21之間且氣體噴射口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。於氣體噴出部53,連接有噴出氣體供給部57(圖5)。噴出氣體供給部57對氣體噴出部53供給氣體。於本實施形態中,使用氮氣等惰性氣體作為供給至氣體噴出部53之氣體。氣體噴出部53於利用下表面刷51將基板W洗淨時及後述之基板W之下表面乾燥時,將自噴出氣體供給部57供給之氣體噴射至基板W之下表面。該情形時,於下表面刷51與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀氣幕。
下表面刷動作驅動部55a包含氣缸及驅動氣缸之電空調節器,於利用下表面刷51將基板W洗淨時,藉由控制電空調節器而驅動氣缸,控制將下表面刷51按壓於基板W之下表面之上推力。
又,下表面刷動作驅動部55a進而包含馬達,於利用下表面刷51將基板W洗淨時,於下表面刷51接觸於基板W之下表面之狀態下驅動該馬達。藉此,下表面刷51旋轉。下表面刷動作驅動部55a之細節稍後敘述。
下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸,使升降支持部54相對於移動支持部55升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達,使移動支持部55於可動台座32上於Y方向移動。此處,可動台座32中之下側保持裝置20之位置固定。因此,於利用下表面刷移動驅動部55c使移動支持部55於Y方向移動時,移動支持部55相對於下側保持裝置20相對移動。於以下說明中,將可動台座32上最接近下側保持裝置20時之下表面洗淨裝置50之位置稱為接近位置,將可動台座32上距下側保持裝置20最遠時之下表面洗淨裝置50之位置稱為離開位置。
於底面部2a之中央部,進而設置有杯裝置60。杯裝置60包含杯61及杯驅動部62。杯61設置為於俯視下包圍下側保持裝置20及台座裝置30且可升降。於圖2中,以虛線表示杯61。杯驅動部62根據下表面刷51要對基板W之下表面中之哪個部分進行洗淨而使杯61於下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置為杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W更下方之高度位置。又,上杯位置為杯61之上端部位於較吸附保持部21更上方之高度位置。
於較杯61更上方之高度位置,以俯視下隔著台座裝置30對向之方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾盤11A、上夾盤12A、下夾盤驅動部13A及上夾盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾盤11B、上夾盤12B、下夾盤驅動部13B及上夾盤驅動部14B。上側保持裝置10A、10B構成本發明之基板對位裝置。
圖3係一對上側保持裝置之外觀立體圖。於圖3中,以較粗之實線表示下夾盤11A、11B。又,以虛線表示上夾盤12A、12B。於圖3之外觀立體圖中,為了容易理解下夾盤11A、11B之形狀,相對於圖2之外觀立體圖變更各部之放大縮小率。
如圖3所示,下夾盤11A、11B相對於俯視下通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置為可於共通之水平面內於X方向移動。下夾盤11A、11B各自具有2個支持片200。於各支持片200,設置有傾斜支持面201及移動限制面202。
於下夾盤11A中,各支持片200之傾斜支持面201形成為可自下方支持基板W之外周端部且朝向下夾盤11B於斜下方延伸。移動限制面202自傾斜支持面201之上端部向上方延伸一定距離,於下夾盤11A之上端部形成階差。另一方面,於下夾盤11B中,各支持片200之傾斜支持面201形成為可自下方支持基板W之外周端部且朝向下夾盤11A於斜下方延伸。移動限制面202自傾斜支持面201之上端部向上方延伸一定距離,於下夾盤11B之上端部形成階差。
下夾盤驅動部13A、13B包含氣缸或馬達作為致動器。下夾盤驅動部13A、13B以下夾盤11A、11B互相接近之方式,或以下夾盤11A、11B互相遠離之方式,使下夾盤11A、11B移動。此處,於已預設X方向上之下夾盤11A、11B之目標位置之情形時,下夾盤驅動部13A、13B可基於目標位置之資訊分別個別地調整X方向上之下夾盤11A、11B之位置。例如,可藉由將下夾盤11A、11B之間之距離設得較基板W之外徑小,而將基板W載置於下夾盤11A、11B之複數個傾斜支持面201上。該情形時,於各傾斜支持面201中,支持基板W之外周端部。
圖4係圖1及圖2之上夾盤12A、12B之外觀立體圖。於圖4中,以較粗之實線表示上夾盤12A、12B。又,以虛線表示下夾盤11A、11B。於圖4之外觀立體圖中,為了容易理解上夾盤12A、12B之形狀,相對於圖2之外觀立體圖變更各部之縮放率。
如圖4所示,上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B同樣,相對於俯視下通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置為可於共通之水平面內於X方向移動。上夾盤12A、12B各自具有2個保持片300。各保持片300具有抵接面301及突出部302。
於上夾盤12A中,各保持片300之抵接面301於該保持片300之前端下部,形成為朝向上夾盤12B,且與X方向正交。突出部302形成為自抵接面301之上端朝向上夾盤12B突出特定距離。另一方面,於上夾盤12B中,各保持片300之抵接面301於該保持片300之前端下部,形成為朝向上夾盤12A,且與X方向正交。突出部302形成為自抵接面301之上端朝向上夾盤12A突出特定距離。
上夾盤驅動部14A、14B包含氣缸又馬達作為致動器。上夾盤驅動部14A、14B以上夾盤12A、12B互相接近之方式,或以上夾盤12A、12B互相遠離之方式,使上夾盤12A、12B移動。此處,於已預設X方向上之上夾盤12A、12B之目標位置之情形時,上夾盤驅動部14A、14B可基於目標位置之資訊分別個別地調整X方向上之上夾盤12A、12B之位置。
於上述上側保持裝置10A、10B中,上夾盤12A、12B朝向由下夾盤11A、11B支持之基板W之外周端部移動。藉由上夾盤12A之2個抵接面301及上夾盤12B之2個抵接面301接觸於基板W之外周端部之複數個部分,保持基板W之外周端部,而牢固地固定基板W。
於本實施形態中,上夾盤驅動部14B以上夾盤12A之2個抵接面301及上夾盤12B之2個抵接面301按壓基板W之按壓力恆定之方式,調整上夾盤12A與上夾盤12B之間之距離。於上夾盤12A之2個抵接面301及上夾盤12B之2個抵接面301之任一者設置有壓力感測器。上夾盤驅動部14B以壓力感測器之輸出值成為預設之目標值之方式,調整上夾盤12A與上夾盤12B之間之距離。因此,一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力恆定。
如圖1所示,於杯61之一側,以俯視下位於上側保持裝置10B附近之方式,設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧噴嘴73及上表面洗淨驅動部74。
旋轉支持軸71於底面部2a上,於上下方向延伸且可升降可旋轉地由上表面洗淨驅動部74支持。臂72如圖2所示,設置為於較上側保持裝置10B更上方之位置,自旋轉支持軸71之上端部於水平方向延伸。於臂72之前端部,安裝有噴霧噴嘴73。
於噴霧噴嘴73,連接上表面洗淨流體供給部75(圖5)。上表面洗淨流體供給部75對噴霧噴嘴73供給洗淨液及氣體。於本實施形態中,使用純水作為供給至噴霧噴嘴73之洗淨液,使用氮氣等惰性氣體作為供給至噴霧噴嘴73之氣體。噴霧噴嘴73於基板W之上表面之洗淨時,將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合而産生混合流體,並將産生之混合流體噴射至下方。
上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸71升降,且使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成,藉由於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上,使噴霧噴嘴73圓弧狀移動,而可將基板W之上表面整體洗淨。
如圖1所示,於杯61之另一側,以俯視下位於上側保持裝置10A附近之方式,設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。
旋轉支持軸81於底面部2a上,於上下方向延伸且可升降可旋轉地由斜面刷驅動部84支持。臂82如圖2所示,設置為於較上側保持裝置10A更上方之位置,自旋轉支持軸81之上端部於水平方向延伸。於臂82之前端部,以朝下方突出且可繞上下方向之軸旋轉之方式設置有斜面刷83。
斜面刷83之上半部具有倒圓錐梯形形狀且下半部具有圓錐梯形形狀。根據該斜面刷83,可於外周面之上下方向上之中央部分將基板W之外周端部洗淨。
斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸81升降,且使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成,藉由使斜面刷83之外周面之中央部分接觸於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之外周端部,而可將基板W之外周端部整體洗淨。
此處,斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83繞上下方向之軸旋轉。因此,於基板W之外周端部之洗淨時,斜面刷83旋轉,藉此,基板W之外周端部中之斜面刷83之洗淨力提高。
圖5係顯示基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。圖5之控制裝置9包含CPU(Central Processing Unit:中央運算處理裝置)、RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM作為CPU之作業區域使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶控制程式。
如圖5所示,控制裝置9作為功能部,包含夾盤控制部9A、吸附控制部9B、台座控制部9C、交接控制部9D、下表面洗淨控制部9E、杯控制部9F、上表面洗淨控制部9G、斜面洗淨控制部9H及搬入搬出控制部9I。藉由CPU於RAM上執行記憶於記憶裝置之基板洗淨程式而實現控制裝置9之功能部。控制裝置9之功能部之一部分或全部可藉由電子電路等硬體實現。
夾盤控制部9A為接收搬入至基板洗淨裝置1之基板W,並於吸附保持部21之上方位置加以保持,而控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B。吸附控制部9B為藉由吸附保持部21吸附保持基板W且使所吸附保持之基板W旋轉,而控制吸附保持驅動部22。
台座控制部9C為使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動,而控制台座驅動部33。交接控制部9D為使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置、與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動,而控制銷升降驅動部43。
下表面洗淨控制部9E為將基板W之下表面洗淨,而控制下表面刷動作驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部57。杯控制部9F為以杯61接住於洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W時自基板W飛散之洗淨液,而控制杯驅動部62。
上表面洗淨控制部9G為將由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面洗淨,而控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75。斜面洗淨控制部9H為將由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部洗淨,而控制斜面刷驅動部84。搬入搬出控制部9I為於基板洗淨裝置1之基板W之搬入時及搬出時將單元殼體2之搬入搬出口2x開閉,而控制擋板驅動部92。
2.基板洗淨裝置之下表面中央區域洗淨時之概略動作
圖6係用以說明基板洗淨裝置1之概略動作之模式圖。於圖6中,於上段顯示基板洗淨裝置1之俯視圖。又,於下段顯示沿X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。下段之側視圖與圖1之A-A線側視圖對應。另,為容易理解基板洗淨裝置1中之各構成要件之形狀及動作狀態,於上段之俯視圖與下段之側視圖之間,一部分構成要件之縮放率不同。又,以兩點鏈線表示杯61,且以較粗之一點鏈線表示基板W之外形。
參考圖6,如粗實線之箭頭a5所示,升降支持部54以下表面刷51之洗淨面接觸於基板W之下表面中央區域之方式上升。又,如粗實線之箭頭a6所示,下表面刷51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之下表面中央區域之污染物質由下表面刷51物理剝離。
於圖6之下段,於對話框內顯示下表面刷51接觸於基板W之下表面之部分之放大側視圖。如該對話框內所示,於下表面刷51接觸於基板W之狀態下,液體噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W之下表面之位置。此時,液體噴嘴52如白色箭頭a51所示,於下表面刷51附近之位置向基板W之下表面噴出洗淨液。藉此,藉由將自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液引導至下表面刷51與基板W之接觸部,而由洗淨液沖洗由下表面刷51自基板W之背面去除之污染物質。如此,於下表面洗淨裝置50中,液體噴嘴52與下表面刷51一起安裝於升降支持部54。藉此,可效率良好地對下表面刷51之基板W之下表面之洗淨部分供給洗淨液。因此,減少洗淨液之消耗量且抑制洗淨液之過度飛散。
接著,於圖6之狀態下,於基板W之下表面中央區域之洗淨完成時,停止下表面刷51之旋轉,升降支持部54以下表面刷51之洗淨面離開基板W特定距離之方式下降。又,停止自液體噴嘴52向基板W噴出洗淨液。此時,繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。
3.下表面刷之上推力控制
下表面刷動作驅動部55a於下表面刷51將基板W之下表面中央區域洗淨之過程中,使將下表面刷51向上方推壓至基板W之下表面之力變動。以下,將向上方推壓下表面刷51之力稱為上推力。
於本實施形態中,基板W藉由於俯視下隔著基板W對向配置之一對上側保持裝置10A、10B夾住基板W而牢固地固定基板W。由於基板W具有特定重量,故基板W因重力而彎曲。該情形時,基板W之中心部分向下方之變位最大。再者,一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力施加至基板W。因此,基板W之中心部分向下方之變位量由施加至基板W之重力與基板W自上側保持裝置10A、10B受到之按壓力之合力決定。於因基板W自上側保持裝置10A、10B受到之按壓力,基板W變形為向下突之形狀之狀態下,使基板W之中心部分朝向下方之方向之力發揮作用。另一方面,於因基板W自上側保持裝置10A、10B受到之按壓力,基板W變形為向上突之形狀之狀態下,對基板W之中心部分作用朝向上方之方向之力。於本實施形態中,基板W自上側保持裝置10A、10B受到之按壓力恆定。
另一方面,於下表面刷51將基板W之下表面中央區域洗淨之期間,將下表面刷51按壓至基板W之下表面。此時,基板W之中心部分是否變位由施加至基板W之重力與一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力之合力、及施加至下表面刷51之上推力決定。藉由下表面刷動作驅動部55a使上推力變動,而調整基板W之中心部分之變位。此處,將基板W由一對上側保持裝置10A、10B保持之位置設為基準位置,以基板W之中心部分之位置與基準位置之間之垂直方向上之距離表示基板W之變位量。變位量將較基準位置下方設為負值,將上方設為正值。又,將變位量中容許基板W之中心部分朝正側變位之最大變位量稱為上限值,將容許基板W之中心部分朝負側變位之最小變位量稱為下限值。
圖7係模式性顯示基板未變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。圖8係顯示基板未變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。於圖7中,以粗線表示基板W與下表面刷51接觸之區域,於圖8中,以陰影線表示基板W與下表面刷51接觸之區域。
參考圖7及圖8,基板W之中央部分與基準位置相同。該情形時,基板W之變位量為零,基板W遍及整體大致水平,基板W之下表面中央區域BC為平面。另一方面,下表面刷51之上表面大致水平。因此,下表面刷51與基板W於相當於下表面中央區域BC之整體之整體區域R1接觸。該情形時,將作用於下表面刷51與下表面中央區域BC之間之力均等分配至整體區域R1。
圖9係模式性顯示基板朝負側變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。圖10係顯示基板朝負側變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。於圖9中,以粗線表示基板W與下表面刷51接觸之區域,於圖10中,以陰影線表示基板W與下表面刷51接觸之區域。
參考圖9,於基板W之中央變位至較基準位置更靠負側之情形時,基板W成為向下突之形狀,下表面中央區域BC成為曲面。另一方面,下表面刷51之上表面大致水平。因此,下表面刷51之上表面整體不與基板W接觸。參考圖10,下表面刷51與基板W於下表面中央區域BC中包含基板W之中心部分且徑小於下表面中央區域BC之圓形或橢圓形之中央區域R2接觸。
圖11係模式性顯示基板朝正側變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。圖12係顯示基板朝正側變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。於圖11中,以粗線表示基板W與下表面刷51接觸之區域,於圖12中,以陰影線表示基板W與下表面刷51接觸之區域。
參考圖11,於基板W之中央朝正側變位之情形時,下表面中央區域成為向上突之形狀,下表面中央區域BC成為曲面。另一方面,下表面刷51之上表面大致水平。因此,下表面刷51之上表面整體不與基板W接觸。參考圖12,下表面刷51與基板W於下表面中央區域BC中包含外周且除基板W之中心部分外之環狀之環狀區域R3接觸。
圖13係顯示上推力之變化之一例之時序圖。於圖13之時序圖中,縱軸表示上推力,橫軸表示時間。參考圖13,於開始利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之前之時點t0,下表面刷動作驅動部55a不對下表面刷51施加力。於開始利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之時點t1,下表面刷動作驅動部55a控制電空調節器而對下表面刷51施加上推力f2。上推力f2由基板W之重力與一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力之合力決定。具體而言,將上推力f2預設為使基板W之中央部分朝負側變位,可維持基板W之變位量為下限值之狀態之值。因此,於時點t1,基板W如圖9及圖10所示,成為基板W之中央部分朝負側變位之狀態。
且,下表面刷動作驅動部55a於時點t2,控制電空調節器並對下表面刷51施加上推力f1。上推力f1為大於上推力f2之值。一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力於基板W之中心部分朝負側變位之狀態下,於使基板W之中心部分朝負側變位之方向發揮作用。由於上推力f1大於上推力f2,故於時點t2以後,下表面刷51上升,將基板W之中央部分向上方推壓。
時點t3為經過作為利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之期間預設之洗淨期間之一半期間的時點。於自時點t2至時點t3之期間,以基板W之中央成為基準位置之方式決定上推力f1。
下表面刷動作驅動部55a於基板W之中央成為基準位置之時點t3,控制電空調節器並對下表面刷51施加上推力f3。一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力於基板W之中心部分朝正側變位之狀態下,於使基板W之中心部分朝正側變位之方向發揮作用。因此,上推力f3為小於上推力f2之值,於時點t3以後,下表面刷51上升,將基板W之中央部分向上方推壓。
時點t4為經過作為利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之期間預設之洗淨期間的時點。於自時點t3至時點t4之期間,以成為基板W之中央部分朝正側變位,基板W之變位量成為上限值之狀態之方式決定上推力f3。於時點t4,如圖11及圖12所示,成為基板W之中央部分朝正側變位之狀態。於時點t4,下表面刷動作驅動部55a停止電空調節器之控制。
於時點t2中,如圖9及圖10所示,於基板W之下表面中央區域BC內之中央區域R2,下表面刷51與基板W接觸。因此,將基板W之中央區域R2洗淨。
於時點t3,於基板W之下表面中央區域BC內之整體區域R1,下表面刷51與基板W接觸。因此,於時點t3,將基板W之整體區域R1(下表面中央區域BC)洗淨。於時點t2至時點t3之間之期間,下表面刷51與基板W接觸之部分自中央區域R2逐漸擴大至整體區域R1。
於時點t4,於基板W之下表面中央區域BC內之環狀區域R3,下表面刷51與基板W接觸。因此,將基板W之環狀區域R3洗淨。於時點t3至時點t4之間之期間,下表面刷51與基板W接觸之部分自整體區域R1逐漸縮小至環狀區域R3。
圖14係顯示上推力控制處理之流程之一例之流程圖。上推力控制處理為由控制裝置9執行之處理。參考圖14,控制裝置9控制下表面刷動作驅動部55a,以上推力f2之上推力將下表面刷51上推(步驟S01)。於該階段中,如圖9及圖10所示,於基板W之下表面中央區域BC內之中央區域R2,下表面刷51與基板W接觸。於接下來之步驟S02中,控制裝置9以上推力f1將下表面刷51上推,將處理進行至步驟S03。上推力f1為大於上推力f2之值。因此,下表面刷51上升,藉由下表面刷51將基板W之中央向上方推壓。
於步驟S03中,判斷自以上推力f1開始下表面刷51之上推起是否已經過特定時間。特定時間為基板W之中央部分移動至基準位置之時間。保持待機狀態直至經過特定時間為止(於步驟S03中為否(NO)),若已經過特定時間(於步驟S03中為是(YES)),則處理進行至步驟S04。另,於設置檢測基板W之中央部分之變位之變位感測器之情形時,可基於變位感測器之輸出,檢測基板W之中央部分之變位。於處理進行至步驟S04之前一刻,如圖7及圖8所示,基板W之下表面中央區域BC位於基準位置,於基板W之整體區域R1與下表面刷51接觸。
於步驟S04中,控制裝置9以上推力f3之上推力將下表面刷51上推,將處理進行至步驟S05。因此,下表面刷51上升,藉由下表面刷51將基板W之中央部分向上方推壓。於處理進行至步驟S04之階段,基板W之中心部分朝正側變位。一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力於基板W之中心部分朝正側變位之狀態下,於使基板W之中心部分朝正側變位之方向發揮作用。因此,上推力f3小於上推力f2。
於步驟S05中,判斷洗淨期間是否已結束。保持待機狀態直至洗淨期間結束為止(於步驟S05中為否),若洗淨期間已結束(於步驟S05中為是),則處理結束。
另,於本實施形態中,雖已顯示使基板W之中心部分自負側朝正側變位之例,但亦可使基板W之中心部分自正側朝負側變位。
4.上推力控制之變化例
圖15係顯示變化例之上推力之變化之一例之時序圖。於圖15之時序圖中,縱軸表示上推力,橫軸表示時間。
參考圖15,於開始利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨前之時點t0,下表面刷動作驅動部55a不對下表面刷51施加上推力。於開始利用下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之時點t1,下表面刷動作驅動部55a控制電空調節器並對下表面刷51施加上推力f2。且,於自時點t1至時點t2之期間T1,以對下表面刷51施加上推力f1之方式控制電空調節器。上推力f2由基板W之重力與一對上側保持裝置10A、10B保持基板W之按壓力之合力決定。具體而言,上推力f2預設為維持基板W之中心部分之變位量為下限值之狀態之值。因此,於期間T1,如圖9及圖10所示,成為下表面刷51與基板W以基板W之變位量為下限值之狀態接觸之狀態。因此,於期間T1中,於基板W之下表面中央區域BC內之中央區域R2,下表面刷51與基板W接觸。因此,將基板W之中央區域R2洗淨。
於時點t2至時點t3,下表面刷動作驅動部55a控制電空調節器對下表面刷51施加上推力f1。上推力f1為大於上推力f2之值。一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力於基板W之中心部分朝負側變位之狀態下,於使基板W之中心部分朝負側變位之方向發揮作用。由於上推力f1大於上推力f2,故於時點t2~時點t3之期間,下表面刷51上升,將基板W之中央部分向上方推壓。於時點t2~時點t3之期間,以基板W之中央部分成為基準位置之方式決定上推力f1。
且,於自時點t3至時點t4之期間T2,以對下表面刷51施加上推力f4之方式控制電空調節器。一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力於基板W之中心部分位於基準位置之狀態下,不於使基板W之中心部分朝上下方向變位之方向發揮作用。因此,上推力f4為小於上推力f2之值。具體而言,如圖7及圖8所示,上推力f4預設為使基板W之中央部分維持基準位置之值。因此,於期間T2,如圖7及圖8所示,成為基板W之中央部分不變位之狀態。因此,於期間T2,於基板W之下表面中央區域BC內之整體區域R1,下表面刷51與基板W接觸。因此,將基板W之整體區域R1洗淨。
於時點t4至時點t5,下表面刷動作驅動部55a控制電空調節器對下表面刷51施加上推力f3。上推力f3為大於上推力f4之值。一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力於基板W之中心部分未朝負側及正側之任一者變位之狀態下,不於使基板W之中心部分變位之方向發揮作用。由於上推力f3大於上推力f4,故於時點t4~時點t5之期間,下表面刷51上升,將基板W之中央部分向上方推壓。於時點t4~時點t5之期間,以成為基板W之中央部分朝正側變位,且基板W之變位量成為上限值之狀態之方式決定上推力f3。
且,於自時點t5至時點t6之期間T3,以對下表面刷51施加上推力f5之方式控制電空調節器。一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力於基板W之中心部分朝正側變位之狀態下,於使基板W之中心部分朝正側變位之方向發揮作用。因此,上推力f5為小於上推力f4之值。具體而言,將上推力f5預設為維持基板W之中央部分之變位量為上限值之狀態之值。因此,於期間T3,如圖11及圖12所示,成為下表面刷51與基板W以基板W之變位量為上限值之狀態接觸之狀態。因此,於期間T3,於基板W之下表面中央區域BC內之環狀區域R3,下表面刷51與基板W接觸。因此,將基板W之環狀區域R3洗淨。於時點t6,下表面刷動作驅動部55a停止電空調節器之控制。
於期間T1,以上推力f2將下表面刷51上推。於期間T2,以上推力f4將下表面刷51上推。於期間T3,以上推力f5將下表面刷51上推。由於上推力f2、上推力f4及上推力f5互不相同,故可根據上推力f2、上推力f4及上推力f5使期間T1、期間T2及期間T3不同。例如,可基於自上推力與接觸面積求出之每單位面積之上推力決定期間。
圖16係顯示變化例之上推力控制處理之流程之一例之流程圖。參考圖16,控制裝置9控制下表面刷動作驅動部55a,以上推力f2將下表面刷51上推,將中央區域洗淨(步驟S11)。該情形時,於基板W之變位量為下限值之狀態下將中央區域R2洗淨。於接下來之步驟S12,判斷是否已經過期間T1。期間T1係作為將中央區域R2洗淨之期間預設之期間。保持待機狀態直至自開始中央區域R2之洗淨起之經過時間變為期間T1為止(於步驟S12中為否),若經過期間T1(於步驟S15中為是),則處理進行至步驟S13。
於步驟S13中,以上推力f2將下表面刷51上推,處理進行至步驟S14。藉此,下表面刷51上升,基板W之中央部分上升至基準位置。於步驟S14中,以上推力f1將下表面刷51上推,而將整體區域R1洗淨,處理進行至步驟S15。於步驟S15中,判斷是否已經過期間T2。期間T2係作為將整體區域R1洗淨之期間預設之期間。保持待機狀態直至自開始整體區域R1之洗淨起之經過時間變為期間T2為止(於步驟S15中為否),若經過期間T2(於步驟S15中為是),則處理進行至步驟S13。
於步驟S16中,以上推力f3將下表面刷51上推,處理進行至步驟S17。藉此,下表面刷51上升,成為基板W之變位量為上限值之狀態。於步驟S17中,以上推力f5將下表面刷51上推,而將環狀區域R3洗淨,處理進行至步驟S18。於步驟S18中,判斷是否已經過期間T3。期間T3係作為將環狀區域R3洗淨之期間預設之期間。保持待機狀態直至自開始環狀區域R3之洗淨起之經過時間變為期間T3為止(於步驟S17中為否),若經過期間T3(於步驟S17中為是),則處理結束。
5.上推力控制之第2變化例
可重複進行施加至下表面刷之上推力之連續性變動。可重複複數次圖13所示之上推力變化之循環。又,圖13所示之上推力變化之循環已顯示以基板W之中央區域R2、整體區域R1及環狀區域R3之順序進行洗淨之循環,但亦可設為以基板W之環狀區域R3、整體區域R1及中央區域R2之順序進行洗淨之循環。
又,可重複進行施加至下表面刷之上推力之階段性變動。可重複複數次圖15所示之上推力變化之循環。又,圖15所示之上推力變化之循環已顯示以基板W之中央區域R2、整體區域R1及環狀區域R3之順序進行洗淨之循環,但亦可設為以基板W之環狀區域R3、整體區域R1及中央區域R2之順序進行洗淨之循環。
6.效果
第1實施形態之基板洗淨裝置1於下表面刷51將基板W之下表面中央區域BC洗淨之期間,使將下表面刷51向上方推壓之上推力變化,因而下表面刷51與基板W之接觸面隨著基板W之變位而變動。
又,由於下表面刷51之上推力連續性地變化,故可減小基板W變位之速度。
於變化例中,由於下表面刷51之上推力階段性變化,故可分為基板W之中央區域R2、整體區域R1及環狀區域R3進行洗淨。因此,可基於作用於下表面刷51與基板W之間之力之大小及下表面刷51與基板W之接觸面之面積,調整將中央區域R2、整體區域R1及環狀區域R3各者洗淨之時間。因此,可有效地將下表面中央區域BC洗淨。
[第2實施形態]
1.第2實施形態之基板洗淨裝置之構成
圖17係顯示第2實施形態之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。參考圖17,第2實施形態之基板洗淨裝置1於圖2所示之基板洗淨裝置1追加變位感測器95。變位感測器95自由一對上側保持裝置10A、10B保持之基板W之中心設置於垂直方向上方。變位感測器95測量與由一對上側保持裝置10A、10B保持之基板W之中心部分相隔之距離。因此,藉由變位感測器95,檢測基板W之中心部分之上下方向(Z方向)上之變位。此處,將基板W由上側保持裝置10A、10B保持之位置設為基準位置,以基板W之中心部分之位置與基準位置之間之垂直方向上之距離表示基板W之變位量。變位量將較基準位置下方設為負值,將上方設為正值。又,將變位量中容許基板W之中心部分朝正側變位之最大變位量稱為上限值,將容許基板W之中心部分朝負側變位之最小變位量稱為下限值。
第2實施形態之基板洗淨裝置1基於變位感測器95之輸出使上推力變動。具體而言,以基板W之中心部分之變位落在上限值與下限值之間之方式調整上推力。
2.第2實施形態之下表面刷之上推力控制
圖18係顯示第2實施形態之上推力控制處理之流程之一例之流程圖。參考圖18,控制裝置9控制下表面刷動作驅動部55a開始增加上推力(步驟S21),將處理進行至步驟S22。逐漸增加施加至下表面刷51之上推力。因此,下表面刷51開始上升,於某時點,接觸於基板W之最下端。於該階段,開始基板W之中央區域R2之洗淨。
再者,於上推力增加時,下表面刷51與基板W一起上升。隨著基板W之上昇,基板W與下表面刷51接觸之接觸面之面積逐漸增加,成為於基板W之整體區域R1與下表面刷51接觸之狀態。再者,隨著下表面刷51與基板W一起上升,基板W與下表面刷51接觸之接觸面之面積逐漸減少,成為於基板W之環狀區域R3與下表面刷51接觸之狀態。再者,當下表面刷51與基板W一起上升時,基板W之形狀變化,基板W之中心部分之變位量成為上限值。
於步驟S22,判斷是否已經過作為下表面刷51將基板W洗淨之期間之預設之洗淨期間。若未經過洗淨期間(於步驟S22中為否),則處理進行至步驟S23,若已經過洗淨期間(於步驟S22中為是),則處理結束。
於步驟S23,判斷基板W之變位量是否為上限值。基於變位感測器95之輸出,檢測基板W之變位量。若基板W之變位量為上限值,則處理進行至步驟S24,但若非如此,則處理進行至步驟S25。於處理進行至步驟S24之情形時,下表面刷51與基板W之接觸面為圖11及圖12所示之環狀區域R3。
於步驟S24,控制裝置9控制下表面刷動作驅動部55a,開始減少上推力,將處理進行至步驟S25。藉此,上推力隨著時間之經過而減少。於上推力減少時,下表面刷51與基板W一起下降。於該階段,基板W之形狀變化,基板W與下表面刷51接觸之接觸面之面積逐漸增加,成為於基板W之整體區域R1與下表面刷51接觸之狀態。再者,於下表面刷51與基板W一起下降之階段,基板W之形狀變化,基板W與下表面刷51接觸之接觸面之面積逐漸減少,成為於基板W之中央區域R2與下表面刷51接觸之狀態。
於步驟S25中,判斷基板W之變位量是否為下限值。基於變位感測器95之輸出,檢測基板W之變位量。若基板W之變位量為下限值,則處理返回至步驟S21,若非如此,則處理返回至步驟S22。
3.效果
第2實施形態之基板洗淨裝置1發揮與第1實施形態之基板洗淨裝置1同樣之效果。又,由於以由變位感測器95檢測出之基板W之變位落在特定範圍內之方式使上推力變化,故可防止基板W破損。
[其他實施形態]
(1)第1實施形態及第2實施形態之基板洗淨裝置1藉由使施加至下表面刷51之上推力變化,而變更作用於基板W與下表面刷51之間之力。因此,由於作用於基板W與下表面刷51之間之力變更,故基板W變形。本發明不限定於此。亦可藉由將施加至下表面刷51之上推力設為恆定,使一對上側保持裝置10A、10B施加至基板W之按壓力變化,而變更作用於基板W與下表面刷51之間之力。藉此,亦可藉由使作用於基板W與下表面刷51之間之力變更,而使基板W之變形變形。
(2)於第1實施形態及第2實施形態中,已顯示以基板W之中心部分於上限值與下限值之間變位之方式控制施加至下表面刷51之上推力之例,但亦可以基板W之中心部分於下限值與基準位置之間變位之方式控制施加至下表面刷51之上推力。
[技術方案之各構成要件與實施形態之各部之對應關係]
以下,對技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應例進行說明,但本發明不限定於下述例。作為技術方案之各構成要件,亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要件。
於上述實施形態中,基板洗淨裝置1為基板洗淨裝置之例,一對上側保持裝置10A、10B為基板保持部之例,下表面刷51為洗淨具之例,控制裝置9為洗淨控制部之例,變位感測器95為變位感測器之例。
1:基板洗淨裝置
2:單元殼體
2a:底面部
2b,2c,2d,2e:側壁部
2x:搬入搬出口
9:控制裝置
9A:夾盤控制部
9B:吸附控制部
9C:台座控制部
9D:交接控制部
9E:下表面洗淨控制部
9F:杯控制部
9G:上表面洗淨控制部
9H:斜面洗淨控制部
9I:搬入搬出控制部
10A,10B:上側保持裝置
11A,11B:下夾盤
12A,12B:上夾盤
13A,13B:下夾盤驅動部
14A,14B:上夾盤驅動部
20:下側保持裝置
21:吸附保持部
22:吸附保持驅動部
30:台座裝置
31:線性導軌
32:可動台座
33:台座驅動部
40:交接裝置
41:支持銷
42:銷連結構件
43:銷升降驅動部
50:下表面洗淨裝置
51:下表面刷
52:液體噴嘴
53:氣體噴出部
54:升降支持部
54u:上表面
55:移動支持部
55a:下表面刷動作驅動部
55b:下表面刷升降驅動部
55c:下表面刷移動驅動部
56:下表面洗淨液供給部
57:噴出氣體供給部
60:杯裝置
61:杯
62:杯驅動部
70:上表面洗淨裝置
71:旋轉支持軸
72:臂
73:噴霧噴嘴
74:上表面洗淨驅動部
75:上表面洗淨流體供給部
80:端部洗淨裝置
81:旋轉支持軸
82:臂
83:斜面刷
84:斜面刷驅動部
90:開閉裝置
91:擋板
92:擋板驅動部
95:變位感測器
200:支持片
201:傾斜支持面
202:移動限制面
300:保持片
301:抵接面
302:突出部
a5,a6,a51:箭頭
BC:下表面中央區域
f1~f5:上推力
R1:整體區域
R2:中央區域
R3:環狀區域
S01~S05:步驟
S11~S18:步驟
S21~S25:步驟
t0~t6:時點
T1~T3:期間
W:基板
圖1係本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。
圖2係顯示基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。
圖3係一對上側保持裝置之外觀立體圖。
圖4係圖1及圖2之上夾盤之外觀立體圖。
圖5係顯示基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。
圖6係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。
圖7係模式性顯示基板未變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。
圖8係顯示基板未變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。
圖9係模式性顯示基板向負側變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。
圖10係顯示基板向負側變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。
圖11係模式性顯示基板向正側變位之狀態下之基板與下表面刷之位置關係之圖。
圖12係顯示基板向正側變位之狀態下之基板與下表面刷之接觸面之一例之圖。
圖13係顯示上推力之變化之一例之時序圖。
圖14係顯示上推力控制處理之流程之一例之流程圖。
圖15係顯示第1變化例之上推力之變化之一例之時序圖。
圖16係顯示第1變化例之上推力控制處理之流程之一例之流程圖。
圖17係顯示第2實施形態之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。
圖18係顯示第2實施形態之上推力控制處理之流程之一例之流程圖。
1:基板洗淨裝置
2:單元殼體
2a:底面部
2b,2c,2d,2e:側壁部
2x:搬入搬出口
10A,10B:上側保持裝置
11A,11B:下夾盤
12A,12B:上夾盤
20:下側保持裝置
21:吸附保持部
22:吸附保持驅動部
30:台座裝置
31:線性導軌
32:可動台座
40:交接裝置
41:支持銷
42:銷連結構件
50:下表面洗淨裝置
51:下表面刷
52:液體噴嘴
53:氣體噴出部
54:升降支持部
54u:上表面
55:移動支持部
60:杯裝置
61:杯
70:上表面洗淨裝置
71:旋轉支持軸
72:臂
73:噴霧噴嘴
80:端部洗淨裝置
81:旋轉支持軸
82:臂
83:斜面刷
90:開閉裝置
91:擋板
Claims (8)
- 一種基板洗淨裝置,其具備: 基板保持部,其保持基板之外周端部; 洗淨具,其接觸於上述基板之下表面並將上述基板之下表面洗淨;及 洗淨控制部,其於上述洗淨具將上述基板之下表面中央區域洗淨之期間,使將上述洗淨具向上方推壓之上推力變化。
- 如請求項1之基板洗淨裝置,其中 上述洗淨控制部使上述上推力連續變化。
- 如請求項1之基板洗淨裝置,其中 上述洗淨控制部使上述洗淨具階段性變化上述上推力。
- 如請求項1至3中任一項之基板洗淨裝置,其進而具備: 變位感測器,其檢測上述基板之變位;且 上述洗淨控制部以上述基板之變位落在特定範圍內之方式使上述上推力變化。
- 一種基板洗淨裝置,其具備: 基板保持部,其保持基板之外周端部; 洗淨具,其接觸於上述基板之下表面並將上述基板之下表面洗淨;及 控制部,其於上述洗淨具將上述基板之下表面中央區域洗淨之期間,使作用於上述洗淨具與上述基板之間之力變化。
- 如請求項5之基板洗淨裝置,其進而具備: 變位感測器,其檢測上述基板之變位;且 上述控制部以上述基板之變位落在特定範圍之方式使作用於上述洗淨具與上述基板之間之力變化。
- 一種基板洗淨方法,其係由基板洗淨裝置執行者,且上述基板洗淨裝置具備: 基板保持部,其保持基板之外周端部;及 洗淨具,其接觸於上述基板之下表面並將上述基板之下表面洗淨;且上述基板洗淨方法包含: 洗淨控制步驟,其於上述洗淨具將上述基板之下表面中央區域洗淨之期間,使將上述洗淨具向上方推壓之上推力變化。
- 一種基板洗淨方法,其係由基板洗淨裝置執行者,且上述基板洗淨裝置具備: 基板保持部,其保持基板之外周端部;及 洗淨具,其接觸於上述基板之下表面並將上述基板之下表面洗淨;且上述基板洗淨方法包含: 控制步驟,其於上述洗淨具將上述基板之下表面中央區域洗淨之期間,使作用於上述洗淨具與上述基板之間之力變化。
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CN114401800A (zh) * | 2019-09-17 | 2022-04-26 | 株式会社斯库林集团 | 衬底洗净装置 |
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2021
- 2021-09-22 JP JP2021154408A patent/JP2023045821A/ja active Pending
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2022
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